JP2003133065A - EL element drive circuit - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力に接続されたEL素子や駆動回路自身を
保護できるEL素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 発振回路2と、その発振出力によるスイ
ッチング制御よって、入力された直流電圧を昇圧する昇
圧回路1と、その昇圧回路1で昇圧された出力電圧の供
給によって作動し、発振回路2の出力を基にEL素子2
3をスイッチング駆動するスイッチング回路14とによ
って構成され、昇圧回路1の出力における異常電圧を検
知する検出回路16を設けて、昇圧回路1に供給する発
振回路2の出力信号を、検出回路16の出力信号を基に
遮断して、昇圧回路1の動作を停止させる。
To provide an EL element driving circuit capable of protecting an EL element connected to an output and a driving circuit itself. SOLUTION: An oscillator circuit 2, a booster circuit 1 for boosting an input DC voltage by switching control based on an oscillation output thereof, and an operating circuit which operates by supplying an output voltage boosted by the booster circuit 1 EL element 2 based on output
And a switching circuit 14 for driving the switching circuit 3 for detecting the abnormal voltage at the output of the booster circuit 1. The output signal of the oscillation circuit 2 supplied to the booster circuit 1 is output from the detection circuit 16. The operation of the booster circuit 1 is stopped based on the signal.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示部のバッ
クライト等に用いられるEL素子駆動回路とEL素子駆
動方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL element drive circuit and an EL element drive method used for a backlight of a liquid crystal display section or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】EL素子は、液晶表示部のバックライト
として利用され、携帯電話、時計、携帯端末など様々な
分野で普及している。EL素子の駆動方法としては、コ
イルとスイッチング素子を用いて、乾電池等の直流電圧
を昇圧し、ダイオードで整流した後に、スイッチング素
子等を用いて交流に変換する方法が主流となっている。
EL素子は、100V以上の電圧を、100Hzから1
000Hz程度の周波数で印加することによって発光す
る。したがってEL素子への出力回路には、高耐圧のス
イッチング素子が用いられる。しかし、通常、この昇圧
回路が、コイルとダイオードとスイッチング素子よりな
る簡単な構成であるため、EL素子の劣化とともにその
容量が減少すると、スイッチング素子の耐圧以上の高電
圧が印加され、スイッチング素子を破壊するおそれがあ
る。また、工場の組立工程などにおいて、EL素子を接
続せずに駆動回路が動作した場合、EL素子への出力回
路や、昇圧用のスイッチング素子には、それらの耐圧を
越えた高電圧が印加され、破壊してしまう。2. Description of the Related Art EL devices are used as backlights for liquid crystal display parts and are widely used in various fields such as mobile phones, watches and mobile terminals. As a driving method of an EL element, a method in which a coil and a switching element are used to boost a DC voltage of a dry cell or the like, which is rectified by a diode, and then converted into an AC using a switching element or the like is mainstream.
The EL element applies a voltage of 100 V or more from 100 Hz to 1
It emits light when applied at a frequency of about 000 Hz. Therefore, a high breakdown voltage switching element is used in the output circuit to the EL element. However, since this step-up circuit usually has a simple configuration including a coil, a diode, and a switching element, when the capacity of the EL element decreases with deterioration of the EL element, a high voltage higher than the withstand voltage of the switching element is applied to the switching element. May be destroyed. Also, when the drive circuit operates without connecting the EL element in the factory assembly process, etc., a high voltage exceeding the withstand voltage is applied to the output circuit to the EL element and the switching element for boosting. , Will be destroyed.
【0003】図4は従来のEL素子の駆動回路の回路構
成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional EL element drive circuit.
【0004】図4において、1は昇圧回路、2は発振回
路、3はコイル、4はスイッチング素子、6は整流用の
ダイオード、7は分周回路、9,10はハイサイドスイ
ッチング素子、11,12はローサイドスイッチング素
子、13は電源入力端子、15は高電圧スパイク除去用
のコンデンサ、23はEL素子、25,26はEL素子
23の電極である。In FIG. 4, 1 is a booster circuit, 2 is an oscillation circuit, 3 is a coil, 4 is a switching element, 6 is a rectifying diode, 7 is a frequency dividing circuit, 9 and 10 are high side switching elements, 11 and Reference numeral 12 is a low side switching element, 13 is a power input terminal, 15 is a capacitor for removing high voltage spikes, 23 is an EL element, and 25 and 26 are electrodes of the EL element 23.
【0005】そして、電源入力端子13からの電源供給
によって作動する昇圧回路1は、電磁エネルギーを蓄積
するためのコイル3と、コイル3をスイッチング制御す
るためのスイッチング素子4と、発振回路2と、コイル
3から放出するエネルギーを整流するダイオード6とに
よって構成される。コンデンサ15は、ダイオード6で
整流した出力を平滑して直流的な電圧に変換する。昇圧
回路1内のスイッチング素子4は、発振回路2の発振出
力によってスイッチング制御される。そして、スイッチ
ング素子4がオンする時に、コイル3に電磁エネルギー
が蓄積され、この電磁エネルギーはスイッチング素子4
がオフする時にコイル3から高電圧スパイクとして放出
される。その高電圧スパイクは、ダイオード6で整流さ
れ、コンデンサ15によって高い直流電圧に変換され
る。The booster circuit 1 operated by the power supply from the power supply input terminal 13 has a coil 3 for storing electromagnetic energy, a switching element 4 for switching control of the coil 3, an oscillator circuit 2, It is composed of a diode 6 that rectifies the energy emitted from the coil 3. The capacitor 15 smoothes the output rectified by the diode 6 and converts it into a DC voltage. The switching element 4 in the booster circuit 1 is switching-controlled by the oscillation output of the oscillator circuit 2. Then, when the switching element 4 is turned on, electromagnetic energy is accumulated in the coil 3, and the electromagnetic energy is stored in the switching element 4
Is released as a high voltage spike from coil 3 when is turned off. The high voltage spike is rectified by the diode 6 and converted into a high DC voltage by the capacitor 15.
【0006】スイッチング回路14は、電源端子8を介
して昇圧回路1の出力電圧が印加されることによって作
動する。ハイサイドスイッチング素子9とローサイドス
イッチング素子11は電源端子8と接地点との間に直列
接続される一方、ハイサイドスイッチング素子10とロ
ーサイドスイッチング素子12も電源端子8と接地点と
の間に直列接続されることにより、Hブリッジ形式の出
力回路を構成しており、出力にはEL素子23の電極2
5,26が接続されている。The switching circuit 14 operates when the output voltage of the booster circuit 1 is applied via the power supply terminal 8. The high side switching element 9 and the low side switching element 11 are connected in series between the power supply terminal 8 and the ground point, while the high side switching element 10 and the low side switching element 12 are also connected in series between the power supply terminal 8 and the ground point. As a result, an H-bridge type output circuit is formed, and the electrode 2 of the EL element 23 is used for output.
5, 26 are connected.
【0007】分周回路7は、スイッチング回路14を構
成するスイッチング素子9〜12の制御信号を生成する
ための手段であり、発振回路2の発振出力を分周して所
定周波数の出力信号を生成している。The frequency dividing circuit 7 is a means for generating control signals for the switching elements 9 to 12 which form the switching circuit 14, and divides the oscillation output of the oscillation circuit 2 to generate an output signal of a predetermined frequency. is doing.
【0008】そして、ハイサイドスイッチング素子9,
10およびローサイドスイッチング素子11,12の各
入力は分周回路7の各出力に接続され、所定の繰り返し
周波数で交番出力電圧を発生するようにスイッチング素
子9〜12をスイッチングする。その交番出力電圧でE
L素子23を駆動する。The high side switching element 9,
Inputs of 10 and low-side switching elements 11 and 12 are connected to respective outputs of the frequency dividing circuit 7 to switch the switching elements 9 to 12 so as to generate an alternating output voltage at a predetermined repetition frequency. E with the alternating output voltage
The L element 23 is driven.
【0009】以上のように構成されたEL素子の駆動回
路について、以下その動作を説明する。The operation of the EL element drive circuit configured as described above will be described below.
【0010】図5は、図4に示す駆動回路でEL素子を
駆動する時の各部の電圧波形を示す図である。電源入力
端子13に所定の直流電圧が入力されると、発振回路2
が動作を開始し、スイッチング素子4のゲート端子に
は、周波数f(cil)の高周波信号が入力され、スイ
ッチング素子4がオン/オフを繰り返す。スイッチング
素子4がオンの時にコイル3に電流が流れ、スイッチン
グ素子4がオフになった瞬間に、スイッチング素子4の
ドレイン端子に、図5のV(CIL)に示す高電圧スパ
イクが発生する。前記高電圧スパイクは、整流用ダイオ
ード6によって整流され、スイッチング回路14に供給
される。発振回路2の出力信号は、積算集積回路7によ
って分周され、低周波信号f(EL)となって、スイッ
チング回路14の各スイッチング素子に入力される。こ
の際、ハイサイドスイッチング素子9とローサイドスイ
ッチング素子11には、同位相の信号V(g1)が入力
され、ハイサイドスイッチング素子10とローサイドス
イッチング素子12には、半波長遅れた信号V(g2)
が入力される。この結果、EL素子23の電極25、2
6は、交互に充電と放電を繰り返し、それぞれ、図5の
V(EL1)、V(EL2)の様な高電圧波形が得られ
る。この時、スイッチング回路14の電源端子8には、
図5のV(DC)に示すように、V(EL1)とV(E
L2)の和となる電圧波形が得られる。FIG. 5 is a diagram showing voltage waveforms at various parts when the EL element is driven by the drive circuit shown in FIG. When a predetermined DC voltage is input to the power input terminal 13, the oscillation circuit 2
Starts to operate, a high frequency signal of frequency f (cil) is input to the gate terminal of the switching element 4, and the switching element 4 repeats on / off. A current flows through the coil 3 when the switching element 4 is on, and at the moment when the switching element 4 is turned off, a high voltage spike indicated by V (CIL) in FIG. 5 occurs at the drain terminal of the switching element 4. The high voltage spike is rectified by the rectifying diode 6 and supplied to the switching circuit 14. The output signal of the oscillation circuit 2 is frequency-divided by the integration integrated circuit 7 and becomes a low frequency signal f (EL), which is input to each switching element of the switching circuit 14. At this time, the signal V (g1) having the same phase is input to the high-side switching element 9 and the low-side switching element 11, and the signal V (g2) delayed by a half wavelength is input to the high-side switching element 10 and the low-side switching element 12.
Is entered. As a result, the electrodes 25, 2 of the EL element 23
In No. 6, charging and discharging are alternately repeated, and high voltage waveforms such as V (EL1) and V (EL2) in FIG. 5 are obtained, respectively. At this time, the power supply terminal 8 of the switching circuit 14 is
As shown in V (DC) of FIG. 5, V (EL1) and V (E
A voltage waveform that is the sum of L2) is obtained.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では、EL素子23に印加される電圧は、コイル3
やスパイク除去用のコンデンサ15の値、発振器の発振
周波数、EL素子の等価容量など、様々な要因によって
決まる。そのため、EL素子駆動回路を設計する際に
は、それぞれのバラツキを考慮して、EL素子への印加
電圧が、回路素子の耐圧以下になるように設計する必要
が有った。また、EL素子は、長時間の使用で劣化する
と、EL素子の等価容量が減少し、同じ駆動回路を使用
していても、駆動回路の出力電圧が初期値より高くな
る。EL素子23の等価容量の変動に対してマージンを
見込む必要があり、EL素子駆動回路の設計を困難なも
のとしていた。However, in the conventional configuration, the voltage applied to the EL element 23 is
And the value of the spike removing capacitor 15, the oscillation frequency of the oscillator, the equivalent capacitance of the EL element, and the like. Therefore, when designing the EL element drive circuit, it is necessary to design the EL element drive circuit so that the applied voltage to the EL element is equal to or lower than the withstand voltage of the circuit element in consideration of the respective variations. When the EL element deteriorates after being used for a long time, the equivalent capacitance of the EL element decreases, and the output voltage of the drive circuit becomes higher than the initial value even if the same drive circuit is used. It is necessary to allow for a margin for variations in the equivalent capacitance of the EL element 23, which makes it difficult to design the EL element drive circuit.
【0012】本発明はこのような従来の課題を解決する
ものであり、EL素子が劣化して容量が減少した場合で
も、EL素子駆動回路の耐圧を越えることなく、EL素
子を安全に駆動するEL素子駆動回路を提供することを
目的とする。The present invention solves such a conventional problem and safely drives an EL element without exceeding the withstand voltage of the EL element drive circuit even when the EL element is deteriorated and its capacity is reduced. An object is to provide an EL element drive circuit.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のEL素子駆動回路は、発振回路の発振出力
によるスイッチング制御によって、入力された直流電圧
を昇圧する昇圧回路と、前記直流電圧の電源供給によっ
て作動しEL素子に交番電圧を与えるスイッチング回路
と、前記直流電圧の高電圧成分を検出する検出回路とを
備え、前記高電圧成分が保護電圧に達すると、前記昇圧
回路への前記発振出力の供給を停止させる構成である。To achieve this object, an EL element drive circuit of the present invention comprises a booster circuit for boosting an input DC voltage by switching control by an oscillation output of an oscillator circuit, A switching circuit that operates by supplying a voltage power source to apply an alternating voltage to the EL element; and a detection circuit that detects a high voltage component of the direct current voltage. When the high voltage component reaches a protection voltage, In this configuration, the supply of the oscillation output is stopped.
【0014】この構成により、EL素子の容量値が低下
して昇圧回路の出力電圧が上昇したり、昇圧回路の異常
動作等によって高電圧成分が生じても、発振回路の発振
出力が昇圧回路に供給されることを停止して、昇圧回路
の出力電圧を低下させるため、EL素子の劣化を防止す
ることができる。With this structure, even if the output voltage of the booster circuit rises due to a decrease in the capacitance value of the EL element or a high voltage component is generated due to abnormal operation of the booster circuit, the oscillation output of the oscillator circuit is output to the booster circuit. Since the supply of voltage is stopped and the output voltage of the booster circuit is lowered, deterioration of the EL element can be prevented.
【0015】また、ツェナーダイオードを用いて検出回
路を構成すると、通常に動作する時、EL素子以外の負
荷に電流を流さないため、殆ど電力消費しない保護回路
を構成することが出来る。Further, when the detection circuit is constructed by using the Zener diode, a protection circuit that consumes almost no electric power can be constructed because current does not flow to loads other than the EL element during normal operation.
【0016】また、反転回路をCMOSインバータで構
成すると、反転回路の閾値電圧は電源電圧の約1/2に
なり、第1,第2の抵抗による直列回路の抵抗分圧によ
って、昇圧回路の出力電圧に含まれる高電圧成分を検出
することができる。Further, when the inverting circuit is composed of a CMOS inverter, the threshold voltage of the inverting circuit becomes about 1/2 of the power supply voltage, and the output of the boosting circuit is generated by the resistance voltage division of the series circuit by the first and second resistors. A high voltage component included in the voltage can be detected.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】図1は、本発明にかかわるEL素
子駆動回路の構成を示す回路構成図である。1 is a circuit configuration diagram showing the configuration of an EL element drive circuit according to the present invention.
【0018】図1において、1は昇圧回路、2は発振回
路、3はコイル、4はMOSトランジスタ,バイポーラ
トランジスタ等によるスイッチング素子、6は整流用の
ダイオード、7は分周回路、9,10はPチャンネルM
OSトランジスタ又はPNPトランジスタ等によるハイ
サイドスイッチング素子、11,12はNチャンネルM
OSトランジスタ又はNPNトランジスタ等によるロー
サイドスイッチング素子、13は電源入力端子、15は
高電圧スパイク除去用のコンデンサ、16は検出回路、
17はツェナーダイオード、18は抵抗、19は反転
器、20はANDゲート、23はEL素子、25,26
はEL素子23の電極である。In FIG. 1, 1 is a booster circuit, 2 is an oscillation circuit, 3 is a coil, 4 is a switching element such as a MOS transistor and a bipolar transistor, 6 is a rectifying diode, 7 is a frequency dividing circuit, and 9 and 10 are. P channel M
High-side switching element composed of OS transistor or PNP transistor, 11 and 12 are N-channel M
A low-side switching element such as an OS transistor or an NPN transistor, 13 is a power input terminal, 15 is a capacitor for removing high voltage spikes, 16 is a detection circuit,
17 is a Zener diode, 18 is a resistor, 19 is an inverter, 20 is an AND gate, 23 is an EL element, 25 and 26
Is an electrode of the EL element 23.
【0019】そして、電源入力端子13からの電源供給
によって作動する昇圧回路1は、電磁エネルギーを蓄積
するためのコイル3と、コイル3をスイッチング制御す
るためのスイッチング素子4と、発振回路2と、コイル
3から放出するエネルギーを整流するダイオード6とに
よって構成される。コンデンサ15は、ダイオード6で
整流した出力を平滑して直流的な電圧に変換する。昇圧
回路1内のスイッチング素子4は、発振回路2の発振出
力によってスイッチング制御される。そして、スイッチ
ング素子4がオンする時に、コイル3に電磁エネルギー
が蓄積され、この電磁エネルギーはスイッチング素子4
がオフする時にコイル3から高電圧スパイクとして放出
される。その高電圧スパイクは、ダイオード6で整流さ
れ、コンデンサ15によって高い直流電圧に変換され
る。The booster circuit 1 operated by the power supply from the power supply input terminal 13 has a coil 3 for storing electromagnetic energy, a switching element 4 for controlling switching of the coil 3, an oscillator circuit 2, It is composed of a diode 6 that rectifies the energy emitted from the coil 3. The capacitor 15 smoothes the output rectified by the diode 6 and converts it into a DC voltage. The switching element 4 in the booster circuit 1 is switching-controlled by the oscillation output of the oscillator circuit 2. Then, when the switching element 4 is turned on, electromagnetic energy is accumulated in the coil 3, and the electromagnetic energy is stored in the switching element 4
Is released as a high voltage spike from coil 3 when is turned off. The high voltage spike is rectified by the diode 6 and converted into a high DC voltage by the capacitor 15.
【0020】スイッチング回路14は、電源端子8を介
して昇圧回路1の出力電圧が印加されることによって作
動する。ハイサイドスイッチング素子9とローサイドス
イッチング素子11は電源端子8と接地点との間に直列
接続される一方、ハイサイドスイッチング素子10とロ
ーサイドスイッチング素子12も電源端子8と接地点と
の間に直列接続されることにより、Hブリッジ形式の出
力回路を構成しており、出力にはEL素子23の電極2
5,26が接続されている。The switching circuit 14 operates when the output voltage of the booster circuit 1 is applied via the power supply terminal 8. The high side switching element 9 and the low side switching element 11 are connected in series between the power supply terminal 8 and the ground point, while the high side switching element 10 and the low side switching element 12 are also connected in series between the power supply terminal 8 and the ground point. As a result, an H-bridge type output circuit is formed, and the electrode 2 of the EL element 23 is used for output.
5, 26 are connected.
【0021】分周回路7は、スイッチング回路14を構
成するスイッチング素子9〜12の制御信号を生成する
ための手段であり、発振回路2の発振出力を分周して所
定周波数の出力信号を生成している。The frequency dividing circuit 7 is a means for generating control signals for the switching elements 9 to 12 constituting the switching circuit 14, and divides the oscillation output of the oscillation circuit 2 to generate an output signal of a predetermined frequency. is doing.
【0022】そして、ハイサイドスイッチング素子9,
10およびローサイドスイッチング素子11,12の各
入力は分周回路7の各出力に接続され、所定の繰り返し
周波数で交番出力電圧を発生するようにスイッチング素
子9〜12をスイッチングする。その交番出力電圧でE
L素子23を駆動する。The high side switching element 9,
Inputs of 10 and low-side switching elements 11 and 12 are connected to respective outputs of the frequency dividing circuit 7 to switch the switching elements 9 to 12 so as to generate an alternating output voltage at a predetermined repetition frequency. E with the alternating output voltage
The L element 23 is driven.
【0023】検出回路16は、電源端子8にカソードを
接続したツェナーダイオード17と、一端を接地した抵
抗18と、ツェナーダイオード17と抵抗18による直
列回路の中間接続点に入力端を接続した反転器19とに
よって構成され、反転器19の出力信号をAND回路2
0に入力することによって、異常な高電圧を検出した時
に発振回路2の出力信号がスイッチング素子4の入力端
子に入力されないように構成されている。The detection circuit 16 includes a Zener diode 17 having a cathode connected to the power supply terminal 8, a resistor 18 having one end grounded, and an inverter having an input end connected to an intermediate connection point of a series circuit of the Zener diode 17 and the resistor 18. And an AND circuit 2 that outputs the output signal of the inverter 19
By inputting 0, the output signal of the oscillation circuit 2 is not input to the input terminal of the switching element 4 when an abnormal high voltage is detected.
【0024】本発明の第1の実施形態である図1の回路
では、周辺回路のバラツキや、EL素子の劣化、EL素
子23の接続不良などの際、電源端子8への印加電圧が
ツェナーダイオード17のツェナー電圧Vzに達する
と、抵抗18に電流が流れ、反転器19の出力がハイレ
ベルからローレベルに切り替わる。反転器19の出力信
号は、ANDゲート20に入力され、スイッチング素子
4のスイッチング制御が停止され、EL素子23への電
荷供給は停止される。この結果、EL素子23の各電極
25、26に印加される電圧は、図2のV(EL1)、
V(EL2)に示すような波形となり、ハイサイドスイ
ッチング素子9,10やローサイドスイッチング素子1
1,12、スイッチング素子4にはそれらの耐圧を超え
た高電圧が印加されることはない。In the circuit of FIG. 1 which is the first embodiment of the present invention, the voltage applied to the power supply terminal 8 is applied to the zener diode when the peripheral circuit has variations, the EL element has deteriorated, or the EL element 23 has a poor connection. When the Zener voltage Vz of 17 is reached, a current flows through the resistor 18 and the output of the inverter 19 switches from high level to low level. The output signal of the inverter 19 is input to the AND gate 20, the switching control of the switching element 4 is stopped, and the electric charge supply to the EL element 23 is stopped. As a result, the voltage applied to each electrode 25, 26 of the EL element 23 is V (EL1) in FIG.
The waveform becomes as shown in V (EL2), and the high-side switching elements 9 and 10 and the low-side switching element 1
1, 12 and the switching element 4 are not applied with a high voltage exceeding their withstand voltage.
【0025】このように本実施の形態によれば、図2に
示すように、EL素子23への印加電圧V(EL1)、
V(EL2)と、昇圧回路1の出力電圧V(CIL)を
あらかじめ設定された電圧以下に抑えることができ、さ
らに、検出回路16の動作時には、昇圧回路1のスイッ
チング動作を停止させるため、余分な消費電流を低減す
ることができる。As described above, according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, the applied voltage V (EL1) to the EL element 23,
V (EL2) and the output voltage V (CIL) of the booster circuit 1 can be suppressed to a voltage equal to or lower than a preset voltage. Further, when the detection circuit 16 is operating, the switching operation of the booster circuit 1 is stopped, and Power consumption can be reduced.
【0026】図3は、本発明の第2の実施形態の回路図
を示すものであり、図1の検出回路16内のツェナーダ
イオード17を抵抗21に置き換えた点で異なる。この
場合は、CMOSによる反転器19を用いれば、その反
転器19に印加する電源電圧Vccの1/2の電圧が反
転器19の閾値電圧Vthとほぼ等しくなる。従って、
抵抗18と抵抗21との直列回路で分圧された電圧が反
転器19の入力端に入力されるため、抵抗18の抵抗値
をR18とし、抵抗21の抵抗値をR21とし、検出し
たい高電圧パルスレベルをVpとすると、Vp≧Vth
(R18+R21)/R18の条件になった時、反転器
19の出力がローレベルとなって、発振回路2による昇
圧回路1のスイッチング制御を停止させて、それ以上に
昇圧しないように動作する。FIG. 3 is a circuit diagram of the second embodiment of the present invention, which is different in that the Zener diode 17 in the detection circuit 16 of FIG. 1 is replaced with a resistor 21. In this case, when the CMOS inverter 19 is used, the voltage of 1/2 of the power supply voltage Vcc applied to the inverter 19 becomes substantially equal to the threshold voltage Vth of the inverter 19. Therefore,
Since the voltage divided by the series circuit of the resistor 18 and the resistor 21 is input to the input terminal of the inverter 19, the resistance value of the resistor 18 is R18, the resistance value of the resistor 21 is R21, and the high voltage to be detected is If the pulse level is Vp, Vp ≧ Vth
When the condition of (R18 + R21) / R18 is satisfied, the output of the inverter 19 becomes low level, the switching control of the booster circuit 1 by the oscillation circuit 2 is stopped, and operation is performed so as not to boost further.
【0027】第2の実施形態について更に具体的に説明
すると、反転器19の電源電圧Vccが5Vの時、反転
器19の閾値電圧Vthは2.5Vとなり、抵抗18の
抵抗値を10KΩ、抵抗21の抵抗値R21を470K
Ωに設定すると、スイッチング回路14の電源ライン
(電源端子8)の電圧がVp=120Vを越えると、昇
圧回路1のスイッチング制御を停止することになる。通
常時の電源端子8の電圧が100Vであれば、上述の第
1の実施形態と同様に機能する。但し、第2の実施形態
では、抵抗21及び抵抗18を通じて回路電流を常時消
費するので、消費電力の点では不利である。More specifically, the second embodiment will be described. When the power supply voltage Vcc of the inverter 19 is 5V, the threshold voltage Vth of the inverter 19 is 2.5V, the resistance value of the resistor 18 is 10KΩ, and the resistance value is 10KΩ. 21 resistance value R21 to 470K
When set to Ω, the switching control of the booster circuit 1 is stopped when the voltage of the power supply line (power supply terminal 8) of the switching circuit 14 exceeds Vp = 120V. If the voltage of the power supply terminal 8 at the normal time is 100V, the same function as that of the above-described first embodiment is performed. However, in the second embodiment, the circuit current is constantly consumed through the resistor 21 and the resistor 18, which is disadvantageous in terms of power consumption.
【0028】また、第2の実施形態を応用して、反転器
19をオペレーショナルアンプ形式の比較器に置き換え
ると、その比較器の非反転入力端に基準電圧Vref=
2.5Vを与え、反転入力端を抵抗21と抵抗18の中
間接続点に接続すると、第2の実施形態の前者と同様に
機能する。この応用例の場合、基準電圧さえ精度の良い
ものを使用すれば、動作電圧(検出電圧)が上述のどの
例よりもはるかに精度良く設定できるという利点があ
る。When the inverter 19 is replaced with an operational amplifier type comparator by applying the second embodiment, the reference voltage Vref = at the non-inverting input terminal of the comparator.
When 2.5 V is applied and the inverting input terminal is connected to the intermediate connection point between the resistor 21 and the resistor 18, the same function as the former of the second embodiment is performed. In the case of this application example, if an accurate reference voltage is used, the operating voltage (detection voltage) can be set with much higher accuracy than in any of the above examples.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明のEL素子駆動回
路は、スイッチング回路の電源ラインへの印加電圧が異
常に大きくなったことを検出して、昇圧回路の動作を停
止させるから、駆動回路自身も保護できるし、過大な電
圧でEL素子を駆動することによって、EL素子の劣化
が進行することを防止できる。As described above, the EL element drive circuit according to the present invention detects that the voltage applied to the power supply line of the switching circuit has become abnormally large and stops the operation of the booster circuit. The circuit itself can be protected, and the deterioration of the EL element can be prevented by driving the EL element with an excessive voltage.
【0030】また、ツェナーダイオードを用いて検出回
路を構成すると、通常の動作では検出回路には電流が殆
ど流れず、低消費電力でのEL素子駆動を実現できる。Further, when the detection circuit is constructed using the Zener diode, almost no current flows in the detection circuit in the normal operation, and the EL element drive with low power consumption can be realized.
【0031】また、反転回路をCMOSインバータで構
成すると、反転回路の閾値電圧は電源電圧の約1/2に
なり、第1,第2の抵抗による直列回路の抵抗分圧によ
って、昇圧回路の出力電圧に含まれる高電圧成分を検出
することができる。Further, when the inverting circuit is composed of a CMOS inverter, the threshold voltage of the inverting circuit becomes about 1/2 of the power supply voltage, and the output of the boosting circuit is generated by the resistance voltage division of the series circuit by the first and second resistors. A high voltage component included in the voltage can be detected.
【図1】本発明の第1の実施形態の回路図FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態の電圧波形図FIG. 2 is a voltage waveform diagram according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施形態の回路図FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention.
【図4】従来の実施形態の回路図FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional embodiment.
【図5】従来の実施形態の電圧波形図FIG. 5 is a voltage waveform diagram of a conventional embodiment.
1 昇圧回路 2 発振回路 3 コイル 4 スイッチング素子 6 整流用のダイオード 7 分周回路 8 電源端子 9,10 ハイサイドスイッチング素子 11,12 ローサイドスイッチング素子 13 電源入力端子 14 スイッチング回路 15 高電圧スパイク除去用のコンデンサ 16 検出回路 17 ツェナーダイオード 18,21 抵抗 19 反転器 20 ANDゲート 23 EL素子 25,26 電極 1 Booster circuit 2 oscillator circuits 3 coils 4 switching elements 6 Rectification diode 7 frequency divider 8 power terminals 9,10 High side switching element 11,12 Low-side switching element 13 Power input terminal 14 Switching circuit 15 Capacitors for removing high voltage spikes 16 Detection circuit 17 Zener diode 18,21 resistance 19 Inverter 20 AND gate 23 EL element 25,26 electrodes
Claims (4)
制御によって、入力された直流電圧を昇圧する昇圧回路
と、前記直流電圧の電源供給によって作動しEL素子に
交番電圧を与えるスイッチング回路と、前記直流電圧の
高電圧成分を検出する検出回路とを備え、前記高電圧成
分が保護電圧に達すると、前記昇圧回路への前記発振出
力の供給を停止させることを特徴とするEL素子駆動回
路。1. A booster circuit that boosts an input DC voltage by switching control by an oscillation output of an oscillator circuit, a switching circuit that operates by the power supply of the DC voltage and applies an alternating voltage to an EL element, and the DC voltage. And a detection circuit for detecting the high voltage component, and when the high voltage component reaches a protection voltage, the supply of the oscillation output to the booster circuit is stopped.
イオードと、一端を接地したプルダウン抵抗とによる直
列回路、および前記ツェナーダイオードのアノードに入
力端を接続した反転器より成ることを特徴とする請求項
1記載のEL素子駆動回路。2. The detection circuit, a series circuit including a Zener diode having a cathode connected to the output end of the booster circuit and a pull-down resistor having one end grounded, and an inverter having an input end connected to the anode of the Zener diode. The EL element drive circuit according to claim 1, wherein the EL element drive circuit comprises:
第1,第2の抵抗と、前記第1,第2の抵抗の中間接続
点に入力端を接続した反転器とにより成ることを特徴と
する請求項1記載のEL素子駆動回路。3. The detection circuit is input to an intermediate connection point between the first and second resistances connected in series between the output end of the booster circuit and a ground point, and the intermediate connection point between the first and second resistances. The EL element drive circuit according to claim 1, wherein the EL element drive circuit comprises an inverter having its ends connected.
ことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のEL素
子駆動回路。4. The EL element drive circuit according to claim 2, wherein the inverter is a CMOS inverter.
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|---|---|---|---|
| JP2001326280A JP2003133065A (en) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | EL element drive circuit |
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| JP (1) | JP2003133065A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-10-24 JP JP2001326280A patent/JP2003133065A/en active Pending
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