JP2003157760A - Manufacturing method of electron source and image forming device - Google Patents
Manufacturing method of electron source and image forming deviceInfo
- Publication number
- JP2003157760A JP2003157760A JP2001353142A JP2001353142A JP2003157760A JP 2003157760 A JP2003157760 A JP 2003157760A JP 2001353142 A JP2001353142 A JP 2001353142A JP 2001353142 A JP2001353142 A JP 2001353142A JP 2003157760 A JP2003157760 A JP 2003157760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- manufacturing
- droplet
- electron source
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子、電
子源基板、及び画像形成装置の製造方法及び製造装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron-emitting device, an electron source substrate, and a method and apparatus for manufacturing an image forming apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】本出願人らは、表面伝導型電子放出素子
の安価かつ平易な作製手法として特開平08-1718
50に、第5図に示すような、金属含有溶液を液滴状態
で基板上に吐出して、導電性薄膜および素子電極を形成
することにより、表面伝導型電子放出素子を作製する方
法について提案した。2. Description of the Related Art The applicant of the present invention has disclosed a surface-conduction electron-emitting device as an inexpensive and simple manufacturing method.
At 50, a method for producing a surface conduction electron-emitting device by discharging a metal-containing solution in a droplet state onto a substrate to form a conductive thin film and a device electrode as shown in FIG. did.
【0003】第5図において、1は基板、2および3は
素子電極、4は導電性膜、5は電子放出部であり、素子
電極2、3に電圧を印加し通電処理を施すことによっ
て、電子放出部5を形成している。In FIG. 5, 1 is a substrate, 2 and 3 are device electrodes, 4 is a conductive film, and 5 is an electron emitting portion. By applying a voltage to the device electrodes 2 and 3 to perform energization treatment, The electron emitting portion 5 is formed.
【0004】更に、基板1上にマトリックス状に上記電
子放出素子を配列した電子源基板、および画像形成装置
を作製してきた。Further, an electron source substrate in which the above electron-emitting devices are arranged in a matrix on the substrate 1 and an image forming apparatus have been manufactured.
【0005】第3図は、従来の、金属含有溶液を基板上
に吐出して導電性薄膜及び素子電極を形成する工程の一
例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing an example of a conventional process of ejecting a metal-containing solution onto a substrate to form a conductive thin film and a device electrode.
【0006】第3図において、基板ステージ8上の基板
1の上方に吐出ヘッド7が設置されており、該吐出ヘッ
ド7に設けられた吐出ノズル9から、前記金属含有溶液
を液滴状態で吐出し、基板1上に付着させる。第3図1
2は、吐出された後、基板上に付着した液滴である。In FIG. 3, an ejection head 7 is installed above the substrate 1 on a substrate stage 8, and the metal-containing solution is ejected in a droplet state from an ejection nozzle 9 provided in the ejection head 7. Then, it is attached on the substrate 1. Fig. 3
The reference numeral 2 is a droplet that has been ejected and then adhered to the substrate.
【0007】その後、焼成等により前記導電性薄膜を形
成するものである。Thereafter, the conductive thin film is formed by firing or the like.
【0008】ここで、吐出ヘッド7には、インクジェッ
ト制御・駆動機構16が設けられており、液滴の吐出を
制御している。Here, the ejection head 7 is provided with an ink jet control / drive mechanism 16 to control the ejection of liquid droplets.
【0009】又、ステージ8には、位置検出機構17と
ステージ駆動機構(不図示)が設けられており、X及び
Y方向にステージを移動出来、前記インクジェット制御
・駆動機構16と連動させて吐出ヘッド7から液滴を吐
出することで、基板上に液滴を付着させるものである。Further, the stage 8 is provided with a position detecting mechanism 17 and a stage driving mechanism (not shown) so that the stage can be moved in the X and Y directions, and discharge is performed in conjunction with the ink jet control / driving mechanism 16. The droplets are ejected from the head 7 to adhere the droplets onto the substrate.
【0010】尚、移動するのは、ステージ側に限らず、
ヘッド側、或いはヘッド,ステージの両方を移動しても
良い。更に、第3図は、基板の上方にヘッドを配置した
例であるが、逆にヘッドを下方に配置して下から吐出す
る、或いは横方向に配置して吐出しても良い。The movement is not limited to the stage side,
The head side or both the head and the stage may be moved. Further, FIG. 3 shows an example in which the head is arranged above the substrate, but conversely, the head may be arranged below and ejected from below, or may be arranged laterally and ejected.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の液
滴を基板に付着させる工程において、様々な外乱要因に
よって前記液滴の凹凸形状が基板ごとに異なり、その結
果、該液滴の焼成等によってえられた導電性薄膜の凹凸
が異なることで、該導電性薄膜への通電による電子放出
部の形成工程などに悪影響をもたらすなど、基板間での
電子放出特性のばらつきが生じ、歩留まりが悪化すると
いう問題があった。However, in the conventional step of attaching the droplets to the substrate, the uneven shape of the droplets varies from substrate to substrate due to various disturbance factors, and as a result, the droplets are baked or the like. The resulting unevenness of the conductive thin film has a negative effect on the process of forming the electron-emitting portion due to energization of the conductive thin film, which causes variations in electron emission characteristics between substrates, resulting in poor yield. There was a problem of doing.
【0012】そこで本発明の目的は、素子断面形状を前
記外乱要因によらず任意に制御し、良好な電子放出部の
形成が行われるような形状の導電性薄膜を形成すること
で、素子特性のばらつきが低く、低コストでかつ容易に
製造できる電子源、その製造方法及び該電子源を有する
画像形成装置及びそれらの製造方法を提供するものであ
る。Therefore, an object of the present invention is to arbitrarily control the cross-sectional shape of the device without depending on the above-mentioned disturbance factors, and to form a conductive thin film having a shape in which a favorable electron-emitting portion is formed. (EN) Provided are an electron source which has low variation in temperature and can be easily manufactured at low cost, a manufacturing method thereof, an image forming apparatus having the electron source, and manufacturing methods thereof.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題は、金属含有溶
液の液滴を吐出して基板に付着させる工程を有する電子
源基板の製造方法において、該電子源基板の製造方法
が、少なくとも、前記液滴を吐出ヘッドに設けられた複
数の吐出ノズルより吐出する手段と、該吐出ヘッドと前
記基板の相対位置を制御する手段により、前記吐出ヘッ
ドと基板の少なくとも一方を相対的に移動しながら、前
記複数の吐出ノズルから液滴を基板上に付着させる工程
において、前記吐出ノズルより吐出され基板上に付着し
た液滴の隆起を検出し、該計測された隆起と目標とする
液滴もしくは電子源の隆起とのずれ量を算出し、該算出
したずれ量に基づき液滴形状を補正することで解決する
ことができる。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned object is to provide a method of manufacturing an electron source substrate, which comprises a step of ejecting droplets of a metal-containing solution to adhere them to the substrate, wherein the method of manufacturing the electron source substrate is at least While relatively moving at least one of the ejection head and the substrate by means for ejecting liquid droplets from a plurality of ejection nozzles provided in the ejection head and means for controlling the relative position of the ejection head and the substrate, In the step of adhering the droplets onto the substrate from the plurality of ejection nozzles, the protrusion of the droplets ejected from the ejection nozzles and adhering to the substrate is detected, and the measured protrusion and the target droplet or electron source. It is possible to solve the problem by calculating the deviation amount from the ridge and correcting the droplet shape based on the calculated deviation amount.
【0014】すなわち、本発明は以下の(1)〜(1
2)である。That is, the present invention provides the following (1) to (1)
2).
【0015】(1)基板上に、一対の素子電極間を連絡
する導電性薄膜と、該導電性薄膜の一部に電子放出部を
持つ電子放出素子が複数配列され、該電子放出素子間の
配線および該素子への電圧印加端子が形成された電子源
基板の製造方法であって、該電子源基板の製造方法が、
少なくとも、金属元素を含む溶液の液滴を吐出ヘッドに
設けられた吐出ノズルより吐出する手段と、該吐出ヘッ
ドと前記基板の相対位置を制御する手段により、前記吐
出ヘッドと該基板の少なくとも一方を相対的に移動しな
がら、前記吐出ヘッドに設けられた吐出ノズルから前記
液滴を基板上に付着させる工程を有し、該液滴を基板上
に付着させる工程が、少なくとも、前記吐出ノズルより
吐出され基板上に付着した液滴の隆起を検出する工程
と、該計測された隆起と目標とする液滴の隆起とのずれ
量を算出する工程と、該算出したずれ量に基づき液滴形
状を補正する工程を有することを特徴とする電子源の製
造方法。(1) A plurality of electron-emitting devices having an electron-emitting portion in a part of the conductive thin film and a conductive thin film for connecting a pair of device electrodes are arranged on a substrate, and the electron-emitting devices are arranged between the electron-emitting devices. A method for manufacturing an electron source substrate having wirings and voltage application terminals for the element, the method comprising:
At least one of the ejection head and the substrate is provided by at least a means for ejecting a droplet of a solution containing a metal element from an ejection nozzle provided in the ejection head and a means for controlling the relative position of the ejection head and the substrate. A step of adhering the droplet onto a substrate from an ejection nozzle provided in the ejection head while moving relatively, and a step of adhering the droplet onto the substrate is at least ejected from the ejection nozzle. The step of detecting the protrusion of the droplet that is adhered to the substrate, the step of calculating the deviation amount between the measured protrusion and the target protrusion of the droplet, and the droplet shape based on the calculated deviation amount. A method of manufacturing an electron source, comprising a step of correcting.
【0016】(2)前記液滴の隆起を検出する工程が、
該液滴に光を照射した際の反射光もしくは透過光によっ
て得られる光学像に基づくことを特徴とする(1)に記
載の電子源の製造方法。(2) The step of detecting the protrusion of the liquid droplets comprises
The method for producing an electron source according to (1), which is based on an optical image obtained by reflected light or transmitted light when the droplet is irradiated with light.
【0017】(3)前記液滴の隆起を検出する工程が、
該光学像の光強度比信号により行われることを特徴とす
る(1)および(2)に記載の電子源の製造方法。(3) The step of detecting the protrusion of the liquid droplets comprises
The method for producing an electron source according to (1) or (2), which is performed by a light intensity ratio signal of the optical image.
【0018】(4)前記液滴形状を補正する工程が、前
記液滴塗布時の基板周辺の温度もしくは湿度を制御する
ことによって行われることを特徴とする(1)〜(3)
に記載の電子源の製造方法。(4) The step of correcting the droplet shape is performed by controlling the temperature or humidity around the substrate at the time of applying the droplets (1) to (3).
The method for manufacturing an electron source according to.
【0019】(5)前記液滴形状を補正する工程が、前
記金属元素を含む溶液の組成を最適化することによって
行われることを特徴とする(1)〜(4)に記載の電子
源の製造方法。(5) In the electron source according to (1) to (4), the step of correcting the shape of the droplet is performed by optimizing the composition of the solution containing the metal element. Production method.
【0020】(6)前記液滴を基板上に付着させる工程
が、少なくとも液滴を同一個所に複数回重ねて塗布する
工程を有する(1)〜(3)に記載の電子源の製造方法
において、前記液滴形状を補正する工程が、前記液滴の
重ね塗布の時間間隔を制御することによって行われるこ
とを特徴とする(1)〜(3)に記載の電子源の製造方
法。(6) In the method of manufacturing an electron source according to any one of (1) to (3), the step of depositing the droplets on the substrate includes the step of applying the droplets to the same place a plurality of times in multiple layers. The method of manufacturing an electron source according to (1) to (3), wherein the step of correcting the droplet shape is performed by controlling a time interval of repeated application of the droplets.
【0021】(7)前記吐出ヘッドが、インクジェット
方式である(1)〜(6)記載の電子源の製造方法。(7) The method of manufacturing an electron source according to (1) to (6), wherein the ejection head is an ink jet system.
【0022】(8)複数の吐出ヘッドを使用する(1)
〜(7)に記載の電子源の製造方法。(8) Use of a plurality of ejection heads (1)
~ The method for manufacturing an electron source according to (7).
【0023】(9)前記インクジェット方式が、熱エネ
ルギーによって溶液内に気泡を形成させて該溶液を吐出
する方式である(1)〜(8)に記載の製造方法。(9) The manufacturing method according to (1) to (8), wherein the ink jet system is a system in which bubbles are formed in the solution by thermal energy and the solution is ejected.
【0024】(10)前記インクジェット方式が、力学
的エネルギーによって溶液を吐出する方式である(1)
〜(9)記載の電子源の製造方法。(10) The ink jet system is a system for ejecting a solution by mechanical energy (1).
~ The method for manufacturing an electron source according to (9).
【0025】(11)前記の電子源基板を形成する際、
列方向配線及び行方向配線が絶縁層を介して行列状に配
置され、前記一対の素子電極の一方は前記絶縁基板上に
接続して列方向配線とし、他方を絶縁層を介して接続し
て行方向配線としている(1)〜(10)に記載の電子
源の製造方法。(11) When the electron source substrate is formed,
Column-direction wirings and row-direction wirings are arranged in a matrix through an insulating layer, one of the pair of element electrodes is connected to the insulating substrate to form a column-direction wiring, and the other is connected via an insulating layer. The method for manufacturing an electron source according to (1) to (10), wherein the wiring is in the row direction.
【0026】(12)電子源としての電子放出素子と、
該素子への電圧印加手段と、該素子から放出される電子
を受けて発光する発光体と、外部信号に基づいて該素子
へ印加する電圧を制御する駆動回路とを具備する画像形
成装置の製造方法であって、該電子放出素子を(1)〜
(11)のいずれかに記載の方法で製造することを特徴
とする画像形成装置の製造方法。(12) An electron-emitting device as an electron source,
Manufacture of an image forming apparatus including a voltage applying unit for the element, a light-emitting body that emits light by receiving electrons emitted from the element, and a drive circuit that controls a voltage applied to the element based on an external signal. A method comprising the steps of:
A method for manufacturing an image forming apparatus, characterized by being manufactured by the method according to any one of (11).
【0027】本発明によれば、電子源となる導電性薄膜
を作成する際に、様々な外乱要因によらず所望の断面形
状を持つ導電性薄膜を作成することができるため、該導
電膜に通電処理を行い電子放出部を形成する工程におい
て、該放出部の形成不良を低減させることができ、結果
として良好な電子放出特性をもつ電子放出源を歩留まり
良く作成することができる。According to the present invention, when a conductive thin film which becomes an electron source is formed, a conductive thin film having a desired cross-sectional shape can be formed irrespective of various disturbance factors. In the process of forming the electron emitting portion by performing the energization process, formation defects of the electron emitting portion can be reduced, and as a result, an electron emitting source having good electron emitting characteristics can be produced with high yield.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings.
【0029】平面型表面伝導型電子放出素子について第
5図で説明する。The flat surface conduction electron-emitting device will be described with reference to FIG.
【0030】第5図は、本発明の一実施例に係わる平面
型表面伝導型電子放出素子の基本的な構成を示す模式的
平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing the basic structure of a flat surface conduction electron-emitting device according to an embodiment of the present invention.
【0031】第5図において1は基板、2と3は素子電
極、4は導電性薄膜、5は電子放出部、10は列方向電
極、11は行方向電極であり、各々の材料、構成等は、
前述の平08-171850に開示されている。In FIG. 5, 1 is a substrate, 2 and 3 are device electrodes, 4 is a conductive thin film, 5 is an electron emitting portion, 10 is a column-direction electrode, and 11 is a row-direction electrode. Is
It is disclosed in the above-mentioned Hei 08-171850.
【0032】第1図は本発明の製造方法における金属含
有溶液を基板上に吐出して導電性薄膜を形成する工程の
一例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a step of forming a conductive thin film by discharging a metal-containing solution onto a substrate in the manufacturing method of the present invention.
【0033】第1図において、基板ステージ8上の基板
1の上方に吐出ヘッド7が設置されており、該吐出ヘッ
ド7に設けられた吐出ノズル9から、前記金属含有溶液
を液滴状態で吐出し、基板1上に付着させる。なお、液
滴塗布に使用する吐出ノズルは、1つでも複数でも可能
である。In FIG. 1, an ejection head 7 is installed above the substrate 1 on a substrate stage 8, and the metal-containing solution is ejected in a droplet state from an ejection nozzle 9 provided in the ejection head 7. Then, it is attached on the substrate 1. The number of discharge nozzles used for applying the droplets may be one or plural.
【0034】吐出ヘッド7には、インクジェット制御・
駆動機構16が設けられており、ステージ8に設けられ
た位置検出機構17及びステージ駆動機構(不図示)と
連動して液滴を吐出することで、基板上の目的位置に液
滴を付着させることが出来る。The ejection head 7 has an inkjet control
A drive mechanism 16 is provided, and the droplets are ejected in conjunction with a position detection mechanism 17 and a stage drive mechanism (not shown) provided on the stage 8 to attach the droplets to a target position on the substrate. You can
【0035】更に、付着液滴の隆起状態を観察するため
に観察機構13が基板上方に設けられており、観察機構
13からの映像をもとに画像処理装置14により付着液
滴の光強度分布を分析することで、該液滴の隆起を測定
し、目標とする導電性薄膜の断面形状とのずれ量を算出
する。そして、算出されたずれ量を元に、インクジェッ
ト制御・駆動機構16及び位置検出機構17、ステージ
駆動機構(不図示)、環境制御装置(不図示)を制御す
ることで該ずれ量を補正することができる。これら一連
の制御は、制御コンピュータ15で行う。Further, an observing mechanism 13 is provided above the substrate for observing the raised state of the adhered droplets, and the light intensity distribution of the adhered droplets is controlled by the image processing device 14 based on the image from the observing mechanism 13. Is analyzed to measure the protrusion of the droplet and calculate the amount of deviation from the target cross-sectional shape of the conductive thin film. Then, based on the calculated shift amount, the inkjet control / drive mechanism 16, the position detection mechanism 17, the stage drive mechanism (not shown), and the environment control device (not shown) are controlled to correct the shift amount. You can The series of control is performed by the control computer 15.
【0036】観察機構13は、付着液滴が観察出来れば
良く、例えばCCDカメラ等が挙げられる。The observation mechanism 13 is only required to be able to observe the adhered droplets, and examples thereof include a CCD camera.
【0037】この付着液滴の隆起状態の計測と補正につ
いて第2図(a)〜(f)用いて説明する。The measurement and correction of the raised state of the adhered droplet will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (f).
【0038】ヘッドから吐出された金属含有溶液は、該
溶液中に含まれる膜形状保持剤、例えばポリビニルアル
コールなどの作用により、基板上で過度に凝集・離散す
ることなく液滴の状態を保持する。このとき、基板に付
着した液滴の断面形状、より具体的には凹凸形状は該液
滴を基板に付着させる工程における様々な条件の相互作
用によって決定される。該条件は、例えば基板の表面状
態、液滴が基板に付着した際の液滴中の溶媒揮発状態な
どが挙げられる。図2(a)〜(c)は基板に付着した
液滴の断面形状の模式図である。図2(a)は中央部が
凸である液滴、図2(b)は平坦な液滴、図2(c)は
中央部が凹である液滴を示す。基板に付着した液滴は、
図2(a)〜(c)のいずれかの形態をとる。これらの
液滴を焼成などにより不要な溶媒等を除去することで、
導電性薄膜を形成することができる。このとき、該導電
性薄膜の断面形状は、前記高温焼成前の液滴状態での断
面形状に依存して決定される。すなわち、液滴状態時に
中央部が凸であった場合は図2(d)のように中央部が
凸な導電膜が、液滴状態時に平坦であった場合は図2
(e)のように平坦な導電膜が、液滴状態時に中央が凹
であった場合は図2(f)のように中央部が凹な導電膜
が形成されることになる。The metal-containing solution ejected from the head retains the state of droplets without excessive aggregation / dispersion on the substrate due to the action of the film shape retainer contained in the solution, such as polyvinyl alcohol. . At this time, the cross-sectional shape of the droplet attached to the substrate, more specifically, the uneven shape is determined by the interaction of various conditions in the step of attaching the droplet to the substrate. The conditions include, for example, the surface state of the substrate, the solvent volatilization state in the droplet when the droplet adheres to the substrate, and the like. 2A to 2C are schematic views of the cross-sectional shape of the liquid droplets attached to the substrate. 2A shows a droplet having a convex central portion, FIG. 2B shows a flat droplet, and FIG. 2C shows a droplet having a concave central portion. Droplets attached to the substrate
2 (a) to 2 (c). By removing unnecessary solvent etc. by baking these droplets,
A conductive thin film can be formed. At this time, the cross-sectional shape of the conductive thin film is determined depending on the cross-sectional shape in the droplet state before the high temperature firing. That is, when the central portion is convex in the droplet state, as shown in FIG. 2D, the conductive film whose central portion is convex is flat in the droplet state as shown in FIG.
In the case where the flat conductive film as shown in (e) has a concave center in the droplet state, a conductive film having a concave center is formed as shown in FIG. 2 (f).
【0039】よって、基板に付着した状態での液滴の凹
凸形状を制御することで、任意の凹凸形状を有する導電
性薄膜を形成することができる。以下に、実際に付着液
滴の凹凸形状を制御する工程を、図1を用いて説明す
る。Therefore, by controlling the uneven shape of the droplets attached to the substrate, it is possible to form a conductive thin film having an arbitrary uneven shape. The process of actually controlling the uneven shape of the adhered droplets will be described below with reference to FIG.
【0040】(1)ステージ8を第1図のX方向にスキ
ャンニングさせながら、位置検出機構17及びインクジ
ェット制御・駆動機構16により、吐出ヘッド7のノズ
ルに吐出信号を送ることで液滴を吐出し、基板上に付着
させる。なお、本例では、液滴は少なくとも2回以上同
一個所に重ねて塗布されているものとする。(1) While scanning the stage 8 in the X direction of FIG. 1, the position detecting mechanism 17 and the inkjet control / driving mechanism 16 send an ejection signal to the nozzles of the ejection head 7 to eject the droplets. And then deposit it on the substrate. In this example, it is assumed that the droplets are applied to the same place at least twice more.
【0041】(2)次に、観察系13と画像処理装置1
4により、実際に付着した液滴の画像を取り込み、その
光強度分布から液滴の凹凸形状を測定する。(2) Next, the observation system 13 and the image processing apparatus 1
4, the image of the droplet actually attached is captured, and the uneven shape of the droplet is measured from the light intensity distribution.
【0042】(3)測定された凹凸形状と目標とする凹
凸形状とを比較し、その差を低減させるよう液滴塗布条
件、例えば液滴の重ね打ちの時間間隔に補正をかける。(3) The measured concavo-convex shape is compared with the target concavo-convex shape, and the droplet application conditions, for example, the time intervals of repeated ejection of the droplets are corrected so as to reduce the difference.
【0043】(4)この補正条件に基づき上記(1)〜
(3)を繰り返し実施することで、液滴の凹凸形状を目
標値もしくは許容範囲に収束させる。(4) Based on this correction condition, the above (1)-
By repeating (3), the uneven shape of the droplet is converged to a target value or an allowable range.
【0044】尚、付着液滴の凹凸計測及び補正は、電子
源基板の画像領域以内でも画像領域以外でも行うことが
可能である。It should be noted that the unevenness measurement and correction of the adhered droplets can be performed within the image area of the electron source substrate or outside the image area.
【0045】また、液滴を同一個所に複数回塗布しない
場合や、異なるパラメータによって液滴形状を制御した
い場合には、液滴形状制御のために最適化する液滴塗布
条件として、液滴塗布時の温湿度等の環境や、塗布液滴
成分の溶媒構成比率などを用いることも可能である。Further, when the droplet is not applied to the same place a plurality of times or when it is desired to control the droplet shape by different parameters, the droplet application condition optimized for controlling the droplet shape is the droplet application. It is also possible to use the environment such as temperature and humidity at that time, the solvent composition ratio of the applied droplet component, and the like.
【0046】また、移動するのは、ステージ側に限ら
ず、ヘッド側、或いはヘッド,ステージの両方を移動し
ても良い。更に、第1図は、基板の上方にヘッドを配置
した例であるが、逆にヘッドを下方に配置して下から吐
出する、或いは横方向に配置して吐出しても良い。The movement is not limited to the stage side, and the head side or both the head and the stage may be moved. Further, FIG. 1 shows an example in which the head is arranged above the substrate, but conversely, the head may be arranged below and ejected from below, or may be arranged laterally and ejected.
【0047】(実施例1)マトリクス状に配線および素
子電極を形成した基板を用い、多数の表面伝導型電子放
出素子を有する電子源基板を作製した。Example 1 An electron source substrate having a large number of surface conduction electron-emitting devices was produced using a substrate on which wirings and device electrodes were formed in a matrix.
【0048】以下に第1図、第2図、第4図、及び第5
図を参照にしながら説明する。Below, FIG. 1, FIG. 2, FIG. 4, and FIG.
Description will be made with reference to the drawings.
【0049】絶縁基板1としてガラス基板を用い、有機
溶剤等により充分に洗浄後、120℃で乾燥させた。該
基板1上に、Pt膜を用いて電極幅500μm、電極ギ
ャップ20μmの一対の素子電極を240列720行計
172800組行列状に形成し、電極に各々配線を接続
した。この配線としては、図5に示すようなマトリクス
配線を採用した。また、これら画像領域より外の領域
に、不図示の液滴形状測定・補正用素子電極を形成し
た。A glass substrate was used as the insulating substrate 1, which was thoroughly washed with an organic solvent or the like and then dried at 120 ° C. A pair of device electrodes having an electrode width of 500 μm and an electrode gap of 20 μm were formed on the substrate 1 in a matrix of 240 columns, 720 rows, and 172800 sets, and wirings were connected to the electrodes. As this wiring, a matrix wiring as shown in FIG. 5 was adopted. In addition, a droplet shape measuring / correcting element electrode (not shown) was formed in a region outside these image regions.
【0050】前記基板をアルカリ洗浄液等にて洗浄後、
シラン系撥水処理剤を用いて、表面処理を行った。After cleaning the substrate with an alkaline cleaning solution or the like,
Surface treatment was performed using a silane-based water repellent treatment agent.
【0051】その後、前記基板を第1図のステージ8に
吸着し、パターンの位置合せ等を行った。Then, the substrate was adsorbed to the stage 8 shown in FIG. 1 to align the pattern.
【0052】更に、吐出ヘッド7に導電性薄膜4の形成
材料を含有した溶液をインクとして注入した。溶液は有
機パラジウム含有溶液(パラジウム-プロリン錯体0.
15wt%、イソプロピルアルコール15%、エチレン
グリコール2.0%、ポリビニルアルコール0.05%
の水溶液)を使用した。Further, a solution containing the material for forming the conductive thin film 4 was injected into the ejection head 7 as ink. The solution was an organic palladium-containing solution (palladium-proline complex 0.
15 wt%, isopropyl alcohol 15%, ethylene glycol 2.0%, polyvinyl alcohol 0.05%
Aqueous solution) was used.
【0053】次に、前述した基板1の液滴形状測定用素
子電極に、ステージ8をスキャンニングスピード:20
0mm/secで+X方向にスキャンニングさせなが
ら、位置検出機構17及びインクジェット制御・駆動機
構16により、ノズルに設計上の吐出タイミングで、同
時に吐出信号を送って液滴を吐出し、基板上に付着させ
た。本実施例では、1つの電極対に対して液滴の付与を
4回行った。なお、このときの重ね打ちの時間間隔は約
7.5secであった。Next, the stage 8 is attached to the droplet shape measuring element electrode of the substrate 1 described above, and the stage 8 is scanned at a scanning speed of 20.
While scanning in the + X direction at 0 mm / sec, the position detection mechanism 17 and the inkjet control / driving mechanism 16 simultaneously send ejection signals to the nozzles at the designed ejection timing to eject droplets and deposit them on the substrate. Let In this example, the droplets were applied to one electrode pair four times. In addition, the time interval of the repeated striking at this time was about 7.5 sec.
【0054】その後、観察機構13と画像処理装置14
により、実際に付着した液滴の画像を取り込み、液滴の
反射光の強度比分布から、液滴中央部の光強度を端部の
光強度で除した値を凹凸率と規定して、所望の導電性薄
膜作成に必要な液滴の凹凸率との比較を行った。本実施
例では該端部を液滴中央部と液滴最端部との中間点とし
た。なお、凹凸率を規定するための端部の位置はこれに
限らず、液滴中央部と液滴最端部との間の位置であれば
どこでも良い。本実施例では、目標の凹凸率1.0±
0.1に対し、基板上に付着した液滴の凹凸率は1.2
5であった。After that, the observation mechanism 13 and the image processing device 14
By capturing the image of the droplet actually attached, the value obtained by dividing the light intensity at the center of the droplet by the light intensity at the edge is defined as the unevenness ratio from the intensity ratio distribution of the reflected light of the droplet, and Comparison was made with the unevenness rate of the liquid droplets required for forming the conductive thin film. In this embodiment, the end is the midpoint between the center of the droplet and the end of the droplet. The position of the end portion for defining the unevenness ratio is not limited to this, and may be any position between the center portion of the droplet and the end portion of the droplet. In this embodiment, the target unevenness ratio is 1.0 ±
As compared with 0.1, the unevenness rate of the droplets attached on the substrate is 1.2.
It was 5.
【0055】計測の結果から、付着液滴の方が、目標値
よりも中央部分が凸になっていることが判明したため、
この差を補正した液滴を形成するべくステージ8のスキ
ャニングスピードを200mm/secから100mm
/secに落とし、重ね打ちの時間間隔を9.0sec
に伸ばして、同基板上に設けられた未使用の液滴形状補
正用素子電極(不図示)上に液滴を塗布した。その結
果、補正後の液滴凹凸率は1.03となり、目標値1.
0±0.1に治めることができた。As a result of the measurement, it was found that the adhered droplet was more convex in the central portion than the target value.
The scanning speed of the stage 8 is changed from 200 mm / sec to 100 mm in order to form a droplet in which this difference is corrected.
/ Sec, and the time interval of repeated striking is 9.0 sec.
Then, the liquid droplets were applied onto unused liquid crystal shape correction element electrodes (not shown) provided on the same substrate. As a result, the corrected liquid droplet unevenness rate is 1.03, which is the target value 1.
I was able to control it to 0 ± 0.1.
【0056】次に、上記補正条件に基づき、基板1上の
画像領域内の導電性薄膜4を形成すべき位置に、液滴1
2を吐出し、付着させた後、350℃で30分間の加熱
処理を行って、膜厚100Åの酸化パラジウム(Pd
O)微粒子からなる導電性薄膜4を形成した。Next, on the basis of the above correction conditions, the droplet 1 is placed at the position on the substrate 1 where the conductive thin film 4 is to be formed.
2 is discharged and adhered, and then heat treatment is performed at 350 ° C. for 30 minutes to obtain 100 Å film thickness of palladium oxide (Pd
O) A conductive thin film 4 made of fine particles was formed.
【0057】さらに電極対2・3の間に電圧を印加し、
導電性薄膜4を通電処理(通電フォーミング)すること
により、電子放出部5を形成した。Further, a voltage is applied between the electrode pair 2 and 3,
The electron-emitting portion 5 was formed by subjecting the conductive thin film 4 to an energization process (energization forming).
【0058】なお、本実施例では補正前の付着液滴断面
形状は目標断面形状に比べて凸であったが、凹であった
場合には本実施例とは逆に、ステージの送り速度を上げ
て重ね打ち間隔を短くし、液滴がより凸になるような補
正をかければ良い。In this embodiment, the cross-sectional shape of the adhered droplets before correction was more convex than the target cross-sectional shape. However, if it is concave, the stage feed speed is changed, contrary to the present embodiment. It suffices to raise it so as to shorten the overlapping ejection interval and make a correction so that the droplet becomes more convex.
【0059】なお、本実施例では液滴凹凸率の目標値を
平坦と思われる領域に設定したが、必要に応じてより
凹、もしくはより凸に設定することができる。In this embodiment, the target value of the unevenness rate of the liquid droplets is set to a region considered to be flat, but it can be set to be more concave or more convex if necessary.
【0060】なお、本実施例では重ね打ち間隔の制御に
ステージの走査速度の変調を用いたが、場合によっては
意図的に塗布行為を一時停止させる、もしくはそのよう
な待機時間を減少させることで、重ね打ちの時間間隔を
変調することも可能である。In the present embodiment, the modulation of the scanning speed of the stage is used to control the over-printing interval, but in some cases, the coating action may be intentionally stopped or the waiting time may be reduced. It is also possible to modulate the time interval of overstrike.
【0061】こうして作製された電子源基板に、フェー
スプレート、及び支持枠等を組み合わせて表示パネルを
作製し、更に、駆動回路を接続して画像形成装置を作製
した。A display panel was manufactured by combining a face plate, a support frame and the like with the electron source substrate manufactured in this way, and further a drive circuit was connected to manufacture an image forming apparatus.
【0062】本実施例の製造方法により以上の如く作製
した電子放出素子は、均一な素子特性を有しており、良
好な画像形成装置を歩留まりよく得ることができた。The electron-emitting device manufactured as described above by the manufacturing method of this embodiment has uniform device characteristics, and a good image forming apparatus can be obtained with good yield.
【0063】(実施例2)実施例1と基本的な手法は同
様であるが、本実施例では液滴の凹凸形状の補正手段と
して、装置外部に取り付けられた温湿度制御装置(不図
示)による湿度を変化させるという方法を採用した。(Embodiment 2) The basic method is the same as that of Embodiment 1, but in this embodiment, a temperature / humidity control device (not shown) attached outside the device is used as a means for correcting the uneven shape of the droplet. The method of changing the humidity was adopted.
【0064】具体的には、初期の液滴の凹凸率が本実施
例では1.23であったため、温湿度制御装置により基
板周囲の湿度を40%から35%に下げた。本手法によ
り、液滴の凹凸率を1.02として、凹凸率の目標値
1.0±0.1内に治めることができた。Specifically, since the initial concave-convex ratio of the droplet was 1.23 in this embodiment, the humidity around the substrate was lowered from 40% to 35% by the temperature / humidity control device. By this method, the unevenness ratio of the droplet was set to 1.02, and it was possible to control it within the target value of the unevenness ratio of 1.0 ± 0.1.
【0065】なお、本実施例では補正前の付着液滴断面
形状は目標断面形状に比べて凸であったが、凹であった
場合には本実施例とは逆に、基板周囲の湿度を上げてよ
り凸になるような補正をかければ良い。In this embodiment, the cross-sectional shape of the adhered droplets before correction was more convex than the target cross-sectional shape. However, if it is concave, the humidity around the substrate is changed in the opposite manner to this embodiment. It is sufficient to raise it to make it more convex.
【0066】なお、本実施例では液滴凹凸率の目標値を
平坦と思われる領域に設定したが、必要に応じてより
凹、もしくはより凸に設定することができる。In this embodiment, the target value of the liquid droplet unevenness ratio is set to a region considered to be flat, but it can be set to be more concave or more convex as required.
【0067】なお、本実施例の方法によれば、実施例1
および2とは異なり、液滴の同一個所への複数回重ね塗
布を行わないような場合にも、液滴の凹凸形状を制御す
ることができる。According to the method of this embodiment, the first embodiment
Unlike 2 and 2, it is possible to control the concave-convex shape of the droplet even in the case where the droplet is not repeatedly applied to the same place a plurality of times.
【0068】更に、これらの電子源基板を用いて実施例
1と同様の方法で電子放出素子及び画像形成装置を製造
したところ、良好な画像形成装置を歩留まりよく得るこ
とができた。Further, when an electron-emitting device and an image forming apparatus were manufactured using these electron source substrates in the same manner as in Example 1, a good image forming apparatus could be obtained with a high yield.
【0069】(実施例3)実施例1と基本的な手法は同
様であるが、本実施例では液滴の凹凸形状の補正手段と
して、インク中の溶媒比率を変更するという方法を採用
した。(Embodiment 3) The basic method is the same as that of Embodiment 1, but in this embodiment, a method of changing the solvent ratio in the ink is adopted as a means for correcting the uneven shape of the droplet.
【0070】具体的には、初期の液滴の凹凸率が本実施
例では1.22であったため、ヘッドから供給するイン
ク中の低揮発性成分、具体的にはエチレングリコールの
濃度を1.5%まで低減させた。本手法により、液滴の
凹凸率を1.03として、凹凸率の目標値1.0±0.
1内に治めることができたなお、本実施例では補正前の
付着液滴断面形状は目標断面形状に比べて凸であった
が、凹であった場合には本実施例とは逆に、エチレング
リコールをはじめとするインク中の低揮発性成分の濃度
を上げてより凸になるような補正をかければ良い。Specifically, since the unevenness rate of the initial droplets was 1.22 in this embodiment, the concentration of the low volatile component, specifically ethylene glycol, in the ink supplied from the head was 1. It was reduced to 5%. According to this method, the target value of the unevenness ratio of 1.0 ± 0.
In this embodiment, the cross-sectional shape of the adhered droplets before correction was more convex than the target cross-sectional shape, but in the case of being concave, contrary to the present embodiment, It suffices to increase the concentration of low volatile components in the ink, such as ethylene glycol, so as to make the correction more convex.
【0071】なお、本実施例では液滴凹凸率の目標値を
平坦と思われる領域に設定したが、必要に応じてより
凹、もしくはより凸に設定することができる。In this embodiment, the target value of the liquid droplet unevenness ratio is set to a region considered to be flat, but it can be set to be more concave or more convex as required.
【0072】なお、本実施例の方法によれば、実施例1
および2とは異なり、液滴の同一個所への複数回重ね塗
布を行わないような場合にも、液滴の凹凸形状を制御す
ることができる。According to the method of this embodiment, the first embodiment
Unlike 2 and 2, it is possible to control the concave-convex shape of the droplet even in the case where the droplet is not repeatedly applied to the same place a plurality of times.
【0073】更に、これらの電子源基板を用いて実施例
1と同様の方法で電子放出素子及び画像形成装置を製造
したところ、良好な画像形成装置を歩留まりよく得るこ
とができた。Further, when an electron-emitting device and an image forming apparatus were manufactured using these electron source substrates in the same manner as in Example 1, a good image forming apparatus could be obtained with good yield.
【0074】[0074]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属含有溶液の液滴を吐出して基板に付着させる工程を
有する電子源基板の製造方法において、該電子源基板の
製造方法が、少なくとも、前記液滴を吐出ヘッドに設け
られた複数の吐出ノズルより吐出する手段と、該吐出ヘ
ッドと前記基板の相対位置を制御する手段により、前記
吐出ヘッドと基板の少なくとも一方を相対的に移動しな
がら、前記複数の吐出ノズルから液滴を基板上に付着さ
せる工程を有し、該液滴を基板上に付着させる工程が、
少なくとも、記吐出ノズルより吐出され基板上に付着し
た液滴の隆起を検出する工程と、該計測された隆起と目
標とする液滴もしくは電子源の隆起とのずれ量を算出す
る工程と、該算出したずれ量を補正することにより、様
々な外乱要因によらず所望の断面形状を持つ導電性薄膜
を作成することができるため、該導電膜に通電処理を行
い電子放出部を形成する工程において、該放出部の形成
不良を低減させることができ、結果として良好な電子放
出特性をもつ電子放出源を歩留まり良く作成することが
できる。As described above, according to the present invention,
In a method of manufacturing an electron source substrate, which comprises a step of discharging droplets of a metal-containing solution and attaching the droplets to a substrate, the method of manufacturing the electron source substrate includes at least a plurality of discharge nozzles provided in a discharge head. By means of more ejecting means and means for controlling the relative position of the ejecting head and the substrate, at least one of the ejecting head and the substrate is relatively moved, and droplets are adhered onto the substrate from the plurality of ejecting nozzles. And a step of attaching the droplet onto the substrate,
At least a step of detecting a protrusion of a droplet discharged from the discharge nozzle and adhering to the substrate, a step of calculating a deviation amount between the measured protrusion and a target droplet or a protrusion of an electron source, By correcting the calculated shift amount, a conductive thin film having a desired cross-sectional shape can be formed regardless of various disturbance factors. Therefore, in the step of forming an electron-emitting portion by conducting electricity to the conductive film. In addition, it is possible to reduce defective formation of the emission portion, and as a result, it is possible to produce an electron emission source having good electron emission characteristics with a high yield.
【図1】本発明に関わる電子放出素子の製造方法の一例
を示す模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a method for manufacturing an electron-emitting device according to the present invention.
【図2】本発明に関わる電子放出素子の製造方法の概念
を模式的に表す説明図FIG. 2 is an explanatory view schematically showing the concept of a method for manufacturing an electron-emitting device according to the present invention.
【図3】従来の電子放出素子の製造方法を示す模式図FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional method for manufacturing an electron-emitting device.
【図4】本発明の製造方法により作製される表面伝導型
電子放出素子の平面図FIG. 4 is a plan view of a surface conduction electron-emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention.
【図5】従来の電子放出素子の説明図FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional electron-emitting device.
1 基板 2,3 素子電極 4 導電性薄膜 5 電子放出部 6 絶縁膜 7 吐出ヘッド 8 基板ステージ 9 吐出ノズル 10 列方向配線 11 行方向配線 12 液滴 13 液滴観察機構 14 画像処理装置 15 制御コンピュータ 16 インクジェット制御・駆動機構 17 位置検出機構 1 substrate 2,3 element electrodes 4 Conductive thin film 5 Electron emission part 6 insulating film 7 Discharge head 8 substrate stage 9 discharge nozzles 10 column direction wiring 11 row wiring 12 droplets 13 Droplet observation mechanism 14 Image processing device 15 Control computer 16 Inkjet control / drive mechanism 17 Position detection mechanism
Claims (12)
導電性薄膜と、該導電性薄膜の一部に電子放出部を持つ
電子放出素子が複数配列され、該電子放出素子間の配線
および該素子への電圧印加端子が形成された電子源基板
の製造方法であって、 該電子源基板の製造方法が、少なくとも、金属元素を含
む溶液の液滴を吐出ヘッドに設けられた吐出ノズルより
吐出する手段と、該吐出ヘッドと前記基板の相対位置を
制御する手段により、 前記吐出ヘッドと該基板の少なくとも一方を相対的に移
動しながら、前記吐出ヘッドに設けられた吐出ノズルか
ら前記液滴を基板上に付着させる工程を有し、 該液滴を基板上に付着させる工程が、少なくとも、 前記吐出ノズルより吐出され基板上に付着した液滴の隆
起を検出する工程と、 該計測された隆起と目標とする液滴の隆起とのずれ量を
算出する工程と、 該算出したずれ量に基づき液滴形状を補正する工程を有
することを特徴とする電子源の製造方法。1. A conductive thin film for communicating between a pair of device electrodes and a plurality of electron-emitting devices having electron-emitting portions on a part of the conductive thin film are arranged on a substrate, and wiring between the electron-emitting devices is provided. And a method for manufacturing an electron source substrate on which a voltage application terminal to the element is formed, wherein the method for manufacturing the electron source substrate is a discharge nozzle in which a droplet of a solution containing at least a metal element is provided in a discharge head. The liquid is ejected from the ejection nozzles provided in the ejection head while relatively moving at least one of the ejection head and the substrate by means of ejecting more liquid and means for controlling the relative position of the ejection head and the substrate. A step of depositing a droplet on the substrate, wherein the step of depositing the droplet on the substrate comprises at least a step of detecting a protrusion of the droplet discharged from the discharge nozzle and deposited on the substrate; Raised Method of manufacturing an electron source, characterized in that it comprises a step of calculating a shift amount between the ridges of the droplets to target, the step of correcting the basis droplet shape deviation amount the calculated.
滴に光を照射した際の反射光もしくは透過光によって得
られる光学像に基づくことを特徴とする請求項1に記載
の電子源の製造方法。2. The electron according to claim 1, wherein the step of detecting the protrusion of the droplet is based on an optical image obtained by reflected light or transmitted light when the droplet is irradiated with light. Source manufacturing method.
学像の光強度比信号により行われることを特徴とする請
求項1および請求項2に記載の電子源の製造方法。3. The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the step of detecting the protrusion of the droplet is performed by a light intensity ratio signal of the optical image.
滴塗布時の基板周辺の温度もしくは湿度を制御すること
によって行われることを特徴とする請求項1〜3に記載
の電子源の製造方法。4. The electron source according to claim 1, wherein the step of correcting the droplet shape is performed by controlling the temperature or humidity around the substrate when the droplets are applied. Production method.
属元素を含む溶液の組成を最適化することによって行わ
れることを特徴とする請求項1〜4に記載の電子源の製
造方法。5. The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the step of correcting the droplet shape is performed by optimizing the composition of the solution containing the metal element.
少なくとも液滴を同一個所に複数回重ねて塗布する工程
を有する請求項1〜3に記載の電子源の製造方法におい
て、前記液滴形状を補正する工程が、前記液滴の重ね塗
布の時間間隔を制御することによって行われることを特
徴とする請求項1〜3に記載の電子源の製造方法。6. The step of depositing the droplet on a substrate comprises:
The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the step of correcting the shape of the droplets includes the step of applying the droplets at least once in a plurality of layers so as to overlap each other. The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the method is performed by controlling
である請求項1〜6に記載の電子源の製造方法。7. The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the ejection head is an inkjet type.
7に記載の電子源の製造方法。8. A method according to claim 1, wherein a plurality of ejection heads are used.
7. The method for manufacturing an electron source according to 7.
ーによって溶液内に気泡を形成させて該溶液を吐出する
方式である請求項1〜8に記載の製造方法。9. The manufacturing method according to claim 1, wherein the ink jet method is a method in which bubbles are formed in the solution by thermal energy and the solution is ejected.
ネルギーによって溶液を吐出する方式である請求項1〜
9に記載の電子源の製造方法。10. The ink jet method is a method of ejecting a solution by mechanical energy.
9. The method for manufacturing an electron source according to item 9.
向配線及び行方向配線が絶縁層を介して行列状に配置さ
れ、前記一対の素子電極の一方は前記絶縁基板上に接続
して列方向配線とし、他方を絶縁層を介して接続して行
方向配線としている請求項1〜10に記載の電子源の製
造方法。11. When forming the electron source substrate, column-direction wirings and row-direction wirings are arranged in rows and columns through an insulating layer, and one of the pair of device electrodes is connected to the insulating substrate. The method of manufacturing an electron source according to claim 1, wherein the wiring is in the column direction and the other is connected through an insulating layer to form the wiring in the row direction.
子への電圧印加手段と、該素子から放出される電子を受
けて発光する発光体と、外部信号に基づいて該素子へ印
加する電圧を制御する駆動回路とを具備する画像形成装
置の製造方法であって、該電子放出素子を請求項1〜1
1のいずれかに記載の方法で製造することを特徴とする
画像形成装置の製造方法。12. An electron-emitting device as an electron source, a voltage applying means to the device, a light-emitting body that emits light by receiving electrons emitted from the device, and a voltage applied to the device based on an external signal. A method for manufacturing an image forming apparatus, comprising: a drive circuit for controlling the electron emission device, wherein the electron-emitting device is provided.
1. A method for manufacturing an image forming apparatus, which is manufactured by the method described in any one of 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001353142A JP2003157760A (en) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | Manufacturing method of electron source and image forming device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001353142A JP2003157760A (en) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | Manufacturing method of electron source and image forming device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003157760A true JP2003157760A (en) | 2003-05-30 |
Family
ID=19165211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001353142A Withdrawn JP2003157760A (en) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | Manufacturing method of electron source and image forming device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003157760A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210226A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | Electron emission element, manufacturing method of the same, image display device, and electronic apparatus |
US7579051B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an electron emitter |
-
2001
- 2001-11-19 JP JP2001353142A patent/JP2003157760A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210226A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | Electron emission element, manufacturing method of the same, image display device, and electronic apparatus |
US7579051B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an electron emitter |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100229232B1 (en) | Electron-emitting device, electron source substrate, electron source, display panel and image-forming apparatus, and production method thereof | |
EP0736892B1 (en) | Manufacturing method for electron-emitting device, electron source, and image forming apparatus | |
KR100733916B1 (en) | Manufacturing method for electronic device with functional thin film | |
KR100787258B1 (en) | Film forming method, spacer utilizing the same and producing method for thin flat panel display | |
JP2003157760A (en) | Manufacturing method of electron source and image forming device | |
JP3241341B2 (en) | Manufacturing method of electron source substrate | |
JP2000306510A (en) | Method for fabricating electron beam device and spacer and electron beam device | |
JPH11354015A (en) | Ink jet injection device and the ink jet ink | |
CN1305094C (en) | Manufacturing method of electronic source substrate | |
JP2000251678A (en) | Manufacture and manufacturing device for electron source and image forming device | |
JP2010062115A (en) | Method of manufacturing functional film | |
JP2002110033A (en) | Manufacturing device for electron emitting element | |
JP3241340B2 (en) | Method for manufacturing display panel and image forming apparatus | |
CA2295551C (en) | Electron-emitting device, electron source substrate, electron source, display panel and image-forming apparatus, and production method thereof | |
JP2001307621A (en) | Manufacturing method of electron source substrate and electron source substrate manufactured by the method and image display device using the substrate | |
JP2006043691A (en) | Manufacturing method for electronic device with functional thin film applied for image display device | |
JP2004192811A (en) | Manufacturing method of electron source and image forming apparatus | |
JP3600232B2 (en) | Method of manufacturing electron source substrate, electron source substrate manufactured by the method, and image display device using the substrate | |
JPH11317160A (en) | Image forming device | |
JPH09245698A (en) | Manufacture of electron emitter, electron-source substrate, and image forming device | |
JP2001307622A (en) | Manufacturing method of electron source substrate and electron source substrate manufactured by the method and image display device using the substrate | |
JP2000246188A (en) | Substrate washing method and manufacture of electron source, image forming device | |
JP2000251683A (en) | Manufacture of electron emission element, electron source and image forming device | |
JP2010003473A (en) | Manufacturing method of electron source | |
JP2004327460A (en) | Manufacturing method of electron source base plate, electron source base plate manufactured by above method, and solution used for manufacturing of above base plate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |