JP2003161844A - Hybrid integrated circuit by fabric structure, and electronic and optical integrated device thereof - Google Patents
Hybrid integrated circuit by fabric structure, and electronic and optical integrated device thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、織物構造によるハ
イブリッド集積回路及びその電子・光集積装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit having a woven structure and an electronic / optical integrated device thereof.
【０００２】本発明では、織物そのものを電子・光集積
回路として、その組合せによる「衣類」レベルの電子・
光集積装置を形成し、これまでにない性質のシステム概
念による新しい応用領域を生み出す。すなわち、小規模
な製造装置で製作され、織物構造に起因する可撓性によ
って、２１世紀にますます必要となる膨大な情報とエネ
ルギー流を制御するために、われわれの生活の至る所に
構築することができる織物構造によるハイブリッド集積
回路及びその電子・光集積装置に関するものである。In the present invention, the woven fabric itself is used as an electronic / optical integrated circuit, and a combination of the two is used as a "clothing" level electronic / optical circuit.
We will form optical integrated devices and create new application areas based on system concepts with unprecedented properties. That is, built in small-scale manufacturing equipment and built everywhere in our lives to control the enormous amount of information and energy flow needed in the 21st century due to the flexibility caused by the fabric structure. The present invention relates to a hybrid integrated circuit having a woven structure and an electronic / optical integrated device thereof.
【０００３】[0003]
【従来の技術】シリコンウエハを基板材料とする従来の
集積回路製造のすべての基本操作は、平面への投影加工
処理を行うものであり、この条件の下にあらゆる微細化
・大規模化が行われており、ＩＴ技術の中核技術として
多大な貢献を果たしてきた。2. Description of the Related Art All the conventional basic operations for manufacturing an integrated circuit using a silicon wafer as a substrate material are projection processing on a flat surface, and under these conditions, all miniaturization and large scale are performed. And has made a great contribution as the core technology of IT technology.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
は、上記した従来の平面への投影加工処理によるもので
はなく、織物そのものをハイブリッド集積回路及びその
電子・光集積装置として構築することにより、「衣類」
レベルの電子・光集積装置を形成し、これまでにない性
質のシステム概念による新しい応用領域を新しく展開さ
せ、あらゆる形状に対応することによって、２１世紀に
ますます必要となる膨大な情報とエネルギー流を制御す
るために、われわれの生活の至る所に適合させて構築す
ることができる織物構造によるハイブリッド集積回路及
びその電子・光集積装置を提供することを目的とする。However, the present invention is not based on the above-described conventional projection processing on a plane, but by constructing the fabric itself as a hybrid integrated circuit and its electronic / optical integrated device, clothing"
By forming high-level electronic and optical integrated devices, developing new application areas based on system concepts of unprecedented nature, and adapting to all shapes, the enormous amount of information and energy flow that will be required in the 21st century It is an object of the present invention to provide a hybrid integrated circuit having a woven structure and an electronic / optical integrated device thereof, which can be adapted and constructed everywhere in our lives in order to control the temperature.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、
〔１〕織物構造によるハイブリッド集積回路であって、
電気素子が実装される縦糸状体と、この縦糸状体の電気
素子に接続されるように編み上げられる横糸状体とを具
備することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides [1] a hybrid integrated circuit having a woven structure,
It is characterized by comprising a warp-shaped body on which an electric element is mounted and a weft-shaped body knitted so as to be connected to the electric element of the warp-shaped body.
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、前記縦糸状体又は横糸状
体は、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラス
ファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維
からなることを特徴とする。[2] A hybrid integrated circuit having the woven structure according to the above [1], wherein the warp filaments or weft filaments are cylindrical or cylindrical plastic fibers, glass fibers, insulating coated metal fine wires, semiconductor wires. Alternatively, it is made of a polymer fiber.
【０００７】〔３〕上記〔１〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、前記電気素子は、半導体
能動素子又は半導体受動素子であることを特徴とする。[3] A hybrid integrated circuit having the woven structure according to [1] above, wherein the electric element is a semiconductor active element or a semiconductor passive element.
【０００８】〔４〕上記〔１〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、二次元形状に構成される
ことを特徴とする。[4] A hybrid integrated circuit having the woven structure according to the above [1], which is characterized in that it has a two-dimensional shape.
【０００９】〔５〕上記〔１〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、多層状の織物構造による
三次元形状に構成されることを特徴とする。[5] A hybrid integrated circuit having the woven structure according to [1] above, which is characterized in that it is formed into a three-dimensional shape having a multilayer woven structure.
【００１０】〔６〕上記〔５〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、前記多層状の織物構造に
よる三次元形状が円筒形状であることを特徴とする。[6] The hybrid integrated circuit having the woven structure according to the above [5], wherein the three-dimensional shape of the multilayer woven structure is a cylindrical shape.
【００１１】〔７〕上記〔１〕記載の織物構造によるハ
イブリッド集積回路であって、前記縦糸状体と横糸状体
とを電気的に接続する素子接続用電極を具備することを
特徴とする。[7] A hybrid integrated circuit having the woven structure according to the above [1], characterized by comprising an element connecting electrode for electrically connecting the warp filaments and the weft filaments.
【００１２】〔８〕織物構造による電子・光集積装置で
あって、光半導体素子及び電気素子が実装される縦糸状
体と、この縦糸状体の光半導体素子及び電気素子に接続
されるように編み上げられる横糸状体とを備え、前記縦
糸状体が前記光半導体素子に接続される光ファイバを具
備することを特徴とする。[8] An electronic / optical integrated device having a fabric structure, wherein a warp-shaped body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted, and the warp-shaped body is connected to the optical semiconductor element and the electric element. A weft filament that is knitted up, and the warp filament comprises an optical fiber connected to the optical semiconductor element.
【００１３】[0013]
〔９〕織物構造による電子・光集積装置で
あって、太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状体
と、この縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続される
ように編み上げられる横糸状体とを備え、電源を内蔵す
ることを特徴とする。[9] An electronic / optical integrated device having a woven structure, in which a warp filament on which a solar cell and an electric element are mounted, and a weft filament knitted so as to be connected to the solar cell and the electric element of the warp filament And has a built-in power supply.
【００１４】〔１０〕織物構造による電子・光集積装置
であって、光半導体素子及び電気素子が実装される縦糸
状体と、この縦糸状体の光半導体素子及び電気素子に接
続されるように編み上げられる横糸状体とを備え、二次
元形状に組み立て可能に構成することを特徴とする。[10] An electronic / optical integrated device having a woven structure, wherein a warp-shaped body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted and an optical semiconductor element and an electric element of the warp-shaped body are connected. It has a weft-like body to be knitted up, and is characterized in that it can be assembled into a two-dimensional shape.
【００１５】〔１１〕織物構造による電子・光集積装置
であって、太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状体
と、この縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続される
ように編み上げられる横糸状体とを備え、二次元形状に
組み立て可能に構成することを特徴とする。[11] An electronic / optical integrated device having a woven structure, wherein a warp-shaped body on which a solar cell and an electric element are mounted, and a knitted fabric connected to the warp-shaped solar cell and the electric element. It has a weft filament and is configured to be assembled into a two-dimensional shape.
【００１６】〔１２〕織物構造による電子・光集積装置
であって、光半導体素子及び電気素子が実装される縦糸
状体と、この縦糸状体の光半導体素子及び電気素子に接
続されるように編み上げられる横糸状体とを備え、多層
状の織物構造による三次元形状に組み立て可能に構成す
ることを特徴とする。[12] An electronic / optical integrated device having a woven structure, wherein a warp-shaped body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted, and an optical semiconductor element and an electric element of the warp-shaped body are connected. It is characterized in that it has a weft-like body to be knitted up and can be assembled into a three-dimensional shape with a multi-layered woven structure.
【００１７】〔１３〕織物構造による電子・光集積装置
であって、太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状体
と、この縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続される
ように編み上げられる横糸状体とを備え、多層状の織物
構造による三次元形状に組み立て可能に構成することを
特徴とする。[13] An electronic / optical integrated device having a woven structure, wherein a warp-shaped body on which a solar cell and an electric element are mounted, and a knitted fabric connected to the warp-shaped solar cell and the electric element. It is characterized by comprising a weft filament and being capable of being assembled into a three-dimensional shape by a multi-layered fabric structure.
【００１８】〔１４〕上記〔１２〕又は〔１３〕記載の
織物構造による電子・光集積装置であって、前記三次元
形状が円筒形状であることを特徴とする。[14] An electronic / optical integrated device having the woven structure according to the above [12] or [13], wherein the three-dimensional shape is a cylindrical shape.
【００１９】〔１５〕上記〔８〕、〔１０〕又は〔１
２〕記載の織物構造による電子・光集積装置であって、
前記光半導体素子は半導体発光ダイオード又は半導体受
光素子であることを特徴とする。[15] The above [8], [10] or [1]
2) An electronic / optical integrated device having the woven structure described above,
The optical semiconductor element is a semiconductor light emitting diode or a semiconductor light receiving element.
【００２０】〔１６〕上記[16] Above
〔９〕、〔１１〕又は〔１
３〕記載の織物構造による電子・光集積装置であって、
前記太陽電池は半導体光電変換素子であることを特徴と
する。[9], [11] or [1
3] An electronic / optical integrated device having the woven structure according to
The solar cell is a semiconductor photoelectric conversion element.
【００２１】〔１７〕上記〔８〕から〔１３〕のいずれ
か１項記載の織物構造による電子・光集積装置であっ
て、前記縦糸状体又は横糸状体は、円柱又は円筒状のプ
ラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細
線、半導体線又は高分子繊維からなることを特徴とす
る。[17] An electronic / optical integrated device having the woven structure according to any one of [8] to [13], wherein the warp or weft is a cylindrical or cylindrical plastic fiber. , Glass fiber, insulating coated thin metal wire, semiconductor wire or polymer fiber.
【００２２】〔１８〕上記〔８〕から〔１３〕のいずれ
か１項記載の織物構造による電子・光集積装置であっ
て、前記縦糸状体と横糸状体とを電気的又は光学的に接
続する素子接続用電極を具備することを特徴とする。[18] An electronic / optical integrated device having a woven structure according to any one of [8] to [13], wherein the warp filaments and the weft filaments are electrically or optically connected. It is characterized in that it is provided with an element connecting electrode.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below.
【００２４】図１は本発明の実施例を示す二次元織物構
造を示す模式図であり、図１（ａ）はその斜視図、図１
（ｂ）はその断面図である。FIG. 1 is a schematic view showing a two-dimensional woven structure showing an embodiment of the present invention, FIG. 1 (a) is a perspective view thereof, and FIG.
(B) is the sectional view.
【００２５】これらの図において、１は第１の縦糸状
体、２１は第２の縦糸状体、１１は第１の横糸状体、３
１は第２の横糸状体であり、ここでは、第１の縦糸状体
１はＰ，Ｎ系の半導体素子を実装し、第１の横糸状体１
１は入力系の配線パターン、第２の縦糸状体２１は出力
系の配線パターン、第２の横糸状体３１は電源、接地系
の配線パターンであり、これらの糸状体によって二次元
織物構造を構築するようにしている。In these figures, 1 is a first warp filament, 21 is a second warp filament, 11 is a first weft filament, 3
Reference numeral 1 is a second weft thread body, and here, the first warp thread body 1 mounts a P, N-based semiconductor element, and
Reference numeral 1 is an input system wiring pattern, second warp filament 21 is an output wiring pattern, and second weft filament 31 is a power supply / grounding wiring pattern. These filaments form a two-dimensional woven structure. I'm trying to build.
【００２６】以下、この二次元織物構造により構成され
るハイブリッド集積回路について説明する。A hybrid integrated circuit having this two-dimensional woven structure will be described below.
【００２７】図２は本発明の第１実施例を示す二次元織
物構造を構成する各種の縦糸状体と横糸状体の上面図、
図３は基本素子を実装する第１の縦糸状体の構成図であ
り、図３（ａ）はその断面図〔図３（ｂ）のＡ−Ａ′線
断面図〕、図３（ｂ）はその上面図、図３（ｃ）はその
実装されるＮ型半導体素子の等価回路図、図４は入力系
の配線パターンを有する第１の横糸状体の構成図であ
り、図４（ａ）はその断面図〔図４（ｂ）のＡ−Ａ′線
断面図〕、図４（ｂ）はその側面図、図４（ｃ）はその
底面図、図５は出力系の配線パターンを有する第２の縦
糸状体の構成図であり、図５（ａ）はその断面図〔図５
（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図〕、図５（ｂ）はその側面
図、図５（ｃ）はその上面図、図６は電源・接地系の配
線パターンを有する第２の横糸状体の構成図であり、図
６（ａ）はその断面図〔図６（ｂ）のＡ−Ａ′線断面
図〕、図６（ｂ）はその側面図、図６（ｃ）はその上面
図、図７は縦糸状体と横糸状体とを編み上げて構築され
るハイブリッド集積回路の構成図、図７（ａ）はその平
面図、図７（ｂ）はその等価回路図である。FIG. 2 is a top view of various warp filaments and weft filaments constituting the two-dimensional woven structure showing the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a constitutional view of a first warp-shaped body on which a basic element is mounted, and FIG. 3 (a) is a sectional view thereof [a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 3 (b)], FIG. 3 (b). 4A is a top view thereof, FIG. 3C is an equivalent circuit diagram of the N-type semiconductor element to be mounted, FIG. 4 is a configuration diagram of a first weft filament having an input system wiring pattern, and FIG. 4) is a sectional view thereof (a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4B), FIG. 4B is a side view thereof, FIG. 4C is a bottom view thereof, and FIG. 5 is a wiring pattern of an output system. It is a block diagram of the 2nd warp-like body which has, FIG.5 (a) is the sectional drawing [FIG.
FIG. 5 (b) is a side view thereof, FIG. 5 (c) is a top view thereof, and FIG. 6 is a second weft thread shape having a wiring pattern for a power / ground system. It is a block diagram of a body, FIG.6 (a) is the sectional view [AA 'sectional view taken on the line of FIG.6 (b)], FIG.6 (b) is its side view, FIG.6 (c) is its upper surface. FIG. 7 is a configuration diagram of a hybrid integrated circuit constructed by knitting a warp filament and a weft filament, FIG. 7A is a plan view thereof, and FIG. 7B is an equivalent circuit diagram thereof.
【００２８】なお、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図４
（ｃ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）においては、ａは織
りの密度で定まる寸法であり、糸状体半径（最小の半
径）以上の寸法であり、このａに関する各部の寸法を示
している。要するに、縦糸状体と横糸状体とを編み上げ
た場合に、互いに的確に電気的な接続が可能になるよう
に、各部の配置を行うようにしている。3 (b), 4 (b) and 4
In (c), FIG. 5 (b) and FIG. 5 (c), a is a dimension determined by the density of the weave, and is a dimension equal to or greater than the filament radius (minimum radius). Shows. In short, when the warp filaments and the weft filaments are knitted, the respective parts are arranged so that they can be accurately electrically connected to each other.
【００２９】第１の縦糸状体１は、図２（ａ）及び図３
に示すように、断面円形のプラスチックファイバ２上に
２つのゲート電極３を形成する。そのゲート電極３上に
絶縁膜４を形成する。その絶縁膜４上にドレイン電極５
とソース電極６とＮ型半導体７をそれぞれ形成する。こ
のようにして形成することにより、Ｎ型の単位素子を構
成することができ、そのＮ型の単位素子の場合の等価回
路を示すと図３（ｃ）に示すようである。The first warp-shaped body 1 is shown in FIGS.
As shown in, two gate electrodes 3 are formed on the plastic fiber 2 having a circular cross section. An insulating film 4 is formed on the gate electrode 3. The drain electrode 5 is formed on the insulating film 4.
The source electrode 6 and the N-type semiconductor 7 are formed respectively. By forming in this way, an N-type unit element can be constructed, and an equivalent circuit of the N-type unit element is shown in FIG. 3C.
【００３０】次に、第１の横糸状体１１は、図２（ｂ）
及び図４に示すように、断面円形のプラスチックファイ
バ１２上に、そのファイバの延びる方向に沿って配線パ
ターン１３と所定間隔毎に接続用電極パターン１４をフ
ァイバの延びる方向と直角方向に形成する。Next, the first weft filament 11 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, on the plastic fiber 12 having a circular cross section, the connection electrode patterns 14 and the wiring patterns 13 are formed at predetermined intervals along the extending direction of the fiber in a direction perpendicular to the extending direction of the fiber.
【００３１】第２の縦糸状体２１は、図２（ｃ）及び図
５に示すように、断面円形のプラスチックファイバ２２
上にそのファイバの延びる方向に沿って配線パターン２
３と所定間隔毎に接続用電極パターン２４をファイバの
延びる方向と直角方向に形成する。As shown in FIGS. 2 (c) and 5, the second warp filament 21 has a plastic fiber 22 of circular cross section.
Wiring pattern 2 along the extending direction of the fiber
3 and a connection electrode pattern 24 is formed at a predetermined interval in a direction perpendicular to the fiber extending direction.
【００３２】第２の横糸状体３１は、図２（ｄ）及び図
６に示すように、断面円形のプラスチックファイバ３２
上にそのファイバの延びる方向に沿って配線パターン３
３とファイバの延びる方向と直角方向に電源配線パター
ン３４，３５、接地配線パターン３６及び接続用電極パ
ターン３７，３８，３９，４０が形成される。As shown in FIGS. 2 (d) and 6, the second weft filament 31 has a plastic fiber 32 with a circular cross section.
Wiring pattern 3 along the extending direction of the fiber
3, the power supply wiring patterns 34, 35, the ground wiring pattern 36, and the connecting electrode patterns 37, 38, 39, 40 are formed in the direction perpendicular to the direction in which the fiber 3 extends.
【００３３】上記したように、第１の縦糸状体１に構築
された基本素子及び第２の縦糸状体２１は、第１の横糸
状体１１、第２の横糸状体３１によって編み上げられる
ことによって、ハイブリッド集積回路を構築することが
できる。As described above, the basic element constructed in the first warp thread body 1 and the second warp thread body 21 are knitted by the first weft thread body 11 and the second weft thread body 31. A hybrid integrated circuit can be constructed by.
【００３４】以下、例えば、図７に示すように、ハイブ
リッド集積回路としてのＮＡＮＤ素子が構成される。Hereinafter, for example, as shown in FIG. 7, a NAND element as a hybrid integrated circuit is constructed.
【００３５】まず、図７（ａ）に示すように、第１の縦
糸状体１が配置され、この第１の縦糸状体１と平行にな
るように第２の縦糸状体２１が配置される。これらの第
１の縦糸状体１と第２の縦糸状体２１を編み上げるよう
に、第１の横糸状体１１と第２の横糸状体３１が配置さ
れる。すなわち、第１の縦糸状体１に接続されるよう
に、第２の横糸状体３１が配置される。つまり、第１の
縦糸状体１によって構築されるＮ型，Ｐ型基本素子に接
続されるように、電源配線パターン３４，３５と接地配
線パターン３６が形成される第２の横糸状体３１が編み
上げられる。一方、Ｎ型，Ｐ型基本素子のゲート電極３
に接続されるように、接続用電極パターンが形成される
第１の横糸状体１１が編み上げられる。First, as shown in FIG. 7 (a), the first warp-like body 1 is arranged, and the second warp-like body 21 is arranged in parallel with the first warp-like body 1. It The first weft thread body 11 and the second weft thread body 31 are arranged so as to knit the first warp thread body 1 and the second warp thread body 21. That is, the second weft filament 31 is arranged so as to be connected to the first warp filament 1. That is, the second weft filament 31 in which the power supply wiring patterns 34, 35 and the ground wiring pattern 36 are formed so as to be connected to the N-type and P-type basic elements constructed by the first warp filament 1 is formed. Braided. On the other hand, the gate electrode 3 of the N-type and P-type basic elements
The first weft thread-shaped body 11 on which the connection electrode pattern is formed is knitted so as to be connected to.
【００３６】このようにして構成されたハイブリッド集
積回路としてのＮＡＮＤ素子の等価回路が図７（ｂ）に
示される。つまり、第１の縦糸状体１（Ｎ系統）では、
入力配線Ａがゲート電極Ｇ1 に、入力配線Ｂがゲート電
極Ｇ2 にそれぞれ接続され、ソース電極Ｓ1 は接地さ
れ、ドレイン電極Ｄ1 とソース電極Ｓ2 は接続され、ド
レイン電極Ｄ2 は出力端子に接続される。An equivalent circuit of the NAND element as the hybrid integrated circuit thus constructed is shown in FIG. 7B. That is, in the first warp-shaped filament 1 (N system),
The input wiring A is connected to the gate electrode G 1 , the input wiring B is connected to the gate electrode G 2 , the source electrode S 1 is grounded, the drain electrode D 1 and the source electrode S 2 are connected, and the drain electrode D 2 is output. Connected to the terminal.
【００３７】一方、第１の縦糸状体１′（Ｐ系統）で
は、入力配線Ａがゲート電極Ｇ3 に入力配線Ｂがゲート
電極Ｇ4 にそれぞれ接続され、第１の縦糸状体１′（Ｐ
系統）では、ドレイン電極Ｄ3 とＤ4 はともに電源に接
続され、ソース電極Ｓ3 とＳ4はともに、ドレイン電極
Ｄ2 の出力に接続される。On the other hand, the first warp yarn like body 1 'in (P system), input wiring input wiring A is the gate electrode G 3 B are respectively connected to the gate electrode G 4, a first warp yarn like body 1' ( P
System), the drain electrodes D 3 and D 4 are both connected to the power supply, and the source electrodes S 3 and S 4 are both connected to the output of the drain electrode D 2 .
【００３８】図８は本発明の第２実施例を示す光半導体
素子及び電気素子が実装される電子・光集積装置の構成
図であり、図８（ａ）は光フィードバックフリップフロ
ップ素子の平面図、図８（ｂ）はその等価回路図であ
る。FIG. 8 is a block diagram of an electronic / optical integrated device on which an optical semiconductor element and an electric element according to the second embodiment of the present invention are mounted, and FIG. 8A is a plan view of an optical feedback flip-flop element. 8 (b) is an equivalent circuit diagram thereof.
【００３９】これらの図において、１０１は第１の縦糸
状体であり、光ファイバ１０２上にはゲート電極パター
ン１０３が形成され、その上に受光素子１０４が形成さ
れる。また、ゲート電極パターン１０３上には絶縁膜１
０５が形成され、ソース電極１０６、ドレイン電極１０
７が形成されている。さらにその横の位置の光ファイバ
１０２上には透明電極１０８、半導体膜１０９から構成
される発光素子１１０が配置されている。In these figures, 101 is a first warp-like body, a gate electrode pattern 103 is formed on an optical fiber 102, and a light receiving element 104 is formed thereon. In addition, the insulating film 1 is formed on the gate electrode pattern 103.
05 is formed, and the source electrode 106 and the drain electrode 10 are formed.
7 are formed. Further, a light emitting element 110 composed of a transparent electrode 108 and a semiconductor film 109 is arranged on the optical fiber 102 at a position next to it.
【００４０】また、第１の縦糸状体１０１に平行して第
２の縦糸状体１２１が配置され、その第２の縦糸状体１
２１の断面円形のプラスチックファイバ１２２上には出
力配線パターン１２３、接地配線パターン１２４、接続
用電極パターン１２５，１２６，１２７，１２９，１３
０が形成されている。また、抵抗体１２８が接続用電極
パターン１２７と１２９に接続されるように形成されて
いる。さらに、この第２の縦糸状体１２１に第２の横糸
状体１３１を基準として第１の縦糸状体１０１と対称的
構造を有する第１の縦糸状体１０１′が平行に配置され
る。Further, a second warp-like body 121 is arranged in parallel with the first warp-like body 101, and the second warp-like body 1 is arranged.
The output wiring pattern 123, the ground wiring pattern 124, and the connecting electrode patterns 125, 126, 127, 129, and 13 are formed on the plastic fiber 122 having a circular cross section 21.
0 is formed. Further, the resistor 128 is formed so as to be connected to the connecting electrode patterns 127 and 129. Further, a first warp filament 101 'having a symmetrical structure with respect to the first warp filament 101 with respect to the second weft filament 131 is arranged in parallel with the second warp filament 121.
【００４１】第１の横糸状体１１１は、光ファイバ１１
２上に配線パターン１１３と接続用電極パターン１１４
が形成される。また、絶縁膜１１５が下部電極パターン
と上部電極パターン１１７に挟さまれてキャパシタＣが
実装される。なお、１１８は光接続部である。The first weft filament 111 is the optical fiber 11
The wiring pattern 113 and the connecting electrode pattern 114 are formed on
Is formed. Further, the insulating film 115 is sandwiched between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern 117, and the capacitor C is mounted. In addition, 118 is an optical connection part.
【００４２】さらに、この第１の横糸状体１１１と平行
に第２の横糸状体１３１が配置される。この第２の横糸
状体１３１は、第１の縦糸状体１０１と１０１′の光半
導体素子及び電気素子に接続されるように配置される。
つまり、断面円形のプラスチックファイバ１３２上に電
源配線パターン１３３と接地配線パターン１３４と接続
用電極パターン１３５と１３６とを有する。Further, a second weft filament 131 is arranged in parallel with the first weft filament 111. The second weft filaments 131 are arranged so as to be connected to the optical semiconductor elements and electrical elements of the first warp filaments 101 and 101 '.
That is, the power supply wiring pattern 133, the ground wiring pattern 134, and the connecting electrode patterns 135 and 136 are provided on the plastic fiber 132 having a circular cross section.
【００４３】また、この第２の横糸状体１３１に平行に
第１の横糸状体１１１′が第２の縦糸状体１２１を基準
として対称的に配置されている。Further, the first weft filaments 111 'are arranged symmetrically with respect to the second weft filaments 121 in parallel to the second weft filaments 131.
【００４４】なお、第１の横糸状体１１１と１１１′の
右端には光トリガ入力が行われる。An optical trigger is input to the right ends of the first weft filaments 111 and 111 '.
【００４５】したがって、このように構成することによ
り、図８（ｂ）に示すように、光フィードバックフリッ
プフロップ素子を構築することができる。すなわち、図
８（ｂ）において、電源にＭＯＳ1 とＭＯＳ2 が接続さ
れ、そこに、負荷としてＬＥＤ1 とＬＥＤ2 が接続され
て駆動される。また、それぞれの回路に、抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 とキャパシタＣ1 ，Ｃ2 とからなるフィードバック回
路が接続される。Therefore, with this structure, an optical feedback flip-flop element can be constructed as shown in FIG. 8 (b). That is, in FIG. 8B, MOS 1 and MOS 2 are connected to a power source, and LED 1 and LED 2 are connected as a load to the power source and driven. In addition, resistors R 1 and R
A feedback circuit including 2 and capacitors C 1 and C 2 is connected.
【００４６】そこで、ＬＥＤ1 の点灯により、受光素子
ＰＤ1 が動作し、また、ＬＥＤ2 の点灯により、受光素
子ＰＤ2 が動作する。これを交互に動作することによ
り、フリップ・フロップ動作を行わせることができる。Therefore, when the LED 1 is turned on, the light receiving element PD 1 is operated, and when the LED 2 is turned on, the light receiving element PD 2 is operated. By alternately operating these, a flip-flop operation can be performed.
【００４７】図９は本発明の第３実施例を示す太陽電池
素子が実装される電子装置の構成図であり、図９（ａ）
はその電子装置の平面図、図９（ｂ）はその等価回路図
である。FIG. 9 is a block diagram of an electronic device on which the solar cell element according to the third embodiment of the present invention is mounted, and FIG.
Is a plan view of the electronic device, and FIG. 9B is an equivalent circuit diagram thereof.
【００４８】まず、２０１は第１の縦糸状体であり、プ
ラスチックファイバ２０２上に電極２０３と半導体膜２
０４とその上に形成される透明電極２０５から構成され
る太陽電池ＳＣを有する。First, 201 is a first warp-shaped body, and an electrode 203 and a semiconductor film 2 are formed on a plastic fiber 202.
04 and a transparent electrode 205 formed on the solar cell SC.
【００４９】また、この第１の縦糸状体２０１と平行に
第２の縦糸状体２２１が配置される。この第２の縦糸状
体２２１は、断面円形のプラスチックファイバ２２２上
に接地配線パターン２２３と２２４と接続用電極パター
ン２２５，２２６が形成される。A second warp filament 221 is arranged parallel to the first warp filament 201. In the second warp-shaped member 221, ground wiring patterns 223 and 224 and connection electrode patterns 225 and 226 are formed on a plastic fiber 222 having a circular cross section.
【００５０】一方、第１の横糸状体２１１が第１の縦糸
状体２０１と第２の縦糸状体２２１とを編み上げるよう
に配置される。この第１の横糸状体２１１は、プラスチ
ックファイバ２１２上に配線パターン２１３と接続用電
極パターン２１４が形成されている。On the other hand, the first weft filaments 211 are arranged so as to knit the first warp filaments 201 and the second warp filaments 221. In this first weft filament 211, a wiring pattern 213 and a connecting electrode pattern 214 are formed on a plastic fiber 212.
【００５１】さらに、この第１の横糸状体２１１と平行
するように第２の横糸状体２３１が配置され、この第２
の横糸状体２３１は、太陽電池ＳＣに接続されるよう
に、編み上げられる。その第２の横糸状体２３１のプラ
スチックファイバ２３２に電源配線パターン２３３が形
成されている。Further, a second weft thread body 231 is arranged in parallel with the first weft thread body 211.
The weft filaments 231 are braided so as to be connected to the solar cell SC. A power supply wiring pattern 233 is formed on the plastic fiber 232 of the second weft filament 231.
【００５２】このように構成することにより、図９
（ｂ）に示すように、太陽電池ＳＣを並列に備えた電源
装置を構成することができる。With such a configuration, FIG.
As shown in (b), a power supply device including the solar cells SC in parallel can be configured.
【００５３】図１０は本発明の実施例を示すＮＡＮＤ素
子と電源装置が組み合わされた電源ユニット内蔵ＯＲ回
路装置の構成図であり、図１０（ａ）はその電源ユニッ
ト内蔵ＯＲ回路装置の平面図、図１０（ｂ）はその概略
等価回路図である。FIG. 10 is a block diagram of an OR circuit device with a built-in power supply unit in which a NAND element and a power supply device according to an embodiment of the present invention are combined. FIG. 10A is a plan view of the OR circuit device with a built-in power supply unit. 10 (b) is a schematic equivalent circuit diagram thereof.
【００５４】この図に示すように、電源装置４０１とＮ
ＡＮＤ素子４０２，４０３，４０４を集積した電源ユニ
ット内蔵ＯＲ回路装置を構成することができる。なお、
４０５は入力線Ａ、４０６は入力線Ｂ、４０７は出力線
Ａ ｏｒ Ｂである。また、４０８は接地線である。As shown in this figure, the power supply unit 401 and the N
An OR circuit device with a built-in power supply unit in which AND elements 402, 403, and 404 are integrated can be configured. In addition,
405 is an input line A, 406 is an input line B, and 407 is an output line A or B. Reference numeral 408 is a ground wire.
【００５５】なお、上記した織物構造体には各種の電気
素子を搭載することができ各種の回路、ＡＮＤ、ＮＯ
Ｔ、ＮＡＮＤ、ＯＲ、ＸＯＲ回路を構成することができ
ることは言うまでもない。Various electric elements can be mounted on the woven structure described above, and various circuits, AND, NO.
It goes without saying that T, NAND, OR, and XOR circuits can be configured.
【００５６】また、上記実施例では、二次元の織物構造
体を例に上げたが、このような二次元の織物構造体を多
層に編み上げて、多層形状にした三次元の織物構造体と
することもできる。In the above embodiment, the two-dimensional woven structure is taken as an example, but such a two-dimensional woven structure is knitted into multiple layers to form a multi-layered three-dimensional woven structure. You can also
【００５７】図１１は本発明の実施例を示す多層状に編
み上げられたハイブリッド集積回路を有する三次元の織
物構造体の構成図であり、図１１（ａ）はその三次元の
織物構造体の模式斜視図、図１１（ｂ）はその３次元の
織物構造体の断面図である。FIG. 11 is a block diagram of a three-dimensional woven structure having a hybrid integrated circuit knitted into a multi-layered structure according to an embodiment of the present invention. FIG. 11 (a) shows the three-dimensional woven structure. A schematic perspective view and FIG. 11B are sectional views of the three-dimensional woven structure.
【００５８】これらの図において、５０１は第１層のハ
イブリッド集積回路を有する織物構造体、５０２はその
織物構造体５０１に積み上げて織られる第２層のハイブ
リッド集積回路を有する織物構造体であり、層間の接続
はニッティング（織物）技術及びソーイング（縫い物）
技術で行う。必要に応じて第３層以上を織り込むように
することもできる。また、第１層と第２層の間には穴あ
き絶縁シートを介在させて両者の絶縁及び接続を確実に
するようにしてもよい。In these figures, 501 is a woven structure having the first layer of hybrid integrated circuit, and 502 is a woven structure having the second layer of hybrid integrated circuit which is woven on the woven structure 501. The connection between layers is knitting technology and sewing technology.
Do with technology. If necessary, the third layer or more can be woven. In addition, a perforated insulating sheet may be interposed between the first layer and the second layer to ensure the insulation and connection between the two.
【００５９】さらに、この実施例では、第１層と第２層
とを９０度回転させるようにしているが、これに限定さ
れるものではない。Further, in this embodiment, the first layer and the second layer are rotated by 90 degrees, but the invention is not limited to this.
【００６０】また、各層の織物構造体には、各種の電気
素子、その組み合わせからなる回路を自在に実装するこ
とができる。Further, various electric elements and circuits composed of combinations thereof can be freely mounted on the woven structure of each layer.
【００６１】なお、本発明の織物構造によるハイブリッ
ド集積回路及びその電子・光集積装置は、湾曲形状、円
筒形状に形成して、湾曲形状や円柱形状の構造体に実装
することができる。また、被服の腕部に装着するように
してもよい。The hybrid integrated circuit and the electronic / optical integrated device thereof according to the present invention can be formed in a curved shape or a cylindrical shape and can be mounted on a curved or cylindrical structure. It may also be worn on the arm of the clothing.
【００６２】本発明は、上記のように、各種の適用形態
を展開することができる。The present invention can be applied to various application forms as described above.
【００６３】また、上記実施例で述べた縦糸状体と横糸
状体を入れ換えて、各種の素子を実装することができる
ようにすることも、本発明の範疇に包含されるものであ
る。It is also within the scope of the present invention to replace the warp filaments and the weft filaments described in the above embodiments so that various elements can be mounted.
【００６４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。As described in detail above, according to the present invention, the following effects can be achieved.
【００６６】（Ａ）生活の身近に適合させることができ
新規な織物構造によるハイブリッド集積回路及びその電
子・光集積装置を得ることができる。(A) It is possible to obtain a hybrid integrated circuit and an electronic / optical integrated device thereof which can be adapted to everyday life and have a novel woven structure.
【００６７】（Ｂ）ハイブリッド集積回路を縦糸状体と
横糸状体で容易に編み上げ構築することができる。(B) The hybrid integrated circuit can be easily knitted and constructed by using the warp filaments and the weft filaments.
【００６８】（Ｃ）電子・光集積装置を縦糸状体と横糸
状体で容易に編み上げ構築することができる。(C) The electronic / optical integrated device can be easily knitted and constructed by using the warp filaments and the weft filaments.
【００６９】（Ｄ）糸状体として光ファイバを用いて、
光半導体素子と電気素子を組み合わせた光集積回路装置
を容易に編み上げ、構築することができる。(D) An optical fiber is used as the filamentous material,
An optical integrated circuit device in which an optical semiconductor element and an electric element are combined can be easily knitted and constructed.
【００７０】（Ｅ）太陽電池及び電気素子を組み合わせ
た電源装置付き電子回路装置を容易に編み上げ、構築す
ることができる。(E) An electronic circuit device with a power supply device in which a solar cell and an electric element are combined can be easily knitted and constructed.
【００７１】（Ｆ）本発明によれば、素子から設計・加
工・製造のすべてのレベルで従来の技術体系の制約から
解放されており、電気信号と光信号を本質的に一体に扱
う本発明の体系（システム）では電源供給問題もこれま
での多くの制限から解放されるため、従来、電子機器を
利用することが困難であった個人に密着した広範な生産
・生活の各領域でも、技術的・経済的条件を満たす新し
い多くの応用製品を開拓することができる。(F) According to the present invention, the restriction of the conventional technical system is released at all levels from designing, processing, and manufacturing of elements, and the present invention handles electric signals and optical signals essentially as one unit. In the system of (1), the problem of power supply is also freed from many restrictions so far. Therefore, even in the wide range of production and daily life in which individuals have been difficult to use electronic devices in the past, the technology has been It is possible to develop many new applied products that meet the economic and economic requirements.
【図１】本発明の実施例を示す二次元織物構造を示す模
式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a two-dimensional woven structure showing an example of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例を示す二次元織物構造を構
成する各種の縦糸状体と横糸状体の上面図である。FIG. 2 is a top view of various warp filaments and weft filaments constituting the two-dimensional woven structure showing the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例を示す基本素子を実装する
第１の縦糸状体の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a first warp-shaped body on which the basic element according to the first embodiment of the present invention is mounted.
【図４】本発明の第１実施例を示す入力系の配線パター
ンを有する第１の横糸状体の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a first weft filament having an input system wiring pattern according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例を示す出力系の配線パター
ンを有する第２の縦糸状体の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a second warp-shaped body having an output system wiring pattern according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第１実施例を示す電源・接地系の配線
パターンを有する第２の横糸状体の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a second weft filament having a power / grounding system wiring pattern according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１実施例を示す縦糸状体と横糸状体
とを編み上げて構築されるハイブリッド集積回路の構成
図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a hybrid integrated circuit constructed by weaving a warp filament and a weft filament to show the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２実施例を示す光半導体素子及び電
気素子が実装される電子・光集積装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of an electronic / optical integrated device on which an optical semiconductor element and an electric element according to a second embodiment of the present invention are mounted.
【図９】本発明の第３実施例を示す太陽電池素子が実装
される電子装置の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of an electronic device on which the solar cell element according to the third embodiment of the present invention is mounted.
【図１０】本発明の実施例を示すＮＡＮＤ素子と電源装
置が組み合わされた電源ユニット内蔵ＯＲ回路装置の構
成図である。FIG. 10 is a configuration diagram of an OR circuit device with a built-in power supply unit in which a NAND element and a power supply device according to an embodiment of the present invention are combined.
【図１１】本発明の実施例を示す多層状に編み上げられ
たハイブリッド集積回路を有する三次元の織物構造体の
構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a three-dimensional woven structure having a hybrid integrated circuit woven in multiple layers according to an embodiment of the present invention.
１，１′，１０１，１０１′，２０１ 第１の縦糸状
体
２，２′，１２，２２，３２，１２２，１３２，２０
２，２１２，２２２，２３２ 断面円形のプラスチッ
クファイバ
３，３′ ゲート電極
４，４′，１０５，１１５ 絶縁膜
５，５′，１０７ ドレイン電極
６，６′，１０６ ソース電極
７ Ｎ型半導体
１１，１１′，１１１，１１１′，２１１ 第１の横
糸状体
１３，１３′，２３，２３′，３３，１１３，２１３
配線パターン
１４，１４′，２４，２４′，３７，３８，３９，４
０，１１４，１２５，１２６，１２７，１２９，１３
０，１３５，１３６，２１４，２２５，２２６接続用電
極パターン
２１，１２１，２２１ 第２の縦糸状体
３１，１３１，２３１ 第２の横糸状体
３４，３５，１３３，２３３ 電源配線パターン
３６，１２４，１３４，２２３，２２４ 接地配線パ
ターン
１０２，１１２ 光ファイバ
１０３ ゲート電極パターン
１０４ 受光素子
１０８，２０５ 透明電極
１０９，２０４ 半導体膜
１１０ 発光素子
Ｃ キャパシタ
１１７ 上部電極パターン
１１８ 光接続部
１２３ 出力配線パターン
１２８ 抵抗体
２０３ 電極
ＳＣ 太陽電池
４０１ 電源装置
４０２，４０３，４０４ ＮＡＮＤ素子
４０５ 入力線Ａ
４０６ 入力線Ｂ
４０７ 出力線Ａ ｏｒ Ｂ
４０８ 接地線
５０１ 第１層のハイブリッド集積回路を有する織物
構造体
５０２ 第２層のハイブリッド集積回路を有する織物
構造体1, 1 ', 101, 101', 201 1st warp-shaped body 2, 2 ', 12, 22, 32, 122, 132, 20
2, 212, 222, 232 Plastic fiber with a circular cross section 3, 3'Gate electrodes 4, 4 ', 105, 115 Insulating films 5, 5', 107 Drain electrodes 6, 6 ', 106 Source electrode 7 N-type semiconductor 11, 11 ', 111, 111', 211 First weft filaments 13, 13 ', 23, 23', 33, 113, 213
Wiring patterns 14, 14 ', 24, 24', 37, 38, 39, 4
0, 114, 125, 126, 127, 129, 13
0, 135, 136, 214, 225, 226 connection electrode patterns 21, 121, 221 second warp filaments 31, 131, 231 second weft filaments 34, 35, 133, 233 power supply wiring patterns 36, 124 , 134, 223, 224 ground wiring pattern 102, 112 optical fiber 103 gate electrode pattern 104 light receiving element 108, 205 transparent electrode 109, 204 semiconductor film 110 light emitting element C capacitor 117 upper electrode pattern 118 optical connection portion 123 output wiring pattern 128 resistance Body 203 Electrode SC Solar cell 401 Power supply device 402, 403, 404 NAND element 405 Input line A 406 Input line B 407 Output line A or B 408 Ground line 501 Fabric structure 502 having the first layer of hybrid integrated circuit 502 Second layer Has a hybrid integrated circuit Textile structure
Claims (18)
あって、（ａ）電気素子が実装される縦糸状体と、
（ｂ）該縦糸状体の電気素子に接続されるように編み上
げられる横糸状体とを具備することを特徴とする織物構
造によるハイブリッド集積回路。1. A hybrid integrated circuit having a woven structure, comprising: (a) a warp-shaped body on which an electric element is mounted;
(B) A weft filament which is knitted up so as to be connected to the electric element of the warp filament, and a hybrid integrated circuit having a woven structure.
ッド集積回路であって、前記縦糸状体又は横糸状体は、
円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイ
バ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維からな
ることを特徴とする織物構造によるハイブリッド集積回
路。2. The hybrid integrated circuit according to claim 1, wherein the warp thread or the weft thread is:
A hybrid integrated circuit having a woven structure, which is composed of a cylindrical or cylindrical plastic fiber, glass fiber, insulating coated metal fine wire, semiconductor wire or polymer fiber.
ッド集積回路であって、前記電気素子は、半導体能動素
子又は半導体受動素子であることを特徴とする織物構造
によるハイブリッド集積回路。3. The hybrid integrated circuit according to claim 1, wherein the electric element is a semiconductor active element or a semiconductor passive element.
ッド集積回路であって、二次元形状に構成されることを
特徴とする織物構造によるハイブリッド集積回路。4. The hybrid integrated circuit having the woven structure according to claim 1, wherein the hybrid integrated circuit has a two-dimensional shape.
ッド集積回路であって、多層状の織物構造による三次元
形状に構成されることを特徴とする織物構造によるハイ
ブリッド集積回路。5. The hybrid integrated circuit having the woven structure according to claim 1, wherein the hybrid integrated circuit has a woven structure and has a three-dimensional shape.
ッド集積回路であって、前記多層状の織物構造による三
次元形状が円筒形状であることを特徴とする織物構造に
よるハイブリッド集積回路。6. The hybrid integrated circuit having the woven structure according to claim 5, wherein the three-dimensional shape of the multilayer woven structure has a cylindrical shape.
ッド集積回路であって、前記縦糸状体と横糸状体とを電
気的に接続する素子接続用電極を具備することを特徴と
する織物構造によるハイブリッド集積回路。7. The hybrid integrated circuit according to claim 1, further comprising an element connecting electrode for electrically connecting the warp filaments and the weft filaments. Hybrid integrated circuit.
て、（ａ）光半導体素子及び電気素子が実装される縦糸
状体と、（ｂ）該縦糸状体の光半導体素子及び電気素子
に接続されるように編み上げられる横糸状体とを備え、
（ｃ）前記縦糸状体が前記光半導体素子に接続される光
ファイバを具備することを特徴とする織物構造による電
子・光集積装置。8. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp thread body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted, and (b) an optical semiconductor element and an electric element of the warp thread body. With a weft filament that is knitted so as to be connected,
(C) An electronic / optical integrated device having a woven structure, wherein the warp-shaped body includes an optical fiber connected to the optical semiconductor element.
て、（ａ）太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状体
と、（ｂ）該縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続さ
れるように編み上げられる横糸状体とを備え、（ｃ）電
源を内蔵することを特徴とする織物構造による電子・光
集積装置。9. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp filament on which a solar cell and an electric element are mounted, and (b) a solar cell and an electric element of the warp filament. An electronic / optical integrated device having a woven structure, characterized in that (c) a power source is incorporated therein.
って、（ａ）光半導体素子及び電気素子が実装される縦
糸状体と、（ｂ）該縦糸状体の光半導体素子及び電気素
子に接続されるように編み上げられる横糸状体とを備
え、（ｃ）二次元形状に組み立て可能に構成することを
特徴とする織物構造による電子・光集積装置。10. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp thread body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted, and (b) an optical semiconductor element and an electric element of the warp thread body. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: a weft filament that is knitted so as to be connected; and (c) configured to be assembled into a two-dimensional shape.
って、（ａ）太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状
体と、（ｂ）該縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続
されるように編み上げられる横糸状体とを備え、（ｃ）
二次元形状に組み立て可能に構成することを特徴とする
織物構造による電子・光集積装置。11. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp filament on which a solar cell and an electric element are mounted, and (b) a solar cell and an electric element of the warp filament. And a weft-shaped body that is braided so that (c)
An electronic / optical integrated device having a woven structure, which is configured to be assembled into a two-dimensional shape.
って、（ａ）光半導体素子及び電気素子が実装される縦
糸状体と、（ｂ）該縦糸状体の光半導体素子及び電気素
子に接続されるように編み上げられる横糸状体とを備
え、（ｃ）多層状の織物構造による三次元形状に組み立
て可能に構成することを特徴とする織物構造による電子
・光集積装置。12. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp-shaped body on which an optical semiconductor element and an electric element are mounted, and (b) an optical semiconductor element and an electric element of the warp-shaped body. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: a weft filament that is knitted so as to be connected; and (c) configured to be assembled into a three-dimensional shape having a multilayer woven structure.
って、（ａ）太陽電池及び電気素子が実装される縦糸状
体と、（ｂ）該縦糸状体の太陽電池及び電気素子に接続
されるように編み上げられる横糸状体とを備え、（ｃ）
多層状の織物構造による三次元形状に組み立て可能に構
成することを特徴とする織物構造による電子・光集積装
置。13. An electronic / optical integrated device having a woven structure, comprising: (a) a warp filament on which a solar cell and an electric element are mounted; and (b) a solar cell and an electric element of the warp filament. And a weft-shaped body that is braided so that (c)
An electronic / optical integrated device having a fabric structure, which is configured to be assembled into a three-dimensional shape having a multilayer fabric structure.
よる電子・光集積装置であって、前記三次元形状が円筒
形状であることを特徴とする織物構造による電子・光集
積装置。14. The electronic / optical integrated device according to claim 12 or 13, wherein the three-dimensional shape is a cylindrical shape.
造による電子・光集積装置であって、前記光半導体素子
は半導体発光ダイオード又は半導体受光素子であること
を特徴とする織物構造による電子・光集積装置。15. An electronic / optical integrated device having a woven structure according to claim 8, 10 or 12, wherein the optical semiconductor element is a semiconductor light emitting diode or a semiconductor light receiving element. Optical integrated device.
造による電子・光集積装置であって、前記太陽電池は半
導体光電変換素子であることを特徴とする織物構造によ
る電子・光集積装置。16. An electronic / optical integrated device having a woven structure according to claim 9, 11 or 13, wherein the solar cell is a semiconductor photoelectric conversion element.
の織物構造による電子・光集積装置であって、前記縦糸
状体又は横糸状体は、円柱又は円筒状のプラスチックフ
ァイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線
又は高分子繊維からなることを特徴とする織物構造によ
る電子・光集積装置。17. An electronic / optical integrated device having the woven structure according to claim 8, wherein the warp-shaped or weft-shaped body is a cylindrical or cylindrical plastic fiber, glass fiber, An electronic / optical integrated device having a woven structure, which is made of an insulating coated metal fine wire, a semiconductor wire or a polymer fiber.
の織物構造による電子・光集積装置であって、前記縦糸
状体と横糸状体とを電気的又は光学的に接続する素子接
続用電極を具備することを特徴とする織物構造による電
子・光集積装置。18. An electronic / optical integrated device having the woven structure according to claim 8, wherein the warp filaments and the weft filaments are electrically or optically connected to each other. An electronic / optical integrated device having a woven structure characterized by comprising electrodes.
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| JP2001359830A JP2003161844A (en) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | Hybrid integrated circuit by fabric structure, and electronic and optical integrated device thereof |
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