JP2003142378A - System and method of controlling aligner for semiconductor - Google Patents

System and method of controlling aligner for semiconductor

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JP2003142378A
JP2003142378A JP2001338366A JP2001338366A JP2003142378A JP 2003142378 A JP2003142378 A JP 2003142378A JP 2001338366 A JP2001338366 A JP 2001338366A JP 2001338366 A JP2001338366 A JP 2001338366A JP 2003142378 A JP2003142378 A JP 2003142378A
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Japan
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distortion
exposure apparatus
semiconductor exposure
processing
semiconductor
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JP2001338366A
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Japanese (ja)
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Norihiko Utsunomiya
紀彦 宇都宮
Yoshito Tada
義人 多田
Shigeyuki Uzawa
繁行 鵜澤
Yasushi Hoshi
泰 星
Yasumi Yamada
保美 山田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control aligners for semiconductor so as to automatically perform optimum exposure according to the distortion generated, depending on various the conditions of each of the aligner for semiconductor, and to efficiently reduce matching errors to the utmost due to distortion factors without increasing process steps. SOLUTION: This controls system, which contains a plurality of aligners for semiconductor 101 and which controls a variety of exposures in manufacturing semiconductor devices, is constituted, such that in performing a plurality of exposures, an optimum exposure condition for each exposure is selected for practice, based on the distortion generated in each aligner for semiconductor 101.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造装
置、特にウェハー上に回路パターンを焼き付ける半導体
露光装置管理システムに関し、露光装置のディストーシ
ョンによって発生する製品の合わせ誤差を低減するため
の装置運用に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor exposure apparatus management system for printing a circuit pattern on a wafer, and an apparatus operation for reducing a product alignment error caused by exposure apparatus distortion. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体露光装置のレンズディスト
ーションについては、半導体製造ラインのエンジニアが
各装置のレンズディストーションの計測結果を管理し、
ディストーションの傾向の近い装置を選び、製品毎ある
いは工程毎に号機限定を行い、ディストーションに起因
して発生する合わせ誤差の低減を計っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, regarding the lens distortion of a semiconductor exposure apparatus, an engineer of a semiconductor manufacturing line manages the measurement result of the lens distortion of each apparatus,
We have selected equipment with a similar distortion tendency and limited the number of machines for each product or process to reduce the alignment error caused by distortion.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のような装置運用
を行った場合に、特定の半導体露光装置への処理ロット
の集中等、非効率な運用となる場合が多い。また、露光
照明モード毎のディストーション差やディストーション
の経時変化等まで含めた、ディストーションのマッチン
グを考えた場合には、製造ラインエンジニアによる管理
の工数が増大してしまうという問題がある。
When the above-described apparatus operation is performed, the operation is often inefficient, such as the concentration of processing lots in a specific semiconductor exposure apparatus. Further, when considering the matching of distortions including the difference in distortion for each exposure illumination mode and the change over time of distortion, there is a problem that the number of man-hours for management by the manufacturing line engineer increases.

【0004】そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、半導体露光装置の諸条件に依存して発生
する各ディストーションに応じて自動的に最適な露光を
行なうように半導体露光装置を管理し、工程増を招くこ
となく効率良くディストーション要因の合わせ誤差を可
及的に低減して、信頼性の高い露光を行なうことを可能
とする半導体露光装置の管理システム及び管理方法を提
供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and a semiconductor exposure apparatus is provided so that optimum exposure is automatically performed according to each distortion that occurs depending on various conditions of the semiconductor exposure apparatus. (EN) Provided are a management system and a management method for a semiconductor exposure apparatus, which can manage and efficiently reduce the alignment error of distortion factors as much as possible without increasing the number of steps and perform highly reliable exposure. With the goal.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体露光装置
の管理システムは、複数の半導体露光装置を備え、半導
体装置を製造する際の各種露光を制御する管理システム
であって、前記半導体露光装置に発生するディストーシ
ョンを、当該装置毎、照明条件毎、及び計測タイミング
毎に管理する機能を有する第1の手段と、前記半導体露
光装置のロット処理データを、製品名、工程名、及びロ
ットIDをキー情報として管理する機能を有する第2の
手段と、次工程となる焼き付けに対する合わせ基準工程
の工程名を製品名及び次工程名称から取得し、前記第2
の手段による前記ロット処理データを基に前記合わせ基
準工程の処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取
得する機能を有する第3の手段と、前記第3の手段によ
り取得した前記合わせ基準工程の処理装置、処理露光照
明モード、及び処理日時から、前記第1の手段により管
理しているディストーションデータから最も近いディス
トーションデータを取得する機能を有する第4の手段
と、次工程の処理露光照明モードを製品名及び次工程名
から取得し、検索対象露光装置群のうち最新の処理露光
照明モードのディストーションデータを、前記半導体露
光装置毎に取得する機能を有する第5の手段と、前記第
4の手段により取得したディストーションデータと、前
記第5の手段により取得したディストーションデータと
を各々比較演算し、ディストーション要因の合わせ誤差
を求める機能を有する第6の手段と、前記第6の手段に
より求めたディストーション要因の合わせ誤差を表示す
る機能を有する第7の手段とを備えたことを特徴とす
る。
A semiconductor exposure apparatus management system according to the present invention is a management system that comprises a plurality of semiconductor exposure apparatuses and controls various exposures when manufacturing a semiconductor device. The first means having a function of managing the distortion generated in each of the devices, the illumination conditions, and the measurement timings, and the lot processing data of the semiconductor exposure device, the product name, the process name, and the lot ID. The second means having a function of managing as key information, and the process name of the matching reference process for baking which is the next process are acquired from the product name and the next process name,
Of the alignment reference process based on the lot processing data by the means, third means having the function of acquiring the processing illumination mode, the processing illumination mode, and the processing date and time; and the alignment reference step acquired by the third means. A fourth means having a function of acquiring the distortion data closest to the distortion data managed by the first means from the processing device, the processing exposure illumination mode, and the processing date and time, and the processing exposure illumination mode of the next step. Fifth means having the function of acquiring from the product name and the next process name, the distortion data of the latest processing exposure illumination mode in the exposure apparatus group to be searched for each semiconductor exposure apparatus, and the fourth means. The distortion data obtained by the above and the distortion data obtained by the fifth means are respectively compared and calculated, A sixth means having a function for determining the alignment error of Isutoshon factors, characterized in that a seventh means having a function of displaying the alignment error of the distortion factors obtained by the sixth means.

【0006】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記半導体露光装置に発生するディストー
ションを、前記半導体露光装置の有する計測機能を用い
て計測する場合に、ネットワークあるいはオンライン経
由により自動的にデータ取得する。
According to one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, when the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured using the measurement function of the semiconductor exposure apparatus, it is automatically performed via a network or online. To get the data.

【0007】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記半導体露光装置に発生するディストー
ションを、半導体ウェハ検査装置によって計測する場合
に、ネットワークあるいはオンライン経由により自動的
にデータ取得する。
According to one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, when the distortion occurring in the semiconductor exposure apparatus is measured by a semiconductor wafer inspection apparatus, data is automatically acquired via a network or online.

【0008】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第2の手段による前記ロット処理デー
タを、ネットワークあるいはオンライン経由にて自動的
に取得する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the lot processing data by the second means is automatically acquired via a network or online.

【0009】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第6の手段によりディストーション要
因の合わせ誤差を計算する際に、合わせ誤差に含まれる
線形成分を計算する機能を有する第8の手段を備え、前
記第7の手段の表示機能により前記線形成分を表示す
る。
According to one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, in calculating the alignment error of the distortion factor by the sixth means, the eighth component has a function of calculating a linear component included in the alignment error. Means for displaying the linear component by the display function of the seventh means.

【0010】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第7の手段は、ディストーション要因
の合わせ誤差を表示する際にショットイメージを表示
し、その上に各ディストーション計測座標位置を表示
し、そのディストーション計測座標でのディストーショ
ン要因の合わせ誤差をベクトル状に図示する機能を有す
る。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the seventh means displays a shot image when displaying the alignment error of distortion factors, and displays each distortion measurement coordinate position on it. However, it has a function of displaying the alignment error of the distortion factor at the distortion measurement coordinates in a vector form.

【0011】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第1の手段は、前記ディストーション
データとして計測点毎の理想投影位置からのずれ量を示
すX,Y2つの数値を用いる。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the first means uses two numerical values X and Y indicating the amount of deviation from the ideal projection position for each measurement point as the distortion data.

【0012】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第3の手段は、前記合わせ基準工程の
処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得する際
に、製品毎に各工程に対する合わせ基準工程の情報を利
用する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the third means obtains the processing apparatus, the processing illumination mode, and the processing date and time of the alignment reference step, each step for each product. Use the information of the alignment reference process for.

【0013】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記第1の手段は、ディストーションを管
理するに際して、ディストーション焼き付けに用いたレ
チクルの名称を管理する機能と、ディストーション計測
に用いる各レチクル個体が持つ誤差を管理する機能とを
有し、前記第5の手段は、ディストーション要因の合わ
せ誤差計算をするに際して、ディストーション計測レチ
クルによる誤差成分を補正する機能を有する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the first means has a function of managing the name of a reticle used for distortion printing when managing distortion and each reticle used for distortion measurement. The fifth means has a function of managing an error that an individual has, and the fifth means has a function of correcting an error component due to the distortion measurement reticle when calculating a distortion factor matching error.

【0014】本発明の半導体露光装置の管理システム
は、複数の半導体露光装置を備え、半導体装置を製造す
る際の各種露光を制御する管理システムであって、複数
回の露光に際して、前記半導体露光装置に発生するディ
ストーションに基き、各回の露光毎に最適な露光状態の
前記半導体露光装置を選択して順次露光を行うことを特
徴とする。
A semiconductor exposure apparatus management system according to the present invention is a management system that includes a plurality of semiconductor exposure apparatuses and controls various types of exposure when manufacturing a semiconductor device. It is characterized in that the semiconductor exposure apparatus in the optimum exposure state is selected for each exposure based on the distortion that occurs in step 1 and the exposure is sequentially performed.

【0015】本発明の半導体露光装置の管理システムの
一態様では、前記半導体露光装置毎、照明条件毎、及び
計測タイミング毎に前記ディストーションを管理し、こ
れらの差異に基いて各回の露光に最適な露光状態の前記
半導体露光装置を選択して実行する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management system of the present invention, the distortion is managed for each semiconductor exposure apparatus, for each illumination condition, and for each measurement timing, and optimal for each exposure based on these differences. The semiconductor exposure apparatus in the exposed state is selected and executed.

【0016】本発明の半導体露光装置の管理方法は、複
数の半導体露光装置を備え、半導体装置を製造する際の
各種露光を制御する管理方法であって、前記半導体露光
装置に発生するディストーションを、当該装置毎、照明
条件毎、及び計測タイミング毎に管理する第1の工程
と、前記半導体露光装置のロット処理データを、製品
名、工程名、及びロットIDをキー情報として管理する
第2の工程と、焼き付けに対する合わせ基準工程の工程
名を製品名及び次工程名称から取得し、前記第2の手段
による前記ロット処理データを基に前記合わせ基準工程
の処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得する
第3の工程と、前記第3の工程にて取得した前記合わせ
基準工程の処理装置、処理露光照明モード、及び処理日
時から、前記第1の工程にて管理しているディストーシ
ョンデータから最も近いディストーションデータを取得
する第4の工程と、処理露光照明モードを製品名及び次
工程名から取得し、検索対象露光装置群のうち最新の処
理露光照明モードのディストーションデータを、前記半
導体露光装置毎に取得する第5の工程と、前記第4の工
程にて取得したディストーションデータと、前記第5の
工程にて取得したディストーションデータとを各々比較
演算し、ディストーション要因の合わせ誤差を求める第
6の工程と、前記第6の工程にて求めたディストーショ
ン要因の合わせ誤差を表示する第7の工程とを備えたこ
とを特徴とする。
A semiconductor exposure apparatus management method of the present invention is a management method for controlling various exposures when a semiconductor device is manufactured, comprising a plurality of semiconductor exposure apparatuses, wherein distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is A first step of managing each apparatus, each lighting condition, and each measurement timing, and a second step of managing lot processing data of the semiconductor exposure apparatus with a product name, a step name, and a lot ID as key information. And the process name of the matching reference process for printing is obtained from the product name and the next process name, and the processing device, the processing illumination mode, and the processing date and time of the matching reference process are obtained based on the lot processing data by the second means. From the third step to be acquired, the processing apparatus, the processing exposure illumination mode, and the processing date and time of the alignment reference step acquired in the third step, the first process is performed. The fourth process that obtains the closest distortion data from the distortion data managed by, and the process exposure illumination mode that is acquired from the product name and the next process name, and the latest process exposure illumination mode in the exposure device group to be searched. Distortion data of the fifth step of acquiring for each of the semiconductor exposure apparatus, the distortion data acquired in the fourth step, and the distortion data acquired in the fifth step are respectively compared and calculated, It is characterized by comprising a sixth step of obtaining a distortion factor alignment error and a seventh step of displaying the distortion factor alignment error obtained in the sixth step.

【0017】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記半導体露光装置に発生するディストーショ
ンを、前記半導体露光装置の有する計測機能を用いて計
測する場合に、ネットワークあるいは、オンライン経由
により自動的にデータ取得する。
According to one aspect of the semiconductor exposure apparatus management method of the present invention, when the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured using the measurement function of the semiconductor exposure apparatus, it is automatically performed via a network or online. To acquire data.

【0018】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記半導体露光装置に発生するディストーショ
ンを、半導体ウェハ検査装置によって計測する場合に、
ネットワークあるいはオンライン経由により自動的にデ
ータ取得する。
According to one aspect of the semiconductor exposure apparatus management method of the present invention, when the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured by a semiconductor wafer inspection apparatus,
Data is automatically acquired via the network or online.

【0019】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第2の工程による前記ロット処理データ
を、ネットワークあるいはオンライン経由にて自動的に
取得する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management method of the present invention, the lot processing data in the second step is automatically acquired via a network or online.

【0020】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第6の工程においてディストーション要因
の合わせ誤差を計算する際に、合わせ誤差に含まれる線
形成分を計算し、前記第7の工程における表示機能によ
り前記線形成分を表示する。
In one aspect of the method for controlling a semiconductor exposure apparatus of the present invention, when the alignment error of the distortion factor is calculated in the sixth step, a linear component included in the alignment error is calculated, and the seventh step is performed. The linear function is displayed by the display function in.

【0021】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第7の工程にて、ディストーション要因の
合わせ誤差を表示する際にショットイメージを表示し、
その上に各ディストーション計測座標位置を表示し、そ
のディストーション計測座標でのディストーション要因
の合わせ誤差をベクトル状に図示する。
In one aspect of the method for controlling a semiconductor exposure apparatus of the present invention, in the seventh step, a shot image is displayed when the alignment error of the distortion factor is displayed,
Each distortion measurement coordinate position is displayed on it, and the alignment error of the distortion factor at the distortion measurement coordinate is illustrated in vector form.

【0022】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第1の工程にて、前記ディストーションデ
ータとして計測点毎の理想投影位置からのずれ量を示す
X,Y2つの数値を用いる。
In one aspect of the method for controlling a semiconductor exposure apparatus of the present invention, in the first step, two numerical values, X and Y, indicating the amount of deviation from the ideal projection position for each measurement point are used as the distortion data.

【0023】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第3の工程にて、前記合わせ基準工程の処
理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得する際
に、製品毎に各工程に対する合わせ基準工程の情報を利
用する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management method of the present invention, when the processing apparatus, the processing illumination mode, and the processing date and time in the alignment reference step are acquired in the third step, each processing is performed for each product. Use the information of the alignment reference process for the process.

【0024】本発明の半導体露光装置の管理方法の一態
様では、前記第1の工程にて、ディストーションを管理
するに際して、ディストーション焼き付けに用いたレチ
クルの名称の管理と、ディストーション計測に用いる各
レチクル個体が持つ誤差の管理とを実行し、前記第5の
工程にて、ディストーション要因の合わせ誤差計算をす
るに際して、ディストーション計測レチクルによる誤差
成分を補正する。
In one aspect of the semiconductor exposure apparatus management method of the present invention, in managing the distortion in the first step, management of names of reticles used for distortion printing and individual reticles used for distortion measurement are performed. Error management is performed, and in the fifth step, when calculating the alignment error of the distortion factor, the error component due to the distortion measurement reticle is corrected.

【0025】本発明の記憶媒体は、前記半導体露光装置
の管理方法の前記各工程を実行させるためのプログラム
を格納したコンピュータ読取り可能なものである。
The storage medium of the present invention is a computer-readable medium that stores a program for executing the steps of the semiconductor exposure apparatus management method.

【0026】本発明においては、半導体露光装置間のデ
ィストーションの差を比較することになるため、半導体
露光装置とオンライン機能あるいはオンライン機能とは
独立したネットワークで接続された半導体露光装置管理
システムを用いて複数露光装置分のデータ管理、複数露
光装置に跨るデータ間の演算を行うことになる。管理す
るデータとして、露光装置のレンズディストーションを
管理するディストーションデータ、ウェハーの処理を管
理するロット処理データ、製品のアライメントツリーを
管理する製品情報データの3つのデータを管理すること
によって、次露光工程の処理装置を既にウェハー上に焼
き付けられているアライメントターゲットレイヤのレン
ズのディストーションにマッチングの良いレンズディス
トーションを持った装置を選択する。
In the present invention, since the difference in distortion between semiconductor exposure apparatuses is compared, the semiconductor exposure apparatus and the online function or a semiconductor exposure apparatus management system connected to the online function by a network independent of each other is used. Data management for a plurality of exposure apparatuses and calculation between data across a plurality of exposure apparatuses are performed. As the data to be managed, distortion data for managing the lens distortion of the exposure apparatus, lot processing data for managing the wafer processing, and product information data for managing the product alignment tree are managed. As the processing apparatus, an apparatus having a lens distortion that is well matched to the lens distortion of the alignment target layer that has already been printed on the wafer is selected.

【0027】ここでは、半導体露光装置外にシステムが
存在する様に記述したが、半導体露光装置内のコンピュ
ータをネットワーク接続し、それらのコンピュータをネ
ットワーク接続した環境による分散システムを提供して
もかまわない。
Although the system is described as existing outside the semiconductor exposure apparatus here, a computer in the semiconductor exposure apparatus may be network-connected and a distributed system may be provided in an environment in which those computers are network-connected. .

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な実
施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図
1は、本実施形態の半導体露光装置の管理システムを示
す全体図である。図中、101が半導体露光装置に該た
り、102は半導体露光装置内の通常コンソールと呼ば
れるコンピュータ、103はメインシーケンスと呼ばれ
る制御用コンピュータ、104は半導体露光装置管理シ
ステムのサーバコンピュータである。104の中には、
105のデータベース管理システムがあり、データベー
ス管理システムが管理しているデータには、106に示
したディストーション管理データベースと107に示し
たロット処理管理データベースと108に示した製品情
報データベースが搭載されている。本実施形態において
は、これらの情報を管理するためにデータベース管理シ
ステムを用いているが、必ずデータベース管理システム
を用いずに通常のファイルシステムでの情報管理を行っ
てもかまわない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall view showing a management system of a semiconductor exposure apparatus of this embodiment. In the figure, 101 is a semiconductor exposure apparatus, 102 is a computer called a normal console in the semiconductor exposure apparatus, 103 is a control computer called a main sequence, and 104 is a server computer of a semiconductor exposure apparatus management system. Some of the 104
There is a database management system 105, and the data managed by the database management system includes a distortion management database 106, a lot processing management database 107, and a product information database 108. In this embodiment, the database management system is used to manage such information, but the information management may be performed by a normal file system without necessarily using the database management system.

【0029】109は半導体露光装置管理システムのク
ライアントコンピュータである。109には、110で
示すユーザーインターフェース部と111で示すデータ
処理部の2つのシステムが動作している。
Reference numeral 109 is a client computer of the semiconductor exposure apparatus management system. At 109, two systems, a user interface unit denoted by 110 and a data processing unit denoted by 111, are operating.

【0030】112は、半導体工場内のネットワークを
示しており、101,104,109がそれぞれ接続さ
れ、データ通信がなされている。
Reference numeral 112 denotes a network in the semiconductor factory, to which 101, 104 and 109 are respectively connected to perform data communication.

【0031】ここで、本実施形態にて管理するディスト
ーションの計測パターンを図2のような3×3の9点の
パターンとし、計測座標も図2に含まれる表の通りとす
る。201に示している外枠は、露光装置の露光領域を
示しており、202〜210により示すプロットが各計
測点を表している。
Here, the distortion measurement pattern managed in the present embodiment is a 3 × 3 nine-point pattern as shown in FIG. 2, and the measurement coordinates are also as shown in the table included in FIG. The outer frame indicated by 201 indicates the exposure area of the exposure apparatus, and the plots indicated by 202 to 210 indicate the respective measurement points.

【0032】各点に対応する計測点座標を220の表に
示している。この表において、221が計測点を一意に
識別する計測点のIDであり、222がそのIDに対応
する計測点のX座標、223がY座標となっている。各
IDと各計測点の対応は、202がID−1、203が
ID−2、204がID−3、205がID−4、20
6がID−5、207が1D−6、208がID−7、
209がID−8、210が1D−10となっている。
本実施形態においては、この9点各点でのX,Yのずれ
成分をディストーションとして用いている。
The measurement point coordinates corresponding to each point are shown in the table 220. In this table, 221 is the ID of the measurement point that uniquely identifies the measurement point, 222 is the X coordinate of the measurement point corresponding to that ID, and 223 is the Y coordinate. The correspondence between each ID and each measurement point is as follows: 202 is ID-1, 203 is ID-2, 204 is ID-3, 205 is ID-4, 20
6 is ID-5, 207 is 1D-6, 208 is ID-7,
209 is ID-8 and 210 is 1D-10.
In the present embodiment, the displacement components of X and Y at each of the nine points are used as distortion.

【0033】ディストーション管理データベースの構築
例を図3に示す。ディストーション管理データベースは
大きく3つに分かれる。301は、ディストーション計
測レチクル誤差情報であり、ディストーション計測に用
いるレチクルのレチクル描画誤差を示すテーブル、30
2がレチクルを一意に識別するレチクル識別1D、30
3が計測座標IDであり、図2で示したIDと同じ座標
を示している。304がレチクル識別ID及び計測座標
IDに対応したX方向のレチクル描画誤差であり、30
5がY方向のレチクル描画誤差とされている。この例で
は一枚のレチクルに対して、計測点9点分の情報であ
る、306で示した分の情報が存在する。301では、
2枚のレチクル分の情報を図示しているが、実際には、
ディストーションの計測に用いるレチクル枚数分のデー
タが存在する。
An example of construction of the distortion management database is shown in FIG. The distortion management database is roughly divided into three. Reference numeral 301 denotes distortion measurement reticle error information, which is a table showing a reticle drawing error of a reticle used for distortion measurement, 30
2 is a reticle identification 1D, 30 that uniquely identifies the reticle
Reference numeral 3 denotes a measurement coordinate ID, which indicates the same coordinate as the ID shown in FIG. 304 is a reticle drawing error in the X direction corresponding to the reticle identification ID and the measurement coordinate ID.
5 is the reticle drawing error in the Y direction. In this example, for one reticle, there is information corresponding to nine measurement points, that is, information indicated by 306. In 301,
Although the information for two reticles is shown, in reality,
There is data for the number of reticles used for distortion measurement.

【0034】311は、ディストーション計測座標テー
ブルであり、ディストーション計測座標と計測点IDを
結びつけるテーブルであり、図2の表と同様のものであ
る。312は、計測座標Dを示している。313は、計
測座標IDに対応したX座標であり、314はY座標と
されている。
Reference numeral 311 is a distortion measurement coordinate table, which is a table for connecting the distortion measurement coordinates and the measurement point ID, and is similar to the table in FIG. Reference numeral 312 indicates the measurement coordinate D. 313 is an X coordinate corresponding to the measurement coordinate ID, and 314 is a Y coordinate.

【0035】321はディストーション計測データテー
ブルであり、各計測点IDに対応する、計測値が格納さ
れている。322は露光装置を一意に識別する装置ID
を示している。323は、ディストーションを計測した
計測日時を、324は計測に用いたレチクルのレチクル
識別IDを示している。
Reference numeral 321 is a distortion measurement data table in which measurement values corresponding to each measurement point ID are stored. 322 is an apparatus ID for uniquely identifying the exposure apparatus
Is shown. Reference numeral 323 indicates the measurement date and time when the distortion was measured, and reference numeral 324 indicates the reticle identification ID of the reticle used for the measurement.

【0036】325,326は、計測したディストーシ
ョンの照明モードを示しており、325はNAを、32
6はSigmaを示している。327はそれぞれの計測
座標に対応する計測座標Dである。328,329は、
それぞれの計測点に対応するディストーションの計測値
であり、328がX、329がYの計測値をそれぞれ示
している。ここでは、装置計測タイミング照明モードに
より特定される1セットの計測データは、330で示さ
れたデータとなる。本実施形態では、9点のデータが存
在する。
Reference numerals 325 and 326 represent the measured distortion illumination modes, and 325 represents NA.
6 indicates Sigma. Reference numeral 327 is a measurement coordinate D corresponding to each measurement coordinate. 328 and 329 are
The distortion measurement values correspond to the respective measurement points, and 328 indicates X and 329 indicates Y measurement values, respectively. Here, one set of measurement data specified by the device measurement timing illumination mode is the data indicated by 330. In this embodiment, there are 9 points of data.

【0037】ロット処理管理データベースの構築例を図
4に示す。401がロット処理管理情報であり、402
がロットを一意に識別するロットID、403がロット
処理に対応する製品を特定する製品ID、404がロッ
ト処理の工程を識別する工程ID、405が処理を行っ
た露光装置を特定する装置IDである。406は処理を
行った日時を特定する処理開始時間を示している。
An example of construction of the lot processing management database is shown in FIG. 401 is lot processing management information, and 402
Is a lot ID that uniquely identifies a lot, 403 is a product ID that identifies a product corresponding to lot processing, 404 is a process ID that identifies a lot processing step, and 405 is an apparatus ID that identifies an exposure apparatus that has performed processing. is there. Reference numeral 406 denotes a processing start time that specifies the date and time when the processing is performed.

【0038】製品情報データベースの構築例を図6に示
す。501が製品情報であり、製品毎にアライメントツ
リーおよび露光照明モードを記述したものとなってい
る。502が製品を一意に識別する製品1Dである。こ
こでは、1つの製品のみの製品情報のみ図示している。
503が工程を一意に識別する工程1Dである。504
が製品を構成する露光工程の順番を示す工程シーケンス
No.となっている。505は該当する工程がどの工程
に対して位置合わせを行うのかを示すアライメントター
ゲットレイヤを示している。このアライメントターゲッ
トレイヤ505に対して、露光装置は正しく位置合わせ
をし、露光することが要求される。506,507が露
光に用いる照明モードを示している。506がNAであ
り、507がSigmaを示している。
An example of construction of the product information database is shown in FIG. 501 is product information, which describes an alignment tree and an exposure illumination mode for each product. A product 1D 502 uniquely identifies the product. Here, only the product information of one product is shown.
A step 1D 503 uniquely identifies the step. 504
Is a process sequence number that indicates the order of the exposure processes that form the product. Has become. Reference numeral 505 denotes an alignment target layer indicating which process the corresponding process performs alignment. The aligner is required to properly align and expose the alignment target layer 505. Reference numerals 506 and 507 indicate illumination modes used for exposure. Reference numeral 506 indicates NA, and 507 indicates Sigma.

【0039】ディストーションデータの収集方法につい
て説明する。先ず、ディストーションデータを半導体露
光装置で計測する場合の例について示す。通常、半導体
露光装置でディストーション計測を行う場合は、ディス
トーションパターンを焼き付け後、現像済みのウエハを
再度半導体露光装置のアライメント計測系を用いて計測
する。
A method of collecting distortion data will be described. First, an example of measuring distortion data with a semiconductor exposure apparatus will be described. Usually, when performing distortion measurement with a semiconductor exposure apparatus, after the distortion pattern is printed, the developed wafer is measured again using the alignment measurement system of the semiconductor exposure apparatus.

【0040】ディストーション焼き付け方法としては、
図6のように、先ず一括全面焼きを行う。その際に使用
するレチクルには、602〜610の各計測点に対応す
る座標に621のようなマークを配置しておく。ここで
は、ポジのレジストを用いる例を示すため、621のハ
ッチング部は、クロームによる遮光部を示すものとす
る。この一括全面焼きでは、621のマークが、レンズ
のディストーション分変位した位置に投影されウェハー
上に露光される。この一括全面焼きした上にステージを
基準として、図7の701〜709のように図6の60
2〜610にそれぞれ重なるように721で示されるマ
ークを露光すると、このマークも621と同様にポジレ
シストを用いる例であるため、ハッチング部がクローム
による遮光部を示している。
As the distortion baking method,
As shown in FIG. 6, first, a blanket overall baking is performed. On the reticle used at that time, marks such as 621 are arranged at the coordinates corresponding to the measurement points 602 to 610. Here, since an example using a positive resist is shown, the hatched portion 621 indicates a light-shielding portion made of chrome. In this batch baking, the 621 mark is projected onto the position displaced by the distortion of the lens and is exposed on the wafer. This whole surface is baked, and the stage is used as a reference, as shown in 701 to 709 of FIG.
When the mark 721 is exposed so as to be overlapped with 2 to 610 respectively, this mark is also an example of using positive resist like 621, and therefore the hatched portion indicates a light shielding portion by chrome.

【0041】701〜709を各ショットを露光する際
に用いる721のマークは、レチクル上の同一マークを
用いる。このように焼き付けたレイアウトのイメージが
図8となる。802から810の各々の計測点の現像後
のイメージが821となる。821では、ハッチング部
がレジストが残存している部分となっている。実際に、
レンズのディストーションが存在している場合には、8
21の中のレジストが抜けているマーク像が、周りのレ
ジスト残存のマーク内でどちらかに偏ることとなる。
The same mark on the reticle is used as the mark 721 used when exposing each shot of 701 to 709. The image of the layout printed in this way is shown in FIG. The image after development of the measurement points 802 to 810 is 821. In 821, the hatched portion is the portion where the resist remains. actually,
8 if lens distortion is present
The mark image in which the resist in 21 is missing is biased to either side in the surrounding mark where the resist remains.

【0042】ディストーション計測時には、この偏りを
計測することにより、各点でのディストーション計測を
行うことができる。
At the time of distortion measurement, distortion can be measured at each point by measuring this deviation.

【0043】実際の計測時には、図9に示した各寸法を
計測することにより、計算により求めることができる。
計算式としては、X,Yそれぞれのディストーションを
Xdis,Ydisとすると、 Xdis=(XR−XL)/2 Ydis=(YU−YD)/2 により求められる。
At the time of actual measurement, it can be obtained by calculation by measuring each dimension shown in FIG.
As a calculation formula, when the distortions of X and Y are Xdis and Ydis respectively, Xdis = (XR-XL) / 2 Ydis = (YU-YD) / 2.

【0044】この計測は、露光装置のもつ計測機能を用
いて実施してもよいし、外部計測器による計測機能を用
いてもよい。
This measurement may be carried out by using the measuring function of the exposure apparatus or by using the measuring function of an external measuring device.

【0045】上記のうち、露光装置によって計測するこ
とを前提とした場合、各点のディストーションデータを
図1の103の制御コンピュータが計測し、102のコ
ンソールコンピュータに送信する。102のコンソール
コンピュータが112のネットワークを経由し、104
で示された管理システムサーパコンピュータ内の106
のディストーションデータベースに105のデータベー
ス管理システム経由で送信する。但し、ここで送信する
データには、図3の321に示したディストーション計
測データの項目すべてを送信する必要がある。
Of the above, on the premise that the measurement is performed by the exposure apparatus, the distortion data at each point is measured by the control computer 103 in FIG. 1 and transmitted to the console computer 102. 102 console computers pass through 112 networks, and 104
106 in the management system supercomputer indicated by
To the distortion database of 105 via the database management system. However, it is necessary to transmit all the items of the distortion measurement data shown in 321 of FIG. 3 to the data transmitted here.

【0046】このように送信することによって、装置
毎、露光照明モード毎に日付を付けた形で履歴管理され
る形となる。以上がディストーションデータの取得方法
である。
By transmitting in this manner, the history is managed in the form of giving a date for each device and each exposure illumination mode. The above is the method for acquiring distortion data.

【0047】ロット処理データの取得方法について説明
する。半導体露光装置でロット処理を行う際に、ロット
ID、装置ID、製品ID、工程IDと、処理開始日時
のデータとを図1の102に示したコンソールコンピュ
ータが104の管理システムサーパコンピュータに送信
する。ディストーションデータ送信と同様に、105の
データベース管理システムを経由して、107に示した
ロット処理データベースに管理される。ここでの管理
は、図4にも示したような形態で管理されるため、各半
導体露光装置でのロット処理実行データが全て履歴管理
される。
A method of acquiring lot processing data will be described. When performing lot processing with the semiconductor exposure apparatus, the console computer shown at 102 in FIG. 1 transmits the lot ID, the apparatus ID, the product ID, the process ID, and the processing start date and time to the management system server computer at 104. To do. Similar to the distortion data transmission, it is managed by the lot processing database shown by 107 via the database management system 105. Since the management here is performed in the form shown in FIG. 4, the history of all lot process execution data in each semiconductor exposure apparatus is managed.

【0048】製品情報の設定方法はユーザーによる入力
となる。この入力画面を図10に示す。入力オペレーシ
ョンが1002のセルに製品IDを入力し、1003を
押下すると、現在設定されている該製品IDの製品情報
の一覧が表示される。その状態で、1004のフレーム
内の1行を選択し、1012の追加あるいは1013の
挿入を押下する。1012押下時には、選択行の次の行
に新規の行が追加され1006〜1011の各項目が入
力可能となる。
The method of setting the product information is input by the user. This input screen is shown in FIG. When a product ID is entered in the cell of which the input operation is 1002 and 1003 is pressed, a list of product information of the product ID currently set is displayed. In that state, one row in the frame 1004 is selected, and addition 1012 or insertion 1013 is pressed. When 1012 is pressed, a new line is added to the line next to the selected line, and items 1006 to 1011 can be input.

【0049】1013の押下時には、選択行の前に新規
の行が挿入され同様に1006〜101の各項目が入力
可能となる。また、行選択後に1014が押下された場
合には、選択行の削除が行われる。これらオペレーショ
ン時には、自動的に1008の工程シーケンスNo.の
再設定が行われるものとする。1015の終了ボタンは
図10の画面の終了ボタンであり、同時に設定内容を製
品情報データベースヘの反映も同時に行っている。
When 1013 is pressed, a new line is inserted before the selected line, and items 1006 to 101 can be similarly input. If 1014 is pressed after selecting a row, the selected row is deleted. During these operations, the process sequence No. of 1008 is automatically performed. Shall be reset. The end button 1015 is the end button on the screen of FIG. 10, and at the same time, the setting contents are reflected in the product information database.

【0050】以上の説明が、データを蓄積する部分の説
明になる。ここからは、実際の処理の流れを説明する。
通常、露光装置管理システムのクライアントコンピュー
タから、露光を行いたいロットのロットIDが入力され
る。入力画面を図11に示す。図11において、110
1が入力画面を示し、1102がロットIDを入力する
テキスト入力フィールドを示している。ここでは、キー
ボードを用いた入力をイメージしているが、バーコード
リーダー、磁気力一ド等を用いた入力を用いても構わな
い。1102にロットIDを入力後、1103を押下す
ることにより処理を開始する。1104を押下すると、
1101の画面を消去する。
The above description is for the part that stores data. From here, the actual flow of processing will be described.
Normally, a lot ID of a lot to be exposed is input from a client computer of the exposure apparatus management system. The input screen is shown in FIG. In FIG. 11, 110
Reference numeral 1 denotes an input screen, and 1102 denotes a text input field for inputting a lot ID. Here, although the input using the keyboard is imagined, the input using a barcode reader, a magnetic field or the like may be used. After inputting the lot ID in 1102, the processing is started by pressing 1103. If you press 1104,
The screen of 1101 is deleted.

【0051】1103が押下された後の処理の流れを図
12のフローチャートに従って説明する。図12に示し
たフローの番号を括弧内に記述しそれぞれの処理の説明
を行う。
The flow of processing after 1103 is pressed will be described with reference to the flowchart of FIG. The number of the flow shown in FIG. 12 is described in parentheses and each process will be described.

【0052】(1202)1102に入力したロットI
Dを用いて図4のロット処理管理のデータベースを検索
する。このとき、402のロットIDで一致する行を検
索する。一致する行のうち、406の処理日時のデータ
を参照し、最新の処理ロットを求める。ここで求めた処
理ロットが、該当ロットの次に処理を行う工程の直前の
露光工程である。ここでは、製品ID(403)と直前
の露光処理の工程ID(404)を取得する。
(1202) Lot I entered in 1102
D is used to search the lot processing control database of FIG. At this time, a row matching the lot ID of 402 is searched. The latest processing lot is obtained by referring to the processing date and time data 406 of the matching lines. The processing lot obtained here is the exposure step immediately before the step of performing the processing next to the relevant lot. Here, the product ID (403) and the process ID (404) of the immediately preceding exposure processing are acquired.

【0053】(1203)1202で求めた製品ID,
工程IDにより、図5の製品情報データを検索し、工程
シーケンスNo.(504)を取得する。この工程シー
ケンスNo.が該ロットIDの直前の露光工程の工程番
号である。
(1203) Product ID obtained in 1202,
The product information data of FIG. 5 is searched by the process ID, and the process sequence number. (504) is acquired. This process sequence No. Is the process number of the exposure process immediately before the lot ID.

【0054】(1204)1203で求めた工程シーケ
ンスNo.に1を加えたものが、次露光工程の工程の番
号である。この工程シーケンスNo.(504)を用い
て、次露光工程の工程IDを図5の製品情報データを検
索し、アライメントターゲットレイヤ(505)と処理
照明条件(506),(507)を求める。ここで求め
たアライメントターゲットレイヤが該ロットの次露光工
程が位置合わせ対象の工程を示している。
(1204) Step sequence No. obtained in 1203. The number of the next exposure step is obtained by adding 1 to. This process sequence No. The product information data of FIG. 5 is searched for the process ID of the next exposure process using (504), and the alignment target layer (505) and the processing illumination conditions (506) and (507) are obtained. The alignment target layer obtained here indicates the process for which the next exposure process of the lot is the target of alignment.

【0055】(1205)1204で求めたアライメン
トターゲットレイヤと1202で求めた製品IDで図5
の製品情報データを検索し、位置合わせ対象の工程の照
明NA Sigmaを求める。この照明条件が、該ロッ
トの位置合わせ対象の工程を焼き付けた照明条件であ
る。
(1205) With the alignment target layer obtained in 1204 and the product ID obtained in 1202, FIG.
The product information data is searched for to obtain the illumination NA Sigma of the process to be aligned. This illumination condition is an illumination condition in which the process of alignment target of the lot is printed.

【0056】(1206)図4のロット処理データを1
201で指定されたロットID(401)と1204で
取得したアライメントターゲットレイヤ(404)で検
索し、処理装置ID(405)と処理開始時間(40
6)を取得する。
(1206) The lot processing data of FIG.
The lot ID (401) specified in 201 and the alignment target layer (404) acquired in 1204 are searched, and the processing device ID (405) and the processing start time (40)
6) is acquired.

【0057】(1207)図3のディストーションデー
タの(321)を1206で求めた装置IDと1205
で求めた処理照明NA Sigma(325),(32
6)で検索し、1206で求めた処理開始時間に最も時
間的に近い(323)ディストーションデータ(32
7),(328),(329)を取得する。また同時に
計測に用いたレチクル識別ID(324)を取得する。
ここで、最も時間的に近いディストーションデータの取
得を行う際に、単純に計測時間と処理開始時間が近いも
のを選択してもよいし、処理開始時間より以前に計測さ
れたものの中から最も新しい計測日時をもつ計測データ
を用いてもよい。
(1207) The device ID and (1205) obtained in 1206 for (321) of the distortion data in FIG.
The processed illumination NA Sigma (325), (32
6), and the distortion data (32) closest to the processing start time obtained in 1206 (323).
7), (328), and (329) are acquired. At the same time, the reticle identification ID (324) used for measurement is acquired.
Here, when acquiring the distortion data that is closest in time, you may simply select the one that is close to the measurement time and the processing start time, or you may select the newest one measured before the processing start time. You may use the measurement data which has a measurement date and time.

【0058】(1208)1207で求めたレチクル識
別ID(302)により、図3の301を検索し、各点
のレチクル要因の誤差成分(303),(304),
(305)を取得する。
(1208) The reticle identification ID (302) obtained in 1207 is searched for 301 in FIG. 3, and error components (303), (304) of the reticle factor at each point are searched.
(305) is acquired.

【0059】(1209)1207で求めた各点のディ
ストーション計測値と1208で求めた各点のレチクル
要因の誤差を基に、ディストーション計測値からレチク
ル要因分の誤差成分を取り除き、純粋なディストーショ
ン成分を抽出する。
(1209) Based on the error of the reticle factor at each point obtained at 1207 and the error of the reticle factor at each point obtained at 1208, the error component corresponding to the reticle factor is removed from the distortion measured value to obtain a pure distortion component. Extract.

【0060】この抽出方法は、図13に示すように単純
なベクトルの引き算となる。1301で示しているのが
計測点であり、1302が1207で求めたディストー
ション計測値、1303が1208で求めたレチクル誤
差成分、1304がレチクル誤差を補正したディストー
ション成分である。単純に1302から1303を引い
たベクトルとなっている。この演算を各点について繰り
返すことにより、補正を行うことができる。
This extraction method is a simple vector subtraction as shown in FIG. Reference numeral 1301 is a measurement point, 1302 is a distortion measurement value obtained in 1207, 1303 is a reticle error component obtained in 1208, and 1304 is a distortion component in which the reticle error is corrected. It is a vector obtained by simply subtracting 1303 from 1302. The correction can be performed by repeating this calculation for each point.

【0061】(1210)図3のディストーションデー
タの(321)を各装置毎に(322),(1204)
で求めた照明NA Sigma(325),(326)
で検索し、最新の(323)各装置のディストーション
データ(327),(328),(329)を取得す
る。同時にそれぞれの計測に用いたレチクル識別ID
(324)を取得する。
(1210) The distortion data (321) of FIG. 3 is converted into (322), (1204) for each device.
Illumination obtained in step NA Sigma (325), (326)
To obtain the latest distortion data (327), (328), (328), (329) of each device. Reticle identification ID used for each measurement at the same time
(324) is acquired.

【0062】(1211)1210で求めた各装置の最
新ディストーションに対応するレチクル識別ID(30
2)により、図3の(301)を検索する。各点のレチ
クル要因の誤差(303),(304),(305)を
取得する。装置台数分繰り返し行う。
(1211) Reticle identification ID (30 corresponding to the latest distortion of each device obtained in 1210)
By (2), (301) in FIG. 3 is searched. The reticle factor errors (303), (304), (305) at each point are acquired. Repeat for the number of devices.

【0063】(1212)1209と同様の計算によ
り、各装置毎にレチクル要因誤差補正後の純粋な各装置
の最新ディストーションを求める。この場合もまた、装
置台数分繰り返し行う。
By the same calculation as (1212) 1209, the latest distortion of each pure device after reticle factor error correction is obtained for each device. In this case also, the process is repeated for the number of devices.

【0064】(1213)1209によるアライメント
ターゲットレイヤを焼き付けた装置により、且つ処理日
時に近く、且つ処理照明モードのディストーションデー
タと1212で求めた各装置の最新の次露光工程の照明
モードのディストーションデータを比較し、ディストー
ション要因の各点のアライメント誤差を算出する。この
算出方法は、図14に示すように単純なベクトルの引き
算となる。1401で示しているのが、計測点であり、
1402が1209で求めたアライメントターゲットレ
イヤのディストーション計測値、1403が1212で
求めた最新の1装置の次露光工程のディストーション計
測値、1304がそれぞれのディストーションを合わせ
た際のディストーション要因の合わせ誤差である。単純
に1402から1403を引いたベクトルとなってい
る。この演算を各点について繰り返し、さらに、各装置
に対して繰り返すことにより、各装置のディストーショ
ン要因の合わせ誤差を求めることができる。
(1213) Distortion data of the processing illumination mode, which is close to the processing date and time, and the latest distortion data of the illumination mode of the next exposure step of each apparatus obtained in 1212 are processed by the apparatus in which the alignment target layer is printed by 1209. By comparing, the alignment error at each point of the distortion factor is calculated. This calculation method is a simple vector subtraction as shown in FIG. 1401 is the measurement point,
1402 is a distortion measurement value of the alignment target layer obtained in 1209, 1403 is a distortion measurement value of the latest exposure process of one apparatus obtained in 1212, and 1304 is an alignment error of distortion factors when the respective distortions are combined. . It is a vector obtained by simply subtracting 1403 from 1402. By repeating this calculation for each point and further for each device, the alignment error of the distortion factor of each device can be obtained.

【0065】(1214)1213で求めたディストー
ション要因の各計測点でのアライメント誤差を基にアラ
イメント誤差の線形成分を計算する。ローテーション補
正値、チップ倍率補正値、シフト補正値、の決定方法に
ついて以下に示す。
(1214) A linear component of the alignment error is calculated based on the alignment error at each measurement point of the distortion factor obtained in 1213. The method of determining the rotation correction value, the chip magnification correction value, and the shift correction value will be described below.

【0066】計測座標D−1に対応する計測座標XYを
PosXi,PosYiとし、それに対応する計測値を
DataXi,DataYiとする(即ち、i=ID−
1)。計測座標点数をnとする。下記に示す式により、
アライメント誤差の持つ線形成分の計算が可能である。
なお前提として、ステッパの対象としているローテーシ
ョン成分は十分小さいものであり、sinθ≒tanθ
と見なしている。
The measurement coordinates XY corresponding to the measurement coordinates D-1 are PosXi and PosYi, and the corresponding measurement values are DataXi and DataYi (that is, i = ID-
1). The number of measurement coordinate points is n. By the formula shown below,
It is possible to calculate the linear component of the alignment error.
As a premise, the rotation component targeted by the stepper is sufficiently small, and sin θ ≈ tan θ
Is considered.

【0067】[0067]

【数1】 [Equation 1]

【0068】[0068]

【数2】 [Equation 2]

【0069】求める線形成分は、(式31)〜(式3
6)のMagX,MagY,RotX,RotY,Sh
iftX,ShiftYがそれぞれ、チップ倍率X,チ
ップ倍率Y,チップローテーションX,チップローテー
ションY,シフトX,シフトYを表している。通常のス
テップアンドリピート型のステッパ等を用いている場
合、チップ倍率とチップローテーションをX,Yに分け
て処理する意味がないため、X,Yの平均値を用いても
よい。
The linear components to be obtained are (Equation 31) to (Equation 3)
6) MagX, MagY, RotX, RotY, Sh
iftX and ShiftY represent the chip magnification X, the chip magnification Y, the chip rotation X, the chip rotation Y, the shift X, and the shift Y, respectively. When a normal step-and-repeat type stepper or the like is used, it is meaningless to divide the chip magnification and the chip rotation into X and Y, and therefore the average value of X and Y may be used.

【0070】ここで求めた各線形成分により、各計測点
のディストーション要因のアライメント誤差を補正す
る。補正方法は下記式により計算できるが、(式31)
〜(式36)により計算されているものは、アライメン
ト誤差の線形成分であるため、すべて逆符号にして下記
式に入力する必要がある。それぞれの補正値は、Mx,
My,Rx,Ry,Sx,Syとなる。
The alignment error due to the distortion factor at each measurement point is corrected by each linear component obtained here. The correction method can be calculated by the following equation, but (Equation 31)
Since the one calculated by (Equation 36) is a linear component of the alignment error, it is necessary to make all the opposite signs and input them to the following equation. The respective correction values are Mx,
It becomes My, Rx, Ry, Sx, Sy.

【0071】[0071]

【数3】 [Equation 3]

【0072】ここで、補正後のディストーション要因の
合わせ誤差をDataXi’,DataYi’とすると
下記式にて求めることができる。
Here, assuming that the corrected error of the distortion factor after correction is DataXi ', DataYi', it can be obtained by the following equation.

【0073】[0073]

【数4】 [Equation 4]

【0074】(1215)1213又は1214にて求
めた、線形補正後もしくは補正を行わないディストーシ
ョン要因の合わせ誤差による各号機のリスト表示を行
う。
(1215) A list of the respective units is displayed due to the alignment error of the distortion factor after the linear correction or without the correction, which is obtained in 1213 or 1214.

【0075】リストの表示例を図15に示す。図15の
各項目の説明を行う。1502は1201で指定したロ
ットIDを表示する。1503は、1202で検索した
製品IDを表示する。1504は、1516〜1527
のセルに処理号機リストを表示する際に判定順位を切り
替えるために用いられる。表示の切り替えは、151
8,1519に示す平均エラー値のX,Yの何れか大き
い方を用いて判定する平均エラー値のモードと、152
0,1521に示す最大エラー値のX,Yの何れか大き
い方を用いて判定する最大エラー値のモードとの2つを
選択することが可能である。この1504を変更するタ
イミングで、1516〜1527で表示している判定順
位を再計算し再表示するものとする。1506〜150
9で示している情報は、次露光工程の情報である。15
10〜1515はアライメントターゲットレイヤの情報
である。1516〜1527には、先にも述べたように
判定順位のリストを表示している。
FIG. 15 shows a display example of the list. Each item in FIG. 15 will be described. 1502 displays the lot ID designated in 1201. 1503 displays the product ID retrieved in 1202. 1504 is 1516 to 1527
It is used to switch the judgment order when displaying the processing number list in the cell. Display switching is 151
A mode of an average error value determined by using the larger one of X and Y of the average error values shown in 8 and 1519;
It is possible to select two modes, that is, the maximum error value mode determined by using the larger one of the maximum error value X and Y shown in 0, 1521. It is assumed that the determination order displayed in 1516 to 1527 is recalculated and redisplayed at the timing of changing 1504. 1506-150
The information indicated by 9 is the information of the next exposure process. 15
10 to 1515 are information of the alignment target layer. In 1516 to 1527, the list of determination ranks is displayed as described above.

【0076】この表示について説明する。1516は1
504で選択したソートモードでの1517の装置の判
定順位である。1518,1519は、1517の装置
に対応したアライメント誤差のX,Yそれぞれの平均の
エラー値である。1520,1521は同様にX,Yそ
れぞれの最大エラー値である。各々、XもしくはYのど
ちらか値の大きいものを判定順位を決めるための値とし
ている。1522〜1527は、1517で示した装置
とのアライメント誤差の持っている線形誤差成分であ
る。また、1505で線形補正ありの設定を選ぶと、1
518〜1521のそれぞれのエラー値は1214で求
めた補正後の値を表示するようになる。線形補正なしの
場合には、1213で求めた値を表示する。1529に
ついては、図15の画面を終了するためのボタンであ
る。
This display will be described. 1516 is 1
This is the order of determination of 1517 devices in the sort mode selected in 504. Reference numerals 1518 and 1519 denote average error values of X and Y of alignment errors corresponding to the device of 1517. Similarly, 1520 and 1521 are the maximum error values of X and Y, respectively. The larger value of either X or Y is used as the value for determining the judgment order. Reference numerals 1522 to 1527 are linear error components included in the alignment error with the device indicated by 1517. Also, if the setting with linear correction is selected in 1505, 1
The respective error values of 518 to 1521 display the corrected value obtained in 1214. When there is no linear correction, the value obtained in 1213 is displayed. 1529 is a button for ending the screen of FIG.

【0077】さらに、1516〜1527のフィールド
から一行選択を行い、1528のボタンを押下すると、
選択した行の装置とのアライメント誤差のマップ表示雪
面である図16を表示する。1602は1201で設定
したロットIDを表示mしている。1603は、120
2で取得した製品IDを表示している。1605〜16
09は次露光工程の情報及び1616にマップ表示して
いる対象の処理装置IDを示している。1610〜16
15は、図15と同様にアライメントターゲットレイヤ
の情報を示している。1616には、ディストーション
要因により起こる各計測座標でのずれ量をベクトル状に
マップ表示している。
Further, if one line is selected from the fields 1516 to 1527 and the button 1528 is pressed,
Map display of alignment error with the device of the selected row FIG. 16 showing the snow surface is displayed. 1602 displays the lot ID set in 1201. 1603 is 120
The product ID acquired in 2 is displayed. 1605-16
Reference numeral 09 indicates the information of the next exposure process and the processing apparatus ID of the target displayed on the map 1616. 1610-16
Reference numeral 15 indicates information on the alignment target layer as in FIG. In 1616, the amount of deviation at each measurement coordinate caused by the distortion factor is displayed as a vector map.

【0078】1617は、1616に図示しているデー
タの数値データをセルに表示している。1618は、デ
ィストーション要因のアライメント誤差の線形成分の値
を表示している。1616及び1617の表示は、16
04の設定により1618に示す線形成分の補正を図1
5と同様に行う。また、1619に示したボタンは、図
16の画面を終了するためのボタンである。
Reference numeral 1617 displays the numerical data of the data shown in 1616 in a cell. Reference numeral 1618 indicates the value of the linear component of the alignment error due to the distortion factor. 1616 and 1617 are displayed as 16
The correction of the linear component shown in 1618 by setting 04 is shown in FIG.
The same procedure as 5 is performed. The button indicated by 1619 is a button for ending the screen of FIG.

【0079】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、半導体露光装置の諸条件に依存して発生する各ディ
ストーションに応じて自動的に最適な露光を行なうよう
に半導体露光装置を管理し、工程増を招くことなく効率
良くディストーション要因の合わせ誤差を可及的に低減
して、信頼性の高い露光を行なうことを可能とする半導
体露光装置の管理システム及び管理方法を提供すること
ができる。
As described above, according to this embodiment, the semiconductor exposure apparatus is managed so that optimum exposure is automatically performed according to each distortion that occurs depending on various conditions of the semiconductor exposure apparatus, It is possible to provide a management system and a management method for a semiconductor exposure apparatus that can perform exposure with high reliability by efficiently reducing the alignment error of distortion factors without increasing the number of steps.

【0080】ここで、上述した実施形態の機能を実現す
るように各種のデバイスを動作させるように、前記各種
デバイスと接続された装置あるいはシステム内のコンピ
ュータに対し、実施形態の機能を実現するためのソフト
ウェアのプログラムコードを供給し、そのシステムある
いは装置のコンピュータ(CPUあるいはMPU)に格
納されたプログラムに従って前記各種デバイスを動作さ
せることによって実施したものも、本発明の範疇に含ま
れる。
Here, in order to operate the various devices so as to realize the functions of the above-described embodiments, the functions of the embodiments are realized for a computer in an apparatus or system connected to the various devices. The program code of the software is supplied and the various devices are operated according to the program stored in the computer (CPU or MPU) of the system or apparatus, which is also included in the scope of the present invention.

【0081】また、この場合、前記ソフトウェアのプロ
グラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現する
ことになり、そのプログラムコード自体、およびそのプ
ログラムコードをコンピュータに供給するための手段、
例えばかかるプログラムコードを格納した記憶媒体は本
発明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する記
憶媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハード
ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−RO
M、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を
用いることができる。
Further, in this case, the program code itself of the software realizes the function of the above-mentioned embodiment, and the program code itself and a means for supplying the program code to the computer,
For example, a storage medium storing such program code constitutes the present invention. As a storage medium for storing the program code, for example, a flexible disk, a hard disk, an optical disk, a magneto-optical disk, a CD-RO.
M, a magnetic tape, a non-volatile memory card, a ROM, or the like can be used.

【0082】また、コンピュータが供給されたプログラ
ムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードがコン
ピュータにおいて稼働しているOS(オペレーティング
システム)あるいは他のアプリケーションソフト等の共
同して上述の実施形態の機能が実現される場合にもかか
るプログラムコードは本発明の実施形態に含まれること
は言うまでもない。
Further, not only the functions of the above-described embodiments are realized by executing the supplied program code by the computer, but also the OS (operating system) or other OS in which the program code is operating in the computer. Needless to say, the program code is also included in the embodiments of the present invention when the functions of the above-described embodiments are implemented jointly by application software and the like.

【0083】さらに、供給されたプログラムコードがコ
ンピュータの機能拡張ボードやコンピュータに接続され
た機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そ
のプログラムの指示に基づいてその機能拡張ボードや機
能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部ま
たは全部を行い、その処理によって上述した実施形態の
機能が実現される場合にも本発明に含まれる。
Further, after the supplied program code is stored in the memory provided in the function expansion board of the computer or the function expansion unit connected to the computer, it is stored in the function expansion board or the function expansion unit based on the instruction of the program. The present invention also includes the case where the CPU or the like provided therein performs a part or all of the actual processing and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明によれば、半導体露光装置の諸条
件に依存して発生する各ディストーションに応じて自動
的に最適な露光を行なうように半導体露光装置を管理
し、工程増を招くことなく効率良くディストーション要
因の合わせ誤差を可及的に低減して、信頼性の高い露光
を行なうことを可能とする半導体露光装置の管理システ
ム及び管理方法を提供することができる。
According to the present invention, the semiconductor exposure apparatus is managed so that the optimum exposure is automatically performed according to each distortion that occurs depending on various conditions of the semiconductor exposure apparatus, and the number of steps is increased. It is possible to provide a management system and a management method for a semiconductor exposure apparatus that can perform highly reliable exposure by efficiently reducing the alignment error of distortion factors as much as possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施形態による半導体露光装置の管理システ
ムの全体構成を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an overall configuration of a management system for a semiconductor exposure apparatus according to the present embodiment.

【図2】ディストーションの計測座標を示す模式図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram showing measurement coordinates of distortion.

【図3】ディストーションデータの管理方法を示す模式
図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a method of managing distortion data.

【図4】ロット処理データの管理方法を示す模式図であ
る。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a method of managing lot processing data.

【図5】製品情報データの管理方法を示す模式図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a method of managing product information data.

【図6】ディストーションの焼き付け(一括全面焼き)
を示す模式図である。
[Fig. 6] Baking of distortion (all-in-one baking)
It is a schematic diagram which shows.

【図7】ディストーションの焼き付け(ステージ格子焼
き)を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing distortion baking (stage lattice baking).

【図8】ディストーションの焼き付け(重ね合わせ後)
を示す模式図である。
FIG. 8: Baking of distortion (after stacking)
It is a schematic diagram which shows.

【図9】ディストーションの計測方法を示す模式図であ
る。
FIG. 9 is a schematic view showing a distortion measuring method.

【図10】製品情報の入力画面を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing an input screen for product information.

【図11】ロットIDの入力画面を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a lot ID input screen.

【図12】半導体露光装置の管理システムによる処理を
示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing processing by a management system of a semiconductor exposure apparatus.

【図13】レチクル誤差の補正を説明するための模式図
である。
FIG. 13 is a schematic diagram for explaining correction of a reticle error.

【図14】ディストーション要因の合わせ誤差の算出を
説明するための模式図である。
FIG. 14 is a schematic diagram for explaining calculation of a distortion factor alignment error.

【図15】処理号機のリスト表示画面を示す模式図であ
る。
FIG. 15 is a schematic diagram showing a list display screen of a processing machine.

【図16】アライメント誤差のディストーションマップ
画面を示す模式図である。
FIG. 16 is a schematic diagram showing a distortion map screen of alignment error.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 半導体露光装置 102 コンピュータ(コンソール) 103 制御用コンピュータ(メインシーケンス) 104 サーバコンピュータ 105 データベース管理システム 106 ディストーション管理データベース 107 ロット処理管理データベース 108 製品情報データベース 109 クライアントコンピュータ 110 ユーザーインターフェース 111 システム 112 ネットワーク 101 semiconductor exposure apparatus 102 computer (console) 103 Control computer (main sequence) 104 server computer 105 database management system 106 distortion management database 107 Lot Processing Management Database 108 Product Information Database 109 client computer 110 user interface 111 system 112 network

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鵜澤 繁行 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 星 泰 東京都江東区北砂5−20−18−706 (72)発明者 山田 保美 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5F046 AA25 AA28 BA03 CB17 DA13 DD01 DD06 EC05    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Shigeyuki Uzawa             3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo             Non non corporation (72) Inventor Yasushi Hoshi             5-20-18-706 Kitasuna, Koto-ku, Tokyo (72) Inventor Yumi Yamada             3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo             Non non corporation F term (reference) 5F046 AA25 AA28 BA03 CB17 DA13                       DD01 DD06 EC05

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の半導体露光装置を備え、半導体装
置を製造する際の各種露光を制御する管理システムであ
って、 前記半導体露光装置に発生するディストーションを、当
該装置毎、照明条件毎、及び計測タイミング毎に管理す
る機能を有する第1の手段と、 前記半導体露光装置のロット処理データを、製品名、工
程名、及びロットIDをキー情報として管理する機能を
有する第2の手段と、 次工程となる焼き付けに対する合わせ基準工程の工程名
を製品名及び次工程名称から取得し、前記第2の手段に
よる前記ロット処理データを基に前記合わせ基準工程の
処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得する機
能を有する第3の手段と、 前記第3の手段により取得した前記合わせ基準工程の処
理装置、処理露光照明モード、及び処理日時から、前記
第1の手段により管理しているディストーションデータ
から最も近いディストーションデータを取得する機能を
有する第4の手段と、 次工程の処理露光照明モードを製品名及び次工程名から
取得し、検索対象露光装置群のうち最新の処理露光照明
モードのディストーションデータを、前記半導体露光装
置毎に取得する機能を有する第5の手段と、 前記第4の手段により取得したディストーションデータ
と、前記第5の手段により取得したディストーションデ
ータとを各々比較演算し、ディストーション要因の合わ
せ誤差を求める機能を有する第6の手段と、 前記第6の手段により求めたディストーション要因の合
わせ誤差を表示する機能を有する第7の手段とを備えた
ことを特徴とする半導体露光装置の管理システム。
1. A management system, comprising a plurality of semiconductor exposure apparatuses, for controlling various exposures when manufacturing a semiconductor device, wherein distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is controlled for each apparatus, each illumination condition, and A first means having a function of managing for each measurement timing; a second means having a function of managing the lot processing data of the semiconductor exposure apparatus as a product name, a process name, and a lot ID as key information; The process name of the alignment reference process for baking, which is the process, is acquired from the product name and the next process name, and the processing device, the processing illumination mode, and the processing date and time of the alignment reference process are acquired based on the lot processing data by the second means. Third means having a function of acquiring, a processing apparatus, a processing exposure illumination mode, and a processing of the alignment reference step acquired by the third means. From time to time, a fourth means having a function of acquiring the closest distortion data from the distortion data managed by the first means, and the processing exposure illumination mode of the next step are acquired from the product name and the next step name, Fifth means having a function of acquiring the latest distortion data of the processing exposure illumination mode of the exposure apparatus group to be searched for each semiconductor exposure apparatus; the distortion data acquired by the fourth means; A sixth means having a function of comparing and calculating distortion data acquired by the means to obtain a distortion factor alignment error, and a function of displaying the distortion factor alignment error obtained by the sixth means. 7. A semiconductor exposure apparatus management system comprising the means 7).
【請求項2】 前記半導体露光装置に発生するディスト
ーションを、前記半導体露光装置の有する計測機能を用
いて計測する場合に、ネットワークあるいはオンライン
経由により自動的にデータ取得することを特徴とする請
求項1に記載の半導体露光装置の管理システム。
2. When the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured using the measurement function of the semiconductor exposure apparatus, data is automatically acquired via a network or online. The semiconductor exposure apparatus management system described in 1.
【請求項3】 前記半導体露光装置に発生するディスト
ーションを、半導体ウェハ検査装置によって計測する場
合に、ネットワークあるいはオンライン経由により自動
的にデータ取得することを特徴とする請求項1に記載の
半導体露光装置の管理システム。
3. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein when a semiconductor wafer inspection apparatus measures distortion generated in the semiconductor exposure apparatus, data is automatically acquired via a network or online. Management system.
【請求項4】 前記第2の手段による前記ロット処理デ
ータを、ネットワークあるいはオンライン経由にて自動
的に取得することを特徴とする請求項1〜3のいずれか
1項に記載の半導体露光装置の管理システム。
4. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the lot processing data obtained by the second means is automatically acquired via a network or online. Management system.
【請求項5】 前記第6の手段によりディストーション
要因の合わせ誤差を計算する際に、合わせ誤差に含まれ
る線形成分を計算する機能を有する第8の手段を備え、 前記第7の手段の表示機能により前記線形成分を表示す
ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載
の半導体露光装置の管理システム。
5. The display means of the seventh means, further comprising: eighth means having a function of calculating a linear component included in the alignment error when the alignment error of the distortion factor is calculated by the sixth means. 5. The semiconductor exposure apparatus management system according to claim 1, wherein the linear component is displayed by.
【請求項6】 前記第7の手段は、ディストーション要
因の合わせ誤差を表示する際にショットイメージを表示
し、その上に各ディストーション計測座標位置を表示
し、そのディストーション計測座標でのディストーショ
ン要因の合わせ誤差をベクトル状に図示する機能を有す
ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載
の半導体露光装置の管理システム。
6. The seventh means displays a shot image when displaying an alignment error of distortion factors, displays each distortion measurement coordinate position on the shot image, and adjusts the distortion factors at the distortion measurement coordinates. The management system for a semiconductor exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the management system has a function of displaying an error in a vector form.
【請求項7】 前記第1の手段は、前記ディストーショ
ンデータとして計測点毎の理想投影位置からのずれ量を
示すX,Y2つの数値を用いることを特徴とする請求項
1〜6のいずれか1項に記載の半導体露光装置の管理シ
ステム。
7. The first means uses, as the distortion data, two numerical values, X and Y, which indicate a deviation amount from an ideal projection position for each measurement point, according to any one of claims 1 to 6. Item 7. A semiconductor exposure apparatus management system according to item.
【請求項8】 前記第3の手段は、前記合わせ基準工程
の処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得する
際に、製品毎に各工程に対する合わせ基準工程の情報を
利用することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項
に記載の半導体露光装置の管理システム。
8. The third means utilizes the information of the alignment reference process for each process for each product when acquiring the processing device, the processing illumination mode, and the processing date and time of the alignment reference process. The semiconductor exposure apparatus management system according to any one of claims 1 to 7.
【請求項9】 前記第1の手段は、ディストーションを
管理するに際して、ディストーション焼き付けに用いた
レチクルの名称を管理する機能と、ディストーション計
測に用いる各レチクル個体が持つ誤差を管理する機能と
を有し、 前記第5の手段は、ディストーション要因の合わせ誤差
計算をするに際して、ディストーション計測レチクルに
よる誤差成分を補正する機能を有することを特徴とする
請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体露光装置の
管理システム。
9. The first means has a function of managing the name of the reticle used for distortion printing when managing distortion, and a function of managing the error of each reticle used for distortion measurement. The semiconductor exposure according to any one of claims 1 to 8, wherein the fifth means has a function of correcting an error component due to a distortion measurement reticle when calculating a distortion factor alignment error. Equipment management system.
【請求項10】 複数の半導体露光装置を備え、半導体
装置を製造する際の各種露光を制御する管理システムで
あって、 複数回の露光に際して、前記半導体露光装置に発生する
ディストーションに基き、各回の露光毎に最適な露光状
態の前記半導体露光装置を選択して順次露光を行うこと
を特徴とする半導体露光装置の管理システム。
10. A management system comprising a plurality of semiconductor exposure apparatuses, for controlling various exposures when manufacturing a semiconductor device, wherein each exposure is performed a plurality of times based on the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus. A management system for a semiconductor exposure apparatus, wherein the semiconductor exposure apparatus in an optimum exposure state is selected for each exposure and exposure is performed sequentially.
【請求項11】 前記半導体露光装置毎、照明条件毎、
及び計測タイミング毎に前記ディストーションを管理
し、これらの差異に基いて各回の露光に最適な露光状態
の前記半導体露光装置を選択して実行することを特徴と
する請求項10に記載の半導体露光装置の管理システ
ム。
11. Each semiconductor exposure apparatus, each illumination condition,
11. The semiconductor exposure apparatus according to claim 10, wherein the distortion is managed for each measurement timing, and the semiconductor exposure apparatus in an exposure state optimal for each exposure is selected and executed based on the difference. Management system.
【請求項12】 複数の半導体露光装置を備え、半導体
装置を製造する際の各種露光を制御する半導体露光装置
の管理方法であって、 前記半導体露光装置に発生するディストーションを、当
該装置毎、照明条件毎、及び計測タイミング毎に管理す
る第1の工程と、 前記半導体露光装置のロット処理データを、製品名、工
程名、及びロットIDをキー情報として管理する第2の
工程と、 焼き付けに対する合わせ基準工程の工程名を製品名及び
次工程名称から取得し、前記第2の手段による前記ロッ
ト処理データを基に前記合わせ基準工程の処理装置、処
理照明モード、及び処理日時を取得する第3の工程と、 前記第3の工程にて取得した前記合わせ基準工程の処理
装置、処理露光照明モード、及び処理日時から、前記第
1の工程にて管理しているディストーションデータから
最も近いディストーションデータを取得する第4の工程
と、 処理露光照明モードを製品名及び次工程名から取得し、
検索対象露光装置群のうち最新の処理露光照明モードの
ディストーションデータを、前記半導体露光装置毎に取
得する第5の工程と、 前記第4の工程にて取得したディストーションデータ
と、前記第5の工程にて取得したディストーションデー
タとを各々比較演算し、ディストーション要因の合わせ
誤差を求める第6の工程と、 前記第6の工程にて求めたディストーション要因の合わ
せ誤差を表示する第7の工程とを備えたことを特徴とす
る半導体露光装置の管理方法。
12. A semiconductor exposure apparatus management method comprising a plurality of semiconductor exposure apparatuses and controlling various types of exposure when manufacturing a semiconductor device, wherein a distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is illuminated for each apparatus. A first step of managing for each condition and each measurement timing, a second step of managing the lot processing data of the semiconductor exposure apparatus as a product name, a process name, and a lot ID as key information, and a combination for printing. A third step of acquiring the process name of the reference process from the product name and the next process name, and acquiring the processing device, the processing illumination mode, and the processing date and time of the matching reference process based on the lot processing data by the second means. From the process, the processing apparatus, the process exposure illumination mode, and the process date and time of the alignment reference process acquired in the third process, the process is managed in the first process. A fourth step of obtaining the closest distortion data from the distortion data, the processing exposure illumination mode obtained from the product name and the next process name that,
A fifth step of acquiring the distortion data of the latest processing exposure illumination mode in the exposure apparatus group to be searched for each semiconductor exposure apparatus, the distortion data acquired in the fourth step, and the fifth step. And a seventh step of displaying the distortion factor matching error obtained in the sixth step by comparing and calculating the distortion data obtained in A method for managing a semiconductor exposure apparatus, which is characterized by the above.
【請求項13】 前記半導体露光装置に発生するディス
トーションを、前記半導体露光装置の有する計測機能を
用いて計測する場合に、ネットワークあるいは、オンラ
イン経由により自動的にデータ取得することを特徴とす
る請求項12に記載の半導体露光装置の管理方法。
13. The data is automatically acquired via a network or online when the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured by using the measurement function of the semiconductor exposure apparatus. 13. The method for managing a semiconductor exposure apparatus according to item 12.
【請求項14】 前記半導体露光装置に発生するディス
トーションを、半導体ウェハ検査装置によって計測する
場合に、ネットワークあるいはオンライン経由により自
動的にデータ取得することを特徴とする請求項12に記
載の半導体露光装置の管理方法。
14. The semiconductor exposure apparatus according to claim 12, wherein when the distortion generated in the semiconductor exposure apparatus is measured by a semiconductor wafer inspection apparatus, data is automatically acquired via a network or online. Management method.
【請求項15】 前記第2の工程による前記ロット処理
データを、ネットワークあるいはオンライン経由にて自
動的に取得することを特徴とする請求項12〜14のい
ずれか1項に記載の半導体露光装置の管理方法。
15. The semiconductor exposure apparatus according to claim 12, wherein the lot processing data in the second step is automatically acquired via a network or online. Management method.
【請求項16】 前記第6の工程においてディストーシ
ョン要因の合わせ誤差を計算する際に、合わせ誤差に含
まれる線形成分を計算し、 前記第7の工程における表示機能により前記線形成分を
表示することを特徴とする請求項12〜15のいずれか
1項に記載の半導体露光装置の管理方法。
16. When calculating the alignment error of the distortion factor in the sixth step, a linear component included in the alignment error is calculated, and the linear component is displayed by the display function in the seventh step. The method of managing a semiconductor exposure apparatus according to claim 12, wherein the method is a semiconductor exposure apparatus management method.
【請求項17】 前記第7の工程にて、ディストーショ
ン要因の合わせ誤差を表示する際にショットイメージを
表示し、その上に各ディストーション計測座標位置を表
示し、そのディストーション計測座標でのディストーシ
ョン要因の合わせ誤差をベクトル状に図示することを特
徴とする請求項12〜16のいずれか1項に記載の半導
体露光装置の管理方法。
17. In the seventh step, a shot image is displayed when the alignment error of the distortion factor is displayed, each distortion measurement coordinate position is displayed on the shot image, and the distortion factor of the distortion measurement coordinate is displayed. 17. The method for managing a semiconductor exposure apparatus according to claim 12, wherein the alignment error is shown in a vector form.
【請求項18】 前記第1の工程にて、前記ディストー
ションデータとして計測点毎の理想投影位置からのずれ
量を示すX,Y2つの数値を用いることを特徴とする請
求項12〜17のいずれか1項に記載の半導体露光装置
の管理方法。
18. The method according to claim 12, wherein in the first step, two numerical values X and Y indicating a deviation amount from an ideal projection position for each measurement point are used as the distortion data. 2. The method for managing a semiconductor exposure apparatus according to item 1.
【請求項19】 前記第3の工程にて、前記合わせ基準
工程の処理装置、処理照明モード、及び処理日時を取得
する際に、製品毎に各工程に対する合わせ基準工程の情
報を利用することを特徴とする請求項12〜18のいず
れか1項に記載の半導体露光装置の管理方法。
19. In the third step, when the processing device, the processing illumination mode, and the processing date and time of the alignment reference step are acquired, the information of the alignment reference step for each product is used. The method for managing a semiconductor exposure apparatus according to claim 12, wherein the method is a semiconductor exposure apparatus management method.
【請求項20】 前記第1の工程にて、ディストーショ
ンを管理するに際して、ディストーション焼き付けに用
いたレチクルの名称の管理と、ディストーション計測に
用いる各レチクル個体が持つ誤差の管理とを実行し、 前記第5の工程にて、ディストーション要因の合わせ誤
差計算をするに際して、ディストーション計測レチクル
による誤差成分を補正することを特徴とする請求項12
〜19のいずれか1項に記載の半導体露光装置の管理方
法。
20. In managing the distortion in the first step, management of a name of a reticle used for distortion printing and management of an error of each reticle used for distortion measurement are executed, 13. The error component due to the distortion measurement reticle is corrected when the distortion factor matching error calculation is performed in the step 5).
20. A method of managing a semiconductor exposure apparatus according to any one of items 1 to 19.
【請求項21】 請求項12〜20のいずれか1項に
記載の半導体露光装置の管理方法の前記各工程を実行さ
せるためのプログラムを格納したコンピュータ読取り可
能な記録媒体。
21. A computer-readable recording medium storing a program for executing each of the steps of the method for managing a semiconductor exposure apparatus according to claim 12.
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