JP2003187971A - Manufacturing method of organic electroluminescence element, and manufacturing method of light-emitting device using the same - Google Patents

Manufacturing method of organic electroluminescence element, and manufacturing method of light-emitting device using the same

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JP2003187971A
JP2003187971A JP2001386944A JP2001386944A JP2003187971A JP 2003187971 A JP2003187971 A JP 2003187971A JP 2001386944 A JP2001386944 A JP 2001386944A JP 2001386944 A JP2001386944 A JP 2001386944A JP 2003187971 A JP2003187971 A JP 2003187971A
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JP
Japan
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electrode
organic
manufacturing
layer
protective layer
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JP2001386944A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Saito
康行 齋藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element in which impurities such as a resist are not remained on the electrode and occurrence of a dark spot due to impurities or the like and defects or the like of the electrode are suppressed by a simple method. <P>SOLUTION: This is a manufacturing method of an organic EL element having at least a structure in which a first electrode, one or more of organic compound layers, and a second electrode are laminated on a substrate. An electrode layer (302a) made of the above first electrode material is formed on the substrate (301), and an organic protection layer (303a) made of a material of a layer adjoining the above first electrode out of the organic compound layers is formed on the electrode layer (302a), and then the above first electrode (302c) is made by carrying out pattern forming on the above electrode layer. Thereby, even if some remainder (303b) of the organic protection layer is left on the substrate, it does not become an impurity. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(有機EL)素子の製造方法、及びそれを
用いた有機EL露光光源や有機EL表示装置等の有機E
L発光装置の製造方法に関し、さらに詳しくは有機EL
素子の電極のパターン形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence (organic EL) element, and an organic EL exposure light source or an organic EL display device using the same.
Regarding the manufacturing method of the L light emitting device, more specifically, organic EL
The present invention relates to a pattern forming method of an electrode of a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板上に形成された第1電極
と、該第1電極上に形成された有機化合物層と、該有機
化合物層上に形成された第2電極とが積層された構造を
有する有機EL素子がよく知られている。そして、こう
した有機EL素子が発光源として複数用いられた有機E
L発光装置を、電子写真方式のプリンタ等が備える露光
光源や携帯端末等の表示部に適用可能な表示装置等とし
て利用するための開発が活発に行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a first electrode formed on a substrate, an organic compound layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic compound layer are laminated. Organic EL devices having a structure are well known. Then, an organic E in which a plurality of such organic EL elements are used as a light emitting source
Development is actively being carried out for using the L light emitting device as an exposure light source included in an electrophotographic printer or the like, or as a display device applicable to a display unit such as a mobile terminal.

【0003】図1は有機EL素子がマトリックス状に配
置されている有機EL発光装置の一例を示す概略構成図
である。(a)は各画素の配列を示す平面図である。
(b)はA−A’の断面図である。図1において、10
1は基板、102は第1電極、103は有機化合物層、
104は第2電極である。また105は第1電極と第2
電極との間に有機化合物層が介在している領域で規定さ
れる画素である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an organic EL light emitting device in which organic EL elements are arranged in a matrix. FIG. 6A is a plan view showing an array of pixels.
(B) is a sectional view of AA '. In FIG. 1, 10
1 is a substrate, 102 is a first electrode, 103 is an organic compound layer,
104 is a second electrode. Further, 105 is the first electrode and the second
It is a pixel defined by a region in which an organic compound layer is interposed between the pixel and the electrode.

【0004】図1においては、基板の表面上に画素とし
てドット状の有機EL素子がマトリックス状に配列され
て形成され、かつ各有機EL素子が別々に発光できるよ
うに構成された例を示している。この発光装置では、発
光させる有機EL素子を適切に選択させることにより、
様々な画像を表示することができる。
FIG. 1 shows an example in which dot-shaped organic EL elements are formed as pixels on a surface of a substrate and are arranged in a matrix, and each organic EL element can emit light separately. There is. In this light emitting device, by appropriately selecting the organic EL element to emit light,
Various images can be displayed.

【0005】このような表示装置の製造方法は、低分子
有機EL材料において、特開平5−258859号、特
開平5−275172号等の公報に開示されているよう
に、真空蒸着においてマスクを用いてパターニングする
方法が一般的であり、以下に工程を示す。
In such a display device manufacturing method, a mask is used in vacuum deposition in a low molecular weight organic EL material, as disclosed in JP-A-5-258859 and JP-A-5-275172. A general method of patterning is described below.

【0006】図2は従来の方法により、有機EL素子の
第2電極を形成している様子を模式的に示す斜視図であ
る。図2において、図1と同じ符号は同じ部材を示して
おり、201はマスク、202は貫通孔である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing a state in which the second electrode of the organic EL element is formed by the conventional method. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same members, 201 is a mask, and 202 is a through hole.

【0007】まず、透明な基板101上にITOなどか
らなる第1電極102を形成する。次に、正孔注入層、
発光層といった有機化合物層103をその表面全体に形
成する。最後に図2に示すようにストライプ状の貫通孔
202をもつマスク201を用意し、それらの貫通孔が
透明基板101に対する投影面で見て第1電極102に
直交するように、発光層の上方にそのマスクを固定し
て、蒸着法により第2電極104をストライプ状に形成
する。こうして、有機EL素子が第1電極及び第2電極
が透明基板に対する投影面で見て重なり合う部分に形成
された表示装置を得ることができる。この表示装置で
は、電流を流す第1電極のライン及び第2電極のライン
をそれぞれ選択することにより、任意の部位の画素(有
機EL素子)を発光させることができる。
First, a first electrode 102 made of ITO or the like is formed on a transparent substrate 101. Next, the hole injection layer,
An organic compound layer 103 such as a light emitting layer is formed on the entire surface. Finally, as shown in FIG. 2, a mask 201 having stripe-shaped through holes 202 is prepared, and the mask 201 is provided above the light emitting layer so that the through holes are orthogonal to the first electrode 102 when viewed on the projection surface of the transparent substrate 101. Then, the mask is fixed to the second electrode 104, and the second electrode 104 is formed in a stripe shape by an evaporation method. In this way, it is possible to obtain a display device in which the organic EL element has the first electrode and the second electrode formed in the overlapping portion when viewed on the projection surface with respect to the transparent substrate. In this display device, a pixel (organic EL element) at an arbitrary portion can be made to emit light by selecting the first electrode line and the second electrode line through which a current flows.

【0008】有機EL素子を用いた表示装置は、自発光
であるため視野角が広い、数ミリ以下の薄さのディスプ
レイが可能、広い温度範囲で動作可能であるという利点
がある。
Since the display device using the organic EL element emits light by itself, it has an advantage that it can have a wide viewing angle, a display with a thickness of several millimeters or less, and can operate in a wide temperature range.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】有機EL素子の内部に
おいて発光しない点つまりダークスポットが1度発生す
ると、ダークスポットが成長して表示品質が劣化するこ
とがある。このダークスポットには様々な原因がある
が、その1つに第1電極上に存在するパーティクルがあ
る。
When a point where no light is emitted, that is, a dark spot occurs once inside the organic EL element, the dark spot may grow and the display quality may deteriorate. There are various causes for this dark spot, and one of them is a particle existing on the first electrode.

【0010】第1電極上に存在し得るパーティクルに
は、製造環境中のゴミ、第1電極のパターン形成時にお
けるレジスト残り等がある。第1電極は、基板の表面全
体にスパッタ等により成膜し、レジストを塗布し、露
光、現像、エッチングにより任意の形状を形成してい
る。そして、任意の形状の第1電極を形成した後、レジ
ストを除去している。しかし、このレジスト、製造環境
中のゴミ等は第1電極上に残ってしまう場合があり、レ
ジスト、製造環境中のゴミが残った状態で有機EL素子
を作成すると、このレジスト、製造環境中のゴミを核に
してダークスポットが発生、成長してしまうことがあっ
た。
Particles that may be present on the first electrode include dust in the manufacturing environment, resist residue when forming the pattern of the first electrode, and the like. The first electrode is formed into a film on the entire surface of the substrate by sputtering or the like, is coated with a resist, and is formed into an arbitrary shape by exposure, development and etching. Then, after forming the first electrode having an arbitrary shape, the resist is removed. However, this resist and dust in the manufacturing environment may remain on the first electrode, and if an organic EL element is created in the state where the resist and dust in the manufacturing environment remain, the Occasionally, dark spots were generated and grew with dust as the core.

【0011】従来技術としては特開平9−232075
号公報に開示されているように、指向性を有する紫外線
またはイオンビームにより基板を洗浄する、あるいは特
開平10−92585号公報に開示されているように、
電極がプラズマ反応器内において酸素、窒素、アルゴ
ン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン及びそれ
らの混合物から選択されたプラズマガスに曝される等の
洗浄方法を改善する、またはプラズマアッシングを併用
する方法等がとられている。しかし、現状では洗浄の改
善ではレジストの除去が不十分となったり、プラズマア
ッシングを用いると制御が困難であり、さらには電極に
ダメージを与えてしまうこともあった。特にレジストは
電極上に付着し、乾燥してしまうと、除去は困難であっ
た。
As a conventional technique, Japanese Patent Laid-Open No. 9-232075
As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-92585, the substrate is washed with a directional ultraviolet ray or an ion beam, or as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-92585.
Improving the cleaning method such that the electrode is exposed to a plasma gas selected from oxygen, nitrogen, argon, helium, neon, xenon, krypton and a mixture thereof in the plasma reactor, or a method using plasma ashing in combination Has been taken. However, under the present circumstances, removal of the resist is insufficient with improved cleaning, and control is difficult when plasma ashing is used, and further, the electrodes may be damaged. In particular, if the resist adheres to the electrode and is dried, it is difficult to remove it.

【0012】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、簡易な方法で電極上にレジスト等の
不純物を残存させず、電極上の不純物等や電極の欠陥等
によるダークスポットの発生を抑制することができる有
機EL素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and does not leave impurities such as resist on the electrodes by a simple method, and dark spots due to impurities on the electrodes or defects of the electrodes. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an organic EL element capable of suppressing the occurrence of

【0013】また本発明は、上記有機EL素子の製造方
法を利用した、有機EL素子を複数配列した構成を少な
くとも有する有機EL露光光源、有機EL表示装置等の
有機EL発光装置の製造方法をも提供することを目的と
するものである。
The present invention also provides a method of manufacturing an organic EL light emitting device such as an organic EL exposure light source or an organic EL display device having at least a structure in which a plurality of organic EL elements are arranged, which utilizes the above method of manufacturing an organic EL element. It is intended to be provided.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第1の発明は、基板上に、第1電極と、一または複数
の有機化合物層と、第2電極とが積層された構造を少な
くとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法であって、前記基板上に前記第1電極の材料からな
る電極層を成膜し、該電極層の上に前記有機化合物層の
うちの前記第1電極に接する層の材料からなる有機保護
層を成膜した後に、前記電極層にパターン形成を施して
前記第1電極を作製する工程を含むことを特徴とする。
A first invention for solving the above-mentioned problems has a structure in which a first electrode, one or more organic compound layers and a second electrode are laminated on a substrate. A method for manufacturing an organic electroluminescent element having at least an electrode layer made of a material of the first electrode on the substrate, and forming the electrode layer on the electrode layer on the first electrode of the organic compound layer. The method is characterized by including a step of forming a pattern on the electrode layer to form the first electrode after forming an organic protective layer made of a material of a layer in contact with the electrode layer.

【0015】本発明は、上記第1の発明において、「前
記電極層は、前記基板上の全面に成膜すること」、「前
記有機保護層は、前記電極層表面の全面に成膜するこ
と」、「前記電極層及び前記有機保護層の成膜方法が、
前記電極層を真空中で物理蒸着法により成膜した後に該
真空中内で続けて前記有機保護層を成膜する方法である
こと」、「前記第1電極のパターン形成後に、前記有機
保護層の少なくとも一部を除去すること」、「前記有機
保護層の少なくとも一部を除去する方法として、ドライ
エッチング方法を用いること」、をその好ましい態様と
して含むものである。
According to the present invention, in the first aspect, "the electrode layer is formed on the entire surface of the substrate", "the organic protective layer is formed on the entire surface of the electrode layer". ”,“ The film forming method of the electrode layer and the organic protective layer,
A method of forming a film of the electrode layer by a physical vapor deposition method in a vacuum and subsequently forming a film of the organic protective layer in the vacuum "," after forming the pattern of the first electrode, the organic protective layer At least a part of the above "and" using a dry etching method as a method for removing at least a part of the organic protective layer "are included as preferable embodiments.

【0016】また本発明は、第2の発明として、基板上
に、第1電極と、一又は複数の有機化合物層と、第2電
極とが積層された構造を少なくとも有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子を、複数配列した構成を少なくと
も有する有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造
方法であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子
を、上記第1の発明の製造方法により製造することを特
徴とするものをも含むものである。
The present invention also provides, as a second invention, an organic electroluminescence element having at least a structure in which a first electrode, one or more organic compound layers, and a second electrode are laminated on a substrate. A method for manufacturing an organic electroluminescence light-emitting device having at least a plurality of arranged structures, the method including manufacturing the organic electroluminescence element by the manufacturing method of the first invention.

【0017】さらに本発明は、上記第2の発明の有機エ
レクトロルミネッセンス発光装置の製造方法を用いたこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス露光光源
の製造方法をも含むものである。
The present invention further includes a method of manufacturing an organic electroluminescence exposure light source, which is characterized by using the method of manufacturing the organic electroluminescence light emitting device of the second invention.

【0018】さらに本発明は、上記第2の発明の有機エ
レクトロルミネッセンス発光装置の製造方法を用いたこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置
の製造方法をも含むものである。
Further, the present invention also includes a method of manufacturing an organic electroluminescence display device characterized by using the method of manufacturing an organic electroluminescence light emitting device of the second invention.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明は、基板上に、第1電極
と、一または複数の有機化合物層と、第2電極とが積層
された構造を少なくとも有する有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法であって、前記基板上に前記第1
電極の材料からなる電極層を成膜し、該電極層の上に前
記有機化合物層のうちの前記第1電極に接する層の材料
からなる有機保護層を成膜した後に、前記電極層にパタ
ーン形成を施して前記第1電極を作製する工程を含むこ
とを特徴とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing an organic electroluminescence device having at least a structure in which a first electrode, one or more organic compound layers, and a second electrode are laminated on a substrate. The first on the substrate
After forming an electrode layer made of an electrode material and forming an organic protective layer made of a material of a layer of the organic compound layer in contact with the first electrode on the electrode layer, a pattern is formed on the electrode layer. It is characterized by including a step of forming the first electrode.

【0020】このような有機保護層を形成しておくこと
により、第1電極のパターンを形成する際に電極層表面
に不純物が付着することを著しく減少させ、且つ電極層
のうちパターン形成後に第1電極とする非除去部がパタ
ーン形成により損傷しないように該非除去部を保護する
こともできる。さらに、第1電極のパターン形成後に該
第1電極の形成された基板を洗浄等してから有機化合物
層を形成していく際に、その一部又は大部分が除去され
た有機保護層の残渣が存在していたとしても、これは有
機化合物層のうちの第1電極に接する層の材料からなる
ため不純物とはならない。このように本発明によれば、
簡易な方法で、第1電極のパターン形成時に、レジスト
等の不純物が第1電極上に残ったり第1電極が損傷して
抜け部が生じたりする等により非発光部(ダークスポッ
ト)の成長の核が発生することを防ぎ、高品位且つ高耐
久の有機EL素子の製造が可能となる。
By forming such an organic protective layer, it is possible to remarkably reduce the adhesion of impurities to the surface of the electrode layer when forming the pattern of the first electrode, and to reduce the amount of impurities in the electrode layer after forming the pattern. It is also possible to protect the non-removed portion which is one electrode so as not to be damaged by the pattern formation. Furthermore, when the organic compound layer is formed after cleaning the substrate on which the first electrode is formed after forming the pattern of the first electrode, a part or most of the residue of the organic protective layer is removed. Even if there exists, it does not become an impurity because it is made of the material of the layer of the organic compound layer that is in contact with the first electrode. Thus, according to the present invention,
By a simple method, when a pattern of the first electrode is formed, impurities such as a resist remain on the first electrode, or the first electrode is damaged to cause a void portion. It is possible to prevent the generation of nuclei and manufacture a high-quality and highly durable organic EL element.

【0021】本発明の基板は、光取り出し側を第1電極
の側とした場合には透明又は半透明である必要があり、
この場合には第1電極も透明電極とする必要がある。
The substrate of the present invention needs to be transparent or semi-transparent when the light extraction side is the first electrode side,
In this case, the first electrode also needs to be a transparent electrode.

【0022】以下、本発明の好適な実施形態を詳述する
が、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるもので
はない。
The preferred embodiments of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to these embodiments.

【0023】本実施形態は、基板の片側表面全体に電極
層を形成し、前記電極層上全面に有機保護層を形成した
後、前記電極層を任意の形状にパターニングして第1電
極を形成し、第1電極上の有機保護層を除去するという
一連の工程を含むものである。
In this embodiment, an electrode layer is formed on the entire surface of one side of the substrate, an organic protective layer is formed on the entire surface of the electrode layer, and then the electrode layer is patterned into an arbitrary shape to form a first electrode. Then, a series of steps of removing the organic protective layer on the first electrode is included.

【0024】このように、電極層は基板上の全面に成膜
すればマスク等が不要であり好ましく、同様な理由で有
機保護層も電極層表面の全面に成膜することが好まし
い。
As described above, if the electrode layer is formed on the entire surface of the substrate, a mask or the like is unnecessary, and it is preferable that the organic protective layer is also formed on the entire surface of the electrode layer for the same reason.

【0025】以下、本実施形態を図3を参照して説明す
る。図3において301は基板、302aは電極層、3
02cは第1電極、303aは正孔輸送層の材料からな
る有機保護層、303bは有機保護層の残渣、303c
は正孔輸送層、304はレジスト、305はマスク、3
06は電子輸送層を兼ねる発光層、307は第2電極で
ある。
The present embodiment will be described below with reference to FIG. In FIG. 3, 301 is a substrate, 302a is an electrode layer, 3
02c is a first electrode, 303a is an organic protective layer made of the material of the hole transport layer, 303b is a residue of the organic protective layer, 303c
Is a hole transport layer, 304 is a resist, 305 is a mask, 3
Reference numeral 06 is a light emitting layer which also serves as an electron transport layer, and 307 is a second electrode.

【0026】先ず、ガラス等の透明な基板301上全面
に酸化スズインジウム(ITO)、酸化スズ薄膜等の透
明な電極層302aを形成する(図3(a))。なお、
電極層302aは半透明であってもよい。電極層302
aの形成方法は、スパッタリング法、電子ビーム法、化
学反応法等いずれを用いても良い。
First, a transparent electrode layer 302a such as tin oxide indium (ITO) or tin oxide thin film is formed on the entire surface of a transparent substrate 301 such as glass (FIG. 3A). In addition,
The electrode layer 302a may be semitransparent. Electrode layer 302
As a method of forming a, any of a sputtering method, an electron beam method, a chemical reaction method and the like may be used.

【0027】次に、電極層302a上全面に有機保護層
303aを成膜する(図3(b))。有機保護層の形成
方法は、真空蒸着法、スピンコート法、スクリーン印刷
法等いずれを用いても良いが、真空蒸着法により成膜す
ると環境中のゴミ等が少なく、また、電極層と有機保護
層を同じ真空容器内で成膜するとさらにゴミが付着する
可能性が低くなるので、真空蒸着法を用いることが好ま
しい。
Next, an organic protective layer 303a is formed on the entire surface of the electrode layer 302a (FIG. 3B). As a method for forming the organic protective layer, any of a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a screen printing method and the like may be used. It is preferable to use the vacuum vapor deposition method because the possibility of dust attachment is further reduced when the layers are formed in the same vacuum container.

【0028】次に、電極層を任意の形状にパターニング
するため、有機保護層上全面にレジスト304を塗布す
る(図3(c))。レジスト塗布方法としてスピンコー
ト法、スクリーン印刷法等があるがいずれを用いても良
い。レジストには、露光の際、感光部分が現像液に不溶
化するネガ形、現像液に可溶化するポジ形があるが、ど
ちらを用いても良い。
Next, in order to pattern the electrode layer into an arbitrary shape, a resist 304 is applied on the entire surface of the organic protective layer (FIG. 3C). As a resist coating method, there are a spin coating method, a screen printing method and the like, but any method may be used. The resist has a negative type in which a photosensitive portion becomes insoluble in a developing solution and a positive type in which a photosensitive portion becomes soluble in a developing solution at the time of exposure, but either may be used.

【0029】次に、レジストを必要により加熱乾燥させ
た後、任意の形状に露光、現像(図3(d))、ウエッ
トエッチングし任意の形状の第1電極(透明導電膜)3
02cを形成する(図3(e))。この時、電極層上の
有機保護層の厚さが数十〜数百Åであり、層の密度が低
いため、エッチング液が有機保護層に入り込み、残した
い電極層を一部エッチングしてしまうが、有機EL素子
においては、第1電極の端部のテーパー角が小さい方
が、有機化合物層を積み重ねた際、膜厚がより均一にな
り、電荷の集中等が減り、電極端部からのダークスポッ
トの発生を防ぐことが出来る。
Next, the resist is heated and dried if necessary, and then exposed to a desired shape, developed (FIG. 3D), and wet-etched to form the first electrode (transparent conductive film) 3 having a desired shape.
02c is formed (FIG. 3E). At this time, the thickness of the organic protective layer on the electrode layer is several tens to several hundred Å and the density of the layer is low, so the etching solution enters the organic protective layer and partially etches the electrode layer to be left. However, in the organic EL element, when the taper angle of the end portion of the first electrode is smaller, the film thickness becomes more uniform when the organic compound layers are stacked, the concentration of charges is reduced, and It is possible to prevent the occurrence of dark spots.

【0030】次にレジスト、有機保護層を除去する(図
3(f))。除去方法としてレジスト剥離液を用いる、
またはアッシング等があるが除去方法はいずれの除去方
法でも良い。また万一、図に示すように第1電極302
c上に有機保護層の残渣303bが残った場合でも上述
のような理由によって特に問題とはならない。
Next, the resist and the organic protective layer are removed (FIG. 3 (f)). Using a resist stripper as a removal method,
Although there is ashing or the like, any removing method may be used. In the unlikely event that the first electrode 302
Even if the residue 303b of the organic protective layer remains on c, it does not cause a problem due to the reasons described above.

【0031】次に、第1電極302c上に、正孔注入層
303cを成膜する(図3(g))。正孔注入層303
cの形成方法は、蒸着法、ディッピング法、スピンコー
ト法等いずれを用いてもよい。正孔注入層の膜厚は、キ
ャリアの移動度、光をガラス基板側から取り出すことを
考慮して、できるだけ薄い方が好ましい。しかし、薄す
ぎるとピンホール等で絶縁破壊が起こる。一方、正孔注
入層の膜厚が厚すぎると、完成した有機EL素子に必要
な駆動電圧が高くなる。
Next, a hole injection layer 303c is formed on the first electrode 302c (FIG. 3 (g)). Hole injection layer 303
As a method for forming c, any of a vapor deposition method, a dipping method, a spin coating method and the like may be used. The thickness of the hole injection layer is preferably as thin as possible in consideration of carrier mobility and taking out light from the glass substrate side. However, if it is too thin, dielectric breakdown occurs in pinholes and the like. On the other hand, if the thickness of the hole injection layer is too large, the driving voltage required for the completed organic EL element will be high.

【0032】次に電子輸送層を兼ねる発光層306を成
膜する(図3(h))。発光層306の形成方法は、蒸
着法、スピンコート法等いずれを用いてもよい。
Next, a light emitting layer 306 which also serves as an electron transport layer is formed (FIG. 3 (h)). As a method for forming the light emitting layer 306, any of a vapor deposition method, a spin coating method and the like may be used.

【0033】次に、第2電極パターンを形成するため成
膜面上にマスク(不図示)を固定し、第2電極307を
形成する(図3(i))。
Next, a mask (not shown) is fixed on the film forming surface to form the second electrode pattern, and the second electrode 307 is formed (FIG. 3 (i)).

【0034】以上の工程により、第1電極の欠陥による
非発光部(ダークスポット)の成長を抑制できる有機E
L素子が得られる。
Through the above steps, the growth of the non-light emitting portion (dark spot) due to the defect of the first electrode can be suppressed.
An L element is obtained.

【0035】本実施形態のように、電極層上にスピンコ
ート法により有機保護層を形成する場合、有機保護層の
膜厚は薄い方が第1電極形成時エッチング液が浸透しや
すいため、液滴の固形分を低濃度とする方が好ましい。
When the organic protective layer is formed on the electrode layer by the spin coating method as in the present embodiment, the thinner the organic protective layer is, the easier the etching solution penetrates during the formation of the first electrode. It is preferable that the solid content of the droplet is low.

【0036】次に、本発明に係る有機EL素子を用いた
各種の装置について簡単に説明する。図4は本発明の製
造方法を適用できる有機EL表示装置の一例を示す回路
図、図5は本発明の製造方法を適用できる有機EL露光
光源の一例を示す回路図である。具体的には、図4は有
機EL素子を2次元に配列した表示ディスプレイであ
り、図5は1次元に配列したプリンタヘッド光源であ
る。
Next, various devices using the organic EL element according to the present invention will be briefly described. FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of an organic EL display device to which the manufacturing method of the present invention can be applied, and FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of an organic EL exposure light source to which the manufacturing method of the present invention can be applied. Specifically, FIG. 4 is a display display in which organic EL elements are two-dimensionally arranged, and FIG. 5 is a printer head light source in which one-dimensionally is arranged.

【0037】これら2例は有機EL素子の配置の仕方が
異なるだけであり、駆動方式は基本的に同じである。ど
ちらも、アノード配線Lx1とカソード配線Ly1との
間には有機EL素子D11(容量部は省略して記載して
いる)が、Lx1とLy2にはD21が、Lx2とLy
1にはD12が、Lx2とLy2にはD22が接続され
ている。これらの装置においては、任意のアノード配線
及びカソード配線に適宜の電位を与えることにより、各
有機EL素子を個別に発光させることができ、様々な発
光パターンや画像を表示することができる。
These two examples differ only in the way in which the organic EL elements are arranged, and the driving system is basically the same. In both cases, the organic EL element D11 (capacitance part is omitted) is provided between the anode wiring Lx1 and the cathode wiring Ly1, D21 is provided between Lx1 and Ly2, and Lx2 and Ly are provided.
D12 is connected to 1, and D22 is connected to Lx2 and Ly2. In these devices, each organic EL element can be made to emit light individually by applying an appropriate potential to any anode wiring and cathode wiring, and various light emission patterns and images can be displayed.

【0038】これらの装置を製造する場合においても、
前述したような本発明の有機EL素子の製造方法をその
まま拡張して適用することができ、上記と同様な効果が
得られ、高品位且つ高耐久の装置が実現される。
Even when these devices are manufactured,
The method for manufacturing an organic EL element of the present invention as described above can be expanded and applied as it is, the same effects as described above can be obtained, and a device of high quality and high durability can be realized.

【0039】このように本発明は、単色発光素子の製造
のみならず、有機EL素子をアレー状やマトリクス状等
に配置した構成を有する露光光源やフルカラーの表示装
置(パッシブマトリクス型やアクティブマトリクス型の
表示装置等)等の発光装置の製造にも適用できるもので
ある。
As described above, the present invention is not limited to the manufacture of monochromatic light-emitting elements, but also an exposure light source or a full-color display device (passive matrix type or active matrix type) having a structure in which organic EL elements are arranged in an array or a matrix. The present invention can also be applied to the manufacture of a light emitting device such as a display device).

【0040】[0040]

【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0041】(実施例1)本実施例における有機EL素
子の製造方法について図3を参照して説明する。本例に
おける図3の符号は、301はガラス基板、302aは
電極層、302cはITO透明電極、303aは有機保
護層、303bは残渣、303cは正孔注入層、304
は感光性樹脂層、305はマスク、306は電子輸送層
を兼ねる発光層、307はAl電極を示している。
Example 1 A method for manufacturing an organic EL element in this example will be described with reference to FIG. In this example, reference numerals in FIG. 3 are 301: glass substrate, 302a: electrode layer, 302c: ITO transparent electrode, 303a: organic protective layer, 303b: residue, 303c: hole injection layer, 304.
Is a photosensitive resin layer, 305 is a mask, 306 is a light emitting layer which also serves as an electron transport layer, and 307 is an Al electrode.

【0042】先ず、ガラス基板301上全面にスパッタ
法によりITO透明電極(第1電極)の材料から成る電
極層302aを形成した(図3(a))。
First, an electrode layer 302a made of the material of the ITO transparent electrode (first electrode) was formed on the entire surface of the glass substrate 301 by the sputtering method (FIG. 3 (a)).

【0043】次に正孔注入材料(トリフェニルアミン6
量体(TPA−6:分子量1461、融点277℃、T
g156℃))からなる有機保護層303aを物理蒸着
法により電極層302a上全面に成膜した(図3
(b))。
Next, a hole injection material (triphenylamine 6
Polymer (TPA-6: molecular weight 1461, melting point 277 ° C., T
An organic protective layer 303a composed of (g156 ° C.)) is formed on the entire surface of the electrode layer 302a by a physical vapor deposition method (FIG. 3).
(B)).

【0044】次に、感光性樹脂(ノボラック樹脂とペグ
ミアの混合物)を有機保護層303a上全面に成膜した
(図3(c))。
Next, a photosensitive resin (mixture of novolac resin and pegmia) was formed on the entire surface of the organic protective layer 303a (FIG. 3 (c)).

【0045】次に、マスク305を用い露光、現像(図
3(d))、エッチングにより電極層302aと有機保
護層303aとをパターニングし、ITO透明電極(第
1電極)302cを所望の形状にした(図3(e))。
Next, the electrode layer 302a and the organic protective layer 303a are patterned by exposure using a mask 305, development (FIG. 3D), and etching to form the ITO transparent electrode (first electrode) 302c into a desired shape. (Fig. 3 (e)).

【0046】次に、基板全体をレジスト剥離液に浸漬
し、感光性樹脂層304及び有機保護層303aを除去
した(図3(f))。この時ITO透明電極(第1電
極)302c上に有機保護層の残渣303bが一部残っ
てしまうことがあるが、上述のような理由によって特に
問題とはならない。
Next, the entire substrate was immersed in a resist stripping solution to remove the photosensitive resin layer 304 and the organic protective layer 303a (FIG. 3 (f)). At this time, a part of the residue 303b of the organic protective layer may remain on the ITO transparent electrode (first electrode) 302c, but this is not a problem because of the reasons described above.

【0047】次に、前述の基板をイソプロピルアルコー
ル中に浸漬し超音波洗浄し、120℃の環境下で基板を
乾燥させた。次に、正孔注入材料としてトリフェニルア
ミン6量体(TPA−6:分子量1461、融点277
℃、Tg156℃)をスピンコート法によりコーティン
グし、加熱乾燥することによって正孔注入層303cを
形成した(図3(g))。
Next, the above-mentioned substrate was immersed in isopropyl alcohol, ultrasonically cleaned, and dried in an environment of 120 ° C. Next, as a hole injecting material, triphenylamine hexamer (TPA-6: molecular weight 1461, melting point 277).
C., Tg 156.degree. C.) by spin coating, and dried by heating to form a hole injection layer 303c (FIG. 3 (g)).

【0048】次に、発光材料及び電子輸送材料としてト
リス(8−キノリノール)アルミニウム(アルミキノリ
ン錯体)に代表される8−ヒドロキシキノリン金属錯体
からなる電子輸送層を兼ねる発光層306を物理蒸着法
によって成膜した(図3(h))。
Next, a light emitting layer 306 which is also composed of an 8-hydroxyquinoline metal complex represented by tris (8-quinolinol) aluminum (aluminumquinoline complex) as a light emitting material and an electron transporting material and which also serves as an electron transporting layer is formed by a physical vapor deposition method. A film was formed (FIG. 3 (h)).

【0049】次に、第2電極パターンに対応する貫通孔
を有するマスクを用い、電子注入層(不図示)としての
Al−Liを物理蒸着法によって成膜し、続いてAl電
極(第2電極)307を物理蒸着法によって成膜した
(図3(i))。
Next, using a mask having a through hole corresponding to the second electrode pattern, Al-Li as an electron injection layer (not shown) is formed by a physical vapor deposition method, and then an Al electrode (second electrode) is formed. ) 307 was formed by a physical vapor deposition method (FIG. 3 (i)).

【0050】最後に、封止工程を経て有機EL素子を作
製した。
Finally, an organic EL device was manufactured through a sealing process.

【0051】(実施例2)本実施例における有機EL素
子の製造方法について図6、図7を参照して説明する。
図6、図7は本発明の有機EL素子の製造方法の第2の
実施例を示す工程図である。これらの図において、70
1はガラス基板、702aは電極層、702cはITO
透明電極、703aは有機保護層、703bは残渣、7
03cは正孔輸送層、704は感光性樹脂層、705は
正孔注入層、706はマスク、707は電子輸送層を兼
ねる発光層、708はAl電極である。
Example 2 A method of manufacturing an organic EL element in this example will be described with reference to FIGS.
6 and 7 are process diagrams showing a second embodiment of the method for manufacturing an organic EL device of the present invention. In these figures, 70
1 is a glass substrate, 702a is an electrode layer, and 702c is ITO.
Transparent electrode, 703a is an organic protective layer, 703b is a residue, 7
Reference numeral 03c is a hole transport layer, 704 is a photosensitive resin layer, 705 is a hole injection layer, 706 is a mask, 707 is a light emitting layer also serving as an electron transport layer, and 708 is an Al electrode.

【0052】先ず、ガラス基板701上全面にスパッタ
法によりITO透明電極(第1電極)の材料から成る電
極層702aを形成した(図6(a))。
First, an electrode layer 702a made of the material of the ITO transparent electrode (first electrode) was formed on the entire surface of the glass substrate 701 by the sputtering method (FIG. 6 (a)).

【0053】次に有機材料(銅フタロシアニン)からな
る有機保護層703aを物理蒸着法により電極層702
a上全面に成膜した(図6(b))。
Next, an organic protective layer 703a made of an organic material (copper phthalocyanine) is formed on the electrode layer 702 by physical vapor deposition.
A film was formed on the entire surface of a (FIG. 6B).

【0054】次に、感光性樹脂(ノボラック樹脂とペグ
ミアの混合物)を有機保護層703a上全面に成膜した
(図6(c))。
Next, a photosensitive resin (a mixture of novolak resin and pegmia) was formed on the entire surface of the organic protective layer 703a (FIG. 6C).

【0055】次にマスク706を用いて露光、現像(図
6(d))、エッチングにより電極層702aと有機保
護層703aとをパターニングし、ITO透明電極(第
1電極)702cを所望の形状にした(図6(e))。
Next, the electrode layer 702a and the organic protective layer 703a are patterned by exposure using a mask 706, development (FIG. 6D), and etching to form the ITO transparent electrode (first electrode) 702c into a desired shape. (Fig. 6 (e)).

【0056】次に、基板全体をプラズマアッシング及び
UVオゾンで処理し、有機層及び感光性樹脂層を除去し
た(図6(f))。この時ITO透明電極(第1電極)
702c上に有機保護層の残渣703bが一部残ってし
まうことがあるが、上述のような理由によって特に問題
とはならない。
Next, the entire substrate was treated with plasma ashing and UV ozone to remove the organic layer and the photosensitive resin layer (FIG. 6 (f)). At this time, ITO transparent electrode (first electrode)
A part of the residue 703b of the organic protective layer may remain on the layer 702c, but this is not a problem because of the reason described above.

【0057】次に、銅フタロシアニンを物理蒸着法によ
り成膜し、正孔輸送層703cを形成した(図6
(g))。
Next, copper phthalocyanine was deposited by physical vapor deposition to form a hole transport layer 703c (FIG. 6).
(G)).

【0058】次に、正孔注入材料としてトリフェニルア
ミン6量体(TPA−6:分子量1461、融点277
℃、Tg156℃)を物理蒸着法により成膜し、正孔注
入層705を形成した(図7(h))。
Next, as a hole injecting material, triphenylamine hexamer (TPA-6: molecular weight 1461, melting point 277).
C., Tg 156.degree. C.) by a physical vapor deposition method to form a hole injection layer 705 (FIG. 7 (h)).

【0059】次に、発光材料及び電子輸送材料としてト
リス(8−キノリノール)アルミニウム(アルミキノリ
ン錯体)に代表される8−ヒドロキシキノリン金属錯体
を物理蒸着法によって成膜し、電子輸送層を兼ねる発光
層707を形成した(図7(i))。
Next, an 8-hydroxyquinoline metal complex represented by tris (8-quinolinol) aluminum (aluminumquinoline complex) is formed as a light emitting material and an electron transporting material by a physical vapor deposition method to emit light which also serves as an electron transporting layer. A layer 707 was formed (FIG. 7 (i)).

【0060】次に、第2電極パターンに対応する貫通孔
を有するマスクを用い、電子注入層(不図示)としての
Al−Liを物理蒸着法によって成膜し、続いてAl電
極(第2電極)708を物理蒸着法によって成膜した
(図7(j))。
Next, using a mask having a through hole corresponding to the second electrode pattern, Al-Li as an electron injection layer (not shown) is formed by a physical vapor deposition method, and then an Al electrode (second electrode) is formed. ) 708 was deposited by physical vapor deposition (FIG. 7 (j)).

【0061】最後に、封止工程を経て有機EL素子を作
製した。
Finally, an organic EL device was manufactured through a sealing process.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡易な方法で、第1電極のパターン形成時に、レジスト
等の不純物が第1電極上に残ったり第1電極が損傷して
抜け部が生じたりする等により非発光部(ダークスポッ
ト)の成長の核が発生することを防ぎ、高品位且つ高耐
久の有機EL素子の製造が可能となる。
As described above, according to the present invention,
By a simple method, when a pattern of the first electrode is formed, impurities such as a resist remain on the first electrode, or the first electrode is damaged to cause a void portion. It is possible to prevent the generation of nuclei and manufacture a high-quality and highly durable organic EL element.

【0063】また、有機EL素子の複数をアレー状やマ
トリクス状等に配置した構成を有する露光光源や表示装
置等の発光装置においても、本発明の製造方法を実施す
ることにより、ダークスポットの核の少ない、高品位且
つ高耐久の装置が実現される。
Also, in a light emitting device such as an exposure light source or a display device having a structure in which a plurality of organic EL elements are arranged in an array or a matrix, by performing the manufacturing method of the present invention, the core of a dark spot is formed. It is possible to realize a high-quality and high-durability device with less waste.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】有機EL素子がマトリックス状に配置されてい
る有機EL発光装置の一例を示す概略構成図である。
(a)は各画素の配列を示す平面図である。(b)はA
−A’の断面図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an organic EL light emitting device in which organic EL elements are arranged in a matrix.
FIG. 6A is a plan view showing an array of pixels. (B) is A
It is a sectional view of -A '.

【図2】従来の方法により、有機EL素子の第2電極を
形成している様子を模式的に示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing how a second electrode of an organic EL element is formed by a conventional method.

【図3】本発明の有機EL素子の製造方法の第1の実施
形態を示す工程図である。
FIG. 3 is a process drawing showing the first embodiment of the method for manufacturing an organic EL device of the present invention.

【図4】本発明の製造方法を適用できる有機EL表示装
置の一例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of an organic EL display device to which the manufacturing method of the present invention can be applied.

【図5】本発明の製造方法を適用できる有機EL露光光
源の一例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of an organic EL exposure light source to which the manufacturing method of the present invention can be applied.

【図6】本発明の有機EL素子の製造方法の第2の実施
例を示す工程図である。
FIG. 6 is a process drawing showing a second embodiment of the method for manufacturing an organic EL device of the present invention.

【図7】本発明の有機EL素子の製造方法の第2の実施
例を示す工程図である。
FIG. 7 is a process drawing showing a second embodiment of the method for manufacturing an organic EL element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 基板 102 第1電極 103 有機化合物層 104 第2電極 105 画素 201 マスク 202 貫通孔 301 基板 302a 電極層 302c 第1電極 303a 有機保護層 303b 残渣 303c 正孔輸送層 304 感光性樹脂層 305 マスク 306 電子輸送層を兼ねる発光層 307 第2電極 701 ガラス基板 702a 電極層 702c ITO透明電極 703a 有機保護層 703b 残渣 703c 正孔輸送層 704 感光性樹脂層 705 正孔注入層 706 マスク 707 電子輸送層を兼ねる発光層 708 Al電極 101 substrate 102 first electrode 103 Organic compound layer 104 second electrode 105 pixels 201 mask 202 through hole 301 substrate 302a electrode layer 302c First electrode 303a Organic protective layer 303b residue 303c Hole transport layer 304 Photosensitive resin layer 305 mask 306 Light-emitting layer that also functions as an electron-transporting layer 307 Second electrode 701 glass substrate 702a electrode layer 702c ITO transparent electrode 703a Organic protective layer 703b residue 703c Hole transport layer 704 Photosensitive resin layer 705 hole injection layer 706 mask 707 Light-emitting layer also serving as electron-transporting layer 708 Al electrode

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、第1電極と、一または複数の
有機化合物層と、第2電極とが積層された構造を少なく
とも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法であって、 前記基板上に前記第1電極の材料からなる電極層を成膜
し、該電極層の上に前記有機化合物層のうちの前記第1
電極に接する層の材料からなる有機保護層を成膜した後
に、前記電極層にパターン形成を施して前記第1電極を
作製する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法。
1. A method for manufacturing an organic electroluminescence device having at least a structure in which a first electrode, one or a plurality of organic compound layers, and a second electrode are laminated on a substrate, the method comprising: An electrode layer made of the material of the first electrode is formed, and the first of the organic compound layers is formed on the electrode layer.
A method of manufacturing an organic electroluminescence device, comprising: forming an organic protective layer made of a material of a layer in contact with an electrode, and then patterning the electrode layer to produce the first electrode.
【請求項2】 前記電極層は、前記基板上の全面に成膜
することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法。
2. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the electrode layer is formed on the entire surface of the substrate.
【請求項3】 前記有機保護層は、前記電極層表面の全
面に成膜することを特徴とする請求項1又は2に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the organic protective layer is formed on the entire surface of the electrode layer.
【請求項4】 前記電極層及び前記有機保護層の成膜方
法が、前記電極層を真空中で物理蒸着法により成膜した
後に該真空中内で続けて前記有機保護層を成膜する方法
であることを特徴とする請求項1から3のうちのいずれ
か1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。
4. The method of forming the electrode layer and the organic protective layer is a method of forming the electrode layer by a physical vapor deposition method in vacuum and then continuously forming the organic protective layer in the vacuum. 4. The method for manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein
【請求項5】 前記第1電極のパターン形成後に、前記
有機保護層の少なくとも一部を除去することを特徴とす
る請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein at least a part of the organic protective layer is removed after the patterning of the first electrode. Production method.
【請求項6】 前記有機保護層の少なくとも一部を除去
する方法として、ドライエッチング方法を用いることを
特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。
6. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 5, wherein a dry etching method is used as a method for removing at least a part of the organic protective layer.
【請求項7】 基板上に、第1電極と、一又は複数の有
機化合物層と、第2電極とが積層された構造を少なくと
も有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、複数配
列した構成を少なくとも有する有機エレクトロルミネッ
センス発光装置の製造方法であって、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を、請求項1乃
至6のいずれかに記載の製造方法により製造することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製
造方法。
7. An organic electroluminescent device having at least a structure in which a plurality of organic electroluminescent elements having a structure in which a first electrode, one or a plurality of organic compound layers, and a second electrode are laminated on a substrate. It is a manufacturing method of a luminescent light emitting device, Comprising: The said organic electroluminescent element is manufactured by the manufacturing method in any one of Claim 1 thru | or 6, The manufacturing method of the organic electroluminescent light emitting device characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 請求項7に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス発光装置の製造方法を用いたことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス露光光源の製造方法。
8. A method of manufacturing an organic electroluminescence exposure light source, which uses the method of manufacturing an organic electroluminescence light emitting device according to claim 7.
【請求項9】 請求項7に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス発光装置の製造方法を用いたことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
9. A method of manufacturing an organic electroluminescence display device, which uses the method of manufacturing an organic electroluminescence light emitting device according to claim 7.
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