JP2003157570A - Optical information recording medium - Google Patents

Optical information recording medium

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JP2003157570A
JP2003157570A JP2001319887A JP2001319887A JP2003157570A JP 2003157570 A JP2003157570 A JP 2003157570A JP 2001319887 A JP2001319887 A JP 2001319887A JP 2001319887 A JP2001319887 A JP 2001319887A JP 2003157570 A JP2003157570 A JP 2003157570A
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清人 柴田
Masaru Magai
勝 真貝
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裕司 三浦
Masato Harigai
眞人 針谷
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    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a phase change recording medium of a Sb3 Te-based recording material with initialization-less process and to obtain an initialization- less medium which is compatible with a DVD-ROM and which has the recording density of >=4.7 GB/120 mm diameter disk. SOLUTION: The optical recording medium has a recording layer containing Sb and Te but substantially no other elements or containing at least one kind of element selected from groups I to VII, and other layers. By irradiating the optical recording medium with energetic beams for recording, other elements are moved from the other layers to the recording layer and are present in the recording layer in an amount larger than the amount of the elements in the recording layer when the process of forming the recording layer is completed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、初期化操作が不要
で、保存信頼性に優れた光情報記録媒体及び記録方法に
関するものであり、光ディスクに応用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium and a recording method which do not require an initialization operation and have excellent storage reliability, and are applied to an optical disc.

【０００２】[0002]

【従来の技術】特開２０００−４３４１５号公報には、
記録層が空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を
有する相変化型光情報記録媒体が記載されている。ま
た、ＷＯ９８／４７１４２号公報には、Ｇｅ，Ｓｂおよ
びＴｅを記録層主成分とし、結晶化促進層にＢｉ等含む
相変化型光情報記録媒体が記載されている。2. Description of the Related Art Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43415 discloses
A phase-change optical information recording medium in which the recording layer has a metastable Sb 3 Te phase belonging to the space group Fm3m is described. Further, WO98 / 47142 discloses a phase change type optical information recording medium containing Ge, Sb and Te as main components of a recording layer and containing Bi or the like in a crystallization promoting layer.

【０００３】このように、レーザビーム照射による情報
の記録、再生および消去が可能な光情報記録媒体とし
て、結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相
変化を利用した相変化型光情報記録媒体が知られてい
る。As described above, as an optical information recording medium capable of recording, reproducing and erasing information by laser beam irradiation, phase change type optical information utilizing reversible phase change between a crystalline state and an amorphous state. Recording media are known.

【０００４】（相変化記録材料）現在、相変化記録媒体
に応用されている記録材料には、上記の、空間群Ｆｍ３
ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有するＳｂ３Ｔｅ系材
料（特開２０００−４３４１５号公報記載）と、昇温時
にｈｃｐ→ｆｃｃの転移を起こすＧｅＴｅ−Ｓｂ ２Ｔｅ
３共晶組成付近のＧｅＳｂＴｅ系材料の２種がある。本
発明は、前者の準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有するＳｂ３Ｔｅ
系記録材料の改善に関するものであり、本明細書におい
ては、Ｓｂ及びＴｅを主成分、それ以外の少量の所要元
素を他元素と称している。(Phase Change Recording Material) Currently, phase change recording media
The recording material applied to is the space group Fm3 described above.
Metastable Sb belonging to mThreeSb with Te phaseThreeTe-based material
Material (described in JP-A-2000-43415) and temperature rise
GeTe-Sb causing hcp → fcc transition in TwoTe
ThreeThere are two types of GeSbTe materials near the eutectic composition. Book
The invention is based on the former metastable Sb.ThreeSb with Te phaseThreeTe
The present invention relates to improvements in recording materials,
, Sb and Te as main components, and other small amount of requirements
Element is called other element.

【０００５】前者の空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ
３Ｔｅ相を有する相変化型光情報記録媒体と、後者のＧ
ｅ，ＳｂおよびＴｅを記録層主成分とし、結晶化促進層
にＢｉ等含む相変化型光情報記録媒体を比較すると、前
者のＳｂ３Ｔｅ系材料においても不純物としてＧｅを添
加して使用する場合があるが、後者のＧｅＳｂＴｅ系材
料との大きな差は、他元素のうち特にＧｅ原子の役割で
あり、また、その含有比率である。前者は、Ｇｅ含有量
増加とともに結晶化速度が減少することが特徴であり、
また、Ｇｅ原子含有率に対する保存信頼性向上効果の依
存性が高いことが特徴である。また、Ｇｅ原子の含有率
においては、前者では、好ましくは１０原子％未満、よ
り好ましくは６原子％未満、最も好ましくは５原子％未
満であるのに対して、後者の場合は２０原子％程度のＧ
ｅが含有され、Ｇｅが１０ａｔ％未満では記録材料とし
ての役割を果たさないという差異がある。当然のことで
あるが、ＳｂＴｅ系材料は、Ｇｅを含有しない場合でも
記録することができる。更に、ダイレクトオーバーライ
ト時においても両者に差異がある。ＳｂＴｅ系材料は、
溶融再結晶により消去するが、ＧｅＳｂＴｅ系材料は固
相消去である。この消去法の差異ゆえに、Ｓｂ３Ｔｅ系
材料は、記録のレーザービーム系を小さくすることによ
り、際限なく記録密度を高くすることが可能である。一
方、ＧｅＳｂＴｅ系材料は、実用上マーク長０．３５μ
ｍが限界である。直径１２０ｍｍディスク上では、Ｓｂ
３Ｔｅ系材料でないと、４．７ＧＢを超える記録容量を
達成することができない。Metastable Sb belonging to the former space group Fm3m
Phase change type optical information recording medium having 3 Te phase and the latter G
Comparing phase-change optical information recording media containing e, Sb and Te as the recording layer main components and containing Bi or the like in the crystallization promoting layer, when the former Sb 3 Te-based material is used with Ge added as an impurity However, a big difference from the latter GeSbTe-based material is the role of Ge atoms, among other elements, and the content ratio thereof. The former is characterized in that the crystallization rate decreases as the Ge content increases,
Further, it is characterized in that the dependence of the storage reliability improving effect on the Ge atom content is high. The content of Ge atoms in the former is preferably less than 10 atomic%, more preferably less than 6 atomic%, most preferably less than 5 atomic%, whereas the latter is approximately 20 atomic%. G
There is a difference that when e is contained and Ge is less than 10 at%, it does not serve as a recording material. As a matter of course, the SbTe-based material can be recorded even when it does not contain Ge. Furthermore, there is a difference between the two even during direct overwrite. SbTe-based materials are
It is erased by melt recrystallization, but the GeSbTe-based material is solid phase erase. Due to this difference in the erasing method, it is possible to increase the recording density of the Sb 3 Te-based material infinitely by reducing the laser beam system for recording. On the other hand, GeSbTe-based materials have a practical mark length of 0.35μ.
m is the limit. On a 120 mm diameter disc, Sb
Unless it is a 3 Te-based material, a recording capacity exceeding 4.7 GB cannot be achieved.

【０００６】（記録メディアの製造） （初期化工程の必要性）現在、相変化記録媒体に応用さ
れている前記２種の従来記録材料は共に、記録媒体製造
工程における記録層成膜工程終了時は、アモルファスで
ある。そのため、成膜工程終了直後の記録メディアの反
射率は５％未満であるため市販の読みとりドライブでの
読みとりが不可能である。(Manufacture of Recording Medium) (Necessity of Initialization Step) Both of the above-mentioned two kinds of conventional recording materials currently applied to phase change recording media are used at the end of the recording layer forming step in the recording medium manufacturing step. Is amorphous. Therefore, the reflectance of the recording medium immediately after the film forming process is less than 5%, so that it cannot be read by a commercially available reading drive.

【０００７】（現状の初期化工程）そこで、記録層を高
反射率の結晶膜とするためのレーザアニール工程、いわ
ゆる初期化工程を行なう必要がある。初期化では、記録
ディスク半径方向に１００μｍ〜２００μｍの長さを持
つ半導体レーザーを使用している。初期化工程はディス
クを回転させると同時に、半導体レーザーを半径方向に
送ることにより行なう。レーザアニール結晶化を均一に
行なうためには、同一の個所を複数回照射する速度でレ
ーザーを送る必要があり、同一個所を２〜３回照射する
速度で送るのが通常である。ＤＶＤでは、半径方向に１
００μｍの長さのレーザーを１回転あたり３６μｍ送る
速さで行なう。それゆえ、初期化時間は１枚あたり１０
０秒以上の時間を要している。全製造工程中の他工程の
プロセス時間との兼ね合いから、成膜装置１台当り１０
台以上の初期化装置が必要である。さらに、同一個所を
複数回照射する方法においても、半導体レーザーのディ
スク半径方向の強度プロファイルを厳しく管理する必要
がある。ＤＶＤでは、半径方向の出力強度回帰式から強
度が１０％以上ズレる個所がある場合、均質初期化が不
可能となる。また、ＤＶＤ−ＲＷは、初期化に適したレ
ーザー出力の範囲が最適出力±５％未満のマージンであ
る。前記のレーザー強度プロファイルの許容範囲と共
に、初期化に適したレーザー出力の範囲は記録密度が高
くなるほど狭くなってゆく。(Currently, initialization process) Therefore, it is necessary to perform a so-called initialization process, which is a laser annealing process for forming the recording layer as a crystal film having high reflectance. In the initialization, a semiconductor laser having a length of 100 μm to 200 μm in the radial direction of the recording disk is used. The initialization process is performed by rotating the disk and simultaneously sending a semiconductor laser in the radial direction. In order to uniformly perform laser annealing crystallization, it is necessary to send a laser at a rate of irradiating the same point a plurality of times, and it is usual to send a laser at a rate of irradiating the same point a few times. For DVD, 1 in the radial direction
A laser having a length of 00 μm is fed at a speed of 36 μm per rotation. Therefore, the initialization time is 10
It takes more than 0 seconds. In consideration of the process time of other processes in the whole manufacturing process, 10 per film forming apparatus
More than one initialization device is required. Further, even in the method of irradiating the same place a plurality of times, it is necessary to strictly manage the intensity profile of the semiconductor laser in the disk radial direction. In DVD, if there is a location where the intensity deviates by 10% or more from the output intensity regression equation in the radial direction, homogeneous initialization becomes impossible. Further, in the DVD-RW, the range of the laser output suitable for initialization is a margin of less than the optimum output ± 5%. Along with the allowable range of the laser intensity profile, the range of laser output suitable for initialization becomes narrower as the recording density becomes higher.

【０００８】（レーザー初期化の問題点）ＤＶＤ以上の
記録密度では、レーザー初期化のプロセスマージンが狭
いため、多数台の初期化機により量産する場合、各初期
化機の間での、レーザー出力差や、レーザー出力プロフ
ァイルの管理等が煩雑になり、良品を安定して生産する
ことが困難である。(Problem of laser initialization) At a recording density higher than that of DVD, the process margin of laser initialization is narrow. Therefore, when mass production is performed by a large number of initialization machines, the laser output between the initialization machines is large. The difference and the management of the laser output profile are complicated, and it is difficult to stably produce good products.

【０００９】（初期化レスの従来技術）上記、初期化工
程の省略のため、例えば、ＷＯ９８／４７１４２号公報
記載の技術では、カルコゲン系材料に対するＢｉ原子の
結晶化促進効果を利用している。すなわち、記録媒体成
膜工程において、Ｂｉ薄膜を成膜して、その直上にＧｅ
ＳｂＴｅ系記録層を成膜することにより、成膜終了時に
結晶化している記録層を得ることができる。そのときの
成膜温度は４５℃〜１１０℃としている．また、前記技
術では、記録層については、ＧｅＳｂＴｅ系材料のみを
対象にしていて、Ｓｂ３Ｔｅ系材料についての記述は一
切ない。更に、ＧｅＳｂＴｅ系材料では不可能な高密度
の記録を行なうためには、Ｓｂ３Ｔｅ系材料を記録材料
として使用する必要があることから、前記技術では高密
度記録を初期化レスで実現することができない。(Prior Art Without Initialization) In order to omit the above-mentioned initialization step, for example, the technology described in WO98 / 47142 utilizes the crystallization promoting effect of Bi atoms on chalcogen-based materials. That is, in the recording medium film forming step, a Bi thin film is formed and Ge is formed directly on it.
By forming the SbTe-based recording layer, it is possible to obtain a recording layer that is crystallized at the end of film formation. The film forming temperature at that time is 45 ° C to 110 ° C. Further, in the above-mentioned technique, the recording layer is intended only for GeSbTe-based materials, and there is no description about Sb 3 Te-based materials. Further, since it is necessary to use Sb 3 Te-based material as a recording material in order to perform high-density recording which is impossible with GeSbTe-based material, the above-mentioned technique realizes high-density recording without initialization. I can't.

【００１０】（初期化レス従来技術の問題点）Ｂｉの結
晶化促進効果を利用する方法は、低温プロセスでの結晶
化に有利であるが、Ｂｉは、保存中の記録後の記録媒体
のアモルファス記録マークの結晶化をも促進するため、
記録状態の保存信頼性を著しく悪化させることが見い出
された。前記、ＷＯ９８／４７１４２号公報では、保存
信頼性悪化対策には、一切触れられていない。(Problems of Prior Art Without Initialization) The method of utilizing the crystallization promoting effect of Bi is advantageous for crystallization in a low temperature process, but Bi is an amorphous material of a recording medium after recording during storage. In order to promote crystallization of recording marks,
It has been found that the storage reliability of the recorded state is significantly deteriorated. In the above-mentioned WO98 / 47142, there is no mention of measures for deterioration of storage reliability.

【００１１】（保存信頼性確保と記録層成膜時基板温
度）保存信頼性を向上させるためにＧｅ原子を添加する
ことが有効であることが知られているが、Ｇｅ添加量と
結晶化温度には単純な正の相関があり、Ｇｅ原子の添加
は同時に記録材料の結晶化温度を上昇させる。一方、結
晶化促進層を用いた場合、記録材料の結晶化温度と、結
晶記録層を形成するために必要な基板温度には負の相関
がある。すなわち、保存信頼性を確保する記録材料は、
結晶記録膜形成のために必要な基板温度がより高くなる
ということである。ここで、Ｂｉ等の結晶化促進材料が
混入した場合、相変化記録材量のアモルファス記録マー
クの保存信頼性を確保するためには５原子％以上のＧｅ
を添加する必要があった。(Securing Storage Reliability and Substrate Temperature during Recording Layer Formation) It is known that it is effective to add Ge atoms in order to improve the storage reliability. The amount of Ge added and the crystallization temperature are known. Has a simple positive correlation, and the addition of Ge atoms simultaneously raises the crystallization temperature of the recording material. On the other hand, when the crystallization promoting layer is used, there is a negative correlation between the crystallization temperature of the recording material and the substrate temperature necessary for forming the crystal recording layer. That is, the recording material that ensures storage reliability is
This means that the substrate temperature required for forming the crystal recording film becomes higher. Here, when a crystallization promoting material such as Bi is mixed, in order to secure the storage reliability of the amorphous recording mark of the phase change recording material amount, Ge of 5 atomic% or more is used.
Had to be added.

【００１２】（ＧｅＳｂＴｅ系、Ｓｂ３Ｔｅ系材料の違
い）ＧｅＳｂＴｅ系材料ではＧｅが主成分であり１０原
子％以上のＧｅを含有するが、１０原子％のＧｅを含有
した場合でも結晶化温度は１５０℃程度であり、実用さ
れている組成のＧｅが２０原子％の場合でも１７０℃程
度である。一方、Ｓｂ３Ｔｅ系記録材料では５原子％の
Ｇｅを添加すると結晶化温度が１６６℃になる。ここ
で、結晶化温度は、ＤＳＣ法により、昇温速度１０℃／
分で測定した温度を言っている。保存信頼性を確保する
記録材料の結晶化温度下限値は、ＧｅＳｂＴｅ系材料で
は１５０℃程度で、Ｓｂ３Ｔｅ系材料では１６６℃であ
る。前記したように、記録材料の結晶化温度と、結晶記
録層を形成するために必要な基板温度には負の相関があ
る。保存信頼性を確保する記録材料の結晶膜を形成する
場合、ＧｅＳｂＴｅ系材料よりも、成膜工程の際、Ｓｂ
３Ｔｅ系材料の方が、基板温度を２０℃程度高くする必
要がある。(Difference between GeSbTe-based material and Sb 3 Te-based material) GeSbTe-based material contains Ge as a main component and contains 10 atomic% or more of Ge. However, even when 10 atomic% of Ge is contained, the crystallization temperature is The temperature is about 150 ° C., and is about 170 ° C. even when the practical composition of Ge is 20 atomic%. On the other hand, in the Sb 3 Te recording material, the crystallization temperature becomes 166 ° C. when 5 atomic% of Ge is added. Here, the crystallization temperature is 10 ° C /
Says the temperature measured in minutes. The lower limit of the crystallization temperature of the recording material for ensuring the storage reliability is about 150 ° C. for the GeSbTe-based material and 166 ° C. for the Sb 3 Te-based material. As described above, there is a negative correlation between the crystallization temperature of the recording material and the substrate temperature required to form the crystalline recording layer. When forming a crystalline film of a recording material that secures storage reliability, Sb is more preferable than a GeSbTe-based material during the film forming process.
It is necessary to raise the substrate temperature by about 20 ° C. for the 3 Te-based material.

【００１３】（Ｓｂ３Ｔｅ系初期化レスの困難点につい
て）前記のように、Ｂｉ等の結晶化促進材料用いた場
合、保存信頼性を確保するためＳｂ３Ｔｅ系材料では結
晶化温度が１６６℃になる。筆者らが作成した温度測定
装置で測定した場合、結晶化温度１６６℃の記録材料の
結晶記録層形成のために必要な基板温度は約９０℃であ
る。この温度で記録膜を形成した場合、光情報記録媒体
で用いられているポリカーボネート基板は塑性変形を起
こし、また複屈折が生じる。ゆえに前記温度で製造した
ものは光情報記録媒体として実用に適しないものであ
る。基板変形の面で、実用上問題とならないポリカーボ
ネート基板の温度は６７℃であったが、結晶化温度１６
６℃の記録材料を６７℃の温度で成膜した場合、その反
射率は記録時に形成される溶融再結晶の反射率と比して
７０％以下である。以下、記録時に形成される溶融再結
晶の反射率と比較した反射率の値を相対反射率と記述す
る。記録前のメディアの相対反射率が７０％の場合、反
射率の記録回数依存性が大きくなり、ＲＷメディアとし
ては使用不可能である。反射率変動時は、反射率差によ
る光吸収率の違いが、記録時にアモルファス・結晶間の
境界の反射率勾配に差を生じさせるため、記録ジッター
が悪くなる。特に反射率変動が大きいのは初回記録とダ
イレクトオーバーライト１回目であり、ダイレクトオー
バーライト１回目のジッター上昇が問題となる。前記相
対反射率が７０％の場合ダイレクトオーバーライト１回
目の記録ジッターが１０％を超えてしまい実用に適さな
い。ＲＷメディアとして使用するには、記録前メディア
の相対反射率が最低８０％必要である。記録前メディア
の相対反射率が８０％の場合、１回目の記録により相対
反射率が９０％以上に上昇し、ダイレクトオーバーライ
ト１回目での反射率変動は１０％以下である。この場
合、反射率差による光吸収率の違いは問題にならないレ
ベルである。以上の理由により、Ｓｂ３Ｔｅ系記録材料
は初期化レス製造が困難であり、従来例の報告がなされ
ていない。(Difficulty of Sb 3 Te System Initialization-less) As described above, when a crystallization promoting material such as Bi is used, the crystallization temperature of the Sb 3 Te system material is 166 in order to secure storage reliability. ℃. When measured by the temperature measuring device prepared by the authors, the substrate temperature required for forming the crystal recording layer of the recording material having the crystallization temperature of 166 ° C. is about 90 ° C. When the recording film is formed at this temperature, the polycarbonate substrate used in the optical information recording medium undergoes plastic deformation and birefringence. Therefore, the one manufactured at the above temperature is not suitable for practical use as an optical information recording medium. In terms of substrate deformation, the temperature of the polycarbonate substrate, which is not a practical problem, was 67 ° C, but the crystallization temperature was 16 ° C.
When a recording material of 6 ° C. is formed at a temperature of 67 ° C., its reflectance is 70% or less as compared with the reflectance of melt recrystallization formed during recording. Hereinafter, the value of the reflectance compared with the reflectance of the melt recrystallized formed during recording will be referred to as the relative reflectance. When the relative reflectance of the medium before recording is 70%, the dependency of the reflectance on the number of recordings becomes large, and it cannot be used as an RW medium. When the reflectivity changes, the difference in the light absorptivity due to the difference in reflectivity causes a difference in the reflectivity gradient at the boundary between the amorphous and the crystal during recording, resulting in poor recording jitter. Especially, the reflectance fluctuation is large in the first recording and the first direct overwrite, and the increase in the jitter in the first direct overwrite becomes a problem. When the relative reflectance is 70%, the recording jitter of the first direct overwrite exceeds 10%, which is not suitable for practical use. To be used as an RW medium, the relative reflectance of the pre-recording medium must be at least 80%. When the relative reflectance of the pre-recording medium is 80%, the relative reflectance increases to 90% or more by the first recording, and the variation of the reflectance in the first direct overwrite is 10% or less. In this case, the difference in light absorption rate due to the difference in reflectance is at a level that does not pose a problem. For the above reasons, it is difficult to manufacture the Sb 3 Te-based recording material without initializing, and no conventional example has been reported.

【００１４】公知技術のＷＯ９８／４７１４２号公報で
開示されているＧｅＳｂＴｅ系記録材料はＧｅが１０原
子％の場合、結晶化温度が１５０℃である。すなわち、
保存信頼性を確保できる材料でもポリカーボネート基板
耐熱温度で結晶記録層を形成することが可能であり、初
期化レス可能である。しかし、ＧｅＳｂＴｅ系記録材料
の最適Ｇｅ含有量は２０原子％以上であり、初期化レス
可能な組成ではＧｅ量が極端に少ないため、記録特性が
悪い。特に、２．６ＧＢ（直径１５０ｍｍディスク）を
超える高密度記録が不可能である。一方、前記したよう
にＳｂ３Ｔｅ系材料は単にＢｉを結晶化促進層とするだ
けでは保存信頼性を確保できる材料をポリカーボネート
基板耐熱温度以下では結晶記録層とすることが不可能で
あるため、従来技術では初期化レス不可能である。The GeSbTe recording material disclosed in WO98 / 47142 of the known art has a crystallization temperature of 150 ° C. when Ge is 10 atomic%. That is,
It is possible to form a crystal recording layer at a heat resistant temperature of a polycarbonate substrate even with a material that can secure storage reliability, and initialization is possible. However, the optimum Ge content of the GeSbTe-based recording material is 20 atomic% or more, and the composition which can be initialized is extremely small in Ge content, resulting in poor recording characteristics. In particular, high-density recording exceeding 2.6 GB (150 mm diameter disc) is impossible. On the other hand, as described above, the Sb 3 Te-based material cannot be used as a crystal recording layer at a temperature not higher than the heat resistance temperature of the polycarbonate substrate because it is impossible to secure a storage reliability by simply using Bi as the crystallization promoting layer. With the conventional technology, initialization is impossible.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、Ｓｂ３Ｔｅ系記録材料相変化記録メディアの初期化
レス製造を可能として、ＤＶＤ−ＲＯＭ互換が可能な
４．７ＧＢ／直径１２０ｍｍディスク以上の記録密度の
初期化レスメディアを実現することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to realize a DVD-ROM compatible 4.7 GB / diameter 120 mm disc that enables initialization-less production of Sb 3 Te recording material phase change recording media. It is to realize an initialization-less medium having the above recording density.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「Ｓｂ、Ｔｅの他に、他元素を実質的に含まない
又は第Ｉ族乃至ＶＩＩ族に属する元素の少なくとも１種
類の元素を含む記録層と、その余の層とを有する光記録
媒体において、前記光記録媒体にエネルギー照射して記
録操作することにより、該記録層の成膜工程終了時に該
記録層中に存在した以上の量の前記他元素が前記その余
の層から記録層中に移行して存在するようになる相変化
記録媒体」、（２）「前記記録層が、Ｓｂと、原子数で
Ｓｂの１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質
的に含有しないことを特徴とする前記第（１）項に記載
の相変化記録媒体」、（３）前記記録層が、Ｓｂと、原
子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅとを含み、且つ５原
子％未満のＧｅを含有することを特徴とする前記第
（１）項に記載の相変化記録媒体」、（４）「前記その
余の層が、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含
む結晶化促進層であることを特徴とする前記第（１）項
乃至第（３）項のいずれか１に記載の相変化記録媒
体」、（５）「前記記録状態安定化材料が、４族元素、
１Ｂ族元素、３族元素及び／又は５族元素であることを
特徴とする前記第（４）項に記載の相変化記録媒体」、
（６）「前記記録状態安定化材料が、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ、Ｂ及び／又はＮであることを特徴とする前記第
（５）項に記載の相変化記録媒体」、（７）「前記結晶
化促進材料が、５族元素、６族元素であることを特徴と
する前記第（４）項に記載の相変化記録媒体」、（８）
「前記結晶化促進材料が、Ｓｂ、Ｂｉ及び／又はＴｅで
あることを特徴とする前記第（７）項に記載の相変化記
録媒体」、（９）「前記記録層が、Ｉｎ、Ａｇ及び／又
はＣｕを含むことを特徴とする前記第（１）項または第
（２）項に記載の相変化記録媒体」、（１０）「前記結
晶化促進層が、少なくともＢｉ元素とＧｅ元素を含有す
ることを特徴とする前記第（４）項に記載の相変化記録
媒体」、（１１）「前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳ
ｂの１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的
に含有せず、前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子
数）＜（Ｇｅ原子数）であることを特徴とする前記第
（１０）項に記載の相変化記録媒体」、（１２）「前記
記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの１／２．２以下のＴ
ｅとを含み、且つ５原子％未満のＧｅを含有し、前記結
晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子数）＞（Ｇｅ原子数）
であることを特徴とする前記第（１０）項に記載の相変
化記録媒体」、（１３）「前記記録層と前記結晶化促進
層が前記エネルギー照射により少なくとも部分的に混合
可能であり、前記記録層と前記結晶化促進層が少なくと
も部分的に混合した場合の組成が、Ｇｅ＞５原子％であ
ることを特徴とする前記第（１０）項乃至第（１２）項
の何れか１に記載の相変化記録媒体」、（１４）「前記
記録層と前記結晶化促進層が少なくとも部分的に混合し
た場合の組成が、Ｂｉ＜５原子％であることを特徴とす
る前記第（１０）項乃至第（１２）項の何れか１に記載
の相変化記録媒体」、（１５）「前記記録層の（Ｓｂ原
子数）／（Ｔｅ原子数）が４以下であることを特徴とす
る前記第（２）項乃至第（１４）項の何れか１に記載の
相変化記録媒体」、（１６）「厚さ０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．
２以下のＴｅを主成分とし、且つＧｅを含有しない記録
層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む結
晶化促進層を有し、他の厚さ０．６ｍｍのポリカーボネ
ート基板と貼り合わされて、厚さ１．２ｍｍとされたこ
とを特徴とする相変化記録媒体」、（１７）「厚さ１．
０ｍｍ以上のポリカーボネート基板上に、Ｓｂ及び原子
数でＳｂの１／２．２以下のＴｅを主成分とし、且つＧ
ｅを含有しない記録層と、記録状態安定化材料と結晶化
促進材料とを含む結晶化促進層を有することを特徴とす
る相変化記録媒体」、（１８）「厚さ１．０ｍｍ以上の
ポリカーボネート基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１
／２．２以下のＴｅを主成分とし且つＧｅを含有しない
記録層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含
む結晶化促進層の少なくとも記録層を２層以上有するこ
とを特徴とする相変化記録媒体」、（１９）「厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｓｂ及び原子数で
Ｓｂの１／２．２以下のＴｅを主成分とし且つ５原子％
未満のＧｅを含有する記録層と、記録状態安定化材料と
結晶化促進材料とを含む結晶化促進層を有し、他の厚さ
０．６ｍｍのポリカーボネート基板と貼り合わせて、厚
さ１．２ｍｍとしたことを特徴とする相変化記録媒
体」、（２０）「厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する記
録層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む
結晶化促進層を有することを特徴とする相変化記録媒
体」、（２１）「厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する記
録層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む
結晶化促進層の少なくとも記録層を２層以上有すること
を特徴とする相変化記録媒体」により達成される。Means for Solving the Problems The above-mentioned problems can be solved in addition to (1) "Sb, Te of the present invention, at least one kind of element which does not substantially contain other elements or belongs to Group I to Group VII. In an optical recording medium having a recording layer containing an element and the remaining layer, the optical recording medium was present in the recording layer at the end of the film forming process by recording energy by irradiating the optical recording medium with energy. (2) "The recording layer is Sb and 1 of Sb in atomic number" /2.2 or less Te, and substantially does not contain Ge "the phase change recording medium according to the above (1)", (3) the recording layer is Sb, The number of atoms of Te is less than 1 / 2.2 of Sb, and the amount of Ge is less than 5 atom%. (4) “The phase change recording medium according to item (1)” is a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. (5) The phase change recording medium according to any one of (1) to (3) above, wherein the recording state stabilizing material is a Group 4 element,
1B group element, 3 group element and / or 5 group element, the phase change recording medium according to the above (4),
(6) “The recording state stabilizing material is Ge, Cu, I
n, B and / or N, the phase change recording medium according to the above (5) ”, (7)“ the crystallization promoting material is a Group 5 element or a Group 6 element (8) The phase change recording medium according to item (4) above,
"Phase change recording medium according to item (7), wherein the crystallization promoting material is Sb, Bi and / or Te", (9) "The recording layer is In, Ag and And / or Cu is contained in the phase change recording medium according to the above (1) or (2), (10) "the crystallization promoting layer contains at least a Bi element and a Ge element. (11) “The recording layer is Sb, and S is the number of atoms.
b containing Te of 1 / 2.2 or less and substantially containing no Ge, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number) <(Ge atom number). (12) The phase change recording medium according to the item (10), wherein the recording layer is Sb, and the number of atoms is T of 1 / 2.2 or less of Sb.
and containing Ge in an amount of less than 5 atom%, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number)> (Ge atom number)
(13) The phase change recording medium according to the above (10) ”, (13)“ The recording layer and the crystallization promoting layer can be mixed at least partially by the energy irradiation, and The composition when any one of the recording layer and the crystallization promoting layer is at least partially mixed is Ge> 5 atomic%, and the composition is any one of the above items (10) to (12). (14) “The phase change recording medium of (4), wherein the composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Bi <5 atomic%. To (12) the phase change recording medium according to any one of the items (12) to (15), "(Sb atom number) / (Te atom number) of the recording layer is 4 or less. The phase change recording medium according to any one of items (2) to (14) " (16) "to a thickness of 0.6mm of the polycarbonate substrate, of Sb in Sb and atomic number 1/2.
A polycarbonate substrate having a recording layer containing 2 or less of Te as a main component and containing no Ge, and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and having a thickness of 0.6 mm. (17) "Thickness 1. A phase change recording medium characterized by being stuck together to have a thickness of 1.2 mm".
On a polycarbonate substrate of 0 mm or more, Sb and Te having the number of atoms of 1 / 2.2 or less of Sb as a main component, and G
Phase change recording medium characterized by having a recording layer not containing e and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material ", (18)" polycarbonate having a thickness of 1.0 mm or more " Sb and 1 of Sb in atomic number on the substrate
/2.2 or less, and a recording layer containing Te as a main component and containing no Ge, and at least two crystallization promoting layers including a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. Phase change recording medium ", (19)" Thickness 0.
On a 6 mm polycarbonate substrate, Sb and Te, which is 1 / 2.2 or less of Sb in the number of atoms, as a main component, and 5 atomic%
Having a recording layer containing Ge of less than 1: 1 and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and being bonded to another polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm to have a thickness of 1. (20) "Phase change recording medium characterized by having a thickness of 2 mm", (20) "on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.0 mm or more, Sb and Te having a number of atoms of 1 / 2.2 or less of Sb as a main component, and (21) "Phase change recording medium characterized by having a recording layer containing less than 5 atomic% Ge and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material", (21) A recording layer containing Sb and Te, which is 1 / 2.2 or less of Sb in terms of the number of atoms, as a main component and less than 5 atom% of Ge on a polycarbonate substrate of 0.0 mm or more, a recording state stabilizing material, and crystallization. At least a crystallization promoting layer containing a promoting material It is achieved by the phase change recording medium "which is characterized by having two or more recording layers.

【００１７】また、上記課題は、本発明の（２２）「基
板温度がポリカーボネート基板の塑性変形温度以下で行
なう成膜プロセスにより、成膜工程直後の相変化記録媒
体の反射率が記録時の結晶部の反射率に対して８０％以
上とされたことを特徴とする前記第（１）項乃至第（２
１）項の何れか１に記載の記録処理前の相変化記録媒体
からなる中間体」、（２３）「少なくとも記録状態安定
化材料と結晶化促進材料を含有する薄膜を形成する工程
と、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅを主
成分とし且つＧｅを含有しない薄膜を形成する工程とを
有することを特徴とする前記第（１）項乃至第（２１）
項の何れか１に記載の記録処理前の相変化記録媒体から
なる中間体」、（２４）「少なくとも記録状態安定化材
料と結晶化促進材料を含有する薄膜を形成する工程と、
Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅを主成分
とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する薄膜を形成する
工程とを有することを特徴とする前記第（１）項乃至第
（２１）項の何れか１に記載の記録処理前の相変化記録
媒体からなる中間体」により達成される。Further, the above-mentioned problem is (22) of the present invention, "the substrate temperature is a plastic deformation temperature of the polycarbonate substrate or lower, the film formation process is performed at a temperature not higher than the plastic deformation temperature of the polycarbonate substrate, and the reflectance of the phase change recording medium immediately after the film formation step is a crystal during recording. The reflectance is 80% or more with respect to the reflectance of the part.
(1) an intermediate comprising a phase change recording medium before recording according to any one of 1), (23) "a step of forming a thin film containing at least a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and Sb And a step of forming a thin film containing Te as a main component and having a number of atoms of not more than 1 / 2.2 of Sb and not containing Ge, (1) to (21).
(24) "A step of forming a thin film containing at least a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material;
And a step of forming a thin film containing Sb and Te having a number of atoms of 1 / 2.2 or less of Sb as a main component and containing less than 5 atom% of Ge. (21) The intermediate body composed of the phase change recording medium before the recording process according to any one of the items (21).

【００１８】さらにまた、上記課題は、本発明の（２
５）「Ｓｂ、Ｔｅの他に、他元素を実質的に含まない又
は第Ｉ族乃至ＶＩＩ族に属する元素の少なくとも１種類
の元素を含む記録層と、その余の層とを基板上に有する
光記録媒体に、エネルギー照射して記録操作することに
より、該記録層の成膜工程終了時に該記録層中に存在し
た以上の量の前記他元素を、前記その余の層から記録層
中に移行させることを特徴とする相変化記録媒体への記
録方法」、（２６）「前記記録層が、Ｓｂと、原子数で
Ｓｂの１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質
的に含有しないことを特徴とする前記第（２５）項に記
載の相変化記録媒体への記録方法」、（２７）「前記記
録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅ
とを含み、且つ５原子％未満のＧｅを含有することを特
徴とする前記第（２５）項に記載の相変化記録媒体への
記録方法」、（２８）「前記その余の層が、記録状態安
定化材料と結晶化促進材料とを含む結晶化促進層である
ことを特徴とする前記第（２５）項乃至第（２７）項の
いずれか１に記載の相変化記録媒体への記録方法」、
（２９）「前記記録状態安定化材料が、４族元素、１Ｂ
族元素、３族元素及び／又は５族元素であることを特徴
とする前記第（２８）項に記載の相変化記録媒体への記
録方法」、（３０）「前記記録状態安定化材料が、Ｇ
ｅ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂ及び／又はＮであることを特徴とす
る前記第（２９）項に記載の相変化記録媒体への記録方
法」、（３１）「前記結晶化促進材料が、５族元素、６
族元素であることを特徴とする前記第（２８）項に記載
の相変化記録媒体への記録方法」、（３２）「前記結晶
化促進材料が、Ｓｂ、Ｂｉ及び／又はＴｅであることを
特徴とする前記第（３１）項に記載の相変化記録媒体へ
の記録方法」、（３３）「前記記録層が、Ｉｎ、Ａｇ及
び／又はＣｕを含むことを特徴とする前記第（２５）項
または第（２６）項に記載の相変化記録媒体への記録方
法」、（３４）「前記結晶化促進層が、少なくともＢｉ
元素とＧｅ元素を含有することを特徴とする前記第（２
８）項に記載の相変化記録媒体への記録方法」、（３
５）「前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの１／２．
２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的に含有せず、
前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子数）＜（Ｇｅ原
子数）であることを特徴とする前記第（３４）項に記載
の相変化記録媒体への記録方法」、（３６）「前記記録
層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅと
を含み、且つ５原子％未満のＧｅを含有し、前記結晶化
促進層の組成が、（Ｂｉ原子数）＞（Ｇｅ原子数）であ
ることを特徴とする前記第（３４）項に記載の相変化記
録媒体への記録方法」、（３７）「前記記録層と前記結
晶化促進層が前記エネルギー照射により少なくとも部分
的に混合可能であり、前記記録層と前記結晶化促進層が
少なくとも部分的に混合した場合の組成が、Ｇｅ＞５原
子％であることを特徴とする前記第（３４）項乃至第
（３６）項の何れか１に記載の相変化記録媒体への記録
方法」、（３８）「前記記録層と前記結晶化促進層が少
なくとも部分的に混合した場合の組成が、Ｂｉ＜５原子
％であることを特徴とする前記第（３４）項乃至第（３
６）項の何れか１に記載の相変化記録媒体への記録方
法」、（３９）「前記記録層の（Ｓｂ原子数）／（Ｔｅ
原子数）が４以下であることを特徴とする前記第（２
５）項乃至第（３８）の何れか１に記載の相変化記録媒
体への記録方法への記録方法」により達成される。Furthermore, the above-mentioned problem is (2) of the present invention.
5) “In addition to Sb and Te, a recording layer containing substantially no other element or containing at least one kind of element belonging to Group I to Group VII, and the remaining layer on the substrate By irradiating the optical recording medium with energy to perform a recording operation, the amount of the other element present in the recording layer at the end of the film forming step of the recording layer is transferred from the remaining layer to the recording layer. (26) "Method for recording on phase change recording medium characterized by transitioning", (26) "The recording layer contains Sb and Te whose number of atoms is not more than 1 / 2.2 of Sb, and Ge is substantially contained. (25) Method of recording on phase change recording medium according to item (25) above, "(27)" The recording layer contains Sb and 1 / 2.2 of Sb in terms of the number of atoms. Te below
And a recording method for recording onto a phase change recording medium according to item (25), characterized in that it contains less than 5 atomic% Ge. A method for recording on a phase change recording medium according to any one of items (25) to (27), which is a crystallization promoting layer containing a state stabilizing material and a crystallization promoting material. ",
(29) “The recording state stabilizing material is a Group 4 element, 1B
Method of recording on phase change recording medium according to item (28), wherein the recording state stabilizing material is a group element, a group 3 element and / or a group 5 element G
e, Cu, In, B and / or N, the method for recording on the phase change recording medium according to the above (29) ”, (31)“ the crystallization promoting material is a group 5 group Element, 6
Method of recording on phase change recording medium according to item (28) above, wherein the crystallization promoting material is Sb, Bi and / or Te (31) A method for recording on a phase-change recording medium according to the above (31), characterized in that the recording layer contains In, Ag and / or Cu. Item or the recording method for a phase change recording medium according to (26) ", (34)" The crystallization promoting layer contains at least Bi.
An element and a Ge element are contained in the second (2)
Recording method on phase change recording medium according to item 8) ”, (3
5) “The recording layer contains Sb and 1/2.
2 or less Te, and substantially does not contain Ge,
The method for recording on a phase-change recording medium according to item (34), wherein the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number) <(Ge atom number). The recording layer contains Sb and Te that is 1 / 2.2 or less of Sb in atomic number, and contains Ge at less than 5 atomic%, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atomic number). > (Number of Ge atoms), (37) “Recording method on phase change recording medium according to item (34),” “37 Item (34) to (34), wherein the composition is such that it can be mixed at least partially, and the composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Ge> 5 atomic%. (38) “Recording method on phase change recording medium according to any one of (36)”, A composition in which the crystallization accelerating layer and the serial recording layer are mixed at least partially is, Bi <the first (34), characterized in that 5 a atomic% claim, second (3
(6) Recording method on phase change recording medium according to any one of item 6), (39) “(Sb atom number) / (Te of the recording layer
The number of atoms is 4 or less;
5) The method for recording on a phase change recording medium according to any one of items (38) to (38) ”.

【００１９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
特徴は、記録することにより、成膜工程終了時に記録層
に存在した以上の量の副成分（以下これを「不純物」と
も云う）が記録層に存在するようになる相変化記録媒体
であることである。本発明における主成分としてのＳ
ｂ、Ｔｅとは、該副成分と対象的な量であり、記録層中
のＳｂ及びＴｅがＳｂ３Ｔｅ系組成を維持し且つ記録層
の記録材料が書込操作及び消去操作によりアモルファス
相−結晶相に相変換可能な程度の量比を保持することを
意味する。結晶化促進層に不純物として記録状態安定化
材料を含み、相変化記録時に前記不純物が記録層へと拡
散し成膜工程終了時に記録層に存在した以上の量の不純
物が記録層に存在するようになる。そのため、あらかじ
め記録材料含むべき記録状態安定化材料を減少させるこ
とができる。結晶化促進層に含む記録状態安定化材料と
してＧｅを用いる場合、記録材料に含有させるＧｅは５
原子％未満で良い。Ｓｂ３Ｔｅ系記録層において結晶記
録層において記録材料に含有させるＧｅが５原子％未満
の場合、結晶化温度が１６０℃未満となる。結晶化温度
が１６０℃未満の場合は、結晶化促進層を用いることに
よりポリカーボネート基板の塑性変形温度以下の成膜プ
ロセスでも相対反射率８０％の結晶記録膜の形成が可能
となる。結晶記録層形成のためのより望ましくはＧｅが
３原子％未満であり、最も望ましくはＧｅを含有しない
記録材料である。ここで、記録材料中に含まれるＧｅが
１原子％未満の場合をＧｅを実質的に含有しないと定義
する。Ｓｂ３Ｔｅ系記録材料に含まれるＧｅが３原子％
の場合、結晶化温度は１４７℃、１原子％未満の場合は
１１０℃である。前者結晶化温度１４７℃の場合、前述
のポリカーボネート基板耐熱温度の６７℃でも初期化レ
スで使用可能な結晶記録膜となる。その相対反射率は８
０％程度である。後者結晶化温度１１０℃の場合は、基
板温度６７℃でも更に完全な結晶膜となり、その相対反
射率は８３％以上となる。The present invention will be described in detail below. A feature of the present invention is that a phase-change recording medium in which, by recording, a larger amount of a sub-component (hereinafter, also referred to as “impurity”) present in the recording layer at the end of the film forming step is present in the recording layer. Is to be. S as the main component in the present invention
b and Te are symmetric amounts with respect to the sub-components, Sb and Te in the recording layer maintain the Sb 3 Te-based composition, and the recording material of the recording layer is in an amorphous phase by a writing operation and an erasing operation. This means maintaining a quantitative ratio that allows phase conversion into a crystalline phase. The crystallization promoting layer contains a recording state stabilizing material as an impurity, and the impurities are diffused into the recording layer during phase change recording, so that the amount of impurities present in the recording layer at the end of the film formation process is present in the recording layer. become. Therefore, it is possible to reduce the recording state stabilizing material to be included in the recording material in advance. When Ge is used as the recording state stabilizing material contained in the crystallization promoting layer, Ge contained in the recording material is 5
It may be less than atomic%. When Ge contained in the recording material in the crystalline recording layer of the Sb 3 Te-based recording layer is less than 5 atom%, the crystallization temperature is less than 160 ° C. When the crystallization temperature is lower than 160 ° C., the use of the crystallization promoting layer makes it possible to form a crystal recording film having a relative reflectance of 80% even in the film forming process at the plastic deformation temperature of the polycarbonate substrate or lower. More preferably, Ge is less than 3 atomic% for forming the crystalline recording layer, and most preferably, the recording material does not contain Ge. Here, the case where Ge contained in the recording material is less than 1 atomic% is defined as substantially free of Ge. Ge contained in Sb 3 Te-based recording material is 3 atomic%
In the case of, the crystallization temperature is 147 ° C, and in the case of less than 1 atom%, it is 110 ° C. When the former crystallization temperature is 147 ° C., the crystal recording film can be used without initialization even at the above-mentioned polycarbonate substrate heat resistant temperature of 67 ° C. Its relative reflectance is 8
It is about 0%. In the latter case where the crystallization temperature is 110 ° C., a more complete crystal film is formed even at the substrate temperature of 67 ° C., and the relative reflectance is 83% or more.

【００２０】本発明では、記録材料がＳｂ３Ｔｅ系記録
材料であることから、記録レーザー光のビーム系を絞る
ことにより少なくとも０．１μｍの記録マーク長に相当
する記録までは可能である。本発明における記録状態安
定化材料としては、４族元素、１Ｂ族元素、３族元素が
有効である。Ｇｅが最も有効である他、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂ
も有効である。加えて、５族のＮも記録状態安定化に有
効である。結晶化促進材料としては、５族元素、６族元
素が有効である。特に、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅが有効であ
る。In the present invention, since the recording material is the Sb 3 Te recording material, it is possible to record at least a recording mark length of 0.1 μm by narrowing the beam system of the recording laser light. As the recording state stabilizing material in the present invention, group 4 elements, group 1B elements and group 3 elements are effective. Ge is most effective, Cu, In, B
Is also effective. In addition, N of group 5 is also effective for stabilizing the recording state. As the crystallization promoting material, Group 5 elements and Group 6 elements are effective. Particularly, Sb, Bi, and Te are effective.

【００２１】結晶化促進層は、上記、記録状態安定化材
料と結晶化促進材料のぞれぞれ１種以上を含有する。結
晶化促進層として最も好ましいのは、ＢｉとＧｅの２元
からなる層である。更に、結晶化促進層には、融点調
整、記録層と溶融混合時の結晶化速度調整、等のために
更なる不純物元素を添加する場合もある、不純物元素と
して使用可能な材料は、Ａｇ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｅ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｈ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌａ，Ｌ
ｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｉ，Ｏ，Ｐ，Ｐｂ，Ｐ
ｄ，Ｐｏ，Ｐｒ，Ｐｔ，Ｐｕ，Ｒｂ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓ，
Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｓｒ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｔｌ，Ｕ，Ｃｌ
およびＢｒ等が挙げられる。The crystallization promoting layer contains at least one of the recording state stabilizing material and the crystallization promoting material described above. The most preferable crystallization promoting layer is a layer composed of binary elements of Bi and Ge. Further, a further impurity element may be added to the crystallization promoting layer for adjusting the melting point, adjusting the crystallization speed during melting and mixing with the recording layer, and the like. Ca, Cd, Ce, C
o, Cr, Fe, Ga, H, Hg, Ir, K, La, L
i, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, O, P, Pb, P
d, Po, Pr, Pt, Pu, Rb, Rh, Ru, S,
Se, Si, Sn, Sr, Th, Ti, Tl, U, Cl
And Br and the like.

【００２２】上記結晶化促進層は基板上で完全に連続な
薄膜とならなくても良い。すなわち、成膜膜厚が質量膜
厚で１ｎｍ程度の場合は、不連続な多数の島状になって
いる。成膜膜厚が増加すると、前記島同士がつながり、
基板上で完全な薄膜となる。本発明においては、前記島
状をも微視的な意味で結晶化促進層という。The crystallization promoting layer does not have to be a completely continuous thin film on the substrate. That is, when the film thickness of the deposited film is about 1 nm in terms of the mass film thickness, a large number of discontinuous islands are formed. When the film thickness increases, the islands are connected to each other,
It becomes a perfect thin film on the substrate. In the present invention, the island shape is also referred to as a crystallization promoting layer in a microscopic sense.

【００２３】本発明による光情報記録媒体の一例を図１
に示す。（１）が基板、（２）が第１の誘電体層、
（３）が結晶化促進層、（４）が記録層、（５）が第２
の誘電体層、（６）が反射放熱層、（７）は必要に応じ
て反射放熱層の上に設けられる有機保護層である。な
お、図では、光情報記録媒体の情報基板側のみを示して
いる。基板の材料は、ほとんどの場合ポリカーボネート
が使用される。基板厚さは、１ｍｍ厚以上の場合と、約
０．６ｍｍの基板に図１の層を形成した後、他の０．６
ｍｍ基板を貼り合わせて約１．２ｍｍとする場合があ
り、本発明における基板厚の許容誤差は、２．０ｍｍ厚
以上の場合±０．３ｍｍ、１．０ｍｍ厚の場合±０．２
ｍｍ、０．６ｍｍ厚の場合±０．２ｍｍ、である。基板
には、溝が形成してあり、その深さは２００Å〜４５０
Å程度である。溝のピッチはＤＶＤ互換メディアとして
使用する場合０．７４μｍである。このピッチを、０．
３μｍ程度まで微細化すると、青色発光のレーザーを使
うことにより、半径１２０ｍｍのディスク上で２０ＧＢ
以上の記録が可能である。FIG. 1 shows an example of an optical information recording medium according to the present invention.
Shown in. (1) is the substrate, (2) is the first dielectric layer,
(3) is a crystallization promoting layer, (4) is a recording layer, and (5) is a second layer.
(6) is a reflection heat dissipation layer, and (7) is an organic protective layer provided on the reflection heat dissipation layer as needed. In the figure, only the information substrate side of the optical information recording medium is shown. In most cases, the substrate material is polycarbonate. The thickness of the substrate is 1 mm or more, and when the layer of FIG.
mm substrates may be bonded together to have a thickness of about 1.2 mm, and the tolerance of the substrate thickness in the present invention is ± 0.3 mm when the thickness is 2.0 mm or more and ± 0.2 when the thickness is 1.0 mm.
mm and ± 0.2 mm for 0.6 mm thickness. Grooves are formed on the substrate, and the depth is 200Å to 450
It is about Å. The groove pitch is 0.74 μm when used as a DVD compatible medium. This pitch is 0.
When miniaturized to about 3 μm, by using a blue light emitting laser, 20 GB on a disk with a radius of 120 mm
The above recording is possible.

【００２４】本発明において、第１および第２の誘電体
層としては、ＳｉＯｘ，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ａｌ
２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，Ｔ
ａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，Ｔｉ
Ｎ，ＢＮ，ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ，ＴａＳ４等の硫
化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ４Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ
等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護
層として用いることができ、また、混合物として用いる
こともできる。例えば、混合物としては、ＺｎＳとＳｉ
Ｏｘ，Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯｘが挙げられる。In the present invention, SiOx, ZnO, SnO 2 , Al is used as the first and second dielectric layers.
2 O 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , T
a 2 O 5 and other metal oxides, Si 3 N 4 , AlN, Ti
N, BN, ZrN and other nitrides, ZnS, TaS 4 and other sulfides, SiC, TaC, B 4 C, WC, TiC, ZrC
And the like. These materials can be used alone as the protective layer or as a mixture. For example, as a mixture, ZnS and Si
Ox, like Ta 2 O 5 and SiOx it is.

【００２５】第１の誘電体層の膜厚は、５０〜２５０ｎ
ｍの範囲が好ましい。５０ｎｍより薄くなると、耐環境
性保護機能の低下、耐熱性低下、畜熱効果の低下となり
好ましくない。２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法
等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離
やクラックが生じたり、記録時の感度の低下をもたらす
ので好ましくない。第２の誘導体層の膜厚は１５〜５０
ｎｍが好ましい。第２の誘電体層の場合、１０ｎｍより
薄いと耐熱性が低下し好ましくない。逆に、１００ｎｍ
を越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、
変形、放熱性の低下により、繰り返しオーバーライト特
性が悪くなる。The film thickness of the first dielectric layer is 50 to 250 n.
A range of m is preferred. When the thickness is less than 50 nm, it is not preferable because the environment resistance protection function is lowered, the heat resistance is lowered, and the heat storage effect is lowered. A thickness of more than 250 nm is not preferable because in the film forming process by the sputtering method or the like, film temperature rises to cause film peeling or cracks and decrease in sensitivity during recording. The thickness of the second dielectric layer is 15 to 50
nm is preferred. In the case of the second dielectric layer, if it is thinner than 10 nm, the heat resistance is lowered, which is not preferable. Conversely, 100 nm
If it exceeds, the recording sensitivity will decrease and the film will peel off due to temperature increase.
Repeated overwrite characteristics deteriorate due to deformation and deterioration of heat dissipation.

【００２６】反射放熱層（６）としては、Ａｌ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｐｂ等の金属を主とした材料の単体または合金を用いる
ことができる。この層は、熱を効率的に放散させること
が重要であり、膜厚は５０〜１６０ｎｍが好ましい。膜
厚が厚すぎると、放熱効率が大きすぎて感度が悪くな
り、薄すぎると感度は良好であるが、繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性がよいことなどが要
求される。As the reflection / heat dissipation layer (6), Al, Au,
Cu, Ag, Cr, Sr, Zn, In, Pd, Zr, F
e, Co, Ni, Si, Ge, Sb, Ta, W, Ti,
A simple substance or an alloy of a material mainly composed of a metal such as Pb can be used. It is important that this layer efficiently dissipate heat, and the film thickness is preferably 50 to 160 nm. If the film thickness is too thick, the heat dissipation efficiency is too high and the sensitivity is poor, and if it is too thin, the sensitivity is good but the repetitive overwrite property is poor. The characteristics are required to be high in thermal conductivity, have a high melting point, and have good adhesion to the protective layer material.

【００２７】図２に、厚さ約０．６ｍｍの基板を貼り合
わせて使用する場合の１例を示す。誘電体材料、結晶化
促進材料、記録材料、反射放熱材料については、前記図
１の場合と同様である。図２の場合では、（１３）の半
透明反射放熱層及び、（１１）の第１の記録層の透過率
を５０％以上にする。FIG. 2 shows an example in which substrates having a thickness of about 0.6 mm are attached and used. The dielectric material, the crystallization promoting material, the recording material, and the reflection / heat dissipation material are the same as in the case of FIG. In the case of FIG. 2, the transmissivity of the semitransparent reflective heat dissipation layer (13) and the first recording layer (11) is set to 50% or more.

【００２８】図３に、厚さ１ｍｍ程度の基板上に、２層
の記録層を有する場合を示す。誘電体材料、結晶化促進
材料、記録材料、反射放熱材料については、前記図１の
場合と同様である。図３の場合、第１の記録層の透過率
を調節するため、（２２）の第１の誘電体層及び（２
５）の第４の誘電体層を異種材料の多層構成とする場合
がある。FIG. 3 shows a case where two recording layers are provided on a substrate having a thickness of about 1 mm. The dielectric material, the crystallization promoting material, the recording material, and the reflection / heat dissipation material are the same as in the case of FIG. In the case of FIG. 3, in order to adjust the transmittance of the first recording layer, the first dielectric layer of (22) and the (2)
The fourth dielectric layer 5) may have a multi-layered structure of different materials.

【００２９】このような本発明の光情報記録媒体に光記
録するには、基準クロック長さｎ周期に相当するアモルファ
スを形成する場合、ｎ周期の時間に(n-1)回のレーザー
パルス照射を行う。例えば、図４に示す基準クロック５
周期相当の長さのアモルファスを形成する場合は、４回
のレーザーパルスを照射する。記録線速度8.5m/sにおい
て,基準クロック64.7MHzでの記録の場合（DVD,2.4倍速
記録）、例えば図における、レーザー照射開始遅延時
間は19ns、先頭パルス幅は6ns、マルチパルス幅は7
ns、冷却パルス幅は14.5ns、記録パワーは15mW、
消去パワーは8mW、冷却パワーは0.1mWにて行う。In order to perform optical recording on such an optical information recording medium of the present invention, when forming an amorphous material corresponding to a reference clock length of n cycles, (n-1) laser pulse irradiation is performed in a time of n cycles. I do. For example, the reference clock 5 shown in FIG.
When forming an amorphous material having a length corresponding to the period, the laser pulse is irradiated four times. In the case of recording at a reference clock speed of 64.7MHz at a recording linear velocity of 8.5m / s (DVD, 2.4x speed recording), for example, the laser irradiation start delay time is 19ns, the head pulse width is 6ns, and the multi-pulse width is 7ns.
ns, cooling pulse width 14.5ns, recording power 15mW,
Erase power is 8mW and cooling power is 0.1mW.

【００３０】上記材料および構成による光情報記録媒体
は、例えば、波長が６３５あるいは６５０ｎｍの半導体
レーザーで、ＮＡ０．６のピックアップを用い記録再生
することができる。記録方法としては、例えば、Pulse
Width Modulationで変調コードがEFM又はEFM+[8/16RLL
(2,10)]方式等を用いることができる．この場合、パル
スは先頭パルスとその後のマルチパルス部に分かれる。
マルチパルス部は、加熱、冷却を繰り返し行なうための
ものである。この場合、各パワーの関係は、加熱（記
録）パワー＞消去パワー＞冷却パワーとなっていて、冷
却パワーは読み出しパワー程度まで下げる。通常、線速
は３．５〜８．５ｍ／ｓ、読み出しパワーは１ｍＷ以下
で行なう。The optical information recording medium having the above materials and structure can be recorded / reproduced by using a semiconductor laser having a wavelength of 635 or 650 nm and a pickup of NA 0.6. As a recording method, for example, Pulse
Width Modulation and modulation code is EFM or EFM + [8 / 16RLL
(2,10)] method can be used. In this case, the pulse is divided into the head pulse and the subsequent multi-pulse part.
The multi-pulse part is for repeating heating and cooling. In this case, the relationship between the respective powers is heating (recording) power> erasing power> cooling power, and the cooling power is reduced to about the reading power. Usually, the linear velocity is 3.5 to 8.5 m / s, and the read power is 1 mW or less.

【００３１】[0031]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。 （実施例及び比較例）０．６ｍｍ厚、直径５インチのポ
リカーボネート基板（以下ＰＣ基板）上に、スパッタリ
ング法により以下１．〜５．の薄膜を形成する。 １．第一誘電体層ターゲット：ＺｎＳ・ＳｉＯ２（ター
ゲットのｍｏｌ比で７９．５：２０．５）：２２０ｎｍ ２．結晶化促進層：記録状態安定化材料ターゲット＋結
晶化促進材料ターゲット（同時スパッタリング）：組成
及び膜厚は（表１〜５）に示す。 ３．記録層：ターゲットＳｂ３Ｔｅ系材料（組成は（表
１〜５）に示す）：１６ｎｍ ４．第二誘電体層：ターゲットＺｎＳ・ＳｉＯ２（ター
ゲットのｍｏｌ％比で７９．５：２０．５）：１６ｎｍ ５．反射放熱層：ターゲットＡｌ：１４０ｎｍ 記録層の組成表において、少数点以下の数字は誤差を含
んだものである。表中の組成の総和が１００％からズレ
ている場合はその誤差のためである。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples. (Examples and Comparative Examples) A polycarbonate substrate (hereinafter referred to as PC substrate) having a thickness of 0.6 mm and a diameter of 5 inches (hereinafter referred to as a PC substrate) was subjected to the following 1. ~ 5. To form a thin film. 1. First dielectric layer target: ZnS.SiO 2 (target molar ratio 79.5: 20.5): 220 nm 2. Crystallization promoting layer: recording state stabilizing material target + crystallization promoting material target (simultaneous sputtering): The composition and film thickness are shown in (Tables 1 to 5). 3. Recording layer: Target Sb 3 Te-based material (composition is shown in (Tables 1 to 5)): 16 nm 4. Second dielectric layer: target ZnS.SiO 2 (mol% ratio of target: 79.5: 20.5): 16 nm 5. Reflective heat dissipation layer: Target Al: 140 nm In the composition table of the recording layer, numbers below the decimal point include an error. This is due to the error when the total composition in the table deviates from 100%.

【００３２】ここで、結晶化促進層は、記録状態安定化
材料ターゲットと結晶化促進材料ターゲットを同時スパ
ッタリングすることにより成膜した。このとき、それぞ
れの投入電力変化させることにより薄膜のＢｉ／Ｇｅ組
成比を調節した。記録層成膜時の基板温度は、ポリカー
ボネート基板が塑性変形しない限界の温度で行なった。
この場合、基板に接触させた熱電対が１００℃となるよ
うにＩＲランプ出力を制御して、熱電体によるモニター
温度が安定した後に基板を記録層成膜室に搬送してい
る。記録層成膜室での、基板温度を測定すると６７℃で
あった。成膜終了後、ＵＶ硬化樹脂をスピンコートした
後、ＵＶ光照射により硬化形成させた。このようにして
製造した基板を、他の厚さ０．６ｍｍ基板と貼り合わせ
て約１．２ｍｍ厚とした。Here, the crystallization promoting layer was formed by co-sputtering a recording state stabilizing material target and a crystallization promoting material target. At this time, the Bi / Ge composition ratio of the thin film was adjusted by changing the respective input powers. The substrate temperature at the time of forming the recording layer was set to a temperature at which the polycarbonate substrate did not plastically deform.
In this case, the IR lamp output is controlled so that the thermocouple brought into contact with the substrate has a temperature of 100 ° C., and the substrate is transported to the recording layer film forming chamber after the monitor temperature by the thermoelectric element is stabilized. The substrate temperature in the recording layer deposition chamber was 67 ° C. when measured. After completion of the film formation, a UV curable resin was spin-coated and then cured by irradiation with UV light. The substrate manufactured in this manner was bonded to another substrate having a thickness of 0.6 mm to have a thickness of about 1.2 mm.

【００３３】波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックア
ップヘッドを使用して、記録速度８．５ｍ／ｓの速さ
で、直径１２０ｍｍディスク上で４．７ＧＢとなる記録
密度相当の記録を行なった。１つのマークを書く際に
も、レーザー照射と冷却を繰り返すマルチパルス方式で
記録を行なった。クロック１周期の倍数の長さのアモル
ファスマークを形成するのであるが、マーク長あたりの
クロック振動数から１回を減じた回数のレーザー照射と
冷却を行なった。アモルファスマーク形成時のレーザー
照射パワー（記録パワー）と、結晶スペース形成時のパ
ワー（消去パワー）の比は、結晶化促進層の膜厚及び材
料により最適値が異なり、（記録パワー）／（消去パワ
ー）＝０．４〜０．６である。Using a pickup head having a wavelength of 660 nm and an NA of 0.65, recording was performed at a recording speed of 8.5 m / s, which corresponds to a recording density of 4.7 GB on a 120 mm diameter disk. Even when writing one mark, recording was performed by a multi-pulse method in which laser irradiation and cooling were repeated. An amorphous mark having a length that is a multiple of one clock cycle is formed, but laser irradiation and cooling are performed a number of times that is one less than the clock frequency per mark length. The optimum ratio of the laser irradiation power (recording power) for forming the amorphous mark and the power (erasing power) for forming the crystal space depends on the film thickness and material of the crystallization promoting layer, and is (recording power) / (erasing power). Power) = 0.4 to 0.6.

【００３４】記録特性中、ジッターは、記録マークとス
ペースの境界の読み出し時間のズレの標準偏差を、読み
出しクロック１周期時間で除した値であり（単位％）、
モジュレーションは、１４Ｔの振幅を１４Ｔの反射率で
除した値である。In the recording characteristics, the jitter is a value obtained by dividing the standard deviation of the read time deviation at the boundary between the recording mark and the space by one read clock cycle time (unit:%).
The modulation is a value obtained by dividing the amplitude of 14T by the reflectance of 14T.

【００３５】（比較例１、２及び実施例１〜５）結晶化
促進層材料、記録層材料及び膜厚を下記（表１）に示
す。(Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 to 5) The crystallization promoting layer material, the recording layer material and the film thickness are shown in the following (Table 1).

【００３６】[0036]

【表１】 [Table 1]

【００３７】それぞれの、製造直後のメディア反射
率、ダイレクトオーバーライト１回目のジッター、
８０℃保管時に記録ジッター１％上昇する時間を示す。Media reflectivity immediately after production, first direct overwrite jitter,
The time required to increase the recording jitter by 1% when stored at 80 ° C is shown.

【００３８】[0038]

【表２】 実施例１では、比較例２と同一のＧｅ含有量になるよう
に結晶化促進層の膜厚を調整している。実施例３では、
比較例１、比較例２と同一のＢｉ含有量となるように結
晶化促進層の膜厚を調整している。Ｓｂ７８Ｔｅ２２
に、Ｂｉを適用した場合、相対反射率は高いが記録状態
の保存性が著しく悪い。保存信頼性が確保できるＧｅを
添加した記録材料Ｇｅ５Ｓｂ７７Ｔｅ１８にＢｉを適用
した場合は、初期化レス製造では完全な結晶にならない
ため製造直後の反射率が低い。完全な結晶膜を形成する
ためには更に高温の基板温度が必要である。また、完全
な結晶でないため相対反射率が７０％であることからダ
イレクトオーバーライト１回目でジッターが許容範囲を
超えて上昇する。これに対して、実施例１〜実施例３で
は、製造後反射率と８０℃保管時の信頼性をともに満足
し、更に、相対反射率が８０％以上で有ることからダイ
レクトオーバーライト１回目のジッターも良好である。
ここで、ジッターが９％以下の場合は実用上問題となら
ない。また、実施例１と実施例２において、混合後のＧ
ｅ含有量に着目すると、Ｇｅが５原子％を超える組成で
保存信頼時間が一挙に２倍に伸びている。このことは、
結晶化促進層の膜厚を同一にした場合、すなわち、実施
例１と実施例４、実施例５の比較においても成り立って
いる。ここで、実施例の保存信頼性が比較例１より飛躍
的に向上しているのは、記録することにより、成膜工程
終了時に記録層に存在した以上の量の不純物Ｇｅが記録
層に存在するようになるためである。[Table 2] In Example 1, the film thickness of the crystallization promoting layer is adjusted so that the Ge content is the same as that in Comparative Example 2. In Example 3,
The film thickness of the crystallization promoting layer is adjusted so that the Bi content is the same as in Comparative Examples 1 and 2. Sb78Te22
On the other hand, when Bi is applied, the relative reflectance is high, but the storage stability of the recorded state is extremely poor. When Bi is applied to the Ge-containing recording material Ge5Sb77Te18 capable of ensuring storage reliability, the reflectance is low immediately after the production because complete crystal is not obtained in the initialization-less production. Higher substrate temperatures are required to form a perfect crystalline film. Further, since the relative reflectance is 70% because it is not a perfect crystal, the jitter increases beyond the allowable range at the first direct overwrite. On the other hand, in Examples 1 to 3, both the post-manufacturing reflectance and the reliability during storage at 80 ° C. were satisfied, and the relative reflectance was 80% or more. Jitter is also good.
Here, when the jitter is 9% or less, there is no practical problem. In addition, in Example 1 and Example 2, G after mixing
Focusing on the e content, the storage reliability time is doubled at once in the composition where Ge exceeds 5 atomic%. This is
The same holds when the film thicknesses of the crystallization promoting layers are the same, that is, in the comparison between Example 1, Example 4, and Example 5. Here, the storage reliability of the example is remarkably improved as compared with the comparative example 1 by recording, the amount of impurities Ge existing in the recording layer at the end of the film forming step is larger than that in the recording layer. This is because you will be able to do so.

【００３９】（実施例６〜８）結晶化促進層材料、記録
層材料及び膜厚を下記（表３）に示す。(Examples 6 to 8) The crystallization promoting layer material, recording layer material and film thickness are shown in the following (Table 3).

【００４０】[0040]

【表３】 [Table 3]

【００４１】気温８０℃での保存信頼性を２００時間確
保するため、記録材料中のＧｅ原子が５原子％以上とな
るように記録層と結晶化促進層の膜厚を調節した。各実
施例での、初回記録ジッター、ダイレクトオーバラ
イト１回目記録ジッター、８０℃保存信頼性時間を測
定した。In order to secure storage reliability at a temperature of 80 ° C. for 200 hours, the film thickness of the recording layer and the crystallization promoting layer was adjusted so that the Ge atoms in the recording material would be 5 atomic% or more. In each example, the initial recording jitter, the direct overwrite first recording jitter, and the storage reliability time at 80 ° C. were measured.

【００４２】[0042]

【表４】 記録層にあらかじめＧｅ原子を含有する場合、結晶化促
進層を薄層化することが可能であり、そのことにより記
録ジッターが減少する。これは、記録密度の更なる向上
に有利であることを示している。[Table 4] When the recording layer contains Ge atoms in advance, it is possible to make the crystallization promoting layer thinner, which reduces recording jitter. This indicates that it is advantageous for further improvement in recording density.

【００４３】(実施例９、１０)結晶化促進層材料、記録
層材料及び膜厚を下記（表５）に示す。(Examples 9 and 10) The crystallization promoting layer material, recording layer material and film thickness are shown in the following (Table 5).

【００４４】[0044]

【表５】 それぞれの、製造直後のメテ゛ィア反射率、初回記録か
ら1000回記録までの反射率の（最高値−最低値）／(平
均値)、１０００回記録時のモジュレーションを測定
した。[Table 5] The media reflectance immediately after production, the (maximum value-minimum value) / (average value) of the reflectance from the first recording to the 1000th recording, and the modulation after 1000 recordings were measured.

【００４５】[0045]

【表６】 実施例９については、記録層にＡｇを添加することによ
り、実施例１と比較して反射率の変動が改善されてい
る。実施例１０は、記録層にInを添加することにより、
実施例１と比較してモジュレーションが改善されてい
る。[Table 6] In Example 9, the addition of Ag to the recording layer improved the variation in reflectance as compared with Example 1. In Example 10, by adding In to the recording layer,
The modulation is improved compared to Example 1.

【００４６】（実施例１１〜１４）結晶化促進層材料、
記録層材料及び膜厚を下記（表７）に示す。ここで、保
存信頼性を確保するように結晶化促進層と記録層が混合
した場合のＧｅ含有率が５原子％となるように、結晶化
促進層の膜厚を調節した。(Examples 11 to 14) Crystallization promoting layer material,
The recording layer material and film thickness are shown below (Table 7). Here, the film thickness of the crystallization promoting layer was adjusted so that the Ge content ratio when the crystallization promoting layer and the recording layer were mixed was 5 atom% so as to secure the storage reliability.

【００４７】[0047]

【表７】 [Table 7]

【００４８】Ｂｉ／Ｇｅ比５水準について、１０００
回記録後のモジュレーションを測定した。For a Bi / Ge ratio of 5 levels, 1000
The modulation after recording was measured.

【００４９】[0049]

【表８】 Ｂｉ／Ｇｅ原子数比が、Ｂｉ＜Ｇｅとなる結晶化促進層
組成において、保存信頼性確保して且つ、Ｂｉ＜５原子
％となる設計が可能である。このことにより、記録のモ
ジュレーションを５％増大させることができる。[Table 8] In the composition of the crystallization promoting layer in which the Bi / Ge atomic ratio is Bi <Ge, it is possible to ensure storage reliability and design Bi <5 atomic%. This can increase the modulation of the recording by 5%.

【００５０】（実施例１５〜１９）結晶化促進層材料、
記録層材料及び膜厚を下記（表９）に示す。Ｓｂ／Ｔｅ
比（原子％）が、１０００回記録後のモジュレーション
に及ぼす影響を調べた。(Examples 15 to 19) Crystallization promoting layer material,
The recording layer material and film thickness are shown below (Table 9). Sb / Te
The effect of the ratio (atomic%) on the modulation after 1000 recordings was investigated.

【００５１】[0051]

【表９】 Ｓｂ／Ｔｅ比（原子％）５水準について、１０００回
記録後のモジュレーションを測定した。[Table 9] With respect to the Sb / Te ratio (atomic%) of 5 levels, the modulation after recording 1000 times was measured.

【００５２】[0052]

【表１０】 Ｓｂ／Ｔｅを４を堺にモジュレーションが劇変する。[Table 10] Modulation changes from Sb / Te to 4 in Sakai.

【００５３】（実施例８及び実施例２０〜２２）各実施
例の結晶化促進層材料、記録層材料及び膜厚を下記（表
１１）に示す。ここで結晶化促進層の膜厚は、各実施例
において相対反射率が８０％となる膜厚である。(Example 8 and Examples 20 to 22) The crystallization promoting layer material, recording layer material and film thickness of each example are shown in the following (Table 11). Here, the thickness of the crystallization promoting layer is such that the relative reflectance is 80% in each of the examples.

【００５４】[0054]

【表１１】 [Table 11]

【００５５】各実施例における 相対反射率８０％となるために必要な結晶化促進層膜厚 初回記録ジッター ダイレクトオーバーライト１回目の記録ジッター を示す。In each embodiment Crystallization promoting layer film thickness required to achieve relative reflectance of 80% Initial recording jitter Direct overwrite 1st recording jitter Indicates.

【００５６】[0056]

【表１２】 結晶化促進層の組成がＢｉ原子数＞Ｇｅ原子数の場合、
初期化レスに必要な結晶化促進層の膜厚が１ｎｍ未満と
なるため、記録ジッターが良好である。これは、記録密
度の更なる向上に有利であることを示している。[Table 12] When the composition of the crystallization promoting layer is the number of Bi atoms> the number of Ge atoms,
Since the film thickness of the crystallization promoting layer required for initialization-less is less than 1 nm, the recording jitter is good. This indicates that it is advantageous for further improvement in recording density.

【００５７】[0057]

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明によりＳｂ３Ｔｅ系記録材料相変化記
録メディアの初期化レス製造を可能として、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭ互換が可能な４．７ＧＢ／直径１２０ｍｍディスク
以上の記録密度の初期化レスメディアを実現できる。As is apparent from the detailed and specific description above, according to the present invention, it is possible to manufacture an Sb 3 Te-based recording material phase change recording medium without initialization, and to realize the DVD-R.
It is possible to realize an initialization-less medium having a recording density of 4.7 GB / 120 mm diameter disk or more that is OM compatible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明による光情報記録媒体の一例を示した図
である。FIG. 1 is a diagram showing an example of an optical information recording medium according to the present invention.

【図２】本発明による光情報記録媒体の一例を示した別
の図である。FIG. 2 is another diagram showing an example of the optical information recording medium according to the present invention.

【図３】本発明による光情報記録媒体の一例を示した更
に別の図である。FIG. 3 is still another diagram showing an example of the optical information recording medium according to the present invention.

【図４】本発明の光情報記録媒体への記録モードの１例
を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a recording mode for an optical information recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 結晶化促進層 ４ 記録層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射放熱層 ７ 保護層 ８ 基板 ９ 第１の誘電体層 １０ 結晶化促進層 １１ 第１の記録層 １２ 第２の誘電体層 １３ 半透明反射放熱層 １４ 保護層 １５ 第３の誘電体層 １６ 第２の記録層 １７ 結晶化促進層記録層 １８ 第２の誘電体層 １９ 反射放熱層 ２０ 基板 ２１ カバー層 ２２ 第１の誘電体層 ２３ 結晶化促進層 ２４ 第１の記録層 ２５ 第２の誘電体層 ２６ 保護層 ２７ 第３の誘電体層 ２８ 第２の記録層 ２９ 結晶化促進層記録層 ３０ 第４の誘電体層 ３１ 反射放熱層 ３２ 基板 1 substrate 2 First dielectric layer 3 Crystallization promotion layer 4 recording layers 5 Second dielectric layer 6 Reflective heat dissipation layer 7 protective layer 8 substrates 9 First dielectric layer 10 Crystallization promotion layer 11 First recording layer 12 Second dielectric layer 13 Semi-transparent reflective heat dissipation layer 14 Protective layer 15 Third dielectric layer 16 Second recording layer 17 Crystallization promoting layer Recording layer 18 Second dielectric layer 19 Reflective heat dissipation layer 20 substrates 21 cover layer 22 First Dielectric Layer 23 Crystallization promoting layer 24 First recording layer 25 Second dielectric layer 26 Protective layer 27 Third Dielectric Layer 28 Second recording layer 29 Crystallization promoting layer Recording layer 30 Fourth dielectric layer 31 Reflective heat dissipation layer 32 substrates

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真貝 勝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 阿萬 康知 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JC02 KB14 RA03 RA04 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masaru Makai             1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks             Company Ricoh (72) Inventor Yuji Miura             1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks             Company Ricoh (72) Inventor Masato Hariya             1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks             Company Ricoh (72) Inventor Yasutomo Aman             1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks             Company Ricoh F-term (reference) 5D029 JA01 JC02 KB14 RA03 RA04                 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 Ｓｂ、Ｔｅの他に、他元素を実質的に含
まない又は第Ｉ族乃至ＶＩＩ族に属する元素の少なくと
も１種類の元素を含む記録層と、その余の層とを有する
光記録媒体において、前記光記録媒体にエネルギー照射
して記録操作することにより、該記録層の成膜工程終了
時に該記録層中に存在した以上の量の前記他元素が前記
その余の層から記録層中に移行して存在するようになる
相変化記録媒体。1. A light having a recording layer containing, in addition to Sb and Te, at least one element which is substantially free of other elements or which belongs to Group I to Group VII, and the remaining layer. In the recording medium, the optical recording medium is irradiated with energy to perform a recording operation, so that the amount of the other element present in the recording layer at the end of the film forming process of the recording layer is recorded from the other layer. A phase change recording medium that migrates and becomes present in a layer. 【請求項２】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの
１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的に含
有しないことを特徴とする請求項１記載の相変化記録媒
体。2. The phase change according to claim 1, wherein the recording layer contains Sb and Te whose number of atoms is 1 / 2.2 or less of Sb, and does not substantially contain Ge. recoding media. 【請求項３】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂの
１／２．２以下のＴｅとを含み、且つ５原子％未満のＧ
ｅを含有することを特徴とする請求項１に記載の相変化
記録媒体。3. The recording layer contains Sb and Te whose number of atoms is 1 / 2.2 or less of Sb and less than 5 atomic% of G.
The phase change recording medium according to claim 1, wherein the phase change recording medium contains e. 【請求項４】 前記その余の層が、記録状態安定化材料
と結晶化促進材料とを含む結晶化促進層であることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の相変化記
録媒体。4. The phase change according to any one of claims 1 to 3, wherein the other layer is a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. recoding media. 【請求項５】 前記記録状態安定化材料が、４族元素、
１Ｂ族元素、３族元素及び／又は５族元素であることを
特徴とする請求項４に記載の相変化記録媒体。5. The recording state stabilizing material is a Group 4 element,
The phase change recording medium according to claim 4, which is a Group 1B element, a Group 3 element, and / or a Group 5 element. 【請求項６】 前記記録状態安定化材料が、Ｇｅ、Ｃ
ｕ、Ｉｎ、Ｂ及び／又はＮであることを特徴とする請求
項５に記載の相変化記録媒体。6. The recording state stabilizing material is Ge, C
The phase change recording medium according to claim 5, wherein the phase change recording medium is u, In, B and / or N. 【請求項７】 前記結晶化促進材料が、５族元素、６族
元素であることを特徴とする請求項４に記載の相変化記
録媒体。7. The phase change recording medium according to claim 4, wherein the crystallization promoting material is a Group 5 element or a Group 6 element. 【請求項８】 前記結晶化促進材料が、Ｓｂ、Ｂｉ及び
／又はＴｅであることを特徴とする請求項７に記載の相
変化記録媒体。8. The phase change recording medium according to claim 7, wherein the crystallization promoting material is Sb, Bi and / or Te. 【請求項９】 前記記録層が、Ｉｎ、Ａｇ及び／又はＣ
ｕを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の相
変化記録媒体。9. The recording layer comprises In, Ag and / or C
The phase change recording medium according to claim 1, further comprising u. 【請求項１０】 前記結晶化促進層が、少なくともＢｉ
元素とＧｅ元素を含有することを特徴とする請求項４に
記載の相変化記録媒体。10. The crystallization promoting layer comprises at least Bi.
The phase change recording medium according to claim 4, which contains an element and a Ge element. 【請求項１１】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的に
含有せず、前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子数）
＜（Ｇｅ原子数）であることを特徴とする請求項１０に
記載の相変化記録媒体。11. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
Of Te of 1 / 2.2 or less and substantially containing no Ge, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number)
The phase change recording medium according to claim 10, wherein <(Ge atom number). 【請求項１２】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つ５原子％未満の
Ｇｅを含有し、前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子
数）＞（Ｇｅ原子数）であることを特徴とする請求項１
０に記載の相変化記録媒体。12. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
Of less than 1 / 2.2 of Te and containing less than 5 atom% of Ge, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number)> (Ge atom number). Claim 1
0. The phase change recording medium described in 0. 【請求項１３】 前記記録層と前記結晶化促進層が前記
エネルギー照射により少なくとも部分的に混合可能であ
り、前記記録層と前記結晶化促進層が少なくとも部分的
に混合した場合の組成が、Ｇｅ＞５原子％であることを
特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１に記載の相変
化記録媒体。13. The recording layer and the crystallization promoting layer can be at least partially mixed by the energy irradiation, and the composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Ge. The phase change recording medium according to any one of claims 10 to 12, wherein the content is> 5 atom%. 【請求項１４】 前記記録層と前記結晶化促進層が少な
くとも部分的に混合した場合の組成が、Ｂｉ＜５原子％
であることを特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１
に記載の相変化記録媒体。14. The composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Bi <5 atomic%.
13. The method according to any one of claims 10 to 12, wherein
The phase change recording medium according to 1. 【請求項１５】 前記記録層の（Ｓｂ原子数）／（Ｔｅ
原子数）が４以下であることを特徴とする請求項２乃至
１４の何れか１に記載の相変化記録媒体。15. The (Sb atom number) / (Te of the recording layer
15. The phase change recording medium according to claim 2, wherein the number of atoms is 4 or less. 【請求項１６】 厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基
板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅ
を主成分とし、且つＧｅを含有しない記録層と、記録状
態安定化材料と結晶化促進材料とを含む結晶化促進層を
有し、他の厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板と貼
り合わされて、厚さ１．２ｍｍとされたことを特徴とす
る相変化記録媒体。16. Sb and Te having an atomic number of 1 / 2.2 or less of Sb on a polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm.
Having a recording layer containing Ge as a main component and not containing Ge and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and being bonded to another polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm, A phase-change recording medium having a thickness of 1.2 mm. 【請求項１７】 厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし、且つＧｅを含有しない記録層と、記
録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む結晶化促進
層を有することを特徴とする相変化記録媒体。17. A recording layer containing Sb and Te as a main component, which is 1 / 2.2 or less of Sb in terms of number of atoms and which does not contain Ge, and a recording state stabilization on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.0 mm or more. A phase change recording medium having a crystallization promoting layer containing a material and a crystallization promoting material. 【請求項１８】 厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし且つＧｅを含有しない記録層と、記録
状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む結晶化促進層
の少なくとも記録層を２層以上有することを特徴とする
相変化記録媒体。18. A recording layer containing Sb and Te, which is 1 / 2.2 or less of Sb in terms of the number of atoms as a main component and does not contain Ge, and a recording state stabilizing material, on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.0 mm or more. A phase change recording medium comprising at least two recording layers of a crystallization promoting layer containing: and a crystallization promoting material. 【請求項１９】 厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基
板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅ
を主成分とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する記録層
と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む結晶
化促進層を有し、他の厚さ０．６ｍｍのポリカーボネー
ト基板と貼り合わせて、厚さ１．２ｍｍとしたことを特
徴とする相変化記録媒体。19. Sb and Te having an atomic number of 1 / 2.2 or less of Sb on a 0.6 mm thick polycarbonate substrate.
A polycarbonate layer having a thickness of 0.6 mm and a recording layer containing Ge as a main component and containing less than 5 atomic% of Ge, and a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. A phase-change recording medium having a thickness of 1.2 mm when laminated. 【請求項２０】 厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する記
録層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む
結晶化促進層を有することを特徴とする相変化記録媒
体。20. A recording layer containing Sb and Te, which is 1 / 2.2 or less of Sb in atomic number, as a main component and contains less than 5 atomic% Ge on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.0 mm or more, A phase change recording medium having a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. 【請求項２１】 厚さ１．０ｍｍ以上のポリカーボネー
ト基板上に、Ｓｂ及び原子数でＳｂの１／２．２以下の
Ｔｅを主成分とし且つ５原子％未満のＧｅを含有する記
録層と、記録状態安定化材料と結晶化促進材料とを含む
結晶化促進層の少なくとも記録層を２層以上有すること
を特徴とする相変化記録媒体。21. A recording layer comprising, as a main component, Sb and Te which is 1 / 2.2 or less of Sb in terms of the number of atoms, and a Ge containing less than 5 atom% on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.0 mm or more, A phase change recording medium having at least two crystallization promoting layers containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. 【請求項２２】 基板温度がポリカーボネート基板の塑
性変形温度以下で行なう成膜プロセスにより、成膜工程
直後の相変化記録媒体の反射率が記録時の結晶部の反射
率に対して８０％以上とされたことを特徴とする請求項
１乃至２１の何れか１に記載の記録処理前の相変化記録
媒体からなる中間体。22. The reflectance of the phase change recording medium immediately after the film forming step is 80% or more of the reflectance of the crystal part at the time of recording by the film forming process performed at a substrate temperature not higher than the plastic deformation temperature of the polycarbonate substrate. An intermediate body comprising the phase change recording medium before the recording process according to any one of claims 1 to 21. 【請求項２３】 少なくとも記録状態安定化材料と結晶
化促進材料を含有する薄膜を形成する工程と、Ｓｂ及び
原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅを主成分とし且つ
Ｇｅを含有しない薄膜を形成する工程とを有することを
特徴とする請求項１乃至２１の何れか１に記載の記録処
理前の相変化記録媒体からなる中間体。23. A step of forming a thin film containing at least a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and containing Sb and Te which is 1 / 2.2 or less of Sb in atomic number as a main component and does not contain Ge. The intermediate body which consists of a phase change recording medium before a recording process as described in any one of Claim 1 thru | or 21 which has the process of forming a thin film. 【請求項２４】 少なくとも記録状態安定化材料と結晶
化促進材料を含有する薄膜を形成する工程と、Ｓｂ及び
原子数でＳｂの１／２．２以下のＴｅを主成分とし且つ
５原子％未満のＧｅを含有する薄膜を形成する工程とを
有することを特徴とする請求項１乃至２１の何れか１に
記載の記録処理前の相変化記録媒体からなる中間体。24. A step of forming a thin film containing at least a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material, and containing Sb and Te, which is 1 / 2.2 or less of Sb in atomic number, as a main component and less than 5 atomic%. 22. The step of forming a thin film containing Ge according to any one of claims 1 to 21, wherein the intermediate body comprises the phase change recording medium before the recording process according to any one of claims 1 to 21. 【請求項２５】 Ｓｂ、Ｔｅの他に、他元素を実質的に
含まない又は第Ｉ族乃至ＶＩＩ族に属する元素の少なく
とも１種類の元素を含む記録層と、その余の層とを基板
上に有する光記録媒体に、エネルギー照射して記録操作
することにより、該記録層の成膜工程終了時に該記録層
中に存在した以上の量の前記他元素を、前記その余の層
から記録層中に移行させることを特徴とする相変化記録
媒体への記録方法。25. In addition to Sb and Te, a recording layer containing substantially no other element or containing at least one kind of element belonging to Group I to Group VII, and the remaining layer on the substrate. By irradiating the optical recording medium having the energy with a recording operation, the amount of the other element present in the recording layer at the end of the film forming step of the recording layer is changed from the remaining layer to the recording layer. A recording method on a phase change recording medium, characterized in that the recording medium is transferred to the inside. 【請求項２６】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的に
含有しないことを特徴とする請求項２５に記載の相変化
記録媒体への記録方法。26. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
26. The method for recording on a phase change recording medium according to claim 25, characterized in that it contains Te of 1 / 2.2 or less, and does not substantially contain Ge. 【請求項２７】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つ５原子％未満の
Ｇｅを含有することを特徴とする請求項２５に記載の相
変化記録媒体への記録方法。27. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
26. The method for recording on a phase change recording medium according to claim 25, characterized in that it contains Te of 1 / 2.2 or less and contains less than 5 atomic% of Ge. 【請求項２８】 前記その余の層が、記録状態安定化材
料と結晶化促進材料とを含む結晶化促進層であることを
特徴とする請求項２５乃至２７のいずれか１に記載の相
変化記録媒体への記録方法。28. The phase change according to claim 25, wherein the other layer is a crystallization promoting layer containing a recording state stabilizing material and a crystallization promoting material. Recording method on recording medium. 【請求項２９】 前記記録状態安定化材料が、４族元
素、１Ｂ族元素、３族元素及び／又は５族元素であるこ
とを特徴とする請求項２８に記載の相変化記録媒体への
記録方法。29. Recording on a phase change recording medium according to claim 28, wherein the recording state stabilizing material is a Group 4 element, a Group 1B element, a Group 3 element and / or a Group 5 element. Method. 【請求項３０】 前記記録状態安定化材料が、Ｇｅ、Ｃ
ｕ、Ｉｎ、Ｂ及び／又はＮであることを特徴とする請求
項２９に記載の相変化記録媒体への記録方法。30. The recording state stabilizing material is Ge, C
30. The recording method on a phase change recording medium according to claim 29, wherein the recording medium is u, In, B and / or N. 【請求項３１】 前記結晶化促進材料が、５族元素、６
族元素であることを特徴とする請求項２８に記載の相変
化記録媒体への記録方法。31. The crystallization promoting material is a Group 5 element, 6
29. The method for recording on a phase change recording medium according to claim 28, which is a group element. 【請求項３２】 前記結晶化促進材料が、Ｓｂ、Ｂｉ及
び／又はＴｅであることを特徴とする請求項３１に記載
の相変化記録媒体への記録方法。32. The recording method on a phase change recording medium according to claim 31, wherein the crystallization promoting material is Sb, Bi and / or Te. 【請求項３３】 前記記録層が、Ｉｎ、Ａｇ及び／又は
Ｃｕを含むことを特徴とする請求項２５または２６に記
載の相変化記録媒体への記録方法。33. The method for recording on a phase change recording medium according to claim 25, wherein the recording layer contains In, Ag and / or Cu. 【請求項３４】 前記結晶化促進層が、少なくともＢｉ
元素とＧｅ元素を含有することを特徴とする請求項２８
に記載の相変化記録媒体への記録方法。34. The crystallization promoting layer comprises at least Bi.
29. An element and a Ge element are contained.
The method for recording on the phase change recording medium according to. 【請求項３５】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つＧｅを実質的に
含有せず、前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子数）
＜（Ｇｅ原子数）であることを特徴とする請求項３４に
記載の相変化記録媒体への記録方法。35. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
Of Te of 1 / 2.2 or less and substantially containing no Ge, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number)
The method for recording on a phase change recording medium according to claim 34, wherein <(Ge atom number). 【請求項３６】 前記記録層が、Ｓｂと、原子数でＳｂ
の１／２．２以下のＴｅとを含み、且つ５原子％未満の
Ｇｅを含有し、前記結晶化促進層の組成が、（Ｂｉ原子
数）＞（Ｇｅ原子数）であることを特徴とする請求項３
４に記載の相変化記録媒体への記録方法。36. The recording layer comprises Sb and Sb in number of atoms.
Of less than 1 / 2.2 of Te and containing less than 5 atom% of Ge, and the composition of the crystallization promoting layer is (Bi atom number)> (Ge atom number). Claim 3
The method for recording on the phase change recording medium according to item 4. 【請求項３７】 前記記録層と前記結晶化促進層が前記
エネルギー照射により少なくとも部分的に混合可能であ
り、前記記録層と前記結晶化促進層が少なくとも部分的
に混合した場合の組成が、Ｇｅ＞５原子％であることを
特徴とする請求項３４乃至３６の何れか１に記載の相変
化記録媒体への記録方法。37. The recording layer and the crystallization promoting layer can be at least partially mixed by the energy irradiation, and the composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Ge. The method for recording on a phase change recording medium according to any one of claims 34 to 36, wherein the content is> 5 atom%. 【請求項３８】 前記記録層と前記結晶化促進層が少な
くとも部分的に混合した場合の組成が、Ｂｉ＜５原子％
であることを特徴とする請求項３４乃至３６の何れか１
に記載の相変化記録媒体への記録方法。38. The composition when the recording layer and the crystallization promoting layer are at least partially mixed is Bi <5 atomic%.
37. Any one of claims 34 to 36, characterized in that
The method for recording on the phase change recording medium according to. 【請求項３９】 前記記録層の（Ｓｂ原子数）／（Ｔｅ
原子数）が４以下であることを特徴とする請求項２５乃
至３８の何れか１に記載の相変化記録媒体への記録方法
への記録方法。39. (Number of Sb atoms) / (Te of the recording layer
39. The recording method for a phase change recording medium according to claim 25, wherein the number of atoms is 4 or less.
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