JP2003128456A - Integrated ceramic module - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波通信回路に
於けるアンテナ、フィルタ、キャパシタ、伝送回路など
を一体化することで機器の小型化を可能にする集積セラ
ミック・モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated ceramic module which enables miniaturization of equipment by integrating an antenna, a filter, a capacitor, a transmission circuit and the like in a high frequency communication circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、携帯電話、ブルートゥース（Ｂｌ
ｕｅｔｏｏｔｈ）、その他モバイル機器を用いる無線情
報通信や無線ＬＡＮに於いては、音声、画像、データな
どの大量の情報信号を高速で伝送することが望まれてい
る。2. Description of the Related Art Currently, mobile phones, Bluetooth (Bl)
In wireless information communication and wireless LAN using mobile devices and other mobile devices, it is desired to transmit a large amount of information signals such as voice, images and data at high speed.
【０００３】この期待に応える為の端末機器について
は、小型化、多機能化、高性能化が急速に進行しつつあ
り、この中、小型化を実現するには、実装技術の更なる
高密度化、及び、高周波回路の一体モジュール化が有力
な手段とされている。With regard to terminal equipment for meeting this expectation, miniaturization, multifunctionalization, and high performance are rapidly progressing. Among these, in order to realize miniaturization, higher density of mounting technology is required. Integralization of high frequency circuits and high frequency circuits are considered to be effective means.
【０００４】高周波回路中の受動部品、即ち、アンテ
ナ、フィルタなどを小型化、高性能化する為には、部品
を構成する材料そのものが特性を決める上で重要な役割
を果たしている。In order to miniaturize and improve the performance of passive components in a high frequency circuit, that is, an antenna, a filter, etc., the materials constituting the components themselves play an important role in determining the characteristics.
【０００５】電波の波長は、誘電体内部に於いて自由空
間の１／√ε（ε：誘電率）に短縮される為、誘電体の
誘電率が大きい程、回路の線路長を短くすることがで
き、部品の小型化が可能となるので、材料の高誘電率化
は等しく希求されている。Since the wavelength of radio waves is shortened to 1 / √ε (ε: permittivity) of free space inside the dielectric, the longer the dielectric constant of the dielectric, the shorter the line length of the circuit. Therefore, it is possible to reduce the size of the component, and therefore, the high permittivity of the material is equally desired.
【０００６】例えば、アンテナに用いる誘電体も高誘電
率であることが好ましいことは勿論であり、前記した理
由、即ち、誘電体内部で電波の波長が短縮されることか
ら、アンテナの小型化を図ることができる。For example, it is of course preferable that the dielectric used for the antenna also has a high dielectric constant, and it is necessary to reduce the size of the antenna because of the above-mentioned reason, that is, the wavelength of the radio wave is shortened inside the dielectric. Can be planned.
【０００７】また、フィルタの特性を改善、例えば、挿
入損失を小さくするには、誘電体材料のＱ値を向上させ
ることが必要であり、その他、フィルタ回路内の導体線
路の損失を低減させることも重要であるから、配線とし
て電気抵抗が低い材料を用いなければならない。Further, in order to improve the characteristics of the filter, for example, to reduce the insertion loss, it is necessary to improve the Q value of the dielectric material. In addition, the loss of the conductor line in the filter circuit should be reduced. Is also important, so a material with low electric resistance must be used for the wiring.
【０００８】電気抵抗が低い良導体としては、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ等を用いることになるが、それらの良導体は何
れも融点が１０００〔℃〕前後（Ａｇ：９６０〔℃〕、
Ｃｕ：１０８３〔℃〕、Ａｕ：１０６３〔℃〕）であっ
て、他の金属に比較すると低い。As good conductors having low electric resistance, Ag and C
u, Au, etc. are used, but all of these good conductors have a melting point of around 1000 [° C.] (Ag: 960 [° C.],
Cu: 1083 [° C.], Au: 1063 [° C.]), which is lower than that of other metals.
【０００９】従って、これら良導体をセラミックスから
なるフィルタ内に配線として組み込む為には、セラミッ
クスの焼成温度を良導体の融点以下に抑えることが必要
になる。因みに、セラミック誘電体共振器を構成する為
のセラミックスの焼成温度は１５００〔℃〕であるか
ら、このようなセラミックスを用いてＬＣフィルタを作
製することはできない。Therefore, in order to incorporate these good conductors into the filter made of ceramics as wiring, it is necessary to keep the firing temperature of the ceramics below the melting point of the good conductors. By the way, since the firing temperature of the ceramics for forming the ceramic dielectric resonator is 1500 [° C.], it is impossible to manufacture an LC filter using such ceramics.
【００１０】前記した三条件、即ち、高誘電率、高Ｑ
値、低焼成温度の三条件を満たすセラミックスからなる
誘電体材料を用い、電気抵抗が低い金属からなる配線を
組み込むことで、小型、高性能のフィルタ、特に、ＬＣ
フィルタを実現することが可能となり、それはまた、他
の種々な部品とモジュール化することも可能になる。The above three conditions, that is, high dielectric constant and high Q
Value and low firing temperature, a dielectric material made of ceramics that satisfies the three conditions, and a wiring made of metal with low electric resistance are incorporated, so that a small and high performance filter, especially LC
It becomes possible to realize a filter, which can also be modularized with various other components.
【００１１】ところで、高周波回路中に前記したアンテ
ナやフィルタ、或いは、キャパシタなどの部品を作り込
むには、前記した三条件に適合するセラミックスを用い
ることが必要なのであるが、加えて、それ等の部品に高
速且つ低損失で信号伝送する為の伝送路を形成しなけれ
ばならない。By the way, in order to build parts such as the above-mentioned antenna, filter, or capacitor in a high-frequency circuit, it is necessary to use ceramics that meet the above-mentioned three conditions. A transmission line for transmitting signals at high speed and low loss must be formed in the parts.
【００１２】その信号伝送路を作り込む為には、高Ｑ
値、且つ、低誘電率のセラミックスを用いることが必要
となる。因みに、信号伝送路に於ける信号の伝送遅延時
間は、√ε／Ｃ（Ｃ：容量）に比例するから、誘電体の
誘電率が小さい程、信号伝送速度は速くなる。In order to make the signal transmission line, high Q
It is necessary to use ceramics having a low value and a low dielectric constant. Incidentally, the signal transmission delay time in the signal transmission path is proportional to √ε / C (C: capacitance). Therefore, the smaller the dielectric constant of the dielectric, the faster the signal transmission speed.
【００１３】しかも、信号伝送路としては、前記したよ
うに高Ｑ値で低誘電率のセラミックスが必要であると共
にその中に高Ｑ値、即ち、電気抵抗が低い導体からなる
配線を組み込まなければならず、それには前記したよう
にＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのように融点が低い金属を用いるこ
とになるので、セラミックスの焼成は低温で実施されな
ければならない。In addition, as described above, the signal transmission path must be made of ceramics having a high Q value and a low dielectric constant, and a wiring made of a conductor having a high Q value, that is, a low electric resistance must be incorporated therein. However, since a metal having a low melting point such as Ag, Cu, or Au is used as described above, firing of ceramics must be performed at a low temperature.
【００１４】前記したところから明らかであるが、アン
テナ、フィルタ、キャパシタなどの部品を組み込む為の
セラミックスと、それ等の間を結ぶ信号伝送路を組み込
む為のセラミックスとは、その特性を異にすることが必
要なのであるが、集積セラミック・モジュールに於いて
は、それ等の部品並びに信号伝送路を一体化しなければ
ならない。As is clear from the above description, the characteristics of ceramics for incorporating parts such as antennas, filters, capacitors, etc. and ceramics for incorporating a signal transmission path connecting them differ from each other. However, in an integrated ceramic module, those components and the signal transmission line must be integrated.
【００１５】従来、異種のセラミックスからなる部品を
一体化してモジュールとするには、同じ温度及び同じ雰
囲気で焼成する方法が採られてきたが、この方法では、
異種セラミックス材料の焼成収縮挙動が異なり、セラミ
ックス層間の密着不良の為、層間にクラックや剥離が発
生する旨の現象が起こる。Conventionally, in order to integrate parts made of different kinds of ceramics into a module, a method of firing at the same temperature and the same atmosphere has been adopted, but in this method,
Since different ceramic materials have different firing shrinkage behaviors and poor adhesion between the ceramic layers, a phenomenon occurs that cracks or peeling occur between the layers.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】本発明では、フィル
タ、アンテナ、キャパシタ、信号伝送路など種々な機能
をもつ多層セラミックス積層構造体を焼成し、クラック
や剥離を生じない集積セラミック・モジュールを形成で
きるようにする。According to the present invention, a multilayer ceramic laminated structure having various functions such as a filter, an antenna, a capacitor and a signal transmission line can be fired to form an integrated ceramic module which does not cause cracks or peeling. To do so.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明に依る集積セラミ
ック・モジュールに於いては、焼結剤としてガラスを含
みアンテナ、フィルタ、キャパシタなどの電子部品を形
成した高誘電率且つ高Ｑ値のセラミック誘電体層及び焼
結剤としてガラスを含み伝送線路を形成した低誘電率且
つ高Ｑ値のセラミック誘電体層の少なくとも二層を一体
化した多機能多層構造体を備えることが基本になってい
る。In an integrated ceramic module according to the present invention, a ceramic having a high dielectric constant and a high Q value, which contains glass as a sintering agent and forms electronic parts such as an antenna, a filter and a capacitor. It is basically provided with a multi-functional multilayer structure in which at least two layers of a dielectric layer and a ceramic dielectric layer having a low dielectric constant and a high Q value and including glass as a sintering agent to form a transmission line are integrated. .
【００１８】本発明では、種々の種類のセラミック誘電
体材料に於ける焼成収縮挙動を合わせ込む為、各材料の
焼結挙動を決める共通の焼結剤を用いることで多層セラ
ミック積層構造体を同時焼成してもクラックや剥離が発
生しない。In the present invention, since the firing shrinkage behaviors of various kinds of ceramic dielectric materials are matched, a common sintering agent that determines the sintering behavior of each material is used to simultaneously form a multilayer ceramic laminated structure. No cracking or peeling occurs even after firing.
【００１９】また、高誘電率、高Ｑ値、低温焼成が可能
なセラミック誘電体材料が得られることから、低挿入損
失、且つ、小型のＬＣフィルタを実現することができ、
更にまた、低誘電率、高Ｑ値、低温焼成が可能なセラミ
ック誘電体材料が得られることから、低伝送損失、且
つ、高速の伝送を行なうことができる伝送線路を実現で
き、しかも、これ等を一体化して集積セラミック・モジ
ュールにすることが可能である。Further, since a ceramic dielectric material having a high dielectric constant, a high Q value and low temperature firing can be obtained, it is possible to realize a small LC filter with a low insertion loss.
Furthermore, since a ceramic dielectric material having a low dielectric constant, a high Q value, and low temperature firing can be obtained, it is possible to realize a transmission line capable of low transmission loss and high-speed transmission. Can be integrated into an integrated ceramic module.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】本発明に依る集積セラミック・モ
ジュールを製造する場合の一例について説明する。
１−（Ａ）
平均粒径５〔μｍ〕のＺｒＳｎＴｉＯ4 粉末を２０〔容
量％〕及び平均粒径３〔μｍ〕のＮｄＴｉＯ3 結晶を析
出する硼珪酸系ガラス粉末を調合し、この粉末に対して
８〔重量％〕のＰＶＢ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｂｕｔｙ
ｒａｌ）粉末及び可塑剤として３〔重量％〕のジブチル
フタレートを添加し、溶媒としてアセトンを加え、ボー
ルミルで２０〔時間〕混合する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of manufacturing an integrated ceramic module according to the present invention will be described. 1- (A) 20% by volume of ZrSnTiO 4 powder having an average particle size of 5 [μm] and borosilicate glass powder for precipitating NdTiO 3 crystals having an average particle size of 3 [μm] were prepared. 8% by weight of PVB (polyvinyl buty)
ral) powder and 3% by weight of dibutyl phthalate as a plasticizer, acetone as a solvent, and mixed for 20 hours with a ball mill.
【００２１】１−（Ｂ）
前記のように混合して得られたスラリーをドクター・ブ
レードを用いて成形して厚さ２００〔μｍ〕のグリーン
・シートを作成し、そのグリーン・シートを所定の型に
切断・打ち抜きを行なう。1- (B) The slurry obtained by mixing as described above is molded by using a doctor blade to form a green sheet having a thickness of 200 [μm], and the green sheet is formed into a predetermined size. Cut and punch into molds.
【００２２】１−（Ｃ）
グリーン・シート表面にＡｇを含む導電ペーストを用い
て回路パターンをスクリーン印刷する。尚、このグリー
ン・シートは、高Ｑ値、高誘電率のフィルタ用材料とな
る。1- (C) A circuit pattern is screen-printed on the surface of the green sheet using a conductive paste containing Ag. The green sheet serves as a filter material having a high Q value and a high dielectric constant.
【００２３】２−（Ａ）
平均粒径１〔μｍ〕のＴｉＯ2 粉末を３０〔容量％〕及
び平均粒径３〔μｍ〕の硼珪酸ガラスを７０〔容量％〕
を用い、前記１の工程と同様の工程を経てグリーン・シ
ートを作成した。尚、このグリーン・シートは高誘電率
のアンテナ用材料となる。2- (A) 30% by volume of TiO 2 powder having an average particle size of 1 [μm] and 70% by volume of borosilicate glass having an average particle size of 3 [μm].
Was used to produce a green sheet through the same steps as the above-mentioned step 1. The green sheet is a high dielectric constant antenna material.
【００２４】３−（Ａ）
平均粒径５〔μｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 粉末を１０〔容量
％〕、平均粒径１〔μｍ〕の石英粉末を２０〔容量
％〕、平均粒径３〔μｍ〕のアルミノ硼珪酸ガラスを７
０〔容量％〕を用い、前記１の工程と同様の工程を経て
グリーン・シートを作成した。尚、このグリーン・シー
トは低誘電率の伝送回路用材料となる。3- (A) 10% by volume of Al 2 O 3 powder having an average particle size of 5 μm, 20% by volume of quartz powder having an average particle size of 1 μm, and an average particle size of 3 [A] μm] aluminoborosilicate glass 7
Using 0% by volume, a green sheet was prepared through the same steps as the above-mentioned step 1. The green sheet is a low dielectric constant transmission circuit material.
【００２５】４−（Ａ）
上記三種類の回路パターンを形成したグリーン・シート
を積層し、温度１００〔℃〕、時間１５〔分〕の加熱処
理を行ない、次いで、この積層体を温度９００〔℃〕、
時間２〔時間〕の大気焼成を行なって、三種類の異種材
料からなる各層を一体化した集積セラミック・モジュー
ルを作成した。4- (A) The green sheets on which the above-mentioned three types of circuit patterns are formed are laminated and heat-treated at a temperature of 100 [° C.] for a time of 15 [min]. ℃],
Air firing was performed for a time of 2 [hours] to prepare an integrated ceramic module in which layers of three kinds of different materials were integrated.
【００２６】前記のようにして得られた集積セラミック
・モジュールに於ける各積層体に於ける相対密度は９９
〔％〕以上であり、また、良好な誘電特性が確認され、
更にまた、各層間でクラックや剥離は発生していないこ
とが確認された。The relative density of each laminate in the integrated ceramic module obtained as described above is 99.
[%] Or more, and good dielectric properties are confirmed,
Furthermore, it was confirmed that neither crack nor peeling occurred between the layers.
【００２７】表１は本発明に依って得られた集積セラミ
ック・モジュールを構成する各機能材料層の諸特性を表
すものである。Table 1 shows various characteristics of each functional material layer constituting the integrated ceramic module obtained according to the present invention.
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】本発明に於いては、前記説明した実施の形
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。The present invention can be embodied in many forms, including the above-described embodiment, which will be exemplified below.
【００３０】（付記１）焼結剤としてガラスを含みアン
テナ、フィルタ、キャパシタなどの電子部品を形成した
高誘電率且つ高Ｑ値のセラミック誘電体層及び焼結剤と
してガラスを含み伝送線路回路を形成した低誘電率且つ
高Ｑ値のセラミック誘電体層の少なくとも二層を一体化
した多機能多層構造体を備えてることを特徴とする集積
セラミック・モジュール。(Supplementary Note 1) A transmission line circuit including glass as a sintering agent and a ceramic dielectric layer having a high dielectric constant and a high Q value, which forms electronic parts such as an antenna, a filter and a capacitor, and glass as a sintering agent, is provided. An integrated ceramic module comprising a multifunctional multilayer structure in which at least two layers of the formed low dielectric constant and high Q value ceramic dielectric layers are integrated.
【００３１】（付記２）伝送線路回路は銀（Ａｇ）、金
（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）の少なくとも一種類を含んだ金属で構成されてなる
ことを特徴とする（付記１）記載の集積セラミック・モ
ジュール。(Supplementary Note 2) The transmission line circuit includes silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), copper (Cu), and palladium (P).
The integrated ceramic module according to (Supplementary Note 1), which is made of a metal containing at least one type of d).
【００３２】（付記３）焼結剤のガラスは何れも同じ系
統のものであることを特徴とする（付記１）記載の集積
セラミック・モジュール。(Appendix 3) The integrated ceramic module according to (Appendix 1), characterized in that the glasses of the sintering agent are of the same system.
【００３３】（付記４）セラミック誘電体層は酸化物セ
ラミックスと酸化物ガラス或いは酸化物結晶化ガラスと
の複合体層であることを特徴とする（付記１）記載の集
積セラミック・モジュール。(Appendix 4) The integrated ceramic module according to (Appendix 1), wherein the ceramic dielectric layer is a composite layer of oxide ceramics and oxide glass or oxide crystallized glass.
【００３４】（付記５）酸化物セラミックスが
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、石英（ＳｉＯ2 ）、ＢａＴｉ
4 Ｏ9 、Ｂａ2 Ｔｉ9Ｏ20、ＣａＺｒＯ3 、ＣａＴｉＯ
3 、ＭｇＴｉＯ3 、ＺｒＳｎＴｉＯ4 、Ｂａ（Ｚｎ１／
３Ｔａ２／３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
3 、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｃｏ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｎｉ１／３Ｔａ２／３）
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、Ｎｄ2Ｔｉ2 Ｏ7 、ＣａＭｇＳｉ2 Ｏ6 から選択
された少なくとも一種類の物質を含むものであることを
特徴とする（付記４）記載の集積セラミック・モジュー
ル。(Supplementary Note 5) Oxide ceramics are alumina (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), BaTi
4 O 9 , Ba 2 Ti 9 O 20 , CaZrO 3 , CaTiO
3 , MgTiO 3 , ZrSnTiO 4 , Ba (Zn1 /
3Ta2 / 3) O 3 , Ba (Zn1 / 3Nb2 / 3) O
3 , Ba (Mg1 / 3Ta2 / 3) O 3 , Ba (Co1
/ 3Nb2 / 3) O 3 , Ba (Ni1 / 3Ta2 / 3)
O 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , MgO, Ti
The integrated ceramic module according to (Supplementary Note 4), which contains at least one kind of substance selected from O 2 , Nd 2 Ti 2 O 7 , and CaMgSi 2 O 6 .
【００３５】（付記６）酸化物ガラス或いは酸化物結晶
化ガラスが軟化点４００〔℃〕〜９００〔℃〕の鉛成分
を含まないものであることを特徴とする（付記４）記載
の集積セラミック・モジュール。(Supplementary Note 6) The integrated ceramic according to Supplementary Note 4, wherein the oxide glass or the oxide crystallized glass does not contain a lead component having a softening point of 400 [° C.] to 900 [° C.]. ·module.
【００３６】[0036]
【発明の効果】本発明に依る集積セラミック・モジュー
ルに於いては、焼結剤としてガラスを含みアンテナ、フ
ィルタ、キャパシタなどの電子部品を形成した高誘電率
且つ高Ｑ値のセラミックス誘電体層及び焼結剤としてガ
ラスを含み伝送線路回路を形成した低誘電率且つ高Ｑ値
のセラミック誘電体層の少なくとも二層を一体化した多
機能多層構造体を備えることが基本になっている。In the integrated ceramic module according to the present invention, a ceramic dielectric layer having a high dielectric constant and a high Q value, which contains glass as a sintering agent and forms electronic parts such as an antenna, a filter and a capacitor, and It is basically provided with a multifunctional multi-layer structure in which at least two ceramic dielectric layers having a low dielectric constant and a high Q value, which form a transmission line circuit and contain glass as a sintering agent, are integrated.
【００３７】前記構成を採ることに依り、導体損失が小
さいＡｇのような良導体を用いた伝送線路、誘電損失が
小さいフィルタ、アンテナ、キャパシタなどを一体化し
た小型の集積セラミック・モジュールを容易に作製する
ことができる。By adopting the above structure, a small integrated ceramic module in which a transmission line using a good conductor such as Ag having a small conductor loss, a filter having a small dielectric loss, an antenna, a capacitor and the like are integrated can be easily manufactured. can do.
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Claims (5)
ルタ、キャパシタなどの電子部品を形成した高誘電率且
つ高Ｑ値のセラミック誘電体層及び焼結剤としてガラス
を含み伝送線路回路を形成した低誘電率且つ高Ｑ値のセ
ラミック誘電体層の少なくとも二層を一体化した多機能
多層構造体を備えてなることを特徴とする集積セラミッ
ク・モジュール。1. A transmission line circuit is formed by including glass as a sintering agent and forming a high dielectric constant and high Q value ceramic dielectric layer on which electronic parts such as an antenna, a filter and a capacitor are formed, and glass as a sintering agent. An integrated ceramic module comprising a multifunctional multilayer structure in which at least two ceramic dielectric layers having a low dielectric constant and a high Q value are integrated.
白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）の少な
くとも一種類を含んだ金属で構成されてなることを特徴
とする請求項１記載の集積セラミック・モジュール。2. The transmission line circuit comprises silver (Ag), gold (Au),
The integrated ceramic module according to claim 1, wherein the integrated ceramic module is made of a metal containing at least one of platinum (Pt), copper (Cu), and palladium (Pd).
と酸化物ガラス或いは酸化物結晶化ガラスとの複合体層
であることを特徴とする請求項１記載の集積セラミック
・モジュール。3. The integrated ceramic module according to claim 1, wherein the ceramic dielectric layer is a composite layer of oxide ceramics and oxide glass or oxide crystallized glass.
3 ）、石英（ＳｉＯ2 ）、ＢａＴｉ4 Ｏ9 、Ｂａ2 Ｔｉ
9Ｏ20、ＣａＺｒＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、
ＺｒＳｎＴｉＯ4 、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）
Ｏ3 、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｍｇ
１／３Ｔａ２／３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｃｏ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ3 、Ｂａ（Ｎｉ１／３Ｔａ２／３）Ｏ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2Ｔｉ
2 Ｏ7 、ＣａＭｇＳｉ2 Ｏ6 から選択された少なくとも
一種類の物質を含むものであることを特徴とする請求項
３記載の集積セラミック・モジュール。4. The oxide ceramics is alumina (Al 2 O
3 ), quartz (SiO 2 ), BaTi 4 O 9 , Ba 2 Ti
9 O 20 , CaZrO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 ,
ZrSnTiO 4 , Ba (Zn1 / 3Ta2 / 3)
O 3 , Ba (Zn1 / 3Nb2 / 3) O 3 , Ba (Mg
1 / 3Ta2 / 3) O 3 , Ba (Co1 / 3Nb2 /
3) O 3 , Ba (Ni1 / 3Ta2 / 3) O 3 , SrT
iO 3 , BaTiO 3 , MgO, TiO 2 , Nd 2 Ti
4. The integrated ceramic module according to claim 3, wherein the integrated ceramic module contains at least one substance selected from 2 O 7 and CaMgSi 2 O 6 .
軟化点４００〔℃〕〜９００〔℃〕の鉛成分を含まない
ものであることを特徴とする請求項３記載の集積セラミ
ック・モジュール。5. The integrated ceramic module according to claim 3, wherein the oxide glass or the oxide crystallized glass does not contain a lead component having a softening point of 400 [° C.] to 900 [° C.].
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-
2001
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