JP2003185617A - センサーおよび電気化学装置 - Google Patents
センサーおよび電気化学装置Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホ
ウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装
置を提供すること 【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子か
らなる材料を有することを特徴とする。
ウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装
置を提供すること 【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子か
らなる材料を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホウ素、炭素、窒素
の少なくとも２原子からなる材料を用いたセンサーおよ
び電気化学装置に関するものである。
の少なくとも２原子からなる材料を用いたセンサーおよ
び電気化学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境保全を目指した取り組みが様
々な分野でなされている。排ガスによる大気汚染を―掃
するため電気自動車は不可欠であり、電池の研究開発が
活発に行われてきている。また、製造工場等から排出さ
れるごみ、汚水等の処理技術の開発が強く望まれてい
る。これらの研究開発には電気化学分野に負う所が大き
く、電気化学反応電極の材質によって性能が制限され
る。電気化学電極用材料として、金、白金、カーボンな
どが知られているが、更に電位窓の広い材料が望まれて
いる。また、電解質溶液やガスのセンシング、生体分野
におけるバイオセンサーが重要となる。
々な分野でなされている。排ガスによる大気汚染を―掃
するため電気自動車は不可欠であり、電池の研究開発が
活発に行われてきている。また、製造工場等から排出さ
れるごみ、汚水等の処理技術の開発が強く望まれてい
る。これらの研究開発には電気化学分野に負う所が大き
く、電気化学反応電極の材質によって性能が制限され
る。電気化学電極用材料として、金、白金、カーボンな
どが知られているが、更に電位窓の広い材料が望まれて
いる。また、電解質溶液やガスのセンシング、生体分野
におけるバイオセンサーが重要となる。
【０００３】これまでにＭＯＳＦＥＴのゲート部にイオ
ン感応膜を形成したイオン感応電界効果トランジスタ
（ＩＳＦＥＴ）が作製されている。ここで用いているセ
ンサーおよび電気化学装置の名称は前述の電池、材料合
成、分解装置、および物質検知機能を有する素子等をす
べて含んでいる。現在、センサーおよび電気化学装置の
高性能化重要であり、これに適した新しい基盤材料の開
発が望まれる。
ン感応膜を形成したイオン感応電界効果トランジスタ
（ＩＳＦＥＴ）が作製されている。ここで用いているセ
ンサーおよび電気化学装置の名称は前述の電池、材料合
成、分解装置、および物質検知機能を有する素子等をす
べて含んでいる。現在、センサーおよび電気化学装置の
高性能化重要であり、これに適した新しい基盤材料の開
発が望まれる。
【０００４】これを解決するため、近年、ダイヤモンド
を電気化学電極に用いることが考えられ、研究が進めら
れている。従来、電極として用いられている金、白金、
カーボンに比べ、広い電位窓を有することが見出され、
生体系物質センサーとして応用できる可能性も示唆され
ている。しかし比較的成長温度が高く、大面積基板への
成膜が容易でないと考えられる。
を電気化学電極に用いることが考えられ、研究が進めら
れている。従来、電極として用いられている金、白金、
カーボンに比べ、広い電位窓を有することが見出され、
生体系物質センサーとして応用できる可能性も示唆され
ている。しかし比較的成長温度が高く、大面積基板への
成膜が容易でないと考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような状況で化学
的安定性に富み、高い熱伝導性等の優れた特性を有する
ダイヤモンド薄膜が注目されているが、プラズマＣＶＤ
法による大面積成膜技術が確立されていないのが現状で
ある。このため合成が容易で、電位窓をはじめ他の特性
がダイヤモンドに匹敵する新しい材料が望まれている。
的安定性に富み、高い熱伝導性等の優れた特性を有する
ダイヤモンド薄膜が注目されているが、プラズマＣＶＤ
法による大面積成膜技術が確立されていないのが現状で
ある。このため合成が容易で、電位窓をはじめ他の特性
がダイヤモンドに匹敵する新しい材料が望まれている。
【０００６】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
で、ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素
炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を
提供することを目的とする。
で、ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素
炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本発明のセンサーおよび電気化学装置の基盤材料とし
てホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる膜を
用いることを特徴とする。
の本発明のセンサーおよび電気化学装置の基盤材料とし
てホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる膜を
用いることを特徴とする。
【０００８】また、上記目的を達成し、センサーおよび
電気化学装置の性能向上のため、本発明の膜にイオウ、
珪素、酸素のいずれかの原子を含むことを特徴とする。
電気化学装置の性能向上のため、本発明の膜にイオウ、
珪素、酸素のいずれかの原子を含むことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の成膜方法および成膜装置につ
いて図面を用いて詳しく説明する。
いて図面を用いて詳しく説明する。
【００１０】（実施例１）本発明の膜を用いて電気化学
電極を作製し、重要な特性の１である電位窓を評価した
第１実施例を以下に示す。プラズマアシスト化学気相合
成法によりシリコン基板上へのホウ素炭素窒素薄膜の成
膜を行う。原料ガスとして三塩化ホウ素、窒素、メタン
を用いた。高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を供給し、
窒素の誘導結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素とメ
タンを分解し、基板にホウ素炭素窒素薄膜を堆積させ
た。基板温度は６５０℃とした。３００℃までの低温に
おいても成膜は可能である。膜厚は５０−１００ｎｍと
した。得られた膜は多結晶薄膜でアモルファス成分を多
く含んでいることが透過電子顕微鏡、透過電子線回折に
よって示された。
電極を作製し、重要な特性の１である電位窓を評価した
第１実施例を以下に示す。プラズマアシスト化学気相合
成法によりシリコン基板上へのホウ素炭素窒素薄膜の成
膜を行う。原料ガスとして三塩化ホウ素、窒素、メタン
を用いた。高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を供給し、
窒素の誘導結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素とメ
タンを分解し、基板にホウ素炭素窒素薄膜を堆積させ
た。基板温度は６５０℃とした。３００℃までの低温に
おいても成膜は可能である。膜厚は５０−１００ｎｍと
した。得られた膜は多結晶薄膜でアモルファス成分を多
く含んでいることが透過電子顕微鏡、透過電子線回折に
よって示された。
【００１１】電気化学電極としての電位窓の評価を０．
５モルの硫酸溶液を用いて行った。参照電極にＡｇ／Ａ
ｇＣｌ、対極に白金を用いた。図１に示すように―１．
５Ｖから２Ｖの電位窓が得られることが見出された。こ
れはダイヤモシド薄膜の場合と同等であり、電気化学装
置の電極材料として用いられる。
５モルの硫酸溶液を用いて行った。参照電極にＡｇ／Ａ
ｇＣｌ、対極に白金を用いた。図１に示すように―１．
５Ｖから２Ｖの電位窓が得られることが見出された。こ
れはダイヤモシド薄膜の場合と同等であり、電気化学装
置の電極材料として用いられる。
【００１２】本実施例では基板材料としてシリコンを用
いたが、それ以外の金属や半導体材料も用いることがで
きる。また、本実施例のプラズマアシスト化学気相合成
法で材料ガスとして窒素ガス、塩化ホウ素、メタンガス
を用いたが、窒素材料としてアンモニアガスを用いるこ
ともできる。また、塩化ホウ素の代わりにジボランガス
を用いることができる。また、炭素の供給としてメタン
ガス以外のエタンガスやアセチレンガス等の炭化水素ガ
スやトリメチルボロンをはじめホウ素や窒素の有機化合
物も用いることができる。合成方法についてもプラズマ
アシスト化学気相合成法だけでなく、他のスパッタ法な
どの物理気相合成法なども用いることができる。
いたが、それ以外の金属や半導体材料も用いることがで
きる。また、本実施例のプラズマアシスト化学気相合成
法で材料ガスとして窒素ガス、塩化ホウ素、メタンガス
を用いたが、窒素材料としてアンモニアガスを用いるこ
ともできる。また、塩化ホウ素の代わりにジボランガス
を用いることができる。また、炭素の供給としてメタン
ガス以外のエタンガスやアセチレンガス等の炭化水素ガ
スやトリメチルボロンをはじめホウ素や窒素の有機化合
物も用いることができる。合成方法についてもプラズマ
アシスト化学気相合成法だけでなく、他のスパッタ法な
どの物理気相合成法なども用いることができる。
【００１３】（実施例２）本発明の第２実施例はセンサ
ーの作製に関するものであり、図２に示す。第１実施例
と同様の成膜方法を用い、ホウ素炭素窒素膜を合成す
る。プラズマアシスト化学気相合成法により石英基板１
上へのホウ素炭素窒素薄膜２の成膜を行う。
ーの作製に関するものであり、図２に示す。第１実施例
と同様の成膜方法を用い、ホウ素炭素窒素膜を合成す
る。プラズマアシスト化学気相合成法により石英基板１
上へのホウ素炭素窒素薄膜２の成膜を行う。
【００１４】原料ガスとして三塩化ホウ素、窒素、メタ
ンを用いた。高周波（１３．５６Ｍｈｚ）電力を供給
し、窒素の誘導結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素
とメタンを分解し、基板にホウ素炭素窒素薄膜を堆積さ
せた。基板温度は６５０℃とした。
ンを用いた。高周波（１３．５６Ｍｈｚ）電力を供給
し、窒素の誘導結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素
とメタンを分解し、基板にホウ素炭素窒素薄膜を堆積さ
せた。基板温度は６５０℃とした。
【００１５】膜厚は１００ｎｍとした。ホウ素炭素窒素
薄膜２をストライプ３状に露出させ、その両側に二ッケ
ルを蒸着し、電極を形成する。この２つの電極はソース
電極４とドレイン電極５として用いられる。ホウ素炭素
窒素薄膜２のストライプ３状に露出した部分にのみ溶液
を接触させることが必要であるため電極部分を樹脂６で
カバーする。
薄膜２をストライプ３状に露出させ、その両側に二ッケ
ルを蒸着し、電極を形成する。この２つの電極はソース
電極４とドレイン電極５として用いられる。ホウ素炭素
窒素薄膜２のストライプ３状に露出した部分にのみ溶液
を接触させることが必要であるため電極部分を樹脂６で
カバーする。
【００１６】ホウ素炭素窒素薄膜２の露出したストライ
プ３の幅を１００μｍとした。○リング７を介して溶液
を入れる容器８に装着する。ゲート電極９を溶液１０中
に入れ、ソース電極４と接続する。ドレイン電極５にバ
イアス１１を印加する。ドレイン電極５に印加した電圧
とソース電極４とドレイン電極５間を流れる電流の関係
を調べる。この電流−電圧特性をｐＨの異なる溶液１０
に対して測定する。溶液のｐＨを増加させるとソース電
極４とドレイン電極５間の電流変化が検知され、ｐＨセ
ンサーとして動作することが確認できた。
プ３の幅を１００μｍとした。○リング７を介して溶液
を入れる容器８に装着する。ゲート電極９を溶液１０中
に入れ、ソース電極４と接続する。ドレイン電極５にバ
イアス１１を印加する。ドレイン電極５に印加した電圧
とソース電極４とドレイン電極５間を流れる電流の関係
を調べる。この電流−電圧特性をｐＨの異なる溶液１０
に対して測定する。溶液のｐＨを増加させるとソース電
極４とドレイン電極５間の電流変化が検知され、ｐＨセ
ンサーとして動作することが確認できた。
【００１７】本実施例では基板材料として石英を用いた
が、それ以外の絶縁体材料も用いることができる。ま
た。本実施例のプラズマアシスト化学気相合成法で材料
ガスとして窒素ガス、塩化ホウ素、メタンガスを用いた
が、窒素材料としてアンモニアガスを用いることもでき
る。
が、それ以外の絶縁体材料も用いることができる。ま
た。本実施例のプラズマアシスト化学気相合成法で材料
ガスとして窒素ガス、塩化ホウ素、メタンガスを用いた
が、窒素材料としてアンモニアガスを用いることもでき
る。
【００１８】また、塩化ホウ素の代わりにジボランガス
を用いることができる。また、炭素の供給としてメタン
ガス以外のエタンガスやアセチレンガス等の炭化水素ガ
スやトリメチルボロンをはじめホウ素や窒素の有機化合
物も用いることができる。合成方法についてもプラズマ
アシスト化学気相合成法だけでなく、他のスパッタ法な
どの物理気相合成法なども用いることができる。電極用
材料として二ッケルを用いたが、これに限られることは
なく様々な金属を用いることができる。
を用いることができる。また、炭素の供給としてメタン
ガス以外のエタンガスやアセチレンガス等の炭化水素ガ
スやトリメチルボロンをはじめホウ素や窒素の有機化合
物も用いることができる。合成方法についてもプラズマ
アシスト化学気相合成法だけでなく、他のスパッタ法な
どの物理気相合成法なども用いることができる。電極用
材料として二ッケルを用いたが、これに限られることは
なく様々な金属を用いることができる。
【００１９】図２に示された試料はｐＨのセンサーとし
て用いられるだけでなく、生体物質のセンサーとしても
用いられる。
て用いられるだけでなく、生体物質のセンサーとしても
用いられる。
【００２０】（実施例３）本発明の第３実施例はホウ素
炭素窒素膜とシリコンＭＯＳＦＥＴからなるセンサーの
作製に関するものであり、図３に示す。第１実施例と同
様の成膜方法を用い、プラズマアシスト化学気相合成法
によりホウ素炭素窒素膜を合成する。シリコン２１にソ
ース２２、ドレイン２３領域が形成され、その上に金属
電極２２ａ、２３ａが付けられ、ソース−ドレイン電極
２２ａ、２３ａ間にゲート絶縁膜２４としてＳｉＯ２膜
が形成されているＭＯＳＦＥＴ構造を持つ試料を基板と
する。ゲート絶縁膜２４であるＳｉＯ２膜の厚さは通常
のシリコンＭＯＳＦＥＴで用いられるものと比べ、薄膜
化したものを用いる。ゲート絶縁膜２４としてＳｉＯ ２
膜上に本発明のホウ素炭素窒素薄膜２５の成膜を行う。
原料ガスとして三塩化ホウ素、窒素、メタンを用いた。
高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を供給し、窒素の誘導
結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素とメタンを分解
し、基板にホウ素炭素窒素薄膜２５を堆積させた。墓板
温度は４００℃とした。膜厚は１０ｎｍとした。作製し
た試料を溶液を入れる容器２６に装着する。ゲート電極
２７を溶液２８中に入れ、ソース電極２２ａと接続す
る。ドレイン電極２３ａにバイアス２９を印加する。ド
レイン電極２３ａに印加した電圧とソース電極２２ａと
ドレイン電極２３ａ間を流れる電流の関係を調べる。こ
の電流−電圧特性をｐＨの異なる溶液２８に対して測定
する。溶液のｐＨを増加させるとソース電極２２ａとド
レイン電極２３ａ間の電流変化が検知され、ｐＨセンサ
ーとして動作することが確認できた。
炭素窒素膜とシリコンＭＯＳＦＥＴからなるセンサーの
作製に関するものであり、図３に示す。第１実施例と同
様の成膜方法を用い、プラズマアシスト化学気相合成法
によりホウ素炭素窒素膜を合成する。シリコン２１にソ
ース２２、ドレイン２３領域が形成され、その上に金属
電極２２ａ、２３ａが付けられ、ソース−ドレイン電極
２２ａ、２３ａ間にゲート絶縁膜２４としてＳｉＯ２膜
が形成されているＭＯＳＦＥＴ構造を持つ試料を基板と
する。ゲート絶縁膜２４であるＳｉＯ２膜の厚さは通常
のシリコンＭＯＳＦＥＴで用いられるものと比べ、薄膜
化したものを用いる。ゲート絶縁膜２４としてＳｉＯ ２
膜上に本発明のホウ素炭素窒素薄膜２５の成膜を行う。
原料ガスとして三塩化ホウ素、窒素、メタンを用いた。
高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を供給し、窒素の誘導
結合プラズマを生成した。三塩化ホウ素とメタンを分解
し、基板にホウ素炭素窒素薄膜２５を堆積させた。墓板
温度は４００℃とした。膜厚は１０ｎｍとした。作製し
た試料を溶液を入れる容器２６に装着する。ゲート電極
２７を溶液２８中に入れ、ソース電極２２ａと接続す
る。ドレイン電極２３ａにバイアス２９を印加する。ド
レイン電極２３ａに印加した電圧とソース電極２２ａと
ドレイン電極２３ａ間を流れる電流の関係を調べる。こ
の電流−電圧特性をｐＨの異なる溶液２８に対して測定
する。溶液のｐＨを増加させるとソース電極２２ａとド
レイン電極２３ａ間の電流変化が検知され、ｐＨセンサ
ーとして動作することが確認できた。
【００２１】図３に示された試料はｐＨのセンサーとし
て用いられるだけでなく、生体物質のセンサーとしても
用いられる。
て用いられるだけでなく、生体物質のセンサーとしても
用いられる。
【００２２】
【発明の効果】本発明のセンサーおよび電気化学装置は
ホウ素炭素窒素膜を基盤材料に用い、性能向上、新機能
の創出を図ることができる。本発明で用いられるホウ素
炭素窒素膜は従来電極用材料として用いられている金、
白金、カーボンより広い電位窓を有する材料で、これま
で困難であった物質の酸化還元反応を可能にし、新しい
物質のヤンシングにも応用できる。また、大面積合成が
容易で低温においても合成できる。このため環境保全や
生体物質の研究に関する分野において不可欠なセンサー
および電気化学装置の提供が可能になると共に、今後、
新機能を有するセンサーおよび電気化学装置の実現によ
り、環境保全や生体物質に関する研究が更にすすむと考
えられる。
ホウ素炭素窒素膜を基盤材料に用い、性能向上、新機能
の創出を図ることができる。本発明で用いられるホウ素
炭素窒素膜は従来電極用材料として用いられている金、
白金、カーボンより広い電位窓を有する材料で、これま
で困難であった物質の酸化還元反応を可能にし、新しい
物質のヤンシングにも応用できる。また、大面積合成が
容易で低温においても合成できる。このため環境保全や
生体物質の研究に関する分野において不可欠なセンサー
および電気化学装置の提供が可能になると共に、今後、
新機能を有するセンサーおよび電気化学装置の実現によ
り、環境保全や生体物質に関する研究が更にすすむと考
えられる。
【図１】本発明のホウ素炭素窒素膜電極電流―電位曲線
【図２】本発明の第２実施例に係るホウ素炭素窒素膜を
用いたセンサーの断面概略図
用いたセンサーの断面概略図
【図３】本発明の第３実施例に係るホウ素炭素窒素膜を
用いたセンサーの断面概略図
用いたセンサーの断面概略図
１・・石英基板
２・・ホウ素炭素窒素膜
３・・ストライプ部
４・・ソース電極
５・・ドレイン電極
６・・樹脂
７・・Ｏリング
８・・容器
９・・ゲート電極
１０・・溶液
１１・・バイアス
２１・・シリコン
２２・・ソース
２２ａ・・ソース電極
２３・・ドレイン
２３ａ・・ドレイン電極
２４・・ゲート絶縁膜
２５・・ホウ索炭素窒素薄膜
２６・・容器
２７・・ゲート電極
２８・・溶液
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｍ 4/66 Ｇ０１Ｎ 27/30 ３０１Ｕ
// Ｃ２３Ｃ 16/36 ３０１Ｖ
16/38 27/46 ３０６
３３６Ｇ
(72)発明者 楠原 昌樹
東京都中央区日本橋室町４丁目２番16号
株式会社渡邊商行内
(72)発明者 梅田 優
東京都中央区日本橋室町４丁目２番16号
株式会社渡邊商行内
Ｆターム(参考） 4K011 AA01 AA20 AA23 AA48 CA04
DA11
4K030 AA03 AA10 AA18 BA24 BA26
BA27 BB03 BB05 CA04 FA04
LA11
5H017 BB16 CC01 DD05 EE01 EE06
Claims (2)
- 【請求項１】 ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子
からなる材料を有することを特徴とするセンサーおよび
電気化学装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の材料にイオウ、珪素、
酸素のいずれかの原子を含むことを特徴とするセンサー
および電気化学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382394A JP4157699B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | ｐＨセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382394A JP4157699B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | ｐＨセンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003185617A true JP2003185617A (ja) | 2003-07-03 |
| JP4157699B2 JP4157699B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=27592748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001382394A Expired - Fee Related JP4157699B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | ｐＨセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4157699B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008542733A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-11-27 | メトラー−トレド アクチェンゲゼルシャフト | 電気化学センサ |
| WO2017150669A1 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
| JP2017161510A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-14 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
-
2001
- 2001-12-14 JP JP2001382394A patent/JP4157699B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008542733A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-11-27 | メトラー−トレド アクチェンゲゼルシャフト | 電気化学センサ |
| WO2017150669A1 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
| JP2017161510A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-14 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
| CN108780060A (zh) * | 2016-03-02 | 2018-11-09 | 学校法人早稻田大学 | 离子传感器、离子浓度测定方法、以及电子部件 |
| US10845323B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-11-24 | Waseda University | Ion sensor, ion concentration measurement method, and electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4157699B2 (ja) | 2008-10-01 |
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