JP2003137599A - Crystallized glass - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/16—Halogen containing crystalline phase
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ用基板、
特に無機ＥＬディスプレイ用基板材料として好適な結晶
化ガラスに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a display substrate,
Particularly, it relates to a crystallized glass suitable as a substrate material for an inorganic EL display.
【０００２】[0002]
【従来の技術】無機ＥＬディスプレイは、薄型軽量で表
示が鮮明であり、画像の微細化が容易であるため高品位
画像が実現でき、フルカラー化が可能であるなど、多く
の利点を有するため、今後、表示装置として益々広く利
用される傾向にある。2. Description of the Related Art Inorganic EL displays have many advantages such as thin and light weight, clear display, easy miniaturization of images, high quality images, and full-color images. In the future, it will be more and more widely used as a display device.
【０００３】無機ＥＬディスプレイは、例えば図１に示
すように、背面基板１０上に金属電極１１、第１の誘電
体層１２、無機ＥＬ発光体層１３、第２の誘電体層１
４、ＩＴＯ電極１５、ＲＧＢカラーフィルター１６、カ
ラーフィルター基板１７が順番に積層された構造を有し
ている。The inorganic EL display is, for example, as shown in FIG. 1, a metal electrode 11, a first dielectric layer 12, an inorganic EL light emitting layer 13, and a second dielectric layer 1 on a back substrate 10.
4, an ITO electrode 15, an RGB color filter 16, and a color filter substrate 17 are laminated in this order.
【０００４】この無機ＥＬディスプレイでは、金属電極
１１とＩＴＯ電極１５に電圧を印加して無機ＥＬ発光体
層１３を励起することにより白色光を発生させ、これを
ＲＧＢカラーフィルター１６で色変換するようになって
いる。In this inorganic EL display, a voltage is applied to the metal electrode 11 and the ITO electrode 15 to excite the inorganic EL light emitting layer 13 to generate white light, which is color-converted by the RGB color filter 16. It has become.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の無機ＥＬディス
プレイの第１、第２の誘電体層１２、１４と発光層１３
は、ペースト法等で材料を塗布した後、乾燥、焼成する
ことによって形成される。この焼成は、７００℃以上の
高温で行われているため、背面基板１０には、耐熱性に
優れ、且つ、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張
係数を有するアルミナ基板が使用されている。The first and second dielectric layers 12 and 14 and the light emitting layer 13 of the above inorganic EL display.
Is formed by applying a material by a paste method or the like, followed by drying and baking. Since this baking is performed at a high temperature of 700 ° C. or higher, an alumina substrate having excellent heat resistance and a thermal expansion coefficient close to that of the dielectric material is used for the rear substrate 10. There is.
【０００６】ところで無機ＥＬディスプレイは、家庭用
テレビ等に利用することが試みられており、大型ディス
プレイ用として、４０〜６０インチ程度の大きさの背面
基板が要求されている。また１０インチ以下のような小
型ディスプレイを作製する場合でも、１枚毎に背面基板
を作製するよりも、一旦大型基板を作製してから、それ
を複数枚に分割切断する方が、遙かに生産効率が高い。Inorganic EL displays have been tried to be used in home televisions and the like, and a back substrate having a size of about 40 to 60 inches is required for a large display. Further, even when manufacturing a small display of 10 inches or less, it is far better to manufacture a large substrate once and then cut it into a plurality of pieces, rather than manufacturing a back substrate one by one. High production efficiency.
【０００７】しかしながらアルミナ等のセラミック基板
の場合、製造プロセス上、大型で平らな基板を作製する
ことは非常に困難であり、コストが極めて高くなるとい
う問題がある。However, in the case of a ceramic substrate such as alumina, it is very difficult to produce a large and flat substrate due to the manufacturing process, and there is a problem that the cost becomes extremely high.
【０００８】また大型の基板としては、建築用窓板ガラ
スとして利用されるソーダライムガラスやＰＤＰ基板用
ガラスが存在するが、これを背面基板として用い、７０
０℃以上の高温で焼成すると、熱変形を起こすため、カ
ラーフィルター基板としての使用に限定されている。As a large-sized substrate, there are soda lime glass used as architectural window glass and glass for PDP substrate, which is used as a back substrate.
When it is fired at a high temperature of 0 ° C. or higher, it is thermally deformed, so that it is limited to use as a color filter substrate.
【０００９】本発明の目的は、上記事情に鑑みなされた
ものであり、７００℃以上で焼成されても熱変形が起こ
らず、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を
有し、しかも大型化が可能であり、特に無機ＥＬディス
プレイ用基板材料として好適な結晶化ガラスを提供する
ことである。The object of the present invention has been made in view of the above circumstances, in which thermal deformation does not occur even when fired at 700 ° C. or higher, and the thermal expansion coefficient is close to that of the dielectric material. Moreover, it is possible to provide a crystallized glass which can be made large in size and which is particularly suitable as a substrate material for an inorganic EL display.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、７００℃以
上の焼成工程で背面基板の熱変形を起こさないために
は、背面基板の屈伏点が７５０℃以上であれば良いこと
を見出し、本発明を提案するに至った。As a result of repeating various experiments to achieve the above object, the inventors of the present invention have found that the rear substrate is prevented from being thermally deformed in the firing process at 700 ° C. or higher. It has been found that the yield point of 1 is 750 ° C. or higher, and the present invention has been proposed.
【００１１】すなわち本発明の結晶化ガラスは、質量％
で、ＳｉＯ2 ５０〜７０％、Ａｌ2Ｏ3 ２〜１７％、
ＭｇＯ ２〜２０％、ＣａＯ ０．１〜１０％、ＺｎＯ
０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜６％、ＺｒＯ2 ０〜４
％、ＢａＯ ０〜１５％、Ｌｉ 2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ
０〜１５％、Ｋ2Ｏ ０〜５％、Ｂ2Ｏ3 ０〜６％、
Ｐ2Ｏ5 ０〜８％、Ｆ ０〜２％の組成を有することを
特徴とする。That is, the crystallized glass of the present invention has a mass% of
And SiO2 50-70%, Al2O3 2-17%,
MgO 2-20%, CaO 0.1-10%, ZnO
0-10%, TiO2 0-6%, ZrO2 0-4
%, BaO 0 to 15%, Li 2O 0-3%, Na2O
0-15%, K2O 0-5%, B2O3 0-6%,
P2OFive Having a composition of 0-8% and F 0-2%
Characterize.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明において、上記のように組
成範囲を限定した理由を述べる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The reason why the composition range is limited as described above in the present invention will be described.
【００１３】ＳｉＯ2はエンスタタイトおよびディオプ
サイドの結晶相の必須成分である。含有量は５０〜７０
％である。ＳｉＯ2が５０％より少ないと結晶性が低下
し、屈伏点が低くなって変形しやすくなる。ＳｉＯ2が
７０％より多いとガラス溶融が困難になる。好ましい範
囲は５２〜７０％である。SiO 2 is an essential component of the crystal phases of enstatite and diopside. Content is 50-70
%. When the SiO 2 content is less than 50%, the crystallinity is lowered, the yield point is lowered and the material is easily deformed. If the content of SiO 2 is more than 70%, it becomes difficult to melt the glass. A preferred range is 52 to 70%.
【００１４】Ａｌ2Ｏ3はガラス形成成分である。含有量
は２〜１７％である。Ａｌ2Ｏ3が２％より少ないとガラ
スが失透しやすくなる。Ａｌ2Ｏ3が１７％より多いとガ
ラスの粘度が大きくなりすぎてガラス溶融が困難にな
る。好ましい範囲は３〜１６％である。Al 2 O 3 is a glass-forming component. The content is 2 to 17%. When Al 2 O 3 is less than 2%, the glass tends to devitrify. If the Al 2 O 3 content is more than 17%, the viscosity of the glass becomes too large, and it becomes difficult to melt the glass. The preferred range is 3 to 16%.
【００１５】ＭｇＯはエンスタタイトおよびディオプサ
イドの結晶相の必須成分である。含有量は２〜２０％で
ある。ＭｇＯが２％より少ないと、結晶性が低下し、屈
伏点が低くなって変形しやすくなる。ＭｇＯが２０％よ
り多いとガラスが失透しやすくなる。好ましい範囲は３
〜２０％である。MgO is an essential component of the crystal phases of enstatite and diopside. The content is 2 to 20%. When the content of MgO is less than 2%, the crystallinity is lowered, the yield point is lowered, and the material is easily deformed. If MgO is more than 20%, the glass tends to devitrify. The preferred range is 3
~ 20%.
【００１６】ＣａＯはディオプサイドの結晶相の必須成
分である。含有量は０．１〜１０％である。ＣａＯが
０．１％より少ないとディオプサイドの結晶相が得られ
ず、熱膨張係数が小さくなり過ぎる。ＣａＯが１０％よ
り多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することによ
り、変形しやすくなる。好ましい範囲は０．２〜１０％
である。CaO is an essential component of the crystal phase of diopside. The content is 0.1 to 10%. When the content of CaO is less than 0.1%, a crystal phase of diopside cannot be obtained and the coefficient of thermal expansion becomes too small. When CaO is more than 10%, the crystallinity is lowered and the yield point is lowered, so that it is easily deformed. The preferred range is 0.2-10%
Is.
【００１７】ＺｎＯは溶解を促進させる成分であり、そ
の含有量は０〜１０％である。ＺｎＯが１０％より多い
とガラスが分相して均質なガラスが得られない。好まし
い範囲は０〜９％、さらには０．５〜８．５％である。ZnO is a component that promotes dissolution, and its content is 0 to 10%. If the content of ZnO is more than 10%, the glass is phase-separated and a homogeneous glass cannot be obtained. A preferable range is 0 to 9%, and further 0.5 to 8.5%.
【００１８】ＴｉＯ2、ＺｒＯ2は核形成剤であり、その
含有量はそれぞれ０〜６％、０〜４％である。ただし、
ＴｉＯ2を０．５％以上含有する方が、十分な結晶化と
共に均質なガラスが得やすくなる。ＴｉＯ2が６％、お
よびＺｒＯ2が４％より多いとガラスが失透し易くな
る。好ましい範囲は、ＴｉＯ2が０．５〜６％、ＺｒＯ2
が０〜３．５％である。TiO 2 and ZrO 2 are nucleating agents, and their contents are 0-6% and 0-4%, respectively. However,
When TiO 2 is contained in an amount of 0.5% or more, it becomes easier to obtain a homogeneous glass with sufficient crystallization. If the TiO 2 content is 6% and the ZrO 2 content is more than 4%, the glass tends to devitrify. A preferable range is 0.5 to 6% of TiO 2 and ZrO 2.
Is 0 to 3.5%.
【００１９】ＢａＯは溶解を促進し、かつ失透温度を低
下させる作用がある。含有量は０〜１５％である。Ｂａ
Ｏが１５％より多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低く
なって変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜１４％で
ある。BaO has the functions of promoting dissolution and lowering the devitrification temperature. The content is 0 to 15%. Ba
When O is more than 15%, the crystallinity is lowered, the yield point is lowered, and the material is easily deformed. A preferred range is 0 to 14%.
【００２０】Ｌｉ2Ｏは溶解を促進させる成分である。
含有量は０〜３％である。３％より多いとＬｉ2Ｏは焼
成時に誘電体層等に拡散するため、デバイス特性の劣化
を招きやすい。好ましい範囲は０〜２．５％である。Li 2 O is a component that promotes dissolution.
The content is 0 to 3%. If it is more than 3%, Li 2 O diffuses into the dielectric layer and the like during firing, which tends to cause deterioration of device characteristics. A preferred range is 0 to 2.5%.
【００２１】Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏは溶解を促進し、かつ成型
性を向上させる。含有量はそれぞれ０〜１５％、０〜５
％である。Ｎａ2Ｏ、Ｋ2ＯはＬｉ2Ｏと同様に、デバイ
ス特性の劣化を招きやすい。そのため、Ｎａ2ＯとＫ2Ｏ
合量を１０％以下に抑えることが望ましい。なお、好ま
しい範囲は、Ｎａ2Ｏが０〜１０％、Ｋ2Ｏが０〜４．５
％であるが、デバイス特性の劣化をより完全に防ぐため
には無アルカリであることが望ましい。Na 2 O and K 2 O accelerate the dissolution and improve the moldability. Content is 0 to 15%, 0 to 5 respectively
%. Na 2 O, K 2 O, like Li 2 O, tends to cause the deterioration of the device characteristics. Therefore, Na 2 O and K 2 O
It is desirable to keep the total content to 10% or less. In addition, a preferable range is 0 to 10% for Na 2 O and 0 to 4.5 for K 2 O.
%, But it is desirable to be non-alkali in order to prevent deterioration of device characteristics more completely.
【００２２】Ｂ2Ｏ3は溶解を促進し、かつ成型性を向上
させる。含有量は０〜６％である。Ｂ2Ｏ3が６％より多
いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することによって
変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜５％である。B 2 O 3 promotes dissolution and improves moldability. The content is 0 to 6%. If the content of B 2 O 3 is more than 6%, the crystallinity is lowered and the yield point is lowered, so that the steel is easily deformed. The preferred range is 0 to 5%.
【００２３】Ｐ2Ｏ5は溶解を促進し、かつ結晶核形成を
促進させる働きがある。含有量は０〜８％である。Ｐ2
Ｏ5が８％より多いと、ガラスが分相して均質なガラス
が得られない。好ましい範囲は０〜７％、さらには０．
１〜６．５％である。P 2 O 5 has the functions of promoting dissolution and promoting crystal nucleus formation. The content is 0 to 8%. P 2
If O 5 is more than 8%, the glass is phase-separated and a homogeneous glass cannot be obtained. The preferable range is 0 to 7%, and further, 0.
1 to 6.5%.
【００２４】Ｆは溶解を促進し、かつ結晶核形成を促進
させる働きがある。含有量は０〜２％である。Ｆが２％
より多くなると均質な結晶化物が得られない。好ましい
範囲は０〜１．５％である。なおＦを０．１％以上含有
する方が、十分な結晶化とともにガラス溶解が容易にな
る。F has the functions of promoting dissolution and promoting crystal nucleus formation. The content is 0 to 2%. F is 2%
If the amount is larger, a homogeneous crystallized product cannot be obtained. A preferred range is 0 to 1.5%. It should be noted that if F is contained in an amount of 0.1% or more, sufficient crystallization and glass melting become easy.
【００２５】また、上記成分以外にも、基板特性を損な
わない範囲でＳｒＯ、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3等の他成分を
各々２％以下添加してもよい。In addition to the above components, other components such as SrO, SnO 2 and Sb 2 O 3 may be added in an amount of not more than 2% within a range that does not impair the substrate characteristics.
【００２６】上記組成範囲の結晶性ガラスを、溶融後に
７００℃〜１２００℃で熱処理し、主結晶としてエンス
タタイトおよび／またはディオプサイドを析出させる
と、屈伏点が７５０℃以上で、熱膨張係数が５０〜１２
０×１０-7／℃である結晶化ガラスが得られる。なお、
結晶性ガラスの成形に、周知のロール成形、フロート成
形等の成形法を採用することによって大型の基板状にす
ることが可能である。When crystalline glass having the above composition range is heat treated at 700 ° C. to 1200 ° C. after melting to precipitate enstatite and / or diopside as the main crystal, the yield point is 750 ° C. or higher and the coefficient of thermal expansion is Is 50-12
A crystallized glass of 0 × 10 −7 / ° C. is obtained. In addition,
A large-sized substrate can be formed by adopting a well-known forming method such as roll forming or float forming for forming the crystalline glass.
【００２７】ところで、上記の析出結晶であるエンスタ
タイトやディオプサイドの結晶は、熱膨張係数がおよそ
７０〜９０×１０-7／℃で、屈伏点が１０００℃以上で
あるため、基板の熱膨張係数を上げ、また耐熱性を向上
させている。By the way, the crystals of enstatite and diopside, which are the above-mentioned precipitated crystals, have a coefficient of thermal expansion of about 70 to 90 × 10 −7 / ° C. and a deformation point of 1000 ° C. or more, so The expansion coefficient is increased and the heat resistance is improved.
【００２８】エンスタタイトおよびディオプサイドの結
晶以外にもα-石英、ガーナイトが析出し易い。これら
の結晶も熱膨張係数が８０〜１２０×１０-7／℃で、屈
伏点が１０００℃以上であるため、同様に基板の熱膨張
係数を上げ、また耐熱性を向上させる効果がある。In addition to crystals of enstatite and diopside, α-quartz and gannite are likely to precipitate. Since these crystals also have a thermal expansion coefficient of 80 to 120 × 10 −7 / ° C. and a yield point of 1000 ° C. or higher, they also have the effect of increasing the thermal expansion coefficient of the substrate and improving the heat resistance.
【００２９】本発明では、結晶化ガラスの結晶化度が高
くなるほど、屈伏点が高くなるため好ましく、具体的に
は結晶化度を３０質量％以上にすることが望ましい。In the present invention, the higher the crystallinity of the crystallized glass, the higher the yield point, which is preferable. Specifically, the crystallinity is preferably 30% by mass or more.
【００３０】上記特徴を有する本発明の結晶化ガラス
は、屈伏点が７５０℃以上（好ましくは７８０℃以
上）、熱膨張係数が５０〜１２０×１０-7／℃（好まし
くは６０〜１００×１０-7／℃）であるため、この結晶
化ガラスからなるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、
７００℃以上の高温で焼成されても熱変形を起こすこと
がなく、また誘電体との間で熱応力が発生することもな
い。特にカラーフィルター基板としてソーダライムガラ
スを使用する場合には、ソーダライムガラスの熱膨張係
数（約８５×１０-7／℃）に近似した熱膨張係数（具体
的には６０〜１００×１０-7／℃）を有する結晶化ガラ
スを使用すると、ディスプレイパネルの反りも小さくな
るため好ましい。The crystallized glass of the present invention having the above characteristics has a yield point of 750 ° C. or higher (preferably 780 ° C. or higher) and a thermal expansion coefficient of 50 to 120 × 10 −7 / ° C. (preferably 60 to 100 × 10). -7 / ° C), the crystallized glass substrate for displays made of this crystallized glass is
Even if it is fired at a high temperature of 700 ° C. or higher, thermal deformation does not occur, and thermal stress does not occur between it and the dielectric. In particular, when soda lime glass is used as the color filter substrate, the thermal expansion coefficient (specifically, 60 to 100 × 10 -7 ) close to the thermal expansion coefficient of soda lime glass (about 85 × 10 -7 / ° C). It is preferable to use a crystallized glass having a temperature of / ° C.) because the warp of the display panel is reduced.
【００３１】[0031]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。EXAMPLES The present invention will be described in detail below based on examples.
【００３２】表１〜３は、本発明の結晶化ガラスの実施
例（試料Ｎｏ．１〜８）と比較例（試料Ｎｏ．９〜１
０）を示すものである。尚、比較例であるＮｏ．９の試
料は、ＰＤＰ基板として市販されている高歪点ガラスで
あり、Ｎｏ．１０は、建築用窓板ガラスとして市販され
ているソーダライムガラスである。Tables 1 to 3 show examples (Sample Nos. 1 to 8) and comparative examples (Samples No. 9 to 1) of the crystallized glass of the present invention.
0). In addition, No. which is a comparative example. Sample No. 9 is a high strain point glass commercially available as a PDP substrate, 10 is soda lime glass marketed as architectural window glass.
【００３３】[0033]
【表１】 [Table 1]
【００３４】[0034]
【表２】 [Table 2]
【００３５】[0035]
【表３】 [Table 3]
【００３６】表中のＮｏ．１〜８の各試料は、次のよう
にして作製した。No. in the table Each sample of 1-8 was produced as follows.
【００３７】まず表の組成となるようにガラス原料を調
合し、白金ポットで１５５０℃で１５時間溶融した後、
カーボン板上に流し出し、さらに７００〜１２００℃で
１時間熱処理することによって結晶化ガラス基板を作製
した。このようにして得られた各試料について、析出結
晶、結晶化度、屈伏点および熱膨張係数を測定し、その
結果を表に示した。First, glass raw materials were prepared so as to have the composition shown in the table, and they were melted in a platinum pot at 1550 ° C. for 15 hours.
A crystallized glass substrate was produced by pouring onto a carbon plate and further heat-treating at 700 to 1200 ° C. for 1 hour. Precipitated crystals, crystallinity, yield point and coefficient of thermal expansion of each of the samples thus obtained were measured, and the results are shown in the table.
【００３８】表から明らかなように、実施例であるＮ
ｏ．１〜８の各試料は、析出結晶がエンスタタイトおよ
びディオプサイド、或いはさらにα-石英やガーナイト
で、結晶化度は５０％以上であり、屈伏点が９００〜９
５０℃であり、熱膨張係数が７５〜９０×１０-7／℃で
あり、無機ＥＬディスプレイの背面基板として適したも
のであった。As is apparent from the table, N which is the embodiment
o. In each of the samples 1 to 8, the precipitated crystals were enstatite and diopside, or α-quartz or garnite, the crystallinity was 50% or more, and the yield point was 900 to 9
The temperature was 50 ° C. and the coefficient of thermal expansion was 75 to 90 × 10 −7 / ° C., which was suitable as a back substrate of an inorganic EL display.
【００３９】それに対し、比較例であるＮｏ．９と１０
の試料は、屈伏点が７００℃以下と低いため、７００℃
で焼成すると熱変形が起こる。On the other hand, No. 9 and 10
Sample has a low yield point of 700 ° C or lower, so 700 ° C
Thermal deformation occurs when fired at.
【００４０】尚、表中の析出結晶および結晶化度は、Ｘ
線回折装置を用いて確認した。熱膨張係数および屈伏点
は、試料を円柱に加工した後、ディラトメーターを用い
て、荷重９０ｍＮ、昇温速度毎分５℃以下の条件で測定
した。実施例の熱膨張係数は３０〜９００℃における平
均熱膨張係数として評価し、一方、比較例の熱膨張係数
は３０〜３８０℃における平均熱膨張係数として評価し
た。屈伏点は、実施例および比較例とも熱膨張曲線の屈
曲点の最大値をもって評価した。The precipitated crystals and crystallinity in the table are X
It confirmed using the line diffraction apparatus. The coefficient of thermal expansion and the yield point were measured after processing the sample into a cylinder and using a dilatometer under the conditions of a load of 90 mN and a heating rate of 5 ° C./min or less. The coefficient of thermal expansion of the examples was evaluated as the average coefficient of thermal expansion at 30 to 900 ° C, while the coefficient of thermal expansion of the comparative examples was evaluated as the average coefficient of thermal expansion at 30 to 380 ° C. The yield point was evaluated by the maximum value of the inflection points of the thermal expansion curves in both Examples and Comparative Examples.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上のように本発明の結晶化ガラスから
なるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、７００℃以上
の高温で焼成されても熱変形を起こさず、誘電体との間
で熱応力が発生することもないので、特に無機ＥＬディ
スプレイ背面基板に好適である。As described above, the crystallized glass substrate for display made of the crystallized glass of the present invention does not undergo thermal deformation even if it is fired at a high temperature of 700 ° C. or higher, and the thermal stress between it and the dielectric is high. Since it does not occur, it is particularly suitable for an inorganic EL display back substrate.
【図１】無機ＥＬディスプレイの構造を示す説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a structure of an inorganic EL display.
１０ 基板 １１ 金属電極 １２ 第１の誘電体層 １３ 無機ＥＬ発光体層 １４ 第２の誘電体層 １５ ＩＴＯ電極 １６ ＲＧＢカラーフィルター １７ カラーフィルター基板 10 substrates 11 metal electrodes 12 First dielectric layer 13 Inorganic EL luminous body layer 14 Second dielectric layer 15 ITO electrode 16 RGB color filter 17 Color filter substrate
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA03 AA11 BB01 DA06 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DD01 DD02 DD03 DE01 DE02 DE03 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 ED03 ED04 EE02 EE03 EF01 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN29 NN31 QQ06 QQ07 Continued front page F-term (reference) 4G062 AA03 AA11 BB01 DA06 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DD01 DD02 DD03 DE01 DE02 DE03 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 ED03 ED04 EE02 EE03 EF01 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN29 NN31 QQ06 QQ07
Claims (4)
ｌ2Ｏ3 ２〜１７％、ＭｇＯ ２〜２０％、ＣａＯ
０．１〜１０％、ＺｎＯ ０〜１０％、ＴｉＯ 2 ０〜
６％、ＺｒＯ2 ０〜４％、ＢａＯ ０〜１５％、Ｌｉ2
Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ ０〜１５％、Ｋ2Ｏ ０〜５
％、Ｂ2Ｏ3 ０〜６％、Ｐ2Ｏ5 ０〜８％、Ｆ ０〜２
％の組成を有することを特徴とする結晶化ガラス。1. SiO 2 in% by mass2 50-70%, A
l2O3 2-17%, MgO 2-20%, CaO
0.1-10%, ZnO 0-10%, TiO 2 0 to
6%, ZrO2 0-4%, BaO 0-15%, Li2
O 0-3%, Na2O 0-15%, K2O 0-5
%, B2O3 0-6%, P2OFive 0-8%, F 0-2
%. A crystallized glass having a composition of 100%.
０〜１２０×１０-7／℃であることを特徴とする請求項
１記載の結晶化ガラス。2. The yield point is 750 ° C. or higher and the thermal expansion coefficient is 5.
The crystallized glass according to claim 1, which has a temperature of 0 to 120 × 10 −7 / ° C. 3.
たはディオプサイドの結晶が析出してなることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の結晶化ガラス。3. The crystallized glass according to claim 1, wherein crystals of enstatite and / or diopside are deposited as main crystals.
ことを特徴とするディスプレイ用結晶化ガラス基板。4. A crystallized glass substrate for a display, comprising the crystallized glass according to claim 1.
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2001
- 2001-11-01 JP JP2001336368A patent/JP2003137599A/en active Pending
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