JP2003194598A - Method and apparatus for detecting abnormality of sensor - Google Patents
Method and apparatus for detecting abnormality of sensorInfo
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- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 88
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 43
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ自体が正常
な出力をしているか否かを判定するセンサの異常検出方
法及びセンサの異常検出装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor abnormality detecting method and a sensor abnormality detecting device for determining whether or not a sensor itself outputs a normal signal.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、センサは、詳細な情報を得るた
めに入力に対して比例するリニア出力が求められてい
る。このようなリニア出力を有するセンサでは、その出
力範囲を全て使用する場合、その出力値は全て有効なも
のとして扱うことになる。このため、このセンサのみの
出力信号に基づいて同センサの出力値が異常か否かを判
定することはできない。2. Description of the Related Art Generally, a sensor is required to have a linear output proportional to an input in order to obtain detailed information. In the case of a sensor having such a linear output, when the entire output range is used, all output values are treated as valid. Therefore, it is not possible to determine whether or not the output value of the sensor is abnormal based on the output signal of this sensor alone.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】例えば、入力をxとし
出力をyとすると、センサの出力特性は下記の式
y=ax+b (aは比例係数、bは定数)
で表すことができる。For example, when the input is x and the output is y, the output characteristics of the sensor can be expressed by the following equation y = ax + b (a is a proportional coefficient, b is a constant).
【0004】この場合、図14に示すようにセンサが正
常なときx1の入力があるとy1の出力が得られる。し
かし、センサが異常となり定数bが変わってしまってい
るときは、入力x1に対して出力はy2となる。この出
力y2はセンサが正常の場合には、x2のときの値であ
るため結局誤検出していることになる。In this case, as shown in FIG. 14, when the sensor is normal, if there is an input of x1, an output of y1 is obtained. However, when the sensor is abnormal and the constant b is changed, the output is y2 for the input x1. When the sensor is normal, this output y2 is the value at the time of x2, and therefore it is erroneously detected.
【0005】なお、センサ異常で傾きaが変わってしま
った場合も同様のことが生ずる。なお、このような問題
は、非リニアの出力特性を有するセンサにおいても、セ
ンサの出力値が異常であるか否かをその出力値のみで判
定することは困難であり同様な問題がある。The same happens when the inclination a changes due to a sensor abnormality. Note that such a problem has a similar problem even in a sensor having a non-linear output characteristic, because it is difficult to determine whether or not the output value of the sensor is abnormal only by the output value.
【0006】本発明は、前述した事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的はセンサの出力特性の異常を検
出できるセンサの異常検出方法及びセンサの異常検出装
置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object thereof is to provide a sensor abnormality detecting method and a sensor abnormality detecting device capable of detecting abnormality in the output characteristics of the sensor.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、物理量の変化に応じた出
力値が互いに反対の出力特性を有するとともに、同出力
値を加算した際に一定の合計出力値が得られる一対のセ
ンサの異常検出方法であって、前記両センサの合計出力
値が一定値でないとき、いずれか一方のセンサが異常と
判定することを要旨とする。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 has output characteristics in which output values corresponding to changes in a physical quantity are opposite to each other, and the output values are added. A method of detecting an abnormality of a pair of sensors at which a constant total output value is obtained, wherein one of the sensors is determined to be abnormal when the total output value of the both sensors is not a constant value.
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のセンサの異常検出方法において、前記各センサは、4
つの磁気抵抗素子によりブリッジ回路を構成する磁気検
出手段と、前記磁気検出手段に接続され、前記ブリッジ
回路の一対の中点の差電圧を増幅する増幅手段とを含む
ことを要旨とする。According to a second aspect of the invention, in the sensor abnormality detecting method according to the first aspect, each of the sensors is 4
The gist is to include a magnetic detection unit that forms a bridge circuit with one magnetoresistive element, and an amplification unit that is connected to the magnetic detection unit and that amplifies a difference voltage between a pair of midpoints of the bridge circuit.
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
のセンサの異常検出方法において、前記磁気検出手段
は、配置向きが互いに異なることによって、互いに反対
の出力特性を有するものであることを要旨とする。According to a third aspect of the invention, in the abnormality detecting method for the sensor according to the second aspect, the magnetic detecting means have mutually opposite output characteristics because the arrangement directions are different from each other. Is the gist.
【0010】請求項4に記載の発明は、請求項2に記載
のセンサの異常検出方法において、前記増幅手段には反
転入力端子及び非反転入力端子を含み、前記一対のセン
サは、各ブリッジ回路を構成する磁気検出手段の配置向
きが同じであるときには、同じ出力特性を有するととも
に、前記ブリッジ回路における一対の中点の増幅手段に
対する反転入力端子と非反転入力端子との接続が互いに
反対であることを要旨とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the abnormality detecting method for the sensor according to the second aspect, the amplifying means includes an inverting input terminal and a non-inverting input terminal, and the pair of sensors includes each bridge circuit. When the arrangement directions of the magnetic detection means constituting the above are the same, they have the same output characteristics, and the connection between the inverting input terminal and the non-inverting input terminal for the pair of midpoint amplifying means in the bridge circuit is opposite to each other. That is the summary.
【0011】請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請
求項4のうちいずれか1項に記載のセンサの異常検出方
法において、前記一対のセンサは、リニア出力特性を有
することを要旨とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of detecting abnormality of a sensor according to any one of the first to fourth aspects, the pair of sensors have a linear output characteristic. To do.
【0012】請求項6に記載の発明は、物理量の変化に
応じた出力値が互いに反対の出力特性を有するととも
に、同出力値を加算した際に一定の合計出力値が得られ
る一対のセンサと、前記一対のセンサの出力を加算する
加算手段と、前記加算手段が加算した前記両センサの合
計出力値が一定値でないとき、いずれか一方のセンサが
異常と判定する判定手段を備えたことを要旨とする。According to a sixth aspect of the present invention, a pair of sensors having output characteristics in which output values corresponding to changes in a physical quantity are opposite to each other, and a constant total output value is obtained when the same output values are added, And a means for adding the outputs of the pair of sensors, and a means for judging that one of the sensors is abnormal when the total output value of both the sensors added by the addition means is not a constant value. Use as a summary.
【0013】請求項7に記載の発明は、請求項6に記載
のセンサの異常検出装置において、前記各センサは、4
つの磁気抵抗素子によりブリッジ回路を構成する磁気検
出手段と、前記磁気検出手段に接続され、前記ブリッジ
回路の一対の中点の差電圧を増幅する増幅手段とを含む
ことを要旨とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the sensor abnormality detecting device according to the sixth aspect, each of the sensors is 4
The gist is to include a magnetic detection unit that forms a bridge circuit with one magnetoresistive element, and an amplification unit that is connected to the magnetic detection unit and that amplifies a difference voltage between a pair of midpoints of the bridge circuit.
【0014】請求項8に記載の発明は、請求項7に記載
のセンサの異常検出装置において、前記磁気検出手段
は、配置向きが互いに異なることによって、互いに反対
の出力特性を有するものであることを要旨とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the abnormality detecting device for a sensor according to the seventh aspect, the magnetic detecting means have mutually opposite output characteristics due to different arrangement directions. Is the gist.
【0015】請求項9に記載の発明は、請求項7に記載
のセンサの異常検出装置において、前記増幅手段には反
転入力端子及び非反転入力端子を含み、前記一対のセン
サは、各ブリッジ回路を構成する磁気検出手段の配置向
きが同じであるときには、同じ出力特性を有するととも
に、前記ブリッジ回路における一対の中点の増幅手段に
対する反転入力端子と非反転入力端子との接続が互いに
反対であることを要旨とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the sensor abnormality detecting device according to the seventh aspect, the amplifying means includes an inverting input terminal and a non-inverting input terminal, and the pair of sensors includes each bridge circuit. When the arrangement directions of the magnetic detection means constituting the above are the same, they have the same output characteristics, and the connection between the inverting input terminal and the non-inverting input terminal for the pair of midpoint amplifying means in the bridge circuit is opposite to each other. That is the summary.
【0016】請求項10に記載の発明は、請求項6乃至
請求項9のうちいずれか1項に記載のセンサの異常検出
装置において、前記一対のセンサは、リニア出力特性を
有することを要旨とする。A tenth aspect of the present invention is the sensor abnormality detecting device according to any one of the sixth to ninth aspects, wherein the pair of sensors have a linear output characteristic. To do.
【0017】(作用)従って、請求項1に記載の発明に
おいては、各センサに同じ入力信号をそれぞれ入力する
と、各センサは互いに反対の出力特性の出力値を出力す
る。そして、その各出力値を合計すると、入力信号の大
きさにかかわらず常に一定値になるように設定されてい
る。そのため、両センサのうち少なくとも一方が異常を
きたし、入力された入力信号の大きさに対応した出力値
がでなくなると、前記両出力値の合計が一定とならな
い。即ち、前記両出力値の合計が一定でない場合には、
両センサのうち少なくとも一方が異常をきたしたという
ことが判定できる。(Operation) Therefore, in the invention described in claim 1, when the same input signal is input to each sensor, each sensor outputs the output value of the output characteristic opposite to each other. The sum of the output values is set to a constant value regardless of the magnitude of the input signal. Therefore, if at least one of the two sensors becomes abnormal and the output value corresponding to the magnitude of the input signal is no longer present, the total output value will not be constant. That is, when the sum of the two output values is not constant,
It can be determined that at least one of the two sensors has an abnormality.
【0018】請求項2に記載の発明においては、請求項
1に記載の発明の作用に加えて、各センサの各磁気検出
手段は、外部からの磁束の方向を検出し、検出した磁束
の方向に応じて各出力値を出力する。そして、その各出
力値を各増幅手段にて増幅し、増幅した各出力値を合計
した値が一定か否かを判定することでセンサが異常か否
かを判定する。According to the invention described in claim 2, in addition to the operation of the invention described in claim 1, each magnetic detection means of each sensor detects the direction of the magnetic flux from the outside, and the detected magnetic flux direction. Each output value is output according to. Then, each output value is amplified by each amplification means, and it is determined whether or not the sensor is abnormal by determining whether or not the sum of the amplified output values is constant.
【0019】請求項3に記載の発明においては、請求項
2に記載の発明の作用に加えて、各センサの各磁気検出
手段を互いに向きが異なるように配置することで、各セ
ンサは互いに反対の出力特性となる。According to the invention described in claim 3, in addition to the function of the invention described in claim 2, by arranging the magnetic detection means of each sensor so that their directions are different from each other, the respective sensors are opposite to each other. Output characteristics.
【0020】請求項4に記載の発明においては、請求項
2に記載の発明の作用に加えて、各磁気検出手段はそれ
ぞれ同じ出力特性のため、外部からの磁束の方向を検出
すると、その磁束の方向に応じた出力値も同じとなる。
その各出力値を各増幅手段にて増幅すると、その増幅し
た各出力値は互いに反対の出力特性の値となる。そし
て、その増幅した各出力値を合計した値が一定か否かを
判定することでセンサが異常か否かを判定する。According to the invention described in claim 4, in addition to the function of the invention described in claim 2, since the magnetic detection means have the same output characteristics, when the direction of the magnetic flux from the outside is detected, the magnetic flux is detected. The output value corresponding to the direction of is also the same.
When the respective output values are amplified by the respective amplifying means, the respective amplified output values have mutually opposite output characteristic values. Then, it is determined whether or not the sensor is abnormal by determining whether or not the sum of the amplified output values is constant.
【0021】請求項5に記載の発明においては、請求項
1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の発明の作用
に加えて、各センサはリニアな出力値を出力し、その各
出力値を用いてセンサが異常か否かを判定する。In the invention described in claim 5, in addition to the operation of the invention described in any one of claims 1 to 4, each sensor outputs a linear output value, and each output The value is used to determine whether the sensor is abnormal.
【0022】請求項6に記載の発明においては、各セン
サに同じ入力信号をそれぞれ入力すると、各センサは互
いに反対の出力特性の出力値を出力する。そして、その
各出力値を加算手段にて加算する。両センサの合計出力
値は、入力信号の大きさにかかわらず常に一定値になる
ように設定されている。そのため、両センサのうち少な
くとも一方が異常をきたし、入力された入力信号の大き
さに対応した出力値がでなくなると、前記両出力値の合
計が一定とならない。即ち、前記両出力値の合計が一定
でない場合には、両センサのうち少なくとも一方が異常
をきたしたということが判定手段により判定できる。According to the sixth aspect of the invention, when the same input signal is input to each sensor, each sensor outputs an output value having output characteristics opposite to each other. Then, the respective output values are added by the adding means. The total output value of both sensors is set to always be a constant value regardless of the magnitude of the input signal. Therefore, if at least one of the two sensors becomes abnormal and the output value corresponding to the magnitude of the input signal is no longer present, the total output value will not be constant. That is, when the sum of the two output values is not constant, it can be determined by the determination means that at least one of the two sensors has an abnormality.
【0023】請求項7に記載の発明においては、請求項
6に記載の発明の作用に加えて、各センサの各磁気検出
手段は、外部からの磁束の方向を検出し、検出した磁束
の方向に応じて各出力値を出力する。そして、その各出
力値を各増幅手段にて増幅し、増幅した各出力値を合計
した値が一定か否かを判定することでセンサが異常か否
かを判定手段により判定する。According to the invention described in claim 7, in addition to the operation of the invention described in claim 6, each magnetic detection means of each sensor detects the direction of the magnetic flux from the outside, and the detected magnetic flux direction. Each output value is output according to. Then, each output value is amplified by each amplification means, and it is determined by the determination means whether or not the sensor is abnormal by determining whether the sum of the amplified output values is constant.
【0024】請求項8に記載の発明においては、請求項
7に記載の発明の作用に加えて、各センサの各磁気検出
手段を互いに向きが異なるように配置することで、各セ
ンサは互いに反対の出力特性となる。According to the invention described in claim 8, in addition to the operation of the invention described in claim 7, by arranging the magnetic detection means of each sensor so that their directions are different from each other, the respective sensors are opposite to each other. Output characteristics.
【0025】請求項9に記載の発明においては、請求項
7に記載の発明の作用に加えて、各磁気検出手段はそれ
ぞれ同じ出力特性のため、外部からの磁束の方向を検出
すると、その磁束の方向に応じた出力値も同じとなる。
その各出力値を各増幅手段にて増幅すると、その増幅し
た各出力値は互いに反対の出力特性の値となる。そし
て、その増幅した各出力値を合計した値が一定か否かを
判定手段により判定することでセンサが異常か否かを判
定する。According to the invention described in claim 9, in addition to the operation of the invention described in claim 7, since each magnetic detection means has the same output characteristic, when the direction of the magnetic flux from the outside is detected, the magnetic flux is detected. The output value corresponding to the direction of is also the same.
When the respective output values are amplified by the respective amplifying means, the respective amplified output values have mutually opposite output characteristic values. Then, the determination unit determines whether or not the sum of the amplified output values is constant, thereby determining whether or not the sensor is abnormal.
【0026】請求項10に記載の発明においては、請求
項6乃至請求項9のうちいずれか1項に記載の作用に加
えて、各センサはリニアな出力値を出力し、その各出力
値を用いてセンサが異常か否かを判定手段により判定す
る。In the invention described in claim 10, in addition to the operation described in any one of claims 6 to 9, each sensor outputs a linear output value, and each output value is output. The determination means determines whether or not the sensor is abnormal.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】(第1実施形態)以下、本発明を
具体化した第1実施形態を図1〜図4に従って説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0028】図1に示すように、本実施形態のセンサの
異常検出装置11は、異常検出装置11を通過する磁束
の向きの変化を検出するものである。異常検出装置11
は、センサとしての第1,第2センサ12,13と、加
算手段としての加算回路14と、判定手段としての中央
演算処理装置(以下、CPUという)15を備えてい
る。前記第1,第2センサ12,13及び加算回路14
は、それぞれ公知技術のものである。前記第1,第2セ
ンサ12,13は磁気検出手段としての検出回路20,
21及び増幅手段としてのオペアンプ22,23をそれ
ぞれ備えている。As shown in FIG. 1, the sensor abnormality detecting device 11 of the present embodiment detects a change in the direction of the magnetic flux passing through the abnormality detecting device 11. Anomaly detection device 11
Includes first and second sensors 12 and 13 as sensors, an addition circuit 14 as addition means, and a central processing unit (hereinafter referred to as CPU) 15 as determination means. The first and second sensors 12, 13 and the adder circuit 14
Are known in the art. The first and second sensors 12 and 13 are detection circuits 20 as magnetic detection means,
21 and operational amplifiers 22 and 23 as amplifying means, respectively.
【0029】図2に示すように、検出回路20,21は
互いに近接して配置されると共に、検出した磁束の向き
によって検出電圧が変化するものである。図3に示すよ
うに、同検出回路20,21は、調整用抵抗体R0,R
0’と検出した磁束の向きによって抵抗値が変化する磁
気抵抗素子としての抵抗体R1〜R4とによりそれぞれ
構成されている。前記各抵抗体R1〜R4は、ブリッジ
回路としての4端子ブリッジ回路Bを構成するように接
続されている。また、抵抗体R3側には調整用抵抗体R
0が接続され、抵抗体R1側には調整用抵抗体R0’が
接続されている。As shown in FIG. 2, the detection circuits 20 and 21 are arranged close to each other, and the detection voltage changes depending on the direction of the detected magnetic flux. As shown in FIG. 3, the detection circuits 20 and 21 include adjustment resistors R0 and R.
Each of the resistors R1 to R4 is a magnetoresistive element whose resistance value changes depending on the direction of the magnetic flux detected as 0 '. The resistors R1 to R4 are connected so as to form a 4-terminal bridge circuit B as a bridge circuit. Further, the adjusting resistor R is provided on the resistor R3 side.
0 is connected, and an adjusting resistor R0 ′ is connected to the resistor R1 side.
【0030】前記抵抗体R1と抵抗体R2との接続点
(中点)aは、基板に設けられたオペアンプ22,23
の非反転入力端子T1にそれぞれ接続されている。抵抗
体R3と抵抗体R4との接続点(中点)bは、同オペア
ンプ22,23の反転入力端子T2に接続されている。
また、調整用抵抗体R0,R0’は抵抗体R1〜R4よ
りも小さい抵抗値を有し、抵抗体R1〜R4とは異な
り、温度抵抗変化の少ない材質で基板に形成されてい
る。The connection point (middle point) a between the resistor R1 and the resistor R2 is an operational amplifier 22, 23 provided on the substrate.
Are respectively connected to the non-inverting input terminals T1. A connection point (midpoint) b between the resistors R3 and R4 is connected to the inverting input terminal T2 of the operational amplifiers 22 and 23.
Further, the adjusting resistors R0 and R0 ′ have a resistance value smaller than that of the resistors R1 to R4, and unlike the resistors R1 to R4, they are formed on the substrate with a material having a small temperature resistance change.
【0031】また、図2に示すように前記各抵抗体R1
〜R4は素子面f上に配置されており、その素子面fに
対して平行する向きの磁束を検出するように構成されて
いる。各抵抗体R1〜R4はNiCo薄膜を基板に対し
て折れ線状に成膜されたものであり、同温度雰囲気下に
おいて抵抗値が同一となるように設定されている。な
お、抵抗体R1〜R4は雰囲気温度が上昇すると、感度
が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特
性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致してい
るのが好ましい。Further, as shown in FIG. 2, each of the resistors R1
˜R4 are arranged on the element surface f, and are configured to detect the magnetic flux in the direction parallel to the element surface f. Each of the resistors R1 to R4 is formed by forming a NiCo thin film in a polygonal line shape on the substrate and is set to have the same resistance value under the same temperature atmosphere. The resistors R1 to R4 have sensitivity temperature characteristics in which the sensitivity changes when the ambient temperature rises. In this sensitivity temperature characteristic, it is preferable that the sensitivity temperature change rate and the resistance temperature change rate match.
【0032】次に、検出回路20における抵抗体R1〜
R4の配置方向について説明する。図2に示すように、
抵抗体R1,R4は同じ方向に向かって配置され、抵抗
体R2,R3は前記抵抗体R1,R4の向く方向に対し
て直交する方向に向かって配置されている。同図中の中
心線m1,n1は、抵抗体R1,R4及び抵抗体R2,
R3が向かう方向を示したものである。基準線s1は、
中心線m1,n1が交わる点を基点としてその基点を通
ると共に中心線m1,n1のなす角の二等分線である。
また、本実施形態では、基準線s1に沿う磁束の方向を
0度、中心線m1に沿う磁束の方向を+45度、中心線
n1に沿う磁束の方向を−45度とする。Next, the resistors R1 to R1 in the detection circuit 20.
The arrangement direction of R4 will be described. As shown in FIG.
The resistors R1 and R4 are arranged in the same direction, and the resistors R2 and R3 are arranged in a direction orthogonal to the direction in which the resistors R1 and R4 face. The center lines m1 and n1 in the figure indicate resistors R1 and R4 and resistors R2 and R2, respectively.
It shows the direction in which R3 is heading. The reference line s1 is
It is a bisector of the angle formed by the center lines m1 and n1 while passing through the base point at the point where the center lines m1 and n1 intersect.
In the present embodiment, the direction of the magnetic flux along the reference line s1 is 0 degrees, the direction of the magnetic flux along the center line m1 is +45 degrees, and the direction of the magnetic flux along the center line n1 is −45 degrees.
【0033】前記検出回路20は、−45度から+45
度までの磁束の方向を検出可能に構成されている。検出
した磁束が−45度の向きの際には、抵抗体R1,R4
の抵抗値が最大となり、抵抗体R2,R3の抵抗値が最
小となる。この結果、接続点aはLレベルの電圧とな
り、接続点bはHレベルの電圧となる。この両接続点
a,bの差電圧がオペアンプ22により増幅され、オペ
アンプ22から出力される電圧V1は最小電圧となる
(図4参照)。The detection circuit 20 has a range of -45 degrees to +45 degrees.
It is configured to detect the direction of magnetic flux up to degrees. When the detected magnetic flux is in the direction of -45 degrees, the resistors R1, R4
Has the maximum resistance value, and the resistance values of the resistors R2 and R3 have the minimum resistance value. As a result, the connection point a becomes an L level voltage, and the connection point b becomes an H level voltage. The difference voltage between the two connection points a and b is amplified by the operational amplifier 22, and the voltage V1 output from the operational amplifier 22 becomes the minimum voltage (see FIG. 4).
【0034】一方、検出した磁束が+45度の向きの際
には、抵抗体R1,R4の抵抗値が最小となり、抵抗体
R2,R3の抵抗値が最大となる。この結果、接続点a
はHレベルの電圧となり、接続点bはLレベルの電圧と
なる。この両接続点a,bの差電圧がオペアンプ22に
より増幅され、オペアンプ22から出力される電圧V1
は最大電圧となる(図4参照)。On the other hand, when the detected magnetic flux is in the direction of +45 degrees, the resistance values of the resistors R1 and R4 are minimum and the resistance values of the resistors R2 and R3 are maximum. As a result, the connection point a
Becomes an H level voltage, and the connection point b becomes an L level voltage. The difference voltage between the two connection points a and b is amplified by the operational amplifier 22 and output from the operational amplifier 22 as a voltage V1.
Is the maximum voltage (see FIG. 4).
【0035】そして、検出した磁束の方向が−45度か
ら+45度へ向かうにつれて、電圧V1が正の所定の傾
きを有するリニアな電圧を出力するように第1センサ1
2は構成されている。Then, as the direction of the detected magnetic flux goes from -45 degrees to +45 degrees, the first sensor 1 outputs a linear voltage having a predetermined positive voltage V1.
2 is configured.
【0036】そして、第1センサ12は、検出した磁束
の方向が−45度の際にその出力が自身の最大出力の5
%となり、検出した磁束の方向が0度の際にその出力が
自身の最大出力の50%となるように構成されている。
また、第1センサ12は、検出した磁束の方向が+45
度の際にその出力が自身の最大出力の95%となるよう
に構成されている。The output of the first sensor 12 is 5% of its maximum output when the direction of the detected magnetic flux is -45 degrees.
%, And the output is 50% of the maximum output of itself when the direction of the detected magnetic flux is 0 degree.
Further, the first sensor 12 detects that the direction of the detected magnetic flux is +45.
The output is 95% of the maximum output of itself.
【0037】即ち、以下の関係式が成り立つ。
第1センサ12の出力(%) = 50(%) + f
(θ)
なお、f(θ)は、θの関数であり、(−45(%)
≦ f(θ) ≦ +45(%))とし、θは磁束の方
向を示している。又、θが0のとき、f(θ)=0
(%)である。That is, the following relational expression holds. Output of first sensor 12 (%) = 50 (%) + f
(Θ) Note that f (θ) is a function of θ and is (−45 (%)
≦ f (θ) ≦ + 45 (%)), and θ indicates the direction of the magnetic flux. When θ is 0, f (θ) = 0
(%).
【0038】次に、検出回路21における抵抗体R1〜
R4の配置方向について説明する。図2に示すように、
前記検出回路21の抵抗体R1〜R4の配置方向は、検
出回路20の抵抗体R1〜R4を反時計回りに90度回
転させたものに相当する。Next, the resistors R1 to R1 in the detection circuit 21.
The arrangement direction of R4 will be described. As shown in FIG.
The arrangement direction of the resistors R1 to R4 of the detection circuit 21 corresponds to that of the resistors R1 to R4 of the detection circuit 20 rotated 90 degrees counterclockwise.
【0039】従って、検出回路21の抵抗体R1,R4
が向かう方向を示す中心線m2は前記中心線n1と同方
向であり、検出回路21の抵抗体R2,R3が向かう方
向を示す中心線n2は前記中心線m1と同方向である。
また、検出回路21の基準線s2は、前記基準線s1に
対して直交する方向とされている。Therefore, the resistors R1 and R4 of the detection circuit 21.
Is the same as the center line n1 and the center line n2 is the same as the center line m1 in which the resistors R2 and R3 of the detection circuit 21 are directed.
The reference line s2 of the detection circuit 21 is in a direction orthogonal to the reference line s1.
【0040】前記検出回路21は、−45度から+45
度までの磁束の方向を検出可能に構成されている。検出
回路21における抵抗体R1〜R4は、検出回路20の
抵抗体R1〜R4と同じ配列パターンで、配置方向だけ
90度変わっている。そのため、検出した磁束が−45
度の向きの際には、抵抗体R1,R4の抵抗値が最小と
なり、抵抗体R2,R3の抵抗値が最大となる。この結
果、接続点aはHレベルの電圧となり、接続点bはLレ
ベルの電圧となる。この両接続点a,bの差電圧がオペ
アンプ23により増幅され、オペアンプ23から出力さ
れる電圧V2は最大電圧となる(図4参照)。The detection circuit 21 is operated from -45 degrees to +45 degrees.
It is configured to detect the direction of magnetic flux up to degrees. The resistors R1 to R4 in the detection circuit 21 have the same arrangement pattern as the resistors R1 to R4 of the detection circuit 20, and are changed by 90 degrees only in the arrangement direction. Therefore, the detected magnetic flux is -45
In the direction of the degree, the resistance values of the resistors R1 and R4 become the minimum, and the resistance values of the resistors R2 and R3 become the maximum. As a result, the connection point a becomes an H level voltage, and the connection point b becomes an L level voltage. The difference voltage between the two connection points a and b is amplified by the operational amplifier 23, and the voltage V2 output from the operational amplifier 23 becomes the maximum voltage (see FIG. 4).
【0041】一方、検出回路21は検出した磁束が+4
5度の向きの際には、抵抗体R1,R4の抵抗値が最大
となり、抵抗体R2,R3の抵抗値が最小となる。この
結果、接続点aはLレベルの電圧となり、接続点bはH
レベルの電圧となる。この両接続点a,bの差電圧がオ
ペアンプ23により増幅され、オペアンプ23から出力
される電圧V2は最小電圧となる(図4参照)。On the other hand, the detection circuit 21 detects that the detected magnetic flux is +4.
When the orientation is 5 degrees, the resistance values of the resistors R1 and R4 are maximum, and the resistance values of the resistors R2 and R3 are minimum. As a result, the connection point a becomes an L level voltage and the connection point b becomes H level.
It becomes the level voltage. The difference voltage between the two connection points a and b is amplified by the operational amplifier 23, and the voltage V2 output from the operational amplifier 23 becomes the minimum voltage (see FIG. 4).
【0042】そして、検出した磁束の方向が−45度か
ら+45度へ向かうにつれて、電圧V2が負の所定の傾
きを有するリニアな電圧を出力するように第2センサ1
3は構成されている。Then, as the direction of the detected magnetic flux goes from -45 degrees to +45 degrees, the second sensor 1 outputs a linear voltage having a predetermined negative voltage V2.
3 is configured.
【0043】そして、第2センサ13は、検出した磁束
の方向が−45度の際にその出力が自身の最大出力の9
5%となり、検出した磁束の方向が0度の際にその出力
が自身の最大出力の50%となるように構成されてい
る。また、第2センサ13は、検出した磁束の方向が+
45度の際にその出力が自身の最大出力の5%となるよ
うに構成されている。The output of the second sensor 13 is 9% of its maximum output when the direction of the detected magnetic flux is -45 degrees.
The output is 5%, and the output thereof is 50% of the maximum output of itself when the direction of the detected magnetic flux is 0 degree. Further, the second sensor 13 detects that the direction of the detected magnetic flux is +
The output is 5% of its maximum output at 45 degrees.
【0044】即ち、以下の関係式が成り立つ。
第2センサ13の出力(%) = 50(%) − f
(θ)
なお、f(θ)は、θの関数であり、(−45(%)
≦ f(θ) ≦ +45(%))とする。又、θが0
のとき、f(θ)=0(%)である。That is, the following relational expression holds. Output of second sensor 13 (%) = 50 (%)-f
(Θ) Note that f (θ) is a function of θ and is (−45 (%)
≦ f (θ) ≦ + 45 (%)). Also, θ is 0
At that time, f (θ) = 0 (%).
【0045】なお、本実施形態において、「互いに反対
の出力特性を有する」関係とは前記両電圧V1,V2の
両特性線の交点を通過するX軸に平行な線(以下、対称
線Tという)を基準としてその両特性線が線対称となる
関係をいう(図4参照)。In the present embodiment, the relationship "having opposite output characteristics" means that a line parallel to the X axis (hereinafter referred to as a symmetry line T) that passes through the intersection of the characteristic lines of the voltages V1 and V2. ), The two characteristic lines are line-symmetrical (see FIG. 4).
【0046】図1に示すように、前記オペアンプ22は
加算回路14及び中央演算処理装置15に接続されてお
り、電圧V1が加算回路14及び中央演算処理装置15
に入力されるように構成されている。また、前記オペア
ンプ23は加算回路14に接続されており、電圧V2が
加算回路14に入力されるように構成されている。前記
加算回路14は中央演算処理装置15に接続されてお
り、入力した前記両電圧V1,V2を加算し、その加算
結果である電圧V3を中央演算処理装置15に出力する
ように構成されている。As shown in FIG. 1, the operational amplifier 22 is connected to the adder circuit 14 and the central processing unit 15, and the voltage V1 is added to the adder circuit 14 and the central processing unit 15.
Is configured to be input to. Further, the operational amplifier 23 is connected to the adder circuit 14 so that the voltage V2 is inputted to the adder circuit 14. The adder circuit 14 is connected to the central processing unit 15, and is configured to add the two voltages V1 and V2 that have been input and output a voltage V3 that is the addition result to the central processing unit 15. .
【0047】中央演算処理装置15は入力した電圧V3
が所定(一定)の電圧であるか否かをあらかじめ図示し
ないROM(読み出し専用記憶メモリ)に格納したデー
タと比較判定する。ここでいう、所定とは第1センサ1
2の出力、又は第2センサ13の出力の100%に相当
する。中央演算処理装置15は電圧V3が所定の電圧で
あると判定すると、第1センサ12は正常であるとす
る。すなわち、オペアンプ22から入力した電圧V1を
中央演算処理装置15が制御している図示しない外部装
置のための制御プログラムに使用する。The central processing unit 15 receives the input voltage V3
Whether or not is a predetermined (constant) voltage is compared with data stored in advance in a ROM (read-only memory) not shown. Here, the predetermined means the first sensor 1
2 output, or 100% of the output of the second sensor 13. When the central processing unit 15 determines that the voltage V3 is a predetermined voltage, it is determined that the first sensor 12 is normal. That is, the voltage V1 input from the operational amplifier 22 is used as a control program for an external device (not shown) controlled by the central processing unit 15.
【0048】これは、電圧V1と電圧V2とが互いに反
対の出力特性のため、両電圧V1,V2が正常な検出電
圧であれば対称線Tに対して互いに対称な出力電圧とな
る。この結果、その両電圧V1,V2の加算値である電
圧V3は常に所定値(一定値)となるからである。この
ため、第1センサ12は正しく作動していると判定でき
るのである。This is because the output characteristics of the voltage V1 and the voltage V2 are opposite to each other. Therefore, if both the voltages V1 and V2 are normal detection voltages, the output voltages are symmetrical with respect to the symmetry line T. As a result, the voltage V3, which is the sum of the two voltages V1 and V2, is always a predetermined value (constant value). Therefore, the first sensor 12 can be determined to be operating properly.
【0049】一方、中央演算処理装置15は電圧V3が
所定の電圧でないと判定すると、中央演算処理装置15
は図示しない異常警告装置へ異常信号を出力し、その異
常警告装置で適宜異常処理を行う。これは、電圧V1と
電圧V2とが対称線Tに対して互いに対称とならない場
合には、その両電圧V1,V2の加算値は所定値(一定
値)にならないからである。On the other hand, when the central processing unit 15 determines that the voltage V3 is not the predetermined voltage, the central processing unit 15
Outputs an abnormality signal to an abnormality warning device (not shown), and the abnormality warning device appropriately performs abnormality processing. This is because if the voltage V1 and the voltage V2 are not symmetrical with respect to the line of symmetry T, the added value of the two voltages V1 and V2 will not be a predetermined value (constant value).
【0050】従って、上記第1実施形態の異常検出装置
11によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)本実施形態では、素子面fを通過する磁束の向き
の変化を検出する第1,第2センサ12,13を異常検
出装置11に備えた。第1,第2センサ12,13は出
力値(電圧V1,V2)が互いに反対の出力特性を有す
るように構成した。前記第1,第2センサ12,13の
両出力値を加算回路14にて加算し、その加算結果であ
る電圧V3を中央演算処理装置15に出力するようにし
た。そして、中央演算処理装置15は電圧V3が所定
(一定)の電圧である場合、第1,第2センサ12,1
3を正常と判定し、所定の電圧でなければ第1,第2セ
ンサ12,13のいずれか一方を異常と判定した。従っ
て、異常検出装置11は第1,第2センサ12,13の
出力特性の異常を検出できる。Therefore, according to the abnormality detecting device 11 of the first embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the present embodiment, the abnormality detection device 11 is provided with the first and second sensors 12 and 13 that detect changes in the direction of the magnetic flux passing through the element surface f. The first and second sensors 12 and 13 are configured so that their output values (voltages V1 and V2) have opposite output characteristics. The output values of the first and second sensors 12 and 13 are added by the adder circuit 14, and the voltage V3 which is the addition result is output to the central processing unit 15. Then, when the voltage V3 is a predetermined (constant) voltage, the central processing unit 15 operates the first and second sensors 12, 1
No. 3 was judged to be normal, and if it was not a predetermined voltage, one of the first and second sensors 12 and 13 was judged to be abnormal. Therefore, the abnormality detection device 11 can detect an abnormality in the output characteristics of the first and second sensors 12 and 13.
【0051】(2)本実施形態では、第1,第2センサ
12,13の検出回路20,21を抵抗体R1〜R4及
び調整用抵抗体R0,R0’にてそれぞれ構成した。前
記抵抗体R1〜R4により4端子ブリッジ回路Bを構成
するようにした。そして、両抵抗体R1,R2の接続点
(中点)aにおける電圧と、両抵抗体R3,R4の接続
点(中点)bにおける電圧との差電圧で磁束の方向を検
出するようにした。従って、抵抗体R1〜R4からなる
4端子ブリッジ回路Bを使って素子面fを通過する磁束
の向きの変化を検出できる。(2) In this embodiment, the detection circuits 20 and 21 of the first and second sensors 12 and 13 are composed of the resistors R1 to R4 and the adjusting resistors R0 and R0 ', respectively. A 4-terminal bridge circuit B is configured by the resistors R1 to R4. The direction of the magnetic flux is detected by the voltage difference between the voltage at the connection point (middle point) a of the resistors R1 and R2 and the voltage at the connection point (middle point) b of the resistors R3 and R4. . Therefore, the change in the direction of the magnetic flux passing through the element surface f can be detected by using the 4-terminal bridge circuit B including the resistors R1 to R4.
【0052】(3)本実施形態では、第1,第2センサ
12,13及び加算回路14は、それぞれ公知技術のも
ので構成した。従って、異常検出装置11を制作する際
に、新たに自ら制作する部品がほとんどなく、制作コス
トを抑えることができる。(3) In this embodiment, the first and second sensors 12 and 13 and the adder circuit 14 are constructed by known techniques. Therefore, when the abnormality detection device 11 is manufactured, there are almost no new parts to be manufactured by itself, and the manufacturing cost can be suppressed.
【0053】(第2実施形態)以下、本発明を具体化し
た第2実施形態を図5及び図6に従って説明する。な
お、第2実施形態及び第3実施形態は、前記第1実施形
態を変更したものであり、前記第1実施形態と同様の構
成については、同一符号を付して、その詳細な説明を省
略し、異なるところのみを説明する。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 5 and 6. The second embodiment and the third embodiment are modifications of the first embodiment, and the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. However, only different points will be described.
【0054】本実施形態の異常検出装置31は、前記第
1実施形態と比較して第2センサの構成のみが変更され
ている。具体的には、前記第1実施形態では検出回路2
1の配置方向を検出回路20に対して90度ずらしてい
たが、本実施形態の第2センサ32における検出回路2
1の配置方向は検出回路20に対して同方向としている
(図6参照)。前記第2センサ32はセンサに相当す
る。The abnormality detecting device 31 of this embodiment is different from that of the first embodiment only in the configuration of the second sensor. Specifically, in the first embodiment, the detection circuit 2
Although the arrangement direction of 1 is shifted by 90 degrees with respect to the detection circuit 20, the detection circuit 2 in the second sensor 32 of this embodiment is
The arrangement direction of 1 is the same as that of the detection circuit 20 (see FIG. 6). The second sensor 32 corresponds to a sensor.
【0055】そして、検出回路21の接続点aがオペア
ンプ23の反転入力端子T2に接続され、接続点bがオ
ペアンプ23の非反転入力端子T1に接続されている。
この結果、両第1,第2センサ12,32の電圧V1,
V2の出力値が互いに反対の出力特性となるように構成
した。The connection point a of the detection circuit 21 is connected to the inverting input terminal T2 of the operational amplifier 23, and the connection point b is connected to the non-inverting input terminal T1 of the operational amplifier 23.
As a result, the voltages V1 of the first and second sensors 12 and 32 are
The output values of V2 are configured to have opposite output characteristics.
【0056】従って、第2実施形態の異常検出装置31
においても、前記第1実施形態の(1)〜(3)の効果
と同様の効果を得ることができる。
(第3実施形態)以下、本発明を具体化した第3実施形
態を図7に従って説明する。Therefore, the abnormality detecting device 31 of the second embodiment
Also in the above, the same effects as the effects (1) to (3) of the first embodiment can be obtained. (Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【0057】本実施形態の異常検出装置41は、前記第
1実施形態の異常検出装置11と比して加算回路14が
省略されている。その代わりに判定手段としての中央演
算処理装置(以下、CPUという)42が両電圧V1,
V2の大きさを検出し、検出結果の値をソフト的に加算
演算するところが異なっている。従って、本実施形態に
おいては、中央演算処理装置15は加算手段にも相当す
る。The abnormality detection device 41 of the present embodiment does not have the addition circuit 14 as compared with the abnormality detection device 11 of the first embodiment. Instead, a central processing unit (hereinafter, referred to as a CPU) 42 as a determination means is provided with both voltages V1,
The difference is that the magnitude of V2 is detected and the value of the detection result is added and calculated by software. Therefore, in the present embodiment, the central processing unit 15 also corresponds to adding means.
【0058】従って、第3実施形態の異常検出装置41
においては、両電圧V1,V2の加算演算をCPU42
が行うこと以外は、異常検出装置11と同じ作用を奏す
るため前記第1実施形態の(1)、(2)の効果と同様
の効果を得ることができる。それとともに、以下の効果
を得ることができる。Therefore, the abnormality detecting device 41 of the third embodiment
In the CPU 42, the addition operation of both voltages V1 and V2 is performed.
Other than that, since the same operation as the abnormality detection device 11 is achieved, the same effects as the effects (1) and (2) of the first embodiment can be obtained. At the same time, the following effects can be obtained.
【0059】(1)本実施形態の異常検出装置41は、
第1実施形態の異常検出装置11と比して加算回路14
が省略されている。従って、異常検出装置11と比して
加算回路14を省略した分だけ異常検出装置41は部品
点数を減らすことができる。(1) The abnormality detection device 41 of this embodiment is
Compared with the abnormality detection device 11 of the first embodiment, the adder circuit 14
Is omitted. Therefore, as compared with the abnormality detection device 11, the abnormality detection device 41 can reduce the number of parts by the amount that the addition circuit 14 is omitted.
【0060】(2)本実施形態では、第1,第2センサ
12,13は、それぞれ公知技術のもので構成した。従
って、異常検出装置41を制作する際に、新たに自ら制
作する部品がほとんどなく、制作コストを抑えることが
できる。(2) In this embodiment, the first and second sensors 12 and 13 are constructed by known techniques. Therefore, when manufacturing the abnormality detection device 41, there are almost no new parts to be manufactured by itself, and the manufacturing cost can be suppressed.
【0061】(第4実施形態)以下、本発明を具体化し
た第4実施形態を図8に従って説明する。なお、第4実
施形態は、前記第2実施形態を変更したものであり、前
記第2実施形態と同様の構成については、同一符号を付
して、その詳細な説明を省略し、異なるところのみを説
明する。(Fourth Embodiment) A fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The fourth embodiment is a modification of the second embodiment, and the same components as those in the second embodiment are designated by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted, and only different portions will be described. Will be explained.
【0062】本実施形態の異常検出装置51は、前記第
2実施形態の異常検出装置31と比して加算回路14が
省略されている。その代わりに判定手段としての中央演
算処理装置(以下、CPUという)52が両電圧V1,
V2の大きさを検出し、検出結果の値をソフト的に加算
演算するところが異なっている。従って、本実施形態に
おいては、中央演算処理装置15は加算手段にも相当す
る。The anomaly detecting device 51 of this embodiment does not include the adding circuit 14 as compared with the anomaly detecting device 31 of the second embodiment. Instead, a central processing unit (hereinafter, referred to as a CPU) 52 serving as a determination unit is provided with both voltages V1,
The difference is that the magnitude of V2 is detected and the value of the detection result is added and calculated by software. Therefore, in the present embodiment, the central processing unit 15 also corresponds to adding means.
【0063】従って、第4実施形態の異常検出装置51
においては、両電圧V1,V2の加算処理をCPU52
が行うこと以外は、異常検出装置31と同じ作用を奏す
るため前記第1実施形態の(1)、(2)の効果と同様
の効果を得ることができる。それとともに、以下の効果
を得ることができる。Therefore, the abnormality detecting device 51 of the fourth embodiment
In the CPU 52, the addition processing of both voltages V1 and V2 is performed.
Since the same operation as that of the abnormality detection device 31 is performed except that the above-described step is performed, the same effects as the effects (1) and (2) of the first embodiment can be obtained. At the same time, the following effects can be obtained.
【0064】(1)本実施形態の異常検出装置51は、
第2実施形態の異常検出装置31と比して加算回路14
が省略されている。従って、異常検出装置31と比して
加算回路14を省略した分だけ異常検出装置51は部品
点数を減らすことができる。(1) The abnormality detecting device 51 of this embodiment is
Compared to the abnormality detection device 31 of the second embodiment, the addition circuit 14
Is omitted. Therefore, as compared with the abnormality detection device 31, the abnormality detection device 51 can reduce the number of parts by the amount that the addition circuit 14 is omitted.
【0065】(2)本実施形態では、第1,第2センサ
12,13は、それぞれ公知技術のもので構成した。従
って、異常検出装置51を制作する際に、新たに自ら制
作する部品がほとんどなく、制作コストを抑えることが
できる。(2) In this embodiment, the first and second sensors 12 and 13 are constructed by known techniques. Therefore, when manufacturing the abnormality detection device 51, there are almost no new parts to be manufactured by itself, and the manufacturing cost can be suppressed.
【0066】(他の実施形態)なお、上記各実施形態は
以下のような他の実施形態に変更して具体化してもよ
い。(Other Embodiments) The above-described embodiments may be modified and embodied in the following other embodiments.
【0067】・前記第1,第2実施形態では、オペアン
プ22をCPU15に接続することで電圧V1をCPU
15に入力するようにした。そして、CPU15は、電
圧V3が所定値(一定値)と判定した際に、第1センサ
12は正常であるとする。すなわち、オペアンプ22か
ら入力した電圧V1を中央演算処理装置15が制御して
いる図示しない外部装置のための制御プログラムに使用
していた。In the first and second embodiments, the operational amplifier 22 is connected to the CPU 15 so that the voltage V1 is applied to the CPU.
I input it to 15. Then, the CPU 15 determines that the first sensor 12 is normal when the voltage V3 is determined to be the predetermined value (constant value). That is, the voltage V1 input from the operational amplifier 22 is used as a control program for an external device (not shown) controlled by the central processing unit 15.
【0068】これに限らず、オペアンプ22の代わりに
オペアンプ23をCPU15に接続することで電圧V2
をCPU15に入力する。そして、CPU15は電圧V
3が所定値(一定値)と判定した際に、電圧V2を中央
演算処理装置15が制御している図示しない外部装置の
ための制御プログラムに使用してもよい。Not limited to this, by connecting the operational amplifier 23 to the CPU 15 instead of the operational amplifier 22, the voltage V2
Is input to the CPU 15. Then, the CPU 15 sets the voltage V
When it is determined that 3 is a predetermined value (constant value), the voltage V2 may be used for a control program for an external device (not shown) controlled by the central processing unit 15.
【0069】・前記第3,第4実施形態では、CPU4
2,52は、電圧V3が所定値(一定値)と判定した際
に、電圧V1を検出電圧利用装置へ出力していた。これ
に限らず、CPU42,52は電圧V3が所定値(一定
値)と判定した際に、電圧V2を中央演算処理装置15
が制御している図示しない外部装置のための制御プログ
ラムに使用してもよい。In the third and fourth embodiments, the CPU 4
Nos. 2 and 52 output the voltage V1 to the detection voltage utilization device when the voltage V3 is determined to be a predetermined value (constant value). Not limited to this, the CPUs 42 and 52 set the voltage V2 to the central processing unit 15 when the voltage V3 is determined to be a predetermined value (constant value).
It may be used for a control program for an external device (not shown) controlled by the.
【0070】・前記各実施形態のオペアンプ22,23
を例えば図9に示す公知技術の増幅手段としての差動増
幅回路61に置き換えてもよい。この差動増幅回路61
は、入力端子Va,Vb、抵抗体R11〜R17、アン
プ62〜64、基準電圧端子VREF、及び出力端子Vc
を備えている。そして、第1実施形態の検出回路20,
21、第2実施形態の検出回路20、第3実施形態の検
出回路20,21、第4実施形態の検出回路20におけ
る、接続点aを入力端子Va、接続点bを入力端子Vb
に接続する。また、第2,第4実施形態の検出回路21
における、接続点aを入力端子Vb、接続点bを入力端
子Vaに接続する。なお、抵抗値においては、R11=
R14、R12=R15、R16=R17となるように
構成されている。この図に示すように各部材を電気的に
接続すると、以下の関係式が成り立つ。The operational amplifiers 22 and 23 of each of the above embodiments
May be replaced with, for example, a differential amplification circuit 61 as a known amplification means shown in FIG. This differential amplifier circuit 61
Are input terminals Va and Vb, resistors R11 to R17, amplifiers 62 to 64, reference voltage terminal V REF , and output terminal Vc.
Is equipped with. Then, the detection circuit 20 of the first embodiment,
21, the detection circuit 20 of the second embodiment, the detection circuits 20 and 21 of the third embodiment, and the detection circuit 20 of the fourth embodiment, the connection point a is the input terminal Va and the connection point b is the input terminal Vb.
Connect to. In addition, the detection circuit 21 of the second and fourth embodiments
In, the connection point a is connected to the input terminal Vb, and the connection point b is connected to the input terminal Va. In the resistance value, R11 =
The configuration is such that R14, R12 = R15, and R16 = R17. When the respective members are electrically connected as shown in this figure, the following relational expression holds.
【0071】Vc=(R16/R12)×(1+(2×
R11 / R13))×(Va−Vb)+VREF
なお、VREFは基準電圧端子VREFの電圧である。Vc = (R16 / R12) × (1+ (2 ×
R11 / R13)) × (Va−Vb) + V REF where V REF is the voltage of the reference voltage terminal V REF .
【0072】以下、この実施形態を第1別例という。
・前記各実施形態のオペアンプ22,23を例えば図1
0に示す公知技術の増幅手段としての差動増幅回路71
に置き換えてもよい。この差動増幅回路71は、入力端
子Vd,Ve、抵抗体R21〜R24、アンプ72,7
3、基準電圧端子VREF、及び出力端子Vfを備えてい
る。そして、第1及び第3実施形態の検出回路20,2
1、第2及び第4実施形態の検出回路20における、接
続点aを入力端子Vd、接続点bを入力端子Veに接続
する。また、第2及び第4実施形態の検出回路21にお
ける、接続点aを入力端子Ve、接続点bを入力端子V
dに接続する。なお、抵抗値においては、R23=R2
2、R21=R24となるように構成されている。この
図に示すように各部材を電気的に接続すると、以下の関
係式が成り立つ。Hereinafter, this embodiment will be referred to as a first example. The operational amplifiers 22 and 23 of each of the above-described embodiments are shown in FIG.
The differential amplifier circuit 71 shown in FIG.
May be replaced with The differential amplifier circuit 71 includes input terminals Vd and Ve, resistors R21 to R24, amplifiers 72 and 7.
3, a reference voltage terminal V REF , and an output terminal Vf. Then, the detection circuits 20 and 2 of the first and third embodiments
In the detection circuits 20 of the first, second and fourth embodiments, the connection point a is connected to the input terminal Vd and the connection point b is connected to the input terminal Ve. Further, in the detection circuit 21 of the second and fourth embodiments, the connection point a is the input terminal Ve and the connection point b is the input terminal V.
Connect to d. The resistance value is R23 = R2
2 and R21 = R24. When the respective members are electrically connected as shown in this figure, the following relational expression holds.
【0073】Vf=(1+(R24/R23))×(V
d−Ve)+VREF
なお、Vfは出力端子の端子電圧、Vd,Veは入力端
子の端子電圧、R23,R24は抵抗R23,24の抵
抗値である。VREFは基準電圧端子VREFの電圧である。Vf = (1+ (R24 / R23)) × (V
d-Ve) + V REF Vf is the terminal voltage of the output terminal, Vd and Ve are the terminal voltages of the input terminals, and R23 and R24 are the resistance values of the resistors R23 and 24. V REF is the voltage of the reference voltage terminal V REF .
【0074】以下、この実施形態を第2別例という。
・前記第1,第2実施形態の加算回路14を図11に示
す公知技術の加算手段としての加算増幅回路81に置き
換えてもよい。この加算増幅回路81は、入力端子V
g,Vh、抵抗体R31〜R34、アンプ82、基準電
圧端子VREF、及び出力端子Viを備えている。そし
て、第1,第2実施形態のオペアンプ22,23の出力
端子をそれぞれ入力端子Vg,Vhに接続する。なお、
抵抗値においては、R31=R32となるように構成さ
れている。この図に示すように各部材を電気的に接続す
ると、以下の関係式が成り立つ。Hereinafter, this embodiment will be referred to as a second example. The summing circuit 14 of the first and second embodiments may be replaced with a summing amplifier circuit 81 as a known addition means shown in FIG. This addition amplifier circuit 81 has an input terminal V
g, Vh, resistors R31 to R34, an amplifier 82, a reference voltage terminal V REF , and an output terminal Vi. Then, the output terminals of the operational amplifiers 22 and 23 of the first and second embodiments are connected to the input terminals Vg and Vh, respectively. In addition,
The resistance value is configured such that R31 = R32. When the respective members are electrically connected as shown in this figure, the following relational expression holds.
【0075】Vi=−(R33/R31)×(Vg+V
h) + VREF×(1+(2×R33 / R3
1))
なお、Viは出力端子の端子電圧、Vg,Vhは入力端
子の端子電圧、R31,R33は抵抗R31,33の抵
抗値である。VREFは基準電圧端子VREFの電圧である。Vi = − (R33 / R31) × (Vg + V
h) + V REF × (1+ (2 × R33 / R3
1)) Vi is the terminal voltage of the output terminal, Vg and Vh are the terminal voltages of the input terminals, and R31 and R33 are the resistance values of the resistors R31 and 33. V REF is the voltage of the reference voltage terminal V REF .
【0076】・前記第1別例では、第2センサ13は、
検出した磁束の方向が0度の際にその出力が自身の最大
出力の50%となるように構成していた。これに限ら
ず、図9に示す基準電圧端子VREFの電圧を調節するこ
とで、検出した磁束の方向が0度の際にその出力が例え
ば自身の最大出力の(50+α)%となるように第2セ
ンサ13を構成してもよい。このようにすると、以下に
示す効果を得ることができる。なお、α>0である。In the first example, the second sensor 13 is
When the direction of the detected magnetic flux is 0 degree, the output is 50% of the maximum output of itself. Not limited to this, by adjusting the voltage of the reference voltage terminal V REF shown in FIG. 9, the output becomes (50 + α)% of the maximum output of itself when the direction of the detected magnetic flux is 0 degree. The second sensor 13 may be configured. By doing so, the following effects can be obtained. Note that α> 0.
【0077】前記第1別例では、検出回路側で異常が生
じた際、50%出力で固定しまう場合がある。そのた
め、両センサ12,13の両センサ12,13共に異常
となり50%出力で固定してしまうと、故障しているに
もかかわらず故障と判定できないことがある。それを防
ぐために、基準電圧端子VREFの電圧を例えばαだけ上
乗せしておき、正常な状態での和を「100+α」に設
定する。このようにすると、両センサ12,13の検出
回路が共に50%出力固定で故障しても、両センサ1
2,13共に50%出力で落ち着いてしまうことがな
い。加えて、このような変更を前記第2別例で具体化し
てもよい。In the first example, when an abnormality occurs on the detection circuit side, it may be fixed at 50% output. Therefore, if both of the sensors 12 and 13 become abnormal and are fixed at 50% output, it may not be possible to determine that the sensor is in failure despite the failure. To prevent this, the voltage of the reference voltage terminal V REF is added by, for example, α, and the sum in a normal state is set to “100 + α”. By doing so, even if the detection circuits of both sensors 12 and 13 both have a fixed output of 50% and both fail,
Both 2 and 13 do not settle at 50% output. In addition, such a change may be embodied in the second example.
【0078】また、このように基準電圧端子VREFを調
節する代わりに第2センサ13における検出回路21を
数度ずらして配置するようにしてもよい。このようにし
ても第2センサ13は、検出した磁束の方向が0度の際
にその出力が例えば自身の最大出力の(50+α)%と
なる。Further, instead of adjusting the reference voltage terminal V REF in this way, the detection circuit 21 in the second sensor 13 may be arranged with a shift of several degrees. Even in this case, the output of the second sensor 13 is, for example, (50 + α)% of the maximum output of itself when the direction of the detected magnetic flux is 0 degree.
【0079】・前記第1実施形態では、両センサ12,
13は、所定の傾きを有するリニアな電圧V1,V2を
出力する特性となっていた。これに限らず、図13に示
すような曲線を描く非リニアの出力特性を備えた両セン
サを用いてもよい。要は、両電圧V1,V2の特性線が
対称線Tを基準として線対称になるようなものなら何で
もよい。また、このような変更を前記第2〜第4実施形
態で具体化してもよい。In the first embodiment, both sensors 12,
13 has a characteristic of outputting linear voltages V1 and V2 having a predetermined slope. Not limited to this, both sensors having a non-linear output characteristic that draws a curve as shown in FIG. 13 may be used. What is essential is that the characteristic lines of the voltages V1 and V2 are line-symmetrical with respect to the line of symmetry T. Further, such changes may be embodied in the second to fourth embodiments.
【0080】・前記第1実施形態の異常検出装置11で
は、検出した磁束の方向に応じた出力値が互いに反対の
出力特性を有するとともに、出力値を加算した際に一定
の合計出力値が得られる一対のセンサ12,13を備え
るようにしていた。このような磁束の方向を検出するセ
ンサ12,13の代わりに、電流の大きさを出力するセ
ンサや、受光した光の量に応じて電圧を出力する一対の
センサを備えるように異常検出装置11を構成してもよ
い。この場合でもその一対のセンサは、物理量の変化に
応じた出力値が互いに反対の出力特性を有するととも
に、同出力値を加算した際に一定の合計出力値が得られ
るものを採用する。このように構成すると、電流の大き
さを検出するセンサの異常検出装置や、光量を検出する
センサの異常検出装置などを具体化できる。In the abnormality detecting device 11 of the first embodiment, the output values corresponding to the detected magnetic flux directions have opposite output characteristics, and a constant total output value is obtained when the output values are added. A pair of sensors 12 and 13 are provided. Instead of the sensors 12 and 13 that detect the direction of the magnetic flux, a sensor that outputs the magnitude of the current and a pair of sensors that output a voltage according to the amount of received light are provided so that the abnormality detection device 11 is provided. May be configured. Even in this case, the pair of sensors employs output values corresponding to changes in the physical quantity having output characteristics opposite to each other and obtaining a constant total output value when the output values are added. With this configuration, it is possible to embody a sensor abnormality detection device that detects the magnitude of current, a sensor abnormality detection device that detects the amount of light, and the like.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜10に
記載の発明によれば、センサの出力特性の異常を検出で
きる。As described in detail above, according to the invention described in claims 1 to 10, it is possible to detect an abnormality in the output characteristic of the sensor.
【図1】 第1実施形態における異常検出装置の電気的
構成を示す電気回路図。FIG. 1 is an electrical circuit diagram showing an electrical configuration of an abnormality detection device according to a first embodiment.
【図2】 第1実施形態における各抵抗体の配置状態を
示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an arrangement state of each resistor in the first embodiment.
【図3】 第1実施形態における抵抗体の等価回路。FIG. 3 is an equivalent circuit of a resistor according to the first embodiment.
【図4】 第1実施形態における磁束の向きと各センサ
の出力特性との関係を示す特性図。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the direction of magnetic flux and the output characteristics of each sensor in the first embodiment.
【図5】 第2実施形態における異常検出装置の電気的
構成を示す電気回路図。FIG. 5 is an electrical circuit diagram showing an electrical configuration of an abnormality detection device according to a second embodiment.
【図6】 第2実施形態における各抵抗体の配置状態を
示す説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing an arrangement state of each resistor in the second embodiment.
【図7】 第3実施形態における異常検出装置の電気的
構成を示す電気回路図。FIG. 7 is an electrical circuit diagram showing an electrical configuration of an abnormality detection device according to a third embodiment.
【図8】 第4実施形態における異常検出装置の電気的
構成を示す電気回路図。FIG. 8 is an electrical circuit diagram showing an electrical configuration of an abnormality detection device according to a fourth embodiment.
【図9】 他の実施形態における差動増幅回路の電気的
構成を示す電気回路図。FIG. 9 is an electric circuit diagram showing an electric configuration of a differential amplifier circuit according to another embodiment.
【図10】 他の実施形態における差動増幅回路の電気
的構成を示す電気回路図。FIG. 10 is an electric circuit diagram showing an electric configuration of a differential amplifier circuit according to another embodiment.
【図11】 他の実施形態における加算増幅回路の電気
的構成を示す電気回路図。FIG. 11 is an electric circuit diagram showing an electric configuration of a summing amplifier circuit according to another embodiment.
【図12】 他の実施形態における磁束の向きと各セン
サの出力特性との関係を示す特性図。FIG. 12 is a characteristic diagram showing the relationship between the direction of magnetic flux and the output characteristics of each sensor in another embodiment.
【図13】 他の実施形態における磁束の向きと各セン
サの出力特性との関係を示す特性図。FIG. 13 is a characteristic diagram showing the relationship between the direction of magnetic flux and the output characteristics of each sensor in another embodiment.
【図14】 従来技術における入力と出力との関係を示
す特性図。FIG. 14 is a characteristic diagram showing a relationship between an input and an output in the related art.
11,31,41,51…センサの異常検出装置、12
…センサとしての第1センサ、13,32…センサとし
ての第2センサ、14…加算手段としての加算回路、1
5…判定手段としての中央演算処理装置(CPU)、2
0,21…磁気検出手段としての検出回路、22,23
…増幅手段としてのオペアンプ、B…ブリッジ回路とし
ての4端子ブリッジ回路、R1〜R4…磁気抵抗素子と
しての抵抗体、T1…非反転入力端子、T2…反転入力
端子。11, 31, 41, 51 ... Sensor abnormality detection device, 12
... first sensor as sensor, 13, 32 ... second sensor as sensor, 14 ... adding circuit as adding means, 1
5 ... Central processing unit (CPU) as judging means, 2
0, 21 ... Detection circuit as magnetic detection means, 22, 23
... operational amplifier as amplifying means, B ... 4-terminal bridge circuit as bridge circuit, R1 to R4 ... resistor as magnetoresistive element, T1 ... non-inverting input terminal, T2 ... inverting input terminal.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西部 泰司 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 市古 公一 愛知県安城市藤井町高根10番地 アイシ ン・エィ・ダブリュ 株式会社内 (72)発明者 新家 徹 愛知県安城市藤井町高根10番地 アイシ ン・エィ・ダブリュ 株式会社内 Fターム(参考) 2F076 AA06 AA18 2G017 AA06 AD55 BA09 BA11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Taiji Nishi 260-chome, Toyota, Oguchi-cho, Niwa-gun, Aichi Tokai Rika Electric Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Ichiko 10 Akane, Takane, Fujii-cho, Anjo City, Aichi Prefecture N AW Co., Ltd. (72) Inventor Toru Shinya 10 Akane, Takane, Fujii-cho, Anjo City, Aichi Prefecture N AW Co., Ltd. F term (reference) 2F076 AA06 AA18 2G017 AA06 AD55 BA09 BA11
Claims (10)
対の出力特性を有するとともに、同出力値を加算した際
に一定の合計出力値が得られる一対のセンサの異常検出
方法であって、 前記両センサの合計出力値が一定値でないとき、いずれ
か一方のセンサが異常と判定することを特徴とするセン
サの異常検出方法。1. An abnormality detection method for a pair of sensors, wherein output values corresponding to changes in physical quantity have output characteristics opposite to each other, and a constant total output value is obtained when the same output values are added, An abnormality detection method for a sensor, characterized in that when either of the total output values of the both sensors is not a constant value, one of the sensors is determined to be abnormal.
検出手段と、 前記磁気検出手段に接続され、前記ブリッジ回路の一対
の中点の差電圧を増幅する増幅手段とを含むことを特徴
とする請求項1に記載のセンサの異常検出方法。2. Each of the sensors includes a magnetic detection unit that forms a bridge circuit with four magnetoresistive elements, and an amplification unit that is connected to the magnetic detection unit and that amplifies a difference voltage between a pair of midpoints of the bridge circuit. The method for detecting abnormality of a sensor according to claim 1, further comprising:
力特性を有するものであることを特徴とする請求項2に
記載のセンサの異常検出方法。3. The abnormality detecting method for a sensor according to claim 2, wherein the magnetic detecting means have mutually opposite output characteristics due to different arrangement directions.
転入力端子を含み、 前記一対のセンサは、 各ブリッジ回路を構成する磁気検出手段の配置向きが同
じであるときには、同じ出力特性を有するとともに、前
記ブリッジ回路における一対の中点の増幅手段に対する
反転入力端子と非反転入力端子との接続が互いに反対で
あることを特徴とする請求項2に記載のセンサの異常検
出方法。4. The amplifying means includes an inverting input terminal and a non-inverting input terminal, and the pair of sensors have the same output characteristic when the magnetic detection means constituting each bridge circuit are arranged in the same direction. At the same time, the connection between the inverting input terminal and the non-inverting input terminal for the pair of midpoint amplifying means in the bridge circuit is opposite to each other.
有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちい
ずれか1項に記載のセンサの異常検出方法。5. The method for detecting abnormality of a sensor according to claim 1, wherein the pair of sensors have a linear output characteristic.
対の出力特性を有するとともに、同出力値を加算した際
に一定の合計出力値が得られる一対のセンサと、 前記一対のセンサの出力を加算する加算手段と、 前記加算手段が加算した前記両センサの合計出力値が一
定値でないとき、いずれか一方のセンサが異常と判定す
る判定手段を備えたことを特徴とするセンサの異常検出
装置。6. A pair of sensors, each having an output characteristic in which output values corresponding to a change in a physical quantity are opposite to each other, and a constant total output value is obtained when the output values are added, and outputs of the pair of sensors. Abnormality detection of the sensor, characterized by comprising: an addition unit for adding the above, and a determination unit for determining that one of the sensors is abnormal when the total output value of both the sensors added by the addition unit is not a constant value. apparatus.
検出手段と、 前記磁気検出手段に接続され、前記ブリッジ回路の一対
の中点の差電圧を増幅する増幅手段とを含むことを特徴
とする請求項6に記載のセンサの異常検出装置。7. Each of the sensors includes a magnetic detection unit that forms a bridge circuit with four magnetic resistance elements, and an amplification unit that is connected to the magnetic detection unit and that amplifies a difference voltage between a pair of midpoints of the bridge circuit. 7. The sensor abnormality detection device according to claim 6, further comprising:
力特性を有するものであることを特徴とする請求項7に
記載のセンサの異常検出装置。8. The abnormality detecting device for a sensor according to claim 7, wherein the magnetic detecting means have output characteristics opposite to each other due to different arrangement directions.
転入力端子を含み、 前記一対のセンサは、 各ブリッジ回路を構成する磁気検出手段の配置向きが同
じであるときには、同じ出力特性を有するとともに、前
記ブリッジ回路における一対の中点の増幅手段に対する
反転入力端子と非反転入力端子との接続が互いに反対で
あることを特徴とする請求項7に記載のセンサの異常検
出装置。9. The amplifying means includes an inverting input terminal and a non-inverting input terminal, and the pair of sensors have the same output characteristic when the magnetic detection means constituting each bridge circuit are arranged in the same direction. At the same time, the connection between the inverting input terminal and the non-inverting input terminal for the pair of midpoint amplifying means in the bridge circuit is opposite to each other, and the abnormality detecting device for the sensor according to claim 7.
を有することを特徴とする請求項6乃至請求項9のうち
いずれか1項に記載のセンサの異常検出装置。10. The sensor abnormality detection device according to claim 6, wherein the pair of sensors have a linear output characteristic.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001392479A JP2003194598A (en) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | Method and apparatus for detecting abnormality of sensor |
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Family
ID=27599784
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001392479A Pending JP2003194598A (en) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | Method and apparatus for detecting abnormality of sensor |
Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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