JP2003196081A - 真性乱数発生チップの迅速検定方法 - Google Patents

真性乱数発生チップの迅速検定方法

Info

Publication number
JP2003196081A
JP2003196081A JP2002085549A JP2002085549A JP2003196081A JP 2003196081 A JP2003196081 A JP 2003196081A JP 2002085549 A JP2002085549 A JP 2002085549A JP 2002085549 A JP2002085549 A JP 2002085549A JP 2003196081 A JP2003196081 A JP 2003196081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
random number
chip
true random
frequency
occurrence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002085549A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Saito
威 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LE TEKKU KK
LETech Co Ltd
Original Assignee
LE TEKKU KK
LETech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LE TEKKU KK, LETech Co Ltd filed Critical LE TEKKU KK
Priority to JP2002085549A priority Critical patent/JP2003196081A/ja
Publication of JP2003196081A publication Critical patent/JP2003196081A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 真性乱数発生チップの良品、不良品を迅速に
検定する方法及び当該検定方法を行う回路を組み込んだ
自己検定型半導体チップを提供する。 【解決手段】 真性乱数を発生する乱数発生素子を組み
込んだ半導体チップにおいて、乱数発生素子から発生す
る信号に基づく、任意のビット数の乱数を発生させ、所
定の時間内に一定量のサンプルデータをとって、イ)各
数値の発生頻度を調べ、出現した各数値の個数をカウン
トし、予め定めた個数を超える発生頻度のもの 又は
ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかった数
値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
度のものを不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速
検定方法及び当該検定方法を行う回路を、チップ内に組
み込んで行う自己検定型真性乱数発生チップ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
【発明の属する技術分野】本発明は、乱数発生半導体チ
ップを製造する工場において、製造した乱数発生半導体
チップが所定の性能を持つものであるかどうかを検定す
る方法及び検定機能を組み込んだ真性乱数発生チップに
関する。より詳しくは、発生した乱数が真性乱数である
かどうかを、その分布を調べることにより判定する方
法、及び当該判定方法を行う回路をチップ内に組み込ん
だ自己検定型真性乱数発生チップに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の乱数発生装置において乱数が真性
乱数であるかどうかについては、乱数発生装置から出て
くる乱数を大量に集めて、大型コンピュータにかけて解
析を行うことにより行われていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者によ
り初めて作り出された熱雑音による真性乱数を発生させ
る装置は、半導体チップに乗せることが出来るほど小型
であり、その用途が多いため、大量生産した多数の半導
体チップを短時間で真性乱数を発生しているかどうかを
見分けることが要求されている。従来の方法は正確では
あるけれど、時間がかかりすぎる欠点があった。本発明
は、真性乱数を発生する乱数発生装置において、真性乱
数を発生しているかどうかを短時間で見分ける方法及び
当該判定方法を行う回路をチップ内に組み込んだ自己検
定型真性乱数発生チップを提供する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、真性乱数を発
生させる装置から発生する信号を、それぞれ必要なビッ
ト数の乱数に置き換え、210〜214程度の乱数を1
〜数秒程度の短時間に発生させ、その乱数を分析し、個
々に発生した乱数が何回出現したか又は全く出現しない
乱数があるかどうかを調べて次のものを不良品として廃
棄する。 イ) 検定する半導体チップの乱数サンプルデータを検
定に費やしても良い時間内に一定量のサンプルデータを
とって、各数値の発生頻度を調べ、予め定めた個数を超
える発生頻度のものを不良品と検定する。 ロ) 検定する半導体チップの乱数サンプルデータを検
定に費やしても良い時間内に一定量のサンプルデータを
とって、各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかっ
た数値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発
生頻度のものを不良品と検定する。また、当該検定方法
を行う回路をチップ内に組み込んだ自己検定型真性乱数
発生チップとしてこの検定方法を具体化することが出来
る。
【0005】本発明の方法によれば、所謂少数例の統計
処理であるが、結果的にポアソン分布から外れたものを
除去することにより、短時間で真性乱数発生チップの検
定することが出来、以下に述べるように、正常品を捨て
てしまう場合もあり得るが、残ったものは真性乱数を発
生するものと考えられ、有効な検定方法となるものであ
る。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明において用いる真性乱数発
生素子は、真性乱数を発生させるものであればどのよう
なものであってもかまわない。真性乱数発生素子は、例
えば放射性元素の崩壊の過程で発生するアルファー粒子
やベータ線などに基づく真性乱数発生素子でも良いが、
放射線の管理や環境に影響が出るので、本発明者が開発
した熱雑音に基づく真性乱数発生素子、例えば特許願平
成11−311785に記載された真性乱数発生チップ
などが、取り扱い上都合が良い。
【0007】熱雑音に基づく真性乱数発生のメカニズム
は、電圧を付加しない状態の抵抗体やダイオード等の熱
雑音発生から発生する雑音が、そこに電圧を付加しない
ゆえに周波数fに逆比例する1/f雑音(ゆらぎ)を含
まない純粋の熱雑音であって、この純粋な熱雑音は、完
全にランダムであることに基づく。この熱雑音発生素子
を増幅器で増幅して、ランダムなアナログパルス信号と
し、このアナログパルス信号を矩形波として取り出し、
nビットカウンタを用いてパルス信号とパルス信号との
時間を計測し、nビットカウンタの計測値を乱数(真性
乱数と考えられる)として出力するものである。
【0008】一例を示すと、図1の熱雑音による真性乱
数発生装置が考えられる。この例では真性乱数発生装置
は、抵抗体、導体、半導体素子やダイオード等の熱雑音
発生素子2とこれに接続された前置増幅器3及び主増幅
器4と、増幅されたアナログパルスの波高値を閾値で選
択する波高弁別器5と、パルスを矩形波に整形する波形
整形器6と、前の矩形波と次の矩形波の立ち上がりまで
の時間を計測するためのクロックパルスを発生する時計
パルス発生器8と、時計パルス発生器8から供給される
パルスに従いnビット(nは整数)単位でパルスを計測
する時計計測器7と、時計計測器7の計測値を読み取る
乱数発生器9と、乱数発生器9の乱数値を格納する乱数
貯蔵器とコントローラ10で構成することが出来る。こ
の時、図2に示すように、熱雑音素子の抵抗値Rs、増
幅回路の抵抗Ro、Rとすると、増幅回路の利得はR
/Roとなり、熱雑音素子の抵抗値Rsの熱雑音によ
る起電力をR/Ro倍に増幅してランダムパルス信号
を生成する。しかしこのとき、熱雑音素子の雑音が、増
幅回路からの影響を無視できるようにするための条件は
すなわち真性乱数を取り出すための条件は、増幅回路か
らの雑音は1/f雑音およびその他の雑音を含んでいる
ことから、抵抗値Rよりも熱雑音発生素子の抵抗値R
sが小さいものを選ぶことが必要であることが判ってい
る。
【0009】また、本発明の検定方法を行う回問えば路
をチップ内に組み込んだ自己検定型真性乱数発生チップ
としてこの検定方法を具体化することが出来る。乱数発
生素子から発生する信号に基づく、任意のビット数の乱
数を発生させ、所定の時間内に一定量のサンプルデータ
をとって、イ)各数値の発生頻度を調べ、出現した各数
値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
度のものを調べるのは、例えば、図8に示すフローチャ
ートのように、カウンタリセット後、0〜255までの
乱数(8ビット)に対応する各カウンタのうち、取得し
た乱数値に対応するカウンタをインクリメントする。オ
ーバーフローしないともう一度やりなおす。オーバーフ
ローした1024個のカウンタインクリメントのうち、
0〜255までの乱数(8ビット)のカウンタ値の最大
値をサーチし、その値が19以下のものについては検査
を終了し、その値が19を超えたものはNG信号を発生
させる。同様に、ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も
出現しなかった数値の個数をカウントし、予め定めた個
数を超える発生頻度のものを調べるのは、例えば、図9
に示すフローチャートのように、カウンタリセット後、
0〜255までの乱数(8ビット)に対応する各カウン
タのうち、取得した乱数値に対応するカウンタをインク
リメントする。オーバーフローしないともう一度やりな
おす。オーバーフローした1024個のカウンタインク
リメントのうち、0〜255までの乱数(8ビット)の
カウンタ値の0のものをサーチし、その値が15以下の
ものについては検査を終了し、その値が15を超えたも
のはNG信号を発生させる。
【0010】さらに、この検査回路に図10に示すフロ
ーチャートのような検査方法を加えることが出来る。す
なわち、半導体チップに不正を行った場合には、不正が
行われたことを検知し、知らせるための自己防衛のため
の検査回路を加えても良い。半導体チップに不正が行わ
れるのは、高い波高値の電流が用いられるので、一定値
以上の波高値の電流が流れると、その時点でNG信号を
発生させる。
【0011】NG信号は、図11に示すように、検査方
法1と検査方法2のどちらか一方がNG信号を発すれ
ば、その半導体チップは不良品と判定される。さらに、
検査方法3を加えて、検査方法1〜検査方法3のいずれ
かひとつがNG信号を発すれば、その半導体チップは不
良品と判定される。
【0012】本発明の実施の形態をまとめると、以下の
とおりである。 (1)真性乱数を発生する乱数発生素子を組み込んだ半
導体チップにおいて、乱数発生素子から発生する信号に
基づく、任意のビット数の乱数を発生させ、所定の時間
内に一定量のサンプルデータをとって、 イ)各数値の発生頻度を調べ、出現した各数値の個数を
カウントし、予め定めた個数を超える発生頻度のもの
又は ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかった数
値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
度のものを不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速
検定方法。 (2)任意のビット数が、8ビット〜12ビットであ
り、所定の時間が1秒〜数秒であり、一定量のサンプル
データが210〜214であり、ある数(横軸の閾値)
を決める上記1記載の真性乱数発生チップの迅速検定方
法。 (3)イ)における予め定めた個数が、1024個のサ
ンプルデータ当たり19以上であるか、又はロ)におけ
る予め定めた個数が、1024個のサンプルデータ当た
り15以上である発生頻度のものを不良品と検定する上
記1又は2に記載した真性乱数発生チップの迅速検定方
法。 (4)真性乱数発生チップが、熱雑音発生素子と、当該
熱雑音発生素子から発生するする不規則な電位をアナロ
グ増幅する増幅回路と、当該増幅回路の出力をランダム
な矩形波パルス信号として取り出す波形成形回路、当該
波形成形回路から出力されたランダムパルス信号と次に
発生するパルス信号との間の時間を計測するnビットカ
ウンター(nは整数)と、nビットカウンターの計測値
を乱数として出力する真性乱数発生チップである上記1
記載の真性乱数発生チップの迅速検定方法。 (5)真性乱数発生チップにおける熱雑音発生素子が、
電圧を付加しない状態で熱雑音を発生する抵抗体、導体
又はダイオード等の半導体であることを特徴とする上記
4に記載した真性乱数発生チップの検定方法。 (6)真性乱数発生チップにおける増幅器を構成する抵
抗器の抵抗値Rfよりも熱雑音発生素子の抵抗値Rsが
小さいものを選択したことを特徴とする上記4又は5に
記載した真性乱数発生チップの検定方法。 (7)真性乱数を発生する乱数発生素子を組み込んだ半
導体チップにおいて、乱数発生素子から発生する信号に
基づいて、任意のビット数の乱数を発生させ、所定の時
間内に一定量のサンプルデータをとって、 イ)各数値の発生頻度を調べ、出現した各数値の個数を
カウントし、予め定めた個数を超える発生頻度のもの
又は ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかった数
値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
度のもの を不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速検定方法
を行う回路を、チップ内に組み込んで行う自己検定型真
性乱数発生チップ。 (8) ハ)一定の波高値を超える信号を検出すると不
良品と検定する真性乱数発生チップの迅速検定方法を行
う回路を、チップ内に組み込んで行う上記7に記載した
自己検定型真性乱数発生チップ。
【0013】
【実施例】以下、8ビット桁数の熱雑音に基づく真性乱
数を例に挙げて、具体的に本発明を説明するが、本発明
は種々の実施の形態が考えられ、以下に示す具体例にな
んら拘束されるものではない。図3は、8ビットの乱数
すなわち、0〜256の数について、真性乱数発生器か
ら1024個のサンプルデータを取り、発生頻度を示し
た図である。1段目のグラフは、1024個のデータを
1000回取ってその発生頻度をグラフにしたものであ
る。0〜256の数の発生頻度がほぼ4に近いことが示
されている。2段目から5段目のグラフは、1024個
のサンプルデータの実例であり、統計的にふらついてい
ることが示されている。0の出現回数について調べる
と、2段目のグラフでは5回、3段目のグラフでは6
回、4段目のグラフでは7回、5段目のグラフでは4回
あることが示されている。
【0014】図4は、8ビット乱数を生成する1個の真
性乱数発生器から、1秒間に1024個の乱数を生成さ
せ、10万個の真性乱数発生器についてサンプルデータ
を取り出し、8ビット乱数個々についてその出現頻度を
グラフ化したものである。図5は、8ビット乱数を正常
に生成する1個の真性乱数発生器から、1秒間に102
4個の乱数を生成させた場合、8ビット乱数のうちのあ
る数が0回出現する頻度が、10万個の真性乱数発生器
のうち何個あるかをグラフ化したものである。
【0015】図6は、図3及び図4の分布グラフから、
工場で8ビット乱数を生成する10万個の真性乱数発生
チップを検定した場合、それらの真性乱数発生チップか
ら取り出した1024個のサンプルデータの8ビット乱
数の各数値の出現個数のうちある数(横軸の閾値)が出
現した場合を不良品と決めた場合、正常な製品のうち何
個を不良品として失うかを示したグラフである。図6か
ら、検定する真性乱数発生チップの乱数サンプルデータ
1024個を取って、各数値の発生頻度調べ、例えば請
求項1の条件イにおける予め定めた数値(閾値)が19
個を超えるものを不良品と判定した場合、10万個のう
ち2個の正常品を検定不良にしてしまう確率があるとい
うことを示している。
【0016】図7は、図3及び図5から、工場で10万
個の真性乱数発生チップを検定した場合、それらの真性
乱数発生チップから取り出した1024個のサンプルデ
ータの8ビット乱数の各数値のうち、1回も出現しなか
った数値の個数がある数(横軸の閾値)となった場合を
不良品と決めた場合、正常な製品のうち何個を不良品と
して失うかを示したグラフである。図7から、検定する
真性乱数発生チップの乱数サンプルデータ1024個を
取って、各数値の発生頻度調べ、1回も出現しなかった
数値の個数をカウントし、例えば請求項1の条件ロにお
ける予め定めた数値(閾値)が15個を超えるものを不
良品と判定した場合、10万個のうち2個の正常品を検
定不良にしてしまう確率があるということを示してい
る。
【0017】本発明においては、大量の真性乱数発生チ
ップを検定し、良品を不良品として判定してしまう確率
が存在したとても、それは10万個のうち2個程度であ
り、工業的には十分に採算性がとれるものである。
【0018】
【本発明の効果】本発明は、真性乱数がポアソン分布し
ていることに注目し、少数例の統計処理であるが、結果
的にポアソン分布から外れたものを除去することによ
り、短時間で迅速に真性乱数発生チップの検定すること
が出来、良品を捨ててしまう場合もあり得るが有効な検
定方法となり、この検定方法を組み込んだ自己検定型真
性乱数発生チップは、真性乱数に対する信頼性が高く、
不正に対しても有効なチップとして働くという効果を奏
するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いる真性乱数発生装置の一例の概念
図。
【図2】熱雑音による真性乱数発生素子と増幅回路の説
明図。
【図3】8ビット乱数発生頻度図。
【図4】8ビット乱数出現頻度分布図。
【図5】8ビット乱数出現において0個出現する頻度分
布図。
【図6】出現個数の閾値による良品を不良品と判定する
確率図
【図7】0個出現の閾値による良品を不良品と判定する
確率図
【図8】検査方法1のフローチャート
【図9】検査方法2のフローチャート
【図10】検査方法3のフローチャート
【図11】NG信号発生の一例
【図12】NG信号発生の一例
【符号の説明】
1 真性乱数発生装置 2 熱雑音発生素子 3 前置増幅器 4 主増幅器 5 波高弁別器 6 波高整形器 7 時間計測器 8 時計パルス発生器 9 乱数生成器 10 乱数貯蔵器とコントローラ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真性乱数を発生する乱数発生素子を組み
    込んだ半導体チップにおいて、乱数発生素子から発生す
    る信号に基づいて、任意のビット数の乱数を発生させ、
    所定の時間内に一定量のサンプルデータをとって、 イ)各数値の発生頻度を調べ、出現した各数値の個数を
    カウントし、予め定めた個数を超える発生頻度のもの
    又は ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかった数
    値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
    度のもの を不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速検定方
    法。
  2. 【請求項2】 任意のビット数が、8ビット〜12ビッ
    トであり、所定の時間が1秒〜数秒であり、一定量のサ
    ンプルデータが210〜214であり、ある数(横軸の
    閾値)を決める請求項1記載の真性乱数発生チップの迅
    速検定方法。
  3. 【請求項3】 イ)における予め定めた個数が、102
    4個のサンプルデータ当たり19以上であるか、又は
    ロ)における予め定めた個数が、1024個のサンプル
    データ当たり15以上である発生頻度のものを不良品と
    検定する請求項1又は2に記載した真性乱数発生チップ
    の迅速検定方法。
  4. 【請求項4】 真性乱数発生チップが、熱雑音発生素子
    と、当該熱雑音発生素子から発生するする不規則な電位
    をアナログ増幅する増幅回路と、当該増幅回路の出力を
    ランダムな矩形波パルス信号として取り出す波形成形回
    路、当該波形成形回路から出力されたランダムパルス信
    号と次に発生するパルス信号との間の時間を計測するn
    ビットカウンター(nは整数)と、nビットカウンター
    の計測値を乱数として出力する真性乱数発生チップであ
    る請求項1記載の真性乱数発生チップの迅速検定方法。
  5. 【請求項5】 真性乱数発生チップにおける熱雑音発生
    素子が、電圧を付加しない状態で熱雑音を発生する抵抗
    体、導体又はダイオード等の半導体であることを特徴と
    する請求項4に記載した真性乱数発生チップの検定方
    法。
  6. 【請求項6】 真性乱数発生チップにおける増幅器を構
    成する抵抗器の抵抗値Rよりも熱雑音発生素子の抵抗
    値Rsが小さいものを選択したことを特徴とする請求項
    4又は5に記載した真性乱数発生チップの検定方法。
  7. 【請求項7】 真性乱数を発生する乱数発生素子を組み
    込んだ半導体チップにおいて、乱数発生素子から発生す
    る信号に基づいて、任意のビット数の乱数を発生させ、
    所定の時間内に一定量のサンプルデータをとって、 イ)各数値の発生頻度を調べ、出現した各数値の個数を
    カウントし、予め定めた個数を超える発生頻度のもの
    又は ロ)各数値の発生頻度を調べ、1回も出現しなかった数
    値の個数をカウントし、予め定めた個数を超える発生頻
    度のもの を不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速検定方法
    を行う回路を、チップ内に組み込んで行う自己検定型真
    性乱数発生チップ。
  8. 【請求項8】 ハ)一定の波高値を超える信号を検出す
    ると不良品と検定する真性乱数発生チップの迅速検定方
    法を行う回路を、チップ内に組み込んで行う請求項7に
    記載した自己検定型真性乱数発生チップ。
JP2002085549A 2001-10-15 2002-03-26 真性乱数発生チップの迅速検定方法 Pending JP2003196081A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002085549A JP2003196081A (ja) 2001-10-15 2002-03-26 真性乱数発生チップの迅速検定方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001316830 2001-10-15
JP2001-316830 2001-10-15
JP2002085549A JP2003196081A (ja) 2001-10-15 2002-03-26 真性乱数発生チップの迅速検定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003196081A true JP2003196081A (ja) 2003-07-11

Family

ID=27615434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002085549A Pending JP2003196081A (ja) 2001-10-15 2002-03-26 真性乱数発生チップの迅速検定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003196081A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007319465A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Le Tekku:Kk 乱数生成検定方法及びこれを用いた乱数生成検定装置
US20090100119A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US7653855B2 (en) 2004-03-02 2010-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Random number test circuit, random number generation circuit, semiconductor integrated circuit, IC card and information terminal device
US7917560B2 (en) 2005-12-13 2011-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Random number test circuit
US8332448B2 (en) 2007-10-12 2012-12-11 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having a random number and oscillator circuit for variably controlling stored data
US8364735B2 (en) 2007-10-17 2013-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Test method of integrated circuit with random-number generation circuit and integrated circuit with random-number generation circuit

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7653855B2 (en) 2004-03-02 2010-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Random number test circuit, random number generation circuit, semiconductor integrated circuit, IC card and information terminal device
US7917560B2 (en) 2005-12-13 2011-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Random number test circuit
JP2007319465A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Le Tekku:Kk 乱数生成検定方法及びこれを用いた乱数生成検定装置
US20090100119A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US8316069B2 (en) * 2007-10-12 2012-11-20 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit with a random number generation circuit wherein the rise and all times are variably controlled
US8332448B2 (en) 2007-10-12 2012-12-11 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having a random number and oscillator circuit for variably controlling stored data
US8364735B2 (en) 2007-10-17 2013-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Test method of integrated circuit with random-number generation circuit and integrated circuit with random-number generation circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108630330B (zh) 压水堆核电站仪表系统探测器试验处理方法、装置及系统
CN110519208A (zh) 异常检测方法、装置及计算机可读介质
US8638930B2 (en) Random number verification method and random number verification apparatus
JP2003196081A (ja) 真性乱数発生チップの迅速検定方法
US6333958B1 (en) Advanced electronics for faster time-correlation analysis of pulse sequences
US7064826B2 (en) Digital optical measurement of particle populations using reduced magnification
JP4080087B2 (ja) 分析方法,分析システム及び分析装置
CN116865672A (zh) 光伏组件异常识别方法及装置、计算机可读储存介质
US6360183B1 (en) Device and method for triggering a random event
JP3332596B2 (ja) 放射線測定装置
US20040200968A1 (en) Apparatus and method for detecting alpha-ray
JPH11161473A (ja) 乱数発生装置と確率発生装置
JP2004212337A (ja) 放射線測定システム
JP4703535B2 (ja) 半導体集積回路
JP3367730B2 (ja) ランダムパルス発生装置の調整機構
JP3367729B2 (ja) ランダムパルス発生装置
CN113568031B (zh) α粒子发射率测试方法
CN107422362A (zh) 一种能量谱和时间谱的降噪方法
JP4886363B2 (ja) 乱数生成検定方法及びこれを用いた乱数生成検定装置
Nitz The front-end electronics for the Pierre Auger Observatory surface array
CN110857909A (zh) 测量微粒粒径的系统
US20020125903A1 (en) Method and apparatus for enabling a digital memory tester to read the frequency of a free running oscillator
CN114112818B (zh) 一种气溶胶颗粒电离方法、电离系统及质谱分析装置
Ofodile et al. Modelling the recovery of pulse peak pileup for implementation in an FPGA for a nuclear spectroscopy system
TWI731671B (zh) 異常晶片檢測方法與異常晶片檢測系統