JP2003104942A - トリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法 - Google Patents
トリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】工業的スケ−ルでの実施に当たって、安全で、
特殊な設備を必要としない、簡便なプロセスでの、トリ
フルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法を提供
すること。 【解決手段】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１〜５の整数を
示す。）で表されるベンジルハライド誘導体を、シアン
酸塩及びアルコールと反応させて、Ｎ−ベンジルカルバ
ミド酸エステル誘導体とし、更に脱保護反応させる事を
特徴とする、一般式（６） 【化２】 （式中、ｎは前記と同じ意味を示す。）で表されるトリ
フルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法。 【効果】工業的スケ−ルでの実施に当たって、安全で、
特殊な設備を必要としない、簡便なプロセスでトリフル
オロメチルベンジルアミン誘導体を製造できる。
特殊な設備を必要としない、簡便なプロセスでの、トリ
フルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法を提供
すること。 【解決手段】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１〜５の整数を
示す。）で表されるベンジルハライド誘導体を、シアン
酸塩及びアルコールと反応させて、Ｎ−ベンジルカルバ
ミド酸エステル誘導体とし、更に脱保護反応させる事を
特徴とする、一般式（６） 【化２】 （式中、ｎは前記と同じ意味を示す。）で表されるトリ
フルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法。 【効果】工業的スケ−ルでの実施に当たって、安全で、
特殊な設備を必要としない、簡便なプロセスでトリフル
オロメチルベンジルアミン誘導体を製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬・農薬分野にお
いて有用なトリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の
新規な製造方法に関するものである。
いて有用なトリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の
新規な製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジルアミンに代表されるトリフルオロメチルベ
ンジルアミン誘導体の製造方法としては、３，５−ビス
トリフルオロメチルベンゾニトリルを接触水素添加する
方法（特開２０００−２５６２８１ 公報）や、３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドのオキ
シムを接触水素添加する方法（特開２０００−２７３０
６９号公報）が知られている。
ル）ベンジルアミンに代表されるトリフルオロメチルベ
ンジルアミン誘導体の製造方法としては、３，５−ビス
トリフルオロメチルベンゾニトリルを接触水素添加する
方法（特開２０００−２５６２８１ 公報）や、３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドのオキ
シムを接触水素添加する方法（特開２０００−２７３０
６９号公報）が知られている。
【０００３】しかし、何れの方法も工業的スケールでの
実施に当たっては、特殊な設備や材質を必要とする危険
な反応であって、工業的スケールでの実施には向いてい
なかった。
実施に当たっては、特殊な設備や材質を必要とする危険
な反応であって、工業的スケールでの実施には向いてい
なかった。
【０００４】従って、３，５−ビストリフルオロメチル
ベンジルアミンに代表されるトリフルオロメチルベンジ
ルアミン誘導体の、工業的スケールでの実施ができ、安
全で、特殊な設備や材質を必要としない、簡便なプロセ
スでの製造方法は知られていなかった。
ベンジルアミンに代表されるトリフルオロメチルベンジ
ルアミン誘導体の、工業的スケールでの実施ができ、安
全で、特殊な設備や材質を必要としない、簡便なプロセ
スでの製造方法は知られていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、工業的スケ
ールでの実施に当たって、安全で、特殊な設備を必要と
しない、簡便なプロセスでの、トリフルオロメチルベン
ジルアミン誘導体の製造方法を提供することを課題とし
てなされたものである。
ールでの実施に当たって、安全で、特殊な設備を必要と
しない、簡便なプロセスでの、トリフルオロメチルベン
ジルアミン誘導体の製造方法を提供することを課題とし
てなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記のような状況に鑑
み、本発明者が、トリフルオロメチルベンジルアミン誘
導体の製造方法について鋭意研究を重ねた結果、意外に
も、トリフルオロメチルベンジルハライドとシアン酸塩
とアルコールとを反応させる事により、高収率にＮ−ベ
ンジルカルバミド酸エステル誘導体に変換することがで
き、最後にこのＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導
体を脱保護することにより、トリフルオロメチルベンジ
ルアミン誘導体を収率良く製造出来ることを知得し、こ
の知見を基に本発明を完成するに至った。
み、本発明者が、トリフルオロメチルベンジルアミン誘
導体の製造方法について鋭意研究を重ねた結果、意外に
も、トリフルオロメチルベンジルハライドとシアン酸塩
とアルコールとを反応させる事により、高収率にＮ−ベ
ンジルカルバミド酸エステル誘導体に変換することがで
き、最後にこのＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導
体を脱保護することにより、トリフルオロメチルベンジ
ルアミン誘導体を収率良く製造出来ることを知得し、こ
の知見を基に本発明を完成するに至った。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【０００８】本発明は、下記〔１〕乃至〔５〕項に記載
の発明を提供する事により、上記課題を解決したもので
ある。
の発明を提供する事により、上記課題を解決したもので
ある。
【０００９】〔１〕一般式（１）
【００１０】
【化７】
【００１１】（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１
〜５の整数を示す。）
〜５の整数を示す。）
【００１２】で表されるベンジルハライド誘導体を、一
般式（２）
般式（２）
【００１３】
【化８】
【００１４】（式中、Ｍはアルカリ金属、アルカリ土類
金属、又はアンモニウムイオンを示す。）
金属、又はアンモニウムイオンを示す。）
【００１５】で表されるシアン酸塩及び、一般式（３）
【００１６】
【化９】
【００１７】（式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基、
ヒドロキシアルキル基を示す。）
ヒドロキシアルキル基を示す。）
【００１８】で表されるアルコールと反応させて、一般
式（４）
式（４）
【００１９】
【化１０】
【００２０】（式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基、
ヒドロキシアルキル基を示し、ｎは前記と同じ意味を示
す。）
ヒドロキシアルキル基を示し、ｎは前記と同じ意味を示
す。）
【００２１】及び／又は、一般式（５）
【００２２】
【化１１】
【００２３】（式中、Ｒ１はアルキレン基を示し、ｎは
前記と同じ意味を示す。）で表されるＮ−ベンジルカル
バミド酸エステル誘導体とし、脱保護反応させる事を特
徴とする、一般式（６）
前記と同じ意味を示す。）で表されるＮ−ベンジルカル
バミド酸エステル誘導体とし、脱保護反応させる事を特
徴とする、一般式（６）
【００２４】
【化１２】
【００２５】（式中、ｎは前記と同じ意味を示す。）
【００２６】で表されるトリフルオロメチルベンジルア
ミン誘導体の製造方法。
ミン誘導体の製造方法。
【００２７】〔２〕一般式（１）中のＸが塩素原子であ
る、〔１〕項記載のトリフルオロメチルベンジルアミン
の製造方法。
る、〔１〕項記載のトリフルオロメチルベンジルアミン
の製造方法。
【００２８】〔３〕一般式（２）中のＭがカリウムであ
る、〔１〕又は〔２〕項記載のトリフルオロメチルベン
ジルアミンの製造方法。
る、〔１〕又は〔２〕項記載のトリフルオロメチルベン
ジルアミンの製造方法。
【００２９】〔４〕一般式（１）で表されるベンジルハ
ライド誘導体と一般式（２）で表されるシアン酸塩と一
般式（３）で表されるアルコールとの反応を、非プロト
ン性極性溶媒中で行うことを特徴とする、〔１〕乃至
〔３〕項の何れか１項に記載のトリフルオロメチルベン
ジルアミンの製造方法。
ライド誘導体と一般式（２）で表されるシアン酸塩と一
般式（３）で表されるアルコールとの反応を、非プロト
ン性極性溶媒中で行うことを特徴とする、〔１〕乃至
〔３〕項の何れか１項に記載のトリフルオロメチルベン
ジルアミンの製造方法。
【００３０】〔５〕脱保護反応が加水分解反応である、
〔１〕乃至〔４〕項の何れか１項に記載のトリフルオロ
メチルベンジルアミン誘導体の製造方法。
〔１〕乃至〔４〕項の何れか１項に記載のトリフルオロ
メチルベンジルアミン誘導体の製造方法。
【００３１】〔１〕項記載の本発明の製造方法は、一般
式（１）で表されるベンジルハライド誘導体を一般式
（２）で表されるシアン酸塩と一般式（３）で表される
アルコールと反応させて、一般式（４）及び／又は一般
式（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル
誘導体に変換した後、アミノ基の脱保護反応（以下、本
明細書では、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表
されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体中のウ
レタン構造を分解することによって１級アミノ基を形成
する反応のことを、単に「脱保護反応」と記載する。）
させる事により、一般式（６）で表されるトリフルオロ
メチルベンジルアミン誘導体を得ることから構成され
る。
式（１）で表されるベンジルハライド誘導体を一般式
（２）で表されるシアン酸塩と一般式（３）で表される
アルコールと反応させて、一般式（４）及び／又は一般
式（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル
誘導体に変換した後、アミノ基の脱保護反応（以下、本
明細書では、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表
されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体中のウ
レタン構造を分解することによって１級アミノ基を形成
する反応のことを、単に「脱保護反応」と記載する。）
させる事により、一般式（６）で表されるトリフルオロ
メチルベンジルアミン誘導体を得ることから構成され
る。
【００３２】まず、本発明方法の原料として用いる一般
式（１）で表されるベンジルハライド誘導体について説
明する。
式（１）で表されるベンジルハライド誘導体について説
明する。
【００３３】一般式（１）中のＸはハロゲン原子を示
す。このＸのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子を例示することができ
る。中でも、塩素原子の使用が好ましい。一般式（１）
中のｎは１〜５の整数を示す。
す。このＸのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子を例示することができ
る。中でも、塩素原子の使用が好ましい。一般式（１）
中のｎは１〜５の整数を示す。
【００３４】上記のようなＸ、ｎを有する一般式（１）
で表されるベンジルハライド誘導体としては、例えば２
−トリフルオロメチルベンジルクロリド、２−トリフル
オロメチルベンジルブロミド、３−トリフルオロメチル
ベンジルクロリド、３−トリフルオロメチルベンジルブ
ロミド、４−トリフルオロメチルベンジルクロリド、４
−トリフルオロメチルベンジルブロミド、２，３−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，３−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、２，４−
ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，４
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、２，
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、
２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミ
ド、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロ
リド、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブ
ロミド、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
クロリド、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ルブロミド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベン
ジルクロリド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルブロミド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルヨージド、２，３，６−トリス（トリフルオロ
メチル）ベンジルクロリド、２，３，６−トリス（トリ
フルオロメチル）ベンジルブロミド、２，４，６−トリ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，４，
６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、
２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド、２，３，４，６−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）ベンジルブロミド等を挙げることができ
る。
で表されるベンジルハライド誘導体としては、例えば２
−トリフルオロメチルベンジルクロリド、２−トリフル
オロメチルベンジルブロミド、３−トリフルオロメチル
ベンジルクロリド、３−トリフルオロメチルベンジルブ
ロミド、４−トリフルオロメチルベンジルクロリド、４
−トリフルオロメチルベンジルブロミド、２，３−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，３−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、２，４−
ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，４
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、２，
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、
２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミ
ド、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロ
リド、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルブ
ロミド、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
クロリド、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ルブロミド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベン
ジルクロリド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルブロミド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルヨージド、２，３，６−トリス（トリフルオロ
メチル）ベンジルクロリド、２，３，６−トリス（トリ
フルオロメチル）ベンジルブロミド、２，４，６−トリ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド、２，４，
６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド、
２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド、２，３，４，６−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）ベンジルブロミド等を挙げることができ
る。
【００３５】これらの一般式（１）で表されるベンジル
ハライド誘導体を得る方法は特に制限されないが、例え
ば特開昭５５−５３２２５号公報に記載の、対応するト
ルエン誘導体を側鎖ハロゲン化する方法、或いは対応す
るベンジルアルコール誘導体をハロゲン化する方法等に
より、容易に製造することができる。
ハライド誘導体を得る方法は特に制限されないが、例え
ば特開昭５５−５３２２５号公報に記載の、対応するト
ルエン誘導体を側鎖ハロゲン化する方法、或いは対応す
るベンジルアルコール誘導体をハロゲン化する方法等に
より、容易に製造することができる。
【００３６】次に、本発明方法の原料として用いる一般
式（２）で表されるシアン酸塩について説明する。一般
式（２）中のＭは、リチウム、ナトリウム、カリウムを
含むアルカリ金属；カルシウム、マグネシウムを含むア
ルカリ土類金属；又はアンモニウムイオンを示し、この
ようなＭを有する一般式（２）で表されるシアン酸塩と
しては、具体的にはシアン酸リチウム、シアン酸ナトリ
ウム、シアン酸カリウム、シアン酸マグネシウム、シア
ン酸カルシウム、シアン酸アンモニウム、シアン酸テト
ラメチルアンモニウム等を例示することができ、中でも
シアン酸カリウムの使用が好ましい。
式（２）で表されるシアン酸塩について説明する。一般
式（２）中のＭは、リチウム、ナトリウム、カリウムを
含むアルカリ金属；カルシウム、マグネシウムを含むア
ルカリ土類金属；又はアンモニウムイオンを示し、この
ようなＭを有する一般式（２）で表されるシアン酸塩と
しては、具体的にはシアン酸リチウム、シアン酸ナトリ
ウム、シアン酸カリウム、シアン酸マグネシウム、シア
ン酸カルシウム、シアン酸アンモニウム、シアン酸テト
ラメチルアンモニウム等を例示することができ、中でも
シアン酸カリウムの使用が好ましい。
【００３７】一般式（２）で表されるシアン酸塩の使用
量としては、一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体１モルに対して、一般式（２）で表されるシアン
酸塩が、通常１〜６モル、好ましくは１〜３モルの範囲
を例示できる。
量としては、一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体１モルに対して、一般式（２）で表されるシアン
酸塩が、通常１〜６モル、好ましくは１〜３モルの範囲
を例示できる。
【００３８】続いて、本発明方法の原料として用いる一
般式（３）中で示されるアルコールについて説明する。
一般式（３）中のＲは、アルキル基、アラルキル基又は
ヒドキシアルキル基を示し、Ｒのアルキル基としては、
炭素数１乃至６（以下、置換基の炭素数については、こ
の場合では「Ｃ１〜Ｃ６」の様に略記する。）の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であればよく、具体的にはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、及びｎ
−ヘキシル基等を例示することができ、Ｒのアラルキル
基としては、Ｃ７〜Ｃ１０のアラルキル基、例えばベン
ジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル
基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基等
を例示することができ、Ｒのヒドキシアルキル基として
は、２−ヒドキシエチル基、３−ヒドキシプロピル基、
２−ヒドキシプロピル基、４−ヒドキシブチル基等のＣ
２〜Ｃ４のヒドロキシアルキル基を例示することができ
る。
般式（３）中で示されるアルコールについて説明する。
一般式（３）中のＲは、アルキル基、アラルキル基又は
ヒドキシアルキル基を示し、Ｒのアルキル基としては、
炭素数１乃至６（以下、置換基の炭素数については、こ
の場合では「Ｃ１〜Ｃ６」の様に略記する。）の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であればよく、具体的にはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、及びｎ
−ヘキシル基等を例示することができ、Ｒのアラルキル
基としては、Ｃ７〜Ｃ１０のアラルキル基、例えばベン
ジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル
基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基等
を例示することができ、Ｒのヒドキシアルキル基として
は、２−ヒドキシエチル基、３−ヒドキシプロピル基、
２−ヒドキシプロピル基、４−ヒドキシブチル基等のＣ
２〜Ｃ４のヒドロキシアルキル基を例示することができ
る。
【００３９】上記のようなＲを有する、一般式（３）で
表されるアルコールとしては、例えばメチルアルコー
ル、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−
ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、ｎ−ヘキ
シルアルコール、ベンジルアルコール、２−クロロベン
ジルアルコール、４−クロロベンジルアルコール、４−
メチルベンジルアルコール、４−メトキシベンジルアル
コール等の一価アルコール；エチレングリコール、１，
３−プロパンジオール、１，２−プロパンジオール、
１，４−ブタンジオール等の二価アルコールを例示する
ことができる。本発明方法においては１価アルコールが
好ましく、中でも一級アルコールが好ましく、特に好ま
しくはメチルアルコールの使用が好ましい。
表されるアルコールとしては、例えばメチルアルコー
ル、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−
ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、ｎ−ヘキ
シルアルコール、ベンジルアルコール、２−クロロベン
ジルアルコール、４−クロロベンジルアルコール、４−
メチルベンジルアルコール、４−メトキシベンジルアル
コール等の一価アルコール；エチレングリコール、１，
３−プロパンジオール、１，２−プロパンジオール、
１，４−ブタンジオール等の二価アルコールを例示する
ことができる。本発明方法においては１価アルコールが
好ましく、中でも一級アルコールが好ましく、特に好ま
しくはメチルアルコールの使用が好ましい。
【００４０】一般式（３）で表されるアルコールの使用
量としては、一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体１モルに対して、一般式（３）で表されるアルコ
ールが、通常１〜１０モル、好ましくは１〜４モルの範
囲を例示できる。
量としては、一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体１モルに対して、一般式（３）で表されるアルコ
ールが、通常１〜１０モル、好ましくは１〜４モルの範
囲を例示できる。
【００４１】一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体に、一般式（２）で表されるシアン酸塩と一般式
（３）で表されるアルコールとを反応させて、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体を製造する反応について説
明する。
誘導体に、一般式（２）で表されるシアン酸塩と一般式
（３）で表されるアルコールとを反応させて、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体を製造する反応について説
明する。
【００４２】当反応は、通常、溶媒を使用して行う。使
用する溶媒としては、当該反応に不活性な非プロトン性
極性溶媒を使用することができ、溶媒は単独で、又は任
意の混合割合の混合溶媒として用いることが出来る。使
用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、１−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、１，３−ジメチル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノ
ン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等を例示するこ
とができる。中でも、ＤＭＦの使用が好ましい。溶媒の
使用量としては、反応系の攪拌が充分にできる量であれ
ば良いが、一般式（１）で表されるベンジルハライド誘
導体１モルに対し１０００ｍｌ以下、好ましくは５００
ｍｌ以下の範囲を例示できる。
用する溶媒としては、当該反応に不活性な非プロトン性
極性溶媒を使用することができ、溶媒は単独で、又は任
意の混合割合の混合溶媒として用いることが出来る。使
用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、１−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、１，３−ジメチル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノ
ン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等を例示するこ
とができる。中でも、ＤＭＦの使用が好ましい。溶媒の
使用量としては、反応系の攪拌が充分にできる量であれ
ば良いが、一般式（１）で表されるベンジルハライド誘
導体１モルに対し１０００ｍｌ以下、好ましくは５００
ｍｌ以下の範囲を例示できる。
【００４３】当反応の反応温度は２０〜１５０℃、好ま
しくは８０〜１２０℃の範囲で行い、又、反応時間は
０．１〜１２時間の範囲で、反応は常圧下に行うことが
でき、通常は加圧する必要はない。
しくは８０〜１２０℃の範囲で行い、又、反応時間は
０．１〜１２時間の範囲で、反応は常圧下に行うことが
でき、通常は加圧する必要はない。
【００４４】本発明方法により製造できる一般式（４）
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体と
しては、例えばＮ−（２−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−（３−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（３−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（３−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（３
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（４−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（４−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（４
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，３−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，４−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，６−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，６−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，６−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，４−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［３，４−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［３，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸３−ヒドロキシプロピル、Ｎ−
［２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３，６−トリス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，３，６−
トリス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸
２−ヒドロキシエチル、Ｎ−［２，４，６−トリス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ
−［２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸エチル、Ｎ−［２，４，６−トリス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジ
ル、Ｎ−［２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキシエチル、Ｎ−
［２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３，４，６
−テトラキス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバ
ミド酸エチル、Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジル、
Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキシエチル等を
例示することができる。
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体と
しては、例えばＮ−（２−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−（３−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（３−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（３−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（３
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンジ
ル）カルバミド酸メチル、Ｎ−（４−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバミド酸エチル、Ｎ−（４−トリフル
オロメチルベンジル）カルバミド酸ベンジル、Ｎ−（４
−トリフルオロメチルベンジル）カルバミド酸２−ヒド
ロキシエチル、Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，３−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，４−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［２，６−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，６−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，６−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，４−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［３，４−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［３，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキ
シエチル、Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸３−ヒドロキシプロピル、Ｎ−
［２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３，６−トリス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチ
ル、Ｎ−［２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸ベンジル、Ｎ−［２，３，６−
トリス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸
２−ヒドロキシエチル、Ｎ−［２，４，６−トリス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ
−［２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸エチル、Ｎ−［２，４，６−トリス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジ
ル、Ｎ−［２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキシエチル、Ｎ−
［２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチル）
ベンジル］カルバミド酸メチル、Ｎ−［２，３，４，６
−テトラキス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバ
ミド酸エチル、Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジル、
Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバミド酸２−ヒドロキシエチル等を
例示することができる。
【００４５】また、本発明方法により製造できる一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体としては、一般式（５）中のＲ１がＣ２〜Ｃ４のア
ルキレン基、具体的にはエチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基等であり、ｎが１〜５である化合物であれば良
く、その様な化合物Ｒ１、ｎを有する化合物としては、
具体的には１，２−ビス［Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバモイルオキシ］エタン、１，２−ビ
ス［Ｎ−（３−トリフルオロメチルベンジル）カルバモ
イルオキシ］エタン、１，２−ビス［Ｎ−（４−トリフ
ルオロメチルベンジル）カルバモイルオキシ］エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、１，２−
ビス｛Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベン
ジル］カルバモイルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ
−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］カ
ルバモイルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［２，
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバモイ
ルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［２，６−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキ
シ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［３，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタ
ン、１，３−ビス｛Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝プロパン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，３，６−トリス（トリフルオ
ロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，４，６−トリス（トリフルオ
ロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エ
タン等を例示することができる。
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体としては、一般式（５）中のＲ１がＣ２〜Ｃ４のア
ルキレン基、具体的にはエチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基等であり、ｎが１〜５である化合物であれば良
く、その様な化合物Ｒ１、ｎを有する化合物としては、
具体的には１，２−ビス［Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルベンジル）カルバモイルオキシ］エタン、１，２−ビ
ス［Ｎ−（３−トリフルオロメチルベンジル）カルバモ
イルオキシ］エタン、１，２−ビス［Ｎ−（４−トリフ
ルオロメチルベンジル）カルバモイルオキシ］エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、１，２−
ビス｛Ｎ−［２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベン
ジル］カルバモイルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ
−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］カ
ルバモイルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［２，
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバモイ
ルオキシ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［２，６−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキ
シ｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−［３，４−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタ
ン、１，３−ビス｛Ｎ−［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝プロパン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，３，６−トリス（トリフルオ
ロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，４，６−トリス（トリフルオ
ロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−［２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバモイルオキシ｝エ
タン等を例示することができる。
【００４６】当反応において、アルコールとして二価の
アルコールを用いた場合には、系内でＮ−ベンジルカル
バミド酸エステル誘導体として一般式（４）で表される
Ｎ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体及び一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体の両方が生成して両者の混合物になることがある
が、本発明方法においては、それぞれを分離することな
くそのまま次の脱保護反応に供して差し支えない。
アルコールを用いた場合には、系内でＮ−ベンジルカル
バミド酸エステル誘導体として一般式（４）で表される
Ｎ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体及び一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体の両方が生成して両者の混合物になることがある
が、本発明方法においては、それぞれを分離することな
くそのまま次の脱保護反応に供して差し支えない。
【００４７】また、一般式（４）及び／又は一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体は、未精製のまま、次のアミノ基の脱保護反応を実
施しても支障はないが、再結晶等の精製工程を行った後
に次工程に用いても良い。
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体は、未精製のまま、次のアミノ基の脱保護反応を実
施しても支障はないが、再結晶等の精製工程を行った後
に次工程に用いても良い。
【００４８】次に一般式（４）及び／又は一般式（５）
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体の
脱保護反応による、一般式（６）で表されるトリフルオ
ロメチルベンジルアミン誘導体を得る反応について説明
する。
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体の
脱保護反応による、一般式（６）で表されるトリフルオ
ロメチルベンジルアミン誘導体を得る反応について説明
する。
【００４９】当脱保護反応としては、ペプチド合成の分
野において良く知られているウレタン型保護基で保護さ
れたアミノ基の脱保護によるアミノ基の形成に代表され
る、一般的な一級アミンのカルバミド酸エステル保護基
の脱保護が適用可能である。
野において良く知られているウレタン型保護基で保護さ
れたアミノ基の脱保護によるアミノ基の形成に代表され
る、一般的な一級アミンのカルバミド酸エステル保護基
の脱保護が適用可能である。
【００５０】ここで云う脱保護反応とは、一般式（４）
及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジルカルバ
ミド酸エステル誘導体中のウレタン構造を分解すること
によって一級アミノ基を生成する反応のことであり、、
具体的には例えば、加水分解反応、加アルコール分解反
応、酸分解反応、及び接触水素添加還元反応等を例示で
きる。以下、これらの反応について説明するが、本発明
における脱保護反応としては、これらの例示する反応に
限定されるものではなく、公知の、ウレタン構造を分解
することによる一級アミノ基の生成反応の全てが適用で
きる。
及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジルカルバ
ミド酸エステル誘導体中のウレタン構造を分解すること
によって一級アミノ基を生成する反応のことであり、、
具体的には例えば、加水分解反応、加アルコール分解反
応、酸分解反応、及び接触水素添加還元反応等を例示で
きる。以下、これらの反応について説明するが、本発明
における脱保護反応としては、これらの例示する反応に
限定されるものではなく、公知の、ウレタン構造を分解
することによる一級アミノ基の生成反応の全てが適用で
きる。
【００５１】脱保護反応の加水分解反応は、酸性条件、
アルカリ条件のいずれの条件でも実施可能であるが、一
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体の形成に、一般式
（３）で表されるアルコールとして一価アルコールを用
いた場合にはアルカリ条件での加水分解が好ましく、一
般式（３）で表されるアルコールとして二価アルコール
を用いた場合には酸条件での加水分解が好ましい。
アルカリ条件のいずれの条件でも実施可能であるが、一
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体の形成に、一般式
（３）で表されるアルコールとして一価アルコールを用
いた場合にはアルカリ条件での加水分解が好ましく、一
般式（３）で表されるアルコールとして二価アルコール
を用いた場合には酸条件での加水分解が好ましい。
【００５２】アルカリ条件での加水分解反応（アルカリ
加水分解反応）で使用する塩基としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物；水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土
類金属水酸化物を例示でき、アルカリ金属水酸化物を好
ましいものとして挙げることができる。塩基の使用量と
しては、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表され
るＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対
し、１〜２０モル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例
示できる。
加水分解反応）で使用する塩基としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物；水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土
類金属水酸化物を例示でき、アルカリ金属水酸化物を好
ましいものとして挙げることができる。塩基の使用量と
しては、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表され
るＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対
し、１〜２０モル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例
示できる。
【００５３】酸性条件での加水分解反応（酸加水分解反
応）に用いる酸としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫
酸等の無機酸や、例えば酢酸、トリフルオロ酢酸、メタ
ンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラト
ルエンスルホン酸等の有機酸が使用でき、無機酸を好ま
しいものとして例示できる。酸の使用量は、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体１モルに対し１〜２０モ
ル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
応）に用いる酸としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫
酸等の無機酸や、例えば酢酸、トリフルオロ酢酸、メタ
ンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラト
ルエンスルホン酸等の有機酸が使用でき、無機酸を好ま
しいものとして例示できる。酸の使用量は、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体１モルに対し１〜２０モ
ル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
【００５４】上記の加水分解反応に使用する水の量は一
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、理論量
以上２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下で
あればよい。使用する溶媒は、水が溶媒を兼ねるが、当
該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわない。このよ
うな溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、具体的に
はメタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレ
ングリコール等；脂肪族カルボン酸、具体的には蟻酸、
酢酸、プロピオン酸等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的
にはトルエン、キシレン、クロロベンゼン、オルトジク
ロロベンゼン等を例示することができる。この溶媒の使
用量は、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表され
るＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対
し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の
範囲を例示できる。
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、理論量
以上２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下で
あればよい。使用する溶媒は、水が溶媒を兼ねるが、当
該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわない。このよ
うな溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、具体的に
はメタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレ
ングリコール等；脂肪族カルボン酸、具体的には蟻酸、
酢酸、プロピオン酸等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的
にはトルエン、キシレン、クロロベンゼン、オルトジク
ロロベンゼン等を例示することができる。この溶媒の使
用量は、一般式（４）及び／又は一般式（５）で表され
るＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対
し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の
範囲を例示できる。
【００５５】上記のアルカリ条件又は酸条件による加水
分解反応の反応温度としては、３０〜１８０℃、好まし
くは５０〜１２０℃の範囲を例示できるのであり、又、
反応時間は１〜４０時間の範囲で、反応は常圧下に行う
ことができ、更に加圧して行っても良い。
分解反応の反応温度としては、３０〜１８０℃、好まし
くは５０〜１２０℃の範囲を例示できるのであり、又、
反応時間は１〜４０時間の範囲で、反応は常圧下に行う
ことができ、更に加圧して行っても良い。
【００５６】次に、脱保護反応の加アルコール分解反応
について説明する。脱保護反応の加アルコール分解反応
は、アルカリ条件で行うことが一般的に好ましい。
について説明する。脱保護反応の加アルコール分解反応
は、アルカリ条件で行うことが一般的に好ましい。
【００５７】アルカリ条件での加アルコール分解反応で
使用するアルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カル
シウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、及びナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドを挙げる
ことができる。アルカリの使用量としては、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、１〜２０モ
ル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
使用するアルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カル
シウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、及びナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドを挙げる
ことができる。アルカリの使用量としては、一般式
（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベンジル
カルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、１〜２０モ
ル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
【００５８】上記の加アルコール分解反応に使用するア
ルコールとしては例えばメタノール、エタノール、２−
プロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等の炭素数１乃至
６の低級アルコールが一般的であり、その使用量は、一
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、理論量
以上２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の
範囲を例示できる。当加アルコール分解反応における溶
媒は、アルコールが溶媒を兼ねるので必ずしも必要では
ないが、当該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわな
い。このような溶媒としては、例えば芳香族炭化水素系
溶媒、具体的にはトルエン、キシレン、クロロベンゼ
ン、オルトジクロロベンゼン等を例示することができ
る。その使用量は、一般式（４）及び／又は一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体１モルに対し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１０
００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
ルコールとしては例えばメタノール、エタノール、２−
プロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等の炭素数１乃至
６の低級アルコールが一般的であり、その使用量は、一
般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベン
ジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、理論量
以上２０００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の
範囲を例示できる。当加アルコール分解反応における溶
媒は、アルコールが溶媒を兼ねるので必ずしも必要では
ないが、当該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわな
い。このような溶媒としては、例えば芳香族炭化水素系
溶媒、具体的にはトルエン、キシレン、クロロベンゼ
ン、オルトジクロロベンゼン等を例示することができ
る。その使用量は、一般式（４）及び／又は一般式
（５）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘
導体１モルに対し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１０
００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
【００５９】加アルコール分解反応の反応温度として
は、３０〜１８０℃、好ましくは５０〜１２０℃の範囲
を例示できるのであり、又、反応時間は１〜２０時間の
範囲で、反応は常圧下に行うことができ、加圧して行っ
ても良い。
は、３０〜１８０℃、好ましくは５０〜１２０℃の範囲
を例示できるのであり、又、反応時間は１〜２０時間の
範囲で、反応は常圧下に行うことができ、加圧して行っ
ても良い。
【００６０】続いて、脱保護反応の酸分解反応について
説明する。
説明する。
【００６１】この酸分解反応に用いる酸としては、例え
ば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の鉱酸；蟻酸、酢酸、トリ
フルオロ酢酸等の脂肪族カルボン酸；或いはメタンスル
ホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機スルホ
ン酸を挙げることができるが、トリフルオロ酢酸を用い
る方法が一般的で好ましい。この酸の使用量としては、
一般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベ
ンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、１〜
２０モル、好ましくは２〜１０モルの範囲であればよ
い。
ば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の鉱酸；蟻酸、酢酸、トリ
フルオロ酢酸等の脂肪族カルボン酸；或いはメタンスル
ホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機スルホ
ン酸を挙げることができるが、トリフルオロ酢酸を用い
る方法が一般的で好ましい。この酸の使用量としては、
一般式（４）及び／又は一般式（５）で表されるＮ−ベ
ンジルカルバミド酸エステル誘導体１モルに対し、１〜
２０モル、好ましくは２〜１０モルの範囲であればよ
い。
【００６２】上記の酸分解反応に使用する溶媒は、用い
る酸（トリフルオロ酢酸等）が溶媒を兼ねる場合もある
が、当該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわない。
このような溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、具
体的にはメタノール、エタノール、２−プロパノール
等；脂肪族カルボン酸、具体的には蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的にはトルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼ
ン等を例示することができる。その使用量としては一般
式（４）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル
誘導体１モルに対し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１
０００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
る酸（トリフルオロ酢酸等）が溶媒を兼ねる場合もある
が、当該反応に不活性な溶媒を使用してもかまわない。
このような溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、具
体的にはメタノール、エタノール、２−プロパノール
等；脂肪族カルボン酸、具体的には蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的にはトルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼ
ン等を例示することができる。その使用量としては一般
式（４）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル
誘導体１モルに対し、２０００ｍｌ以下、好ましくは１
０００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
【００６３】上記の酸分解反応の反応温度としては、３
０〜１８０℃、好ましくは５０〜１００℃の範囲を例示
できるのであり、又、反応時間は１〜２０時間の範囲
で、反応は常圧下に行うことができ、通常は加圧する必
要はない。
０〜１８０℃、好ましくは５０〜１００℃の範囲を例示
できるのであり、又、反応時間は１〜２０時間の範囲
で、反応は常圧下に行うことができ、通常は加圧する必
要はない。
【００６４】脱保護反応の接触水素添加還元反応につい
て説明する。脱保護反応の接触水素添加還元反応は、一
般式（４）で表されるカルバミド酸エステルのＲが、例
えばベンジル基のようなアラルキル基の場合に適用でき
る。
て説明する。脱保護反応の接触水素添加還元反応は、一
般式（４）で表されるカルバミド酸エステルのＲが、例
えばベンジル基のようなアラルキル基の場合に適用でき
る。
【００６５】当反応は金属触媒を使用するが、使用する
金属触媒は、接触水素添加反応に使用可能な触媒であれ
ば特に限定されることはなく、例えば、活性炭担持パラ
ジウム触媒（Ｐｄ／Ｃ）、シリカ担持パラジウム触媒等
のパラジウム系触媒；活性炭担持白金触媒、シリカ担持
白金触媒等の白金系触媒；ラネーニッケル、ラネーコバ
ルト等のラネー触媒等を挙げることができる。工業的な
使用においては、活性炭担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）が
一般的で好ましい。金属触媒の使用量は、一般式（４）
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１
モルに対し０．００００１〜０．０５グラム原子の範囲
であればよい。
金属触媒は、接触水素添加反応に使用可能な触媒であれ
ば特に限定されることはなく、例えば、活性炭担持パラ
ジウム触媒（Ｐｄ／Ｃ）、シリカ担持パラジウム触媒等
のパラジウム系触媒；活性炭担持白金触媒、シリカ担持
白金触媒等の白金系触媒；ラネーニッケル、ラネーコバ
ルト等のラネー触媒等を挙げることができる。工業的な
使用においては、活性炭担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）が
一般的で好ましい。金属触媒の使用量は、一般式（４）
で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エステル誘導体１
モルに対し０．００００１〜０．０５グラム原子の範囲
であればよい。
【００６６】当接触水素添加還元反応に使用する溶媒と
しては、当該反応に不活性な溶媒を使用することがで
き、このような溶媒としては、例えばアルコール系溶
媒、具体的にはメタノール、エタノール、２−プロパノ
ール、１−ブタノール等；脂肪族アルキルエステル系溶
媒、具体的には酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル
等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的にはトルエン、キシ
レン等、を例示することができる。その使用量としては
一般式（４）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エス
テル誘導体１モルに対し６０００ｍｌ以下、好ましくは
３０００ｍｌ以下であればよい。
しては、当該反応に不活性な溶媒を使用することがで
き、このような溶媒としては、例えばアルコール系溶
媒、具体的にはメタノール、エタノール、２−プロパノ
ール、１−ブタノール等；脂肪族アルキルエステル系溶
媒、具体的には酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル
等；芳香族炭化水素系溶媒、具体的にはトルエン、キシ
レン等、を例示することができる。その使用量としては
一般式（４）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エス
テル誘導体１モルに対し６０００ｍｌ以下、好ましくは
３０００ｍｌ以下であればよい。
【００６７】接触水素添加還元反応に用いる水素は、通
常は水素単独で使用するが、必要に応じて窒素、ヘリウ
ム、アルゴン等の反応に不活性なガスで希釈して用いる
こともできる。反応時の水素分圧としては、通常、０．
０１ＭＰａ〜１０ＭＰａという範囲を例示することがで
きる。
常は水素単独で使用するが、必要に応じて窒素、ヘリウ
ム、アルゴン等の反応に不活性なガスで希釈して用いる
こともできる。反応時の水素分圧としては、通常、０．
０１ＭＰａ〜１０ＭＰａという範囲を例示することがで
きる。
【００６８】上記の接触水素添加還元反応の反応温度は
−１０〜１８０℃、好ましくは０〜１００℃の範囲であ
り、又、反応時間は１〜６０時間の範囲である。
−１０〜１８０℃、好ましくは０〜１００℃の範囲であ
り、又、反応時間は１〜６０時間の範囲である。
【００６９】本発明方法により得られる一般式（６）で
表されるベンジルアミン誘導体としては、例えば２−ト
リフルオロメチルベンジルアミン、３−トリフルオロメ
チルベンジルアミン、４−トリフルオロメチルベンジル
アミン、２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルアミン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチ
ル）ベンジルアミン、２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジルアミン等を挙げることがで
きる。
表されるベンジルアミン誘導体としては、例えば２−ト
リフルオロメチルベンジルアミン、３−トリフルオロメ
チルベンジルアミン、４−トリフルオロメチルベンジル
アミン、２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン、２，３，６−トリス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルアミン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチ
ル）ベンジルアミン、２，３，４，６−テトラキス（ト
リフルオロメチル）ベンジルアミン等を挙げることがで
きる。
【００７０】得られた一般式（６）で表されるトリフル
オロメチルベンジルアミン誘導体は、必要に応じ、精
留、再結晶等の精製工程を行っても良い。再結晶は、結
晶化が容易になるように、無機酸或いは有機酸の塩等に
誘導して行う事も可能である。
オロメチルベンジルアミン誘導体は、必要に応じ、精
留、再結晶等の精製工程を行っても良い。再結晶は、結
晶化が容易になるように、無機酸或いは有機酸の塩等に
誘導して行う事も可能である。
【００７１】
【発明の効果】本発明方法により、トリフルオロメチル
ベンジルアミン誘導体の新規な工業的製造法が提供され
る。本発明方法によれば、工業的スケールでの実施に当
たって、安全で、特殊な設備を必要としない、簡便なプ
ロセスでトリフルオロメチルベンジルアミン誘導体を製
造できるので、本発明方法は工業的な利用価値が非常に
高い。
ベンジルアミン誘導体の新規な工業的製造法が提供され
る。本発明方法によれば、工業的スケールでの実施に当
たって、安全で、特殊な設備を必要としない、簡便なプ
ロセスでトリフルオロメチルベンジルアミン誘導体を製
造できるので、本発明方法は工業的な利用価値が非常に
高い。
【００７２】
【実施例】次に、実施例、比較例を挙げて本発明化合物
の製造方法を具体的に説明するが、本発明は、これら実
施例によって何ら限定されるものではない。
の製造方法を具体的に説明するが、本発明は、これら実
施例によって何ら限定されるものではない。
【００７３】実施例１：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、メタノール
０．０９６ｇ（３ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）０．３ｍｌを仕込み、１００℃の
油浴中にて３時間熟成した後、減圧濃縮した。残渣に水
を加え、酢酸エチルで２回抽出した。得られた酢酸エチ
ル層を合わせて、減圧濃縮し、粗のＮ−［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル
０．３９ｇを得た。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、メタノール
０．０９６ｇ（３ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）０．３ｍｌを仕込み、１００℃の
油浴中にて３時間熟成した後、減圧濃縮した。残渣に水
を加え、酢酸エチルで２回抽出した。得られた酢酸エチ
ル層を合わせて、減圧濃縮し、粗のＮ−［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル
０．３９ｇを得た。
【００７４】続いて、粗のＮ−［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．３９
ｇに２３％水酸化ナトリウム水溶液０．８７ｇ（５ｍｍ
ｏｌ），メタノール１ｍｌを仕込み、加熱還流下、９時
間熟成した。熟成終了後、メタノール回収、トルエン抽
出を行った。得られたトルエン層をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、目的とする３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．２１９ｇ
（０．８９９ｍｍｏｌ）、収率８９．９％［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］で得
られていた。
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．３９
ｇに２３％水酸化ナトリウム水溶液０．８７ｇ（５ｍｍ
ｏｌ），メタノール１ｍｌを仕込み、加熱還流下、９時
間熟成した。熟成終了後、メタノール回収、トルエン抽
出を行った。得られたトルエン層をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、目的とする３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．２１９ｇ
（０．８９９ｍｍｏｌ）、収率８９．９％［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］で得
られていた。
【００７５】実施例２：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）を用い、実施
例１と同様の操作を行い、粗のＮ−［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．
３１ｇを得た。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）を用い、実施
例１と同様の操作を行い、粗のＮ−［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．
３１ｇを得た。
【００７６】続いて、粗のＮ−［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．３１
ｇに２０％塩酸水溶液０．７４ｇ（４ｍｍｏｌ），酢酸
１ｍｌを仕込み、１１０℃の油浴中で２７．５時間加熱
撹拌し、熟成した。熟成終了後、反応液をガスクロマト
グラフィーにより分析したところ、目的とする３，５−
ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．１９
８ｇ（０．８１５ｍｍｏｌ）、収率８１．５％［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］
で得られていた。
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸メチル０．３１
ｇに２０％塩酸水溶液０．７４ｇ（４ｍｍｏｌ），酢酸
１ｍｌを仕込み、１１０℃の油浴中で２７．５時間加熱
撹拌し、熟成した。熟成終了後、反応液をガスクロマト
グラフィーにより分析したところ、目的とする３，５−
ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．１９
８ｇ（０．８１５ｍｍｏｌ）、収率８１．５％［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］
で得られていた。
【００７７】実施例３：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 ３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド
０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カリウム０．０９
７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）を用い、ＤＭＦ０．３ｍｌの代
わりにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）０．
３ｍｌを用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、目
的とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン０．２１５ｇ（０．８８３ｍｍｏｌ）を収率８
８．３％［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ルクロリド基準］で得た。
チル）ベンジルアミンの製造 ３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド
０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カリウム０．０９
７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）を用い、ＤＭＦ０．３ｍｌの代
わりにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）０．
３ｍｌを用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、目
的とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
アミン０．２１５ｇ（０．８８３ｍｍｏｌ）を収率８
８．３％［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ルクロリド基準］で得た。
【００７８】実施例４：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 ３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド
０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）の代わりに、３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド０．３１ｇ
（１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を
行い、目的とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルアミン０．１９７ｇ（０．８０９ｍｍｏｌ）を
収率８０．９％［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルブロミド基準］で得た。
チル）ベンジルアミンの製造 ３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド
０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）の代わりに、３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルブロミド０．３１ｇ
（１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を
行い、目的とする３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルアミン０．１９７ｇ（０．８０９ｍｍｏｌ）を
収率８０．９％［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジルブロミド基準］で得た。
【００７９】実施例５：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、エタノール
０．２３ｇ（５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＡＣ０．３ｍｌを
仕込み、１１０℃の油浴中にて６時間熟成した後、減圧
濃縮した。残渣に水を加え、酢酸エチルで２回抽出し
た。得られた酢酸エチル層を合わせて、減圧濃縮し、粗
のＮ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸エチル０．３０ｇを得た。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、エタノール
０．２３ｇ（５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＡＣ０．３ｍｌを
仕込み、１１０℃の油浴中にて６時間熟成した後、減圧
濃縮した。残渣に水を加え、酢酸エチルで２回抽出し
た。得られた酢酸エチル層を合わせて、減圧濃縮し、粗
のＮ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸エチル０．３０ｇを得た。
【００８０】続いて、粗のＮ−［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチル０．３０
ｇに２３％水酸化ナトリウム水溶液０．８７ｇ（５ｍｍ
ｏｌ）、メタノール１ｍｌを仕込み、加熱還流下、９時
間熟成した。熟成終了後、メタノール回収、トルエン抽
出を行った。得られたトルエン層をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、目的とする３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．１９５ｇ
（０．８０１ｍｍｏｌ）、収率８０．１％［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］で得
られていた。
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸エチル０．３０
ｇに２３％水酸化ナトリウム水溶液０．８７ｇ（５ｍｍ
ｏｌ）、メタノール１ｍｌを仕込み、加熱還流下、９時
間熟成した。熟成終了後、メタノール回収、トルエン抽
出を行った。得られたトルエン層をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、目的とする３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが０．１９５ｇ
（０．８０１ｍｍｏｌ）、収率８０．１％［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリド基準］で得
られていた。
【００８１】実施例６：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、ベンジルアル
コール０．３２ｇ（３ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ０．３ｍ
ｌを仕込み、１００℃の油浴中にて７時間熟成した後、
減圧濃縮した。残渣に水を加え、酢酸エチルで２回抽出
した。得られた酢酸エチル層を合わせて、減圧濃縮し、
粗のＮ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル０．５２gを得た。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、シアン酸カ
リウム０．０９７ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、ベンジルアル
コール０．３２ｇ（３ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ０．３ｍ
ｌを仕込み、１００℃の油浴中にて７時間熟成した後、
減圧濃縮した。残渣に水を加え、酢酸エチルで２回抽出
した。得られた酢酸エチル層を合わせて、減圧濃縮し、
粗のＮ−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ル］カルバミド酸ベンジル０．５２gを得た。
【００８２】続いて、粗のＮ−［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジル０．５
２ｇを酢酸エチル３ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ（活性
炭担持パラジウム触媒）１０ｍｇを加えて、常圧、室温
にて接触水素添加還元反応を２４時間行った。反応終了
後、触媒（Ｐｄ／Ｃ）を濾去して得られた濾液をガスク
ロマトグラフィーにより分析したところ、目的とする
３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが
０．２１６ｇ（０．８８７ｍｍｏｌ）、収率８８．７％
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリ
ド基準］で得られていた。
ルオロメチル）ベンジル］カルバミド酸ベンジル０．５
２ｇを酢酸エチル３ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ（活性
炭担持パラジウム触媒）１０ｍｇを加えて、常圧、室温
にて接触水素添加還元反応を２４時間行った。反応終了
後、触媒（Ｐｄ／Ｃ）を濾去して得られた濾液をガスク
ロマトグラフィーにより分析したところ、目的とする
３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが
０．２１６ｇ（０．８８７ｍｍｏｌ）、収率８８．７％
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルクロリ
ド基準］で得られていた。
【００８３】比較例１：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、２５％アン
モニア水１．３６ｇ（２０ｍｍｏｌ）、及び水３ｍｌを
仕込み、６０℃の油浴中にて２４時間熟成した。熟成終
了後、反応液をガスクロマトグラフィーにより分析した
ところ、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
クロリドが８６．６％、３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンが８．９％、３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジルアルコールが０．２％、ビス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］アミ
ンが３．２％生成していた。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．２６ｇ（１ｍｍｏｌ）、２５％アン
モニア水１．３６ｇ（２０ｍｍｏｌ）、及び水３ｍｌを
仕込み、６０℃の油浴中にて２４時間熟成した。熟成終
了後、反応液をガスクロマトグラフィーにより分析した
ところ、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル
クロリドが８６．６％、３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンが８．９％、３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジルアルコールが０．２％、ビス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル］アミ
ンが３．２％生成していた。
【００８４】比較例２：３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．１３ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、２５％
アンモニア水１．０２ｇ（１５ｍｍｏｌ）をオートクレ
ーブ反応器に仕込み、１１５℃の油浴中にて８時間熟成
した。熟成終了後、反応液をガスクロマトグラフィーに
より分析したところ、３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジルクロリドが８９．９％、３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）ベンジルアミンが３．６％、３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアルコールが
１．９％、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］アミンが１．８％生成していた。
チル）ベンジルアミンの製造 窒素雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンジルクロリド０．１３ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、２５％
アンモニア水１．０２ｇ（１５ｍｍｏｌ）をオートクレ
ーブ反応器に仕込み、１１５℃の油浴中にて８時間熟成
した。熟成終了後、反応液をガスクロマトグラフィーに
より分析したところ、３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジルクロリドが８９．９％、３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）ベンジルアミンが３．６％、３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンジルアルコールが
１．９％、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンジル］アミンが１．８％生成していた。
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１〜５の整数を
示す。）で表されるベンジルハライド誘導体を、一般式
（２） 【化２】 （式中、Ｍはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はア
ンモニウムイオンを示す。）で表されるシアン酸塩及
び、一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基、ヒドロキシア
ルキル基を示す。）で表されるアルコールと反応させ
て、一般式（４） 【化４】 （式中、Ｒ、ｎは前記と同じ意味を示す。）及び／又は
一般式（５） 【化５】 （式中、Ｒ１はアルキレン基を示し、ｎは前記と同じ意
味を示す。）で表されるＮ−ベンジルカルバミド酸エス
テル誘導体とし、脱保護反応させる事を特徴とする、一
般式（６） 【化６】 （式中、ｎは前記と同じ意味を示す。）で表されるトリ
フルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】一般式（１）中のＸが塩素原子である、請
求項１記載のトリフルオロメチルベンジルアミンの製造
方法。 - 【請求項３】一般式（２）中のＭがカリウムである、請
求項１又は請求項２記載のトリフルオロメチルベンジル
アミンの製造方法。 - 【請求項４】一般式（１）で表されるベンジルハライド
誘導体と一般式（２）で表されるシアン酸塩及び一般式
（３）で表されるアルコールとの反応を、非プロトン性
極性溶媒中で行うことを特徴とする、請求項１乃至３の
何れか１項に記載のトリフルオロメチルベンジルアミン
の製造方法。 - 【請求項５】脱保護反応が加水分解反応である、請求項
１乃至４の何れか１項に記載のトリフルオロメチルベン
ジルアミン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299071A JP2003104942A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | トリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299071A JP2003104942A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | トリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003104942A true JP2003104942A (ja) | 2003-04-09 |
Family
ID=19119878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001299071A Pending JP2003104942A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | トリフルオロメチルベンジルアミン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003104942A (ja) |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001299071A patent/JP2003104942A/ja active Pending
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