JP2003171384A - Method for reducing chlorine content of tetrakis(dimethylamino)silane - Google Patents
Method for reducing chlorine content of tetrakis(dimethylamino)silaneInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコーンの硬化
剤、樹脂添加剤、半導体素子製造用ＣＶＤ材料等として
使用されるテトラキス（ジメチルアミノ）シランの塩素
分を低減させる方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane used as a curing agent for silicone, a resin additive, a CVD material for semiconductor device production, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】テトラ
キス（ジメチルアミノ）シランは、シリコーンの硬化
剤、樹脂添加剤、半導体素子製造用ＣＶＤ材料等として
用いられる。2. Description of the Related Art Tetrakis (dimethylamino) silane is used as a curing agent for silicone, a resin additive, a CVD material for producing semiconductor elements, and the like.
【０００３】上記用途のうち、特に半導体素子製造用Ｃ
ＶＤ材料として使用する場合には、原料中に含まれるハ
ロゲン化物が半導体素子に対して、半導体基板を冒す等
の悪影響を与えることが知られている。従って、テトラ
キス（ジメチルアミノ）シランを半導体素子製造用ＣＶ
Ｄ材料等の半導体素子関連に使用する場合には、その中
の含有されるハロゲン分が少ないものを使用する必要が
ある。Among the above-mentioned uses, especially C for semiconductor device manufacturing
When used as a VD material, it is known that the halide contained in the raw material adversely affects the semiconductor element, such as affecting the semiconductor substrate. Therefore, tetrakis (dimethylamino) silane is used as a CV for semiconductor device manufacturing.
When it is used in relation to semiconductor elements such as D material, it is necessary to use a material containing a small amount of halogen.
【０００４】テトラキス（ジメチルアミノ）シランは、
一般的にテトラクロロシランとジメチルアミンの反応に
より合成される（Ｈ．Ｈ．Ａｎｄｅｒｓｏｎ Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．７４．１４２１（１９５
２）．、Ｈ．Ｂｒｅｅｄｅｒｖｅｌｄら Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ，５，５３７（１９５２）．、Ｂ．Ｊ．Ａｙｌｅｔ
ｔらＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３４２９（１９６
４）．）。テトラクロロシランとジメチルアミンの反応
では、塩酸が副生し、その塩酸とジメチルアミンが反応
しジメチルアミン塩酸塩が生成する。また、テトラクロ
ロシラン中の３つの塩素原子は容易にジメチルアミノ基
に置換されるものの、ジメチルアミンのクロロトリス
（ジメチルアミノ）シランに対する反応性が低いため、
未反応のクロロトリス（ジメチルアミノ）シランが残留
する。これらの塩酸、ジメチルアミン塩酸塩、未反応ク
ロロシラン等を、通常の濾過及び蒸留等の精製法により
完全に除去することは困難であり、得られるテトラキス
（ジメチルアミノ）シランには、一定量の塩素分が含ま
れてしまう。従って、この合成方法では、塩素分を半導
体工業用に使用するに必要なレベルにまで低減させたテ
トラキス（ジメチルアミノ）シランを得ることは困難で
あった。Tetrakis (dimethylamino) silane is
Generally, it is synthesized by the reaction of tetrachlorosilane and dimethylamine (H.H. Anderson J.A.
m. Chem. Soc. 74.1421 (195
2). , H .; Breedveld et al. Research
ch, 5, 537 (1952). , B. J. Aylet
t et al. Chem. Soc. 3429 (196
4). ). In the reaction of tetrachlorosilane and dimethylamine, hydrochloric acid is by-produced, and the hydrochloric acid and dimethylamine react to generate dimethylamine hydrochloride. In addition, although three chlorine atoms in tetrachlorosilane are easily replaced by dimethylamino groups, the reactivity of dimethylamine with chlorotris (dimethylamino) silane is low,
Unreacted chlorotris (dimethylamino) silane remains. It is difficult to completely remove these hydrochloric acid, dimethylamine hydrochloride, unreacted chlorosilane, etc. by a conventional purification method such as filtration and distillation. The tetrakis (dimethylamino) silane obtained contains a certain amount of chlorine. Minutes are included. Therefore, it was difficult to obtain tetrakis (dimethylamino) silane in which the chlorine content was reduced to a level necessary for use in the semiconductor industry by this synthetic method.
【０００５】別のテトラキス（ジメチルアミノ）シラン
の合成法として、テトラクロロシランとジメチルアミノ
マグネシウムブロマイドとを反応させる方法が知られて
いる（Ｇ．Ｋａｎｎｅｎｇｉｅｓｓｅｒら、Ｂｕｌｌ．
Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．２４９２−５（１９６
７））。しかしながら、この合成法で得られるテトラキ
ス（ジメチルアミノ）シラン中には、塩素分が０．３２
ｗｔ％含まれていることが示されており、塩素分を低減
させる方法に関しては記載されていない。As another method for synthesizing tetrakis (dimethylamino) silane, a method of reacting tetrachlorosilane with dimethylaminomagnesium bromide is known (G. Kannengiesser et al., Bull.
Soc. Chim. Fr. 2492-5 (196
7)). However, in the tetrakis (dimethylamino) silane obtained by this synthetic method, the chlorine content is 0.32.
It is shown to be contained by wt%, and there is no description on a method for reducing the chlorine content.
【０００６】以上のように、テトラキス（ジメチルアミ
ノ）シラン中に含有する塩素分を、半導体素子製造用Ｃ
ＶＤ材料等の半導体工業用に使用するに必要なレベルま
で低減する方法は、全く知られていなかった。As described above, the chlorine content contained in tetrakis (dimethylamino) silane is changed to C for semiconductor device production.
No method has been known for reducing VD materials to the level required for use in the semiconductor industry.
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン中に含有され
る塩素分を低減させる方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method for reducing the chlorine content contained in tetrakis (dimethylamino) silane.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った
結果、テトラキス（ジメチルアミノ）シランを、金属有
機オキシ化合物、金属アミド化合物、有機金属化合物か
ら選ばれる化合物と反応させることにより、テトラキス
（ジメチルアミノ）シランを損なうことなく、テトラキ
ス（ジメチルアミノ）シラン中に含まれる、塩酸、ジメ
チルアミン塩酸塩、未反応モノクロロシランと選択的に
反応し、含有される塩素分は、容易に分離可能な金属塩
化物へと変換される為、反応液を蒸留単離することによ
り、塩素含有量の低減されたテトラキス（ジメチルアミ
ノ）シランが得られることを知見したものである。Means for Solving the Problems and Modes for Carrying Out the Invention As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has found that tetrakis (dimethylamino) silane is used as a metal organic oxy compound or a metal amide compound. , Selectively reacts with hydrochloric acid, dimethylamine hydrochloride, unreacted monochlorosilane contained in tetrakis (dimethylamino) silane by reacting with a compound selected from organometallic compounds without damaging tetrakis (dimethylamino) silane. The chlorine content contained in the tetrakis (dimethylamino) silane, which has a reduced chlorine content, can be isolated by distilling and isolating the reaction solution because the chlorine content contained in the reaction product is converted into easily separable metal chlorides. It is a finding that it can be obtained.
【０００９】従って、本発明は、テトラキス（ジメチル
アミノ）シランと金属有機オキシ化合物、金属アミド化
合物、有機金属化合物から選ばれる少なくとも１種以上
の化合物とを反応させた後、蒸留単離することを特徴と
するテトラキス（ジメチルアミノ）シランの塩素分低減
方法を提供する。Therefore, according to the present invention, tetrakis (dimethylamino) silane is reacted with at least one compound selected from metal organic oxy compounds, metal amide compounds and organic metal compounds, and then isolated by distillation. A method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane is provided.
【００１０】本発明によれば、ハロゲン原子を１０〜２
０，０００ｐｐｍ、特に２０〜１０，０００ｐｐｍ含有
するテトラキス（ジメチルアミノ）シランから、ハロゲ
ン原子を５ｐｐｍ以下、特に１ｐｐｍ以下に低減するこ
とができる。According to the present invention, the halogen atom is 10 to 2
Halogen atoms can be reduced to 5 ppm or less, especially 1 ppm or less, from tetrakis (dimethylamino) silane content of 10,000 ppm, especially 20 to 10,000 ppm.
【００１１】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のテトラキス（ジメチルアミノ）シランの塩素分
を低減させる方法は、テトラキス（ジメチルアミノ）シ
ランを、含まれる塩素分に対して過剰量の金属有機オキ
シ化合物、金属アミド化合物、有機金属化合物から選ば
れる少なくとも１種以上の化合物とを反応させた後、蒸
留単離することにより行う。The present invention will be described in more detail below.
The method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane of the present invention is a method of selecting tetrakis (dimethylamino) silane from an excessive amount of a metal organic oxy compound, a metal amide compound or an organometallic compound with respect to the contained chlorine content. It is carried out by reacting with at least one or more compounds described above, and then isolating by distillation.
【００１２】本発明に用いられる金属有機オキシ化合物
としては、下記式（１）で表される金属アルコキシド類
が好ましい。
Ｍ（ＯＲ1）n （１）
（Ｍは、１族又は２族金属を示し、Ｒ1は炭素数１〜１
０の置換又は非置換の１価炭化水素基を示し、ｎは１又
は２を示す。）As the metal organic oxy compound used in the present invention, metal alkoxides represented by the following formula (1) are preferable. M (OR 1 ) n (1) (M represents a Group 1 or Group 2 metal, and R 1 has 1 to 1 carbon atoms.
0 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and n represents 1 or 2. )
【００１３】ここで、Ｍとしては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ等が挙げられる。Ｒ 1としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１
〜１０のアルキル基、フェニル基やこれらのアルコキシ
置換体等を挙げることができる。具体的には、リチウム
メトキシド、リチウムエトキシド、リチウム−ｎ−プロ
ポキシド、リチウムイソプロポキシド、リチウム−ｎ−
ブトキシド、リチウム−ｔ−ブトキシド、リチウムフェ
ノキシド等のリチウム有機オキシ化合物類、ナトリウム
メトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウム−ｎ−
プロポキシド、ナトリウムイソプロポキシド、ナトリウ
ム−ｎ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、ナ
トリウムフェノキシド等のナトリウム有機オキシ化合物
類、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウ
ム−ｎ−プロポキシド、カリウムイソプロポキシド、カ
リウム−ｎ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド、
カリウムフェノキシド等のカリウム有機オキシ化合物
類、セシウムメトキシド、セシウムエトキシド、セシウ
ム−ｎ−プロポキシド、セシウムイソプロポキシド、セ
シウム−ｎ−ブトキシド、セシウム−ｔ−ブトキシド、
セシウムフェノキシド等のセシウム有機オキシ化合物
類、ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウ
ム、ジ−ｎ−ブトキシマグネシウム、ジフェノキシマグ
ネシウム等のマグネシウム有機オキシ化合物類、ジメト
キシカルシウム、ジエトキシカルシウム、ジ−ｎ−ブト
キシカルシウム、ジフェノキシカルシウム等のカルシウ
ム有機オキシ化合物等類が挙げられる。これらの有機オ
キシ化合物類は、純品で用いてもよく、また対応するア
ルコールの溶液として用いることもできる。Here, M is Li, Na, K, C
e, Mg, Ca and the like. R 1As a methyl
Group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-
Butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-hexyl
Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc., having 1 carbon atom
-10 alkyl groups, phenyl groups and their alkoxys
Substitutes and the like can be mentioned. Specifically, lithium
Methoxide, lithium ethoxide, lithium-n-pro
Poxide, lithium isopropoxide, lithium-n-
Butoxide, lithium-t-butoxide, lithium
Lithium organic oxy compounds such as noxides, sodium
Methoxide, sodium ethoxide, sodium-n-
Propoxide, sodium isopropoxide, sodium
Mu-n-butoxide, sodium-t-butoxide, sodium
Sodium organic oxy compounds such as thorium phenoxide
Kinds, potassium methoxide, potassium ethoxide, kaliu
Mu-n-propoxide, potassium isopropoxide,
Lithium-n-butoxide, potassium-t-butoxide,
Potassium organic oxy compounds such as potassium phenoxide
, Cesium methoxide, cesium ethoxide, cesium
Mu-n-propoxide, cesium isopropoxide, ce
Cesium-n-butoxide, cesium-t-butoxide,
Cesium organic oxy compounds such as cesium phenoxide
, Dimethoxymagnesium, diethoxymagnesium
Mu, di-n-butoxy magnesium, diphenoxy mag
Magnesium organic oxy compounds such as nesium, dimeth
Xy calcium, diethoxy calcium, di-n-but
Calcium such as xyloxycalcium and diphenoxycalcium
Organic oxy compounds and the like. These organic
The xy compounds may be used in pure form, and the corresponding
It can also be used as a solution of rucor.
【００１４】また、金属アミド化合物としては、下記式
（２）で表される金属アミド類が好ましい。
ＭＮＲ2Ｒ3 （２）
（ＭはＬｉ、Ｎａ又はＫを示し、Ｒ2及びＲ3は、互いに
異なっても同一でもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素
基又はトリアルキルシリル基を示し、Ｒ2及びＲ3は結合
してこれらが結合する窒素原子と共に炭素数２〜１０の
環を形成していてもよい。）The metal amide compound is preferably a metal amide represented by the following formula (2). MNR 2 R 3 (2) (M represents Li, Na or K, and R 2 and R 3 represent a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be different from each other or may be the same, or a trialkylsilyl group. , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring having 2 to 10 carbon atoms together with the nitrogen atom to which they are bonded.
【００１５】Ｒ2及びＲ3としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜１０のア
ルキル基、トリメチルシリル基を挙げることができる。
Ｒ2とＲ3が結合して環を形成する場合には、Ｒ2，Ｒ3を
合わせて炭素数２〜１０、特に４〜６のアルキレン基を
挙げることができる。具体的には、リチウムジメチルア
ミド、リチウムジエチルアミド、リチウムジ−ｎ−プロ
ピルアミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウム
ジ−ｎ−ブチルアミド、リチウムピロリジド、リチウム
ピペリジド、リチウムビス（トリメチルシリル）アミド
等のリチウムアミド類、ナトリウムジメチルアミド、ナ
トリウムジエチルアミド、ナトリウムジ−ｎ−プロピル
アミド、ナトリウムジイソプロピルアミド、ナトリウム
ジ−ｎ−ブチルアミド、ナトリウムピロリジド、ナトリ
ウムピペリジド、ナトリウムビス（トリメチルシリル）
アミド等のナトリウムアミド類、カリウムジメチルアミ
ド、カリウムジエチルアミド、カリウムジ−ｎ−プロピ
ルアミド、カリウムジイソプロピルアミド、カリウムジ
−ｎ−ブチルアミド、カリウムピロリジド、カリウムピ
ペリジド、カリウムビス（トリメチルシリル）アミド等
のカリウムアミド類が挙げられる。R 2 and R 3 are methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group,
Examples thereof include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as s-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group, and trimethylsilyl group.
When R 2 and R 3 are combined to form a ring, C2-10 together R 2, R 3, it may be mentioned in particular 4-6 alkylene group. Specifically, lithium amides such as lithium dimethylamide, lithium diethylamide, lithium di-n-propylamide, lithium diisopropylamide, lithium di-n-butylamide, lithium pyrrolidide, lithium piperidide, and lithium bis (trimethylsilyl) amide. Sodium dimethylamide, sodium diethylamide, sodium di-n-propylamide, sodium diisopropylamide, sodium di-n-butylamide, sodium pyrrolidide, sodium piperidide, sodium bis (trimethylsilyl)
Sodium amides such as amides, potassium dimethylamide, potassium diethylamide, potassium di-n-propylamide, potassium diisopropylamide, potassium di-n-butylamide, potassium pyrrolidide, potassium piperidide, potassium bis (trimethylsilyl) amide, and other potassium amides. The kind is mentioned.
【００１６】また、有機金属化合物としては、有機リチ
ウムが好ましい。具体的には、メチルリチウム、エチル
リチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、
ｔ−ブチルリチウム、ｎ−ヘキシルリチウム、フェニル
リチウム、ｐ−トリルリチウム等が挙げられる。これら
の有機リチウム類は、炭化水素溶液として用いることが
好ましい。Organolithium is preferred as the organometallic compound. Specifically, methyllithium, ethyllithium, n-butyllithium, s-butyllithium,
Examples thereof include t-butyl lithium, n-hexyl lithium, phenyl lithium, p-tolyl lithium and the like. These organolithiums are preferably used as a hydrocarbon solution.
【００１７】金属有機オキシ化合物、金属アミド化合
物、有機金属化合物から選ばれる化合物は、それぞれ単
独で用いても良いが、２種類以上を混合して用いても良
い。但し、金属有機オキシ化合物類のアルコール溶液を
用いる場合は、金属アミド類及びアルキルリチウム類と
は同時に用いないことが好ましい。The compounds selected from metal organic oxy compounds, metal amide compounds and organic metal compounds may be used alone or in combination of two or more. However, when the alcohol solution of the metal organic oxy compound is used, it is preferable not to use the metal amide and the alkyl lithium at the same time.
【００１８】また、金属有機オキシ化合物、金属アミド
化合物、有機金属化合物から選ばれる化合物の使用量
は、用いるテトラキス（ジメチルアミノ）シランの含ま
れる塩素１当量に対して、１〜１００当量使用すること
が好ましい。これより少ない場合には塩素分が十分減少
しないおそれがあり、これより多く用いてもより一層の
塩素分の低下は望めないおそれがあり、経済的でない。The amount of the compound selected from metal organic oxy compounds, metal amide compounds and organic metal compounds is 1 to 100 equivalents based on 1 equivalent of chlorine contained in the tetrakis (dimethylamino) silane used. Is preferred. If it is less than this range, the chlorine content may not be sufficiently reduced, and even if it is used in excess of this range, further reduction in chlorine content may not be expected, which is not economical.
【００１９】テトラキス（ジメチルアミノ）シランと、
金属有機オキシ化合物、金属アミド化合物、有機金属化
合物から選ばれる化合物との反応は、０〜２００℃、好
ましくは１０〜１２０℃で行う。反応は、常圧下に行っ
ても良く、加圧下に行っても良い。反応時間は、１〜３
０時間、好ましくは、２〜２０時間である。Tetrakis (dimethylamino) silane,
The reaction with a compound selected from a metal organic oxy compound, a metal amide compound and an organic metal compound is carried out at 0 to 200 ° C, preferably 10 to 120 ° C. The reaction may be carried out under normal pressure or under pressure. Reaction time is 1-3
It is 0 hours, preferably 2 to 20 hours.
【００２０】反応後は、蒸留により単離を行う。蒸留を
常圧下或いは減圧下で常法により行うことにより、目的
の塩素分の低下したテトラキス（ジメチルアミノ）シラ
ンを得ることができる。蒸留を行う前に、生成した金属
塩素化物を濾過により除去することもでき、濾過は通常
の減圧濾過、加圧濾過等、特に方法は限定されない。After the reaction, isolation is performed by distillation. By carrying out distillation under normal pressure or under reduced pressure by a conventional method, the desired tetrakis (dimethylamino) silane having a reduced chlorine content can be obtained. The produced metal chlorinated product can be removed by filtration before performing the distillation, and the filtration is not particularly limited, such as ordinary vacuum filtration and pressure filtration.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明を実施例及び参考例で具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and reference examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２２】［参考例］テトラキス（ジメチルアミノ）
シランの合成
３Ｌの４つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計、吹
き込み管及び撹拌機を取り付け、内部を窒素置換した。
このフラスコにテトラクロロシラン１７０ｇ（１．０モ
ル）とヘキサン１Ｌを仕込んだ。２５〜７０℃の温度
で、ジメチルアミンを吸収がなくなるまで吹き込んだ。
更に、５時間撹拌を行った後、生成した塩を濾過により
除去した。減圧下に蒸留を行い、７４〜７５℃（２．５
ｋＰａ）の留分として、テトラキス（ジメチルアミノ）
シラン１２０ｇを得た。このテトラキス（ジメチルアミ
ノ）シランをガスクロマトグラフィーにより分析したと
ころ、クロロトリス（ジメチルアミノ）シランが１．７
５％（面積％）含まれていた。[Reference Example] Tetrakis (dimethylamino)
Synthesis of Silane A reflux condenser, a thermometer, a blowing tube and a stirrer were attached to a 3 L four-neck glass flask, and the inside of the flask was replaced with nitrogen.
170 g (1.0 mol) of tetrachlorosilane and 1 L of hexane were charged into this flask. Dimethylamine was bubbled in at a temperature of 25-70 ° C until there was no absorption.
After further stirring for 5 hours, the produced salt was removed by filtration. Distillation under reduced pressure, 74-75 ℃ (2.5
kPa) as a fraction, tetrakis (dimethylamino)
120 g of silane was obtained. When this tetrakis (dimethylamino) silane was analyzed by gas chromatography, it was found that chlorotris (dimethylamino) silane was 1.7.
5% (area%) was included.
【００２３】［実施例１］１００ｍｌの４つ口ガラスフ
ラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内
部を窒素置換した。このフラスコに、クロロトリス（ジ
メチルアミノ）シランを１．７５％（面積％）含有する
テトラキス（ジメチルアミノ）シラン１０．０ｇ、ナト
リウムメトキシドの２８ｗｔ％メタノール溶液０．８６
ｇ、メタノール２ｍｌを添加し、室温で３時間、８０℃
で３．５時間撹拌した。反応液をガスクロマトグラフィ
ーにより分析したところ、クロロトリス（ジメチルアミ
ノ）シランは消失していた。この反応液を減圧下に蒸留
を行い、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン７．５ｇ
を得た。得られたテトラキス（ジメチルアミノ）シラン
の塩素分をイオンクロマトグラフィー法で測定したとこ
ろ、１ｐｐｍ以下に低下していた。Example 1 A 100 ml four-neck glass flask was equipped with a reflux condenser, a thermometer and a stirrer, and the inside of the flask was replaced with nitrogen. In this flask, 10.0 g of tetrakis (dimethylamino) silane containing 1.75% (area%) of chlorotris (dimethylamino) silane and 0.86 of a 28 wt% sodium methoxide methanol solution were added.
g, 2 ml of methanol was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours at 80 ° C.
Stirred for 3.5 hours. When the reaction liquid was analyzed by gas chromatography, chlorotris (dimethylamino) silane had disappeared. This reaction solution was distilled under reduced pressure to give 7.5 g of tetrakis (dimethylamino) silane.
Got When the chlorine content of the obtained tetrakis (dimethylamino) silane was measured by an ion chromatography method, it was reduced to 1 ppm or less.
【００２４】［実施例２］１００ｍｌの４つ口ガラスフ
ラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内
部を窒素置換した。このフラスコに、クロロトリス（ジ
メチルアミノ）シランを１．７５％（面積％）含有する
テトラキス（ジメチルアミノ）シラン１０．０ｇ、リチ
ウムジメチルアミドの５ｗｔ％ヘキサン懸濁液３．８ｇ
を添加し、１００℃で２０時間反応させた。反応液をガ
スクロマトグラフィーにより分析したところ、クロロト
リス（ジメチルアミノ）シランは消失していた。この反
応液を減圧下に蒸留を行い、テトラキス（ジメチルアミ
ノ）シラン７．８ｇを得た。得られたテトラキス（ジメ
チルアミノ）シランの塩素分をイオンクロマトグラフィ
ー法で測定したところ、１ｐｐｍ以下に低下していた。Example 2 A 100 ml four-neck glass flask was equipped with a reflux condenser, a thermometer and a stirrer, and the inside of the flask was replaced with nitrogen. In this flask, 10.0 g of tetrakis (dimethylamino) silane containing 1.75% (area%) of chlorotris (dimethylamino) silane and 3.8 g of a 5 wt% hexane suspension of lithium dimethylamide.
Was added and reacted at 100 ° C. for 20 hours. When the reaction liquid was analyzed by gas chromatography, chlorotris (dimethylamino) silane had disappeared. The reaction solution was distilled under reduced pressure to obtain 7.8 g of tetrakis (dimethylamino) silane. When the chlorine content of the obtained tetrakis (dimethylamino) silane was measured by an ion chromatography method, it was reduced to 1 ppm or less.
【００２５】［実施例３］１００ｍｌの４つ口ガラスフ
ラスコに還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付け、内
部を窒素置換した。このフラスコに、クロロトリス（ジ
メチルアミノ）シランを１．７５％（面積％）含有する
テトラキス（ジメチルアミノ）シラン１０．０ｇ、２．
３Ｍのｎ−ヘキシルリチウム−ｎ−ヘキサン溶液０．８
ｍｌを添加し、１００℃で１５時間反応させた。反応液
をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、クロ
ロトリス（ジメチルアミノ）シランは消失していた。こ
の反応液を減圧下に蒸留を行い、テトラキス（ジメチル
アミノ）シラン７．４ｇを得た。得られたテトラキス
（ジメチルアミノ）シランの塩素分をイオンクロマトグ
ラフィー法で測定したところ、１ｐｐｍ以下に低下して
いた。Example 3 A 100 ml four-neck glass flask was equipped with a reflux condenser, a thermometer and a stirrer, and the inside of the flask was replaced with nitrogen. In this flask, 10.0 g of tetrakis (dimethylamino) silane containing 1.75% (area%) of chlorotris (dimethylamino) silane, 2.
3M n-hexyllithium-n-hexane solution 0.8
ml was added and reacted at 100 ° C. for 15 hours. When the reaction liquid was analyzed by gas chromatography, chlorotris (dimethylamino) silane had disappeared. The reaction liquid was distilled under reduced pressure to obtain 7.4 g of tetrakis (dimethylamino) silane. When the chlorine content of the obtained tetrakis (dimethylamino) silane was measured by an ion chromatography method, it was reduced to 1 ppm or less.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明は、テトラキス（ジメチルアミ
ノ）シランを、金属有機オキシ化合物、金属アミド化合
物、有機金属化合物から選ばれる化合物と反応させるこ
とにより、テトラキス（ジメチルアミノ）シランを損な
うことなく、テトラキス（ジメチルアミノ）シランに含
まれる塩素分を、半導体素子製造用ＣＶＤ材料として要
求されるレベルにまで低減することができ、本発明の効
果は大きいと言える。INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention allows tetrakis (dimethylamino) silane to react with a compound selected from metal organic oxy compounds, metal amide compounds and organometallic compounds without damaging the tetrakis (dimethylamino) silane. The chlorine content contained in tetrakis (dimethylamino) silane can be reduced to a level required as a CVD material for semiconductor device production, and the effect of the present invention can be said to be great.
フロントページの続き (72)発明者 石原 俊信 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 金子 功 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP01 VQ35 VR54 VT03 VT26 VT27 VT30 VU16 VU17 VU36 VV02 VV05 VW33 VW39Continued front page (72) Inventor Toshinobu Ishihara 28-1 Nishifukushima, Kubiki Village, Nakakubiki District, Niigata Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.Research on new functional materials technology In-house (72) Inventor Isao Kaneko 28-1 Nishifukushima, Kubiki Village, Nakakubiki District, Niigata Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.Research on new functional materials technology In-house F-term (reference) 4H049 VN01 VP01 VQ35 VR54 VT03 VT26 VT27 VT30 VU16 VU17 VU36 VV02 VV05 VW33 VW39
Claims (4)
金属有機オキシ化合物、金属アミド化合物、有機金属化
合物から選ばれる少なくとも１種以上の化合物とを反応
させた後、蒸留単離することを特徴とするテトラキス
（ジメチルアミノ）シランの塩素分低減方法。1. Tetrakis (dimethylamino) silane is reacted with at least one compound selected from a metal organic oxy compound, a metal amide compound and an organic metal compound, followed by distillation and isolation. Method for reducing chlorine content of (dimethylamino) silane.
で表される金属アルコキシド類であることを特徴とする
請求項１に記載のテトラキス（ジメチルアミノ）シラン
の塩素分低減方法。 Ｍ（ＯＲ1）n （１） （Ｍは、１族又は２族金属を示し、Ｒ1は炭素数１〜１
０の置換又は非置換の１価炭化水素基を示し、ｎは１又
は２を示す。）2. The metal organic oxy compound has the following formula (1):
The method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane according to claim 1, which is a metal alkoxide represented by: M (OR 1 ) n (1) (M represents a Group 1 or Group 2 metal, and R 1 has 1 to 1 carbon atoms.
0 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and n represents 1 or 2. )
される金属アミド類であることを特徴とする請求項１に
記載のテトラキス（ジメチルアミノ）シランの塩素分低
減方法。 ＭＮＲ2Ｒ3 （２） （ＭはＬｉ、Ｎａ又はＫを示し、Ｒ2及びＲ3は、互いに
異なっても同一でもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素
基又はトリアルキルシリル基を示し、Ｒ2及びＲ3は結合
してこれらが結合する窒素原子と共に炭素数２〜１０の
環を形成していてもよい。）3. The method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane according to claim 1, wherein the metal amide compound is a metal amide represented by the following formula (2). MNR 2 R 3 (2) (M represents Li, Na or K, and R 2 and R 3 represent a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be different from each other or may be the same, or a trialkylsilyl group. , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring having 2 to 10 carbon atoms together with the nitrogen atom to which they are bonded.
ることを特徴とする請求項１に記載のテトラキス（ジメ
チルアミノ）シランの塩素分低減方法。4. The method for reducing the chlorine content of tetrakis (dimethylamino) silane according to claim 1, wherein the organometallic compound is an organolithium.
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| JP2009541316A (en) * | 2006-06-23 | 2009-11-26 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | Organometallic compounds |
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2001
- 2001-12-07 JP JP2001373703A patent/JP4054957B2/en not_active Expired - Fee Related
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