JP2003100458A - Light emitting equipment - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 51
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 51
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims description 47
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 for example Chemical class 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）を用いた発光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device using EL (electroluminescence).
【０００２】[0002]
【背景技術および発明が解決しようとする課題】ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）を用いたＥＬ発光素子に
おいては、発光が等方的に行われて指向性が悪いため、
特定の方向についてみると、光の強度が弱く、出射光を
高い効率で利用することができないという難点を有す
る。BACKGROUND ART AND PROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION EL
In an EL light-emitting element using (electroluminescence), light is emitted isotropically and the directivity is poor.
When viewed in a specific direction, the intensity of light is weak, and the emitted light cannot be used with high efficiency.
【０００３】また、従来のＥＬ発光素子は、発光波長の
スペクトル幅が広く、表示体などの一部の用途では適用
されているものの、光通信などのスペクトル幅が狭い光
を要求される用途には不向きであった。Further, although the conventional EL light emitting element has a wide spectrum width of emission wavelength and is used in some applications such as a display, it is used in applications such as optical communication where a light with a narrow spectrum width is required. Was unsuitable.
【０００４】本発明の目的は、光を効率よく利用するこ
とができ、かつ発光波長のスペクトル幅が狭い発光装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a light emitting device which can efficiently use light and has a narrow spectral width of emission wavelength.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる発光装置
は、基板と、該基板上に形成された発光素子部とを含
み、前記発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによ
って光を発生する発光層と、前記発光層に電界を印加す
るための一対の電極層と、前記発光層において発生した
光を所定の方向へ伝播させるための光学部材と、を含
み、前記光学部材は、所定の配列を有する微小球から構
成される。A light emitting device according to the present invention includes a substrate and a light emitting element portion formed on the substrate, and the light emitting element portion includes a light emitting layer which emits light by electroluminescence. A pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer, and an optical member for propagating light generated in the light emitting layer in a predetermined direction, the optical member having a predetermined arrangement. Composed of microspheres.
【０００６】本発明の発光装置によれば、正確でかつ微
細なピッチを有する光学部材を得ることができる。これ
により、光を効率よく利用することができ、かつ発光波
長のスペクトル幅が狭い発光装置を得ることができる。According to the light emitting device of the present invention, it is possible to obtain an optical member having an accurate and fine pitch. As a result, it is possible to obtain a light emitting device that can efficiently use light and has a narrow spectral width of the emission wavelength.
【０００７】この場合、前記微小球は、前記発光層で生
じた光を吸収しない材料からなることができる。さら
に、前記微小球は、例えば六方最密構造をとるように配
列することができる。In this case, the microspheres may be made of a material that does not absorb the light generated in the light emitting layer. Furthermore, the microspheres can be arranged to have, for example, a hexagonal close-packed structure.
【０００８】また、本発明の発光装置においては、前記
微小球と、該微小球の周囲の層との屈折率差に基づい
て、前記光学部材がフォトニックバンドギャップあるい
は不完全フォトニックバンドを形成しうる。Further, in the light emitting device of the present invention, the optical member forms a photonic band gap or an incomplete photonic band based on a difference in refractive index between the microspheres and a layer around the microspheres. You can.
【０００９】ここで、「不完全フォトニックバンド」と
は、フォトニックバンドギャップが一部の方向にのみ形
成されるか、あるいはフォトニックバンドギャップが全
方向において形成されない場合のバンドをいう。たとえ
ば、前記光学部材を構成する前記微小球と、該微小球の
周囲の層との間の屈折率差が小さい場合などには、前記
光学部材においてフォトニックバンドギャップが一部の
方向にのみ形成されるか、あるいは全ての方向において
形成されない場合がある。一方、前記光学部材を構成す
る前記微小球と、該微小球の周囲の層との間の屈折率差
が大きい場合などには、前記光学部材において全方向あ
るいは特定の方向にバンドギャップが形成され得る。Here, the "imperfect photonic band" means a band in which the photonic band gap is formed only in a part of the directions or the photonic band gap is not formed in all the directions. For example, when the refractive index difference between the microspheres forming the optical member and the layer around the microsphere is small, the photonic bandgap is formed only in a part of the optical member. Or it may not be formed in all directions. On the other hand, when the refractive index difference between the microspheres forming the optical member and the layer around the microspheres is large, a band gap is formed in the optical member in all directions or in a specific direction. obtain.
【００１０】本発明の発光装置によれば、一対の電極
層、すなわち陰極と陽極とからそれぞれ電子とホールと
が前記発光層内に注入され、この電子とホールとを発光
層で再結合させて、分子が励起状態から基底状態に戻る
ときに光が発生する。そして、この光は、２次元または
３次元で自然放出が制約されて出射し、発光スペクトル
幅が非常に狭く、かつ、高い効率を有する。このような
性質を有する光が得られる理由について、前記光学部材
がフォトニックバンドギャップを形成しうる場合と、不
完全フォトニックバンドを形成しうる場合とに分けて説
明する。According to the light emitting device of the present invention, electrons and holes are injected into the light emitting layer from a pair of electrode layers, that is, a cathode and an anode, respectively, and the electrons and holes are recombined in the light emitting layer. , Light is emitted when the molecule returns from the excited state to the ground state. Then, this light is emitted with the spontaneous emission restricted in two dimensions or three dimensions, the emission spectrum width is very narrow, and the light has high efficiency. The reason why light having such a property is obtained will be described separately for the case where the optical member can form a photonic band gap and the case where the optical member can form an incomplete photonic band.
【００１１】（１）前記光学部材がフォトニックバンド
ギャップを形成しうる場合、前記光学部材によって、光
に対してのバンドが形成される。このバンド内の所定の
バンドエッジのエネルギーにおいて、状態密度が高い状
態が得られる。したがって、前記発光層において発光す
る光のスペクトルのエネルギー準位が、このバンドエッ
ジのエネルギー準位を含むように前記光学部材が構成さ
れることにより、発光層での発光がこのバンドエッジの
エネルギー準位で起こりやすくなる。これにより、所定
のバンドエッジのエネルギー準位に対応する波長を有
し、かつスペクトル幅が狭い光を発光することができ、
発光効率がよい。(1) When the optical member can form a photonic band gap, the optical member forms a band for light. At a predetermined band edge energy within this band, a state with a high density of states can be obtained. Therefore, since the optical member is configured such that the energy level of the spectrum of the light emitted in the light emitting layer includes the energy level of the band edge, the light emission in the light emitting layer causes the energy level of the band edge. It is more likely to occur in the rank. Thereby, it is possible to emit light having a wavelength corresponding to the energy level of a predetermined band edge and having a narrow spectrum width,
The luminous efficiency is good.
【００１２】（２）前記光学部材が不完全フォトニック
バンドを形成しうる場合、前記光学部材によって、光に
対してのバンドが形成される。このバンド内において状
態密度の高いエネルギー準位が存在する。ここで、前記
発光層において発光する光のスペクトルのエネルギー準
位が、この状態密度の高いエネルギー準位を含むように
前記光学部材が構成されることにより、発光層での発光
がこのバンドの所定箇所におけるエネルギー準位で起こ
りやすくなる。これにより、バンドの所定箇所のエネル
ギー準位に対応する波長を有し、かつスペクトル幅が狭
い光を発光することができ、発光効率がよい。(2) When the optical member can form an incomplete photonic band, the optical member forms a band for light. There are energy levels with a high density of states in this band. Here, the optical member is configured such that the energy level of the spectrum of the light emitted in the light emitting layer includes the energy level having a high density of states, so that the light emission in the light emitting layer has a predetermined band of this band. It tends to occur at the energy level at the location. As a result, it is possible to emit light having a wavelength corresponding to the energy level of a predetermined portion of the band and having a narrow spectrum width, and the light emission efficiency is good.
【００１３】上述した本発明の発光装置においては、以
下に示す各種態様を取りうる。The above-described light emitting device of the present invention can take the following various modes.
【００１４】（Ａ）前記一対の電極層の間に配置され、
かつ、一部に開口部を有する絶縁層を含み、前記絶縁層
は、前記開口部を介して前記発光層に供給される電流の
流れる領域を規定する電流狭窄層として機能しうること
ができる。(A) is disposed between the pair of electrode layers,
In addition, the insulating layer may include an insulating layer partially having an opening, and the insulating layer may function as a current confinement layer that defines a region in which a current supplied to the light emitting layer through the opening flows.
【００１５】この場合、前記絶縁層に形成された前記開
口部は、スリット形状を有することができる。In this case, the opening formed in the insulating layer may have a slit shape.
【００１６】また、この場合、前記光学部材の少なくと
も一部が、前記絶縁層に形成された前記開口部に存在す
ることができる。あるいは、この場合、前記発光層の少
なくとも一部が、前記絶縁層に形成された前記開口部に
存在することができる。In this case, at least a part of the optical member may be present in the opening formed in the insulating layer. Alternatively, in this case, at least a part of the light emitting layer can be present in the opening formed in the insulating layer.
【００１７】（Ｂ）前記発光素子部の少なくとも一部
を、保護層によって覆うことができる。(B) At least a part of the light emitting element portion can be covered with a protective layer.
【００１８】（Ｃ）前記発光層は、発光材料として有機
発光材料を含むことができる。(C) The light emitting layer may include an organic light emitting material as a light emitting material.
【００１９】（Ｄ）前記光学部材を、前記発光層中に配
置させることができる。(D) The optical member may be arranged in the light emitting layer.
【００２０】（Ｅ）さらに、ホール輸送／注入層および
電子輸送／注入層の少なくとも一方を含むことができ
る。この場合、前記光学部材を、ホール輸送／注入層ま
たは電子輸送／注入層中に配置させることができる。(E) Furthermore, at least one of a hole transport / injection layer and an electron transport / injection layer can be included. In this case, the optical member can be arranged in the hole transport / injection layer or the electron transport / injection layer.
【００２１】上記の発光装置は、例えばディスプレイ等
の表示装置に適用することができる。また、この表示装
置を、例えば、後述する電子機器に適用することができ
る。あるいは、上記の発光装置を、例えば、後述する電
子機器に適用することができる。The above light emitting device can be applied to a display device such as a display. Further, this display device can be applied to, for example, an electronic device described later. Alternatively, the above light emitting device can be applied to, for example, an electronic device described later.
【００２２】次に、本発明にかかる発光装置の各部分に
用いることができる材料の一部を例示する。これらの材
料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したも
の以外の材料を選択できることはもちろんである。Next, a part of materials that can be used for each part of the light emitting device according to the present invention will be illustrated. Of these materials, only some of the known materials are shown, and it goes without saying that materials other than those exemplified can be selected.
【００２３】（発光層）発光層の材料は、所定の波長の
光を得るために公知の化合物から選択される。発光層の
材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれで
もよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物で
あることが望ましい。(Light Emitting Layer) The material of the light emitting layer is selected from known compounds in order to obtain light of a predetermined wavelength. The material of the light emitting layer may be either an organic compound or an inorganic compound, but is preferably an organic compound from the viewpoint of abundance of types and film forming properties.
【００２４】このような有機化合物としては、例えば、
特開平１０−１５３９６７号公報に開示された、アロマ
ティックジアミン誘導体（ＴＰＤ）、オキシジアゾール
誘導体（ＰＢＤ）、オキシジアゾールダイマー（ＯＸＤ
−８）、ジスチルアリーレン誘導体（ＤＳＡ）、ベリリ
ウム−ベンゾキノリノール錯体（Ｂｅｂｑ）、トリフェ
ニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）、ルブレン、キナク
リドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチ
ン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが
使用できる。As such an organic compound, for example,
Aromatic diamine derivative (TPD), oxydiazole derivative (PBD), oxydiazole dimer (OXD) disclosed in JP-A-10-153967.
-8), distilarylene derivative (DSA), beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDATA), rubrene, quinacridone, triazole derivative, polyphenylene, polyalkylfluorene, polyalkylthiophene, azomethine zinc complex, A porphyrin zinc complex, a benzoxazole zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. can be used.
【００２５】より具体的には、有機発光層の材料として
は、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８
６０号公報、特開平２−１３５３６１号公報、同２−１
３５３５９号公報、同３−１５２１８４号公報、さら
に、同８−２４８２７６号公報および同１０−１５３９
６７号公報に記載されているものなど、公知のものが使
用できる。これらの化合物は単独で用いてもよく、２種
類以上を混合して用いてもよい。More specifically, as the material for the organic light emitting layer, Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-70257 and 63-1758 are used.
60, JP-A-2-135361, 2-1.
No. 35359, No. 3-152184, No. 8-248276, and No. 10-1539.
Known materials such as those described in Japanese Patent Publication No. 67 can be used. These compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００２６】無機化合物としては、ＺｎＳ：Ｍｎ（赤色
領域）、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ（緑色領域）、ＳｒＳ：Ｃ
ｕ、ＳｒＳ：Ａｇ、ＳｒＳ：Ｃｅ（青色領域）などが例
示される。As the inorganic compound, ZnS: Mn (red region), ZnS: TbOF (green region), SrS: C
Examples include u, SrS: Ag, and SrS: Ce (blue region).
【００２７】（電極層）陰極としては、仕事関数の小さ
い（例えば４ｅＶ以下）電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平８−２４８
２７６号公報に開示されたものを用いることができる。(Electrode Layer) As the cathode, an electron injecting metal having a low work function (for example, 4 eV or less), an alloy electrically conductive compound, and a mixture thereof can be used.
Examples of such an electrode material include, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-248.
The one disclosed in Japanese Patent No. 276 can be used.
【００２８】陽極としては、仕事関数の大きい（例えば
４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
2，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。As the anode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a large work function (for example, 4 eV or more), or a mixture thereof can be used. When an optically transparent material is used as the anode, CuI, ITO, SnO
2 , a conductive transparent material such as ZnO can be used,
A metal such as gold can be used when transparency is not required.
【００２９】（ホール輸送／注入層）本発明の発光装置
においては、さらに、ホール輸送／注入層を含むことが
できる。この正孔輸送／注入層は、正孔を前記発光層へ
と輸送し、注入する機能を有する。このホール輸送／注
入層は、陽極と発光層との間に配置される。なお、この
ホール輸送／注入層を有機層から形成することができ
る。(Hole Transport / Injection Layer) The light emitting device of the present invention may further include a hole transport / injection layer. The hole transport / injection layer has a function of transporting and injecting holes to the light emitting layer. This hole transport / injection layer is located between the anode and the light emitting layer. The hole transport / injection layer can be formed of an organic layer.
【００３０】ホール輸送／注入層を形成するための材料
としては、公知の光伝導材料のホール輸送／注入材料と
して用いられているもの、あるいは有機発光装置のホー
ル輸送／注入層に使用されている公知のものの中から選
択して用いることができる。ホール輸送／注入層の材料
には、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの
機能を有するものを用いる。その具体例としては、例え
ば、特開平８−２４８２７６号公報に開示されているも
のを例示することができる。As a material for forming the hole transport / injection layer, a material used as a hole transport / injection material of a known photoconductive material, or a hole transport / injection layer of an organic light emitting device is used. It can be used by selecting from known ones. As the material of the hole transport / injection layer, one having a function of injecting holes or a function of blocking electrons is used. Specific examples thereof include those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-248276.
【００３１】（電子輸送／注入層）本発明の発光装置に
おいては、さらに、電子輸送／注入層を含むことができ
る。この電子輸送／注入層は、電子を前記発光層へと輸
送し、注入する機能を有する。この電子輸送／注入層
は、陰極と発光層との間に配置させる。なお、この電子
輸送／注入層を有機層から形成することができる。(Electron Transport / Injection Layer) The light emitting device of the present invention may further include an electron transport / injection layer. This electron transport / injection layer has a function of transporting and injecting electrons to the light emitting layer. The electron transport / injection layer is located between the cathode and the light emitting layer. The electron transporting / injecting layer can be formed from an organic layer.
【００３２】有機層を電子輸送／注入層として機能させ
るためには、当該有機層が陰極より注入された電子を発
光層に伝達する機能を有していればよく、このような有
機層を形成するための材料は、公知の物質から選択する
ことができる。その具体例としては、例えば、特開平８
−２４８２７６号公報に開示されたものを例示すること
ができる。In order for the organic layer to function as an electron transporting / injecting layer, it is sufficient that the organic layer has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and such an organic layer is formed. The material for doing so can be selected from known substances. As a specific example, for example, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 8
The one disclosed in Japanese Patent No. 248276 can be exemplified.
【００３３】また、本発明の発光装置の各層は、公知の
方法で形成することができる。例えば、発光装置の各層
は、その材質によって好適な成膜方法が選択され、具体
的には、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェ
ット法などを例示できる。Each layer of the light emitting device of the present invention can be formed by a known method. For example, for each layer of the light emitting device, a suitable film forming method is selected depending on the material, and specifically, a vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, an inkjet method and the like can be exemplified.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】（デバイスの構造）図１は、本発
明の一実施の形態にかかる発光装置１００を模式的に示
す断面図である。図２は、図１に示す発光装置１００を
模式的に示す平面図である。図３は、図１に示す発光装
置１００において、Ｃで囲んだ部分を模式的に示す拡大
断面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ線に沿ってＸ−Ｙ
平面に平行な面で切断した面を模式的に示す図である。
なお、図１は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に
示す図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Structure of Device) FIG. 1 is a sectional view schematically showing a light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing the light emitting device 100 shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a portion surrounded by C in the light emitting device 100 shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an XY line taken along the line BB of FIG.
It is a figure which shows typically the surface cut | disconnected by the surface parallel to a plane.
Note that FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section taken along the line AA of FIG. 2.
【００３５】発光装置１００は、基板１０上に発光素子
部を有する。発光素子部は、陽極３０、ホール輸送／注
入層７０、光学部材４０、発光層８０、および陰極５０
を含む。陽極３０、ホール輸送／注入層７０、発光層８
０、および陰極５０は、基板１０に近い側からこの順に
基板１０上に積層されている。また、光学部材４０は、
ホール輸送／注入層７０中に形成されている。そして、
ホール輸送／注入層７０の周囲には、電流狭窄層として
も機能する絶縁層６０が形成されている。また、絶縁層
６０の上には、バンクとしても機能する絶縁層９０が形
成されている。The light emitting device 100 has a light emitting element portion on the substrate 10. The light emitting element portion includes the anode 30, the hole transport / injection layer 70, the optical member 40, the light emitting layer 80, and the cathode 50.
including. Anode 30, hole transport / injection layer 70, light emitting layer 8
0 and the cathode 50 are stacked on the substrate 10 in this order from the side closer to the substrate 10. Further, the optical member 40 is
It is formed in the hole transport / injection layer 70. And
An insulating layer 60 that also functions as a current confinement layer is formed around the hole transport / injection layer 70. An insulating layer 90 that also functions as a bank is formed on the insulating layer 60.
【００３６】さらに、本実施の形態の発光装置１００に
おいては、図２に示すように、発光素子部を覆うよう
に、保護層２０が形成されている。保護層２０によって
発光素子部を覆うことにより、陰極５０および発光層８
０の劣化を防止することができる。また、本実施の形態
の発光装置１００では、溝３８（図５参照）が設置され
ており、溝３８には絶縁層６０が埋め込まれている。ま
た、保護層２０は発光装置全体に形成されず、陽極３０
表面の一部が露出するように形成されている（図１１参
照）。この露出部分は、陽極取出部２６および陰極取出
部２８として機能する。Further, in the light emitting device 100 of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the protective layer 20 is formed so as to cover the light emitting element portion. By covering the light emitting element portion with the protective layer 20, the cathode 50 and the light emitting layer 8 are formed.
It is possible to prevent the deterioration of 0. Further, in the light emitting device 100 of the present embodiment, the groove 38 (see FIG. 5) is installed, and the insulating layer 60 is embedded in the groove 38. In addition, the protective layer 20 is not formed on the entire light emitting device, and the anode 30
It is formed so that a part of the surface is exposed (see FIG. 11). This exposed portion functions as the anode extraction portion 26 and the cathode extraction portion 28.
【００３７】次に、発光素子部の各構成部分について詳
細に説明する。Next, each component of the light emitting element section will be described in detail.
【００３８】陽極３０および陰極５０は、一対の電極層
を構成し、発光層８０に電界を印加するために設けられ
ている。この陽極３０および陰極５０は、それぞれ前述
した材料から形成することができる。本実施の形態の発
光装置１００においては、陽極３０がＩＴＯ等の光学的
に透明な導電材料から形成されている場合を示す。The anode 30 and the cathode 50 form a pair of electrode layers and are provided for applying an electric field to the light emitting layer 80. The anode 30 and the cathode 50 can be formed of the above-mentioned materials. In light emitting device 100 of the present embodiment, a case is shown in which anode 30 is formed of an optically transparent conductive material such as ITO.
【００３９】発光層８０は、エレクトロルミネッセンス
によって光を発生する材料から形成されている。この発
光層８０は、図１に示すように、絶縁層９０に挟まれた
領域において、陽極３０上にホール輸送／注入層７０を
介して配置されている。The light emitting layer 80 is formed of a material that emits light by electroluminescence. As shown in FIG. 1, the light emitting layer 80 is arranged on the anode 30 via the hole transport / injection layer 70 in the region sandwiched by the insulating layers 90.
【００４０】ホール輸送／注入層７０は、陽極３０と発
光層８０との間に形成されている。このホール輸送／注
入層７０は、図１に示すように、絶縁層６０，９０に挟
まれた領域において、陽極３０上に配置されている。発
光層８０およびホール輸送／注入層７０は、前述した材
料から形成することができる。The hole transport / injection layer 70 is formed between the anode 30 and the light emitting layer 80. The hole transport / injection layer 70 is disposed on the anode 30 in the region sandwiched by the insulating layers 60 and 90 as shown in FIG. The light emitting layer 80 and the hole transport / injection layer 70 can be formed from the above-mentioned materials.
【００４１】本実施の形態においては、後述するよう
に、発光層８０およびホール輸送／注入層７０は、イン
クジェット法により形成される。この場合、発光層８０
およびホール輸送／注入層７０を形成する際のパターニ
ング工程が不要となるため、製造工程の簡略化を図るこ
とができる。In the present embodiment, as will be described later, the light emitting layer 80 and the hole transport / injection layer 70 are formed by the ink jet method. In this case, the light emitting layer 80
Also, the patterning process for forming the hole transport / injection layer 70 is not necessary, and therefore the manufacturing process can be simplified.
【００４２】発光装置１００において、絶縁層６０は、
図２に示すように、スリット状の開口部２２を有する。
また、絶縁層９０は絶縁層６０の上に形成され、かつ、
スリット状の開口部２４を有する。この開口部２２，２
４において、図１および図２に示すように、光学部材４
０およびホール輸送／注入層７０、ならびに発光層８０
を介在させた状態で、陽極３０と陰極５０とが配置され
ている。また、この開口部２２，２４以外の領域におい
ては、陽極３０と陰極５０との間に絶縁層６０，９０が
介在する。In the light emitting device 100, the insulating layer 60 is
As shown in FIG. 2, it has a slit-shaped opening 22.
The insulating layer 90 is formed on the insulating layer 60, and
It has a slit-shaped opening 24. This opening 22,2
4, as shown in FIG. 1 and FIG.
0 and hole transport / injection layer 70, and light emitting layer 80
The anode 30 and the cathode 50 are arranged with the interposing. In regions other than the openings 22 and 24, insulating layers 60 and 90 are interposed between the anode 30 and the cathode 50.
【００４３】絶縁層６０は電流狭窄層としても機能す
る。したがって、陽極３０および陰極５０に所定の電圧
が印加されると、図３に示すように、開口部２２に対応
する領域Ｄにおいて主として電流が流れる。このよう
に、電流狭窄層として機能する絶縁層６０を設けること
によって、電流を集中させることができ、発光効率を上
げることができる。The insulating layer 60 also functions as a current confinement layer. Therefore, when a predetermined voltage is applied to the anode 30 and the cathode 50, a current mainly flows in the region D corresponding to the opening 22 as shown in FIG. As described above, by providing the insulating layer 60 that functions as a current confinement layer, the current can be concentrated and the luminous efficiency can be improved.
【００４４】絶縁層９０はバンクとしても機能する。す
なわち、図２に示すように、開口部２４を有する絶縁層
９０を設けることにより、発光層８０およびホール輸送
／注入層７０の形成時において、これらの層のパターニ
ングが不要となる。The insulating layer 90 also functions as a bank. That is, as shown in FIG. 2, by providing the insulating layer 90 having the openings 24, patterning of the light emitting layer 80 and the hole transporting / injecting layer 70 is not necessary when forming these layers.
【００４５】絶縁層６０，９０を構成する材料として
は、絶縁性を有し、かつ、光の閉じ込めが可能な材料で
あれば特に限定されない。なお、絶縁層６０を形成せず
に、絶縁層９０を直接陽極３０上に形成してもよい。The material forming the insulating layers 60 and 90 is not particularly limited as long as it is an insulating material and can confine light. The insulating layer 90 may be directly formed on the anode 30 without forming the insulating layer 60.
【００４６】光学部材４０は、ホール輸送／注入層７０
中に形成されている。すなわち、ホール輸送／注入層７
０には、図３に示すように、光学部材４０と、ホール注
入／輸送層を構成する材料（ホール輸送／注入層構成材
料）４２とが含まれる。The optical member 40 comprises a hole transport / injection layer 70.
Is formed inside. That is, the hole transport / injection layer 7
As shown in FIG. 3, 0 includes an optical member 40 and a material (hole transport / injection layer constituent material) 42 that constitutes the hole injection / transport layer.
【００４７】光学部材４０は、発光層８０において発生
した光を所定の方向へ伝播させるために設けられ、図３
および図４に示すように、所定の配列を有する複数の微
小球４４から構成される。The optical member 40 is provided for propagating the light generated in the light emitting layer 80 in a predetermined direction, and FIG.
And as shown in FIG. 4, it is composed of a plurality of microspheres 44 having a predetermined arrangement.
【００４８】微小球４４は、発光層８０で生じた光の波
長に対応した粒子径を有するものを用いる。例えば、可
視光域で機能させる光学部材４０を形成するためには、
粒子径が１００〜５００ｎｍの微小球４４を用いる。さ
らに、屈折率分布が乱れないように、各微小球４４の粒
子径は均一であることが望ましい。As the microspheres 44, those having a particle diameter corresponding to the wavelength of the light generated in the light emitting layer 80 are used. For example, in order to form the optical member 40 that functions in the visible light range,
The microspheres 44 having a particle diameter of 100 to 500 nm are used. Furthermore, it is desirable that the particle diameter of each microsphere 44 be uniform so that the refractive index distribution is not disturbed.
【００４９】また、この微小球４４は、誘電体からな
り、かつ、発光層８０で生じた光を吸収しない材料から
なる。このような材料としては、例えば、酸化シリコン
や酸化チタン等が例示できる。The microspheres 44 are made of a dielectric material and do not absorb the light generated in the light emitting layer 80. Examples of such a material include silicon oxide and titanium oxide.
【００５０】光学部材４０は、微小球４４の粒子径、配
列方式、および材質に基づいて、周期的な屈折率分布を
有する。また、この光学部材４０は、微小球４４と、微
小球４４の周囲の層（ホール輸送／注入層７０）との屈
折率差に基づいて、フォトニックバンドギャップあるい
は不完全フォトニックバンドを形成しうる。例えば、光
学部材４０を構成する微小球４４と、微小球４４の周囲
の層（ホール輸送／注入層７０）との間の屈折率差が大
きい場合などには、光学部材４０において、フォトニッ
クバンドギャップが全方向または特定の方向に形成され
得る。一方、微小球４４と、微小球４４の周囲の層（ホ
ール輸送／注入層７０）との屈折率差が小さい場合など
には、光学部材４０において、フォトニックバンドギャ
ップが一部の方向にのみ形成されるか、あるいは全ての
方向において形成されない場合がある。The optical member 40 has a periodic refractive index distribution based on the particle size of the microspheres 44, the arrangement method, and the material. Further, the optical member 40 forms a photonic band gap or an incomplete photonic band based on the refractive index difference between the microspheres 44 and the layer (hole transport / injection layer 70) around the microspheres 44. sell. For example, when the refractive index difference between the microspheres 44 forming the optical member 40 and the layer (hole transporting / injecting layer 70) around the microspheres 44 is large, the photonic band in the optical member 40 is increased. The gap may be formed in all directions or in a particular direction. On the other hand, when the difference in refractive index between the microspheres 44 and the layer around the microspheres 44 (hole transporting / injecting layer 70) is small, in the optical member 40, the photonic band gap is only in a part of the direction. It may be formed or may not be formed in all directions.
【００５１】また、本実施の形態の発光装置１００で
は、図３および図４に示すように、光学部材４０は、複
数の微小球４４が、ｈｃｐ六方最密構造（ｈｃｐ；hexa
gonalclose-packed structure）をとるように配列して
いる。なお、図４において、実線で示される球の配列
は、Ｂ−Ｂ平面における微小球４４を示し、点線で示さ
れる球の配列は、Ｂ−Ｂ平面における微小球４４の上下
に配列する微小球４４を示す。このように、微小球４４
が六方最密構造をとるように配列していることにより、
微小球４４の充填率を高めることができる。これによ
り、３次元で光の伝播を制御することができる。Further, in the light emitting device 100 of the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, in the optical member 40, the plurality of microspheres 44 have the hcp hexagonal close-packed structure (hcp; hexa).
gonal close-packed structure). 4, the array of spheres shown by the solid line shows the microspheres 44 on the BB plane, and the array of spheres shown by the dotted line is the microspheres arranged above and below the microspheres 44 on the BB plane. 44 is shown. In this way, the microspheres 44
By arranging so as to have a hexagonal close-packed structure,
The filling rate of the microspheres 44 can be increased. Thereby, the propagation of light can be controlled in three dimensions.
【００５２】なお、微小球４４の配列方法は、充填率の
高さの点で、上述の六方最密構造が望ましいが、これに
限定されるわけでなく、微小球４４が規則的に配列され
ていればよい。微小球４４の配列方法としては、例え
ば、ｆｃｃ六方最密構造や、立方最密構造(ccp: cubic
close-packed structure)をとることができる。また、
本実施の形態においては、微小球４４が全体的に規則的
に配列している場合を示したが、光学部材として機能す
ることができるのであれば、微小球４４が部分的に規則
的に配列するものであってもよい。The hexagonal close-packed structure is preferable as the method of arranging the microspheres 44 in terms of high packing rate, but the present invention is not limited to this, and the microspheres 44 are regularly arranged. If you have. The arrangement method of the microspheres 44 is, for example, an fcc hexagonal close-packed structure or a cubic close-packed structure (ccp: cubic).
close-packed structure). Also,
In the present embodiment, the case where the microspheres 44 are arranged regularly on the whole has been described, but if the microspheres 44 can function as an optical member, the microspheres 44 are partially arranged regularly. It may be one that does.
【００５３】また、本実施の形態においては、微小球４
４がＺ方向に多層積層されている場合を示したが、微小
球４４をＺ方向に１層だけ配列させることもできる。こ
の場合、Ｘ−Ｙ面に平行な方向において、光の伝播を規
制できる。すなわち、２次元の方向で光の伝播を制御す
ることができる。Further, in the present embodiment, the microspheres 4
Although the case where 4 is laminated in multiple layers in the Z direction is shown, the microspheres 44 may be arranged in only one layer in the Z direction. In this case, the propagation of light can be restricted in the direction parallel to the XY plane. That is, it is possible to control the propagation of light in a two-dimensional direction.
【００５４】（デバイスの動作）次に、この発光装置１
００の動作および作用について説明する。(Operation of Device) Next, this light emitting device 1
The operation and action of 00 will be described.
【００５５】陽極３０と陰極５０とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極５０から電子が、陽極３０から
ホールが、それぞれ発光層８０内に注入される。発光層
８０内では、この電子とホールとが再結合されることに
より励起子が生成される。この励起子が失活する際に蛍
光や燐光などの光が発生する。発光層８０で発生した光
は、光学部材４０によって、３次元で光の伝播が規制さ
れて、Ｘ−Ｙ面で光の閉じ込めの弱い方向に優先的に出
射される。この出射光は、光学部材４０より構成される
３次元のフォトニックバンドギャップあるいは不完全フ
ォトニックバンドによって特定波長帯域の光のみが出射
されるため、波長選択性があり、発光スペクトル幅が狭
く、かつ優れた指向性を有する。By applying a predetermined voltage to the anode 30 and the cathode 50, electrons are injected from the cathode 50 and holes are injected from the anode 30 into the light emitting layer 80, respectively. In the light emitting layer 80, excitons are generated by recombination of the electrons and the holes. Light such as fluorescence and phosphorescence is generated when the excitons are deactivated. The light generated in the light emitting layer 80 is three-dimensionally regulated in propagation of the light by the optical member 40, and is preferentially emitted in the direction in which the light is confined in the XY plane. This emitted light has wavelength selectivity and a narrow emission spectrum width because only light in a specific wavelength band is emitted due to a three-dimensional photonic band gap or incomplete photonic band formed by the optical member 40. And it has excellent directivity.
【００５６】（デバイスの製造方法）次に、図５（ａ）
〜図１１（ｂ）を参照して、本実施の形態の発光装置１
００の製造方法について説明する。(Device Manufacturing Method) Next, referring to FIG.
~ Referring to Fig. 11 (b), the light emitting device 1 of the present embodiment
A method of manufacturing 00 will be described.
【００５７】（１）まず、図５（ａ）および図５（ｂ）
に示すように、マスクスパッタ法で、基板１０上に陽極
３０を形成する。つづいて、図６（ａ）および図６
（ｂ）に示すように、陽極３０の所定の位置に絶縁層６
０を形成する。さらに、この絶縁層６０の所定の位置
に、例えばフォトリソグラフィ工程によって開口部２２
を設ける。絶縁層６０は、陽極３０と陰極５０とを絶縁
する機能のほか、電流狭窄層としての機能を有する。(1) First, FIG. 5 (a) and FIG. 5 (b)
As shown in, the anode 30 is formed on the substrate 10 by the mask sputtering method. Next, FIG. 6A and FIG.
As shown in (b), the insulating layer 6 is formed at a predetermined position on the anode 30.
Form 0. Further, the opening 22 is formed at a predetermined position of the insulating layer 60 by, for example, a photolithography process.
To provide. The insulating layer 60 has a function of insulating the anode 30 and the cathode 50, and also has a function of a current confinement layer.
【００５８】次に、図７（ａ）および図７（ｂ）に示す
ように、この絶縁層６０上に、絶縁層９０を形成する。
さらに、この絶縁層９０の所定の位置に、例えばフォト
リソグラフィ工程によって、開口部２４を設ける。絶縁
層９０は、陽極３０と陰極５０とを絶縁する機能のほ
か、発光層８０およびホール輸送／注入層７０を仕切る
バンクとしての機能を有する。なお、この絶縁層９０
は、フォトリソグラフィ工程のかわりに、プリント技術
によっても容易に形成することができる。Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, an insulating layer 90 is formed on the insulating layer 60.
Further, the opening 24 is provided at a predetermined position of the insulating layer 90 by, for example, a photolithography process. The insulating layer 90 has a function of insulating the anode 30 from the cathode 50, and also has a function of a bank that partitions the light emitting layer 80 and the hole transport / injection layer 70. The insulating layer 90
Can be easily formed by a printing technique instead of the photolithography process.
【００５９】（２）つづいて、図８（ａ）および図８
（ｂ）に示すように、開口部２２，２４において、陽極
３０および絶縁層６０上に、ホール輸送／注入層７０お
よび光学部材４０を形成する。(2) Continuing with FIG. 8 (a) and FIG.
As shown in (b), the hole transport / injection layer 70 and the optical member 40 are formed on the anode 30 and the insulating layer 60 in the openings 22 and 24.
【００６０】前述したように、本実施の形態の発光装置
１００において、光学部材４０は、ホール輸送／注入層
７０中に形成される。具体的には、微小球４４を、ホー
ル輸送／注入層７０を構成する材料４２とともに溶媒中
に分散させて得られる液体を、インクジェット法によっ
て陽極３０上に塗布した後、乾燥させて溶媒を除去する
ことにより、光学部材４０を形成する。この工程によ
り、図４に示すように、微小球４４が配列されて構成さ
れる光学部材４０が得られる。なお、必要に応じて、微
小球４４を均一に配列させるために、光学部材４０およ
びホール輸送／注入層７０を形成する前に、絶縁層６０
および陽極３０の表面にプラズマ処理を施して、これら
の層の表面を改質する。As described above, in the light emitting device 100 of this embodiment, the optical member 40 is formed in the hole transport / injection layer 70. Specifically, a liquid obtained by dispersing the microspheres 44 in a solvent together with the material 42 forming the hole transporting / injecting layer 70 is applied on the anode 30 by an inkjet method and then dried to remove the solvent. By doing so, the optical member 40 is formed. Through this step, as shown in FIG. 4, the optical member 40 configured by arranging the microspheres 44 is obtained. If necessary, in order to uniformly arrange the microspheres 44, the insulating layer 60 is formed before the optical member 40 and the hole transport / injection layer 70 are formed.
And the surface of the anode 30 is subjected to plasma treatment to modify the surface of these layers.
【００６１】（３）ついで、図９（ａ）および図９
（ｂ）に示すように、例えばスピンコート法により、ホ
ール輸送／注入層７０上に発光層８０を形成する。な
お、必要に応じて、例えばスピンコート法により、発光
層８０上に、電子輸送／注入層（図示せず）を形成する
こともできる。(3) Next, FIG. 9A and FIG.
As shown in (b), the light emitting layer 80 is formed on the hole transporting / injecting layer 70 by, for example, a spin coating method. If necessary, an electron transporting / injecting layer (not shown) may be formed on the light emitting layer 80 by spin coating, for example.
【００６２】（４）次に、図１０（ａ）および図１０
（ｂ）に示すように、マスク蒸着法にて、発光層８０上
に陰極５０を形成する。つづいて、図１１（ａ）および
図１１（ｂ）に示すように、陽極３０の一部を除いて全
面的に保護層２０を形成する。この保護層２０は、陽極
３０表面の一部が露出するように形成する。この露出部
分は、陽極取出部２６および陰極取出部２８として用い
る。以上の工程により、発光装置１００が得られる。(4) Next, FIG. 10A and FIG.
As shown in (b), the cathode 50 is formed on the light emitting layer 80 by a mask vapor deposition method. Subsequently, as shown in FIGS. 11A and 11B, the protective layer 20 is formed over the entire surface of the anode 30 except for a part thereof. The protective layer 20 is formed so that a part of the surface of the anode 30 is exposed. This exposed portion is used as the anode extraction portion 26 and the cathode extraction portion 28. Through the above steps, the light emitting device 100 is obtained.
【００６３】（作用効果）本実施の形態の発光装置１０
０の主要な作用効果を、以下にあげる。(Operation and Effect) Light emitting device 10 of the present embodiment
The main effects of 0 are listed below.
【００６４】（ａ）まず、本実施の形態の発光装置１０
０の効果を説明するために、一般的な発光装置に設置さ
れる光学部材（回折格子）の製造方法について説明す
る。(A) First, the light emitting device 10 of the present embodiment
In order to explain the effect of 0, a method of manufacturing an optical member (diffraction grating) installed in a general light emitting device will be described.
【００６５】一般的な発光装置においては、発光層にお
いて発生した光を所定の方向に伝播させる光学部材とし
て、回折格子が一般的に用いられている。この回折格子
は通常、電子線描画装置を用いた手法、フォトリソグラ
フィ工程、あるいはプリント技術によって、凹凸を形成
するかあるいは屈折率の分布を形成する手法にて作製さ
れている。ところで、回折格子の形成において重要であ
ることの一つは、回折格子のピッチを正確に形成するこ
とである。しかしながら、これらの手法を用いた場合、
回折格子のピッチの位置合わせが難しいうえに、大掛り
な装置が必要とされる。特に、可視光域（４００〜６０
０ｎｍ）で機能するような微小ピッチ（例えば１００〜
２００ｎｍ）の回折格子を正確に作製することは、一般
に困難である場合が多い。In a general light emitting device, a diffraction grating is generally used as an optical member for propagating the light generated in the light emitting layer in a predetermined direction. This diffraction grating is usually manufactured by a method using an electron beam drawing apparatus, a photolithography process, or a printing technique by a method of forming unevenness or a method of forming a distribution of refractive index. By the way, one of the important factors in forming the diffraction grating is to form the pitch of the diffraction grating accurately. However, when using these methods,
It is difficult to align the pitch of the diffraction grating and a large-scale device is required. Especially in the visible light range (400-60
Fine pitch (for example, 100 to
It is often difficult to manufacture a 200 nm) diffraction grating accurately.
【００６６】これに対して、本実施の形態の発光装置１
００に設置された光学部材４０は、所定の配列を有する
複数の微小球４４から構成されている。これにより、粒
子径が小さな微小球４４を用いて光学部材１２０を形成
することにより、正確でかつ微細なピッチを有する光学
部材を得ることができる。これにより、発光層８０にお
いて発生した光を所定の方向に確実に伝播させることが
できるため、特定の方向における光の強度を大きくし、
光を効率よく利用することができる発光装置を得ること
ができる。さらに、この場合において、微小球４４の粒
子径を適宜選択することにより、ピッチを所望の値に設
定することができる。On the other hand, the light emitting device 1 of the present embodiment
The optical member 40 installed at 00 is composed of a plurality of microspheres 44 having a predetermined arrangement. Thus, by forming the optical member 120 using the fine spheres 44 having a small particle diameter, it is possible to obtain an optical member having an accurate and fine pitch. Thereby, the light generated in the light emitting layer 80 can be surely propagated in a predetermined direction, so that the intensity of light in a specific direction is increased,
A light emitting device that can efficiently use light can be obtained. Further, in this case, the pitch can be set to a desired value by appropriately selecting the particle diameter of the microspheres 44.
【００６７】また、この光学部材４０は、微小球４４
を、ホール輸送／注入層７０を構成する材料４２を溶媒
中に分散させて得られる液体を、インクジェット法によ
って陽極３０上に塗布した後、乾燥させて溶媒を除去す
ることにより形成される。このように、正確でかつ微細
なピッチを有する光学部材を簡易な方法にて得ることが
できる。Further, the optical member 40 includes a microsphere 44.
Is formed by applying a liquid obtained by dispersing the material 42 forming the hole transporting / injecting layer 70 in a solvent onto the anode 30 by an inkjet method, and then drying it to remove the solvent. In this way, an optical member having an accurate and fine pitch can be obtained by a simple method.
【００６８】（ｂ）発光装置１００によれば、微小球４
４と、微小球４４の周囲の層（ホール輸送／注入層７
０）との屈折率差に基づいて、光学部材４０がフォトニ
ックバンドギャップあるいは不完全フォトニックバンド
を形成しうる。(B) According to the light emitting device 100, the microspheres 4
4 and the layer around the microsphere 44 (hole transport / injection layer 7
The optical member 40 can form a photonic band gap or an incomplete photonic band based on the refractive index difference with 0).
【００６９】光学部材４０がフォトニックバンドギャッ
プを形成しうる場合、光学部材４０によって、光に対し
てのバンドが形成される。このバンド内の所定のバンド
エッジのエネルギーにおいて、状態密度が高い状態が得
られる。したがって、発光層８０において発光する光の
スペクトルのエネルギー準位が、このバンドエッジのエ
ネルギー準位を含むように光学部材４０が構成されるこ
とにより、発光層８０での発光がこのバンドエッジのエ
ネルギー準位で起こりやすくなる。これにより、所定の
バンドエッジのエネルギー準位に対応する波長を有し、
かつスペクトル幅が狭い光を発光することができ、発光
効率がよい。When the optical member 40 can form a photonic band gap, the optical member 40 forms a band for light. At a predetermined band edge energy within this band, a state with a high density of states can be obtained. Therefore, since the optical member 40 is configured such that the energy level of the spectrum of the light emitted in the light emitting layer 80 includes the energy level of this band edge, the light emission in the light emitting layer 80 has the energy of this band edge. It tends to occur at the level. Thereby, having a wavelength corresponding to the energy level of a predetermined band edge,
In addition, light with a narrow spectrum width can be emitted, and the light emission efficiency is good.
【００７０】一方、光学部材４０が不完全フォトニック
バンドを形成しうる場合、光学部材４０によって、光に
対してのバンドが形成される。このバンド内において状
態密度の高いエネルギー準位が存在する。ここで、発光
層８０において発光する光のスペクトルのエネルギー準
位が、この状態密度の高いエネルギー準位を含むように
光学部材４０が構成されることにより、発光層８０での
発光がこのバンドの所定箇所におけるエネルギー準位で
起こりやすくなる。これにより、バンドの所定箇所のエ
ネルギー準位に対応する波長を有し、かつスペクトル幅
が狭い光を発光することができ、発光効率がよい。On the other hand, when the optical member 40 can form an incomplete photonic band, the optical member 40 forms a band for light. There are energy levels with a high density of states in this band. Here, since the optical member 40 is configured such that the energy level of the spectrum of the light emitted in the light emitting layer 80 includes the energy level having a high density of states, the light emission in the light emitting layer 80 is in this band. It tends to occur at the energy level at a given location. As a result, it is possible to emit light having a wavelength corresponding to the energy level of a predetermined portion of the band and having a narrow spectrum width, and the light emission efficiency is good.
【００７１】（ｃ）陽極３０と陰極５０との間に介在す
る絶縁層６０に形成された開口部２２によって電流の流
れる領域Ｄ（図４参照）が規定される。したがって、絶
縁層６０は、電流狭窄層として機能し、発光領域に効率
よく電流を供給することができるため、発光効率を高め
ることができる。(C) A region D (see FIG. 4) in which a current flows is defined by the opening 22 formed in the insulating layer 60 interposed between the anode 30 and the cathode 50. Therefore, the insulating layer 60 functions as a current confinement layer and can efficiently supply a current to the light emitting region, so that the light emitting efficiency can be improved.
【００７２】（表示装置および電子機器）本実施の形態
の発光装置１００を、表示装置５００に適用することが
できる。また、発光装置１００を含む表示装置５００
を、電子機器に適用することができる。図１２〜図１７
はそれぞれ、発光装置１００を含む表示部５００が適用
された電子機器の一例を示す斜視図である。なお、表示
装置５００としては、本実施形態の発光装置１００に限
らず、変形例として示す発光装置２００〜４００（後述
する）を適用することができる。(Display Device and Electronic Equipment) The light emitting device 100 of this embodiment can be applied to the display device 500. Further, a display device 500 including the light emitting device 100.
Can be applied to electronic devices. 12 to 17
3A and 3B are perspective views each showing an example of an electronic device to which the display unit 500 including the light emitting device 100 is applied. Note that the display device 500 is not limited to the light emitting device 100 of the present embodiment, and light emitting devices 200 to 400 (described later) shown as modified examples can be applied.
【００７３】図１２は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ブック１０００の構成を示す斜視図である。電
子ブック１０００は、ブック形状のフレーム３２と、こ
のフレーム３２に開閉可能なカバー３３とを有する。フ
レーム３２には、その表面に表示面を露出された状態で
表示装置５００が設けられ、さらに，操作部３５が設け
られている。フレーム３２の内部には、コントローラ、
カウンタ、およびメモリ（図示せず）が内蔵されてい
る。本実施の形態では、表示装置５００は、電子インク
を薄膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と
一体に備えられかつ集積化された周辺回路（図示せず）
とを備える。この周辺回路は、デコーダ式のスキャンド
ライバおよびデータドライバを備える。FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of an electronic book 1000 which is an example of the electronic device of this embodiment. The electronic book 1000 includes a book-shaped frame 32 and a cover 33 that can be opened and closed on the frame 32. The frame 32 is provided with a display device 500 with a display surface exposed on the surface thereof, and is further provided with an operation unit 35. Inside the frame 32, the controller,
A counter and a memory (not shown) are built in. In the present embodiment, the display device 500 includes a pixel portion formed by filling a thin film element with electronic ink, and a peripheral circuit (not shown) integrally provided and integrated with the pixel portion.
With. This peripheral circuit includes a decoder-type scan driver and a data driver.
【００７４】図１３は、本実施の形態の電子機器の一例
たるパーソナルコンピュータ１１００の構成を示す斜視
図である。このパーソナルコンピュータ１１００は、キ
ーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した
表示装置５００を備えた表示ユニットから構成される。FIG. 13 is a perspective view showing the configuration of a personal computer 1100 which is an example of the electronic apparatus of this embodiment. The personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a display unit having the display device 500 described above.
【００７５】図１４は、本実施の形態の電子機器の一例
たる携帯電話１２００の構成を示す斜視図である。図１
４において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１
２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６ととも
に、上述した表示装置５００を備える。FIG. 14 is a perspective view showing the configuration of a mobile phone 1200 which is an example of the electronic apparatus of this embodiment. Figure 1
4, the mobile phone 1200 has a plurality of operation buttons 1
In addition to 202, an earpiece 1204, a mouthpiece 1206, and the display device 500 described above are provided.
【００７６】図１５は、本実施の形態の電子機器の一例
たるディジタルスチルカメラ１３００の構成を示す斜視
図である。図１５においては、ディジタルスチルカメラ
１３００の構成とともに、ディジタルスチルカメラ１３
００と外部機器との接続についても簡易的に示す。FIG. 15 is a perspective view showing the structure of a digital still camera 1300 which is an example of the electronic apparatus of this embodiment. In FIG. 15, the structure of the digital still camera 1300 and the digital still camera 13 are shown.
The connection between 00 and external equipment is also shown briefly.
【００７７】通常のカメラは、被写体の光像によってフ
ィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１
３００は、被写体の光像をＣＣＤによる撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ここで、ディジタル
スチルカメラ１３００の背面には、上述した表示装置５
００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示
を行なう構成を有する。すなわち、表示装置５００は、
被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケ
ース１３０２の観察側（図１５においては裏面側）に
は、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット１３０
４が設けられている。ここで、撮影者が表示装置５００
に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３
０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号
が回路基板１３０８のメモリに転送され格納される。ま
た、このディジタルスチルカメラ１３００においては、
ケース１３０２の側面にビデオ信号出力端子１３１２
と、データ通信用の入出力素子１３１４とが設けられて
いる。そして、図１５に示すように、ビデオ信号出力素
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用
の入出力素子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納さ
れた撮像信号が、テレビモニタ１４３０やパーソナルコ
ンピュータ１４４０に出力される構成となっている。In contrast to a normal camera, which exposes a film by an optical image of a subject, the digital still camera 1
A photoelectric conversion unit 300 photoelectrically converts an optical image of a subject by an image pickup device such as a CCD to generate an image pickup signal. Here, on the rear surface of the digital still camera 1300, the display device 5 described above is provided.
00 is provided, and the display is performed based on the image pickup signal from the CCD. That is, the display device 500 is
Functions as a viewfinder that displays the subject. In addition, the light receiving unit 130 including an optical lens and a CCD is provided on the observation side of the case 1302 (the back side in FIG. 15).
4 are provided. Here, the photographer displays the display device 500.
Check the subject image displayed on the
When 06 is pressed, the image pickup signal of the CCD at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308. Further, in this digital still camera 1300,
A video signal output terminal 1312 is provided on the side surface of the case 1302.
And an input / output element 1314 for data communication. Then, as shown in FIG. 15, a television monitor 1430 is provided in the video signal output element 1312, and a personal computer 14 is provided in the input / output element 1314 for data communication.
40 are connected as needed. Furthermore, the image pickup signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.
【００７８】図１６は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
図１６において、電子ペーパー１４００は、紙と同様の
質感および柔軟性を有するリライタブルシートからなる
本体１４０１と、上述した表示装置５００とを備えた表
示ユニットから構成される。FIG. 16 is a perspective view showing the configuration of an electronic paper 1400 which is an example of the electronic device of this embodiment.
In FIG. 16, electronic paper 1400 is composed of a display unit including a main body 1401 made of a rewritable sheet having the same texture and flexibility as paper, and the display device 500 described above.
【００７９】図１７は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ノート１４０２の構成を示す斜視図である。図
１７において、電子ノート１４０２は、図９に示す電子
ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１４０３に
挟まれて構成されている。また、電子ノート１４０２
は、カバー１４０３に表示データ入力手段を設けること
により、束ねられた状態で電子ペーパー１４００の表示
内容を変更することができる。FIG. 17 is a perspective view showing the configuration of an electronic notebook 1402 which is an example of the electronic device of this embodiment. 17, an electronic notebook 1402 is configured by bundling a plurality of electronic papers 1400 shown in FIG. 9 and sandwiching them by a cover 1403. In addition, the electronic note 1402
By providing a display data input unit on the cover 1403, the display content of the electronic paper 1400 can be changed in a bundled state.
【００８０】なお、電子機器としては、図１２に示す電
子ブック１０００、図１３に示すパーソナルコンピュー
タ１１００、図１４に示す携帯電話１２００、図１５に
示すディジタルスチルカメラ１３００、図１６に示す電
子ペーパー１４００、および図１７に示す電子ノート１
４０２のほか、液晶テレビや、ビューファインダ型また
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセ
ッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
ＩＣカード、ミニディスクプレーヤ、タッチパネルを備
えた機器等が例示できる。そして、これらの各種電子機
器の表示部として、上述した表示装置５００が適用可能
であるのは言うまでもない。As electronic devices, an electronic book 1000 shown in FIG. 12, a personal computer 1100 shown in FIG. 13, a mobile phone 1200 shown in FIG. 14, a digital still camera 1300 shown in FIG. 15, and an electronic paper 1400 shown in FIG. , And the electronic notebook 1 shown in FIG.
In addition to the 402, an LCD TV, a viewfinder type or a monitor direct-viewing type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal,
Examples include IC cards, mini disk players, devices equipped with a touch panel, and the like. Needless to say, the above-described display device 500 is applicable as a display unit of these various electronic devices.
【００８１】以上、本発明の好適な実施の形態について
述べたが、本発明はこれらに限定されず、発明の要旨の
範囲内で各種の態様を取りうる。The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these, and various modes can be adopted within the scope of the gist of the invention.
【００８２】例えば、本実施の形態の発光装置１００に
おいては、陽極３０と発光層８０との間に、ホール輸送
／注入層７０が配置されている場合について説明した
が、このホール輸送／注入層７０のかわりに、発光層８
０と陰極５０との間に、電子輸送／注入層を配置するこ
ともできる。あるいは、ホール輸送／注入層７０と電子
輸送／注入層とを両方形成することもできる。For example, in the light emitting device 100 of the present embodiment, the case where the hole transporting / injecting layer 70 is arranged between the anode 30 and the light emitting layer 80 has been described. Instead of 70, the light emitting layer 8
An electron transport / injection layer can also be placed between 0 and the cathode 50. Alternatively, both the hole transport / injection layer 70 and the electron transport / injection layer can be formed.
【００８３】また、本実施の形態の発光装置１００にお
いては、ホール輸送／注入層７０が光学部材４０を構成
する媒質層のひとつである場合について説明したが、本
実施の形態の発光装置１００において、光学部材を形成
する層はホール輸送／注入層に限定されるわけではな
く、例えば、発光層または電子輸送／注入層中に光学部
材４０を設けることもできる。Further, in the light emitting device 100 of the present embodiment, the case where the hole transport / injection layer 70 is one of the medium layers constituting the optical member 40 has been described, but in the light emitting device 100 of the present embodiment, The layer forming the optical member is not limited to the hole transport / injection layer. For example, the optical member 40 may be provided in the light emitting layer or the electron transport / injection layer.
【００８４】さらに、本実施の形態の発光装置１００に
おいては、陽極３０が基板１０上に配置され、この陽極
３０より上層に、陰極５０が配置されている場合につい
て説明したが、あるいは、陰極を基板１０上に配置し、
この陰極より上層に陽極を配置させることもできる。Further, in the light emitting device 100 of the present embodiment, the case where the anode 30 is arranged on the substrate 10 and the cathode 50 is arranged in a layer above the anode 30 has been described. Placed on the substrate 10,
It is also possible to arrange the anode in a layer above this cathode.
【図１】本発明の一実施の形態にかかる発光装置を模式
的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す発光装置を模式的に示す平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view schematically showing the light emitting device shown in FIG.
【図３】図１に示す発光装置において、領域Ｃを模式的
に示す拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a region C in the light emitting device shown in FIG.
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿ってＸ−Ｙ平面に平行な面
で切断した面を模式的に示す図である。FIG. 4 is a view schematically showing a plane cut along a plane parallel to the XY plane along the line BB in FIG.
【図５】図５（ａ）は、図１に示す発光装置の一製造工
程を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５
（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図であ
る。5 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 5 (b) is FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of (a).
【図６】図６（ａ）は、図１に示す発光装置の一製造工
程を模式的に示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６
（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図であ
る。6 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 6 (b) is FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of (a).
【図７】図７（ａ）は、図１に示す発光装置の一製造工
程を模式的に示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７
（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図であ
る。7 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 7 (b) is FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of (a).
【図８】図８（ａ）は、図１に示す発光装置の一製造工
程を模式的に示す平面図であり、図８（ｂ）は、図８
（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図であ
る。8 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 8 (b) is FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of (a).
【図９】図９（ａ）は、図１に示す発光装置の一製造工
程を模式的に示す平面図であり、図９（ｂ）は、図９
（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図であ
る。9 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 9 (b) is FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of (a).
【図１０】図１０（ａ）は、図１に示す発光装置の一製
造工程を模式的に示す平面図であり、図１０（ｂ）は、
図１０（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図
である。10 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of Fig.10 (a).
【図１１】図１１（ａ）は、図１に示す発光装置の一製
造工程を模式的に示す平面図であり、図１１（ｂ）は、
図１１（ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す図
である。11 (a) is a plan view schematically showing one manufacturing process of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG.
It is a figure which shows typically the cross section in the AA line of Fig.11 (a).
【図１２】本発明の電子機器の一例たる電子ブックの構
成を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of an electronic book which is an example of the electronic apparatus of the invention.
【図１３】本発明の電子機器の一例たるパーソナルコン
ピュータの構成を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a personal computer which is an example of the electronic apparatus of the invention.
【図１４】本発明の電子機器の一例たる携帯電話の構成
を示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone which is an example of the electronic apparatus of the invention.
【図１５】本発明の電子機器の一例たるディジタルスチ
ルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing the configuration on the back side of a digital still camera which is an example of the electronic apparatus of the present invention.
【図１６】本発明の電子機器の一例たる電子ペーパーの
構成を示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing a configuration of an electronic paper that is an example of the electronic device of the present invention.
【図１７】本発明の電子機器の一例たる電子ノートの構
成を示す斜視図である。FIG. 17 is a perspective view showing a configuration of an electronic notebook which is an example of the electronic apparatus of the invention.
１０ 基板 ２０ 保護層 ２２，２４ 開口部 ２６ 陽極取出部 ２８ 陰極取出部 ３０ 陽極 ３２ フレーム ３３ カバー ３５ 操作部 ３８ 溝 ４０ 光学部材 ４２ ホール輸送／注入層構成材料 ４４ 微小球 ５０ 陰極 ６０，９０ 絶縁層 ８０ 発光層 ７０ ホール輸送／注入層 １００ 発光装置 ５００ 表示装置 １０００ 電子ブック １１００ パーソナルコンピュータ １１０２ キーボード １１０４ 本体部 １２００ 携帯電話 １２０２ 操作ボタン １２０４ 受話口 １２０６ 送話口 １３００ ディジタルスチルカメラ １３０２ ケース １３０４ 受光ユニット １３０６ シャッタボタン １３０８ 回路基板 １３１２ ビデオ信号出力端子 １３１４ データ通信用の入出力素子 １４００ 電子ペーパー １４０１ 本体 １４０２ 電子ノート １４０３ カバー １４３０ テレビモニタ １４４０ パーソナルコンピュータ 10 substrates 20 Protective layer 22, 24 opening 26 Anode extraction part 28 Cathode extraction part 30 anode 32 frames 33 cover 35 Operation part 38 grooves 40 Optical member 42 Material for hole transport / injection layer 44 microspheres 50 cathode 60,90 Insulation layer 80 Light-emitting layer 70 hole transport / injection layer 100 light emitting device 500 display device 1000 ebooks 1100 personal computer 1102 keyboard 1104 main body 1200 mobile phone 1202 operation button 1204 earpiece 1206 mouthpiece 1300 digital still camera 1302 cases 1304 Light receiving unit 1306 shutter button 1308 circuit board 1312 Video signal output terminal 1314 Input / output device for data communication 1400 electronic paper 1401 body 1402 electronic notebook 1403 cover 1430 TV monitor 1440 personal computer
Claims (20)
部とを含み、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層
と、 前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、 前記発光層において発生した光を所定の方向へ伝播させ
るための光学部材と、を含み、 前記光学部材は、所定の配列を有する微小球から構成さ
れる、発光装置。1. A substrate, and a light emitting element portion formed on the substrate, wherein the light emitting element portion includes a light emitting layer that generates light by electroluminescence, and a pair for applying an electric field to the light emitting layer. And an optical member for propagating light generated in the light emitting layer in a predetermined direction, wherein the optical member is composed of microspheres having a predetermined arrangement.
然放出が制約されて出射する、発光装置。2. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light emitted from the light-emitting layer is emitted with a limited two-dimensional or three-dimensional spontaneous emission.
からなる、発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein the microspheres are made of a material that does not absorb the light generated in the light emitting layer.
る、発光装置。4. The light emitting device according to claim 1, wherein the microspheres are arranged so as to have a hexagonal close-packed structure.
うる、発光装置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein the optical member can form a photonic band gap.
光学部材によって形成されるフォトニックバンドギャッ
プのバンドエッジのエネルギー準位を含むように、前記
光学部材が構成される、発光装置。6. The optical member according to claim 5, wherein an energy level of an emission spectrum of the light emitting layer includes an energy level of a band edge of a photonic bandgap formed by the optical member. Light emitting device.
る、発光装置。7. The light emitting device according to claim 1, wherein the optical member can form an incomplete photonic band.
光学部材によって形成されるバンドのエネルギー準位を
含むように、前記光学部材が構成される、発光装置。8. The light emitting device according to claim 7, wherein the optical member is configured such that an energy level of an emission spectrum of the light emitting layer includes an energy level of a band formed by the optical member.
を有する絶縁層を含み、 前記絶縁層は、前記開口部を介して前記発光層に供給さ
れる電流の流れる領域を規定する電流狭窄層として機能
しうる、発光装置。9. The insulating layer according to claim 1, further comprising an insulating layer disposed between the pair of electrode layers and having an opening in a part thereof, the insulating layer including the opening through the opening. A light emitting device capable of functioning as a current confinement layer that defines a region through which a current supplied to the light emitting layer flows.
有する、発光装置。10. The light emitting device according to claim 9, wherein the opening formed in the insulating layer has a slit shape.
れた前記開口部に存在する、発光装置。11. The light emitting device according to claim 9, wherein at least a part of the optical member exists in the opening formed in the insulating layer.
て、 前記発光層の少なくとも一部が、前記絶縁層に形成され
た前記開口部に存在する、発光装置。12. The light emitting device according to claim 9, wherein at least a part of the light emitting layer is present in the opening formed in the insulating layer.
て、 前記発光素子部の少なくとも一部は、保護層によって覆
われた、発光装置。13. The light emitting device according to claim 1, wherein at least a part of the light emitting element portion is covered with a protective layer.
て、 前記発光層は、発光材料として有機発光材料を含む、発
光装置。14. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains an organic light emitting material as a light emitting material.
て、 前記光学部材は、前記発光層中に配置される、発光装
置。15. The light emitting device according to claim 1, wherein the optical member is arranged in the light emitting layer.
て、 さらに、ホール輸送／注入層および電子輸送／注入層の
少なくとも一方を含む、発光装置。16. The light emitting device according to claim 1, further comprising at least one of a hole transport / injection layer and an electron transport / injection layer.
注入層中に配置される、発光装置。17. The optical member according to claim 16, wherein the optical member is a hole transport / injection layer or an electron transport / injection layer.
A light emitting device disposed in the injection layer.
の発光装置を用いた、表示装置。18. A display device using the light emitting device according to claim 1.
た、電子機器。19. An electronic device using the display device according to claim 18.
の発光装置を用いた、電子機器。20. An electronic device using the light emitting device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001288807A JP2003100458A (en) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Light emitting equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2003100458A true JP2003100458A (en) | 2003-04-04 |
Family
ID=19111389
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001288807A Withdrawn JP2003100458A (en) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Light emitting equipment |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2003100458A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786665B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device having a diffraction grating for enhancing light extraction efficiency |
| JP2013527606A (en) * | 2010-04-28 | 2013-06-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Organic light emitting diode |
| JP5263460B1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-08-14 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | Resin composition for light scattering layer, light scattering layer, and organic electroluminescence device |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001288807A patent/JP2003100458A/en not_active Withdrawn
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