JP2003098539A - Liquid crystal display device and manufacturing method therefor - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacturing method therefor

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JP2003098539A
JP2003098539A JP2001289962A JP2001289962A JP2003098539A JP 2003098539 A JP2003098539 A JP 2003098539A JP 2001289962 A JP2001289962 A JP 2001289962A JP 2001289962 A JP2001289962 A JP 2001289962A JP 2003098539 A JP2003098539 A JP 2003098539A
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JP
Japan
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insulating film
liquid crystal
region
wiring
display device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2001289962A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Higami
佳則 樋上
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the performance of brightness and contrast by eliminating a light-passing problem in both of the voltage-applied and unapplied states. SOLUTION: An insulating film pattern 20 formed thinner than that of each signal wiring 12 is formed between the signal wirings 12, and an interlayer insulating film 14 arranged on the signal wiring 12 each and the insulating film pattern 20 is formed high so that a projecting area 14a corresponding to the top of each signal wiring 12 is able to reduce a width of a light-passing area occurring at the time of applying voltage to a pixel electrode 15 in the liquid crystal layer, and moreover, a slant area 14c corresponding to over the gap between each signal wiring 12 and the insulating pattern 20 has a slant angle to reduce light-passing of the liquid crystal layer caused by the ruggedness formed on the interlayer insulating film 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、さらに詳細には、液晶層の液晶分
子に配向処理が施された液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a liquid crystal display device in which liquid crystal molecules of a liquid crystal layer are subjected to alignment treatment and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリックス型液晶表示装置
は、その基本構造として、画像表示を行う表示単位とな
る複数の画素がマトリックス状に配置されたアクティブ
マトリックス基板と、対向電極、カラーフィルタ等を有
しアクティブマトリックス基板から適当な間隔をあけて
対向配置された対向基板と、これら両基板に挟持された
液晶層とを有している。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device has, as its basic structure, an active matrix substrate having a plurality of pixels serving as a display unit for displaying an image arranged in a matrix, a counter electrode, a color filter and the like. It has a counter substrate which is arranged to face the active matrix substrate with a proper gap, and a liquid crystal layer sandwiched between these substrates.

【0003】アクティブマトリックス基板は、ガラス基
板等の絶縁基板上にそれぞれ交差状態に形成される複数
本の走査配線及び信号配線を有している。各走査配線と
信号配線とが近接する交差部分には、その交差部分の近
傍位置に走査配線に印加される走査信号によってオン・
オフする薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設け
られている。そして、これら走査配線及び信号配線及び
スイッチング素子上には、所定の膜厚を有する層間絶縁
膜が設けられ、この層間絶縁膜上には、各スイッチング
素子のオン・オフによって各信号配線から信号電圧がそ
れぞれ入力される画素電極が設けられている。この画素
電極は、絶縁基板上に形成された各走査配線及び各信号
配線が交差する部分にそれぞれ対応するようにマトリク
ス状に配置され、各画素の大きさが、この画素電極の大
きさによって規定される。
The active matrix substrate has a plurality of scanning wirings and signal wirings which are formed in an intersecting state on an insulating substrate such as a glass substrate. At the intersection where each scanning wiring and the signal wiring are close to each other, the scanning signal applied to the scanning wiring is turned on at a position near the intersection.
A switching element such as a thin film transistor which is turned off is provided. Then, an interlayer insulating film having a predetermined film thickness is provided on the scanning wirings, the signal wirings, and the switching elements, and a signal voltage from each signal wiring is turned on / off by turning on / off each switching element. Pixel electrodes to which are respectively input are provided. The pixel electrodes are arranged in a matrix so as to correspond to the intersections of the scanning lines and the signal lines formed on the insulating substrate, and the size of each pixel is defined by the size of the pixel electrode. To be done.

【0004】液晶層を挟む両基板の液晶層に面する表面
には、それぞれ、ラビング処理が施された配向膜が設け
られて、液晶層の液晶分子は、各基板の配向膜によっ
て、所定の同一方向に配向されるように制御される。
An alignment film that has been subjected to a rubbing treatment is provided on each of the surfaces of the substrates that sandwich the liquid crystal layer, facing the liquid crystal layer. It is controlled to be oriented in the same direction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置は、明る
さ及びコントラストを指標として、その性能が示され
る。明るさを向上させるためには、各画素の画素電極を
大きくして光を透過させる面積を大きくする必要があ
る。一方、コントラストを向上させるためには、黒表示
の場合に光が抜ける領域が生じることを防止する必要が
ある。このために、光が抜ける領域には、光を透過させ
ない遮光膜等が設けられる。
The performance of a liquid crystal display device is shown by using brightness and contrast as indexes. In order to improve the brightness, it is necessary to enlarge the pixel electrode of each pixel to increase the area for transmitting light. On the other hand, in order to improve the contrast, it is necessary to prevent the generation of a region through which light is emitted in the case of black display. For this reason, a light-shielding film or the like that does not transmit light is provided in the region through which light passes.

【0006】このように、液晶表示装置において、明る
さを維持しつつ、コントラストの向上を図るためには、
光を透過させない遮光領域を大きくすることなく、光抜
けが生じる領域の発生を防止することが重要である。
As described above, in the liquid crystal display device, in order to improve the contrast while maintaining the brightness,
It is important to prevent the generation of a region where light leakage occurs without increasing the light-shielding region that does not transmit light.

【0007】上記構成を有するアクティブマトリックス
型液晶表示装置のアクティブマトリックス基板では、絶
縁基板上に、それぞれ所定の厚さを有する走査配線等が
形成されるため、画素電極が形成される層間絶縁膜の表
面上に凹凸が形成される。このように層間絶縁膜表面上
に凹凸形状が形成されると、画素電極を形成した後に形
成される配向膜にラビング処理を実施する場合に、均一
な配向処理を施すことができず、凹凸が形成された領域
において液晶層の配向力が低下し、電圧無印加時に光の
透過率が他の領域と異なることとなり、光抜けが生じる
という問題がある。
In the active matrix substrate of the active matrix type liquid crystal display device having the above structure, since the scanning wiring and the like having a predetermined thickness are formed on the insulating substrate, the interlayer insulating film on which the pixel electrode is formed is formed. Unevenness is formed on the surface. When the uneven shape is formed on the surface of the interlayer insulating film as described above, when the rubbing process is performed on the alignment film formed after the pixel electrode is formed, the uniform alignment process cannot be performed and the unevenness is generated. In the formed region, the alignment force of the liquid crystal layer is lowered, the light transmittance is different from that in other regions when no voltage is applied, and there is a problem that light leakage occurs.

【0008】図6は、画素電極上に凹凸形状が形成され
たアクティブマトリックス基板によって生じる問題点を
説明するためのアクティブマトリックス基板を示す概略
断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an active matrix substrate for explaining the problems caused by the active matrix substrate having the concavo-convex shape formed on the pixel electrodes.

【0009】このアクティブマトリックス基板1は、絶
縁基板2を有し、絶縁基板2上に所定の等間隔dをあけ
て、相互に平行になった複数本の信号電極3が設けられ
ている。絶縁基板2上には、層間絶縁膜4が全体にわた
って略均等な膜厚になるように形成されており、この層
間絶縁膜4上に各信号電極3間に位置するように画素電
極5がそれぞれ設けられている。画素電極5が設けられ
た層間絶縁膜4上には、液晶分子が充填された液晶層6
が設けられている。なお、ここでは、理解を容易にする
ため、絶縁基板2上に形成された信号配線3と層間絶縁
膜4と画素電極5のみを示している。すなわち、図6に
は、絶縁基板2上に直接信号配線3が設けられるように
示しているが、実際には、走査配線、スイッチング素子
等の各構成が図6に示す絶縁基板2上における信号配線
3の下側に設けられている。
The active matrix substrate 1 has an insulating substrate 2, and a plurality of signal electrodes 3 which are parallel to each other are provided on the insulating substrate 2 at a predetermined equal interval d. An interlayer insulating film 4 is formed on the insulating substrate 2 so as to have a substantially uniform film thickness over the entire surface, and the pixel electrodes 5 are respectively arranged on the interlayer insulating film 4 so as to be located between the signal electrodes 3. It is provided. A liquid crystal layer 6 filled with liquid crystal molecules is formed on the interlayer insulating film 4 provided with the pixel electrode 5.
Is provided. Here, for ease of understanding, only the signal wiring 3, the interlayer insulating film 4, and the pixel electrode 5 formed on the insulating substrate 2 are shown. That is, FIG. 6 shows that the signal wiring 3 is provided directly on the insulating substrate 2, but in reality, the respective components such as the scanning wiring and the switching elements are provided on the insulating substrate 2 shown in FIG. It is provided below the wiring 3.

【0010】図6に示すように、このアクティブマトリ
ックス基板1では、絶縁基板2上に形成された各信号配
線3が所定の厚さhを有するために、各信号配線3が形
成された部分に対応する層間絶縁膜4の表面は、周囲よ
りも高さhだけ突出した突出領域になっている。また、
各信号配線3が形成されていない各信号配線3間に対応
した層間絶縁膜4の表面は、平坦に形成された平坦領域
になっている。平坦領域に隣接する突出領域は、平坦領
域に近づくにつれて順次低くなった傾斜領域が形成され
るために、平坦領域は、各信号配線3の間隔dに沿った
長さが、その間隔dよりも短くなっている。傾斜領域
は、平坦領域から離れるにつれてその傾斜角は緩やかに
なっているが、平坦領域の近傍ではその傾斜角は急俊に
なっている。
As shown in FIG. 6, in this active matrix substrate 1, since each signal wiring 3 formed on the insulating substrate 2 has a predetermined thickness h, the portion where each signal wiring 3 is formed is formed. The surface of the corresponding interlayer insulating film 4 is a protruding region protruding by a height h from the surroundings. Also,
The surface of the interlayer insulating film 4 corresponding to each signal wiring 3 in which each signal wiring 3 is not formed is a flat region formed flat. In the protruding region adjacent to the flat region, a slope region is formed that is gradually lowered toward the flat region, so that the flat region has a length along the interval d of each signal line 3 that is longer than the interval d. It's getting shorter. The inclination angle of the inclined region becomes gentle as it moves away from the flat region, but the inclination angle becomes steep in the vicinity of the flat region.

【0011】なお、各信号配線3に対してそれぞれ直交
して設けられる図示しない複数の走査配線によっても層
間絶縁膜上に凹凸形状が発生する。
Incidentally, a plurality of scanning wirings (not shown) provided at right angles to the respective signal wirings 3 also cause an uneven shape on the interlayer insulating film.

【0012】図7は、このような凹凸形状が層間絶縁膜
4上に形成された場合において、液晶層6の液晶分子7
の配向状態を説明する概略図である。
FIG. 7 shows liquid crystal molecules 7 of the liquid crystal layer 6 when such an uneven shape is formed on the interlayer insulating film 4.
It is a schematic diagram explaining the orientation state of.

【0013】液晶層6の各液晶分子7は、層間絶縁膜4
の表面が凹凸形状、特に傾斜領域4bが形成されている
ことによって、図7に示すように、絶縁基板2の表面に
対して、平坦領域4b上の液晶分子7とは異なる傾斜角
度で配向される。このために、電圧無印加時に光の透過
率が他の領域と異なることとなり、傾斜領域4b上にて
光漏れが生じコントラストが低下するおそれがある。
Each liquid crystal molecule 7 of the liquid crystal layer 6 has an interlayer insulating film 4
As shown in FIG. 7, due to the uneven surface, particularly the inclined region 4b, the liquid crystal molecules 7 on the flat region 4b are oriented at an inclination angle different from that of the liquid crystal molecules 7 on the flat region 4b. It Therefore, when no voltage is applied, the light transmittance is different from that of the other regions, and light leakage may occur on the inclined region 4b, which may reduce the contrast.

【0014】特開2001−66635号公報には、各
配線上に形成される層間絶縁膜を平坦化する方法が記載
されている。
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-66635 discloses a method of flattening an interlayer insulating film formed on each wiring.

【0015】図8は、この公報に記載されたアクティブ
マトリックス基板の構成を概略的に示す断面図である。
このアクティブマトリックス基板1は、絶縁基板2を有
し、絶縁基板2上に所定の等間隔dをあけて、相互に平
行になった複数本の信号電極3が設けられている。絶縁
基板2上には、層間絶縁膜4が全体にわたって略均等な
膜厚になるように形成されており、この層間絶縁膜4上
に各信号電極3間に位置するように画素電極5がそれぞ
れ設けられている。
FIG. 8 is a sectional view schematically showing the structure of the active matrix substrate described in this publication.
This active matrix substrate 1 has an insulating substrate 2, and a plurality of signal electrodes 3 which are parallel to each other are provided on the insulating substrate 2 at a predetermined equal interval d. An interlayer insulating film 4 is formed on the insulating substrate 2 so as to have a substantially uniform film thickness over the entire surface, and the pixel electrodes 5 are respectively arranged on the interlayer insulating film 4 so as to be located between the signal electrodes 3. It is provided.

【0016】なお、ここでは、図面の煩雑を避けるた
め、絶縁基板2上に形成された信号配線3から上部部分
に形成された層間絶縁膜4、画素電極5等のみを図示
し、絶縁基板2上に、直接、信号配線3が形成されてい
るものとしているが、実際には、走査配線、スイッチン
グ素子等の各構成が絶縁基板2上における信号配線3の
下側に設けられている。
Here, in order to avoid complication of the drawing, only the interlayer insulating film 4, the pixel electrode 5 and the like formed above the signal wiring 3 formed on the insulating substrate 2 are shown, and the insulating substrate 2 is shown. Although it is assumed that the signal wiring 3 is directly formed on the upper side, in actuality, each structure such as the scanning wiring and the switching element is provided on the insulating substrate 2 below the signal wiring 3.

【0017】この公報に記載されたアクティブマトリッ
クス基板1では、図8に示すように、絶縁基板2上に形
成された各信号配線3間に、各信号配線3と同程度の厚
さを有する絶縁膜パターン6が形成されており、この絶
縁膜パターン6によって、絶縁基板2上に形成される層
間絶縁膜4の表面が平坦化される。
In the active matrix substrate 1 described in this publication, as shown in FIG. 8, insulation having the same thickness as each signal wiring 3 is provided between each signal wiring 3 formed on the insulating substrate 2. The film pattern 6 is formed, and the surface of the interlayer insulating film 4 formed on the insulating substrate 2 is flattened by the insulating film pattern 6.

【0018】なお、各信号配線3に対してそれぞれ直交
して設けられる図示しない複数の走査配線間にも、同様
に、絶縁膜パターン6が設けられている。
An insulating film pattern 6 is similarly provided between a plurality of scanning wirings (not shown) provided orthogonally to the respective signal wirings 3.

【0019】このように、層間絶縁膜4の表面が平坦化
されているために、層間絶縁膜4上に設けられる配向膜
(不図示)は、層間絶縁膜4の表面における凹凸形状に
起因して配向不良になることが防止され、電圧無印加時
における表示品位の低下が防止される。
As described above, since the surface of the interlayer insulating film 4 is flattened, the alignment film (not shown) provided on the interlayer insulating film 4 is caused by the uneven shape on the surface of the interlayer insulating film 4. Alignment failure is prevented, and deterioration of display quality when no voltage is applied is prevented.

【0020】しかしながら、この公報に記載されたアク
ティブマトリックス基板1では、層間絶縁膜4上に隣接
して配置された各画素電極5間の間隙によって、液晶分
子の配向乱れが生じ、光抜けが発生するおそれがある。
However, in the active matrix substrate 1 described in this publication, alignment gaps of liquid crystal molecules occur due to gaps between the pixel electrodes 5 arranged adjacent to each other on the interlayer insulating film 4, causing light leakage. May occur.

【0021】図9は、図8に示すように、層間絶縁膜4
上が平坦に形成されたアクティブマトリックス基板1の
画素電極5に信号電圧が印加された場合における、液晶
層6の液晶分子7の配向状態を示す概略図である。
FIG. 9 shows the interlayer insulating film 4 as shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic diagram showing an alignment state of liquid crystal molecules 7 of a liquid crystal layer 6 when a signal voltage is applied to a pixel electrode 5 of an active matrix substrate 1 having a flat upper surface.

【0022】図9に示すように、このアクティブマトリ
ックス基板1では、隣接する画素電極5の一方に信号電
圧が印加された場合、隣接する画素電極5の境界部分5
aには、信号電圧が印加された画素電極5からの横電界
の影響を受けて、図中、実線kにて示すように、境界部
分5aの近傍において、境界部分5aに収束する電位線
が発生する。このため境界部分5aの近傍に存在する液
晶層6の液晶分子7は、この電位線にしたがって、上部
が境界部分5a側に傾斜されて、画素電極5の他の領域
上の液晶分子7とは異なる角度を有する状態になる。そ
の結果、境界部分5aに近接する画素電極5上の領域に
おいて光抜けが発生する光抜け領域8が生じるおそれが
ある。
As shown in FIG. 9, in this active matrix substrate 1, when a signal voltage is applied to one of the adjacent pixel electrodes 5, a boundary portion 5 between the adjacent pixel electrodes 5 is formed.
In a, a potential line which is influenced by the lateral electric field from the pixel electrode 5 to which the signal voltage is applied and converges to the boundary portion 5a in the vicinity of the boundary portion 5a as shown by a solid line k in the figure. Occur. Therefore, the liquid crystal molecules 7 of the liquid crystal layer 6 existing in the vicinity of the boundary portion 5a are inclined to the boundary portion 5a side in accordance with this potential line, and are different from the liquid crystal molecules 7 on other regions of the pixel electrode 5. It will have different angles. As a result, there is a possibility that a light leakage region 8 in which light leakage occurs occurs in a region on the pixel electrode 5 which is close to the boundary portion 5a.

【0023】各画素毎に形成される各画素電極5の境界
部分5aには、その境界部分5aに発生する光抜け領域
8の大きさに対応するような大きさに各信号配線3を設
けるか、または、別途遮光膜を設けることにより、光抜
けが防止され、コントラストが向上する。
In the boundary portion 5a of each pixel electrode 5 formed for each pixel, each signal wiring 3 is provided in a size corresponding to the size of the light passing area 8 generated in the boundary portion 5a. Alternatively, by providing a separate light-shielding film, light leakage is prevented and the contrast is improved.

【0024】図4は、アクティブマトリックス基板1の
最も液晶層6側部分に形成されている画素電極5と対向
基板との間の距離(以下、セルギャップと称する)と光
抜け領域8の幅との関係を示すグラフである。
FIG. 4 shows the distance (hereinafter referred to as a cell gap) between the pixel electrode 5 formed on the most liquid crystal layer 6 side portion of the active matrix substrate 1 and the counter substrate and the width of the light leakage region 8. It is a graph which shows the relationship of.

【0025】この図4のグラフを参照すると、セルギャ
ップが大きくなると、光抜け領域8の幅が大きくなるの
で、セルギャップは小さいことが好ましい。
Referring to the graph of FIG. 4, as the cell gap increases, the width of the light passage region 8 increases, so that the cell gap is preferably small.

【0026】例えば、図4のグラフを参照すると、セル
ギャップが3.0μmのときには、光抜け領域の幅が
5.0μmとなり、セルギャップが2.5μmのときに
は、光抜け領域の幅が4.0μmになっている。したが
って、この場合には、セルギャップを3.0μmから
2.5μmに縮小する事によって、光抜け領域の幅を
5.0μmから4.0μmに1.0μm低減することが
できる。
For example, referring to the graph of FIG. 4, when the cell gap is 3.0 μm, the width of the light passing area is 5.0 μm, and when the cell gap is 2.5 μm, the width of the light passing area is 4. It is 0 μm. Therefore, in this case, by reducing the cell gap from 3.0 μm to 2.5 μm, the width of the light leakage region can be reduced from 5.0 μm to 4.0 μm by 1.0 μm.

【0027】しかし、セルギャップは、液晶層6に充填
される液晶分子7の種類によって最適値が決まるため、
層間絶縁膜4が平坦化され、各画素電極5間の境界部分
5a上のセルギャップが、他の領域上のセルギャップと
同一になっている場合には、境界部分5a上のセルギャ
ップも他の領域上のセルギャップと同様に大きくなっ
て、画素電極5間の境界部分5aに発生する電位線分布
に起因する光抜け領域8が大きくなり、コントラストが
低下するおそれがある。
However, since the optimum value of the cell gap is determined by the type of the liquid crystal molecules 7 filled in the liquid crystal layer 6,
When the interlayer insulating film 4 is flattened and the cell gap on the boundary 5a between the pixel electrodes 5 is the same as the cell gap on the other region, the cell gap on the boundary 5a is also different. There is a possibility that the cell gap becomes larger as in the area of (1) and the light leakage area 8 due to the potential line distribution generated at the boundary portion 5a between the pixel electrodes 5 becomes larger and the contrast is lowered.

【0028】このような大きな光抜け領域8の発生に対
して、光抜け領域8の全体を覆う遮光領域を形成してコ
ントラストの向上を図ると、大きく形成された遮光領域
によって、アクティブマトリックス基板1全体において
光を透過する領域が低減され、液晶表示装置全体の明る
さが低下するおそれがある。
In order to improve the contrast by forming a light-shielding region that covers the entire light-through region 8 against the occurrence of such a large light-through region 8, the active matrix substrate 1 is formed by the large-sized light-shielding region. The area through which light is transmitted is reduced as a whole, which may reduce the brightness of the entire liquid crystal display device.

【0029】したがって、上記公報のアクティブマトリ
ックス型の液晶表示装置では、電圧印加時に発生する光
抜けによってコントラストが低下し、明るさを維持しな
がらコントラストを向上させることが容易ではないとい
う問題がある。
Therefore, in the active matrix type liquid crystal display device of the above publication, there is a problem in that it is not easy to improve the contrast while maintaining the brightness, because the contrast is lowered by the light leakage generated when the voltage is applied.

【0030】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、電圧が印加された状態及び無印加の
状態の双方で光抜けの問題が解消され、明るさ及びコン
トラストの性能が向上された液晶表示装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. The problem of light leakage is solved in both the state where a voltage is applied and the state where no voltage is applied, and the performances of brightness and contrast are improved. An object of the present invention is to provide an improved liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の液晶表示装置は、絶縁基板上に複数の走査
配線及び複数の信号配線が交差状態で配置されたアクテ
ィブマトリックス基板と、該アクティブマトリックス基
板から所定の間隔をあけて対向配置された対向基板と、
該アクティブマトリックス基板と対向基板とによって挟
持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、該ア
クティブマトリックス基板は、該走査配線及び信号配線
の各配線間のそれぞれにおいて、各配線の膜厚よりも薄
く形成された絶縁膜パターンと、各配線及び絶縁パター
ンを覆うように、該絶縁基板上に設けられており、各配
線に対応する表面が高く突出した突出領域、絶縁膜パタ
ーンに対応する表面が平坦に形成された平坦領域、突出
領域と平坦領域との間にて該平坦領域から離れるにつれ
て徐々に高く形成された傾斜領域になった層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜上の平坦領域に、一部が該突出領域
に、該信号配線に重畳するようにそれぞれ設けられた画
素電極と、を具備することを特徴とするものである。
In order to solve the above problems, a liquid crystal display device according to the present invention comprises an active matrix substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in an intersecting state on an insulating substrate, A counter substrate arranged to face the active matrix substrate with a predetermined gap,
A liquid crystal display device having a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and a counter substrate, wherein the active matrix substrate has a film thickness of each wiring between each wiring of the scanning wiring and the signal wiring. The thin insulating film pattern and the wiring and the insulating pattern are provided on the insulating substrate so as to cover the wiring and the insulating pattern. A flat region formed flat, an interlayer insulating film in which a sloped region is formed gradually higher between the protruding region and the flat region as the distance from the flat region increases, and a flat region on the interlayer insulating film. And a pixel electrode provided so as to partially overlap the signal line in the protruding region.

【0032】上記本発明の液晶表示装置において、前記
層間絶縁膜の突出領域は、前記液晶層における前記画素
電極への電圧印加時に発生する光抜け領域の幅を低減で
きるように平坦領域から突出していることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, the projecting region of the interlayer insulating film projects from the flat region so as to reduce the width of the light leakage region that occurs when a voltage is applied to the pixel electrode in the liquid crystal layer. Is preferred.

【0033】上記本発明の液晶表示装置において、前記
層間絶縁膜の傾斜領域は、該層間絶縁膜に形成された凹
凸形状に起因する液晶層の光抜けが低減される傾斜角に
なっていることが好ましい。
In the above liquid crystal display device of the present invention, the tilted region of the interlayer insulating film has a tilt angle at which light leakage of the liquid crystal layer due to the uneven shape formed in the interlayer insulating film is reduced. Is preferred.

【0034】上記本発明の液晶表示装置において、前記
層間絶縁膜の傾斜領域の傾斜角度は、15°以下に形成
されていることが好ましい。
In the above liquid crystal display device of the present invention, it is preferable that the inclined region of the interlayer insulating film has an inclination angle of 15 ° or less.

【0035】上記本発明の液晶表示装置において、前記
絶縁膜パターンは、屈折率が1.4〜1.95である透
明膜により形成されていることが好ましい。
In the above liquid crystal display device of the present invention, it is preferable that the insulating film pattern is formed of a transparent film having a refractive index of 1.4 to 1.95.

【0036】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、上記本発明の液晶表示装置の製造方法であって、前
記絶縁基板上に前記信号配線及び走査配線の各配線を一
定の厚さで形成する工程と、前記各配線間に各配線より
も薄く形成された絶縁膜パターンを形成する工程と、前
記各配線及び絶縁膜パターンを覆うように層間絶縁膜を
形成する工程と、前記層間絶縁膜上の平坦領域に、一部
が前記突出領域に重畳するように画素電極を形成する工
程と、を包含することを特徴とするものである。
The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, wherein each of the signal wiring and the scanning wiring has a constant thickness on the insulating substrate. A step of forming, an step of forming an insulating film pattern thinner than each wiring between the wirings, a step of forming an interlayer insulating film so as to cover the wirings and the insulating film pattern, the interlayer insulation And a step of forming a pixel electrode in a flat region on the film so as to partially overlap the protruding region.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置及び
その製造方法について、詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail below.

【0038】まず、本発明の液晶表示装置の概略につい
て説明する。
First, the outline of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【0039】本発明の液晶表示装置は、画像表示を行う
際の表示単位となる複数の画素がマトリックス状に配置
されたアクティブマトリックス基板と、対向電極、カラ
ーフィルタ等を有しアクティブマトリックス基板から適
当な間隔をあけて対向配置された対向基板と、これら両
基板に挟持された液晶層とを備えたアクティブマトリッ
クス型の基本構造を有している。
The liquid crystal display device of the present invention has an active matrix substrate in which a plurality of pixels, which are display units when displaying an image, are arranged in a matrix, and an active matrix substrate having counter electrodes, color filters and the like. It has a basic structure of an active matrix type including counter substrates which are arranged to face each other with a certain interval, and a liquid crystal layer which is sandwiched between these substrates.

【0040】図1は、本発明の液晶表示装置のアクティ
ブマトリックス基板の要部を示す平面図である。なお、
本実施の形態では、本発明の特徴を理解し易くするため
に、図1において、2本の走査配線及び2本の信号配線
にて囲まれた1画素部分のみを示しているが、実際のア
クティブマトリックス基板では、多数の画素が形成され
ている。
FIG. 1 is a plan view showing a main part of an active matrix substrate of a liquid crystal display device of the present invention. In addition,
In this embodiment, in order to facilitate understanding of the features of the present invention, FIG. 1 shows only one pixel portion surrounded by two scanning wirings and two signal wirings. A large number of pixels are formed on the active matrix substrate.

【0041】本発明の液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリックス基板は、ガラス基板等の絶縁基板上に
それぞれ交差状態に形成される複数本の走査配線13及
び信号配線12を有している。各走査配線13と信号配
線12との交差部分の近傍には、走査配線13に印加さ
れる走査信号によってオン・オフするスイッチング素子
である薄膜トランジスタ(図示せず。以下、TFTと称
する。)がそれぞれ設けられている。そして、絶縁基板
上にこれら走査配線13及び信号配線12及びTFTを
覆うように、所定の膜厚を有する層間絶縁膜が設けられ
ている。この層間絶縁膜には、各TFTのドレイン電極
に達するコンタクトホールが、各ドレイン電極に対応す
る位置にそれぞれ形成されている。そして、層間絶縁膜
上には、各TFTのドレイン電極にコンタクトホールを
介して接続された画素電極15がそれぞれが設けられて
いる。この画素電極15は、絶縁基板上に形成された各
走査配線13及び各信号配線12にて囲まれた部分にそ
れぞれ対応してマトリクス状に配置され、各画素の大き
さが、各画素電極15の大きさによってそれぞれ規定さ
れる。
The active matrix substrate used in the liquid crystal display device of the present invention has a plurality of scanning wirings 13 and signal wirings 12 which are formed in an intersecting state on an insulating substrate such as a glass substrate. A thin film transistor (not shown; hereinafter referred to as a TFT), which is a switching element that is turned on / off by a scanning signal applied to the scanning wiring 13, is provided in the vicinity of the intersection of each scanning wiring 13 and the signal wiring 12. It is provided. Then, an interlayer insulating film having a predetermined film thickness is provided on the insulating substrate so as to cover the scanning wirings 13, the signal wirings 12, and the TFTs. Contact holes reaching the drain electrodes of the respective TFTs are formed in the interlayer insulating film at positions corresponding to the respective drain electrodes. The pixel electrodes 15 connected to the drain electrodes of the respective TFTs through the contact holes are provided on the interlayer insulating film. The pixel electrodes 15 are arranged in a matrix so as to correspond to the portions surrounded by the scanning wirings 13 and the signal wirings 12 formed on the insulating substrate. It is specified by the size of each.

【0042】また、各画素毎に配置される各TFTのゲ
ート電極は、所定の走査配線13に接続されており、走
査配線13に走査信号が印加されることによってゲート
電極のオン・オフが制御される。また、TFTのソース
電極は、所定の信号配線12に接続されており、ゲート
電極のオン動作時に、ソース電極に印加された信号電圧
がドレイン電極を介して画素電極15に印加される。
Further, the gate electrode of each TFT arranged in each pixel is connected to a predetermined scanning wiring 13, and a scanning signal is applied to the scanning wiring 13 to control ON / OFF of the gate electrode. To be done. Further, the source electrode of the TFT is connected to a predetermined signal wiring 12, and the signal voltage applied to the source electrode is applied to the pixel electrode 15 via the drain electrode when the gate electrode is turned on.

【0043】液晶層を挟持する両基板の液晶層に面する
それぞれの表面には、ラビング処理が施された配向膜が
設けられており、液晶層の各液晶分子は、各基板の配向
膜によって、所定の方向に配向されるように制御されて
いる。
An alignment film that has been subjected to a rubbing treatment is provided on each of the surfaces of the two substrates that sandwich the liquid crystal layer, facing the liquid crystal layer. Each liquid crystal molecule of the liquid crystal layer is formed by the alignment film of each substrate. , Are controlled to be oriented in a predetermined direction.

【0044】図2(a)〜(d)は、それぞれ、そのア
クティブマトリックス基板の製造方法を工程毎に示す断
面図であり、図2(d)は、製造工程が終了した状態で
あって、図1のA−A’線に沿う断面図に対応してい
る。
2 (a) to 2 (d) are cross-sectional views showing the method of manufacturing the active matrix substrate for each step, and FIG. 2 (d) shows a state in which the manufacturing step is completed. It corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG.

【0045】なお、図2(a)〜(d)では、図面の煩
雑を避けるため、基板上に直接、信号配線が設けられ、
この信号配線12上に層間絶縁膜、画素電極等の構成が
設けられるものとして示しているが、実際には、信号電
極が設けられた基板の下層部分に走査配線13、TFT
等が設けられている。各走査配線13は、以下に説明す
る信号配線の下側に、各信号配線とは、それぞれ直交す
るように設けられるので、詳しい説明は省略する。
In FIGS. 2A to 2D, signal wiring is provided directly on the substrate in order to avoid complication of the drawing.
Although the structure such as the interlayer insulating film and the pixel electrode is shown provided on the signal wiring 12, the scanning wiring 13 and the TFT are actually provided in the lower layer portion of the substrate on which the signal electrode is provided.
Etc. are provided. Since the scanning wirings 13 are provided below the signal wirings described below so as to be orthogonal to the signal wirings, detailed description thereof will be omitted.

【0046】本発明の液晶表示装置のアクティブマトリ
ックス基板10は、図1及び図2(d)に示すように、
互いに平行になるように複数の信号配線12が絶縁基板
11上に配置されている。各信号配線12は、それぞれ
一定の厚さになっている。隣り合う各信号配線12の間
であって、隣り合う各走査配線13の間に、各信号配線
12よりも薄く形成された上面視略長方形状の絶縁膜パ
ターン20が設けられている。この絶縁膜パターン20
は、各信号配線12間及び各走査配線13間において、
各信号配線12及び各走査配線13の側縁から均等な距
離になるように設けられている。
The active matrix substrate 10 of the liquid crystal display device of the present invention is, as shown in FIGS. 1 and 2 (d),
A plurality of signal wirings 12 are arranged on the insulating substrate 11 so as to be parallel to each other. Each signal wiring 12 has a constant thickness. An insulating film pattern 20 that is substantially rectangular in a top view and is formed to be thinner than the signal wirings 12 is provided between the adjacent signal wirings 12 and between the adjacent scanning wirings 13. This insulating film pattern 20
Between the signal wirings 12 and the scanning wirings 13,
It is provided so as to have an equal distance from the side edges of each signal wiring 12 and each scanning wiring 13.

【0047】各信号配線12及び絶縁膜パターン20の
上に基板面の全面にわたって略均等な膜厚になるように
層間絶縁膜14が設けられている。
An interlayer insulating film 14 is provided on each signal wiring 12 and the insulating film pattern 20 so as to have a substantially uniform film thickness over the entire surface of the substrate.

【0048】絶縁基板11上に設けられた各信号配線1
2及び絶縁膜パターン20は、厚さがそれぞれ異なって
いる。このため、層間絶縁膜14の表面は、各信号配線
12上で他の部分よりも若干高く形成された突出領域1
4aとなっており、絶縁膜パターン20上の部分では、
絶縁膜パターン20が平坦に設けられていることにより
平坦になった平坦領域14bになっている。また、絶縁
膜パターン20と信号配線12との間隙に対応する層間
絶縁膜14の表面は、平坦領域14bの高さから突出領
域14bの高さまで平坦領域14bから離れるにつれて
順次連続的に高くなるように傾斜した傾斜領域14cに
なっている。
Each signal wiring 1 provided on the insulating substrate 11
2 and the insulating film pattern 20 have different thicknesses. For this reason, the surface of the interlayer insulating film 14 is formed on the signal wiring 12 so as to have a height slightly higher than that of other portions.
4a, and in the portion on the insulating film pattern 20,
Since the insulating film pattern 20 is provided flat, it becomes a flat region 14b that is flat. Further, the surface of the interlayer insulating film 14 corresponding to the gap between the insulating film pattern 20 and the signal wiring 12 is continuously and continuously increased from the height of the flat region 14b to the height of the protruding region 14b as the distance from the flat region 14b increases. It is an inclined region 14c that is inclined to.

【0049】図3は、この傾斜領域14cが有する傾斜
角度を規定するための定義図である。
FIG. 3 is a definition diagram for defining the inclination angle of the inclined region 14c.

【0050】図3に示すように、各信号配線12と絶縁
膜パターン20との間に距離Dの間隔が形成され、各信
号配線12が絶縁膜パターン20より厚さtだけ厚膜に
形成されていた場合に、傾斜領域14cは、絶縁基板1
1の表面に対して傾斜角度θになっていたとすると、こ
の傾斜角度θは、厚さt及び距離Dの間で、 tanθ=t/D…(1) の関係式が成り立つ。
As shown in FIG. 3, a distance D is formed between each signal wiring 12 and the insulating film pattern 20, and each signal wiring 12 is formed thicker than the insulating film pattern 20 by a thickness t. If the tilted region 14c is
Assuming that the inclination angle is θ with respect to the surface of No. 1, the inclination angle θ has a relational expression of tan θ = t / D (1) between the thickness t and the distance D.

【0051】本発明の液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリックス基板10では、層間絶縁膜14表面に
おける傾斜領域14cの傾斜角度θは、15度以下にな
るように、距離D及び厚さtが設定されている。
In the active matrix substrate 10 used in the liquid crystal display device of the present invention, the distance D and the thickness t are set so that the inclination angle θ of the inclined region 14c on the surface of the interlayer insulating film 14 is 15 degrees or less. ing.

【0052】このような凹凸形状の表面を有するように
形成された層間絶縁膜14上には、画素電極15が設け
られる。この画素電極15の大きさは、画像表示の表示
単位となる各画素の大きさを規定し、層間絶縁膜14上
において、各信号配線12間となる平坦領域14b及び
傾斜領域14c上の全面にわたるように設けられ、その
周縁部が、信号配線12上に対応した突出領域14a上
に重畳するように設けられている。また、このアクティ
ブマトリックス基板10は、信号配線12が設けられた
絶縁基板11の下層部に、図中破線にて示すように走査
配線13が配置されており、画素電極15の信号配線1
2に沿った方向の側縁が各走査配線13上に重畳するよ
うに設けられている。
A pixel electrode 15 is provided on the interlayer insulating film 14 formed to have such an uneven surface. The size of the pixel electrode 15 defines the size of each pixel which is a display unit of image display, and covers the entire surface of the flat region 14b and the inclined region 14c which are between the signal lines 12 on the interlayer insulating film 14. Thus, the peripheral portion is provided so as to overlap the protruding region 14 a corresponding to the signal wiring 12. In addition, in the active matrix substrate 10, the scanning wiring 13 is arranged in the lower layer portion of the insulating substrate 11 on which the signal wiring 12 is provided, as shown by a broken line in the figure, and the signal wiring 1 of the pixel electrode 15 is arranged.
The side edges in the direction along 2 are provided so as to overlap each scanning wiring 13.

【0053】本発明では、層間絶縁膜14の表面におい
て、各信号配線12上で他の領域よりも若干高く形成さ
れた突出領域14bとなっており、この突出領域14b
においてセルギャップが他の領域よりも小さく形成され
ている。したがって、図4のグラフに示すように、各画
素電極15間の境界部分に発生する光抜け領域の幅を低
減することができる。
In the present invention, the protruding region 14b is formed on the surface of the interlayer insulating film 14 so as to be slightly higher than the other regions on each signal line 12, and the protruding region 14b is formed.
In, the cell gap is formed smaller than other regions. Therefore, as shown in the graph of FIG. 4, it is possible to reduce the width of the light leakage region generated at the boundary between the pixel electrodes 15.

【0054】一方、この場合、層間絶縁膜14上に突出
領域14aと平坦領域14bとの間で、所定の傾斜角θ
を有する傾斜領域14cが形成されており、この傾斜領
域14cの傾斜角度θが適正になっていない場合には、
この傾斜領域14c上に存在する液晶分子が他の領域に
存在する液晶分子と異なる方向に配向されることにな
り、この傾斜領域14cの傾斜角度θに起因する光漏れ
が発生してコントラストが低下するおそれがある。
On the other hand, in this case, a predetermined inclination angle θ is formed between the protruding region 14a and the flat region 14b on the interlayer insulating film 14.
In the case where the inclined region 14c having the following is formed and the inclination angle θ of the inclined region 14c is not appropriate,
The liquid crystal molecules present on the inclined region 14c are oriented in a different direction from the liquid crystal molecules present in other regions, and light leakage occurs due to the inclination angle θ of the inclined region 14c and the contrast is lowered. May occur.

【0055】図5は、傾斜領域14cに形成された傾斜
角度θと、コントラストとの関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the inclination angle θ formed in the inclined region 14c and the contrast.

【0056】このグラフを参照すると、傾斜角度θが、
15°以下である場合には、傾斜角度θ=0°と同程度
のコントラストが得られるが、傾斜角度θが15°を超
えた場合には、コントラストが急激に低下する。
Referring to this graph, the inclination angle θ is
When the inclination angle θ is 15 ° or less, the same degree of contrast as that of the inclination angle θ = 0 ° can be obtained, but when the inclination angle θ exceeds 15 °, the contrast sharply decreases.

【0057】したがって、傾斜領域14cに形成される
傾斜角度θは、15度以下であることが好ましい。
Therefore, the inclination angle θ formed in the inclined region 14c is preferably 15 degrees or less.

【0058】この場合、前述の(1)式を変形すると、
D=t/tanθであり、θ<15°であるとすると、
tanθは、θの増加に伴って増大することから、ta
n15°=0.27及び上記(1)式により、 D>t/tan15°=t/0.27≒3.7t…(2) の関係式が得られる。この(2)式により、(2)式を
満たす範囲で距離D及び厚さの差tを設定すれば、コン
トラストの低下を低減することができる。
In this case, if the above equation (1) is modified,
If D = t / tan θ and θ <15 °,
Since tan θ increases as θ increases, ta
From n15 ° = 0.27 and the above equation (1), the relational expression of D> t / tan15 ° = t / 0.27≈3.7t (2) is obtained. If the distance D and the thickness difference t are set within the range satisfying the expression (2) by the expression (2), the deterioration of the contrast can be suppressed.

【0059】次に、上記構成の本発明の液晶表示装置に
用いられるアクティブマトリックス基板10を製造する
方法について、図2(a)〜(d)に基づいて、工程毎
に説明する。
Next, a method of manufacturing the active matrix substrate 10 used in the liquid crystal display device of the present invention having the above-mentioned structure will be described step by step with reference to FIGS.

【0060】まず、図2(a)に示すように、絶縁基板
11上に、Al系金属材料等によって信号配線12を数
千Å程度の膜厚に形成する。
First, as shown in FIG. 2A, the signal wiring 12 is formed on the insulating substrate 11 with an Al-based metal material or the like to have a film thickness of about several thousand Å.

【0061】次に、図2(b)に示すように、各信号配
線12間に、各信号配線12よりも所定の寸法だけ薄く
なるように絶縁膜を形成した後、平面が各画素と相似形
となる略長方形状にパターニングして、絶縁膜パターン
20とする。この絶縁膜パターン20は、上記したよう
に、信号配線12と絶縁膜パターン20との距離Dと信
号配線12と絶縁膜パターン20との高さの差tが、上
記(2)式によりを満足するように設定する。
Next, as shown in FIG. 2B, an insulating film is formed between the signal wirings 12 so as to be thinner than the signal wirings 12 by a predetermined dimension, and then the plane is similar to that of each pixel. The insulating film pattern 20 is formed by patterning into a substantially rectangular shape. As described above, in the insulating film pattern 20, the distance D between the signal wiring 12 and the insulating film pattern 20 and the height difference t between the signal wiring 12 and the insulating film pattern 20 satisfy the above equation (2). Set to do.

【0062】本実施の形態では、信号配線12の膜厚を
600nmとし、絶縁膜パターン20の膜厚を300n
mとした。この場合、信号配線12と絶縁膜パターン2
0の厚さの差tは、0.3μmであり、上記(1)式に
より、距離Dは、 D>3.7×t=3.7×0.3(μm)≒1.1μm となる。本実施の形態では、距離Dを1.4μmとし
た。
In this embodiment, the film thickness of the signal wiring 12 is 600 nm and the film thickness of the insulating film pattern 20 is 300 n.
m. In this case, the signal wiring 12 and the insulating film pattern 2
The thickness difference t of 0 is 0.3 μm, and the distance D is D> 3.7 × t = 3.7 × 0.3 (μm) ≈1.1 μm from the above formula (1). . In the present embodiment, the distance D is 1.4 μm.

【0063】また、この絶縁膜パターン20は、液晶表
示装置が透過型であった場合には、透明膜である必要が
あり、その場合には、この透明膜の屈折率は、1.4〜
1.95程度であることが好適である。透明な絶縁膜と
しては、SiNx、SiOx等が用いられる。本実施の形
態では、SiO2膜を使用した。
Further, the insulating film pattern 20 needs to be a transparent film when the liquid crystal display device is a transmissive type, and in this case, the refractive index of the transparent film is 1.4 to.
It is preferably about 1.95. SiN x , SiO x, or the like is used as the transparent insulating film. In this embodiment, a SiO 2 film is used.

【0064】次に、図2(c)に示すように、上記信号
配線12及び絶縁膜パターン20上の全面にわたって層
間絶縁膜14を均一に形成する。層間絶縁膜14は、絶
縁膜パターン20と同一の材料によって形成されてもよ
く、また、異なる材料により形成されてもよい。本実施
の形態では、絶縁膜パターンと20と同一の材料である
酸化膜SiO2膜によって形成した。
Next, as shown in FIG. 2C, the interlayer insulating film 14 is uniformly formed over the entire surface of the signal wiring 12 and the insulating film pattern 20. The interlayer insulating film 14 may be formed of the same material as the insulating film pattern 20, or may be formed of a different material. In the present embodiment, the insulating film pattern and the oxide film SiO 2 film, which is the same material as 20, are formed.

【0065】層間絶縁膜14の厚さは、層間絶縁膜14
の平坦領域14bから信号配線12上の突出領域14a
に連続する傾斜領域14cを形成するるために、距離D
の1/2倍以上の厚さを有することが必要である。本実
施の形態では、絶縁膜パターン20が前述のように、距
離D=1.4μmでパターニングされているため、層間
絶縁膜14の膜厚は、700nm以上になっていること
が必要である。本実施の形態では、層間絶縁膜14の膜
厚を1.1μm程度とした。
The thickness of the interlayer insulating film 14 is
Protruding region 14a on the signal wiring 12 from the flat region 14b of
To form an inclined region 14c continuous with the distance D
It is necessary to have a thickness of ½ times or more. In the present embodiment, since the insulating film pattern 20 is patterned with the distance D = 1.4 μm as described above, the thickness of the interlayer insulating film 14 needs to be 700 nm or more. In the present embodiment, the thickness of the interlayer insulating film 14 is set to about 1.1 μm.

【0066】これらの工程を行うことにより、層間絶縁
膜14上は、信号配線12上の突出領域14aと絶縁膜
パターン20上の平坦領域14bとの厚さの差tが30
0μmになるように形成され、傾斜領域14cの傾斜角
度θが15°以下になるように形成される。
By performing these steps, the thickness difference t between the protruding region 14a on the signal wiring 12 and the flat region 14b on the insulating film pattern 20 on the interlayer insulating film 14 is 30.
It is formed so as to be 0 μm, and the inclination angle θ of the inclined region 14c is formed to be 15 ° or less.

【0067】次に、図2(d)に示すように、ITO
(インジウム・ティン・オキサイド)を、層間絶縁膜1
4表面の全面に設け、その後、層間絶縁膜14の平坦領
域14b及び傾斜領域14cの全体と、突出領域14a
に一部が重畳するようにパターン形成し、画素電極15
とする。
Next, as shown in FIG. 2D, ITO
(Indium tin oxide) to the interlayer insulating film 1
4 is provided on the entire surface, and then the flat region 14b and the inclined region 14c of the interlayer insulating film 14 and the protruding region 14a are formed.
Pattern is formed so as to partially overlap with the pixel electrode 15
And

【0068】以後、公知の方法と同様にして、配向膜を
塗布した後、ラビング処理を行う等の工程を経て、アク
ティブマトリックス基板10の製造を完成する。
After that, the active matrix substrate 10 is completed through the steps of applying an alignment film and then performing a rubbing process in the same manner as a known method.

【0069】そして、上記工程を経て製造されたアクテ
ィブマトリックス基板10は、対向基板と適当な間隔を
空けて貼り合わせ、両基板間に液晶材料を注入して液晶
層を形成し、さらに、液晶層を封止する工程、両基板の
外側に偏光板を貼り合せる工程等の必要な工程をさらに
行うことによって、所望のアクティブマトリックス型の
液晶表示装置とされる。
Then, the active matrix substrate 10 manufactured through the above steps is bonded to the counter substrate with an appropriate gap, and a liquid crystal material is injected between both substrates to form a liquid crystal layer. The desired active matrix type liquid crystal display device is obtained by further performing necessary steps such as a step of sealing the substrate and a step of attaching a polarizing plate to the outside of both substrates.

【0070】以上の工程を経て完成された液晶表示装置
では、アクティブマトリックス基板において、層間絶縁
膜14の突出領域14a上に各画素電極15の境界部分
が形成されて、この突出領域14aが、平坦領域14b
よりも300nm高く形成されているために、光抜け幅
は、図4を参照すると、約0.9μm縮小することがで
きた。すなわち、有効な画素電極部の開口領域を0.9
μm大きくすることができた。
In the liquid crystal display device completed through the above steps, in the active matrix substrate, the boundary portion of each pixel electrode 15 is formed on the protruding region 14a of the interlayer insulating film 14, and the protruding region 14a is flat. Area 14b
Since it is formed 300 nm higher than that, the light leakage width can be reduced by about 0.9 μm with reference to FIG. That is, the effective opening area of the pixel electrode portion is 0.9
It could be increased by μm.

【0071】これにより、1画素の大きさを決める画素
電極15が、14μm×14μmの大きさを有し、各画
素が20μmのピッチで配列されている場合には、開口
率が約50%であるのに対して、画素電極15が各方向
に0.9μmずつ広がることにより、開口率が約55%
になり、開口率を約5%向上させることができる。
As a result, when the pixel electrode 15 which determines the size of one pixel has a size of 14 μm × 14 μm and each pixel is arranged at a pitch of 20 μm, the aperture ratio is about 50%. On the other hand, the aperture ratio is about 55% because the pixel electrode 15 spreads 0.9 μm in each direction.
Therefore, the aperture ratio can be improved by about 5%.

【0072】また、本発明は、各画素電極15の境界部
でのみ層間絶縁膜14の高さを突出領域14aとして厚
く形成しているので、他の領域では、液晶層に充填され
る液晶材料に最適なセルギャップとされているため、画
像表示に悪影響を及ぼすことがない。
Further, according to the present invention, since the height of the interlayer insulating film 14 is thickly formed as the protruding region 14a only at the boundary of each pixel electrode 15, the liquid crystal material filled in the liquid crystal layer is formed in other regions. Since the cell gap is optimum for the above, it does not adversely affect the image display.

【0073】しかも、層間絶縁膜14の突出領域14a
と平坦領域14bの間に形成される傾斜領域14cの傾
斜角θを15度以下にしたので、この傾斜領域14cが
傾斜角θを有することに起因する光抜けを防止すること
ができる。
Moreover, the protruding region 14a of the interlayer insulating film 14 is formed.
Since the tilt angle θ of the tilted region 14c formed between the flat region 14b and the flat region 14b is set to 15 degrees or less, it is possible to prevent light leakage due to the tilted region 14c having the tilt angle θ.

【0074】以上により、本発明の液晶表示装置では、
明るさとコントラストを共に向上させることができる。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention,
Both brightness and contrast can be improved.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置では、各配線間に各配線の膜厚よりも薄く形成され
た絶縁膜パターンを形成し、この各配線及び絶縁膜パタ
ーン上に設けられる層間絶縁膜は、各配線上となる突出
領域が、液晶層における画素電極への電圧印加時に発生
する光抜領域の幅を低減できるように高く形成されてお
り、また、各配線と絶縁膜パターンとの間上となる傾斜
領域が、層間絶縁膜に形成された凹凸形状に起因する液
晶層の光抜けが低減される傾斜角に形成されている。こ
のため、本発明の液晶表示装置では、隣接する画素電極
の境界部における横電界によって発生する光抜け領域の
幅を低減することができ、また、層間絶縁膜上の凹凸形
状によって生じる光抜を防止することができ、明るさ及
びコントラストの双方を向上した液晶表示装置とするこ
とができる。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, the insulating film patterns formed to be thinner than the thickness of each wiring are formed between the wirings, and the wirings and the insulating film pattern are formed on each wiring. The interlayer insulating film provided is formed to have a high height so that the protruding region on each wiring can reduce the width of the light-excluding region generated when a voltage is applied to the pixel electrode in the liquid crystal layer. An inclined region which is located above the film pattern is formed at an inclination angle that reduces light leakage of the liquid crystal layer due to the uneven shape formed in the interlayer insulating film. Therefore, in the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to reduce the width of the light leakage region generated by the lateral electric field at the boundary between the adjacent pixel electrodes, and also to prevent light leakage caused by the uneven shape on the interlayer insulating film. The liquid crystal display device can be prevented and the brightness and the contrast can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置のアクティブマトリック
ス基板を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an active matrix substrate of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】(a)〜(d)は、それぞれ、本発明の液晶表
示装置のアクティブマトリックス基板の製造方法の各工
程を示す断面図である。
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing respective steps of a method for manufacturing an active matrix substrate of a liquid crystal display device of the present invention.

【図3】傾斜領域に形成された傾斜角度を規定するため
の定義図である。
FIG. 3 is a definition diagram for defining a tilt angle formed in a tilt region.

【図4】アクティブマトリックス基板の最も内側部分に
形成されている画素電極と対向基板との間の距離と光抜
け領域の幅との関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the distance between the pixel electrode formed on the innermost portion of the active matrix substrate and the counter substrate and the width of the light leakage region.

【図5】傾斜領域に形成された傾斜角度θと、コントラ
ストとの関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a relationship between a tilt angle θ formed in a tilt region and contrast.

【図6】従来の液晶表示装置において、画素電極上に凹
凸形状が形成されたアクティブマトリックス基板によっ
て生じる問題点を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic view showing a problem caused by an active matrix substrate having a concavo-convex shape formed on a pixel electrode in a conventional liquid crystal display device.

【図7】凹凸形状が層間絶縁膜上に形成された場合にお
いて、液晶層の液晶分子の配向状態を示す概略図であ
る。
FIG. 7 is a schematic view showing an alignment state of liquid crystal molecules in a liquid crystal layer when a concavo-convex shape is formed on an interlayer insulating film.

【図8】層間絶縁膜の表面を平坦化した従来のアクティ
ブマトリックス基板を示す概略図である。
FIG. 8 is a schematic view showing a conventional active matrix substrate in which the surface of an interlayer insulating film is flattened.

【図9】そのアクティブマトリックス基板の画素電極に
信号電圧が印加された場合における、液晶層の液晶分子
の配向状態を示す概略図である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an alignment state of liquid crystal molecules in a liquid crystal layer when a signal voltage is applied to a pixel electrode of the active matrix substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 アクティブマトリックス基板 11 基板 12 信号配線 13 走査配線 14 層間絶縁膜 15 画素電極 20 絶縁膜パターン 10 Active matrix substrate 11 board 12 signal wiring 13 Scan wiring 14 Interlayer insulation film 15 pixel electrodes 20 Insulating film pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 HA01 HA04 HA05 HD03 HD06 LA01 LA04 LA05 2H092 HA02 HA06 HA28 JB51 JB58 KB25 NA01 5C094 AA06 AA10 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 FB12 FB15    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H090 HA01 HA04 HA05 HD03 HD06                       LA01 LA04 LA05                 2H092 HA02 HA06 HA28 JB51 JB58                       KB25 NA01                 5C094 AA06 AA10 BA03 BA43 CA19                       DA14 DA15 EA04 EA07 EB02                       FB12 FB15

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に複数の走査配線及び複数の
信号配線が交差状態で配置されたアクティブマトリック
ス基板と、該アクティブマトリックス基板から所定の間
隔をあけて対向配置された対向基板と、該アクティブマ
トリックス基板と対向基板とによって挟持された液晶層
とを有する液晶表示装置であって、 該アクティブマトリックス基板は、 該走査配線及び信号配線の各配線間のそれぞれにおい
て、各配線の膜厚よりも薄く形成された絶縁膜パターン
と、 各配線及び絶縁パターンを覆うように、該絶縁基板上に
設けられており、各配線に対応する表面が高く突出した
突出領域、絶縁膜パターンに対応する表面が平坦に形成
された平坦領域、突出領域と平坦領域との間にて該平坦
領域から離れるにつれて徐々に高く形成された傾斜領域
になった層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜上の平坦領域に、一部が該突出領域に、該
信号配線に重畳するようにそれぞれ設けられた画素電極
と、 を具備することを特徴とする液晶表示装置。
1. An active matrix substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in an intersecting state on an insulating substrate, a counter substrate which is arranged to face the active matrix substrate with a predetermined gap, and A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched between an active matrix substrate and a counter substrate, wherein the active matrix substrate has a film thickness of each wiring between each wiring of the scanning wiring and the signal wiring. The thin insulating film pattern is provided on the insulating substrate so as to cover each wiring and the insulating pattern, and the surface corresponding to each wiring has a highly protruding region and the surface corresponding to the insulating film pattern. A flat region formed flat, and an inclined region formed between the protruding region and the flat region and gradually increasing in height with increasing distance from the flat region. And a pixel electrode provided in a flat region on the interlayer insulating film, a part of which is in the protruding region so as to overlap with the signal wiring, respectively. Liquid crystal display device.
【請求項2】 前記層間絶縁膜の突出領域は、前記液晶
層における前記画素電極への電圧印加時に発生する光抜
け領域の幅を低減できるように平坦領域から突出してい
る、請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The projecting region of the interlayer insulating film projects from a flat region so as to reduce the width of a light leakage region that occurs when a voltage is applied to the pixel electrode in the liquid crystal layer. Liquid crystal display device.
【請求項3】 前記層間絶縁膜の傾斜領域は、該層間絶
縁膜に形成された凹凸形状に起因する液晶層の光抜けが
低減される傾斜角になっている、請求項1に記載の液晶
表示装置。
3. The liquid crystal according to claim 1, wherein the tilted region of the interlayer insulating film has a tilt angle that reduces light leakage of the liquid crystal layer due to the uneven shape formed in the interlayer insulating film. Display device.
【請求項4】 前記層間絶縁膜の傾斜領域の傾斜角度
は、15°以下に形成されている、請求項3に記載の液
晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the inclination angle of the inclined region of the interlayer insulating film is 15 ° or less.
【請求項5】 前記絶縁膜パターンは、屈折率が1.4
〜1.95である透明膜により形成されている、請求項
1に記載の液晶表示装置。
5. The insulating film pattern has a refractive index of 1.4.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed of a transparent film having a thickness of about 1.95.
【請求項6】 請求項1に記載の液晶表示装置の製造方
法であって、 前記絶縁基板上に前記信号配線及び走査配線の各配線を
一定の厚さで形成する工程と、 前記各配線間に各配線よりも薄く形成された絶縁膜パタ
ーンを形成する工程と、 前記各配線及び絶縁膜パターンを覆うように層間絶縁膜
を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上の平坦領域に、一部が前記突出領域に
重畳するように画素電極を形成する工程と、 を包含することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a step of forming each of the signal wiring and the scanning wiring with a constant thickness on the insulating substrate; A step of forming an insulating film pattern formed thinner than each wiring, a step of forming an interlayer insulating film so as to cover each wiring and the insulating film pattern, and a part of a flat area on the interlayer insulating film. And a step of forming a pixel electrode so that the pixel electrode overlaps with the projecting region, the manufacturing method of the liquid crystal display device.
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JP2005165047A (en) * 2003-12-03 2005-06-23 Nec Corp Optoelectronic device and projection display device

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