JP2003145764A - 一体化されたマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製造方法 - Google Patents
一体化されたマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製造方法Info
- Publication number
- JP2003145764A JP2003145764A JP2002308422A JP2002308422A JP2003145764A JP 2003145764 A JP2003145764 A JP 2003145764A JP 2002308422 A JP2002308422 A JP 2002308422A JP 2002308422 A JP2002308422 A JP 2002308422A JP 2003145764 A JP2003145764 A JP 2003145764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micromachining
- filter
- layer
- polysilicon
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 claims description 153
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 110
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 110
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 215
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000011045 prefiltration Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000005647 Mumps Diseases 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 208000010805 mumps infectious disease Diseases 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 108091028043 Nucleic acid sequence Proteins 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
- B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
- B41J2/17563—Ink filters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
- B01D29/01—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements
- B01D29/05—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements supported
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2239/00—Aspects relating to filtering material for liquid or gaseous fluids
- B01D2239/10—Filtering material manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14403—Structure thereof only for on-demand ink jet heads including a filter
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロマシンデバイスに一体化されたフィ
ルタを備えた、製造プロセスが簡単でかつ安価なマイク
ロマシンニングフィルタのシステムおよび製造方法を提
供する。 【解決手段】 マイクロマシンニングフィルタシステム
は、基板２１０上に形成された複数のマイクロマシンニ
ング層２２０，２３０を有するマイクロデバイス２０
０、および少なくとも一つのマイクロマシンニング層２
２０，２３０に一体化されたマイクロマシンニングフィ
ルタ１００を含む。
ルタを備えた、製造プロセスが簡単でかつ安価なマイク
ロマシンニングフィルタのシステムおよび製造方法を提
供する。 【解決手段】 マイクロマシンニングフィルタシステム
は、基板２１０上に形成された複数のマイクロマシンニ
ング層２２０，２３０を有するマイクロデバイス２０
０、および少なくとも一つのマイクロマシンニング層２
２０，２３０に一体化されたマイクロマシンニングフィ
ルタ１００を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロマシニン
グフィルタに関し、特にマイクロマシニングまたはマイ
クロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）による
デバイスに一体化されるマイクロマシニングフィルタに
関する。
グフィルタに関し、特にマイクロマシニングまたはマイ
クロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）による
デバイスに一体化されるマイクロマシニングフィルタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】種々のマイクロマシニングまたはマイク
ロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）によるデ
バイスが開発されている。例えば、マイクロマシニング
流体イジェクタがインクジェット記録または印刷用に開
発されている。インクジェット印刷用の流体イジェクタ
は一つ以上のノズルを含み、このノズルから文字印刷を
行うための微小インク滴が放出される。
ロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）によるデ
バイスが開発されている。例えば、マイクロマシニング
流体イジェクタがインクジェット記録または印刷用に開
発されている。インクジェット印刷用の流体イジェクタ
は一つ以上のノズルを含み、このノズルから文字印刷を
行うための微小インク滴が放出される。
【０００３】流体ドロップイジェクタは、印刷用だけで
なく、半導体およびフラットパネルディスプレイ産業で
のフォトレジストその他の溶液被着用、薬品および生体
サンプルの輸送用、化学反応用の複数の薬品の輸送用、
ＤＮＡ配列の輸送用、反応の研究および分析のための薬
品および生体物質の輸送用、およびマイクロマシンにお
ける永久固定および／または取り外し可能なガスケット
として使用される薄肉で狭幅のプラスチック層の堆積用
等にも用いられる。
なく、半導体およびフラットパネルディスプレイ産業で
のフォトレジストその他の溶液被着用、薬品および生体
サンプルの輸送用、化学反応用の複数の薬品の輸送用、
ＤＮＡ配列の輸送用、反応の研究および分析のための薬
品および生体物質の輸送用、およびマイクロマシンにお
ける永久固定および／または取り外し可能なガスケット
として使用される薄肉で狭幅のプラスチック層の堆積用
等にも用いられる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，６１０，６４５号
【特許文献２】米国特許第５，９７１，５３１号
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したような多くの
用途において、フィルタがマイクロマシニングデバイス
と組み合わせて使用されている。流体ドロップイジェク
タの場合は、放出される流体を濾過して流体の流路の目
詰まりおよび／または流体の微粒子汚染を減じることが
望まれる。最新の方法では、レーザアブレーションされ
たフィルタ孔を備えたポリイミドフィルムなどの、あら
かじめ作製されたフィルタが流体ドロップイジェクタの
インレットに取り付けられている。インクジェット用途
における非一体形フィルタの例は、いずれも全体を本願
に引用して援用する、Ｍｏｏｒｅ他に授与された米国特
許第５，６１０，６４５号およびＤｉｅｔｌ他に授与さ
れた米国特許第５，９７１，５３１号に記載されてい
る。マイクロマシニングデバイスの種類に係わりなく、
濾過を行うには、一般にデバイスと同じオーダーのサイ
ズの微粒子を濾過できるフィルタが必要とされる。 本
発明は、マイクロマシニングデバイスに一体化されたマ
イクロマシンニングフィルタのシステムおよび製造方法
を提供するものである。
用途において、フィルタがマイクロマシニングデバイス
と組み合わせて使用されている。流体ドロップイジェク
タの場合は、放出される流体を濾過して流体の流路の目
詰まりおよび／または流体の微粒子汚染を減じることが
望まれる。最新の方法では、レーザアブレーションされ
たフィルタ孔を備えたポリイミドフィルムなどの、あら
かじめ作製されたフィルタが流体ドロップイジェクタの
インレットに取り付けられている。インクジェット用途
における非一体形フィルタの例は、いずれも全体を本願
に引用して援用する、Ｍｏｏｒｅ他に授与された米国特
許第５，６１０，６４５号およびＤｉｅｔｌ他に授与さ
れた米国特許第５，９７１，５３１号に記載されてい
る。マイクロマシニングデバイスの種類に係わりなく、
濾過を行うには、一般にデバイスと同じオーダーのサイ
ズの微粒子を濾過できるフィルタが必要とされる。 本
発明は、マイクロマシニングデバイスに一体化されたマ
イクロマシンニングフィルタのシステムおよび製造方法
を提供するものである。
【０００６】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、製造の複雑さの低減およ
び／または製造原価の低下がもたらされる。
ステムおよび製造方法により、製造の複雑さの低減およ
び／または製造原価の低下がもたらされる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記を達成するために、
第１の発明のマイクロマシニングフィルタシステムは、
基板上に形成された複数のマイクロマシンニング層を有
するマイクロデバイスと、少なくとも一つの前記マイク
ロマシンニング層に一体化されたマイクロマシンニング
フィルタと、を含むことを特徴とする。
第１の発明のマイクロマシニングフィルタシステムは、
基板上に形成された複数のマイクロマシンニング層を有
するマイクロデバイスと、少なくとも一つの前記マイク
ロマシンニング層に一体化されたマイクロマシンニング
フィルタと、を含むことを特徴とする。
【０００８】また、第１の発明のシステムにおいて、前
記マイクロデバイスは、複数のマイクロマシンニング層
を含み、前記マイクロマシンニングフィルタは、少なく
とも二つの前記複数のマイクロマシンニング層に一体化
されていてもよい。
記マイクロデバイスは、複数のマイクロマシンニング層
を含み、前記マイクロマシンニングフィルタは、少なく
とも二つの前記複数のマイクロマシンニング層に一体化
されていてもよい。
【０００９】また、第１の発明のシステムにおいて、前
記マイクロマシニングフィルタは、第１の交差ビーム群
からなるグリッドと、 第１のマイクロマシニング層に
形成された前記ビーム群を分離する第１の複数の孔と、
第２の交差ビーム群からなるグリッドと、前記第１のマ
イクロマシニング層に隣接した第２のマイクロマシニン
グ層に形成された、前記ビーム群を分離する第２の複数
の孔とを含み、前記第１および第２のグリッドは、少な
くとも一部が位置ずれしていることにより、第１および
第２の複数の孔の少なくとも一部が位置ずれするように
なっているグリッドであってもよい。
記マイクロマシニングフィルタは、第１の交差ビーム群
からなるグリッドと、 第１のマイクロマシニング層に
形成された前記ビーム群を分離する第１の複数の孔と、
第２の交差ビーム群からなるグリッドと、前記第１のマ
イクロマシニング層に隣接した第２のマイクロマシニン
グ層に形成された、前記ビーム群を分離する第２の複数
の孔とを含み、前記第１および第２のグリッドは、少な
くとも一部が位置ずれしていることにより、第１および
第２の複数の孔の少なくとも一部が位置ずれするように
なっているグリッドであってもよい。
【００１０】第２の発明のマイクロマシニングフィルタ
システムは、基板上に形成された複数のマイクロマシニ
ング層および流体インレットを有するマイクロデバイス
と、前記流体インレットの下流側で前記マイクロデバイ
スに一体化されたマイクロマシニングフィルタと、を含
むことを特徴とする。
システムは、基板上に形成された複数のマイクロマシニ
ング層および流体インレットを有するマイクロデバイス
と、前記流体インレットの下流側で前記マイクロデバイ
スに一体化されたマイクロマシニングフィルタと、を含
むことを特徴とする。
【００１１】第３の発明のフィルタは、ポリシリコンの
マイクロマシニング層を含むことを特徴とする。
マイクロマシニング層を含むことを特徴とする。
【００１２】第４の発明の一体化されたフィルタを有す
るマイクロデバイスの製造方法は、基板の形成と、前記
基板上への犠牲材料層の形成と、前記犠牲材料層のパタ
ーニングと、前記犠牲材料層上への構成材料層の形成
と、前記犠牲材料層の除去と、を含むことを特徴とす
る。
るマイクロデバイスの製造方法は、基板の形成と、前記
基板上への犠牲材料層の形成と、前記犠牲材料層のパタ
ーニングと、前記犠牲材料層上への構成材料層の形成
と、前記犠牲材料層の除去と、を含むことを特徴とす
る。
【００１３】本発明の種々の態様によれば、マイクロマ
シニングフィルタは、マイクロデバイス中の少なくとも
一つのマイクロマシニング層に一体化される。種々の態
様において、本発明のマイクロマシニングフィルタはポ
リシリコンで作製される。例えば、種々の態様における
マイクロマシンニングフィルタは、マイクロマシニング
デバイス中のポリシリコン層中でマイクロマシニングさ
れたものである。その他の種々の態様においては、マイ
クロマシニングフィルタは、必ずしもポリシリコンで作
製されるとは限らず、マイクロデバイス中の流体インレ
ットの下流側でマイクロデバイスに一体化されている。
シニングフィルタは、マイクロデバイス中の少なくとも
一つのマイクロマシニング層に一体化される。種々の態
様において、本発明のマイクロマシニングフィルタはポ
リシリコンで作製される。例えば、種々の態様における
マイクロマシンニングフィルタは、マイクロマシニング
デバイス中のポリシリコン層中でマイクロマシニングさ
れたものである。その他の種々の態様においては、マイ
クロマシニングフィルタは、必ずしもポリシリコンで作
製されるとは限らず、マイクロデバイス中の流体インレ
ットの下流側でマイクロデバイスに一体化されている。
【００１４】種々の態様における本発明のマイクロマシ
ニングフィルタは、一連の実質的に平行なビーム群を含
む。種々の態様におけるマイクロマシニングフィルタ
は、第１の一連の実質的に平行なビーム群および第２の
一連の実質的に平行なビーム群を含む。第１および第２
の一連のビーム群は、互いに平行で少なくとも一部が位
置ずれしている。あるいは、第１および第２の一連のビ
ーム群が互いに平行でなくてもよい。
ニングフィルタは、一連の実質的に平行なビーム群を含
む。種々の態様におけるマイクロマシニングフィルタ
は、第１の一連の実質的に平行なビーム群および第２の
一連の実質的に平行なビーム群を含む。第１および第２
の一連のビーム群は、互いに平行で少なくとも一部が位
置ずれしている。あるいは、第１および第２の一連のビ
ーム群が互いに平行でなくてもよい。
【００１５】その他の種々の態様における、本発明によ
るマイクロマシニングフィルタは、交差ビーム群からな
るグリッドおよびビーム群を分離する複数の孔を含む。
種々の態様におけるマイクロマシニングフィルタは、第
１の交差ビーム群からなるグリッド並びに第１の層に形
成されたビーム群を分離する第１の複数の孔、および第
２の交差ビーム群からなるグリッド並びに第１の層に隣
接した第２の層に形成されたビーム群を分離する第２の
複数の孔を含む。第１および第２のグリッドは少なくと
も一部が位置ずれしていて、第１および第２の複数の孔
が少なくとも一部で位置ずれするようになっている。
るマイクロマシニングフィルタは、交差ビーム群からな
るグリッドおよびビーム群を分離する複数の孔を含む。
種々の態様におけるマイクロマシニングフィルタは、第
１の交差ビーム群からなるグリッド並びに第１の層に形
成されたビーム群を分離する第１の複数の孔、および第
２の交差ビーム群からなるグリッド並びに第１の層に隣
接した第２の層に形成されたビーム群を分離する第２の
複数の孔を含む。第１および第２のグリッドは少なくと
も一部が位置ずれしていて、第１および第２の複数の孔
が少なくとも一部で位置ずれするようになっている。
【００１６】本発明による製造方法の種々の態様によれ
ば、ポリシリコン層を微細な孔を有する形にパターンニ
ングすることによりフィルタが作製される。種々の態様
において、微細孔のパターニングはフォトリソグラフィ
を用いて行われる。別の態様においては、電子ビームリ
ソグラフィを用いて極微細な孔のパターニングが行われ
ている。
ば、ポリシリコン層を微細な孔を有する形にパターンニ
ングすることによりフィルタが作製される。種々の態様
において、微細孔のパターニングはフォトリソグラフィ
を用いて行われる。別の態様においては、電子ビームリ
ソグラフィを用いて極微細な孔のパターニングが行われ
ている。
【００１７】本発明による、流体を濾過してマイクロデ
バイス内に流入させる方法の種々の態様によれば、流体
は、マイクロデバイス中の流体インレットから流体イン
レットの下流側でマイクロデバイスに一体化されたフィ
ルタを通して進められる。種々の態様によっては、流体
はさらに流体インレットの上流側の予備フィルタを通し
て進められる。
バイス内に流入させる方法の種々の態様によれば、流体
は、マイクロデバイス中の流体インレットから流体イン
レットの下流側でマイクロデバイスに一体化されたフィ
ルタを通して進められる。種々の態様によっては、流体
はさらに流体インレットの上流側の予備フィルタを通し
て進められる。
【００１８】種々の態様において、本発明のシステムお
よび方法により１０μｍの微粒子の濾過が行われる。別
の態様では、本発明のシステムおよび方法により２μｍ
の微粒子の濾過、または０．２μｍもの微小な微粒子の
濾過が行われる。さらに別の態様において、本発明のシ
ステムおよび方法によりナノスケールの微粒子の濾過が
行われる。
よび方法により１０μｍの微粒子の濾過が行われる。別
の態様では、本発明のシステムおよび方法により２μｍ
の微粒子の濾過、または０．２μｍもの微小な微粒子の
濾過が行われる。さらに別の態様において、本発明のシ
ステムおよび方法によりナノスケールの微粒子の濾過が
行われる。
【００１９】以上で説明したことから、本発明には、次
のような効果がある。本発明のマイクロマシニングフィ
ルタのシステムおよび製造方法により、高い精度および
／または均一性をもつフィルタが提供できる。
のような効果がある。本発明のマイクロマシニングフィ
ルタのシステムおよび製造方法により、高い精度および
／または均一性をもつフィルタが提供できる。
【００２０】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、ポリシリコンのフィルタ
が提供できる。
ステムおよび製造方法により、ポリシリコンのフィルタ
が提供できる。
【００２１】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、ポリイミドのフィルタが
提供できる。
ステムおよび製造方法により、ポリイミドのフィルタが
提供できる。
【００２２】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニングデバ
イス中の一つのポリシリコン層に形成されたフィルタが
提供できる。
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニングデバ
イス中の一つのポリシリコン層に形成されたフィルタが
提供できる。
【００２３】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニングデバ
イス中の複数のポリシリコン層に形成されたフィルタが
提供できる。
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニングデバ
イス中の複数のポリシリコン層に形成されたフィルタが
提供できる。
【００２４】本発明のマイクロマシニングフィルタのシ
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニング流体
イジェクタのプロセスにおける加工強度を向上できる。
ステムおよび製造方法により、マイクロマシニング流体
イジェクタのプロセスにおける加工強度を向上できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】上記およびその他の本発明の特徴
および効果は、本発明によるシステムおよび方法の種々
の典型的な実施形態についての以下の詳細な説明に記載
される、もしくはその説明により明らかにされる。
および効果は、本発明によるシステムおよび方法の種々
の典型的な実施形態についての以下の詳細な説明に記載
される、もしくはその説明により明らかにされる。
【００２６】本発明のシステムおよび方法についての種
々の典型的な実施形態を添付図面を参照して以下に詳細
に説明する。
々の典型的な実施形態を添付図面を参照して以下に詳細
に説明する。
【００２７】本発明の種々の実施形態によるマイクロマ
シニングフィルタは、第１の実質的に平行なビーム群お
よび第２の実質的に平行なビーム群を含み、第２のビー
ム群は第１のビーム群と交差してグリッドを形成してい
る。第１および第２のビーム群は、一つ以上のポリシリ
コン層に複数の孔をパターニングおよびエッチングして
形成することによって形成される。種々の実施形態によ
っては、一つの実質的に平行なビーム群を用いてフィル
タが形成されるものもある。
シニングフィルタは、第１の実質的に平行なビーム群お
よび第２の実質的に平行なビーム群を含み、第２のビー
ム群は第１のビーム群と交差してグリッドを形成してい
る。第１および第２のビーム群は、一つ以上のポリシリ
コン層に複数の孔をパターニングおよびエッチングして
形成することによって形成される。種々の実施形態によ
っては、一つの実質的に平行なビーム群を用いてフィル
タが形成されるものもある。
【００２８】種々の実施形態において、フォトリソグラ
フィを用いて孔を形成することにより、きわめて正確か
つ均一な結果がマイクロマシニングフィルタについて得
られる。例えば、最新の標準的なフォトリソグラフィ技
術の使用により、マイクロマシニングフィルタによって
約２μｍの微粒子を濾過できるようにすることができ
る。用いる作製方法次第で、本発明のフィルタによりサ
ブミクロンおよびナノスケールの濾過さえも行うことが
できる。
フィを用いて孔を形成することにより、きわめて正確か
つ均一な結果がマイクロマシニングフィルタについて得
られる。例えば、最新の標準的なフォトリソグラフィ技
術の使用により、マイクロマシニングフィルタによって
約２μｍの微粒子を濾過できるようにすることができ
る。用いる作製方法次第で、本発明のフィルタによりサ
ブミクロンおよびナノスケールの濾過さえも行うことが
できる。
【００２９】マイクロマシニングフィルタは複数の層に
作製することもできる。種々の実施形態において、第１
のビーム群および第２のビーム群は別々の層に形成され
て実際には交差しないようにされる。さらに、第１およ
び第２のビームが互いに平行でなく、例えば直交方向に
延びていても同様の結果が得られる。
作製することもできる。種々の実施形態において、第１
のビーム群および第２のビーム群は別々の層に形成され
て実際には交差しないようにされる。さらに、第１およ
び第２のビームが互いに平行でなく、例えば直交方向に
延びていても同様の結果が得られる。
【００３０】本発明によるマイクロマシニングフィルタ
システムは、マイクロデバイスに一体化されたマイクロ
マシニングフィルタを含む。マイクロデバイスに一体化
することによって、マイクロマシニングフィルタシステ
ムを同一または類似の方法を用いてマイクロデバイスと
併せて作製することが可能になる。例えば、種々の実施
形態におけるマイクロマシニングフィルタシステムは、
マイクロデバイス中の一つ以上のポリシリコン層に形成
されたポリシリコンフィルタを含む。その他の種々の実
施形態におけるマイクロマシニングフィルタシステム
は、マイクロデバイス中に形成されたポリイミドフィル
タを含む。すなわち、本発明のマイクロマシニングフィ
ルタシステムは、マイクロデバイスの作製に適した、あ
らゆる公知または今後開発される作製方法を用いて作製
することができる。
システムは、マイクロデバイスに一体化されたマイクロ
マシニングフィルタを含む。マイクロデバイスに一体化
することによって、マイクロマシニングフィルタシステ
ムを同一または類似の方法を用いてマイクロデバイスと
併せて作製することが可能になる。例えば、種々の実施
形態におけるマイクロマシニングフィルタシステムは、
マイクロデバイス中の一つ以上のポリシリコン層に形成
されたポリシリコンフィルタを含む。その他の種々の実
施形態におけるマイクロマシニングフィルタシステム
は、マイクロデバイス中に形成されたポリイミドフィル
タを含む。すなわち、本発明のマイクロマシニングフィ
ルタシステムは、マイクロデバイスの作製に適した、あ
らゆる公知または今後開発される作製方法を用いて作製
することができる。
【００３１】さらに、本発明によるマイクロマシニング
フィルタはマイクロデバイスに一体化されるので、マイ
クロデバイス中の流体インレットの下流側に設置するこ
とができる。これにより、流体がマイクロデバイスの流
体インレットに流入した後の、流体中に発生する微粒子
を濾過できるようになる。前述のように、既存の技術
は、流体がマイクロデバイスに流入する前に、一体化さ
れていない外付けフィルタを用いて流体の濾過を行うも
のである。したがって、マイクロデバイス内で生成した
微粒子については濾過による除去を行うことができな
い。種々の実施形態において、一体化されていない外付
けのプリフィルタが、一体化されたマイクロマシニング
フィルタと組み合わせて使用される。また、種々の実施
形態によっては、複数の一体化されたマイクロマシニン
グフィルタによってより小さい微粒子が連続して順に濾
過されるものもある。
フィルタはマイクロデバイスに一体化されるので、マイ
クロデバイス中の流体インレットの下流側に設置するこ
とができる。これにより、流体がマイクロデバイスの流
体インレットに流入した後の、流体中に発生する微粒子
を濾過できるようになる。前述のように、既存の技術
は、流体がマイクロデバイスに流入する前に、一体化さ
れていない外付けフィルタを用いて流体の濾過を行うも
のである。したがって、マイクロデバイス内で生成した
微粒子については濾過による除去を行うことができな
い。種々の実施形態において、一体化されていない外付
けのプリフィルタが、一体化されたマイクロマシニング
フィルタと組み合わせて使用される。また、種々の実施
形態によっては、複数の一体化されたマイクロマシニン
グフィルタによってより小さい微粒子が連続して順に濾
過されるものもある。
【００３２】本発明のシステムおよび方法によって、マ
イクロデバイスのフィルタ用に追加される製造、組立、
または取り付け等の工数が最小になり、製造の複雑さの
低減および／または製造原価の低下がもたらされる。例
えば、ポリシリコンフィルタの形成はマイクロデバイス
の形状規定に用いる工程と同じパターニングおよびエッ
チング工程を用いて行われるので、マスク層を追加する
必要はない。
イクロデバイスのフィルタ用に追加される製造、組立、
または取り付け等の工数が最小になり、製造の複雑さの
低減および／または製造原価の低下がもたらされる。例
えば、ポリシリコンフィルタの形成はマイクロデバイス
の形状規定に用いる工程と同じパターニングおよびエッ
チング工程を用いて行われるので、マスク層を追加する
必要はない。
【００３３】フォトリソグラフィなどの精密なサーフィ
スマイクロマシニング技術を用いることにより、高い精
度および／または均一性をもつフィルタが本発明のシス
テムおよび方法によって提供される。したがって、特定
用途毎の厳密な仕様のフィルタの供給が可能になる。本
発明のシステムおよび方法によって、１０μｍまたは２
μｍの微粒子の濾過あるいはサブミクロンすなわちナノ
スケールの濾過さえも種々の態様において実現されてい
る。本発明で使用可能なマイクロマシニング技術は、こ
こに述べたものに限定されず、マイクロフィルタを形成
可能なあらゆる公知または今後開発される技術を含む。
スマイクロマシニング技術を用いることにより、高い精
度および／または均一性をもつフィルタが本発明のシス
テムおよび方法によって提供される。したがって、特定
用途毎の厳密な仕様のフィルタの供給が可能になる。本
発明のシステムおよび方法によって、１０μｍまたは２
μｍの微粒子の濾過あるいはサブミクロンすなわちナノ
スケールの濾過さえも種々の態様において実現されてい
る。本発明で使用可能なマイクロマシニング技術は、こ
こに述べたものに限定されず、マイクロフィルタを形成
可能なあらゆる公知または今後開発される技術を含む。
【００３４】ここではマイクロマシニング流体イジェク
タを参照して本発明の典型的実施形態を説明するが、本
発明のマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製
造方法は、濾過を必要とするあらゆる公知もしくは今後
開発されるマイクロデバイスへの一体化に適しているこ
とは明らかである。
タを参照して本発明の典型的実施形態を説明するが、本
発明のマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製
造方法は、濾過を必要とするあらゆる公知もしくは今後
開発されるマイクロデバイスへの一体化に適しているこ
とは明らかである。
【００３５】図１に、本発明によるマイクロマシニング
フィルタ１００の第１の典型的実施形態の平面図を示
す。この態様におけるマイクロマシニングフィルタ１０
０はポリシリコンで作製されていて、図２に示すような
マイクロマシニング流体イジェクタなどのマイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。マイクロ
マシニングフィルタ１００は、例えば窒化シリコン、シ
リコンカーバイド、二酸化シリコン、単結晶シリコン、
ポリイミド、ＳＵ−８、アルミニウム、または金など
の、他の適当な材料から作製することもできる。
フィルタ１００の第１の典型的実施形態の平面図を示
す。この態様におけるマイクロマシニングフィルタ１０
０はポリシリコンで作製されていて、図２に示すような
マイクロマシニング流体イジェクタなどのマイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。マイクロ
マシニングフィルタ１００は、例えば窒化シリコン、シ
リコンカーバイド、二酸化シリコン、単結晶シリコン、
ポリイミド、ＳＵ−８、アルミニウム、または金など
の、他の適当な材料から作製することもできる。
【００３６】第１の典型的実施形態におけるマイクロマ
シニングフィルタ１００は第１の実質的に平行なビーム
群１１０および第２の実質的に平行なビーム群１１２を
含み、第２のビーム群１１２は第１のビーム群１１０と
交差してグリッドを形成している。第１および第２のビ
ーム群１１０，１１２は、一つ以上のポリシリコン層に
複数の孔１２０をパターニングおよびエッチングして形
成することにより形成される。フォトリソグラフィを用
いて孔１２０を形成することにより、きわめて精密かつ
均一な結果がマイクロマシニングフィルタ１００につい
て得られている。マイクロマシニングフィルタ１００が
濾過して除去し得る粒子サイズの唯一の制約となるの
は、マイクロマシニングフィルタ１００の作製に使用さ
れるプロセスの限界すなわちデザインルールである。例
えば、マイクロマシニングフィルタ１００が一つのポリ
シリコン層に作製される場合は、最新の標準的なフォト
リソグラフィ技術を用いることでマイクロマシニングフ
ィルタ１００が約２μｍの微粒子の濾過能力をもつよう
にすることができる。また、例えばディープＵＶステッ
パなどの最新のリソグラフィ技術を用いることにより約
０．２μｍもの微小なサブミクロンフィルタを作製する
こともできる。
シニングフィルタ１００は第１の実質的に平行なビーム
群１１０および第２の実質的に平行なビーム群１１２を
含み、第２のビーム群１１２は第１のビーム群１１０と
交差してグリッドを形成している。第１および第２のビ
ーム群１１０，１１２は、一つ以上のポリシリコン層に
複数の孔１２０をパターニングおよびエッチングして形
成することにより形成される。フォトリソグラフィを用
いて孔１２０を形成することにより、きわめて精密かつ
均一な結果がマイクロマシニングフィルタ１００につい
て得られている。マイクロマシニングフィルタ１００が
濾過して除去し得る粒子サイズの唯一の制約となるの
は、マイクロマシニングフィルタ１００の作製に使用さ
れるプロセスの限界すなわちデザインルールである。例
えば、マイクロマシニングフィルタ１００が一つのポリ
シリコン層に作製される場合は、最新の標準的なフォト
リソグラフィ技術を用いることでマイクロマシニングフ
ィルタ１００が約２μｍの微粒子の濾過能力をもつよう
にすることができる。また、例えばディープＵＶステッ
パなどの最新のリソグラフィ技術を用いることにより約
０．２μｍもの微小なサブミクロンフィルタを作製する
こともできる。
【００３７】さらに、孔１２０はナノメータスケールで
形成することもできる。例えば、電子ビームリソグラフ
ィを用いてナノスケールの孔のパターンニングを行うこ
とができる。構成層のエッチング時間を短くすることお
よびきわめて良好な層間選択比を用いることで小径孔の
作製が可能になる。
形成することもできる。例えば、電子ビームリソグラフ
ィを用いてナノスケールの孔のパターンニングを行うこ
とができる。構成層のエッチング時間を短くすることお
よびきわめて良好な層間選択比を用いることで小径孔の
作製が可能になる。
【００３８】第１の実施形態にはグリッドを形成する交
差ビーム１１０，１１２が備わっているが、使用する実
質的に平行なビーム群は一つだけであってもよい。ただ
し、この場合は、マイクロマシニングフィルタ１００
は、ビーム間の間隙より小さい寸法を少なくとも一つ有
さない微粒子のみを濾過して除去する。交差ビーム群１
１０，１１２を用いる方法では、孔１２０の幅より小さ
い寸法を少なくとも二つ有さない粒子が濾過によって除
去される。さらに、図では９０度に交差した交差ビーム
が示されているが、角度は所望により任意に選択するこ
とができる。
差ビーム１１０，１１２が備わっているが、使用する実
質的に平行なビーム群は一つだけであってもよい。ただ
し、この場合は、マイクロマシニングフィルタ１００
は、ビーム間の間隙より小さい寸法を少なくとも一つ有
さない微粒子のみを濾過して除去する。交差ビーム群１
１０，１１２を用いる方法では、孔１２０の幅より小さ
い寸法を少なくとも二つ有さない粒子が濾過によって除
去される。さらに、図では９０度に交差した交差ビーム
が示されているが、角度は所望により任意に選択するこ
とができる。
【００３９】マイクロマシニングフィルタ１００が複数
の層に作製される場合は、第１のビーム群１１０と第２
のビーム群１１２とは別々の層に形成されて実際には交
差しないようにされる。さらに、第１および第２のビー
ム群１１０，１１２が互いに平行でなく、例えば直交方
向に延びていても同様の結果が得られる。
の層に作製される場合は、第１のビーム群１１０と第２
のビーム群１１２とは別々の層に形成されて実際には交
差しないようにされる。さらに、第１および第２のビー
ム群１１０，１１２が互いに平行でなく、例えば直交方
向に延びていても同様の結果が得られる。
【００４０】孔１２０はフォトリソグラフィ技術を用い
て形成されるが、任意の適当な公知もしくは今後開発さ
れるマイクロマシンニング技術を用いることもできる。
例えば、マイクロマシニング技術として、マイクロデバ
イス全体の作製に用いられる技術と整合するもの、ある
いはフィルタおよび／またはマイクロデバイスの作製に
用いられる材料と整合するもの等が選択される。
て形成されるが、任意の適当な公知もしくは今後開発さ
れるマイクロマシンニング技術を用いることもできる。
例えば、マイクロマシニング技術として、マイクロデバ
イス全体の作製に用いられる技術と整合するもの、ある
いはフィルタおよび／またはマイクロデバイスの作製に
用いられる材料と整合するもの等が選択される。
【００４１】例えば、本発明のマイクロマシニングフィ
ルタが一体化されるマイクロデバイスは、ＳＵＭＭｉＴ
プロセスまたは他の適当なマイクロマシニングプロセス
を用いて作製される。ＳＵＭＭｉＴプロセスについて
は、いずれも全体を本願に引用して援用する、米国特許
第５，７８３，３４０号、５，７９８，２８３号、５，
８０４，０８４号、５，９１９，５４８号、５，９６
３，７８８号、および６，０５３，２０８号などの、Ｓ
ａｎｄｉａ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｓ所有の各米国
特許に包括されている。主にはこのＳＵＭＭｉＴプロセ
スは、上記’０８４号および’２０８号の特許に包括さ
れている。特例的に、同時申請された、全体を本願に引
用して援用する、同時係属中の米国特許出願第０９／７
２３，２４３号に記載の方法が使用されることもある。
ルタが一体化されるマイクロデバイスは、ＳＵＭＭｉＴ
プロセスまたは他の適当なマイクロマシニングプロセス
を用いて作製される。ＳＵＭＭｉＴプロセスについて
は、いずれも全体を本願に引用して援用する、米国特許
第５，７８３，３４０号、５，７９８，２８３号、５，
８０４，０８４号、５，９１９，５４８号、５，９６
３，７８８号、および６，０５３，２０８号などの、Ｓ
ａｎｄｉａ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｓ所有の各米国
特許に包括されている。主にはこのＳＵＭＭｉＴプロセ
スは、上記’０８４号および’２０８号の特許に包括さ
れている。特例的に、同時申請された、全体を本願に引
用して援用する、同時係属中の米国特許出願第０９／７
２３，２４３号に記載の方法が使用されることもある。
【００４２】Ｃｒｏｎｏｓ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｍ
ｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓによるマルチユーザマイクロエ
レクトロメカニカルシステム（ＭＵＭＰＳ）などの、ポ
リシリコンサーフィスマイクロマシニングプロセスも本
発明に適合するものである。このＭＵＭＰＳプロセスは
標準的な３層ポリシリコンサーフィスマイクロマシニン
グプロセスである。この他に、シリコンオンインシュレ
ータ（ＳＯＩ）ウェハの上面でサーフィスマイクロマシ
ニングを行うプロセスも使用可能である。このプロセス
については、全体を本願に引用して援用する、同時継続
中の米国特許出願第０９／４６７，５２６号、０９／４
６８，４２３号、および０９／４６８，１４１号に記載
されている。
ｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓによるマルチユーザマイクロエ
レクトロメカニカルシステム（ＭＵＭＰＳ）などの、ポ
リシリコンサーフィスマイクロマシニングプロセスも本
発明に適合するものである。このＭＵＭＰＳプロセスは
標準的な３層ポリシリコンサーフィスマイクロマシニン
グプロセスである。この他に、シリコンオンインシュレ
ータ（ＳＯＩ）ウェハの上面でサーフィスマイクロマシ
ニングを行うプロセスも使用可能である。このプロセス
については、全体を本願に引用して援用する、同時継続
中の米国特許出願第０９／４６７，５２６号、０９／４
６８，４２３号、および０９／４６８，１４１号に記載
されている。
【００４３】図２に示すように、マイクロマシニングフ
ィルタ１００は、典型的なマイクロマシニング流体イジ
ェクタ２００に一体化される。典型的なマイクロマシニ
ング流体イジェクタ２００は、シリコン基板２１０、複
数のポリシリコン層（２００および２３０）、およびポ
リイミド層２４０を含む。
ィルタ１００は、典型的なマイクロマシニング流体イジ
ェクタ２００に一体化される。典型的なマイクロマシニ
ング流体イジェクタ２００は、シリコン基板２１０、複
数のポリシリコン層（２００および２３０）、およびポ
リイミド層２４０を含む。
【００４４】典型的な製造プロセスにおいて、酸化物層
２１４がシリコン基板２１０上に形成される。酸化物層
２１４上に、窒化シリコン層２１６が堆積され、必要に
応じてパターニングおよびエッチングされる。第１のポ
リシリコン層２２０が窒化シリコン層２１６上に堆積さ
れ、次いでパターニングおよびエッチングされてマイク
ロマシニングフィルタ１００および、例えば電極２２２
などの、その他のストラクチャが形成される。公知の方
法では、二酸化シリコンなどの犠牲層（図示せず）が堆
積、パターニング、およびエッチングされて、マイクロ
マシニング流体イジェクタ２００の形状が規定される。
第２のポリシリコン層２３０がエッチングされた犠牲層
上に堆積され、次いでパターニングおよびエッチングさ
れて、例えばイジェクタプレート２３２およびスプリン
グ２３４などの、その他のストラクチャが形成される。
２１４がシリコン基板２１０上に形成される。酸化物層
２１４上に、窒化シリコン層２１６が堆積され、必要に
応じてパターニングおよびエッチングされる。第１のポ
リシリコン層２２０が窒化シリコン層２１６上に堆積さ
れ、次いでパターニングおよびエッチングされてマイク
ロマシニングフィルタ１００および、例えば電極２２２
などの、その他のストラクチャが形成される。公知の方
法では、二酸化シリコンなどの犠牲層（図示せず）が堆
積、パターニング、およびエッチングされて、マイクロ
マシニング流体イジェクタ２００の形状が規定される。
第２のポリシリコン層２３０がエッチングされた犠牲層
上に堆積され、次いでパターニングおよびエッチングさ
れて、例えばイジェクタプレート２３２およびスプリン
グ２３４などの、その他のストラクチャが形成される。
【００４５】マイクロマシニングフィルタ１００は、流
体イジェクタ２００中の任意のポリシリコン層、または
任意の組み合わせのポリシリコン層に形成可能なことは
明らかである。例えば、二酸化シリコンが、剥離エッチ
ング時にエッチング除去されないように、二つのポリシ
リコン層の間に入れられる。この二酸化シリコンによっ
て以降のプロセスにおける加工強度が付与される。
体イジェクタ２００中の任意のポリシリコン層、または
任意の組み合わせのポリシリコン層に形成可能なことは
明らかである。例えば、二酸化シリコンが、剥離エッチ
ング時にエッチング除去されないように、二つのポリシ
リコン層の間に入れられる。この二酸化シリコンによっ
て以降のプロセスにおける加工強度が付与される。
【００４６】図に示すように、イジェクタ２００内に流
体を流入させるための流体インレット２１２が、公知の
方法を用いてシリコン基板２１０中にエッチング形成さ
れる。例えば、シリコン基板２１０の裏面が窒化物層お
よび酸化物層を用いてパターニングされて、水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）でのエッチングに供される。窒化物層お
よび酸化物層はフッ酸を用いてシリコン基板２１０の裏
面から除去される。ただし、典型的な製造プロセスによ
れば、酸化物層２１４および窒化物層２１６は、流体イ
ンレット２１２の上側でかつフィルタ１００の下側の所
定位置に残されて、後続の工程の間にスピン塗布された
レジストおよびポリイミドが流体インレット２１２から
落ちることが防止されるようにされている。あるいは、
リアクティブイオンエッチング剤に適合したマスキング
層を用いて、流体インレット２１２をリアクティブイオ
ンエッチングまたはディープリアクティブイオンエッチ
ングによりエッチング形成することもできる。
体を流入させるための流体インレット２１２が、公知の
方法を用いてシリコン基板２１０中にエッチング形成さ
れる。例えば、シリコン基板２１０の裏面が窒化物層お
よび酸化物層を用いてパターニングされて、水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）でのエッチングに供される。窒化物層お
よび酸化物層はフッ酸を用いてシリコン基板２１０の裏
面から除去される。ただし、典型的な製造プロセスによ
れば、酸化物層２１４および窒化物層２１６は、流体イ
ンレット２１２の上側でかつフィルタ１００の下側の所
定位置に残されて、後続の工程の間にスピン塗布された
レジストおよびポリイミドが流体インレット２１２から
落ちることが防止されるようにされている。あるいは、
リアクティブイオンエッチング剤に適合したマスキング
層を用いて、流体インレット２１２をリアクティブイオ
ンエッチングまたはディープリアクティブイオンエッチ
ングによりエッチング形成することもできる。
【００４７】例えば、厚膜の犠牲フォトレジスト層（図
示せず）がスピン塗布され、パターニングおよびエッチ
ングされて、ポリイミド層２４０が流入する孔が形成さ
れる。ポリイミド層２４０がスピン塗布され、パターニ
ングおよびエッチングされる。例えば、ノズル孔２４２
が公知の方法を用いてポリイミド層２４０内にエッチン
グ形成されて、イジェクタ２００からの流体放出ができ
るようにされる。イジェクタ２００がパッケージングを
除いて完成すると、流体インレット２１２の上側でかつ
フィルタ１００の下側の所定位置に残っていた酸化物層
２１４および窒化物層２１６が除去される。
示せず）がスピン塗布され、パターニングおよびエッチ
ングされて、ポリイミド層２４０が流入する孔が形成さ
れる。ポリイミド層２４０がスピン塗布され、パターニ
ングおよびエッチングされる。例えば、ノズル孔２４２
が公知の方法を用いてポリイミド層２４０内にエッチン
グ形成されて、イジェクタ２００からの流体放出ができ
るようにされる。イジェクタ２００がパッケージングを
除いて完成すると、流体インレット２１２の上側でかつ
フィルタ１００の下側の所定位置に残っていた酸化物層
２１４および窒化物層２１６が除去される。
【００４８】図２に示すように、インクインレット２１
２の上流側に、プリフィルタ２５０をマイクロマシニン
グ流体イジェクタ２００に付加することもできる。プリ
フィルタ２５０によってフィルタ１００に達する前のイ
ンクの濾過が行われ、それによりフィルタ１００を目詰
まりさせる恐れのある比較的大きい粒子がインクから取
り除かれる。プリフィルタ２５０は、インクインレット
２１２の上流側に位置しているので、必須となる目詰ま
り解除の場合にフィルタ１００よりも取り扱いやすい。
プリフィルタ２５０は、任意の適当な方法および任意の
適当な材料によって作製できると共に、例えば、任意の
適当な接着剤によってシリコン基板２１０に貼り付ける
ことができる。
２の上流側に、プリフィルタ２５０をマイクロマシニン
グ流体イジェクタ２００に付加することもできる。プリ
フィルタ２５０によってフィルタ１００に達する前のイ
ンクの濾過が行われ、それによりフィルタ１００を目詰
まりさせる恐れのある比較的大きい粒子がインクから取
り除かれる。プリフィルタ２５０は、インクインレット
２１２の上流側に位置しているので、必須となる目詰ま
り解除の場合にフィルタ１００よりも取り扱いやすい。
プリフィルタ２５０は、任意の適当な方法および任意の
適当な材料によって作製できると共に、例えば、任意の
適当な接着剤によってシリコン基板２１０に貼り付ける
ことができる。
【００４９】図２に示すストラクチャを得るための別の
典型的方法としてレーザアブレーションがある。ポリイ
ミド、ＳＵ−８、その他の適当な材料のベタ膜すなわち
層が、フォトマスクを通して強力なレーザ光を照射する
ことによってパターニングされる。このようにして、一
部または全深さに及ぶ孔が刻まれて、図２に示すフィル
タ１００の孔が画定される。一連のマスクを用いること
により種々の深さの領域が画定される。レーザアブレー
ションによってフィルタ１００が形成されたフィルム
は、次に任意の適当な接着剤を用いてシリコン基板２１
０に接合される。
典型的方法としてレーザアブレーションがある。ポリイ
ミド、ＳＵ−８、その他の適当な材料のベタ膜すなわち
層が、フォトマスクを通して強力なレーザ光を照射する
ことによってパターニングされる。このようにして、一
部または全深さに及ぶ孔が刻まれて、図２に示すフィル
タ１００の孔が画定される。一連のマスクを用いること
により種々の深さの領域が画定される。レーザアブレー
ションによってフィルタ１００が形成されたフィルム
は、次に任意の適当な接着剤を用いてシリコン基板２１
０に接合される。
【００５０】前述の効果に加えて、図２に示すようにマ
イクロマシニングフィルタ１００をイジェクタ２００に
一体化することによって、流体インレット２１２上の所
定位置に残された酸化物層２１４と窒化物層２１６との
薄いメンブレンに強度が付加される。酸化物層２１４お
よび窒化物層２１６はイジェクタ２００の作製の間は所
定位置に存在し、プロセスの終了時に除去される。酸化
物層２１４および窒化物層２１６の除去が早過ぎると、
フォトレジストがウェハを貫通して孔内に落ちるためウ
ェハ上へのフォトレジストのスピン塗布が困難になる。
イクロマシニングフィルタ１００をイジェクタ２００に
一体化することによって、流体インレット２１２上の所
定位置に残された酸化物層２１４と窒化物層２１６との
薄いメンブレンに強度が付加される。酸化物層２１４お
よび窒化物層２１６はイジェクタ２００の作製の間は所
定位置に存在し、プロセスの終了時に除去される。酸化
物層２１４および窒化物層２１６の除去が早過ぎると、
フォトレジストがウェハを貫通して孔内に落ちるためウ
ェハ上へのフォトレジストのスピン塗布が困難になる。
【００５１】図３に、本発明によるマイクロマシニング
フィルタ３００の第２の典型的実施形態の平面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
３００はポリシリコンで作製されていて、図４に示すよ
うなマイクロマシニング流体イジェクタなどのマイクロ
デバイスに容易に一体化できるようになっている。第１
の実施形態に関連して前述したように、マイクロマシニ
ングフィルタ３００は任意の適当な他の材料から作製す
ることもできる。
フィルタ３００の第２の典型的実施形態の平面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
３００はポリシリコンで作製されていて、図４に示すよ
うなマイクロマシニング流体イジェクタなどのマイクロ
デバイスに容易に一体化できるようになっている。第１
の実施形態に関連して前述したように、マイクロマシニ
ングフィルタ３００は任意の適当な他の材料から作製す
ることもできる。
【００５２】第２の典型的実施形態におけるマイクロマ
シニングフィルタ３００は、第１の実質的に平行なビー
ム群３１０および第２の実質的に平行なビーム群３１２
を含み、第２のビーム群３１２は第１のビーム群３１０
と交差してグリッドを形成している。第１および第２の
ビーム群３１０，３１２によって形成されるグリッド
は、両側が頑丈な縁部３１４に支えられている。第１の
典型的実施形態の場合と同様に、第１および第２のビー
ム群３１０，３１２は、一つ以上のポリシリコン層中に
複数の孔３２０をパターニングおよびエッチングして形
成することによって形成される。
シニングフィルタ３００は、第１の実質的に平行なビー
ム群３１０および第２の実質的に平行なビーム群３１２
を含み、第２のビーム群３１２は第１のビーム群３１０
と交差してグリッドを形成している。第１および第２の
ビーム群３１０，３１２によって形成されるグリッド
は、両側が頑丈な縁部３１４に支えられている。第１の
典型的実施形態の場合と同様に、第１および第２のビー
ム群３１０，３１２は、一つ以上のポリシリコン層中に
複数の孔３２０をパターニングおよびエッチングして形
成することによって形成される。
【００５３】図４に示すように、マイクロマシニングフ
ィルタ３００は典型的なマイクロマシニング流体イジェ
クタ４００に一体化される。典型的マイクロマシニング
流体イジェクタ４００は、シリコン基板４１０、複数の
ポリシリコン層（４２０および４３０）、およびポリイ
ミド層４４０を含む。また、イジェクタ４００は、第１
の典型的実施形態に関連して前述したように、プリフィ
ルタ４５０を含むこともある。
ィルタ３００は典型的なマイクロマシニング流体イジェ
クタ４００に一体化される。典型的マイクロマシニング
流体イジェクタ４００は、シリコン基板４１０、複数の
ポリシリコン層（４２０および４３０）、およびポリイ
ミド層４４０を含む。また、イジェクタ４００は、第１
の典型的実施形態に関連して前述したように、プリフィ
ルタ４５０を含むこともある。
【００５４】第１の実施形態に関連して前述したプロセ
スと同様の典型的製造プロセスにおいて、酸化物層４１
４がシリコン基板４１０上に形成される。酸化物層４１
４上に、窒化シリコン層４１６が堆積され、次いで必要
に応じてパターニングおよびエッチングされる。酸化物
層４１４および窒化物層４１６の両方を用いることによ
り、前述の裏面水酸化カリウム（ＫＯＨ）エッチングか
らの保護機能が高められる。さらに、これによってシリ
コン基板４１０の表面のデバイスが絶縁破壊することな
く高電圧で動作できるようになる。酸化物層４１４と窒
化物層４１６とはそれぞれ独立にパターニングされ、酸
化物層４１４はインクインレット４１２の周りでリング
形に除去される。これにより、水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）エッチングでの酸化物層を通した横からのエッチン
グによる、窒化物層４１６のアンダーカットおよびイン
クインレット２１２の孔の拡大が防止される。
スと同様の典型的製造プロセスにおいて、酸化物層４１
４がシリコン基板４１０上に形成される。酸化物層４１
４上に、窒化シリコン層４１６が堆積され、次いで必要
に応じてパターニングおよびエッチングされる。酸化物
層４１４および窒化物層４１６の両方を用いることによ
り、前述の裏面水酸化カリウム（ＫＯＨ）エッチングか
らの保護機能が高められる。さらに、これによってシリ
コン基板４１０の表面のデバイスが絶縁破壊することな
く高電圧で動作できるようになる。酸化物層４１４と窒
化物層４１６とはそれぞれ独立にパターニングされ、酸
化物層４１４はインクインレット４１２の周りでリング
形に除去される。これにより、水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）エッチングでの酸化物層を通した横からのエッチン
グによる、窒化物層４１６のアンダーカットおよびイン
クインレット２１２の孔の拡大が防止される。
【００５５】第２の典型的実施形態においては、第２の
酸化物層４１８が堆積、パターニングおよびエッチング
されて、下側に流体インレット４１２が形成されかつ上
側にマイクロマシニングフィルタ３００が形成される領
域上にこの酸化物層が残るようにされる。
酸化物層４１８が堆積、パターニングおよびエッチング
されて、下側に流体インレット４１２が形成されかつ上
側にマイクロマシニングフィルタ３００が形成される領
域上にこの酸化物層が残るようにされる。
【００５６】第１のポリシリコン層４２０が窒化シリコ
ン層４１６上に堆積され、次いでパターニングおよびエ
ッチングされてマイクロマシニングフィルタ３００、お
よび例えば電極４２２などのその他のストラクチャが形
成される。第２の酸化物層４１８は、マイクロマシニン
グフィルタ３００中の孔３２０の形成に用いられるエッ
チングに伴う選択比の問題を回避する上で有効である。
頑丈な縁部３１４はエッチングされないので、マイクロ
マシニングフィルタ３００は、ポリシリコンエッチング
において低い選択比を示す窒化物層ではなく、第２の酸
化物層４１８が下方に存在している、第１のポリシリコ
ン層４２０中の領域にのみ孔３２０をエッチング形成す
ることによって形成される。
ン層４１６上に堆積され、次いでパターニングおよびエ
ッチングされてマイクロマシニングフィルタ３００、お
よび例えば電極４２２などのその他のストラクチャが形
成される。第２の酸化物層４１８は、マイクロマシニン
グフィルタ３００中の孔３２０の形成に用いられるエッ
チングに伴う選択比の問題を回避する上で有効である。
頑丈な縁部３１４はエッチングされないので、マイクロ
マシニングフィルタ３００は、ポリシリコンエッチング
において低い選択比を示す窒化物層ではなく、第２の酸
化物層４１８が下方に存在している、第１のポリシリコ
ン層４２０中の領域にのみ孔３２０をエッチング形成す
ることによって形成される。
【００５７】第１の実施形態に関連して前述したよう
に、二酸化シリコンなどの犠牲層（図示せず）が堆積さ
れ、パターニングおよびエッチングされてマイクロマシ
ニング流体イジェクタ４００の形状が規定される。第２
のポリシリコン層４３０がエッチングされた犠牲層上に
堆積され、次いでパターニングおよびエッチングされ
て、例えばイジェクタプレート４３２およびスプリング
４３４などのその他のストラクチャが形成される。この
後、流体インレット４１２がシリコン基板４１０中にエ
ッチング形成される。このインレット形成は、酸化物層
４１４、窒化物層４１６、および第２の酸化物層４１８
を流体インレット４１２の上側でかつフィルタ３００の
下側の所定位置に残して、スピン塗布されたレジストお
よびポリイミドが後続の工程の間に流体インレット４１
２から落ちることを防止した状態で行われる。
に、二酸化シリコンなどの犠牲層（図示せず）が堆積さ
れ、パターニングおよびエッチングされてマイクロマシ
ニング流体イジェクタ４００の形状が規定される。第２
のポリシリコン層４３０がエッチングされた犠牲層上に
堆積され、次いでパターニングおよびエッチングされ
て、例えばイジェクタプレート４３２およびスプリング
４３４などのその他のストラクチャが形成される。この
後、流体インレット４１２がシリコン基板４１０中にエ
ッチング形成される。このインレット形成は、酸化物層
４１４、窒化物層４１６、および第２の酸化物層４１８
を流体インレット４１２の上側でかつフィルタ３００の
下側の所定位置に残して、スピン塗布されたレジストお
よびポリイミドが後続の工程の間に流体インレット４１
２から落ちることを防止した状態で行われる。
【００５８】厚膜のフォトレジスト層（図示せず）がス
ピン塗布され、パターニングおよびエッチングされて、
例えば、ポリイミド層４４０が流入する孔が形成され
る。ポリイミド層４４０がスピン塗布され、パターニン
グおよびエッチングされる。例えば、ノズル孔４４２が
公知の方法を用いてポリイミド層４４０内にエッチング
形成されて、イジェクタ４００からの流体放出ができる
ようにされる。パッケージングを除いてイジェクタ４０
０が完成すると、流体インレット４１２の上側でかつフ
ィルタ３００の下側の所定位置に存在していた窒化物層
４１６および第２の酸化物層４１８が除去される。
ピン塗布され、パターニングおよびエッチングされて、
例えば、ポリイミド層４４０が流入する孔が形成され
る。ポリイミド層４４０がスピン塗布され、パターニン
グおよびエッチングされる。例えば、ノズル孔４４２が
公知の方法を用いてポリイミド層４４０内にエッチング
形成されて、イジェクタ４００からの流体放出ができる
ようにされる。パッケージングを除いてイジェクタ４０
０が完成すると、流体インレット４１２の上側でかつフ
ィルタ３００の下側の所定位置に存在していた窒化物層
４１６および第２の酸化物層４１８が除去される。
【００５９】図５に、本発明によるマイクロマシニング
フィルタ５００の第３の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
５００はポリシリコンで作製されていて、マイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。前述した
ように、マイクロマシニングフィルタ５００は適当な他
の材料から作製することもできる。
フィルタ５００の第３の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
５００はポリシリコンで作製されていて、マイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。前述した
ように、マイクロマシニングフィルタ５００は適当な他
の材料から作製することもできる。
【００６０】第３の典型的実施形態におけるマイクロマ
シニングフィルタ５００は、第１のポリシリコン層５１
０、および第１のポリシリコン層５１０上に形成された
第２のポリシリコン層５２０を含む。第１および第２の
ポリシリコン層５１０，５２０の各々は、一連の実質的
に平行なビーム群、または第１の実質的に平行なビーム
群および第１のビーム群と交差してグリッドを形成する
第２の実質的に平行なビーム群、のいずれかを含んでい
る。第１のポリシリコン層５１０中のビーム群および第
２のポリシリコン層５２０中のビーム群は、それぞれの
ポリシリコン層に複数の孔５１２および５２２をパター
ニングおよびエッチングして形成することによって形成
される。図に示すように、孔５１２および５２２は位置
ずれしていて、第１のポリシリコン層５１０中のビーム
群が第２のポリシリコン層５２０中の孔５２２に位置整
合し、第２のポリシリコン層５２０中のビーム群が第１
のポリシリコン層５１０中の孔５１２に位置整合するよ
うになっている。
シニングフィルタ５００は、第１のポリシリコン層５１
０、および第１のポリシリコン層５１０上に形成された
第２のポリシリコン層５２０を含む。第１および第２の
ポリシリコン層５１０，５２０の各々は、一連の実質的
に平行なビーム群、または第１の実質的に平行なビーム
群および第１のビーム群と交差してグリッドを形成する
第２の実質的に平行なビーム群、のいずれかを含んでい
る。第１のポリシリコン層５１０中のビーム群および第
２のポリシリコン層５２０中のビーム群は、それぞれの
ポリシリコン層に複数の孔５１２および５２２をパター
ニングおよびエッチングして形成することによって形成
される。図に示すように、孔５１２および５２２は位置
ずれしていて、第１のポリシリコン層５１０中のビーム
群が第２のポリシリコン層５２０中の孔５２２に位置整
合し、第２のポリシリコン層５２０中のビーム群が第１
のポリシリコン層５１０中の孔５１２に位置整合するよ
うになっている。
【００６１】典型的な製造プロセスによれば、第１のポ
リシリコン層５１０がパターニングおよびエッチングさ
れて孔５１２が形成された後、第１および第２のポリシ
リコン層５１０および５２０間の空隙で表される犠牲酸
化物層が堆積される。犠牲酸化物層は下地に順応してい
るため、第２のポリシリコン層５２０の一部は第１のポ
リシリコン層５１０中の孔５１２内に延びている。
リシリコン層５１０がパターニングおよびエッチングさ
れて孔５１２が形成された後、第１および第２のポリシ
リコン層５１０および５２０間の空隙で表される犠牲酸
化物層が堆積される。犠牲酸化物層は下地に順応してい
るため、第２のポリシリコン層５２０の一部は第１のポ
リシリコン層５１０中の孔５１２内に延びている。
【００６２】犠牲酸化物層が除去されると、第１および
第２のポリシリコン層５１０および５２０間に隙間５３
０が残る。隙間５３０のサイズによって、マイクロマシ
ニングフィルタ５００を通過する流体から濾過によって
除去される微粒子のサイズが規定される。つまり、形成
される犠牲酸化物層の厚さの限界が、マイクロマシンン
グフィルタ５００が濾過して除去し得る微粒子サイズの
唯一の制約となる。例えば、最新の技術によれば約０．
２μｍ厚さの酸化物層を堆積して、マイクロマシニング
フィルタ５００が約０．２μｍもの微小な微粒子の濾過
能力をもつようにすることができる。その他の技術によ
ってもナノスケールのフィルタを得ることができるが、
酸化物層が該酸化物層上のポリシリコン層のエッチング
に対する耐性を有していることが必要である。すなわ
ち、ポリシリコン層を薄くすると共に層間選択比を向上
することで微細フィルタの作製が可能になる。
第２のポリシリコン層５１０および５２０間に隙間５３
０が残る。隙間５３０のサイズによって、マイクロマシ
ニングフィルタ５００を通過する流体から濾過によって
除去される微粒子のサイズが規定される。つまり、形成
される犠牲酸化物層の厚さの限界が、マイクロマシンン
グフィルタ５００が濾過して除去し得る微粒子サイズの
唯一の制約となる。例えば、最新の技術によれば約０．
２μｍ厚さの酸化物層を堆積して、マイクロマシニング
フィルタ５００が約０．２μｍもの微小な微粒子の濾過
能力をもつようにすることができる。その他の技術によ
ってもナノスケールのフィルタを得ることができるが、
酸化物層が該酸化物層上のポリシリコン層のエッチング
に対する耐性を有していることが必要である。すなわ
ち、ポリシリコン層を薄くすると共に層間選択比を向上
することで微細フィルタの作製が可能になる。
【００６３】図６に、本発明によるマイクロマシニング
フィルタ６００の第４の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
６００はポリシリコンで作製されていて、マイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。前述した
ように、マイクロマシニングフィルタ６００は適当な他
の材料から作製することもできる。
フィルタ６００の第４の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
６００はポリシリコンで作製されていて、マイクロデバ
イスに容易に一体化できるようになっている。前述した
ように、マイクロマシニングフィルタ６００は適当な他
の材料から作製することもできる。
【００６４】第３の例示的実施形態の場合と同様に、マ
イクロマシニングフィルタ６００は、第１のポリシリコ
ン層６１０、および第１のポリシリコン層６１０上に形
成された第２のポリシリコン層６２０を含む。第１およ
び第２のポリシリコン層６１０，６２０の各々は、一連
の実質的に平行なビーム群、または第１の実質的に平行
なビーム群および第１のビーム群と交差してグリッドを
形成する第２の実質的に平行なビーム群、のいずれかを
含んでいる。第１のポリシリコン層６１０中のビーム群
および第２のポリシリコン層６２０中のビーム群は、そ
れぞれのポリシリコン層に複数の孔６１２および６２２
をパターニングおよびエッチング形成することにより形
成される。図に示すように、孔６１２および６２２は位
置ずれしていて、第１のポリシリコン層６１０中のビー
ム群が第２のポリシリコン層６２０中の孔６２２に位置
整合し、第２のポリシリコン層６２０中のビーム群が第
１のポリシリコン層６１０中の孔６１２に位置整合する
ようになっている。
イクロマシニングフィルタ６００は、第１のポリシリコ
ン層６１０、および第１のポリシリコン層６１０上に形
成された第２のポリシリコン層６２０を含む。第１およ
び第２のポリシリコン層６１０，６２０の各々は、一連
の実質的に平行なビーム群、または第１の実質的に平行
なビーム群および第１のビーム群と交差してグリッドを
形成する第２の実質的に平行なビーム群、のいずれかを
含んでいる。第１のポリシリコン層６１０中のビーム群
および第２のポリシリコン層６２０中のビーム群は、そ
れぞれのポリシリコン層に複数の孔６１２および６２２
をパターニングおよびエッチング形成することにより形
成される。図に示すように、孔６１２および６２２は位
置ずれしていて、第１のポリシリコン層６１０中のビー
ム群が第２のポリシリコン層６２０中の孔６２２に位置
整合し、第２のポリシリコン層６２０中のビーム群が第
１のポリシリコン層６１０中の孔６１２に位置整合する
ようになっている。
【００６５】典型的な製造プロセスによれば、第１のポ
リシリコン層６１０がパターニングおよびエッチングさ
れて孔６１２が形成された後、比較的厚い犠牲酸化物層
（図示せず）が堆積される。犠牲酸化物層は、次に例え
ば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって平坦化されて、
第１のポリシリコン層６１０中のビーム群の上面におい
て所望の厚さが得られるようにされる。第１および第２
のポリシリコン層６１０および６２０間の空隙で表され
る、平坦化された犠牲酸化物層は、第２のポリシリコン
層６２０が第１のポリシリコン層６１０中の孔６１２内
に延びることを防いでいる。
リシリコン層６１０がパターニングおよびエッチングさ
れて孔６１２が形成された後、比較的厚い犠牲酸化物層
（図示せず）が堆積される。犠牲酸化物層は、次に例え
ば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって平坦化されて、
第１のポリシリコン層６１０中のビーム群の上面におい
て所望の厚さが得られるようにされる。第１および第２
のポリシリコン層６１０および６２０間の空隙で表され
る、平坦化された犠牲酸化物層は、第２のポリシリコン
層６２０が第１のポリシリコン層６１０中の孔６１２内
に延びることを防いでいる。
【００６６】犠牲酸化物層が除去されると、第１および
第２のポリシリコン層６１０および６２０間に隙間６３
０が残る。孔６１２および６２２が位置ずれしていて、
図に示すように、第１のポリシリコン層６１０中のビー
ム群が第２のポリシリコン層６２０中の孔６２２に位置
整合し、第２のポリシリコン層６２０中のビーム群が第
１のポリシリコン層６１０中の孔６１２に位置整合する
ようになっている場合は、マイクロマシニングフィルタ
６００を通過する流体から濾過によって除去される微粒
子のサイズは、隙間６３０のサイズによって規定され
る。しかしながら、本実施形態では、第２のポリシリコ
ン層６２０中の孔６２２の位置ずれは一部分のみであっ
て、比較的大きめの微粒子がマイクロマシニングフィル
タ６００を通過できるようになっている。
第２のポリシリコン層６１０および６２０間に隙間６３
０が残る。孔６１２および６２２が位置ずれしていて、
図に示すように、第１のポリシリコン層６１０中のビー
ム群が第２のポリシリコン層６２０中の孔６２２に位置
整合し、第２のポリシリコン層６２０中のビーム群が第
１のポリシリコン層６１０中の孔６１２に位置整合する
ようになっている場合は、マイクロマシニングフィルタ
６００を通過する流体から濾過によって除去される微粒
子のサイズは、隙間６３０のサイズによって規定され
る。しかしながら、本実施形態では、第２のポリシリコ
ン層６２０中の孔６２２の位置ずれは一部分のみであっ
て、比較的大きめの微粒子がマイクロマシニングフィル
タ６００を通過できるようになっている。
【００６７】図７に、本発明によるマイクロマシニング
フィルタ７００の第５の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
７００は積層された複数の層を含む。この複数の層は、
先の典型的実施形態の場合のような層を横切る方向では
なく、層に実質的に平行な方向に全体として流れる流体
を濾過するものである。この実施形態におけるマイクロ
マシニングフィルタ７００はポリシリコンで作製されて
いて、マイクロデバイスに容易に一体化できるようにな
っている。前述のように、マイクロマシニングフィルタ
７００は適当な他の材料から作製することもできる。
フィルタ７００の第５の典型的実施形態の断面図を示
す。この実施形態におけるマイクロマシニングフィルタ
７００は積層された複数の層を含む。この複数の層は、
先の典型的実施形態の場合のような層を横切る方向では
なく、層に実質的に平行な方向に全体として流れる流体
を濾過するものである。この実施形態におけるマイクロ
マシニングフィルタ７００はポリシリコンで作製されて
いて、マイクロデバイスに容易に一体化できるようにな
っている。前述のように、マイクロマシニングフィルタ
７００は適当な他の材料から作製することもできる。
【００６８】第５の典型的実施形態におけるマイクロマ
シニングフィルタ７００は、第１のポリシリコン層７１
０、第１のポリシリコン層７１０上に形成された第２の
ポリシリコン層７２０、および第２のポリシリコン層７
２０上に形成された第３のポリシリコン層７３０を含
む。第１および第３のポリシリコン層７１０および７３
０の各々は堅牢なポリシリコン層で構成され、それらの
間で第２のポリシリコン層７２０が支えられている。し
かしながら、第２のポリシリコン層７２０はマイクロデ
バイスの基板または他の構成層で支えることが可能であ
るので、第１および第３のポリシリコン層７１０および
７３０はオプション的なものであることは明らかであ
る。
シニングフィルタ７００は、第１のポリシリコン層７１
０、第１のポリシリコン層７１０上に形成された第２の
ポリシリコン層７２０、および第２のポリシリコン層７
２０上に形成された第３のポリシリコン層７３０を含
む。第１および第３のポリシリコン層７１０および７３
０の各々は堅牢なポリシリコン層で構成され、それらの
間で第２のポリシリコン層７２０が支えられている。し
かしながら、第２のポリシリコン層７２０はマイクロデ
バイスの基板または他の構成層で支えることが可能であ
るので、第１および第３のポリシリコン層７１０および
７３０はオプション的なものであることは明らかであ
る。
【００６９】第２および第４のポリシリコン層７２０お
よび７４０は狭チャネルすなわち流体の流路を形成して
いる。この流路は、第２および第４のポリシリコン層７
２０および７４０内すなわち隣接層間の間隙７２４によ
って形成される。マイクロマシニンングフィルタ７００
によって濾過されて除去される粒子のサイズは間隙７２
４のサイズに依存する。
よび７４０は狭チャネルすなわち流体の流路を形成して
いる。この流路は、第２および第４のポリシリコン層７
２０および７４０内すなわち隣接層間の間隙７２４によ
って形成される。マイクロマシニンングフィルタ７００
によって濾過されて除去される粒子のサイズは間隙７２
４のサイズに依存する。
【００７０】第２および第４のポリシリコン層７２０お
よび７４０は複数のカラム７２２を含む。カラム７２２
が互いに実質的に平行な状態もしくは互いに位置ずれし
た状態のいずれであっても、それらの間に間隙７２４が
画定される。また、カラム７２２がマイクロマシニング
フィルタ７００の全長に及んで実質的に平行な壁を形成
していてもよい。
よび７４０は複数のカラム７２２を含む。カラム７２２
が互いに実質的に平行な状態もしくは互いに位置ずれし
た状態のいずれであっても、それらの間に間隙７２４が
画定される。また、カラム７２２がマイクロマシニング
フィルタ７００の全長に及んで実質的に平行な壁を形成
していてもよい。
【００７１】第２および第４のポリシリコン層７２０お
よび７４０の構造は、犠牲層をパターニングし、ポリシ
リコン層が堆積される孔を画定してコラム７２２を形成
することにより形成される。典型的な製造プロセスによ
れば、第１のポリシリコン層７１０が形成された後、第
１および第３のポリシリコン層７１０および７３０間の
空隙で表される犠牲酸化物層が堆積される。この犠牲酸
化物層がパターニングされて、所望に応じて該層を貫通
する孔が形成される。この後、第２のポリシリコン層７
２０がパターニングされた犠牲酸化物層上に形成されて
孔内が充填される。次いで、第３のポリシリコン層７３
０が第２のポリシリコン層７２０および犠牲酸化物層の
上面上に形成される。第２のポリシリコン層７２０を犠
牲酸化物層の上面を覆うように形成することによって、
第３のポリシリコン層７３０を一工程で形成できること
は明らかである。
よび７４０の構造は、犠牲層をパターニングし、ポリシ
リコン層が堆積される孔を画定してコラム７２２を形成
することにより形成される。典型的な製造プロセスによ
れば、第１のポリシリコン層７１０が形成された後、第
１および第３のポリシリコン層７１０および７３０間の
空隙で表される犠牲酸化物層が堆積される。この犠牲酸
化物層がパターニングされて、所望に応じて該層を貫通
する孔が形成される。この後、第２のポリシリコン層７
２０がパターニングされた犠牲酸化物層上に形成されて
孔内が充填される。次いで、第３のポリシリコン層７３
０が第２のポリシリコン層７２０および犠牲酸化物層の
上面上に形成される。第２のポリシリコン層７２０を犠
牲酸化物層の上面を覆うように形成することによって、
第３のポリシリコン層７３０を一工程で形成できること
は明らかである。
【００７２】犠牲酸化物層が除去されると、間隙７２４
が第２のポリシリコン層７２０中のカラム７２２間に残
る。このプロセスが、マイクロマシニングフィルタ７０
０の形成に必要な層数分だけ繰り返される。図７に示す
ように、マイクロマシニングフィルタ７００は、さら
に、前述と同様に形成されたポリシリコン層７４０およ
び７５０を含むこともある。複数のパターニングされた
ポリシリコン層７２０および７４０を用いてマイクロマ
シニングフィルタ７００を形成することにより、マイク
ロマシニングフィルタ７００は、所望の濾過度を保ちつ
つ、より大なる流体流量に適応することができる。
が第２のポリシリコン層７２０中のカラム７２２間に残
る。このプロセスが、マイクロマシニングフィルタ７０
０の形成に必要な層数分だけ繰り返される。図７に示す
ように、マイクロマシニングフィルタ７００は、さら
に、前述と同様に形成されたポリシリコン層７４０およ
び７５０を含むこともある。複数のパターニングされた
ポリシリコン層７２０および７４０を用いてマイクロマ
シニングフィルタ７００を形成することにより、マイク
ロマシニングフィルタ７００は、所望の濾過度を保ちつ
つ、より大なる流体流量に適応することができる。
【００７３】第２および第４のポリシリコン層７２０お
よび７４０の構造は、ポリシリコン層７２０および７４
０をパターニングして間隙７２４を画定することによっ
ても形成される。典型的な製造プロセスによれば、第１
のポリシリコン層７１０が形成された後、第２のポリシ
リコン層７２０が堆積およびパターニングされて該層を
貫通する孔が所望に応じて形成される。この後、犠牲酸
化物層が、孔内を充填するように、あるいは第２のポリ
シリコン層７２０の表面および第１のポリシリコン層７
１０の露出した表面に順応するように第２のポリシリコ
ン層７２０上に堆積される。次いで、第３のポリシリコ
ン層７３０が堆積され、図５および図６に示したストラ
クチャと同様のマイクロマシニングフィルタ７００のス
トラクチャが作製される。ただし、本実施形態における
第３のポリシリコン層７３０はパターニングされておら
ず、流体の流れがこれらの層に実質的に平行になるよう
になっている。犠牲酸化物層が下地に順応している場合
は、間隙７２４のサイズは犠牲酸化物層の厚さによって
規定されるので、マイクロマシニングフィルタ７００に
よって濾過される粒子のサイズは該層の厚さによっての
み規定される。
よび７４０の構造は、ポリシリコン層７２０および７４
０をパターニングして間隙７２４を画定することによっ
ても形成される。典型的な製造プロセスによれば、第１
のポリシリコン層７１０が形成された後、第２のポリシ
リコン層７２０が堆積およびパターニングされて該層を
貫通する孔が所望に応じて形成される。この後、犠牲酸
化物層が、孔内を充填するように、あるいは第２のポリ
シリコン層７２０の表面および第１のポリシリコン層７
１０の露出した表面に順応するように第２のポリシリコ
ン層７２０上に堆積される。次いで、第３のポリシリコ
ン層７３０が堆積され、図５および図６に示したストラ
クチャと同様のマイクロマシニングフィルタ７００のス
トラクチャが作製される。ただし、本実施形態における
第３のポリシリコン層７３０はパターニングされておら
ず、流体の流れがこれらの層に実質的に平行になるよう
になっている。犠牲酸化物層が下地に順応している場合
は、間隙７２４のサイズは犠牲酸化物層の厚さによって
規定されるので、マイクロマシニングフィルタ７００に
よって濾過される粒子のサイズは該層の厚さによっての
み規定される。
【００７４】全体が実質的に層に平行な方向に流れる流
体を濾過する、複数の積層された層を含むマイクロマシ
ニングフィルタは種々の他の形態で実現可能なことは明
らかである。特定の構造を得る上で必要な特定の処理工
程は上記形態によって様々に異なる。したがって、以上
の説明は限定的なものではなく、単に本発明によるマイ
クロマシニングフィルタを例示しただけのものである。
体を濾過する、複数の積層された層を含むマイクロマシ
ニングフィルタは種々の他の形態で実現可能なことは明
らかである。特定の構造を得る上で必要な特定の処理工
程は上記形態によって様々に異なる。したがって、以上
の説明は限定的なものではなく、単に本発明によるマイ
クロマシニングフィルタを例示しただけのものである。
【００７５】例えば、第１のポリシリコン層７１０に、
少なくとも一つの間隙７２４と連通した、該層を貫通し
て形成された流路（図示せず）を備えることで、図２お
よび図４に示すようにマイクロマシニングフィルタ７０
０を流体インレット上に作製することができる。この第
１のポリシリコン層７１０を貫通した流路自体は流体の
濾過を行うもの、または行わないもののいずれであって
もよい。
少なくとも一つの間隙７２４と連通した、該層を貫通し
て形成された流路（図示せず）を備えることで、図２お
よび図４に示すようにマイクロマシニングフィルタ７０
０を流体インレット上に作製することができる。この第
１のポリシリコン層７１０を貫通した流路自体は流体の
濾過を行うもの、または行わないもののいずれであって
もよい。
【００７６】さらに、種々の典型的実施形態の個々の特
徴は特定の用途毎に所望に応じて包含または除外される
ことは明らかである。したがって、前述の特徴の可能な
あらゆる組み合わせが本発明に包含されるものとみなさ
れる。
徴は特定の用途毎に所望に応じて包含または除外される
ことは明らかである。したがって、前述の特徴の可能な
あらゆる組み合わせが本発明に包含されるものとみなさ
れる。
【００７７】このように、前述した典型的実施形態に関
連して本発明の説明を行ったが、多くの代替、変形、お
よび変更が当業者にとって明白であることは明らかであ
る。したがって、前述した本発明の典型的実施形態は例
示のためのものであって限定するものではない。本発明
の範囲内で種々の変更が可能である。
連して本発明の説明を行ったが、多くの代替、変形、お
よび変更が当業者にとって明白であることは明らかであ
る。したがって、前述した本発明の典型的実施形態は例
示のためのものであって限定するものではない。本発明
の範囲内で種々の変更が可能である。
【図１】 本発明によるマイクロマシニングフィルタの
第１の典型的実施形態の平面図である。
第１の典型的実施形態の平面図である。
【図２】 流体イジェクタに一体化された、図１の典型
的なマイクロマシニングフィルタの断面図である。
的なマイクロマシニングフィルタの断面図である。
【図３】 本発明によるマイクロマシニングフィルタの
第２の典型的実施形態の平面図である。
第２の典型的実施形態の平面図である。
【図４】 流体イジェクタに一体化された、図３の典型
的なマイクロマシニングフィルタの断面図である。
的なマイクロマシニングフィルタの断面図である。
【図５】 本発明によるマイクロマシニングフィルタの
第３の典型的実施形態の断面図である。
第３の典型的実施形態の断面図である。
【図６】 本発明によるマイクロマシニングフィルタの
第４の典型的実施形態の断面図である。
第４の典型的実施形態の断面図である。
【図７】 本発明によるマイクロマシニングフィルタの
第５の典型的実施形態の断面図である。
第５の典型的実施形態の断面図である。
１００，３００，５００，６００，７００ マイクロマ
シニングフィルタ、１１０，１１２，３１０，３１２
ビーム、１２０，３２０，５１２，５２２，６１２，６
２２ 孔、２００，４００ 流体イジェクタ、２１０，
４１０ シリコン基板、２１２，４１２ 流体インレッ
ト、２１４，４１４，４１８ 酸化物層、２１６，４１
６ 窒化物層、２２０，２３０，４２０，４３０，５１
０，５２０，６１０，６２０，７１０，７２０，７３
０，７４０，７５０ ポリシリコン層、２４０，４４０
ポリイミド層、５３０，６３０，７２４ 間隙、７２
２カラム。
シニングフィルタ、１１０，１１２，３１０，３１２
ビーム、１２０，３２０，５１２，５２２，６１２，６
２２ 孔、２００，４００ 流体イジェクタ、２１０，
４１０ シリコン基板、２１２，４１２ 流体インレッ
ト、２１４，４１４，４１８ 酸化物層、２１６，４１
６ 窒化物層、２２０，２３０，４２０，４３０，５１
０，５２０，６１０，６２０，７１０，７２０，７３
０，７４０，７５０ ポリシリコン層、２４０，４４０
ポリイミド層、５３０，６３０，７２４ 間隙、７２
２カラム。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数のマイクロマシ
ンニング層を有するマイクロデバイスと、 少なくとも一つの前記マイクロマシンニング層に一体化
されたマイクロマシンニングフィルタと、 を含むことを特徴とするマイクロマシニングフィルタシ
ステム。 - 【請求項２】 請求項１に記載のシステムにおいて、 前記マイクロデバイスは、複数のマイクロマシンニング
層を含み、 前記マイクロマシンニングフィルタは、少なくとも二つ
の前記複数のマイクロマシンニング層に一体化されてい
ること、 を特徴とするマイクロマシニングフィルタシステム。 - 【請求項３】 請求項２に記載のシステムにおいて、 前記マイクロマシニングフィルタは、第１の交差ビーム
群からなるグリッドと、 第１のマイクロマシニング層
に形成された前記ビーム群を分離する第１の複数の孔
と、 第２の交差ビーム群からなるグリッドと、 前記第１のマイクロマシニング層に隣接した第２のマイ
クロマシニング層に形成された、前記ビーム群を分離す
る第２の複数の孔とを含み、 前記第１および第２のグリッドは、少なくとも一部が位
置ずれしていることにより、第１および第２の複数の孔
の少なくとも一部が位置ずれするようになっているグリ
ッドであること、 を特徴とするマイクロマシニングフィルタシステム。 - 【請求項４】 基板上に形成された複数のマイクロマシ
ニング層および流体インレットを有するマイクロデバイ
スと、 前記流体インレットの下流側で前記マイクロデバイスに
一体化されたマイクロマシニングフィルタと、 を含むことを特徴とするマイクロマシニングフィルタシ
ステム。 - 【請求項５】 ポリシリコンのマイクロマシニング層を
含むことを特徴とするフィルタ。 - 【請求項６】 基板の形成と、 前記基板上への犠牲材料層の形成と、 前記犠牲材料層のパターニングと、 前記犠牲材料層上への構成材料層の形成と、 前記犠牲材料層の除去と、 を含むことを特徴とする一体化されたフィルタを有する
マイクロデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/682,895 US20030080060A1 (en) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | Integrated micromachined filter systems and methods |
| US09/682,895 | 2001-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003145764A true JP2003145764A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=24741649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002308422A Withdrawn JP2003145764A (ja) | 2001-10-30 | 2002-10-23 | 一体化されたマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030080060A1 (ja) |
| EP (1) | EP1308196A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003145764A (ja) |
| BR (1) | BR0204420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100788065B1 (ko) | 2003-11-28 | 2007-12-21 | 캐논 가부시끼가이샤 | 잉크 제트 기록 헤드 제조 방법, 잉크 제트 기록 헤드 및잉크 제트 카트리지 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6881198B2 (en) * | 2001-01-09 | 2005-04-19 | J. David Brown | Glaucoma treatment device and method |
| DE10239551A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Daimlerchrysler Ag | Filterkörper für Rußfilter |
| US20060219627A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Rodgers M S | MEMS filter module with concentric filtering walls |
| US7384550B2 (en) * | 2004-02-24 | 2008-06-10 | Becton, Dickinson And Company | Glaucoma implant having MEMS filter module |
| US7226540B2 (en) * | 2004-02-24 | 2007-06-05 | Becton, Dickinson And Company | MEMS filter module |
| US20060036207A1 (en) * | 2004-02-24 | 2006-02-16 | Koonmen James P | System and method for treating glaucoma |
| US7540469B1 (en) * | 2005-01-25 | 2009-06-02 | Sandia Corporation | Microelectromechanical flow control apparatus |
| JP4617904B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
| US20080159069A1 (en) * | 2005-04-06 | 2008-07-03 | Stichting Voor De Technische Wentenschappen | Inlet Section for Micro-Reactor |
| GB0510991D0 (en) * | 2005-05-28 | 2005-07-06 | Xaar Technology Ltd | Method of printhead passivation |
| US20080108932A1 (en) * | 2005-08-24 | 2008-05-08 | Rodgers M Steven | MEMS filter module with multi-level filter traps |
| DE102006026559A1 (de) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanischer Filter für Mikropartikel, insbesondere für pathogene Bakterien und Viren, sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
| US20080277332A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Becton, Dickinson And Company | Micromachined membrane filter device for a glaucoma implant and method for making the same |
| FR2918578B1 (fr) | 2007-07-13 | 2010-01-01 | Air Liquide | Procede de purification d'un gaz contenant du co2 |
| EP2200931B1 (en) | 2007-09-19 | 2017-06-07 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Microfluidic structures with circular cross-section |
| US20090234332A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc | Artificial microvascular device and methods for manufacturing and using the same |
| US20110186165A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-08-04 | Borenstein Jeffrey T | Three-dimensional microfluidic platforms and methods of use and manufacture thereof |
| US20110082563A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-04-07 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Microscale multiple-fluid-stream bioreactor for cell culture |
| US8714722B2 (en) * | 2012-07-20 | 2014-05-06 | Xerox Corporation | Multiple layer filter |
| EP3240510A4 (en) | 2014-12-31 | 2018-09-19 | Microoptx Inc. | Glaucoma treatment devices and methods |
| US10980667B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-04-20 | Microoptx Inc. | Eye treatment devices and methods |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3123446A (en) * | 1964-03-03 | Porous wall construction | ||
| US3900629A (en) * | 1973-09-14 | 1975-08-19 | Bendix Corp | Porous laminate and method of manufacture |
| US4897360A (en) * | 1987-12-09 | 1990-01-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon thin film process |
| US4801380A (en) * | 1987-12-23 | 1989-01-31 | The Texas A&M University System | Method of producing a silicon film with micropores |
| US5205902A (en) * | 1989-08-18 | 1993-04-27 | Galileo Electro-Optics Corporation | Method of manufacturing microchannel electron multipliers |
| US5232593A (en) * | 1992-03-04 | 1993-08-03 | Zenon Environmental Inc. | Cartridge of hollow fiber membrane wafers and module containing stacked cartridges |
| US5256360A (en) * | 1992-03-25 | 1993-10-26 | Panasonic Technologies, Inc. | Method of manufacturing a precision micro-filter |
| US5610645A (en) * | 1993-04-30 | 1997-03-11 | Tektronix, Inc. | Ink jet head with channel filter |
| US5328610A (en) * | 1993-06-15 | 1994-07-12 | Integrated Process Technologies | Self-supported low pressure drop hollow fiber membrane panel and contactor module |
| NL9401260A (nl) * | 1993-11-12 | 1995-06-01 | Cornelis Johannes Maria Van Ri | Membraan voor microfiltratie, ultrafiltratie, gasscheiding en katalyse, werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk membraan, mal ter vervaardiging van een dergelijk membraan, alsmede diverse scheidingssystemen omvattende een dergelijk membraan. |
| US5985164A (en) * | 1994-03-07 | 1999-11-16 | Regents Of The University Of California | Method for forming a filter |
| US5798042A (en) * | 1994-03-07 | 1998-08-25 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter with specially constructed channel walls, and containment well and capsule constructed with such filters |
| US5651900A (en) * | 1994-03-07 | 1997-07-29 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated particle filter |
| US5963788A (en) * | 1995-09-06 | 1999-10-05 | Sandia Corporation | Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry |
| US5783340A (en) * | 1995-09-06 | 1998-07-21 | Sandia Corporation | Method for photolithographic definition of recessed features on a semiconductor wafer utilizing auto-focusing alignment |
| US5798283A (en) * | 1995-09-06 | 1998-08-25 | Sandia Corporation | Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry |
| WO1997029283A1 (fr) * | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Westonbridge International Limited | Filtre micro-usine pour micropompe |
| US5919364A (en) * | 1996-06-24 | 1999-07-06 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and shell constructed with a permeable membrane |
| US5919548A (en) * | 1996-10-11 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Chemical-mechanical polishing of recessed microelectromechanical devices |
| US5804084A (en) * | 1996-10-11 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Use of chemical mechanical polishing in micromachining |
| US5971531A (en) * | 1997-10-08 | 1999-10-26 | Xerox Corporation | Ink jet cartridge having replaceable ink supply tanks with an internal filter |
| US6264309B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-07-24 | Lexmark International, Inc. | Filter formed as part of a heater chip for removing contaminants from a fluid and a method for forming same |
| US6014240A (en) * | 1998-12-01 | 2000-01-11 | Xerox Corporation | Method and apparatus for an integrated laser beam scanner using a carrier substrate |
| JP3486124B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2004-01-13 | 三菱電機株式会社 | 高圧燃料ポンプ装置 |
| US6503409B1 (en) * | 2000-05-25 | 2003-01-07 | Sandia Corporation | Lithographic fabrication of nanoapertures |
| US6472332B1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-10-29 | Xerox Corporation | Surface micromachined structure fabrication methods for a fluid ejection device |
-
2001
- 2001-10-30 US US09/682,895 patent/US20030080060A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-10-23 JP JP2002308422A patent/JP2003145764A/ja not_active Withdrawn
- 2002-10-29 BR BR0204420-0A patent/BR0204420A/pt not_active Application Discontinuation
- 2002-10-30 EP EP02024510A patent/EP1308196A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100788065B1 (ko) | 2003-11-28 | 2007-12-21 | 캐논 가부시끼가이샤 | 잉크 제트 기록 헤드 제조 방법, 잉크 제트 기록 헤드 및잉크 제트 카트리지 |
| US7753502B2 (en) | 2003-11-28 | 2010-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing ink jet recording head, ink jet recording head, and ink jet cartridge |
| US7862158B2 (en) | 2003-11-28 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing ink jet recording head, ink jet cartridge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030080060A1 (en) | 2003-05-01 |
| EP1308196A1 (en) | 2003-05-07 |
| BR0204420A (pt) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003145764A (ja) | 一体化されたマイクロマシニングフィルタのシステムおよび製造方法 | |
| US6846413B1 (en) | Microstructured filter | |
| US7226540B2 (en) | MEMS filter module | |
| US7537327B2 (en) | Internal die filters with multiple passageways which are fluidically in parallel | |
| US6462391B1 (en) | Suspended moving channels and channel actuators for microfluidic applications and method for making | |
| WO2006127256A2 (en) | Microfabricated cross flow filter and method of manufacture | |
| EP1619028B1 (en) | Ink jet head including a filtering member integrally formed with a substrate and method of fabricating the same | |
| JP6944544B2 (ja) | ノズル装置およびその製造方法 | |
| US10710071B2 (en) | Clog-resistant serpentine pillar filters and bladed loading structures for microfluidics | |
| WO2009091504A1 (en) | Silicon filter | |
| US10589204B2 (en) | Three dimensional nanometer filters and methods of use | |
| US7060522B2 (en) | Membrane structures for micro-devices, micro-devices including same and methods for making same | |
| JP2009535231A (ja) | 小滴付着部材 | |
| US7922924B2 (en) | Methods for making internal die filters with multiple passageways which are fluidically in parallel | |
| Kim et al. | Formation of 3-dimensional microfluidic components using double-side exposed thick photoresist molds | |
| KR20080093664A (ko) | 잉크젯 헤드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |