JP2003098261A - X-ray ct apparatus - Google Patents

X-ray ct apparatus

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JP2003098261A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-slice type X-ray CT apparatus capable of preventing lowering of detection sensitivity and resolution. SOLUTION: A detection block 20 of an X-ray detector 10 contains a photoelectric transfer substrate 23 formed with a plurality of photoelectric transfer elements 59, a detection block substrate 25, and a scintillator element 22. The photoelectric transfer substrate 23 or the detection block substrate 25 has an element selecting part for selecting the plurality of photoelectric transfer elements 59 to conduct switching for reading-out of output electric signals from the selected photoelectric transfer elements 59. A wiring 71 for the selection for supplying a signal for selecting the photoelectric transfer elements 59 to the element selecting part, and a wiring 70 for an output for outputting the output electric signals from the photoelectric transfer elements 59 are formed in the first face of the detection block substrate 25. The signal for selecting the photoelectric transfer elements 59 is input from a control circuit 15 to the wiring 71 for the selection, and the output electric signals from the group of the photoelectric transfer elements 59 common to the second direction are output from the wiring 70 for the output. A reading circuit is prevented from increasing in its scale in this way.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線断層像を得る
X線CT装置に係り、特に、マルチスライスX線CT装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray CT apparatus for obtaining an X-ray tomographic image, and more particularly to a multi-slice X-ray CT apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線CT装置のスキャン方式には、第3
世代方式と第4世代方式がある。第3世代方式では、X
線源を中心とした円弧状に複数のX線検出素子からなる
X線検出器を配置し、X線源とX線検出器を対向させて
回転して検査対象物体のX線投影像を計測する。第4世
代方式では、複数のX線検出素子からなるX線検出器は
検査対象物体を中心とする全円周に配置され、X線源を
回転して検査対象物体のX線投影像を計測する。
2. Description of the Related Art There is a third scanning method for an X-ray CT apparatus.
There are a generation method and a fourth generation method. In the third generation system, X
An X-ray detector composed of a plurality of X-ray detection elements is arranged in an arc shape centered on the radiation source, and the X-ray source and the X-ray detector are opposed to each other and rotated to measure an X-ray projection image of the inspection target object. To do. In the 4th generation method, an X-ray detector including a plurality of X-ray detection elements is arranged on the entire circumference centered on the inspection object, and the X-ray source is rotated to measure an X-ray projection image of the inspection object. To do.

【0003】X線CT装置は、回転(第3世代方式では
X線源とX線検出器の回転,第4世代方式ではX線源の
回転)軸方向に複数行にわたって配列される複数のX線
検出素子の配列行数(以下、このX線検出素子の配列行
数を、X線検出器の段数と云う)で大別される。すなわ
ち、段数が1段である場合をシングルスライス方式,複
数段である場合をマルチスライス方式と呼んで区別して
いる。
An X-ray CT apparatus has a plurality of Xs arranged in a plurality of rows in the axial direction (rotation of an X-ray source and an X-ray detector in the third generation system, rotation of an X-ray source in the fourth generation system). It is roughly classified by the number of array rows of the line detection elements (hereinafter, the number of array rows of the X-ray detection elements is referred to as the number of stages of the X-ray detector). That is, the case where the number of stages is one is called a single slice system, and the case where there are a plurality of stages is called a multi-slice system for distinction.

【0004】シングルスライス方式のX線CT装置によ
る断層撮影では、回転軸に垂直な1つのスライス面での
1つの断層像しか同時には得られない。複数の断層像を
得るには、検査対象物体が搭載されている寝台天板を回
転軸方向に移動させて複数のスライス面を選択して、順
次時系列的に断層撮影を行なう。
In the tomographic imaging by the single-slice type X-ray CT apparatus, only one tomographic image on one slice plane perpendicular to the rotation axis can be obtained at the same time. In order to obtain a plurality of tomographic images, the bed top plate on which the object to be inspected is mounted is moved in the rotation axis direction to select a plurality of slice planes, and tomographic images are sequentially taken in time series.

【0005】シングルスライス方式のX線CT装置で
は、回転(第3世代方式ではX線源とX線検出器の回
転,第4世代方式ではX線源の回転)と同時に寝台天板
を回転軸方向に連続的に移動させて走査(スパイラル走
査)を行ないながら断層撮影を行なうことによって、3
次元的な断層像を得ることができる。
In the single-slice type X-ray CT apparatus, at the same time as the rotation (the rotation of the X-ray source and the X-ray detector in the third generation method, the rotation of the X-ray source in the fourth generation method), the bed top plate is rotated. 3) by performing tomography while continuously moving in the direction and performing scanning (spiral scanning).
It is possible to obtain a dimensional tomographic image.

【0006】マルチスライス方式のX線CT装置では、
スパイラル走査しない場合でも複数のスライス面での断
層撮影が可能である。マルチスライス方式とスパイラル
走査とを組み合わせて断層撮影を行なう場合には、シン
グルスライス方式のX線CT装置による場合に比べて、
細かなサンプリング間隔で、短時間で複数のスライス面
での断層撮影ができると云う利点がある。この利点のた
めに、マルチスライス方式のX線CT装置が広く用いら
れている。近年では、X線検出器の段数が3段以上のマ
ルチスライスX線CT装置も登場し、X線検出器の段数
はさらに増える傾向にある。
In the multi-slice type X-ray CT apparatus,
Even if the spiral scanning is not performed, tomography can be performed on a plurality of slice planes. When performing tomography by combining the multi-slice method and spiral scanning, compared to the case of using a single-slice method X-ray CT apparatus,
There is an advantage that tomography can be performed on a plurality of slice planes in a short time with a fine sampling interval. Due to this advantage, a multi-slice type X-ray CT apparatus is widely used. In recent years, a multi-slice X-ray CT apparatus having three or more X-ray detector stages has also appeared, and the number of X-ray detector stages tends to further increase.

【0007】上記で説明したX線CT装置のX線検出器
としては、通常、シンチレータ素子と光電変換素子とで
構成されるX線固体検出器が使用される。
As the X-ray detector of the X-ray CT apparatus described above, an X-ray solid-state detector composed of a scintillator element and a photoelectric conversion element is usually used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】複数の光電変換素子を
1つの基板上に作製して複数の段数をもつ光電変換素子
基板を製作して、複数の段数のX線固体検出器(以下、
単にX線検出器と云う)を得る場合には、大面積の半導
体基板が必要となる。しかし、半導体基板の面積が大き
くなると、基板価格が高くなり、X線検出器が高価格に
なると云う問題がある。
A plurality of photoelectric conversion elements are manufactured on one substrate to manufacture a photoelectric conversion element substrate having a plurality of stages, and an X-ray solid-state detector having a plurality of stages (hereinafter,
When obtaining an X-ray detector), a large-area semiconductor substrate is required. However, as the area of the semiconductor substrate increases, the cost of the substrate increases and the X-ray detector becomes expensive.

【0009】この問題を解決する一方法として、段数の
少ない光電変換素子基板を低価格で製作し、この少段数
基板の複数個を段方向(回転軸方向)に近接させて配列
することによって、多段数を持った光電変換素子基板の
代用とする方法がある。然るに、この方法では、光電変
換素子基板からの出力信号の読み出しの方法が問題とな
る。従来、この問題を解決するために、ラップジョイン
トの方法(米国特許第4,467,342号明細書),
2層式タイルアレイの方法(米国特許第5,105,0
87号明細書)が提案されているが、これらの方法で
は、検出感度及び解像度の低下を招くと云う問題があ
る。
As a method for solving this problem, a photoelectric conversion element substrate having a small number of stages is manufactured at a low cost, and a plurality of the substrates having a small number of stages are arranged close to each other in the stage direction (rotation axis direction). There is a method of substituting a photoelectric conversion element substrate having multiple stages. However, in this method, the method of reading the output signal from the photoelectric conversion element substrate becomes a problem. Conventionally, in order to solve this problem, a lap joint method (US Pat. No. 4,467,342),
Two-layer tile array method (US Pat. No. 5,105,0)
No. 87) has been proposed, but these methods have a problem in that detection sensitivity and resolution are deteriorated.

【0010】X線検出器の段数を増すにつれて、読み出
し回路の規模が大幅に増大し、検出回路が大型となっ
て、X線検出器の製造コストが高価となるため、実際に
実用的に実現できるX線検出器の段数には限界があると
云う問題がある。
As the number of stages of the X-ray detector is increased, the scale of the read-out circuit is greatly increased, the detection circuit becomes large, and the manufacturing cost of the X-ray detector becomes high. There is a problem that the number of stages of the X-ray detector that can be performed is limited.

【0011】従って、本発明の目的は、他段数のX線検
出器における読み出し回路の規模を増大させずに、かつ
検出感度及び解像度の低下を防止することのできるX線
検出器を用いたマルチスライスX線CT装置を提供する
ことにある。
Therefore, an object of the present invention is to use an X-ray detector capable of preventing a decrease in detection sensitivity and resolution without increasing the scale of the readout circuit in the X-ray detector having another number of stages. It is to provide a slice X-ray CT apparatus.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明のX線CT装置の
X線検出器では、検出対象物を透過したX線がシンチレ
ータ素子に入射して光に変換され、この光が光電変換素
子に入射して光電変換され、該光電変換素子から電気信
号として出力される。
In the X-ray detector of the X-ray CT apparatus of the present invention, the X-rays that have passed through the object to be detected enter the scintillator element and are converted into light, and this light is converted into the photoelectric conversion element. The light enters, is photoelectrically converted, and is output as an electric signal from the photoelectric conversion element.

【0013】本発明では、半導体基板上に複数の光電変
換素子を複数段に配列形成してなる光電変換素子基板を
作成し、この複数段構成の光電変換素子基板の背面(光
入射面とは反対側の面)側に該光電変換素子基板からの
出力電気信号を読み出すための信号読み出し基板を接合
配置して、上記光電変換素子基板からの出力電気信号を
上記光電変換素子基板の背面側から取り出す。
According to the present invention, a photoelectric conversion element substrate is formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements on a semiconductor substrate in a plurality of stages. A signal reading substrate for reading an output electric signal from the photoelectric conversion element substrate is arranged on the side opposite to the side), and an output electric signal from the photoelectric conversion element substrate is supplied from the back side of the photoelectric conversion element substrate. Take it out.

【0014】出力電気信号は、複数の光電変換素子の群
に対して並列的に読み出され、光電変換素子の群を2次
元的に順次切り換えて、出力電気信号の読み出しを行な
う。複数の光電変換素子群の各々を複数のサブ基板上に
作製し、この複数のサブ基板を互いに近接させて電気信
号の読み出しを行なう信号読み出し基板上に接合配置し
て、上記した複数段構成の光電変換素子基板の背面側か
ら電気信号(光電変換信号)を出力させるように構成す
ることもできる。
The output electric signal is read in parallel with respect to a group of a plurality of photoelectric conversion elements, and the group of photoelectric conversion elements is sequentially switched two-dimensionally to read the output electric signal. Each of the plurality of photoelectric conversion element groups is formed on a plurality of sub-boards, and the plurality of sub-boards are brought into close proximity to each other and are jointly arranged on a signal reading board for reading an electric signal, and the above-described multi-stage configuration An electric signal (photoelectric conversion signal) may be output from the back side of the photoelectric conversion element substrate.

【0015】本発明のX線CT装置におけるX線検出器
を構成する検出ブロックは、複数の光電変換素子が配列
形成された光電変換基板,検出ブロック基板,複数のシ
ンチレータ素子を含む。検出ブロックは、シンチレータ
素子及び光電変換素子から形成されるX線検出素子(以
下単に検出素子と云う)の複数を含む。複数のシンチレ
ータ素子は、光学的に光電変換基板に接合される。光電
変換基板は、検出ブロック基板に電気的に接合される。
光電変換基板または検出ブロック基板は、光電変換素子
を選択して電気信号の読み出しを切り換える素子選択部
を有する。検出ブロック基板の表面(第1面)側に、出
力電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するため
の素子選択信号を素子選択部に供給するための選択用配
線,光電変換素子からの出力電気信号を出力するための
出力用配線が形成される。上記の選択用配線及び出力用
配線は、各層間が絶縁されてなる多層配線構造により形
成される。
The detection block constituting the X-ray detector in the X-ray CT apparatus of the present invention includes a photoelectric conversion substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed, a detection block substrate, and a plurality of scintillator elements. The detection block includes a plurality of X-ray detection elements (hereinafter simply referred to as detection elements) formed of scintillator elements and photoelectric conversion elements. The plurality of scintillator elements are optically bonded to the photoelectric conversion substrate. The photoelectric conversion substrate is electrically bonded to the detection block substrate.
The photoelectric conversion substrate or the detection block substrate has an element selection unit that selects a photoelectric conversion element and switches reading of an electric signal. On the front surface (first surface) side of the detection block substrate, a selection wiring for supplying an element selection signal for selecting a photoelectric conversion element from which an output electric signal is to be read to an element selection unit, output electricity from the photoelectric conversion element An output wiring for outputting a signal is formed. The selection wiring and the output wiring are formed by a multi-layer wiring structure in which each layer is insulated.

【0016】出力用配線は、第1の方向(スライス方向
又はチャネル方向)に列をなす光電変換素子に対し共通
に形成され、選択用配線は上記第1の方向に直交する第
2の方向に行をなす光電変換素子に対し共通に形成され
る。制御回路から選択用配線へ光電変換素子を選択する
ための選択信号が入力され、上記第2の方向に選択用配
線が共通配線された光電変換素子の群からの出力電気信
号が上記の出力用配線から出力される。選択すべき光電
変換素子の行を切り換えて光電変換素子の群を第1の方
向へ順次切り換えて出力電気信号の読み出しを行なう。
The output wiring is formed commonly to the photoelectric conversion elements arranged in a row in the first direction (slice direction or channel direction), and the selection wiring is arranged in the second direction orthogonal to the first direction. It is formed commonly to the photoelectric conversion elements forming a row. A selection signal for selecting a photoelectric conversion element is input from the control circuit to the selection wiring, and an output electric signal from the group of photoelectric conversion elements in which the selection wiring is commonly wired in the second direction is used for the output. It is output from the wiring. The rows of photoelectric conversion elements to be selected are switched to sequentially switch the group of photoelectric conversion elements in the first direction to read the output electric signal.

【0017】上記した本発明による検出器構成により、
同じ列に属する光電変換素子の出力電気信号を、共通の
読み出し回路でもって読み出せるので、光電変換素子か
らの出力電気信号を読み出すための読み出し回路の回路
規模の増大を抑え、回路規模の縮減を図ることができ
る。
By the detector configuration according to the present invention described above,
Since the output electric signals of the photoelectric conversion elements belonging to the same column can be read by the common read circuit, it is possible to suppress the increase in the circuit scale of the read circuit for reading the output electric signals from the photoelectric conversion elements and reduce the circuit scale. Can be planned.

【0018】また、光電変換基板の背面側から出力電気
信号を検出ブロック基板上へと出力するので、光電変換
素子形成領域の周囲に信号出力のための配線を形成する
ための配線スペースを必要としないがため、検出感度,
解像度の低下を防止できる。光電変換素子間の空間が大
きくなって、素子配列間隔が大きくなると、検出感度及
び解像度の低下を招くことになるからである。
Further, since the output electric signal is output onto the detection block substrate from the back side of the photoelectric conversion substrate, a wiring space for forming a wiring for signal output is required around the photoelectric conversion element forming region. Since it does not, detection sensitivity,
The decrease in resolution can be prevented. This is because if the space between the photoelectric conversion elements becomes large and the element arrangement interval becomes large, the detection sensitivity and resolution will be reduced.

【0019】本発明のX線CT装置のX線検出器では、
大きな半導体基板を用いずに、複数の光電変換素子の各
々を複数のサブ基板により形成して複数の検出段を構成
した光電変換素子基板を使用して、複数の検出段数をも
ったX線検出ブロックを実現できる。
In the X-ray detector of the X-ray CT apparatus of the present invention,
X-ray detection having a plurality of detection stages by using a photoelectric conversion element substrate in which a plurality of photoelectric conversion elements are formed by a plurality of sub-boards to form a plurality of detection stages without using a large semiconductor substrate Blocks can be realized.

【0020】光電変換基板が複数の検出素子が配列する
チャネル方向(行方向)に複数配置される場合、複数の
光電変換基板にまたがる複数の素子選択部が、共通の選
択用配線により電気的に接続され、出力電気信号を読み
出すべき光電変換素子を選択するための配線を減少でき
る。
When a plurality of photoelectric conversion substrates are arranged in the channel direction (row direction) in which a plurality of detection elements are arranged, a plurality of element selection units extending over the plurality of photoelectric conversion substrates are electrically connected by a common selection wiring. It is possible to reduce the number of wirings connected to select the photoelectric conversion element from which the output electric signal is to be read.

【0021】光電変換基板がスライス方向(列方向)に
複数個配置される場合、これら複数個の光電変換基板間
にまたがる複数の検出素子が共通の信号用配線により電
気的に接続されため、読み出し回路の規模を小さくでき
る。
When a plurality of photoelectric conversion substrates are arranged in the slice direction (column direction), a plurality of detection elements extending across the plurality of photoelectric conversion substrates are electrically connected by a common signal wiring, so that reading is performed. The scale of the circuit can be reduced.

【0022】本発明のX線CT装置のX線検出器では、
光電変換基板,検出ブロック基板の少なくとも一方に、
光電変換素子からの出力電気信号を増幅するための増幅
回路が配置される。読み出し回路内で発生するノイズは
S/N比の低下の原因となるが、上記増幅回路の下段側
での発生ノイズのS/N比への寄与は小さくなる。
In the X-ray detector of the X-ray CT apparatus of the present invention,
At least one of the photoelectric conversion substrate and the detection block substrate,
An amplifier circuit for amplifying the output electric signal from the photoelectric conversion element is arranged. The noise generated in the read circuit causes a decrease in the S / N ratio, but the noise generated in the lower side of the amplifier circuit makes a small contribution to the S / N ratio.

【0023】本発明のX線CT装置のX線検出器では、
光電変換基板,検出ブロック基板の少なくとも一方が複
数の基板により構成される。例えば、検出ブロック基板
は、選択素子を有し選択用配線が形成された選択用配線
基板と、電気信号を読み出すための出力用配線が形成さ
れた出力用配線基板とから構成され、上記選択用配線基
板上に増幅回路が配置される。
In the X-ray detector of the X-ray CT apparatus of the present invention,
At least one of the photoelectric conversion substrate and the detection block substrate is composed of a plurality of substrates. For example, the detection block substrate is composed of a selection wiring substrate having a selection element and a selection wiring formed thereon, and an output wiring substrate having an output wiring for reading an electric signal. An amplifier circuit is arranged on the wiring board.

【0024】本発明のX線CT装置では、光電変換基板
は、電気信号出力のオン・オフ切り換えを行なうための
選択素子と、該基板の第1の面(光入射面)側に形成さ
れる透明電極と、第2の面(光入射面と反対側の面)側
に形成され電気信号の出力を行なう出力端子と、上記の
第2の面側に形成され選択素子を制御する信号を入力す
るための選択端子とを有し、検出ブロック基板は、上記
の透明電極に電気的に接続される基準電位用配線を有
し、出力用配線は、上記の出力端子と電気的に接続され
上記の第1の面側に形成される接続用出力端子と,該接
続用出力端子と出力線により電気的に接続され上記光電
変換基板とは接しない位置に形成されて信号収集回路と
電気的に接続される外部出力端子と,信号線とを有し、
第1の方向(スライス方向又はチャネル方向)に列をな
す検出素子の群が対応する上記接続用出力端子は共通の
出力線によって電気的に接続され、選択用配線は、選択
端子と電気的に接続されて第1の面に形成される接続用
選択端子と,制御回路と電気的に接続されて光電変換基
板と接しない位置に形成される外部選択端子と,接続用
選択端子と外部選択端子とを電気的に接続する選択線と
を有し、上記第1の方向と直交する第2の方向(回転軸
方向)に行をなす検出素子の群が対応する上記接続用選
択端子は共通の選択線によって電気的に接続され、基準
電位用配線は、光電変換基板と接しない位置に形成され
る基準電位入力端子と,該基準電位入力端子及び上記透
明電極に電気的に接続される接続用基準電位端子とを有
している。更に、上記光電変換基板の上記第2の面上
に、上記接続用基準電位端子に電気的に接続される表面
電極端子が形成されている。
In the X-ray CT apparatus of the present invention, the photoelectric conversion substrate is formed on the first surface (light incident surface) side of the selection element for switching on / off the electric signal output. A transparent electrode, an output terminal formed on the second surface (surface opposite to the light incident surface) side for outputting an electric signal, and a signal formed on the second surface side for controlling the selection element are input. The detection block substrate has a reference potential wiring electrically connected to the transparent electrode, and the output wiring is electrically connected to the output terminal. Of the connection output terminal formed on the first surface side of the, and the connection output terminal and the connection output terminal are formed at a position not electrically contacting the photoelectric conversion substrate and electrically connected to the signal collection circuit. Has an external output terminal to be connected and a signal line,
The connection output terminals to which the group of detection elements forming a row in the first direction (slice direction or channel direction) correspond are electrically connected by a common output line, and the selection wiring is electrically connected to the selection terminal. A selection terminal for connection which is connected and formed on the first surface, an external selection terminal which is electrically connected to the control circuit and formed at a position not in contact with the photoelectric conversion substrate, a selection terminal for connection and an external selection terminal And a selection line for electrically connecting to each other, and the connection selection terminal corresponding to the group of detection elements corresponding to the row in the second direction (rotational axis direction) orthogonal to the first direction is common. The reference potential wiring is electrically connected by the selection line, and the reference potential wiring is for connection to be electrically connected to the reference potential input terminal formed at a position not in contact with the photoelectric conversion substrate and the reference potential input terminal and the transparent electrode. And a reference potential terminal. Furthermore, a surface electrode terminal electrically connected to the connection reference potential terminal is formed on the second surface of the photoelectric conversion substrate.

【0025】若しくは、本発明のX線CT装置のX線検
出器では、上記光電変換基板は上記第1の面側に形成さ
れる透明電極と上記第2の面側に形成され電気信号の出
力を行なう出力端子とを有し、上記検出ブロック基板
は、その第1の面側に形成され電気信号出力のオン・オ
フ切り換えを行なう選択素子と,上記透明電極に電気的
に接続される基準電位用配線とを有し、上記選択素子
は、上記の電気信号を入力する入力電極と,該入力電極
に入力された上記電気信号を出力する出力電極と,上記
電気信号出力のオン・オフ切り換えを行なう制御電極と
を有し、上記の出力用配線は、上記入力電極と電気的に
接続され上記第1の面に形成される接続用出力端子と,
上記の出力線により上記出力電極に電気的に接続されて
信号収集回路と電気的に接続される上記光電変換基板と
は接しない位置に形成された外部出力端子と,信号線と
を有し、上記の第1の方向に列をなす検出素子の群が対
応する選択素子の出力電極は共通の出力線により互いに
電気的に接続され、選択用配線は、制御回路と電気的に
接続され光電変換基板と接しない位置に形成される外部
選択端子と,制御電極と外部選択端子とを電気的に接続
する選択線とを有してなり、上記第2の方向に行をなす
検出素子の群が対応する選択素子の制御電極は共通の選
択線によって互いに電気的に接続され、基準電位用配線
は、光電変換基板と接しない位置に形成される基準電位
入力端子と,上記透明電極に電気的に接続される接続用
基準電位端子とを有している。更に、上記光電変換基板
の上記第2の面に、上記接続用基準電位端子に電気的に
接続される表面電極端子が形成されている。
Alternatively, in the X-ray detector of the X-ray CT apparatus according to the present invention, the photoelectric conversion substrate is formed on the transparent electrode formed on the first surface side and the electric signal is output on the second surface side. The detection block substrate has a selection element formed on the first surface side thereof for switching ON / OFF of an electric signal output, and a reference potential electrically connected to the transparent electrode. The selection element has an input electrode for inputting the electric signal, an output electrode for outputting the electric signal input to the input electrode, and ON / OFF switching of the electric signal output. And a control output electrode, the output wiring is electrically connected to the input electrode, and a connection output terminal is formed on the first surface.
An external output terminal formed at a position not in contact with the photoelectric conversion substrate electrically connected to the output electrode by the output line and electrically connected to the signal collection circuit, and a signal line, The output electrodes of the selection elements corresponding to the group of detection elements arranged in a row in the first direction are electrically connected to each other by a common output line, and the selection wiring is electrically connected to the control circuit to perform photoelectric conversion. A group of detection elements, which has an external selection terminal formed at a position not in contact with the substrate and a selection line electrically connecting the control electrode and the external selection terminal, and which forms a row in the second direction. The control electrodes of the corresponding selection elements are electrically connected to each other by a common selection line, and the reference potential wiring is electrically connected to the reference potential input terminal formed at a position not in contact with the photoelectric conversion substrate and the transparent electrode. With the reference potential terminal for connection It is. Furthermore, a surface electrode terminal electrically connected to the connection reference potential terminal is formed on the second surface of the photoelectric conversion substrate.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】本発明は、検出ブロックが周方向
に円弧状に配置されてX線検出器が構成されており、回
転手段によってX線源及びX線検出器を検査対象物体の
周囲で回転させる第3世代方式のX線CT装置、およ
び、検出ブロックが周方向に円状に配置されてX線検出
器が構成されており、回転手段によってX線源を検査対
象物体の周囲で回転させる第4世代方式のX線CT装置
に対して適用される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, an X-ray detector is constructed by arranging detection blocks in an arc shape in the circumferential direction, and the X-ray source and the X-ray detector are surrounded by a rotating means around an object to be inspected. 3rd generation X-ray CT apparatus for rotating by X, and an X-ray detector is constructed by arranging detection blocks in a circular shape in the circumferential direction, and an X-ray source is arranged around an object to be inspected by rotating means. It is applied to a rotating fourth generation X-ray CT apparatus.

【0027】以下、本発明の実施の形態につき、実施例
を挙げ、図面を参照して詳細に説明する。 (実施例1)図1に、本発明の実施例1になるX線CT
装置の基本構成を示す。本X線CT装置は、寝台天板1
2,X線源11,X線検出器10,回転体16,信号収
集回路90,演算処理装置13,表示装置14,及び、
制御回路15から構成されている。検査対象物体Sは寝
台天板12上に搭載され、該検査対象物体Sを間に挟ん
でX線源11とX線検出器10とが対向して配置されて
いる。X線源11とX線検出器10とは回転体16上に
固定保持されている。回転体16は検査対象物体Sを略
中心として回転方向18に回転する。X線源11からの
X線を検査対象物体Sに照射してその透過X線を検出す
るX線断層撮影では、回転体16の各回転角度で投影像
を検出する。各回転角度で、検査対象物体Sを透過した
X線をX線検出器10で検出し電気信号(投影像)に変
換する。この電気信号は、信号収集回路90で収集され
保存される。例えば、回転体16の回転角度0.4°毎
に上記投影像を検出した場合、回転体16の1回転(3
60°回転)の間における検出投影像数は900枚とな
る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows an X-ray CT according to Embodiment 1 of the present invention.
The basic configuration of the device is shown. This X-ray CT system has a bed top plate 1
2, X-ray source 11, X-ray detector 10, rotating body 16, signal acquisition circuit 90, arithmetic processing unit 13, display unit 14, and
It is composed of a control circuit 15. The inspection target object S is mounted on the bed top plate 12, and the X-ray source 11 and the X-ray detector 10 are arranged to face each other with the inspection target object S interposed therebetween. The X-ray source 11 and the X-ray detector 10 are fixedly held on the rotating body 16. The rotating body 16 rotates in the rotation direction 18 with the inspection target object S as a substantial center. In X-ray tomography in which the inspection target object S is irradiated with X-rays from the X-ray source 11 and the transmitted X-rays are detected, a projection image is detected at each rotation angle of the rotating body 16. At each rotation angle, the X-ray transmitted through the inspection object S is detected by the X-ray detector 10 and converted into an electric signal (projection image). This electric signal is collected and stored by the signal collecting circuit 90. For example, when the projected image is detected at every rotation angle of the rotating body 16 of 0.4 °, one rotation of the rotating body 16 (3
The number of detected projection images during the rotation of 60 ° is 900.

【0028】これら投影像の検出データは、静止系に置
かれた演算処理装置13に転送される。演算処理装置1
3では、これら投影像の検出データに対しコンボルーシ
ョン(畳み込み)の処理,バックプロジェクション(逆
投影)の処理を行ない、検査対象物体Sの所望断面上で
のX線吸収係数分布の画像(断層像)を再構成する。こ
の再構成断層像が、表示装置14に表示される。制御回
路15は、X線の照射タイミングの制御,X線検出器1
0からの電気信号の読み出しタイミングの制御等を行な
う。
The detection data of these projection images are transferred to the arithmetic processing unit 13 placed in the stationary system. Processor 1
In 3, the convolution (convolution) processing and the back projection (back projection) processing are performed on the detection data of these projection images to obtain an image (tomographic image) of the X-ray absorption coefficient distribution on the desired cross section of the inspection object S. ) Is reconfigured. This reconstructed tomographic image is displayed on the display device 14. The control circuit 15 controls the X-ray irradiation timing and the X-ray detector 1
The control of the read timing of the electric signal from 0 is performed.

【0029】図2に、本実施例1のX線CT装置に使用
される検出ブロックの構造を斜視図で示す。また、図3
に、図2に示した検出ブロック20のX線入射方向92
から見た回路構成を示す。
FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment. Also, FIG.
In the X-ray incident direction 92 of the detection block 20 shown in FIG.
The circuit configuration viewed from is shown.

【0030】図1に示すX線検出器は、複数(K個)の検
出ブロック20を検出ブロック固定板91上にチャネル
方向21に円弧状に固定配列した構造をしている。検出
ブロック20は、固定用ネジ穴46を介してネジにより
固定板91上に固定されている。なお、ここでは、k
(=1,2,…,K)を各検出ブロックの番号として、
第k番目の検出ブロック20を20−kで表わしてい
る。
The X-ray detector shown in FIG. 1 has a structure in which a plurality of (K) detection blocks 20 are fixedly arranged in an arc shape on the detection block fixing plate 91 in the channel direction 21. The detection block 20 is fixed on the fixing plate 91 by screws through the fixing screw holes 46. Here, k
Let (= 1, 2, ..., K) be the number of each detection block,
The kth detection block 20 is represented by 20-k.

【0031】各検出ブロック20は、シンチレータ素子
22,光電変換基板23,検出ブロック基板25を含
む。光電変換基板23は検出ブロック基板25上に接し
て配置され、シンチレータ素子22は光電変換基板23
の上に接して配置されている。検出素子は、X線を光に
変換するシンチレータ素子22と、この光を電気信号に
変換する光電変換素子59とから構成されている。各シ
ンチレータ素子22は、各光電変換素子59に対応して
光学的に分割されている。
Each detection block 20 includes a scintillator element 22, a photoelectric conversion substrate 23, and a detection block substrate 25. The photoelectric conversion substrate 23 is arranged in contact with the detection block substrate 25, and the scintillator element 22 is disposed on the photoelectric conversion substrate 23.
It is placed on top of. The detection element includes a scintillator element 22 that converts X-rays into light and a photoelectric conversion element 59 that converts the light into an electric signal. Each scintillator element 22 is optically divided corresponding to each photoelectric conversion element 59.

【0032】検出素子の数は、例えば、検出ブロック2
0のチャネル方向21に平行な方向(以後、行方向と云
う)で16個,スライス方向26に平行な方向(以後、
列方向と云う)で24個である。即ち、検出ブロックは
16行24列の検出素子から構成される。図2では、図
を簡単にするため、4行2列の場合を例に示す。光電変
換素子59−k−i−jは、検出ブロック20−k中の
i列,j行の光電変換素子を示す。光電変換素子59−
k−i−jとシンチレータ素子22−k−i−jは、同
じ検出ブロック20−k上の同じi列,j行に対応して
いる。光電変換基板23−k−mは、m番目の光電変換
基板(サブ基板)を示す。なお、i=1,2,…,I,
j=1,2,…,J,m=1,2,…,Mである。検出
ブロック基板25は、どの光電変換素子の電気信号を読
み出すかを選択する機能と実際に読み出しを行なう機能
とをもっている。
The number of detecting elements is, for example, the detecting block 2
16 in the direction parallel to the channel direction 21 of 0 (hereinafter referred to as the row direction) and the direction parallel to the slice direction 26 (hereinafter
There are 24 in the column direction). That is, the detection block is composed of 16 rows and 24 columns of detection elements. In FIG. 2, in order to simplify the drawing, a case of 4 rows and 2 columns is shown as an example. The photoelectric conversion element 59-k-i-j indicates the photoelectric conversion element in the i-th column and the j-th row in the detection block 20-k. Photoelectric conversion element 59-
The k-i-j and the scintillator element 22-k-i-j correspond to the same i-th column and j-th row on the same detection block 20-k. The photoelectric conversion substrate 23-km is the m-th photoelectric conversion substrate (sub substrate). Note that i = 1, 2, ..., I,
, j, m = 1, 2, ..., M. The detection block substrate 25 has a function of selecting which photoelectric conversion element to read an electric signal from and a function of actually reading the electric signal.

【0033】図3に示すように、検出ブロック20は、
光電変換回路41,選択素子43,選択線61,信号線
60,外部選択端子53,外部出力端子52,基準電位
入力端子54を含む。選択素子43は、例えばMOS型
のトランジスタである。光電変換素子59−k−i−j
は、光電変換回路41−k−i−jと選択素子43−k
−i−jを含む。光電変換回路41及び選択素子43は
光電変換基板23上に設けられる。選択線61,信号線
60,外部選択端子53,外部出力端子52,及び基準
電位入力端子54は、検出ブロック基板25上に設けら
れる。
As shown in FIG. 3, the detection block 20 is
It includes a photoelectric conversion circuit 41, a selection element 43, a selection line 61, a signal line 60, an external selection terminal 53, an external output terminal 52, and a reference potential input terminal 54. The selection element 43 is, for example, a MOS type transistor. Photoelectric conversion element 59-k-i-j
Is a photoelectric conversion circuit 41-k-i-j and a selection element 43-k.
-I-j is included. The photoelectric conversion circuit 41 and the selection element 43 are provided on the photoelectric conversion substrate 23. The selection line 61, the signal line 60, the external selection terminal 53, the external output terminal 52, and the reference potential input terminal 54 are provided on the detection block substrate 25.

【0034】同じj行上にある光電変換素子59k−i
−jの選択素子43−k−i−jのゲート電極は、共通
の選択線61−k−jに接続され、光電変換素子59k
−i−jの選択を行毎に行なう。また、同じi列上にあ
る光電変換素子59k−i−jの選択素子43−k−i
−jのソース電極は、共通の信号線60−k−iに接続
される。光電変換素子59k−i−jからの検出信号の
読み出しは、列方向に共通の読み出し回路を用いて行な
う。次に、読み出しの方法の詳細を説明する。
The photoelectric conversion elements 59k-i on the same j-th row
The gate electrode of the selection element 43-k-i-j of -j is connected to the common selection line 61-k-j, and the photoelectric conversion element 59k.
-I-j is selected row by row. In addition, the selection elements 43-k-i of the photoelectric conversion elements 59k-i-j on the same i-th column.
The source electrode of −j is connected to the common signal line 60-ki. The readout of the detection signal from the photoelectric conversion elements 59k-i-j is performed using a readout circuit common in the column direction. Next, details of the reading method will be described.

【0035】検出ブロック20に入射したX線は、シン
チレータ素子22によって光に変換され、この光が光電
変換素子59k−i−jで電気信号に変換されて、この
電気信号がそこに蓄積される。制御回路15から外部選
択端子53−k−jに、蓄積された電気信号を読み出す
べき光電変換素子を選択するための信号が入力される
と、同じj行の選択素子43−k−i−jがオンされ
る。これにより、同じj行の光電変換素子59k−i−
jに蓄積されている電気信号が、外部出力端子52−k
−iから信号収集回路90に、同時に出力される。次に
電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための
信号が外部選択端子53−k−(j+1)に入力される
と、同じ(j+1)行の光電変換素子59k−i−(j
+1)に蓄積されている電気信号が、信号収集回路90
に、同時に出力される。
The X-rays incident on the detection block 20 are converted into light by the scintillator element 22, this light is converted into an electric signal by the photoelectric conversion elements 59k-i-j, and this electric signal is accumulated therein. . When a signal for selecting the photoelectric conversion element from which the accumulated electric signal is to be read is input from the control circuit 15 to the external selection terminal 53-k-j, the selection element 43-k-i-j of the same j row is input. Is turned on. Thereby, the photoelectric conversion elements 59k-i-of the same j-th row
The electric signal stored in j is the external output terminal 52-k.
-I is simultaneously output to the signal acquisition circuit 90. Next, when a signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to the external selection terminal 53-k- (j + 1), the photoelectric conversion element 59k-i- (j) of the same (j + 1) th row.
The electrical signal stored in (+1) is the signal collection circuit 90.
Are output simultaneously.

【0036】このように、蓄積電気信号を読み出すべき
光電変換素子の行を順次切り換えることにより、検出ブ
ロック20の全ての光電変換素子からの蓄積電気信号の
読み出しを実行できる。このようにして、1つの方向か
らのX線投影像の取得ができる。次に、各基板の詳細な
構造を説明する。
In this way, by sequentially switching the rows of photoelectric conversion elements from which the stored electric signals should be read, the stored electric signals can be read from all the photoelectric conversion elements of the detection block 20. In this way, the X-ray projection image from one direction can be acquired. Next, the detailed structure of each substrate will be described.

【0037】図4に、本発明の実施例1における光電変
換基板23の詳細構造を示す。光電変換基板23はシリ
コン基板140からなり、該基板上に光電変換素子が2
次元的に形成される。図4には、2行2列の光電変換素
子59が形成されている場合を例示した。なお、図中の
141は、光電変換基板23の投影面を示している。
FIG. 4 shows the detailed structure of the photoelectric conversion substrate 23 in the first embodiment of the present invention. The photoelectric conversion substrate 23 is composed of a silicon substrate 140, and photoelectric conversion elements are formed on the substrate.
It is formed dimensionally. FIG. 4 illustrates the case where the photoelectric conversion elements 59 of 2 rows and 2 columns are formed. Note that reference numeral 141 in the figure denotes the projection surface of the photoelectric conversion substrate 23.

【0038】図5に、本発明の実施例1における光電変
換基板23の回路構成を示す。光電変換基板23は、光
電変換回路41,選択素子43,透明電極42,透明電
極端子38,出力端子45,選択端子44を具備する。
光電変換回路41と選択素子43とは光電変換素子毎に
設けられている。透明電極42は光電変換基板23の第
1の面(光入射面)32上に形成される。第1の面32
は、シンチレータ素子22と接合する面である。選択端
子44−k−jは、選択素子43−k−i−jのゲート
電極と電気的に接続される。
FIG. 5 shows a circuit configuration of the photoelectric conversion substrate 23 in the first embodiment of the present invention. The photoelectric conversion substrate 23 includes a photoelectric conversion circuit 41, a selection element 43, a transparent electrode 42, a transparent electrode terminal 38, an output terminal 45, and a selection terminal 44.
The photoelectric conversion circuit 41 and the selection element 43 are provided for each photoelectric conversion element. The transparent electrode 42 is formed on the first surface (light incident surface) 32 of the photoelectric conversion substrate 23. First surface 32
Is a surface to be joined to the scintillator element 22. The selection terminal 44-k-j is electrically connected to the gate electrode of the selection element 43-k-i-j.

【0039】出力端子45−k−iはソース電極と電気
的に接続される。透明電極端子38−k−mは透明電極
42と電気的に接続される。これらの端子は、光電変換
基板23の第2の面33上に形成される。第2の面33
は、検出ブロック基板25と接合する面である。このよ
うに、検出ブロック基板25と接合する光電変換基板2
3の第2の面33上にそれぞれの電極に接続する端子を
設けるので、読み出し回路のためのスペースを検出ブロ
ック基板25との間に設ける必要が無い。
The output terminal 45-ki is electrically connected to the source electrode. The transparent electrode terminal 38-km is electrically connected to the transparent electrode 42. These terminals are formed on the second surface 33 of the photoelectric conversion substrate 23. Second surface 33
Is a surface to be joined to the detection block substrate 25. In this way, the photoelectric conversion substrate 2 bonded to the detection block substrate 25
Since the terminals connected to the respective electrodes are provided on the second surface 33 of No. 3, it is not necessary to provide a space for the read circuit with the detection block substrate 25.

【0040】図6は本発明の実施例1における検出ブロ
ック基板25の構造を示す斜視図である。検出ブロック
基板25は光電変換基板23を支持する。検出ブロック
基板25−kは光電変換基板23−k−mと接合領域2
20−k−mで接合される。
FIG. 6 is a perspective view showing the structure of the detection block substrate 25 in the first embodiment of the present invention. The detection block substrate 25 supports the photoelectric conversion substrate 23. The detection block substrate 25-k is connected to the photoelectric conversion substrate 23-km and the junction region 2
It is joined at 20-km.

【0041】図7に、本発明の実施例1における検出ブ
ロック基板25の回路構成を示す。検出ブロック基板2
5は、出力用配線70,選択用配線71及び基準電位用
配線72を含む。出力用配線70は、接続用出力端子5
5−k−i,信号線60−k−i及び外部出力端子52
−k−iを含む。接続用出力端子55−k−iと外部出
力端子52−k−iは信号線60−k−iによって電気
的に接続される。選択用配線71は、接続用選択端子5
6−k−j,選択線61−k−j,外部選択端子53−
k−iを含む。基準電位用配線72は、接続用基準電位
端子57−k−m,基準電位入力端子54−k及び信号
線62(62−k)を含む。
FIG. 7 shows the circuit configuration of the detection block substrate 25 in the first embodiment of the present invention. Detection block board 2
Reference numeral 5 includes an output wiring 70, a selection wiring 71, and a reference potential wiring 72. The output wiring 70 is connected to the output terminal 5
5-k-i, signal line 60-k-i and external output terminal 52
-Ki is included. The connection output terminal 55-k-i and the external output terminal 52-k-i are electrically connected by the signal line 60-k-i. The selection wiring 71 is connected to the selection terminal 5
6-k-j, selection line 61-k-j, external selection terminal 53-
Including k-i. The reference potential wiring 72 includes a connection reference potential terminal 57-km, a reference potential input terminal 54-k, and a signal line 62 (62-k).

【0042】同じ列iの光電変換素子59k−i−jに
接続される接続用出力端子55−k−iは、共通の信号
線60−k−iにより外部出力端子52−k−iに電気
的に接続される。接続用選択端子56−k−iと外部選
択端子53−k−iは選択線61−k−iによって電気
的に接続される。同じ行jの光電変換素子59k−i−
jに接続される接続用選択端子56−k−jは、共通の
選択線61−k−jにより外部選択端子53−k−jに
電気的に接続される。接続用基準電位端子57−k−m
は、基準電位入力端子54−kと電気的に接続される。
接続用出力端子55−k−i,接続用選択端子56−k
−j及び接続用基準電位端子57−k−mは、接合領域
220−k−mの内部に設けられる。
The connection output terminal 55-k-i connected to the photoelectric conversion element 59k-i-j in the same column i is electrically connected to the external output terminal 52-k-i by the common signal line 60-k-i. Connected. The connection selection terminal 56-k-i and the external selection terminal 53-k-i are electrically connected by the selection line 61-k-i. The photoelectric conversion element 59k-i- of the same row j
The connection selection terminal 56-k-j connected to j is electrically connected to the external selection terminal 53-k-j by the common selection line 61-k-j. Reference potential terminal for connection 57-km
Are electrically connected to the reference potential input terminal 54-k.
Output terminal 55-k-i for connection, selection terminal 56-k for connection
-J and the connection reference potential terminal 57-km are provided inside the junction region 220-km.

【0043】接続用出力端子55−k−iと出力端子4
5−k−iが、接続用選択端子56−k−jと選択端子
44−k−jが、接続用基準電位端子57−k−mと透
明電極端子38−k−mとがそれぞれ電気的に接続され
るように、検出ブロック基板25と光電変換基板23−
k−mとを接合する。制御回路15からの信号を外部選
択端子53−k−iに入力することによって、同じ行j
の光電変換素子59k−i−jの電気信号を読み出し、
この読み出した電気信号を外部出力端子52−k−iか
ら信号収集回路90に並列に出力できる。
Output terminal 55-ki for connection and output terminal 4
5-k-i electrically connects the selection terminal 56-k-j and the selection terminal 44-k-j, and the connection reference potential terminal 57-km and the transparent electrode terminal 38-km electrically. Connected to the detection block substrate 25 and the photoelectric conversion substrate 23-
Join with km. By inputting a signal from the control circuit 15 to the external selection terminal 53-ki, the same row j
The electric signal of the photoelectric conversion element 59k-i-j of
The read electrical signal can be output in parallel from the external output terminal 52-ki to the signal collection circuit 90.

【0044】図8に、本発明の実施例1における検出ブ
ロックを構成する検出ブロック基板25の多層配線の断
面構造を示す。検出ブロック基板25は、出力用配線7
0を構成する上層230,基準電位用配線72を構成す
る中層231及び選択用配線71を構成する下層232
の3層と、各層間の絶縁層233とから構成される。接
続用選択端子56−k−j,接続用出力端子55−k−
i及び接続用基準電位端子57−k−mは、上記の各層
から検出ブロック基板25の第1面34の表面まで貫通
し、光電変換基板23と電気的に接続される。 外部選
択端子53−k−i,外部出力端子52−k−i及び基
準電位入力端子54−kは上記各層から検出ブロック基
板25の第1面34の表面まで貫通し、制御回路15お
よび信号収集回路90と電気的に接続される。
FIG. 8 shows the cross-sectional structure of the multilayer wiring of the detection block substrate 25 which constitutes the detection block in the first embodiment of the present invention. The detection block substrate 25 has the output wiring 7
0, an upper layer 230 that configures 0, an intermediate layer 231 that configures the reference potential wiring 72, and a lower layer 232 that configures the selection wiring 71.
3 and an insulating layer 233 between the layers. Connection selection terminal 56-k-j, connection output terminal 55-k-
i and the reference potential terminal 57-km for connection penetrate from the above layers to the surface of the first surface 34 of the detection block substrate 25, and are electrically connected to the photoelectric conversion substrate 23. The external selection terminal 53-k-i, the external output terminal 52-k-i, and the reference potential input terminal 54-k penetrate from the above layers to the surface of the first surface 34 of the detection block substrate 25, and the control circuit 15 and the signal collection circuit. It is electrically connected to the circuit 90.

【0045】図9から図12は本発明の実施例1におけ
る検出ブロック20−kの作製方法を説明する斜視図で
ある。図9に示すように、光電変換基板23を検出ブロ
ック基板25に接合する。図9に示す例では、2行2列
の光電変換基板23−k−mを2枚(m=1,2)用い
て、4行2列の検出ブロック20−kを製作する。
9 to 12 are perspective views illustrating a method of manufacturing the detection block 20-k according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the photoelectric conversion substrate 23 is bonded to the detection block substrate 25. In the example shown in FIG. 9, two rows and two columns of photoelectric conversion substrates 23-km (m = 1, 2) are used to fabricate a four rows and two columns detection block 20-k.

【0046】光電変換基板23−k−mの第2の面側に
形成される出力端子45−k−m−iと検出ブロック基
板25−k上に形成される接続用出力端子55−k−m
−iとが、光電変換基板23−k−mの第2の面側に形
成される選択端子44−k−m−jと検出ブロック基板
25−k上に形成される接続用選択端子56−k−m−
jとが、光電変換基板23−k−mの端面(側面)に形
成される透明電極端子38−k−mと検出ブロック基板
25−kに形成される接続用基準電位端子57−k−m
とが、それぞれハンダにて電気的に接続される。
Output terminals 45-km-i formed on the second surface side of the photoelectric conversion board 23-km and connection output terminals 55-k- formed on the detection block board 25-k. m
-I is a selection terminal 44-km-j formed on the second surface side of the photoelectric conversion substrate 23-km and a connection selection terminal 56- formed on the detection block substrate 25-k. km-
j is a transparent electrode terminal 38-km formed on the end surface (side surface) of the photoelectric conversion substrate 23-km and a connection reference potential terminal 57-km formed on the detection block substrate 25-k.
And are electrically connected by soldering.

【0047】図10に示すように、シンチレータ22−
kは、光電変換基板23−k−mの第1の面32上に、
シンチレータ22で発生する光を透過させ得る透光性接
着剤を用いて、光学的に接合する。また、図11に示す
ように、シンチレータ22と光電変換基板23とに溝1
50を形成する。なお、このうちスライス方向に平行な
溝は、シンチレータ22を貫通して光電変換基板23の
一部にまで及んで形成される。また、チャネル方向に平
行な溝は、シンチレータ22をほぼ貫通して形成される
が、光電変換基板23に及んでは形成されない。
As shown in FIG. 10, the scintillator 22-
k is on the first surface 32 of the photoelectric conversion substrate 23-km,
Optical bonding is performed using a translucent adhesive that can transmit the light generated by the scintillator 22. In addition, as shown in FIG. 11, the groove 1 is formed in the scintillator 22 and the photoelectric conversion substrate 23.
Form 50. Of these, the groove parallel to the slice direction penetrates the scintillator 22 and extends to a part of the photoelectric conversion substrate 23. Further, the groove parallel to the channel direction is formed almost penetrating the scintillator 22, but is not formed so as to extend to the photoelectric conversion substrate 23.

【0048】図12に示すように、光反射膜が形成され
たCu又はMoからなるセパレータ27を溝150内に
挿入する。このセパレータ27により、各シンチレータ
素子22−k−i―jは光学的に相互に分離される。
As shown in FIG. 12, a separator 27 made of Cu or Mo on which a light reflecting film is formed is inserted into the groove 150. The scintillator elements 22-k-i-j are optically separated from each other by the separator 27.

【0049】以下、実施例1における可能な変形例を説
明する。(1)上記で説明した第3世代方式のX線CT
装置に代えて、第4世代方式のX線CT装置に適用する
ことができる。(2)列方向に並列に電気信号の読み出
しを行ない行方向に順次切り換える代りに、行方向に並
列に電気信号の読み出しを行ない、列方向に順次切り換
えを行なうよう構成することもできる。(3)複数の光
電変換基板(サブ基板)をスライス方向26に配列する
代りに、チャネル方向21に複数の光電変換基板(サブ
基板)を配置するか、または、両方向26,21に複数
の光電変換基板(サブ基板)を配置することができる。
(4)1つの信号線60が複数の光電変換基板(サブ基
板)にまたがって接続用出力端子55と電気的に接続さ
れる代りに、1つの選択線61が複数の光電変換基板
(サブ基板)にまたがって接続用選択端子56と電気的
に接続されるように構成することもできる。(5)透明
電極42を列毎に分割する代りに、透明電極42を行毎
に分割するか、または、透明電極42を行毎及び列毎の
双方で分割するか、あるいはまた、透明電極42を行お
よび列の双方で分割しない構成とすることもできる。
(6)シンチレータ素子22−k−i―jを2次元的に
分割して構成する代りに、チャネル方向21又はスライ
ス方向26の一方向で分割するか、または、いずれの方
向にも分割しない構成(シンチレータ素子が連続したシ
ンチレータ板構成)とすることもできる。(7)透明電
極42と接続用基準電位端子57との電気的な接続を透
明電極端子38を経て行なう代りに、透明電極42と接
続用基準電位端子57とをボンディングにより直接電気
的に接続することもできる。(8)透明電極端子38と
透明電極42とを接続する配線を光電変換基板23の端
面(側面)上に形成する代りに、光電変換基板23を貫
通して透明電極端子38と透明電極42とを接続する配
線を形成することもできる。(9)透明電極を複数の光
電変換基板にまたがって共通に設ける構成とすることも
できる。(10)光電変換基板の隣接した面で、複数の
光電変換基板の透明電極が電気的に接触する構成とする
こともできる。 (実施例2)本実施例2になるX線CT装置は、先の実
施例1の装置構成において、図13に示す回路構成をも
つ光電変換基板23と、図14に示す回路構成をもつ検
出器ブロック基板25とを使用する。
A possible modification of the first embodiment will be described below. (1) Third generation X-ray CT described above
It can be applied to a fourth-generation X-ray CT apparatus instead of the apparatus. (2) Instead of reading the electric signals in parallel in the column direction and sequentially switching in the row direction, the electric signals may be read in parallel in the row direction and sequentially switching in the column direction. (3) Instead of arranging a plurality of photoelectric conversion substrates (sub substrates) in the slice direction 26, a plurality of photoelectric conversion substrates (sub substrates) are arranged in the channel direction 21, or a plurality of photoelectric conversion substrates (sub substrates) are arranged in both directions 26, 21. A conversion board (sub-board) can be arranged.
(4) Instead of one signal line 60 being electrically connected to the connection output terminal 55 across a plurality of photoelectric conversion substrates (sub substrates), one selection line 61 is a plurality of photoelectric conversion substrates (sub substrates). ) May be electrically connected to the connection selection terminal 56. (5) Instead of dividing the transparent electrodes 42 into columns, the transparent electrodes 42 are divided into rows, or the transparent electrodes 42 are divided into rows and columns, or alternatively, the transparent electrodes 42 are divided. It is also possible to adopt a configuration in which is not divided into both rows and columns.
(6) Instead of constructing the scintillator elements 22-k-i-j two-dimensionally, the scintillator element 22-k-i-j is divided in one direction of the channel direction 21 or the slice direction 26, or is not divided in any direction. (Scintillator plate structure in which scintillator elements are continuous) can also be used. (7) Instead of electrically connecting the transparent electrode 42 and the connection reference potential terminal 57 via the transparent electrode terminal 38, the transparent electrode 42 and the connection reference potential terminal 57 are directly electrically connected by bonding. You can also (8) Instead of forming the wiring connecting the transparent electrode terminal 38 and the transparent electrode 42 on the end face (side surface) of the photoelectric conversion substrate 23, the transparent electrode terminal 38 and the transparent electrode 42 are penetrated through the photoelectric conversion substrate 23. It is also possible to form a wiring for connecting the above. (9) The transparent electrode may be commonly provided over a plurality of photoelectric conversion substrates. (10) The transparent electrodes of the plurality of photoelectric conversion substrates may be in electrical contact with the adjacent surfaces of the photoelectric conversion substrates. (Embodiment 2) An X-ray CT apparatus according to Embodiment 2 has a photoelectric conversion substrate 23 having a circuit configuration shown in FIG. 13 and a detection circuit having a circuit configuration shown in FIG. The container block substrate 25 is used.

【0050】図13に示すように、光電変換基板23
は、光電変換回路41,透明電極42,透明電極端子3
8,及び出力端子45を含む。光電変換回路41及び出
力端子45は、光電変換素子毎に配置される。透明電極
42はシンチレータ素子22と接合される光電変換基板
の第1の面(光入射面)32上に形成される。透明電極
42は光電変換回路41内の1つの電極である。
As shown in FIG. 13, the photoelectric conversion substrate 23
Is a photoelectric conversion circuit 41, a transparent electrode 42, a transparent electrode terminal 3
8 and an output terminal 45. The photoelectric conversion circuit 41 and the output terminal 45 are arranged for each photoelectric conversion element. The transparent electrode 42 is formed on the first surface (light incident surface) 32 of the photoelectric conversion substrate that is bonded to the scintillator element 22. The transparent electrode 42 is one electrode in the photoelectric conversion circuit 41.

【0051】出力端子45−k−i−jは光電変換回路
41−k−i−jの電極と電気的に接続される。透明電
極端子38−k−mは透明電極42と電気的に接続され
る。出力端子45−k−i−j及び透明電極端子38−
k−mは、検出ブロック基板25と接合される光電変換
基板の第2の面(背面)33上に形成される。このよう
に、検出ブロック基板25と接合される光電変換基板の
背面(第2の面)上に各端子を形成するので、読み出し
回路形成のためのスペースを光電変換基板23と検出ブ
ロック基板25との間に確保する必要が無い。
The output terminal 45-k-i-j is electrically connected to the electrode of the photoelectric conversion circuit 41-k-i-j. The transparent electrode terminal 38-km is electrically connected to the transparent electrode 42. Output terminal 45-k-i-j and transparent electrode terminal 38-
km is formed on the second surface (back surface) 33 of the photoelectric conversion substrate that is bonded to the detection block substrate 25. Since each terminal is formed on the back surface (second surface) of the photoelectric conversion substrate bonded to the detection block substrate 25 in this manner, a space for forming a read circuit is provided between the photoelectric conversion substrate 23 and the detection block substrate 25. There is no need to secure in between.

【0052】図14に示すように、検出ブロック基板2
5は、選択素子43,出力用配線70,選択用配線7
1,基準電位用配線72を含む。出力用配線70は、接
続用出力端子55−k−i−j,信号線60−k−i,
外部出力端子52−k−iを含む。選択用配線71は、
選択線61−k−j及び外部選択端子53−k−iを含
む。基準電位用配線72は、接続用基準電位端子57−
k−m及び基準電位入力端子54−kを含む。選択素子
43,出力用配線70,選択用配線71,基準電位用配
線72は、検出ブロック基板25の第1の面(上面)3
4に形成される。選択素子43及び接続用出力端子55
は、光電変換素子毎に配置される。
As shown in FIG. 14, the detection block substrate 2
5 is a selection element 43, an output wiring 70, a selection wiring 7
1, including a reference potential wiring 72. The output wiring 70 includes connection output terminals 55-k-i-j, signal lines 60-k-i,
The external output terminal 52-k-i is included. The selection wiring 71 is
The selection line 61-k-j and the external selection terminal 53-k-i are included. The reference potential wiring 72 is connected to the reference potential terminal 57-
KM and a reference potential input terminal 54-k are included. The selection element 43, the output wiring 70, the selection wiring 71, and the reference potential wiring 72 are the first surface (upper surface) 3 of the detection block substrate 25.
4 is formed. Selection element 43 and connection output terminal 55
Are arranged for each photoelectric conversion element.

【0053】接続用出力端子55−k−i−jは、出力
端子45−k−i−j,及び選択素子43−k−i−j
のドレイン電極に電気的に接続される。選択素子43−
k−i−jのソース電極と外部出力端子52−k−i
は、信号線60−k−iにより電気的に接続される。同
じ列iの光電変換素子59k−i−jに接続された選択
素子43−k−i−jのソース電極は、共通の信号線6
0−k−iにより互いに電気的に接続される。
The connection output terminal 55-k-i-j includes the output terminal 45-k-i-j and the selection element 43-k-i-j.
Is electrically connected to the drain electrode of. Selection element 43-
k-i-j source electrode and external output terminal 52-k-i
Are electrically connected by signal lines 60-k-i. The source electrode of the selection element 43-k-i-j connected to the photoelectric conversion element 59k-i-j of the same column i is the common signal line 6
They are electrically connected to each other by 0-ki.

【0054】選択素子43−k−i−jのゲート電極と
外部選択端子53−k−iは、選択線61−k−iによ
り電気的に接続される。同じ行jの光電変換素子59k
−i−jに接続された選択素子43−k−i−jのゲー
ト電極は、共通の選択線61−k−iにより互いに電気
的に接続される。
The gate electrode of the selection element 43-k-i-j and the external selection terminal 53-k-i are electrically connected by the selection line 61-k-i. Photoelectric conversion element 59k in the same row j
The gate electrodes of the selection elements 43-k-i-j connected to -i-j are electrically connected to each other by a common selection line 61-k-i.

【0055】接続用基準電位端子57−k−mは、基準
電位入力端子54−kに電気的に接続される。接続用出
力端子55−k−i,接続用選択端子56−k−j,接
続用基準電位端子57−k−mは、接合領域220−k
−mの内部に配置される。
The connection reference potential terminal 57-km is electrically connected to the reference potential input terminal 54-k. The connection output terminal 55-k-i, the connection selection terminal 56-k-j, and the connection reference potential terminal 57-km are connected to the junction area 220-k.
It is placed inside -m.

【0056】接続用出力端子55−k−iと出力端子4
5−k−iが、接続用選択端子56−k−jと選択端子
44−k−jが、接続用基準電位端子57−k−mと透
明電極端子38−k−mが、それぞれ電気的に接続され
るように、検出ブロック基板25−kと光電変換基板2
3−k−mとを接合する。制御回路15からの信号を外
部選択端子53−k−iに入力することにより、同じ行
jの光電変換素子59k−i−jの電気信号を読み出
し、該電気信号を外部出力端子52−k−iから信号収
集回路90に並列に出力できる。 (実施例3)本実施例3のX線CT装置は、先の実施例
1の装置構成において、図15に示す検出ブロック20
を使用する。検出ブロック20の光電変換基板23は、
光電変換を行なう機能を有する光電変換素子基板200
と、電気信号を出力すべき光電変換素子の選択を行なう
機能をもつスイッチングモジュール基板201とから構
成される。
Output terminal for connection 55-ki and output terminal 4
5-k-i electrically connects the connection selection terminal 56-k-j and the selection terminal 44-k-j, and the connection reference potential terminal 57-km and the transparent electrode terminal 38-km electrically. Connected to the detection block substrate 25-k and the photoelectric conversion substrate 2
Join with 3-km. By inputting the signal from the control circuit 15 to the external selection terminal 53-k-i, the electric signal of the photoelectric conversion element 59k-i-j in the same row j is read, and the electric signal is output to the external output terminal 52-k-. i can be output in parallel to the signal acquisition circuit 90. (Embodiment 3) The X-ray CT apparatus according to the third embodiment has the detection block 20 shown in FIG.
To use. The photoelectric conversion board 23 of the detection block 20 is
Photoelectric conversion element substrate 200 having a function of performing photoelectric conversion
And a switching module substrate 201 having a function of selecting a photoelectric conversion element to output an electric signal.

【0057】図16に示すように、光電変換素子基板2
00の第2の面(背面)35をスイッチングモジュール
基板201の第1の面(上面)36に接合する。光電変
換素子基板200の第1の面(光入射面)32はシンチ
レータ素子22の下面に接合される。スイッチングモジ
ュール基板201の第2の面(下面)33は検出ブロッ
ク基板25に接合される。
As shown in FIG. 16, the photoelectric conversion element substrate 2
The second surface (rear surface) 35 of 00 is bonded to the first surface (upper surface) 36 of the switching module substrate 201. The first surface (light incident surface) 32 of the photoelectric conversion element substrate 200 is bonded to the lower surface of the scintillator element 22. The second surface (lower surface) 33 of the switching module substrate 201 is bonded to the detection block substrate 25.

【0058】図17に本実施例3における光電変換素子
基板200の回路構成を示す。光電変換素子基板200
は、光電変換回路41,透明電極42,第2の接続用透
明電極端子204,及び第2の接続用出力端子202を
含む。透明電極42は、光電変換素子基板200の第1
の面(光入射面)32上に形成される。第2の接続用透
明電極端子204及び第2の接続用出力端子202は光
電変換素子基板200の第2の面(下面)35上に形成
される。第2の接続用透明電極端子204は、透明電極
42に電気的に接続される。第2の接続用出力端子20
2−k−i―jは、光電変換回路41−k−i―jの出
力電極に電気的に接続される。
FIG. 17 shows the circuit configuration of the photoelectric conversion element substrate 200 according to the third embodiment. Photoelectric conversion element substrate 200
Includes a photoelectric conversion circuit 41, a transparent electrode 42, a second connecting transparent electrode terminal 204, and a second connecting output terminal 202. The transparent electrode 42 is the first electrode of the photoelectric conversion element substrate 200.
Is formed on the surface 32 (light incident surface). The second connecting transparent electrode terminal 204 and the second connecting output terminal 202 are formed on the second surface (lower surface) 35 of the photoelectric conversion element substrate 200. The second connecting transparent electrode terminal 204 is electrically connected to the transparent electrode 42. Second connection output terminal 20
The 2-k-i-j is electrically connected to the output electrode of the photoelectric conversion circuit 41-k-i-j.

【0059】図18に本実施例3におけるスイッチング
モジュール基板201の回路構成を示す。スイッチング
モジュール基板201は、選択素子43,選択端子4
4,出力端子45,透明電極端子38,第2の接続用透
明電極端子205,及び第2の接続用出力端子203を
含む。選択端子44,出力端子45,透明電極端子38
は、スイッチングモジュール基板201の第2の面33
上に形成される。
FIG. 18 shows a circuit configuration of the switching module board 201 in the third embodiment. The switching module board 201 includes a selection element 43 and a selection terminal 4.
4, an output terminal 45, a transparent electrode terminal 38, a second connecting transparent electrode terminal 205, and a second connecting output terminal 203. Selection terminal 44, output terminal 45, transparent electrode terminal 38
Is the second surface 33 of the switching module substrate 201.
Formed on.

【0060】第2の接続用透明電極端子205と第2の
接続用出力端子203は、スイッチングモジュール基板
201の第1の面36上に形成される。第2の接続用出
力端子203−k−i―jは、選択素子43−k−i―
jのドレイン電極と電気的に接続される。第2の接続用
出力端子203は、透明電極端子38と電気的に接続さ
れる。選択端子44−k−i―jは選択素子43−k−
i―jのゲート電極に電気的に接続される。
The second connecting transparent electrode terminal 205 and the second connecting output terminal 203 are formed on the first surface 36 of the switching module substrate 201. The second connection output terminal 203-k-i-j is connected to the selection element 43-k-i-
It is electrically connected to the drain electrode of j. The second connection output terminal 203 is electrically connected to the transparent electrode terminal 38. The selection terminal 44-k-i-j is the selection element 43-k-
It is electrically connected to the gate electrode of ij.

【0061】出力端子45−k−i―jは選択素子43
−k−i―jのソース電極に電気的に接続される。第2
の接続用透明電極端子205−k−i―jと第2の接続
用透明電極端子204−k−i―jとが、第2の接続用
出力端子203−k−i―jと第2の接続用出力端子2
02−k−i―jとが、それぞれ電気的に接続されるよ
うに、光電変換素子基板200−k−mとスイッチング
モジュール基板201−k−mを接合する。本実施例3
のX線CT装置に使用される検出ブロック20は、先の
実施例2における検出ブロックの検出ブロック基板25
を2つの機能をもつ基板により構成したものと見做せ
る。 (実施例4)本実施例4のX線CT装置は、先の実施例
1の装置構成において、さらに光電変換基板23で発生
した電気信号を増幅する機能を具備させてなるものであ
る。
The output terminal 45-k-i-j is the selection element 43.
-K-i-j is electrically connected to the source electrode. Second
Connection transparent electrode terminal 205-k-i-j and second connection transparent electrode terminal 204-k-i-j of the second connection output terminal 203-k-i-j and second Output terminal 2 for connection
The photoelectric conversion element substrate 200-km and the switching module substrate 201-km are bonded so that 02-k-i-j are electrically connected to each other. Example 3
The detection block 20 used in this X-ray CT apparatus is the detection block substrate 25 of the detection block in the second embodiment.
Can be regarded as one composed of a substrate having two functions. (Embodiment 4) The X-ray CT apparatus of Embodiment 4 is the same as the apparatus configuration of Embodiment 1 described above, but further provided with a function of amplifying an electric signal generated in the photoelectric conversion substrate 23.

【0062】図19に、本実施例3における光電変換基
板23の回路構成を示す。光電変換基板23は、先の実
施例1における光電変換基板23の構成に加えて、増幅
回路164,リセット電力端子163,リセット選択端
子167及び定電圧入力端子166を含む。増幅回路1
64は、光電変換回路41毎に配置される。リセット電
力端子163,リセット選択端子167,定電圧入力端
子166は、光電変換基板の第2の面(下面)33上に
形成される。
FIG. 19 shows the circuit configuration of the photoelectric conversion substrate 23 in the third embodiment. The photoelectric conversion board 23 includes an amplifier circuit 164, a reset power terminal 163, a reset selection terminal 167, and a constant voltage input terminal 166 in addition to the configuration of the photoelectric conversion board 23 in the first embodiment. Amplifier circuit 1
64 is arranged for each photoelectric conversion circuit 41. The reset power terminal 163, the reset selection terminal 167, and the constant voltage input terminal 166 are formed on the second surface (lower surface) 33 of the photoelectric conversion substrate.

【0063】図20に、本実施例4における増幅回路1
64とその周辺の回路構成を示す。増幅回路164はト
ランジスタ165とリセット選択素子168を含む。ト
ランジスタ165のドレイン電極160は定電圧入力端
子166と接続され、ソース電極161は選択素子43
のドレイン電極と電気的に接続される。トランジスタ1
65のゲート電極162は、光電変換回路41の電気信
号出力を行なう電極と接続され、リセット選択素子16
8の接続用定電圧入力端子171と電気的に接続され
る。
FIG. 20 shows an amplifier circuit 1 according to the fourth embodiment.
The circuit configuration of 64 and its peripherals is shown. The amplifier circuit 164 includes a transistor 165 and a reset selection element 168. The drain electrode 160 of the transistor 165 is connected to the constant voltage input terminal 166, and the source electrode 161 is connected to the selection element 43.
Is electrically connected to the drain electrode of. Transistor 1
The gate electrode 162 of 65 is connected to the electrode for outputting an electric signal of the photoelectric conversion circuit 41, and is connected to the reset selection element 16
8 is electrically connected to the constant voltage input terminal 171 for connection.

【0064】リセット選択電極169はリセット選択端
子167に、リセット電力電極170はリセット電力端
子163に、それぞれ電気的に接続される。同じ行jの
光電変換素子59k−i−jに接続される増幅回路16
4−k−i−jのリセット選択電極169−k−i−j
は、共通のリセット選択端子167−k−jに電気的に
接続される。
The reset selection electrode 169 is electrically connected to the reset selection terminal 167, and the reset power electrode 170 is electrically connected to the reset power terminal 163. Amplifier circuit 16 connected to photoelectric conversion elements 59k-i-j in the same row j
4-k-i-j reset selection electrodes 169-k-i-j
Are electrically connected to a common reset selection terminal 167-k-j.

【0065】本実施例4の光電変換基板23では、次の
ようにして、電気信号の読み出しとリセットの動作を行
なう。まず、リセット選択端子167−k−jに、電気
信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号
を入力する。この時、リセット電力端子163−kに或
る電圧をバイアス印加しておくと、光電変換回路41−
k−i−jの電極間での電位差を一意に決めることがで
きる。
In the photoelectric conversion substrate 23 of the fourth embodiment, the electric signal reading and resetting operations are performed as follows. First, a signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to the reset selection terminal 167-k-j. At this time, if a certain voltage is bias-applied to the reset power terminal 163-k, the photoelectric conversion circuit 41-
The potential difference between the k-i-j electrodes can be uniquely determined.

【0066】次に、リセット選択端子167−k−jに
入力していた電気信号を読み出すべき光電変換素子を選
択するための信号を切る(入力オフとする)。この時、
光電変換回路41−k−i―jにX線が入射すると、光
電変換により発生する電気信号が蓄積されているので、
ゲート電極162の電位が変化する。そのため、定電圧
入力端子166−k−mに定電圧をバイアスしておく
と、発生した電気信号に依存する電流がソース電極16
1−k−i−jに流れる。
Next, the signal for selecting the photoelectric conversion element from which the electric signal input to the reset selection terminal 167-k-j is selected is turned off (input is turned off). This time,
When an X-ray enters the photoelectric conversion circuit 41-k-i-j, the electric signal generated by photoelectric conversion is accumulated,
The potential of the gate electrode 162 changes. Therefore, when a constant voltage is biased to the constant voltage input terminal 166-km, a current depending on the generated electric signal causes the source electrode 16 to flow.
1-k-i-j.

【0067】電気信号の読み出しでは、選択端子44−
k−i―jに、電気信号を読み出すべき光電変換素子を
選択するための信号を入力して、蓄積されている電流を
出力端子45−k−iから出力する。次に、選択端子4
4−k−i―jに入力していた信号を切って、リセット
選択端子167−k−jに、電気信号を読み出すべき光
電変換素子を選択するための信号を入力する。これによ
り、光電変換回路41−k−i−jの電極間の電位差を
元に戻してリセットできる。以上の動作を繰り返して、
入射X線量に依存した電気信号を繰り返し収集する。
In reading the electric signal, the selection terminal 44-
A signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to k-ij, and the accumulated current is output from the output terminal 45-k-i. Next, select terminal 4
The signal input to 4-k-i-j is cut off, and a signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to the reset selection terminal 167-k-j. Accordingly, the potential difference between the electrodes of the photoelectric conversion circuit 41-k-i-j can be returned to the original and reset. Repeat the above operation,
The electrical signal depending on the incident X-ray dose is repeatedly acquired.

【0068】図21に、本実施例4における検出ブロッ
ク基板25の回路構成を示す。検出ブロック基板25
は、先の実施例1において示した検出ブロック基板25
の構成に加えて、接続用定電圧入力端子171,外部定
電圧入力端子172,接続用リセット電力端子173,
外部リセット電力端子174,接続用リセット選択端子
175,外部リセット選択端子176を含む。接続用定
電圧入力端子171,接続用リセット電力端子173及
び接続用リセット選択端子175は、接合領域220−
k−mの内側に配置される。接合領域220−k−m
は、光電変換基板23−k−mと接合される位置であ
る。
FIG. 21 shows the circuit configuration of the detection block substrate 25 in the fourth embodiment. Detection block substrate 25
Is the detection block substrate 25 shown in the first embodiment.
In addition to the above configuration, a constant voltage input terminal for connection 171, an external constant voltage input terminal 172, a reset power terminal for connection 173,
An external reset power terminal 174, a connection reset selection terminal 175, and an external reset selection terminal 176 are included. The connection constant voltage input terminal 171, the connection reset power terminal 173, and the connection reset selection terminal 175 are connected to the junction area 220-.
It is located inside km. Junction area 220-km
Is a position to be joined to the photoelectric conversion substrate 23-km.

【0069】接続用定電圧入力端子171は外部定電圧
入力端子172に、接続用リセット電力端子173は外
部リセット電力端子174に、接続用リセット選択端子
175は外部リセット選択端子176に、それぞれ電気
的に接続される。接続用定電圧入力端子171は定電圧
入力端子166に、接続用リセット電力端子173はリ
セット電力端子163に、接続用リセット選択端子17
5はリセット選択端子167に、それぞれ電気的に接続
される。外部定電圧入力端子172,外部リセット電力
端子174,外部リセット選択端子176は、制御回路
15に接続される。
The connection constant voltage input terminal 171 is electrically connected to the external constant voltage input terminal 172, the connection reset power terminal 173 is electrically connected to the external reset power terminal 174, and the connection reset selection terminal 175 is electrically connected to the external reset selection terminal 176. Connected to. The connection constant voltage input terminal 171 is connected to the constant voltage input terminal 166, the connection reset power terminal 173 is connected to the reset power terminal 163, and the connection reset selection terminal 17 is connected.
5 are electrically connected to the reset selection terminals 167, respectively. The external constant voltage input terminal 172, the external reset power terminal 174, and the external reset selection terminal 176 are connected to the control circuit 15.

【0070】本実施例4の検出ブロック20−kでは、
次のように読み出し動作を行なう。まず、制御回路15
から、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択する
ための信号を選択端子44−k−jに入力する。これに
より、同一の行jに属する光電変換回路41−k−i―
jからの出力信号を、出力端子45−k−iから並列に
取り出すことができる。次に、電気信号を読み出すべき
光電変換素子の行をjから(j+1)に変えると共に、
リセット選択端子167−k−i―jに、電気信号を読
み出すべき光電変換素子を選択する信号を入力する。こ
の時、光電変換回路41−k−i−(j+1)の信号を
読み出すと同時に、光電変換回路41−k−i―jの電
極間の電位差をリセットする。このように電気信号を2
次元的に順次読み出しながら、順次リセットを行なう。
In the detection block 20-k of the fourth embodiment,
The read operation is performed as follows. First, the control circuit 15
From the above, a signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to the selection terminal 44-k-j. Accordingly, the photoelectric conversion circuits 41-k-i- belonging to the same row j
The output signal from j can be taken out in parallel from the output terminal 45-ki. Next, while changing the row of the photoelectric conversion element from which the electric signal is to be read from j to (j + 1),
A signal for selecting a photoelectric conversion element from which an electric signal is to be read is input to the reset selection terminal 167-k-ij. At this time, the signal of the photoelectric conversion circuit 41-k-i- (j + 1) is read, and at the same time, the potential difference between the electrodes of the photoelectric conversion circuit 41-k-i-j is reset. 2 electric signals
While sequentially reading out dimensionally, resetting is performed sequentially.

【0071】本実施例では、増幅回路164の増幅率を
光電変換素子の位置により変化させる。この増幅率は、
光電変換回路41で発生した電気信号に対してトランジ
スタ165のソース電極161を流れる電流の割合であ
る。例えば、検査対象物体Sを透過しない直接X線がX
線検出器10に入射する場合には、この直接X線が入射
する光電変換素子の位置での増幅回路164の増幅率は
低くする。検査対象物体Sの中心を透過した強度が弱い
X線が入射する光電変換素子の位置では、増幅回路16
4の増幅率を高くする。
In this embodiment, the amplification factor of the amplifier circuit 164 is changed depending on the position of the photoelectric conversion element. This amplification factor is
It is the ratio of the current flowing through the source electrode 161 of the transistor 165 with respect to the electric signal generated in the photoelectric conversion circuit 41. For example, a direct X-ray that does not pass through the inspection object S is X
When entering the line detector 10, the amplification factor of the amplifier circuit 164 at the position of the photoelectric conversion element where the direct X-ray enters is made low. At the position of the photoelectric conversion element where the weak X-rays transmitted through the center of the inspection object S enter, the amplification circuit 16
Increase the amplification factor of 4.

【0072】この結果、強いX線の入射位置では読み出
し回路での信号の飽和を防止でき、弱いX線が入射する
光電変換素子の位置では後段の読み出し回路のノイズが
S/N比へ与える影響を小さくできる。また、増幅回路
164の増幅率を光電変換基板23毎に又は検出ブロッ
ク毎に異ならせて、上記と同様の効果を実現できる。
As a result, at the position where the strong X-ray is incident, signal saturation in the readout circuit can be prevented, and at the position of the photoelectric conversion element where the weak X-ray is incident, the noise of the subsequent readout circuit affects the S / N ratio. Can be made smaller. Moreover, the same effect as the above can be realized by making the amplification factor of the amplifier circuit 164 different for each photoelectric conversion substrate 23 or for each detection block.

【0073】本実施例4では、光電変換基板23を機能
の異なる複数の基板により構成してもよい。特に、光電
変換回路41が形成される基板と、増幅回路164と選
択素子43が形成される基板とにより光電変換基板23
を構成することが望ましい。 (実施例5)本実施例5におけるX線CT装置では、先
の実施例1から実施例4において示した装置構成におい
て、光電変換基板23の複数により光電変換素子が等間
隔に配置される。
In the fourth embodiment, the photoelectric conversion substrate 23 may be composed of a plurality of substrates having different functions. In particular, the photoelectric conversion substrate 23 includes the substrate on which the photoelectric conversion circuit 41 is formed and the substrate on which the amplifier circuit 164 and the selection element 43 are formed.
Is desirable. (Fifth Embodiment) In the X-ray CT apparatus according to the fifth embodiment, the photoelectric conversion elements are arranged at equal intervals by the plurality of photoelectric conversion substrates 23 in the device configuration shown in the first to fourth embodiments.

【0074】図22に、本実施例5における光電変換基
板23の配置位置関係を示す。隣接する2つの光電変換
基板23の光電変換素子の間の距離と、光電変換基板2
3の端面と光電変換素子59の端部との距離との関係を
説明する図である。
FIG. 22 shows the arrangement positional relationship of the photoelectric conversion substrate 23 in the fifth embodiment. The distance between the photoelectric conversion elements of two adjacent photoelectric conversion substrates 23, and the photoelectric conversion substrate 2
3 is a diagram illustrating the relationship between the distance between the end face of No. 3 and the end of the photoelectric conversion element 59. FIG.

【0075】2つの光電変換基板23が、スライス方向
26において、隣接面212で隣接する。隣接面212
と光電変換素子59k−2−2との間隔211は、光電
変換素子59k−2−1と光電変換素子59k−2−2
との間隔210の(1/2)となるように配置される。
光電変換素子59k−2−2と光電変換素子59k−3
−2との間隔213は、上記の間隔210と等しく設定
される。
The two photoelectric conversion substrates 23 are adjacent to each other on the adjacent surface 212 in the slice direction 26. Adjacent surface 212
The distance 211 between the photoelectric conversion element 59k-2-2 and the photoelectric conversion element 59k-2-2 is equal to the distance between the photoelectric conversion element 59k-2-1 and the photoelectric conversion element 59k-2-2.
It is arranged so that it is (1/2) of the distance 210 between.
Photoelectric conversion element 59k-2-2 and photoelectric conversion element 59k-3
The interval 213 with -2 is set equal to the interval 210 described above.

【0076】上述のように、光電変換素子間の間隔を光
電変換素子の位置によらずに等しく設定しているので、
解像度の低下を防止できる。なお、間隔211を間隔2
10の(1/2)未満として、隣接面212において2
つの光電変換基板の端面(側面)間の間隔を調整して、
間隔213を間隔210と等しくしても、上記と同様の
効果が得られる。
As described above, since the intervals between the photoelectric conversion elements are set equal regardless of the positions of the photoelectric conversion elements,
The decrease in resolution can be prevented. Note that the interval 211 is replaced by the interval 2
2 at the adjacent surface 212 as less than (1/2) of 10
Adjust the distance between the end faces (side faces) of the two photoelectric conversion boards,
Even if the space 213 is made equal to the space 210, the same effect as described above can be obtained.

【0077】[0077]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
読み出し回路の規模の増大を抑えて、検出感度及び解像
度の低下を防止することのできるマルチスライスX線C
T装置を実現できる。
As described above, according to the present invention,
A multi-slice X-ray C capable of preventing a reduction in detection sensitivity and resolution by suppressing an increase in the scale of a readout circuit.
A T device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1によるX線CT装置の基本構
成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of an X-ray CT apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロックの構造を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing the structure of a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図3】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロックの回路構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図4】実施例1によるX線CT装置に使用される光電
変換基板の構造を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a structure of a photoelectric conversion substrate used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図5】実施例1によるX線CT装置に使用される光電
変換基板の回路構成を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a photoelectric conversion substrate used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図6】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロック基板の構造を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing the structure of a detection block substrate used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図7】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロック基板の回路構成を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration of a detection block substrate used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図8】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロック基板の多層配線構造を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing a multilayer wiring structure of a detection block substrate used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図9】実施例1によるX線CT装置に使用される検出
ブロックの作製手順を説明する図。
FIG. 9 is a diagram illustrating a procedure for manufacturing a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図10】実施例1によるX線CT装置に使用される検
出ブロックの作製手順を説明する図。
FIG. 10 is a diagram illustrating a procedure for manufacturing a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図11】実施例1によるX線CT装置に使用される検
出ブロックの作製手順を説明する図。
FIG. 11 is a diagram illustrating a procedure for manufacturing a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図12】実施例1によるX線CT装置に使用される検
出ブロックの作製手順を説明する図。
FIG. 12 is a diagram illustrating a procedure for manufacturing a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the first embodiment.

【図13】本発明の実施例2によるX線CT装置に使用
される検出ブロックにおける光電変換基板の回路構成を
示す図。
FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a photoelectric conversion substrate in a detection block used in an X-ray CT apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図14】実施例2によるX線CT装置に使用される検
出ブロックにおける検出ブロック基板の回路構成を示す
図。
FIG. 14 is a diagram showing a circuit configuration of a detection block substrate in a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the second embodiment.

【図15】本発明の実施例3によるX線CT装置に使用
される検出ブロックの構成を示す図。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a detection block used in an X-ray CT apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図16】実施例3によるX線CT装置に使用される光
電変換素子基板の構造を示す図。
FIG. 16 is a diagram showing a structure of a photoelectric conversion element substrate used in an X-ray CT apparatus according to a third embodiment.

【図17】実施例3によるX線CT装置に使用される光
電変換素子基板の回路構造を示す図。
FIG. 17 is a diagram showing a circuit structure of a photoelectric conversion element substrate used in an X-ray CT apparatus according to a third embodiment.

【図18】実施例3によるX線CT装置に使用されるス
イッチングモジュール基板の回路構成を示す図。
FIG. 18 is a diagram showing a circuit configuration of a switching module substrate used in the X-ray CT apparatus according to the third embodiment.

【図19】本発明の実施例4によるX線CT装置に使用
される検出ブロックにおける光電変換基板の回路構成を
示す図。
FIG. 19 is a diagram showing a circuit configuration of a photoelectric conversion substrate in a detection block used in an X-ray CT apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図20】実施例4によるX線CT装置に使用される増
幅回路とその周辺の回路構成を示す図。
FIG. 20 is a diagram showing an amplifier circuit used in the X-ray CT apparatus according to the fourth embodiment and a circuit configuration around the amplifier circuit.

【図21】実施例4によるX線CT装置に使用される検
出ブロックにおける検出ブロック基板の回路構成を示す
図。
FIG. 21 is a diagram showing a circuit configuration of a detection block substrate in a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the fourth embodiment.

【図22】本発明の実施例5によるX線CT装置に使用
される検出ブロックにおける光電変換基板の配置関係を
説明する図。
FIG. 22 is a diagram illustrating the arrangement relationship of photoelectric conversion substrates in a detection block used in the X-ray CT apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…X線固体検出器,11…X線源,12…寝台天
板,13…演算処理装置,14…表示装置,15…制御
回路,16…回転体,18…回転方向,20…検出ブロ
ック,21…チャネル方向,22…シンチレータ素子,
23…光電変換基板,25…検出ブロック基板,26…
スライス方向,27…セパレータ,32…光電変換基板
の第1の面(光入射面),33…光電変換基板の第2の
面(背面),34…検出ブロック基板の第1の面(上
面),35…光電変換素子基板の第2の面(下面),3
6…スイッチングモジュール基板の第1の面(上面),
38…透明電極端子,41…光電変換回路,42…透明
電極,43…選択素子,44…選択端子,45…出力端
子,46…固定用ネジ穴,52…外部出力端子,53…
外部選択端子,54…基準電位入力端子,55…接続用
出力端子,56…接続用選択端子,57…接続用基準電
位端子,59…光電変換素子,60…信号線,61…選
択線,62…信号線,70…出力用配線,71…選択用
配線,72…基準電位用配線,90…信号収集回路,9
1…検出ブロック固定板,92…X線入射方向,140
…シリコン基板,141…光電変換基板の投影面,15
0…溝,160…ドレイン電極,161…ソース電極,
162…ゲート電極,163…リセット電力端子,16
4…増幅回路,165…トランジスタ,166…定電圧
入力端子,167…リセット選択端子,168…リセッ
ト選択素子,169…リセット選択電極,170…リセ
ット電力電極,171…接続用定電圧入力端子,172
…外部定電圧入力端子,173…接続用リセット電力端
子,174…外部リセット電力端子,175…接続用リ
セット選択端子,176…外部リセット選択端子,20
0…光電変換素子基板,201…スイッチングモジュー
ル基板,202…第2の接続用出力端子,203…第2
の接続用出力端子,204…第2の接続用透明電極端
子,205…第2の接続用透明電極端子,210…間
隔,211…間隔,212…隣接面,213…間隔,2
20…接合領域,230…上層,231…中層,232
…下層,233…絶縁層,S…検査対象物体。
10 ... X-ray solid state detector, 11 ... X-ray source, 12 ... Bed top, 13 ... Arithmetic processing device, 14 ... Display device, 15 ... Control circuit, 16 ... Rotating body, 18 ... Rotation direction, 20 ... Detection block , 21 ... Channel direction, 22 ... Scintillator element,
23 ... Photoelectric conversion substrate, 25 ... Detection block substrate, 26 ...
Slice direction, 27 ... Separator, 32 ... First surface (light incident surface) of photoelectric conversion substrate, 33 ... Second surface (back surface) of photoelectric conversion substrate, 34 ... First surface (upper surface) of detection block substrate , 35 ... Second surface (lower surface) of photoelectric conversion element substrate, 3
6 ... the first surface (upper surface) of the switching module substrate,
38 ... Transparent electrode terminal, 41 ... Photoelectric conversion circuit, 42 ... Transparent electrode, 43 ... Selection element, 44 ... Selection terminal, 45 ... Output terminal, 46 ... Fixing screw hole, 52 ... External output terminal, 53 ...
External selection terminal, 54 ... Reference potential input terminal, 55 ... Connection output terminal, 56 ... Connection selection terminal, 57 ... Connection reference potential terminal, 59 ... Photoelectric conversion element, 60 ... Signal line, 61 ... Selection line, 62 ... signal line, 70 ... output wiring, 71 ... selection wiring, 72 ... reference potential wiring, 90 ... signal collecting circuit, 9
1 ... Detection block fixing plate, 92 ... X-ray incident direction, 140
... Silicon substrate, 141 ... Projection surface of photoelectric conversion substrate, 15
0 ... groove, 160 ... drain electrode, 161 ... source electrode,
162 ... Gate electrode, 163 ... Reset power terminal, 16
4 ... Amplifier circuit, 165 ... Transistor, 166 ... Constant voltage input terminal, 167 ... Reset selection terminal, 168 ... Reset selection element, 169 ... Reset selection electrode, 170 ... Reset power electrode, 171 ... Connection constant voltage input terminal, 172
... external constant voltage input terminal, 173 ... connection reset power terminal, 174 ... external reset power terminal, 175 ... connection reset selection terminal, 176 ... external reset selection terminal, 20
0 ... Photoelectric conversion element substrate, 201 ... Switching module substrate, 202 ... Second connection output terminal, 203 ... Second
Output terminals for connection, 204 ... Second transparent electrode terminals for connection, 205 ... Second transparent electrode terminals for connection, 210 ... Interval, 211 ... Interval, 212 ... Adjacent surface, 213 ... Interval, 2
20 ... Bonding area, 230 ... Upper layer, 231 ... Middle layer, 232
... Lower layer, 233 ... Insulating layer, S ... Object to be inspected.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G088 EE02 FF02 GG19 JJ02 JJ05 JJ09 JJ33 JJ37 4C093 AA22 CA32 EB12 EB18 EB20 5F088 BB07 EA04 JA17 KA08 LA08   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2G088 EE02 FF02 GG19 JJ02 JJ05                       JJ09 JJ33 JJ37                 4C093 AA22 CA32 EB12 EB18 EB20                 5F088 BB07 EA04 JA17 KA08 LA08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】検査対象物体に照射するX線を発生するX
線源と、複数の方向から前記検査対象物体に前記X線を
照射して前記検査対象物体を透過した透過X線を検出す
るX線検出器と、前記X線源を前記検査対象物体の周囲
で回転させる回転手段と、前記X線検出器の出力信号を
収集する信号収集回路と、前記X線検出器及び前記信号
収集回路の制御を行なう制御回路と、前記出力信号の演
算処理を行ない前記検査対象物体のスライス面の断層像
を求める演算処理装置とを具備し、前記X線検出器は、
前記回転の周方向に配置され前記透過X線を検出する複
数の検出ブロックにより構成され、前記検出ブロック
は、第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向
で相互に分離され前記透過X線を光に変換するシンチレ
ータ素子及び前記光を電気信号に変換する光電変換素子
を含む検出素子を具備し、前記検出素子は2次元に複数
配置され、2次元に配置された複数の前記光電変換素子
が形成された光電変換基板、及び前記検出素子から前記
電気信号を読み出す配線が形成された検出ブロック基板
とから構成され、前記シンチレータ素子は前記光電変換
基板の第1の面と光学的に接合し、前記光電変換基板の
第2の面は検出ブロック基板の第1の面と電気的に接合
し、前記光電変換基板又は前記検出ブロック基板は、前
記検出素子から前記電気信号の読み出しの切り換えを行
なう素子選択部を有し、前記検出ブロック基板は、前記
電気信号を読み出す前記検出素子を選択する選択信号を
前記素子選択部に供給する選択用配線と、前記電気信号
を前記信号収集回路に出力する出力用配線とを有し、前
記選択用配線及び前記出力用配線は前記第1の面に設け
られ、前記出力用配線は前記第1の方向に列をなす前記
検出素子に対して共通に形成され、前記選択用配線は前
記第2の方向に行をなす前記検出素子に対して共通に形
成され、前記制御回路により、前記選択用配線に前記選
択信号を入力して、前記電気信号を出力する前記検出素
子を前記行毎に選択し、選択する前記行を切り換えて、
前記信号収集回路により、前記出力用配線から前記行毎
の前記検出素子からの前記電気信号を前記列毎に収集し
て、前記演算装置は、前記信号収集回路により収集され
た前記出力信号を用いて、複数の前記スライス面の位置
での前記断層像を求めることを特徴とするX線CT装
置。
1. An X for generating an X-ray that irradiates an object to be inspected
A radiation source, an X-ray detector that irradiates the inspection target object with the X-rays from a plurality of directions to detect transmitted X-rays that have passed through the inspection target object, and the X-ray source around the inspection target object. Rotation means, a signal collecting circuit for collecting the output signal of the X-ray detector, a control circuit for controlling the X-ray detector and the signal collecting circuit, and an arithmetic processing of the output signal. An X-ray detector for calculating a tomographic image of a sliced surface of an object to be inspected,
The detection blocks are arranged in a circumferential direction of the rotation and configured to detect the transmitted X-rays, and the detection blocks are separated from each other in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction. A detection element including a scintillator element for converting the transmitted X-rays into light and a photoelectric conversion element for converting the light into an electric signal is provided. The detection elements are arranged in a two-dimensional manner and a plurality of detection elements are arranged in a two-dimensional manner. The scintillator element is composed of a photoelectric conversion substrate on which the photoelectric conversion element is formed, and a detection block substrate on which wiring for reading the electric signal from the detection element is formed, and the scintillator element and a first surface of the photoelectric conversion substrate. Electrically, the second surface of the photoelectric conversion substrate is electrically bonded to the first surface of the detection block substrate, and the photoelectric conversion substrate or the detection block substrate is connected to the detection element from the detection element. The detection block substrate has an element selection unit that switches reading of an electric signal, and the detection block substrate supplies a selection signal for selecting the detection element for reading the electric signal to the element selection unit; and the electric signal. For outputting to the signal collecting circuit, the selection wiring and the output wiring are provided on the first surface, and the output wiring forms a row in the first direction. The selection wiring is formed in common for the detection elements, and the selection wiring is formed in common for the detection elements forming a row in the second direction, and the control circuit inputs the selection signal to the selection wiring. Then, the detection element that outputs the electric signal is selected for each row, and the row to be selected is switched,
The signal collecting circuit collects the electric signal from the detection element in each row from the output wiring for each column, and the arithmetic unit uses the output signal collected by the signal collecting circuit. Then, the X-ray CT apparatus is characterized in that the tomographic images at the positions of the plurality of slice planes are obtained.
【請求項2】請求項1に記載のX線CT装置において、
前記光電変換基板が複数の光電変換サブ基板から構成さ
れてなることを特徴とするX線CT装置。
2. The X-ray CT apparatus according to claim 1,
An X-ray CT apparatus, wherein the photoelectric conversion substrate comprises a plurality of photoelectric conversion sub-substrates.
【請求項3】請求項1に記載のX線CT装置において、
前記光電変換基板または前記検出ブロック基板が、前記
検出素子毎に前記電気信号を増幅する増幅器を具備する
ことを特徴とするX線CT装置。
3. The X-ray CT apparatus according to claim 1,
An X-ray CT apparatus, wherein the photoelectric conversion substrate or the detection block substrate includes an amplifier that amplifies the electric signal for each of the detection elements.
【請求項4】請求項2に記載のX線CT装置において、
複数の前記光電変換サブ基板にまたがる複数の前記検出
素子が、共通の前記信号用配線により電気的に接続され
ることを特徴とするX線CT装置。
4. The X-ray CT apparatus according to claim 2,
An X-ray CT apparatus, wherein a plurality of the detection elements that straddle the plurality of photoelectric conversion sub-boards are electrically connected by a common signal wiring.
【請求項5】請求項2に記載のX線CT装置において、
前記第1の方向、前記第2の方向の少なくとも一方向に
おいて、前記光電変換サブ基板の端面と、前記端面に最
も近い位置にある前記光電変換素子の端面との距離が、
前記光電変換サブ基板で隣接する前記光電変換素子の対
向する端面の間隔の2分の1以下であることを特徴とす
るX線CT装置。
5. The X-ray CT apparatus according to claim 2,
In at least one of the first direction and the second direction, the distance between the end surface of the photoelectric conversion sub-board and the end surface of the photoelectric conversion element closest to the end surface is
An X-ray CT apparatus, characterized in that the distance between the facing end faces of the photoelectric conversion elements adjacent to each other in the photoelectric conversion sub-substrate is ½ or less.
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