JP2003092447A - 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 - Google Patents
光増幅用ファイバ及び光増幅装置Info
- Publication number
- JP2003092447A JP2003092447A JP2001282579A JP2001282579A JP2003092447A JP 2003092447 A JP2003092447 A JP 2003092447A JP 2001282579 A JP2001282579 A JP 2001282579A JP 2001282579 A JP2001282579 A JP 2001282579A JP 2003092447 A JP2003092447 A JP 2003092447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- band
- optical amplification
- fiber
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コア部にＥｒがドープされたＥＤＦを広帯域
の光増幅が可能な光増幅用ファイバとする。 【解決手段】 コア部に４０００ｐｐｍ以下のＡｌをド
ープし、望ましくはＡｌのドープ量を零とする。
の光増幅が可能な光増幅用ファイバとする。 【解決手段】 コア部に４０００ｐｐｍ以下のＡｌをド
ープし、望ましくはＡｌのドープ量を零とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム等
で用いられる光増幅用ファイバ及び光増幅装置に関する
技術分野に属する。
で用いられる光増幅用ファイバ及び光増幅装置に関する
技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光信号を増幅する光増幅装置
として、コア部にＥｒ（エルビウム）を活性イオンとし
てドープしたＥＤＦと呼ばれる光ファイバを用い、その
誘導放出現象を利用したもの（ＥＤＦＡ）は知られてお
り、例えば信号波長が１５３０〜１５６０ｎｍの帯域
（Ｃバンドと呼ばれる）の信号光を増幅する場合や、信
号波長が１５６０〜１６００ｎｍの帯域（Ｌバンドと呼
ばれる）の信号光を増幅する場合の光増幅装置として用
いられる。
として、コア部にＥｒ（エルビウム）を活性イオンとし
てドープしたＥＤＦと呼ばれる光ファイバを用い、その
誘導放出現象を利用したもの（ＥＤＦＡ）は知られてお
り、例えば信号波長が１５３０〜１５６０ｎｍの帯域
（Ｃバンドと呼ばれる）の信号光を増幅する場合や、信
号波長が１５６０〜１６００ｎｍの帯域（Ｌバンドと呼
ばれる）の信号光を増幅する場合の光増幅装置として用
いられる。
【０００３】そして、光通信システムにおいては、通信
の大容量化に伴って波長分割多重伝送方式（ＷＤＭ）が
注目されており、このために上記ＥＤＦＡの広帯域化を
図ることは不可欠である。
の大容量化に伴って波長分割多重伝送方式（ＷＤＭ）が
注目されており、このために上記ＥＤＦＡの広帯域化を
図ることは不可欠である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者
は、上記Ｌバンド用のＥＤＦにおいては、その短波長側
端の１５６５ｎｍ付近にＥｒの濃度条長積（Ｅｒの濃度
とＥＤＦ長さとの積）を変えても利得が変化しない安定
した高利得波長域が発生することを見出した。このた
め、上記Ｌバンド用のＥＤＦに対し、それよりも短波長
側の利得を上げることで広帯域化しようとしても、上記
高利得波長域により波長間で利得偏差が生じ、Ｌバンド
からＣバンドにかけて広帯域に光増幅を行うことが困難
となる。
は、上記Ｌバンド用のＥＤＦにおいては、その短波長側
端の１５６５ｎｍ付近にＥｒの濃度条長積（Ｅｒの濃度
とＥＤＦ長さとの積）を変えても利得が変化しない安定
した高利得波長域が発生することを見出した。このた
め、上記Ｌバンド用のＥＤＦに対し、それよりも短波長
側の利得を上げることで広帯域化しようとしても、上記
高利得波長域により波長間で利得偏差が生じ、Ｌバンド
からＣバンドにかけて広帯域に光増幅を行うことが困難
となる。
【０００５】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ＥＤＦに一般的にドープされる特定の
元素のドープ量を限定することで、ＥＤＦを広帯域の光
増幅が可能な光増幅用ファイバとし、光増幅用ファイバ
及び光増幅装置の広帯域化を図ることにある。
で、その目的は、ＥＤＦに一般的にドープされる特定の
元素のドープ量を限定することで、ＥＤＦを広帯域の光
増幅が可能な光増幅用ファイバとし、光増幅用ファイバ
及び光増幅装置の広帯域化を図ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明では、通常はＥＤＦにＥｒと共ドープさ
れる元素のうちのＡｌに着目し、そのＡｌのドープ量を
所定以下に少なくするようにした。
めに、この発明では、通常はＥＤＦにＥｒと共ドープさ
れる元素のうちのＡｌに着目し、そのＡｌのドープ量を
所定以下に少なくするようにした。
【０００７】具体的には、請求項１の発明では、コア部
に少なくともＥｒがドープされていて、広帯域の入力光
を増幅する光増幅用ファイバとして、上記コア部に４０
００ｐｐｍ以下のＡｌがドープされていることを特徴と
する。
に少なくともＥｒがドープされていて、広帯域の入力光
を増幅する光増幅用ファイバとして、上記コア部に４０
００ｐｐｍ以下のＡｌがドープされていることを特徴と
する。
【０００８】従来のＥＤＦでは、Ａｌは、石英系ガラス
にＥｒを混じり易くする他、Ｃバンドの増幅帯域をＬバ
ンド側に拡大するために、ドープされているが、このよ
うにＣバンドの増幅帯域がＬバンド側に拡大すると、利
得の高い波長域がＬバンド側に迫り出して、安定した高
利得波長域が生じる。その結果、Ｌバンド側においては
利得偏差の小さい帯域が狭くなり、その光増幅の帯域を
拡大することが困難になる。
にＥｒを混じり易くする他、Ｃバンドの増幅帯域をＬバ
ンド側に拡大するために、ドープされているが、このよ
うにＣバンドの増幅帯域がＬバンド側に拡大すると、利
得の高い波長域がＬバンド側に迫り出して、安定した高
利得波長域が生じる。その結果、Ｌバンド側においては
利得偏差の小さい帯域が狭くなり、その光増幅の帯域を
拡大することが困難になる。
【０００９】これに対し、本発明の構成によると、Ａｌ
のドープ量が４０００ｐｐｍ以下であるので、上記Ｃバ
ンドでの利得の高い波長域のＬバンド側への迫り出しが
抑制され、Ｌバンド側における利得偏差の小さい帯域を
広げて光増幅の帯域を拡大することができる。このＡｌ
のドープ量は４０００ｐｐｍを越えると、本発明の効果
が得られなくなるので、４０００ｐｐｍ以下とされる。
のドープ量が４０００ｐｐｍ以下であるので、上記Ｃバ
ンドでの利得の高い波長域のＬバンド側への迫り出しが
抑制され、Ｌバンド側における利得偏差の小さい帯域を
広げて光増幅の帯域を拡大することができる。このＡｌ
のドープ量は４０００ｐｐｍを越えると、本発明の効果
が得られなくなるので、４０００ｐｐｍ以下とされる。
【００１０】請求項２の発明では、上記Ａｌのドープ量
は零とする。このことで、光増幅の帯域をより一層確実
に拡大することができる。
は零とする。このことで、光増幅の帯域をより一層確実
に拡大することができる。
【００１１】請求項３の発明では、Ｅｒのドープ量を５
０〜４２０ｐｐｍとする。このことで、上記のようにＡ
ｌのドープ量が少ない又は零の場合でも、広帯域の光増
幅効果を得るのに好ましいＥｒのドープ量が得られる。
すなわち、Ｅｒのドープ量が５０ｐｐｍ未満であると、
上記のような十分な増幅ができない一方、Ｅｒのドープ
量が４２０ｐｐｍを越えると、クラスタリングが生じて
濃度消光が起こり、効率よく増幅を行うことができなく
ので、Ｅｒドープ量は５０〜４２０ｐｐｍとするのがよ
い。
０〜４２０ｐｐｍとする。このことで、上記のようにＡ
ｌのドープ量が少ない又は零の場合でも、広帯域の光増
幅効果を得るのに好ましいＥｒのドープ量が得られる。
すなわち、Ｅｒのドープ量が５０ｐｐｍ未満であると、
上記のような十分な増幅ができない一方、Ｅｒのドープ
量が４２０ｐｐｍを越えると、クラスタリングが生じて
濃度消光が起こり、効率よく増幅を行うことができなく
ので、Ｅｒドープ量は５０〜４２０ｐｐｍとするのがよ
い。
【００１２】請求項４の発明では、コア部にＣｅ、Ｌａ
及びＹｂから選ばれる少なくとも１種以上が共ドープさ
れているものとする。こうすれば、Ｅｒの濃度を濃くす
ることができる。
及びＹｂから選ばれる少なくとも１種以上が共ドープさ
れているものとする。こうすれば、Ｅｒの濃度を濃くす
ることができる。
【００１３】請求項５の発明では、光増幅用ファイバ
は、波長分割多重伝送系に用いられるものとする。こう
すると、増幅すべき広帯域の入力光が具体化され、本発
明に係る光増幅用ファイバの最適な用途が得られる。
は、波長分割多重伝送系に用いられるものとする。こう
すると、増幅すべき広帯域の入力光が具体化され、本発
明に係る光増幅用ファイバの最適な用途が得られる。
【００１４】一方、請求項６の発明では、光増幅装置と
して、コア部に少なくともＥｒがドープされかつ４００
０ｐｐｍ以下のＡｌがドープされていて、広帯域の入力
光を増幅する光増幅用ファイバと、この光増幅用ファイ
バに光合波素子を介して励起光を挿入する励起光源とを
備えたものとする。このことで、広帯域の光を増幅する
光増幅装置が得られる。
して、コア部に少なくともＥｒがドープされかつ４００
０ｐｐｍ以下のＡｌがドープされていて、広帯域の入力
光を増幅する光増幅用ファイバと、この光増幅用ファイ
バに光合波素子を介して励起光を挿入する励起光源とを
備えたものとする。このことで、広帯域の光を増幅する
光増幅装置が得られる。
【００１５】請求項７の発明では、上記光増幅用ファイ
バのＡｌのドープ量を零とする。このことで、上記請求
項２と同様の効果が得られる。
バのＡｌのドープ量を零とする。このことで、上記請求
項２と同様の効果が得られる。
【００１６】請求項８の発明では、光増幅用ファイバの
Ｅｒのドープ量を５０〜４２０ｐｐｍとする。このこと
で、上記請求項３と同様の作用効果が得られる。
Ｅｒのドープ量を５０〜４２０ｐｐｍとする。このこと
で、上記請求項３と同様の作用効果が得られる。
【００１７】請求項９の発明では、上記光増幅用ファイ
バのコア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選ばれる少なくと
も１種以上が共ドープされているものとする。このこと
で、上記請求項４と同様の作用効果が得られる。
バのコア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選ばれる少なくと
も１種以上が共ドープされているものとする。このこと
で、上記請求項４と同様の作用効果が得られる。
【００１８】請求項１０の発明では、光増幅装置は、波
長分割多重伝送系に用いられるものとする。この発明で
も、上記請求項５と同様の効果が得られる。
長分割多重伝送系に用いられるものとする。この発明で
も、上記請求項５と同様の効果が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態に係る光
増幅装置を示し、この光増幅装置は波長分割多重伝送系
に用いられるもので、光増幅用ファイバとしての設定長
さのＥＤＦ１、励起光源としての半導体レーザ５、光合
波素子としてのカプラ２、並びに入力側及び出力側アイ
ソレータ３，６を備えてなる。
増幅装置を示し、この光増幅装置は波長分割多重伝送系
に用いられるもので、光増幅用ファイバとしての設定長
さのＥＤＦ１、励起光源としての半導体レーザ５、光合
波素子としてのカプラ２、並びに入力側及び出力側アイ
ソレータ３，６を備えてなる。
【００２０】上記ＥＤＦ１は、図示しないが、コア部に
Ｅｒがドープされた石英系ガラスファイバからなり、そ
のコア部に上記Ｅｒと共に４０００ｐｐｍ以下のＡｌが
共ドープされている。このＡｌのドープ量は４０００ｐ
ｐｍ以下であればよく、この４０００ｐｐｍ以下に最適
値があり、そのドープ量にすることが望ましくい。
Ｅｒがドープされた石英系ガラスファイバからなり、そ
のコア部に上記Ｅｒと共に４０００ｐｐｍ以下のＡｌが
共ドープされている。このＡｌのドープ量は４０００ｐ
ｐｍ以下であればよく、この４０００ｐｐｍ以下に最適
値があり、そのドープ量にすることが望ましくい。
【００２１】尚、コア部に対するＥｒのドープを容易に
してＥｒ濃度を濃くするために、Ｃｅ（セリウム）やＬ
ａ（ランタン）やＹｂ（イッテルビウム）を共ドープし
てもよい。また、コア部の屈折率を調整するためにはＧ
ｅ（ゲルマニウム）をドープする。
してＥｒ濃度を濃くするために、Ｃｅ（セリウム）やＬ
ａ（ランタン）やＹｂ（イッテルビウム）を共ドープし
てもよい。また、コア部の屈折率を調整するためにはＧ
ｅ（ゲルマニウム）をドープする。
【００２２】ＥＤＦ１の入力端はカプラ２に接続されて
いる。このカプラ２は波長分割多重用のもので、カプラ
２には入力側アイソレータ３を介して信号光入力ファイ
バ４と、半導体レーザ５（励起光源）とが結合されてい
る。半導体レーザ５は、例えば励起波長１．４８μｍや
０．９８μｍのレーザ光（励起光）を出力するもので、
この半導体レーザ５からのレーザ光をＥＤＦ１にカプラ
２を介して信号光と同じ方向に挿入するようにしている
（前方励起入力）。一方、ＥＤＦ１の出力端には出力側
アイソレータ６が接続されている。
いる。このカプラ２は波長分割多重用のもので、カプラ
２には入力側アイソレータ３を介して信号光入力ファイ
バ４と、半導体レーザ５（励起光源）とが結合されてい
る。半導体レーザ５は、例えば励起波長１．４８μｍや
０．９８μｍのレーザ光（励起光）を出力するもので、
この半導体レーザ５からのレーザ光をＥＤＦ１にカプラ
２を介して信号光と同じ方向に挿入するようにしている
（前方励起入力）。一方、ＥＤＦ１の出力端には出力側
アイソレータ６が接続されている。
【００２３】したがって、この実施形態においては、石
英系ガラスファイバからなるＥＤＦのコア部にＥｒと共
に４０００ｐｐｍ以下のＡｌが共ドープされているの
で、信号波長１５３０〜１５６０ｎｍのＣバンドでの利
得の高い波長域が信号波長１５６０〜１６００ｎｍのＬ
バンド側へ迫り出することが抑えられ、Ｌバンド側にお
ける利得偏差の小さい帯域を広げて光増幅の帯域を拡大
でき、波長分割多重伝送系に用いられる光増幅用ファイ
バ及び光増幅装置に最適となる。
英系ガラスファイバからなるＥＤＦのコア部にＥｒと共
に４０００ｐｐｍ以下のＡｌが共ドープされているの
で、信号波長１５３０〜１５６０ｎｍのＣバンドでの利
得の高い波長域が信号波長１５６０〜１６００ｎｍのＬ
バンド側へ迫り出することが抑えられ、Ｌバンド側にお
ける利得偏差の小さい帯域を広げて光増幅の帯域を拡大
でき、波長分割多重伝送系に用いられる光増幅用ファイ
バ及び光増幅装置に最適となる。
【００２４】尚、上記実施形態では、光増幅装置は、半
導体レーザ５からのレーザ光をＥＤＦ１にカプラ２を介
して信号光と同じ方向に挿入する前方励起入力のもので
あるが、レーザ光を信号光と逆の方向に挿入する後方励
起入力としてもよく、さらには、レーザ光を信号光と同
じ方向及び逆の方向にそれぞれ挿入する双方励起入力と
することもできる。
導体レーザ５からのレーザ光をＥＤＦ１にカプラ２を介
して信号光と同じ方向に挿入する前方励起入力のもので
あるが、レーザ光を信号光と逆の方向に挿入する後方励
起入力としてもよく、さらには、レーザ光を信号光と同
じ方向及び逆の方向にそれぞれ挿入する双方励起入力と
することもできる。
【００２５】
【実施例】次に、具体的な実施例について説明する。ま
ず、図２に示す第１の実験装置を作製した。この実験装
置においては、ＥＤＦ１０の入力側及び出力側にそれぞ
れ波長分割多重用のカプラ１１，１２が接続され、入力
側カプラ１１に入力側アイソレータ１３及び半導体レー
ザ１４が、また出力側カプラ１２に出力側アイソレータ
１５及び半導体レーザ１６がそれぞれ分岐結合されてお
り、各半導体レーザ１４，１６からの励起波長１．４８
μｍのレーザ光をＥＤＦ１０にカプラ１１，１２を介し
て信号光と同じ方向及び逆の方向の双方に挿入する双方
励起入力を行うようになっている。
ず、図２に示す第１の実験装置を作製した。この実験装
置においては、ＥＤＦ１０の入力側及び出力側にそれぞ
れ波長分割多重用のカプラ１１，１２が接続され、入力
側カプラ１１に入力側アイソレータ１３及び半導体レー
ザ１４が、また出力側カプラ１２に出力側アイソレータ
１５及び半導体レーザ１６がそれぞれ分岐結合されてお
り、各半導体レーザ１４，１６からの励起波長１．４８
μｍのレーザ光をＥＤＦ１０にカプラ１１，１２を介し
て信号光と同じ方向及び逆の方向の双方に挿入する双方
励起入力を行うようになっている。
【００２６】入力側アイソレータ１３には３ｄＢカプラ
１７を介して１対の３ｄＢカプラ１８，１９が分岐接続
され、その一方の３ｄＢカプラ１８に第１及び第２光源
２４，２５がそれぞれ分岐接続され、他方の３ｄＢカプ
ラ１９に光減衰器２１を介して第３光源２６とカプラ２
０とがそれぞれ分岐接続され、このカプラ２０にそれぞ
れ光減衰器２２，２３を介して第４及び第５光源２７，
２８が分岐接続されている。一方、出力側アイソレータ
１５には光減衰器２９を介して光スペクトラムアナライ
ザ３０が接続されている。そして、第１〜第４光源２４
〜２７からそれぞれ飽和光を、また第５光源２８からプ
ローブ光をそれぞれＥＤＦ１０に入射することで、その
ＥＤＦ１０の利得波長特性を調べた。
１７を介して１対の３ｄＢカプラ１８，１９が分岐接続
され、その一方の３ｄＢカプラ１８に第１及び第２光源
２４，２５がそれぞれ分岐接続され、他方の３ｄＢカプ
ラ１９に光減衰器２１を介して第３光源２６とカプラ２
０とがそれぞれ分岐接続され、このカプラ２０にそれぞ
れ光減衰器２２，２３を介して第４及び第５光源２７，
２８が分岐接続されている。一方、出力側アイソレータ
１５には光減衰器２９を介して光スペクトラムアナライ
ザ３０が接続されている。そして、第１〜第４光源２４
〜２７からそれぞれ飽和光を、また第５光源２８からプ
ローブ光をそれぞれＥＤＦ１０に入射することで、その
ＥＤＦ１０の利得波長特性を調べた。
【００２７】また、本発明に係るＥＤＦ１０（本発明
例）は、コア部にＥｒ及びＧｅが共ドープされた石英系
ガラスファイバからなる。一方、コア部にＥｒ、Ａｌ及
びＧｅが共ドープされたＥＤＦ１０を従来例とした。実
験の条件は表１のとおりであり、ＥＤＦ１０のパラメー
タは表２のとおりである。その結果を図３に示す。
例）は、コア部にＥｒ及びＧｅが共ドープされた石英系
ガラスファイバからなる。一方、コア部にＥｒ、Ａｌ及
びＧｅが共ドープされたＥＤＦ１０を従来例とした。実
験の条件は表１のとおりであり、ＥＤＦ１０のパラメー
タは表２のとおりである。その結果を図３に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】また、本発明例の利得偏差が３ｄＢ以下と
なる増幅帯域を表３に、また従来例の同増幅帯域を表４
にそれぞれ示す。
なる増幅帯域を表３に、また従来例の同増幅帯域を表４
にそれぞれ示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】この図３、表３及び表４の結果を考察する
と、Ａｌがドープされていない本発明例のものは、Ａｌ
がＥｒと共ドープされている従来例に比べて、長波長側
の利得の増加量が短波長側の利得の増加よりも小さく、
増幅帯域が短波長側へ１〜２ｎｍだけシフトして広がっ
ていることが判る。また、本発明例では、従来例におい
て生じている１５６５ｎｍ付近の高利得部がなく、波長
に対する利得の偏動が滑らかになっている。
と、Ａｌがドープされていない本発明例のものは、Ａｌ
がＥｒと共ドープされている従来例に比べて、長波長側
の利得の増加量が短波長側の利得の増加よりも小さく、
増幅帯域が短波長側へ１〜２ｎｍだけシフトして広がっ
ていることが判る。また、本発明例では、従来例におい
て生じている１５６５ｎｍ付近の高利得部がなく、波長
に対する利得の偏動が滑らかになっている。
【００３４】一方、上記本発明例及び従来例についてＥ
ＤＦ濃度条長積を変え、同様にして利得波長特性を調べ
た。そのための第２の実験装置では、図４に示す如く、
上記第１の実験装置とは異なり、ＥＤＦ１０に対して半
導体レーザ１４からのレーザ光をＥＤＦ１０にカプラ１
１を介して信号光と同じ方向に挿入する前方励起入力と
されている。そして、ＥＤＦ１０の入力側にはアイソレ
ータ１３及び入力側光減衰器３１を介して可変波長光源
３２（Ｐｈｏｔｏｎｅｔｉｃｓ）が接続されている。そ
の他は第１の実験装置と同様である。また、実験条件を
表５に、また実験の結果を図５にそれぞれ示す。
ＤＦ濃度条長積を変え、同様にして利得波長特性を調べ
た。そのための第２の実験装置では、図４に示す如く、
上記第１の実験装置とは異なり、ＥＤＦ１０に対して半
導体レーザ１４からのレーザ光をＥＤＦ１０にカプラ１
１を介して信号光と同じ方向に挿入する前方励起入力と
されている。そして、ＥＤＦ１０の入力側にはアイソレ
ータ１３及び入力側光減衰器３１を介して可変波長光源
３２（Ｐｈｏｔｏｎｅｔｉｃｓ）が接続されている。そ
の他は第１の実験装置と同様である。また、実験条件を
表５に、また実験の結果を図５にそれぞれ示す。
【００３５】
【表５】
【００３６】この図５の結果を考察するに、Ａｌを共ド
ープした従来例では、１５８０ｎｍ付近に変曲点が存在
するのに対し、Ａｌ無添加の本発明例では、略直線的に
利得が変化している。また、濃度条長積が小さくなる
と、短波長側の利得の増加が長波長側に比べて大きくな
って利得偏差が大きくなることが判る。
ープした従来例では、１５８０ｎｍ付近に変曲点が存在
するのに対し、Ａｌ無添加の本発明例では、略直線的に
利得が変化している。また、濃度条長積が小さくなる
と、短波長側の利得の増加が長波長側に比べて大きくな
って利得偏差が大きくなることが判る。
【００３７】以上のことから、石英系ガラスファイバか
らなるＥＤＦのコア部にＡｌを無添加とすることによ
り、入力光の増幅帯域を短波長側に拡大して広帯域化で
き、ＬバンドからＣバンドの双方に亘る広帯域の信号光
を増幅することに有効であり、波長分割多重伝送系に用
いられる光増幅用ファイバに最適となることが裏付けら
れた。
らなるＥＤＦのコア部にＡｌを無添加とすることによ
り、入力光の増幅帯域を短波長側に拡大して広帯域化で
き、ＬバンドからＣバンドの双方に亘る広帯域の信号光
を増幅することに有効であり、波長分割多重伝送系に用
いられる光増幅用ファイバに最適となることが裏付けら
れた。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び６の
発明によると、コア部に少なくともＥｒがドープされて
広帯域の光を増幅する光増幅用ファイバとして、コア部
に４０００ｐｐｍ以下のＡｌをドープしたことにより、
Ｃバンドの高利得波長域のＬバンド側への迫り出しを抑
制し、Ｌバンド側における利得偏差の小さい帯域を広げ
て光増幅の帯域を拡大することができる。
発明によると、コア部に少なくともＥｒがドープされて
広帯域の光を増幅する光増幅用ファイバとして、コア部
に４０００ｐｐｍ以下のＡｌをドープしたことにより、
Ｃバンドの高利得波長域のＬバンド側への迫り出しを抑
制し、Ｌバンド側における利得偏差の小さい帯域を広げ
て光増幅の帯域を拡大することができる。
【００３９】請求項２及び７の発明によると、Ａｌのド
ープ量を零としたことにより、光増幅の帯域をより一層
確実に拡大することができる。
ープ量を零としたことにより、光増幅の帯域をより一層
確実に拡大することができる。
【００４０】請求項３及び８の発明によれば、上記Ｅｒ
のドープ量を５０〜４２０ｐｐｍとしたことにより、Ａ
ｌのドープ量が少ない又は零の場合でも、広帯域の光増
幅効果を得るのに好ましいＥｒのドープ量が得られる。
のドープ量を５０〜４２０ｐｐｍとしたことにより、Ａ
ｌのドープ量が少ない又は零の場合でも、広帯域の光増
幅効果を得るのに好ましいＥｒのドープ量が得られる。
【００４１】請求項４及び９の発明によれば、光増幅用
ファイバのコア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選ばれる少
なくとも１種以上を共ドープしたことにより、Ｅｒ濃度
の増大かを図ることができる。
ファイバのコア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選ばれる少
なくとも１種以上を共ドープしたことにより、Ｅｒ濃度
の増大かを図ることができる。
【００４２】請求項５及び１０の発明によれば、光増幅
用ファイバを波長分割多重伝送系に用いられるものとし
たことにより、光増幅用ファイバの最適な用途が得られ
る。
用ファイバを波長分割多重伝送系に用いられるものとし
たことにより、光増幅用ファイバの最適な用途が得られ
る。
【図１】本発明の実施形態に係る光増幅装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】ＥＤＦの光増幅特性を実験するための第１の実
験装置を示す図である。
験装置を示す図である。
【図３】第１の実験装置により求められた本発明に係る
ＥＤＦの利得特性を従来例と比較して示す特性図であ
る。
ＥＤＦの利得特性を従来例と比較して示す特性図であ
る。
【図４】ＥＤＦの光増幅特性を実験するための第２の実
験装置を示す図である。
験装置を示す図である。
【図５】第２の実験装置により求められた本発明に係る
ＥＤＦの利得特性を従来例と比較して示す特性図であ
る。
ＥＤＦの利得特性を従来例と比較して示す特性図であ
る。
１ ＥＤＦ（光増幅用ファイバ）
２ カプラ（光合波素子）
５ 半導体レーザ（励起光源）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ▲吉▼田 実
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線
工業株式会社伊丹製作所内
(72)発明者 田中 信介
埼玉県上福岡市二丁目１番15号 株式会社
ケイディーディーアイ研究所内
(72)発明者 田中 英明
埼玉県上福岡市二丁目１番15号 株式会社
ケイディーディーアイ研究所内
(72)発明者 矢崎 智基
埼玉県上福岡市二丁目１番15号 株式会社
ケイディーディーアイ研究所内
Ｆターム(参考） 5F072 AB09 AK06 JJ05 PP07 RR01
YY17
Claims (10)
- 【請求項１】 コア部に少なくともＥｒがドープされて
いて、広帯域の入力光を増幅する光増幅用ファイバであ
って、 上記コア部に４０００ｐｐｍ以下のＡｌがドープされて
いることを特徴とする光増幅用ファイバ。 - 【請求項２】 請求項１の光増幅用ファイバにおいて、 Ａｌのドープ量が零であることを特徴とする光増幅用フ
ァイバ。 - 【請求項３】 請求項１又は２の光増幅用ファイバにお
いて、 Ｅｒのドープ量が５０〜４２０ｐｐｍであることを特徴
とする光増幅用ファイバ。 - 【請求項４】 請求項１又は２の光増幅用ファイバにお
いて、 コア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選ばれる少なくとも１
種以上が共ドープされていることを特徴とする光増幅用
ファイバ。 - 【請求項５】 波長分割多重伝送系に用いられることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか１つの光増幅用ファ
イバ。 - 【請求項６】 コア部に少なくともＥｒがドープされか
つ４０００ｐｐｍ以下のＡｌがドープされていて、広帯
域の入力光を増幅する光増幅用ファイバと、上記光増幅
用ファイバに光合波素子を介して励起光を挿入する励起
光源とを備えたことを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項７】 請求項６の光増幅装置において、 光増幅用ファイバのＡｌのドープ量が零であることを特
徴とする光増幅装置。 - 【請求項８】 請求項６又は７の光増幅装置において、 光増幅用ファイバのＥｒのドープ量が５０〜４２０ｐｐ
ｍであることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項９】 請求項６又は７の光増幅装置において、 光増幅用ファイバのコア部にＣｅ、Ｌａ及びＹｂから選
ばれる少なくとも１種以上が共ドープされていることを
特徴とする光増幅装置。 - 【請求項１０】 波長分割多重伝送系に用いられること
を特徴とする請求項６〜９のいずれか１つの光増幅装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001282579A JP2003092447A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001282579A JP2003092447A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003092447A true JP2003092447A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=19106212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001282579A Pending JP2003092447A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003092447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022068676A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 华为技术有限公司 | 一种光纤放大装置 |
-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001282579A patent/JP2003092447A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022068676A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 华为技术有限公司 | 一种光纤放大装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2164140B1 (en) | Fiber laser having excellent reflected light resistance | |
| JP4094126B2 (ja) | 希土類ドープ光ファイバ及びそれを用いた光ファイバ増幅器 | |
| US7982945B2 (en) | Optical amplification module and laser light source designed to suppress photodarkening | |
| Almukhtar et al. | Flat-gain and wide-band partial double-pass erbium co-doped fiber amplifier with hybrid gain medium | |
| US20060187540A1 (en) | Rare-earth-doped optical fiber having core co-doped with fluorine | |
| JP2753539B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| EP1161008A2 (en) | High power, multiple-tap co-doped optical amplifier | |
| Almukhtar et al. | The effect of 980 nm and 1480 nm pumping on the performance of newly Hafnium Bismuth Erbium-doped fiber amplifier | |
| WO2000074184A1 (fr) | Fibre optique pour amplification optique et amplificateur a fibre optique | |
| JP3288965B2 (ja) | 光ファイバ増幅器および光増幅方法 | |
| Ouyang et al. | Yb band parasitic lasing suppression in Er/Yb-co-doped pulsed fiber amplifier based on all-solid photonic bandgap fiber | |
| JP2006114858A (ja) | 光ファイバ及びこれを用いた光ファイバ増幅器 | |
| US20070153364A1 (en) | Tunable fiber amplifier and laser using discrete fundamental-mode cutoff | |
| EP1087474A2 (en) | High power, multi-stage doped optical amplifier | |
| JP2003092447A (ja) | 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 | |
| Arbore et al. | 30-dB gain at 1500 nm in S-band erbium-doped silica fiber with distributed ASE suppression | |
| JP2001127365A (ja) | Ｌバンド光ファイバ増幅器 | |
| JP3259105B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JPH1022555A (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| Cheng et al. | Compact and wide-band bismuth-based erbium-doped fibre amplifier based on two-stage and double-pass approaches | |
| Al-Mashhadani et al. | Impact of booster section length on the performance of linear cavity brillouin-erbium fiber laser | |
| JP2003092448A (ja) | 光増幅用ファイバ及び光増幅装置 | |
| US8102596B2 (en) | Optical fiber for amplification | |
| Kimura et al. | Pump wavelength dependence of the gain factor in 1.48 μm pumped Er3+‐doped fiber amplifiers | |
| KR100584717B1 (ko) | 광섬유 및 이를 이용한 하이브리드 광섬유 증폭기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040430 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070109 |