JP2003101872A - Image pickup device and manufacturing method thereof - Google Patents

Image pickup device and manufacturing method thereof

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JP2003101872A
JP2003101872A JP2001288588A JP2001288588A JP2003101872A JP 2003101872 A JP2003101872 A JP 2003101872A JP 2001288588 A JP2001288588 A JP 2001288588A JP 2001288588 A JP2001288588 A JP 2001288588A JP 2003101872 A JP2003101872 A JP 2003101872A
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pixel
group
defective pixel
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JP2001288588A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kobayashi
宏至 木林
Tetsushi Takaba
哲史 鷹羽
Kyosei Miyata
京静 宮田
Takao Hosaka
隆男 保坂
Atsushi Takayama
淳 高山
Koichi Sato
幸一 佐藤
Takekatsu Kitada
壮功 北田
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for an image pickup device capable of obtaining appropriate data for photometry even in the case that defective pixels are present in an image pickup element, and the image pickup device. SOLUTION: In a pixel group setting process of setting a pixel 50a of a first group used for converting an object to image data and a pixel 50b of a second group used for performing the photometry, in the case that the defective pixel is present, the defective pixel is not set to the pixel 50b of the second group. Thus, the data for the photometry obtained from the pixel of the second group obtained at the time of photographing become highly reliable data and thus appropriate exposure is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像データ取得用
の画素群と、測光用の画素群とを含む固体撮像素子を備
えた撮影装置の製造方法及び撮影装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an image pickup apparatus having a solid-state image pickup device including a pixel group for image data acquisition and a pixel group for photometry and an image pickup apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子カメラなどの撮影装置に備えられた
固体撮像素子は、二次元に並んだ多数の画素により、画
素上に結像した被写体の光学像を、電荷量(電気的信
号)に変換して出力する機能を有している。ところで、
かかる画素の中には、ダストの付着や結晶欠陥等に基づ
く欠陥(画素欠陥)を有するために、正常な信号を出力
し得ないものもありえる。このような画素欠陥には、被
写体の輝度に対応して出力されるはずの出力信号に対し
余分な信号成分を加算した信号を出力してしまい、画像
を白っぽくしてしまう白キズと、被写体の輝度に対応し
て出力されるはずの出力信号に対しある信号成分を減算
した信号を出力してしまい、画像を黒っぽくしてしまう
黒キズとがある。
2. Description of the Related Art A solid-state image pickup device provided in an image pickup device such as an electronic camera uses a large number of two-dimensionally arranged pixels to convert an optical image of an object formed on each pixel into a charge amount (electrical signal). It has the function of converting and outputting. by the way,
It is possible that some of these pixels cannot output a normal signal because they have defects (pixel defects) due to dust adhesion, crystal defects, and the like. For such a pixel defect, a signal obtained by adding an extra signal component to an output signal that should be output corresponding to the brightness of the subject is output, and a white defect that makes the image whitish and There is a black defect in which a signal obtained by subtracting a certain signal component from the output signal that should be output corresponding to the luminance is output, which makes the image dark.

【0003】画素欠陥が多く生じると、かかる固体撮像
素子を用いて撮像した画像を再生する場合に、著しく画
質が低下する恐れがある。一方、近年用いられるように
なった固体撮像素子は、少なくとも数十万以上の画素を
有するので、全く画素欠陥のない固体撮像素子を製造す
ることは、実際には困難といえる。従って、ある程度の
画素欠陥は常に存在するとの前提に立った上で、固体撮
像素子を使用することが要求されている。
If many pixel defects occur, the image quality may be significantly deteriorated when the image picked up by such a solid-state image pickup device is reproduced. On the other hand, since the solid-state image sensor that has been used in recent years has at least several hundreds of thousands of pixels, it can be said that it is actually difficult to manufacture a solid-state image sensor having no pixel defect. Therefore, it is required to use the solid-state image pickup device on the assumption that there are always some pixel defects.

【0004】かかる前提に基づき、画素欠陥のある画素
から出力された電気的信号を、後処理により補正する補
正回路を備え、画質の向上を図るようにした電子カメラ
が既に開発されている。このような電子カメラによれ
ば、電子カメラの生産工程で、画素欠陥検査装置を用い
て固体撮像素子の画素欠陥のある画素(欠陥画素)を検
出し、その位置を、たとえば電子カメラに搭載したRO
M内に情報として記憶させることにより、実際の撮像時
に、かかる欠陥画素からの出力信号を適宜補正するとい
う手法をとっている。
Based on such a premise, an electronic camera having a correction circuit for correcting an electric signal output from a pixel having a pixel defect by post-processing to improve the image quality has already been developed. According to such an electronic camera, a pixel having a pixel defect (defective pixel) of the solid-state image sensor is detected by using the pixel defect inspection device in the production process of the electronic camera, and the position thereof is mounted on, for example, the electronic camera. RO
By storing the information in M as information, a method of appropriately correcting the output signal from the defective pixel at the time of actual imaging is adopted.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、単一の撮像
素子における一部の画素群を用いて画像データを取得
し、残りの画素群を用いて測光用データを取得する電子
カメラが開発されている。かかる電子カメラによれば、
測光用素子を別個に設ける必要がないという利点があ
る。
By the way, an electronic camera has been developed which acquires image data by using a partial pixel group in a single image sensor and acquires photometric data by using the remaining pixel group. There is. According to such an electronic camera,
There is an advantage that it is not necessary to separately provide a photometric element.

【0006】そのような電子カメラにおいて、画像デー
タ取得用の画素に、上記の白キズまたは黒キズが生じた
場合には、上述したように、欠陥画素の位置を記憶する
ことで、画像データの補正が可能である。しかしなが
ら、測光データ取得用の画素は、比較的数が少ないこと
もあり、それに欠陥が生じると、測光用データが不適切
なものとなり、撮影時に適正な露光が得られないおそれ
がある。
In such an electronic camera, when the above-described white flaw or black flaw occurs in a pixel for image data acquisition, the position of the defective pixel is stored as described above, so that the image data Correction is possible. However, the number of pixels for obtaining photometric data may be relatively small, and if a defect occurs in the pixels, the photometric data may become inadequate and proper exposure may not be obtained during shooting.

【0007】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、撮像素子に欠陥画素があった場
合でも、適正な測光用データを得ることができる撮影装
置の製造方法及び撮影装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and a method of manufacturing an image pickup apparatus and an image pickup method capable of obtaining proper photometric data even when there is a defective pixel in the image pickup element. The purpose is to provide a device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の本発明の撮影装置
の製造方法は、複数の画素を2次元的に配置した撮像素
子を有し、前記撮像素子が、被写体を画像データに変換
するために用いられる第1群の画素と、測光を行うため
に用いられる第2群の画素とにより構成されてなる撮影
装置の製造方法であって、前記複数画素の中に欠陥画素
が含まれていないかを判定し、欠陥画素が含まれている
場合にはその位置に関する情報を記憶する工程と、被写
体を画像データに変換するために用いられる第1群の画
素と、測光を行うために用いられる第2群の画素とを設
定する画素群設定工程とを備え、画素群設定工程におい
て、欠陥画素がある場合には、欠陥画素を第2群の画素
に設定しないようにしたので、撮影の際に得られる前記
第2群の画素より得られる測光用データは、その信頼性
を高く維持でき、それにより適正な露光を得ることがで
きる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an image pickup apparatus manufacturing method, which comprises an image pickup device in which a plurality of pixels are two-dimensionally arranged, and the image pickup device converts a subject into image data. A method of manufacturing an image pickup apparatus, comprising: a first group of pixels used for the purpose of measurement; and a second group of pixels used for performing photometry, wherein a defective pixel is included in the plurality of pixels. If there is a defective pixel, the process of storing information about the position of the defective pixel, the first group of pixels used for converting the subject into image data, and the pixel used for performing photometry A pixel group setting step for setting the second group of pixels, and if there is a defective pixel in the pixel group setting step, the defective pixel is not set as the pixel of the second group. From the pixels of the second group obtained at the time Photometric data to be, the reliability high can be maintained, thereby to obtain a proper exposure.

【0009】第2の本発明の撮影装置の製造方法は、複
数の画素を2次元的に配置した撮像素子を有し、前記撮
像素子が、被写体を画像データに変換するために用いら
れる第1群の画素と、測光を行うために用いられる第2
群の画素とにより構成されてなる撮影装置の製造方法で
あって、前記第2群の画素に欠陥画素が含まれていない
かを判定する工程と、欠陥画素がある場合に、その欠陥
画素を使用しないで測光制御が行われるようにするため
の情報を記憶素子に書き込む工程とを備えたので、たと
えば製造段階では、第1群の画素と第2群の画素とを区
別することなく欠陥画素のチェックを行い、その結果得
られた欠陥画素の位置に関する情報を前記記憶素子に書
き込むことで、撮影の際には、欠陥画素を測光用の画素
として、測光用に用いないようにすることができ、それ
により適正な露光を得ることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image pickup device, which comprises an image pickup device in which a plurality of pixels are two-dimensionally arranged, and the image pickup device is used for converting a subject into image data. A group of pixels and a second used to perform photometry
A method of manufacturing an image pickup device comprising a group of pixels, comprising the step of determining whether or not the second group of pixels includes a defective pixel; Since a step of writing information for performing photometric control without using it into a storage element is provided, for example, in the manufacturing stage, defective pixels are not distinguished from pixels of the first group and pixels of the second group. By writing the information on the position of the defective pixel obtained as a result to the storage element, it is possible to prevent the defective pixel from being used as a pixel for photometry and not for photometry at the time of photographing. Therefore, the proper exposure can be obtained.

【0010】更に、前記情報は、欠陥画素の位置に関す
る情報であると好ましい。
Further, it is preferable that the information is information on the position of the defective pixel.

【0011】又、前記情報は、欠陥画素の位置に関する
情報と、該欠陥画素の代わりに用いられる画素の位置
(たとえば欠陥画素に隣接する画素)に関する情報であ
ると好ましい。
Further, it is preferable that the information is information on a position of a defective pixel and information on a position of a pixel used in place of the defective pixel (for example, a pixel adjacent to the defective pixel).

【0012】第3の本発明の撮影装置は、複数の画素を
2次元的に配置した撮像素子を有し、被写体を撮影する
ための撮影装置において、前記撮像素子は、被写体を画
像データに変換するために用いられる第1群の画素と、
測光を行うために用いられる第2群の画素とにより構成
されたものであり、前記第2群の画素の欠陥画素を使用
しないで測光制御を行う制御手段を備えたので、たとえ
ば制御手段が、製造時に記憶された欠陥画素に関する情
報に基づいて、欠陥画素を第2群の画素に設定しないよ
うにすることで、撮影の際に得られる前記第2群の画素
より得られる測光用データは、その信頼性を高く維持す
ることができ、それにより適正な露光を得ることができ
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an image pickup device for photographing a subject, wherein the image pickup device has a plurality of pixels arranged two-dimensionally. The image pickup device converts the subject into image data. A first group of pixels used to
It is configured by a second group of pixels used for performing photometry, and has a control means for performing photometry control without using defective pixels of the second group of pixels. The photometric data obtained from the pixels of the second group, which is obtained at the time of photographing, is set so that the defective pixels are not set to the pixels of the second group based on the information on the defective pixels stored at the time of manufacture. The reliability can be kept high, and proper exposure can be obtained.

【0013】更に、前記制御手段は、記憶手段に記憶さ
れた欠陥画素の位置に関する情報に基づき、欠陥画素か
らの情報取り込み動作を行わないと、信頼性の高い測光
用データが得られるので好ましい。
Further, it is preferable that the control means can obtain highly reliable photometric data unless the information fetching operation from the defective pixel is performed based on the information on the position of the defective pixel stored in the storage means.

【0014】又、前記制御手段は、記憶手段に記憶され
た欠陥画素の位置に関する情報に基づき、欠陥画素から
の情報取り込み動作を行わず、該記憶手段に記憶された
欠陥画素の代わりに用いられる画素の位置に関する情報
に基づき該代わりに用いられる画素より情報読みとり動
作を行うと、信頼性の高い測光用データが得られるので
好ましい。
Further, the control means is used instead of the defective pixel stored in the storage means without performing the information fetching operation from the defective pixel based on the information on the position of the defective pixel stored in the storage means. It is preferable to perform the information reading operation from the pixel used instead of the information based on the information regarding the position of the pixel because highly reliable photometric data can be obtained.

【0015】第4の本発明の撮影装置は、複数の画素を
2次元的に配置した撮像素子を有し、被写体を撮影する
ための撮影装置において、前記撮像素子は、被写体を画
像データに変換するために用いられる第1群の画素と、
測光を行うために用いられる第2群の画素とにより構成
されたものであり、前記第2群の画素に欠陥画素がある
場合に、その欠陥画素を使用しないで測光制御を行うた
めの情報が書き込まれた記憶手段を備えたので、たとえ
ば製造時等において前記記憶手段に記憶された前記情報
に基づいて、欠陥画素を第2群の画素に設定しないよう
にすることで、撮影の際に得られる前記第2群の画素よ
り得られる測光用データは、その信頼性を高く維持する
ことができ、それにより適正な露光を得ることができ
る。
A photographing device according to a fourth aspect of the present invention has an image pickup device in which a plurality of pixels are two-dimensionally arranged, and in the image pickup device for photographing a subject, the image pickup device converts the subject into image data. A first group of pixels used to
And a second group of pixels used for performing photometry, and when a pixel of the second group has a defective pixel, information for performing photometric control without using the defective pixel is provided. Since the written storage means is provided, the defective pixel is not set as the pixel of the second group based on the information stored in the storage means at the time of manufacturing or the like, and thus the defective pixel is obtained at the time of photographing. The reliability of the photometric data obtained from the pixels of the second group can be kept high, and thus proper exposure can be obtained.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本実施の形
態を説明する前に、CMOS型撮像素子の概略について
説明する。図1は、CMOS型撮像素子の等価回路図で
ある。図1において、単一の画素50のみが示されてい
るが、かかる画素50は二次元的に配列されてなるもの
である。画素50の外側に、タイミングジェネレータ5
1、垂直シフトレジスタ52、水平シフトレジスタ5
3、出力アンプ54などの回路が構成されている。垂直
シフトレジスタ52は、走査線を選択するレジスタであ
り、水平シフトレジスタ53は、同一走査線内の画素5
0を選択するレジスタである。タイミングジェネレータ
51は、これらを含めたセンサ全体を制御する。尚、上
記構成以外にも、CDS回路、ADコンバータ、さらに
は信号処理回路等も組み込む事が考えられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Before describing the present embodiment with reference to the drawings, an outline of a CMOS type image pickup device will be described below. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a CMOS image sensor. Although only a single pixel 50 is shown in FIG. 1, the pixel 50 is arranged two-dimensionally. The timing generator 5 is provided outside the pixel 50.
1, vertical shift register 52, horizontal shift register 5
3, circuits such as the output amplifier 54 are configured. The vertical shift register 52 is a register for selecting a scanning line, and the horizontal shift register 53 is a register for pixels 5 in the same scanning line.
This is a register for selecting 0. The timing generator 51 controls the entire sensor including these. In addition to the above configuration, it is possible to incorporate a CDS circuit, an AD converter, a signal processing circuit, and the like.

【0017】タイミングジェネレータ51内部の設定
は、シリアル通信により外部から行うことができる。図
1では、コマンドの入力のみが矢視されているが、2線
あるいは3線式のシリアル通信を想定している。このシ
リアル通信により、タイミングジェネレータ51内部の
レジスタの設定、変更等を行うことができる。露光制御
信号として、このシリアル通信とは別に専用の端子(T
RG1,TRG2)を設けてあるので、かかる端子を介
して送信されることとなる。
The internal settings of the timing generator 51 can be made externally by serial communication. In FIG. 1, only command input is viewed from the arrow, but 2-wire or 3-wire serial communication is assumed. By this serial communication, it is possible to set and change the registers inside the timing generator 51. As an exposure control signal, a dedicated terminal (T
Since RG1 and TRG2) are provided, they are transmitted via this terminal.

【0018】撮像素子の制御の方法としては幾つかが考
えられるが、この実施の形態においては、トリガ信号T
RG1のパルスの立ち上がりで露光を開始し、パルスの
立ち下がりで露光を終了するようにしている。そして、
トリガ信号TRG1のパルスの立ち上がり後パルスの立
ち下がり前に適正露光量になってトリガ信号TRG2が
立ち上がると、その時点で露光が終了するようになって
いる。
There are several conceivable methods for controlling the image pickup device, but in this embodiment, the trigger signal T
The exposure is started at the rising edge of the pulse of RG1 and is ended at the falling edge of the pulse. And
When the trigger signal TRG2 rises after the pulse of the trigger signal TRG1 rises and before the pulse falls and the pulse amount of the trigger signal TRG1 rises, the exposure is finished at that point.

【0019】より具体的に、各部の動作について説明す
ると、図1において、画素50における掃き出し動作受
光は、MOSトランジスタQ2を介して電源Vrst1
に接続されている光センサ部(すなわちフオトダイオー
ド)D1で行われる。フォトダイオードD1の電荷を掃
き出すときは、タイミングジェネレータ51の出力信号
RG1を制御し、トランジスタQ2をONすることによ
り電源Vrst1に電荷を掃き出すようにする。全画素
のMOSトランジスタQ2をONすることにより、全フ
ォトダイオードの電荷が掃き出され、トランジスタQ2
をOFFした時点から露光が開始される。かかる部分が
電荷排出部に相当する。
More specifically, the operation of each part will be described. In FIG. 1, the light-receiving operation for the sweeping operation in the pixel 50 is performed by the power source Vrst1 via the MOS transistor Q2.
Is performed by the photosensor section (that is, the photodiode) D1 connected to the. When sweeping out the charges of the photodiode D1, the output signal RG1 of the timing generator 51 is controlled to turn on the transistor Q2 so that the charges are swept out to the power supply Vrst1. By turning on the MOS transistors Q2 of all pixels, the charges of all the photodiodes are swept out, and the transistors Q2
Exposure is started from the point when is turned off. This part corresponds to the charge discharging part.

【0020】電荷転送のため、更にフォトダイオードD
1は、MOSトランジスタQ1を介してキャパシタC1
に接続されている。この部分が電荷蓄積部に相当する。
タイミングジェネレータ51の出力信号SGを制御し、
全画素のMOSトランジスタQ1をONすることによ
り、フォトダイオードD1の電荷をキャパシタC1に転
送する。更に、トランジスタQ1をOFFすることによ
り露光が終了する。
A photodiode D is further provided for charge transfer.
1 is a capacitor C1 via a MOS transistor Q1
It is connected to the. This part corresponds to the charge storage part.
The output signal SG of the timing generator 51 is controlled,
By turning on the MOS transistors Q1 of all pixels, the charges of the photodiode D1 are transferred to the capacitor C1. Further, the exposure is completed by turning off the transistor Q1.

【0021】次に、電荷の読み出しについて説明する。
各画素のキャパシタC1に蓄積した電荷は、MOSトラ
ンジスタQ5をONすることにより、トランジスタQ4
を介して1画素(または1ライン)づつ外部に読み出さ
れる。画素の選択は、垂直シフトレジスタ52、水平シ
フトレジスタ53で(ここではトランジスタQ6をON
して)アドレスを指定することにより行う。すなわち、
アドレス指定された画素のみから電荷を読み出すことが
出来る。このとき電荷をそのまま読み出すことも可能で
あるが、ノイズの影響を受けやすいので、本実施の形態
においては、一旦電圧に変換して出力している。
Next, the reading of charges will be described.
The electric charge accumulated in the capacitor C1 of each pixel is turned on by turning on the MOS transistor Q5.
Is read out one pixel (or one line) to the outside via the. Pixels are selected by the vertical shift register 52 and the horizontal shift register 53 (transistor Q6 is turned on here).
By specifying the address. That is,
The charge can be read out only from the addressed pixel. At this time, it is possible to read out the electric charges as they are, but since they are easily affected by noise, in the present embodiment, they are once converted into a voltage and output.

【0022】その後、電荷蓄積部のリセットが成され
る。より具体的には、読み出しが終了した後、次の撮影
が開始されるまでの間に、MOSトランジスタQ3を同
時にONすることにより、キャパシタC1の電荷を電源
Vrst2に掃き出す(クリアする、すなわち電源Vr
st2にリセットする)ことができる。このとき全画素
同時に行えば、画素間の暗電流ノイズ量を等しくできる
ので望ましいが、ノイズ量発生が十分小さい場合は、読
み出しが終わったあと1画素づつ行っても良い。かかる
電荷は、出力部のアンプ55で電流増幅して出力され
る。
After that, the charge storage section is reset. More specifically, by turning on the MOS transistor Q3 at the same time after the reading is completed and before the next photographing is started, the charge of the capacitor C1 is swept out to the power source Vrst2 (cleared, that is, the power source Vr).
reset to st2). At this time, it is desirable to perform all pixels at the same time because the dark current noise amount between the pixels can be equalized. However, if the noise amount is sufficiently small, it may be performed pixel by pixel after reading. This charge is current-amplified and output by the amplifier 55 of the output section.

【0023】フォトダイオードD1のリセット機能は省
略可能である。その場合、トランジスタQ2を省略する
ことになる。この場合キャパシタC1に電荷を転送する
ことで、フォトダイオードD1をクリアしてそこから露
光を開始することができる。キャパシタC1に転送され
た電荷は、露光期間中に読み出されて捨てられることに
なる。
The reset function of the photodiode D1 can be omitted. In that case, the transistor Q2 is omitted. In this case, by transferring the charge to the capacitor C1, the photodiode D1 can be cleared and the exposure can be started from there. The charges transferred to the capacitor C1 are read out and discarded during the exposure period.

【0024】更に変形例として、不揮発性メモリ(電荷
蓄積部)を設けている場合について説明する。不揮発性
でない電荷蓄積部と、不揮発性の電荷蓄積部とを備えた
撮像素子では、まず不揮発性でない電荷蓄積部に光セン
サ部から全画素同時に電荷を転送し、その後1画素ずつ
順次不揮発性の電荷蓄積部に電荷を転送すると良い。こ
れは、一般にフラッシュメモリなどは書き込み速度が遅
く、書き込みに時間がかかるので、書き込みのタイミン
グを合わせるためである。
Further, as a modification, a case where a non-volatile memory (charge storage section) is provided will be described. In an image pickup device including a non-volatile charge storage unit and a non-volatile charge storage unit, first, charges are transferred from the photosensor unit to the non-volatile charge storage unit at the same time for all pixels, and then one pixel at a time. It is preferable to transfer the charges to the charge storage section. This is because a flash memory or the like generally has a low writing speed and takes a long time to write, so that the writing timing is adjusted.

【0025】図2は、図1の撮像素子を含む撮像素子回
路20の概略構成図である。図1に示す画素50を2次
元的に配列してなる撮像部54の各画素50(図1)
は、上述したように、MPU27から制御信号を受ける
撮像素子制御回路23(タイミングジェネレータを含
む)に制御される垂直シフトレジスタ52と水平シフト
レジスタ53とにより、各々制御されて動作するように
なっている。
FIG. 2 is a schematic block diagram of an image sensor circuit 20 including the image sensor of FIG. Each pixel 50 (FIG. 1) of the imaging unit 54 in which the pixels 50 shown in FIG. 1 are two-dimensionally arranged.
As described above, the vertical shift register 52 and the horizontal shift register 53 controlled by the image sensor control circuit 23 (including the timing generator) receiving the control signal from the MPU 27 are controlled and operate. There is.

【0026】本実施の形態においては、画素50の一部
は、露光制御のために被写体からの光を検出する測光を
行うための画素(第2群の画素)であり、残りの画素
(第1群の画素)が、被写体像を画像データに変換する
機能を有する。従って、第1群の画素からの出力信号
は、出力端子55aを経て出力アンプ55により増幅さ
れて、撮像素子回路20の外部へと出力され、第2群の
画素からの出力信号は、出力端子56aを経て出力アン
プ56により増幅され、コンパレータ7で、所定の測光
レベル(閾値)と比較され、その結果が撮像素子制御回
路23へと出力されるようになっている。図2に示すよ
うに、撮像部54、垂直シフトレジスタ52,水平シフ
トレジスタ53,撮像素子制御回路23,出力アンプ5
5,56,及びコンパレータ7は、ワンチップ化されて
いる。又、ワンチップ化された回路は、図示していない
が、測光レベルを設定するためのレジスタ及びDAコン
バータも内蔵しており、更に、外部からこのレジスタを
書き換えて測光レベルを変えるための通信機能も有して
いる。
In the present embodiment, some of the pixels 50 are pixels (pixels of the second group) for performing photometry for detecting light from the subject for exposure control, and the remaining pixels (the pixels of the second group). One group of pixels) has a function of converting a subject image into image data. Therefore, the output signal from the pixel of the first group is amplified by the output amplifier 55 via the output terminal 55a and is output to the outside of the image sensor circuit 20, and the output signal from the pixel of the second group is output terminal. The signal is amplified by the output amplifier 56 via 56a, compared with a predetermined photometric level (threshold value) by the comparator 7, and the result is output to the image sensor control circuit 23. As shown in FIG. 2, the image pickup unit 54, the vertical shift register 52, the horizontal shift register 53, the image pickup element control circuit 23, the output amplifier 5
5, 56 and the comparator 7 are integrated into one chip. Although not shown, the one-chip circuit also has a built-in register for setting the photometric level and a DA converter, and a communication function for rewriting this register from the outside to change the photometric level. I also have.

【0027】図3は、撮像部54における画素の配列を
示す概略構成図である。2次元に配列された第1群の画
素50a内に、所定の間隔で第2群の画素50b(ハッ
チングで示している)が配置されている。本実施の形態
においては、汎用のCMOS型撮像素子において、画像
データを得るための画素の一部を、露光制御用の画素と
して用いることで、低コストな構成とできる。尚、本構
成によれば、画像データの一部を露光制御用データとし
て用いることとなるため、第2群の画素の位置に、画素
欠陥(いわゆる黒キズ)と同等の状態が生じることとな
るが、かかる画素欠陥は、通常生じうる黒キズと同様
に、周囲画素の画像データより補正することができるた
め、大きな問題は生じないと考えられる。又、第2群の
画素50bの数としては、第1群の画素50aが1Mピ
クセルあるとすると、30〜100程度あると好まし
い。第2群の画素50bは、アドレスにより特定され、
常に出力している状態であると良い。かかる場合、複数
個ある画素の出力を合わせて、一つの出力とできる。第
2群の画素50bは、中央のみに配置されても良く、撮
像部50全体にわたって所定間隔で配置されても良い。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an array of pixels in the image pickup section 54. Pixels 50b of the second group (shown by hatching) are arranged at predetermined intervals in the pixels 50a of the first group which are two-dimensionally arranged. In the present embodiment, in a general-purpose CMOS image sensor, a part of pixels for obtaining image data is used as pixels for exposure control, so that a low cost structure can be obtained. According to this configuration, a part of the image data is used as the exposure control data, so that a state equivalent to a pixel defect (so-called black defect) occurs at the position of the pixel of the second group. However, it is considered that such a pixel defect does not cause a big problem because it can be corrected from the image data of the surrounding pixels, like a black defect that may occur normally. Further, the number of the pixels 50b of the second group is preferably about 30 to 100 when the pixels 50a of the first group are 1M pixels. The pixel 50b of the second group is specified by the address,
It is good that it is always outputting. In such a case, the outputs of a plurality of pixels can be combined to form one output. The second group of pixels 50b may be arranged only in the center, or may be arranged at a predetermined interval over the entire imaging unit 50.

【0028】図4は、図3の撮像部を用いた場合におけ
る、信号取り出し用の配線図である。図4に示すよう
に、第1群の画素50aと、第2群の画素50bとは、
それぞれ独立の配線W2,W1により出力アンプ55,
56に対して接続されている。
FIG. 4 is a wiring diagram for signal extraction when the image pickup section of FIG. 3 is used. As shown in FIG. 4, the first group of pixels 50a and the second group of pixels 50b are
Output amplifiers 55,
56 is connected.

【0029】図5は、本実施の形態の変形例にかかる撮
像部54における画素の配列を示す概略構成図である。
2次元に配列された第1群の画素50aの間に、第2群
の画素50b(ハッチングで示している)が配置されて
いる。本実施の形態においては、CMOS型撮像素子を
専用に(第2群の画素50b専用の配線を含む)製作す
る必要があるものの、図3の構成と異なり、画素欠陥は
生じないため、画質を高く維持することができる。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an array of pixels in the image pickup section 54 according to the modification of the present embodiment.
The pixels 50b of the second group (shown by hatching) are arranged between the pixels 50a of the first group which are two-dimensionally arranged. In the present embodiment, although it is necessary to manufacture the CMOS type image pickup device exclusively (including the wiring dedicated to the pixel 50b of the second group), unlike the configuration of FIG. Can be kept high.

【0030】図6は、図5の撮像部を用いた場合におけ
る、信号取り出し用の配線図である。図6に示すよう
に、第1群の画素50aと、第2群の画素50bとは、
それぞれ独立の配線W2,W1により出力アンプ55,
56に対して接続されている。
FIG. 6 is a wiring diagram for signal extraction when the image pickup section of FIG. 5 is used. As shown in FIG. 6, the first group of pixels 50a and the second group of pixels 50b are
Output amplifiers 55,
56 is connected.

【0031】第2群の画素から信号を読み出す方法とし
ては、以下のものがある。 1)全受光素子に同時にアクセスして、同時に信号を読
出して、それを加算して取り出す方法。この場合、全受
光素子の出力トランジスタがONするようにXYアドレ
スを指定して、信号を読み出す。 2)高速で1画素づつ切り替えて読み出す方法。この場
合は、ストロボを使用する場合も考慮しストロボ光の発
光時間に対して十分早い時間間隔で信号を読み出す必要
がある。1画素づつ読み出された信号は外部で加算され
る。 3)上記を組み合わせた方法。受光素子をいくつかのグ
ループに分けて、グループごとに読み出す方法である。
There are the following methods for reading out signals from the second group of pixels. 1) A method of simultaneously accessing all the light receiving elements, reading signals at the same time, adding them, and taking them out. In this case, the signals are read by designating the XY addresses so that the output transistors of all the light receiving elements are turned on. 2) A method of reading at high speed by switching pixel by pixel. In this case, it is necessary to consider the case of using a strobe and read out the signal at a time interval sufficiently short with respect to the emission time of the strobe light. The signals read out pixel by pixel are added externally. 3) A method combining the above. This is a method in which the light receiving elements are divided into several groups and read out for each group.

【0032】1)の方法は、信号を加算して一度に検出
するので、応答速度の早い測光を行うことができると共
に、複雑な回路や複雑な測光アルゴリズムを用いること
なく測光を行うことができる。2)の方法は、ストロボ
光の発光時間が、数百μs程度なので、受光素子の数に
も依存するが、第2群の画素を百個程度とすると、数1
0ns以下、できれば10ns程度以下のアクセススピ
ードが必要となるが、後述するようなきめ細やかな測光
制御を行うことができる。3)の方法は、その中間で、
両方の長所、短所を併せ持つ。例えば、1カラム分の受
光素子の信号を同時に読み出し、それを全カラムにわた
って順に切り替えて読みだしていくような形になる。
In the method 1), since signals are added and detected at one time, photometry with a fast response speed can be performed, and photometry can be performed without using a complicated circuit or a complicated photometry algorithm. . The method 2) depends on the number of light receiving elements because the flash light emission time is about several hundred μs, but if the number of pixels of the second group is about 100, then
An access speed of 0 ns or less, preferably about 10 ns or less is required, but fine metering control as described later can be performed. The method of 3) is in the middle,
It has both advantages and disadvantages. For example, the signal of the light receiving element for one column is read out simultaneously, and the signal is sequentially read over all the columns and read out.

【0033】個別に読み出す場合は、適応的に信号を利
用することができる。CMOS型撮像素子の場合、各画
素ごとに信号が読み出せるので、例えば、ストロボ撮影
時においては、ストロボ発光後に変化の大きい画素に注
目して、信号を利用することができる。最初は全ての第
2群の画素から信号を読み出すが、ストロボ発光後変化
の大きい画素があれば、そのうちの幾つか或いは全部を
選び、その画素からの信号のみを読み出す。つまり、例
えば人物を撮影したときに、顔や、体等の反射光量を測
りたい部分に注目して測光することになる。また、この
場合においては使用する第2群の画素数が減る分、読出
しサイクルが短くなり、時間軸方向の分解能が高くな
り、より精度の高い測光が可能となる。又、専用の第2
群の画素を設ける場合は、読出し回路も専用に設けるこ
とができる。出力回路も専用に設けることもできるが、
画像信号の出力と共通にすることもできる。
When reading out individually, signals can be used adaptively. In the case of the CMOS type image pickup device, since the signal can be read out for each pixel, for example, during stroboscopic photography, the signal can be used by paying attention to the pixel that has a large change after strobe light emission. Initially, signals are read from all the pixels of the second group, but if there is a pixel having a large change after stroboscopic light emission, some or all of them are selected and only the signal from that pixel is read. That is, for example, when a person is photographed, the portion where the amount of reflected light such as the face or body is desired to be measured is focused and the light is measured. Further, in this case, the number of pixels of the second group to be used is reduced, so that the read cycle becomes shorter, the resolution in the time axis direction becomes higher, and more accurate photometry becomes possible. Also, a dedicated second
When the pixels of the group are provided, the readout circuit can also be provided exclusively. The output circuit can also be provided exclusively,
It can be shared with the output of the image signal.

【0034】図7は、本実施の形態にかかる撮影装置の
一例である電子スチルカメラの概略構成を示す図であ
る。図7において、27は、絞りやシャッタ速度を決定
したり、各種回路に制御信号を出力するMPUであり,
24は、信号出力手段であるレリーズスイッチであり、
25は、オン操作することによってバッテリBTからM
PU27等に電力を供給し、オフ操作することによって
その電力を遮断する電源スイッチである。更に、21は
被写体3からの反射光を集光する撮影レンズであり、2
2は図1に示すCMOS型撮像素子である。23は判断
部であるコンパレータ7からのストップ信号を受けて撮
像素子22の露光量制御を行う撮像素子制御回路であ
る。
FIG. 7 is a view showing the schematic arrangement of an electronic still camera which is an example of the image pickup apparatus according to this embodiment. In FIG. 7, 27 is an MPU that determines the aperture and shutter speed, and outputs control signals to various circuits.
24 is a release switch which is a signal output means,
25 is turned on, the battery BT to M
This is a power switch that supplies power to the PU 27 and the like and shuts off the power by turning it off. Further, 21 is a photographing lens that collects the reflected light from the subject 3,
Reference numeral 2 denotes the CMOS image sensor shown in FIG. An image sensor control circuit 23 controls the exposure amount of the image sensor 22 in response to a stop signal from the comparator 7 which is a determination unit.

【0035】次に、欠陥画素としての白キズの検出につ
いて説明する。尚、白キズの検出は、電子スチルカメラ
の製造工程において行われ、得られた検出結果をEEP
ROM28に記憶して、かかる検出結果を実際の撮像の
ときに白キズ補正に用いるようになっている。しかしな
がら、経時的に増大する白キズに対応すべく、電源投入
時毎に、あるいはリサイクル可能な電子スチルカメラな
らば、リサイクルのために回収された時点で、その検出
を実行して、検出結果を更新するようにしても良い。
Next, detection of a white defect as a defective pixel will be described. In addition, the detection of the white flaw is performed in the manufacturing process of the electronic still camera, and the obtained detection result is EEP.
The detection result is stored in the ROM 28 and is used for white defect correction during actual image pickup. However, in order to deal with white scratches that increase over time, the detection result is executed every time the power is turned on, or if the electronic still camera is recyclable, when it is collected for recycling. It may be updated.

【0036】電子スチルカメラの製造工程における白キ
ズ検出の態様を説明する。まず、チェックモード状態
で、電源スイッチ25を投入すると、かかるスイッチ信
号がMPU27に入力され、MPU27によって絞り2
6が全閉に駆動され、この状態でCMOS型撮像素子2
2により、入射光を制限しながら1画面分撮像を行う。
かかる撮像によるCMOS型撮像素子22からの出力
は、画像用メモリ(不図示)に蓄積され、MPU27
は、予めEEPROM28に記憶されている白キズ判定
用の閾値(基準データ)と、各画素毎の画像データすな
わち出力信号とをそれぞれ比較する。尚、この基準デー
タは、撮像した画像データを用い、検出する画素の周辺
データから平均等により求めることができる。
A mode of white defect detection in the manufacturing process of the electronic still camera will be described. First, when the power switch 25 is turned on in the check mode state, the switch signal is input to the MPU 27 and the aperture 2
6 is driven fully closed, and in this state, the CMOS image sensor 2
By 2, the image pickup for one screen is performed while limiting the incident light.
The output from the CMOS type image pickup device 22 by such image pickup is accumulated in an image memory (not shown), and is output to the MPU 27.
Compares the threshold value (reference data) for white defect determination stored in the EEPROM 28 in advance with the image data of each pixel, that is, the output signal. The reference data can be obtained by averaging the peripheral data of the detected pixel using imaged image data.

【0037】このとき検出するキズレベルについて、画
像データ全てに対して同じ範囲とするのではなく、ある
エリアを区切って、そのエリア毎に異なる基準で検出し
ても良い。たとえば、画面中央部と周辺部とに分けて、
中央部は5%以下、周辺部は10%以下というように、
キズ検出の条件を変えることができる。このときのパー
センテージは、注目画素の周辺24画素のデータ平均値
に対するキズレベルの比である。
The defect level detected at this time may be detected not by setting the same range for all the image data but by dividing a certain area and by different reference for each area. For example, divide into the central part of the screen and the peripheral part,
5% or less in the central part and 10% or less in the peripheral part,
The conditions for flaw detection can be changed. The percentage at this time is the ratio of the scratch level to the data average value of the 24 pixels around the target pixel.

【0038】このようにして基準データすなわち閾値が
求まるが、上述した撮像によればCMOS型撮像素子2
2の画素上には、入射光が到達しないのであるから、画
素が正常である限り、かかる画素からの出力信号は閾値
未満となるはずである。従って、その出力信号が閾値以
上である場合、白キズに相当する欠陥があると判断す
る。かかる比較により白キズが検出されることとなる。
白キズが検出されれば、それに対応する欠陥画素の位置
情報(二次元座標)が、EEPROM28に記憶される
こととなる。
In this way, the reference data, that is, the threshold value is obtained. According to the above-mentioned image pickup, the CMOS type image pickup device 2
Since the incident light does not reach the pixel No. 2, the output signal from the pixel should be less than the threshold value as long as the pixel is normal. Therefore, when the output signal is equal to or higher than the threshold value, it is determined that there is a defect corresponding to a white defect. By this comparison, white scratches will be detected.
When the white defect is detected, the position information (two-dimensional coordinate) of the defective pixel corresponding to the white defect is stored in the EEPROM 28.

【0039】黒キズに相当する欠陥については、撮影画
面上輝度が一定の被写体を撮影することで、上述の白キ
ズと同様な検出方法で求めることができる。それに対応
する欠陥画素の位置情報(二次元座標)が、EEPRO
M28に記憶される。
Defects corresponding to black scratches can be obtained by the same detection method as for the white scratches described above by shooting an object with a constant brightness on the shooting screen. The position information (two-dimensional coordinates) of the defective pixel corresponding to it is EEPRO
It is stored in M28.

【0040】次に、本発明による実施の形態の撮影動作
を、図面を参照して説明する。図8、9は、本実施の形
態にかかる電子スチルカメラの動作を示すフローチャー
トである。前提として、製造工程において、上述した欠
陥画素のチェックが行われ、記憶手段であるEEPRO
M28内には、欠陥画素の位置に関する情報、及びその
欠陥画素を使用しないで測光制御を行うように指示する
情報(必要に応じて、欠陥画素の代わりに用いられる正
常な画素の位置に関する情報)が記憶されているものと
する。
Next, the photographing operation of the embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings. 8 and 9 are flowcharts showing the operation of the electronic still camera according to the present embodiment. As a premise, in the manufacturing process, the above-mentioned defective pixel is checked, and EEPRO which is a storage unit is used.
In M28, information regarding the position of the defective pixel and information instructing to perform photometric control without using the defective pixel (information regarding the position of a normal pixel used in place of the defective pixel, if necessary) Is stored.

【0041】図8のステップS100において、電源ス
イッチ25のオン操作がなされると、ステップS101
において、MPU27等にバッテリーBTから電力が供
給される。続くステップS102で、第2群の画素の決
定ルーチンが開始される。より具体的には、図9のステ
ップS102aで、制御手段であるMPU27は、EE
PROM28から欠陥画素の位置に関するデータを読み
出す。かかるデータに基づいて、ステップS102b
で、MPU27は、設計的に定められていた位置(たと
えば図3〜6の50b)の第2群の画素50bが、欠陥
画素に相当するか否か判断する。
When the power switch 25 is turned on in step S100 of FIG. 8, step S101 is performed.
At, the electric power is supplied from the battery BT to the MPU 27 and the like. In the following step S102, the determination routine for the pixels of the second group is started. More specifically, in step S102a in FIG. 9, the MPU 27, which is the control unit, sets the EE
Data regarding the position of the defective pixel is read from the PROM 28. Based on such data, step S102b
Then, the MPU 27 determines whether or not the pixel 50b of the second group at the position (for example, 50b in FIGS. 3 to 6) that is designed by design corresponds to the defective pixel.

【0042】欠陥画素に相当すると判断した場合、MP
U27は、ステップS102cで、第2群の画素50b
を、たとえば欠陥画素の隣の画素(ただし、フィルタの
色は同一とするのが望ましい)にするなど設定変更を行
い、再度、ステップS102bで設定変更後の第2群の
画素50bが欠陥画素に相当するか否か判断する。欠陥
画素に相当しないと判断されれば、その設定を維持した
まま、決定ルーチンを抜け、レリーズを待つ。尚、EE
PROM28内に、欠陥画素の代わりに用いられる正常
な画素の位置に関する情報が含まれていれば、かかる情
報に基づいて、直ちに第2群の画素50bを決定しても
よい。
When it is judged that the pixel corresponds to the defective pixel, MP
In step S102c, the U27 determines the pixel 50b of the second group.
Is changed to, for example, a pixel next to the defective pixel (however, it is desirable that the color of the filter is the same), and the pixel 50b of the second group after the setting is changed to the defective pixel again in step S102b. It is judged whether or not it corresponds. If it is determined that the pixel does not correspond to the defective pixel, the setting routine is left and the decision routine is exited to wait for the release. EE
If the PROM 28 contains information about the position of a normal pixel used instead of the defective pixel, the second group of pixels 50b may be immediately determined based on this information.

【0043】ステップS103で、レリーズスイッチ2
4がオン操作されると、ステップS104で、MPU2
7は、第1群の画素50aと、決定された第2群の画素
50bの光電変換を開始する。かかる場合、第2群の画
素50bには欠陥画素が含まれていないため、欠陥画素
から不適切なデータが読み出されることが抑制される。
In step S103, the release switch 2
4 is turned on, in step S104, MPU2
7 starts photoelectric conversion of the pixels 50a of the first group and the determined pixels 50b of the second group. In such a case, since the defective pixel is not included in the second group of pixels 50b, it is possible to prevent inappropriate data from being read from the defective pixel.

【0044】ここで、MPU27は、第2群の画素50
bに蓄積した画素を短いサイクルで定期的に取り出すよ
うに、撮像素子制御回路23に対して制御信号を出力
し、その総計を測光レベルの閾値とコンパレータ7にて
比較することで、規定光量になったか否か判断する(ス
テップS105)。規定光量に達しない場合、ステップ
S106で、MPU27は、レリーズから所定時間経過
したか否か判断する。レリーズから所定時間経過する前
に、コンパレータ7が規定光量に達したと判断した場
合、MPU27は、ステップS110で、第1群の画素
50aの光電変換を終了し、ステップS111で、蓄積
した電荷を読み出して、A/D変換その他の処理を行い
画像データとした上で、ステップS112でこれを不図
示のメモリに記憶する。その後、ステップS113で電
源を自動的にオフする(更にステップS103に戻っ
て、撮影を続行してもよい)。
Here, the MPU 27 includes the second group of pixels 50.
By outputting a control signal to the image sensor control circuit 23 so that the pixels accumulated in b are periodically taken out in a short cycle, and comparing the total with the threshold value of the photometric level with the comparator 7, the specified light amount is obtained. It is determined whether or not (step S105). If the specified light amount has not been reached, the MPU 27 determines in step S106 whether or not a predetermined time has elapsed from the release. When the comparator 7 determines that the prescribed light amount has been reached before the predetermined time has elapsed from the release, the MPU 27 ends the photoelectric conversion of the pixels 50a of the first group in step S110, and the accumulated charge is removed in step S111. The image data is read out and subjected to A / D conversion and other processing to obtain image data, which is stored in a memory (not shown) in step S112. After that, the power is automatically turned off in step S113 (the process may return to step S103 to continue shooting).

【0045】一方、規定光量に達する前に、レリーズか
ら所定時間経過したと判断した場合、ステップS107
で、MPU27は、第1群の画素50aの光電変換を強
制的に終了し、ステップS108で、「露光不足です。
撮影を中止しました」などのメッセージを不図示の液晶
パネルに表示して警告を行う。尚、かかる警告はブザー
や音声であってもよい。その後、ステップS109で、
MPU27は、画素50a、50bの電荷を消去し、ス
テップS113で電源をオフ操作する。
On the other hand, if it is determined that the predetermined time has elapsed from the release before the specified light amount is reached, step S107.
Then, the MPU 27 forcibly ends the photoelectric conversion of the pixels 50a of the first group, and in step S108, "The exposure is insufficient.
A message such as "The shooting was stopped" is displayed on the LCD panel (not shown) to warn. The warning may be a buzzer or a voice. Then, in step S109,
The MPU 27 erases the charges of the pixels 50a and 50b, and turns off the power in step S113.

【0046】本実施の形態によれば、第1群の画素50
aの光電変換開始と同時に、第2群の画素50bの光電
変換を開始するので、撮影中の被写界輝度を正確に測光
できるため、適正な露光を得ることができる。尚、規定
光量に達する前に、レリーズから所定時間経過したと判
断した場合、第1群の画素50aの光電変換を強制的に
終了することなく、「露光不足です」などのメッセージ
を不図示の液晶パネルに表示して警告のみを行ってもよ
い。撮影者が夜景シーンの撮影を意図して、長時間露光
を行うこともあるからである。
According to the present embodiment, the first group of pixels 50
Since the photoelectric conversion of the pixel 50b of the second group is started at the same time when the photoelectric conversion of a is started, the field brightness during photographing can be accurately measured, and an appropriate exposure can be obtained. If it is determined that a predetermined time has elapsed from the release before the specified light amount is reached, a message such as "underexposure" is not shown without forcibly ending the photoelectric conversion of the pixels 50a of the first group. You may display it on a liquid crystal panel and give only a warning. This is because the photographer may perform long-time exposure with the intention of photographing a night scene.

【0047】更に、規定光量に達する前に、レリーズか
ら所定時間経過したと判断した場合でも、所定の操作と
してたとえばレリーズスイッチ24が押されたままにな
っている場合、MPU27は、何ら警告を行わず、第1
群の画素50aの光電変換を続行させることも考えられ
る。レリーズスイッチ24が押されたままである場合に
は、撮影者が長時間露光を意図していることが明白だか
らである。
Further, even if it is determined that a predetermined time has elapsed from the release before the specified light amount is reached, if the release switch 24 is kept pressed as a predetermined operation, the MPU 27 gives no warning. No, first
It is also conceivable to continue the photoelectric conversion of the pixels 50a of the group. This is because it is clear that the photographer intends a long exposure when the release switch 24 is still pressed.

【0048】以上述べた本実施の形態では、画像データ
取得用の第1群の画素50aと、露光制御用のデータ取
得用の第2群の画素50bとを独立させている。しかし
ながら、第2群の画素50bを、いわゆる非破壊読み出
し可能な画素とすれば、蓄積された電荷を取り出すこと
なく、その量を確認できるため、第2群の画素50bに
蓄積された電荷を画像データの一部として用いることが
でき、それにより画質の向上を図ることができる。又、
積分開始を、第2群の画素50bの電荷を排出し終った
後、第1群の画素50aの電荷を出力できる状態にして
から行ってもよい。
In the present embodiment described above, the first group of pixels 50a for image data acquisition and the second group of pixels 50b for exposure control data acquisition are independent. However, if the second group of pixels 50b is a so-called non-destructive read-out pixel, the amount of the accumulated charges can be confirmed without being taken out, so that the charges accumulated in the second group of pixels 50b are imaged. It can be used as a part of the data, which can improve the image quality. or,
The integration may be started after the charge of the pixels 50b of the second group is completely discharged and then the charge of the pixels 50a of the first group can be output.

【0049】このように、CMOS型撮像素子を用いれ
ば、任意の画素の電荷を読み出すことができるので、本
実施の形態のごとく、撮像素子22の画素の一部を、露
光制御用データ取得のために用いることができ、それに
よって従来技術で設けていたような被写界輝度を測定す
るための受光素子が不要となり、コスト低減や、外観デ
ザインの自由度を高めることができる。
As described above, since the charge of any pixel can be read out by using the CMOS type image pickup device, as in the present embodiment, a part of the pixels of the image pickup device 22 is used for acquiring exposure control data. Therefore, the light receiving element for measuring the field brightness, which is provided in the prior art, becomes unnecessary, and the cost can be reduced and the degree of freedom in appearance design can be increased.

【0050】又、撮像素子22の画素に欠陥があった場
合でも、上述したように、測光用データを取得する第2
群の画素を欠陥画素としないことで、測光用データの信
頼度を向上させることができる。
In addition, even if there is a defect in the pixel of the image pickup device 22, as described above, the second photometric data is acquired.
The reliability of the photometric data can be improved by not setting the pixels of the group as defective pixels.

【0051】以上の実施の形態においては、EEPRO
M28に記憶されていた欠陥画素の位置情報に基づい
て、第2群の画素50bの位置を決定するようにしてい
るが、これは撮影の度に行う必要はなく、欠陥画素のデ
ータを更新後に1回行ってもよい。更に、第2群の画素
50bは、たとえば撮影画面中央部における複数の画素
で構成してもよい。かかる場合、その中に欠陥画素が存
在した場合、欠陥画素からの出力データを無視した上
で、残りの画素の平均値より測光用データを求めるよう
にしてもよい。又、周辺の第2群の画素に欠陥があった
場合、中央重点測光に切り替えたり、測光判定基準を変
えることも考えられる。
In the above embodiment, EEPRO
Although the position of the pixel 50b of the second group is determined based on the position information of the defective pixel stored in M28, this does not have to be performed each time photographing is performed, and the data of the defective pixel is updated. You may go once. Furthermore, the second group of pixels 50b may be composed of, for example, a plurality of pixels in the center of the shooting screen. In this case, if a defective pixel exists in the defective pixel, the output data from the defective pixel may be ignored and the photometric data may be obtained from the average value of the remaining pixels. Further, when there is a defect in the second group of pixels in the periphery, it is possible to switch to center-weighted photometry or change the photometric determination standard.

【0052】図10は、別な実施の形態にかかる電子ス
チルカメラの製造工程を示すフローチャート図である。
ステップS201では、欠陥画素のチェック前に、第2
群の画素50bの位置を決めずに、欠陥画素のチェック
を行って、その位置に関する情報を記憶する。更に、ス
テップS202において、第1群の画素50aと第2群
の画素50bとを仕分ける画素群設定工程で、欠陥画素
を避けるようにして第2群の画素50bを設定する。最
後にステップS203で、設定された第2群の画素50
bの位置を、たとえばEEPROM28に記憶する。こ
れにより、撮影の際、第2群の画素50bから信頼性の
高い測光用データを得ることができる。
FIG. 10 is a flow chart showing a manufacturing process of an electronic still camera according to another embodiment.
In step S201, the second
Without determining the position of the pixel 50b of the group, the defective pixel is checked and the information regarding the position is stored. Further, in step S202, in the pixel group setting step of classifying the pixels 50a of the first group and the pixels 50b of the second group, the pixels 50b of the second group are set so as to avoid defective pixels. Finally, in step S203, the set second group of pixels 50
The position of b is stored in the EEPROM 28, for example. This makes it possible to obtain highly reliable data for photometry from the second group of pixels 50b during shooting.

【0053】図11は、更に別な実施の形態にかかる電
子スチルカメラの製造工程を示すフローチャート図であ
る。かかる電子スチルカメラにおいては、製造段階で、
第2群の画素50bがいずれか決まっている。
FIG. 11 is a flow chart showing a manufacturing process of an electronic still camera according to still another embodiment. In such an electronic still camera, at the manufacturing stage,
One of the pixels 50b of the second group is determined.

【0054】図11のステップS301に示すように、
製造工程で、第2群の画像50bの中に欠陥画素がない
かをチェックし、あった場合にはその場所を記憶手段に
記憶する。第2群の画素50bにフィルタが設けられて
いる場合には、そのフィルタの色も記憶する。そしてこ
の場合において、欠陥画素のフィルタ色に偏りがある場
合は、測光に使用する画素にフィルタ色の偏りが生じな
いように、欠陥画素でない画素も欠陥画素とみなして記
憶する。このようにして測光に使用する画素のフィルタ
色の偏りを防止し、正確な測光信号を得られるようにす
る。
As shown in step S301 of FIG.
In the manufacturing process, it is checked whether or not there is a defective pixel in the image 50b of the second group, and if there is, the location is stored in the storage means. When the second group of pixels 50b is provided with a filter, the color of the filter is also stored. In this case, if there is a bias in the filter colors of the defective pixels, pixels that are not defective pixels are also stored as defective pixels so that the pixels used for photometry are not biased in the filter colors. In this way, the bias of the filter color of the pixels used for photometry is prevented and an accurate photometry signal can be obtained.

【0055】ステップS302では、ステップS301
で検出した欠陥画素の数に応じて測光レベルを設定す
る。すなわち、測光に使用する画素の数に応じた(信号
値に見合った)測光レベルを設定するのである。
In step S302, step S301
The photometric level is set according to the number of defective pixels detected in. That is, the photometric level (comparable to the signal value) is set according to the number of pixels used for photometry.

【0056】以上、本発明を実施の形態を参照して説明
してきたが、本発明は上記実施の形態に限定して解釈さ
れるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることは
もちろんである。たとえば第2群の画素50bが欠陥画
素に相当する場合、欠陥画素の位置を表すLUTを用い
るほか、その画素からのデータを取り込まないようにす
るために、画素から延在する出力用のワイヤをカットす
るなどの方法も考えられる。撮像素子は、CMOSに限
らずCCDを用いることもできる。
Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and it goes without saying that appropriate modifications and improvements are possible. is there. For example, when the pixel 50b of the second group corresponds to a defective pixel, an LUT indicating the position of the defective pixel is used, and an output wire extending from the pixel is used to prevent data from being fetched from the pixel. A method such as cutting may be considered. The image pickup element is not limited to CMOS, but CCD can be used.

【0057】[0057]

【発明の効果】本発明の画像処理システムによれば、撮
像素子に欠陥画素があった場合でも、適正な測光用デー
タを得ることができる撮影装置の製造方法及び撮影装置
を提供することができる。
According to the image processing system of the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a photographing apparatus and a photographing apparatus capable of obtaining proper data for photometry even when there is a defective pixel in the image sensor. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施の形態にかかるCMOS型撮像素子の等
価回路図である。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a CMOS image sensor according to the present embodiment.

【図2】図1の撮像素子を含む撮像素子回路20の概略
構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an image sensor circuit 20 including the image sensor of FIG.

【図3】撮像部54における画素の配列を示す概略構成
図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an array of pixels in an imaging unit 54.

【図4】図3の撮像部を用いた場合における、信号取り
出し用の配線図である。
FIG. 4 is a wiring diagram for extracting a signal when the image pickup unit of FIG. 3 is used.

【図5】本実施の形態の変形例にかかる撮像部54にお
ける画素の配列を示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an array of pixels in an imaging unit 54 according to a modified example of the present embodiment.

【図6】図5の撮像部を用いた場合における、信号取り
出し用の配線図である。
FIG. 6 is a wiring diagram for signal extraction when the image pickup unit of FIG. 5 is used.

【図7】本実施の形態にかかる撮影装置の一例である電
子スチルカメラの概略構成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of an electronic still camera which is an example of an image capturing apparatus according to the present embodiment.

【図8】本実施の形態にかかる電子スチルカメラの動作
を示すフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the electronic still camera according to the present embodiment.

【図9】本実施の形態にかかる電子スチルカメラの動作
を示すフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the electronic still camera according to the present embodiment.

【図10】別な実施の形態にかかる電子スチルカメラの
製造工程を示すフローチャート図である。
FIG. 10 is a flowchart showing a manufacturing process of an electronic still camera according to another embodiment.

【図11】更に別な実施の形態にかかる電子スチルカメ
ラの製造工程を示すフローチャート図である。
FIG. 11 is a flowchart showing a manufacturing process of an electronic still camera according to still another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 コンパレータ 22 CMOS型撮像素子 23 撮像素子制御回路 24 レリーズスイッチ 25 電源スイッチ 27 MPU 28 EEPROM 50 撮像部 50a 第1群の画素 50b 第2群の画素 51 タイミングジェネレータ 52 垂直シフトレジスタ 53 水平シフトレジスタ 7 comparator 22 CMOS image sensor 23 Image sensor control circuit 24 Release switch 25 power switch 27 MPU 28 EEPROM 50 Imaging unit 50a First group of pixels 50b Second group of pixels 51 Timing generator 52 Vertical shift register 53 Horizontal shift register

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 京静 東京都日野市さくら町1番地 コニカ株式 会社内 (72)発明者 保坂 隆男 東京都日野市さくら町1番地 コニカ株式 会社内 (72)発明者 高山 淳 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 (72)発明者 佐藤 幸一 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 (72)発明者 北田 壮功 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 Fターム(参考) 4M118 AA07 AB01 BA14 CA02 DD09 FA06 5C022 AA13 AB06 AC42 AC69 5C024 BX01 CX23 CX24 CY47 EX11 GX21 GY31 GZ42    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Keita Miyata             Konica Stock, 1 Sakura-cho, Hino City, Tokyo             In the company (72) Inventor Takao Hosaka             Konica Stock, 1 Sakura-cho, Hino City, Tokyo             In the company (72) Inventor Jun Takayama             2970 Ishikawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo Konica stock             Inside the company (72) Inventor Koichi Sato             2970 Ishikawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo Konica stock             Inside the company (72) Inventor Satoru Kitada             2970 Ishikawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo Konica stock             Inside the company F-term (reference) 4M118 AA07 AB01 BA14 CA02 DD09                       FA06                 5C022 AA13 AB06 AC42 AC69                 5C024 BX01 CX23 CX24 CY47 EX11                       GX21 GY31 GZ42

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の画素を2次元的に配置した撮像素
子を有し、前記撮像素子が、被写体を画像データに変換
するために用いられる第1群の画素と、測光を行うため
に用いられる第2群の画素とにより構成されてなる撮影
装置の製造方法であって、 前記複数画素の中に欠陥画素が含まれていないかを判定
し、欠陥画素が含まれている場合にはその位置に関する
情報を記憶する工程と、 被写体を画像データに変換するために用いられる第1群
の画素と、測光を行うために用いられる第2群の画素と
を設定する画素群設定工程とを備え、 画素群設定工程において、欠陥画素がある場合には、欠
陥画素を第2群の画素に設定しないようにしたことを特
徴とする撮影装置の製造方法。
1. An image sensor having a plurality of pixels arranged two-dimensionally, the image sensor comprising a first group of pixels used for converting an object into image data, and a pixel used for photometry. A method of manufacturing an image pickup apparatus configured by a second group of pixels, comprising: determining whether a defective pixel is included in the plurality of pixels; And a pixel group setting step of setting a first group of pixels used for converting a subject into image data and a second group of pixels used for performing photometry. In the pixel group setting step, if there is a defective pixel, the defective pixel is not set as the pixel of the second group, and the manufacturing method of the imaging device.
【請求項2】 複数の画素を2次元的に配置した撮像素
子を有し、前記撮像素子が、被写体を画像データに変換
するために用いられる第1群の画素と、測光を行うため
に用いられる第2群の画素とにより構成されてなる撮影
装置の製造方法であって、 前記第2群の画素に欠陥画素が含まれていないかを判定
する工程と、欠陥画素がある場合に、その欠陥画素を使
用しないで測光制御が行われるようにするための情報を
記憶素子に書き込む工程とを備えたことを特徴とする撮
影装置の製造方法。
2. An image pickup device having a plurality of pixels arranged two-dimensionally, the image pickup device being used for performing photometry and a first group of pixels used for converting a subject into image data. A method of manufacturing an image pickup apparatus configured by a second group of pixels, wherein a step of determining whether the second group of pixels does not include a defective pixel; And a step of writing information for performing photometric control without using a defective pixel in a storage element.
【請求項3】 前記情報は、欠陥画素の位置に関する情
報であることを特徴とする請求項2記載の撮影装置の製
造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the information is information regarding a position of a defective pixel.
【請求項4】 前記情報は、欠陥画素の位置に関する情
報と、該欠陥画素の代わりに用いられる画素の位置に関
する情報であることを特徴とする請求項2記載の撮影装
置の製造方法。
4. The method according to claim 2, wherein the information is information about a position of a defective pixel and information about a position of a pixel used in place of the defective pixel.
【請求項5】 複数の画素を2次元的に配置した撮像素
子を有し、被写体を撮影するための撮影装置において、 前記撮像素子は、被写体を画像データに変換するために
用いられる第1群の画素と、測光を行うために用いられ
る第2群の画素とにより構成されたものであり、 前記第2群の画素の欠陥画素を使用しないで測光制御を
行う制御手段を備えたことを特徴とする撮影装置。
5. An imaging device for imaging a subject, comprising an imaging device having a plurality of pixels arranged two-dimensionally, wherein the imaging device is a first group used for converting the subject into image data. And a second group of pixels used for performing photometry, and a control means for performing photometry control without using defective pixels of the second group of pixels. Shooting device.
【請求項6】 前記制御手段は、記憶手段に記憶された
欠陥画素の位置に関する情報に基づき、欠陥画素からの
情報取り込み動作を行わないことを特徴とする請求項5
記載の撮影装置。
6. The control means does not perform an information fetching operation from the defective pixel based on the information regarding the position of the defective pixel stored in the storage means.
The imaging device described.
【請求項7】 前記制御手段は、記憶手段に記憶された
欠陥画素の位置に関する情報に基づき、欠陥画素からの
情報取り込み動作を行わず、該記憶手段に記憶された欠
陥画素の代わりに用いられる画素の位置に関する情報に
基づき該代わりに用いられる画素より情報読みとり動作
を行うことを特徴とする請求項5記載の撮影装置。
7. The control means is used instead of the defective pixel stored in the storage means without performing the operation of taking information from the defective pixel based on the information on the position of the defective pixel stored in the storage means. 6. The image pickup apparatus according to claim 5, wherein the information reading operation is performed from the pixel used instead of the information based on the pixel position information.
【請求項8】 複数の画素を2次元的に配置した撮像素
子を有し、被写体を撮影するための撮影装置において、 前記撮像素子は、被写体を画像データに変換するために
用いられる第1群の画素と、測光を行うために用いられ
る第2群の画素とにより構成されたものであり、 前記第2群の画素に欠陥画素がある場合に、その欠陥画
素を使用しないで測光制御を行うための情報が書き込ま
れた記憶手段を備えたことを特徴とする撮影装置。
8. An imaging device for imaging a subject, comprising an imaging device having a plurality of pixels arranged two-dimensionally, wherein the imaging device is a first group used for converting the subject into image data. And a second group of pixels used for performing photometry, and when a pixel of the second group has a defective pixel, photometric control is performed without using the defective pixel. An image pickup apparatus comprising a storage unit in which information for writing is stored.
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