JP2003149570A - Optical address device and optical addressing type display using the optical address device - Google Patents

Optical address device and optical addressing type display using the optical address device

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JP2003149570A
JP2003149570A JP2001343420A JP2001343420A JP2003149570A JP 2003149570 A JP2003149570 A JP 2003149570A JP 2001343420 A JP2001343420 A JP 2001343420A JP 2001343420 A JP2001343420 A JP 2001343420A JP 2003149570 A JP2003149570 A JP 2003149570A
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light emitting
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a display element, used for information display, low in cost and high in luminance. SOLUTION: The optical address device has a light projecting device 13 equipped with at least a light source 11 and a shutter means 12 having a shutter function for light as to a specified position of the light source 11 and a reflecting device 14 which reflects the light emitted by the light projecting device 13, and the reflecting device 14 is equipped with a reflecting plate 15 which reflects the light from the light projecting device 13 to the flank of a rotatable prism member. The address device irradiates an exposed surface 16 with the light by scanning the reflecting device 14 and an optical address type display is equipped with the optical address device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光アドレス装置お
よび光アドレス装置を用いた光アドレシング型ディスプ
レイに係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical addressing device and an optical addressing type display using the optical addressing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、画像情報表示等の目的に用いられ
る表示装置としては、例えば、CRT、液晶表示装置、
およびEL表示装置等が実用化されている。
2. Description of the Related Art Conventional display devices used for displaying image information include, for example, CRTs, liquid crystal display devices,
Also, EL display devices and the like have been put to practical use.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記表示装置のうち、
CRTは比較的低い装置コストで高い表示品質が得られ
ることから、従来から今日にいたるまで広く活用されて
いるが、ブラウン管の小型化や消費電力の低減化を図る
ことが困難とされていた。一方、液晶表示装置は、小型
化や消費電力の低減化が容易であり、近年のアクティブ
表示素子の普及により表示品質の向上が図られ、かつ装
置コストの低下も図られたことから急速に普及してきて
いるが、未だCRTと比較すると生産コストが高いとい
う問題を有している。
Of the above display devices,
CRTs have been widely used from the past to the present because high display quality can be obtained with a relatively low device cost, but it has been difficult to reduce the size of the cathode ray tube and the power consumption. On the other hand, liquid crystal display devices are easy to miniaturize and reduce power consumption, and due to the spread of active display elements in recent years, display quality has been improved and the cost of the device has been reduced. However, there is still a problem that the production cost is higher than that of the CRT.

【0004】これは、広い表示面積全体を高精細にパタ
ーニングし、さらに高精細にパターニングされた一つ一
つの画素中に、スイッチング用のトランジスタを組み込
んでいるため、製造工程が複雑であることが原因であ
る。なお、このようなアクティブ表示素子は、例えば特
開平07−234420号公報等に開示されている。
This is because the whole display area is patterned with high precision and a switching transistor is incorporated in each pixel which is patterned with high precision, so that the manufacturing process may be complicated. Responsible. Such an active display element is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 07-234420.

【0005】また、EL表示装置も同様に、高い表示品
質を得るためにはアクティブ表示素子を作製する必要が
あり生産コストが高いという問題点を有している。本発
明者らは上記問題点に鑑みて、製造工程を簡略化して生
産コストの低減化を図りつつ、任意の領域に光をアドレ
スすることができる光アドレス装置および光アドレス装
置を用いた光アドレシング型ディスプレイを提供するこ
ととした。
Similarly, the EL display device also has a problem that it is necessary to manufacture an active display element in order to obtain high display quality, and the production cost is high. In view of the above problems, the present inventors have attempted to simplify the manufacturing process and reduce the production cost, and at the same time, can address light to an arbitrary area, and an optical addressing device using the optical addressing device. Type display was decided to be provided.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る光アドレ
ス装置は、平面上の任意の部位に露光を行う事を可能と
する光アドレス装置であって、少なくとも光源と、該光
源の特定の部位について光のシャッター機能を有するシ
ャッター手段を具備する光出射装置と、この光出射装置
から放出された光を反射する反射装置とを有するものと
し、この反射装置は、回動可能な多角柱部材の側面に、
光出射装置からの光を反射する反射板を備えるものと
し、反射装置を走査することによって任意の領域に光を
アドレスするものとする。
An optical addressing device according to a first aspect of the present invention is an optical addressing device capable of performing exposure on an arbitrary portion on a plane, and at least a light source and a specific light source for the light source. It is assumed that the light emitting device includes a shutter unit having a light shutter function for a portion, and a reflecting device that reflects light emitted from the light emitting device. The reflecting device is a rotatable polygonal column member. On the side of
It is assumed that a reflection plate for reflecting the light from the light emitting device is provided, and the light is addressed to an arbitrary area by scanning the reflecting device.

【0007】請求項2に係る光アドレス装置は、シャッ
ター手段が光散乱モードを用いた液晶を用いてなるもの
とする。
According to another aspect of the optical addressing device of the present invention, the shutter means is made of liquid crystal using a light scattering mode.

【0008】請求項3に係る光アドレス装置は、シャッ
ター手段が、それぞれ独立に駆動可能となされた複数の
ミラーアレイを具備するものとする。
In the optical addressing device according to a third aspect of the present invention, the shutter means is provided with a plurality of mirror arrays that can be driven independently.

【0009】請求項4に係る光アドレシング型ディスプ
レイは、上記請求項1〜3に係る光アドレス装置と、少
なくとも透明基板、透明電極、光の吸収により導電性を
有する光導電層、および電圧の印加によって発光する機
能を有する発光層を具備する表示部とにより構成されて
いるものとする。
An optical addressing type display according to a fourth aspect is the optical addressing device according to the first to third aspects, at least a transparent substrate, a transparent electrode, a photoconductive layer having conductivity by absorbing light, and application of a voltage. And a display portion including a light emitting layer having a function of emitting light.

【0010】請求項5に係る光アドレシング型ディスプ
レイは、請求項4に記載された光アドレシング型ディス
プレイにおいて、透明基板、透明電極、光導電層および
発光層が、可とう性を有しているものとする。
An optical addressing display according to a fifth aspect is the optical addressing display according to the fourth aspect, in which the transparent substrate, the transparent electrode, the photoconductive layer and the light emitting layer have flexibility. And

【0011】請求項6に係る光アドレシング型ディスプ
レイは、光導電層および発光層が、有機材料から成るも
のとする。
In the optical addressing type display according to claim 6, the photoconductive layer and the light emitting layer are made of an organic material.

【0012】請求項7に係る光アドレシング型ディスプ
レイは、光導電層がP型半導体であり、かつ、この光導
電層が正極が印加されている電極と発光層との間に成膜
されているものとする。
In the photo-addressing type display according to claim 7, the photo-conductive layer is a P-type semiconductor, and the photo-conductive layer is formed between the electrode to which the positive electrode is applied and the light-emitting layer. I shall.

【0013】請求項8に係る光アドレシング型ディスプ
レイは、光導電層がN型半導体であり、かつ、この光導
電層が負極が印加されている電極と発光層との間に成膜
されているものとする。
In the photo-addressing type display according to claim 8, the photo-conductive layer is an N-type semiconductor, and the photo-conductive layer is formed between the electrode to which the negative electrode is applied and the light-emitting layer. I shall.

【0014】請求項1の光アドレス装置によれば、煩雑
な製造工程不要となり非常に低コストな装置で任意の領
域に光をアドレスすることが可能となる。
According to the optical addressing device of the first aspect, it is possible to address light to an arbitrary area with a very low cost device without requiring a complicated manufacturing process.

【0015】請求項2の光アドレス装置によれば、請求
項1のシャッター手段を、光散乱モードを用いた液晶を
適用して構成したことにより、TN型液晶の様に旋光性
を用いた場合と比較して、シャッター手段の装置構成を
さらに簡略化できる。
According to the optical addressing device of the second aspect, the shutter means of the first aspect is configured by applying the liquid crystal using the light scattering mode, so that the optical rotation is used like the TN type liquid crystal. Compared with, the device configuration of the shutter means can be further simplified.

【0016】請求項3の光アドレス装置によれば、シャ
ッター手段を、各々が独立に駆動可能な、複数の微小な
ミラーアレイを用いて構成したことにより、液晶を用い
た場合のように透過光に明暗のコントラストを形成する
場合と比較して、光の透過による損失を小さくすること
が可能となる。
According to the optical addressing device of the third aspect, the shutter means is constituted by using a plurality of minute mirror arrays, each of which can be independently driven. It is possible to reduce the loss due to the transmission of light as compared with the case where the contrast of light and dark is formed.

【0017】請求項4の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、煩雑な製造工程が不要となり、低コストな表
示装置を提供できる。
According to the optical addressing type display of claim 4, it is possible to provide a low-cost display device by eliminating a complicated manufacturing process.

【0018】請求項5の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、透明基板、透明電極、光導電層および発光層
が、可とう性を有しているものとしたことにより、ディ
スプレイの折り曲げ等の力が加わった場合においても、
破損を回避できる。
According to the optical addressing type display of claim 5, since the transparent substrate, the transparent electrode, the photoconductive layer and the light emitting layer have flexibility, a force such as bending of the display can be obtained. Even if you join
You can avoid damage.

【0019】請求項6の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層および発光層を有機材料から成るも
のとしたことにより、真空蒸着法や湿式塗布法等での成
膜が可能となるので、製造コストの低減化が図られる。
According to the optical addressing type display of the sixth aspect, since the photoconductive layer and the light emitting layer are made of an organic material, it is possible to form a film by a vacuum vapor deposition method or a wet coating method. Manufacturing cost can be reduced.

【0020】請求項7の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層をP型半導体とし、この光導電層
が、正極が印加されている電極と発光層との間に成膜さ
れているものとしたことにより、発光層に対して効率良
く正孔注入が行われるため、高い輝度が得られる。
According to the optical addressing type display of claim 7, the photoconductive layer is a P type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the positive electrode is applied and the light emitting layer. As a result, holes are efficiently injected into the light emitting layer, and high brightness can be obtained.

【0021】請求項8の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層をN型半導体とし、この光導電層
が、負極が印加されている電極と発光層との間に成膜さ
れているものとしたことにより、発光層に対して効率良
く電子注入が行われるため、高い輝度が得られる。
According to the optical addressing type display of claim 8, the photoconductive layer is an N type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the negative electrode is applied and the light emitting layer. As a result, electrons are efficiently injected into the light emitting layer, and high brightness can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の光アドレス装置につい
て、図を参照して以下に詳述する。図1に本発明の光ア
ドレス装置10の一例の概略構成図を示す。光アドレス
装置10は、光源11と、この光源11の特定の部位に
ついて光のシャッター機能を有するシャッター手段12
とを具備してなる光出射装置13と、この光出射装置1
3から放出された光Lを反射する反射装置14とにより
構成されている。反射装置14は、多角柱の軸中心、例
えば図1中の矢印a方向に回動可能となされている多角
柱部材の側面に、光を反射し、光の進行方向を制御する
反射板15を備えるものとする。光出射装置13と反射
装置14とは、光源11と反射板15とが互いに対向す
るように配置されてなり、光源11から出射され、シャ
ッター手段12によってアドレスされた光Lは、反射板
15によって反射され、露光面16の任意の位置を照射
するようになされている。なお、反射装置14と露光面
16とは、例えば図1中の矢印A方向に露光面を移動さ
せたりすることによって、これらを相対的に走査移動す
るようにして任意の位置を露光するようになされてい
る。光源11としては、白色光、単色光等の任意の光を
適用可能である。また、反射装置14を回動可能な多角
柱部材とする場合には、これを3角柱以上の多角柱化す
るほど走査速度を増加することができるが、加工が困難
となりため、一般には6角柱〜12角柱程度が好適であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The optical addressing device of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of an example of an optical addressing device 10 of the present invention. The optical addressing device 10 includes a light source 11 and a shutter unit 12 having a light shutter function for a specific portion of the light source 11.
And a light emitting device 13 comprising:
3 and a reflection device 14 that reflects the light L emitted from the light source 3. The reflection device 14 reflects a light on a side surface of a polygonal prism member that is rotatable in the axial center of the polygonal prism, for example, in the direction of an arrow a in FIG. 1, and has a reflector 15 for controlling the traveling direction of the light. Be prepared. The light emitting device 13 and the reflecting device 14 are arranged such that the light source 11 and the reflecting plate 15 face each other, and the light L emitted from the light source 11 and addressed by the shutter means 12 is reflected by the reflecting plate 15. The light is reflected and irradiates an arbitrary position on the exposure surface 16. The reflecting device 14 and the exposure surface 16 are moved relative to each other by, for example, moving the exposure surface in the direction of arrow A in FIG. Has been done. As the light source 11, any light such as white light or monochromatic light can be applied. When the reflecting device 14 is a rotatable polygonal prism member, the scanning speed can be increased as the polygonal prism member is formed into a polygonal prism having three or more prisms, but the machining becomes difficult. It is preferably about 12 prisms.

【0023】また、反射装置14を多角柱部材とする場
合には、この多角柱部材の各々の側面、すなわち光の反
射面は、回転軸と平行に加工されていないと、反射光は
反射面によってずれを生じさせ、いわゆる面倒れが生じ
る。このような面倒れを補正するため、通常多角柱部材
と露光面16との間に、補正レンズを設ける。なお反射
装置14を構成する多角部材は、3000〜30000
rpm程度の速度で回動するものとする。
When the reflecting device 14 is a polygonal prism member, each side face of the polygonal prism member, that is, the light reflecting surface is not processed in parallel with the rotation axis, and the reflected light is a reflecting surface. This causes a shift, which causes so-called trouble. In order to correct such surface tilt, a correction lens is usually provided between the polygonal prism member and the exposure surface 16. The polygonal members that form the reflection device 14 are 3000 to 30000.
It shall rotate at a speed of about rpm.

【0024】次に、本発明の光アドレス装置10を構成
するシャッター手段12について図を参照して詳細に説
明する。図2に、本発明の光アドレス装置10を構成す
るシャッター手段12の一例の概略図を示し、図3にシ
ャッター手段12を構成する液晶セル23の概略構成図
を示す。なお、ここではTN型液晶を用いた例を示す。
シャッター手段12は、光源11側から第1の偏光板2
1、液晶セル23、および第2の偏光板22が順次配列
された構成を有している。第2の偏光板21は図中の矢
印に示す上下方向のみに振幅する光を選択的に透過する
ものとし、第2の偏光板22は、図中矢印に示す左右方
向のみに振幅する光を選択的に透過するものとする。
Next, the shutter means 12 constituting the optical addressing device 10 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows a schematic view of an example of the shutter means 12 constituting the optical addressing device 10 of the present invention, and FIG. 3 shows a schematic view of the liquid crystal cell 23 constituting the shutter means 12. Here, an example using a TN type liquid crystal is shown.
The shutter means 12 is the first polarizing plate 2 from the light source 11 side.
1, a liquid crystal cell 23, and a second polarizing plate 22 are sequentially arranged. The second polarizing plate 21 selectively transmits light that oscillates only in the vertical direction indicated by the arrow in the figure, and the second polarizing plate 22 transmits light that oscillates only in the horizontal direction indicated by the arrow in the figure. It shall be selectively transparent.

【0025】液晶セル23は、基板31、35間に透明
共通電極32、液晶層33、および透明駆動電極34が
積層配置された構成を有している。基板31上にはライ
ン状の透明共通電極32が配置され、この上に液晶層3
3が形成され、上記透明共通電極32の配置方向と交叉
する方向に、ライン状の透明駆電極34が配列されてい
る。
The liquid crystal cell 23 has a structure in which a transparent common electrode 32, a liquid crystal layer 33, and a transparent drive electrode 34 are laminated between the substrates 31 and 35. A line-shaped transparent common electrode 32 is arranged on the substrate 31, and the liquid crystal layer 3 is formed on the transparent common electrode 32.
3 are formed, and linear transparent drive electrodes 34 are arranged in a direction intersecting with the arrangement direction of the transparent common electrode 32.

【0026】図2に示すように、ライン光源11から出
射した光Lは、第1の偏光板21により図2中の上下
方向に振幅する光Lのみ透過する。この光は、液晶セ
ル23に入り、透明共通電極32から液晶層33に入
り、透明駆動電極34によって選択された部位を透過し
た光は、そのまま上下方向に振幅する。しかし、非選択
部位を透過した光は90°旋光する。よって、液晶セル
23を透過した光Lは、選択的に偏光されたライン光
である。液晶セル23を透過した光Lのうち、上下方
向に振幅する光は、第2の偏光板22を透過することは
できないが、上記のように、非選択部位を透過し90°
旋光した光は第2の偏光板22を透過する。これが図1
に示すアドレスされた光Lであり、これによって明暗の
コントラストが形成可能となる。
As shown in FIG. 2, the light L 0 emitted from the line light source 11 is transmitted by the first polarizing plate 21 only the light L 1 oscillating in the vertical direction in FIG. This light enters the liquid crystal cell 23, enters the liquid crystal layer 33 from the transparent common electrode 32, and the light transmitted through the portion selected by the transparent drive electrode 34 is vertically oscillated. However, the light transmitted through the non-selected portion is rotated by 90 °. Therefore, the light L 2 transmitted through the liquid crystal cell 23 is the line light that is selectively polarized. Of the light L 2 that has passed through the liquid crystal cell 23, the light that oscillates in the vertical direction cannot pass through the second polarizing plate 22, but as described above, it passes through the non-selected portion and is 90 °
The rotated light transmits through the second polarizing plate 22. This is Figure 1
Is the addressed light L, which enables the formation of bright and dark contrast.

【0027】図1〜図3に示す構成を有する光アドレス
装置10を用いて、光のオン・オフを高速に切り替え、
さらに回動する反射装置14を制御することによって、
露光面16の任意の位置に露光を行うことができる。
Using the optical addressing device 10 having the structure shown in FIGS. 1 to 3, the light is switched on and off at high speed.
By controlling the further rotating reflector device 14,
Exposure can be performed at any position on the exposure surface 16.

【0028】次に、請求項2に係る光アドレス装置につ
いて図4および図5を参照して説明する。この例におい
ては、図1に示したシャッター手段12として、光散乱
モードを用いた液晶セル43を適用することとした。液
晶セル43は、図5に示すように、基板51、55間に
透明共通電極52、液晶層53、および透明駆動電極5
4が積層配置された構成を有している。基板51上には
ライン状の透明共通電極52が配置され、この上に液晶
層53が形成され、上記透明共通電極52と交叉する方
向に、透明駆電極54が配列されている。液晶層53に
は、光散乱モードを用いた高分子分散型液晶を適用し
た。このような構成とすることにより、選択電極と非選
択電極とで入射光の透過・散乱が行われ、これによって
明暗のコントラストを形成するため、偏光板が不要とな
り、上記TN型液晶の場合のように、旋光性を用いた場
合と比較してシャッター手段12の装置構成を簡易化す
ることができる。
Next, an optical addressing device according to a second aspect will be described with reference to FIGS. 4 and 5. In this example, a liquid crystal cell 43 using a light scattering mode is applied as the shutter means 12 shown in FIG. As shown in FIG. 5, the liquid crystal cell 43 includes a transparent common electrode 52, a liquid crystal layer 53, and a transparent drive electrode 5 between substrates 51 and 55.
4 has a configuration in which they are stacked. A line-shaped transparent common electrode 52 is arranged on a substrate 51, a liquid crystal layer 53 is formed on this, and transparent driving electrodes 54 are arranged in a direction intersecting with the transparent common electrode 52. A polymer-dispersed liquid crystal using a light scattering mode is applied to the liquid crystal layer 53. With such a structure, incident light is transmitted / scattered between the selective electrode and the non-selective electrode, thereby forming contrast of brightness and darkness, so that a polarizing plate is not necessary, and in the case of the TN liquid crystal described above. As described above, the device configuration of the shutter unit 12 can be simplified as compared with the case where the optical rotatory power is used.

【0029】次に、請求項3のアドレス装置について図
6および図7を参照して説明する。この例においては、
シャッター手段12を、複数の微小なミラーアレイによ
り構成されるものとした。図7にシャッター手段12の
要部の概略図を示す。この例においては、光の反射面を
有する複数の微小なミラーアレイ60が連続配列されて
なり、それぞれが別個独立して図7中の矢印方向に駆動
可能となされ、光Lの入射方向に対して所定の角度を
取ることができるようになされている。これにより、任
意のミラーアレイ60に反射された光のみがシャッター
手段12から選定されて出射される。シャッター手段1
2を図6および図7に示すような構成としたことによ
り、上述したような、液晶を用いた場合と比較して、光
の透過による損失を低減化することができる。
Next, the address device of claim 3 will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In this example,
The shutter means 12 is composed of a plurality of minute mirror arrays. FIG. 7 shows a schematic view of a main part of the shutter means 12. In this example, a plurality of minute mirror arrays 60 each having a light reflecting surface are continuously arranged, and each of them can be driven independently and independently in the direction of the arrow in FIG. 7, and in the incident direction of the light L 0. On the other hand, a predetermined angle can be set. As a result, only the light reflected by any mirror array 60 is selected and emitted from the shutter means 12. Shutter means 1
By configuring 2 as shown in FIGS. 6 and 7, it is possible to reduce the loss due to the transmission of light as compared with the case of using the liquid crystal as described above.

【0030】次に、請求項4の光アドレシング型ディス
プレイについて図8を参照して説明する。この例におけ
る光アドレシング型ディスプレイ70は、図1に示した
光アドレス装置10と、画像表示を行う表示部80とに
より構成されているものとする。表示部80は、透明基
板83上に、第1の透明電極81、光の吸収により導電
性を有する光導電層84、電圧の印加によって発光する
発光層85、および第2の透明電極82が、順次積層形
成された構成を有している。この例においては、光導電
層84は発光層85側から見て非表示面側に成膜されて
いるものとする。
Next, the optical addressing type display according to claim 4 will be described with reference to FIG. The optical addressing display 70 in this example is assumed to be composed of the optical addressing device 10 shown in FIG. 1 and a display section 80 for displaying an image. The display unit 80 includes a transparent substrate 83, a first transparent electrode 81, a photoconductive layer 84 having conductivity by absorbing light, a light emitting layer 85 that emits light when a voltage is applied, and a second transparent electrode 82. It has a structure in which layers are sequentially formed. In this example, the photoconductive layer 84 is formed on the non-display surface side when viewed from the light emitting layer 85 side.

【0031】なお、図8の構成と異なり、光導電層84
が、発光層85側から見て表示面側に成膜されている場
合には、光アドレス装置10によってアドレスされた光
Lは、透明基板83、第1の透明電極81、発光層85
を透過した後に光導電層84に到達する。この場合透過
による光の損失が大きくなるため、図8に示す構成の方
が好ましい。
Unlike the structure shown in FIG. 8, the photoconductive layer 84 is used.
However, when the film is formed on the display surface side when viewed from the light emitting layer 85 side, the light L addressed by the optical addressing device 10 transmits the transparent substrate 83, the first transparent electrode 81, and the light emitting layer 85.
And then reaches the photoconductive layer 84. In this case, the loss of light due to transmission increases, so the configuration shown in FIG. 8 is preferable.

【0032】図8に示す表示部80を構成する光導電層
84は、露光によって導電性を示すため、特定の部位に
アドレスされた光によって、発光層85に電圧が印加さ
れ、特定の部位が発光するようになされる。このため、
第2の透明電極82上に画像が表示される。
Since the photoconductive layer 84 constituting the display section 80 shown in FIG. 8 exhibits conductivity by exposure, a voltage is applied to the light emitting layer 85 by the light addressed to a specific portion, so that the specific portion is exposed. It is made to emit light. For this reason,
An image is displayed on the second transparent electrode 82.

【0033】表示部80を構成する透明基板83は、例
えばガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂等の、可視光に対して透明性の高い材料によ
り形成することが好適である。
The transparent substrate 83 constituting the display section 80 is preferably formed of a material having high transparency to visible light, such as glass, polycarbonate, acrylic resin, polyester resin or the like.

【0034】光導電層84としては、例えばZnO,S
i,Se等の無機材料およびこれらを含む合金材料、お
よびフタロシアニン系材料、アゾ系材料、ペリレン系材
料等の有機系材料が適用可能である。
As the photoconductive layer 84, for example, ZnO, S
Inorganic materials such as i and Se, alloy materials containing these, and organic materials such as phthalocyanine materials, azo materials, and perylene materials are applicable.

【0035】発光層85は、例えば、ZnS等の無機材
料、AlQ3(トリス(8−ヒドロキシ−キノリノ)ア
ルミニウム)等の低分子系有機材料、PPV(ポリフェ
ニレンビニレン)等の高分子系有機材料等のいずれもが
適用可能である。特に高分子系有機材料の場合は真空成
膜によらず、湿式塗布法によって成膜可能なものが多
く、製造コストを低減化できる。
The light emitting layer 85 is made of, for example, an inorganic material such as ZnS, a low molecular organic material such as AlQ3 (tris (8-hydroxy-quinolino) aluminum), or a high molecular organic material such as PPV (polyphenylene vinylene). Both are applicable. In particular, in the case of a polymer organic material, many can be formed by a wet coating method instead of vacuum film formation, and the manufacturing cost can be reduced.

【0036】図8に示す光アドレシング型ディスプレイ
においては、シャッター手段12によってアドレスされ
た光が光導電層84の任意の部位を導電性とし、これが
画像部に相当する例である。ここで、表示面側からは可
視光が得られるが、これは非表示面側にも放射される。
このとき、この非表示面側に放射された光が、光導電層
84と発光層85との界面で乱反射した場合、非画像部
を照射するため、所望の画像が得られなくなる可能性が
生じる。このような不都合を回避するための方法を以下
に示す。
In the optical addressing type display shown in FIG. 8, the light addressed by the shutter means 12 makes an arbitrary portion of the photoconductive layer 84 conductive, which is an example corresponding to an image portion. Here, visible light is obtained from the display surface side, but this is also emitted to the non-display surface side.
At this time, if the light radiated to the non-display surface side is diffusely reflected at the interface between the photoconductive layer 84 and the light emitting layer 85, the non-image portion is illuminated, and thus a desired image may not be obtained. . A method for avoiding such an inconvenience is shown below.

【0037】第1の方法:発光層85と光導電層84と
の界面の乱反射を防ぐために、成膜時に界面の乱れを防
止する。 第2の方法:発光層85と光導電層84との間に、可視
光吸収フィルター層を形成する。なお、第1の透明電極
81に正極が印加されている場合は、この可視光吸収フ
ィルターが正孔移動能を有しているものであることが望
ましい。一方、第1の透明電極81に負極が印加されて
いる場合は、この可視光吸収フィルターが、電子移動能
を有しているものであることが望ましい。 第3の方法:光導電層84を構成する材料として、可視
光に対する吸収能の極めて低い材料を適用する。
First method: In order to prevent irregular reflection at the interface between the light emitting layer 85 and the photoconductive layer 84, disturbance at the interface is prevented during film formation. Second method: A visible light absorption filter layer is formed between the light emitting layer 85 and the photoconductive layer 84. When the positive electrode is applied to the first transparent electrode 81, it is desirable that this visible light absorption filter has a hole transfer ability. On the other hand, when the negative electrode is applied to the first transparent electrode 81, it is desirable that this visible light absorption filter has electron transfer ability. Third method: As a material for forming the photoconductive layer 84, a material having an extremely low absorption capacity for visible light is applied.

【0038】次に、請求項5に係る光アドレシングディ
スプレイについて説明する。この例においては、図8に
示した透明基板83、第1の透明電極81、第2の透明
電極82、光導電層84、発光層85が可とう性を有し
ているものとする。このようにすることによって、ディ
スプレイに折り曲げ等の力が加わった場合においても、
破損の可能性が低減化でき、耐久性の向上が図られる。
この例においては、透明基板83の形成材料として、例
えばポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂等の可視光に対して透明性の高い材料が好適である。
また、光導電層84としては、例えばフタロシアニン系
材料、アゾ系材料、ペリレン系材料等の有機系材料が適
用可能である。発光層85については、例えば、AlQ
3(トリス(8−ヒドロキシ−キノリノ)アルミニウ
ム)等の低分子系有機材料、PPV(ポリフェニレンビ
ニレン)等の高分子系有機材料等のいずれもが適用可能
である。
Next, an optical addressing display according to a fifth aspect will be described. In this example, it is assumed that the transparent substrate 83, the first transparent electrode 81, the second transparent electrode 82, the photoconductive layer 84, and the light emitting layer 85 shown in FIG. 8 have flexibility. By doing this, even when a force such as bending is applied to the display,
The possibility of breakage can be reduced and durability can be improved.
In this example, as the material for forming the transparent substrate 83, a material having high transparency to visible light, such as polycarbonate, acrylic resin, or polyester resin, is suitable.
Further, as the photoconductive layer 84, for example, an organic material such as a phthalocyanine material, an azo material, or a perylene material can be applied. For the light emitting layer 85, for example, AlQ
Any of a low molecular weight organic material such as 3 (tris (8-hydroxy-quinolino) aluminum) and a high molecular weight organic material such as PPV (polyphenylene vinylene) can be applied.

【0039】次に、請求項6に係る光アドレシングディ
スプレイについて説明する。この例においては、光導電
層84および発光層85が、有機材料から成るものとす
る。このような構成とすることにより、これらの層を真
空蒸着法や湿式塗布法等で、成膜することが可能とな
り、製造コストの低減化を図ることができる。この場
合、発光層85としては、例えばAlQ3(トリス(8
−ヒドロキシ−キノリノ)アルミニウム)等の低分子系
有機材料や、PPV(ポリフェニレンビニレン)等の高
分子系有機材料等をいずれも適用可能である。特に、高
分子系有機材料を用いた場合には、真空成膜法によら
ず、湿式塗布法によって成膜可能なものが多く、製造コ
ストの低減化が図られる。
Next, an optical addressing display according to claim 6 will be described. In this example, the photoconductive layer 84 and the light emitting layer 85 are made of an organic material. With such a configuration, these layers can be formed by a vacuum vapor deposition method, a wet coating method, or the like, and the manufacturing cost can be reduced. In this case, as the light emitting layer 85, for example, AlQ3 (tris (8
Any of low molecular weight organic materials such as -hydroxy-quinolino) aluminum) and high molecular weight organic materials such as PPV (polyphenylene vinylene) can be applied. In particular, when a high molecular organic material is used, it is possible to form a film by a wet coating method instead of a vacuum film forming method, so that the manufacturing cost can be reduced.

【0040】次に、請求項7に係る光アドレシングディ
スプレイについて説明する。この例においては、光導電
層84がP型半導体であり、かつこの層が正極に印加さ
れている電極と発光層85との間に形成されているもの
とする。このような構成とすることにより、発光層85
に対して効率良く正孔注入が行われるため、高い輝度が
得られる。
Next, an optical addressing display according to a seventh aspect will be described. In this example, it is assumed that the photoconductive layer 84 is a P-type semiconductor and that this layer is formed between the electrode applied to the positive electrode and the light emitting layer 85. With such a configuration, the light emitting layer 85
As a result, holes are injected efficiently, so that high brightness can be obtained.

【0041】次に、請求項8に係る光アドレシング型デ
ィスプレイについて説明する。この例においては、光導
電層84がN型半導体であり、かつこの層が負極に印加
されている電極と発光層85との間に形成されているも
のとする。このような構成とすることにより、発光層8
5に対して効率良く電子注入が行われるため、高い輝度
が得られる。
Next, an optical addressing type display according to claim 8 will be described. In this example, it is assumed that the photoconductive layer 84 is an N-type semiconductor and that this layer is formed between the electrode applied to the negative electrode and the light emitting layer 85. With such a configuration, the light emitting layer 8
Since the electrons are efficiently injected into No. 5, high brightness can be obtained.

【0042】次に、図8に示した光アドレシングディス
プレイ70を用いて、以下の条件で発光層85を発光さ
せ、発光効率(発光強度/消費電力)を測定した。 [実施例1] 光導電層84:x−型無金属フタロシアニン(P型) 第1の透明電極81:正極を印加 第2の透明電極82:負極を印加 発光層:PPV(ポリフェニレンビニレン) [実施例2] 光導電層84:下記[化1]に示すジスアゾ系材料(N
型) 第1の透明電極81:負極を印加 第2の透明電極82:正極を印加 発光層:PPV(ポリフェニレンビニレン)
Next, using the optical addressing display 70 shown in FIG. 8, the light emitting layer 85 was caused to emit light under the following conditions, and the light emitting efficiency (light emitting intensity / power consumption) was measured. [Example 1] Photoconductive layer 84: x-type metal-free phthalocyanine (P type) First transparent electrode 81: Apply positive electrode Second transparent electrode 82: Apply negative electrode Light emitting layer: PPV (polyphenylene vinylene) Example 2] Photoconductive layer 84: Disazo-based material (N
Type) first transparent electrode 81: negative electrode applied second transparent electrode 82: positive electrode applied light emitting layer: PPV (polyphenylene vinylene)

【0043】[0043]

【化1】 [Chemical 1]

【0044】[比較例1]上記実施例1の正極と負極を
入れ替えた。他の条件は実施例1と同様とした。実施例
1で得られた発光効率の値を1としたときの相対値を測
定した。 光導電層84:x−型無金属フタロシアニン(P型) 第1の透明電極81:負極を印加 第2の透明電極82:正極を印加 発光層:PPV(ポリフェニレンビニレン) [比較例2]上記実施例2の正極と負極を入れ替えた。
他の条件は実施例2と同様とした。 光導電層84:上記[化1]に示すジスアゾ系材料(N
型) 第1の透明電極81:正極を印加 第2の透明電極82:負極を印加 発光層:PPV(ポリフェニレンビニレン) 実施例2で得られた発光効率の値を1としたときの相対
値を測定した。上記実施例1、2および比較例1、2の
発光効率値を下記表1に示す。
[Comparative Example 1] The positive electrode and the negative electrode of Example 1 were replaced with each other. The other conditions were the same as in Example 1. A relative value was measured when the value of the luminous efficiency obtained in Example 1 was 1. Photoconductive layer 84: x-type metal-free phthalocyanine (P type) First transparent electrode 81: Negative electrode is applied Second transparent electrode 82: Positive electrode is applied Luminescent layer: PPV (polyphenylene vinylene) [Comparative Example 2] The above implementation The positive electrode and the negative electrode of Example 2 were exchanged.
Other conditions were the same as in Example 2. Photoconductive layer 84: Disazo-based material (N
Type) 1st transparent electrode 81: positive electrode is applied 2nd transparent electrode 82: negative electrode is applied Light emitting layer: PPV (polyphenylene vinylene) Relative value when the value of the luminous efficiency obtained in Example 2 is 1 It was measured. The luminous efficiency values of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in Table 1 below.

【0045】[0045]

【表1】 [Table 1]

【0046】[表1]に示すように、実施例1の発光効
率を1.0としたとき、正極と負極を入れ替えた比較例
1の発光効率は0.6であった。このことから、光導電
層84をP型半導体とし、この光導電層84を、正極が
印加されている第1の透明電極81と発光層85との間
に形成した場合には、高い発光効率が得られることがわ
かった。
As shown in [Table 1], when the luminous efficiency of Example 1 was set to 1.0, the luminous efficiency of Comparative Example 1 in which the positive electrode and the negative electrode were replaced was 0.6. Therefore, when the photoconductive layer 84 is a P-type semiconductor and the photoconductive layer 84 is formed between the first transparent electrode 81 to which the positive electrode is applied and the light emitting layer 85, high luminous efficiency is obtained. It was found that

【0047】また、実施例2の発行効率を1.0とした
とき、正極と負極を入れ替えた比較例2の発光効率は
0.6であった。このことから、光導電層84をN型半
導体とし、かつ、この光導電層84を、負極が印加され
ている第1の透明電極81と発光層85との間に形成し
た場合には、高い発光効率が得られることがわかった。
When the issuing efficiency of Example 2 was 1.0, the luminous efficiency of Comparative Example 2 in which the positive electrode and the negative electrode were replaced was 0.6. Therefore, when the photoconductive layer 84 is an N-type semiconductor and the photoconductive layer 84 is formed between the first transparent electrode 81 to which the negative electrode is applied and the light emitting layer 85, it is high. It was found that luminous efficiency can be obtained.

【0048】[0048]

【発明の効果】請求項1の光アドレス装置によれば、煩
雑な製造工程不要となり、非常に低コストな装置で任意
の領域に光をアドレスすることが可能となった。
According to the optical addressing device of the first aspect, the complicated manufacturing process is not required, and the light can be addressed to an arbitrary region with a very low cost device.

【0049】請求項2の光アドレス装置によれば、請求
項1のシャッター手段として、光散乱モードを用いた液
晶を適用したことにより、TN型液晶の様に旋光性を用
いた場合と比較して、シャッター手段の装置構成がより
簡略化できた。
According to the optical addressing device of the second aspect, since the liquid crystal using the light scattering mode is applied as the shutter means of the first aspect, as compared with the case of using the optical rotatory power like the TN type liquid crystal. As a result, the device structure of the shutter means can be further simplified.

【0050】請求項3の光アドレス装置によれば、シャ
ッター手段として、各々が独立に駆動可能な、複数の微
小なミラーアレイを用いたことにより、液晶を用いた場
合のように透過光に明暗のコントラストを形成する場合
と比較して、光の透過による損失を小さくすることが可
能となった。
According to the optical addressing device of the third aspect, since a plurality of minute mirror arrays, each of which can be independently driven, are used as the shutter means, the transmitted light is bright and dark like when liquid crystal is used. It is possible to reduce the loss due to the transmission of light as compared with the case where the contrast is formed.

【0051】請求項4の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、煩雑な製造工程が不要となり、低コストな表
示装置を提供できた。
According to the optical addressing type display of claim 4, a complicated manufacturing process is unnecessary and a low cost display device can be provided.

【0052】請求項5の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、透明基板、透明電極、光導電層および発光層
が、可とう性を有しているものとしたことにより、ディ
スプレイの折り曲げ等の力が加わった場合においても破
損を回避できた。
According to the optical addressing type display of the fifth aspect, since the transparent substrate, the transparent electrode, the photoconductive layer and the light emitting layer have flexibility, a force such as bending of the display can be obtained. Even when added, damage could be avoided.

【0053】請求項6の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層および発光層を有機材料から成るも
のとしたことにより、真空蒸着、湿式塗布等での成膜が
可能となるので、製造コストの低減化が図られた。
According to the optical addressing type display of the sixth aspect, since the photoconductive layer and the light emitting layer are made of an organic material, the film can be formed by vacuum vapor deposition, wet coating, etc., so that the manufacturing cost can be reduced. Was reduced.

【0054】請求項7の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層をP型半導体とし、この光導電層
が、正極が印加されている電極と、発光層との間に成膜
されているものとしたことにより、発光層に対して効率
良く正孔注入が行われるため、高い輝度が得られた。
According to the optical addressing type display of claim 7, the photoconductive layer is a P-type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the positive electrode is applied and the light emitting layer. Since the holes are efficiently injected into the light emitting layer, a high brightness can be obtained.

【0055】請求項8の光アドレシング型ディスプレイ
によれば、光導電層をN型半導体とし、この光導電層
が、負極が印加されている電極と、発光層との間に成膜
されているものとしたことにより、発光層に対して効率
良く電子注入が行われるため、高い輝度が得られる。
According to the eighth aspect of the optical addressing type display, the photoconductive layer is an N-type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the negative electrode is applied and the light emitting layer. As a result, electrons are efficiently injected into the light emitting layer, so that high brightness can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光アドレス装置の一例の概略構成図を
示す。
FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of an example of an optical addressing device of the present invention.

【図2】光出射装置のシャッター手段の一例の概略構成
図を示す。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an example of shutter means of the light emitting device.

【図3】シャッター手段を構成する液晶セルの概略構成
図を示す。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a liquid crystal cell that constitutes shutter means.

【図4】シャッター手段の他の一例の概略構成図を示
す。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of another example of shutter means.

【図5】シャッター手段を構成する液晶セルの他の一例
の概略構成図を示す。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of another example of a liquid crystal cell that constitutes shutter means.

【図6】シャッター手段の他の一例の概略構成図を示
す。
FIG. 6 shows a schematic configuration diagram of another example of shutter means.

【図7】他の一例によるシャッター手段の要部の概略図
を示す。
FIG. 7 is a schematic view of a main part of a shutter unit according to another example.

【図8】本発明の光アドレシング型ディスプレイの一例
の概略構成図を示す。
FIG. 8 shows a schematic configuration diagram of an example of an optical addressing type display of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……光アドレス装置 11……光源 12……シャッター手段 13……光出射装置 14……反射装置 15……反射板 16……露光面 21……第1の偏光板 22……第2の偏光板 23……液晶セル 31……基板 32……透明共通電極 33……液晶層 34……透明駆動電極 43……液晶セル 51……基板 52……透明共通電極 53……液晶層 54……透明駆動電極 55……基板 60……ミラーアレイ 70……光アドレシング型ディスプレイ 80……表示部 81……第1の透明電極 82……第2の透明電極 83……透明基板 84……光導電層 85……発光層 10: Optical address device 11 ... Light source 12 ... Shutter means 13 ... Light emitting device 14 ... Reflector 15 ... Reflector 16: exposed surface 21 ... the first polarizing plate 22 ... Second polarizing plate 23 ... Liquid crystal cell 31 ... substrate 32 ... Transparent common electrode 33 ... Liquid crystal layer 34 ... Transparent drive electrode 43 ... Liquid crystal cell 51 ... substrate 52 ... Transparent common electrode 53 ... Liquid crystal layer 54: Transparent drive electrode 55 ... substrate 60 ... Mirror array 70 ... Optical addressing type display 80 ... Display 81: first transparent electrode 82 ... Second transparent electrode 83 ... Transparent substrate 84 ... Photoconductive layer 85: Light emitting layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H045 AA01 BA13 BA22 BA32 CB65 2H088 EA33 EA40 HA21 HA29 JA04 JA05 MA20 5C094 AA10 AA36 AA43 AA44 AA48 BA08 BA16 BA27 BA48 BA63 BA92 BA95 CA19 DA02 ED11 FB01 FB02 FB14 FB20 GA01   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2H045 AA01 BA13 BA22 BA32 CB65                 2H088 EA33 EA40 HA21 HA29 JA04                       JA05 MA20                 5C094 AA10 AA36 AA43 AA44 AA48                       BA08 BA16 BA27 BA48 BA63                       BA92 BA95 CA19 DA02 ED11                       FB01 FB02 FB14 FB20 GA01

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平面上の任意の部位に露光を行う事を可
能とする光アドレス装置であって、 少なくとも光源と、該光源の特定の部位について光のシ
ャッター機能を有するシャッター手段とを具備する光出
射装置と、 上記光出射装置から放出された光を反射する反射装置と
を有し、 上記反射装置は、回動可能な多角柱部材の側面に、上記
光出射装置からの光を反射する反射板を備えるものと
し、 上記反射装置を走査することによって、露光を行うこと
を特徴とする光アドレス装置。
1. An optical addressing device capable of performing exposure on an arbitrary portion on a plane, which comprises at least a light source and a shutter means having a light shutter function for a specific portion of the light source. It has a light emitting device and a reflecting device for reflecting the light emitted from the light emitting device, and the reflecting device reflects the light from the light emitting device on the side surface of the rotatable polygonal column member. An optical addressing device comprising a reflecting plate, wherein exposure is performed by scanning the reflecting device.
【請求項2】 上記シャッター手段が、光散乱モードを
用いた液晶を用いてなるものであることを特徴とする請
求項1に記載の光アドレス装置。
2. The optical address device according to claim 1, wherein the shutter means is made of liquid crystal using a light scattering mode.
【請求項3】 上記シャッター手段が、それぞれ独立に
駆動可能となされた複数のミラーアレイを具備するもの
であることを特徴とする請求項1に記載の光アドレス装
置。
3. The optical address device according to claim 1, wherein the shutter means comprises a plurality of mirror arrays that can be driven independently of each other.
【請求項4】 請求項1〜3に記載された光アドレス装
置と、 少なくとも透明基板、透明電極、光の吸収により導電性
を有する光導電層、および電圧を印加することによって
発光する機能を有する発光層よりなる表示部とを具備す
ることを特徴とする光アドレシング型ディスプレイ。
4. The optical addressing device according to claim 1, at least a transparent substrate, a transparent electrode, a photoconductive layer having conductivity by absorbing light, and a function of emitting light when a voltage is applied. An optical addressing type display, comprising: a display section comprising a light emitting layer.
【請求項5】 上記透明基板、透明電極、光導電層およ
び発光層が、可とう性を有することを特徴とする請求項
4に記載の光アドレシング型ディスプレイ。
5. The optical addressing display according to claim 4, wherein the transparent substrate, the transparent electrode, the photoconductive layer, and the light emitting layer have flexibility.
【請求項6】 上記光導電層および上記発光層が、有機
材料から成ることを特徴とする請求項4又は5に記載の
光アドレシング型ディスプレイ。
6. The optical addressing type display according to claim 4, wherein the photoconductive layer and the light emitting layer are made of an organic material.
【請求項7】 上記光導電層がP型半導体であり、か
つ、この光導電層が、正極が印加されている電極と上記
発光層との間に成膜されていることを特徴とする請求項
4〜6に記載の光アドレシング型ディスプレイ。
7. The photoconductive layer is a P-type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the positive electrode is applied and the light emitting layer. Item 7. An optical addressing type display according to items 4-6.
【請求項8】 上記光導電層がN型半導体であり、か
つ、この光導電層が、負極が印加されている電極と上記
発光層との間に成膜されていることを特徴とする請求項
4〜6に記載の光アドレシング型ディスプレイ。
8. The photoconductive layer is an N-type semiconductor, and the photoconductive layer is formed between the electrode to which the negative electrode is applied and the light emitting layer. Item 7. An optical addressing type display according to items 4-6.
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