JP2003168599A - 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置 - Google Patents

荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置

Info

Publication number
JP2003168599A
JP2003168599A JP2001366760A JP2001366760A JP2003168599A JP 2003168599 A JP2003168599 A JP 2003168599A JP 2001366760 A JP2001366760 A JP 2001366760A JP 2001366760 A JP2001366760 A JP 2001366760A JP 2003168599 A JP2003168599 A JP 2003168599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
charge conversion
bending
conversion film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001366760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3893451B2 (ja
Inventor
Koreo Arakida
是夫 荒木田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
High Energy Accelerator Research Organization
Original Assignee
High Energy Accelerator Research Organization
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by High Energy Accelerator Research Organization filed Critical High Energy Accelerator Research Organization
Priority to JP2001366760A priority Critical patent/JP3893451B2/ja
Priority to US10/301,566 priority patent/US7223463B2/en
Priority to DE60225995T priority patent/DE60225995T2/de
Priority to EP02258124A priority patent/EP1317167B1/en
Publication of JP2003168599A publication Critical patent/JP2003168599A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3893451B2 publication Critical patent/JP3893451B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H6/00—Targets for producing nuclear reactions
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/14—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using charge exchange devices, e.g. for neutralising or changing the sign of the electrical charges of beams
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Baking, Grill, Roasting (AREA)
  • Heat Treatment Of Water, Waste Water Or Sewage (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周回中の荷電粒子が荷電変換膜を通過する回
数を減少させることのできる新規な荷電変換膜を提供す
る。 【解決手段】 所定の基板上に形成した後剥離した薄膜
４０を、水槽２０内に満たした水の水面に載置した後、
水位を減少させ、ジグ基板１０の折曲げ板１に接触させ
ることによって２つに折曲げ、膜形成支持板２に沿って
曲面状に変形させると同時に貼付け領域Ｒで貼付けるこ
とによって貼付け膜４１を形成する。貼付け膜４１の乾
燥後、膜形成支持板２の近傍を除く領域にアニール処理
を施し、折曲げ板１、膜受け５、及び対向支持板３に沿
って切り取ることにより、薄膜基板４−１で１辺を自立
的に支持された荷電変換膜５０を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子加速器な
どに用いる荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製
造方法、並びにその荷電変換膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、荷電粒子加速器に対して、外部の
イオン源から導入されたイオンビームから加速すべき荷
電粒子を抽出するために、荷電変換膜が用いられてい
る。この荷電変換膜によれば、前記イオンビームが前記
荷電変換膜を通過する間に、前記荷電変換膜を構成する
物質の原子核のクーロン力によって、前記イオンビーム
の電子を散乱させて電離し、陽子などの目的とする荷電
粒子のみを取り出す。
【０００３】図１は、このような荷電変換膜を具えた荷
電粒子加速器の概略を示す図であり、図２は、荷電粒子
加速器に用いる荷電変換膜の構成を示す図である。図１
に示すように、入射イオンビームは、荷電変換膜を通過
して所定の荷電粒子に変換された後、この荷電粒子のみ
が荷電粒子加速器内に入射され、既に入射された荷電粒
子と合流し、周回軌道上を周回することによって加速さ
れる。一方、図２に示すように、荷電変換膜は四角形状
を呈し、荷電変換膜自体が極めて薄いため、安定した支
持構造を保持するためには、周回軌道側が開放された３
辺支持の構成を採る。
【０００４】一方、現状においては、荷電粒子加速器内
の加速すべき荷電粒子の数を増加させるために、荷電粒
子の軌道範囲を水平方向及び垂直方向に所定の分布を有
するように入射させるペイントが計画されている。この
場合、軌道上を周回している多量の荷電粒子が同一の荷
電変換膜を多数回通過すると、荷電粒子の散乱が生じた
り、荷電変換膜の変形及び過度の加熱による変形が生じ
たりしてしまい、荷電変換膜が破損してしまう場合があ
る。
【０００５】このため、荷電変換膜自体の大きさを入射
ビーム径と同等の幅まで縮小したり、周回中の荷電粒子
の軌道をパルス電磁石などによって適宜に移動したりし
て、周回中の荷電粒子が荷電変換膜を通過する回数を減
少させることが求められている。
【０００６】図２に示す３辺支持構造の荷電変換膜にお
いては、周回中の総ての荷電粒子が荷電変換膜中を通過
するために、上述した数々の問題が顕著に発生するよう
になる。そこで、図３及び図４に示すように、荷電変換
膜を２辺で支持したものや、支持枠の上下に亘って張り
巡らされた細線によって荷電変換膜を支持する構成のも
のが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３に示すような２辺
支持構造の荷電変換膜では、上記３辺支持構造の荷電変
換膜に比較して荷電粒子の膜通過回数は半減する。しか
しながら、周回中の荷電粒子の軌道中心が常に膜面上に
存在するため、膜面の単位面積当たりの通過回数に変化
はないため、荷電変換膜の変形や破損については、前記
３辺支持構造と同程度に生じる。さらに、図４に示す細
線支持の荷電変換膜もにおいても、細線自体が荷電粒子
中に配置されるため、前記細線によって荷電粒子の散乱
を生ぜしめるとともに、細線自体の破損を生ぜしめる場
合があった。
【０００８】本発明は、上記問題を生じることのない新
規な構成の荷電変換膜を提供するとともに、その製造方
法及び製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、矩形状を呈するとともに曲面状の膜面を有
し、１辺のみで自立的に支持することのできる荷電変換
膜に関する。
【００１０】図５は、本発明の荷電変換膜の一例を示す
概略図である。図５に示すように、本発明の荷電変換膜
は、矩形状であって、膜面は曲面状を呈している。そし
て、その１曲辺を支持部において、その曲面形状を維持
したまま自立的に支持される。すなわち、図５に示す荷
電変換膜は、膜面が曲面状であって、その結果、１辺支
持によって自立的に支持することができる。このよう
に、本発明に従った図５に示す本発明の荷電変換膜は、
支持構造が簡易であるために、極めて操作性が容易であ
る。
【００１１】このため、荷電粒子加速器内の加速すべき
荷電粒子の数を増加させるために、荷電粒子の軌道範囲
を水平方向及び垂直方向に所定の分布を有するように入
射させるペイントにおいて、本発明の荷電変換膜を用
い、その大きさ及び設置場所を予め適当に設定しておく
ことによって、入射イオンビームのみを通過させ、周回
中の荷電粒子を極力通過させないようにすることができ
る。したがって、加速過程にある荷電粒子の散乱などを
効果的に抑制することができる。さらに、荷電変換膜自
体の変形や破損を防止することもできる。
【００１２】また、図６及び図７は、図５に示す荷電変
換膜をＡ−Ａ線に沿って切った場合を示す断面図であ
る。本発明の荷電変換膜は、１辺で支持することができ
るように、膜面が曲面状であることが必要であるが、具
体的な形状は、例えば図６に示すような波形状、あるい
は図７に示すような曲面状に形成することができる。
【００１３】なお、本発明の荷電変換膜は、荷電粒子加
速などの実用に供すべく、単位面積当たりの重量が５μ
ｇ／ｃｍ２〜１ｍｇ／ｃｍ２である。すなわち、本発明
の荷電変換膜は、このような要件を満足する材料から構
成することができる。このような材料としては、炭素を
例示することができる。
【００１４】本発明の荷電変換膜の製造方法及び荷電変
換膜の製造装置については、以下の発明の実施の形態に
おいて詳述する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の荷電変換膜は、図５に示
すように、矩形状であって、膜面が曲面状を呈し、１辺
のみで自立的に支持できることが必要であり、好ましく
は以下の装置を用い、以下に示す方法に従って製造する
ことができる。
【００１６】図８は、本発明の荷電変換膜の製造装置の
ジグ基板の構成を示す正面図であり、図９は、図８に示
すジグ基板のＢ−Ｂ線に沿って切った場合の側面図であ
る。図８及び図９に示すジグ基板１０は、折曲げ板１
と、波形の板面を有する膜形成支持板２と、この膜形成
支持板２と対向して設けられた対向支持板３と、膜形成
支持板２と連結して設けられた薄膜基板４−１と、対向
支持板３と連結して設けられた薄膜基板４−２と、膜受
け５とを具えている。これらの各構成部材は、固定部材
６によって固定されている。さらに、固定部材６には角
度調整軸７が取り付けられ、支持枠８によって支持され
ている。
【００１７】図１０〜図１４は、本発明の荷電変換膜の
製造方法を示す工程図である。最初に、所定の基板上に
上述したカーボンなどからなる薄膜４０を蒸着法などに
よって所定の厚さに形成する。次いで、薄膜４０を有す
る基板を、図１０に示すような水槽２０内に満たされた
水３０中に端から沈めるともに、所定の剥離材を用い
て、薄膜４０を前記基板から剥離しての水面上に載置す
る。水３０内には、図８及び図９に示したジグ基板１０
が水没されている。
【００１８】次いで、水槽２０内の水の水位を減少させ
ていくと、図１１に示すように、薄膜４０はジグ基板１
０の折曲げ板１と接触して折曲げられるとともに、膜形
成支持板２及び対向支持板３に沿って変形する。また、
折曲げられた薄膜４０の、膜形成支持板２及び対向支持
板３を介して対向する２つの面は、ジグ基板１０の貼付
け領域Ｒにおいて、折曲げられるとほぼ同時に貼付けら
れる。貼付け膜４１は、膜形成支持板２の板面形状を反
映して波形、すなわち曲面状となる。
【００１９】なお、折曲げられた薄膜４０を膜形成支持
板２を介して貼付けられる際には、貼付けられるべき対
向する２つの膜面が、折曲げ方向と略平行となって互い
に垂直の状態で貼付けられるように、角度調整軸７によ
って膜形成支持板２の板面の接戦方向が前記折曲げ方向
と略平行となるようにすることが好ましい。これによっ
て、貼付けの際に余分な表面張力の水平成分が作用しな
くなるため、膜面の変形や破損を防止して、貼付けを確
実に行なうことができる。
【００２０】例えば、図９に示すジグ基板１０の、膜形
成支持板２のＸ点を介して貼付けを行なう際には、図９
に示すままの状態では、Ｘ点における接戦の角度が折曲
げ方向（垂直方向）と角度θを成しており、このままの
状態で貼付けを行なうと、余分な表面張力の水平成分が
生じてしまうことになる。したがって、角度調整軸７に
よって固定部材６の全体を左方向に角度θだけ回転させ
ることにより、Ｘ点における接線は、折曲げ方向（垂直
方向）と略平行となる。この結果、Ｘ点において余分な
表面張力の水平成分を発生させることなく、貼付けを行
なうことができる。
【００２１】膜形成支持板２のその他の位置において
も、貼付けが折曲げ方向（垂直方向）と略平行となるよ
うに角度調整軸７を逐次調整して貼付けを実施する。
【００２２】次いで、図１２に示すように、貼付け膜４
１の下部は膜受け５によって保持される。その後、貼付
け膜４１を乾燥させた後、膜形成支持板２の近傍を除く
全体に放射熱を加えることによってアニール処理を施
す。次いで、図１３に示すように、貼付け膜４１を折曲
げ板１、対向支持板３、及び膜受け５に沿って切り離
し、図１４に示すような、例えば波形形状の荷電変換膜
５０を得ることができる。
【００２３】図１４から明らかなように、上述した製造
方法に起因して貼付け膜４１から構成される荷電変換膜
５０は、その膜中に膜形成支持板２を介入させた構造を
呈し、膜形成支持板２を介して薄膜基板４−１で支持さ
れた構造を呈する。すなわち、薄膜基板４−１が支持部
材として機能し、薄膜基板４−１により１辺で自立的に
支持された荷電変換膜５０を得ることができる。
【００２４】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であ
る。例えば、図１０〜図１４では、波形形状の荷電変換
膜を作製する場合について説明したが、膜形成支持板の
形状を適宜に調節することによって、図７に示すような
曲面形状の荷電変換膜を得ることもできる。
【００２５】また、上記においては薄膜４０を有する基
板を水３０内に水没させることによって剥離している
が、実験者の手や所定の器具を用いて剥離することもで
きる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
支持枠を用いることなく大きさを自在に変化させること
ができ、操作性に優れた新規な荷電変換膜を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 荷電変換膜を備える荷電粒子加速器の一例を
示す概略図である。
【図２】 従来の荷電変換膜の一例を示す構成図であ
る。
【図３】 従来の荷電変換膜の他の例を示す構成図であ
る。
【図４】 従来の荷電変換膜のその他の例を示す構成図
である。
【図５】 本発明の荷電変換膜の一例を示す構成図であ
る。
【図６】 図５に示す荷電変換膜のＡ−Ａ線に沿って切
った場合の断面図である。
【図７】 図５に示す荷電変換膜のＡ−Ａ線に沿って切
った場合の断面図である。
【図８】 本発明の荷電変換膜の製造装置の一部を構成
するジグ基板の一例を示す構成図である。
【図９】 図８に示すジグ基板の、Ｂ−Ｂ線に沿って切
った場合の断面を示す図である。
【図１０】 本発明の荷電変換膜の製造方法の最初の工
程を示す図である。
【図１１】 図１０に示す工程の次の工程を示す図であ
る。
【図１２】 図１１に示す工程の次の工程を示す図であ
る。
【図１３】 図１２に示す工程の次の工程を示す図であ
る。
【図１４】 図１３に示す工程の次の工程を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 折曲げ板 ２ 膜形成支持板 ３ 対向支持板 ４−１、４−２ 薄膜基板 ５ 膜受け ６ 固定部材 ７ 角度調整軸 ８ 支持枠 １０ ジグ基板 ２０ 水槽 ３０ 水 ４０ 薄膜 ４１ 貼付け膜 ５０ 荷電変換膜

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 矩形状を呈するとともに曲面状の膜面を
    有し、１辺のみで自立的に支持することのできる荷電変
    換膜。
  2. 【請求項２】 単位面積当たりの重量が５μｇ／ｃｍ２
    〜１ｍｇ／ｃｍ２であることを特徴とする、請求項１に
    記載の荷電変換膜。
  3. 【請求項３】 所定の基板上に所定の材料よりなる薄膜
    を形成する工程と、 前記薄膜を前記基板上より剥離して、ジグ基板が埋没さ
    れた液体の液面上に載置する工程と、 前記液体の液面位置を減少させて前記薄膜を前記ジグ基
    板の折曲げ板と接触させて２つに折り曲げる工程と、 ２つに折り曲げられた前記薄膜を前記ジグ基板の膜形成
    支持板に沿って、前記薄膜を曲面状に変形させるととも
    に、前記薄膜の、前記膜形成支持板を介して対向する２
    つの膜面を貼付ける工程と、 前記薄膜を乾燥させた後、前記薄膜の、前記膜形成支持
    板で支持された部分の近傍を除く部分に対してアニール
    処理を施す工程と、 前記薄膜のアニール処理の施された部分を切除すること
    により、膜面が曲面状の荷電変換膜を得る工程と、 を含むことを特徴とする、荷電変換膜の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記２つの対向する膜面を、前記薄膜の
    折り曲げ方向と略平行な状態において貼付ることを特徴
    とする、請求項３に記載の荷電変換膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記薄膜の単位面積当たりの重量が５μ
    ｇ／ｃｍ２〜１ｍｇ／ｃｍ２であることを特徴とする、
    請求項３又は４に記載の荷電変換膜の製造方法。
  6. 【請求項６】 所定の液体を充填しておくための容器
    と、この容器内において、前記液体が充填された際に埋
    没するように設けられたジグ基板とを具え、 前記ジグ基板は、その上部において所定の薄膜を２つに
    折り曲げるための折曲げ板と、前記薄膜を折り曲げた後
    曲面状に変形させるための膜形成支持板とを具えること
    を特徴とする、荷電変換膜の製造装置。
  7. 【請求項７】 前記薄膜の、前記膜形成支持板を介して
    対向する２つの膜面を、所定の状態で貼付るための角度
    調整軸を具えることを特徴とする、請求項６に記載の荷
    電変換膜の製造装置。
JP2001366760A 2001-11-30 2001-11-30 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置 Expired - Lifetime JP3893451B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001366760A JP3893451B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置
US10/301,566 US7223463B2 (en) 2001-11-30 2002-11-22 Stripping foil
DE60225995T DE60225995T2 (de) 2001-11-30 2002-11-26 Strippingsfolie, Verfahren zur Herstellung einer Strippingsfolie und Vorrichtung zur Herstellung einer Strippingsfolie
EP02258124A EP1317167B1 (en) 2001-11-30 2002-11-26 Stripping foil, method for fabricating a stripping foil and apparatus for fabricating a stripping foil

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001366760A JP3893451B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003168599A true JP2003168599A (ja) 2003-06-13
JP3893451B2 JP3893451B2 (ja) 2007-03-14

Family

ID=19176612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001366760A Expired - Lifetime JP3893451B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7223463B2 (ja)
EP (1) EP1317167B1 (ja)
JP (1) JP3893451B2 (ja)
DE (1) DE60225995T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102067740A (zh) * 2008-05-30 2011-05-18 离子束应用股份有限公司 用于从回旋加速器提取粒子束的剥离部件、剥离总成和方法
JP2014209485A (ja) * 2014-05-26 2014-11-06 ザクリトエ アクツィアニェールナエ オーブシチェストヴォ プロトム 多方向荷電粒子線癌治療方法及び装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2007227489A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Triumf Self-supporting multilayer films having a diamond-like carbon layer
MX2010012714A (es) 2008-05-22 2011-06-01 Vladimir Yegorovich Balakin Metodo y aparato de control de la trayectoria de haces para la terapia contra el cancer mediante particulas cargadas.
US9058910B2 (en) 2008-05-22 2015-06-16 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle beam acceleration method and apparatus as part of a charged particle cancer therapy system
US9095040B2 (en) 2008-05-22 2015-07-28 Vladimir Balakin Charged particle beam acceleration and extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8188688B2 (en) 2008-05-22 2012-05-29 Vladimir Balakin Magnetic field control method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US9044600B2 (en) 2008-05-22 2015-06-02 Vladimir Balakin Proton tomography apparatus and method of operation therefor
US8975600B2 (en) 2008-05-22 2015-03-10 Vladimir Balakin Treatment delivery control system and method of operation thereof
US8710462B2 (en) 2008-05-22 2014-04-29 Vladimir Balakin Charged particle cancer therapy beam path control method and apparatus
EP2283713B1 (en) 2008-05-22 2018-03-28 Vladimir Yegorovich Balakin Multi-axis charged particle cancer therapy apparatus
US8129699B2 (en) 2008-05-22 2012-03-06 Vladimir Balakin Multi-field charged particle cancer therapy method and apparatus coordinated with patient respiration
US8907309B2 (en) 2009-04-17 2014-12-09 Stephen L. Spotts Treatment delivery control system and method of operation thereof
US8487278B2 (en) 2008-05-22 2013-07-16 Vladimir Yegorovich Balakin X-ray method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8896239B2 (en) 2008-05-22 2014-11-25 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle beam injection method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8642978B2 (en) 2008-05-22 2014-02-04 Vladimir Balakin Charged particle cancer therapy dose distribution method and apparatus
US8718231B2 (en) 2008-05-22 2014-05-06 Vladimir Balakin X-ray tomography method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8841866B2 (en) 2008-05-22 2014-09-23 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle beam extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8688197B2 (en) * 2008-05-22 2014-04-01 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle cancer therapy patient positioning method and apparatus
WO2009142546A2 (en) 2008-05-22 2009-11-26 Vladimir Yegorovich Balakin Multi-field charged particle cancer therapy method and apparatus
EP2403599A4 (en) 2009-03-04 2017-11-22 Zakrytoe Aktsionernoe Obshchestvo Protom Multi-field charged particle cancer therapy method and apparatus
US9185790B2 (en) * 2013-09-18 2015-11-10 General Electric Company Particle accelerators having extraction foils
CN109874345B (zh) * 2015-04-15 2023-10-31 株式会社钟化 离子束电荷转换装置的电荷转换膜
US10483010B2 (en) * 2016-09-07 2019-11-19 Lam Research Ag Reduction of surface and embedded substrate charge by controlled exposure to vacuum ultraviolet (VUV) light in low-oxygen environment
US10354771B2 (en) * 2016-11-10 2019-07-16 General Electric Company Isotope production system having a target assembly with a graphene target sheet
US10743400B2 (en) * 2017-10-06 2020-08-11 General Electric Company Electron stripper foils and particle accelerators having the same
CN109819576B (zh) * 2019-01-24 2020-01-24 中国原子能科学研究院 一种中能强流回旋加速器剥离靶上的简易换膜装置
CN114466501A (zh) * 2022-02-16 2022-05-10 中国原子能科学研究院 一种松弛方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806749A (en) * 1973-01-12 1974-04-23 Atomic Energy Commission Method and means of effecting charge exchange in particle beams
US3867704A (en) * 1974-05-30 1975-02-18 Atomic Energy Commission Magazine for handling stripping foils in a particle accelerator
US3866132A (en) * 1974-05-30 1975-02-11 Atomic Energy Commission Moving foil stripper for a particle accelerator
US6259090B1 (en) * 1987-02-09 2001-07-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Supported thin foil stripper and simple non-obstructing power meter for a space based neutral particle beam system
JPS63307397A (ja) 1987-06-09 1988-12-15 Seiko Instr & Electronics Ltd イオン荷電変換装置の製造方法
US5073913A (en) * 1988-04-26 1991-12-17 Acctek Associates, Inc. Apparatus for acceleration and application of negative ions and electrons
US5449917A (en) * 1992-02-06 1995-09-12 Costar Corporation Method and apparatus for forming a plurality of tracks in a flexible workpiece with a high energy particle
US5440133A (en) * 1993-07-02 1995-08-08 Loma Linda University Medical Center Charged particle beam scattering system
KR970705920A (ko) * 1994-08-19 1997-10-09 안소니 제이. 롤린스 중(重)동위원소 생산용 초전도성 사이클로트론 및 타겟(superconducting cyclotron and target for use in the production of heavy isotopes)
US5659223A (en) * 1995-07-14 1997-08-19 Science Research Laboratory, Inc. System for extracting a high power beam comprising air dynamic and foil windows
JPH1017155A (ja) 1996-07-01 1998-01-20 Akinobu Soma 湾曲部を設けた用紙挿入口を持つｏａ機器
JP3820535B2 (ja) * 1997-07-15 2006-09-13 独立行政法人理化学研究所 イオンビーム用荷電ストリッパー膜の強化方法
CA2389501A1 (en) * 1999-11-08 2001-05-17 William Z. Gelbart Plural foils shaping intensity profile of ion beams

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102067740A (zh) * 2008-05-30 2011-05-18 离子束应用股份有限公司 用于从回旋加速器提取粒子束的剥离部件、剥离总成和方法
JP2014209485A (ja) * 2014-05-26 2014-11-06 ザクリトエ アクツィアニェールナエ オーブシチェストヴォ プロトム 多方向荷電粒子線癌治療方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1317167B1 (en) 2008-04-09
US7223463B2 (en) 2007-05-29
DE60225995D1 (de) 2008-05-21
DE60225995T2 (de) 2009-05-20
EP1317167A2 (en) 2003-06-04
US20030104207A1 (en) 2003-06-05
JP3893451B2 (ja) 2007-03-14
EP1317167A3 (en) 2006-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003168599A (ja) 荷電変換膜、荷電変換膜の製造方法、及び荷電変換膜の製造装置
RU2413255C2 (ru) Поляризатор на основе решетки нанопроводников
EP1686626A3 (en) Method of separating thin film device, method of transferring thin film device, thin film device, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPS5575282A (en) Manufacturing method of semiconductor laser device
TW201106443A (en) Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system
JP2008244435A (ja) 選択された注入角度を用いて線形加速器工程を使用した材料の自立膜の製造方法および構造
JPS59121828A (ja) グロー放電堆積装置
US5437892A (en) Method for manufacturing a fine-particles two-dimensional aggregate from a liquid dispersion of fine particles
JPS641220A (en) Polarizable electrode and manufacture thereof
Popok Formation and applications of polymer films with gas-phase aggregated nanoparticles: A brief review
CN111485202A (zh) 实现圆二色性的双层金属结构及其制备方法
JP2004156057A (ja) 炭素薄膜の形成方法および得られた炭素薄膜
JPS5619030A (en) Production of liquid crystal display element
Nevo et al. Laser-induced aligned self-assembly on water surfaces
CN111302653A (zh) 一种网状金银复合纳米薄膜的制备方法
TW201211286A (en) Device and method for vacuum coating
Grabovetskaya et al. Comparative studies into grain boundary diffusion of copper in submicro- and coarse-grained nickel
Hieda et al. Self-organized cohesion of organic molecular dots on chemically patterned surface
Dudka et al. Modelling the Powder Phase Deformation in Mechanical Alloying Elastoplastic
JPS5954218A (ja) 半導体基板の製造方法
Brennen et al. Fabrication of collimating grids for an x-ray solar telescope using LIGA methods
JPS6084887A (ja) 線状非晶質太陽電池の製造方法
JPS592107Y2 (ja) 酸化亜鉛膜の製造装置
CN111081811A (zh) 半导体陷光结构及其制备方法
JPH02133392A (ja) 分子線エピタキシ成長方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040412

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040506

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3893451

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

EXPY Cancellation because of completion of term