JP2003109947A - Etching device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング装置、
特に、半導体や電子部品等の製造工程に用いられる誘導
結合型プラズマ源を持つエッチング装置に関するもので
ある。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an etching apparatus,
In particular, the present invention relates to an etching apparatus having an inductively coupled plasma source used in the manufacturing process of semiconductors, electronic parts and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の誘導結合型プラズマ源を持つエッ
チング装置では、導入されたガス分子がプラズマ分解さ
れて分解物がチャンバー内壁部へ付着することや、エッ
チング生成物が内壁部へ付着することが問題となってい
た。このため、チャンバー全体を高温に制御したり、壁
面に加熱防着板を設けるなどして付着を防いでいた。ま
た、誘導結合型プラズマ源を持つエッチング装置とし
て、例えば、以下述べるような磁気中性線放電エッチン
グ装置が提案されている（特開平７−２６３１９２号公
報、特開平１０−３１７１７３号公報、及び特願２００
１−１４９８２５参照）。2. Description of the Related Art In a conventional etching apparatus having an inductively coupled plasma source, introduced gas molecules are plasma-decomposed and a decomposition product adheres to the inner wall of the chamber, or an etching product adheres to the inner wall. Was a problem. Therefore, adhesion is prevented by controlling the temperature of the entire chamber to a high temperature or by providing a heat-prevention plate on the wall surface. Further, as an etching apparatus having an inductively coupled plasma source, for example, a magnetic neutral line discharge etching apparatus as described below has been proposed (JP-A-7-263192, JP-A-10-317173, and JP-A-10-317173). Wish 200
1-149825).
【０００３】図１に、特開平７−２６３１９２号公報記
載の磁気中性線放電エッチング装置の概略の構成を模式
的に示す。図１に示すように、このエッチング装置は、
真空チャンバー１を有し、その上部は誘電体円筒状壁に
より形成されたプラズマ発生部２であり、下部は基板電
極部３である。プラズマ発生部２の壁（誘電体側壁）の
外側に設けられた三つの磁場コイル４、５及び６によっ
て、プラズマ発生部２内に環状磁気中性線７が形成され
る。中間の磁場コイル５と誘電体側壁の外側との間には
プラズマ発生用高周波アンテナコイル８が配置され、こ
の高周波アンテナコイル８は、高周波電源９に接続さ
れ、三つの磁場コイル４、５、６によって形成された磁
気中性線７に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に
放電プラズマを発生するように構成されている。FIG. 1 schematically shows a schematic structure of a magnetic neutral line discharge etching apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-263192. As shown in FIG. 1, this etching apparatus
A vacuum chamber 1 is provided, an upper portion thereof is a plasma generating portion 2 formed by a dielectric cylindrical wall, and a lower portion thereof is a substrate electrode portion 3. An annular magnetic neutral wire 7 is formed in the plasma generating part 2 by the three magnetic field coils 4, 5 and 6 provided outside the wall (dielectric side wall) of the plasma generating part 2. A high frequency antenna coil 8 for plasma generation is arranged between the intermediate magnetic field coil 5 and the outside of the side wall of the dielectric. The high frequency antenna coil 8 is connected to a high frequency power supply 9 and three magnetic field coils 4, 5, 6 are connected. An alternating electric field is applied along the magnetic neutral line 7 formed by to generate a discharge plasma in the magnetic neutral line.
【０００４】磁気中性線７の作る面と平行して下部の基
板電極部３内には基板電極１０が絶縁体部材１１を介し
て設けられている。この基板電極１０は、ブロッキング
コンデンサー１２を介して高周波バイアス電力を印加す
る高周波電源１３に接続され、ブロッキングコンデンサ
ー１２によって電位的に浮遊電極になっており、負のバ
イアス電位となる。また、プラズマ発生部２の天板１４
は誘電体側壁の上部フランジに密封固着され、対向電極
を形成している。プラズマ発生部２には、真空チャンバ
ー１内ヘエツチングガスを導入するガス導入口１５が設
けられ、このガス導入口１５は、図示していないが、ガ
ス供給路及びエッチングガスの流量を制御するガス流量
制御装置を介してエッチングガス供給源に接続されてい
る。基板電極部３には排気口１６が設けられている。A substrate electrode 10 is provided in the lower substrate electrode portion 3 in parallel with a surface formed by the magnetic neutral wire 7 with an insulator member 11 interposed therebetween. The substrate electrode 10 is connected to a high frequency power source 13 that applies high frequency bias power via a blocking capacitor 12, and the blocking capacitor 12 serves as a floating electrode in potential, and has a negative bias potential. In addition, the top plate 14 of the plasma generator 2
Is hermetically fixed to the upper flange of the dielectric side wall to form a counter electrode. The plasma generating unit 2 is provided with a gas inlet 15 for introducing the etching gas in the vacuum chamber 1. The gas inlet 15 is a gas for controlling the gas supply path and the flow rate of the etching gas, although not shown. It is connected to an etching gas supply source via a flow rate control device. The substrate electrode part 3 is provided with an exhaust port 16.
【０００５】特開平１０−３１７１７３号公報記載の磁
気中性線放電エッチング装置は、図１に示すエッチング
装置の構成に、さらに、天板を絶縁体を介してプラズマ
発生部の側壁（誘電体側壁）の上部フランジに密封固着
して、基板電極１０と対向する位置に設置し、この天板
１４にコンデンサーを介して高周波バイアス電源を接続
し、天板に対して弱い高周波バイアスを印加できるよう
に構成された３周波放電方式に係るものである。この対
向電極としての天板は浮遊電極として機能する。このよ
うに対向電極、基板電極及びプラズマ発生用アンテナコ
イルに高周波電力を印加するように構成されている。The magnetic neutral line discharge etching apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-317173 has the same structure as that of the etching apparatus shown in FIG. ) Is hermetically fixed to the upper flange of) and is installed at a position facing the substrate electrode 10, and a high frequency bias power source is connected to the top plate 14 via a capacitor so that a weak high frequency bias can be applied to the top plate. This is related to the configured three-frequency discharge method. The top plate as the counter electrode functions as a floating electrode. In this way, high frequency power is applied to the counter electrode, the substrate electrode and the plasma generating antenna coil.
【０００６】図２に、特願２００１−１４９８２５記載
の磁気中性線放電エッチング装置の概略の構成を模式的
に示す。図中、図１の従来例と同一名称の要素には同一
符号を付し、その詳細な説明は省略する。図２に示すエ
ッチング装置は、上記３周波放電方式の改良型である２
周波放電方式である。このエッチング装置では、基板電
極１０と対向する位置に設けた接地電極を誘電体により
電位的に浮遊状態とした対向電極として構成し、この対
向電極（天板１４）に対して弱い高周波バイアス電力が
印加できるように構成されている。プラズマ発生用高周
波電源９から誘導放電を発生させる高周波アンテナコイ
ル８へ至る給電路の途中の任意の位置に分岐路を設け、
この分岐路に設けたコンデンサーを介して誘導放電用高
周波電力の一部を対向電極に分岐印加し、対向電極に自
己バイアスを発生させるように構成されている。この対
向電極としての天板は浮遊電極として機能する。FIG. 2 schematically shows a schematic structure of a magnetic neutral line discharge etching apparatus described in Japanese Patent Application No. 2001-149825. In the figure, elements having the same names as those in the conventional example of FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The etching apparatus shown in FIG. 2 is an improved type of the above three-frequency discharge method.
It is a frequency discharge method. In this etching apparatus, a ground electrode provided at a position facing the substrate electrode 10 is configured as a counter electrode which is electrically floating by a dielectric, and a weak high frequency bias power is applied to the counter electrode (top plate 14). It is configured so that it can be applied. A branch path is provided at an arbitrary position along the power supply path from the high-frequency power source 9 for plasma generation to the high-frequency antenna coil 8 for generating inductive discharge,
A part of the high frequency power for inductive discharge is branched and applied to the counter electrode via a capacitor provided in this branch path to generate a self-bias in the counter electrode. The top plate as the counter electrode functions as a floating electrode.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の場合、
真空室全体をオープン様にして加熱し、全体を高温に制
御する方式は、大がかりであり、消費電力も大きいとい
う問題がある。また、加熱防着板方式は、防着板を膜付
着の比較的多いところに取付けて行われるが、時間とと
もに防着板への付着膜が厚くなり、やがて剥離してダス
トの原因となる。従って、定期的に防着板を取り外して
洗浄することが必要となる。特開平７−２６３１９２号
公報記載の磁気中性線放電エッチング装置（図１）の場
合、ハロゲン系のエッチングガスを用いて微細な構造を
持つレジストパターンのエッチングに適用すると、長時
間のエッチングにより天板内壁面に付着した膜の剥離が
起こり、ダストが発生するという不都合があった。In the case of the above prior art,
The method of heating the entire vacuum chamber so as to open it and controlling the temperature to a high temperature is large-scale and consumes a large amount of power. In addition, the heat-prevention plate method is performed by attaching the adhesion-preventing plate to a place where film adhesion is relatively large, but the film adhered to the adhesion-preventing plate becomes thick with time, and eventually peels off to cause dust. Therefore, it is necessary to periodically remove the deposition preventive plate and wash it. In the case of the magnetic neutral line discharge etching apparatus described in JP-A-7-263192 (FIG. 1), when it is applied to the etching of a resist pattern having a fine structure by using a halogen-based etching gas, the etching is performed for a long time due to the etching. There is a disadvantage that the film adhered to the inner wall surface of the plate is peeled off and dust is generated.
【０００８】上記問題を解決するために提案された特開
平１０−３１７１７３号公報記載の磁気中性線放電エッ
チング装置の場合、真空チャンバー内壁への好ましくな
い膜付着が最小に抑えられ、天板内壁部からのダスト発
生も抑制され、また、マスクのエッチング耐性も向上す
る。しかし、三つの高周波電源が必要であり、高価にな
るというだけでなく、対向電極（浮遊電極）と誘導コイ
ルとが近接しているために、これらに印加する高周波電
場が互いに干渉するという問題も生じる。また、高周波
アンテナコイルに接続された高周波電源からの給電路を
分岐し、この分岐路に設けたコンデンサーを介して天板
（浮遊電極）又はアンテナコイルの内側に設置されたフ
ァラディーシールド様浮遊電極に高周波電力を分割印加
する場合、安価に出来るものの、電力の供給がコンデン
サーの容量とアンテナコイル電力に依存するため、充分
制御できるものではなかった。In the case of the magnetic neutral line discharge etching apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-317173, which is proposed to solve the above-mentioned problems, undesirable film deposition on the inner wall of the vacuum chamber is minimized, and the inner wall of the top plate is suppressed. Generation of dust from the portion is suppressed, and the etching resistance of the mask is also improved. However, not only is it necessary to use three high-frequency power supplies, which is expensive, but also the problem that the high-frequency electric fields applied to these electrodes interfere with each other because the counter electrode (floating electrode) and the induction coil are close to each other. Occurs. In addition, the power supply path from the high-frequency power source connected to the high-frequency antenna coil is branched, and the Faraday shield-like floating electrode installed inside the top plate (floating electrode) or the antenna coil via the condenser provided in this branch path. When high-frequency power is applied in a divided manner, the cost can be reduced, but the supply of power depends on the capacity of the capacitor and the power of the antenna coil, so that it cannot be controlled sufficiently.
【０００９】これらの問題を解決するために提案された
特願２００１−１４９８２５記載の磁気中性線放電プラ
ズマエッチング装置（図２）では、ダストの発生が抑制
されると共に、マスクのエッチング耐性も向上し、３０
〜４０μｍにも及ぶ石英の深溝エッチングが可能にな
る。しかし、アンテナコイル電力を増減させると、天板
（対向電極）に印加される高周波電力も増減してしまう
という不具合があった。天板に付着した膜をスパッタ除
去するには、ある値以上の高周波電圧が印加されている
ことが必要である。しかし、この電圧が高すぎると、マ
スクの耐性は向上するが、スパッタ効果が強すぎるため
にエッチ部にもスパッタされた物質が飛来するので、エ
ッチングを抑制してしまい、エッチ速度を減少させてし
まうという問題がある。In the magnetic neutral line discharge plasma etching apparatus (FIG. 2) described in Japanese Patent Application No. 2001-149825 proposed to solve these problems, generation of dust is suppressed and the etching resistance of the mask is improved. And then 30
It enables deep groove etching of quartz up to -40 μm. However, when the antenna coil power is increased or decreased, the high frequency power applied to the top plate (counter electrode) also increases or decreases. In order to remove the film adhering to the top plate by sputtering, it is necessary to apply a high frequency voltage of a certain value or higher. However, if this voltage is too high, the resistance of the mask is improved, but since the sputter effect is too strong, the sputtered material will fly to the etched part as well, thus suppressing the etching and reducing the etching rate. There is a problem that it ends up.
【００１０】本発明の課題は、上記従来技術の問題点を
解決することにあり、構造が簡単な安価な２周波型放電
方式のエッチング装置であって、印加する高周波電場が
互いに干渉するという問題を伴わずに、高効率のプラズ
マを形成することができ、また、所定電圧値の高周波電
圧を印加することができるように構成され、マスクの耐
性を向上させると共に良好なエッチ速度を達成すること
ができるエッチング装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an inexpensive dual frequency discharge type etching apparatus having a simple structure, in which high frequency electric fields to be applied interfere with each other. It is possible to form a high-efficiency plasma and to apply a high-frequency voltage having a predetermined voltage value without the need to improve the resistance of the mask and achieve a good etching rate. It is to provide an etching apparatus capable of
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング装置
は、真空チャンバー内の上部にプラズマ発生部、下部に
基板電極部を設け、誘電体で構成されたプラズマ発生部
側壁の外側に高周波電源に接続されたプラズマ発生用高
周波アンテナコイルを設け、該基板電極部には別の高周
波電源に接続されて高周波バイアス電力が印加される基
板電極を設け、この基板電極に対向させて該プラズマ発
生部内に対向電極を設けてなるエッチング装置におい
て、該対向電極は該プラズマ発生部側壁の上部フランジ
に絶縁体を介して密封固着され、電位的に浮遊状態とし
て構成された浮遊電極であり、該アンテナコイルとその
高周波電源との間の給電路の途中に分岐路を設けて、こ
の分岐路に設けた可変コンデンサーを介して該浮遊電極
に高周波電力の一部が印加されるように構成し、そし
て、該浮遊電極に印加される高周波電圧をモニターし、
この高周波電圧を一定に制御する機構を設けたものであ
る。According to the etching apparatus of the present invention, a plasma generating part is provided in an upper part of a vacuum chamber and a substrate electrode part is provided in a lower part, and a high frequency power source is provided outside a side wall of the plasma generating part made of a dielectric material. A connected plasma generation high-frequency antenna coil is provided, and a substrate electrode connected to another high-frequency power source and to which high-frequency bias power is applied is provided in the substrate electrode section, and the substrate electrode is opposed to the inside of the plasma generation section. In an etching apparatus provided with a counter electrode, the counter electrode is a floating electrode that is hermetically fixed to an upper flange of a side wall of the plasma generation unit via an insulator, and is in a floating state in terms of potential. A branch path is provided in the middle of the power supply path to the high frequency power source, and a part of the high frequency power is supplied to the floating electrode through the variable capacitor provided in the branch path. Configured to be applied, and to monitor the high-frequency voltage applied to the floating electrode,
A mechanism for controlling the high frequency voltage to be constant is provided.
【００１２】このアンテナコイルの外側に磁場コイルを
設け、この磁場コイルによってプラズマ発生部内に形成
された環状磁気中性線に沿って交番電場が印加され、該
磁気中性線に放電プラズマを発生せしめるように構成さ
れていても良い。上記制御機構は、高周波電源から浮遊
電極に印加される電圧を測定する高周波電圧測定回路、
この高周波を直流に変換する検波回路及び設定電圧値と
の差を検出するＤＣ差動増幅回路、並びに該設定電圧値
になるように可変コンデンサーを動かすモーター駆動回
路を有し、該浮遊電極に該電圧測定回路が接続され、該
電圧測定回路に該検波／ＤＣ差動増幅回路が接続され、
また、該検波／ＤＣ差動増幅回路に該モーター駆動回路
が接続されて可変コンデンサーに組み込まれ、該可変コ
ンデンサーにより高周波電圧を一定に制御するように構
成されている。A magnetic field coil is provided outside the antenna coil, and an alternating electric field is applied by the magnetic field coil along an annular magnetic neutral wire formed in the plasma generating portion to generate discharge plasma in the magnetic neutral wire. It may be configured as follows. The control mechanism is a high frequency voltage measuring circuit for measuring the voltage applied to the floating electrode from the high frequency power source,
A detection circuit for converting this high frequency into a direct current, a DC differential amplifier circuit for detecting a difference from a set voltage value, and a motor drive circuit for moving a variable capacitor so that the set voltage value is obtained, and the floating electrode is provided with A voltage measurement circuit is connected, the detection / DC differential amplifier circuit is connected to the voltage measurement circuit,
Further, the motor drive circuit is connected to the detection / DC differential amplifier circuit and built in a variable capacitor, and the high frequency voltage is controlled to be constant by the variable capacitor.
【００１３】本発明の別のエッチング装置は、真空チャ
ンバー内の上部にプラズマ発生部、下部に基板電極部を
設け、誘電体で構成されたプラズマ発生部側壁の外側に
高周波電源に接続されたプラズマ発生用高周波アンテナ
コイルを設け、該基板電極部には別の高周波電源に接続
されて高周波バイアス電力が印加される基板電極を設け
てなるエッチング装置において、該アンテナコイルの内
側にファラディシールド又は静電場シールド様浮遊電極
を設置し、該アンテナコイルとその高周波電源との間の
給電路の途中に分岐路を設けて、この分岐路に設けた可
変コンデンサーを介して該浮遊電極に高周波電力の一部
が分岐印加されるように構成し、そして、該浮遊電極に
印加される高周波電圧をモニターし、この高周波電圧を
一定に制御する機構を設けたものである。このエッチン
グ装置の場合も、プラズマ発生用高周波アンテナコイル
の外側にさらに磁場コイルを設けても良く、また、制御
機構は、上記と同様に、高周波電圧測定回路、検波回路
及びＤＣ差動増幅回路、並びにモーター駆動回路を有す
るものである。According to another etching apparatus of the present invention, a plasma generating part is provided in an upper part of a vacuum chamber, a substrate electrode part is provided in a lower part, and a plasma connected to a high frequency power source is provided outside a side wall of the plasma generating part made of a dielectric material. A high frequency antenna coil for generation is provided, and a substrate electrode connected to another high frequency power source and having a high frequency bias power applied to the substrate electrode section is provided in an etching apparatus, and a Faraday shield or an electrostatic field is provided inside the antenna coil. A shield-like floating electrode is installed, a branch path is provided in the middle of the power feeding path between the antenna coil and the high-frequency power source, and a part of high-frequency power is supplied to the floating electrode via a variable capacitor provided in this branch path. Is configured to be applied in a branched manner, and the high frequency voltage applied to the floating electrode is monitored, and the high frequency voltage is controlled to be constant. In which the provided. Also in the case of this etching device, a magnetic field coil may be further provided outside the high frequency antenna coil for plasma generation, and the control mechanism has a high frequency voltage measurement circuit, a detection circuit and a DC differential amplifier circuit, as in the above. It also has a motor drive circuit.
【００１４】上記のように構成されたエッチング装置に
よれば、対向電極用として別個に高周波電源を設ける必
要がなくなり、装置の構造を簡素化でき、安価となるだ
けでなく、印加する高周波電場が互いに干渉するという
問題を伴わずに、高効率のプラズマを形成することがで
きる。また、対向電極に所定電圧値の高周波を浮遊電極
に印加することができるので、マスクの耐性を向上させ
ると共に、良好なエッチ速度を達成することができる。
また、ガスのプラズマ分解によって生成された物質が壁
面に付着し、やがて剥離してダストとして基板表面に落
ちてくることがＩＣＰプラズマ源やＥＣＲプラズマ源で
は問題となっていたが、基板上方に浮遊状態の対向電極
を設け、この対向電極に高周波電力を印加することによ
って、プラズマ中のイオンが絶えず対向電極表面をスパ
ッタするので、膜の付着が抑えられてダスト発生を抑制
できるだけでなく、天板すなわち対向電極内面に付着し
重合した膜をスパッタするので、エッチャントを生成す
るという副次的な効果も期待できる。According to the etching apparatus configured as described above, it is not necessary to separately provide a high-frequency power source for the counter electrode, the structure of the apparatus can be simplified, the cost is low, and the high-frequency electric field to be applied is not required. Highly efficient plasmas can be formed without the problem of interfering with each other. Further, since a high frequency having a predetermined voltage value can be applied to the floating electrode to the counter electrode, it is possible to improve the resistance of the mask and achieve a good etching rate.
Further, it has been a problem in the ICP plasma source and the ECR plasma source that a substance generated by plasma decomposition of gas adheres to the wall surface, and eventually peels off to fall on the substrate surface as dust, but it floats above the substrate. By providing a counter electrode in this state and applying high-frequency power to this counter electrode, ions in the plasma constantly sputter the counter electrode surface, so that adhesion of the film can be suppressed and dust generation can be suppressed. That is, since the film deposited and polymerized on the inner surface of the counter electrode is sputtered, a secondary effect of generating an etchant can be expected.
【００１５】上記したように、対向電極に高周波電力を
印加し、対向電極に負のバイアスが発生するように構成
されているので、対向電極は常に正イオンによって衝撃
されるようになる。その結果、従来の天板を接地電位に
していた構成のものに比べて、天板への膜付着が抑えら
れ、天板からのダスト発生が抑制される。さらにまた、
ＳｉやＷＳｉ等の金属で構成された天板を用いることに
より、ＳｉＦｘやＷＦｘなどの物質を発生させ、これら
の物質をマスク上に堆積させて、マスクの消耗を抑える
こともでき、深溝のエッチングが可能となる。As described above, since high frequency power is applied to the counter electrode so that a negative bias is generated in the counter electrode, the counter electrode is always bombarded with positive ions. As a result, as compared with the conventional structure in which the top plate is set to the ground potential, the film adhesion to the top plate is suppressed and the dust generation from the top plate is suppressed. Furthermore,
By using a top plate made of a metal such as Si or WSi, substances such as SiFx and WFx are generated, and these substances can be deposited on the mask to suppress the consumption of the mask. Is possible.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明は、誘導結合放電プラズマ
エッチング装置に対して適用されるものであるが、説明
の都合上、図３及び４に概略の構成を模式的に示す磁気
中性線放電エッチング装置を例にとり、本発明の実施の
形態を説明する。図中、図１及び２の従来例と同一の要
素には同一符号を付す。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is applied to an inductively coupled discharge plasma etching apparatus, but for convenience of explanation, a magnetic neutral wire whose schematic configuration is schematically shown in FIGS. An embodiment of the present invention will be described by taking a discharge etching apparatus as an example. In the figure, the same elements as those of the conventional example of FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals.
【００１７】図３に示すように、このエッチング装置
は、誘導結合放電用アンテナコイルに接続された高周波
電源の給電路を分岐し、可変コンデンサを介して、電位
的に浮遊状態にある天板（対向電極）に高周波電力の一
部を供給できるように構成した２周波型放電方式の装置
である。このエッチング装置は、真空チャンバー１を有
し、その上部は誘電体円筒状壁により形成されたプラズ
マ発生部２であり、下部は基板電極部３である。プラズ
マ発生部２の壁（誘電体側壁）の外側に設けられた三つ
の磁場コイル４、５及び６を設け、この磁場コイルによ
ってプラズマ発生部２内に環状磁気中性線７が形成され
るようになっている。中間の磁場コイル５と誘電体側壁
の外側との間にはプラズマ発生用高周波アンテナコイル
８が配置され、この高周波アンテナコイル８は、高周波
電源９に接続され、三つの磁場コイル４、５、６によっ
て形成された磁気中性線７に沿って交番電場を加えてこ
の磁気中性線に放電プラズマを発生するように構成され
ている。As shown in FIG. 3, this etching apparatus branches a power supply path of a high-frequency power source connected to an antenna coil for inductively coupled discharge and, via a variable capacitor, a top plate (in a potential floating state). This is a dual frequency discharge type device configured to be able to supply a part of high frequency power to the counter electrode). This etching apparatus has a vacuum chamber 1, an upper part thereof is a plasma generating part 2 formed by a dielectric cylindrical wall, and a lower part thereof is a substrate electrode part 3. Three magnetic field coils 4, 5 and 6 are provided on the outside of the wall (dielectric side wall) of the plasma generation unit 2, and the magnetic field coils form an annular magnetic neutral wire 7 in the plasma generation unit 2. It has become. A high frequency antenna coil 8 for plasma generation is arranged between the intermediate magnetic field coil 5 and the outside of the side wall of the dielectric. The high frequency antenna coil 8 is connected to a high frequency power supply 9 and three magnetic field coils 4, 5, 6 are connected. An alternating electric field is applied along the magnetic neutral line 7 formed by to generate a discharge plasma in the magnetic neutral line.
【００１８】磁気中性線７の作る面と平行して下部の基
板電極部３内には基板電極１０が絶縁体部材１１を介し
て設けられ、この基板電極１０は、ブロッキングコンデ
ンサー１２を介して高周波バイアス電力を印加する高周
波電源１３に接続され、電位的に浮遊電極になってお
り、負のバイアス電位となる。この基板電極１０と対向
する位置に設けた接地電極を、誘電体により電位的に浮
遊状態とした対向電極である天板１４として構成する。
天板１４は、絶縁体１７を介して誘電体側壁の上部フラ
ンジに密封固着されている。この天板１４は、内壁材料
として炭素材や珪素材、又はそれらの化合物や混合物を
用いて構成されていても良い。また、プラズマ発生用高
周波電源９と誘導放電を発生させる高周波アンテナコイ
ル８との間の給電路の途中の任意の位置に分岐路を設
け、誘導放電用高周波電力を分岐し、可変コンデンサー
１８を介して対向電極である天板１４に高周波電力の一
部を印加し、対向電極に自己バイアスを発生するように
構成されている。A substrate electrode 10 is provided in the lower substrate electrode portion 3 in parallel with the surface formed by the magnetic neutral line 7 via an insulator member 11, and the substrate electrode 10 is provided with a blocking capacitor 12 in between. It is connected to a high-frequency power source 13 that applies high-frequency bias power, is a floating electrode in terms of potential, and has a negative bias potential. A ground electrode provided at a position facing the substrate electrode 10 is configured as a top plate 14 which is a counter electrode which is electrically floating with a dielectric.
The top plate 14 is hermetically fixed to the upper flange of the dielectric side wall via the insulator 17. The top plate 14 may be made of a carbon material, a silicon material, or a compound or mixture thereof as the inner wall material. Further, a branch path is provided at an arbitrary position in the power feeding path between the high frequency power source 9 for generating plasma and the high frequency antenna coil 8 for generating inductive discharge, the high frequency power for inductive discharge is branched and the variable capacitor 18 is used. A part of the high-frequency power is applied to the top plate 14 serving as the counter electrode to generate self-bias at the counter electrode.
【００１９】プラズマ発生部２には、真空チャンバー１
内ヘエツチングガスを導入するガス導入口１５が設けら
れ、このガス導入口１５は、図示していないが、ガス供
給路及びエッチングガスの流量を制御するガス流量制御
装置を介してエッチングガス供給源に接続されている。
基板電極部３には排気口１６が設けられている。本実施
の形態では、図３に示すように、上記のように構成した
対向電極１４に対して、図４に示す測定回路、制御回路
を組み込んだ可変コンデンサー１８を介して高周波電力
を分岐印加するように構成されている。すなわち、対向
電極１４に対し、高周波電源９から分岐路を経て対向電
極に印加される電圧を測定する高周波電圧測定回路を接
続し、この測定回路に、高周波を直流に変換する検波回
路及び設定値との差を検出するＤＣ差動増幅回路を接続
し、また、この検波／差動増幅回路に、設定電圧値にな
るように可変コンデンサー１８を動かすモーター駆動回
路を接続するように構成されている。The plasma generating section 2 includes a vacuum chamber 1
A gas introduction port 15 for introducing the internal etching gas is provided, and the gas introduction port 15 is provided with an etching gas supply source through a gas supply passage and a gas flow rate control device for controlling the flow rate of the etching gas, although not shown. It is connected to the.
The substrate electrode part 3 is provided with an exhaust port 16. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, high frequency power is branched and applied to the counter electrode 14 configured as described above through the variable capacitor 18 incorporating the measurement circuit and control circuit shown in FIG. Is configured. That is, a high-frequency voltage measuring circuit for measuring a voltage applied to the counter electrode from the high-frequency power source 9 via a branch path is connected to the counter electrode 14, and a detection circuit for converting a high frequency into a direct current and a set value are connected to the measuring circuit. Is connected to a DC differential amplifier circuit for detecting the difference between the DC voltage and the differential voltage, and a motor drive circuit for moving the variable capacitor 18 so that the detected voltage is obtained. .
【００２０】上記のようにして構成された本実施の形態
のエッチング装置は、簡単な構造を有し、かつ、安価で
あり、印加する高周波電場が互いに干渉するという問題
もなく、高効率のプラズマを形成することができる。ま
た、対向電極である天板に所定範囲の値の高周波電圧を
印加することができるので、天板に付着した膜を効率的
にスパッタ除去することができると共に、マスクの耐性
を向上させ、エッチングを抑制することなく、良好なエ
ッチ速度を達成することができる。本発明者らの実験に
よれば、１３．５６ＭＨｚの高周波電源９の場合、天板
１４に印加されるＶｄｃを−５００Ｖ以下（絶対値で５
００Ｖ以上）にすると、天板に膜が付着しないことが分
かっている。このＶｄｃの値が大きすぎると天板が過剰
にスパッタされるので、この電圧を−５００Ｖ付近に設
定することが望ましい。また、天板材料をスパッタエッ
チすることにより天板材料物質を基板上に付着させ、マ
スクのエッチ耐性を増加させることを目的とする場合に
は、天板のＶｄｃを−５００Ｖ以下（絶対値で５００Ｖ
以上）に設定する。天板に膜付着が起こってもダスト発
生源にならなければ良いと言う場合には、−５００Ｖ以
上（−５００〜−５０Ｖ）に設定しても良い。The etching apparatus of the present embodiment configured as described above has a simple structure and is inexpensive, and there is no problem that the high-frequency electric fields to be applied interfere with each other, and a high-efficiency plasma is obtained. Can be formed. Further, since a high frequency voltage within a predetermined range can be applied to the top plate which is the counter electrode, the film adhered to the top plate can be efficiently removed by sputtering, and the resistance of the mask is improved and etching is performed. A good etch rate can be achieved without suppressing According to the experiments conducted by the present inventors, in the case of the 13.56 MHz high frequency power source 9, the Vdc applied to the top plate 14 is -500 V or less (absolute value: 5).
It is known that the film does not adhere to the top plate when the voltage is set to 00 V or more). If the value of this Vdc is too large, the top plate will be excessively sputtered, so it is desirable to set this voltage to around -500V. When the top plate material is deposited on the substrate by sputter etching the top plate material to increase the etch resistance of the mask, Vdc of the top plate is -500 V or less (absolute value). 500V
Set above). In the case where it is not necessary for the top plate to become a dust generation source even if the film adheres to the top plate, it may be set to -500V or more (-500 to -50V).
【００２１】アンテナコイルに接続された高周波電源９
の給電路を分岐して、高周波電力を分岐し、可変コンデ
ンサー１８を通して、アンテナコイル８の内側に設置さ
れたファラディシールド（又は、静電場シールド）様浮
遊電極に、高周波電力の一部を分岐印加する方式の場合
も、上記したように天板を浮遊電極とする方式の場合と
同様に構成することができ、同様なエッチングを実行す
ることができる。このファラディシールド様浮遊電極等
は、高周波アンテナコイルの内側に設置することができ
る。但し、ファラディシールドを真空チャンバーのプラ
ズマ発生部の側壁である誘電体側壁の外側で高周波アン
テナコイルの内側に設置する場合には、プラズマとファ
ラディシールドとの間に誘電体が介在するので、誘電体
側壁表面の電位を−５００Ｖ以下にしないと膜の付着を
防止することが出来ない。従って、誘電体側壁の外側に
設置した場合には、ファラディシールドの電位をさらに
低くする（絶対値を大きくする）必要がある。また、フ
ァラディシールドを真空チャンバー内部に設置し、プラ
ズマと接するようにした場合には、ファラディシールド
表面の電位を−５００Ｖにすると膜の付着はほとんど発
生しない。この差は誘電体の厚さによっても異なる。High frequency power source 9 connected to the antenna coil
Of the high frequency power is branched and applied to the Faraday shield (or electrostatic field shield) -like floating electrode installed inside the antenna coil 8 through the variable capacitor 18 by branching the high frequency power. Also in the case of the method, the same configuration as that in the method of using the ceiling plate as the floating electrode can be configured as described above, and the same etching can be performed. The Faraday shield-like floating electrode and the like can be installed inside the high frequency antenna coil. However, when the Faraday shield is installed inside the high frequency antenna coil outside the dielectric side wall which is the side wall of the plasma generation part of the vacuum chamber, since the dielectric is interposed between the plasma and the Faraday shield, the dielectric Adhesion of the film cannot be prevented unless the potential of the side wall surface is set to -500 V or less. Therefore, when it is installed outside the side wall of the dielectric, it is necessary to further lower the potential of the Faraday shield (increase the absolute value). Further, when the Faraday shield is installed inside the vacuum chamber and brought into contact with the plasma, when the potential of the Faraday shield surface is set to -500 V, film adhesion hardly occurs. This difference also depends on the thickness of the dielectric.
【００２２】上記ファラディシールドは、既知のファラ
ディシールドであり、例えば、複数のスリットが平行に
設けられ、このスリットの長手方向の中間にスリットと
直交してアンテナコイルが設けられた金属板である。ス
リットの長手方向の両端には、短冊状金属板の電位を同
じにする金属縁が設けられている。アンテナコイルの静
電場は金属板によりシールドされるが、誘導磁場はシー
ルドされない。この誘導磁場がプラズマ中に入り誘導電
場を形成する。スリットの幅は、目的に応じて適宜設計
でき、０．５〜１０ｍｍ程度のものが用いられるが、通
常は、１〜２ｍｍのスリットで十分である。スリットの
幅が広すぎると静電場の浸みこみが起こり、好ましくな
い。スリットの厚みは、〜２ｍｍである。The Faraday shield is a known Faraday shield, and is, for example, a metal plate in which a plurality of slits are provided in parallel and an antenna coil is provided in the middle of the slits in a direction orthogonal to the slits. Metal edges for equalizing the electric potentials of the strip-shaped metal plates are provided at both ends of the slit in the longitudinal direction. The electrostatic field of the antenna coil is shielded by the metal plate, but the induced magnetic field is not shielded. This induction magnetic field enters the plasma and forms an induction electric field. The width of the slit can be appropriately designed according to the purpose, and a width of about 0.5 to 10 mm is used, but a slit of 1 to 2 mm is usually sufficient. If the width of the slit is too wide, electrostatic field penetration may occur, which is not preferable. The thickness of the slit is ˜2 mm.
【００２３】次いで、図３及び４に示すように構成され
たＮＬＤエッチング装置を用いて、エッチングプロセス
を行った。プラズマ発生用高周波電源９（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）の電力を１．２ｋＷ、基板バイアス高周波電源１
３（１２．５６ＭＨｚ）の電力を０．５ｋＷ、可変コン
デンサー１８の容量として２００ｐＦを用い、Ａｒ９０
ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８１０ｓｃｃ（１０％）を導入し、３
ｍＴｏｒｒの圧力下でエッチングしたところ、ｐｏｌｙ
−Ｓｉをマスクとした熱酸化ＳｉＯ２膜に対して、エッ
チ速度６００ｎｍ／ｍｉｎ、選択比２５（ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉのエッチ速度に対するＳｉＯ２のエッチ速度）が得ら
れた。従来の装置構成における同条件下でのエッチング
（図１）と比べ、パターン幅によって多少の相違はある
ものの、ほぼ同じエッチ速度で選択比が２．５倍に向上
した。Next, an etching process was carried out using an NLD etching apparatus configured as shown in FIGS. High frequency power source 9 for plasma generation (13.56M
Power of 1.2 kW, substrate bias high frequency power supply 1
The power of 3 (12.56 MHz) is 0.5 kW and the capacity of the variable capacitor 18 is 200 pF.
sccm, C 4 F 8 10scc (10%) was introduced, and 3
When etched under the pressure of mTorr,
With respect to the thermally-oxidized SiO 2 film using —Si as a mask, the etching rate is 600 nm / min, the selection ratio is 25 (poly-S).
The etch rate of SiO 2 with respect to the etch rate of i) was obtained. Compared with the etching under the same conditions in the conventional apparatus configuration (FIG. 1), although there are some differences depending on the pattern width, the selection ratio improved 2.5 times at almost the same etching rate.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、基板電極と対向する位
置に設けた接地電極を電位的に浮遊状態とした対向電極
として構成し、誘導放電を発生させる高周波アンテナコ
イルに接続された給電路の任意の位置に分岐路を設け、
高周波電力を分岐して、誘導放電用高周波電力の一部を
対向電極に分岐印加し、コンデンサーを介して対向電極
に自己バイアスを発生するように構成してあるので、対
向電極用として別個に高周波電源を設ける必要がなくな
り、装置の構造を簡素化でき、安価となるだけでなく、
印加する高周波電場が互いに干渉するという問題を解消
でき、高効率のプラズマを形成することができる。ま
た、対向電極に所定電圧値の高周波を印加することがで
きるので、マスクの耐性を向上させると共に、良好なエ
ッチ速度を達成することができる。According to the present invention, the ground electrode provided at a position facing the substrate electrode is formed as a counter electrode in a potential floating state, and the power feeding path is connected to the high frequency antenna coil for generating the induced discharge. A branch path is provided at any position of
Since the high frequency power is branched and a part of the high frequency power for induction discharge is branched and applied to the counter electrode to generate self-bias to the counter electrode via the capacitor, a high frequency power is separately generated for the counter electrode. It is not only necessary to provide a power supply, the structure of the device can be simplified and the cost is low,
The problem that the applied high frequency electric fields interfere with each other can be solved, and highly efficient plasma can be formed. Further, since a high frequency having a predetermined voltage value can be applied to the counter electrode, it is possible to improve the resistance of the mask and achieve a good etching rate.
【００２５】また、ガスのプラズマ分解によって生成さ
れた物質が壁面に付着するが、基板上方に対向電極を設
け、この対向電極に高周波電力を印加することによって
プラズマ中のイオンが絶えず対向電極表面をスパッタす
るので、膜の付着が抑えられ、ダスト発生を抑制できる
だけでなく、天板すなわち対向電極内面に付着し重合し
た膜をスパッタすることにより、エッチャントを生成す
ることができる。さらに、本発明によれば、対向電極に
高周波電力を印加し、対向電極に負のバイアスが発生す
るようにしたので、対向電極は常に正イオンによって衝
撃されるようになる。その結果、従来の天板を接地電位
にしていた構成のものに比べて、天板への膜付着が抑え
られ、天板からのダスト発生が抑制される。さらにま
た、ＳｉやＷＳｉ等の金属で構成された天板を用いるこ
とにより、ＳｉＦｘやＷＦｘなどの物質を発生させ、こ
れら物質をマスク上に堆積させて、マスクの消耗を抑え
ることができ、深溝のエッチングが可能となる。Further, the substance generated by plasma decomposition of gas adheres to the wall surface, but by providing a counter electrode above the substrate and applying high frequency power to this counter electrode, ions in the plasma constantly irradiate the counter electrode surface. Since the film is sputtered, adhesion of the film can be suppressed and dust generation can be suppressed, and an etchant can be generated by sputtering the film adhered and polymerized on the top plate, that is, the inner surface of the counter electrode. Further, according to the present invention, since the high frequency power is applied to the counter electrode so that the negative bias is generated in the counter electrode, the counter electrode is always bombarded with the positive ions. As a result, as compared with the conventional structure in which the top plate is set to the ground potential, the film adhesion to the top plate is suppressed and the dust generation from the top plate is suppressed. Furthermore, by using a top plate made of a metal such as Si or WSi, substances such as SiFx and WFx are generated, and these substances are deposited on the mask, so that the consumption of the mask can be suppressed and the deep groove can be suppressed. Can be etched.
【図１】 従来のエッチング装置の概略の構成を模式的
に示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a schematic configuration of a conventional etching apparatus.
【図２】 従来の別のエッチング装置の概略の構成を模
式的に示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a schematic configuration of another conventional etching apparatus.
【図３】 本発明の一実施の形態のエッチング装置の概
略の構成を模式的に示す構成図。FIG. 3 is a configuration diagram schematically showing a schematic configuration of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図４】 図３のエッチング装置に設けられた測定回路
及び制御回路を可変コンデンサーに組み込んだ構成を示
す構成図。4 is a configuration diagram showing a configuration in which a measurement circuit and a control circuit provided in the etching apparatus of FIG. 3 are incorporated in a variable capacitor.
１ 真空チャンバー ２ プラズマ発
生部
３ 基板電極部 ４、５、６ 磁
場コイル
７ 磁気中性線 ８ 高周波アン
テナコイル
９ 高周波電源 １０ 基板電極
１１ 絶縁体部材 １２ ブロッキ
ングコンデンサー
１３ 高周波電源 １４ 天板（対
向電極、浮遊電極）
１５ ガス導入口 １６ 排気口
１７ 絶縁体 １８ 可変コン
デンサーDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Plasma generation part 3 Substrate electrode parts 4, 5, 6 Magnetic field coil 7 Magnetic neutral wire 8 High frequency antenna coil 9 High frequency power supply 10 Substrate electrode 11 Insulator member 12 Blocking capacitor 13 High frequency power supply 14 Top plate (counter electrode, Floating electrode) 15 Gas inlet 16 Exhaust port 17 Insulator 18 Variable capacitor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA30 BC06 BD14 CA43 CA47 CA65 EC21 FC15 5F004 AA15 BA20 BB11 BB13 CA02 CA03 DA00 DA23 DB02 DB03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F term (reference) 4G075 AA30 BC06 BD14 CA43 CA47 CA65 EC21 FC15 5F004 AA15 BA20 BB11 BB13 CA02 CA03 DA00 DA23 DB02 DB03
Claims (6)
部、下部に基板電極部を設け、誘電体で構成されたプラ
ズマ発生部側壁の外側に高周波電源に接続されたプラズ
マ発生用高周波アンテナコイルを設け、該基板電極部に
は別の高周波電源に接続されて高周波バイアス電力が印
加される基板電極を設け、この基板電極に対向させて該
プラズマ発生部内に対向電極を設けてなるエッチング装
置において、該対向電極は該プラズマ発生部側壁の上部
フランジに絶縁体を介して密封固着され、電位的に浮遊
状態として構成された浮遊電極であり、該アンテナコイ
ルとその高周波電源との間の給電路の途中に分岐路を設
けて、この分岐路に設けた可変コンデンサーを介して該
浮遊電極に高周波電力の一部が印加されるように構成
し、そして、該浮遊電極に印加される高周波電圧をモニ
ターし、この高周波電圧を一定に制御する機構を設けた
ことを特徴とするエッチング装置。1. A plasma generating part is provided in an upper part of a vacuum chamber, a substrate electrode part is provided in a lower part thereof, and a high frequency antenna coil for plasma generation connected to a high frequency power source is provided outside a side wall of the plasma generating part made of a dielectric material. In the etching apparatus, the substrate electrode section is provided with a substrate electrode connected to another high frequency power source to which high frequency bias power is applied, and a counter electrode is provided in the plasma generating section so as to face the substrate electrode. The counter electrode is a floating electrode that is hermetically fixed to the upper flange of the side wall of the plasma generation unit via an insulator and is configured to be in a floating state in terms of potential, and in the middle of the power feeding path between the antenna coil and its high-frequency power source. Is provided with a branch path, and a part of high frequency power is applied to the floating electrode through a variable capacitor provided in the branch path. An etching apparatus comprising a mechanism for monitoring a high frequency voltage applied to a pole and controlling the high frequency voltage to be constant.
を設け、この磁場コイルによってプラズマ発生部内に形
成された環状磁気中性線に沿って交番電場が印加され、
該磁気中性線に放電プラズマを発生せしめるように構成
されていることを特徴とする請求項１記載のエッチング
装置。2. A magnetic field coil is provided outside the antenna coil, and an alternating electric field is applied by the magnetic field coil along an annular magnetic neutral line formed in the plasma generating part,
The etching apparatus according to claim 1, wherein the etching apparatus is configured to generate a discharge plasma in the magnetic neutral wire.
極に印加される電圧を測定する高周波電圧測定回路、こ
の高周波を直流に変換する検波回路及び設定電圧値との
差を検出するＤＣ差動増幅回路、並びに該設定電圧値に
なるように可変コンデンサーを動かすモーター駆動回路
を有し、該浮遊電極に該電圧測定回路が接続され、該電
圧測定回路に該検波／ＤＣ差動増幅回路が接続され、ま
た、該検波／ＤＣ差動増幅回路に該モーター駆動回路が
接続されて可変コンデンサーに組み込まれ、該可変コン
デンサーにより高周波電圧を一定に制御するように構成
されていることを特徴とする請求項１又は２記載のエッ
チング装置。3. The high frequency voltage measuring circuit for measuring the voltage applied to the floating electrode from the high frequency power source, the detection circuit for converting the high frequency to direct current, and the DC differential for detecting the difference between the set voltage value and the control mechanism. An amplifier circuit and a motor drive circuit that moves a variable capacitor so as to reach the set voltage value, the voltage measuring circuit is connected to the floating electrode, and the detection / DC differential amplifier circuit is connected to the voltage measuring circuit. In addition, the motor drive circuit is connected to the detection / DC differential amplifier circuit and incorporated in a variable capacitor, and the high frequency voltage is controlled to be constant by the variable capacitor. Item 3. The etching apparatus according to item 1 or 2.
部、下部に基板電極部を設け、誘電体で構成されたプラ
ズマ発生部側壁の外側に高周波電源に接続されたプラズ
マ発生用高周波アンテナコイルを設け、該基板電極部に
は別の高周波電源に接続されて高周波バイアス電力が印
加される基板電極を設けてなるエッチング装置におい
て、該アンテナコイルの内側にファラディシールド又は
静電場シールド様浮遊電極を設置し、該アンテナコイル
とその高周波電源との間の給電路の途中に分岐路を設け
て、この分岐路に設けた可変コンデンサーを介して該浮
遊電極に高周波電力の一部が分岐印加されるように構成
し、そして、該浮遊電極に印加される高周波電圧をモニ
ターし、この高周波電圧を一定に制御する機構を設けた
ことを特徴とするエッチング装置。4. A plasma generating part is provided in an upper part of a vacuum chamber, a substrate electrode part is provided in a lower part, and a high frequency antenna coil for plasma generation connected to a high frequency power source is provided outside a side wall of the plasma generating part made of a dielectric material. In the etching apparatus in which a substrate electrode connected to another high frequency power source and to which high frequency bias power is applied is provided in the substrate electrode section, a Faraday shield or electrostatic field shield-like floating electrode is installed inside the antenna coil. , A branch path is provided in the middle of a power feeding path between the antenna coil and the high frequency power supply, and a part of the high frequency power is branched and applied to the floating electrode via a variable capacitor provided in the branch path. An etchant characterized by being provided with a mechanism for monitoring the high frequency voltage applied to the floating electrode and controlling the high frequency voltage to be constant. Ching device.
を設け、この磁場コイルによってプラズマ発生部内に形
成された環状磁気中性線に沿って交番電場が印加され、
該磁気中性線に放電プラズマを発生せしめるように構成
されていることを特徴とする請求項４記載のエッチング
装置。5. A magnetic field coil is provided outside the antenna coil, and an alternating electric field is applied by the magnetic field coil along an annular magnetic neutral line formed in the plasma generating portion,
The etching apparatus according to claim 4, wherein the etching apparatus is configured to generate a discharge plasma in the magnetic neutral wire.
極に印加される電圧を測定する高周波電圧測定回路、こ
の高周波を直流に変換する検波回路及び設定電圧値との
差を検出するＤＣ差動増幅回路、並びに該設定電圧値に
なるように可変コンデンサーを動かすモーター駆動回路
を有し、該浮遊電極に該電圧測定回路が接続され、該電
圧測定回路に該検波／ＤＣ差動増幅回路が接続され、ま
た、該検波／ＤＣ差動増幅回路に該モーター駆動回路が
接続されて可変コンデンサーに組み込まれ、該可変コン
デンサーにより高周波電圧を一定に制御するように構成
されていることを特徴とする請求項４又は５記載のエッ
チング装置。6. The high frequency voltage measuring circuit for measuring the voltage applied to the floating electrode from the high frequency power source, the detecting circuit for converting the high frequency to direct current, and the DC differential for detecting the difference from the set voltage value. An amplifier circuit and a motor drive circuit that moves a variable capacitor so as to reach the set voltage value, the voltage measuring circuit is connected to the floating electrode, and the detection / DC differential amplifier circuit is connected to the voltage measuring circuit. In addition, the motor drive circuit is connected to the detection / DC differential amplifier circuit and incorporated in a variable capacitor, and the high frequency voltage is controlled to be constant by the variable capacitor. Item 4. The etching apparatus according to item 4 or 5.
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2001
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