JP2003197848A - Semiconductor package and package mount body - Google Patents

Semiconductor package and package mount body

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JP2003197848A
JP2003197848A JP2001400972A JP2001400972A JP2003197848A JP 2003197848 A JP2003197848 A JP 2003197848A JP 2001400972 A JP2001400972 A JP 2001400972A JP 2001400972 A JP2001400972 A JP 2001400972A JP 2003197848 A JP2003197848 A JP 2003197848A
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connection pads
package
main surface
semiconductor
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Yuji Izeki
裕二 井関
Naoko Ono
直子 小野
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Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package which is easily aligned on an assembly board and enables easy determination of allocation of outer connection pads and can be mounted with little failure and enables an efficient visual inspection after mounting. <P>SOLUTION: The semiconductor package comprises a tabular package base 2a, surface interconnection patterns 63a, 64a, 65a, and 66a disposed on a first principal surface of the package base 2a, a plurality of outer connection pads 31a and 36a disposed on a second principal surface of the package base 2a, a semiconductor chip 1 mounted on the surface interconnection pattern 65a, molding resin 5a formed on the first principal surface so as to seal the semiconductor chip 1, and a plurality of pad display patterns 51a and 56a disposed on the surface of the molding resin 5a so as to correspond to the outer connection pads 31a and 36a. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は少量多品種の半導体
パッケージに関し、特にアセンブリ基板への搭載性の高
い半導体パッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a small amount and a wide variety of semiconductor packages, and more particularly to a semiconductor package having a high mountability on an assembly substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、高周波用の半導体パッケージとし
ては、図15に示すようなリード(外部接続ピン)83
1〜838付きのセラミック若しくは樹脂モールドされ
たパッケージが広く使用されてきた。このように外部と
の接続用にリード831〜838を用いるパッケージ
は、リード831〜838部分での高周波特性の確保が
難しく、高周波化するアプリケーションに対応すること
が難しくなってきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a high frequency semiconductor package, leads (external connection pins) 83 as shown in FIG.
Ceramic or resin molded packages with 1-838 have been widely used. As described above, in the package using the leads 831 to 838 for external connection, it is difficult to secure high frequency characteristics in the leads 831 to 838, and it is becoming difficult to cope with high frequency applications.

【0003】そのため、これまで主に高速多ピンLSI
チップのパッケージとして利用されてきたボールグリッ
ドアレイ(BGA)、ランドグリッドアレイ(LGA)
等のパッケージ裏面に外部接続用電極の形成されている
構造の表面実装用のパッケージを、携帯電話などの小型
携帯機器に用いられる高周波用パッケージとして用いる
動きがある。
Therefore, until now, mainly high-speed multi-pin LSIs have been used.
Ball grid array (BGA) and land grid array (LGA) that have been used as chip packages
There is a movement to use a surface mounting package having a structure in which an external connection electrode is formed on the back surface of the package as a high frequency package used in a small mobile device such as a mobile phone.

【0004】BGAパッケージは、ハンダボールを外部
接続用の電極として用いるものである。LGAパッケー
ジはBGAパッケージのボールがなく、外部接続用の電
極がパッケージ基板上のランドとして形成されているも
のである。これらのパッケージでは、パッケージの方向
性を示すために、通常、パッケージ表面の1番ピンの位
置にインデックスマークと呼ばれるマークがなされてい
る。LSIに用いているBGAパッケージやLGAパッ
ケージは、単一規格の物を大量生産しているため、パッ
ケージの裏面の外部接続パッドが目視出来なくても、パ
ッケージの外形と、1番ピンの位置と、パッケージのタ
イプが分かれば、一意にその外部接続パッドの配置が決
定出来る。
The BGA package uses solder balls as electrodes for external connection. The LGA package does not have the balls of the BGA package, and electrodes for external connection are formed as lands on the package substrate. In these packages, a mark called an index mark is usually provided at the position of the first pin on the surface of the package in order to show the directionality of the package. Since BGA packages and LGA packages used for LSI are mass-produced in a single standard, even if the external connection pads on the back surface of the package are not visible, the package outline and pin 1 position If the package type is known, the layout of the external connection pad can be uniquely determined.

【0005】携帯電話などの小型携帯機器に用いられる
高周波用パッケージは、少量多品種の傾向であり、その
仕様は区々としており、モデルチェンジ等も頻繁になさ
れる。特に、ミリ波帯・サブミリ波帯等の高周波用半導
体パッケージにおいては、高周波特有な特殊仕様が採用
される場合も多い。
High-frequency packages used in small portable devices such as mobile phones tend to be in small quantities and in a large variety of products, and their specifications vary, and model changes are frequently made. In particular, special specifications peculiar to high frequencies are often adopted in semiconductor packages for high frequencies such as millimeter wave band and submillimeter wave band.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このような少量多品種
の半導体パッケージにおいては、外部接続パッド(外部
接続ピン)配置が、その製品毎に異なる。このため、製
品毎に異なるピン配置を有する少量多品種の半導体パッ
ケージを、アセンブリ基板に搭載しようとしても、BG
Aタイプ、LGAタイプの場合は、パッケージ側の表面
からは外部接続パッドが目視出来ない。このため、BG
A/LGAタイプの少量多品種の半導体パッケージをア
センブリ基板への実装時に、位置合せが著しく困難であ
るという問題があった。
In such a small amount and a large variety of semiconductor packages, the arrangement of external connection pads (external connection pins) differs depending on the product. Therefore, even if an attempt is made to mount a small amount of various types of semiconductor packages having different pin arrangements for each product on the assembly board, the BG
In the case of A type and LGA type, the external connection pad cannot be seen from the surface of the package side. Therefore, BG
There has been a problem that it is extremely difficult to align the A / LGA type small-quantity, large-variety semiconductor packages on the assembly substrate.

【0007】上記事情を鑑み、本発明は、BGA/LG
Aタイプであっても、実装時のアセンブリ基板への位置
合せが容易な少量多品種の半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention provides a BGA / LG
It is an object of the present invention to provide a small amount and a wide variety of semiconductor packages that are easy to position on an assembly substrate even when they are A type.

【0008】本発明の他の目的は、少量多品種の半導体
パッケージの外部接続パッドの割付けが容易で、実装時
の取り付けミスの発生を少なく抑えることができ、且
つ、実装後の目視検査においても、その効率を上げるこ
とができるBGA/LGAタイプのパッケージ実装体を
提供することである。
Another object of the present invention is to easily allocate the external connection pads of a small number of various types of semiconductor packages, to suppress the occurrence of mounting mistakes during mounting, and also in the visual inspection after mounting. The purpose of the present invention is to provide a BGA / LGA type package assembly that can improve its efficiency.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の特徴は(イ)第1及び第2主表面で
厚さが定義される平板状のパッケージ基板;(ロ)第1
主表面に配置された表面配線パターン;(ハ)第2主表
面に配置された複数の外部接続パッド;(ニ)表面配線
パターンに搭載された半導体チップ;(ホ)この半導体
チップを封止するように、第1主表面に形成されたモー
ルド樹脂;(ヘ)このモールド樹脂の表面に、複数の外
部接続パッドの配置位置と対応して、配置された複数の
パッド表示パターンとを備える半導体パッケージである
ことを要旨とする。ここで、「第1主表面」は、平板形
状のパッケージ基板の一方の主表面(面積が最大若しく
は2番目に大きな面)である。「第2主表面」は、パッ
ケージ基板の「第1主表面」に対向した主表面である。
即ち、第1及び第2主表面のいずれか一方が「表面」、
他方が「裏面」と解釈出来る関係にある対向した2つの
面を定義している。
In order to achieve the above object, the first feature of the present invention is (a) a flat package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces; ) First
(C) a plurality of external connection pads arranged on the second main surface; (d) a semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern; (e) this semiconductor chip is sealed. A resin package formed on the first main surface; and (f) a semiconductor package having a plurality of pad display patterns arranged on the surface of the mold resin in correspondence with the arrangement positions of a plurality of external connection pads. The main point is. Here, the “first main surface” is one main surface (the surface having the largest area or the second largest surface) of the flat plate-shaped package substrate. The “second main surface” is a main surface facing the “first main surface” of the package substrate.
That is, one of the first and second main surfaces is the "surface",
The other defines two opposite faces that are in a relationship that can be interpreted as a "back face".

【0010】本発明の第1の特徴によれば、BGA/L
GAタイプの半導体パッケージであっても、第2主表面
に配置された複数の外部接続パッドの位置を、モールド
樹脂の表面に配置されたパッド表示パターンにより識別
出来るので、アセンブリ基板への位置合せが容易とな
る。また、外部接続パッドの割付けが容易に判断しうる
ので、実装時の取り付けミスの発生を少なく抑えること
ができる。
According to the first aspect of the present invention, BGA / L
Even in the case of a GA type semiconductor package, the position of the plurality of external connection pads arranged on the second main surface can be identified by the pad display pattern arranged on the surface of the mold resin, so that the alignment with the assembly substrate is possible. It will be easy. Further, since the allocation of the external connection pads can be easily determined, it is possible to suppress the occurrence of mounting mistakes during mounting.

【0011】本発明の第1の特徴において、複数のパッ
ド表示パターンを、外部接続パッドの機能を識別する標
識の組み合わせからなるようにすれば、アセンブリ基板
への実装工程が容易になる。例えば、高周波の入/出力
端子であるのか、直流用の端子であるかを、作業者が実
装工程において、予め認識できるので、より半導体パッ
ケージの総合的な機能が生きるように実装できる。
In the first feature of the present invention, if the plurality of pad display patterns are made up of a combination of indicators for identifying the function of the external connection pad, the mounting process on the assembly substrate becomes easy. For example, the operator can recognize in advance in the mounting process whether the terminal is a high frequency input / output terminal or a DC terminal, so that the semiconductor package can be mounted so that the overall functions of the semiconductor package can be utilized.

【0012】本発明の第2の特徴は、(イ)第1及び第
2主表面で厚さが定義される平板状のパッケージ基板;
(ロ)第2主表面に配置された表面配線パターン及び複
数の外部接続パッド;(ハ)表面配線パターンに搭載さ
れた半導体チップ;(ニ)この半導体チップを封止し、
複数の外部接続パッドを露出するように、第2主表面に
選択的に形成されたモールド樹脂;(ホ)第1主表面
に、複数の外部接続パッドの配置位置と対応して、配置
された複数のパッド表示パターンとを備える半導体パッ
ケージであることを要旨とする。
A second feature of the present invention is (a) a flat package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces;
(B) a surface wiring pattern and a plurality of external connection pads arranged on the second main surface; (c) a semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern; (d) this semiconductor chip is sealed,
A molding resin selectively formed on the second main surface so as to expose the plurality of external connection pads; (e) arranged on the first main surface in correspondence with the arrangement positions of the plurality of external connection pads. The gist is that the semiconductor package includes a plurality of pad display patterns.

【0013】本発明の第2の特徴によれば、BGA/L
GAタイプの半導体パッケージであっても、第2主表面
に配置された複数の外部接続パッドの位置を、第1主表
面に配置されたパッド表示パターンにより識別出来るの
で、アセンブリ基板への位置合せが容易となる。また、
外部接続パッドの割付けが容易に判断しうるので、実装
時の取り付けミスの発生を少なく抑えることができる。
According to a second feature of the present invention, BGA / L
Even in the case of a GA type semiconductor package, the positions of the plurality of external connection pads arranged on the second main surface can be identified by the pad display pattern arranged on the first main surface. It will be easy. Also,
Since the allocation of the external connection pads can be easily determined, it is possible to suppress the occurrence of mounting errors during mounting.

【0014】本発明の第2の特徴において、複数のパッ
ド表示パターンを、外部接続パッドの機能を識別する標
識の組み合わせからなるようにすれば、アセンブリ基板
への実装工程が容易になる。例えば、高周波の入/出力
端子であるのか、直流用の端子であるかを、作業者が実
装工程において、予め認識できるので、より半導体パッ
ケージの総合的な機能が生きるように実装できる。
In the second aspect of the present invention, if the plurality of pad display patterns are made up of a combination of marks for identifying the function of the external connection pads, the mounting process on the assembly substrate becomes easy. For example, the operator can recognize in advance in the mounting process whether the terminal is a high frequency input / output terminal or a DC terminal, so that the semiconductor package can be mounted so that the overall functions of the semiconductor package can be utilized.

【0015】本発明の第3の特徴は、(イ)第1及び第
2主表面で厚さが定義される平板状のパッケージ基板;
(ロ)第1主表面に配置された表面配線パターン;
(ハ)第2主表面に配置された複数の外部接続パッド;
(ニ)表面配線パターンに搭載された半導体チップ;
(ホ)この半導体チップを封止するように、第1主表面
に形成されたモールド樹脂;(ヘ)このモールド樹脂の
表面に、複数の外部接続パッドの配置位置と対応して、
配置された複数のパッド表示パターン;(ト)複数の外
部接続パッドとそれぞれ電気的に接続可能な複数のアセ
ンブリ基板表面配線を表面に有したアセンブリ基板とを
備えるパッケージ実装体であることを要旨とする。
A third feature of the present invention is (a) a flat package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces;
(B) A surface wiring pattern arranged on the first main surface;
(C) A plurality of external connection pads arranged on the second main surface;
(D) A semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern;
(E) Mold resin formed on the first main surface so as to seal this semiconductor chip; (F) On the surface of the mold resin, corresponding to the positions of the plurality of external connection pads,
A plurality of pad display patterns arranged; (g) a package mounting body including a plurality of external connection pads and an assembly substrate having a plurality of assembly substrate surface wirings that can be electrically connected to each other To do.

【0016】本発明の第3の特徴によれば、パッケージ
実装体にBGA/LGAタイプの半導体パッケージを実
装するアセンブリ工程において、半導体パッケージの裏
面(第2主表面)に配置された複数の外部接続パッドの
位置を、半導体パッケージの表面、即ちモールド樹脂の
表面に配置されたパッド表示パターンにより識別出来る
ので、アセンブリ基板への位置合せが容易となる。ま
た、少量多品種の半導体パッケージの外部接続パッドの
割付けが容易に判断しうるので、実装時の取り付けミス
の発生を少なく抑えることができ、且つ、実装後の目視
検査においても、その効率を上げることができるパッケ
ージ実装体を提供することができる。
According to the third aspect of the present invention, in the assembly process of mounting the BGA / LGA type semiconductor package on the package mounting body, a plurality of external connections arranged on the back surface (second main surface) of the semiconductor package. Since the position of the pad can be identified by the pad display pattern arranged on the surface of the semiconductor package, that is, the surface of the mold resin, the alignment with the assembly substrate becomes easy. In addition, since it is possible to easily determine the allocation of the external connection pads of a small amount of various types of semiconductor packages, it is possible to minimize the occurrence of mounting errors during mounting, and also to improve the efficiency in visual inspection after mounting. It is possible to provide a package mounting body that can do.

【0017】本発明の第3の特徴において、複数のパッ
ド表示パターンを、外部接続パッドの機能を識別する標
識の組み合わせからなるようにすれば、アセンブリ基板
への実装工程が容易になることは、第1の特徴で述べた
通りである。更に、複数の外部接続パッドと複数のアセ
ンブリ基板表面配線とを互いにボール状電極により接続
するようにすれば、パッケージ実装体の高さ調整が容易
となり好ましい。
In the third feature of the present invention, if the plurality of pad display patterns are made up of a combination of marks for identifying the function of the external connection pad, the mounting process on the assembly substrate can be facilitated. This is as described in the first feature. Further, it is preferable that the plurality of external connection pads and the plurality of assembly substrate surface wirings are connected to each other by ball-shaped electrodes because the height of the package mounting body can be easily adjusted.

【0018】本発明の第4の特徴は、(イ)第1及び第
2主表面で厚さが定義される平板状のパッケージ基板;
(ロ)第2主表面に配置された表面配線パターン及び複
数の外部接続パッド;(ハ)表面配線パターンに搭載さ
れた半導体チップ;(ニ)この半導体チップを封止し、
複数の外部接続パッドを露出するように、第2主表面に
選択的に形成されたモールド樹脂;(ホ)第1主表面
に、複数の外部接続パッドの配置位置と対応して、配置
された複数のパッド表示パターン;(ヘ)複数の外部接
続パッドとそれぞれ電気的に接続可能な複数のアセンブ
リ基板表面配線を表面に有したアセンブリ基板とを備え
るパッケージ実装体であることを要旨とする。
A fourth feature of the present invention is (a) a flat package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces;
(B) a surface wiring pattern and a plurality of external connection pads arranged on the second main surface; (c) a semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern; (d) this semiconductor chip is sealed,
A molding resin selectively formed on the second main surface so as to expose the plurality of external connection pads; (e) arranged on the first main surface in correspondence with the arrangement positions of the plurality of external connection pads. A plurality of pad display patterns; (f) A package mounting body including a plurality of external connection pads and an assembly substrate having a plurality of assembly substrate surface wirings that can be electrically connected to each other.

【0019】本発明の第4の特徴によれば、パッケージ
実装体のアセンブリ工程において、BGA/LGAタイ
プの半導体パッケージであっても、パッケージ基板の第
2主表面に配置された複数の外部接続パッドの位置を、
パッケージ基板の第1主表面に配置されたパッド表示パ
ターンにより識別出来るので、アセンブリ基板への位置
合せが容易となる。また、少量多品種の半導体パッケー
ジの外部接続パッドの割付けが容易に判断しうるので、
実装時の取り付けミスの発生を少なく抑えることがで
き、且つ、実装後の目視検査においても、その効率を上
げることができるパッケージ実装体を提供することがで
きる。
According to the fourth aspect of the present invention, in the assembly process of the package mounting body, even in the case of a BGA / LGA type semiconductor package, a plurality of external connection pads arranged on the second main surface of the package substrate. The position of
Since the identification can be made by the pad display pattern arranged on the first main surface of the package substrate, the alignment with the assembly substrate becomes easy. Also, since it is possible to easily determine the layout of the external connection pads of a small number of types of semiconductor packages,
It is possible to provide a package mounting body capable of suppressing the occurrence of mounting mistakes during mounting and improving the efficiency thereof even in visual inspection after mounting.

【0020】本発明の第4の特徴において、複数のパッ
ド表示パターンを、外部接続パッドの機能を識別する標
識の組み合わせからなるようにすれば、アセンブリ基板
への実装工程が容易になることは、第2の特徴で述べた
通りである。更に、複数の外部接続パッドと複数のアセ
ンブリ基板表面配線とを互いにボール状電極により接続
するようにすれば、パッケージ実装体の高さ調整が容易
となり好ましい。
In the fourth feature of the present invention, if the plurality of pad display patterns are made up of a combination of indicators for identifying the function of the external connection pads, the mounting process on the assembly substrate can be facilitated. This is as described in the second feature. Further, it is preferable that the plurality of external connection pads and the plurality of assembly substrate surface wirings are connected to each other by ball-shaped electrodes because the height of the package mounting body can be easily adjusted.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記
載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符
号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、
厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実の
ものとは異なることに留意すべきである。したがって、
具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべき
ものである。又図面相互間においても互いの寸法の関係
や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic,
It should be noted that the relationship between the thickness and the plane dimension, the thickness ratio of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore,
Specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Also, it is needless to say that the drawings include portions having different dimensional relationships and ratios.

【0022】(第1の実施の形態)図1(b)に示すよ
うに、本発明の第1の実施の形態に係る半導体パッケー
ジ201aの裏面(第2主表面)には複数の外部接続パ
ッド31a,32a,33a,・・・・・,40aが設けら
れている。一方、図1(a)に示すように、半導体パッ
ケージ201aの上面を構成するモールド樹脂5aの表
面(第1主表面)にはこの複数の外部接続パッド31
a,32a,33a,・・・・・,40aの直上に当たる部
分に、複数の外部接続パッド31a,32a,33a,
・・・・・,40aの存在を示す複数のパッド表示パターン
51a,52a,53a,・・・・・,60aが設けられて
いる。図1(a)では、裏面(第2主表面)の外部接続
パッド31a,32a,33a,・・・・・,40aを破線
で示している。又、図1(b)では、表面(第1主表
面)のパッド表示パターン51a,52a,53a,・・
・・・,60aを破線で示している。外部接続パッド31
a,32a,33a,・・・・・,40aの配置と、パッド
表示パターン51a,52a,53a,・・・・・,60a
の配置は平行投影関係にあることが分かる。更に、従来
の半導体パッケージでも使用されているインデックスマ
ーク50aもモールド樹脂5aの表面(第1主表面)に
併設されている。
(First Embodiment) As shown in FIG. 1B, a plurality of external connection pads are provided on the back surface (second main surface) of a semiconductor package 201a according to the first embodiment of the present invention. 31a, 32a, 33a, ..., 40a are provided. On the other hand, as shown in FIG. 1A, the plurality of external connection pads 31 are formed on the surface (first main surface) of the mold resin 5a that constitutes the upper surface of the semiconductor package 201a.
a, 32a, 33a, ..., 40a, a plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a,
..., a plurality of pad display patterns 51a, 52a, 53a, ..., 60a indicating the existence of 40a are provided. In FIG. 1A, the external connection pads 31a, 32a, 33a, ..., 40a on the back surface (second main surface) are indicated by broken lines. Further, in FIG. 1B, pad display patterns 51a, 52a, 53a, ... On the front surface (first main surface).
..., 60a are indicated by broken lines. External connection pad 31
a, 32a, 33a, ..., 40a and pad display patterns 51a, 52a, 53a ,.
It can be seen that the arrangement of is in a parallel projection relationship. Further, the index mark 50a used also in the conventional semiconductor package is also provided on the surface (first main surface) of the mold resin 5a.

【0023】図2は、図1のA−A方向に沿った断面図
で、この断面上に現れるパッケージ基板2の第1主表面
に配置された表面配線パターン63a,64a,65
a,66a、パッケージ基板2の第2主表面に配置され
た外部接続パッド31a,36aを示している。表面配
線パターン63aと外部接続パッド31aとはバイアプ
ラグ981で接続され、表面配線パターン66aと外部
接続パッド36aとはバイアプラグ986で互いに接続
されている。図示を省略しているが、他の外部接続パッ
ド32a,33a,・・・・・,40aも、同様にバイアプ
ラグを用いて、対応する第1主表面の表面配線に接続さ
れている。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and surface wiring patterns 63a, 64a, 65 arranged on the first main surface of the package substrate 2 appearing on this section.
a, 66a and external connection pads 31a, 36a arranged on the second main surface of the package substrate 2. The surface wiring pattern 63a and the external connection pad 31a are connected by a via plug 981, and the surface wiring pattern 66a and the external connection pad 36a are connected by a via plug 986. Although not shown, the other external connection pads 32a, 33a, ..., 40a are similarly connected to corresponding surface wirings on the first main surface by using via plugs.

【0024】表面配線パターン65aには半導体チップ
1aが導電性接着剤(Agペースト)73aで固定され
ている。この半導体チップ1aには、2段の高周波トラ
ンジスタからなる高周波増幅器回路が集積化されている
(図8(b)参照。)。更に、パッケージ基板2の第1
主表面に配置された表面配線パターン63aと表面配線
パターン64aに跨るように、チップ部品4aが、ハン
ダ若しくはAgペースト等の導電性接着剤71a,72
aで固定されている。そして、ボンディングワイヤ41
aが半導体チップ1aと表面配線パターン64aとを接
続し、ボンディングワイヤ42aが半導体チップ1aと
表面配線パターン66aとを接続している。半導体チッ
プ1a及びチップ部品4aは、モールド樹脂5により封
止(モールド)されている。図2は、図1のA−A方向
に沿った断面図であるので、このモールド樹脂5上に、
パッド表示パターン51a,56aが示されている。パ
ッド表示パターン51a,56aは、パッケージ基板2
の第2主表面の外部接続パッド31a,36aの位置と
合うように配置されていることが分かる。
The semiconductor chip 1a is fixed to the surface wiring pattern 65a with a conductive adhesive (Ag paste) 73a. A high-frequency amplifier circuit including two high-frequency transistors is integrated on the semiconductor chip 1a (see FIG. 8B). Furthermore, the first of the package substrate 2
The chip component 4a is made of a conductive adhesive 71a, 72 such as solder or Ag paste so as to extend over the surface wiring pattern 63a and the surface wiring pattern 64a arranged on the main surface.
It is fixed at a. Then, the bonding wire 41
a connects the semiconductor chip 1a and the surface wiring pattern 64a, and the bonding wire 42a connects the semiconductor chip 1a and the surface wiring pattern 66a. The semiconductor chip 1a and the chip component 4a are sealed (molded) with a molding resin 5. Since FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, on the mold resin 5,
Pad display patterns 51a and 56a are shown. The pad display patterns 51a and 56a are the package substrate 2
It can be seen that they are arranged so as to be aligned with the positions of the external connection pads 31a and 36a on the second main surface.

【0025】第1の実施の形態では、パッケージ基板2
aは、例えば600μm厚のガラス布基材エポキシ樹脂
銅張り板(FR−4)を使用可能である。モールド樹脂
5aは、エポキシ樹脂が使用でき、その厚みは、例え
ば、600μm程度にすればよい。
In the first embodiment, the package substrate 2
For a, for example, a 600 μm thick glass cloth base material epoxy resin copper clad plate (FR-4) can be used. Epoxy resin can be used as the molding resin 5a, and the thickness thereof may be, for example, about 600 μm.

【0026】半導体パッケージ201aの下面に形成さ
れた複数の外部接続パッド31a,32a,33a,・・
・・・,40aは、図1(b)及び図2を考慮すれば分か
るように、パッケージ基板2aの裏面(第2主表面)上
に形成してあり、そのサイズは500μm角である。
又、外部接続パッド31a,32a,33a,・・・・・,
40aの配列のピッチは1mmである。半導体パッケー
ジ201aの上面の複数のパッド表示パターン51a,
52a,53a,・・・・・,60aは、複数の外部接続パ
ッド31a,32a,33a,・・・・・,40aの直上に
あり、第1の実施の形態では直径400μmの円形とし
ている。これは半導体パッケージ201aの表面を白色
のインクを塗布することで作製している。
A plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a, ... Formed on the lower surface of the semiconductor package 201a.
, 40a are formed on the back surface (second main surface) of the package substrate 2a, and the size thereof is 500 μm square, as can be seen from FIG. 1 (b) and FIG.
Also, the external connection pads 31a, 32a, 33a, ...
The pitch of the arrangement of 40a is 1 mm. A plurality of pad display patterns 51a on the upper surface of the semiconductor package 201a,
52a, 53a, ..., 60a are directly above the plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a, .., 40a, and are circular with a diameter of 400 μm in the first embodiment. This is manufactured by applying white ink on the surface of the semiconductor package 201a.

【0027】なお、図1及び図2では省略しているが、
半導体パッケージ201a表面には、白色インクで、そ
の半導体パッケージ201aの品名、型格が表示されて
いる。品名、型格が表示することは、従来のパッケージ
でも行われており、品名、型格が表示の印刷と同時に、
複数のパッド表示パターン51a,52a,53a,・・
・・・,60aも印刷すればよいので、複数のパッド表示
パターン51a,52a,53a,・・・・・,60aを、
半導体パッケージ201aの表面に印刷するために、特
別な追加工程は必要ではない。図1(a)に示すインデ
ックスマーク50aは、インクを塗布して形成しても良
く、従来のパッケージで作製されているのと同様、モー
ルド樹脂5aの表面を凹状に加工することで作製しても
良い。
Although omitted in FIGS. 1 and 2,
On the surface of the semiconductor package 201a, the product name and model of the semiconductor package 201a are displayed in white ink. Displaying the product name and model number is also performed on conventional packages.
A plurality of pad display patterns 51a, 52a, 53a, ...
.., 60a, so that a plurality of pad display patterns 51a, 52a, 53a ,.
No special additional steps are required to print on the surface of the semiconductor package 201a. The index mark 50a shown in FIG. 1 (a) may be formed by applying ink, and is manufactured by processing the surface of the mold resin 5a into a concave shape, as in the conventional package. Is also good.

【0028】図3及び図4は、以上のような半導体パッ
ケージ201aをアセンブリ基板8に実装した状態を示
す平面図と、A−A方向に沿った断面図である。図3に
示すように、半導体パッケージ201aの下面の複数の
外部接続パッド31a,32a,33a,・・・・・,40
aは直視出来ないが、半導体パッケージ201aの上面
に形成した複数のパッド表示パターン51a,52a,
53a,・・・・・,60aを見ることで、アセンブリ基板
8上の信号線91,96、アセンブリ基板表面配線9
2,93,・・・・・,100の端部への位置合せを容易に
行うことができる。アセンブリ基板表面配線92,9
3,・・・・・,100は、それぞれアセンブリ基板8の側
壁を貫通するピン102,103,・・・・・,110に接
続されている。図4に示す断面図では、外部接続パッド
31a及び36aを、ハンダ等の導電性接着剤で、信号
線91及び96に電気的接続している様子を示してい
る。
3 and 4 are a plan view showing a state in which the semiconductor package 201a as described above is mounted on the assembly substrate 8 and a cross-sectional view along the AA direction. As shown in FIG. 3, a plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a, ..., 40 on the lower surface of the semiconductor package 201a.
Although a cannot be viewed directly, a plurality of pad display patterns 51a, 52a, formed on the upper surface of the semiconductor package 201a,
53a, ..., 60a, the signal lines 91 and 96 on the assembly substrate 8 and the assembly substrate surface wiring 9
The alignment of the end portions of 2, 93, ..., 100 can be easily performed. Assembly board surface wiring 92, 9
, ..., 100 are connected to pins 102, 103, .., 110 penetrating the side walls of the assembly substrate 8, respectively. In the sectional view shown in FIG. 4, the external connection pads 31a and 36a are electrically connected to the signal lines 91 and 96 with a conductive adhesive such as solder.

【0029】なお、図4の第1の実施の形態に係る半導
体パッケージ201aは、外部接続電極が半導体パッケ
ージ201a下面に設けられた複数の外部接続パッド3
1a,32a,33a,・・・・・,40aだけで構成され
ているため、LGAタイプの半導体パッケージ201a
であるが、図5に示すように、複数の外部接続パッド3
1a,32a,33a,・・・・・,40aと信号線91,
96等のアセンブリ基板の表面配線とを互いにボール状
電極581,・・・・・,586,・・・・・により接続すること
も可能である。図5に示すようにすれば、パッケージ実
装体の高さ調整が容易となる。
The semiconductor package 201a according to the first embodiment shown in FIG. 4 has a plurality of external connection pads 3 having external connection electrodes provided on the lower surface of the semiconductor package 201a.
Since it is composed of only 1a, 32a, 33a, ..., 40a, it is an LGA type semiconductor package 201a.
However, as shown in FIG. 5, a plurality of external connection pads 3
1a, 32a, 33a, ..., 40a and signal line 91,
It is also possible to connect the surface wiring of the assembly substrate such as 96 to each other by ball-shaped electrodes 581 ,. With the configuration shown in FIG. 5, the height of the package mounting body can be easily adjusted.

【0030】図5に示すBGAタイプのパッケージ実装
体においても、アセンブリ工程において、半導体パッケ
ージ201aの裏面(第2主表面)に配置された複数の
外部接続パッド31a,32a,33a,・・・・・,40
aの位置を、半導体パッケージ201aの表面、即ちモ
ールド樹脂5aの表面に配置されたパッド表示パターン
51a,52a,53a,・・・・・,60aにより識別出
来るので、アセンブリ基板8への位置合せが容易とな
る。また、少量多品種の半導体パッケージ201aの外
部接続パッド31a,32a,33a,・・・・・,40a
の割付けが容易に判断しうるので、実装時の取り付けミ
スの発生を少なく抑えることができ、且つ、実装後の目
視検査においても、その効率を上げることができる。
Also in the BGA type package mounting body shown in FIG. 5, a plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a, ... Arranged on the back surface (second main surface) of the semiconductor package 201a in the assembly process.・ 、 40
Since the position of a can be identified by the pad display patterns 51a, 52a, 53a, ..., 60a arranged on the surface of the semiconductor package 201a, that is, the surface of the mold resin 5a, the alignment with the assembly substrate 8 can be performed. It will be easy. Also, external connection pads 31a, 32a, 33a, ...
Since it is possible to easily determine the allocation, it is possible to suppress the occurrence of a mounting error at the time of mounting, and it is possible to improve the efficiency in a visual inspection after mounting.

【0031】図6及び図7を参照して、図1及び図2に
示す第1の実施の形態に係る半導体パッケージ201a
の製造方法を説明する。
Referring to FIGS. 6 and 7, the semiconductor package 201a according to the first embodiment shown in FIGS.
The manufacturing method of will be described.

【0032】(イ)先ず、パッケージ基板2として、厚
さ600μmで、100mm程度の両面に銅(Cu)
箔を貼ったガラス布基材エポキシ樹脂銅張り板(FR−
4)を用意する。そして、図6(a)に示すように、パ
ッケージ基板2の第1主表面に表面配線パターン63
a,64a,65a,66a;63b,64b,65
b,66b;63c,64c,65c,66c;・・・・・
を形成する。更に、パッケージ基板2の第2主表面に外
部接続パッド31a,36a;31b,36b;31
c,36c;・・・・・を形成する。表面配線パターン63
a,64a,65a,66aは、パッケージ基板2の第
1主表面の10mm程度の領域内に、第1パッケージ
パターンとして形成する。表面配線パターン63b,6
4b,65b,66bは、第1主表面において、第1パ
ッケージパターンに隣接した位置に、同様な10mm
程度の領域に配置された繰り返しパターン(第2パッケ
ージパターン)として形成する。表面配線パターン63
c,64c,65c,66cは、同様に、第1主表面に
おいて、第2パッケージパターンに隣接した位置に、繰
り返しパターン(第3パッケージパターン)として形成
する。一方、パッケージ基板2の第2主表面に外部接続
パッド31a,36aは、第1主表面の第1パッケージ
パターンに対応する位置となるように、両面マスク合せ
装置を用いて、パターニングされる。この際、両面マス
ク合せ装置は、第1主表面の第2パッケージパターン、
第2パッケージパターンに対応する位置に、外部接続パ
ッド31b,36b及び外部接続パッド31c,36c
を、それぞれ形成する。更に、ドリル穴あけ加工をし、
パッケージ基板2を貫通するバイアホールを形成する。
穴あけ加工後のバイアホール中のデスミア処理をした
後、めっきを行い、表面配線パターン63a,66a;
63b,66b;63c,66c;・・・・・と、対応する
外部接続パッド31a,36a;31b,36b;31
c,36c;・・・・・とを互いにそれぞれ接続するバイア
プラグ(図示省略)をバイアホールの内部に埋め込む。
[0032] (a) First, as a package substrate 2, a thickness of 600 .mu.m, 100 mm degree of copper on both sides (Cu)
Glass cloth-based epoxy resin copper-clad board with foil (FR-
4) is prepared. Then, as shown in FIG. 6A, the surface wiring pattern 63 is formed on the first main surface of the package substrate 2.
a, 64a, 65a, 66a; 63b, 64b, 65
b, 66b; 63c, 64c, 65c, 66c;
To form. Further, external connection pads 31a, 36a; 31b, 36b; 31 are formed on the second main surface of the package substrate 2.
c, 36c ;. Surface wiring pattern 63
a, 64a, 65a, 66a is a 10 mm extent in the region of the first main surface of the package substrate 2 is formed as a first package pattern. Surface wiring pattern 63b, 6
4b, 65b, 66b have similar 10 mm squares at positions adjacent to the first package pattern on the first main surface.
It is formed as a repeating pattern (second package pattern) arranged in a certain area. Surface wiring pattern 63
Similarly, c, 64c, 65c, 66c are formed as a repeating pattern (third package pattern) at a position adjacent to the second package pattern on the first main surface. On the other hand, the external connection pads 31a and 36a on the second main surface of the package substrate 2 are patterned using a double-sided mask aligning device so as to be positioned corresponding to the first package pattern on the first main surface. At this time, the double-sided mask aligning device uses the second package pattern on the first main surface,
External connection pads 31b and 36b and external connection pads 31c and 36c are provided at positions corresponding to the second package pattern.
Are formed respectively. In addition, drilling processing,
A via hole penetrating the package substrate 2 is formed.
After performing the desmear process in the via hole after the drilling process, plating is performed to form the surface wiring patterns 63a and 66a;
63b, 66b; 63c, 66c; ... and corresponding external connection pads 31a, 36a; 31b, 36b; 31
Via plugs (not shown) for connecting c, 36c, ... To each other are embedded in the via holes.

【0033】(ロ)次に、図6(b)に示すように、パ
ッケージ基板2の第1主表面の表面配線パターン65
a,65b,65c,・・・・・のそれぞれに、半導体チッ
プ1a,1b,1c,・・・・・を、導電性接着剤(Agペ
ースト)73aで固定する。更に、表面配線パターン6
3aと64aに跨るように、チップ部品4aをハンダ若
しくはAgペースト等の導電性接着剤71a,72aで
実装する。更に、表面配線パターン63bと64bとに
跨るようにチップ部品4bを導電性接着剤71b,72
bで、表面配線パターン63cと64cに跨るようにチ
ップ部品4cを導電性接着剤71c,72cで実装す
る。半導体チップ1a,1b,1c,・・・・・が、パッケ
ージ基板2の第1主表面の表面配線パターン65a,6
5b,65c,・・・・・のそれぞれに固定されたら、ボン
ディングワイヤ41a,42a;41b,42b;41
c,42c;・・・・・を用いて、図6(c)に示すよう
に、ボンディングする。ボンディングワイヤ41aは半
導体チップ1aと表面配線パターン64aとを接続し、
ボンディングワイヤ42aは半導体チップ1aと表面配
線パターン66aとを接続する。ボンディングワイヤ4
1bは半導体チップ1bと表面配線パターン64bとを
接続し、ボンディングワイヤ42bは半導体チップ1b
と表面配線パターン66bとを接続する。ボンディング
ワイヤ41cは半導体チップ1cと表面配線パターン6
4cとを接続し、ボンディングワイヤ42cは半導体チ
ップ1cと表面配線パターン66cとを接続する。
(B) Next, as shown in FIG. 6B, the surface wiring pattern 65 on the first main surface of the package substrate 2
The semiconductor chips 1a, 1b, 1c, ... Are fixed to the respective a, 65b, 65c, ... With a conductive adhesive (Ag paste) 73a. Furthermore, the surface wiring pattern 6
The chip component 4a is mounted with conductive adhesives 71a and 72a such as solder or Ag paste so as to extend over 3a and 64a. Further, the chip component 4b is attached to the conductive adhesives 71b, 72 so as to extend over the surface wiring patterns 63b and 64b.
At step b, the chip component 4c is mounted with the conductive adhesives 71c and 72c so as to extend over the surface wiring patterns 63c and 64c. The semiconductor chips 1a, 1b, 1c, ... Are surface wiring patterns 65a, 6 on the first main surface of the package substrate 2.
When fixed to each of 5b, 65c, ..., Bonding wires 41a, 42a; 41b, 42b; 41
Bonding is carried out using c, 42c ..., As shown in FIG. The bonding wire 41a connects the semiconductor chip 1a and the surface wiring pattern 64a,
The bonding wire 42a connects the semiconductor chip 1a and the surface wiring pattern 66a. Bonding wire 4
1b connects the semiconductor chip 1b to the surface wiring pattern 64b, and the bonding wire 42b serves as the semiconductor chip 1b.
And the surface wiring pattern 66b are connected. The bonding wire 41c is used for the semiconductor chip 1c and the surface wiring pattern 6
4c, and the bonding wire 42c connects the semiconductor chip 1c and the surface wiring pattern 66c.

【0034】(ハ)次に、図7(d)に示すように、パ
ッケージ基板2の第1主表面の縁を除く全面に、エポキ
シ樹脂(モールド樹脂)5を、一定の厚さ600μmと
なるように塗布し、半導体チップ1a,1b,1c,・・
・・・及びチップ部品4a,4b,4c,・・・・・をモールド
する。
(C) Next, as shown in FIG. 7D, an epoxy resin (molding resin) 5 having a constant thickness of 600 μm is formed on the entire surface of the package substrate 2 excluding the edge of the first main surface. So that the semiconductor chips 1a, 1b, 1c, ...
... and chip parts 4a, 4b, 4c, ... are molded.

【0035】(ニ)その後、モールド樹脂5上に、パッ
ド表示パターン51a,56a;51b,56b;51
c,56c,・・・・・をスクリーン印刷等の手法で、印刷
する。パッケージ基板2の第2主表面の外部接続パッド
31a,36a;31b,36b;31c,36c;・・
・・・の位置と合うように、パッケージ基板2の端部の位
置を基準として印刷する。パッド表示パターン51a,
56a;51b,56b;51c,56c;・・・・・の印
刷と同時に、スクライブライン(ダイシングライン)も
印刷しても良い。
(D) Thereafter, the pad display patterns 51a, 56a; 51b, 56b; 51 are formed on the mold resin 5.
c, 56c, ... Are printed by a method such as screen printing. External connection pads 31a, 36a; 31b, 36b; 31c, 36c on the second main surface of the package substrate 2;
Printing is performed with reference to the position of the end portion of the package substrate 2 so as to match the position of. Pad display pattern 51a,
Simultaneously with the printing of 56a; 51b, 56b; 51c, 56c; .., the scribe line (dicing line) may be printed.

【0036】(ホ)最後に、パッド表示パターン56a
と51bと間、パッド表示パターン56bと51cとの
間、・・・・・を位置決めして、ダイアモンドブレード等を
用いて、ダイシングして、半導体パッケージ201a,
201b,201c,・・・・・に分離する。上述したよう
に、印刷で形成したスクライブラインに沿ってダイシン
グしても良い。
(E) Finally, the pad display pattern 56a
, 51b, and between the pad display patterns 56b and 51c, ..., and the semiconductor packages 201a,
Separated into 201b, 201c, .... As described above, dicing may be performed along the scribe line formed by printing.

【0037】図8(a)に示す第1の実施の形態の変形
例に係る半導体パッケージ202aは、複数のパッド表
示パターン45a,52a,43a,44a,55a,
46a,57a,48a,49a,60aを、その表示
する複数の外部接続パッド31a,32a,33a,・・
・・・,40aの役割(機能)に応じて、その表示(標
識)を変えている。図8(a)では、半導体パッケージ
に搭載されている半導体チップは、図8(b)に示すよ
うな2段の高周波トランジスタTr1,Tr2からなる
高周波増幅回路であると仮定して説明する。
A semiconductor package 202a according to a modification of the first embodiment shown in FIG. 8A has a plurality of pad display patterns 45a, 52a, 43a, 44a, 55a ,.
46a, 57a, 48a, 49a, 60a are displayed as a plurality of external connection pads 31a, 32a, 33a, ...
The display (sign) is changed according to the role (function) of 40a. In FIG. 8A, description will be made assuming that the semiconductor chip mounted in the semiconductor package is a high-frequency amplifier circuit including two-stage high-frequency transistors Tr1 and Tr2 as shown in FIG. 8B.

【0038】図8(b)においては、RF入力端子31
aからRF出力端子36aの間に、結合コンデンサC
1,第1のトランジスタTr1、結合コンデンサC4、
第2のトランジスタTr2、結合コンデンサC7の経路
で、高周波伝送線路が構成されている。そして、RF信
号がRF入力端子31aから入力され、この高周波伝送
線路を伝達し、RF出力端子36aから出力される。結
合コンデンサC1とRF入力端子31aとの間には、高
周波伝送線路のインピーダンスを調整するためのインピ
ーダンスZのオープンスタブが設けられている。第1
のトランジスタTr1のソースは接地され、ゲートに
は、直流と高周波を分離するためのバイパスコンデンサ
(デカップリング用コンデンサ)C2及びインピーダン
スZを介して、直流バイアス用端子82からゲート電
圧Vg1が供給出来るように構成されている。第1のト
ランジスタTr1のドレインには、直流と高周波を分離
するためのバイパスコンデンサC3及びインピーダンス
を介して、直流バイアス用端子33aからドレイン
電圧Vd1が供給出来るように構成されている。同様
に、第2のトランジスタTr2のゲートには、バイパス
コンデンサC5及びインピーダンスZを介して、直流
バイアス用端子38aからゲート電圧Vg2が供給さ
れ、第2のトランジスタTr2のドレインには、バイパ
スコンデンサC6及びインピーダンスZを介して、直
流バイアス用端子34aからドレイン電圧Vd2が供給
出来るように構成されている。第2のトランジスタTr
2のソースは接地されている。こうして、RF入力端子
31aから入力された高周波信号は結合コンデンサC1
を通して第1のトランジスタTr1に入力され、ここで
増幅される。増幅された高周波信号は結合コンデンサC
4を通して、第2のトランジスタTr2に入力され、こ
こで増幅され、結合コンデンサC7を通し、RF出力端
子36aから外部に出力される。又、図8(b)中、Z
は、配線等で構成されるインピーダンス成分を示して
いる。
In FIG. 8B, the RF input terminal 31
a coupling capacitor C between a and the RF output terminal 36a.
1, a first transistor Tr1, a coupling capacitor C4,
A high-frequency transmission line is formed by the path of the second transistor Tr2 and the coupling capacitor C7. Then, the RF signal is input from the RF input terminal 31a, transmitted through the high frequency transmission line, and output from the RF output terminal 36a. An open stub having an impedance Z s for adjusting the impedance of the high frequency transmission line is provided between the coupling capacitor C1 and the RF input terminal 31a. First
The source of the transistor Tr1 is grounded, and the gate voltage Vg1 can be supplied to the gate from the DC bias terminal 82 via the bypass capacitor (decoupling capacitor) C2 for separating DC and high frequency and the impedance Z g. Is configured. The drain of the first transistors Tr1, via a bypass capacitor C3 and the impedance Z d for separating DC and RF, the drain voltage Vd1 is configured to be supplied from the DC bias terminal 33a. Similarly, the gate voltage Vg2 is supplied from the DC bias terminal 38a to the gate of the second transistor Tr2 via the bypass capacitor C5 and the impedance Z g, and the drain of the second transistor Tr2 is connected to the bypass capacitor C6. and via an impedance Z d, the drain voltage Vd2 is configured to be supplied from the DC bias terminal 34a. Second transistor Tr
The source of 2 is grounded. In this way, the high frequency signal input from the RF input terminal 31a is coupled to the coupling capacitor C1.
Is input to the first transistor Tr1 through and is amplified here. The amplified high frequency signal is a coupling capacitor C
4 is input to the second transistor Tr2, is amplified here, and is output to the outside from the RF output terminal 36a through the coupling capacitor C7. Also, in FIG. 8 (b), Z
0 indicates an impedance component composed of wiring or the like.

【0039】図8(a)においては、高周波(RF)信
号の入出力パッド31a,36aを示す表示パターン4
5a,46aの標識を「黒塗りの3角形」に、ゲート端
子用のパッド38a,39aを示す表示パターン48
a,49aの標識を「×」に、ドレイン端子33a,3
4aを示す表示パターン43a,44aの標識を「+」
に、接地端子32a,35a,37a,40aを示す表
示パターン52a,55a,57a,60aの標識を
「黒塗りの丸」にしている。
In FIG. 8A, a display pattern 4 showing the input / output pads 31a and 36a for the high frequency (RF) signal.
A display pattern 48 showing the marks 5a and 46a in a "black triangle" and the pads 38a and 39a for gate terminals.
a, 49a are marked with "x", and drain terminals 33a, 3a
The display pattern 43a, 44a indicating 4a is marked with "+"
In addition, the signs of the display patterns 52a, 55a, 57a, 60a showing the ground terminals 32a, 35a, 37a, 40a are "black circles".

【0040】図8(a)に示すような機能を識別する標
識の組み合わせからなるパッド表示パターン45a,5
2a,43a,44a,55a,46a,57a,48
a,49a,60aを採用することにより、アセンブリ
基板8への位置合せを容易にすると共に、半導体パッケ
ージ202aの複数の外部接続パッド31a,32a,
33a,・・・・・,40aの割付けを容易に理解しうる。
この結果、アセンブリ基板8への実装時の取り付けミス
の発生を少なく抑えることができ、且つ、アセンブリ基
板8への実装後の目視検査においても、その効率を上げ
ることができる。
Pad display patterns 45a, 5 consisting of a combination of markers for identifying functions as shown in FIG. 8 (a).
2a, 43a, 44a, 55a, 46a, 57a, 48
By adopting a, 49a and 60a, the alignment with the assembly substrate 8 is facilitated and the plurality of external connection pads 31a, 32a of the semiconductor package 202a,
The assignment of 33a, ..., 40a can be easily understood.
As a result, it is possible to reduce the occurrence of mounting mistakes when mounting on the assembly substrate 8, and it is possible to improve the efficiency in visual inspection after mounting on the assembly substrate 8.

【0041】図9に示すように、本発明の第1の実施の
形態の変形例に係る半導体パッケージ203の裏面(下
面)にはほぼ2列に配列された複数の外部接続パッド4
11〜416,421〜426,431,436,44
1〜446,451〜456が設けられている。一方、
図9に示すように、半導体パッケージ203の上面を構
成するモールド樹脂5aの表面にはこの複数の外部接続
パッド411〜416,421〜426,431,43
6,441〜446,451〜456の直上に当たる部
分に、複数の外部接続パッド411〜416,421〜
426,431,436,441〜446,451〜4
56の存在を示す複数のパッド表示パターン311〜3
16,321〜326,331,336,341〜34
6,351〜356が設けられている。図9では、裏面
の外部接続パッド411〜416,421〜426,4
31,436,441〜446,451〜456を破線
で示している。外部接続パッド411〜416,421
〜426,431,436,441〜446,451〜
456の配置と、パッド表示パターン311〜316,
321〜326,331,336,341〜346,3
51〜356の配置は平行投影関係にあることが分か
る。
As shown in FIG. 9, a plurality of external connection pads 4 arranged in almost two rows are formed on the back surface (lower surface) of the semiconductor package 203 according to the modification of the first embodiment of the present invention.
11-416, 421-426, 431, 436, 44
1 to 446 and 451 to 456 are provided. on the other hand,
As shown in FIG. 9, the plurality of external connection pads 411 to 416, 421 to 426, 431, 43 are formed on the surface of the mold resin 5a forming the upper surface of the semiconductor package 203.
6, 441 to 446, 451 to 456, a plurality of external connection pads 411 to 416, 421 to
426, 431, 436, 441-446, 451-4
A plurality of pad display patterns 311 to 3 indicating the presence of 56
16, 321-326, 331, 336, 341-34
6,351-356 are provided. In FIG. 9, external connection pads 411-416, 421-426, 4 on the back surface
31, 436, 441 to 446, 451 to 456 are indicated by broken lines. External connection pads 411-416, 421
~ 426, 431, 436, 441-446, 451-
456 arrangement and pad display patterns 311 to 316,
321 to 326, 331, 336, 341 to 346, 3
It can be seen that the arrangements of 51 to 356 have a parallel projection relationship.

【0042】(第2の実施の形態)図10(b)に示す
ように、本発明の第2の実施の形態に係る半導体パッケ
ージ204は、パッケージ基板3の下面(第2主表面)
には外部接続用に複数のボール状電極11,12,1
3,・・・・・,16,・・・・・,20が設けられている。そし
て、図10(a)に示すように、パッケージ基板3の上
面(第1主表面)には、複数のボール状電極11,1
2,13,・・・・・,16,・・・・・,20の直上に当たる部
分に、複数のボール状電極11,12,13,・・・・・,
16,・・・・・,20の存在を示す複数のパッド表示パタ
ーン51,52,53,・・・・・,60が設けられてい
る。又、従来の半導体パッケージでも使用されているイ
ンデックスマーク50も併設されている。
(Second Embodiment) As shown in FIG. 10B, the semiconductor package 204 according to the second embodiment of the present invention has a lower surface (second main surface) of the package substrate 3.
Has a plurality of ball-shaped electrodes 11, 12, 1 for external connection.
3, ..., 16, ..., 20 are provided. Then, as shown in FIG. 10A, a plurality of ball-shaped electrodes 11, 1 are formed on the upper surface (first main surface) of the package substrate 3.
2, 13, ..., 16, ..., 20, a plurality of ball-shaped electrodes 11, 12, 13 ,.
A plurality of pad display patterns 51, 52, 53, ..., 60 indicating the presence of 16 ,. An index mark 50, which is also used in the conventional semiconductor package, is also provided.

【0043】図11は、図10のA−A方向に沿った断
面図で、パッケージ基板3の第2主表面に配置された表
面配線611,612,613,614を示している。
図11に示すように、ボール状電極11,12,13,
・・・・・,20が形成されているパッケージ基板3の下面
(第2主表面)と同じ面にモールド樹脂6が形成されて
いる。図10のA−A方向に沿った断面図であるので、
パッケージ基板3の第2主表面に外部接続パッド60
1,606の断面が露出している。表面配線612には
半導体チップ1が導電性接着剤(Agペースト)673
で固定されている。図11に示す半導体チップ1には、
図8(b)と同様な2段の高周波トランジスタからなる
高周波増幅器回路が集積化されている。更に、パッケー
ジ基板3の第2主表面に配置された表面配線613と表
面配線614に跨るように、チップ部品4が、ハンダ若
しくはAgペースト等の導電性接着剤671,672で
固定されている。そして、ボンディングワイヤ41が半
導体チップ1と表面配線613とを接続し、ボンディン
グワイヤ42が半導体チップ1と表面配線611とを接
続している。半導体チップ1及びチップ部品4は、モー
ルド樹脂6により封止(モールド)されている。図11
は、図10のA−A方向に沿った断面図であるので、パ
ッケージ基板3の第1主表面にパッド表示パターン5
1,56が示されている。パッド表示パターン51,5
6は、パッケージ基板3の第2主表面の外部接続パッド
601,606の位置と合うように配置されていること
が分かる。
FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the direction AA of FIG. 10, showing surface wirings 611, 612, 613, 614 arranged on the second main surface of the package substrate 3.
As shown in FIG. 11, ball-shaped electrodes 11, 12, 13,
The mold resin 6 is formed on the same surface as the lower surface (second main surface) of the package substrate 3 on which 20 is formed. Since it is a cross-sectional view along the direction AA of FIG. 10,
The external connection pad 60 is formed on the second main surface of the package substrate 3.
The cross section of 1,606 is exposed. The semiconductor chip 1 is attached to the surface wiring 612 by a conductive adhesive (Ag paste) 673.
It is fixed at. The semiconductor chip 1 shown in FIG.
A high frequency amplifier circuit including two high frequency transistors similar to that shown in FIG. 8B is integrated. Further, the chip component 4 is fixed with conductive adhesives 671 and 672 such as solder or Ag paste so as to straddle the surface wiring 613 and the surface wiring 614 arranged on the second main surface of the package substrate 3. The bonding wire 41 connects the semiconductor chip 1 and the surface wiring 613, and the bonding wire 42 connects the semiconductor chip 1 and the surface wiring 611. The semiconductor chip 1 and the chip component 4 are sealed (molded) with a mold resin 6. Figure 11
10 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 10, the pad display pattern 5 is formed on the first main surface of the package substrate 3.
1, 56 are shown. Pad display patterns 51, 5
It can be seen that 6 is arranged so as to be aligned with the positions of the external connection pads 601 and 606 on the second main surface of the package substrate 3.

【0044】図10(b)において、図示を省略してい
るが、図11を参酌すれば、、パッケージ基板3の下面
(第2主表面)には、複数の外部接続パッド601,6
02,603,・・・・・,606,・・・・・が、ボール状電極
11,12,13,・・・・・,16,・・・・・,20の陰の位
置に設けられていることが理解出来る。つまり、図10
(a)に示すように、パッケージ基板3の上面(第1主
表面)には、複数の外部接続パッド601,602,6
03,・・・・・,606,・・・・・の直上に当たる部分に、複
数の外部接続パッド601,602,603,・・・・・,
606,・・・・・の存在を示す複数のパッド表示パターン
51,52,53,・・・・・,60が設けられていること
になる。
Although not shown in FIG. 10B, referring to FIG. 11, a plurality of external connection pads 601 and 6 are provided on the lower surface (second main surface) of the package substrate 3.
02, 603, ..., 606, .. are provided at positions behind the ball-shaped electrodes 11, 12, 13 ,. I can understand that. That is, FIG.
As shown in (a), a plurality of external connection pads 601, 602, 6 are provided on the upper surface (first main surface) of the package substrate 3.
03, ..., 606, ....., a plurality of external connection pads 601,602,603, ..
A plurality of pad display patterns 51, 52, 53, ..., 60 indicating the presence of 606 ,.

【0045】パッケージ基板3はアルミナセラミック製
の基板を使用しており、その厚みは250μmである。
ボール状電極11,12,13,・・・・・,20は直径7
00μmのハンダボールを使用出来る。インデックスマ
ーク50、複数のパッド表示パターン51,52,5
3,・・・・・,60は共にパッケージ基板3の上面(第1
主表面)にメタルパターンで形成した。
As the package substrate 3, an alumina ceramic substrate is used and its thickness is 250 μm.
Ball-shaped electrodes 11, 12, 13, ..., 20 have a diameter of 7
00 μm solder balls can be used. Index mark 50, plural pad display patterns 51, 52, 5
3, ..., 60 are the upper surface of the package substrate 3 (first
It was formed with a metal pattern on the main surface).

【0046】図12は、以上のような半導体パッケージ
204をアセンブリ基板8に実装した状態を示す平面図
で、図13は、図12のA−A方向に沿った断面図であ
る。図12に示すように、アセンブリ基板8の第1主表
面には、信号線91,96、アセンブリ基板表面配線9
2,93,・・・・・,100が配置されている。図13に
示すように、アセンブリ基板8の第2主表面には、グラ
ンドプレート90が形成され、第1主表面の信号線9
1,96との間で、マイクロストリップラインを構成し
ている。図12に示すように、パッケージ基板3の第2
主表面の複数の外部接続パッド601,602,60
3,・・・・・,606,・・・・・は、第1主表面側から直視出
来ない。しかし、パッケージ基板3の第1主表面に形成
した複数のパッド表示パターン51,52,53,・・・・
・,60を見ることで、アセンブリ基板8上の信号線9
1,96、アセンブリ基板表面配線92,93,・・・・
・,100の端部への、外部接続パッド601,60
2,603,・・・・・,606,・・・・・の位置合せを容易に
行うことができる。図13に示す断面図では、外部接続
パッド601及び606が、ボール状電極11,16
で、信号線91及び96に接続されている様子を示して
いる。又、図13に示すように、アセンブリ基板8に搭
載後のパッケージ高さを低く抑えることができる。
FIG. 12 is a plan view showing a state in which the semiconductor package 204 as described above is mounted on the assembly substrate 8, and FIG. 13 is a sectional view taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 12, on the first main surface of the assembly substrate 8, the signal lines 91, 96 and the assembly substrate surface wiring 9 are provided.
2, 93, ..., 100 are arranged. As shown in FIG. 13, a ground plate 90 is formed on the second main surface of the assembly substrate 8, and the signal line 9 on the first main surface is formed.
A microstrip line is formed between the microstrip lines 1 and 96. As shown in FIG. 12, the second part of the package substrate 3
A plurality of external connection pads 601, 602, 60 on the main surface
3, ..., 606, ... cannot be directly viewed from the first main surface side. However, a plurality of pad display patterns 51, 52, 53, ... Formed on the first main surface of the package substrate 3
.., 60 to see the signal line 9 on the assembly substrate 8.
1, 96, assembly substrate surface wiring 92, 93, ...
.., external connection pads 601, 60 to the end of 100
The positions of 2, 603, ..., 606 ,. In the cross-sectional view shown in FIG. 13, the external connection pads 601 and 606 are the ball-shaped electrodes 11 and 16 respectively.
Shows the state of being connected to the signal lines 91 and 96. Further, as shown in FIG. 13, the package height after mounting on the assembly substrate 8 can be suppressed low.

【0047】図14に示す第2の実施の形態の変形例に
係る半導体パッケージは、複数のパッド表示パターン4
5,52,753,754,55,46,57,75
8,759,60を、その表示する複数の外部接続パッ
ド31,32,33,・・・・・,40の役割に応じて、そ
の表示を変えている。図14でも、半導体パッケージに
搭載されている半導体チップは、第1の実施の形態で説
明した図8(b)に示す2段の高周波トランジスタTr
1,Tr2からなる高周波増幅回路であると仮定して説
明する。図14においては、高周波(RF)信号の入出
力パッド31,36を示す表示パターン45,46を
「黒塗りの3角形」に、ゲート端子用のパッド38,3
9を示す表示パターン758,759を「G」に、ドレ
イン端子33,34を示す表示パターン753,754
を「D」に、接地端子32,35,37,40を示す表
示パターン52,55,57,60を「黒塗りの丸」に
している。図14に示すようなパッド表示パターン4
5,52,753,754,55,46,57,75
8,759,60を採用することにより、アセンブリ基
板8上の信号線91,96、アセンブリ基板表面配線9
2,93,・・・・・,100の端部への位置合せを容易に
すると共に、半導体パッケージの複数の外部接続パッド
31,32,33,・・・・・,40の割付けを容易に理解
しうる。この結果、アセンブリ基板8への少量多品種の
半導体パッケージの実装時の取り付けミスの発生を少な
く抑えることができ、且つ、アセンブリ基板8への実装
後の目視検査においても、その効率を上げることができ
る。
The semiconductor package according to the modification of the second embodiment shown in FIG. 14 has a plurality of pad display patterns 4.
5,52,753,754,55,46,57,75
8, 759 and 60 are displayed differently depending on the role of the plurality of external connection pads 31, 32, 33 ,. In FIG. 14 as well, the semiconductor chip mounted in the semiconductor package is the two-stage high frequency transistor Tr shown in FIG. 8B described in the first embodiment.
Description will be made assuming that the circuit is a high frequency amplifier circuit composed of 1 and Tr2. In FIG. 14, the display patterns 45 and 46 showing the input / output pads 31 and 36 of the high frequency (RF) signal are “black triangles”, and the pads 38 and 3 for the gate terminals.
The display patterns 758 and 759 indicating "9" are set to "G", and the display patterns 753 and 754 indicating the drain terminals 33 and 34 are set.
Is "D" and the display patterns 52, 55, 57, 60 showing the ground terminals 32, 35, 37, 40 are "black circles". Pad display pattern 4 as shown in FIG.
5,52,753,754,55,46,57,75
By adopting 8, 759 and 60, the signal lines 91 and 96 on the assembly substrate 8 and the assembly substrate surface wiring 9
2, 93, ..., 100 can be easily aligned with the ends, and a plurality of external connection pads 31, 32, 33 ,. Understandable As a result, it is possible to suppress the occurrence of mounting errors when mounting a small amount of a large variety of semiconductor packages on the assembly substrate 8, and to improve the efficiency of the visual inspection after mounting on the assembly substrate 8. it can.

【0048】(その他の実施の形態)上記のように、本
発明は第1及び第2の実施の形態によって記載したが、
この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定す
るものであると理解すべきではない。
(Other Embodiments) As described above, the present invention has been described by the first and second embodiments.
The discussion and drawings forming a part of this disclosure should not be understood as limiting the invention.

【0049】特に、第1及び第2の実施の形態において
は、マイクロ波帯、或いはミリ波帯・サブミリ波帯等の
高周波用半導体パッケージを例に説明したが、本発明は
高周波用半導体パッケージ及びこれを用いたパッケージ
実装体に限定されるものではないことに留意すべきであ
る。本発明の技術的思想は、外部接続パッドの割付けが
区々としている種々の少量多品種の半導体パッケージに
適用可能である。例えば、LSIパッケージであって
も、その外部接続パッドの割付け仕様が最終的に未だ決
定されない試作段階やパイロット製品等の段階において
は、本発明は有効であろう。
Particularly, in the first and second embodiments, the description has been given by taking the high frequency semiconductor package of the microwave band, the millimeter wave band, the submillimeter wave band, etc. as an example. It should be noted that the package mounting body using this is not limited. INDUSTRIAL APPLICABILITY The technical idea of the present invention can be applied to various types of small-quantity, high-mixture semiconductor packages in which external connection pads are laid out differently. For example, even in the case of an LSI package, the present invention will be effective at the stage of trial manufacture, pilot products, etc., where the layout specifications of the external connection pads have not yet been determined.

【0050】このように、本発明の開示から当業者には
様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかと
なろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明
から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によって
のみ定められるものである。
As described above, from the disclosure of the present invention, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the matters specifying the invention according to the scope of claims appropriate from the above description.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明によれば、BGA/LGAタイプ
であっても、アセンブリ基板への位置合せが容易な、少
量多品種の半導体パッケージを提供することができる。
According to the present invention, even in the BGA / LGA type, it is possible to provide a small quantity and a large variety of semiconductor packages that can be easily aligned with the assembly substrate.

【0052】本発明によれば、少量多品種の半導体パッ
ケージの外部接続パッドの割付けが容易に判断しうるの
で、実装時の取り付けミスの発生を少なく抑えることが
でき、且つ、実装後の目視検査においても、その効率を
上げることができるパッケージ実装体を提供することが
できる。
According to the present invention, it is possible to easily determine the allocation of the external connection pads of a small amount of various types of semiconductor packages, so that it is possible to suppress the occurrence of mounting mistakes during mounting and to perform visual inspection after mounting. Also in the case, it is possible to provide a package mounting body that can improve the efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係わる半導体パッ
ケージの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係わる半導体パッ
ケージの断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor package according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態に係わるパッケージ
実装体の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a package mounting body according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施の形態に係わるパッケージ
実装体の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a package mounting body according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施の形の変形例に係わるパッ
ケージ実装体の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a package mounting body according to a modification of the first exemplary embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施の形態に係わる半導体パッ
ケージの製造工程を説明する工程断面図である(その
1)。
FIG. 6 is a process sectional view explaining the manufacturing process of the semiconductor package according to the first embodiment of the present invention (No. 1).

【図7】本発明の第1の実施の形態に係わる半導体パッ
ケージの製造工程を説明する工程断面図である(その
2)。
FIG. 7 is a process sectional view explaining the manufacturing process of the semiconductor package according to the first embodiment of the present invention (No. 2).

【図8】図8(a)は、本発明の第1の実施の形態の変
形例に係わる半導体パッケージの平面図で、図8(b)
は、図8(a)半導体パッケージに搭載されている半導
体集積回路の等価回路図である。
FIG. 8A is a plan view of a semiconductor package according to a modification of the first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a semiconductor integrated circuit mounted on the semiconductor package of FIG.

【図9】本発明の第1の実施の形態の他の変形例に係わ
る半導体パッケージの平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a semiconductor package according to another modification of the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施の形態の変形例に係わる
半導体パッケージの平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a semiconductor package according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施の形態に係わる半導体パ
ッケージの断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施の形態に係わるパッケー
ジ実装体の平面図である。
FIG. 12 is a plan view of a package mounting body according to a second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施の形態に係わるパッケー
ジ実装体の断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of a package mounting body according to a second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施の形態の変形例に係わる
パッケージ実装体の平面図である。
FIG. 14 is a plan view of a package mounting body according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図15】従来の半導体パッケージの平面図である。FIG. 15 is a plan view of a conventional semiconductor package.

【符号の説明】 1a,1b,1c 半導体チップ 2,2a,3 パッケージ基板 4a,4b,4c チップ部品 5a,5,6 モールド樹脂 8 アセンブリ基板 11〜20,581,586 ボール状電極 31a〜40a;31b,36b;31c,36c,4
11〜416,421〜426,431,436,44
1〜446,451〜456,601,606外部接続
パッド 41a,42a;41,42;41b,42b;41
c,42c ボンディングワイヤ 43a〜46a,48a,49a,51a〜60a,5
1〜60,311〜316,321〜326,331,
336,341〜346,351〜356,753,7
54,758,759 パッド表示パターン 50,50a インデックスマーク 63a〜66a,63b〜66b,63c〜66c,6
11〜614 表面配線 71a,72a,73a,671,672,673 導
電性接着剤 90 グランドプレート 91,96 信号線 92〜100 アセンブリ基板表面配線 102〜110 ピン 201a,201b,201c 半導体パッケージ 981,986 バイアプラグ
[Explanation of reference numerals] 1a, 1b, 1c Semiconductor chips 2, 2a, 3 Package substrates 4a, 4b, 4c Chip components 5a, 5, 6 Mold resin 8 Assembly substrates 11-20, 581, 586 Ball-shaped electrodes 31a-40a; 31b, 36b; 31c, 36c, 4
11-416, 421-426, 431, 436, 44
1-446, 451-456, 601, 606 External connection pads 41a, 42a; 41, 42; 41b, 42b; 41
c, 42c Bonding wires 43a to 46a, 48a, 49a, 51a to 60a, 5
1-60, 311-316, 321-326, 331
336, 341-346, 351-356, 753, 7
54, 758, 759 Pad display patterns 50, 50a Index marks 63a-66a, 63b-66b, 63c-66c, 6
11-614 surface wiring 71a, 72a, 73a, 671, 672, 673 conductive adhesive 90 ground plate 91, 96 signal line 92-100 assembly substrate surface wiring 102-110 pins 201a, 201b, 201c semiconductor package 981, 986 via plug

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1及び第2主表面で厚さが定義される
平板状のパッケージ基板と、 前記第1主表面に配置された表面配線パターンと、 前記第2主表面に配置された複数の外部接続パッドと、 前記表面配線パターンに搭載された半導体チップと、 該半導体チップを封止するように、前記第1主表面に形
成されたモールド樹脂と、 該モールド樹脂の表面に、前記複数の外部接続パッドの
配置位置と対応して、配置された複数のパッド表示パタ
ーンとを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
1. A flat plate-shaped package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces, a surface wiring pattern arranged on the first main surface, and a plurality of surface wiring patterns arranged on the second main surface. External connection pads, a semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern, a mold resin formed on the first main surface so as to seal the semiconductor chip, and 2. A semiconductor package comprising a plurality of pad display patterns arranged corresponding to the arrangement positions of the external connection pads.
【請求項2】 第1及び第2主表面で厚さが定義される
平板状のパッケージ基板と、 前記第2主表面に配置された表面配線パターン及び複数
の外部接続パッドと、 前記表面配線パターンに搭載された半導体チップと、 該半導体チップを封止し、前記複数の外部接続パッドを
露出するように、前記第2主表面に選択的に形成された
モールド樹脂と、 前記第1主表面に、前記複数の外部接続パッドの配置位
置と対応して、配置された複数のパッド表示パターンと
を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
2. A flat package substrate having a thickness defined by first and second main surfaces, a surface wiring pattern and a plurality of external connection pads arranged on the second main surface, and the surface wiring pattern. A semiconductor chip mounted on the first main surface, a molding resin selectively formed on the second main surface so as to seal the semiconductor chip and expose the plurality of external connection pads. And a plurality of pad display patterns arranged corresponding to the arrangement positions of the plurality of external connection pads.
【請求項3】 前記複数のパッド表示パターンは、前記
外部接続パッドの機能を識別する標識の組み合わせから
なることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パ
ッケージ。
3. The semiconductor package according to claim 1, wherein the plurality of pad display patterns are made up of a combination of markers for identifying the function of the external connection pad.
【請求項4】 第1及び第2主表面で厚さが定義される
平板状のパッケージ基板と、 前記第1主表面に配置された表面配線パターンと、 前記第2主表面に配置された複数の外部接続パッドと、 前記表面配線パターンに搭載された半導体チップと、 該半導体チップを封止するように、前記第1主表面に形
成されたモールド樹脂と、 該モールド樹脂の表面に、前記複数の外部接続パッドの
配置位置と対応して、配置された複数のパッド表示パタ
ーンと、 前記複数の外部接続パッドとそれぞれ電気的に接続可能
な複数のアセンブリ基板表面配線を表面に有したアセン
ブリ基板とを備えることを特徴とするパッケージ実装
体。
4. A flat plate-shaped package substrate having a thickness defined by the first and second main surfaces, a surface wiring pattern arranged on the first main surface, and a plurality of surface wiring patterns arranged on the second main surface. External connection pads, a semiconductor chip mounted on the surface wiring pattern, a mold resin formed on the first main surface so as to seal the semiconductor chip, and A plurality of pad display patterns arranged corresponding to the arrangement positions of the external connection pads, and an assembly substrate having a plurality of assembly substrate surface wirings electrically connectable with the plurality of external connection pads, respectively. A package mounting body comprising:
【請求項5】 第1及び第2主表面で厚さが定義される
平板状のパッケージ基板と、 前記第2主表面に配置された表面配線パターン及び複数
の外部接続パッドと、 前記表面配線パターンに搭載された半導体チップと、 該半導体チップを封止し、前記複数の外部接続パッドを
露出するように、前記第2主表面に選択的に形成された
モールド樹脂と、 前記第1主表面に、前記複数の外部接続パッドの配置位
置と対応して、配置された複数のパッド表示パターン
と、 前記複数の外部接続パッドとそれぞれ電気的に接続可能
な複数のアセンブリ基板表面配線を表面に有したアセン
ブリ基板とを備えることを特徴とするパッケージ実装
体。
5. A flat plate-shaped package substrate whose thickness is defined by the first and second main surfaces, a surface wiring pattern and a plurality of external connection pads arranged on the second main surface, and the surface wiring pattern. A semiconductor chip mounted on the first main surface, a molding resin selectively formed on the second main surface so as to seal the semiconductor chip and expose the plurality of external connection pads. A plurality of pad display patterns arranged corresponding to the arrangement positions of the plurality of external connection pads, and a plurality of assembly substrate surface wirings that can be electrically connected to the plurality of external connection pads on the surface. A package mounting body comprising an assembly substrate.
【請求項6】 前記複数の外部接続パッドと前記複数の
アセンブリ基板表面配線とは、互いにボール状電極によ
り接続されることを特徴とする請求項4又は5に記載の
パッケージ実装体。
6. The package mounting body according to claim 4, wherein the plurality of external connection pads and the plurality of assembly substrate surface wirings are connected to each other by ball-shaped electrodes.
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