JP2003198036A - 光半導体実装構造及び光モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤやスルーホール等の寄生インダクタン
ス成分を除去して、高周波信号伝送における共振による
伝送損失の劣化を防止する光半導体実装構造及び該構造
を採用した光モジュールを提供する。 【解決手段】 互いに異なる平行な一対の平面上をそれ
ぞれ延在するとともに、同じ方向を向く第１及び第２の
表面６ａ及び６ｂを有する金属ブロックを設け、第１の
伝送線路１と第１の電極５ａとは、金属ブロック６によ
って電気的に接続され、第２の伝送線路２とレーザダイ
オード５の第２の電極５ｂとは、第２の電極５ｂを第２
の伝送線路２に接触させた状態でレーザダイオード５を
配置することによって電気的に接続される。さらに、金
属ブロック６とレーザダイオード５の第１の電極５ａと
の間に導電性塊状部材７を設けるとなお良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体実装構造
及び光モジュールに関し、例えば、高周波信号を入力し
て光信号を出力するレーザダイオード等の光半導体素子
の実装に適した光半導体素子実装構造及び該実装構造を
採用した光モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信技術分野においては光信号
伝送の高速化が目覚しく、２．５ＧＨｚから１０ＧＨ
ｚ、さらには４０ＧＨｚへと移りつつあり、非常に高い
高周波信号を扱わなければならなくなってきている。こ
のような高周波信号を扱う場合、例えば光送信機におい
ては、光半導体素子と伝送線路との間の接続における寄
生インダクタンス等により性能が劣化し易いといった問
題があった。

【０００３】このような問題点に着目して寄生インダク
タンスの低減を意図した技術が、特開平７−１２２８０
８号公報に記載されており、図６に示される。

【０００４】図６において、レーザダイオード１０１の
一方の電極は、ヒートシンク１０２を介して伝送線路１
０３に電気的に接続される。もう一つの伝送線路１０４
上にはレーザダイオード１０１の他方の電極に高さをあ
わせた金属ブロック１０５が配置され、レーザダイオー
ド１０１の他方の電極はワイヤ１０６により接続されて
いる。なお、伝送線路１０３及び１０４は基板１０７の
表面側に形成されており、基板１０７の裏面側にはグラ
ンド層１０８が形成されている。

【０００５】このような実装構造を採用することによっ
て、レーザダイオード１０１の一方の電極と伝送線路１
０３との接続には、ワイヤ接続自体が不要になり、レー
ザダイオード１０１の他方の電極と伝送線路１０４を接
続する接続用ワイヤ１０５が短くなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光半導体実装構造にあっては、依然として光
半導体素子と伝送線路側とを接続するためにワイヤが存
在するので寄生インダクタンスが残ることになる。通
常、基板を挟んで互いに対向する伝送線路やグランド層
等の間には寄生容量が発生するので、この寄生容量と上
記の寄生インダクタンスとで共振回路が形成されること
になり、この共振回路の共振周波数が伝送信号の周波数
に近い場合には、伝送信号の伝送損失が増大するといっ
た問題点がある。また、このような寄生インダクタンス
は、スルーホールによっても発生するため、ワイヤだけ
でなくスルーホールも伝送信号の伝送損失を増大させる
ことになる。

【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、共振回路を部分的に構成するワ
イヤやスルーホール等の寄生インダクタンス成分を除去
した光半導体実装構造及び該構造を採用した光モジュー
ルを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１の発明は、第１及び第２の伝送線路と、前記第
１及び第２の伝送線路に電気的にそれぞれ接続される第
１及び第２の電極を有する光半導体素子と、を備えた光
半導体実装構造であって、前記第１の伝送線路に接触す
る第１の表面及び前記光半導体素子の前記第１の電極に
対向する第２の表面を有する金属ブロックを設け、該金
属ブロックの前記第１及び第２の表面は、互いに異なる
平行な一対の平面上をそれぞれ延在するとともに、同じ
方向を向き、前記第１の伝送線路と前記光半導体素子の
前記第１の電極とは、前記金属ブロックによって電気的
に接続され、前記第２の伝送線路と前記光半導体素子の
前記第２の電極とは、前記第２の電極を前記第２の伝送
線路に接触させた状態で前記光半導体素子を配置するこ
とによって電気的に接続されたことを特徴とする光半導
体実装構造である。

【０００９】前記光半導体素子の前記第１の電極と前記
金属ブロックの前記第２の表面との間に導電性塊状部材
を設け、前記第１の伝送線路と前記光半導体素子の前記
第１の電極とは、前記金属ブロックと導電性塊状部材と
によって電気的に接続されるようにしてもよい。

【００１０】前記金属ブロックはＬ字形状であってもよ
い。

【００１１】前記第１及び第２の伝送線路は同一平面上
を延在するようにしてもよい。

【００１２】上記課題を解決するため、第２の発明は、
第１及び第２の伝送線路と、前記第１及び第２の伝送線
路に電気的にそれぞれ接続される第１及び第２の電極を
有し、前記第２の電極を前記第２の伝送線路に接触させ
て前記第２の伝送線路上に配置されて、レーザ光を出射
する光半導体素子と、前記第１の伝送線路に接触する第
１の表面及び前記光半導体素子の前記第１の電極に対向
する第２の表面を有し、前記第１の伝送線路と前記光半
導体素子の前記第１の電極とを電気的に接続させる金属
ブロックと、前記第１及び第２の伝送線路の少なくとも
一部、前記光半導体素子及び前記金属ブロックを内部に
収容するパッケージと、を備え、該金属ブロックの前記
第１及び第２の表面は、互いに異なる平行な一対の平面
上をそれぞれ延在するとともに、同じ方向を向いたこと
を特徴とする光モジュールである。

【００１３】前記光半導体素子の前記第１の電極と前記
金属ブロックとは、両者間に配置された導電性塊状部材
により電気的に接続されるようにしてもよい。

【００１４】前記金属ブロックはＬ字形状であってもよ
い。

【００１５】前記第１及び第２の伝送線路をその表面上
に延在させ保持するともに、前記金属ブロック及び前記
光半導体素子を支持するキャリアと、該キャリアに案内
保持され、前記光半導体素子からのレーザ光を前記パッ
ケージの外部に伝播する光ファイバーと、を備えるよう
にしてもよい。

【００１６】前記第１及び第２の伝送線路をその表面上
に延在させ保持するともに、前記金属ブロック及び前記
光半導体素子を支持するキャリアと、該キャリアに保持
されて、前記光半導体素子からのレーザ光をパッケージ
の外部に向けて集光して出力させる又は平行光にして出
力させるレンズと、を備えるようにしてもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明に係る光半導体実装構造及
び該実装構造を適用した光モジュールを、実施形態に基
づいて説明する。

【００１８】実施形態１．図１〜図３は、本発明に係る
光半導体実装構造及び該実装構造を適用した光モジュー
ルの実施形態１を示す図である。

【００１９】図１〜図３において、光モジュールは、第
１〜第４のリード１〜４、レーザダイオード５、金属ブ
ロック６、導電性塊状部材７、キャリア８、光ファイバ
ー９、フォトダイオード１０、パッケージ１１及びワイ
ヤ１２を備えている。なお、図１は、パッケージ１１の
後述する蓋１１ａを取り外した状態の光モジュールの平
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図であり、図３は
図１のＢ−Ｂ断面図である。

【００２０】第１〜第４のリードは、パッケージ１１の
側壁を貫通してパッケージ１１の外部から内部を電気的
に連通する。第１及び第２のリードは、レーザダイオー
ド５を駆動するための高周波信号、例えば１０ＧＨｚや
４０ＧＨｚ信号をパッケージ１１の外部から供給するた
めの伝送線路であり、第３及び第４のリードは、フォト
ダイオード１０により発生した電気信号をパッケージ１
１の外部に出力する伝送線路である。

【００２１】第１のリード１と第２のリード２とは、同
一平面（仮想平面）上を延在するものであり、第３のリ
ード３と第４のリード４との関係もこれと同様であり、
本実施形態では全てのリードが同一平面上を延在する。
具体的には、第１〜第４のリード１〜４は、キャリア８
の図２及び図３における上側表面上に延在して保持され
ている。

【００２２】レーザダイオード５は、第１のリード１に
接続される第１の電極５ａ及び第２のリード２に接続さ
れる第２の電極５ｂを有しており、第１及び第２のリー
ド１、２を介して供給される高周波信号に対応するレー
ザ光を出射する。

【００２３】また、レーザダイオード５は、第２の電極
５ｂが第２のリード２に接触するように第２のリード２
上に載置されている。この結果、レーザダイオード５の
第２の電極５ｂは、第２のリード２に直接、電気的に接
続されることになる。

【００２４】金属ブロック６は、例えば金、銅等の金属
材料からなり、例えばＬ字形状のブロック材から構成さ
れる。勿論、金属ブロック６は上記金属材料のみから構
成されるだけでなく、誘電体等の非導電性材料と金属材
料とを一体化して形成したようなブロックであってもよ
い。

【００２５】また、金属ブロック６は、第１のリード１
に接触する第１の表面６ａ及びレーザダイオード５の第
１の電極５ａに対向する第２の表面６ｂを有する。これ
ら第1及び第２の表面６ａ及び６ｂは、互いに異なる平
行な一対の平面上にそれぞれ延在するとともに、同じ方
向を向いている。

【００２６】金属ブロック６は、第１のリード１に第１
の表面６ａを接触させるようにして第１のリード１上に
載置されており、第１のリード１に電気的に接続され
る。一方、金属ブロック６の第２の表面６ｂは、レーザ
ダイオード５の第１の電極５ａに対向しており、導電性
塊状部材７を介して第１の電極５ａと電気的に接続され
る。したがって、レーザダイオード５の第１の電極５ａ
は、金属ブロック６及び導電性塊状部材７を介して第２
のリード２に電気的に接続される。

【００２７】ここで、金属ブロック６の機械的な接続関
係を考えると、金属ブロック６の第１の表面６ａを含む
端部は、金属ブロック６の足部分を構成し、この足部分
が第１のリード１を介してキャリア８に支持されるよう
になっている。一方、金属ブロック６の第２の表面６ｂ
については、性能に影響を及ぼさない程度の外力しかレ
ーザダイオード５に与えないように、導電性塊状部材７
を介してレーザダイオード５の第１の電極１に接続され
ていおり、この接続関係が実現されるように、金属ブロ
ック６とレーザダイオード５との相対的位置関係及び導
電性塊状部材７の大きさが設定されている。

【００２８】導電性塊状部材７は、例えば、レーザダイ
オード５の大きさと同程度以下の小さな塊状の、例えば
金、半田等であり、高周波や熱を印加することにより溶
融して金属ブロック６と第１のリード１と第１の電極５
ａに接着するものであればよい。また、他の導電性塊状
部材７としては、導電性接着剤を用いてもよい。キャリ
ア８は、例えばセラミックスからなり、パッケージ１１
の底面上に載置されている。

【００２９】光ファイバー９は、レーザダイオード５の
前面側から出射されるレーザ光（以下、前面側レーザ光
と呼ぶ）を受光して、パッケージ１１の外部に伝播す
る。レーザダイオード５の背面側から出射されるレーザ
光（以下、背面側レーザ光と呼ぶ）は、フォトダイオー
ド１０に受光されるようになされている。

【００３０】フォトダイオード１０は、一対の電極を有
し、フォトダイオード１０は、一方の電極を第３のリー
ド３に接触させるようにして第３のリード３上に載置さ
れている。この結果、フォトダイオード１０の一方の電
極と第３のリード３とが電気的に接続される。一方、フ
ォトダイオード１０の他方の電極はワイヤ１２を介して
第４のリード４に電気的に接続されている。

【００３１】パッケージ１１は、蓋部１１ａと、レーザ
ダイオード５他の各種構成要素を収納するボックス部１
１ｂとから構成されており、第１〜第４のリード１〜４
及び光ファイバー９の貫通を許容する穴が形成されてい
る。

【００３２】なお、ここでは詳しく説明しないが、導電
性塊状部材７により金属ブロック６とレーザダイオード
５の第１の電極５ａとの電気的接続以外の各種二つの部
材要素間の接続、すなわち、金属ブロック６と第１のリ
ード１との接続、第２のリード２とレーザダイオード５
の第２の電極５ｂとの接続、並びに、第３のリード３と
フォトダイオード１０の他方の電極との接続は、互いに
面接触するだけでなく、図示しないロー材等により機械
的にも電気的にも、より確実に接続されるにようになさ
れている。

【００３３】また、本実施例では、金属ブロック６の第
２の表面６ｂとレーザダイオード５の第１の電極５ａと
は、導電性塊状部材７により電気的に接続されている
が、金属ブロック６の第２の表面を直接、第１の電極５
ａに接触させることにより両者を電気的に接続させるよ
うにしてもよい。ただし、この場合には上述したように
レーザダイオード５の性能低下を防止するためレーザダ
イオード５に大きな外力が加わらないように、レーザダ
イオード５の第１の電極５ａと金属ブロック６の第２の
表面６ｂとの高さを、高精度で一致させる必要がある。
勿論、この場合にも金属ブロック６の第２の表面６ｂと
第１の電極５ａとは面接触だけでなくロー材等により機
械的にも電気的にもより確実に接続されるようになって
いる。

【００３４】次に、光モジュールの動作を簡単に説明す
る。

【００３５】パッケージ１１の外部から、伝送すべき情
報を有する高周波信号が第１及び第２のリード１及び２
に入力されると、その高周波信号はレーザダイオード５
の第１及び第２の電極５ａ及び５ｂに供給され、レーザ
ダイオード５は、供給された高周波信号に対応する前面
側レーザ光を図３の左方向に、背面側レーザ光を図３の
右方向にそれぞれ出射する。このとき、金属ブロック６
及び導電性塊状部材７にも高周波信号が流れることにな
るが、両者は充分な電流の通過断面積を有するため、寄
生インダクタンスを発生することはない。

【００３６】上記のようにして出射された前面側レーザ
光は、光ファイバー９に入射されこの光ファイバーによ
ってパッケージ１１の外部に伝播される。一方、背面側
レーザ光はフォトダイオード１０に受光され、このレー
ザ光の強度に対応した電気信号が第３及び第４のリード
３及び４を介してパッケージ１１の外部に出力される。
第３及び第４のリード３及び４は、図示しない制御回路
に接続されており、レーザダイオード５の出力パワー
は、この制御回路によりフォトダイオード１０の出力電
気信号に基づいて制御される。

【００３７】上述のように構成される光モジュールにお
いては、金属ブロック６の第１及び第２の表面６ａ及び
６ｂが、互いに異なる平行な一対の平面上をそれぞれ延
在するとともに、同じ方向を向き、この金属ブロック６
によって第１のリード１とレーザダイオード５の第１の
電極５ａとが電気的に接続され、第２のリードとレーザ
ダイオード５の第２の電極５ｂとは、第２の電極５ｂを
第２のリード２に接触させた状態でレーザダイオード５
を配置することにより、電気的に接続される。この構成
により、高周波信号が入力される電気信号経路には従来
用いられたワイヤやスルーホールが不要になり、寄生イ
ンダクタンスが発生しなくなる。この結果、共振回路を
構成するインダクタンス成分とキャパシタンス成分のう
ちのインダクタンス成分がなくなり、共振回路自体が形
成されることがなくなる。したがって、高周波信号がレ
ーザダイオード５に入力されても、この高周波信号の周
波数に近いような共振周波数が発生することがなくな
り、高周波信号の伝送損失を大幅に低減することができ
る。

【００３８】また、金属ブロック６は、アンテナ発振を
し易いワイヤに比較して放射する電磁波は小さくなるの
で、ワイヤ接続を採用していた従来の光モジュールに比
較して、伝送信号の周波数に近い周波数がパッケージ１
０の内部で共振することを防止することができ、結果的
に高周波信号の伝送損失をさらに低減することができ
る。

【００３９】さらに、金属ブロック６によってレーザダ
イオード５の第１の電極５ａと第１のリード１とを接続
し、また第２の電極５ｂと第２のリード２とを面接触に
より直接、接続しているので、レーザダイオード５で発
生する熱を効率的に第１及び第２のリード１及び２側に
逃がすことができ、パッケージ１１自体やパッケージ１
１の外部に確実に放熱することができる。

【００４０】さらにまた、レーザダイオード５の第１の
電極５ａと、この第１の電極５ａに対向する金属ブロッ
ク６の第２の表面６ｂの間に導電性塊状部材７を配置
し、第１のリード１と第１の電極５ａとが、金属ブロッ
ク６と導電性塊状部材７とにより電気的に接続されてい
るので、導電性塊状部材７が金や半田で構成されるとき
にはその溶融変形により、また導電性塊状部材７が導電
性接着剤で構成されるときにはその流動性変形により、
金属ブロック６からレーザダイオード５に加わる外力を
軽減することができる。また導電性塊状部材７は寄生イ
ンダクタンスが発生しないので、上記した寄生インダク
タンスによる問題が発生することなく、また金属ブロッ
ク６を介した放熱も効率よく行うことができる。

【００４１】またさらに、金属ブロック６をＬ字形状に
しているので、上述の第１及び第２の表面６ａ及び６ｂ
の配置関係を簡単な形状で容易に実現することができ
る。さらにまた、第１及び第２のリード１及び２が同一
平面上を延在するように構成されているので、これらリ
ードをその表面に延在させ保持するキャリア８の形状を
簡単な構造にすることができる。

【００４２】さらにまた、金属ブロック６の第１の表面
６ａを含む足部分は、第１のリード１をその表面上に延
在させて保持するキャリア８によって支持されているの
で、第１のリード１との電気的な接続とキャリア８によ
り機械的な支持接続とを同時かつ簡単に実現することが
できる。

【００４３】またさらに、キャリア８は第１〜第４のリ
ード１〜４を保持するとともに、レーザダイオード５及
び金属ブロック６を支持し、光ファイバー９を案内支持
する構造になっているので、パッケージ１１内の部品要
素を支持あるいは保持するための部材を一つのキャリア
８により実現することができ構造を簡素にするとともに
部品点数を削減することができる。

【００４４】さらにまた、フォトダイオード１０が、レ
ーザダイオード５と同様の配置構造になっているので、
第１〜第４のリード１〜４のパッケージ１１からの取り
出しの方向や配置関係を、レーザダイオード側とフォト
ダイオード側とで同様にすることができる。なお、フォ
トダイオード１０から出力される信号は高周波信号では
ないため、寄生インダクタンスが問題にはならない。し
たがって、フォトダイオード１０の電極と第４のリード
４との接続にはワイヤ１２を用いて接続している。勿
論、このワイヤ１２の代わりに金属ブロック及び導電性
塊状部材を使ってレーザダイオード５の第１の電極５ａ
の場合と同様の接続構造にしてもよい。この場合には、
フォトダイオード１０の熱をより効率的に逃がすことが
できる。

【００４５】実施形態２．図４及び図５は、本発明に係
る光半導体実装構造及び該実装構造を適用した光モジュ
ールの実施形態２を示す図である。なお、本実施形態２
の各構成要素で、図１〜図３に示した実施形態１の構成
要素と同じものについては、同一の符号を付して、その
繰り返しの説明は省略するものとする。

【００４６】図４及び図５において、キャリア２１の図
４の上側端にはコの字状の切欠き２１ａが形成されてお
り、この切欠き２１ａには球状のレンズ２２が収容され
ている。このレンズ２２は、切欠き２１ａの３方側面３
点により位置決め固定される。

【００４７】パッケージ２３は、レーザ光が出力される
穴は光透過性部材、例えば石英からなる窓２４が取り付
けられており、パッケージ２３の内部は封止されてい
る。そしてパッケージ２３の外側面には穴に対応する位
置に円筒状のホルダ２５が溶接接合されており、このホ
ルダ２５光ファイバー９が挿入されて溶接接合されてい
る。

【００４８】なお、本実施形態２では、レンズ２２が球
状レンズであり、レンズ２２の集光作用にりレーザ光を
直接、光ファイバー９に入射させているが、他の形態、
例えばレンズ２２を入射されたレーザ光を平行光化する
凸レンズ等にして、ホルダ２５の内部にさらにもう一つ
の集光用の凸レンズ等を設けるようにしてもよい。本実
施形態２の基本的な動作は、レーザダイオード５の前面
側レーザ光がレンズ２２により集光されて光ファイバー
２７に入射される以外は、上述の実施形態１と同様であ
る。

【００４９】上述のように構成される本実施形態２にお
いては、レーザダイオード５の前面レーザ光はレンズ２
２により集光して光ファイバー２７に入射されるので、
レーザ光を効率的に光ファイバーに導くことができる。

【００５０】また、キャリア２１には切欠き２１ａを設
けてレンズを位置決め保持しているので、パッケージ１
１内部に収容される窓２４以外の各構成要素を支持ある
いは保持する部材を、キャリア２１だけで実現すること
ができ、構成を簡素化するともに部品点数の削減するこ
とができる。

【００５１】勿論、本実施形態２においても前述の実施
形態１の説明で述べたのと同様の効果を得ることができ
る。

【００５２】上述の各実施形態において、光モジュール
は光送信器とした例で説明したが、本発明を光受信器に
適用することができ、この場合にも光送信器の場合と同
様の効果を得ることができる。またこの場合には、上記
各実施形態のレーザダイオード５に代えてフォトダイオ
ードが用いられることになり、レーザダイオード５のパ
ワーモニタ用に設けられていたフォトダイオード１０は
不要になるのは勿論である。

【００５３】また、上述の各実施形態において、第１及
び第２のリードがパッケージ外部から内部に延在してレ
ーザダイオードの第２の電極あるいは金属ブロックに直
接的に接触する構造になっているが、導電薄膜線路を介
した接続構造にしてもよい。つまり、キャリア（一般的
に基板と呼ばれるものであってもよい）に第１及び第２
の導電薄膜線路を形成して、これらの第１及び第２の導
電薄膜線路に第１及び第２のリードをそれぞれロー材等
により接合し、第２の導電薄膜線路とレーザダイオード
の第２の電極とを直接的に接触させ、第１の導電薄膜線
路と金属ブロックに直接的に接触させる構造であっても
よい。このような構成にした場合、リードの取り出し位
置の自由度を高めることができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、ワイヤやスルーホール
による接続を不要にすることができ、寄生インダクタン
スが発生するのを防止することができる。このため、光
半導体素子の電極に入力あるいは出力される信号周波数
に近い共振周波数の発生を防止することができ、光半導
体素子の性能低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る光モジュールの実施形態１を、
パッケージの蓋部を取り外し状態で示す平面図。

【図２】 図１に示された光モジュールのＡ−Ａ矢視断
面図。

【図３】 図１に示された光モジュールのＢ−Ｂ矢視断
面図。

【図４】 本発明に係る光モジュールの実施形態２を、
パッケージの蓋部を取り外した状態で示す平面図。

【図５】 図４に示された光モジュールのＣ−Ｃ矢視断
面図。

【図６】 従来の光半導体実装構造を示す断面図。

【符号の説明】

１ 第１のリード（第１の伝送線路） ２ 第２のリード（第２の伝送線路） ５ レーザダイオード（光半導体素子） ５ａ 第１の電極 ５ｂ 第２の電極 ６ 金属ブロック ７ 導電性塊状部材 ８、２１ キャリア（線路保持部材） ９、２７ 光ファイバー １１、２３ パッケージ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１及び第２の伝送線路と、 前記第１及び第２の伝送線路に電気的にそれぞれ接続さ
   れる第１及び第２の電極を有する光半導体素子と、を備
   えた光半導体実装構造であって、 前記第１の伝送線路に接触する第１の表面及び前記光半
   導体素子の前記第１の電極に対向する第２の表面を有す
   る金属ブロックを設け、 該金属ブロックの前記第１及び第２の表面は、互いに異
   なる平行な一対の平面上をそれぞれ延在するとともに、
   同じ方向を向き、 前記第１の伝送線路と前記光半導体素子の前記第１の電
   極とは、前記金属ブロックによって電気的に接続され、 前記第２の伝送線路と前記光半導体素子の前記第２の電
   極とは、前記第２の電極を前記第２の伝送線路に接触さ
   せた状態で前記光半導体素子を配置することによって電
   気的に接続されたことを特徴とする光半導体実装構造。
2. 【請求項２】請求項１記載の光半導体実装構造におい
   て、 前記光半導体素子の前記第１の電極と前記金属ブロック
   の前記第２の表面との間に導電性塊状部材を設け、 前記第１の伝送線路と前記光半導体素子の前記第１の電
   極とは、前記金属ブロックと導電性塊状部材とによって
   電気的に接続されたことを特徴とする光半導体実装構
   造。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の光半導体実装構造に
   おいて、 前記金属ブロックはＬ字形状であることを特徴とする光
   半導体実装構造。
4. 【請求項４】請求項１から３の何れか一つに記載の光半
   導体実装構造において、 前記第１及び第２の伝送線路は同一平面上を延在するこ
   とを特徴とする光半導体実装構造。
5. 【請求項５】第１及び第２の伝送線路と、 前記第１及び第２の伝送線路に電気的にそれぞれ接続さ
   れる第１及び第２の電極を有し、前記第２の電極を前記
   第２の伝送線路に接触させて前記第２の伝送線路上に配
   置されて、レーザ光を出射する光半導体素子と、 前記第１の伝送線路に接触する第１の表面及び前記光半
   導体素子の前記第１の電極に対向する第２の表面を有
   し、前記第１の伝送線路と前記光半導体素子の前記第１
   の電極とを電気的に接続させる金属ブロックと、 前記第１及び第２の伝送線路の少なくとも一部、前記光
   半導体素子及び前記金属ブロックを内部に収容するパッ
   ケージと、を備え、 該金属ブロックの前記第１及び第２の表面は、互いに異
   なる平行な一対の平面上をそれぞれ延在するとともに、
   同じ方向を向いたことを特徴とする光モジュール。
6. 【請求項６】請求項５記載の光モジュールにおいて、 前記光半導体素子の前記第１の電極と前記金属ブロック
   とは、両者間に配置された導電性塊状部材により電気的
   に接続されることを特徴とする光モジュール。
7. 【請求項７】請求項５又は６記載の光モジュールにおい
   て、 前記金属ブロックはＬ字形状であることを特徴とする光
   モジュール。
8. 【請求項８】請求項５から７の何れか一つに記載の光モ
   ジュールにおいて、 前記第１及び第２の伝送線路をその表面上に延在させ保
   持するともに、前記金属ブロック及び前記光半導体素子
   を支持するキャリアと、 該キャリアに案内保持され、前記光半導体素子からのレ
   ーザ光を前記パッケージの外部に伝播する光ファイバー
   と、を備えたことを特徴とする光モジュール。
9. 【請求項９】請求項５から７の何れか一つに記載の光モ
   ジュールにおいて、 前記第１及び第２の伝送線路をその表面上に延在させ保
   持するともに、前記金属ブロック及び前記光半導体素子
   を支持するキャリアと、 該キャリアに保持されて、前記光半導体素子からのレー
   ザ光をパッケージの外部に向けて集光して出力させる又
   は平行光にして出力させるレンズと、を備えたことを特
   徴とする光モジュール。