JP2003172948A - Liquid crystal display unit and its manufacturing method - Google Patents

Liquid crystal display unit and its manufacturing method

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JP2003172948A
JP2003172948A JP2001372269A JP2001372269A JP2003172948A JP 2003172948 A JP2003172948 A JP 2003172948A JP 2001372269 A JP2001372269 A JP 2001372269A JP 2001372269 A JP2001372269 A JP 2001372269A JP 2003172948 A JP2003172948 A JP 2003172948A
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JP
Japan
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acrylic resin
resin layer
wiring
switching element
photomask
Prior art date
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Application number
JP2001372269A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Saida
哲夫 齋田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2001372269A priority Critical patent/JP2003172948A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve unevenness and moire problems of display due to a reflective electrode uneven shape of a liquid crystal display unit. <P>SOLUTION: A photomask characterized by that the area of a photomask opening part in an area where wires or electrodes having a high reflection factor than glass are arranged below an acryl-based resin layer in a pixel is 50 to 95% of the area of a photomask opening part where neither wires nor electrodes are arranged is used to form an uneven shape of the acryl-based resin layer of an array substrate by photolithography and then a reflection type liquid crystal display unit can be obtained which has neither unevenness nor moire of display and has uniform display characteristics. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は反射型液晶表示装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラー携帯電話やPDA(Personal Dig
ital Assistant)など、モバイル機器の急速に立ちあが
りにより、低消費電力を特徴とする反射型液晶表示装置
の需要が大きく拡大している。液晶セル内に反射電極を
有する液晶表示装置では、表示画像の均一性を保つため
に、反射電極の凹凸形状を画素内で周期性を持たないよ
うにランダムに形成することが重要である。
2. Description of the Related Art Color mobile phones and PDAs (Personal Dig
Due to the rapid rise of mobile devices such as ital Assistant), the demand for reflective liquid crystal display devices featuring low power consumption is greatly expanding. In a liquid crystal display device having a reflective electrode in a liquid crystal cell, in order to maintain the uniformity of a display image, it is important to form the uneven shape of the reflective electrode at random so as to have no periodicity within a pixel.

【0003】図1は従来の反射型液晶表示装置およびそ
の製造方法における薄膜トランジスタ(Thin Film Tr
ansistor;以下、TFTと略す。)形成後のアレイ基板
平面図、図2は図1のアレイ基板にアクリル系樹脂にて
凹凸を形成し、その上層に反射電極を形成した直後のア
レイ基板平面図、図3は図1のA−Bでの断面を示した
断面構造図、図4は図1のアレイ基板にアクリル系樹脂
層を形成した後のA−B断面図、図5は図2のA−Bで
の断面を示した断面図、図6(a)はアクリル系樹脂に
凹凸をフォトリソグラフィにて形成する際に使用するフ
ォトマスクの1画素の反射電極の領域を示す図、図6
(b)はアクリル系樹脂にフォトマスクを使用してフォ
トリソグラフィにて凹凸を形成した直後のアクリル系樹
脂の1画素の反射電極の領域の表面形状を示す図であ
る。
FIG. 1 shows a thin film transistor (TFT) in a conventional reflective liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.
ansistor; hereinafter abbreviated as TFT. ) A plan view of the array substrate after formation, FIG. 2 is a plan view of the array substrate immediately after the concavo-convex is formed on the array substrate of FIG. 1 by an acrylic resin, and a reflective electrode is formed thereon, and FIG. 3 is A of FIG. -B is a cross-sectional structural view showing a cross-section, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AB of FIG. 1 after the acrylic resin layer is formed on the array substrate, and FIG. 5 is a cross-section taken along line AB of FIG. 6A is a cross-sectional view, and FIG. 6A is a view showing a region of a reflective electrode of one pixel of a photomask used when forming irregularities on an acrylic resin by photolithography.
FIG. 6B is a diagram showing a surface shape of a region of the reflective electrode of one pixel of the acrylic resin immediately after the unevenness is formed by photolithography using a photomask on the acrylic resin.

【0004】図1、図2、図3、図4、図5において、
1はガラス基板、2aは走査配線、2bは共通配線、3
は層間絶縁層、4はチャネル層、5aは信号配線、5b
はドレイン電極、6はフォトリソグラフィを用いて凹凸
が形成されたアクリル樹脂層、7は反射電極、8は反射
電極とドレイン電極5bとを電気的に接続するためのコ
ンタクトホールである。
In FIG. 1, FIG. 2, FIG. 3, FIG.
1 is a glass substrate, 2a is scanning wiring, 2b is common wiring, 3
Is an interlayer insulating layer, 4 is a channel layer, 5a is signal wiring, 5b
Is a drain electrode, 6 is an acrylic resin layer having irregularities formed by photolithography, 7 is a reflective electrode, and 8 is a contact hole for electrically connecting the reflective electrode and the drain electrode 5b.

【0005】また、図6(b)の破線内の領域は、アク
リル系樹脂の下層に走査配線もしくは共通配線もしくは
信号配線もしくはドレイン電極が配置されていることを
示している。通常の反射型液晶表示装置のアレイ基板
は、ガラス基板1に成膜、フォトリソグラフィ、エッチ
ングを繰り返すことにより、走査配線2a、共通配線2
b、層間絶縁膜3、チャネル層4、信号配線5a、ドレ
イン電極5bを形成することにより、図3に示す構造を
形成する。
The area within the broken line in FIG. 6B shows that the scanning wiring, the common wiring, the signal wiring, or the drain electrode is arranged under the acrylic resin. The array substrate of a normal reflection type liquid crystal display device is formed by repeating film formation, photolithography and etching on the glass substrate 1 to form the scanning wiring 2a and the common wiring 2
By forming b, the interlayer insulating film 3, the channel layer 4, the signal wiring 5a, and the drain electrode 5b, the structure shown in FIG. 3 is formed.

【0006】その後、図3の基板にアクリル系樹脂を塗
布し、フォトリソグラフィによりアクリル系樹脂層に凹
凸を形成すると同時にコンタクトホール8を形成し、図
4に示す構造を形成する。
After that, an acrylic resin is applied to the substrate of FIG. 3 to form concavities and convexities on the acrylic resin layer by photolithography, and at the same time, a contact hole 8 is formed to form the structure shown in FIG.

【0007】さらに図5に示すように、アクリル系樹脂
層の上層に反射電極7を形成する。通常、表示上の均一
性を保つために、フォトリソグラフィにて使用するフォ
トマスクの開口部は、図6(a)に示すように、個々の
形状は同一かつ画素内でランダムに配置される。ところ
が、Al、Ti、Cr、Ta、Ag等の金属もしくは上記金属の酸
化膜を走査配線もしくは共通配線もしくは信号配線もし
くはドレイン電極に用いている場合、フォトマスクを用
いてフォトリソグラフィによりアクリル系樹脂層6に凹
凸を形成すると、走査配線もしくは共通配線もしくは信
号配線もしくはドレイン電極が配置される領域は、アク
リル系樹脂層の下層にガラス基板と比較して反射率の高
い金属もしくはその酸化膜が存在するために、アクリル
系樹脂層に対するフォトリソグラフィにおける露光の
際、アクリル系樹脂層に照射される光エネルギーが、走
査配線、共通配線、信号配線、およびドレイン電極のい
ずれにも重ならない領域と比較して相対的に大きくなる
ために、画素内の凹凸形状のランダム性が崩れ、図6
(b)に示す形状になる。このことにより、画素内で視
角方向に対する反射率の異なる領域が特定の周期で存在
するようになる。
Further, as shown in FIG. 5, a reflective electrode 7 is formed on the acrylic resin layer. Usually, in order to maintain uniformity in display, the openings of a photomask used in photolithography have the same individual shape and are randomly arranged within a pixel, as shown in FIG. 6A. However, when a metal such as Al, Ti, Cr, Ta, or Ag or an oxide film of the above metal is used for the scanning wiring, the common wiring, the signal wiring, or the drain electrode, the acrylic resin layer is formed by photolithography using a photomask. When unevenness is formed in 6, the region where the scanning wiring, the common wiring, the signal wiring, or the drain electrode is arranged has a metal having a higher reflectance than that of the glass substrate or its oxide film in the lower layer of the acrylic resin layer. Therefore, during the exposure of the acrylic resin layer in photolithography, the light energy applied to the acrylic resin layer is compared with a region that does not overlap with any of the scan wiring, the common wiring, the signal wiring, and the drain electrode. Since the size becomes relatively large, the randomness of the uneven shape in the pixel is broken, and FIG.
The shape shown in FIG. As a result, regions having different reflectances in the viewing angle direction are present in a pixel at a specific cycle.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、画素内で視角方向に対する反射率の異なる領域が特
定の周期で存在するため、表示上のムラ、モアレの原因
となる。
In the above-described conventional structure, regions having different reflectances in the viewing angle direction are present in a pixel at a specific cycle, which causes display unevenness and moire.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点を解決するもので、上記アクリル系樹脂層にフォトリ
ソグラフィにて凹凸を形成する際、アクリル系樹脂層と
その下層に配置されている走査配線もしくは共通配線も
しくは信号配線もしくはドレイン電極が重なる領域とい
ずれにも重ならない領域において、上記フォトリソグラ
フィで用いるマスクパターンを異なる形状にすることに
より、画素内の凹凸形状のランダム性を保つことを目的
とする。このことにより、表示上のムラ、モアレの発生
を無くすことができる。
Means for Solving the Problems The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. When unevenness is formed in the acrylic resin layer by photolithography, the acrylic resin layer and the underlying layer are arranged on the acrylic resin layer and the underlying layer. Keeping the randomness of the uneven shape in the pixel by making the mask pattern used in the photolithography different in the area where the scanning wiring, the common wiring, the signal wiring, or the drain electrode overlaps With the goal. As a result, it is possible to eliminate the occurrence of display unevenness and moire.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
複数の走査配線および複数の信号配線と、その交差部に
設けられたスイッチング素子と、前記走査配線と略平行
に配置される複数の共通配線と、その上層に形成された
凹凸形状を有するアクリル系樹脂層と、前記アクリル系
樹脂層上に形成された反射性を有する画素電極とを備
え、前記アクリル系樹脂層の凹凸形状がフォトマスクを
用いたフォトリソグラフィ法で形成された液晶表示装置
であって、前記アクリル系樹脂層の前記凹凸形状を形成
する際、前記アクリル系樹脂層の下層に前記走査配線、
前記信号配線、前記スイッチング素子、前記共通配線、
および、前記スイッチング素子のドレイン電極のいずれ
もが配置されていない領域と、前記アクリル系樹脂層の
下層に前記走査配線、前記信号配線、前記スイッチング
素子、前記共通配線、および、前記スイッチング素子の
ドレイン電極のいずれかが配置された領域とが前記フォ
トマスクの開口形状が異なるフォトマスクを用いて形成
されたことを特徴とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present invention is
A plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings, a switching element provided at an intersection thereof, a plurality of common wirings arranged substantially parallel to the scanning wirings, and an acrylic resin having an uneven shape formed on an upper layer thereof. A liquid crystal display device comprising a resin layer and a pixel electrode having reflectivity formed on the acrylic resin layer, wherein the concavo-convex shape of the acrylic resin layer is formed by a photolithography method using a photomask. Then, when forming the uneven shape of the acrylic resin layer, the scanning wiring in the lower layer of the acrylic resin layer,
The signal wiring, the switching element, the common wiring,
And a region in which none of the drain electrodes of the switching element are arranged, and the scan wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the drain of the switching element under the acrylic resin layer. It is characterized in that a region where any of the electrodes is arranged is formed by using a photomask having a different opening shape of the photomask.

【0011】本発明の請求項2記載の発明は、複数の走
査配線および複数の信号配線と、その交差部に設けられ
たスイッチング素子と、前記走査配線と略平行に配置さ
れる複数の共通配線と、その上層に形成された凹凸形状
を有するアクリル系樹脂層と、前記アクリル系樹脂層上
に形成された反射性を有する画素電極とを備える液晶表
示装置の製造方法であって、前記アクリル系樹脂層の凹
凸形状をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法に
より形成する際、前記アクリル系樹脂層の下層に前記走
査配線、前記信号配線、前記スイッチング素子、前記共
通配線、および、前記スイッチング素子のドレイン電極
のいずれもが配置されていない領域と、前記アクリル系
樹脂層の下層に前記走査配線、前記信号配線、前記スイ
ッチング素子、前記共通配線、および、前記スイッチン
グ素子のドレイン電極のいずれかが配置された領域と
を、前記フォトマスクの開口形状が異なるフォトマスク
を用いて形成することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings, a switching element provided at an intersection thereof, and a plurality of common wirings arranged substantially parallel to the scanning wirings are provided. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: an acrylic resin layer having an uneven shape formed thereon; and a reflective pixel electrode formed on the acrylic resin layer. When the uneven shape of the resin layer is formed by a photolithography method using a photomask, the scan wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the drain of the switching element are formed under the acrylic resin layer. A region where neither of the electrodes is arranged, and the scan wiring, the signal wiring, the switching element, and the front layer under the acrylic resin layer. Common wiring, and a region in which one is arranged in the drain electrode of the switching element, and forming using a photomask in which an opening shape is different of the photomask.

【0012】本発明の請求項3記載の発明は、アクリル
系樹脂層の凹凸形状をフォトマスクを用いたフォトリソ
グラフィ法により形成する際、前記アクリル系樹脂層の
下層に前記走査配線、前記信号配線、前記スイッチング
素子、前記共通配線、および、前記スイッチング素子の
ドレイン電極のいずれかが配置された領域の前記フォト
マスク開口部の面積を、前記アクリル系樹脂層の下層に
走査配線、信号配線、スイッチング素子、共通配線、お
よび、前記スイッチング素子のドレイン電極のいずれも
が配置されていない領域の前記フォトマスク開口部の面
積の50〜95%としたフォトマスクを用いることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法である。
According to a third aspect of the present invention, when the concavo-convex shape of the acrylic resin layer is formed by a photolithography method using a photomask, the scan wiring and the signal wiring are provided under the acrylic resin layer. An area of the photomask opening in a region where any one of the switching element, the common wiring, and the drain electrode of the switching element is arranged, a scanning wiring, a signal wiring, and a switching wiring under the acrylic resin layer. A liquid crystal display device is characterized in that a photomask having 50 to 95% of the area of the photomask opening portion in a region where none of the elements, the common wiring, and the drain electrode of the switching element is arranged is used. It is a manufacturing method.

【0013】本発明の請求項4記載の発明は、画素電極
がAlまたはAl合金またはAgまたはAg合金からな
る液晶表示装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device in which the pixel electrode is made of Al, Al alloy, Ag or Ag alloy.

【0014】本発明の請求項5記載の発明は、画素電極
がAlまたはAl合金またはAgまたはAg合金からな
る液晶表示装置の製造方法である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device in which the pixel electrode is made of Al, Al alloy, Ag or Ag alloy.

【0015】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】従来の反射型液晶表示装置のアレイ基板と
同様に、ガラス基板1に成膜、フォトリソグラフィ、エ
ッチングを繰り返すことにより、走査配線2a、共通配
線2b、層間絶縁膜3、チャネル層4、信号配線5a、
ドレイン電極を形成することにより図3に示す構造を形
成する。
Similar to the array substrate of the conventional reflection type liquid crystal display device, the scanning wiring 2a, the common wiring 2b, the interlayer insulating film 3, the channel layer 4 are formed by repeating film formation, photolithography and etching on the glass substrate 1. Signal wiring 5a,
The structure shown in FIG. 3 is formed by forming the drain electrode.

【0017】その後、図3の基板にアクリル系樹脂6を
塗布し、フォトリソグラフィによりアクリル系樹脂層に
凹凸を形成すると同時にコンタクトホール8を形成し、
図4に示す構造を形成する。
After that, the acrylic resin 6 is applied to the substrate of FIG. 3, and the contact hole 8 is formed at the same time when the unevenness is formed on the acrylic resin layer by photolithography.
The structure shown in FIG. 4 is formed.

【0018】ここで図7(a)はアクリル系樹脂に凹凸
をフォトリソグラフィにて形成する際に、本実施の形態
に使用するフォトマスクの1画素の反射電極の領域を示
す図であり、図7(b)はフォトマスクを使用してフォ
トリソグラフィにてアクリル系樹脂に凹凸を形成した直
後のアクリル系樹脂の1画素の反射電極の領域の表面形
状を示す図である。
Here, FIG. 7A is a view showing a region of a reflective electrode of one pixel of a photomask used in this embodiment when forming irregularities on an acrylic resin by photolithography. FIG. 7B is a diagram showing the surface shape of the region of the reflective electrode of one pixel of the acrylic resin immediately after the unevenness is formed on the acrylic resin by photolithography using a photomask.

【0019】図7(a)に示すように、このフォトリソ
グラフィの際使用するフォトマスクの開口部は、従来の
方法で用いた図6(a)のようなパターンとは異なり、
図7(b)破線部で示される、前記アクリル系樹脂の下
層に走査配線もしくは共通配線もしくは信号配線もしく
はドレイン電極が存在する領域においては、これらが存
在しない領域と比較して開口部の面積を92%に小さく
した。
As shown in FIG. 7A, the opening of the photomask used in this photolithography is different from the pattern shown in FIG. 6A used in the conventional method.
In the area where the scanning wiring, the common wiring, the signal wiring, or the drain electrode is present in the lower layer of the acrylic resin, which is shown by the broken line in FIG. 7B, the area of the opening is smaller than the area where these are not present. It was reduced to 92%.

【0020】このフォトマスクを用いてフォトリソグラ
フィによりアクリル系樹脂に凹凸形状を形成したとこ
ろ、図7(b)に示すように個々の形状が同一でランダ
ム性の高い凹凸を形成することができた。この基板に反
射電極7を形成したアレイ基板を用いて液晶表示装置を
作成したところ、表示上のムラやモアレの無い均一な表
示特性を得ることができた。
When an uneven shape was formed on the acrylic resin by photolithography using this photomask, as shown in FIG. 7B, it was possible to form unevenness having the same individual shape and high randomness. . When a liquid crystal display device was produced using an array substrate in which the reflective electrode 7 was formed on this substrate, it was possible to obtain uniform display characteristics without display unevenness or moire.

【0021】なお、アレイ基板のアクリル系樹脂層の凹
凸形状をフォトリソグラフィーにて形成する際、使用す
るフォトマスクについて、アクリル系樹脂層の下層にガ
ラスと比較して反射率の高い配線もしくは電極が配置さ
れている領域の画素内の個々のフォトマスク開口部の面
積を配線や電極が配置されていない領域と比較して50
%〜95%の範囲にすることにより、表示上にムラおよ
びモアレのない均一な表示特性を有する液晶表示装置を
得ることができた。
When the irregular shape of the acrylic resin layer of the array substrate is formed by photolithography, the photomask used has a wiring or an electrode having a higher reflectance than glass as the lower layer of the acrylic resin layer. The area of each photomask opening in the pixel in the arranged region is 50 compared with the region in which no wiring or electrode is arranged.
By setting the content in the range of% -95%, it was possible to obtain a liquid crystal display device having uniform display characteristics without unevenness and moire on the display.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、表示上の
ムラやモアレの無い、均一な表示特性を持つ液晶表示装
置を得ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal display device having uniform display characteristics without unevenness or moire on the display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】薄膜トランジスタ形成後のアレイ基板平面図FIG. 1 is a plan view of an array substrate after forming a thin film transistor.

【図2】図1のアレイ基板にアクリル系樹脂にて凹凸を
形成し、その上層に反射電極を形成した直後のアレイ基
板平面図
FIG. 2 is a plan view of the array substrate immediately after the unevenness is formed on the array substrate of FIG. 1 with an acrylic resin and the reflective electrode is formed thereon.

【図3】図1のアレイ基板のA−Bでの断面図3 is a sectional view of the array substrate of FIG. 1 taken along the line AB.

【図4】図1のアレイ基板にアクリル系樹脂層を形成後
のA−Bでの断面図
4 is a cross-sectional view taken along line AB of FIG. 1 after forming an acrylic resin layer on the array substrate.

【図5】図2のアレイ基板のA−Bでの断面図5 is a sectional view of the array substrate of FIG. 2 taken along the line AB.

【図6】従来、アクリル系樹脂に凹凸をフォトリソグラ
フィにて形成する際に使用されるフォトマスク、およ
び、このフォトマスクを使用してフォトリソグラフィに
て凹凸を形成した直後のアクリル系樹脂層の1画素の反
射電極の領域の表面形状を示す図
FIG. 6 is a view showing a photomask used for forming concavities and convexities on an acrylic resin by photolithography, and an acrylic resin layer immediately after the concavities and convexities are formed on the acrylic resin by photolithography. The figure which shows the surface shape of the area | region of the reflective electrode of 1 pixel.

【図7】本発明の実施の形態におけるアクリル系樹脂層
に凹凸形状をフォトリソグラフィにて形成する際に使用
するフォトマスク、および、このフォトマスクを使用し
てフォトリソグラフィにて凹凸を形成した直後のアクリ
ル系樹脂層の1画素の反射電極の領域の表面形状を示す
7A and 7B are a photomask used for forming an uneven shape by photolithography on an acrylic resin layer in an embodiment of the present invention, and immediately after forming unevenness by photolithography using this photomask. Showing the surface shape of the reflective electrode region of one pixel of the acrylic resin layer of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2a 走査配線 2b 共通配線 3 層間絶縁膜 4 チャネル層 5a 信号配線 5b ドレイン電極 6 アクリル系樹脂層 7 反射電極 8 コンタクトホール 9 従来のフォトマスク開口部 10 本発明でのフォトマスクの開口部 1 glass substrate 2a scanning wiring 2b common wiring 3 Interlayer insulation film 4 channel layers 5a Signal wiring 5b drain electrode 6 Acrylic resin layer 7 Reflective electrode 8 contact holes 9 Conventional photomask opening 10 Photomask opening in the present invention

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1343 G02F 1/1343 G09F 9/30 339 G09F 9/30 339Z 9/35 9/35 Fターム(参考) 2H042 BA03 BA12 BA20 DA02 DA04 DA11 2H088 FA19 FA30 HA04 HA14 MA04 2H091 FA16Y FB08 GA07 LA18 2H092 HA05 JA24 JB56 MA14 MA16 NA01 PA12 5C094 AA03 BA03 BA43 CA19 EA04 ED11 FA01 FA04 FB15 GB10 HA08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/1343 G02F 1/1343 G09F 9/30 339 G09F 9/30 339Z 9/35 9/35 F term ( Reference) 2H042 BA03 BA12 BA20 DA02 DA04 DA11 2H088 FA19 FA30 HA04 HA14 MA04 2H091 FA16Y FB08 GA07 LA18 2H092 HA05 JA24 JB56 MA14 MA16 NA01 PA12 5C094 AA03 BA03 BA43 CA19 EA04 ED11 FA01 FA04 FB15 GB10 HA08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の走査配線および複数の信号配線と、 その交差部に設けられたスイッチング素子と、 前記走査配線と略平行に配置される複数の共通配線と、 その上層に形成された凹凸形状を有するアクリル系樹脂
層と、 前記アクリル系樹脂層上に形成された反射性を有する画
素電極とを備え、前記アクリル系樹脂層の凹凸形状がフ
ォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法で形成された
液晶表示装置であって、 前記アクリル系樹脂層の前記凹凸形状を形成する際、前
記アクリル系樹脂層の下層に前記走査配線、前記信号配
線、前記スイッチング素子、前記共通配線、および、前
記スイッチング素子のドレイン電極のいずれもが配置さ
れていない領域と、前記アクリル系樹脂層の下層に前記
走査配線、前記信号配線、前記スイッチング素子、前記
共通配線、および、前記スイッチング素子のドレイン電
極のいずれかが配置された領域とが前記フォトマスクの
開口形状が異なるフォトマスクを用いて形成されたこと
を特徴とする液晶表示装置。
1. A plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings, a switching element provided at an intersection thereof, a plurality of common wirings arranged substantially parallel to the scanning wirings, and an unevenness formed in an upper layer thereof. An acrylic resin layer having a shape, and a pixel electrode having reflectivity formed on the acrylic resin layer are provided, and the uneven shape of the acrylic resin layer is formed by a photolithography method using a photomask. A liquid crystal display device, wherein when forming the concavo-convex shape of the acrylic resin layer, the scanning wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the switching element are formed under the acrylic resin layer. Of the drain electrode, the scan wiring, the signal wiring, and the switching element under the acrylic resin layer. , The common line, and, a liquid crystal display device, characterized in that the one of the drain electrodes of the switching elements are arranged region opening shape of the photomask is formed by using a different photomask.
【請求項2】複数の走査配線および複数の信号配線と、
その交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査
配線と略平行に配置される複数の共通配線と、 その上層に形成された凹凸形状を有するアクリル系樹脂
層と、 前記アクリル系樹脂層上に形成された反射性を有する画
素電極とを備える液晶表示装置の製造方法であって、 前記アクリル系樹脂層の凹凸形状をフォトマスクを用い
たフォトリソグラフィ法により形成する際、前記アクリ
ル系樹脂層の下層に前記走査配線、前記信号配線、前記
スイッチング素子、前記共通配線、および、前記スイッ
チング素子のドレイン電極のいずれもが配置されていな
い領域と、前記アクリル系樹脂層の下層に前記走査配
線、前記信号配線、前記スイッチング素子、前記共通配
線、および、前記スイッチング素子のドレイン電極のい
ずれかが配置された領域とを、前記フォトマスクの開口
形状が異なるフォトマスクを用いて形成することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
2. A plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings,
A switching element provided at the intersection, a plurality of common wirings arranged substantially parallel to the scanning wirings, an acrylic resin layer having an uneven shape formed in an upper layer thereof, and an acrylic resin layer on the acrylic resin layer. A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a formed pixel electrode having reflectivity, wherein when the uneven shape of the acrylic resin layer is formed by a photolithography method using a photomask, the acrylic resin layer An area in which none of the scanning wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the drain electrode of the switching element is arranged in a lower layer, and the scanning wiring in the lower layer of the acrylic resin layer, the A region where any one of the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the drain electrode of the switching element is arranged. Preparative method of manufacturing a liquid crystal display device in which the opening shape of the photomask, and forming with different photomasks.
【請求項3】アクリル系樹脂層の凹凸形状をフォトマス
クを用いたフォトリソグラフィ法により形成する際、 前記アクリル系樹脂層の下層に前記走査配線、前記信号
配線、前記スイッチング素子、前記共通配線、および、
前記スイッチング素子のドレイン電極のいずれかが配置
された領域の前記フォトマスク開口部の面積を、 前記アクリル系樹脂層の下層に走査配線、信号配線、ス
イッチング素子、共通配線、および、前記スイッチング
素子のドレイン電極のいずれもが配置されていない領域
の前記フォトマスク開口部の面積の50〜95%とした
フォトマスクを用いることを特徴とする請求項2記載の
液晶表示装置の製造方法。
3. The scan wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, which is below the acrylic resin layer, when the uneven shape of the acrylic resin layer is formed by a photolithography method using a photomask. and,
The area of the photomask opening in the region where any of the drain electrodes of the switching element is arranged is defined as the scanning wiring, the signal wiring, the switching element, the common wiring, and the switching element in the lower layer of the acrylic resin layer. 3. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, wherein a photomask having 50 to 95% of the area of the photomask opening in a region where none of the drain electrodes is arranged is used.
【請求項4】画素電極がAlまたはAl合金またはAg
またはAg合金からなる請求項1記載の液晶表示装置。
4. The pixel electrode is made of Al, Al alloy or Ag.
The liquid crystal display device according to claim 1, which is also made of Ag alloy.
【請求項5】画素電極がAlまたはAl合金またはAg
またはAg合金からなる請求項2記載の液晶表示装置の
製造方法。
5. The pixel electrode is made of Al, Al alloy or Ag.
3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, which is made of Ag alloy.
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