JP2003121982A - Mask, method for exposure, aligner, and device manufacturing method - Google Patents

Mask, method for exposure, aligner, and device manufacturing method

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JP2003121982A
JP2003121982A JP2001314048A JP2001314048A JP2003121982A JP 2003121982 A JP2003121982 A JP 2003121982A JP 2001314048 A JP2001314048 A JP 2001314048A JP 2001314048 A JP2001314048 A JP 2001314048A JP 2003121982 A JP2003121982 A JP 2003121982A
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JP
Japan
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mask
code
pattern
recipe
identification code
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JP2001314048A
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Japanese (ja)
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Takakazu Muto
貴和 武藤
Eiji Goto
英司 後藤
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To discriminate between masks which have the same pattern and to precisely perform exposure processing. SOLUTION: On a mask M, an identification code 13 is formed which includes a 1st unique code 15 corresponding to a pattern 11 and a 2nd code 16 for discriminating a plurality of masks M where the same pattern 11 is formed is formed. Recipes including specific processing conditions are prepared individually by identification codes 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
表示素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッド等
のデバイスを製造する技術に関し、特に、マスク、露光
装置、露光方法、並びにデバイスの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for manufacturing a device such as a semiconductor device, a liquid crystal display device, an image pickup device (CCD, etc.), a thin film magnetic head, etc. It relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子や半導体素子などのデバイ
スの製造工程では、回路パターンの形成に際して、フォ
トマスクあるいはレチクルに形成された原画となるパタ
ーンを、ステッパ等の露光装置を用いて、ガラスプレー
トやウエハ等の被露光基板(感光基板)上に露光転写す
る。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a device such as a liquid crystal display element or a semiconductor element, when a circuit pattern is formed, a pattern as an original image formed on a photomask or a reticle is exposed to a glass plate using an exposure device such as a stepper. And transfer onto a substrate (photosensitive substrate) to be exposed such as a wafer or a wafer.

【0003】パターンの転写に用いる露光装置には、処
理条件を定めるレシピが用意され、露光装置はこのレシ
ピに基づいてマスクのパターンを感光基板に転写する。
レシピは、パターン毎にマスクに対応づけられ、マスク
には、レシピとパターンとの適合を照合するための識別
コード(バーコードなど)が形成されている。
A recipe for determining processing conditions is prepared for an exposure apparatus used for pattern transfer, and the exposure apparatus transfers a mask pattern onto a photosensitive substrate based on this recipe.
The recipe is associated with a mask for each pattern, and the mask has an identification code (bar code or the like) for matching the matching between the recipe and the pattern.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、マスクの物
理的な特性(寸法公差、露光ステージ設置時の自重たわ
み量、描画誤差など)には個体差があることから、レシ
ピは、マスクの個体差に応じて定められる個別の処理条
件を含む場合が多い。
By the way, since there are individual differences in the physical characteristics of the mask (dimensional tolerance, deflection amount due to its own weight when the exposure stage is installed, drawing error, etc.), the recipe is different for each mask. In many cases, individual processing conditions defined according to the above are included.

【0005】ところが、従来の露光装置では、同一パタ
ーンのマスクはすべて同じマスクとして識別するため、
同一パターンのマスクであっても、それまでと異なるマ
スクを用いる場合が生じると、レシピに含まれる処理条
件が、使用するマスクと適合せず、アライメント不良や
転写精度不良など、不具合の原因となる恐れがある。
However, in the conventional exposure apparatus, all the masks having the same pattern are identified as the same mask.
Even if the masks have the same pattern, if different masks are used, the processing conditions included in the recipe do not match the masks used, and cause defects such as poor alignment and poor transfer accuracy. There is a fear.

【0006】具体的には、同じパターンを持つマスクを
複数用意し、同じパターンのマスクの数よりも多い複数
の露光装置が設置されている半導体製造工場の場合、レ
シピの設定とともに同じパターンのマスクのうちどれか
をある露光装置にセットし露光する、そのマスクを別の
露光装置でも用いて露光する。このような場合、露光装
置にはいつも同じマスクが露光に用いられるとは限らな
くなる。例えば前回露光したマスクとは同じパターンで
も異なるマスクがセットされた場合、レシピに含まれる
処理条件が、使用するマスクとは適合しないことがあ
り、アライメント不良や転写精度不良などの不具合が発
生する恐れがある。
Specifically, in the case of a semiconductor manufacturing factory in which a plurality of masks having the same pattern are prepared and a plurality of exposure apparatuses which are larger in number than the masks having the same pattern are installed, the mask having the same pattern is set together with the recipe setting. One of them is set in a certain exposure apparatus for exposure, and the mask is also used in another exposure apparatus for exposure. In such a case, the same mask is not always used for exposure in the exposure apparatus. For example, if a different mask is set with the same pattern as the previously exposed mask, the processing conditions included in the recipe may not match the mask used, and problems such as poor alignment and poor transfer accuracy may occur. There is.

【0007】本発明は、上述する事情に鑑みてなされた
ものであり、同一パターンのマスク同士の識別を可能と
し、精度よく露光処理を行うのに好適なマスクを提供す
ることを目的とする。また、本発明の他の目的は、同一
パターンのマスク同士を識別し、精度よく露光処理を行
うことができる露光方法、露光装置、及びデバイス製造
方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a mask which enables discrimination between masks having the same pattern and which is suitable for performing an exposure process with high accuracy. Another object of the present invention is to provide an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method capable of identifying masks having the same pattern and performing exposure processing with high accuracy.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、回路パターンの原画となるパターン(1
1)と、前記パターン(11)を識別する識別コード
(13)とが形成されたマスク(M)であって、前記識
別コード(13)は、前記パターン(11)に対応した
固有の第1コード(15)と、同一の前記パターン(1
1)が形成された複数のマスク(M)を識別するための
第2コード(16)とを含むことを特徴とする。本発明
のマスクは、パターンに対応した固有の第1コードと、
同一のパターンが形成された複数のマスクを識別するた
めの第2コードとを含むことから、同一パターンのマス
ク同士であっても、それらの識別を可能とする。そのた
め、このマスクを用いることにより、マスクの個体差を
露光処理に反映させ、精度よく露光処理を行うことが可
能となる。
To solve the above problems, the present invention provides a pattern (1) which is an original image of a circuit pattern.
1) and an identification code (13) for identifying the pattern (11), wherein the identification code (13) is a unique first pattern corresponding to the pattern (11). The code (15) and the same pattern (1
1) includes a second code (16) for identifying the formed plurality of masks (M). The mask of the present invention has a unique first code corresponding to a pattern,
Since the second code for identifying a plurality of masks on which the same pattern is formed is included, even masks having the same pattern can be identified. Therefore, by using this mask, it is possible to reflect the individual difference of the mask in the exposure processing and perform the exposure processing with high accuracy.

【0009】この場合において、前記複数のマスク
(M)は、前記パターン(11)と前記第1コード(1
3)とともに、前記第2コード(16)とを合成して描
画されたパターンであることを特徴とする。そのため、
複数のマスク間で、パターンと第1コードとは関連した
関係で描画され、合わせて第2コードも合成して描画さ
れて製造されるため、複数のマスク間においてパターン
の描画誤差は変わらずマスク毎の固有な第2コードも同
時に描画されることとなる。
In this case, the plurality of masks (M) include the pattern (11) and the first code (1).
3) and a pattern drawn by synthesizing the second code (16). for that reason,
Since the pattern and the first code are drawn in a relation related to each other between a plurality of masks and the second code is also combined and drawn, the drawing error of the pattern does not change between the plurality of masks. The unique second code for each is also drawn at the same time.

【0010】また、本発明は、マスク(M)に形成され
たパターン(11)を感光基板(P)上に転写する露光
方法であって、前記マスク(M)には、前記パターン
(11)に対応した固有の第1コード(15)と、同一
の前記パターン(11)が形成された複数のマスク
(M)を識別するための第2コード(16)とを含む識
別コード(13)が形成され、前記識別コード(13)
毎に、所定の処理条件を含むレシピを個別に用意するこ
とを特徴とする。この露光方法では、マスク上に、パタ
ーンに対応した固有の第1コードと、同一のパターンが
形成された複数のマスクを識別するための第2コードと
を含む識別コードが形成されることから、同一パターン
のマスク同士であっても、それらの識別が可能である。
そのため、識別コード毎に、所定の処理条件を含むレシ
ピを個別に用意することにより、マスクの個体差を露光
処理に反映させ、精度よく露光処理を行うことができ
る。
Further, the present invention is an exposure method for transferring the pattern (11) formed on the mask (M) onto the photosensitive substrate (P), wherein the pattern (11) is formed on the mask (M). An identification code (13) including a unique first code (15) corresponding to and a second code (16) for identifying a plurality of masks (M) on which the same pattern (11) is formed. Formed, said identification code (13)
It is characterized in that a recipe including a predetermined processing condition is individually prepared for each. In this exposure method, since the identification code including the unique first code corresponding to the pattern and the second code for identifying the plurality of masks having the same pattern is formed on the mask, Even masks having the same pattern can be identified.
Therefore, by individually preparing a recipe including a predetermined processing condition for each identification code, it is possible to reflect the individual difference of the mask in the exposure processing and perform the exposure processing with high accuracy.

【0011】この場合において、前記マスク(M)の前
記識別コード(13)に対応するレシピの作成に際して
は、前記識別コード(13)に含まれる前記第1コード
(15)に対応するいずれかのレシピを用いて、該マス
ク(M)に適合するレシピを作成するとよい。
In this case, when creating the recipe corresponding to the identification code (13) of the mask (M), any one of the first code (15) included in the identification code (13) is created. A recipe that matches the mask (M) may be created using the recipe.

【0012】また、前記レシピは、同一パターン(1
1)が形成されたマスク(M)の間で共通の処理条件
と、マスク(M)の個体差に応じて定められる個別の処
理条件とを含んでもよい。この場合、共通の処理条件に
加え、マスクの個体差に応じて定められる個別の処理条
件をレシピが含むことにより、マスクの個体差を露光処
理に反映させることができる。
Further, the recipes have the same pattern (1
1) may include common processing conditions among the masks (M) on which the mask (M) is formed, and individual processing conditions determined according to individual differences of the masks (M). In this case, in addition to the common processing conditions, the recipe includes individual processing conditions determined according to the individual differences of the mask, so that the individual differences of the mask can be reflected in the exposure processing.

【0013】また、本発明は、マスク(M)に形成され
た第1マーク(12)と、感光基板(P)に形成された
第2マーク(18)とを所定の条件で撮像し、該撮像結
果に基づいて前記マスク(M)に対し相対的に位置決め
された前記感光基板(P)上に、前記マスク(M)に形
成されたパターン(11)を転写する露光方法であっ
て、前記第1マーク(12)を撮像した画像のコントラ
スト値に基づいて、前記マスク(M)と前記所定の条件
との適合を判断することを特徴とする。この露光方法で
は、第1マークを撮像した画像のコントラスト値に基づ
いて、マークを撮像するための所定の条件とマスクとの
適合を判断するので、所定の条件とマスクとの適合が充
分でないことによるマークの撮像不良を防止し、精度良
くマスクを位置合わせして露光処理を行うことができ
る。
Further, according to the present invention, the first mark (12) formed on the mask (M) and the second mark (18) formed on the photosensitive substrate (P) are imaged under predetermined conditions, An exposure method for transferring a pattern (11) formed on the mask (M) onto the photosensitive substrate (P) positioned relative to the mask (M) based on an image pickup result, comprising: It is characterized in that the conformity between the mask (M) and the predetermined condition is judged based on the contrast value of the image of the first mark (12). In this exposure method, the conformity between the predetermined condition for capturing the mark and the mask is determined based on the contrast value of the image obtained by capturing the first mark. Therefore, the conformity between the predetermined condition and the mask is not sufficient. It is possible to prevent an image pickup defect of the mark due to, and perform the exposure processing by accurately aligning the mask.

【0014】この場合において、前記所定の条件は、前
記第1マーク(12)を撮像する観察系(33)の焦点
位置を調整するためのパラメータを含んでもよい。これ
により、同一パターンのマスクの混同等による第1マー
クに対する観察系の焦点ずれを防止し、マークを精度よ
く撮像することができる。
In this case, the predetermined condition may include a parameter for adjusting the focus position of the observation system (33) for imaging the first mark (12). As a result, it is possible to prevent the defocus of the observation system with respect to the first mark due to the mixing and equalization of the masks having the same pattern, and to accurately image the mark.

【0015】また、前記コントラスト値と前記所定の条
件との相関に関する情報を予め記憶し、前記所定の条件
と前記マスク(M)との適合が充分でない場合、前記コ
ントラスト値の計測結果と前記情報とに基づいて、前記
所定の条件を変更してもよい。これにより、マークを撮
像するための所定の条件とマスクとの適合が充分でない
場合にも、コントラスト値の計測結果と記憶された情報
とに基づいて、所定の条件を、マスクに適合するように
容易に変更できる。
Information concerning the correlation between the contrast value and the predetermined condition is stored in advance, and when the predetermined condition and the mask (M) are not sufficiently matched, the measurement result of the contrast value and the information are obtained. Based on the above, the predetermined condition may be changed. As a result, even if the predetermined condition for capturing the image of the mark and the mask are not sufficiently matched, the predetermined condition can be matched with the mask based on the measurement result of the contrast value and the stored information. It can be changed easily.

【0016】また、本発明は、デバイス製造方法であっ
て、上記記載の露光方法を用いて、前記マスク(M)に
形成されたデバイスパターンを前記感光基板(P)上に
転写する工程を含むことを特徴とする。このデバイス製
造方法では、露光精度の向上により、形成されるパター
ンの精度の向上を図ることが可能となる。
The present invention is also a device manufacturing method, which includes the step of transferring the device pattern formed on the mask (M) onto the photosensitive substrate (P) using the exposure method described above. It is characterized by In this device manufacturing method, the accuracy of the formed pattern can be improved by improving the exposure accuracy.

【0017】また、本発明は、レシピに基づいて、マス
ク(M)に形成されたパターン(11)を感光基板
(P)上に転写する露光装置(20)であって、前記マ
スク(M)には、同一パターン(11)が形成されたマ
スク(M)間で共通の第1コード(15)と、前記同一
パターン(11)が形成された複数のマスク(M)を識
別するための第2コード(16)とを含む識別コード
(13)が形成され、前記マスク(M)に形成された前
記識別コード(13)を読取る識別コード読取り手段
(25)と、前記識別コード(13)毎に、所定の処理
条件を含むレシピとを個別に用意するレシピ供給手段
(27)とを有することを特徴とする。この露光装置で
は、上記記載の露光方法を実施できることから、マスク
の個体差を露光処理に反映させ、精度よく露光処理を行
うことができる。
The present invention is also an exposure apparatus (20) for transferring a pattern (11) formed on a mask (M) onto a photosensitive substrate (P) based on a recipe, wherein the mask (M). Includes a first code (15) common to the masks (M) having the same pattern (11) and a first code (M) for identifying the plurality of masks (M) having the same pattern (11). An identification code (13) including two codes (16) is formed, and an identification code reading means (25) for reading the identification code (13) formed on the mask (M), and each identification code (13). And a recipe supply means (27) for separately preparing a recipe including a predetermined processing condition. In this exposure apparatus, since the exposure method described above can be carried out, it is possible to reflect the individual difference of the mask in the exposure processing and perform the exposure processing with high accuracy.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して詳しく説明する。図1は、本発明のマスクの実施形
態の一例を示す平面図であり、マスクMには、回路パタ
ーンの原画となるパターン11と、アライメントに用い
られるマーク(マスクマーク)12と、パターンを識別
するための識別コード13とが形成されている。なお、
パターン11が形成された領域に異物が付着するのを防
止するために、パターン領域を覆うように、ニトロセル
ロース等の有機物を主成分とする透明な薄膜を備える保
護装置を設けるのが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an example of an embodiment of a mask of the present invention. A mask M has a pattern 11 which is an original image of a circuit pattern, a mark (mask mark) 12 used for alignment, and a pattern. And an identification code 13 for doing so. In addition,
In order to prevent foreign matters from adhering to the area where the pattern 11 is formed, it is preferable to provide a protective device that covers the pattern area and that includes a transparent thin film containing an organic substance such as nitrocellulose as a main component.

【0019】本例では、識別コード13はバーコードか
らなり、パターン11が形成された領域から外れた周縁
の一部に設けられている。識別コード13は、例えばク
ロムなどの金属をマスク表面に蒸着することやマスク表
面に形成された金属面をエッチングすることにより、形
成され、識別情報の他に、スタートビット等の検出用の
情報を含む。
In this example, the identification code 13 is a bar code and is provided on a part of the peripheral edge outside the area where the pattern 11 is formed. The identification code 13 is formed by depositing a metal such as chrome on the mask surface or etching a metal surface formed on the mask surface, and in addition to the identification information, information for detection such as a start bit is provided. Including.

【0020】図1(b)は、識別コード13に含まれる
識別情報の一例を示す図である。本例では、識別コード
13は、パターン11に対応した固有の第1コード(マ
スク名)15と、同一のパターン11が形成された複数
のマスクMを識別するための第2コード(マスクID)
16とを含む。すなわち、第1コード15は、同一のパ
ターン11が形成された複数のマスクMの間で共通のコ
ードからなり、第2コード16は、同一のパターン11
が形成された複数のマスクMの間で互いに異なる個別の
コードからなる。この図1(b)には、同一のパターン
11が形成された複数(3つ)のマスクMが示され、こ
れら複数のマスクMの識別コード13は、共通の第1コ
ード15である「AA」を含み、さらに、互いに異なる
第2コード16である「01」、「02」、及び「0
3」のいずれかを含む。このように、本例のマスクM
は、パターン11に対応した固有の第1コード15の他
に、同一のパターン11が形成された複数のマスクMを
識別するための第2コード16を含むことから、同一パ
ターンのマスク同士であっても、それらの識別を可能と
する。なお、こうした同一パターンが形成された複数の
マスクは、1つのマスクの描画データを元にして、その
マスクのパターンと第1コードとを複製することにより
容易かつ確実に製造できる。なお、マスタとなるマスク
のパターンを他のマスクに転写してコピーマスクを製作
し、第2コード16のみ別に転写するようにしてもよ
い。また、複数のマスクの間では、マスクの厚さが同じ
でない場合がある。
FIG. 1B is a diagram showing an example of the identification information included in the identification code 13. In this example, the identification code 13 is a unique first code (mask name) 15 corresponding to the pattern 11 and a second code (mask ID) for identifying a plurality of masks M on which the same pattern 11 is formed.
16 and 16. That is, the first code 15 is a code common to a plurality of masks M on which the same pattern 11 is formed, and the second code 16 is the same pattern 11.
The plurality of masks M formed with the individual codes are different from each other. FIG. 1B shows a plurality (three) of masks M on which the same pattern 11 is formed, and the identification codes 13 of the plurality of masks M are a common first code “AA”. , And the second codes 16 different from each other are “01”, “02”, and “0”.
3 ”is included. Thus, the mask M of this example
In addition to the unique first code 15 corresponding to the pattern 11, since the second code 16 for identifying a plurality of masks M on which the same pattern 11 is formed is included, masks having the same pattern are Even, they can be identified. A plurality of masks on which the same pattern is formed can be easily and surely manufactured by duplicating the mask pattern and the first code based on the drawing data of one mask. Alternatively, the pattern of the master mask may be transferred to another mask to produce a copy mask, and only the second code 16 may be transferred separately. Further, the masks may not have the same thickness among the plurality of masks.

【0021】次に、上述した本発明のマスクMが好適に
使用される露光装置の実施形態例について説明する。図
2は、本例の露光装置の全体構成を概略的に示す図であ
る。露光装置20は、複数のマスクMを収納するマスク
ライブラリ22、マスク搬送部23、マスクM上の異物
(微小なごみなど)を検出する異物検出部24、マスク
Mに形成された識別コード(バーコード)を読取る識別
コード読取り部25、露光装置本体26、及びこれらを
統括的に制御する制御装置27等を備えて構成されてい
る。
Next, an embodiment of an exposure apparatus in which the above-described mask M of the present invention is preferably used will be described. FIG. 2 is a diagram schematically showing the overall configuration of the exposure apparatus of this example. The exposure apparatus 20 includes a mask library 22 that stores a plurality of masks M, a mask transport unit 23, a foreign substance detection unit 24 that detects foreign substances (microscopic dust, etc.) on the mask M, and an identification code (bar code) formed on the mask M. ), An identification code reading unit 25, an exposure apparatus main body 26, and a control device 27 that controls these in a centralized manner.

【0022】マスクライブラリ22は、複数のマスクM
を例えば上下方向に多段に装填・保管する収容装置であ
る。マスクライブラリ22には、製造ロットの仕様や処
理工程に応じて様々なパターンのマスクMが収容され
る。マスク搬送部23は、制御装置27の指示に基づい
てマスクライブラリ22から取り出したマスクMを露光
装置本体26に搬送する。異物検出部24は、所定の光
をマスクMに照射する照射部(不図示)とマスクMから
の光を受光する受光部(不図示)とを有し、マスクMで
反射された光に基づいてマスクM上の異物を検出する。
識別コード読取り部25は、所定の光をマスクM上の識
別コードに照射する照射部28とマスクMからの光を受
光する受光部29とを有し、マスクMで反射された光を
受けてマスクMの識別コードを光電的に検出する。
The mask library 22 includes a plurality of masks M.
Is a storage device for loading and storing, for example, in a vertical direction in multiple stages. The mask library 22 stores masks M having various patterns according to the specifications of the manufacturing lot and the processing steps. The mask carrying section 23 carries the mask M taken out from the mask library 22 to the exposure apparatus main body 26 based on an instruction from the control apparatus 27. The foreign matter detection unit 24 has an irradiation unit (not shown) that irradiates the mask M with predetermined light and a light receiving unit (not shown) that receives light from the mask M, and based on the light reflected by the mask M. Foreign matter on the mask M is detected.
The identification code reading section 25 has an irradiation section 28 for irradiating the identification code on the mask M with a predetermined light and a light receiving section 29 for receiving the light from the mask M, and receives the light reflected by the mask M. The identification code of the mask M is detected photoelectrically.

【0023】露光装置本体26は、マスクMを照明する
照明系30、マスクMが搭載されるマスクステージ3
1、投影光学系PL、感光材が塗布された感光基板Pが
搭載される基板ステージ32、アライメント顕微鏡3
3、及びオートフォーカス機構34等を代表的に備えて
いる。露光装置本体26は、マスクM上のマーク(マス
クマーク12)及び感光基板P上のマーク(基板マーク
18)をアライメント顕微鏡33で撮像し、その撮像結
果に基づいてマスクMと感光基板Pとを位置合わせ(ア
ライメント)する。また、オートフォーカス機構34に
より投影光学系PLの焦点深度内に感光基板Pを位置決
め(焦点合わせ)する。そして、アライメント及び焦点
合わせされた感光基板P上に、マスクM上のパターンを
露光転写する。
The exposure apparatus main body 26 includes an illumination system 30 for illuminating the mask M, and a mask stage 3 on which the mask M is mounted.
1, a projection optical system PL, a substrate stage 32 on which a photosensitive substrate P coated with a photosensitive material is mounted, an alignment microscope 3
3 and an autofocus mechanism 34 are typically provided. The exposure apparatus main body 26 images the mark on the mask M (mask mark 12) and the mark on the photosensitive substrate P (substrate mark 18) with the alignment microscope 33, and based on the image pickup result, the mask M and the photosensitive substrate P are separated. Align. Further, the photosensitive substrate P is positioned (focused) within the depth of focus of the projection optical system PL by the autofocus mechanism 34. Then, the pattern on the mask M is exposed and transferred onto the aligned and focused photosensitive substrate P.

【0024】さて、上記露光装置20では、制御装置2
7内の記憶部に記憶されたレシピに基づいてその処理条
件が定められる。レシピは、装置の動作仕様を規定した
り、マスクの個体差に応じて定められる個別の処理条件
などの情報を含んでいる。したがって本例では、レシピ
は、マスクMの識別コード毎に個別に用意されることに
なる。
In the exposure apparatus 20, the control device 2
The processing condition is determined based on the recipe stored in the storage unit in 7. The recipe includes information such as an operation specification of the apparatus and individual processing conditions determined according to individual differences of the mask. Therefore, in this example, the recipe is individually prepared for each identification code of the mask M.

【0025】図3は、マスクの識別コードとレシピとの
関係の一例を示す図である。この図3において、複数の
マスクMのそれぞれに、同一のパターンが形成されてい
る。そして、識別コード「AA−01」のマスクに対し
てレシピ「AA01」が対応づけられ、同様に、識別コ
ード「AA−02」のマスクに対してレシピ「AA0
2」が、識別コード「AA−03」のマスクに対してレ
シピ「AA03」が、それぞれ対応づけられている。な
お、各識別コード及びレシピ名のうちの「AA」はマス
ク上のパターンに対応した第1コード(マスク名)であ
り、「01」、「02」、及び「03」はそれぞれ、同
一パターンが形成された複数のマスクを識別するための
第2コード(マスクID)である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the relationship between the mask identification code and the recipe. In FIG. 3, the same pattern is formed on each of the plurality of masks M. Then, the recipe “AA01” is associated with the mask with the identification code “AA-01”, and similarly, the recipe “AA0” is associated with the mask with the identification code “AA-02”.
2 ”is associated with the recipe“ AA03 ”for the mask with the identification code“ AA-03 ”. “AA” in each identification code and recipe name is the first code (mask name) corresponding to the pattern on the mask, and “01”, “02”, and “03” have the same pattern. It is a second code (mask ID) for identifying the formed plurality of masks.

【0026】本例では、レシピは、対応するマスクのパ
ターンに応じてグループ化されており、そのグループ毎
に共通のレシピNo.を有する。図3の例の場合、レシ
ピ「AA01」、「AA02」、及び「AA03」を含
むグループが形成され、前記レシピは共通のレシピN
O.「123」を共有している。
In this example, the recipes are grouped according to the pattern of the corresponding mask, and the recipe No. common to each group. Have. In the case of the example in FIG. 3, a group including recipes “AA01”, “AA02”, and “AA03” is formed, and the recipe is the common recipe N.
O. "123" is shared.

【0027】さらに、レシピは、同一パターンが形成さ
れたマスクの間で共通の処理条件と、マスクの個体差に
応じて定められる個別の処理条件とを含む。上記共通の
処理条件は、例えば、マスクや感光基板の搬送手順を定
めるパラメータや、感光基板への露光時間(露出)を定
めるパラメータ等を含む。また、上記個別の処理条件と
しては、露光装置に対して各マスク毎に設定されるよう
にする。例えば、先の図2に示したアライメント顕微鏡
33の焦点位置を調整するためのパラメータを含むよう
にしても良い。このパラメータの場合、マスクが露光装
置に最初にセットされた際に、マスク毎に焦点位置を計
測し入力するようにすれば良い。一度入力されてさえい
れば、同じマスクを用いるレシピの際には、その調整の
ためのパラメータを呼び出して設定することにより、最
適なアライメントを行うことが可能となる。
Further, the recipe includes common processing conditions among the masks on which the same pattern is formed and individual processing conditions determined according to individual differences of the masks. The common processing conditions include, for example, a parameter that determines a procedure for transferring a mask or a photosensitive substrate, a parameter that determines an exposure time (exposure) to the photosensitive substrate, and the like. Further, the individual processing conditions are set for each mask for the exposure apparatus. For example, a parameter for adjusting the focus position of the alignment microscope 33 shown in FIG. 2 may be included. In the case of this parameter, the focus position may be measured and input for each mask when the mask is first set in the exposure apparatus. As long as it is input once, in the case of a recipe using the same mask, it is possible to perform optimum alignment by calling and setting parameters for the adjustment.

【0028】ここで、先の図2に示したアライメント顕
微鏡33は、マスクを通してマスクマークや基板マーク
を撮像する。そのため、マスクの物理的な特性、特にマ
スク厚が変化するとマークに対する焦点位置にずれが生
じる。アライメント時において、アライメント顕微鏡3
3の焦点ずれが生じると、アライメント精度が低下する
恐れがある。そのため、本例の露光装置20では、アラ
イメント時、アライメント顕微鏡33の焦点位置を調整
する。この調整は、予め計測したアライメント顕微鏡3
3の焦点位置を用いて行われる。すなわち、露光装置2
0では、露光処理に先立って、アライメント顕微鏡33
の焦点位置を予め計測し(フォーカス計測)、その結果
をパラメータとして記憶しておく。上記フォーカス計測
は、アライメント顕微鏡33の焦点位置を一定間隔で変
化させながら、マスクマークをアライメント顕微鏡33
で撮像し、撮像した画像のコントラスト値が最大となる
焦点位置(最適フォーカス値)を求めることにより行
う。そして、求めた最適フォーカス値を、マスクの個体
差に応じて定められるパラメータとして、レシピ内に記
録する。なお、マスク上に複数のマスクマークが形成さ
れている場合には、各マスクマークごとにアライメント
顕微鏡33の焦点位置(最適フォーカス値)を求めるの
が好ましい。
The alignment microscope 33 shown in FIG. 2 picks up an image of the mask mark or the substrate mark through the mask. Therefore, when the physical characteristics of the mask, especially the mask thickness, changes in the focal position with respect to the mark. Alignment microscope 3 during alignment
If the defocus of 3 occurs, the alignment accuracy may decrease. Therefore, in the exposure apparatus 20 of this example, the focus position of the alignment microscope 33 is adjusted during alignment. This adjustment is performed by the alignment microscope 3 measured in advance.
3 focus positions are used. That is, the exposure device 2
0, the alignment microscope 33 is used before the exposure processing.
The focus position is measured in advance (focus measurement), and the result is stored as a parameter. In the focus measurement, while changing the focal position of the alignment microscope 33 at a constant interval, the mask mark is moved to the alignment microscope 33.
The image is picked up in (1) and the focus position (optimum focus value) that maximizes the contrast value of the picked-up image is obtained. Then, the obtained optimum focus value is recorded in the recipe as a parameter determined according to the individual difference of the mask. When a plurality of mask marks are formed on the mask, it is preferable to obtain the focus position (optimum focus value) of the alignment microscope 33 for each mask mark.

【0029】次に、上述した露光装置20を用いて行わ
れる本発明の露光方法の一例について図4のフローチャ
ートを参照して説明する。まず、制御装置27は、所定
のレシピNo.の処理の指示を受けると、指定されたN
o.を有するレシピを展開する(ステップ100)。こ
の際、指定されたNo.を有するレシピが複数存在する
場合、制御装置27はそのうちの1つを任意に選択し、
そのレシピを展開する。例えば、先の図3において、
「123」のレシピNo.の指定を受けた場合、制御装
置27は、レシピ「AA01」、「AA02」、及び
「AA03」の中から1つ(例えば「AA01」)を任
意に選択し、そのレシピを展開する。
Next, an example of the exposure method of the present invention performed using the above-described exposure apparatus 20 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the control device 27 uses the predetermined recipe No. When the instruction to process is received, the specified N
o. Develop a recipe having (step 100). At this time, the designated No. When there are a plurality of recipes each having "," the control device 27 arbitrarily selects one of them.
Develop that recipe. For example, in FIG. 3 above,
Recipe No. “123”. When receiving the designation of, the control device 27 arbitrarily selects one (for example, “AA01”) from the recipes “AA01”, “AA02”, and “AA03”, and expands the recipe.

【0030】次に、制御装置27は、マスクライブラリ
22からマスクMを取り出し(ステップ101)、その
マスクMの識別コード13を、識別コード読取り部25
で読み取る。この際、制御装置27は、マスクMの識別
コード13のうちの第1コード(マスク名)15と第2
コード(マスクID)16とのそれぞれについて、レシ
ピとの適合を照合する(ステップ102、103)。上
記照合により、第1コード15、及び第2コード16が
ともに適合した場合のみ、次の異物検査(ステップ10
4)に進み、第1コード15が適合しなかった場合、そ
の時点で別のマスクにマスクを交換する。さらに、第1
コード15が適合したものの、第2コード16が適合し
なかった場合、制御装置27は、そのマスクMに適合す
るレシピにレシピを交換する(ステップ105)。この
場合、レシピの交換は、現在のレシピと同じレシピN
o.を持つグループの中から、マスクMと同じ第2コー
ド(マスクID)16を持つレシピを検索することによ
り行う。例えば、レシピ名が「AA01」で、照合した
マスクMの識別コード13が「AA−02」の場合、第
1コード15は「AA」で一致するものの、第2コード
16が一致しない。そのため、制御装置27は、現在の
レシピ「AA01」と同じレシピNo.「123」を持
つグループ(「AA01」、「AA02」、「AA0
3」)の中から、「02」の第2コード16を持つレシ
ピ「AA02」を検索して選択し、そのレシピ「AA0
2」を展開して、処理を進める。
Next, the controller 27 takes out the mask M from the mask library 22 (step 101), and outputs the identification code 13 of the mask M to the identification code reading section 25.
Read with. At this time, the control device 27 controls the first code (mask name) 15 and the second code of the identification code 13 of the mask M.
Each of the codes (mask ID) 16 is checked for compatibility with the recipe (steps 102 and 103). Only if the first code 15 and the second code 16 are both matched by the above collation, the next foreign matter inspection (step 10
Proceeding to 4), if the first code 15 does not match, the mask is replaced with another mask at that time. Furthermore, the first
When the code 15 matches but the second code 16 does not match, the control device 27 exchanges the recipe for a recipe that matches the mask M (step 105). In this case, the recipe is replaced by the same recipe N as the current recipe.
o. This is done by searching for a recipe having the same second code (mask ID) 16 as the mask M from the group having. For example, when the recipe name is “AA01” and the identification code 13 of the matched mask M is “AA-02”, the first code 15 matches “AA” but the second code 16 does not match. Therefore, the control device 27 uses the same recipe No. as the current recipe “AA01”. Group with "123"("AA01","AA02","AA0"
3)), the recipe “AA02” having the second code 16 of “02” is searched and selected, and the recipe “AA0” is selected.
2 ”is expanded and the process proceeds.

【0031】次に、制御装置27は、異物検出部24に
よる異物検査を行う(ステップ104)。なお、異物検
査を行った結果で不合格の場合には、同一パターンのマ
スクをマスクライブラリ22の別のスロットにセットし
て、不合格のマスクと交換して再度所定の処理を行った
り、マスクの洗浄を行ったりする。また、上述したこれ
までの工程は、露光装置本体26において前スロットの
露光処理中に行われる。そのため、上述したようにマス
クやレシピを交換した場合にも露光装置20のスループ
ットに与える影響はほとんどないようにできる。
Next, the controller 27 carries out a foreign matter inspection by the foreign matter detecting section 24 (step 104). If the result of the foreign matter inspection is unsuccessful, a mask having the same pattern is set in another slot of the mask library 22, and the mask is replaced with a rejected mask to perform predetermined processing again. Or wash it. Further, the above-mentioned steps are performed in the exposure apparatus main body 26 during the exposure processing of the front slot. Therefore, even if the mask or recipe is exchanged as described above, the throughput of the exposure apparatus 20 is hardly affected.

【0032】次に、露光装置本体26において前ロット
の露光処理が終了すると、制御装置27は、異物検査で
合格したマスクを、露光装置本体26に搬送し、マスク
ステージ31上に搭載する。そして、マスクM上のパタ
ーンを感光基板P上に露光転写する処理を行う(ステッ
プ106)。この際、露光処理における処理条件は、マ
スクの個体差に応じて定められる個別の処理条件を含
み、使用中のマスクMの特性が反映されたものであるこ
とから、精度よく露光処理が行われる。
Next, when the exposure processing of the previous lot is completed in the exposure apparatus main body 26, the control apparatus 27 conveys the mask that has passed the foreign matter inspection to the exposure apparatus main body 26 and mounts it on the mask stage 31. Then, a process of exposing and transferring the pattern on the mask M onto the photosensitive substrate P is performed (step 106). At this time, since the processing conditions in the exposure processing include individual processing conditions determined according to individual differences of the mask and reflect the characteristics of the mask M in use, the exposure processing is performed accurately. .

【0033】このように、本例では、マスク上に、パタ
ーンに対応した固有の第1コードと、同一のパターンが
形成された複数のマスクを識別するための第2コードと
を含む識別コードが形成されていることから、同一パタ
ーンのマスク同士であっても、それらを識別できる。こ
のため、各マスクをセットアップする際に、各マスクに
合わせた条件にでき、セットアップ時間の短縮を行うこ
とができる。また、識別コード毎に、レシピを個別に用
意するので、マスクの個体差を露光処理に反映させ、精
度よく露光処理を行うことができる。
As described above, in this example, the identification code including the unique first code corresponding to the pattern and the second code for identifying the plurality of masks on which the same pattern is formed is provided on the mask. Since they are formed, even masks having the same pattern can be identified. For this reason, when setting up each mask, it is possible to set conditions suitable for each mask, and it is possible to shorten the setup time. In addition, since the recipe is individually prepared for each identification code, it is possible to reflect the individual difference of the mask in the exposure processing and perform the exposure processing with high accuracy.

【0034】しかも、マスクに対して、個別の識別コー
ドを単に設けるのではなく、同一パターンのマスクには
共通のコード(第1コード)を設けた上で、それら共通
の第1コードを持つ複数のマスクを識別するコード(第
2コード)を別に設けるので、識別コードをグループ化
でき、識別コードの管理を容易に行える。
Moreover, instead of simply providing individual identification codes for the masks, a common code (first code) is provided for masks of the same pattern, and a plurality of masks having the common first code are provided. Since the code (second code) for identifying the mask is separately provided, the identification codes can be grouped and the identification codes can be easily managed.

【0035】また、本例において、識別コードのうちの
第2コードの管理は、主としてマスクを扱う露光装置内
だけに必要なものであることから、第2コードに関する
情報を露光装置の上位の管理システムに対して必ずしも
通知する必要はない。そのため、本例では、識別コード
に、第2コードという従来にないコードを有するもの
の、上位の管理システムの負荷の増加を抑制できる。さ
らに、露光装置から上位の管理システムに情報を通知す
る手段を持たないシステムにも適用できる。
Further, in this example, since the management of the second code of the identification codes is mainly necessary only in the exposure apparatus that handles the mask, the information regarding the second code is managed by the upper level of the exposure apparatus. It is not necessary to notify the system. Therefore, in this example, although the identification code has the second code, which is not available in the past, it is possible to suppress an increase in the load on the upper management system. Further, the present invention can be applied to a system that does not have means for notifying the upper management system of information from the exposure apparatus.

【0036】また、本例では、レシピとマスクとの適合
を照合した結果、識別コードが一致しなく、内訳として
は第1コードが一致していたが第2コードが適合しない
場合に、レシピの交換を、自動的に行うか、オペレータ
によって決めるかを露光処理にさしあたって予め設定し
ておけば良い。自動的に所望のレシピに交換するように
予め露光装置のプログラムの設定をしておいた場合、マ
スクに適合したレシピに自動的に交換され感光基板の処
理が自動的に継続され、マスクの交換やレシピ情報を入
力し直したりする場合に比べて処理を円滑に進めること
ができる。一方、同様に第2コードが適合しない場合
に、第1コードの情報を元にマスクに対して最適なレシ
ピ若しくは関連したレシピを選択できるように設定した
場合には、上記レシピの交換は、現在のレシピと同じレ
シピNo.を持つグループ、例えばマスクのパターン情
報である第1コードを用いて、それに関連するレシピを
検索することができるので、すべてのレシピの中から所
望のレシピを検索する場合に比べて、検索時間が短く、
結果として設定する際にも全く誤ったレシピを設定する
こともない。また、この場合には、レシピに適合したマ
スクを露光装置まで持ってきて、マスク交換を行うよう
に設定するこも可能である。
Further, in this example, as a result of matching the recipe and the mask, the identification codes do not match, and the breakdown is that the first code matches, but the second code does not match, the recipe Whether the replacement is automatically performed or determined by the operator may be set in advance for the exposure process. If the program of the exposure system is set in advance to automatically exchange the desired recipe, the recipe is automatically exchanged for the mask and the processing of the photosensitive substrate is automatically continued. The processing can proceed smoothly as compared with the case where the recipe information is input again. On the other hand, similarly, when the second code does not match, if the optimum recipe or the related recipe for the mask can be selected based on the information of the first code, the replacement of the above recipe is currently performed. Recipe No. Since it is possible to search for a recipe related to a group having, for example, a first code which is pattern information of a mask, the search time is shorter than when searching for a desired recipe from all recipes. Short,
Even when setting as a result, the wrong recipe is not set at all. In this case, it is also possible to bring a mask suitable for the recipe to the exposure apparatus and set it so that the mask is replaced.

【0037】なお、本例では、レシピとマスクとの適合
を照合した結果に関する情報を記憶しておき、次回から
はその情報を参照して処理を進める。すなわち、一度照
合したレシピとマスクとの対応関係を記憶するととも
に、そのマスクの現在位置について常に把握するように
なっている。これにより、以前指定されたレシピNo.
の処理が指定されると、そのレシピNo.に対応するマ
スクとレシピとをすぐに選び出せるようになっている。
この場合、一度読取りを行ったマスクに対する識別コー
ドの読取りを省略できるなど、マスクとレシピとの照合
に係わる処理の少なくとも一部を省略できる。
In this example, the information on the result of matching the matching between the recipe and the mask is stored, and the processing will be performed next time with reference to the information. That is, the correspondence between the recipe and the mask that have been collated once is stored, and the current position of the mask is always grasped. As a result, the previously specified recipe number.
Is designated, the recipe number. You can quickly select the mask and recipe corresponding to.
In this case, it is possible to omit at least a part of the processing relating to the matching between the mask and the recipe, such as the reading of the identification code for the mask that has been read once can be omitted.

【0038】また、本例では、レシピの交換時におい
て、マスクの識別コードに対応するレシピが見つからな
い場合には、新たにレシピを作成し、それを用いて以後
の処理を進める。マスクの識別コードに対応するレシピ
の作成に際しては、照合したマスクの識別コードに含ま
れる第1コードに対応するいずれかのレシピを用いて、
そのマスクに適合するレシピを作成する。この場合、前
述したように、レシピは、同一パターンが形成されたマ
スクの間で共通の処理条件と、マスクの個体差に応じて
定められる個別の処理条件とを含むことから、共通の処
理条件はそのままで、個別の処理条件のみを変更するこ
とにより、現在のマスクに対応するレシピを短時間で確
実に作成できる。
Further, in this example, when the recipe corresponding to the mask identification code is not found at the time of exchanging the recipe, a new recipe is created and the subsequent processing is performed using the recipe. When creating the recipe corresponding to the mask identification code, one of the recipes corresponding to the first code included in the collated mask identification code is used,
Create a recipe that matches the mask. In this case, as described above, the recipe includes the common processing conditions between the masks on which the same pattern is formed and the individual processing conditions determined according to the individual difference of the masks. The recipe corresponding to the current mask can be reliably created in a short time by changing only the individual processing conditions while maintaining the above.

【0039】図5は、先の図2に示した露光装置20を
用いて行われる本発明の露光方法の他の例を示すフロー
チャート図である。前述した例では、レシピに含まれる
処理条件が、使用中のマスクと適合するかどうかの判断
を、識別コードの第2コードを用いて行っていたが、本
例の露光方法では、マスクに形成されたマスクマークを
撮像した画像のコントラスト値に基づいて上記判断を行
う。そのため、マスクの識別コードとしては、パターン
に対応した固有のコード(第1コード)を備えていれば
よい。また、準備動作として、先の図2に示した制御装
置27は、露光処理に先立って、上述したフォーカス計
測、すなわちマスクマークに対するアライメント顕微鏡
33の焦点位置の計測を行い、最適フォーカス値ととも
に、そのときの画像のコントラスト値を記憶しておく。
以下、本例の露光方法について図2、及び図5のフロー
チャートを参照して説明する。
FIG. 5 is a flow chart showing another example of the exposure method of the present invention performed by using the exposure apparatus 20 shown in FIG. In the above-described example, whether the processing conditions included in the recipe are compatible with the mask in use was determined using the second code of the identification code. However, in the exposure method of this example, the mask is formed on the mask. The above determination is performed based on the contrast value of the image of the captured mask mark. Therefore, the mask identification code may be a unique code (first code) corresponding to the pattern. Further, as a preparatory operation, the control device 27 shown in FIG. 2 previously performs the above-described focus measurement, that is, the focus position of the alignment microscope 33 with respect to the mask mark, prior to the exposure processing, and together with the optimum focus value, The contrast value of the image at that time is stored.
The exposure method of this example will be described below with reference to the flowcharts of FIGS. 2 and 5.

【0040】まず、制御装置27は、所定のレシピN
o.の処理の指示を受けると、指定されたNo.のレシ
ピを展開する(ステップ200)。本例では、レシピは
パターン毎にマスクに対応づけられており、指示される
No.に対して1つのレシピが選択される。
First, the control device 27 uses the predetermined recipe N.
o. When receiving the instruction of the processing of No. The recipe is developed (step 200). In this example, the recipe is associated with the mask for each pattern, and the designated No. One recipe is selected for.

【0041】次に、制御装置27は、マスクライブラリ
22の所定スロットから所望のマスクMを取り出して
(ステップ201)、そのマスクMの識別コード13を
読み取る。そして、制御装置27は、マスクMの識別コ
ード13について、レシピとの適合を照合する(ステッ
プ203)。上記照合により、識別コードが適合しなか
った場合、次にマスクに異物が付着しているかどうか異
物検査に進み(ステップ203)、識別コードが適合し
なかった場合には、その時点で現在のマスクをケースに
収納し、別のマスクを取り出す指示を行い識別コードの
照合を行う。
Next, the controller 27 takes out a desired mask M from a predetermined slot of the mask library 22 (step 201) and reads the identification code 13 of the mask M. Then, the control device 27 collates the identification code 13 of the mask M with the recipe (step 203). If the identification code does not match as a result of the above-mentioned collation, the foreign substance inspection is then carried out to see if there is foreign matter on the mask (step 203). If the identification code does not match, the current mask is obtained at that time. In the case, give an instruction to take out another mask, and collate the identification code.

【0042】次に、制御装置27は、マスクMに形成さ
れたマスクマークをアライメント顕微鏡33で撮像し、
そのときの画像のコントラスト値を計測する。本例で
は、コントラスト値の計測は、前述したマスクと感光基
板とを位置合わせするアライメント動作の一部として行
う。すなわち、アライメント動作時に、マスクマークを
アライメント顕微鏡33で撮像する際に、その撮像した
画像のコントラスト値を計測する。制御装置27は、現
時点のコントラスト値と、予め記憶されているコントラ
スト値とを比較する。そして、記憶されたコントラスト
値に比べて、現時点のコントラスト値が所定の範囲(許
容範囲)を超えている場合、レシピに含まれる処理条件
の1つであるアライメント顕微鏡33の最適フォーカス
値が、使用中のマスクと適合しないと判断し、フォーカ
ス計測をやり直す(ステップ205)。一方、現時点の
コントラスト値が許容範囲内である場合、制御装置27
は、記憶されている処理条件が使用中のマスクと適合し
ていると判断し、そのまま露光処理を実行する(ステッ
プ206)。
Next, the control device 27 takes an image of the mask mark formed on the mask M with the alignment microscope 33,
The contrast value of the image at that time is measured. In this example, the measurement of the contrast value is performed as part of the alignment operation for aligning the mask and the photosensitive substrate described above. That is, when the mask mark is imaged by the alignment microscope 33 during the alignment operation, the contrast value of the imaged image is measured. The control device 27 compares the current contrast value with the previously stored contrast value. When the contrast value at the present time exceeds the predetermined range (allowable range) as compared with the stored contrast value, the optimum focus value of the alignment microscope 33, which is one of the processing conditions included in the recipe, is used. It is determined that the mask does not match the inner mask, and the focus measurement is performed again (step 205). On the other hand, if the current contrast value is within the allowable range, the control device 27
Judges that the stored processing conditions match the mask in use, and executes the exposure processing as it is (step 206).

【0043】ここで、準備動作でフォーカス計測を行っ
たマスクと、現時点のマスクとが、同一パターンであり
ながら異なるマスクである場合、マスク厚の違いなどか
ら、アライメント動作時、マスクマークに対するアライ
メント顕微鏡の焦点位置にずれが生じるおそれがある。
本例では、上述したように、記憶したコントラスト値
と、現時点のコントラスト値とを比較することにより、
アライメント顕微鏡の最適フォーカス値と、現時点のマ
スクとの適合を判断し、適合が充分でない場合にはフォ
ーカス値を再計測する。そのため、同一パターンのマス
クの混同等によるアライメント顕微鏡の焦点ずれが防止
される。したがって、本例では、マスクの個体差を露光
処理に反映させ、精度よく露光処理を行うことができ
る。なお、本例では、マスクの識別コードはパターンに
対応していればよく、前述した例のように、マスク固有
のコードを設ける必要はない。そのため、識別コードの
管理は比較的容易である。
Here, when the mask for which focus measurement is performed in the preparatory operation and the mask at the present time are the same pattern but different masks, due to the difference in mask thickness and the like, during the alignment operation, the alignment microscope for the mask mark is used. There is a possibility that the focal position of the may shift.
In this example, as described above, by comparing the stored contrast value and the current contrast value,
The matching between the optimum focus value of the alignment microscope and the current mask is judged, and if the matching is not sufficient, the focus value is measured again. Therefore, defocus of the alignment microscope due to mixing and equalization of masks having the same pattern is prevented. Therefore, in this example, the exposure process can be performed accurately by reflecting the individual difference of the mask in the exposure process. In this example, the mask identification code only needs to correspond to the pattern, and it is not necessary to provide a code unique to the mask as in the above-described example. Therefore, management of the identification code is relatively easy.

【0044】また、フォーカス値の再計測は、準備動作
時と同様の手順、すなわち、アライメント顕微鏡の焦点
位置を一定間隔で変化させながら、マスクマークをアラ
イメント顕微鏡で撮像し、その画像のコントラスト値が
最大となる焦点位置(最適フォーカス値)を求めること
により行うことができる。あるいは、コントラスト値と
最適フォーカス値との相関に関する情報を予め記憶して
おき、その情報に基づいて現時点のマスクに対する最適
フォーカス値を求めてもよい。この場合、例えば、複数
のマスクに対して実施したフォーカス計測の結果から、
上述した相関に関する情報を作成して記憶しておき、記
憶された情報の中から、現時点のマスクのコントラスト
値に最も近いコントラスト値を選び、そのコントラスト
値に対応するフォーカス値を求めるとよい。これによ
り、短時間で容易に最適フォーカス値を求めることがで
きる。
The remeasurement of the focus value is performed in the same procedure as in the preparatory operation, that is, the mask mark is imaged by the alignment microscope while changing the focus position of the alignment microscope at a constant interval, and the contrast value of the image is changed. This can be done by finding the maximum focus position (optimum focus value). Alternatively, information about the correlation between the contrast value and the optimum focus value may be stored in advance and the optimum focus value for the current mask may be obtained based on the information. In this case, for example, from the results of focus measurement performed on multiple masks,
It is preferable to create and store the information on the above-mentioned correlation, select the contrast value closest to the contrast value of the current mask from the stored information, and obtain the focus value corresponding to the contrast value. Thereby, the optimum focus value can be easily obtained in a short time.

【0045】以上、添付図面を参照しながら本発明に係
る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に
限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内におい
て、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明ら
かであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。
Although the preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments. If you are a person skilled in the art,
It is clear that various changes or modifications can be conceived within the scope of the technical idea described in the claims, and it is understood that they naturally belong to the technical scope of the present invention. It

【0046】また、本発明の露光装置としては、例え
ば、露光用照明光に対してマスクと感光基板とをそれぞ
れ相対移動させる走査露光方式(例えば、ステップ・ア
ンド・スキャン方式など)、マスクと基板とをほぼ静止
させた状態でマスクのパターンを基板上に転写する静止
露光方式(例えばステップ・アンド・リピート方式な
ど)に適用できる。さらに、感光基板上で周辺部が重な
る複数のショット領域にそれぞれパターンを転写するス
テップ・アンド・スティッチ方式の露光装置などに対し
ても本発明を適用できる。また、投影光学系PLは縮小
系、等倍系、及び拡大系のいずれでもよいし、屈折系、
反射屈折系、及び反射系のいずれでもよい。さらに、投
影光学系を用いない、例えばプロキシミティ方式の露光
装置などに対しても本発明を適用できる。
The exposure apparatus of the present invention may be, for example, a scanning exposure system (for example, step-and-scan system) in which the mask and the photosensitive substrate are moved relative to the exposure illumination light, a mask and a substrate. It can be applied to a static exposure method (for example, a step-and-repeat method) in which a mask pattern is transferred onto a substrate in a state where and are almost stationary. Furthermore, the present invention can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus that transfers a pattern to each of a plurality of shot areas whose peripheral portions overlap on the photosensitive substrate. Further, the projection optical system PL may be any of a reduction system, a unity magnification system, and a magnification system.
Either a catadioptric system or a catoptric system may be used. Furthermore, the present invention can be applied to, for example, a proximity type exposure apparatus that does not use a projection optical system.

【0047】また、本発明が適用される露光装置は、露
光用照明光として、g線、i線、KrFエキシマレーザ
光、ArFエキシマレーザ光、F2 レーザ光、及びA
r2レーザ光などの紫外光を用いることができる。ま
た、例えばEUV光、X線、あるいは電子線やイオンビ
ームなどの荷電粒子線などを用いてもよい。しかも、露
光用光源は水銀ランプやエキシマレーザだけでなく、Y
AGレーザ又は半導体レーザなどの高調波発生装置、S
OR、レーザプラズマ光源、電子銃などでもよい。
In the exposure apparatus to which the present invention is applied, g-line, i-line, KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, F2 laser light, and A are used as exposure illumination light.
Ultraviolet light such as r2 laser light can be used. Further, for example, EUV light, X-ray, or charged particle beam such as electron beam or ion beam may be used. Moreover, the light source for exposure is not limited to the mercury lamp and the excimer laser,
Harmonic generator such as AG laser or semiconductor laser, S
An OR, a laser plasma light source, an electron gun or the like may be used.

【0048】また、本発明が適用される露光装置は、半
導体素子、液晶表示素子、ディスプレイ装置、薄膜磁気
ヘッド、撮像素子(CCDなど)、マイクロマシン、及
びDNAチップなどのマイクロデバイス(電子デバイ
ス)製造用、露光装置で用いられるフォトマスクやレチ
クルの製造用などに用いることができる。
The exposure apparatus to which the present invention is applied is a semiconductor device, a liquid crystal display device, a display device, a thin film magnetic head, an image pickup device (CCD or the like), a micromachine, or a microdevice (electronic device) such as a DNA chip. Can be used for manufacturing a photomask or reticle used in an exposure apparatus.

【0049】また、上述した基板ステージやマスクステ
ージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを
用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタン
ス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。ま
た、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもい
いし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。さ
らに、ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場
合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットのいず
れか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユ
ニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設けれ
ばよい。
When a linear motor is used for the substrate stage or mask stage described above, either an air levitation type using an air bearing or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. Further, the stage may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not have a guide. Further, when a flat motor is used as a drive device for the stage, one of the magnet unit (permanent magnet) and the armature unit is connected to the stage, and the other of the magnet unit and the armature unit is connected to the moving surface side of the stage ( Base).

【0050】また、基板ステージの移動により発生する
反力は、特開平8−166475号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。
The reaction force generated by the movement of the substrate stage may be mechanically released to the floor (ground) by using a frame member, as described in JP-A-8-166475. The present invention can also be applied to an exposure apparatus having such a structure.

【0051】また、マスクステージの移動により発生す
る反力は、特開平8−330224号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。
The reaction force generated by the movement of the mask stage is mechanically fixed to the floor (ground) by using a frame member, as described in JP-A-8-330224.
You may let me escape. The present invention can also be applied to an exposure apparatus having such a structure.

【0052】また、本発明が適用される露光装置は、本
願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サ
ブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的
精度を保つように、組み立てることで製造される。これ
ら各種精度を確保するために、この組み立ての前後に
は、各種光学系については光学的精度を達成するための
調整、各種機械系については機械的精度を達成するため
の調整、各種電気系については電気的精度を達成するた
めの調整が行われる。各種サブシステムから露光装置へ
の組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接
続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含ま
れる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て
工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程がある
ことはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置へ
の組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光
装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装
置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリー
ンルームで行うことが望ましい。
In the exposure apparatus to which the present invention is applied, various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application are provided so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. It is manufactured by assembling. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical precision for various optical systems, adjustments to achieve mechanical precision for various mechanical systems, and various electrical systems to ensure these various types of precision are made. Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, air pressure circuit pipe connection, and the like between the various subsystems. It goes without saying that there is an individual assembly process for each subsystem before the assembly process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies of the exposure apparatus as a whole. It is desirable that the exposure apparatus be manufactured in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.

【0053】また、半導体素子や液晶素子などのデバイ
スは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計
ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する工
程、感光基板となる基板を製造する工程、前述した露光
装置によりマスクのパターンを感光基板に露光する基板
処理工程、デバイス組み立て工程(ダイシング工程、ボ
ンディング工程、パッケージ工程等を含む)、検査工程
等を経て製造される。
For devices such as semiconductor devices and liquid crystal devices, the process of designing the function / performance of the device, the process of producing a mask (reticle) based on this design step, the process of producing a substrate to be a photosensitive substrate, It is manufactured through the substrate processing step of exposing the mask pattern onto the photosensitive substrate by the above-described exposure apparatus, the device assembly step (including the dicing step, the bonding step, the packaging step, etc.), the inspection step and the like.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のマスクに
よれば、同一パターンのマスク同士の識別を可能とす
る。そのため、精度よく露光処理を行うのに好適であ
る。また、本発明の露光方法、露光装置、及びデバイス
製造方法によれば、同一パターンのマスク同士を識別
し、マスクのセットアップの短縮及び精度よく露光処理
を行うことができる。
As described above, according to the mask of the present invention, masks having the same pattern can be discriminated from each other. Therefore, it is suitable for accurately performing the exposure process. Further, according to the exposure method, the exposure apparatus, and the device manufacturing method of the present invention, masks having the same pattern can be identified, and mask setup can be shortened and exposure processing can be performed accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明のマスクの実施形態の一例を示す平面
図である。
FIG. 1 is a plan view showing an example of an embodiment of a mask of the present invention.

【図2】 本発明の露光装置の実施形態の一例の全体構
成を概略的に示す図である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing an overall configuration of an example of an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.

【図3】 マスクの識別コードとレシピとの関係の一例
を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a relationship between a mask identification code and a recipe.

【図4】 本発明の露光方法の一例を示すフローチャー
ト図である。
FIG. 4 is a flowchart showing an example of the exposure method of the present invention.

【図5】 本発明の露光方法の他の例を示すフローチャ
ート図である。
FIG. 5 is a flowchart showing another example of the exposure method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

M マスク P 感光基板(基板) 11 パターン 12 マスクマーク 13 識別コード 15 第1コード 16 第2コード 20 露光装置 25 識別コード読取り部(識別コード読取り手段) 26 露光装置本体 27 制御装置(レシピ供給手段) 33 アライメント顕微鏡(観察系) M mask P photosensitive substrate (substrate) 11 patterns 12 Mask mark 13 identification code 15 First Code 16 second code 20 Exposure equipment 25 Identification Code Reading Section (Identification Code Reading Means) 26 Exposure system body 27 Control device (recipe supply means) 33 Alignment microscope (observation system)

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路パターンの原画となるパターンと、
前記パターンを識別する識別コードとが形成されたマス
クであって、 前記識別コードは、前記パターンに対応した固有の第1
コードと、同一の前記パターンが形成された複数のマス
クを識別するための第2コードとを含むことを特徴とす
るマスク。
1. A pattern serving as an original image of a circuit pattern,
A mask formed with an identification code for identifying the pattern, wherein the identification code is a first unique peculiar to the pattern.
A mask comprising: a code; and a second code for identifying a plurality of masks having the same pattern.
【請求項2】 前記複数のマスクは、前記パターンと前
記第1コードとともに、前記第2コードとを合成して描
画されたパターンであることを特徴とする請求項1に記
載のマスク。
2. The mask according to claim 1, wherein the plurality of masks are patterns drawn by combining the pattern and the first code with the second code.
【請求項3】 マスクに形成されたパターンを感光基板
上に転写する露光方法であって、 前記マスクには、前記パターンに対応した固有の第1コ
ードと、同一の前記パターンが形成された複数のマスク
を識別するための第2コードとを含む識別コードが形成
され、 前記識別コード毎に、所定の処理条件を含むレシピを個
別に用意することを特徴とする露光方法。
3. An exposure method for transferring a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, wherein a plurality of unique first codes corresponding to the pattern and the same pattern are formed on the mask. And an identification code including a second code for identifying the mask, and a recipe including a predetermined processing condition is individually prepared for each identification code.
【請求項4】 前記マスクの前記識別コードに対応する
レシピの作成に際しては、前記識別コードに含まれる前
記第1コードに対応するいずれかのレシピを用いて、該
マスクに適合するレシピを作成することを特徴とする請
求項3に記載の露光方法。
4. When creating a recipe corresponding to the identification code of the mask, any recipe corresponding to the first code included in the identification code is used to create a recipe that matches the mask. The exposure method according to claim 3, wherein:
【請求項5】 前記レシピは、同一パターンが形成され
たマスクの間で共通の処理条件と、マスクの個体差に応
じて定められる個別の処理条件とを含むことを特徴とす
る請求項3または請求項4に記載の露光方法。
5. The method according to claim 3, wherein the recipe includes processing conditions common to masks on which the same pattern is formed and individual processing conditions determined according to individual differences of the masks. The exposure method according to claim 4.
【請求項6】 マスクに形成された第1マークと、感光
基板に形成された第2マークとを所定の条件で撮像し、
該撮像結果に基づいて前記マスクに対し相対的に位置決
めされた前記感光基板上に、前記マスクに形成されたパ
ターンを転写する露光方法であって、 前記第1マークを撮像した画像のコントラスト値に基づ
いて、前記マスクと前記所定の条件との適合を判断する
ことを特徴とする露光方法。
6. The first mark formed on the mask and the second mark formed on the photosensitive substrate are imaged under predetermined conditions,
An exposure method for transferring a pattern formed on the mask onto the photosensitive substrate positioned relative to the mask based on the result of the imaging, wherein the contrast value of the image of the first mark is An exposure method, characterized in that the matching between the mask and the predetermined condition is determined based on the above.
【請求項7】 前記所定の条件は、前記第1マークを撮
像する観察系(33)の焦点位置を調整するためのパラ
メータを含むことを特徴とする請求項6に記載の露光方
法。
7. The exposure method according to claim 6, wherein the predetermined condition includes a parameter for adjusting a focus position of an observation system (33) for imaging the first mark.
【請求項8】 前記コントラスト値と前記所定の条件と
の相関に関する情報を予め記憶し、 前記所定の条件と前記マスクとの適合が充分でない場
合、前記コントラスト値の計測結果と前記情報とに基づ
いて、前記所定の条件を変更することを特徴とする請求
項6または請求項7に記載の露光方法。
8. Information on the correlation between the contrast value and the predetermined condition is stored in advance, and when the predetermined condition and the mask are not sufficiently matched, based on the measurement result of the contrast value and the information. The exposure method according to claim 6, wherein the predetermined condition is changed.
【請求項9】 請求項3から請求項8のうちいずれか1
項に記載の露光方法を用いて、前記マスクに形成された
デバイスパターンを前記感光基板上に転写する工程を含
むことを特徴とするデバイス製造方法。
9. Any one of claims 3 to 8
A method of manufacturing a device, comprising the step of transferring the device pattern formed on the mask onto the photosensitive substrate by using the exposure method described in the item 1.
【請求項10】 レシピに基づいて、マスクに形成され
たパターンを感光基板上に転写する露光装置であって、 前記マスクには、同一パターンが形成されたマスク間で
共通の第1コードと、前記同一パターンが形成された複
数のマスクを識別するための第2コードとを含む識別コ
ードが形成され、 前記マスクに形成された前記識別コードを読取る識別コ
ード読取り手段と、 前記識別コード毎に、所定の処理条件を含むレシピを個
別に用意するレシピ供給手段とを有することを特徴とす
る露光装置。
10. An exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate based on a recipe, wherein the mask has a first code common to the masks on which the same pattern is formed, An identification code including a second code for identifying a plurality of masks on which the same pattern is formed, identification code reading means for reading the identification code formed on the mask, and for each identification code, An exposure apparatus comprising: a recipe supply unit that individually prepares a recipe including a predetermined processing condition.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158776A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Nuflare Technology Inc Drawing apparatus and drawing method
CN101354528B (en) * 2007-07-26 2011-01-12 晶元光电股份有限公司 Mask and related photo-etching method
JP2011124400A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Dainippon Printing Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2012242576A (en) * 2011-05-19 2012-12-10 V Technology Co Ltd Photomask and exposure device
WO2015000263A1 (en) * 2013-07-04 2015-01-08 京东方科技集团股份有限公司 Exposure device and exposure method thereof
CN106773520A (en) * 2016-12-30 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 A kind of mask plate, controller and the method for entering Mobile state stamp using mask plate
CN107045258A (en) * 2017-03-01 2017-08-15 深圳市科利德光电材料股份有限公司 A kind of light shield and the method encoded using the light shield in product surface making date

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101354528B (en) * 2007-07-26 2011-01-12 晶元光电股份有限公司 Mask and related photo-etching method
JP2009158776A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Nuflare Technology Inc Drawing apparatus and drawing method
US8653487B2 (en) 2007-12-27 2014-02-18 Nuflare Technology, Inc. Lithography apparatus and lithography method
JP2011124400A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Dainippon Printing Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2012242576A (en) * 2011-05-19 2012-12-10 V Technology Co Ltd Photomask and exposure device
WO2015000263A1 (en) * 2013-07-04 2015-01-08 京东方科技集团股份有限公司 Exposure device and exposure method thereof
CN106773520A (en) * 2016-12-30 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 A kind of mask plate, controller and the method for entering Mobile state stamp using mask plate
CN107045258A (en) * 2017-03-01 2017-08-15 深圳市科利德光电材料股份有限公司 A kind of light shield and the method encoded using the light shield in product surface making date

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