JP2003142524A - Electronic component and method for manufacturing the same - Google Patents

Electronic component and method for manufacturing the same

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JP2003142524A
JP2003142524A JP2001335845A JP2001335845A JP2003142524A JP 2003142524 A JP2003142524 A JP 2003142524A JP 2001335845 A JP2001335845 A JP 2001335845A JP 2001335845 A JP2001335845 A JP 2001335845A JP 2003142524 A JP2003142524 A JP 2003142524A
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substrate
device chip
gap
chip
functional portion
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Kaoru Sakinada
薫 先灘
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component wherein the infiltration of sealing resin into an inner cavity is prevented. SOLUTION: A device chip 1 having a specified functional part 8 and a substrate 3 made of a specified material (resin, ceramic, or the like) are electrically and mechanically connected with each other by conductive bumps 2, so that a specified cavity 7 containing the part 8 is formed between the chip 1 and the substrate 3. The component is so constituted that the part 8 of the chip 1 is protected from the outside (outside air) by a protective material 5 made of resin or the like. An area 9, wherein the gap between the substrate 3 and the chip 1 is wider than the area containing the part 8, is provided between the edge of the chip 1 and the part 8, and the material 5 terminates in this area 9. In this design, the resin 5 in its liquid state is prevented from entering by capillarity into the cavity 7 containing the part 8.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばバンプ接
続方式および樹脂封止工法を用いる電子部品装置の改良
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of an electronic component device using, for example, a bump connection method and a resin sealing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】バンプ接続方式および樹脂封止工法を用
いる電子部品装置の代表例として、弾性表面波フィルタ
装置(surface acoustic wave filter device;SAW
フィルタとも称される)がある。弾性表面波フィルタ装
置は、圧電性基板(デバイスチップ)に櫛歯状電極を持
った機能部分(インターデジタル変換器/IDT)を形
成することで構成されている。この弾性表面波フィルタ
装置は、受動素子であるため電源がなくても動作でき、
また小型・軽量であることから、電子部品装置の高密度
実装が求められる携帯電話などでよく用いられている。
2. Description of the Related Art A typical example of an electronic component device using a bump connection method and a resin encapsulation method is a surface acoustic wave filter device (SAW).
Also called a filter). The surface acoustic wave filter device is configured by forming a functional portion (interdigital converter / IDT) having comb-shaped electrodes on a piezoelectric substrate (device chip). Since this surface acoustic wave filter device is a passive element, it can operate without a power source.
Since it is small and lightweight, it is often used in mobile phones and the like that require high-density mounting of electronic component devices.

【0003】電子部品装置におけるデバイスチップとそ
の外囲器との電気的・機械的な接続は、金属バンプを用
いたフリップチップボンディング工法により行われるこ
とが主流となりつつある。
The electrical and mechanical connection between a device chip and its envelope in an electronic component device is becoming mainstream by a flip chip bonding method using metal bumps.

【0004】このようなフリップチップボンディング
(あるいはフェイスダウンボンディング)工法を利用し
た公知例として、例えば特開2001−94390号公
報に開示された「弾性表面波デバイスおよびその製法」
がある。
As a known example using such a flip chip bonding (or face down bonding) method, for example, "Surface acoustic wave device and its manufacturing method" disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-94390.
There is.

【0005】フリップチップボンディング工法について
簡単に説明すると、図示はしないが、次のようになる。
すなわち、基本的には、デバイスチップ上に金属ワイヤ
等を利用して予めバンプを形成し、このバンプ付きデバ
イスチップを、フリップチップボンダを用いて、セラミ
ックス製等のパッケージの表面に形成された配線パター
ン上に搭載する。そして、加圧/加熱/超音波印加を同
時に行うことにより、バンプ金属と配線パターンとを接
合させる。この接合により、デバイスチップとパッケー
ジとの間の電気的・機械的な接続がなされる。その後、
封止樹脂により封止が行なわれて、最終的な電子部品装
置が完成する。
The flip chip bonding method will be briefly described below, though not shown.
That is, basically, a bump is previously formed on a device chip by using a metal wire or the like, and this bumped device chip is formed on a surface of a package made of ceramics or the like by using a flip chip bonder. Mount on the pattern. Then, the bump metal and the wiring pattern are joined by simultaneously performing pressurization / heating / application of ultrasonic waves. This joining provides electrical and mechanical connection between the device chip and the package. afterwards,
Sealing is performed with the sealing resin, and the final electronic component device is completed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】例えば弾性表面波を利
用したSAWフィルタでは、デバイスチップ表面に形成
されて表面波が動作するように構成されたアクティブな
電極パターンは、中空部に保持される。このように中空
に保持された電極パターンに水分等の異物が付着する
と、電極が腐食し、場合によってはフィルタとして機能
しなくなる恐れがある。そのため、SAWフィルタのよ
うに異物の付着を嫌う機能部分を有する電子部品装置
は、外部より水分等の異物が侵入(または進入)するこ
とを防がねばならない。このような異物の侵入/進入を
防止するために、封止が行われる。
For example, in a SAW filter utilizing surface acoustic waves, the active electrode pattern formed on the surface of the device chip and configured to operate the surface waves is held in the hollow portion. When foreign matter such as water adheres to the electrode pattern held in the hollow state, the electrode may be corroded and may not function as a filter in some cases. Therefore, an electronic component device having a functional portion such as a SAW filter that does not like foreign matter from adhering must prevent foreign matter such as moisture from entering (or entering) from the outside. In order to prevent such foreign matter from entering / entering, sealing is performed.

【0007】すなわち、フリップチップボンディング工
法を用いてデバイスチップとパッケージを接続した構造
の電子部品装置においては、デバイスチップの機能部分
(SAWフィルタの電極パターン部分等)を外部(外
気)から守る必要があり、そのために封止が行われる。
That is, in the electronic component device having a structure in which the device chip and the package are connected by using the flip chip bonding method, it is necessary to protect the functional part of the device chip (the electrode pattern part of the SAW filter, etc.) from the outside (outside air). Yes, and for that, sealing is performed.

【0008】上記封止に用いられる封止樹脂には、デバ
イスチップとパッケージとの間を気密に封止する特性
と、デバイスチップとパッケージとの間の隙間(SAW
フィルタでは電極パターンを含むが中空部)には殆ど進
入しない特性の、2つの特性を求められる。前者の気密
封止特性については、表面状態/粗さの異なるデバイス
チップとパッケージそれぞれに対し封止樹脂が完全に密
着する必要があるため、一般的に濡れ性がよい樹脂であ
る必要がある。これに対し、後者の非進入特性について
は、デバイスチップとパッケージとの間の隙間に封止樹
脂が入り込まないという要求上、逆に濡れ性が悪い必要
がある。
The encapsulating resin used for the encapsulation has a property of hermetically encapsulating the device chip and the package and a gap (SAW) between the device chip and the package.
The filter is required to have two characteristics, including the electrode pattern but hardly entering the hollow portion). Regarding the former hermetic sealing property, since the sealing resin needs to be completely adhered to the device chip and the package having different surface states / roughnesses, it is generally necessary that the resin has good wettability. On the other hand, with regard to the latter non-penetration characteristic, on the contrary, it is necessary that the wettability is poor because the sealing resin does not enter the gap between the device chip and the package.

【0009】上記のような相反する2つの特性を満たす
ため、一般的に、封止樹脂の粘度やチクソ性(thixotro
py)の制御・調整によって、適切な封止樹脂を得てい
る。しかし、樹脂特性は経時変化や温度変化によって変
動しやすく、樹脂の進入性はコントロール(あるいは管
理)が難しい。
In order to satisfy the two contradictory properties as described above, the viscosity and thixotropy (thixotro) of the sealing resin are generally used.
Py) is controlled and adjusted to obtain an appropriate sealing resin. However, the resin characteristics easily change due to changes with time and temperature changes, and it is difficult to control (or manage) the resin invasion property.

【0010】一般に、液状化した(あるいは流動性を持
つ状態の)樹脂の特性として、細い隙間には「より」進
入し易くなる、いわゆる毛細管現象があり、フリップチ
ップボンディング工法を用いて製造されるSAWフィル
タでは、中空封止することには厄介な問題がある。
In general, a characteristic of a liquefied (or fluid) resin is a so-called capillary phenomenon, which facilitates "more" penetration into a narrow gap, and is manufactured using a flip chip bonding method. With SAW filters, hollow encapsulation presents a difficult problem.

【0011】上記問題を具体例を挙げて説明すると、次
のようになる。すなわち、SAWフィルタのような電子
部品装置のパッケージ上には、配線パターンが形成され
ている。配線パターンが存在する部分では、配線パター
ンの厚み分だけ、デバイスチップとパッケージとの間の
隙間が狭くなる。この狭くなった部分は毛細管現象が起
き易くなっている。封止樹脂の粘度やチクソ性が厳密に
管理されていないと、液状化した(あるいは流動性を持
つ状態の)封止樹脂は、上記狭くなった部分に毛細管現
象で大きく進入してしまう。この樹脂進入があると、デ
バイスチップの中空部に保持された電極パターンに樹脂
が付着し、その機能が損なわれる。その結果、その電子
部品装置は不良品となる。
The above problem will be described below with reference to a specific example. That is, the wiring pattern is formed on the package of the electronic component device such as the SAW filter. In the portion where the wiring pattern exists, the gap between the device chip and the package becomes narrower by the thickness of the wiring pattern. Capillary phenomenon is likely to occur in this narrowed portion. If the viscosity and thixotropy of the encapsulating resin are not strictly controlled, the liquefied (or fluid) encapsulating resin will greatly enter the narrowed portion due to the capillary phenomenon. When this resin enters, the resin adheres to the electrode pattern held in the hollow portion of the device chip, impairing its function. As a result, the electronic component device becomes a defective product.

【0012】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、封止樹脂の進入による機能不全が起き
ることを防止できる電子部品装置およびその製造方法を
提供することである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an electronic component device and a method for manufacturing the same which can prevent a malfunction due to the intrusion of a sealing resin.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】この発明の実施に係る電
子部品装置(100)では、所定の機能部分(8)を有
するデバイスチップ(1)と所定の材質(樹脂、セラミ
ックス等)からなる基板(3)との間に前記機能部分
(8)を含んだ所定の空間部(7)が形成されるよう
に、前記デバイスチップ(1)と前記基板(3)とが導
電性バンプ(2)を介して電気的かつ機械的に接続され
る。この電子部品装置は、樹脂等の保護材(5)により
前記デバイスチップ(1)の前記機能部分(8)が外部
(外気)から保護されるように構成されている。ここ
で、前記デバイスチップ(1)の端部と前記機能部分
(8)との間は、前記基板(3)とデバイスチップ
(1)との間隙が前記機能部分(8)における間隙より
も広くなる領域(9)を有し、当該領域(9)で前記保
護材(5)が終端されている。
In an electronic component device (100) according to an embodiment of the present invention, a substrate composed of a device chip (1) having a predetermined functional portion (8) and a predetermined material (resin, ceramics, etc.). The device chip (1) and the substrate (3) are electrically conductive bumps (2) so that a predetermined space (7) including the functional portion (8) is formed between the device chip (1) and the substrate (3). Electrically and mechanically connected via. This electronic component device is configured such that the functional portion (8) of the device chip (1) is protected from the outside (outside air) by a protective material (5) such as resin. Here, between the end of the device chip (1) and the functional portion (8), the gap between the substrate (3) and the device chip (1) is wider than the gap in the functional portion (8). The protective material (5) is terminated in the area (9).

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
を弾性表面波装置に適用した一実施の形態について説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment in which the present invention is applied to a surface acoustic wave device will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は、この発明の一実施の形態に係る弾
性表面波装置の内部構造を説明する図である。図1の
(a)はこの弾性表面波装置の側断面を模式的に例示
し、図1の(b)はこの弾性表面波装置を上から見た場
合の構成を模式的に例示している。
FIG. 1 is a diagram for explaining the internal structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A schematically illustrates a side cross section of the surface acoustic wave device, and FIG. 1B schematically illustrates a configuration of the surface acoustic wave device when viewed from above. .

【0016】樹脂またはセラミックスで構成された基板
3上の所定位置には、配線パターン4が形成される。ま
た、圧電性基板1上に形成された櫛歯状の電極パターン
(インターデジタル変換器IDT)により、弾性表面波
素子(デバイスチップ)1が構成されている。
A wiring pattern 4 is formed at a predetermined position on the substrate 3 made of resin or ceramics. Further, the surface acoustic wave element (device chip) 1 is configured by the comb-teeth-shaped electrode pattern (interdigital converter IDT) formed on the piezoelectric substrate 1.

【0017】電極8には引き出しパターンを介して複数
(図1(b)の例示では4つ)のパッドが接続されてい
る。これらのパッド(4つ)と、基板3上の配線パター
ン4の所定箇所(4箇所)とは、それぞれ、金あるいは
金合金を用いた金属バンプ2(4つ)を介して、対向配
置される。この状態で、デバイスチップ1と基板3との
間の金属バンプ2は加圧され加熱され超音波印加されて
部分的に溶融する(フリップチップボンディングあるい
はフェイスダウンボンディング)。この加圧/加熱/超
音波印加が終了すると、金属バンプ2の融けた部分は固
化する。これにより、電極8に接続されたパッド(4
つ)と、基板3上の配線パターン4の所定箇所(4箇
所)とが、それぞれ、金属バンプ2(4つ)を介して、
電気的かつ機械的に接続される。この状態で、デバイス
チップ1の表面に形成された電極8と基板3の表面に形
成された配線パターン4との間には、(ボンディングに
より変形した)金属バンプ2の配置/サイズに応じた広
さ/高さの空間(中空部7)が確保される。
A plurality of (four in the example of FIG. 1B) pads are connected to the electrode 8 via lead patterns. These pads (4) and predetermined portions (4 portions) of the wiring pattern 4 on the substrate 3 are arranged to face each other via the metal bumps 2 (4) made of gold or a gold alloy. . In this state, the metal bumps 2 between the device chip 1 and the substrate 3 are pressurized and heated, and ultrasonic waves are applied to partially melt them (flip chip bonding or face down bonding). When this pressurization / heating / application of ultrasonic waves is completed, the melted portion of the metal bump 2 is solidified. As a result, the pad (4
) And predetermined portions (4 places) of the wiring pattern 4 on the substrate 3 via the metal bumps 2 (4),
Electrically and mechanically connected. In this state, between the electrode 8 formed on the surface of the device chip 1 and the wiring pattern 4 formed on the surface of the substrate 3, a wide area corresponding to the arrangement / size of the metal bump 2 (deformed by bonding) is formed. A space of height / height (hollow portion 7) is secured.

【0018】その後、金属バンプ2を介して基板3に対
向配置されたデバイスチップ1の外周部分と基板3の表
面との間に、図1(a)の隙間9が残るように、適度な
粘性およびチクソ性を有する封止樹脂5が付けられる。
この隙間9は、配線パターン4の厚みDに相当する深さ
と、配線パターン4のエッジから封止樹脂5の内壁まで
の幅(W1〜W4)を持つ堀のような段差部分30を含
む。別の言い方をすると、デバイスチップ1の端部と電
極形成部との間に対向する領域には基板3上の配線パタ
ーン4を配置せず、その部分(隙間9)ではデバイスチ
ップ1と基板3との間の隙間が広くなるような設計がな
されている。
After that, between the outer peripheral portion of the device chip 1 and the surface of the substrate 3 which are arranged so as to face the substrate 3 with the metal bumps 2 interposed therebetween, a suitable viscosity is obtained so that the gap 9 shown in FIG. And the sealing resin 5 having thixotropy is attached.
The gap 9 includes a depth corresponding to the thickness D of the wiring pattern 4 and a stepped portion 30 having a width (W1 to W4) from the edge of the wiring pattern 4 to the inner wall of the sealing resin 5. In other words, the wiring pattern 4 on the substrate 3 is not arranged in a region facing between the end portion of the device chip 1 and the electrode forming portion, and the device chip 1 and the substrate 3 are not arranged in that portion (gap 9). It is designed so that the gap between

【0019】このようにすると、毛細管現象による封止
樹脂5の機能部分への流入が防止でき、封止樹脂5を間
隙が広がった部分において終端させることができる。
With this arrangement, the sealing resin 5 can be prevented from flowing into the functional portion due to the capillary phenomenon, and the sealing resin 5 can be terminated at the portion where the gap is widened.

【0020】この実施の形態においては、間隙の大きい
部分はバンプの高さHと配線の高さDの和として例えば
50μmのギャップを有し、毛細管現象は発生せず樹脂
の進入距離は大幅に小さくなる(樹脂によっては隙間が
倍になるとその進入距離は1/8程度になるものも珍し
くなく、その効果はきわめて大きい)。進入距離を小さ
くできれば、液化した樹脂5が電極8に付着する恐れを
払拭できる。
In this embodiment, the portion having a large gap has a gap of, for example, 50 μm as the sum of the height H of the bump and the height D of the wiring, and the capillary phenomenon does not occur and the resin penetration distance is greatly increased. It becomes smaller (depending on the resin, the entry distance becomes about ⅛ when the gap doubles, and the effect is extremely large). If the entry distance can be reduced, the risk of the liquefied resin 5 adhering to the electrode 8 can be eliminated.

【0021】尚、間隙の大きい部分の面積については、
使用する封止樹脂の粘性、チクソ性等の特性に応じて適
宜調整することができる。
Regarding the area of the large gap,
It can be appropriately adjusted according to the properties such as viscosity and thixotropy of the sealing resin used.

【0022】一方配線を弾性表面波素子の端部に対向す
る位置まで延在した場合、毛細管現象により配線形状に
沿って樹脂が浸入し、弾性表面波素子の電極に付着し
た。
On the other hand, when the wiring was extended to a position facing the end of the surface acoustic wave element, the resin penetrated along the shape of the wiring due to the capillary phenomenon and adhered to the electrode of the surface acoustic wave element.

【0023】本実施例の弾性表面波装置においては樹脂
が素子と基板とのギャップの大きい領域で終端するた
め、素子特性に影響することなく良好な封止構造が得ら
れた。
In the surface acoustic wave device of this embodiment, since the resin terminates in the region where the gap between the element and the substrate is large, a good sealing structure can be obtained without affecting the element characteristics.

【0024】図2は、この発明の他の実施の形態に係る
電子部品装置の内部構造を説明する図である。図2の
(a)はこの電子部品装置の側断面を模式的に例示し、
図2の(b)はこの電子部品装置を上から見た場合の構
成を模式的に例示している。
FIG. 2 is a diagram for explaining the internal structure of an electronic component device according to another embodiment of the present invention. 2A schematically illustrates a side cross section of the electronic component device,
FIG. 2B schematically illustrates the configuration of the electronic component device when viewed from above.

【0025】図2の実施の形態は、図1の隙間9に面す
る基板30の一部(段差部分30)をレーザ切削加工等
により掘り下げ、図1よりも深い溝部分(段差部分)3
0Aを形成した点に特徴がある。図2の実施の形態にお
いて、具体的な数値例を挙げれば、中空部7の高さ(バ
ンプ2の高さ)Hを25μmとし、配線パターン4の厚
みDを25μmとし、基板3の掘り下げ深さを30μm
とすることができる。この場合、配線パターン4の表面
から溝部分30Aの底までの高さD*は55μmとな
り、隙間9の広さは80μmになる。この80μmは図
1の場合の50μmよりも大きいので、より毛細管現象
を発生し難くなる。
In the embodiment shown in FIG. 2, a part (step portion 30) of the substrate 30 facing the gap 9 shown in FIG. 1 is dug down by laser cutting or the like, and a groove portion (step portion) 3 deeper than that in FIG.
The feature is that 0A is formed. In the embodiment of FIG. 2, to give a specific numerical example, the height H of the hollow portion 7 (height of the bump 2) is 25 μm, the thickness D of the wiring pattern 4 is 25 μm, and the depth of the substrate 3 to be dug is 30 μm
Can be In this case, the height D * from the surface of the wiring pattern 4 to the bottom of the groove portion 30A is 55 μm, and the width of the gap 9 is 80 μm. Since this 80 μm is larger than 50 μm in the case of FIG. 1, it is more difficult to cause the capillary phenomenon.

【0026】図3は、この発明のさらに他の実施の形態
に係る電子部品装置の内部構造を説明する図である。図
3の(a)はこの電子部品装置の側断面を模式的に例示
し、図3の(b)はこの電子部品装置を上から見た場合
の構成を模式的に例示している。図3の構成では、図1
の構成に比べて、隙間9の広さが溝30Bの掘り下げ分
だけ大きくなる。そのため、図3の構成における溝30
Bの幅W1b〜W4bは、図1の構成における幅W1〜
W4より狭くても、充分な樹脂進入防止効果を得ること
ができる。
FIG. 3 is a diagram for explaining the internal structure of an electronic component device according to still another embodiment of the present invention. 3A schematically illustrates a side cross section of the electronic component device, and FIG. 3B schematically illustrates a configuration of the electronic component device when viewed from above. In the configuration of FIG.
As compared with the configuration described above, the width of the gap 9 is increased by the depth of the groove 30B. Therefore, the groove 30 in the configuration of FIG.
The widths W1b to W4b of B are the widths W1 to W4b in the configuration of FIG.
Even if it is narrower than W4, a sufficient resin entry preventing effect can be obtained.

【0027】図4は、この発明のさらに他の実施の形態
に係る電子部品装置の内部構造を説明する図である。図
4の(a)はこの電子部品装置の側断面を模式的に例示
し、図4の(b)はこの電子部品装置を上から見た場合
の構成を模式的に例示している。図4では、図3と同様
に幅の狭い溝30Cが、図1の段差部分30の中間位置
に設けられている。このように構成しても、充分な樹脂
進入防止効果を得ることができる。
FIG. 4 is a diagram for explaining the internal structure of an electronic component device according to still another embodiment of the present invention. FIG. 4A schematically illustrates a side cross section of the electronic component device, and FIG. 4B schematically illustrates a configuration of the electronic component device when viewed from above. In FIG. 4, as in FIG. 3, a narrow groove 30C is provided at an intermediate position of the step portion 30 of FIG. Even with this structure, it is possible to obtain a sufficient resin entry preventing effect.

【0028】<実施の形態の効果>前述したように、封
止樹脂5の粘度やチクソ性の管理・コントロールは大変
難しく、少ない外乱要素があっただけでも、濡れ性や進
入性のバラツキとなって表面化する。外乱要素には基板
とデバイスチップとのギャップの大きさ等があり、この
距離が小さいほど毛細管現象による突発的な樹脂進入が
防ぎづらかった。この発明の各実施の形態では、隙間距
離を意図して広くすることにより、封止樹脂5の進入性
を制御している。これにより、封止樹脂5に求められる
特性スペックを緩和することができ、実際の製品の製造
時により多くの種類の封止樹脂を選択することが可能と
なる。また必然的に製造歩留まりの改善にもつながり、
小型/薄型/安価でかつ高い信頼性を有する電子部品装
置を得ることができる。
<Effects of the Embodiment> As described above, it is very difficult to control and control the viscosity and thixotropy of the encapsulating resin 5, and even if there are few disturbance factors, the wettability and the ingress property vary. To surface. Disturbance factors include the size of the gap between the substrate and the device chip, etc. The smaller this distance, the more difficult it was to prevent sudden resin intrusion due to the capillary phenomenon. In each of the embodiments of the present invention, the penetration of the sealing resin 5 is controlled by intentionally widening the gap distance. As a result, the characteristic specifications required for the sealing resin 5 can be relaxed, and it becomes possible to select more types of sealing resin in the actual manufacturing of the product. It also inevitably leads to an improvement in manufacturing yield,
It is possible to obtain an electronic component device that is small, thin, inexpensive, and has high reliability.

【0029】なお、この発明は上記各実施の形態に限定
されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸
脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、
各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されて
もよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes can be made at the stage of carrying out the invention without departing from the spirit of the invention. Also,
The respective embodiments may be combined as appropriate as much as possible, and in that case, the effect of the combination can be obtained.

【0030】さらに、上記実施の形態には種々な段階の
発明が含まれており、この出願で開示される複数の構成
要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出
され得る。たとえば、実施の形態に示される全構成要件
から1または複数の構成要件が削除されても、この発明
の効果あるいはこの発明の実施に伴う効果のうち少なく
とも1つが得られるときは、この構成要件が削除された
構成が発明として抽出され得るものである。
Further, the embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in this application. For example, even if one or more constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the embodiment, if at least one of the effect of the present invention or the effect of implementing the present invention is obtained, the constituent element is The deleted configuration can be extracted as an invention.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
内部空間を持ち樹脂封止される電子部品装置において、
封止樹脂の内部空間への進入による機能不全が起きるこ
とを防止できる。
As described above, according to the present invention,
In an electronic component device that has an internal space and is resin-sealed,
It is possible to prevent malfunction due to the sealing resin entering the internal space.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に係る電子部品装置の
内部構造を説明する図。
FIG. 1 is a diagram illustrating an internal structure of an electronic component device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の他の実施の形態に係る電子部品装置
の内部構造を説明する図。
FIG. 2 is a diagram illustrating an internal structure of an electronic component device according to another embodiment of the present invention.

【図3】この発明のさらに他の実施の形態に係る電子部
品装置の内部構造を説明する図。
FIG. 3 is a diagram illustrating an internal structure of an electronic component device according to still another embodiment of the present invention.

【図4】この発明のさらに他の実施の形態に係る電子部
品装置の内部構造を説明する図。
FIG. 4 is a diagram illustrating an internal structure of an electronic component device according to still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…デバイスチップ;2…金属バンプ(導電性バン
プ);3…基板(パッケージ);4…配線パターン;5
…封止樹脂;7…中空部;8…電極パターン(例えばイ
ンターデジタル変換器IDTの機能部分;櫛歯状電極の
パターンなど);9…隙間;30…段差部分(デバイス
チップ1の輪郭側部分);30A〜30F…各種の溝
(段差)部分;100…電子部品装置(弾性表面波フィ
ルタ装置など)。
1 ... Device chip; 2 ... Metal bump (conductive bump); 3 ... Substrate (package); 4 ... Wiring pattern; 5
... Encapsulating resin; 7 ... Hollow part; 8 ... Electrode pattern (for example, functional part of interdigital converter IDT; comb-teeth-shaped electrode pattern, etc.); 9 ... Gap; 30 ... Step part (contour side of device chip 1) ); 30A to 30F ... Various groove (step) portions; 100 ... Electronic component device (such as a surface acoustic wave filter device).

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定の機能部分を有するデバイスチップと
所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ
所定の空間部が形成されるように、前記デバイスチップ
と前記基板とが導電性バンプを介して電気的かつ機械的
に接続され、かつ、保護材により前記デバイスチップの
前記機能部分が外部から保護されるように構成された電
子部品装置において、 前記デバイスチップの端部と前記機能部分との間に、前
記基板とデバイスチップとの間隙が前記機能部分におけ
る間隙よりも広くなる領域を有し、当該領域で前記保護
材が終端されていることを特徴とする電子部品装置。
1. The device chip and the substrate are electrically conductive so that a predetermined space including the functional portion is formed between a device chip having the predetermined functional portion and a substrate made of a predetermined material. In an electronic component device that is electrically and mechanically connected via a conductive bump, and is configured such that the functional portion of the device chip is protected from the outside by a protective material, the end portion of the device chip and the An electronic component device having a region between the functional portion and the substrate and a device chip in which a gap between the substrate and the device chip is wider than the gap in the functional portion, and the protective material is terminated in the region.
【請求項2】 前記隙間を広げた部分における、前記基
板面に沿った方向の幅が、前記保護材の前記空間部への
進入を防止する観点から必要な大きさに決められること
を特徴とする請求項1に記載の装置。
2. The width of the widened portion in the direction along the surface of the substrate is determined to be a necessary size from the viewpoint of preventing the protective material from entering the space portion. The device according to claim 1.
【請求項3】 前空間部に面する前記基板の表面上には
所定の配線パターンが設けられ、前記基板面とデバイス
チップ面との間の隙間を広げた部分は、その部分に前記
配線パターンを設けないことで、その部分の隙間を広げ
るように構成したことを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の装置。
3. A predetermined wiring pattern is provided on the surface of the substrate facing the front space, and the wiring pattern is formed in the portion where the gap between the substrate surface and the device chip surface is widened. The device according to claim 1 or 2, wherein the device is configured so as to widen the gap in that part by not providing the device.
【請求項4】 前記デバイスチップの前記機能部分は所
定の電気特性を有する弾性表面波フィルタで構成され、
前記保護材は樹脂で構成されることを特徴とする請求項
1ないし請求項3のいずれか1項に記載の装置。
4. The functional portion of the device chip is composed of a surface acoustic wave filter having predetermined electric characteristics,
The device according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective material is made of resin.
【請求項5】所定の機能部分を有するデバイスチップと
所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ
所定の空間部が形成されるように、前記デバイスチップ
と前記基板とを導電性バンプを介して電気的かつ機械的
に接続し、 保護材により、前記機能部分が外部雰囲気から遮蔽され
るように前記デバイスチップおよび前記基板の外周を封
止するように構成された電子部品装置の製法において、 前記デバイスチップの端部と前記機能部分との間に、前
記基板とデバイスチップとの間隙が前記機能部分におけ
る間隙よりも広くなる領域を有し、当該領域で前記保護
材が終端されていることを特徴とする電子部品装置の製
造方法。
5. The device chip and the substrate are electrically conductive so that a predetermined space including the functional portion is formed between a device chip having the predetermined functional portion and a substrate made of a predetermined material. Electronic device connected electrically and mechanically via a conductive bump and sealing the outer periphery of the device chip and the substrate so that the functional portion is shielded from the external atmosphere by a protective material. In the manufacturing method of (1), there is an area between the end portion of the device chip and the functional portion in which the gap between the substrate and the device chip is wider than the gap in the functional portion, and the protective material terminates in the area. And a method for manufacturing an electronic component device.
【請求項6】 前記基板面とデバイスチップ面との間の
隙間が、前記基板および/または前記デバイスチップの
一部の表面を切削加工することにより広げられるように
構成したことを特徴とする請求項5に記載の方法。
6. The gap between the substrate surface and the device chip surface is configured to be widened by cutting the surface of a part of the substrate and / or the device chip. Item 5. The method according to Item 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020159836A (en) * 2019-03-26 2020-10-01 Tdk株式会社 Sensor module and manufacturing method therefor
JP7247698B2 (en) 2019-03-26 2023-03-29 Tdk株式会社 Manufacturing method of sensor module
JP7494032B2 (en) 2019-07-12 2024-06-03 日東電工株式会社 Sealing resin sheet, sealing multilayer resin sheet and electronic element package

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