JP2003185635A - Apparatus and method for analyzing heated and desorbed gas using electron attachment mass spectrometry - Google Patents

Apparatus and method for analyzing heated and desorbed gas using electron attachment mass spectrometry

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JP2003185635A
JP2003185635A JP2001381141A JP2001381141A JP2003185635A JP 2003185635 A JP2003185635 A JP 2003185635A JP 2001381141 A JP2001381141 A JP 2001381141A JP 2001381141 A JP2001381141 A JP 2001381141A JP 2003185635 A JP2003185635 A JP 2003185635A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for analyzing heated and desorbed gases capable of easily identifying the types and amount of parent molecules. <P>SOLUTION: In an electron attachment mass spectrometry, a mass spectroscopic part for analyzing the components of the desorbed gases comprises an ionizing chamber and a filament for generating thermoelectrons for ionizing the desorbed gases in the ionizing chamber. A mesh is arranged between the ionizing chamber and the filament. This apparatus is used to ionize the desorbed gases generated from a sample by electron attachment reactions in the ionizing chamber. Electron attachment mass spectrometry is performed through the use of created anions to evaluate the components of the gases desorbed from the sample. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、昇温脱離ガス分析
装置及び分析方法に関するものであり、特に、電子付着
質量分析法を利用した昇温脱離ガス分析装置及び分析方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal desorption gas analyzer and an analytical method, and more particularly to a thermal desorption gas analyzer and an analytical method utilizing electron attachment mass spectrometry. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の昇温脱離ガス分析方法は、脱離ガ
スの分子(AB)を、電子衝撃によって、次式: AB + e → A+ B + 2e 又はAB + e
→ AB+ 2e のようにイオン化する通常の電離過程を利用し、生成し
た正イオンを質量と電荷の比(M/q)により分析し、
試料成分を評価するものである。
2. Description of the Related Art In the conventional thermal desorption gas analysis method, the molecules (AB) of the desorption gas are subjected to electron bombardment to obtain the following formula: AB + e → A + + B + 2e or AB + e.
→ Utilizing the ordinary ionization process of ionization such as AB + + 2e, the generated positive ions are analyzed by the mass-to-charge ratio (M / q),
This is to evaluate the sample components.

【0003】このような昇温脱離ガス分析方法に用いる
昇温脱離ガス分析装置(TDS)とは、一定速度で固体
試料の表面の温度を上昇させながら、表面から脱離する
分子や原子の種類による圧力変化、脱離する分子や原子
の量の変化を測定して、固体表面の吸着分子や原子を同
定したり、その吸着量や吸着状態、表面からの脱離過程
等についての情報を得る分析装置である。このガス分析
装置によれば、温度に対する脱離分子や原子の順序が昇
温脱離スペクトルとして得られ、このスペクトルの形状
や昇温速度を変えた時のスペクトル形状の変化を解析す
ることにより、吸着状態等に関しての知見が得られる。
A thermal desorption gas analyzer (TDS) used in such a thermal desorption gas analysis method is a molecule or atom that is desorbed from the surface of a solid sample while increasing the temperature of the surface of the solid sample at a constant rate. Information on the adsorbed molecules and atoms on the solid surface, the adsorption amount and adsorption state, the desorption process from the surface, etc. by measuring the change in pressure and the amount of desorbed molecules and atoms depending on the type of Is an analyzer for obtaining According to this gas analyzer, the order of desorbed molecules and atoms with respect to temperature is obtained as a thermal desorption spectrum, and by analyzing the shape of this spectrum and the change in the spectral shape when the heating rate is changed, Knowledge about the adsorption state and the like can be obtained.

【0004】従来の昇温脱離ガス分析装置で用いる質量
分析器としては、上記した電離過程を利用して、生成し
た正イオンを分析するものが使用されている。このよう
な装置全体の構成を図1に示す。図1に示すように、赤
外線イメージ炉等の加熱装置1により石英管2内に載置
された試料3を加熱し、試料表面から脱離したガスを質
量分析器4へ導く。質量分析計に付随したフィラメント
5から放出された熱電子が70eV程度に加速され、イ
オン化室6においてガス分子や原子を衝撃し、それらを
正イオン化する。それら正イオンはレンズ系で軌道を収
束された後、四重極質量分析計の場合には、四重極柱7
へ導かれ、質量/電荷の比に応じて質量分離される。質
量分離された正イオンは2次電子増倍管8でその電流値
が増幅され、制御・計測器9で計測される。
As a mass spectrometer used in a conventional thermal desorption gas analyzer, one which analyzes the generated positive ions by utilizing the above-mentioned ionization process is used. The configuration of such an entire apparatus is shown in FIG. As shown in FIG. 1, the sample 3 placed in the quartz tube 2 is heated by the heating device 1 such as an infrared image furnace, and the gas desorbed from the sample surface is guided to the mass spectrometer 4. The thermoelectrons emitted from the filament 5 attached to the mass spectrometer are accelerated to about 70 eV, bombard gas molecules and atoms in the ionization chamber 6, and positively ionize them. After the positive ions have their orbits converged by the lens system, in the case of a quadrupole mass spectrometer, the quadrupole column 7
And are mass separated according to the mass / charge ratio. The current value of the mass-separated positive ions is amplified by the secondary electron multiplier 8 and measured by the control / measurement device 9.

【0005】また、このような質量分析器におけるイオ
ン化室の要部の構成の一例を図2に示す。図2におい
て、図1と同様な構成要素は同じ符号を付けてある。図
2に示すように、真空雰囲気中に配設されたイオン化室
6は10Vに、また、フィラメント5は−60Vに設定
され、フィラメントから放出された熱電子は加速され、
イオン化室においては70eVとなる。この電子衝撃に
より試料からの放出ガス分子、原子が正イオン化され、
四重極柱7へ運ばれ、質量分析される。図2中、10は
レンズ系、11は真空容器壁を示す。
FIG. 2 shows an example of the structure of the main part of the ionization chamber in such a mass spectrometer. 2, the same components as those in FIG. 1 have the same reference numerals. As shown in FIG. 2, the ionization chamber 6 arranged in a vacuum atmosphere is set to 10 V, the filament 5 is set to −60 V, and the thermoelectrons emitted from the filament are accelerated,
It becomes 70 eV in the ionization chamber. Due to this electron impact, the gas molecules and atoms released from the sample are positively ionized,
It is carried to the quadrupole column 7 and subjected to mass spectrometry. In FIG. 2, 10 is a lens system and 11 is a vacuum vessel wall.

【0006】従来から、半導体装置の製造において、例
えば、基板の表面に成膜された膜中に含まれている不純
物等を分析するために、上記したような昇温脱離ガス分
析装置が用いられている。この昇温脱離ガス分析装置
は、上記したように、真空チャンバ内で試料を高温度に
加熱し、質量分析器により膜中から脱離したガスを分析
するものである。すなわち、加熱により熱エネルギーを
得た試料表面近傍の吸着分子や原子は、吸着力の弱いも
のから順に試料表面から脱離する。このガス分子の脱離
は真空チャンバ内の圧力上昇により検知できる。かくし
て脱離したガス分子を質量分析することにより、試料表
面の吸着状態、表面吸着ガス、試料膜内に含まれている
不純物等の情報を得、半導体装置製造プロセスの評価を
行うことができる。
Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, for example, in order to analyze impurities contained in a film formed on the surface of a substrate, the above-mentioned thermal desorption gas analyzer is used. Has been. As described above, this temperature-programmed desorption gas analyzer heats the sample to a high temperature in the vacuum chamber and analyzes the gas desorbed from the film by the mass spectrometer. That is, the adsorbed molecules and atoms in the vicinity of the surface of the sample that have obtained heat energy by heating are desorbed from the surface of the sample in order from the one having the weakest adsorption force. This desorption of gas molecules can be detected by a pressure increase in the vacuum chamber. By mass spectrometric analysis of the gas molecules thus desorbed, it is possible to obtain information on the adsorption state of the sample surface, surface adsorption gas, impurities contained in the sample film, etc., and evaluate the semiconductor device manufacturing process.

【0007】例えば、プラズマプロセス装置をプラズマ
エッチング装置として使用する場合には、一般に、塩素
や臭素等のハロゲン原子を含んだガスを装置内にエッチ
ャントとして導入し、高周波放電によりプラズマを発生
させ、プラズマ発生領域からハロゲンをラジカル又はイ
オンとして基板に照射してエッチングが行われる。この
場合、半導体装置における金属膜や絶縁膜等のハロゲン
系ガスによるプラズマエッチングでは、エッチング後の
基板表面に分子レベルでのハロゲン化物その他の物質が
残留する。この残留ハロゲン化物はデバイス特性に悪影
響を与えるため、基板表面におけるハロゲン化物残留の
有無を検査することが必要になる。そのために、昇温脱
離ガス分析装置が用いられている。
For example, when a plasma process apparatus is used as a plasma etching apparatus, a gas containing a halogen atom such as chlorine or bromine is generally introduced into the apparatus as an etchant to generate plasma by high frequency discharge, thereby generating plasma. Etching is performed by irradiating the substrate with halogen as radicals or ions from the generation region. In this case, in plasma etching with a halogen-based gas such as a metal film or an insulating film in a semiconductor device, a halide or other substance at a molecular level remains on the substrate surface after etching. Since this residual halide adversely affects the device characteristics, it is necessary to inspect for the presence of residual halide on the substrate surface. Therefore, a thermal desorption gas analyzer is used.

【0008】従来の昇温脱離ガス分析装置を用いて行う
脱離ガス分子の同定は、電子衝撃(例えば、70eV)
によりこのガス分子をイオン化し、上記電離過程を経て
生成した正イオン種(A及びAB)を、例えば四重
極質量分析計のような質量分析器で同定することにより
なされている。この場合、一般に、電子衝撃によりガス
分子が解離して複数の正イオン種が生成されるため、測
定された複数の正イオン種から元の親分子を推定するこ
とになる。親分子が1種類しかない場合には、「親分子
から生成される正イオンの種類とそれらの相対量」に関
する公知のデータベース(NIST(National Institute o
fStandards and Technology)のChemistry WebBook(htt
p://webbook.nist.go/chemistry/))があるので、それ
を用いて親分子を推定することは容易である。
Identification of desorbed gas molecules using a conventional thermal desorption gas analyzer is performed by electron impact (for example, 70 eV).
This gas molecule is ionized by the above, and the positive ion species (A + and AB + ) generated through the above ionization process are identified by a mass analyzer such as a quadrupole mass spectrometer. In this case, generally, the gas molecules are dissociated by electron impact to generate a plurality of positive ion species, and therefore the original parent molecule is estimated from the measured plurality of positive ion species. When there is only one kind of parent molecule, there is a known database (NIST (National Institute
fStandards and Technology) Chemistry WebBook (htt
p: //webbook.nist.go/chemistry/)), it is easy to estimate the parent molecule using it.

【0009】しかるに、昇温脱離ガス分析では、一般
に、複数種のガス分子が試料表面から脱離するので、そ
れらガス分子から生成された多数の正イオン種を測定
し、上記公知のデータベースから元の複数種の親分子の
種類と量とを推定しなければならない。この場合、測定
された多数の正イオン種を任意に組み合わせて、上記デ
ータベースから各親分子の種類を推定して、取り敢えず
仮定する。次いで、それぞれのイオン種の断面積が既知
ならば、各正イオン種の量に関して、各親分子の量を未
知数とした連立1次方程式を立て、これを解いて各親分
子の量を得る。実際には、各親分子の種類と量を仮定し
たときの質量スペクトルを上記データベースを用いて求
め、これを実際に測定された質量スペクトルと比較す
る。そして、それらの種類と量とを変えながら測定結果
に最も近くなるように、各親分子の種類と量とを決め
る。
In the thermal desorption gas analysis, however, a plurality of types of gas molecules are generally desorbed from the surface of the sample. Therefore, a large number of positive ion species generated from these gas molecules are measured and the above-mentioned known database is used. The types and amounts of the original multiple parent molecules must be estimated. In this case, the number of measured positive ion species is arbitrarily combined, the type of each parent molecule is estimated from the above database, and the assumption is made for the time being. Next, if the cross-sectional area of each ionic species is known, a simultaneous linear equation with the amount of each parent molecule as an unknown number is established for the amount of each positive ion species, and this is solved to obtain the amount of each parent molecule. In practice, a mass spectrum assuming the type and amount of each parent molecule is obtained using the above database, and this is compared with the actually measured mass spectrum. Then, the type and amount of each parent molecule are determined so as to be closest to the measurement result while changing the type and amount thereof.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、上記したように、各親分子の種類を推定し、
仮定するのに、また、最終的に親分子の種類と量とを求
めるのに煩雑な作業を要するという問題があった。その
ために、例えば、半導体装置の製造プロセス等におい
て、リアルタイムに分析結果を利用することは困難であ
るという問題がある。本発明の課題は、上記従来技術の
問題点を解決することにあり、親分子の種類と量とを簡
単に同定することが可能な昇温脱離ガス分析装置及び分
析方法を提供することにある。
However, in the conventional method, as described above, the type of each parent molecule is estimated,
However, there is a problem in that complicated work is required to make a hypothesis and finally determine the type and amount of the parent molecule. Therefore, for example, in a semiconductor device manufacturing process, it is difficult to use the analysis result in real time. An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a thermal desorption gas analyzer and an analysis method capable of easily identifying the type and amount of a parent molecule. is there.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、昇温脱離
ガス分析において、簡単な作業で親分子の種類と量を同
定するための装置及び方法に関し鋭意研究を行ってき
た。その結果、解離性電離過程を経て解離される正イオ
ン種を測定の対象とするのではなく、解離性電子付着過
程を経て解離される負イオン種を測定の対象とすること
により、試料からの脱離ガスをイオン化して得られた各
イオンの親分子の種類と量とを極めて容易に同定するこ
とに成功し、本発明を完成するに至った。
[Means for Solving the Problems] The inventors of the present invention have conducted extensive studies on an apparatus and a method for identifying the type and amount of a parent molecule by a simple operation in the thermal desorption gas analysis. As a result, the target of measurement is not the positive ion species dissociated through the dissociative ionization process, but the target of measurement is the negative ion species dissociated through the dissociative electron attachment process. We succeeded in identifying the kind and amount of the parent molecule of each ion obtained by ionizing the desorbed gas extremely easily, and completed the present invention.

【0012】本発明では、脱離ガスの分子(AB)を、
電子衝撃によって、次式: AB + e → (AB) → AB → A + B のように解離してイオン化する解離性電子付着過程を利
用し、この電子付着反応で生成された負イオンを測定す
ることにより、各イオンの親分子の種類や量を同定す
る。
In the present invention, the molecules (AB) of the desorbed gas are
By the electron impact, the dissociative electron attachment process of dissociating and ionizing as in the following formula: AB + e → (AB ) * → AB → A + B is used to generate a negative electron attachment reaction. By measuring the ions, the type and amount of the parent molecule of each ion is identified.

【0013】本発明の昇温脱離ガス分析装置は、試料を
昇温加熱して脱離ガスを発生させるための加熱部と、該
試料から発生した脱離ガスの成分を分析するための電子
付着質量分析部とを備えた昇温脱離ガス分析装置であっ
て、該電子付着質量分析部のイオン化室とフィラメント
との間にメッシュが配置されていることからなる。該電
子付着質量分析部は、真空室内に配設されたイオン化室
と、該イオン化室内で該脱離ガスをイオン化するための
熱電子を発生するフィラメントとを有する電子付着質量
分析器であり、該イオン化室とフィラメントとの間にメ
ッシュが配置されていることからなる。
The temperature programmed desorption gas analyzer of the present invention comprises a heating section for heating a sample to generate a desorption gas and an electron for analyzing a component of the desorption gas generated from the sample. A thermal desorption gas analyzer including an attached mass analysis unit, wherein a mesh is arranged between an ionization chamber of the electron attachment mass analysis unit and a filament. The electron attachment mass spectrometer is an electron attachment mass analyzer having an ionization chamber arranged in a vacuum chamber and a filament that generates thermoelectrons for ionizing the desorbed gas in the ionization chamber, A mesh is arranged between the ionization chamber and the filament.

【0014】上記メッシュは、フィラメントより十分高
い電位をフィラメントとイオン化室との間の空間に作れ
るようなものであればよい。そのため、あまり目の粗い
メッシュではいけない。メッシュの網の目の中心の空間
の電位の場合、メッシュを構成するワイヤーの電位とは
異なり、目があまりに粗いと空間に高い電位を作れない
からである。また、メッシュの大きさは、フィラメント
とイオン化室との空間をカバーしていれば良く、その配
置位置は、フィラメントとイオン化室との間であれば特
に制限はない。
The above mesh may be any mesh that can generate a potential sufficiently higher than that of the filament in the space between the filament and the ionization chamber. Therefore, the mesh should not be so coarse. This is because, in the case of the electric potential of the space at the center of the mesh net, unlike the electric potential of the wires forming the mesh, if the eyes are too coarse, a high electric potential cannot be created in the space. Further, the size of the mesh is sufficient as long as it covers the space between the filament and the ionization chamber, and the arrangement position is not particularly limited as long as it is between the filament and the ionization chamber.

【0015】本発明の昇温脱離ガス分析方法は、試料を
昇温加熱して脱離ガスを発生させ、該試料から発生した
脱離ガスをイオン化室でイオン化し、生成したイオンを
用いて試料からの脱離ガスの成分を分析する昇温脱離ガ
ス分析方法において、該試料から発生した脱離ガスをイ
オン化室で電子付着反応によりイオン化して負イオンを
生成せしめ、生成した負イオンを用いて電子付着質量分
析し、脱離ガスの成分を評価することからなる。この分
析方法は、上記昇温脱離ガス分析装置を用いて、電子付
着質量分析法により、試料から脱離したガスをイオン化
して生成せしめた負イオンを分析し、脱離ガス成分を評
価することにより行われる。
The temperature-programmed desorption gas analysis method of the present invention comprises heating a sample to heat it to generate a desorption gas, ionizing the desorption gas generated from the sample in an ionization chamber, and using the generated ions. In the temperature programmed desorption gas analysis method for analyzing the components of the desorbed gas from the sample, the desorbed gas generated from the sample is ionized by an electron attachment reaction in the ionization chamber to generate negative ions, and the generated negative ions are Electron attachment mass spectrometry is used to evaluate the components of the desorbed gas. This analysis method uses the above-mentioned temperature programmed desorption gas analyzer to analyze the negative ions produced by ionizing the gas desorbed from the sample by electron attachment mass spectrometry to evaluate the desorbed gas components. It is done by

【0016】本発明によれば、上記したようにイオン化
室とフィラメントとの間に所定のメッシュが配置されて
いるので、電子はフィラメントから抜け出ることが可能
となり、所期の目的を達成することができる。メッシュ
を配置して、その電位をフィラメントの電位より高くな
るように設定しているので、イオン化室での電子エネル
ギーを下げるために、フィラメントとイオン化室との電
位差を小さくした場合でも電子はフィラメントから抜け
出てメッシュに向かう。
According to the present invention, since the predetermined mesh is arranged between the ionization chamber and the filament as described above, electrons can escape from the filament, and the intended purpose can be achieved. it can. Since the mesh is arranged and the potential is set to be higher than the potential of the filament, in order to reduce the electron energy in the ionization chamber, even if the potential difference between the filament and the ionization chamber is made small Get out and head for the mesh.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明の昇温脱離ガス分析装置を
用いて行う分析方法の一実施の形態を、以下、図3に示
すフローチャートを参照して説明する。分析装置として
は、図1の装置において、図4に示すようにフィラメン
ト41とイオン化室42との間にメッシュ43を配置し
たものを用いる。赤外線イメージ炉等の加熱装置により
試料を加熱し、試料表面から脱離したガスを電子付着質
量分析法により分析する。昇温脱離分析なので試料温度
を上昇させながら、電子付着質量分析を行うことにな
る。電子付着質量分析では電子エネルギーを掃引する必
要があり、また、複数の負イオン種が観測される可能性
があるので、全ての負イオン種を測定するには質量分析
計の設定質量も掃引する必要がある。このときの測定の
手順の一例が図3のフローチャートに示されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of an analysis method using the thermal desorption gas analyzer of the present invention will be described below with reference to the flowchart shown in FIG. As the analyzer, the analyzer of FIG. 1 in which a mesh 43 is arranged between the filament 41 and the ionization chamber 42 as shown in FIG. 4 is used. The sample is heated by a heating device such as an infrared image furnace, and the gas desorbed from the sample surface is analyzed by electron attachment mass spectrometry. Since the temperature programmed desorption analysis is performed, electron attachment mass spectrometry is performed while increasing the sample temperature. In electron attachment mass spectrometry, electron energy must be swept, and multiple negative ion species may be observed, so the mass spectrometer setting mass is also swept to measure all negative ion species. There is a need. An example of the measurement procedure at this time is shown in the flowchart of FIG.

【0018】しかし、以下の実施例1で述べるように、
フルオロカーボンガスの場合には、Fの信号のピーク
位置(電子エネルギー値)から親分子が同定できるの
で、設定質量を掃引せず、m/qを19に設定したまま
でFの信号のみを測定すればよい。また、複数種の負
イオンを計測する場合でも、負イオン種は限られている
ので、質量数の掃引は負イオン種が存在し得る質量数の
み離散的に行えばよい。Fのみ測定する場合を例にと
り、以下具体的に述べる。図3に示すように、測定は試
料温度が室温から始め、質量分析計の設定質量数を19
にしておき、電子エネルギーを0eVから10eVまで
掃引し、Fのイオン電流の信号を計測器につないだコ
ンピュータに取り込む。この電子エネルギーの掃引とイ
オン電流の信号の取り込みとを、試料温度を上げながら
繰り返し行う。電子エネルギーの掃引と加熱装置の制御
もコンピュータで行う。試料温度が設定した最大温度に
達した時点で測定は終了する。電子エネルギーの掃引
は、フィラメントの電位を掃引することで行う。イオン
化室電位を−5V、メッシュ電位を0Vとして、フィラ
メント電位を−5Vから−15Vに掃引することで、イ
オン化室内での電子エネルギーが0eVから10eVと
なる。
However, as described in Example 1 below,
In the case of fluorocarbon gas, since the parent molecule can be identified from the peak position (electron energy value) of the F signal, the set mass is not swept, and only the F signal is set while m / q is set to 19. Just measure. Further, even when measuring a plurality of types of negative ions, the number of negative ion species is limited, and therefore the sweep of the mass number may be performed discretely only for the mass number at which the negative ion species can exist. The case of measuring only F will be specifically described below. As shown in FIG. 3, the measurement starts at room temperature and the mass number set in the mass spectrometer is set to 19
Then, the electron energy is swept from 0 eV to 10 eV, and the signal of the ion current of F is taken into the computer connected to the measuring instrument. The sweeping of the electron energy and the capturing of the ion current signal are repeatedly performed while raising the sample temperature. The computer also controls the sweeping of electron energy and the heating device. The measurement ends when the sample temperature reaches the set maximum temperature. The electron energy is swept by sweeping the electric potential of the filament. By sweeping the filament potential from -5 V to -15 V with the ionization chamber potential of -5 V and the mesh potential of 0 V, the electron energy in the ionization chamber becomes 0 eV to 10 eV.

【0019】この測定により、試料温度Tと電子エネル
ギーEとを変数とした関数としてFのイオン電流値
F−(T,E)がコンピュータに取り込まれることに
なる。T,Eをx、y軸にIF−をz軸に3次元プロ
ットすることで、IF−のT,Eへの依存性が見て取
れる。Eに対するIF−のピーク位置から親分子が決
定され、そのIF−のピーク高さのTに対する変化か
ら、試料表面から脱離する親分子の脱離量の温度変化、
すなわち、脱離分子種が同定された昇温脱離スペクトル
が簡単に得られる。
[0019] By this measure, F and sample temperature T and electron energy E e as a function with a variable - so that the ion current value I F- (T, E e) is taken into the computer. By three-dimensionally plotting T and E e on the x and y axes and I F− on the z axis, the dependence of I F − on T and E e can be seen. The parent molecule is determined from the peak position of I F − with respect to E e, and the temperature change of the desorption amount of the parent molecule desorbed from the sample surface from the change of the peak height of the I F − with respect to T.
That is, a temperature programmed desorption spectrum in which a desorption molecular species is identified can be easily obtained.

【0020】[0020]

【実施例】(実施例1)昇温脱離ガス分析装置として、
従来の装置において、イオン化室とフィラメントとの間
にメッシュを配置したものを用いて、脱離ガスの分析を
行った。図4に、本実施例で用いる装置におけるイオン
化源の構造と電位配分の要部を示す。試料から脱離した
ガス分子の分析は、図4に示すように、フィラメント4
1とイオン化室42との間にメッシュ43を配置してあ
る電子付着質量分析器を用いて行った。生成する負イオ
ンをモニターするため、イオン化室の電位はQポールの
中心電位(0eV)より下げ、−5Vとし、メッシュ電
位は0Vとした。また、フィラメント電位を−5Vまで
掃引した。すなわち、イオン化室での電子エネルギーを
0eVまで掃引した。その場合でも、フィラメントより
メッシュの電位の方が電位が高いので、電子はフィラメ
ントから安定して抜け出た。なお、イオン化室への電子
電流をモニターしておき、後で測定結果を補正した。
Example (Example 1) As a thermal desorption gas analyzer,
The desorbed gas was analyzed using a conventional device in which a mesh was placed between the ionization chamber and the filament. FIG. 4 shows the structure of the ionization source and the main part of potential distribution in the apparatus used in this example. Analysis of the gas molecules desorbed from the sample was performed using the filament 4
1 using an electron attachment mass spectrometer having a mesh 43 arranged between the ionization chamber 42 and the ionization chamber 42. In order to monitor the generated negative ions, the potential of the ionization chamber was set to -5 V below the center potential (0 eV) of the Q pole, and the mesh potential was set to 0 V. Also, the filament potential was swept to -5V. That is, the electron energy in the ionization chamber was swept up to 0 eV. Even in that case, the potential of the mesh was higher than that of the filament, so that the electrons stably escaped from the filament. The electron current to the ionization chamber was monitored and the measurement result was corrected later.

【0021】ガス分析部の質量分析器での透過可能な質
量数を「電子付着過程で生成される負イオンの質量数」
に設定しておき、イオン化源のイオン化室12における
電子の運動エネルギーを0から10eV程度まで掃引し
た。一般に、0〜10eV程度のエネルギー領域で起こ
る解離性電子付着過程では、数eVに断面積のピークが
あり、そのピークの位置(電子エネルギー)は親分子の
種類により異なる。例えば、CFから解離性電子付着
過程によりFが生成される断面積は6.7eVにピー
クを持ち、CからFが生成される断面積は3.
9eVにピークを持つ。従って、質量分析器の質量数を
19に、すなわち、Fに設定し、イオン電流をモニタ
ーしながら電子エネルギーを掃引したときに、3.9e
Vと6.7eVとにピークがあれば、分析されるガス中
にはCとCFとが存在することが分かり、煩雑
な作業の必要もなく、正確に元の親分子の同定が可能に
なる。また、断面積の値が既知ならば、それらの量も正
確に導出できるので、プロセス中に存在し得る化合物の
標準物質を用いて、そのようなデータベースを作成して
おけば、種類のみならず、正確な量も同定することがで
きる。
The mass number that can be transmitted by the mass analyzer of the gas analyzer is defined as "mass number of negative ions generated in the electron attachment process".
The kinetic energy of electrons in the ionization chamber 12 of the ionization source was swept from 0 to 10 eV. Generally, in the dissociative electron attachment process that occurs in the energy region of about 0 to 10 eV, there is a peak of the cross-sectional area at several eV, and the position of the peak (electron energy) differs depending on the type of parent molecule. For example, the cross-sectional area of F generated from CF 4 by the dissociative electron attachment process has a peak at 6.7 eV, and the cross-sectional area of F generated from C 2 F 6 is 3.
It has a peak at 9 eV. Therefore, when the mass number of the mass spectrometer is set to 19, that is, F , and the electron energy is swept while monitoring the ion current, 3.9e
If there are peaks at V and 6.7 eV, it can be understood that C 2 F 6 and CF 4 are present in the gas to be analyzed, and the original parent molecule can be accurately identified without the need for complicated work. Will be possible. Also, if the values of the cross-sectional areas are known, their amounts can also be accurately derived, so if such a database is created using standard substances of compounds that may be present in the process, not only the types but also the types can be obtained. , The exact amount can also be identified.

【0022】例えば、C、n−C10、i−
10、n−C12、及びn−C14につ
いては、それぞれ、2.9、2.65、1.85及び
3.7、2.5及び3.8、並びに3.45eVにピー
クがある(例えば、S. M. Spyrou, I. Sauers and L. G.
Christphorou: J. Chem. Phys. 78, 7200 (1983)、S.
R. Hunter and L. G. Christphorou: J. Chem. Phys. 8
9, 6150 (1984)参照)ので、解離性電子付着過程で生成
した負イオン種Fのピークがこれらの値にあれば、親
分子の種類を容易に同定することができる。
For example, C 3 F 8 , n-C 4 F 10 , i-
C 4 F 10, the n-C 5 F 12 and n-C 6 F 14, respectively, 2.9,2.65,1.85 and 3.7,2.5 and 3.8, and 3 There is a peak at .45 eV (eg SM Spyrou, I. Sauers and LG
Christphorou: J. Chem. Phys. 78, 7200 (1983), S.
R. Hunter and LG Christphorou: J. Chem. Phys. 8
9, 6150 (1984)), if the peak of the negative ion species F generated in the dissociative electron attachment process is at these values, the type of parent molecule can be easily identified.

【0023】なお、分子量の大きい、電子親和力が正の
分子では非解離性の電子付着が起き、負イオンが生成す
る。例えば、SFでは電子エネルギーがほぼ0eVで
SF のみが生成される。従って、このような場合に
は親分子の特定はさらに容易である。以上のように、電
子衝撃の際の電子エネルギーを従来の値(従来の電子エ
ネルギー:例えば、70eV)より下げ、負イオンをモ
ニターすることで、昇温脱離ガス分析において従来は極
めて困難であった脱離ガス分子種の同定が簡単に行える
ようになった。
It should be noted that the molecular weight is large and the electron affinity is positive.
In the molecule, non-dissociative electron attachment occurs and negative ions are generated.
It For example, SF6Then the electron energy is almost 0 eV
SF 6 Only generated. Therefore, in such cases
It is easier to identify the parent molecule. As mentioned above,
The electron energy at the time of child impact is
Energy: For example, lower than 70 eV) to reduce negative ions.
Nitration has made it possible to use conventional methods for thermal desorption gas analysis.
Easy identification of desorbed gas molecular species
It became so.

【0024】(実施例2)実施例1記載の方法に準じて
酸素ガスから解離性電子付着により生成されたO を測
定した例を以下に示す。すなわち、図4に示すように、
フィラメント411とイオン化室42との間にメッシュ
43を配置して電子付着質量分析計を用いて行った。生
成する負イオンをモニターするため、イオン化室の電位
はQポールの中心電位(0eV)より下げ、−5Vとし
た。また、フィラメント電位を−5Vまで掃引した。メ
ッシュ電位を0Vとして、フィラメント電位より常に高
くしているので、イオン化室での電子エネルギーが0e
Vとなる状況下でも、電子はフィラメントから抜け出
た。なお、イオン化室への電子電流をモニターしてお
き、後で測定結果を補正した。
(Example 2) According to the method described in Example 1.
O generated by dissociative electron attachment from oxygen gas Measure
An example is shown below. That is, as shown in FIG.
A mesh between the filament 411 and the ionization chamber 42
43 was placed and performed using an electron attachment mass spectrometer. Raw
The potential of the ionization chamber to monitor the negative ions formed
Is lower than the center potential (0eV) of the Q pole and is -5V
It was Also, the filament potential was swept to -5V. Me
With the ground potential at 0 V, it is always higher than the filament potential.
Since it has been set, the electron energy in the ionization chamber is 0e.
Even under the condition of V, the electrons escape from the filament.
It was In addition, monitor the electron current to the ionization chamber.
Then, the measurement result was corrected later.

【0025】図5は、質量分析器の質量数を16に、そ
して負イオン測定モードに設定しておき、電子衝撃のエ
ネルギー(eV)を変化させたときのOのイオン電流値
(CPS:カウント/秒)の変化を示すグラフである。そ
の際の測定条件は、Ei(イオン化室電位)=−5V;
Ef(イオン化室の下に配置したフォーカス電極の電
位)=−5V;Em(メッシュ電位)=0V;Vsem
(2次電子増倍管の電位)=−2kV;Vcon(コン
バージョンダイノード電圧)=+3.0kV;If(フ
ィラメント電流)=2.52A、フィラメント両端間電
圧=約3.05V、この時の電子エネルギー6.5eV
で、フィラメントから抜け出る電子電流が0.09mA
で、イオン化室の壁に流入する電子電流が0.021m
Aであった。);酸素分圧=1.9e−5Torr;B
G(バックグラウンドの圧力)=1e−6Torrであ
る。酸素における解離性電子付着の断面積は、電子エネ
ルギーが6.5eVでピークを持つことが知られてお
り、図5に示した通り、測定結果はそれに一致してい
る。このことから逆に、Oをモニターした時に6.5
eVにピークが現れれば、元の親分子はOであると同
定することができる。
[0025] Figure 5 is a mass number of 16 mass analyzer, and may be set to a negative ion measurement mode, O when changing the energy (eV) of the electron impact - the ion current value
It is a graph which shows the change of (CPS: count / second). The measurement condition at that time is Ei (ionization chamber potential) = − 5 V;
Ef (potential of the focus electrode arranged under the ionization chamber) =-5V; Em (mesh potential) = 0V; Vsem
(Potential of secondary electron multiplier) =-2 kV; Vcon (conversion dynode voltage) = + 3.0 kV; If (filament current) = 2.52 A, voltage across filament = about 3.05 V, electron energy at this time 6.5 eV
And the electron current out of the filament is 0.09mA
Then, the electron current flowing into the wall of the ionization chamber is 0.021 m
It was A. ); Oxygen partial pressure = 1.9e-5 Torr; B
G (background pressure) = 1e-6 Torr. The cross-sectional area of dissociative electron attachment in oxygen is known to have a peak at an electron energy of 6.5 eV, and as shown in FIG. 5, the measurement results agree with it. From this, conversely, when O was monitored, 6.5
If a peak appears at eV, the original parent molecule can be identified as O 2 .

【0026】また、フルオロカーボンガスでは、F
CF などの負イオンが解離性電子付着で生成される
ので、電子エネルギーに対するそれらのイオン電流のピ
ークを測定し、この測定値を文献値と比較することによ
り解離前の元の親分子を同定できる。なお、非解離性電
子付着では電子エネルギーを0eVまで下げる必要があ
るが、その場合でもフィラメントから電子が安定して抜
け出るように、フィラメントとイオン化室の間にメッシ
ュを入れ、フィラメントより高い電位を与えれば、解離
性電子付着の場合と同様に実施できる。
In the case of fluorocarbon gas, F ,
Since negative ions such as CF 3 are generated by dissociative electron attachment, the peaks of their ion currents with respect to electron energy are measured, and the measured values are compared with literature values to determine the original parent molecule before dissociation. Can be identified. In non-dissociative electron attachment, it is necessary to reduce the electron energy to 0 eV, but even in that case, a mesh is inserted between the filament and the ionization chamber so that the electrons can stably escape from the filament, and a higher potential than that of the filament is applied. For example, it can be carried out as in the case of dissociative electron attachment.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明の昇温脱離ガス分析装置によれ
ば、イオン化室とフィラメントの間にメッシュが配置さ
れているので、このメッシュにフィラメントより高い電
位を与えることで、低エネルギー電子の安定な発生と供
給が可能になるという効果を奏する。本発明の昇温脱離
ガス分析方法によれば、ガス分析に電子付着質量分析法
を利用して、電子付着過程を経て解離される負イオン種
を測定の対象としているので、試料からの脱離ガスをイ
オン化して得られた各イオンの複数種の親分子の種類と
量とを極めて簡単な作業で容易に同定することができる
という効果を奏する。
According to the thermal desorption gas analyzer of the present invention, since the mesh is arranged between the ionization chamber and the filament, by applying a higher potential to the mesh than the filament, low energy electron This has the effect of enabling stable generation and supply. According to the thermal desorption gas analysis method of the present invention, the negative ion species dissociated through the electron attachment process is used as the measurement target by utilizing the electron attachment mass spectrometry for gas analysis. It is possible to easily identify the types and amounts of a plurality of types of parent molecules of each ion obtained by ionizing the separated gas with an extremely simple operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 従来の昇温脱離ガス分析装置の全体の構成を
模式的に示す構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing the overall configuration of a conventional thermal desorption gas analyzer.

【図2】 従来の昇温脱離ガス分析装置で用いるイオン
化室の要部の構成を模式的に示す構成図。
FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a configuration of a main part of an ionization chamber used in a conventional thermal desorption gas analyzer.

【図3】 本発明の昇温脱離ガス分析方法の一実施の形
態を示すフローチャート。
FIG. 3 is a flowchart showing an embodiment of a thermal desorption gas analysis method of the present invention.

【図4】 本発明の昇温脱離ガス分析装置における質量
分析器のイオン化源の構造と電位配分の要部を示す説明
図。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a structure of an ionization source of a mass spectrometer and a main part of potential distribution in the thermal desorption gas analyzer of the present invention.

【図5】 酸素での解離性電子付着過程で生成されたO
の信号(イオン電流)の電子エネルギーへの依存性を
示すグラフ。
FIG. 5: O generated in the dissociative electron attachment process with oxygen
The graph which shows the dependence of the signal (ion current) of-on electron energy.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 加熱装置 2 石英管 3 試料 4 質量分析器 5 フィラメント 6 イオン化室 7 四重極柱 8 2次電子増
倍管 9 制御・計測器 10 レンズ系 11 真空容器壁 41 フィラメ
ント 42 イオン化室 43 メッシュ
1 Heating Device 2 Quartz Tube 3 Sample 4 Mass Spectrometer 5 Filament 6 Ionization Chamber 7 Quadrupole Column 8 Secondary Electron Multiplier Tube 9 Control / Measuring Instrument 10 Lens System 11 Vacuum Vessel Wall 41 Filament 42 Ionization Chamber 43 Mesh

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森川 泰宏 静岡県裾野市須山1220−1 株式会社アル バック半導体技術研究所内 Fターム(参考) 5C038 EE03 EF26 GG01 GH02 GH06 5F004 CB04    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yasuhiro Morikawa             1220-1 Suyama, Susono City, Shizuoka Al             Back Semiconductor Technology Laboratory F-term (reference) 5C038 EE03 EF26 GG01 GH02 GH06                 5F004 CB04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料を昇温加熱して脱離ガスを発生させ
るための加熱部と、該試料から発生した脱離ガスの成分
を分析するための電子付着質量分析部とを備えた電子付
着質量分析法を利用した昇温脱離ガス分析装置であっ
て、該電子付着質量分析部のイオン化室とフィラメント
との間にメッシュが配置されていることを特徴とする昇
温脱離ガス分析装置。
1. An electron attachment device comprising: a heating unit for heating a sample to generate a desorption gas; and an electron attachment mass spectrometric unit for analyzing a component of the desorption gas generated from the sample. A thermal desorption gas analyzer utilizing mass spectrometry, characterized in that a mesh is arranged between an ionization chamber and a filament of the electron attachment mass spectrometry unit. .
【請求項2】 試料を昇温加熱して脱離ガスを発生させ
るための加熱部と、該試料から発生した脱離ガスの成分
を分析するための質量分析部とを備えた昇温脱離ガス分
析装置において、該質量分析部は、真空室内に配設され
たイオン化室と、該イオン化室内で該脱離ガスをイオン
化するための熱電子を発生するフィラメントとを有する
電子付着質量分析器であり、該イオン化室とフィラメン
トとの間にはメッシュが配置されていることを特徴とす
る昇温脱離ガス分析装置。
2. A thermal desorption system comprising: a heating unit for heating a sample to heat it to generate a desorbed gas; and a mass spectrometric unit for analyzing components of the desorbed gas generated from the sample. In the gas analyzer, the mass spectrometer is an electron attachment mass spectrometer having an ionization chamber arranged in a vacuum chamber and a filament that generates thermoelectrons for ionizing the desorbed gas in the ionization chamber. A thermal desorption gas analyzer, wherein a mesh is arranged between the ionization chamber and the filament.
【請求項3】 試料を昇温加熱して脱離ガスを発生さ
せ、該試料から発生した脱離ガスをイオン化室でイオン
化し、生成したイオンを用いて試料からの脱離ガスの成
分を分析する昇温脱離ガス分析方法において、該試料か
ら発生した脱離ガスをイオン化室で電子付着反応により
イオン化して負イオンを生成せしめ、生成した負イオン
を用いて電子付着質量分析を行い、脱離ガスの成分を評
価することを特徴とする昇温脱離ガス分析方法。
3. A sample is heated and heated to generate a desorbed gas, the desorbed gas generated from the sample is ionized in an ionization chamber, and the generated ions are used to analyze the components of the desorbed gas from the sample. In the thermal desorption gas analysis method described above, the desorption gas generated from the sample is ionized by an electron attachment reaction in an ionization chamber to generate negative ions, and the generated negative ions are subjected to electron attachment mass spectrometry to remove the ions. A thermal desorption gas analysis method, characterized in that the components of the released gas are evaluated.
【請求項4】 請求項1又は2記載の昇温脱離ガス分析
装置を用いて、電子付着質量分析法により、試料から脱
離したガスをイオン化して生成せしめた負イオンを分析
し、脱離ガス成分を評価することを特徴とする請求項3
記載の昇温脱離ガス分析方法。
4. A negative ion produced by ionizing the gas desorbed from the sample is analyzed by electron attachment mass spectrometry using the thermal desorption gas analyzer according to claim 1 or 2. 4. A method for evaluating a gas separation component.
The thermal desorption gas analysis method described.
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