JP2003156619A - Method for releasing thin film - Google Patents

Method for releasing thin film

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JP2003156619A
JP2003156619A JP2001357480A JP2001357480A JP2003156619A JP 2003156619 A JP2003156619 A JP 2003156619A JP 2001357480 A JP2001357480 A JP 2001357480A JP 2001357480 A JP2001357480 A JP 2001357480A JP 2003156619 A JP2003156619 A JP 2003156619A
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JP
Japan
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thin film
color filter
peeling
deteriorated
filter layer
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JP2001357480A
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Japanese (ja)
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Michiya Yamaguchi
道也 山口
Naoshige Sugimoto
直繁 杉本
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To release only a defective color filter formed on a flattening film and further not to adversely affect the flattening film in a color filter substrate of a color liquid crystal display element. SOLUTION: A supporting layer 12 composed of an acrylic resin, a reflecting layer 13 composed of metal such as aluminum, a flattening layer 14 composed of an acrylic resin and a color filter layer 15 consisting of coloring resins of red, green and blue are formed on a glass substrate 11 from the bottom in this order, and in the case in which the color filter layer 15 is judged to be defective in inspection and the defective color filter layer 15 is to be released, the color filter layer 15 is subjected to scanning and irradiation with an electron beam 21. Thereby the color filter layer 15 suffers heat damage and is deteriorated. In this case, the flattening layer 14 can be made to hardly suffer heat damage and not to be deteriorated and only the color filter layer 15 suffering heat damage and being deteriorated is released.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は薄膜の剥離方法に
関し、例えば、カラー液晶表示素子の一方の基板に設け
られた不良カラーフィルタ層等からなる薄膜を剥離する
薄膜の剥離方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film peeling method, for example, a thin film peeling method for peeling a thin film formed of a defective color filter layer or the like provided on one substrate of a color liquid crystal display element.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばカラー液晶表示素子には、一方の
基板に赤、緑、青の着色樹脂からなるカラーフィルタ層
を設けたものがある。ところで、一方の基板に形成され
たカラーフィルタ層に、ごみ等の異物の混入による欠
陥、ピンホール(色抜け)の発生による欠陥、突起の発
生による欠陥等の不良が発生することがある。
2. Description of the Related Art For example, some color liquid crystal display devices have one substrate provided with a color filter layer made of red, green and blue colored resins. By the way, in the color filter layer formed on one of the substrates, defects such as a defect due to mixing of foreign matters such as dust, a defect due to generation of pinholes (color loss), a defect due to generation of protrusions may occur.

【0003】このような場合には、不良カラーフィルタ
層が形成された一方の基板を廃棄せずに、一方の基板か
ら不良カラーフィルタ層を剥離し、一方の基板を再利用
することにより、低コスト化を図っている。
In such a case, by removing the defective color filter layer from one substrate and reusing the one substrate without discarding the one substrate on which the defective color filter layer is formed, the low color filter layer is reused. We are working to reduce costs.

【0004】このような不良カラーフィルタ層の剥離方
法としては、カラーフィルタ層用剥離剤(アルカンジオ
ール、界面活性剤およびアルカリ化合物を含有する水溶
液)中に一方の基板全体を浸漬する方法(特開平11−
21483号公報参照)、O2ガスやO2+CF4混合
ガスを用いたプラズマアッシングによる方法がある。
As a method for peeling off such a defective color filter layer, one of the substrates is entirely immersed in a color filter layer peeling agent (an aqueous solution containing an alkanediol, a surfactant and an alkali compound). 11-
No. 21483), there is a method by plasma ashing using O2 gas or O2 + CF4 mixed gas.

【0005】ところで、従来の反射型のカラー液晶表示
素子のカラーフィルタ基板としては、一例として、図7
に示すようなものがある。この図において、ガラス基板
1上には、アクリル系樹脂からなる表面が凸凹な支持層
2が形成されている。支持層2上には、支持層2の凸凹
な表面に追従する凸凹な表面を有する、アルミニウム等
の金属からなる反射層3が形成されている。
By the way, as a color filter substrate of a conventional reflection type color liquid crystal display device, as an example, FIG.
There is something like. In this figure, a support layer 2 made of acrylic resin and having a rough surface is formed on a glass substrate 1. On the support layer 2, there is formed a reflective layer 3 made of a metal such as aluminum, which has an uneven surface that follows the uneven surface of the support layer 2.

【0006】反射層3上にはアクリル系樹脂からなる平
坦化膜4が形成されている。平坦化膜4上には赤、緑、
青の着色樹脂からなるカラーフィルタ層5が形成されて
いる。カラーフィルタ層5上にはITOからなる画素電
極6が形成されている。画素電極6を含むカラーフィル
タ層5上にはポリイミドからなる配向膜7が形成されて
いる。
A flattening film 4 made of acrylic resin is formed on the reflective layer 3. Red, green,
A color filter layer 5 made of a blue colored resin is formed. A pixel electrode 6 made of ITO is formed on the color filter layer 5. An alignment film 7 made of polyimide is formed on the color filter layer 5 including the pixel electrodes 6.

【0007】ここで、支持層2の表面を凸凹にして、そ
の上に形成された反射層3の表面を凸凹としているの
は、外光を反射すると同時に拡散し、輝度が均一で鮮明
なカラー表示を得るためである。そして、この凸凹を矯
正するために、反射層3上に平坦化膜4を形成してい
る。
Here, the surface of the support layer 2 is made uneven and the surface of the reflection layer 3 formed thereon is made uneven so that external light is reflected and diffused at the same time, and the brightness is uniform and clear. This is to get a display. Then, a flattening film 4 is formed on the reflective layer 3 in order to correct the unevenness.

【0008】そして、このようなカラーフィルタ基板に
おいてカラーフィルタ層5を形成した後の検査でカラー
フィルタ層5が不良と判定された場合には、上記の剥離
方法でこの不良カラーフィルタ層5を剥離する。
When the color filter layer 5 is found to be defective in the inspection after the color filter layer 5 is formed on such a color filter substrate, the defective color filter layer 5 is peeled off by the above peeling method. To do.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、着色樹脂か
らなるカラーフィルタ層5下にはアクリル系樹脂からな
る平坦化膜4および支持層2が形成されており、これら
は共に有機薄膜である。このため、カラーフィルタ層用
剥離剤中に一方の基板全体を浸漬する剥離方法では、カ
ラーフィルタ層5のみを選択的に剥離することができな
いという問題がある。一方、O2ガスやO2+CF4混
合ガスを用いたプラズマアッシングによる剥離方法で
は、処理温度が異常に上昇することにより、特に平坦化
膜4の表面に変形が生じてしまうという問題がある。こ
の発明の課題は、基板上に順次積層された複数層の薄膜
のうちの最上層の薄膜のみを確実に剥離し、且つ、最上
層の薄膜下の薄膜に悪影響を与えないようにすることで
ある。
By the way, below the color filter layer 5 made of a colored resin, a flattening film 4 made of an acrylic resin and a support layer 2 are formed, both of which are organic thin films. Therefore, the peeling method in which the entire one substrate is immersed in the color filter layer peeling agent has a problem in that only the color filter layer 5 cannot be selectively peeled. On the other hand, in the peeling method by plasma ashing using O2 gas or O2 + CF4 mixed gas, there is a problem that the surface of the planarizing film 4 is particularly deformed due to an abnormal increase in processing temperature. An object of the present invention is to reliably peel only the uppermost thin film of a plurality of thin films sequentially laminated on a substrate, and not to adversely affect the thin film below the uppermost thin film. is there.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板上に順次積層された複数層の薄膜のうち、最上
層の薄膜の少なくとも一部をその膜質を劣化させる膜質
劣化工程と、膜質を劣化された前記薄膜を剥離する薄膜
剥離工程とを有することを特徴とするものである。請求
項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、
劣化させる前記薄膜は有機薄膜であり、その下に実質的
に劣化させない有機薄膜が形成されていることを特徴と
するものである。請求項3に記載の発明は、請求項1に
記載の発明において、前記膜質劣化工程は、電子線の照
射により劣化させる前記薄膜に熱ダメージを与える工程
であることを特徴とするものである。請求項4に記載の
発明は、請求項1に記載の発明において、前記電子線の
加速電圧を設定することにより、劣化させる前記薄膜に
対する実効的な侵入深さを設定することを特徴とするも
のである。請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の
発明において、前記膜質劣化工程は、微小ビーム化され
た赤外線の照射により劣化させる前記薄膜に熱ダメージ
を与える工程であることを特徴とするものである。請求
項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、
劣化させる前記薄膜に熱ダメージを与えた後に直ちに当
該薄膜を剥離することを特徴とするものである。請求項
7に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前
記薄膜剥離工程は、前記劣化された薄膜上に粘着ローラ
を転動して前記劣化された薄膜を剥離することを特徴と
するものである。請求項8に記載の発明は、請求項1に
記載の発明において、前記薄膜剥離工程は、前記劣化さ
れた薄膜上に原子間力顕微鏡を移動して前記劣化された
薄膜を剥離することを特徴とするものである。請求項9
に記載の発明は、請求項1〜8のいずれかに記載の発明
において、前記最上層の薄膜は赤、緑、青の着色樹脂か
らなるカラーフィルタ層であることを特徴とするもので
ある。そして、この発明によれば、基板上に順次積層さ
れた複数層の薄膜のうち、最上層の薄膜の少なくとも一
部をその膜質を劣化させて劣化された薄膜のみを剥離す
ることができ、且つ、劣化されない薄膜に悪影響を与え
ないようにすることができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a film quality deterioration step of degrading the film quality of at least a part of the uppermost thin film among a plurality of thin films sequentially laminated on a substrate. And a thin film peeling step of peeling the thin film whose film quality is deteriorated. The invention described in claim 2 is the same as the invention described in claim 1,
The thin film to be deteriorated is an organic thin film, and an organic thin film that is not substantially deteriorated is formed thereunder. A third aspect of the invention is characterized in that, in the first aspect of the invention, the film quality deterioration step is a step of causing thermal damage to the thin film deteriorated by electron beam irradiation. The invention according to claim 4 is characterized in that, in the invention according to claim 1, by setting an acceleration voltage of the electron beam, an effective penetration depth into the thin film to be deteriorated is set. Is. According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the film quality deterioration step is a step of causing thermal damage to the thin film which is deteriorated by irradiation of infrared rays converted into microbeams. It is a thing. The invention according to claim 6 is the same as the invention according to claim 1,
The thin film is peeled off immediately after the thin film to be deteriorated is thermally damaged. According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect, the thin film peeling step peels the deteriorated thin film by rolling an adhesive roller on the deteriorated thin film. To do. The invention according to claim 8 is the invention according to claim 1, wherein in the thin film peeling step, an atomic force microscope is moved onto the deteriorated thin film to separate the deteriorated thin film. It is what Claim 9
In the invention described in any one of claims 1 to 8, the uppermost thin film is a color filter layer made of a red, green, and blue colored resin. Then, according to the present invention, among the plurality of thin films sequentially laminated on the substrate, at least a part of the uppermost thin film is deteriorated in its film quality, and only the deteriorated thin film can be peeled off, and Therefore, it is possible to prevent the thin film that is not deteriorated from being adversely affected.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の薄膜の剥離方法
の剥離対象の一例としての反射型のカラー液晶表示素子
のカラーフィルタ基板の一部の断面図を示したものであ
る。このカラーフィルタ基板は図7に示す場合と同じで
あるが、再度説明すると、図1において、ガラス基板1
1上には、アクリル系樹脂からなる表面が凸凹な支持層
12が形成されている。支持層12上には、支持層12
の凸凹な表面に追従する凸凹な表面を有する、アルミニ
ウム等の金属からなる反射層13が形成されている。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a color filter substrate of a reflective type color liquid crystal display element as an example of an object to be peeled by a thin film peeling method of the present invention. This color filter substrate is the same as that shown in FIG. 7, but again, in FIG.
A support layer 12 made of acrylic resin and having a rough surface is formed on the surface 1. The support layer 12 is provided on the support layer 12.
The reflecting layer 13 made of a metal such as aluminum having an uneven surface that follows the uneven surface of is formed.

【0012】反射層13上にはアクリル系樹脂からなる
平坦化膜14が形成されている。平坦化膜14上には
赤、緑、青の着色樹脂からなるカラーフィルタ層15が
形成されている。なお、カラーフィルタ層15が検査で
良品と判定された場合には、図1において一点鎖線で示
すように、カラーフィルタ層15上にはITOからなる
画素電極16が形成され、画素電極16を含むカラーフ
ィルタ層15上にはポリイミドからなる配向膜17が形
成される。
A flattening film 14 made of acrylic resin is formed on the reflective layer 13. A color filter layer 15 made of red, green, and blue colored resin is formed on the flattening film 14. When the color filter layer 15 is determined to be non-defective by inspection, a pixel electrode 16 made of ITO is formed on the color filter layer 15 as shown by a chain line in FIG. 1 and includes the pixel electrode 16. An alignment film 17 made of polyimide is formed on the color filter layer 15.

【0013】ところで、この場合も、支持層12の表面
を凸凹にして、その上に形成された反射層13の表面を
凸凹としているのは、外光を反射すると同時に拡散し、
輝度が均一で鮮明なカラー表示を得るためである。そし
て、この凸凹を矯正するために、反射層13上に平坦化
膜14を形成している。
By the way, also in this case, the reason why the surface of the support layer 12 is made uneven and the surface of the reflection layer 13 formed thereon is made uneven is that external light is diffused and diffused at the same time.
This is to obtain a clear color display with uniform brightness. Then, in order to correct the unevenness, the flattening film 14 is formed on the reflective layer 13.

【0014】ここで、上記各膜の膜厚の寸法の一例につ
いて説明する。支持層12の膜厚は2.0〜2.5μm
程度、反射層13の膜厚は0.02〜0.2μm程度、
平坦化膜14の膜厚は2.0〜2.5μm程度、カラー
フィルタ層15の膜厚は1.0〜3.0μm程度であ
る。
Here, an example of the dimension of the film thickness of each film will be described. The thickness of the support layer 12 is 2.0 to 2.5 μm
The thickness of the reflective layer 13 is about 0.02 to 0.2 μm,
The flattening film 14 has a thickness of about 2.0 to 2.5 μm, and the color filter layer 15 has a thickness of about 1.0 to 3.0 μm.

【0015】次に、このようなカラーフィルタ基板にお
いてカラーフィルタ層15を形成した後の検査でカラー
フィルタ層15が不良と判定され、この不良カラーフィ
ルタ層15を剥離する場合について説明する。
Next, the case where the color filter layer 15 is determined to be defective in the inspection after the color filter layer 15 is formed on such a color filter substrate and the defective color filter layer 15 is peeled off will be described.

【0016】まず、図2に示すように、ガラス基板11
上のカラーフィルタ層15の全体に電子線21を矢印で
示す走査線22のように走査しながら照射する。電子線
21を照射する装置としては、電子線の加速電圧、1次
ビーム電流および電子線プローブサイズを可変すること
ができ、且つ、ガラス基板11を上面に保持して任意の
走査スピードでXYθ方向に精密に移動するステージを
備えたものであればよく、例えば、電子線プローブマイ
クロアナライザ(EPMA)を用いる。
First, as shown in FIG. 2, the glass substrate 11
The entire upper color filter layer 15 is irradiated with an electron beam 21 while scanning as in a scanning line 22 indicated by an arrow. As a device for irradiating the electron beam 21, the accelerating voltage of the electron beam, the primary beam current, and the size of the electron beam probe can be varied, and the glass substrate 11 is held on the upper surface at arbitrary scanning speeds in the XYθ directions. Any stage may be used as long as it has a stage that moves precisely, and for example, an electron beam probe microanalyzer (EPMA) is used.

【0017】この場合、電子線21照射領域の外周部は
ビーム強度が中央部よりも弱くなるので、ビームの縁部
が重なるように走査して照射エネルギーの均一化を図
る。一例を挙げれば、走査線22のピッチが45μm程
度の場合、電子線プローブサイズは50μmφ程度とす
る。そして、カラーフィルタ層15の電子線21が照射
された領域では、膜質が熱ダメージを受けて劣化する。
この劣化部分は、光学顕微鏡で観察すると黒く変色して
見える。この場合、後述するように、カラーフィルタ層
15のみが熱ダメージを受けて劣化し、その下の平坦化
膜14は殆ど熱ダメージを受けず劣化しない。
In this case, since the beam intensity in the outer peripheral portion of the electron beam 21 irradiation region is weaker than that in the central portion, the irradiation energy is made uniform by scanning so that the edges of the beam overlap. For example, when the pitch of the scanning lines 22 is about 45 μm, the electron beam probe size is about 50 μmφ. Then, in the region of the color filter layer 15 irradiated with the electron beam 21, the film quality is damaged by heat and deteriorates.
This deteriorated portion appears to be discolored black when observed with an optical microscope. In this case, as will be described later, only the color filter layer 15 is thermally damaged and deteriorated, and the flattening film 14 thereunder is hardly thermally damaged and is not deteriorated.

【0018】次に、図3に示すように、粘着ローラ23
をカラーフィルタ層15上で転動させることにより、熱
ダメージを受けて劣化したカラーフィルタ層15の全体
をガラス基板11上の平坦化膜14から剥離して粘着ロ
ーラ23の表面に転写する。かくして、不良カラーフィ
ルタ層15のみが確実に剥離される。この場合、特に、
平坦化膜14は熱ダメージを受けず劣化しないので、そ
の表面に変形が生じることはない。
Next, as shown in FIG. 3, the adhesive roller 23
By rolling on the color filter layer 15, the entire color filter layer 15 which has been deteriorated due to heat damage is peeled from the flattening film 14 on the glass substrate 11 and transferred onto the surface of the adhesive roller 23. Thus, only the defective color filter layer 15 is reliably peeled off. In this case, in particular,
The flattening film 14 is not damaged by heat and does not deteriorate, so that the surface thereof is not deformed.

【0019】ここで、カラーフィルタ層15のみが熱ダ
メージを受けて劣化することについて説明する。例え
ば、有機薄膜がアクリル系樹脂からなり、[CH2CH
(COOH)]nの組成比がCで64重量%、Oで33
重量%、Hで3重量%であるとする。この有機薄膜の表
面に電子線を垂直に照射すると、照射された電子線のほ
ぼ95%以上が有機薄膜の膜厚方向のある領域(後述す
る実効的な侵入深さ)内に侵入し、この侵入した電子線
のほとんど(99%程度)が熱となって消費され、一部
が特性X線となって放出される。
Here, it will be described that only the color filter layer 15 is damaged by heat and deteriorates. For example, the organic thin film is made of acrylic resin, and [CH2CH
The composition ratio of (COOH)] n is 64% by weight for C and 33 for O.
% By weight, and 3% by weight in H. When the surface of this organic thin film is vertically irradiated with an electron beam, approximately 95% or more of the irradiated electron beam penetrates into a region (effective penetration depth described later) of the organic thin film, Most (about 99%) of the invading electron beam is consumed as heat and is partially emitted as characteristic X-ray.

【0020】この場合、電子線加速電圧と電子線の実効
的な侵入深さとの関係は、モンテカルロシミュレーショ
ンによると、図4に示すようになる。この図から明らか
なように、電子線の実効的な侵入深さは電子線加速電圧
の大きさにより決まり、加速電圧が大きいほど実効的な
侵入深さが大きくなる。図4に基づけば、一例として、
有機薄膜の膜厚が2.5μmであり、これに対する電子
線の実効的な侵入深さを2.5μmとするには、加速電
圧は13kV程度に設定すればよい。
In this case, the relationship between the electron beam acceleration voltage and the effective penetration depth of the electron beam is as shown in FIG. 4 according to Monte Carlo simulation. As is clear from this figure, the effective penetration depth of the electron beam is determined by the magnitude of the electron beam acceleration voltage, and the effective penetration depth increases as the acceleration voltage increases. Based on FIG. 4, as an example,
The film thickness of the organic thin film is 2.5 μm, and the acceleration voltage may be set to about 13 kV in order to make the effective penetration depth of the electron beam for the film 2.5 μm.

【0021】一方、有機薄膜の飽和温度(時間無限大)
はΘ=Q/πKaで表される。ただし、Qは入力パワー
(W/s)、πは円周率、Kは熱伝導率(cal/cm
・s・deg)、aはビーム半径(cm)である。そこ
で、ビーム半径aを25μmとし、加速電圧を13kV
としたとき、有機薄膜の深さ方向全体の温度が有機薄膜
の深さ方向全体に構造変化や分解が生じる前後の温度3
00℃程度となるようにするには、ビーム電流は0.0
1μA/sec程度に設定すればよい。ただし、このよ
うな条件は実際のサンプルによって実験的に決める必要
がある。
On the other hand, the saturation temperature of the organic thin film (infinite time)
Is represented by Θ = Q / πKa. Where Q is input power (W / s), π is circular constant, and K is thermal conductivity (cal / cm).
-S-deg), a is a beam radius (cm). Therefore, the beam radius a is set to 25 μm, and the acceleration voltage is 13 kV.
Then, the temperature of the entire organic thin film in the depth direction is the temperature before and after the structural change or decomposition occurs in the entire organic thin film in the depth direction.
The beam current should be 0.0
It may be set to about 1 μA / sec. However, it is necessary to experimentally determine such conditions based on actual samples.

【0022】以上のことから、有機薄膜の膜厚が2.5
μmであり、これに対する電子線の実効的な侵入深さを
2.5μmとするには、加速電圧は13kV程度に設定
すればよい。そして、ビーム半径aを25μmとし、ビ
ーム電流を0.01μA/secとすると、有機薄膜の
深さ方向全体の温度が300℃程度となり、有機薄膜の
深さ方向全体に構造変化や分解が生じ、有機薄膜の膜質
がその深さ方向全体に熱ダメージを受けて劣化する。こ
の場合、有機薄膜下に有機薄膜が積層された積層構造の
場合でも、実効的な電子線侵入深さを両有機薄膜の境界
面に設定すれば、電子線は下層の有機薄膜には殆ど侵入
しないので、当該下層の有機薄膜は熱ダメージを受けず
劣化しない。
From the above, the thickness of the organic thin film is 2.5.
The accelerating voltage may be set to about 13 kV in order to set the effective penetration depth of the electron beam to 2.5 μm. When the beam radius a is set to 25 μm and the beam current is set to 0.01 μA / sec, the temperature in the entire depth direction of the organic thin film becomes about 300 ° C., and the structural change and decomposition occur in the entire depth direction of the organic thin film. The film quality of the organic thin film is damaged by heat in the entire depth direction and deteriorates. In this case, even in the case of the laminated structure in which the organic thin film is laminated under the organic thin film, if the effective electron beam penetration depth is set at the boundary surface between the two organic thin films, the electron beam hardly penetrates into the lower organic thin film. Therefore, the lower organic thin film is not damaged by heat and does not deteriorate.

【0023】このようなことから、上述の如く、不良カ
ラーフィルタ層15のみを確実に剥離することができ
る。また、特に、平坦化膜14は熱ダメージを受けず劣
化しないので、その表面に変形が生じないようにするこ
とができる。
As described above, only the defective color filter layer 15 can be reliably peeled off as described above. Further, in particular, since the flattening film 14 is not damaged by heat and does not deteriorate, it is possible to prevent the surface from being deformed.

【0024】なお、上記実施形態では、図3に示すよう
に、粘着ローラ23を用いて、熱ダメージを受けて劣化
したカラーフィルタ層15を剥離する場合について説明
したが、これに限定されるものではない。例えば、図5
に示すように、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force
Microcope)を用いて、熱ダメージを受けて劣化したカラ
ーフィルタ層15を剥離するようにしてもよい。
In the above embodiment, as shown in FIG. 3, the case where the adhesive roller 23 is used to peel off the color filter layer 15 which has been deteriorated due to heat damage has been described. However, the present invention is not limited to this. is not. For example, in FIG.
As shown in, the AFM (Atomic Force Microscope)
Microcope) may be used to peel off the color filter layer 15 that has been deteriorated due to heat damage.

【0025】すなわち、この場合のAFMでは、図示し
ないアームの先端部に深針兼剥離針ユニット31が設け
られている。深針兼剥離針ユニット31は、上記アーム
の先端部下にピエゾ素子32が設けられ、ピエゾ素子3
2下に支持ブロック33が設けられ、支持ブロック33
下にカンチレバー34が設けられ、カンチレバー34の
先端部下に深針35が設けられ、支持ブロック33にマ
イクロメータ36を備えた剥離針37が設けられた構造
となっている。
That is, in the AFM in this case, the deep needle / peeling needle unit 31 is provided at the tip of the arm (not shown). The deep needle and peeling needle unit 31 is provided with a piezo element 32 below the tip of the above-mentioned arm.
The support block 33 is provided below the support block 33.
The structure is such that a cantilever 34 is provided below the cantilever 34, a deep needle 35 is provided below the tip of the cantilever 34, and a peeling needle 37 having a micrometer 36 is provided on the support block 33.

【0026】そして、このAFMを用いて、熱ダメージ
を受けて劣化したカラーフィルタ層15を剥離する場合
には、まず、マイクロメータ36を操作することによ
り、剥離針37の先端部の高さをカラーフィルタ層15
の膜厚に応じた高さに設定する。また、深針兼剥離針ユ
ニット31を図2において電子線21の照射領域の左側
に配置する。ただし、この場合、図2において、電子線
21の走査は左側から右側への一方向とする。すると、
深針兼剥離針ユニット31は、電子線21の走査に追従
して、図2および図5で左側から右側への一方向に走査
される。
When the AFM is used to peel off the color filter layer 15 which has been deteriorated due to heat damage, first, the micrometer 36 is operated to adjust the height of the tip of the peeling needle 37. Color filter layer 15
Set the height according to the film thickness of. Further, the deep needle / peeling needle unit 31 is arranged on the left side of the irradiation area of the electron beam 21 in FIG. However, in this case, in FIG. 2, the scanning of the electron beam 21 is performed in one direction from the left side to the right side. Then,
The deep needle / peeling needle unit 31 follows the scanning of the electron beam 21 and is scanned in one direction from the left side to the right side in FIGS. 2 and 5.

【0027】次に、深針兼剥離針ユニット31を下降さ
せ、深針35の先端部をカラーフィルタ層15の表面に
接近させていくと、カラーフィルタ層15の表面近傍に
はカラーフィルタ層15の原子により原子間力の及んで
いる領域が存在する関係から、深針35の先端部が原子
間力による斥力を受けてカラーフィルタ層15の表面か
らわずかに離れた位置に保持される。
Next, when the deep needle / separation needle unit 31 is lowered to bring the tip of the deep needle 35 closer to the surface of the color filter layer 15, the color filter layer 15 near the surface of the color filter layer 15. Due to the existence of the region in which the atomic force is exerted by the atoms, the tip portion of the deep needle 35 is repulsed by the atomic force and is held at a position slightly apart from the surface of the color filter layer 15.

【0028】そして、この状態つまり原子間力による斥
力が一定に保持されるようにピエゾ素子32を制御しな
がら、深針35を図5で右方向に走査させると、深針3
5の先端部がカラーフィルタ層15の表面の凸凹に沿っ
て上下方向に変位しつつ右方向に走査される。すると、
剥離針37は、深針35の走査に追従して、図2に示す
電子線21の照射により熱ダメージを受けて劣化したカ
ラーフィルタ層15を直ちにガラス基板11上の平坦化
膜14から剥離する。
Then, when the deep needle 35 is scanned in the right direction in FIG. 5 while controlling the piezo element 32 so that the repulsive force due to the atomic force is kept constant in this state, the deep needle 3
The leading end of the reference numeral 5 is vertically displaced along the unevenness of the surface of the color filter layer 15 and is scanned rightward. Then,
The peeling needle 37 follows the scanning of the deep needle 35, and immediately peels the color filter layer 15 which is deteriorated due to heat damage due to the irradiation of the electron beam 21 shown in FIG. 2 from the flattening film 14 on the glass substrate 11. .

【0029】この場合、電子線21の照射によりカラー
フィルタ層15を熱ダメージを与えて劣化させ、この後
直ちに熱ダメージを受けて劣化したカラーフィルタ層1
5を剥離しているので、工程時間を短縮することができ
る。ところで、剥離針37の代わりに、マイクロドリル
を用いるようにしてもよい。
In this case, the color filter layer 15 is thermally damaged and deteriorated by the irradiation of the electron beam 21, and immediately thereafter, the color filter layer 15 is thermally damaged and deteriorated.
Since 5 is peeled off, the process time can be shortened. By the way, a microdrill may be used instead of the peeling needle 37.

【0030】なお、上記実施形態では、図1に示すよう
に、反射層13上に平坦化膜14を形成し、その上にカ
ラーフィルタ層15を形成し、このカラーフィルタ15
を剥離する場合について説明したが、これに限定される
ものではない。例えば、図6に示すように、反射層13
上にカラーフィルタ層15を形成し、その上に平坦化膜
14を形成するが、平坦化膜14を形成する前に、検査
で不良と判定されたカラーフィルタ層15を剥離するよ
うにしてもよい。この場合、カラーフィルタ層15は、
反射層13の凸凹表面に追従した凸凹状に形成されるよ
うに、膜厚0.4〜0.7μm程度の薄い薄膜に形成さ
れている。
In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the flattening film 14 is formed on the reflective layer 13, the color filter layer 15 is formed on the flattening film 14, and the color filter 15 is formed.
Although the case of peeling is described, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG.
The color filter layer 15 is formed thereon, and the flattening film 14 is formed thereon. However, before forming the flattening film 14, the color filter layer 15 determined to be defective in the inspection may be peeled off. Good. In this case, the color filter layer 15 is
It is formed as a thin thin film with a film thickness of about 0.4 to 0.7 μm so as to be formed in an uneven shape following the uneven surface of the reflective layer 13.

【0031】また、上記実施形態では、電子線を走査し
ながら照射することにより、カラーフィルタ層が熱ダメ
ージを受けて劣化する場合について説明したが、これに
限定されるものではない。例えば、微小ビーム化された
赤外線を走査しながら照射することにより、カラーフィ
ルタ層が熱ダメージを受けて劣化するようにしてもよ
い。
In the above embodiment, the case where the color filter layer is damaged by heat and deteriorated by irradiating while scanning the electron beam has been described, but the invention is not limited to this. For example, the color filter layer may be damaged by heat and deteriorated by irradiating while scanning the infrared rays in the form of minute beams.

【0032】また、上記実施形態では、不良カラーフィ
ルタ層を全部剥離する場合について説明したが、これに
限らず、不良カラーフィルタ層の欠陥部のみを剥離する
ようにしてもよい。また、剥離対象であるカラーフィル
タ基板は、図1あるいは図6において、反射層13を半
透過反射層とすれば、半透過反射型のカラー液晶表示素
子のカラーフィルタ基板であってもよい。さらに、剥離
対象はカラーフィルタ層に限らず、要は、基板上に順次
積層された複数層の薄膜のうち、最上層の薄膜の少なく
とも一部を含む前記薄膜を剥離するものであればよい。
In the above embodiment, the case where the defective color filter layer is completely peeled has been described. However, the present invention is not limited to this, and only the defective portion of the defective color filter layer may be peeled off. The color filter substrate to be peeled off may be a color filter substrate of a semi-transmissive reflective type color liquid crystal display element if the reflective layer 13 is a transflective layer in FIG. 1 or 6. Further, the object to be peeled off is not limited to the color filter layer, and the point is that the thin film including at least a part of the uppermost thin film among the plural thin films sequentially laminated on the substrate may be peeled off.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板上に順次積層された複数層の薄膜のうち、最上
層の薄膜の少なくとも一部をその膜質を劣化させて劣化
された薄膜のみを確実に剥離することができ、且つ、劣
化されない薄膜に悪影響を与えないようにすることがで
きる。
As described above, according to the present invention, among a plurality of thin films sequentially laminated on a substrate, at least a part of the uppermost thin film is deteriorated by deteriorating its film quality. It is possible to surely peel only the thin film, and it is possible to prevent the thin film that is not deteriorated from being adversely affected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の薄膜の剥離方法の剥離対象の一例と
しての反射型のカラー液晶表示素子のカラーフィルタ基
板の一部の断面図。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a color filter substrate of a reflective type color liquid crystal display element as an example of an object to be peeled by a thin film peeling method of the present invention.

【図2】不良カラーフィルタ層に電子線を照射する場合
を説明するために示す斜視図。
FIG. 2 is a perspective view shown for explaining a case of irradiating a defective color filter layer with an electron beam.

【図3】熱ダメージを受けて劣化した不良カラーフィル
タ層を剥離する場合の一例を説明するために示す斜視
図。
FIG. 3 is a perspective view shown for explaining an example of peeling a defective color filter layer that has been deteriorated due to heat damage.

【図4】電子線加速電圧と有機薄膜への電子線の実効的
な侵入深さとの関係を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an electron beam acceleration voltage and an effective penetration depth of an electron beam into an organic thin film.

【図5】熱ダメージを受けて劣化した不良カラーフィル
タ層を剥離する場合の他の例を説明するために示す断面
図。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining another example in the case of peeling a defective color filter layer that has been deteriorated due to heat damage.

【図6】カラーフィルタ基板の他の例の一部の断面図。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of another example of the color filter substrate.

【図7】従来の反射型のカラー液晶表示素子のカラーフ
ィルタ基板の一例の一部の断面図。
FIG. 7 is a partial cross-sectional view of an example of a color filter substrate of a conventional reflective color liquid crystal display element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ガラス基板 12 支持層 13 反射層 14 平坦化膜 15 カラーフィルタ層 11 glass substrate 12 Support layer 13 Reflective layer 14 Flattening film 15 Color filter layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H048 BA43 BB02 BB10 BB14 BB28 2H088 FA14 HA04 HA12 MA16 2H091 FA02Y FB02 FC01 GA07 GA16 LA12 LA30 4E066 BA05 BB02 BB03 CB00    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H048 BA43 BB02 BB10 BB14 BB28                 2H088 FA14 HA04 HA12 MA16                 2H091 FA02Y FB02 FC01 GA07                       GA16 LA12 LA30                 4E066 BA05 BB02 BB03 CB00

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に順次積層された複数層の薄膜の
うち、最上層の薄膜の少なくとも一部をその膜質を劣化
させる膜質劣化工程と、膜質を劣化された前記薄膜を剥
離する薄膜剥離工程とを有することを特徴とする薄膜の
剥離方法。
1. A film quality deterioration step of degrading the film quality of at least a part of the uppermost thin film among a plurality of thin films sequentially laminated on a substrate, and a thin film peeling for peeling the thin film whose film quality has been degraded. A method for peeling a thin film, which comprises:
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、劣化さ
せる前記薄膜は有機薄膜であり、その下に実質的に劣化
させない有機薄膜が形成されていることを特徴とする薄
膜の剥離方法。
2. The method for peeling a thin film according to claim 1, wherein the thin film to be deteriorated is an organic thin film, and an organic thin film which is not substantially deteriorated is formed thereunder.
【請求項3】 請求項1に記載の発明において、前記膜
質劣化工程は、電子線の照射により劣化させる前記薄膜
に熱ダメージを与える工程であることを特徴とする薄膜
の剥離方法。
3. The thin film peeling method as claimed in claim 1, wherein the film quality deterioration step is a step of causing thermal damage to the thin film deteriorated by electron beam irradiation.
【請求項4】 請求項1に記載の発明において、前記電
子線の加速電圧を設定することにより、劣化させる前記
薄膜に対する実効的な侵入深さを設定することを特徴と
する薄膜の剥離方法。
4. The method for peeling a thin film according to claim 1, wherein an effective penetration depth for the thin film to be deteriorated is set by setting an acceleration voltage of the electron beam.
【請求項5】 請求項1に記載の発明において、前記膜
質劣化工程は、微小ビーム化された赤外線の照射により
劣化させる前記薄膜に熱ダメージを与える工程であるこ
とを特徴とする薄膜の剥離方法。
5. The method for peeling a thin film according to claim 1, wherein the film quality deterioration step is a step of causing thermal damage to the thin film which is deteriorated by irradiation of infrared rays converted into microbeams. .
【請求項6】 請求項1に記載の発明において、劣化さ
せる前記薄膜に熱ダメージを与えた後に直ちに当該薄膜
を剥離することを特徴とする薄膜の剥離方法。
6. The thin film peeling method as claimed in claim 1, wherein the thin film is peeled immediately after the thin film to be deteriorated is thermally damaged.
【請求項7】 請求項1に記載の発明において、前記薄
膜剥離工程は、前記劣化された薄膜上に粘着ローラを転
動して前記劣化された薄膜を剥離することを特徴とする
薄膜の剥離方法。
7. The peeling of a thin film according to claim 1, wherein the thin film peeling step peels the deteriorated thin film by rolling an adhesive roller on the deteriorated thin film. Method.
【請求項8】 請求項1に記載の発明において、前記薄
膜剥離工程は、前記劣化された薄膜上に原子間力顕微鏡
を移動して前記劣化された薄膜を剥離することを特徴と
する薄膜の剥離方法。
8. The thin film peeling step according to claim 1, wherein the thin film peeling step peels the deteriorated thin film by moving an atomic force microscope on the deteriorated thin film. Peeling method.
【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の発明に
おいて、前記最上層の薄膜は赤、緑、青の着色樹脂から
なるカラーフィルタ層であることを特徴とする薄膜の剥
離方法。
9. The method for peeling a thin film according to claim 1, wherein the uppermost thin film is a color filter layer made of red, green and blue colored resins.
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