JP2003124836A - 高集積平面を積層したミリ波トランシーバ - Google Patents

高集積平面を積層したミリ波トランシーバ

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JP2003124836A
JP2003124836A JP2002208196A JP2002208196A JP2003124836A JP 2003124836 A JP2003124836 A JP 2003124836A JP 2002208196 A JP2002208196 A JP 2002208196A JP 2002208196 A JP2002208196 A JP 2002208196A JP 2003124836 A JP2003124836 A JP 2003124836A
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circuit board
transceiver
filter
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JP2002208196A
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Leslie Levitt
レズリー・レビット
John R Bratherton
ジョン・アール・ブラザートン
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Netro Corp
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/50Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H01P1/2138Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using hollow waveguide filters

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミリ波トランシーバアセンブリは幾つかの
サブアセンブリから構成されており、従来は、サブアセ
ンブリの数が増加すると、ミリ波トランシーバアセンブ
リの製造費用も増加していた。 【解決手段】 アセンブリの部品を平面的に積層する
ことによりフットプリントを減少させ、それによって機
械加工部分を小さくして製造費用を削減し得るようなミ
リ波トランシーバ及びその組立方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はトランシーバに関
し、具体的には、高集積平面を積層したミリ波トランシ
ーバに関する。
【0002】
【従来の技術】無線通信用の外部無線ユニット(outdoo
r radio unit)は、アンテナ、ミリ波トランシーバアセ
ンブリ、中間周波数(IF)モジュール、電源及び無線
ユニットコントローラを含む。この無線ユニットは、D
C電力、テレメトリ、合成器基準周波数並びに低IF周
波数の被変調送信(TX)搬送波及び被変調受信(R
X)搬送波が送られる一本の同軸ケーブルを介して内部
電子装置(indoor electronics)に接続されている。入
力DC電圧は、電源回路によって、無線ユニット内で使
用される低い電圧に変換される。コントローラは、内部
電子装置と通信して外部無線ユニットの監視及び制御を
行うようなマイクロプロセッサを含む。IFモジュール
は、内部電子装置と接続されたケーブルを流れる信号を
分けるマルチプレクサを含む。IFモジュールはまた、
内部電子装置及びミリ波トランシーバアセンブリに合っ
た周波数範囲にRF信号を変換するアップコンバータ及
びダウンコンバータ(混合器等)を含む。送信出力の制
御及び受信利得の平準化もIFモジュールで行われる。
このような外部無線ユニットの例には、カリフォルニア
州サンホセのネトロ社(Netro Corporation)が販売し
ているような加入者無線ユニット(SRU:subscriber
radio unit)がある。ミリ波トランシーバアセンブリ
について以下に説明する。
【0003】ミリ波トランシーバアセンブリは、幾つか
のサブアセンブリから構成されている。ミリ波トランシ
ーバアセンブリは、主にベースプレートからなる。この
ベースプレートは、合成器、アップコンバータ及びダウ
ンコンバータを備えた独立したプリント回路基板を受容
するカットアウトを有する。アップコンバータは、例え
ば3GHzのIFモジュールからのIF信号を合成器出
力と混合させ、ミリ波信号(TX信号)を生成し、その
信号をアンテナに送信する。合成器出力は、例えば周波
数可変局部発振器(agile local oscillator)からの2
5〜25.5GHzの周波数である。ダウンコンバータ
は、受け取ったミリ波信号(RX信号)を合成器出力と
混合し、例えば2GHzのIF信号を取り出して、IF
モジュールに送る。合成器カバーをベースプレートの上
に取り付けて、プリント回路基板を覆うようにする。
【0004】ベースプレートは、ミリ波信号を送受信す
るための2つの導波管フィルタを含む。導波管フィルタ
は、ベースプレート上のプリント回路基板に近接して配
置されている。導波管フィルタはまた、共通ポートでア
ンテナに接続されている。特定の周波数範囲(例えば、
27〜27.5GHz)のRX信号のみが、第1導波管
フィルタを通過してアンテナから低雑音増幅器(LN
A)に送信される。LNAは、LNA専用ハウジングに
囲まれており、ベースプレートの一側に取り付けられて
いる。LNAは、RX信号を増幅し、増幅したRX信号
をRXイメージフィルタに送信する。RXイメージフィ
ルタでRX信号がフィルタリングされ、ダウンコンバー
タに送信される。
【0005】アップコンバータは、TX信号をTXフィ
ルタに送信する。TXフィルタでフィルタリングされた
TX信号が電力増幅器(PA)に送信される。LNAと
同様に、PAはPA専用ハウジングに囲まれており、ベ
ースプレート側に取り付けられている。PAは、TX信
号を増幅して第2導波管フィルタに送信する。第2導波
管フィルタによって、特定の周波数(例えば、28〜2
8.5GHz)のTX信号のみがPAからアンテナに送
信される。共通のアンテナポートに接続されたRX経路
及びTX経路の2つの導波管フィルタを含むフィルタア
センブリは、一般にダイプレクサと呼ばれる。ダイプレ
クサカバーをベースプレートの上に取り付けて、導波管
フィルタ、RXイメージフィルタ及びTXフィルタを覆
うようにする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したようにミリ波
トランシーバアセンブリは幾つかのサブアセンブリから
なるが、サブアセンブリの数が増加すると、ミリ波トラ
ンシーバアセンブリを製造するための材料費及び人件費
が嵩むことになる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一様態によれば、機械加工部分を小さく
するために、導波管フィルタアセンブリ、そのフィルタ
アセンブリの上に取り付けられた第1ミリ波トランシー
バプリント回路基板(以下、「第1PCB」と呼ぶ)、
及び前記導波管フィルタアセンブリの上に取り付けられ
て前記第1PCBを覆うカバープレートを有する集積ト
ランシーバアセンブリが提供される。
【0008】また、本発明の他の様態によれば、そのよ
うな集積トランシーバを組み立てる方法が提供される。
【0009】導波管フィルタアセンブリは、ボトムプレ
ートの上に取り付けられたトッププレートを有する。ボ
トムプレートは、アンテナポート、前記アンテナポート
に接続された第1チャンネル、及び前記アンテナポート
に接続された第2チャンネルを有する。ミリ波信号を送
受信するためにアンテナポートをアンテナに接続するこ
とができる。第1及び第2チャンネルは、第1及び第2
の複数のアイリスをそれぞれ有する。
【0010】トッププレートは、RXポート、前記RX
ポートに接続された第3チャンネル、TXポート、及び
前記TXポートに接続された第4チャンネルを有する。
第3及び第4チャンネルは、第3及び第4の複数のアイ
リスをそれぞれ有する。
【0011】第1チャンネル、第3チャンネル及び両チ
ャンネルのアイリスによって、アンテナポート及びRX
ポートに繋がった第1導波管フィルタが形成されてい
る。また、第2チャンネル、第4チャンネル及び両チャ
ンネルのアイリスによって、アンテナポート及びTXポ
ートに繋がった第2導波管フィルタが形成されている。
【0012】第1及び第2チャンネルに形成されたフィ
ルタは、特定の範囲のミリ波信号のみがアンテナポート
とRXポートまたはTXポートとの間を通過するように
し得る。第1及び第2チャンネルは、同調ねじを受容す
るための複数のねじ穴を更に有する。各ねじ穴は、両ア
イリスの中間に配置されている。同調ねじによって、共
振器周波数を微調整して機械加工公差を補償し、所望の
フィルタ通過帯域、拒絶帯域、反射減衰量特性を実現す
ることができる。第1及び第2チャンネルに機械加工形
成されたアイリスの高さに基づいて、共振器の結合を固
定する(即ち調節ができないようにする)。
【0013】第1PCBは、局部発振器チェーン、受信
チェーン及び送信チェーンを有する。この局部発振器チ
ェーンは、周波数逓倍器、その周波数逓倍器に接続され
た増幅器、及び電力分割器を有する。増幅器は、第2P
CBに表面取付することができる。
【0014】受信チェーンは、導波管フィルタアセンブ
リのRXポートに接続された低雑音増幅器、その低雑音
増幅器に接続されたRXフィルタ、並びに前記RXフィ
ルタ及び前記電力分割器に接続されたダウンコンバータ
を有する。
【0015】前記低雑音増幅器及び前記ダウンコンバー
タは、第1PCBに表面取付することができる。第1P
CBは、金属支持部材を有しないようにできる。前記R
Xフィルタは、導波管フィルタアセンブリのトッププレ
ート凹部の上方に懸下したマイクロストリップとしても
よい。
【0016】前記ダウンコンバータは、ミリ波信号から
取り出したIF信号を伝送するようなRX IFライン
を有する。第1PCBは、RX IFラインに接続され
たピンを有し得る。トッププレート及びボトムプレート
は、対応する孔を有し得る。この孔にピンを貫通させ
て、IFモジュールにプラグイン接続することができ
る。
【0017】カバープレートはカットアウトを有してお
り、カットアウト内にダウンコンバータカバーを嵌合さ
せて、少なくとも低雑音増幅器、RXイメージフィル
タ、及びダウンコンバータを覆うことができる。
【0018】送信チェーンは、増幅器及びTX IFラ
インに接続されたアップコンバータと、アップコンバー
タに接続されたTXフィルタと、導波管フィルタアセン
ブリのTXポート及びTXフィルタに接続された電力増
幅器モジュールとを有する。電力増幅器モジュールは、
可変減衰器及び電力増幅器を備えている。
【0019】アップコンバータは、第1PCB上に表面
取付することができる。電力増幅器モジュールは、ギャ
ップ溶接リボンでTXフィルタに接続することができ
る。TXフィルタは、導波管フィルタアセンブリのトッ
ププレート凹部の上方に懸下されたマイクロチップを含
む。
【0020】第1PCBは、TX IFラインに接続さ
れたピンを有し得る。トッププレート及びボトムプレー
トは対応する孔を有することができ、この孔にピンを貫
通させて、IFモジュールにプラグイン接続することが
できる。第1PCBは、可変減衰器に接続されたピンを
更に有し得る。トッププレート及びボトムプレートは対
応するスロットを有するようにでき、このスロットにピ
ンを貫通させて、IFモジュールにプラグイン接続して
制御電圧を受容することができる。
【0021】カバープレートはカットアウトを更に含
み、カットアウト内にアップコンバータカバーを嵌合さ
せて、少なくともアップコンバータ、TXフィルタ、及
び電力増幅器モジュールを覆うことができる。
【0022】集積トランシーバアセンブリは、導波管フ
ィルタアセンブリの上に取り付けられた第2プリント回
路基板(以下、「第2PCB」と呼ぶ)を更に有し得
る。第2PCBは、合成回路、並びに第1PCBの周波
数逓倍器及び前記合成回路に接続された電圧制御発振器
を有する。
【0023】合成回路及び電圧制御発振器は、第2PC
B上に表面取付することができる。
【0024】第2PCBは、合成回路に接続されたピン
を有し得る。トッププレート及びボトムプレートは対応
するスロットを更に有するようにでき、このスロットに
ピンを貫通させて、IFモジュールにプラグイン接続し
て基準信号を受信することができる。トッププレート及
びボトムプレートは対応するスロットを更に有するよう
にでき、このスロットにピンを貫通させて、IFモジュ
ールにプラグイン接続して制御信号及びアラーム信号を
受信することができる。
【0025】第1PCBは、第1及び第2PCBの素子
に接続されたピンを更に有し得る。トッププレート及び
ボトムプレートは対応するスロットを更に有するように
でき、このスロットにピンを貫通させて、電源にプラグ
イン接続して電力を受容することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の実施例に基づくミリ波ト
ランシーバのアセンブリ100の分解組立図を図1に示
す。アセンブリ100は、IFモジュール(図示せず)
の上に取り付けることができる。
【0027】アセンブリ100では、導波管フィルタア
センブリ106の上にプリント回路板102及び104
が取り付けられている。ボトムプレート200の上にト
ッププレート300を有する導波管フィルタアセンブリ
106もある。導波管フィルタアセンブリ106は、例
えばスプリットE面トポロジーで構成される。
【0028】図中に(インチで)示される寸法は、アセ
ンブリ100の一実施例を示したものであることに留意
されたい。当業者であれば、実施態様に合わせて(例え
ば使用する無線帯域に合わせて)寸法を変更することが
できる。
【0029】ボトムプレート200の上面図、底面図、
側面図をそれぞれ図4、5及び6に示す。ボトムプレー
ト200は、ミリ波信号を送受信するための従来のミリ
波アンテナを結合するための孔202(以下、「アンテ
ナポート202」と呼ぶ)を有する。
【0030】図4に示すように、ボトムプレート200
には矩形断面を有するチャンネル204及び224が含
まれる。チャンネル204は、矩形突出部(以下、「ア
イリス」と呼ぶ)206、208、210、212、2
14、216、218、220及び222を有する。1
若しくは数個のアイリスは、プレート200及び300
において隣接するアイリスによって画定されるキャビテ
ィへのエントリー領域を画定する。チャンネル204は
また、同調ねじ穴207、209、211、213、2
15、217、219及び221を有する。同調ねじ穴
は、プレート200の2つの隣接するアイリス間に設け
られている。同様にして、チャンネル224は、アイリ
ス226、228、230、232、234、236、
238、240及び242を有する。チャンネル224
はまた、同調ねじ穴227、229、231、233、
235、237、239及び241を有する。
【0031】後述するように、チャンネル204は、ア
ンテナポート202からプリント回路板(PCB)10
2までの第1導波管フィルタの一部として働き、チャン
ネル224は、PCB102からアンテナポート202
までの第2導波管フィルタの一部として働く。同調ねじ
穴に挿入された同調ねじを調整すると、フィルタを形成
するキャビティの共振周波数が変化する。一実施例のチ
ャンネル204及び224の寸法は、以下の表1で与え
られる。
【0032】
【表1】
【0033】アセンブリ100の残りの部分にボトムプ
レート200を固定するためにボトムプレート200に
設けられた種々の取付孔の位置を図5に示す。ボトムプ
レート200は、例えば約0.4インチ(1.0cm)
の薄板とし得る。このため、ボトムプレート200に迅
速に取付孔を穿設することができ、製造が容易になる。
同様に、トッププレート300、カバープレート70
0、ダウンコンバータカバー800、アップコンバータ
900も、例えばそれぞれ約0.22、0.3、0.2
2、0.22インチ(0.56、0.76、0.56、
0.56cm)の薄板とし得る。上記のプレート及びカ
バーにも迅速に取付孔を穿設することができる。
【0034】図7は、チャンネル204のステップ29
9の断面図である。図8は、チャンネル204及び22
4のアイリスの断面図である。図9は、チャンネル20
4及び224のアイリスの上面図である。図8及び9に
は、チャンネル304及び324のアイリス(後述)も
示している。
【0035】図5に示すように、ボトムプレート200
は、孔246、248、249及び250を有する。P
CB102は、ピン508、510、511及び512
(図1及び14)を有しており、各ピンはおのおの孔2
46、248、249及び250を貫通し、プラグイン
接続(例えば従来のPCBコネクタ)によってIFモジ
ュールに接続されている。プラグインコネクタには、例
えばRFコネクタを用いる。
【0036】ピン508は、PCB102からIFモジ
ュールへの受信中間周波数(RXIF)を送信する。ピ
ン510は、IFモジュールからPCB102への送信
中間周波数(RX IF)を受信する。ピン511は、
モニタリングのためにPCB102の局部発振器信号か
らの信号をIFモジュールへ送信する。PCB104は
ピン512(図1にのみ示す)を有しており、ピン51
2は孔250を貫通し、プラグイン接続によってIFモ
ジュールに接続されている。ピン512は、IFモジュ
ールからPCB104へのフェイズロックループ(PL
L)基準信号を受信する。
【0037】ボトムプレート200は、スロット252
及び254を有する。PCB202は、ピン付きコネク
タ513(図1に示す)を有しており、ピン付きコネク
タ513はスロット252を貫通し、プラグイン接続に
よってIFモジュール及び電源に接続されている。コネ
クタ513のピンは、IFモジュールからPCB102
へのアラーム信号、電力及び合成器制御を受容する(後
述)。PCB202は、ピン付きコネクタ515(図1
に示す)を有しており、ピン付きコネクタ515はスロ
ット254を貫通し、プラグイン接続によってIFモジ
ュールに接続されている。コネクタ515のピンは、I
FモジュールからPCB102への減衰器制御信号及び
電力を受容する(後述)。
【0038】トッププレート300の上面図、底面図、
側面図をそれぞれ図10、11及び12に示す。図10
に示すように、トッププレート300は、ボトムプレー
ト200の孔246、248、250におのおの対応す
るような孔346、348、350を有する。トッププ
レート300はまた、ボトムプレート200のスロット
252及び254におのおの対応するようなスロット3
52及び354を有する。
【0039】図11に示すように、トッププレート30
0は、チャンネル304及び324を有する。チャンネ
ル304は、アイリス308、310、312、31
4、316、318及び320を有する。チャンネル3
24は、アイリス328、330、332、334、3
36、338及び340を有する。更に、アイリス34
4が、アンテナポート202(図4)上で且つチャンネ
ル304及び324の始端の間に設けられている。後述
するように、チャンネル304は、アンテナポート20
2からPCB102までの第1導波管フィルタの一部と
して働き、チャンネル324は、PCB102からアン
テナポート202までの第2導波管フィルタの一部とし
て働く。一実施例のチャンネル304及び324の寸法
は、以下の表2で与えられる。
【0040】
【表2】
【0041】ボトムプレート200の上にトッププレー
ト300を取り付けた際には、チャンネル204及び3
04は、アンテナポート202を孔256(以下「RX
ポート256」と呼ぶ)に結合するような第1導波管フ
ィルタを形成する。チャンネル224及び324は、孔
258(以下「TXポート258」と呼ぶ)をアンテナ
ポート202に結合するような第2導波管フィルタを形
成する。プレート200及び300からアライメントし
たアイリスにより形成したアイリス対の高さを基礎とし
て、この結合を固定する。同調ねじは、所望のフィルタ
の通過帯域、阻止帯域及び戻り損失が一致するようにキ
ャビティ共振周波数を微調整する方法を提供することに
より、機械加工公差を補償する。PCB102は、RX
ポート256及びTXポート258を介してミリ波信号
をおのおの受信及び送信する。
【0042】当業者であれば理解されるように、ミリ波
の特定帯域が両ポート間を通過できるように導波管フィ
ルタの寸法を選択する。導波管フィルタの寸法を変化さ
せることにより、アセンブリ100が送受信するような
ミリ波の特定帯域(例えば24GHz以上)を変化させ
ることができる。表1及び2で与えられる寸法は、第1
及び第2導波管フィルタの一実施例における例示であ
る。
【0043】図10に示すように、トッププレート30
0は、凹部362、364及び366を有する。RXフ
ィルタ408(例えばRXイメージフィルタ)及びTX
フィルタ426が懸吊している場合(図13及び14に
関連して後述)には、凹部362及び364がスペース
を提供する。電力増幅器(PA)モジュール428が取
り付けられている場合(図13及び14に関連して後
述)には、凹部366がスペースを提供する。図10は
また、トッププレート300をアセンブリ100の残り
の部分に固定するためのトッププレート300の種々の
取付孔の位置も示している。
【0044】PCB102、104及び導波管フィルタ
アセンブリ106を実装した一実施例のミリ波トランシ
ーバのブロック線図を図13に示す。アンテナ402
は、ミリ波信号(「RX信号」)を受信してそれをRX
帯域フィルタ404に転送する。中には、前述の第1導
波管フィルタ(チャンネル204及び304を含む)が
RX帯域フィルタ404を実装している実施例もある。
RX帯域フィルタ404は、RX信号をフィルタリング
してLNA406に転送する。
【0045】LNA406は、RX信号を増幅してRX
イメージフィルタ408に転送する。
【0046】RXイメージフィルタ408は、RX信号
をフィルタリングしてダウンコンバータ410に転送す
る。ダウンコンバータ410は、RXイメージフィルタ
408からのRX信号及び合成器412からの局部発振
器信号を受信する。ダウンコンバータ410は、ミリ波
RX信号を、IFモジュールを通過するような低周波数
に変換する。
【0047】合成器412は、局部発振器信号を生成す
る。合成器412は、直列に結合されたフェイズロック
ループ(PLL)アセンブリ414、周波数逓倍器41
6及び増幅器418を有する。PLLアセンブリ414
には、合成回路420及び電圧制御発振器(VCO)4
22が含まれる。
【0048】合成回路420は、VCO422が生成し
た発振器信号をIFモジュールから基準信号へロックす
る。周波数逓倍器416は、局部発振器信号を例えば8
倍に多重化する。多重化された局部発振器信号は、増幅
器418で増幅される。
【0049】アップコンバータ424は、IFモジュー
ルからのTX IF信号及び合成器412からの局部発
振器信号を受信する。アップコンバータ424は、TX
IF信号と局部発振器信号とを混合(周波数を変換)
し、ミリ波信号(「TX信号」)を形成する。アップコ
ンバータ424は、TX信号をTXフィルタ426に転
送する。
【0050】TXフィルタ426は、TX信号をフィル
タリングして電力増幅器(PA)モジュール428に転
送する。PAモジュール428は、可変減衰器430及
びPA432を有する。可変減衰器430は、TX信号
を減衰して電力増幅器432へ送信する。PA432
は、TX信号を増幅してTX帯域フィルタ434へ送信
する。
【0051】中には、前述の第2導波管フィルタ(チャ
ンネル224及び324を含む)がTX帯域フィルタ4
34を実装している実施例もある。TX帯域フィルタ4
34は、TX信号をフィルタリングしてアンテナ402
に転送する。
【0052】実施例によっては図13のトランシーバ回
路の一部をなすようなハイブリッドICを含むPCB1
02を図14に示す。PCB102には、例えば金属支
持部材を有しない厚さ約0.020インチのプリント回
路板(即ち金属支持PCBではない)を用いる。
【0053】プローブ502は、RXポート356から
RX信号を受信する。プローブ502は、低雑音増幅器
(LNA)406に結合されている。LNA406に
は、当分野で既知の任意のLNAを用いる。実施例によ
っては、BGA(Ball Grid Array)を含み、PCB1
02に(例えばはんだ付けによって)従来のように表面
取り付けされるようなLNA406もある。LNA40
6には、例えばフランスのユナイテッド・モノリシック
・セミコンダクターズ社(United Monolithic Semicond
uctors)のCHA2092表面取付LNAを用いる。L
NA406は、平面RXイメージフィルタ408に結合
される。平面フィルタには、例えばプリント回路板の表
面に形成されたマイクロストリップを用いる。
【0054】RXイメージフィルタ408は、トッププ
レート300の凹部362(図10)とダウンコンバー
タカバー800の凹部862(図20)との間に挟まれ
た結合ギャップ懸吊マイクロストリップである。懸吊マ
イクロストリップは、接地マイクロストリップより高い
Qを実現し得る。
【0055】ダウンコンバータ410は、局部発振器信
号を受信するために電力分割器504に結合されてい
る。ダウンコンバータ410は、PCB102のピン5
08にも結合されている。ピン508は、回収RX I
F信号を、孔246(図5)からプラグイン接続によっ
てダウンコンバータ410からIFモジュールへ送る。
ダウンコンバータ410は、当分野で既知の任意のダウ
ンコンバータとし得る。実施例によっては、BGA(Ba
ll Grid Array)パッケージまたはその他の表面取付パ
ッケージを含み、PCB102に(例えばはんだ付けに
よって)従来のように表面取り付けされるようなダウン
コンバータ410もある。ダウンコンバータ410に
は、例えばマサチューセッツ州チェルムズフォードのヒ
ッタイト・マイクロウェーブ・コーポレーション(Hitt
ite Microwave Corporation)のHMC265CB1表
面取付混合器を用いる。LNA406、RXイメージフ
ィルタ408及びダウンコンバータ410は、集合的に
受信チェーンとして知られている。
【0056】電力分割器504はまた、局部発振器信号
を供給するためにアップコンバータ424に結合されて
いる。PCB102のピン510は、IFモジュールか
らTX IF信号を供給するためにアップコンバータ4
24に結合されている。ピン510は、孔248からプ
ラグイン接続によってIFモジュールからTX IF信
号を受信する。
【0057】アップコンバータ424は、当分野で既知
の任意のアップコンバータとし得る。実施例によって
は、BGAパッケージまたはその他の表面取付パッケー
ジを含み、PCB102に従来のように表面取付される
ようなアップコンバータ424もある。アップコンバー
タ424には、例えばヒッタイト・マイクロウェーブ・
コーポレーションのHMC264CB1表面取付混合器
を用いる。アップコンバータ424は、TXフィルタ4
26に結合される。
【0058】TXフィルタは、トッププレート300の
凹部364(図10)とアップコンバータカバー900
の凹部964(図24)との間に挟まれた結合ギャップ
懸吊マイクロストリップである。TXフィルタは、PA
モジュール428に結合される。図15に示すように、
PAモジュール428は、可変減衰器430及びPA4
32を有する。可変減衰器430は、当分野で既知の任
意の可変減衰器とし得る。可変減衰器430は、例えば
直列に結合された3つの従来型ピンダイオードとし得
る。PA432は、当分野で既知の任意の電力増幅器と
し得る。PA432には、例えばオレゴン州ヒルズボロ
のトライクイント・セミコンダクター社(TriQuint Sem
iconductor)のTGA1073シリーズ電力増幅器を用
いる。
【0059】実施例によっては、ギャップ溶接リボンに
よってPAモジュール428に結合されるTXフィルタ
426もある。このような場合には、PCB102のカ
ットアウトPAモジュール428からトッププレート2
00に取り付けられている。別の実施例では、PAモジ
ュール428は表面取付パッケージにビルトインされ、
PCB102に(はんだ付けによって)従来のように表
面取り付けされる。
【0060】PAモジュール428は、RXポート35
8からミリ波信号を送信するようにプローブ506に結
合される。実施例によっては、ギャップ溶接リボンによ
ってプローブ506に結合されるPAモジュール428
もある。アップコンバータ424、TXフィルタ426
及びPAモジュール428は、集合的に送信チェーンと
して知られている。
【0061】周波数逓倍器416は、マイクロストリッ
プ、ダイオード及びトランジスタを含む受動及び能動素
子を用いて、PCB102に従来のように形成される。
周波数逓倍器416は、増幅器418に結合される。増
幅器418は、当分野で既知の任意の増幅器とし得る。
実施例によっては、PCB102に(はんだ付けによっ
て)従来のように表面取付されるような増幅器418も
ある。増幅器418には、例えば従来の電界効果トラン
ジスタを用いる。増幅器418は、電力分割器504に
結合されている。前述のように、電力分割器504は、
ダウンコンバータ410及びアップコンバータ424に
局部発振器信号を供給する。電力分割器504は、マイ
クロストリップを含む受動素子を用いて、PCB102
に従来のように形成される。周波数逓倍器416、増幅
器418及び電力分割器504は、集合的に局部発振器
チェーンとして知られている。
【0062】また、実施例によっては図13のトランシ
ーバ回路を実装したICを含むPCB104を図14に
示す。PCB104には、例えば金属支持部材を有しな
い厚さ約0.020インチのプリント回路板を用いる。
PCB104は、制御信号及び電力信号を受信するよう
にコネクタ199によってPCB102に接続される。
【0063】PCB104は、PLLアセンブリ414
を有する。PLLアセンブリ414は、合成回路420
及びVCO422を含む。合成回路420及びVCO4
22は、当分野で既知の任意の合成器チップ及びVCO
とし得る。実施例によっては、PCB102に従来のよ
うに表面取り付けされるような合成回路420及びVC
O422もある。合成回路420には、例えばオランダ
国アムステルダムのフィリップス・セミコンダクタ社
(Philips Semiconductor)のUMA1021周波数合
成器がある。VCO422には、例えばコロラド州デン
バーのバリエル社(Vari-L Company, Inc.)のVCO1
90を用いる。PLLアセンブリ414は、PCB間に
はんだ付けされたスズめっき銅のストリップによって、
PCB102の周波数逓倍器416に結合される。
【0064】好適実施例においては、PLLアセンブリ
414は、他の部品を含めてPCB102よりもむしろ
PCB104上に配置される。部品は、洗浄及び取扱い
を含む製造プロセスに対してより影響を受け易いので、
このように分離することにより、PLLアセンブリ41
4をより注意深く製造することができる。また、このよ
うに分離することにより、温度に対して位相または周波
数のグリッチ(例えば誤りまたはスプリアスの信号)が
ある場合に、PLLアセンブリ414の置換を安価で行
うことができる。PLLアセンブリ414を起源とする
位相または周波数のグリッチは、ディジタル無線システ
ムの内部電子装置におけるビットエラーまたは復調器同
期損失を生じさせ得る。
【0065】図13のトランシーバ回路の種々の素子が
PCB102とPCB104に分けられているような実
施例もあるが、トランシーバ回路のすべての素子が単一
のプリント回路板に含まれているような実施例もある。
【0066】再び図1を参照すると、アセンブリ100
は、PCB102及び104を覆うために導波管アセン
ブリ106の上に取り付けられたカバープレート700
を更に含む。カバープレート700の種々の図面を図1
6、17、18及び19に示す。
【0067】カバープレート700は、カットアウト7
02及び704を有する。カットアウト702は、プロ
ーブ502、LNA406、RXイメージフィルタ40
8及びダウンコンバータ410(図14)へのアクセス
を提供する。カットアウト704は、アップコンバータ
424、TXフィルタ426、PAモジュール428及
びプローブ506(図14)へのアクセスを提供する。
【0068】ダウンコンバータカバー800は、プロー
ブ502、LNA406、RXイメージフィルタ408
及びダウンコンバータ410を覆うためにカットアウト
702からPCB102上に取り付けられる。アップコ
ンバータプレート800の例を図20〜23に示す。
【0069】アップコンバータカバー900は、アップ
コンバータ424、TXフィルタ426、PAモジュー
ル428及びプローブ506を覆うためにカットアウト
704からPCB102上に取り付けられる。アップコ
ンバータプレート900の例を図24〜27に示す。
【0070】
【発明の効果】従って、上記したように、アセンブリ1
00の部品は平面的に積み重ねられている(図1)の
で、PCB102及び104が導波管フィルタアセンブ
リ106の上に積み重ねられており、ミリ波トランシー
バセンブリ100のフットプリントは、ネトロ社から入
手可能な現行のSRUにおけるミリ波トランシーバセン
ブリより小さい。アセンブリ100のフットプリントを
減少させると、種々のプレート200、300、70
0、800及び900の複合機械加工がより小さい領域
に制限されるので、費用の削減になる。
【0071】更に、プレート700、800及び900
は、機械加工による高度の正確さを要求する導波管を含
むようなプレート200及び300から離隔されている
ので、費用削減のために、プレート700、800及び
900を機械加工に代えて鋳造してもよい。また、各プ
レート200、300、700、800及び900は比
較的薄いので、取付孔を簡単に穿設することができて製
造が容易(深さ調整が不要)である。各プレート20
0、700、800及び900は、上面及び下面にのみ
特徴を有する(側面には特徴がない)ので、単一軸機械
加工を用いて機械加工の複雑さ及び費用を削減すること
が可能になる。
【0072】更にまた、1つの金属プレート上に積み重
ねられた1つ若しくは2つの平面PCBアセンブリで構
成されているトランシーバについては、集積スーパーア
センブリ(PCBアセンブリの部品の特徴をすべて含
む)として検査されるので、個々のサブアセンブリ(例
えば合成器、LNA、電力増幅器)に関連していたアセ
ンブリ及び検査費用が削減される。比較的遠くに離隔さ
れ、究極の完全な集積アセンブリのカスケード効果を表
さない理想的な検査セットに特徴付けられるような個々
のサブアセンブリを用いるのと比較して、高度に集積さ
れた平面アセンブリを用いることによって、限定するも
のではないが通過帯域の平面度や戻り損失などの送受信
電子パラメータを向上させるという効果も奏し得る。
【0073】上記において本発明の特定の実施形態につ
いて説明したが、これらの記述は例示であり、発明を限
定するものと捉えられるべきものではない。請求項によ
って画定される発明の範囲を逸脱することなく、開示さ
れた実施例の特徴の組合せ及び改変を様々になし得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ミリ波トランシーバのアセンブリの分解組立図
である。
【図2】図1のアセンブリの上面図である。
【図3】図1のアセンブリの底面図である。
【図4】ボトムプレート200の上面図である。
【図5】ボトムプレート200の底面図である。
【図6】ボトムプレート200の側面図である。
【図7】図4、5及び6のボトムプレートのチャンネル
の一部の側面図である。
【図8】図4、5及び6のボトムプレートのアイリスの
側面図である。
【図9】図4、5及び6のボトムプレートのアイリスの
上面図である。
【図10】図1の導波管フィルタアセンブリのトッププ
レートの上面図である。
【図11】図1の導波管フィルタアセンブリのトッププ
レートの底面図である。
【図12】図1の導波管フィルタアセンブリのトッププ
レートの側面図である。
【図13】ミリ波トランシーバのブロック線図である。
【図14】図13のトランシーバ回路の一部をなすよう
な第1プリント回路板及び第2プリント回路板を示す図
である。
【図15】図14の第1プリント回路板に取り付けられ
た電力増幅器モジュール(電力増幅器及び可変減衰器を
含む)を示す図である。
【図16】図1のトランシーバアセンブリのカバープレ
ートの底面図である。
【図17】図1のトランシーバアセンブリのカバープレ
ートの側面図である。
【図18】図1のトランシーバアセンブリのカバープレ
ートの別の底面図である。
【図19】図18のトランシーバアセンブリのカバープ
レートの一部を示す図である。
【図20】図1のダウンコンバータカバープレートの底
面図である。
【図21】図1のダウンコンバータカバープレートの側
面図である。
【図22】図1のダウンコンバータカバープレートの上
面図である。
【図23】図1のダウンコンバータカバープレートの別
の底面図である。
【図24】図1のアップコンバータカバープレートの底
面図である。
【図25】図1のアップコンバータカバープレートの側
面図である。
【図26】図1のアップコンバータカバープレートの上
面図である。
【図27】図1のアップコンバータカバープレートの別
の底面図である。
【符号の説明】
100 ミリ波トランシーバのアセンブリ 102、104 PCB 106 導波管フィルタアセンブリ 199 コネクタ 200 ボトムプレート 300 トッププレート 406 LNA 408 RXイメージフィルタ 410 ダウンコンバータ 424 アップコンバータ 426 TXフィルタ 428 PAモジュール 502、506 プローブ 700 カバープレート 702、704 カットアウト 800 ダウンコンバータカバー 900 アップコンバータカバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・アール・ブラザートン イギリス国ヨーク・ワイ06 6エイチエッ クス・ギラムーア・ウェストリー (番地 なし) Fターム(参考) 5J006 JB03 MA01 MB01 NA01 5K011 AA01 AA06 AA08 AA16 BA04 DA03 DA12 DA27

Claims (45)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積無線トランシーバであって、 導波管フィルタアセンブリと、 前記フィルタアセンブリの上に取り付けられた第1ミリ
    波トランシーバプリント回路基板と、 前記第1ミリ波トランシーバプリント回路基板を覆うよ
    うに前記導波管フィルタアセンブリの上に取り付けられ
    たカバープレートとを含むことを特徴とするトランシー
    バ。
  2. 【請求項2】 前記導波管フィルタアセンブリがダイ
    プレクサを含むことを特徴とする請求項1に記載のトラ
    ンシーバ。
  3. 【請求項3】 前記導波管フィルタアセンブリが、ス
    プリットE面導波管フィルタ(split-E plane waveguid
    e filter)を含むことを特徴とする請求項1に記載のト
    ランシーバ。
  4. 【請求項4】 前記導波管フィルタアセンブリが、 アンテナポート、前記アンテナポートに接続された、第
    1の複数のアイリスを有する第1チャンネル、及び前記
    アンテナポートに接続された、第2の複数のアイリスを
    有する第2チャンネルを含むボトムプレートと、 RXポート、前記RXポートに接続された、第3の複数
    のアイリスを有する第3チャンネル、TXポート、及び
    前記TXポートに接続された、第4の複数のアイリスを
    有する第4チャンネルを含む前記ボトムプレートの上に
    取り付けられたトッププレートとを備え、 前記第1チャンネルと、前記第1の複数のアイリスと、
    前記第3チャンネルと、前記第3の複数のアイリスとに
    よって、前記アンテナポート及び前記RXポートに繋が
    った第1導波管フィルタが形成され、 前記第2チャンネルと、前記第2の複数のアイリスと、
    前記第4チャンネルと、前記第4の複数のアイリスとに
    よって、前記アンテナポート及び前記TXポートに繋が
    った第2導波管フィルタが形成されていることを特徴と
    する請求項1に記載のトランシーバ。
  5. 【請求項5】 前記第1チャンネルが更に、それぞれ
    が前記第1の複数のアイリスの内の2つのアイリス間に
    配置された、同調ねじを受容するための第1の複数のね
    じ穴を含み、 前記第2チャンネルが更に、それぞれが前記第2の複数
    のアイリスの内の2つのアイリス間に配置された、同調
    ねじを受容するための第2の複数のねじ穴を含むことを
    特徴とする請求項4に記載のトランシーバ。
  6. 【請求項6】 前記第1ミリ波トランシーバプリント
    回路基板が、局部発振器チェーンと受信チェーンとを含
    み、 前記局部発振器チェーンが、周波数逓倍器と、前記周波
    数逓倍器に接続された増幅器と、電力分割器とを含み、 前記受信チェーンが、前記導波管フィルタアセンブリの
    前記RXポートに接続された低雑音増幅器と、前記低雑
    音増幅器に接続されたRXイメージフィルタと、前記R
    Xイメージフィルタ及び前記電力分割器に接続された、
    RX IFラインを有するダウンコンバータとを備えて
    いることを特徴とする請求項4に記載のトランシーバ。
  7. 【請求項7】 前記低雑音増幅器及び前記ダウンコン
    バータが、前記第1プリント回路基板に表面取付されて
    いることを特徴とする請求項6に記載のトランシーバ。
  8. 【請求項8】 前記第1プリント回路基板が金属支持
    部材を有していないことを特徴とする請求項6に記載の
    トランシーバ。
  9. 【請求項9】 前記RXフィルタが、前記トッププレ
    ートの凹部の上方に懸下されたマイクロストリップを含
    むことを特徴とする請求項6に記載のトランシーバ。
  10. 【請求項10】 前記第1プリント回路基板が更に、
    前記RX IFラインに接続されたピンを含み、前記ト
    ッププレート及び前記ボトムプレートが更に対応する孔
    を含み、IFモジュールにプラグイン接続するために前
    記対応する孔に前記ピンを貫通させて配置することを特
    徴とする請求項6に記載のトランシーバ。
  11. 【請求項11】 ダウンコンバータカバーを更に含
    み、 前記カバープレートがカットアウトを含み、そのカット
    アウト内に前記ダウンコンバータカバーを嵌合させて、
    少なくとも前記低雑音増幅器、前記RXイメージフィル
    タ、及び前記ダウンコンバータを覆うことができるよう
    になっており、 前記RXイメージフィルタを前記トッププレートの前記
    凹部と前記ダウンコンバータの凹部との間に懸下できる
    ように、前記ダウンコンバータが前記凹部を備えている
    ことを特徴とする請求項9に記載のトランシーバ。
  12. 【請求項12】 前記第1プリント回路基板が送信チ
    ェーンを更に含み、前記送信チェーンが、 前記増幅器及びTX IFラインに接続されたアップコ
    ンバータと、 前記アップコンバータに接続されたTXフィルタと、 前記導波管フィルタアセンブリのTXポート及び前記T
    Xフィルタに接続された、可変減衰器及び電力増幅器を
    備えた電力増幅器モジュールとを含むことを特徴とする
    請求項6に記載のトランシーバ。
  13. 【請求項13】 前記アップコンバータが、前記第1
    プリント回路基板に表面取付されていることを特徴とす
    る請求項12に記載のトランシーバ。
  14. 【請求項14】 前記動力増幅器が、ギャップ溶接リ
    ボンまたは表面取付及びはんだ付けによって前記TXフ
    ィルタに接続されていることを特徴とする請求項12に
    記載のトランシーバ。
  15. 【請求項15】 前記第1プリント回路基板が金属支
    持部材を有していないことを特徴とする請求項12に記
    載のトランシーバ。
  16. 【請求項16】 前記TXフィルタが、前記トッププ
    レートの凹部の上方に懸下されたマイクロストリップを
    含むことを特徴とする請求項12に記載のトランシー
    バ。
  17. 【請求項17】 前記第1プリント回路基板が更に、
    前記TX IFラインに接続されたピンを含み、前記ト
    ッププレート及び前記ボトムプレートが更に対応する孔
    を含み、IFモジュールにプラグイン接続するために前
    記対応する孔に前記ピンを貫通させて配置することを特
    徴とする請求項12に記載のトランシーバ。
  18. 【請求項18】 前記第1プリント回路基板が更に、
    前記可変減衰器に接続されたピンを含み、前記トッププ
    レート及び前記ボトムプレートが更に対応するスロット
    を含み、制御電圧を受け取るべくIFモジュールにプラ
    グイン接続するために前記対応するスロットに前記ピン
    を貫通させて配置することを特徴とする請求項12に記
    載のトランシーバ。
  19. 【請求項19】 アップコンバータカバーを更に含
    み、 前記カバープレートがカットアウトを含み、そのカット
    アウト内に前記アップコンバータカバーを嵌合させて、
    少なくとも前記アップコンバータ、前記TXフィルタ、
    及び前記電力増幅器モジュールを覆うことができるよう
    になっており、 前記TXフィルタを前記トッププレートの凹部と前記ア
    ップコンバータの前記凹部との間に懸下できるように、
    前記アップコンバータが前記凹部を備えていることを特
    徴とする請求項16に記載のトランシーバ。
  20. 【請求項20】 前記導波管フィルタアセンブリに取
    り付けられた第2プリント回路基板を更に含み、 前記第2プリント回路基板が、合成回路と、前記第1プ
    リント回路基板の前記周波数逓倍器及び前記合成回路に
    接続された電圧制御発振器とを含むことを特徴とする請
    求項12に記載のトランシーバ。
  21. 【請求項21】 前記合成回路及び前記電圧制御発振
    器が、前記第2プリント回路基板上に表面取付されてい
    ることを特徴とする請求項20に記載のトランシーバ。
  22. 【請求項22】 前記第2プリント回路基板が更に、
    前記合成回路に接続されたピンを含み、前記トッププレ
    ート及び前記ボトムプレートが更に対応するスロットを
    含み、PLL基準信号を受け取るべくIFモジュールに
    プラグイン接続するために前記対応するスロットに前記
    ピンを貫通させて配置することを特徴とする請求項20
    に記載のトランシーバ。
  23. 【請求項23】 前記第1プリント回路基板が更に、
    前記合成回路に接続されたピンを含み、前記トッププレ
    ート及び前記ボトムプレートが更に対応するスロットを
    含み、制御信号及びアラーム信号を受け取るべくIFモ
    ジュールにプラグイン接続するために前記対応するスロ
    ットに前記ピンを貫通させて配置することを特徴とする
    請求項20に記載のトランシーバ。
  24. 【請求項24】 前記第1プリント回路基板が更に、
    前記第1及び第2プリント回路基板の素子に接続された
    ピンを含み、前記トッププレート及び前記ボトムプレー
    トが更に対応するスロットを含み、電力の供給を受ける
    べく電源にプラグイン接続するために前記対応するスロ
    ットに前記ピンを貫通させて配置することを特徴とする
    請求項20に記載のトランシーバ。
  25. 【請求項25】 トランシーバを組み立てる方法であ
    って、 ボトムプレートの上にトッププレートを取り付けて、導
    波管フィルタアセンブリを形成するステップと、 第1ミリ波トランシーバプリント回路基板を前記導波管
    フィルタアセンブリの上に取り付けるステップと、 前記導波管フィルタアセンブリの上にカバープレートを
    取り付けて、前記第1ミリ波トランシーバプリント回路
    基板を覆うステップとを含むことを特徴とする方法。
  26. 【請求項26】 アンテナポートと、前記アンテナポ
    ートに接続された、第1の複数のアイリスを有する第1
    チャンネルと、前記アンテナポートに接続された、第2
    複数のアイリスを有する第2チャンネルとを前記ボトム
    プレート上に設けるステップと、 RXポートと、前記RXポートに接続された、第3の複
    数のアイリスを有する第3チャンネルと、TXポート
    と、前記TXポートに接続された、第4の複数のアイリ
    スを有する第4チャンネルとを前記トッププレート上に
    設けるステップとを更に含み、 前記第1チャンネル、前記第1の複数のアイリス、前記
    第3チャンネル、及び前記第3の複数のアイリスによっ
    て、前記アンテナポート及び前記RXポートに繋がった
    第1導波管フィルタが形成され、 前記第2チャンネル、前記第2の複数のアイリス、前記
    第4チャンネル、及び前記第4の複数のアイリスによっ
    て、前記アンテナポート及び前記TXポートに繋がった
    第2導波管フィルタが形成されることを特徴とする請求
    項25に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記ボトムプレート上の前記第1チ
    ャンネルに、それぞれが前記第1の複数のアイリスの内
    の2つのアイリス間に位置するように、同調ねじを受容
    するための第1の複数のねじ穴を設けるステップと、 前記ボトムプレート上の前記第2チャンネルに、それぞ
    れが前記第2の複数のアイリスの内の2つのアイリス間
    に位置するように、同調ねじを受容するための第2の複
    数のねじ穴を設けるステップとを更に含むことを特徴と
    する請求項26に記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記同調ねじを調節して前記導波管
    フィルタアセンブリを調整するステップを更に含むこと
    を特徴とする請求項27に記載の方法。
  29. 【請求項29】 前記第1プリント回路基板を少なく
    とも1つのプラグイン接続によってIFモジュールまた
    は電源に接続するステップを更に含むことを特徴とする
    請求項25に記載の方法。
  30. 【請求項30】 低雑音増幅器及びダウンコンバータ
    を前記第1プリント回路基板上に表面取付するステップ
    を更に含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  31. 【請求項31】 前記第1プリント回路基板上にマイ
    クロストリップを設け、前記マイクロストリップを前記
    トッププレートの凹部の上方に配置して、RXイメージ
    フィルタを形成するステップを更に含むことを特徴とす
    る請求項30に記載の方法。
  32. 【請求項32】 カットアウト内にダウンコンバータ
    カバーを嵌合させて、少なくとも前記第1プリント回路
    基板上の前記低雑音増幅器、前記RXイメージフィル
    タ、及び前記ダウンコンバータを覆うようにするステッ
    プとを更に含み、 前記RXイメージフィルタを前記トッププレートの凹部
    と前記ダウンコンバータカバーの凹部との間に懸下でき
    るように、前記ダウンコンバータカバーが前記凹部を備
    えていることを特徴とする請求項31に記載の方法。
  33. 【請求項33】 アップコンバータを前記第1プリン
    ト回路基板に表面取付するステップを更に含むことを特
    徴とする請求項25に記載の方法。
  34. 【請求項34】 前記第1プリント回路基板上にマイ
    クロストリップを設け、前記マイクロストリップを前記
    トッププレートの凹部の上方に配置して、TXフィルタ
    を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項
    33に記載の方法。
  35. 【請求項35】 電力増幅器をギャップ溶接リボンま
    たははんだで前記TXフィルタに接続するステップを更
    に含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
  36. 【請求項36】 カットアウト内にアップコンバータ
    カバーを嵌合して、少なくとも前記第1プリント回路基
    板上の前記アップコンバータ、前記TXフィルタ、及び
    前記電力増幅器を覆うようにするステップとを更に含
    み、 前記TXフィルタを前記トッププレートの前記凹部と前
    記アップコンバータカバーの凹部との間に懸下できるよ
    うに、前記アップコンバータカバーが前記凹部を備えて
    いることを特徴とする請求項34に記載の方法。
  37. 【請求項37】 第2プリント回路基板を前記導波管
    フィルタアセンブリ上に取り付けるステップを更に含む
    ことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  38. 【請求項38】 合成回路及び電圧制御発振器を前記
    第2プリント回路基板上に取り付けるステップを更に含
    むことを特徴とする請求項37に記載の方法。
  39. 【請求項39】 少なくとも1つのプラグイン接続を
    用いて前期第2プリント回路基板をIFモジュールや電
    源に接続するステップを更に含むことを特徴とする請求
    項37に記載の方法。
  40. 【請求項40】 IFモジュール及び電源の上に前記
    導波管フィルタアセンブリを取り付けるステップを更に
    含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  41. 【請求項41】 前記トッププレート及び前記ボトム
    プレートを機械加工して第1導波管及び第2導波管を形
    成するステップと、 前記カバープレート及び前記ダウンコンバータカバーを
    鋳造するステップとを更に含むことを特徴とする請求項
    32に記載の方法。
  42. 【請求項42】 前記トッププレート、前記ボトムプ
    レート、前記カバープレート、及び前記ダウンコンバー
    タカバーのそれぞれを貫通する少なくとも1つの取付孔
    を穿設するステップを更に含むことを特徴とする請求項
    41に記載の方法。
  43. 【請求項43】 前記トッププレート及び前記ボトム
    プレートを機械加工して第1導波管及び第2導波管を形
    成するステップと、 前記カバープレート及び前記アップコンバータカバーを
    鋳造するステップとを更に含むことを特徴とする請求項
    36に記載の方法。
  44. 【請求項44】 前記トッププレート、前記ボトムプ
    レート、前記カバープレート、及び前記アップコンバー
    タカバーのそれぞれを貫通する少なくとも1つの取付孔
    を穿設するステップを更に含むことを特徴とする請求項
    43に記載の方法。
  45. 【請求項45】 LNA、アップコンバータ、ダウン
    コンバータ、電力増幅器、RXイメージフィルタ、TX
    フィルタ、合成回路、及び周波数逓倍器によって実現さ
    れた機能を備えたシステムとして前記トランシーバを検
    査するステップを更に含むことを特徴とする請求項25
    に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028055B1 (ko) 2007-09-28 2011-04-08 브로드콤 코포레이션 마이크로스트립을 이용하여 cmos 어플리케이션들내의 회로들을 스위칭하기 위한 방법 및 시스템

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8116358B2 (en) * 2001-01-26 2012-02-14 Viasat, Inc. Single oscillator transceiver
US6996165B2 (en) * 2001-01-26 2006-02-07 U.S. Monolithics, L.L.C. Single oscillator transceiver frequency plan
EP1506595A4 (en) * 2002-04-19 2005-07-27 Roadeye Flr General Partnershi RF SYSTEM CONCEPT FOR A VEHICLE RADAR WITH MULTIPLE RADIATIONS
AU2003259016A1 (en) * 2002-10-03 2004-04-23 Amplus Communication Pte Ltd Radio frequency transceivers
US7146136B2 (en) * 2004-02-04 2006-12-05 Northrop Grumman Corporation E-band radio transceiver architecture and chip set
EP1862044A4 (en) * 2005-03-01 2010-01-06 Avihu Nachmani METHOD FOR MOUNTING A PRINTED CIRCUIT BOARD
EP1763102B9 (en) * 2005-09-08 2013-07-17 SISVEL Technology Srl A waveguide correlation unit and a method for its manufacturing
US7860473B2 (en) * 2006-07-17 2010-12-28 Sony Corporation Systems and methods for providing millimeter wave signal improvements
EP2261514A4 (en) * 2008-03-25 2013-06-26 Mitsubishi Electric Corp STACKING LINE ASSEMBLY AND SCREW TIGHTENING METHOD FOR A LINE PART
JP2010103982A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sony Corp ミリ波伝送装置、ミリ波伝送方法、ミリ波伝送システム
JP5526659B2 (ja) * 2008-09-25 2014-06-18 ソニー株式会社 ミリ波誘電体内伝送装置
WO2010054263A2 (en) * 2008-11-07 2010-05-14 Viasat, Inc. Dual conversion transmitter with single local oscillator
GB201113129D0 (en) * 2011-07-29 2011-09-14 Bae Systems Plc Radio frequency communication
GB201113132D0 (en) 2011-07-29 2011-09-14 Bae Systems Plc Radio frequency communication
CN102361119B (zh) * 2011-09-19 2014-06-04 广东通宇通讯股份有限公司 一种宽频合路器
WO2013163093A1 (en) 2012-04-24 2013-10-31 Zte (Usa) Inc. Flexible unified architecture for point-to-point digital microwave radios
US9685425B2 (en) * 2014-01-28 2017-06-20 Apple Inc. Integrated circuit package
GB2549276B (en) * 2016-04-11 2019-04-17 Filtronic Broadband Ltd A mm wave circuit
KR102447804B1 (ko) * 2017-09-05 2022-09-27 삼성전자주식회사 송신 신호 또는 수신 신호를 처리하기 위한 무선 통신 시스템을 포함하는 전자 장치
CN108282154A (zh) * 2018-01-26 2018-07-13 合肥驼峰电子科技发展有限公司 一种毫米波信号源的中频模块
CN108696254B (zh) * 2018-05-22 2023-12-26 广州联星科技有限公司 微波功率合成放大器
US10951191B1 (en) * 2019-12-25 2021-03-16 Universal Microwave Technology, Inc. Low-leakage automatic adjustable diplexer
US11936087B2 (en) * 2020-10-23 2024-03-19 Vubiq Networks, Inc. Printed circuit board with first and second surfaces configured for waveguide coupling a diplexer mounted on the first surface to a transmitter and a receiver mounted on the second surface
US11239877B1 (en) 2020-11-24 2022-02-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Local oscillator synchronization for coherent phased-array system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4384367A (en) * 1980-02-12 1983-05-17 Theta-Com Of California MDS Receiver
US4360793A (en) * 1981-04-02 1982-11-23 Rhodes John D Extracted pole filter
US4418429A (en) * 1982-05-07 1983-11-29 General Electric Company Mixer for use in a microwave system
NL8302439A (nl) * 1983-07-08 1985-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een golfgeleiderfilter, alsmede een golfgeleiderfilter vervaardigd volgens die werkwijze.
US4792939A (en) * 1986-01-24 1988-12-20 Hitachi Denshi Kabushiki Kaisha Duplex radio communication transceiver
US4761625A (en) * 1986-06-20 1988-08-02 Rca Corporation Tunable waveguide bandpass filter
CA1259676A (en) * 1986-12-04 1989-09-19 Chuck K. Mok 14/12 ghz duplexer
US5062149A (en) * 1987-10-23 1991-10-29 General Dynamics Corporation Millimeter wave device and method of making
FI102121B1 (fi) * 1995-04-07 1998-10-15 Lk Products Oy Radiotietoliikenteen lähetin/vastaanotin
US6072991A (en) * 1996-09-03 2000-06-06 Raytheon Company Compact microwave terrestrial radio utilizing monolithic microwave integrated circuits
US5936949A (en) * 1996-09-05 1999-08-10 Netro Corporation Wireless ATM metropolitan area network
US6041219A (en) * 1998-10-01 2000-03-21 Wytec, Incorporated Integrated orthogonal mode transducer/filter design for microwave frequency-domain

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028055B1 (ko) 2007-09-28 2011-04-08 브로드콤 코포레이션 마이크로스트립을 이용하여 cmos 어플리케이션들내의 회로들을 스위칭하기 위한 방법 및 시스템

Also Published As

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US20030027530A1 (en) 2003-02-06

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