JP2003133663A - High frequency circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高い周波数の導波
路を形成するために用いられる高周波回路用基板、例え
ば、高周波に用いられるアンテナ基板に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency circuit substrate used for forming a high-frequency waveguide, for example, an antenna substrate used for high frequencies.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、高周波回路用基板は、比誘電率
が低いことが望まれるのであり、これは、伝送損失が比
誘電率に比例して増大していくためによる。したがっ
て、比誘電率の低いテフロン（登録商標）樹脂やアルミ
ナ多孔質体などが、高周波回路用基板を構成する材料と
して多く用いられている。ただし、このような高周波回
路用基板にＩＣチップなどを接合する場合、一般にＡｕ
−Ｓｎ合金系のろう材が用いられるため、高周波回路用
基板を構成する材料には５００゜Ｃ以上の耐熱性が求め
られ、アルミナなどのセラミックス系材料が選択され
る。このような高周波回路用基板の材料として選択され
るアルミナは、真密度に近い緻密な場合、比誘電率が９
〜１０と非常に大きい値を呈するが、このアルミナに気
孔をもたせる、すなわち比誘電率の低い空気とアルミナ
との複合体（アルミナ多孔質体）とすることによって、
低い比誘電率を実現しようとしているのである。2. Description of the Related Art Generally, it is desired that a high frequency circuit substrate has a low relative permittivity because the transmission loss increases in proportion to the relative permittivity. Therefore, Teflon (registered trademark) resin or porous alumina having a low relative dielectric constant is often used as a material for forming a high-frequency circuit board. However, when an IC chip or the like is bonded to such a high frequency circuit substrate, Au is generally used.
Since a --Sn alloy brazing material is used, heat resistance of 500 ° C. or higher is required for the material forming the high frequency circuit substrate, and a ceramic material such as alumina is selected. Alumina, which is selected as a material for such a high-frequency circuit substrate, has a relative dielectric constant of 9 when dense, close to the true density.
Although it exhibits a very large value of -10, by making the alumina have pores, that is, by forming a composite of air and alumina having a low relative dielectric constant (alumina porous body),
They are trying to realize a low dielectric constant.
【０００３】アルミナ多孔質体は、例えば、特開平８−
１８６４０９号公報（特開昭６３−１７５９０公報、特
開平１−１７９７７７号公報）に開示されているよう
に、平均粒径２μｍのアルミナ原料粉末に８重量％のＳ
ｉＯ2−ＭｇＯ−ＣａＯ系焼結助剤を添加し、さらに有
機バインダーを添加して、プレス成形した後、緻密に焼
結されたアルミナを得るときよりも低い温度、例えば１
４００゜Ｃで短時間保持することにより、アルミナ原料
粉末の焼結が完了せず、図２に示すように、アルミナ原
料粉末の粒子１同士の間に気孔２を有する構造を実現し
たものである。A porous alumina material is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-
As disclosed in Japanese Patent No. 186409 (JP-A-63-17590 and JP-A-1-179777), 8% by weight of S is added to alumina raw material powder having an average particle diameter of 2 μm.
After adding an iO 2 —MgO—CaO-based sintering aid and an organic binder and press-molding, the temperature is lower than that at which densely sintered alumina is obtained, for example, 1
By holding at 400 ° C. for a short time, sintering of the alumina raw material powder was not completed, and as shown in FIG. 2, a structure having pores 2 between the particles 1 of the alumina raw material powder was realized. .
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のアルミナ多孔質体は、焼結が進行していない粒
子１の接合点（ネック）で、粒子１同士の間に気孔２を
有する構造を維持していることから、低い誘電率を得る
ために高い気孔率を有するアルミナ多孔質体を製造しよ
うとすると、非常に強度の低いものとならざるを得な
い。そのため、例えば１ＧＨｚ以上の高周波用回路基板
を得ることを目的に、気孔率が７０容量％以上のアルミ
ナ多孔質体を形成したとしても、その強度の弱さゆえ
に、ハンドリング時の破損を招いてしまうことになる。
また、実際に高周波回路用基板として用いる場合、大気
中の水分が気孔２内に入ると、絶縁性が劣化したり、比
誘電率が変化するといった不具合が生じてしまうことか
ら、アルミナ多孔質体の表面にコーティングを施すこと
によって気孔２を塞ぐなどの手法がとられるが、気孔率
が７０容量％を超えるようなアルミナ多孔質体の表面に
コーティングを施そうとすると、強度が低いために、ア
ルミナ多孔質体自体が破損してしまうおそれもあった。
それゆえ、従来のアルミナ多孔質体では、その気孔率を
せいぜい７０％程度にすることが限界であり、比誘電率
を十分に低く保つことができないので、伝送損失が大き
くならざるを得なかったのである。However, the above-described conventional alumina porous body has a structure having pores 2 between the particles 1 at the joining point (neck) of the particles 1 where sintering has not progressed. Therefore, when an alumina porous body having a high porosity is produced in order to obtain a low dielectric constant, the strength must be extremely low. Therefore, for example, even if an alumina porous body having a porosity of 70% by volume or more is formed for the purpose of obtaining a high frequency circuit board of 1 GHz or higher, the strength of the porous body will be weak, resulting in damage during handling. It will be.
Further, when actually used as a substrate for a high-frequency circuit, if moisture in the atmosphere enters the pores 2, problems such as deterioration of insulating property and change of relative permittivity will occur. A technique such as blocking the pores 2 by applying a coating to the surface of the alumina is used, but when an attempt is made to apply a coating to the surface of the alumina porous body having a porosity of more than 70% by volume, the strength is low. There is a possibility that the alumina porous body itself may be damaged.
Therefore, in the conventional alumina porous body, the porosity is limited to about 70% at most, and the relative dielectric constant cannot be kept sufficiently low, so that the transmission loss must be increased. Of.
【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、比誘電率を低くできるとともに、強度を高く保つこ
とができる高周波回路用基板及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a high frequency circuit substrate capable of lowering the relative permittivity and maintaining high strength, and a method for manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決して、
このような目的を達成するために、本発明による高周波
回路用基板は、微細粒子が焼結されてなる中実の骨格間
に、互いに連通する連続気孔が形成された三次元網目構
造をなすとともに、その気孔率が７０〜９８容量％とさ
れたセラミックス多孔質体からなることを特徴とする。
このようなセラミックス多孔質体は、微細粒子が十分に
焼結されてなる中実の骨格を有しているため、低い比誘
電率を得ることを目的に気孔率を７０〜９８容量％と大
きな値に設定したとしても、従来のように強度の著しい
低下を招いてしまうことがない。そして、このようなセ
ラミックス多孔質体によって高周波回路用基板を構成し
たことから、その強度を十分に高く保つとともに、低い
比誘電率を達成できる高周波回路用基板を得ることがで
きる。ここで、気孔率が７０容量％より小さくなると、
比誘電率の増大を招いてしまうおそれがあり、逆に、気
孔率が９８容量％より大きくなったとしても、強度の低
下を招いてしまうおそれがある。[Means for Solving the Problems] By solving the above problems,
In order to achieve such an object, the high frequency circuit substrate according to the present invention has a three-dimensional network structure in which continuous pores communicating with each other are formed between solid skeletons obtained by sintering fine particles and It is characterized by comprising a porous ceramic body having a porosity of 70 to 98% by volume.
Since such a porous ceramic body has a solid skeleton in which fine particles are sufficiently sintered, it has a large porosity of 70 to 98% by volume for the purpose of obtaining a low relative dielectric constant. Even if it is set to a value, there is no significant decrease in strength as in the conventional case. Since the high-frequency circuit substrate is made of such a ceramic porous body, it is possible to obtain a high-frequency circuit substrate that can maintain its strength sufficiently high and can achieve a low relative dielectric constant. Here, when the porosity is less than 70% by volume,
There is a possibility that the relative permittivity may be increased, and conversely, even if the porosity is greater than 98% by volume, the strength may be reduced.
【０００７】また、前記連続気孔は、前記高周波回路用
基板の表面に開口しない閉気孔とされていると、大気中
の水分が連続気孔の内部に入り込んでしまうおそれをな
くし、絶縁性の低下や、比誘電率の変化といった不具合
を生じることがない。このように連続気孔を閉気孔にす
るためには、例えば、前記セラミックス多孔質体の表面
に緻密層を形成することによって、セラミックス多孔質
体の表面に開口している連続気孔を閉塞することで達成
できる。このとき、緻密層の厚みは、３〜５０μｍの範
囲に設定されていることが好ましく、厚みが、３μｍ以
下であると、連続気孔を閉気孔に維持することが困難と
なるおそれがあり、逆に、厚みが、５０μｍより大きく
なっても、比誘電率の増大を招いてしまうおそれが生じ
る。If the continuous pores are closed pores that do not open on the surface of the high-frequency circuit board, there is no possibility that moisture in the atmosphere will enter the continuous pores, and the insulation properties will deteriorate. In addition, there is no problem such as a change in relative permittivity. In order to close the continuous pores in this way, for example, by forming a dense layer on the surface of the ceramic porous body, by closing the continuous pores opening on the surface of the ceramic porous body. Can be achieved. At this time, the thickness of the dense layer is preferably set in the range of 3 to 50 μm, and when the thickness is 3 μm or less, it may be difficult to maintain the continuous pores as closed pores. In addition, even if the thickness is larger than 50 μm, the relative dielectric constant may increase.
【０００８】また、本発明の高周波回路用基板の製造方
法は、本発明の高周波回路用基板を製造する製造方法で
あって、セラミックス粉末と水溶性バインダーと界面活
性剤と水と非水溶性有機溶剤とからなる発泡スラリーを
成形し、発泡させた後、これを乾燥させて得られた発泡
層グリーンシートを焼成することによって前記セラミッ
クス多孔質体を形成することを特徴とする。このような
製造方法を用いることによって、微細粒子が焼結されて
なる中実の骨格間に、互いに連通する連続気孔が形成さ
れた三次元網目構造をなすとともに、その気孔率が７０
〜９８容量％とされたセラミックス多孔質体からなる高
周波回路用基板を容易に製造することができる。The method for producing a high-frequency circuit board of the present invention is a method for producing the high-frequency circuit board of the present invention, which comprises ceramic powder, a water-soluble binder, a surfactant, water, and a water-insoluble organic material. The ceramic porous body is formed by forming a foamed slurry containing a solvent, foaming the foamed slurry, and then drying the foamed green sheet to fire the foamed layer green sheet. By using such a manufacturing method, a three-dimensional network structure is formed in which continuous pores communicating with each other are formed between solid skeletons obtained by sintering fine particles, and the porosity thereof is 70%.
It is possible to easily manufacture a high-frequency circuit substrate made of a ceramic porous body whose content is ˜98% by volume.
【０００９】そして、このような製造方法において、セ
ラミックス多孔質体における連続気孔を閉気孔にしよう
とする場合には、以下に示すような製造方法を採用する
ことで実現できる。
前記発泡層グリーンシートの両面に、緻密層グリー
ンシートを積層して得られたグリーンシートを一体的に
焼成することを特徴とする高周波回路用基板の製造方
法。
一方の面に緻密層グリーンシートが形成された前記
発泡層グリーンシートの他方の面に、緻密層グリーンシ
ートを積層して得られたグリーンシートを一体的に焼成
することを特徴とする高周波回路用基板の製造方法
焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の表面
に、セラミックススラリーを塗工した後、このセラミッ
クススラリーを焼成することを特徴とする高周波回路用
基板の製造方法。このとき、セラミックススラリーが、
連続気孔の内部まで染み込んでいって、連続気孔をうま
く閉塞することができないような場合には、焼成されて
なる前記セラミックス多孔質体の前記連続気孔における
少なくとも該セラミックス多孔質体の表面への開口部に
対して、熱分解性樹脂を充填してから、前記セラミック
ススラリーを塗工した後、このセラミックススラリーを
焼成するとともに、前記熱分解性樹脂を熱分解して除去
することで解決できる。
焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の前記連
続気孔における少なくとも該セラミックス多孔質体の表
面への開口部に対して、熱分解性樹脂を充填してから、
前記セラミックス多孔質体の表面に、スパッタリングに
よってセラミックス膜を形成することを特徴とする高周
波回路用基板の製造方法。
焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の表面
に、ＣＶＤ法によってセラミックス膜を形成することを
特徴とする高周波回路用基板の製造方法。In the above manufacturing method, when the continuous pores in the ceramic porous body are to be closed pores, it can be realized by adopting the following manufacturing method. A method for manufacturing a high-frequency circuit substrate, comprising integrally firing a green sheet obtained by laminating dense layer green sheets on both sides of the foam layer green sheet. For a high-frequency circuit characterized in that a green sheet obtained by laminating a dense layer green sheet on the other surface of the foam layer green sheet having a dense layer green sheet formed on one surface is integrally fired. Substrate manufacturing method A method for manufacturing a substrate for a high-frequency circuit, which comprises coating a surface of the fired ceramic porous body with a ceramics slurry and then firing the ceramics slurry. At this time, the ceramic slurry
When the inside of the continuous pores is soaked in and the continuous pores cannot be closed successfully, the opening of at least the surface of the porous ceramic body in the continuous pores of the fired ceramic porous body. The problem can be solved by filling the part with a thermally decomposable resin, applying the ceramics slurry, firing the ceramics slurry, and thermally decomposing and removing the thermally decomposable resin. At least the opening to the surface of the ceramic porous body in the continuous pores of the fired ceramic porous body is filled with a thermally decomposable resin,
A method for producing a high-frequency circuit substrate, comprising forming a ceramic film on the surface of the porous ceramic body by sputtering. A method of manufacturing a substrate for a high-frequency circuit, comprising forming a ceramic film on the surface of the fired ceramics porous body by a CVD method.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付し
た図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態によ
る高周波回路用基板を示す要部拡大断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an enlarged sectional view of an essential part showing the high-frequency circuit board according to the present embodiment.
【００１１】本実施形態による高周波回路用基板１０
は、図１に示すように、セラミックス多孔質体１１の表
面（両面）の全面に亘って緻密層１５，１５が形成され
たものであり、このセラミックス多孔質体１１は、平均
粒径０．０５〜３μｍのセラミックスの微細粒子１２が
焼結してなる中実の骨格１３によって三次元網目構造を
なすとともに、この骨格１３間には、互いに連通する平
均気孔径５〜１０００μｍの連続気孔１４が形成された
された発泡構造をなしており、その気孔率は、７０〜９
８容量％の範囲に設定されている。High frequency circuit substrate 10 according to the present embodiment
As shown in FIG. 1, the dense layers 15 and 15 are formed over the entire surface (both sides) of the ceramic porous body 11, and the ceramic porous body 11 has an average particle size of 0. A three-dimensional network structure is formed by a solid skeleton 13 formed by sintering fine ceramic particles 12 having a diameter of 05 to 3 μm, and between the skeletons 13, continuous pores 14 having an average pore diameter of 5 to 1000 μm that communicate with each other are formed. The formed foam structure has a porosity of 70 to 9
It is set within the range of 8% by volume.
【００１２】また、緻密層１５は、平均粒径０．０５〜
３μｍのセラミックスの微細粒子が焼結されてなる中実
の緻密構造をなしており、その厚みｔが、３〜５０μｍ
の範囲に設定されている。この緻密層１５が存在するこ
とにより、セラミックス多孔質体１１の表面に開口する
連続気孔１４が閉塞させられて、この連続気孔１４が、
高周波回路用基板１０の表面には開口しない閉気孔とな
っているのである。The dense layer 15 has an average particle size of 0.05 to
It has a solid dense structure formed by sintering fine ceramic particles of 3 μm, and the thickness t is 3 to 50 μm.
Is set in the range. Due to the presence of the dense layer 15, the continuous pores 14 opening on the surface of the ceramic porous body 11 are closed, and the continuous pores 14 are
The surface of the high-frequency circuit board 10 has closed pores that do not open.
【００１３】上記のような高周波回路用基板１０は、例
えば、以下に示すようにして製造される。まず、微細粒
子として平均粒径０．０５〜３μｍのセラミックス粉末
と水溶性バインダーと界面活性剤と水と非水溶性有機溶
剤とからなる発泡スラリーを、例えばドクターブレード
法により薄板状に成形し、非水溶性有機溶剤を発泡させ
た後、これを乾燥させることにより、発泡層グリーンシ
ートを得る。次に、微細粒子として同じく平均粒径０．
０５〜３μｍのセラミックス粉末と水溶性バインダーと
からなる無発泡スラリー（緻密層形成スラリー）を、例
えばドクターブレード法により薄板状に成形し、これを
乾燥させることにより、２枚の緻密層グリーンシートを
得る。The high-frequency circuit board 10 as described above is manufactured, for example, as follows. First, a foamed slurry composed of ceramic powder having an average particle diameter of 0.05 to 3 μm as fine particles, a water-soluble binder, a surfactant, water and a non-water-soluble organic solvent is formed into a thin plate by, for example, a doctor blade method, After the non-water-soluble organic solvent is foamed, it is dried to obtain a foam layer green sheet. Next, as fine particles, the same average particle diameter of 0.
A non-foamed slurry (dense layer forming slurry) composed of ceramic powder of 0.5 to 3 μm and a water-soluble binder is formed into a thin plate shape by, for example, a doctor blade method, and dried to obtain two dense layer green sheets. obtain.
【００１４】そして、上記のようにして得られた発泡層
グリーンシートの両面に対し、２枚の緻密層グリーンシ
ートをそれぞれの面に圧着させて積層して得られた３層
構造のグリーンシートを脱脂・焼結して焼成することに
より、上述したようなセラミックス多孔質体１１の両面
に緻密層１５が形成された高周波回路用基板１０を得る
ことができる。Then, a green sheet having a three-layer structure obtained by laminating two dense layer green sheets on both sides of the foam layer green sheet obtained as described above by press-bonding to each surface By degreasing, sintering, and firing, it is possible to obtain the high-frequency circuit substrate 10 in which the dense layers 15 are formed on both surfaces of the ceramic porous body 11 as described above.
【００１５】本実施形態によれば、セラミックス多孔質
体１１が、微細粒子１２が十分に焼結されてなる中実の
骨格１３を有することにより、低い比誘電率を得ること
を目的として、気孔率が７０〜９８容量％と大きな値に
設定されたセラミックス多孔質体１１を形成したとして
も、強度の著しい低下を招くことがなく、従来のような
焼結の完了していないセラミックス多孔質体の同じ気孔
率のものと比較して、その強度を格段に向上させること
が可能となる。According to this embodiment, since the porous ceramic body 11 has the solid skeleton 13 in which the fine particles 12 are sufficiently sintered, the pores are aimed at obtaining a low relative dielectric constant. Even if the ceramic porous body 11 whose ratio is set to a large value of 70 to 98% by volume is formed, the strength of the ceramic porous body is not remarkably lowered, and the conventional ceramic porous body in which sintering is not completed. It is possible to remarkably improve the strength as compared with those having the same porosity.
【００１６】そして、本実施形態による高周波基板１０
は、このようなセラミックス多孔質体１１を主体として
構成されていることから、強度の高さゆえにハンドリン
グ時の破損などを生じることがなく、これと同時に、低
い比誘電率を達成できて、伝送損失の少ない高周波回路
用基板１０を得ることが可能となる。ここで、セラミッ
クス多孔質体１１の気孔率が７０容量％より小さくなる
と、比誘電率の増大を招いてしまうおそれがあり、逆
に、気孔率が９８容量％より大きくなっても、強度の低
下を招いてしまうおそれがある。なお、上述したような
効果をより確実なものとするためには、セラミックス多
孔質体１１の気孔率を、９０〜９８容量％に設定するこ
とが好ましい。Then, the high frequency substrate 10 according to the present embodiment.
Since it is mainly composed of such a ceramic porous body 11, it does not cause damage during handling due to its high strength, and at the same time, it is possible to achieve a low relative permittivity and transmission. It is possible to obtain the high-frequency circuit substrate 10 with little loss. Here, if the porosity of the porous ceramic body 11 is less than 70% by volume, the relative dielectric constant may be increased, and conversely, even if the porosity is greater than 98% by volume, the strength is lowered. May be invited. In order to secure the effect as described above, it is preferable to set the porosity of the porous ceramic body 11 to 90 to 98% by volume.
【００１７】また、本実施形態による高周波回路基板１
０は、セラミックス多孔質体１１と、この両面にそれぞ
れ形成された緻密層１５とによって構成されていること
から、セラミックス多孔質体１１の表面に開口する連続
気孔１４が、緻密層１５によって閉塞されて高周波回路
用基板１０の表面に開口しない閉気孔となっている。そ
れゆえ、大気中の水分が連続気孔１４の内部に入り込む
ことがなくなり、これにより、絶縁性が低下したり、比
誘電率が変化したりするといった不具合が生じることが
なく安定した性能を呈することができる。ここで、連続
気孔１４が閉気孔となっている状態とは、大気中の水分
が連続気孔１４の内部に入り込まないように実質的な閉
塞状態を示すのであり、例えば、微少な開口部が形成さ
れていたとしても、大気中の水分が連続気孔１４の内部
に入り込まない状態であれば閉気孔の状態と考える。Further, the high frequency circuit board 1 according to the present embodiment.
Since 0 is composed of the porous ceramic body 11 and the dense layers 15 formed on both sides thereof, the continuous pores 14 opening on the surface of the porous ceramic body 11 are closed by the dense layer 15. As a result, it is a closed pore that does not open on the surface of the high-frequency circuit board 10. Therefore, moisture in the atmosphere does not enter into the inside of the continuous pores 14, and as a result, stable performance is exhibited without causing problems such as deterioration of insulation and change of relative dielectric constant. You can Here, the state in which the continuous pores 14 are closed pores indicates a substantially closed state so that moisture in the atmosphere does not enter the inside of the continuous pores 14, and for example, a minute opening is formed. Even if it is, if the moisture in the atmosphere does not enter the inside of the continuous pores 14, it is considered to be a closed pore state.
【００１８】また、緻密層１５の厚みｔが、３〜５０μ
ｍの範囲に設定されていることから、多少の衝撃が与え
られたとしても、連続気孔１４が実質的に閉塞された閉
気孔の状態を安定して維持することができ、かつ、比誘
電率も低く抑えることができる。ここで、この緻密層１
５の厚みｔが、３μｍより小さいと、多少の衝撃によっ
ても、連続気孔１４の閉気孔の状態が解除されてしまう
おそれがあり、逆に、厚みｔが、５０μｍより大きくな
ったとしても、比誘電率の増大を招いてしまうおそれが
生じるほか、緻密層１５とセラミックス多孔質体１１と
の一体焼成時に割れが生じたり、ＣＶＤ法やスパッタリ
ングを用いて緻密層１５を形成する場合、製造に長時間
を要するおそれがある。なお、上述したような効果をよ
り確実なものとするためには、緻密層１４の厚みｔを、
３〜１０μｍの範囲に設定することが好ましい。The thickness t of the dense layer 15 is 3 to 50 μm.
Since it is set in the range of m, even if some impact is applied, the state of the closed pores in which the continuous pores 14 are substantially closed can be stably maintained, and the relative dielectric constant can be maintained. Can be kept low. Here, this dense layer 1
If the thickness t of 5 is smaller than 3 μm, the closed pore state of the continuous pores 14 may be released by some impact, and conversely, even if the thickness t is larger than 50 μm, In addition to the possibility of causing an increase in the dielectric constant, cracks may occur during the integrated firing of the dense layer 15 and the ceramic porous body 11, or if the dense layer 15 is formed by using the CVD method or sputtering, it may take a long time to manufacture. It may take time. In order to secure the effect as described above, the thickness t of the dense layer 14 is set to
It is preferable to set in the range of 3 to 10 μm.
【００１９】なお、セラミックス多孔質体１１の構成要
件については、セラミックスの微細粒子１２の平均粒径
が０．１〜１μｍの範囲に設定され、連続気孔１４の平
均気孔径が５〜５０μｍの範囲に設定されることがより
好ましい。Regarding the constituent requirements of the porous ceramic body 11, the average particle diameter of the fine ceramic particles 12 is set in the range of 0.1 to 1 μm, and the average pore diameter of the continuous pores 14 is in the range of 5 to 50 μm. Is more preferably set to.
【００２０】また、上述したような高周波回路基板１０
の製造方法を用いたことによって、微細粒子１２が焼結
されてなる中実の骨格１３間に連続気孔１４を有すると
ともに、その気孔率が７０〜９８容量％に設定された三
次元網目構造のセラミックス多孔質体１１と、このセラ
ミックス多孔質体１１の両面に形成された緻密層１５，
１５とからなる高周波回路用基板１０を容易に製造する
ことができる。さらには、セラミックス多孔質体１１の
表面に対して、コーティングを施さなくても、連続気孔
１４を閉気孔にすることができるので、従来のように、
このコーティングの際に生じるセラミックス多孔質体１
１の破損のおそれをなくすことが可能となる。Further, the high frequency circuit board 10 as described above.
Of the three-dimensional network structure having continuous pores 14 between the solid skeletons 13 obtained by sintering the fine particles 12 and having the porosity of 70 to 98% by volume. A porous ceramic body 11 and dense layers 15 formed on both sides of the porous ceramic body 11,
It is possible to easily manufacture the high-frequency circuit substrate 10 including the substrate 15. Further, since the continuous pores 14 can be closed pores without coating the surface of the ceramic porous body 11, as in the conventional case,
Porous ceramic body 1 produced during this coating
It is possible to eliminate the risk of breakage of item 1.
【００２１】なお、本実施形態においては、セラミック
ス多孔質体１１の両面に緻密層１５が形成されることに
より、連続気孔１４が閉気孔となった高周波回路用基板
１０を用いて説明しているが、例えば、この緻密層１５
が存在せず、連続気孔１４が閉気孔の状態となっていな
い場合であっても、十分に乾燥した状態で使用するので
あれば、上述したような効果を何の遜色もなく奏するこ
とができる。In the present embodiment, the high-frequency circuit substrate 10 in which the continuous pores 14 are closed pores by forming the dense layers 15 on both surfaces of the ceramic porous body 11 has been described. However, for example, this dense layer 15
Even if the continuous pores 14 do not exist and the continuous pores 14 are not in the closed pore state, the above-described effects can be achieved in a comparable manner if used in a sufficiently dry state. .
【００２２】また、本実施形態においては、セラミック
ス多孔質体１１における連続気孔１３を閉気孔にするた
めに、発泡層グリーンシートの両面に対して、緻密層グ
リーンシートを圧着して積層して得られた３層構造のグ
リーンシートを一体的に焼成する方法を採用している
が、これに限定されることなく、例えば、以下に示すよ
うな製造方法を採用することによっても可能である。Further, in the present embodiment, in order to make the continuous pores 13 in the ceramic porous body 11 into closed pores, the dense layer green sheet is pressure-bonded to both surfaces of the foam layer green sheet and laminated. Although the method of integrally firing the green sheet having the three-layer structure is adopted, the present invention is not limited to this, and it is also possible to adopt the following manufacturing method, for example.
【００２３】第１には、まず、無発泡スラリー（緻密層
形成スラリー）を例えばドクターブレード法により薄板
状に成形していくとともに、この成形された無発泡スラ
リーの上に、発泡スラリーを例えばドクターブレード法
により薄板状に成形してゆき、その後、発泡スラリーを
発泡させた後、これらを乾燥させることにより、発泡層
グリーンシートの一方の面に対して緻密層グリーンシー
トが形成された２層構造のグリーンシートを得る。この
２層構造のグリーンシートにおける発泡層グリーンシー
トに対して（発泡層グリーンシートの他方の面に対し
て）、緻密層グリーンシートを圧着させて積層して得ら
れた３層構造のグリーンシートを脱脂・焼結して焼成す
ることにより、セラミックス多孔質体１１の両面に緻密
層１５が形成されて連続気孔１４を閉気孔とすることが
できる。First, first, a non-foaming slurry (dense layer forming slurry) is formed into a thin plate shape by, for example, a doctor blade method, and the foaming slurry is formed on the formed non-foaming slurry by, for example, a doctor. A two-layer structure in which a dense layer green sheet is formed on one surface of the foam layer green sheet by forming it into a thin plate shape by the blade method, then foaming the foam slurry and then drying these. Get a green sheet of. A green sheet having a three-layer structure obtained by press-bonding a dense-layer green sheet to the foam-layer green sheet in the two-layer structure green sheet (to the other surface of the foam-layer green sheet) is laminated. By degreasing, sintering, and firing, the dense layers 15 are formed on both surfaces of the porous ceramic body 11, and the continuous pores 14 can be closed pores.
【００２４】第２には、焼成されて形成されたセラミッ
クス多孔質体１１の表面に、セラミックススラリーを塗
工（印刷、塗布など）した後、このセラミックススラリ
ーを焼成することによって、セラミックス多孔質体１１
の表面に開口する連続気孔１４を閉塞して閉気孔とする
製造方法である。このとき、セラミックススラリーが、
連続気孔１４の内部まで染み込んでいって、連続気孔１
４を閉塞状態にできないような場合には、焼成されて形
成されたセラミックス多孔質体１１の連続気孔１４にお
ける少なくともセラミックス多孔質体１１の表面への開
口部に対して、熱分解性樹脂を充填する。その後、セラ
ミックススラリーを焼成し、これと同時に、熱分解性樹
脂を熱分解して除去することにより、セラミックス多孔
質体１１の表面に、セラミックス膜（緻密層）を形成し
て、連続気孔１４を閉気孔とすることができる。Second, after the ceramic slurry is applied (printed, applied, etc.) on the surface of the ceramic porous body 11 formed by firing, the ceramic slurry is fired to obtain the ceramic porous body. 11
It is a manufacturing method in which the continuous pores 14 opening on the surface of the are closed to form closed pores. At this time, the ceramic slurry
Permeating to the inside of the continuous pores 14, the continuous pores 1
4 cannot be closed, a thermally decomposable resin is filled in at least the openings of the continuous pores 14 of the ceramic porous body 11 formed by firing to the surface of the ceramic porous body 11. To do. After that, the ceramic slurry is fired, and at the same time, the thermally decomposable resin is thermally decomposed and removed to form a ceramic film (dense layer) on the surface of the ceramic porous body 11 to form the continuous pores 14. It can be a closed pore.
【００２５】第３には、焼成されて形成されたセラミッ
クス多孔質体１１の連続気孔１４における少なくともセ
ラミックス多孔質体１１の表面への開口部に対して、熱
分解性樹脂を充填する。その後、セラミックス多孔質体
１１の表面に、スパッタリングによってセラミックス膜
（緻密層）を形成して、連続気孔１４を閉気孔とするこ
とができる。このとき、連続気孔１４の内部に充填した
樹脂が、比誘電率に影響を与えてしまうような量である
場合には、この充填された樹脂を熱によって分解して除
去することが好ましい。Thirdly, at least the openings to the surface of the ceramic porous body 11 in the continuous pores 14 of the ceramic porous body 11 formed by firing are filled with a thermally decomposable resin. After that, a ceramic film (dense layer) can be formed on the surface of the porous ceramic body 11 by sputtering to make the continuous pores 14 closed pores. At this time, when the amount of the resin filled inside the continuous pores 14 affects the relative dielectric constant, it is preferable to decompose and remove the filled resin by heat.
【００２６】第４には、焼成された形成されたセラミッ
クス多孔質体１１の表面に、ＣＶＤ法により、セラミッ
クス膜（緻密層１５）を形成して、連続気孔１４を閉気
孔とすることができる。Fourthly, a ceramic film (dense layer 15) is formed on the surface of the fired ceramic porous body 11 by the CVD method so that the continuous pores 14 can be closed pores. .
【００２７】第５には、粘度を高く設定した、例えば、
粘度が５０〜８０Ｐａ・ｓとなるように設定した発泡ス
ラリーを成形し、発泡させる。このとき、発泡スラリー
の粘度が高いために、非水溶性有機溶剤が発泡すること
によって形成される連続気孔１４は薄い膜で囲われた状
態となる。その後、これを乾燥させて得られた発泡層グ
リーンシートを焼成することによって、連続気孔１４が
セラミックス多孔質体１１の表面に開口しない閉気孔と
することができる。Fifth, if the viscosity is set high, for example,
A foaming slurry whose viscosity is set to 50 to 80 Pa · s is molded and foamed. At this time, since the viscosity of the foaming slurry is high, the continuous pores 14 formed by foaming the non-water-soluble organic solvent are surrounded by a thin film. Thereafter, the foamed layer green sheet obtained by drying this is fired to form closed pores in which the continuous pores 14 do not open on the surface of the ceramic porous body 11.
【００２８】[0028]
【実施例】発泡層グリーンシートを得るために、微細粒
子としてアルミナ平均粒径０．６μｍのアルミナからな
るセラミックス粉末に焼結助剤としてＳｉＯ2−ＭｇＯ
−ＣａＯ系ガラス粉末を５ｗｔ％混合し、原料粉末を用
意した。さらに発泡剤となる有機溶剤（非水溶性有機溶
剤）としてｎ―ヘキサン、界面活性剤としてオレイン酸
ナトリウム、水溶性樹脂結合材（水溶性バインダー）と
してメチルセルロース（以下、ＭＣという）、可塑剤と
してグリセリンをそれぞれ用意した。原料粉末、ＭＣ、
グリセリン、界面活性剤および蒸留水を以下の表１に示
す配合（実施例１〜６、比較例１〜３）で４時間混練し
てスラリーを作製し、さらにこのスラリーにｎ―ヘキサ
ンを混合し、３０分間攪拌することにより発泡スラリー
を作製した。次に、この発泡スラリーをドクターブレー
ド法により薄板状に成形し、湿度９０％、温度４０゜Ｃ
で５分間保持することにより、ヘキサンを気化して成形
体を発泡させ、その後遠赤外線により１時間乾燥するこ
とにより、発泡層グリーンシートを得た。EXAMPLE In order to obtain a green sheet for a foam layer, a ceramic powder made of alumina having an average particle diameter of alumina of 0.6 μm as fine particles is added to SiO 2 —MgO as a sintering aid.
5% by weight of CaO-based glass powder was mixed to prepare a raw material powder. Further, n-hexane is used as an organic solvent (non-water-soluble organic solvent) to serve as a foaming agent, sodium oleate is used as a surfactant, methyl cellulose (hereinafter referred to as MC) is used as a water-soluble resin binder (water-soluble binder), and glycerin is used as a plasticizer. Prepared respectively. Raw powder, MC,
Glycerin, a surfactant and distilled water were kneaded for 4 hours with the formulations (Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3) shown in Table 1 below to prepare a slurry, and n-hexane was further mixed with the slurry. A foamed slurry was prepared by stirring for 30 minutes. Next, this foamed slurry was formed into a thin plate by the doctor blade method, and the humidity was 90% and the temperature was 40 ° C.
By holding for 5 minutes, the hexane is vaporized to foam the molded body, and then dried by far infrared ray for 1 hour to obtain a foam layer green sheet.
【００２９】また、緻密層グリーンシートを得るため
に、微細粒子としてアルミナ平均粒径０．６μｍのアル
ミナからなるセラミックス粉末に焼結助剤としてＳｉＯ
2−ＭｇＯ−ＣａＯ系ガラス粉末を５ｗｔ％混合し、原
料粉末を用意した。さらに水溶性樹脂結合材（水溶性バ
インダー）としてＭＣ、可塑剤としてグリセリンをそれ
ぞれ用意した。原料粉末：５０％、ＭＣ：８％、グリセ
リン：３．５％、蒸留水：残の配合で４時間混練して無
発泡スラリーを作製した。次に、この無発泡スラリーを
ドクターブレード法により薄板状に成形し、遠赤外線に
より１時間乾燥することにより、緻密層グリーンシート
を得た。Further, in order to obtain a dense layer green sheet, a ceramic powder made of alumina having an average particle diameter of 0.6 μm of alumina is used as fine particles and SiO is used as a sintering aid.
5 wt% of 2- MgO-CaO glass powder was mixed to prepare a raw material powder. Further, MC was prepared as a water-soluble resin binder (water-soluble binder), and glycerin was prepared as a plasticizer. Raw material powder: 50%, MC: 8%, glycerin: 3.5%, distilled water: remaining compounded for 4 hours to prepare a non-foaming slurry. Next, this non-foamed slurry was formed into a thin plate by a doctor blade method, and dried with far infrared rays for 1 hour to obtain a dense layer green sheet.
【００３０】上記得られた発泡層グリーンシートの両面
を、２枚の緻密層グリーンシートで挟むとともに、１０
ｇ／ｃｍ2の圧力で加圧し、発泡層グリーンシートの両
面にそれぞれ緻密層グリーンシートを積層した３層構造
のグリーンシートを得て、大気中６００゜Ｃ×３０分加
熱することにより脱脂し、さらに大気中１６００゜Ｃで
２時間加熱することにより、厚み１ｍｍのアルミナから
なるセラミックス多孔質体を得た（実施例１〜６、比較
例１〜３）。得られたセラミックス多孔質体を５０×５
０ｍｍにレーザー加工機により切断し、市販の誘電率測
定装置を用いて、比誘電率を測定した。また、セラミッ
クス多孔質体をφ１０ｍｍにレーザー加工機により切断
し、圧縮強度を測定した。Both sides of the obtained foam layer green sheet are sandwiched between two dense layer green sheets and 10
A pressure of g / cm 2 was applied to obtain a green sheet having a three-layer structure in which dense layer green sheets were laminated on both sides of the foam layer green sheet, and degreased by heating at 600 ° C. for 30 minutes in the atmosphere, Further, by heating in air at 1600 ° C. for 2 hours, a ceramic porous body made of alumina having a thickness of 1 mm was obtained (Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3). 50 x 5 for the obtained ceramic porous body
It cut | disconnected to 0 mm by the laser processing machine, and measured the relative dielectric constant using a commercially available dielectric constant measuring device. Further, the ceramic porous body was cut into a piece having a diameter of 10 mm by a laser processing machine, and the compressive strength was measured.
【００３１】本発明に対する従来例として、平均粒径２
μｍのアルミナ粉末に５重量％のＳｉＯ2−ＭｇＯ−Ｃ
ａＯ系焼結助剤を添加し、さらに有機バインダーとして
ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を混合粉末に対し５％
加え、５０×５０ｍｍの金型でプレス成形し、大気中、
１４００゜Ｃで３０分保持の条件で焼結を行い、厚み１
ｍｍのセラミックス多孔質体を得た。As a conventional example for the present invention, an average particle size of 2
5% by weight of SiO 2 —MgO—C on μm alumina powder
Add aO-based sintering aid, and add polyvinyl butyral (PVB) as an organic binder to 5% of the mixed powder.
In addition, press molding with a 50 x 50 mm die,
Sintered at 1400 ° C for 30 minutes to obtain a thickness of 1
A ceramics porous body of mm was obtained.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】表１に示されるように、気孔率及び緻密層
の厚みが本発明の範囲内に設定された実施例１〜６で
は、その気孔率の大きさにもかかわらず、圧縮強度を高
く維持できるという良好な結果が得られた。とくに、気
孔率が９０〜９８容量％と好ましい範囲に設定され、か
つ、緻密層の厚みが３〜１０μｍと好ましい範囲に設定
された実施例２，３，６においては、比誘電率が非常に
小さく、とくに良好な結果が得られた。また、緻密層の
厚みは本発明の範囲内に設定されているものの、気孔率
が本発明の範囲よりも小さい６７容量％に設定された比
較例１では、比誘電率が大きくなってしまった。また、
気孔率は本発明の範囲内に設定されているものの、緻密
層の厚みが本発明の範囲よりも大きい７０μｍに設定さ
れた比較例２では、大気中１６００゜Ｃで２時間加熱し
ている最中に、割れが生じてしまった。また、緻密層の
厚みは本発明の範囲内に設定されているものの、気孔率
が本発明の範囲よりも大きい９９容量％に設定された比
較例３では、ハンドリングする際に、セラミックス多孔
質体１１に割れが生じてしまった。さらに、従来例で
は、セラミックス多孔質体の気孔率を本発明の範囲より
も小さい６８容量％に設定したのにもかかわらず、比誘
電率が大きくなってしまい、加えて、圧縮強度も小さく
不足していた。As shown in Table 1, in Examples 1 to 6 in which the porosity and the thickness of the dense layer were set within the range of the present invention, the compressive strength was high despite the large porosity. The good result of being able to maintain was obtained. Particularly, in Examples 2, 3 and 6 in which the porosity was set in the preferable range of 90 to 98% by volume and the thickness of the dense layer was set in the preferable range of 3 to 10 μm, the relative dielectric constant was extremely high. Small and particularly good results were obtained. Further, although the thickness of the dense layer was set within the range of the present invention, in Comparative Example 1 in which the porosity was set to 67% by volume, which is smaller than the range of the present invention, the relative dielectric constant became large. . Also,
Although the porosity was set within the range of the present invention, in Comparative Example 2 in which the thickness of the dense layer was set to 70 μm, which is larger than the range of the present invention, the maximum heating temperature was 1600 ° C. for 2 hours. There was a crack inside. Further, in Comparative Example 3 in which the thickness of the dense layer is set within the range of the present invention, but the porosity is set to 99% by volume, which is larger than the range of the present invention, the porous ceramic body is handled at the time of handling. 11 has cracked. Further, in the conventional example, although the porosity of the ceramic porous body is set to 68% by volume, which is smaller than the range of the present invention, the relative dielectric constant becomes large, and in addition, the compressive strength is small and insufficient. Was.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明によれば、微細粒子が十分に焼結
されてなる中実の骨格を有するセラミックス多孔質体を
高周波回路基板として用いているため、低い比誘電率を
得ることを目的に気孔率を７０〜９８容量％と大きな値
に設定したとしても、従来のように強度の著しい低下を
招いてしまうことがない。それゆえ、その強度を十分に
高く保って、ハンドリング時の破損などを抑制できると
ともに、低い比誘電率を達成して、電送損失の少ない高
周波回路用基板を得ることができる。According to the present invention, since a ceramic porous body having a solid skeleton in which fine particles are sufficiently sintered is used as a high frequency circuit board, it is an object to obtain a low relative dielectric constant. Even when the porosity is set to a large value of 70 to 98% by volume, the strength is not significantly reduced as in the conventional case. Therefore, it is possible to obtain a high-frequency circuit substrate with a low relative transmission permittivity while keeping its strength sufficiently high to prevent damage during handling and the like and to achieve a low relative dielectric constant.
【図１】 本発明の実施形態による高周波回路用基板
を示す要部拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a high-frequency circuit substrate according to an embodiment of the present invention.
【図２】 従来の高周波回路用基板を示す要部拡大断
面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of an essential part showing a conventional high-frequency circuit board.
１０ 高周波回路用基板 １１ セラミックス多孔質体 １２ 微細粒子 １３ 骨格 １４ 連続気孔 １５ 緻密層 10 High frequency circuit board 11 Porous ceramics 12 Fine particles 13 skeleton 14 continuous pores 15 Dense layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場電 子デバイス開発センター内 Ｆターム(参考） 4G019 FA11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masaki Koshimura Saitama Prefecture Chichibu-gun Yokose-cho 2270 Yokoze Ryo Materials Co., Ltd. Ceramics Factory Den Child Device Development Center F-term (reference) 4G019 FA11
Claims (11)
に、互いに連通する連続気孔が形成された三次元網目構
造をなすとともに、その気孔率が７０〜９８容量％とさ
れたセラミックス多孔質体からなることを特徴とする高
周波回路用基板。1. A ceramic having a three-dimensional network structure in which continuous pores communicating with each other are formed between solid skeletons obtained by sintering fine particles and having a porosity of 70 to 98% by volume. A substrate for a high-frequency circuit, which is made of a porous body.
いて、 前記連続気孔は、前記高周波回路用基板の表面に開口し
ない閉気孔とされていることを特徴とする高周波回路用
基板。2. The high-frequency circuit board according to claim 1, wherein the continuous pores are closed pores that do not open on the surface of the high-frequency circuit board.
いて、 前記セラミックス多孔質体の表面に緻密層が形成される
ことにより、前記連続気孔が閉気孔とされていることを
特徴とする高周波回路用基板。3. The high frequency circuit substrate according to claim 2, wherein the continuous pores are closed pores by forming a dense layer on the surface of the ceramic porous body. Circuit board.
いて、 前記緻密層は、その厚みが３〜５０μｍの範囲に設定さ
れていることを特徴とする高周波回路用基板。4. The high-frequency circuit board according to claim 3, wherein the dense layer has a thickness set in a range of 3 to 50 μm.
造する製造方法であって、 セラミックス粉末と水溶性バインダーと界面活性剤と水
と非水溶性有機溶剤とからなる発泡スラリーを成形し、
発泡させた後、これを乾燥させて得られた発泡層グリー
ンシートを焼成することによって前記セラミックス多孔
質体を形成することを特徴とする高周波回路用基板の製
造方法。5. A manufacturing method for manufacturing a substrate for a high frequency circuit according to claim 1, wherein a foaming slurry composed of ceramic powder, a water-soluble binder, a surfactant, water and a non-water-soluble organic solvent is molded. ,
A method for manufacturing a high-frequency circuit substrate, characterized in that the ceramic porous body is formed by firing a foamed layer green sheet obtained by drying the foamed layer after the foaming.
造方法において、 前記発泡層グリーンシートの両面に、緻密層グリーンシ
ートを積層して得られたグリーンシートを一体的に焼成
することを特徴とする高周波回路用基板の製造方法。6. The method for manufacturing a high frequency circuit board according to claim 5, wherein the green sheets obtained by laminating the dense layer green sheets on both sides of the foam layer green sheet are integrally fired. A method for manufacturing a high-frequency circuit board having the characteristics.
造方法において、 一方の面に緻密層グリーンシートが形成された前記発泡
層グリーンシートの他方の面に、緻密層グリーンシート
を積層して得られたグリーンシートを一体的に焼成する
ことを特徴とする高周波回路用基板の製造方法。7. The method for manufacturing a high frequency circuit board according to claim 5, wherein a dense layer green sheet is laminated on the other surface of the foam layer green sheet having a dense layer green sheet formed on one surface. A method for manufacturing a high-frequency circuit board, comprising integrally firing the green sheet obtained by the above.
造方法において、 焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の表面に、セ
ラミックススラリーを塗工した後、このセラミックスス
ラリーを焼成することを特徴とする高周波回路用基板の
製造方法。8. The method of manufacturing a substrate for a high frequency circuit according to claim 5, wherein a ceramic slurry is applied to the surface of the fired ceramic porous body, and then the ceramic slurry is fired. And a method for manufacturing a substrate for a high frequency circuit.
造方法において、 焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の前記連続気
孔における少なくとも該セラミックス多孔質体の表面へ
の開口部に対して、熱分解性樹脂を充填してから、 前記セラミックススラリーを塗工した後、このセラミッ
クススラリーを焼成するとともに、前記熱分解性樹脂を
熱分解して除去することを特徴とする高周波回路用基板
の製造方法。9. The method for manufacturing a substrate for a high frequency circuit according to claim 8, wherein at least an opening to the surface of the ceramic porous body in the continuous pores of the fired ceramic porous body, Manufacturing of a substrate for a high-frequency circuit, which comprises filling a thermally decomposable resin, coating the ceramics slurry, firing the ceramics slurry, and thermally decomposing and removing the thermally decomposable resin. Method.
製造方法において、 焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の前記連続気
孔における少なくとも該セラミックス多孔質体の表面へ
の開口部に対して、熱分解性樹脂を充填してから、 前記セラミックス多孔質体の表面に、スパッタリングに
よってセラミックス膜を形成することを特徴とする高周
波回路用基板の製造方法。10. The method for manufacturing a substrate for a high frequency circuit according to claim 5, wherein at least an opening to the surface of the ceramic porous body in the continuous pores of the fired ceramic porous body, A method for manufacturing a substrate for a high-frequency circuit, which comprises filling a thermally decomposable resin and then forming a ceramic film on the surface of the porous ceramic body by sputtering.
製造方法において、 焼成されてなる前記セラミックス多孔質体の表面に、Ｃ
ＶＤ法によってセラミックス膜を形成することを特徴と
する高周波回路用基板の製造方法。11. The method for manufacturing a high frequency circuit substrate according to claim 5, wherein C is formed on the surface of the fired ceramic porous body.
A method of manufacturing a substrate for a high frequency circuit, which comprises forming a ceramic film by a VD method.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5352809B2 (en) * | 2005-08-30 | 2013-11-27 | 国立大学法人 岡山大学 | Ceramic solid-phase foam and method for producing the same |
| JP2018123011A (en) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 日本電気硝子株式会社 | Production method of inorganic porous sheet |
-
2001
- 2001-10-23 JP JP2001325497A patent/JP3885550B2/en not_active Expired - Fee Related
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