JP2003095627A - Carbon nanocluster film - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノクラ
スタ膜に関し、より詳細には、特異な物性を示す微小な
炭素材料からなる結晶性の膜であるカーボンナノクラス
タ膜に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carbon nanocluster film, and more particularly, to a carbon nanocluster film which is a crystalline film made of a minute carbon material exhibiting unique physical properties.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、フラーレン、カーボンナノチュー
ブなどのいわゆるπ電子材料の実用化が検討されてい
る。具体的には、電池の負極材料、電界放出型ディスプ
レイ用のエミッタ、水素貯蔵材料、触媒材料、高導電性
材料などが挙げられる。さらに、電子材料への応用だけ
でなく、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）に用いられる磁気
記録媒体、磁気ヘッドなどの保護膜への適用も考えられ
ている。2. Description of the Related Art In recent years, practical applications of so-called π-electron materials such as fullerenes and carbon nanotubes have been studied. Specific examples thereof include negative electrode materials for batteries, emitters for field emission displays, hydrogen storage materials, catalyst materials, and highly conductive materials. Further, not only application to electronic materials but also application to protective films for magnetic recording media, magnetic heads and the like used in HDDs (Hard Disk Drives) are being considered.
【０００３】炭素の同素体として、ｓｐ３構造からなる
ダイヤモンドと、ｓｐ２構造からなるグラーフェンシー
トが積層された構造を有するグラファイトとが知られて
いる。フラーレン、カーボンナノチューブなどの新しい
炭素材料が発見されてから、特にｓｐ２構造のπ電子材
料が注目を集めるようになった。ｓｐ２構造のカーボン
ナノチューブは、チューブの形態により、半導体、金属
に変化するなど特異な物性を示すことが理論予測されて
いる。また、マルチウォール・カーボンナノチューブの
強度は、カーボンファイバーよりも高い強度を有するこ
とが検証されている。As an allotrope of carbon, diamond having an sp 3 structure and graphite having a structure in which graphene sheets having an sp 2 structure are laminated are known. Since the discovery of new carbon materials such as fullerenes and carbon nanotubes, π-electron materials having an sp 2 structure have been attracting attention. It is theoretically predicted that carbon nanotubes having an sp 2 structure have unique physical properties such as being changed to a semiconductor or a metal depending on the tube shape. In addition, it has been verified that the strength of the multi-wall carbon nanotube is higher than that of carbon fiber.
【０００４】カーボンナノチューブは、外径が１〜１０
ｎｍ程度であり、長さが数μm程度の非常に小さい材料
である。フラーレンも同様に、直径が１ｎｍ程度の非常
に小さい材料である。これら炭素材料を実用に供するた
めには、炭素材料を基板上に整列させる、あるいは、基
板上の一部のみに形成することが必要である。Carbon nanotubes have an outer diameter of 1-10.
It is a very small material with a length of about nm and a length of about several μm. Fullerene is also a very small material with a diameter of about 1 nm. In order to put these carbon materials into practical use, it is necessary to align the carbon materials on the substrate or form the carbon material only on a part of the substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来、メタン、エタン
などの炭化水素系のガスを用いたＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition）法、ＥＣＲＣＶＤ（Electron Cycrotro
n Resonance CVD）法、または、スパッタ装置にワーク
ガスとして、アルゴンの他に炭化水素系のガスを導入
し、スパッタ法とＣＶＤ法を併用する方法、あるいは、
カソーディックアーク法などにより、カーボン膜を形成
する。しかしながら、このような方法で形成されたカー
ボン膜は、アモルファスカーボン膜であり、例えば、H.
Tsai & D. B. Bogy, "Characterization of diamondli
ke carbon films and their application as overcoats
on thin-film media for magnetic recording", J. va
c. Sci. Technol. A5, 3287 (1987)、 J. Robertson, "
Amorphous carbon", Advancesin Phys. 35, 317 (198
6)に、詳細に記載されている。アモルファスカーボン膜
は、短距離の規則性を有しているものの、長距離の規則
性を有しておらず、炭素の六員環からなるグラーフェン
シートが規則的に配列した薄膜ではない。また、従来の
カーボン膜は、水素化カーボン膜であり、膜中に水素が
多量に含まれているため抵抗が高い。Conventionally, a CVD (Chemical Vap) using a hydrocarbon-based gas such as methane or ethane has been used.
or Deposition) method, ECRCVD (Electron Cycrotro
n Resonance CVD) method, or a method in which a hydrocarbon-based gas other than argon is introduced as a work gas into the sputtering apparatus, and the sputtering method and the CVD method are used in combination, or
A carbon film is formed by a cathodic arc method or the like. However, the carbon film formed by such a method is an amorphous carbon film, for example, H.
Tsai & DB Bogy, "Characterization of diamondli
ke carbon films and their application as overcoats
on thin-film media for magnetic recording ", J. va
c. Sci. Technol. A5, 3287 (1987), J. Robertson, "
Amorphous carbon ", Advancesin Phys. 35, 317 (198
It is described in detail in 6). The amorphous carbon film has short-range regularity, but does not have long-range regularity, and is not a thin film in which graphene sheets composed of carbon six-membered rings are regularly arranged. Further, the conventional carbon film is a hydrogenated carbon film, and since the film contains a large amount of hydrogen, the resistance is high.
【０００６】このように、従来の方法で作成されたカー
ボン膜は、アモルファス構造であり、結晶性の膜ではな
かった。一方、カーボンナノチューブの薄膜を、プラズ
マＣＶＤ法により基板上に形成する方法が、例えば、特
開２００１−６４７７５号公報に記載されている。しか
しながら、炭素材料を用いて成膜することはできても、
基板上に微細な構造を形成することができないという問
題があった。従来の半導体材料においては、フォトリソ
プロセスが確立しているため、微細構造を形成し、ＬＳ
Ｉなどの半導体デバイスを形成することができる。しか
し、カーボンナノチューブなどの炭素材料は、基板上の
所望の場所に形成することができないため、フォトリソ
プロセスを用いることができない。As described above, the carbon film formed by the conventional method has an amorphous structure and is not a crystalline film. On the other hand, a method of forming a thin film of carbon nanotubes on a substrate by a plasma CVD method is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-64775. However, although it is possible to form a film using a carbon material,
There is a problem that a fine structure cannot be formed on the substrate. Since the photolithography process has been established in conventional semiconductor materials, a fine structure is formed and
Semiconductor devices such as I can be formed. However, since a carbon material such as carbon nanotube cannot be formed at a desired place on the substrate, the photolithography process cannot be used.
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、特異な物性を示す
微小な炭素材料からなる結晶性の膜であり、取り扱いが
容易で、フォトリソグラフィーなどデバイス形成上必要
な構造を形成することができるカーボンナノクラスタ膜
を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is a crystalline film made of a minute carbon material exhibiting unique physical properties, which is easy to handle and photo It is to provide a carbon nanocluster film capable of forming a structure necessary for forming a device such as lithography.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、複数の
グラーフェンシートによりクラスタを構成し、複数の該
クラスタを基板上に形成したことを特徴とする。In order to achieve such an object, the present invention according to claim 1 constitutes a cluster by a plurality of graphene sheets, and the plurality of the clusters on a substrate. It is characterized in that it is formed.
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の前記クラスタは、前記複数のグラーフェンシートを、
膜面の垂直方向に配向して多層に重ねた構造であること
を特徴とする。According to a second aspect of the present invention, the cluster according to the first aspect includes the plurality of graphene sheets,
It is characterized in that it has a structure in which it is oriented in the direction perpendicular to the film surface and is laminated in multiple layers.
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の前記クラスタは、円筒状に閉じた前記複数のグラーフ
ェンシートを、膜面の垂直方向に配向して束ねた構造で
あることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, the cluster according to the first aspect has a structure in which the plurality of graphene sheets closed in a cylindrical shape are aligned and bundled in a direction perpendicular to a film surface. Is characterized by.
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
のクラスタと請求項３に記載のクラスタとが混在するこ
とを特徴とする。The invention according to claim 4 is characterized in that the cluster according to claim 2 and the cluster according to claim 3 are mixed.
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
４のいずれかにおいて、格子面間隔が０．３４±０．０
３ｎｍであることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the lattice plane spacing is 0.34 ± 0.0.
It is characterized by being 3 nm.
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
５のいずれかにおいて、ｓｐ２結合に対するｓｐ３結合
の分率が、０．２〜０．９であることを特徴とする。A sixth aspect of the present invention is characterized in that in any one of the first to fifth aspects, the ratio of sp 3 bond to sp 2 bond is 0.2 to 0.9.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。本発明は、基板上
にナノメートル単位のｓｐ２構造からなる複数のグラー
フェンシートにより構成されたクラスタ（微小な結晶
粒）からなる結晶性の膜である。この膜をカーボンナノ
クラスタ膜（以下、ＣＮＣ膜と記す。）という。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The present invention is a crystalline film composed of clusters (fine crystal grains) composed of a plurality of graphene sheets each having a sp 2 structure of nanometer unit on a substrate. This film is called a carbon nanocluster film (hereinafter referred to as a CNC film).
【００１５】図１は、本発明の第１の実施形態にかかる
ＣＮＣ膜の構造を示した図である。第１の実施形態にか
かるＣＮＣ膜は、ＥＣＲスパッタ法により、シリコン基
板上に形成した。ガス圧は５×１０−２Ｐａ、マイクロ
波パワーは７００Ｗ、ターゲット電圧は７００Ｖであ
る。基板にはＲＦバイアス電圧を印加し、マイクロ波を
調整した。なお、基板に印加するＲＦバイアス電圧の直
流成分を、以下、単にバイアス電圧という。バイアス電
圧は−１５Ｖとした。基板温度は室温である。FIG. 1 is a view showing the structure of a CNC film according to the first embodiment of the present invention. The CNC film according to the first embodiment was formed on the silicon substrate by the ECR sputtering method. The gas pressure is 5 × 10 −2 Pa, the microwave power is 700 W, and the target voltage is 700V. An RF bias voltage was applied to the substrate to adjust the microwave. The DC component of the RF bias voltage applied to the substrate will be simply referred to as the bias voltage hereinafter. The bias voltage was -15V. The substrate temperature is room temperature.
【００１６】図１は、成膜した膜をダイヤモンドペンで
引っかき、ひっかき摩耗粉を電子顕微鏡のメッシュにの
せ、高分解能電子顕微鏡により撮影した顕微鏡写真であ
る。ＣＮＣ膜は、微細な格子像からなることが分かる。
制限視野回折パターンの回折リングにより、格子面間隔
は０．３４±０．０２ｎｍであった。この面間隔は、グ
ラファイトのｃ面に近く、グラファイトのｃ面から構成
されていることが分かる。ＣＮＣ膜には、グラーフェン
シートが膜面の垂直方向に配向し、ほぼ平行に多層に重
ねられた、２〜５ｎｍレベルのクラスタからなる領域
（図１中のＡ）と、円筒状に閉じたグラーフェンシート
が膜面の垂直方向に配向し、束ねられた構造を示す領域
（図１中のＢ）とから構成されている。FIG. 1 is a photomicrograph taken by a high resolution electron microscope of scratching the formed film with a diamond pen and placing the scratched abrasion powder on the mesh of the electron microscope. It can be seen that the CNC film is composed of a fine lattice image.
Due to the diffraction ring of the selected area diffraction pattern, the lattice spacing was 0.34 ± 0.02 nm. It can be seen that this plane spacing is close to the c-plane of graphite and is composed of the c-plane of graphite. In the CNC film, a graphene sheet was oriented in a direction perpendicular to the film surface, and a region (A in FIG. 1) composed of clusters at a level of 2 to 5 nm, which were stacked in parallel in a multilayer, was closed in a cylindrical shape. The Grafen sheet is oriented in the direction perpendicular to the film surface and is composed of a region showing a bundled structure (B in FIG. 1).
【００１７】図２は、本発明の第２の実施形態にかかる
ＣＮＣ膜の構造を示した図である。第２の実施形態にか
かるＣＮＣ膜は、ＥＣＲスパッタ法におけるバイアス電
圧を−７５Ｖとした他は、第１の実施形態と同じ方法に
より形成した。図２に示した顕微鏡写真から、格子面間
隔は０．３４±０．０２ｎｍであった。バイアス電圧を
増大させると、グラーフェンシートを多層に重ねた領域
は著しく減少し、円筒状に閉じたグラーフェンシートを
束ねた構造が、膜面のほとんどを占めていることが分か
る。ＣＮＣ膜は、カーボンナノチューブが膜面垂直方向
に配向した構造ではあるが、円筒状に閉じたグラーフェ
ンシートを束ねることによりクラスタを構成している点
で異なる。FIG. 2 is a view showing the structure of a CNC film according to the second embodiment of the present invention. The CNC film according to the second embodiment was formed by the same method as that of the first embodiment except that the bias voltage in the ECR sputtering method was −75V. From the micrograph shown in FIG. 2, the lattice plane spacing was 0.34 ± 0.02 nm. When the bias voltage is increased, the area where the graphene sheets are stacked in multiple layers is significantly reduced, and it can be seen that the structure in which the graphene sheets closed in a cylindrical shape are bundled occupies most of the film surface. The CNC film has a structure in which carbon nanotubes are oriented in the direction perpendicular to the film surface, but is different in that a cluster is formed by bundling graphene sheets closed in a cylindrical shape.
【００１８】図３は、ＣＮＣ膜の構造を分析した結果を
示した図である。図３（Ａ）に、第１の実施形態にかか
るＣＮＣ膜を、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectros
copy）により分析した結果を示す。このプロファイル
は、Ｃ１ｓスペクトルを示している。ＣＮＣ膜は、主と
して、結合エネルギー２８４．３ｅＶと２８５．３ｅＶ
からなり、それぞれ、ｓｐ２結合およびｓｐ３結合を示
している。第１の実施形態にかかるＣＮＣ膜は、主とし
て、ｓｐ２構造から構成されていることを示しており、
ＣＮＣ膜がグラーフェンシートから構成されていること
に対応している。第１の実施形態にかかるＣＮＣ膜は、
グラーフェンシートを多層に重ねた領域が多く、カーボ
ン原子の結合状態に関し、ｓｐ２結合に対するｓｐ３結
合の分率（以下、ｓｐ３／ｓｐ２比という。）は、０．
３１である。また、電気伝導度は、３８（Ωｃｍ）−１
であり導電性を示した。FIG. 3 is a diagram showing the result of analyzing the structure of the CNC film. In FIG. 3A, the CNC film according to the first embodiment is shown in XPS (X-ray Photoelectron Spectros
copy) shows the result of analysis. This profile shows the C1s spectrum. The CNC film mainly has binding energies of 284.3 eV and 285.3 eV.
, Which represent sp 2 and sp 3 bonds, respectively. It is shown that the CNC film according to the first embodiment is mainly composed of an sp 2 structure,
This corresponds to the fact that the CNC film is composed of a graphene sheet. The CNC film according to the first embodiment is
There are many regions in which multiple layers of Grafen sheets are stacked, and the fraction of sp 3 bonds to sp 2 bonds (hereinafter, referred to as sp 3 / sp 2 ratio) is 0.
31. The electric conductivity is 38 (Ωcm) −1.
And showed conductivity.
【００１９】図３（Ｂ）に、第２の実施形態にかかるＣ
ＮＣ膜を、ＸＰＳにより分析した結果を示す。第２の実
施形態にかかるＣＮＣ膜は、円筒状に閉じたグラーフェ
ンシートを束ねた領域が増大し、ｓｐ３／ｓｐ２比は、
０．８５であった。円筒状に閉じたグラーフェンシート
を束ねた構造が増大するに従い、クラスタはｓｐ３結合
で連結され、各クラスタの体積が減少し、クラスタ間の
接合面積が増大する構造が形成されていると考えられ
る。電気伝導度は、２０（Ωｃｍ）−１であり導電性を
示した。FIG. 3B shows C according to the second embodiment.
The result of having analyzed the NC film by XPS is shown. In the CNC film according to the second embodiment, the region where the graphene sheets closed in a cylindrical shape are bundled is increased, and the sp 3 / sp 2 ratio is
It was 0.85. It is considered that as the structure in which the cylindrical graphene sheets are bundled increases, the clusters are connected by sp 3 bonds, the volume of each cluster decreases, and the bonding area between the clusters increases. To be The electric conductivity was 20 (Ωcm) −1 , which indicates conductivity.
【００２０】ＥＣＲスパッタ法において、バイアス電圧
を変えてＣＮＣ膜を形成した。ＣＮＣ膜は、バイアス電
圧が−８０Ｖのとき、ｓｐ３／ｓｐ２比が０．９という
ピークを示し、バイアス電圧が０Ｖのとき、ｓｐ３／ｓ
ｐ２比は０．２であった。また、バイアス電圧を−１５
０Ｖより深くすると、膜の剥離が生じ成膜できなかっ
た。ＣＮＣ膜の格子面間隔は、０．３４±０．０３ｎｍ
の範囲内であった。In the ECR sputtering method, a CNC film was formed by changing the bias voltage. The CNC film shows a peak of sp 3 / sp 2 ratio of 0.9 when the bias voltage is −80 V, and sp 3 / s when the bias voltage is 0 V.
The p 2 ratio was 0.2. In addition, the bias voltage is -15
When it was deeper than 0 V, peeling of the film occurred and the film could not be formed. The lattice spacing of the CNC film is 0.34 ± 0.03 nm
Was within the range.
【００２１】図４は、本発明の第３の実施形態にかかる
ＣＮＣ膜の構造を示した図である。第３の実施形態にか
かるＣＮＣ膜は、ＥＣＲスパッタ法におけるバイアス電
圧を−１２０Vとした他は、第１の実施形態と同じ方法
により形成した。成膜した膜をダイヤモンドペンで引っ
かき、摩耗痕を高分解能電子顕微鏡により観察した。摩
耗粉の中に、微細な摩耗粉が発見され、ＣＮＣ膜の断面
構造を観察することができた。図４は、ＣＮＣ膜の断面
構造の明視野像を示した顕微鏡写真である。図４より、
グラーフェンシートが膜面の垂直方向に配列しているこ
とが分かる。FIG. 4 is a view showing the structure of a CNC film according to the third embodiment of the present invention. The CNC film according to the third embodiment was formed by the same method as that of the first embodiment except that the bias voltage in the ECR sputtering method was set to -120V. The formed film was scratched with a diamond pen, and wear marks were observed with a high resolution electron microscope. Fine abrasion powder was found in the abrasion powder, and the cross-sectional structure of the CNC film could be observed. FIG. 4 is a micrograph showing a bright-field image of the cross-sectional structure of the CNC film. From Figure 4,
It can be seen that the Grafen sheets are arranged in the direction perpendicular to the film surface.
【００２２】本発明の第４の実施形態にかかるＣＮＣ膜
について説明する。第４の実施形態にかかるＣＮＣ膜
は、ＥＣＲスパッタ法により、シリコン基板上に形成し
た。ガス圧は５×１０−２Ｐａ、マイクロ波パワーは５
００Ｗ、ターゲット電圧は５００Ｖである。基板にはＲ
Ｆバイアス電圧を印加し、マイクロ波を調整し、バイア
ス電圧を−６０Ｖとした。基板温度は室温である。膜厚
は４０ｎｍであった。A CNC film according to the fourth embodiment of the present invention will be described. The CNC film according to the fourth embodiment was formed on the silicon substrate by the ECR sputtering method. Gas pressure is 5 × 10 −2 Pa, microwave power is 5
00W, the target voltage is 500V. R on the board
An F bias voltage was applied, the microwave was adjusted, and the bias voltage was set to -60V. The substrate temperature is room temperature. The film thickness was 40 nm.
【００２３】ＡＦＭを用いた引っ掻き摩耗試験により、
ＣＮＣ膜の耐摩耗性を評価した。探針にはダイヤモンド
チップを用いた。荷重は２０μＮである。また、比較の
ため、ダイヤモンドの（１００）面を同一条件下でＡＦ
Ｍにより評価した。第４の実施形態にかかるＣＮＣ膜
は、摩耗深さ０．７ｎｍであった。一方、ダイヤモンド
の摩耗深さは０．５ｎｍであった。このように、ＣＮＣ
膜はダイヤモンドに匹敵する耐摩耗性を有し、保護膜と
して優れた特性を示す。By a scratch wear test using an AFM,
The wear resistance of the CNC film was evaluated. A diamond tip was used for the probe. The load is 20 μN. For comparison, the (100) plane of diamond was subjected to AF under the same conditions.
It was evaluated by M. The wear depth of the CNC film according to the fourth embodiment was 0.7 nm. On the other hand, the wear depth of diamond was 0.5 nm. Thus, the CNC
The film has abrasion resistance comparable to that of diamond and exhibits excellent properties as a protective film.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣＮＣ膜
は、グラーフェンシートが基板上の膜面にきれいに整列
した結晶性の膜であり、取り扱いが容易で、フォトリソ
グラフィーなどデバイス形成上必要な構造を形成するこ
とが可能となる。As described above, the CNC film of the present invention is a crystalline film in which the graphene sheet is neatly aligned with the film surface on the substrate, is easy to handle, and is necessary for device formation such as photolithography. It is possible to form various structures.
【００２５】また、本発明によれば、グラーフェンシー
トが膜面の垂直方向に配向した構造を有するので、層間
に異種元素をドープすることが容易であり、電池材料、
電池の負極材、触媒への応用が容易である。Further, according to the present invention, since the graphene sheet has a structure oriented in the direction perpendicular to the film surface, it is easy to dope different elements between layers, and the battery material,
Easy application to battery negative electrodes and catalysts.
【００２６】さらに、本発明によれば、ＣＮＣ膜は、導
電性を有することから、ＦＥディスプレイ用のエミッタ
材料への適用も可能となり、ダイヤモンドに匹敵する耐
摩耗性を有することから、保護膜としても適用が可能で
ある。Further, according to the present invention, since the CNC film has conductivity, it can be applied to an emitter material for FE display, and has wear resistance comparable to that of diamond, so that it can be used as a protective film. Can also be applied.
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるＣＮＣ膜の構
造を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing a structure of a CNC film according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態にかかるＣＮＣ膜の構
造を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing a structure of a CNC film according to a second embodiment of the present invention.
【図３】ＣＮＣ膜の構造を分析した結果を示した図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a result of analyzing a structure of a CNC film.
【図４】本発明の第３の実施形態にかかるＣＮＣ膜の構
造を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a structure of a CNC film according to a third embodiment of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅村 茂 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 富田 雅人 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4G046 CB03 CC05 4K029 AA06 AA24 BA34 BB07 CA05 CA13 DC48 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Shigeru Umemura 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Masato Tomita 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Telegraph and Telephone Corporation F-term (reference) 4G046 CB03 CC05 4K029 AA06 AA24 BA34 BB07 CA05 CA13 DC48
Claims (6)
タを構成し、複数の該クラスタを基板上に形成したこと
を特徴とするカーボンナノクラスタ膜。1. A carbon nanocluster film comprising clusters composed of a plurality of graphene sheets, and the plurality of clusters formed on a substrate.
ンシートを、膜面の垂直方向に配向して多層に重ねた構
造であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナ
ノクラスタ膜。2. The carbon nanocluster film according to claim 1, wherein the cluster has a structure in which the plurality of graphene sheets are oriented in a direction perpendicular to a film surface and are stacked in multiple layers.
数のグラーフェンシートを、膜面の垂直方向に配向して
束ねた構造であることを特徴とする請求項１に記載のカ
ーボンナノクラスタ膜。3. The carbon nanocluster according to claim 1, wherein the cluster has a structure in which the plurality of graphene sheets closed in a cylindrical shape are aligned and bundled in a direction perpendicular to a film surface. film.
記載のクラスタとが混在することを特徴とする請求項１
に記載のカーボンナノクラスタ膜。4. The cluster according to claim 2 and the cluster according to claim 3 are mixed.
The carbon nanocluster film described in 1.
あることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記
載のカーボンナノクラスタ膜。5. The carbon nanocluster film according to claim 1, wherein the lattice plane spacing is 0.34 ± 0.03 nm.
が、０．２〜０．９であることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれかに記載のカーボンナノクラスタ膜。6. The carbon nanocluster film according to claim 1, wherein a ratio of sp 3 bonds to sp 2 bonds is 0.2 to 0.9.
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| JP (1) | JP2003095627A (en) |
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| RU2480404C2 (en) * | 2011-05-03 | 2013-04-27 | Александр Алексеевич Козеев | Water-soluble carbon nanocluster, method for production thereof and use thereof |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001289288A patent/JP2003095627A/en active Pending
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