JP2003190876A - Method for producing pattern sheet and method for forming fine pattern - Google Patents

Method for producing pattern sheet and method for forming fine pattern

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JP2003190876A
JP2003190876A JP2001397035A JP2001397035A JP2003190876A JP 2003190876 A JP2003190876 A JP 2003190876A JP 2001397035 A JP2001397035 A JP 2001397035A JP 2001397035 A JP2001397035 A JP 2001397035A JP 2003190876 A JP2003190876 A JP 2003190876A
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sheet
pattern
producing
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temporary support
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JP2001397035A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Kikazawa
忠宏 気賀沢
Hideo Nagano
英男 永野
Shotaro Ogawa
正太郎 小川
Yoshihito Hodozawa
善仁 保土沢
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing pattern sheet using a sheet-like material having a hydrophilic-water repellent pattern which does not deteriorate the performance of a coating solution and to provide a method for forming a fine pattern using the pattern sheet which is produced by the method for producing the pattern sheet, and the method for forming the fine pattern using the pattern sheet produced by the method for producing the pattern sheet wherein the pattern sheet is produced by applying the coating solution on the part having hydrophilicity of the sheet-like material formed with the hydrophilic- water repellent pattern on the surface thereof and solidifying the coating solution. <P>SOLUTION: The part of rugged structure 21 which confirms the lotus effect repelling liquid by forming a microscopic rugged structure on the surface of the sheet-like material 2 is arranged across a flatter part than the rugged structure 21 and, subsequently, the coating solution is applied on the flatter part of the surface of the sheet-like material 2 and is solidified. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面に親水−撥水
パターンが形成されたをシート状物の、親水性を有する
部分に塗布液を塗布して固化させることによりパターン
シートを製造するパターンシートの製造方法、およびそ
のようなパターンシートの製造方法によって製造された
パターンシートを用いた微細パターン形成方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern for producing a pattern sheet by applying a coating solution to a hydrophilic portion of a sheet-like material having a hydrophilic-water repellent pattern formed on the surface and solidifying the coating solution. The present invention relates to a sheet manufacturing method and a fine pattern forming method using a pattern sheet manufactured by such a pattern sheet manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、カラーフィルタ、有機ELなどの
電子ディスプレイ用の材料として、シート上に、単色ま
たは複数色、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)3色
の、ミクロンオーダの微細なストライプ状もしくはマト
リクス状のパターンを形成したパターンシートが用いら
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a material for an electronic display such as a color filter or an organic EL, a micron of a single color or a plurality of colors, for example, R (red), G (green) and B (blue), on a sheet. A pattern sheet on which an orderly fine stripe-shaped or matrix-shaped pattern is formed is used.

【0003】このパターンシートの製造方法として、ま
ず、表面に、親水性を有する部分と撥水性を有する部分
とからなる親水−撥水パターンを有するシート状物を用
意し、次いで、このシート状物の親水性を有する部分に
塗布液を塗布して固化させることで、パターニングされ
た塗布層を有するパターンシートを製造する方法が知ら
れている。シート状物表面に親水−撥水パターンを得る
には、様々な方法が提案されている(特開2000−8
7016号公報,特開2000−282240号公報,
特開2000−223270号公報,特開2001−2
57073号公報,特開平7−244370号公報等参
照)。例えば、特開2000−87016号公報には、
光照射によって親水化する光触媒を含むシート状物を利
用することが提案されている。この公報には、シート状
物表面を微細凹凸構造にすることにより、予想外に未露
光部分の撥水性が高まることが記載されている。
As a method for producing this pattern sheet, first, a sheet-like article having a hydrophilic-water-repellent pattern having a hydrophilic portion and a water-repellent portion is prepared on the surface, and then this sheet-like article is prepared. There is known a method for producing a pattern sheet having a patterned coating layer by applying a coating liquid to the hydrophilic portion of the above and solidifying the coating liquid. Various methods have been proposed for obtaining a hydrophilic-water repellent pattern on the surface of a sheet-like material (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-8).
7016, JP-A-2000-228240,
JP 2000-223270 A, JP 2001-2
57073, JP-A-7-244370, etc.). For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-87016,
It has been proposed to use a sheet-like material containing a photocatalyst that becomes hydrophilic by light irradiation. In this publication, it is described that the water repellency of the unexposed portion is unexpectedly increased by forming the surface of the sheet-shaped material into a finely textured structure.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この公
報では、微細凹凸構造が撥水性を高めるメカニズムにつ
いては明らかにされておらず、撥水性を高めるための好
ましい微細凹凸構造の粗度として、中心線平均粗さが
0.1〜50μmであることが記載されている反面、比
較例1についての記載では、中心線平均粗さが0.26
μmであると撥水性が十分に向上されないと記載されて
おり、微細凹凸構造による撥水性の向上ついての説明は
論理性を欠いていると言わざるを得ない。また、シート
状物表面に含まれる光触媒が塗布液に影響し、塗布液の
性能を低下させてしまう恐れがある。
However, this publication does not clarify the mechanism by which the fine concavo-convex structure enhances the water repellency, and as a preferable roughness of the fine concavo-convex structure for enhancing the water repellency, the center line is used. While it is described that the average roughness is 0.1 to 50 μm, in the description of Comparative Example 1, the center line average roughness is 0.26.
It is described that the water repellency is not sufficiently improved when it is μm, and it cannot be said that the explanation about the improvement of the water repellency by the fine concavo-convex structure lacks logicality. Further, the photocatalyst contained in the surface of the sheet-like material may affect the coating liquid, and the performance of the coating liquid may be degraded.

【0005】また、電子ディスプレイ用の材料として、
このようにして製造したパターンシートを用いずに、こ
のパターンシートに形成された塗布層を、電極が形成さ
れた支持体表面に転写し、塗布層が転写された支持体を
電子ディスプレイ用の材料として用いることもある。
As a material for electronic displays,
The coating layer formed on the pattern sheet is transferred onto the surface of the support on which the electrodes are formed without using the pattern sheet thus manufactured, and the support on which the coating layer is transferred is used as a material for an electronic display. Sometimes used as.

【0006】本発明は、上記事情に鑑み、塗布液の性能
を低下させることがない親水−撥水パターンを有するシ
ート状物を用いたパターンシートの製造方法、およびそ
のようなパターンシートの製造方法によって製造された
パターンシートを用いた微細パターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention provides a method for producing a pattern sheet using a sheet material having a hydrophilic-water repellent pattern which does not deteriorate the performance of a coating solution, and a method for producing such a pattern sheet. An object of the present invention is to provide a fine pattern forming method using a pattern sheet manufactured by.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のうちのパターンシートの製造方法は、シート状物表
面に微細な凹凸構造により液体をはじくロータス効果を
有効ならしめる凹凸構造の部分を、該凹凸構造よりも平
滑な部分を挟んで配列させ、次いで、そのシート状物表
面の平滑な部分に塗布液を塗布して固化させることを特
徴とする。
A method for manufacturing a patterned sheet according to the present invention which achieves the above-mentioned object is to provide a surface of a sheet-like material with a concavo-convex structure portion which effectively repels liquid by a fine concavo-convex structure. It is characterized in that a smoother portion than the concavo-convex structure is arranged so as to sandwich it, and then a coating liquid is applied to the smooth portion of the surface of the sheet-like material to be solidified.

【0008】本発明のパターンシートの製造方法によれ
ば、上記平滑な部分と、ロータス効果を有効ならしめる
凹凸構造とで親水―撥水パターンを得るため、塗布液の
性能を低下させる恐れがない。
According to the method for producing a pattern sheet of the present invention, a hydrophilic-water-repellent pattern is obtained by the above-mentioned smooth portion and the concavo-convex structure which makes the Lotus effect effective, so that the performance of the coating solution is not deteriorated. .

【0009】また、本発明のパターンシートの製造方法
において、上記シート状物表面の凹凸構造の部分の高さ
が10nm以上3μm以下であることや、あるいは上記
シート状物表面の凹凸構造の部分のピッチが10nm以
上3μm以下であることが好ましい。
Further, in the method for producing a patterned sheet of the present invention, the height of the uneven structure portion on the surface of the sheet material is 10 nm or more and 3 μm or less, or the height of the uneven structure portion on the surface of the sheet material. The pitch is preferably 10 nm or more and 3 μm or less.

【0010】このようにすることで、ロータス効果を確
実に有効ならしめることができる。
By doing so, the Lotus effect can be surely made effective.

【0011】さらに、本発明のパターンシートの製造方
法において、上記シート状物表面の凹凸構造の部分の高
さ、ピッチ共に10nm以上3μm以下であることがよ
り好ましい。
Further, in the method for producing a patterned sheet according to the present invention, it is more preferable that both the height and pitch of the concave-convex structure portion on the surface of the sheet material are 10 nm or more and 3 μm or less.

【0012】このように、上記凹凸構造の部分の高さと
ピッチの両方を規定することで、ロータス効果をより確
実に有効ならしめることができる。
By thus defining both the height and the pitch of the concave-convex structure portion, the Lotus effect can be more reliably achieved.

【0013】また、本発明のパターンシートの製造方法
において、上記シート状物表面の凹凸構造をエンボス法
により形成することが好ましい。
In the method for producing a patterned sheet of the present invention, it is preferable that the uneven structure on the surface of the sheet-like material is formed by an embossing method.

【0014】エンボス法を採用することで、親水−撥水
パターンを有するシート状物を簡単に得ることができ
る。
By adopting the embossing method, a sheet-like material having a hydrophilic-water repellent pattern can be easily obtained.

【0015】さらに、本発明のパターンシートの製造方
法において、上記エンボス法を100℃以上の温度で行
うことがより好ましい。
Further, in the method for producing a patterned sheet of the present invention, it is more preferable that the embossing method is performed at a temperature of 100 ° C. or higher.

【0016】このようにすることで、親水−撥水パター
ンを有するシート状物をより効率良く得ることができ
る。
By doing so, a sheet-like material having a hydrophilic-water repellent pattern can be obtained more efficiently.

【0017】ここで、本発明のパターンシートの製造方
法において、上記塗布液が、有機エレクトロルミネッセ
ンス材料であってもよく、あるいは、上記シート状物
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン、およびポリイミドからなる群から選ばれた一つで
あってもよい。
Here, in the method for producing a patterned sheet of the present invention, the coating liquid may be an organic electroluminescent material, or the sheet-like material may be polyethylene terephthalate, polyether sulfone, and polyimide. It may be one selected from the group consisting of

【0018】上記目的を達成する本発明のうちの微細パ
ターン形成方法は、本発明のパターンシートの製造方法
によって製造されたパターンシートを、電極の形成され
た支持体上にのせ、上記塗布液を上記支持体側へ転写す
ることを特徴とする。
In the fine pattern forming method of the present invention for achieving the above object, the pattern sheet produced by the method for producing a pattern sheet of the present invention is placed on a support on which electrodes are formed, and the above coating solution is applied. It is characterized in that it is transferred to the support side.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態として有
機薄膜層を形成する場合について説明する。この実施形
態で形成される有機薄膜層は、一対の対向電極に挟み込
まれて発光素子として使用される。すなわち、有機薄膜
層を挟み込んだ一対の対向電極間に電界を印加すること
で、有機薄膜層内に陰極から電子を注入するとともに、
陽極から正孔を注入する。注入された電子と正孔は有機
薄膜層中で再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電
子帯に戻る際にエネルギーが光として放出され、有機薄
膜層は発光する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a case of forming an organic thin film layer will be described as an embodiment of the present invention. The organic thin film layer formed in this embodiment is sandwiched between a pair of counter electrodes and used as a light emitting element. That is, by applying an electric field between a pair of opposing electrodes sandwiching the organic thin film layer, while injecting electrons from the cathode into the organic thin film layer,
Holes are injected from the anode. The injected electrons and holes are recombined in the organic thin film layer, energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band, and the organic thin film layer emits light.

【0020】以下の説明では、パターニングした有機薄
膜層をシート状の仮支持体の表面に一旦形成し、その有
機薄膜層を、支持体表面に転写することにより、支持体
表面に有機薄膜層を形成する方法について説明する。
In the following description, a patterned organic thin film layer is once formed on the surface of a sheet-shaped temporary support, and the organic thin film layer is transferred to the surface of the support to form the organic thin film layer on the surface of the support. A method of forming will be described.

【0021】図1は、仮支持体に有機薄膜層を形成して
いる最中の仮支持体処理ラインの様子を簡略化して示し
た図である。
FIG. 1 is a simplified view showing a state of a temporary support treatment line during the formation of the organic thin film layer on the temporary support.

【0022】図1に示す仮支持体処理ライン1は、本発
明のうちのパターンシートの製造方法の一実施形態であ
る、仮支持体の表面に有機薄膜層を形成する方法を実施
するためのラインであって、仮支持体を搬送しながら、
仮支持体に、エンボス加工、塗布処理、および乾燥処理
を順次施すラインである。このような仮支持体処理ライ
ン1には、上流端に送出ロール10が配備され、搬送経
路に沿って、加熱ロール20、回転ロール30、塗布装
置40、および乾燥装置50も配備されている。またさ
らに、この仮支持体処理ライン1には、回転ロール30
に対向する位置にエンボスロール60が配備されてい
る。
The temporary support treatment line 1 shown in FIG. 1 is for carrying out a method for forming an organic thin film layer on the surface of a temporary support, which is one embodiment of the method for producing a patterned sheet of the present invention. It is a line, while transporting the temporary support,
This is a line for sequentially performing embossing, coating, and drying on a temporary support. In such a temporary support processing line 1, a delivery roll 10 is provided at the upstream end, and a heating roll 20, a rotating roll 30, a coating device 40, and a drying device 50 are also provided along the transport path. Furthermore, in this temporary support processing line 1, a rotating roll 30
An embossing roll 60 is provided at a position facing the.

【0023】図1に示す仮支持体2は、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)からなる厚さ100μmの長尺
なシート状物である。このシート状物の表面は、平滑な
ものであって、ミクロ的に見たときの凹凸構造の高さと
ピッチはともに10nm未満であり、水との接触角に換
算して60度の親水性を有する。このような仮支持体2
は、ロール状に巻回された状態で送出ロール10にセッ
トされ、この仮支持体処理ライン1の搬送経路を搬送さ
れる(図中の矢印参照)。なお、仮支持体は、本実施形
態のものに限らず、化学的及び熱的に安定であって、表
面が親水性を有する、可撓性のシート状物であればよ
い。具体的には、ポリエーテルサルフォン(PES)、
ポリイミド、ポリエステル[例えばポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート(PEN))]、
ポリアリレート、ポリカーボネート等の薄いシート、又
はこれらの積層体であることが好ましい。また、仮支持
体の厚さは、1μm〜300μmであってもよく、特に
微細パターン状の有機薄膜層を形成する場合には、3μ
m〜20μmであることが好ましい。
The temporary support 2 shown in FIG. 1 is a long sheet-like material made of polyethylene terephthalate (PET) and having a thickness of 100 μm. The surface of this sheet-like material is smooth, and the height and pitch of the uneven structure when viewed microscopically are both less than 10 nm, and the hydrophilicity of 60 degrees in terms of contact angle with water is obtained. Have. Such a temporary support 2
Is set on the delivery roll 10 in a state of being wound into a roll, and is transported through the transport path of the temporary support processing line 1 (see the arrow in the figure). The temporary support is not limited to that of the present embodiment, and may be a flexible sheet-like material that is chemically and thermally stable and has a hydrophilic surface. Specifically, polyether sulfone (PES),
Polyimide, polyester [eg polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN)]],
A thin sheet of polyarylate, polycarbonate, or the like, or a laminate of these is preferable. Moreover, the thickness of the temporary support may be 1 μm to 300 μm, and particularly 3 μm when an organic thin film layer having a fine pattern is formed.
It is preferably m to 20 μm.

【0024】送出ロール10から送り出された仮支持体
2は、加熱ロール20によって120℃程度にまで加熱
された後、エンボス加工が施される。なお、加熱ロール
20による仮支持体の加熱温度が100℃以上である
と、エンボス加工を効率よく行うことができる。
The temporary support 2 delivered from the delivery roll 10 is heated to about 120 ° C. by the heating roll 20 and then embossed. If the heating temperature of the temporary support by the heating roll 20 is 100 ° C. or higher, embossing can be efficiently performed.

【0025】エンボス加工は、回転ロール30とエンボ
スロール60との間で行われる。このエンボスロール6
0の周面には凹凸パターンが形成されている。
The embossing is performed between the rotating roll 30 and the embossing roll 60. This emboss roll 6
An uneven pattern is formed on the peripheral surface of 0.

【0026】ここで、図1から一旦離れて、図2を用い
てエンボスロールの周面について詳述する。
Here, once separated from FIG. 1, the peripheral surface of the embossing roll will be described in detail with reference to FIG.

【0027】図2は、図1に示すエンボスロールの周面
の一部を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a part of the peripheral surface of the embossing roll shown in FIG.

【0028】図2の左側には、エンボスロール60の周
面61の一部を示す平面図が示されており、図2の右側
には、この左側の平面図中の1点鎖線で囲んだ範囲を拡
大した部分拡大図が示されている。
A plan view showing a part of the peripheral surface 61 of the embossing roll 60 is shown on the left side of FIG. 2, and a right side of FIG. 2 is surrounded by a one-dot chain line in the plan view on the left side. A partially enlarged view of the range is shown.

【0029】この図2に示すエンボスロール60の周面
61には、マトリクス状に複数の矩形領域511が設け
られている。これらの矩形領域511それぞれは、右側
の部分拡大図に示すように、縦の長さが100μm、横
の長さが50μmである。また、互いに隣接する矩形領
域511どうしの縦、横それぞれの間隔は10μmであ
る。エンボスロール60の周面61のうち、これらの矩
形領域511を除いた面には、高さ、ピッチともに30
0nmの凹凸パターンが形成されている。反対に、これ
らの矩形領域511それぞれは、平滑な領域であって、
ミクロ的に見たときの凹凸構造の高さとピッチはともに
10nm未満である。
The peripheral surface 61 of the embossing roll 60 shown in FIG. 2 is provided with a plurality of rectangular regions 511 in a matrix. Each of these rectangular regions 511 has a vertical length of 100 μm and a horizontal length of 50 μm, as shown in a partially enlarged view on the right side. The vertical and horizontal intervals between the rectangular regions 511 adjacent to each other are 10 μm. The height and pitch of the peripheral surface 61 of the embossing roll 60 excluding these rectangular areas 511 are 30
An uneven pattern of 0 nm is formed. On the contrary, each of these rectangular areas 511 is a smooth area,
Both the height and pitch of the uneven structure when viewed microscopically are less than 10 nm.

【0030】仮支持体は、回転ロール30に巻き掛けら
れた状態で、エンボスロール60の、図2に示すような
周面61によって型押しされることでエンボス加工が施
される。エンボス加工が施された仮支持体の表面には、
矩形の平滑面を挟んで、高さ、ピッチともに300nm
の凹凸パターンが型付けられる。仮支持体表面に型付け
られた凹凸パターンは、液体をはじくロータス効果を有
効ならしめる凹凸構造であり、仮支持体表面のうち、凹
凸パターンが型付けされた部分が撥水化される。仮支持
体表面の、撥水化された部分は、水との接触角に換算し
て104度の撥水性を有する。一方、仮支持体表面のう
ち、矩形の平滑面の部分は、水との接触角に換算して6
0度の親水性を保ったままである。
The temporary support is embossed by being embossed by the peripheral surface 61 of the embossing roll 60 as shown in FIG. 2 while being wound around the rotating roll 30. On the surface of the temporary support that has been embossed,
Both height and pitch are 300 nm with a rectangular smooth surface sandwiched between them.
The uneven pattern of is patterned. The concavo-convex pattern formed on the surface of the temporary support has a concavo-convex structure that makes the Lotus effect of repelling liquid effective, and the portion of the surface of the temporary support on which the concavo-convex pattern is formed is made water repellent. The water repellent portion of the surface of the temporary support has a water repellency of 104 degrees in terms of the contact angle with water. On the other hand, of the surface of the temporary support, the rectangular smooth surface portion is 6 in terms of contact angle with water.
It remains hydrophilic at 0 degrees.

【0031】以上説明したようなエンボス加工により、
仮支持体表面は、撥水化された部分が、矩形の親水性を
有する部分を挟んで配列されたものとなる。このよう
に、本実施形態の仮支持体処理ラインでは、仮支持体
を、回転ロール30とエンボスロール60との間を通過
させるだけで、その表面に親水―撥水パターンを形成す
ることができる。また、仮支持体が搬送されてくる間、
このようなエンボス加工を連続して行うことができ、処
理効率は良好である。
By the embossing as described above,
On the surface of the temporary support, the water-repellent portions are arranged with the rectangular hydrophilic portions sandwiched therebetween. As described above, in the temporary support treatment line of this embodiment, a hydrophilic-water-repellent pattern can be formed on the surface of the temporary support simply by passing the temporary support between the rotating roll 30 and the embossing roll 60. . Also, while the temporary support is being transported,
Such embossing can be continuously performed, and the processing efficiency is good.

【0032】なお、溶融状態のポリエチレンテレフタレ
ート(PET)を回転する冷却ドラムの周面上に流延さ
せ、その周面上で冷却することによりシート状の仮支持
体を製造する工程で、冷却ドラムの周面を、図2に示
す、エンボスロール60の周面61のようにして、冷却
ドラムの周面上で、仮支持体の表面に親水―撥水パター
ンを形成してもよく、この場合には、エンボス加工は不
要となる。
In the process of casting a molten polyethylene terephthalate (PET) on the peripheral surface of a rotating cooling drum and cooling on the peripheral surface, a sheet-shaped temporary support is manufactured. The peripheral surface of the temporary support may be formed on the peripheral surface of the cooling drum in the same manner as the peripheral surface 61 of the embossing roll 60 shown in FIG. Does not require embossing.

【0033】ここで図1を再び用いて、仮支持体処理ラ
イン1におけるエンボス加工より後の処理について説明
する。
Here, referring to FIG. 1 again, the process after the embossing in the temporary support processing line 1 will be described.

【0034】親水―撥水パターンが形成された仮支持体
2は、塗布装置40に搬送されて塗布処理される。この
塗布処理で塗布される塗布液3は、少なくとも一種の発
光性化合物を含有するものである。発光性化合物の含有
量は、特に制限されないが、例えば0.1〜70質量%
であり、1〜20質量%であることが好ましい。発光性
化合物の含有量が0.1質量%未満であるか、70質量
%を超えると、発光効果が十分に発揮されない場合があ
る。また、発光性化合物は特に限定的されるものではな
く、蛍光発光性化合物であっても燐光発光性化合物であ
ってもよいし、あるいは蛍光発光性化合物及び燐光発光
性化合物を同時に用いてもよい。
The temporary support 2 having the hydrophilic-water repellent pattern formed thereon is conveyed to the coating device 40 and subjected to coating treatment. The coating liquid 3 applied by this coating treatment contains at least one luminescent compound. The content of the luminescent compound is not particularly limited, but is, for example, 0.1 to 70% by mass.
And is preferably 1 to 20 mass%. When the content of the light emitting compound is less than 0.1% by mass or exceeds 70% by mass, the light emitting effect may not be sufficiently exhibited. Further, the light emitting compound is not particularly limited, and may be a fluorescent light emitting compound or a phosphorescent light emitting compound, or a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound may be used at the same time. .

【0035】本実施形態においては、発光輝度及び発光
効率の点から燐光発光性化合物を用いている。具体的に
は、三重項励起子から発光することができる化合物であ
るオルトメタル化錯体を用いている。ここにいうオルト
メタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学 基礎と
応用」, 150頁及び232頁, 裳華房社(198
2年)、H. Yersin著「Photochemi
stry and Photophysics of
Coordination Compounds」,
71〜77頁及び135〜146頁, Springe
r−Verlag社(1987年)等に記載されている
化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する
配位子は特に限定されないが、2−フェニルピリジン誘
導体、7,8−ベンゾキノリン誘導体、2−(2−チエ
ニル)ピリジン誘導体、2−(1−ナフチル)ピリジン
誘導体又は2−フェニルキノリン誘導体であることが好
ましい。これら誘導体は置換基を有していてもよい。ま
た、これらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以
外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯
体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいず
れも使用可能であり、ロジウム、白金、金、イリジウ
ム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることが
できる。このようなオルトメタル化錯体を含む有機化合
物層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメ
タル化錯体については、特願2000−254171号
の段落番号0152〜0180にもその具体例が記載さ
れている。また、本実施形態で用いたオルトメタル化錯
体は、Inorg. Chem., 30, 168
5, 1991、Inorg. Chem., 27,
3464, 1988、Inorg. Chem.,
33, 545, 1994、Inorg. Chi
m. Acta, 181, 245, 1991、
J. Organomet. Chem., 335,
293, 1987、J. Am. Chem. S
oc., 107, 1431, 1985 等に記載
の公知の手法で合成することができる。
In the present embodiment, a phosphorescent compound is used from the viewpoint of luminous brightness and luminous efficiency. Specifically, an orthometalated complex which is a compound capable of emitting light from triplet excitons is used. The ortho-metallated complex referred to here is “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications” by Akio Yamamoto, pp. 150 and 232, Sokabosha (198)
2 years), H. Yersin "Photochemi
story and Photophysics of
Coordination Compounds ",
71-77 and 135-146, Springe
It is a general term for a group of compounds described in r-Verlag (1987) and the like. The ligand forming the orthometallated complex is not particularly limited, but it may be a 2-phenylpyridine derivative, a 7,8-benzoquinoline derivative, a 2- (2-thienyl) pyridine derivative, a 2- (1-naphthyl) pyridine derivative or It is preferably a 2-phenylquinoline derivative. These derivatives may have a substituent. Further, it may have other ligands in addition to the ligands essential for forming the orthometalated complex. As the central metal forming the ortho-metallated complex, any transition metal can be used, and rhodium, platinum, gold, iridium, ruthenium, palladium and the like can be preferably used. The organic compound layer containing such an orthometalated complex is excellent in light emission brightness and light emission efficiency. Specific examples of orthometalated complexes are described in Japanese Patent Application No. 2000-254171, paragraphs 0152 to 0180. In addition, the ortho-metallated complex used in the present embodiment is described in Inorg. Chem. , 30, 168
5, 1991, Inorg. Chem. , 27,
3464, 1988, Inorg. Chem. ,
33, 545, 1994, Inorg. Chi
m. Acta, 181, 245, 1991,
J. Organomet. Chem. , 335
293, 1987, J. Am. Chem. S
oc. , 107, 1431, 1985 and the like, can be used for the synthesis.

【0036】また、オルトメタル化錯体に代えて、ポル
フィリン錯体を用いてもよい。ポルフィリン錯体もオル
トメタル化錯体と同じく燐光発光性化合物である。ポル
フィリン錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好まし
い。なお、燐光発光性化合物は単独で使用しても2種以
上を併用してもよい。
A porphyrin complex may be used instead of the orthometalated complex. The porphyrin complex is also a phosphorescent compound like the orthometalated complex. Among the porphyrin complexes, the porphyrin platinum complex is preferable. The phosphorescent compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0037】さらに、発光性化合物として蛍光発光性化
合物を用いる場合には、ベンゾオキサゾール誘導体、ベ
ンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ス
チリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニ
ルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン
誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリ
ドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリ
ジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデ
ン化合物、金属錯体(8−キノリノール誘導体の金属錯
体、希土類錯体等)、高分子発光性化合物(ポリチオフ
ェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビ
ニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等)等を用いるこ
とができる。これらは単独で用いても二種以上を混合し
て用いてもよい。
Further, when a fluorescent light emitting compound is used as the light emitting compound, a benzoxazole derivative, a benzimidazole derivative, a benzothiazole derivative, a styrylbenzene derivative, a polyphenyl derivative, a diphenylbutadiene derivative, a tetraphenylbutadiene derivative, naphthalimide. Derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, pyraridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatics Dimethylidene compound, metal complex (metal complex of 8-quinolinol derivative, rare earth complex, etc.), polymer light-emitting compound (polythiophene derivative, polyphenylene compound) Vinylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like), or the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

【0038】またさらに、塗布液3には必要に応じて、
ホスト化合物、ホール輸送材料、電子輸送材料、電気的
に不活性なポリマーバインダー等を含有させてもよい。
Furthermore, if necessary, the coating liquid 3
A host compound, a hole transport material, an electron transport material, an electrically inactive polymer binder and the like may be contained.

【0039】ホスト化合物とはその励起状態から発光性
化合物へエネルギー移動が起こり、その結果、その発光
性化合物を発光させる化合物である。その具体例として
は、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサ
ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導
体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ア
リールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチ
リルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラ
ゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香
族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族
ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラ
カルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリ
ノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベン
ゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金
属錯体、ポリシラン化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ
ール)誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマ
ー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン
誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレ
ン誘導体、ポリフルオレン誘導体等があげられる。ホス
ト化合物は1種単独で使用しても2種以上を併用しても
よい。
The host compound is a compound that causes energy transfer from its excited state to the light emitting compound, and as a result causes the light emitting compound to emit light. Specific examples thereof include a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, and a styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, silazane derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidene compound, porphyrin compound, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyran dioxide Heterocyclic tetra derivatives such as derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, and naphthaleneperylene Rubonic acid anhydride, phthalocyanine derivative, metal complex of 8-quinolinol derivative, metal phthalocyanine, metal complex having benzoxazole or benzothiazole as a ligand, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer Conductive polymers such as thiophene oligomers and polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like. The host compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0040】ホール輸送材料は陽極からホールを注入す
る機能、ホールを輸送する機能、及び陰極から注入され
た電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであ
れば特に限定されず、低分子材料であっても高分子材料
であってもよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合
物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ(N
−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン共重合体、チ
オフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分
子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等
があげられる。これらは単独で使用しても2種以上を混
合して使用してもよい。
The hole transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking the electrons injected from the cathode, and it is not particularly limited. It may be a molecular material or a polymeric material. Specific examples thereof include a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, and a styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N
-Vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer, thiophene oligomer, conductive polymer such as polythiophene, polythiophene derivative, polyphenylene derivative, polyphenylenevinylene derivative, polyfluorene derivative and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0041】電子輸送材料は陰極から電子を注入する機
能、電子を輸送する機能、及び陽極から注入されたホー
ルを障壁する機能のいずれかを有しているものであれば
特に限定されず、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘
導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導
体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘
導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン
誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレ
ン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン
誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタロフ
タロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール
等を配位子とする金属錯体、アニリン共重合体、チオフ
ェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポ
リチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェ
ニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が使用
可能である。
The electron transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting electrons from the cathode, the function of transporting electrons, and the function of blocking the holes injected from the anode. Triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, fluorenone derivative, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyran dioxide derivative, carbodiimide derivative, fluorenylidenemethane derivative, distyrylpyrazine derivative, naphthaleneperylene, etc. Heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride, phthalocyanine derivative, metal complex of 8-quinolinol derivative, metallophthalocyanine, metal complex having benzoxazole, benzothiazole, etc. as a ligand, aniline copolymer, thiophene oligomer, Conductive polymer, polythiophene derivatives such as thiophene, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like can be used.

【0042】ポリマーバインダーとしては、ポリ塩化ビ
ニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタ
ジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能
である。塗布液にポリマーバインダーを含有させると、
塗布液を、容易に且つ大面積に塗布することができる。
As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin,
Polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal and the like can be used. When a coating solution contains a polymer binder,
The coating liquid can be easily applied to a large area.

【0043】このような塗布液3を塗布する塗布装置4
0は、ロールコート法を採用した塗布装置であって、ロ
ールコータ401を備えている。このロールコータ40
1は、その表面が搬送されてきた仮支持体表面に接する
ように配置されており、塗布処理中には回転させられ
る。塗布処理では、ロールコータ401を回転させるこ
とで、ロールコータ表面に塗布液3を供給しつつ仮支持
体表面に塗布液を塗布する。なお、スピンコート法、ス
クリーン印刷法、グラビアコート法(例えばマイクログ
ラビアコート法)、ディップコート法、キャスト法、ダ
イコート法、バーコート法、エクストルージェンコート
法、インクジェット塗布法等を採用した塗布装置を用い
てもよい。
Coating device 4 for coating such coating liquid 3
Reference numeral 0 is a coating device adopting a roll coating method, which includes a roll coater 401. This roll coater 40
No. 1 is arranged such that its surface is in contact with the surface of the transported temporary support, and is rotated during the coating process. In the coating process, by rotating the roll coater 401, the coating liquid 3 is supplied to the surface of the roll coater and the coating liquid is coated on the surface of the temporary support. In addition, a coating device employing a spin coating method, a screen printing method, a gravure coating method (for example, a micro gravure coating method), a dip coating method, a casting method, a die coating method, a bar coating method, an extrusion coating method, an inkjet coating method, or the like. May be used.

【0044】以上説明したような塗布処理が施される
と、搬送されてきた仮支持体の、撥水性を有する部分で
は塗布された塗布液がはじかれ、親水性を有する部分の
みに塗布液3が残留する。このように、本実施形態で
は、塗布処理を施す前に、仮支持体表面に他の塗布液を
塗布することがないため、塗布液の性能を低下させる恐
れがない。
When the coating treatment as described above is performed, the applied coating liquid is repelled in the water-repellent portion of the transported temporary support, and the coating liquid 3 is applied only to the hydrophilic portion. Remains. As described above, in the present embodiment, since the other coating liquid is not coated on the surface of the temporary support before the coating treatment is performed, there is no fear that the performance of the coating liquid is deteriorated.

【0045】なお、青色の発光性化合物を含有する塗布
液と、緑色の発光性化合物を含有する塗布液と、赤色の
発光性化合物を含有する塗布液それぞれを用意し、それ
らの塗布液を塗布用マスクを介して順次所定のパターン
に塗布することにより、青、緑及び赤の3原色の発光画
素がパターニングされた有機薄膜層を仮支持体の表面に
形成することもできる。塗布用マスクの材質は限定的で
ないが、金属、ガラス、セラミック、耐熱性樹脂等の耐
久性があって安価なものが好ましい。またこれらの材料
を組み合わせて使用することもできる。また機械的強度
及び有機薄膜層の発光画素のパターン精度の観点から、
マスクの厚さは2〜100μmであることが好ましく、
5〜60μmがより好ましい。
A coating solution containing a blue light-emitting compound, a coating solution containing a green light-emitting compound, and a coating solution containing a red light-emitting compound were prepared, and these coating solutions were applied. It is also possible to form an organic thin film layer in which light emitting pixels of three primary colors of blue, green and red are patterned on the surface of the temporary support by sequentially applying it in a predetermined pattern through a mask for use. The material of the coating mask is not limited, but a durable and inexpensive material such as metal, glass, ceramic, and heat resistant resin is preferable. Further, these materials can be used in combination. From the viewpoint of mechanical strength and pattern accuracy of the light emitting pixel of the organic thin film layer,
The thickness of the mask is preferably 2 to 100 μm,
5-60 micrometers is more preferable.

【0046】最後に、塗布液が塗布された仮支持体2
は、乾燥装置50に搬送されて乾燥処理される。この乾
燥処理では、先の塗布処理で塗布された塗布液が乾燥さ
れて固化される。固化された塗布液は有機薄膜層にな
る。したがって、乾燥処理が施された仮支持体には、親
水パターンにそって有機薄膜層が形成される。
Finally, the temporary support 2 coated with the coating liquid
Is transported to the drying device 50 and dried. In this drying process, the coating liquid applied in the previous coating process is dried and solidified. The solidified coating solution becomes an organic thin film layer. Therefore, the organic thin film layer is formed along the hydrophilic pattern on the temporary support that has been subjected to the drying treatment.

【0047】続いて、このようにして製造された仮支持
体の表面に形成された有機薄膜層を、電極の形成された
支持体表面に転写することにより、支持体表面に有機薄
膜層を形成する方法について説明する。
Subsequently, the organic thin film layer formed on the surface of the temporary support thus manufactured is transferred to the surface of the support on which the electrodes are formed to form an organic thin film layer on the surface of the support. The method for doing so will be described.

【0048】図3は、仮支持体における有機薄膜層の形
成から支持体における有機薄膜層の形成までの大まかな
流れを仮支持体と支持体とを用いて示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a rough flow from the formation of the organic thin film layer on the temporary support to the formation of the organic thin film layer on the support using the temporary support and the support.

【0049】図3の(a)から(c)までは、上述した
仮支持体における有機薄膜層の形成の流れを示したもの
であって、(a)は、エンボス加工の様子を模式的に示
す図であり、(b)はそのエンボス加工が施された後の
仮支持体を模式的に示す図である。(a)に示すエンボ
ス加工は、上述したように、仮支持体の親水性を有する
表面に、エンボスロール60の、図2に示すような周面
61を型押しすることで、ロータス効果を利用した撥水
化パターンを形成するものである。このようなエンボス
加工を施すことで、(b)に示すように、仮支持体2の
表面には、高さ、ピッチともに300nmの凹凸パター
ン21が型付けされ、親水―撥水パターンが形成され
る。(c)は、有機薄膜層が形成された仮支持体を模式
的に示す図である。仮支持体2の表面のうち、凹凸パタ
ーン21が型付けされなかった部分のみに有機薄膜層3
0が形成されている。
FIGS. 3A to 3C show the flow of forming the organic thin film layer on the above-mentioned temporary support, and FIG. 3A schematically shows the state of embossing. It is a figure which shows, and (b) is a figure which shows the temporary support body after the embossing process typically. As described above, the embossing shown in (a) utilizes the Lotus effect by embossing the peripheral surface 61 of the embossing roll 60 as shown in FIG. 2 on the hydrophilic surface of the temporary support. The water repellent pattern is formed. By performing such embossing, as shown in (b), an uneven pattern 21 having a height and a pitch of 300 nm is imprinted on the surface of the temporary support 2 to form a hydrophilic-water repellent pattern. . (C) is a figure which shows typically the temporary support body in which the organic thin film layer was formed. The organic thin film layer 3 is formed only on a portion of the surface of the temporary support 2 on which the uneven pattern 21 is not molded.
0 is formed.

【0050】図3の(d)と(e)は、支持体表面に有
機薄膜層を形成する流れを示したものであって、この支
持体表面への有機薄膜層の形成においては、大きく分け
て転写処理と剥離処理が行われる。(d)は、その転写
処理の様子を示す図であり、(e)は、その剥離処理の
様子を示す図である。
FIGS. 3D and 3E show the flow of forming the organic thin film layer on the surface of the support. The formation of the organic thin film layer on the surface of the support is roughly divided. Transfer processing and peeling processing are performed. (D) is a figure which shows the mode of the transfer process, (e) is a figure which shows the mode of the peeling process.

【0051】まず、支持体4は、基板41の上に透明電
極42が形成されたものである。したがって、支持体4
の表面は透明電極42の表面になる。
First, the support 4 is a substrate 41 on which a transparent electrode 42 is formed. Therefore, the support 4
Is the surface of the transparent electrode 42.

【0052】基板41は、ガラスからなるものである。
しかしながら、ガラスに限らず、ジルコニア安定化イッ
トリウム(YSZ)等の無機材料、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカ
ーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、
アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシ
クロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリ
フルオロエチレン)、テフロン(登録商標)、ポリテト
ラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子
材料等からなるものであってよい。中でも、支持体4に
フレキシブルな有機薄膜層を形成するためには高分子材
料が好ましく、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶
縁性及び加工性に優れ、且つ低通気性及び低吸湿性であ
るポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスル
ホンや、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、テフロ
ン、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合
体等のフッ素原子を含む高分子材料がより好ましい。な
お、基板41は、これらの単一材料で形成しても、2種
以上の材料で形成してもよい。
The substrate 41 is made of glass.
However, not limited to glass, inorganic materials such as zirconia-stabilized yttrium (YSZ), polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate,
It may be made of a polymer material such as allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon (registered trademark), polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer, or the like. . Among them, polymer materials are preferable for forming a flexible organic thin film layer on the support 4, and are excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electric insulation and processability, and have low air permeability and low moisture absorption. More preferred are polymeric materials containing a fluorine atom such as polyester, polycarbonate, polyether sulfone, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon, and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer, which are organic. The substrate 41 may be formed of these single materials or two or more kinds of materials.

【0053】また、基板41は板状の単層構造であるが
積層構造であってもよく、基板41の形状、大きさ等は
有機薄膜層の用途及び目的に応じて適宜選択することが
できる。さらに、有機薄膜層から発せられる光を散乱又
は減衰させることがない点で、基板41は無色透明であ
るが、有色透明であってもよい。
The substrate 41 has a plate-like single layer structure but may have a laminated structure, and the shape and size of the substrate 41 can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film layer. . Further, the substrate 41 is colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate the light emitted from the organic thin film layer, but it may be colored and transparent.

【0054】このような基板41の上に形成される透明
電極42は、有機薄膜層にホール(正孔)を供給する陽
極としての機能を有するが、陰極として機能させること
もできる。以下、透明電極42を陽極とする場合につい
て説明する。
The transparent electrode 42 formed on the substrate 41 has a function as an anode for supplying holes to the organic thin film layer, but can also function as a cathode. Hereinafter, the case where the transparent electrode 42 is used as an anode will be described.

【0055】本実施形態の透明電極42は、酸化インジ
ウムスズ(ITO)からなるものである。この透明電極
42の形状、構造、大きさ等は特に制限されず、有機薄
膜層の用途及び目的に応じて適宜選択することができ
る。なお、透明電極42を形成する材料としては、酸化
インジウムスズ(ITO)に限られることなく、様々な
金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの
混合物等を用いることができ、仕事関数が4eV以上の
材料であることが好ましい。具体的には、アンチモンを
ドープした酸化スズ(ATO)、フッ素をドープした酸
化スズ(FTO)、半導性金属酸化物(酸化スズ、酸化
亜鉛、酸化インジウム、、酸化亜鉛インジウム(IZ
O)等)、金属(金、銀、クロム、ニッケル等)、これ
ら金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、無機
導電性物質(ヨウ化銅、硫化銅等)、有機導電性材料
(ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等)及
びこれらとITOとの積層物等があげられる。
The transparent electrode 42 of this embodiment is made of indium tin oxide (ITO). The shape, structure, size, etc. of the transparent electrode 42 are not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film layer. The material for forming the transparent electrode 42 is not limited to indium tin oxide (ITO), and various metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, mixtures thereof, and the like can be used. It is preferable that the material has a function of 4 eV or more. Specifically, antimony-doped tin oxide (ATO), fluorine-doped tin oxide (FTO), semiconductive metal oxides (tin oxide, zinc oxide, indium oxide, zinc indium oxide (IZ)
O) etc.), metals (gold, silver, chromium, nickel, etc.), mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive substances (copper iodide, copper sulfide, etc.), organic conductive materials (Polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc.) and laminates of these with ITO.

【0056】また、透明電極42は真空蒸着法により基
板上に形成されたものである。なお、透明電極42の形
成方法は、透明電極材料との適性を考慮して適宜選択す
ればよく、印刷法、コーティング法等の湿式方法、真空
蒸着法をはじめとするスパッタリング法、イオンプレー
ティング法等の物理的方法、CVD、プラズマCVD法
等の化学的方法等があげられる。本実施形態のように透
明電極材料としてITOを用いる場合には、真空蒸着法
の他、直流又は高周波スパッタ法、イオンプレーティン
グ法等を用いることができる。また透明電極42の材料
として有機導電性材料を用いる場合には、湿式製膜法が
好適である。
The transparent electrode 42 is formed on the substrate by the vacuum evaporation method. The method for forming the transparent electrode 42 may be appropriately selected in consideration of the suitability for the transparent electrode material, and may be a printing method, a wet method such as a coating method, a sputtering method including a vacuum deposition method, an ion plating method. And the like, and chemical methods such as CVD and plasma CVD. When ITO is used as the transparent electrode material as in this embodiment, a direct current or high frequency sputtering method, an ion plating method or the like can be used in addition to the vacuum deposition method. When an organic conductive material is used as the material of the transparent electrode 42, the wet film forming method is suitable.

【0057】このようにして形成された透明電極42の
厚さは10μmであるが、その材料に応じて10nm〜
50μmの範囲で適宜選択すればよく、50nm〜20
μmの範囲で適宜選択することが好ましい。また、透明
電極42の抵抗値は103Ω/□以下にすることが好ま
しく、102Ω/□以下にすることがより好ましい。さ
らに、透明電極42は無色透明であっても有色透明であ
ってもよい。またさらに、透明電極側から有機薄膜層の
発光を取り出すためには、その透過率を60%以上にす
ることが好ましく、70%以上にすることがより好まし
い。透過率は分光光度計を用いた公知の方法に従って測
定することができる。なお、「透明導電膜の新展開」
(沢田豊監修、シーエムシー刊、1999年)等に詳細
に記載されている電極も本実施形態の透明電極として適
用することができる。特に耐熱性の低いプラスチック基
板の上に透明電極を形成する場合には、透明電極材料と
してITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で
製膜することが好ましい。
The thickness of the transparent electrode 42 thus formed is 10 μm, and depending on the material, the thickness is from 10 nm to 10 nm.
It may be appropriately selected within a range of 50 μm, and may be 50 nm to 20 nm.
It is preferable to select appropriately in the range of μm. The resistance value of the transparent electrode 42 is preferably 10 3 Ω / □ or less, more preferably 10 2 Ω / □ or less. Further, the transparent electrode 42 may be colorless and transparent or colored and transparent. Further, in order to take out the light emission of the organic thin film layer from the transparent electrode side, the transmittance thereof is preferably 60% or more, more preferably 70% or more. The transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer. “New development of transparent conductive film”
Electrodes described in detail in (Supervised by Yutaka Sawada, published by CMC, 1999) and the like can also be applied as the transparent electrode of the present embodiment. In particular, when forming a transparent electrode on a plastic substrate having low heat resistance, it is preferable to use ITO or IZO as a transparent electrode material and form the film at a low temperature of 150 ° C. or lower.

【0058】(d)に示す転写処理は、仮支持体2の表
面に形成された有機薄膜層30を、このような支持体4
の透明電極42表面に対面させた状態で、仮支持体2と
支持体3との間に挟み込み、透明電極42表面に密着さ
せる。この際、熱ヘッドを用いて、有機薄膜層30を加
熱して軟化させる。熱ヘッドとしては、例えば熱転写プ
リント用の熱ヘッド等を用いることができる。また、有
機薄膜層30の加熱は、熱ヘッドを用いることに限ら
ず、ラミネータ、赤外線ヒータ、レーザ等を用いた加熱
方法を用いることもできる。また、有機薄膜層30を加
熱する温度(転写温度)は特に限定的でなく、有機薄膜
層の材質において変更することができるが、ほとんどの
有機被膜層の耐熱温度が200℃以下であるという実情
から、転写温度も200℃以下にすることが好ましい。
このような転写処理により、仮支持体2の表面に形成さ
れた有機薄膜層30は、透明電極42表面に接着する。
In the transfer process shown in (d), the organic thin film layer 30 formed on the surface of the temporary support 2 is treated with such a support 4.
In the state of facing the surface of the transparent electrode 42, it is sandwiched between the temporary support 2 and the support 3 and brought into close contact with the surface of the transparent electrode 42. At this time, the organic thin film layer 30 is heated and softened using a thermal head. As the thermal head, for example, a thermal head for thermal transfer printing can be used. Further, the heating of the organic thin film layer 30 is not limited to using the thermal head, and a heating method using a laminator, an infrared heater, a laser, or the like can be used. The temperature for heating the organic thin film layer 30 (transfer temperature) is not particularly limited and can be changed depending on the material of the organic thin film layer. However, the heat resistant temperature of most organic coating layers is 200 ° C. or less. Therefore, it is preferable that the transfer temperature is 200 ° C. or lower.
By such a transfer process, the organic thin film layer 30 formed on the surface of the temporary support 2 adheres to the surface of the transparent electrode 42.

【0059】(e)に示す剥離処理は、転写処理によっ
て透明電極42表面に接着した有機薄膜層30から仮支
持体2を引きはがし、透明電極42表面に有機薄膜層3
0のみを残留させる処理である。この剥離処理を終える
ことにより、支持体4表面に有機薄膜層42が形成され
る。このようにして形成する有機薄膜層の厚さは10〜
200nmにすることが好ましく、20〜80nmにす
ることがより好ましい。厚さが200nmを超えると駆
動電圧が上昇する場合があり、10nm未満であると有
機薄膜層が短絡する場合がある。
In the peeling process shown in (e), the temporary support 2 is peeled off from the organic thin film layer 30 adhered to the surface of the transparent electrode 42 by the transfer process, and the organic thin film layer 3 is formed on the surface of the transparent electrode 42.
This is a process of leaving only 0. By completing this peeling process, the organic thin film layer 42 is formed on the surface of the support 4. The organic thin film layer thus formed has a thickness of 10 to 10.
The thickness is preferably 200 nm, more preferably 20 to 80 nm. If the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase, and if it is less than 10 nm, the organic thin film layer may short-circuit.

【0060】なお、以上説明した有機薄膜層を形成する
方法は、電子ディスプレイ用の多色微細パターンの形成
に、広く適用することができる。
The method of forming the organic thin film layer described above can be widely applied to the formation of multicolor fine patterns for electronic displays.

【0061】[0061]

【実施例】以下、本発明の微細パターン形成方法を適用
した実施例について説明する。
EXAMPLES Examples to which the fine pattern forming method of the present invention is applied will be described below.

【0062】(実施例1)水との接触角に換算して60
度の親水性を有する、厚さが100μmのポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルムを、120℃に加熱
した状態で、図2に示すエンボスロールの周面を用いて
型押しするエンボス加工を行った。このエンボス加工に
より、PETフィルムの表面には、高さ、ピッチともに
300nmの凹凸パターンが型付けされた。続いて、こ
のような凹凸パターンが型付けされたPETフィルムの
表面に、有機EL発光素材をロールコータにて10m/
minの速度で塗布した。この結果、PETフィルム表
面のうち、凹凸パターンが型付けされなかった部分のみ
に30cc/m2の有機EL発光素材が塗布された。そ
の後、PETフィルムを100℃で乾燥することで、P
TEフィルム表面に、有機EL発光層の微細パターンを
形成した。
(Example 1) 60 in terms of contact angle with water
A polyethylene terephthalate (PET) film having a degree of hydrophilicity and a thickness of 100 μm was embossed by using the peripheral surface of the embossing roll shown in FIG. 2 while being heated to 120 ° C. By this embossing, an uneven pattern having a height and a pitch of 300 nm was imprinted on the surface of the PET film. Then, the organic EL light-emitting material is applied to the surface of the PET film on which such a concavo-convex pattern is formed by a roll coater at 10 m /
It was applied at a speed of min. As a result, 30 cc / m 2 of organic EL light-emitting material was applied only to the portion of the PET film surface where the uneven pattern was not imprinted. After that, the PET film is dried at 100 ° C.
A fine pattern of the organic EL light emitting layer was formed on the surface of the TE film.

【0063】続いて、酸化インジウムスズ(ITO)か
らなる透明電極が形成されたガラス基板上に、その透明
電極に有機EL発光層が対面するようにPETフィルム
を導き、回転する2本のゴムロール間にてラミネートす
るタイプのラミネータ(大成ラミネータ(株)製ファー
ストラミネータVA−400III)を用いて、圧力3
kg/cm2、温度160℃、送出速度5.0cm/m
inの条件で、ガラス基板とPTEフィルムを熱圧着さ
せ、PETフィルム表面に形成された有機EL発光層を
透明電極表面に転写し、ガラス基板上に有機EL発光層
を形成した。
Subsequently, a PET film was introduced on a glass substrate on which a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) was formed so that the organic EL light emitting layer faced the transparent electrode, and between two rotating rubber rolls. Using a laminator (first laminator VA-400III manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.) of a type to be laminated at
kg / cm 2 , temperature 160 ° C., delivery speed 5.0 cm / m
The glass substrate and the PTE film were thermocompression bonded under the condition of in, the organic EL light emitting layer formed on the PET film surface was transferred to the transparent electrode surface, and the organic EL light emitting layer was formed on the glass substrate.

【0064】また、以下に説明する実施例2から実施例
4まではいずれも、実施例1で用いたエンボスロールの
凹凸パターンとは異なる高さおよびピッチの凹凸パター
ンを有するエンボスロールを用いてエンボス加工を行っ
た他は、実施例1と同じ条件でガラス基板上に有機EL
発光層を形成した。
In each of Examples 2 to 4 described below, embossing rolls having an uneven pattern having a height and a pitch different from the uneven pattern of the embossing roll used in Example 1 were used for embossing. Organic EL was formed on the glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that the processing was performed.
A light emitting layer was formed.

【0065】(実施例2)この実施例2におけるエンボ
ス加工では、周面に、高さ3μm、ピッチ4μmの凹凸
パターンが形成されたエンボスロールを用いた。その結
果、PETフィルムの表面には、高さ3μm、ピッチ4
μmの凹凸パターンが型付けされた。
(Embodiment 2) In the embossing processing in this Embodiment 2, an embossing roll having an uneven pattern with a height of 3 μm and a pitch of 4 μm formed on the peripheral surface was used. As a result, the height of the PET film was 3 μm and the pitch was 4
A μm relief pattern was imprinted.

【0066】(実施例3)この実施例3におけるエンボ
ス加工では、周面に、高さ4μm、ピッチ3μmの凹凸
パターンが形成されたエンボスロールを用いた。その結
果、PETフィルムの表面には、高さ4μm、ピッチ3
μmの凹凸パターンが型付けされた。
(Embodiment 3) In the embossing processing in this Embodiment 3, an embossing roll having a concavo-convex pattern with a height of 4 μm and a pitch of 3 μm formed on the peripheral surface was used. As a result, the height of the PET film was 4 μm and the pitch was 3 μm.
A μm relief pattern was imprinted.

【0067】(実施例4)この実施例4におけるエンボ
ス加工では、周面に、高さ、ピッチともに3μmの凹凸
パターンが形成されたエンボスロールを用いた。その結
果、PETフィルムの表面には、高さ、ピッチともに3
μmの凹凸パターンが型付けされた。
(Embodiment 4) In the embossing processing in this Embodiment 4, an embossing roll having a concavo-convex pattern of 3 μm in height and pitch on the peripheral surface was used. As a result, the height and pitch of the PET film are 3
A μm relief pattern was imprinted.

【0068】さらに、実施例2から実施例4までと同じ
く、実施例1とは、エンボスロール周面の凹凸パターン
のピッチおよび高さのみを異ならせて、ガラス基板上に
有機EL発光層を形成しようとしたところ、うまく形成
できなかった2つの例が生じたので、比較例として紹介
する。
Further, similarly to the second to fourth embodiments, the organic EL light emitting layer is formed on the glass substrate by making only the pitch and height of the uneven pattern on the peripheral surface of the embossing roll different from the first embodiment. When I tried to do so, two cases were formed that could not be formed well, so I will introduce them as comparative examples.

【0069】(比較例1)この比較例1におけるエンボ
ス加工では、周面に、高さ、ピッチともに5μmの凹凸
パターンが形成されたエンボスロールを用いた。その結
果、PETフィルムの表面には、高さ、ピッチともに5
μmの凹凸パターンが型付けされた。
(Comparative Example 1) In the embossing process in Comparative Example 1, an embossing roll having a concavo-convex pattern having a height and a pitch of 5 μm formed on the peripheral surface was used. As a result, on the surface of the PET film, both height and pitch are 5
A μm relief pattern was imprinted.

【0070】(比較例2)この比較例2におけるエンボ
ス加工では、周面に、高さ、ピッチともに8nmの凹凸
パターンが形成されたエンボスロールを用いた。その結
果、PETフィルムの表面には、高さ、ピッチともに8
nmの凹凸パターンが型付けされた。
(Comparative Example 2) In the embossing process in Comparative Example 2, an embossing roll having an uneven pattern having a height and a pitch of 8 nm formed on the peripheral surface was used. As a result, the height and pitch of the PET film are 8
A nm asperity pattern was imprinted.

【0071】表1に、各実施例および各比較例ごとの、
ガラス基板上における有機EL発光層の形成具合と撥水
化判定結果を横一列ずつ示す。
Table 1 shows each of the examples and the comparative examples.
The state of formation of the organic EL light emitting layer on the glass substrate and the water repellency determination result are shown in horizontal rows.

【0072】[0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】表1における、形成具合とは、エンボスロ
ールの周面に形成された、平滑な矩形領域の大きさを1
00%とし、この矩形領域の大きさに対する、ガラス基
板上に形成した有機EL発光層の一つの微細な矩形パタ
ーンの大きさの比率(形成率)を示すものである。しか
しながら、比較例1によって形成された有機EL発光層
の中には、未形成部分が点在する矩形パターンが多々あ
ったことから、形成率を求めずに「未形成部分あり」と
した。また、比較例2によって形成された有機EL発光
層は、ガラス基板のほぼ全面に形成されてしまいパター
ン形成が行われなかったことから、形成率を求めずに
「パターン形成されず」とした。撥水化判定結果は、P
TEフィルム表面の撥水化を判定した結果である。すな
わち、各実施例および各比較例における形成具合から、
ガラス基板上での有機EL発光層の形成率が高いという
ことは、PTEフィルム上での形成率も高いことを表
し、PTEフィルム上での形成率が高いということは、
PTEフィルム表面の撥水化が確実に行われていること
を表すものとしてPTEフィルム表面の撥水化を判定し
た。ここでは、形成率98%以上を◎、形成率80%以
上を○とし、各比較例についは、凹凸パターンの部分
が、ロータス効果を十分発揮しておらず撥水化されてい
ないものと判定した。
In Table 1, the degree of formation means that the size of the smooth rectangular area formed on the peripheral surface of the embossing roll is 1.
The ratio (formation rate) of the size of one fine rectangular pattern of the organic EL light emitting layer formed on the glass substrate with respect to the size of this rectangular region is shown as 00%. However, in the organic EL light emitting layer formed in Comparative Example 1, there were many rectangular patterns in which non-formed portions were scattered, so that the formation rate was not calculated and “there is a non-formed portion”. Further, since the organic EL light emitting layer formed in Comparative Example 2 was formed on almost the entire surface of the glass substrate and no pattern was formed, the pattern was not formed without determining the formation rate. The water repellency judgment result is P
It is the result of judging the water repellency of the TE film surface. That is, from the forming condition in each example and each comparative example,
The high formation rate of the organic EL light emitting layer on the glass substrate means that the formation rate on the PTE film is also high, and the high formation rate on the PTE film means that
The water repellency of the PTE film surface was judged as showing that the water repellency of the PTE film surface was reliably performed. Here, the formation rate of 98% or more is ⊚, and the formation rate of 80% or more is ∘. For each comparative example, it is determined that the portion of the uneven pattern does not sufficiently exhibit the Lotus effect and is not water repellent. did.

【0074】実施例1、実施例2、および比較例1それ
ぞれにおける形成具合を比べると、PETフィルム表面
に型付けされる凹凸パターンの凹凸構造のピッチを3μ
m以下にすると撥水性が向上することがわかり、実施例
1、実施例3、および比較例1それぞれにおける形成具
合を比べると、その高さを3μm以下にしても撥水性が
向上することがわかる。また、これらの2つの撥水性の
向上から、PETフィルム表面に型付けされる凹凸構造
のピッチと高さを別々に規定にしても撥水性が向上する
ことがわかるが、両方をともに規定することが好ましい
ことがわかる。すなわち、PETフィルム表面に型付け
される凹凸構造のピッチと高さをともに3μm以下にす
ることが好ましいことがわかる。さらに、比較例2にお
ける形成具合から、PETフィルム表面に型付けされる
凹凸構造のピッチにしても高さにしても、あまりに小さ
くしずぎると平滑面に近づき、ロータス効果が発揮され
ないことがわかる。PETフィルム表面に型付けされる
凹凸構造のピッチと高さはともに10nm以上にするこ
とが好ましい。またさらに、本発明者らは、PETフィ
ルム表面に型付けされる凹凸構造のピッチと高さについ
てさらなる検討を進めた結果、ピッチと高さをともに、
100nm以上1μm以下にすることがより好ましく、
最も好ましくは、200nm以上400nm以下にする
ことであるという結論に達した。
Comparing the forming conditions in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, the pitch of the concavo-convex structure of the concavo-convex pattern formed on the surface of the PET film was 3 μm.
It was found that the water repellency was improved when the thickness was m or less, and when the forming conditions in Example 1, Example 3, and Comparative Example 1 were compared, it was found that the water repellency was improved even when the height was 3 μm or less. . Further, from these two improvements in water repellency, it is understood that the water repellency is improved even if the pitch and height of the concavo-convex structure formed on the surface of the PET film are specified separately. It turns out to be preferable. That is, it is preferable that both the pitch and the height of the concavo-convex structure formed on the surface of the PET film are 3 μm or less. Further, it can be seen from the formation condition in Comparative Example 2 that the pitch and height of the concavo-convex structure molded on the surface of the PET film are close to a smooth surface and the Lotus effect is not exhibited if the pitch is too small. It is preferable that both the pitch and the height of the concavo-convex structure formed on the surface of the PET film are 10 nm or more. Furthermore, as a result of further study by the present inventors regarding the pitch and height of the concavo-convex structure to be molded on the surface of the PET film, both the pitch and height are
More preferably 100 nm or more and 1 μm or less,
It was concluded that the most preferable range is 200 nm or more and 400 nm or less.

【0075】また、本発明者らは、ガラス基板とPTE
フィルムを熱圧着させる際の温度(転写温度)について
も検討を進めた結果、転写温度が、有機EL発光素材の
耐熱温度を超えると有機EL発光素材を失効させてしま
う恐れがあり、反対にあまり低すぎても転写効率に劣る
ことが判明した。そこで、本発明者らは、転写温度は、
60℃以上200℃以下であることが好ましく、80℃
以上180℃以下であることがさらに好ましく、最も好
ましくは100℃以上150℃以下であるという結論に
達した。
Further, the present inventors have found that the glass substrate and PTE
As a result of further studies on the temperature (transfer temperature) for thermocompression bonding of the film, if the transfer temperature exceeds the heat-resistant temperature of the organic EL light-emitting material, the organic EL light-emitting material may be invalidated. It was found that the transfer efficiency was inferior even if it was too low. Therefore, the present inventors have found that the transfer temperature is
It is preferably 60 ° C or higher and 200 ° C or lower, and 80 ° C
It was concluded that the temperature is more preferably 180 ° C. or lower, and most preferably 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、シート状物の表面に、塗布液の性能を低下させるこ
とがない親水−撥水パターンを有するシート状物を用い
たパターンシートの製造方法、およびそのようなパター
ンシートの製造方法によって製造されたパターンシート
を用いた微細パターン形成方法を提供することができ
る。
As described above, according to the present invention, a pattern sheet using a sheet-like material having a hydrophilic / water-repellent pattern on the surface of the sheet-like material which does not deteriorate the performance of the coating liquid. And a fine pattern forming method using the pattern sheet manufactured by such a method for manufacturing a pattern sheet.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】仮支持体に有機薄膜層を形成している最中の仮
支持体処理ラインの様子を簡略化して示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a simplified state of a temporary support treatment line during the formation of an organic thin film layer on a temporary support.

【図2】図1に示すエンボスロールの周面の一部を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing a part of a peripheral surface of the embossing roll shown in FIG.

【図3】仮支持体における有機薄膜層の形成から支持体
における有機薄膜層の形成までの大まかな流れを仮支持
体と支持体とを用いて示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a rough flow from the formation of the organic thin film layer on the temporary support to the formation of the organic thin film layer on the support using the temporary support and the support.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 仮支持体処理ライン 20 加熱ロール 30 回転ロール 40 塗布装置 50 乾燥装置 60 エンボスロール 601 周面 2 仮支持体 21 凹凸パターン 3 塗布液 30 有機薄膜層 4 支持持体 41 基板 42 透明電極 1 Temporary support processing line 20 heating rolls 30 rotating rolls 40 coating device 50 dryer 60 embossing roll 601 circumference 2 Temporary support 21 uneven pattern 3 coating liquid 30 organic thin film layer 4 Supporting body 41 substrate 42 transparent electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 正太郎 静岡県富士宮市大中里200番地 富士写真 フイルム株式会社内 (72)発明者 保土沢 善仁 静岡県富士宮市大中里200番地 富士写真 フイルム株式会社内 Fターム(参考) 4D075 AC21 AC43 AC72 AC96 AE02 BB06Y BB26Z BB93Y CA36 CB08 CB26 CB33 CB37 DA04 DA06 DB13 DB14 DB36 DB37 DB39 DB48 DB53 DB55 DC24 EA07 EB07 EB08 EB12 EB14 EB15 EB19 EB22 EB33 EB35 EB36 EB38 EB39 EB43 EB44 EC07 EC60    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Shotaro Ogawa             200, Onakazato, Fujinomiya City, Shizuoka Prefecture Fuji Photo             Within Film Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihito Hosawa             200, Onakazato, Fujinomiya City, Shizuoka Prefecture Fuji Photo             Within Film Co., Ltd. F-term (reference) 4D075 AC21 AC43 AC72 AC96 AE02                       BB06Y BB26Z BB93Y CA36                       CB08 CB26 CB33 CB37 DA04                       DA06 DB13 DB14 DB36 DB37                       DB39 DB48 DB53 DB55 DC24                       EA07 EB07 EB08 EB12 EB14                       EB15 EB19 EB22 EB33 EB35                       EB36 EB38 EB39 EB43 EB44                       EC07 EC60

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シート状物表面に微細な凹凸構造により
液体をはじくロータス効果を有効ならしめる凹凸構造の
部分を、該凹凸構造よりも平滑な部分を挟んで配列さ
せ、 次いで、該シート状物表面の平滑な部分に塗布液を塗布
して固化させることを特徴とするパターンシートの製造
方法。
1. A sheet-shaped product is provided with a surface having an uneven structure for activating the Lotus effect of repelling a liquid by a fine uneven structure sandwiching a portion smoother than the uneven structure, and then the sheet-shaped product. A method for producing a pattern sheet, which comprises applying a coating solution to a smooth surface portion and solidifying the coating solution.
【請求項2】 前記シート状物表面の凹凸構造の部分の
高さが10nm以上3μm以下であることを特徴とする
請求項1記載のパターンシートの製造方法。
2. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the height of the uneven structure portion on the surface of the sheet-like material is 10 nm or more and 3 μm or less.
【請求項3】 前記シート状物表面の凹凸構造の部分の
ピッチが10nm以上3μm以下であることを特徴とす
る請求項1記載のパターンシートの製造方法。
3. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the pitch of the portion of the uneven structure on the surface of the sheet is 10 nm or more and 3 μm or less.
【請求項4】 前記シート状物表面の凹凸構造の部分の
高さ、ピッチ共に10nm以上3μm以下であることを
特徴とする請求項1記載のパターンシートの製造方法。
4. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein both the height and pitch of the portion of the uneven structure on the surface of the sheet-like material are 10 nm or more and 3 μm or less.
【請求項5】 前記シート状物表面の凹凸構造をエンボ
ス法により形成することを特徴とする請求項1記載のパ
ターンシートの製造方法。
5. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the uneven structure on the surface of the sheet-like material is formed by an embossing method.
【請求項6】 前記エンボス法を100℃以上の温度で
行うことを特徴とする請求項5記載のパターンシートの
製造方法。
6. The method for producing a pattern sheet according to claim 5, wherein the embossing method is performed at a temperature of 100 ° C. or higher.
【請求項7】 前記塗布液が、有機エレクトロルミネッ
センス材料であることを特徴とする請求項1から6のう
ちいずれか1項記載のパターンシートの製造方法。
7. The method for producing a pattern sheet according to claim 1, wherein the coating liquid is an organic electroluminescent material.
【請求項8】 前記シート状物が、ポリエチレンテレフ
タレートであることを特徴とする請求項1から7のうち
いずれか1項記載のパターンシートの製造方法。
8. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the sheet-like material is polyethylene terephthalate.
【請求項9】 前記シート状物が、ポリエーテルサルフ
ォンであることを特徴とする請求項1から7のうちいず
れか1項記載のパターンシートの製造方法。
9. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the sheet-shaped material is polyether sulfone.
【請求項10】 前記シート状物が、ポリイミドである
ことを特徴とする請求項1から7のうちいずれか1項記
載のパターンシートの製造方法。
10. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the sheet-shaped material is polyimide.
【請求項11】 請求項1から10のうちいずれか1項
記載のパターンシートの製造方法によって製造されたパ
ターンシートを、電極の形成された支持体上にのせ、前
記塗布液を前記支持体側へ転写することを特徴とする微
細パターン形成方法。
11. A pattern sheet manufactured by the method for manufacturing a pattern sheet according to claim 1 is placed on a support on which electrodes are formed, and the coating liquid is applied to the support side. A fine pattern forming method characterized by transferring.
JP2001397035A 2001-12-27 2001-12-27 Method for producing pattern sheet and method for forming fine pattern Withdrawn JP2003190876A (en)

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