JP2003088789A

JP2003088789A - ウェット処理装置

Info

Publication number: JP2003088789A
Application number: JP2001285782A
Authority: JP
Inventors: Masato Yonetani; 真人米谷; Yuichi Yamamoto; 裕一山本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-09-19
Filing date: 2001-09-19
Publication date: 2003-03-25

Abstract

(57)【要約】【課題】水平面から傾斜した被処理基板に対し、略平
行に設けられている噴出口を有するノズルから重力に逆
らってウェット処理液を噴出する場合であっても、多量
のウェット処理液を必要とすることのないウェット処理
装置を提供する。【解決手段】ウェット処理装置は、水平面から傾斜し
た被処理基板２と略平行に設けられている噴出口および
上記噴出口にウェット処理液を供給するノズルケース４
を含み、被処理基板２に向かってウェット処理液を噴出
する第１ノズル１と、上記ノズルケース４を上記傾斜方
向に対して分割することにより少なくとも２以上の流路
を形成する間仕切り板９とを備えることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示素
子，ＰＤＰ（Plasma Display Panel；プラズマディスプ
レーパネル）等のフラットパネルディスプレーの製造工
程や半導体製造工程で用いられる超音波洗浄装置，レジ
スト剥離装置等のウェット処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の製造工程においては、被
処理基板としての液晶用ガラス基板を洗浄、剥離する工
程がある。洗浄や剥離を行う方式としては、処理液中に
複数枚の被処理基板を浸漬するディップ方式や被処理基
板に向けて処理液を噴出して１枚毎に処理する枚葉方式
がある。ところが、最近では、枚葉方式が採用されるこ
とが多くなってきている。これは、枚葉方式の方が処理
効率が高いことや、枚葉方式によれば特に大型基板の処
理に対してコスト的に有利なことによる。

【０００３】この枚葉方式の１つとして、被処理基板に
噴出される処理液に振動を付与し、その加速度や直進流
によって上記被処理基板から粒子やレジスト等を除去す
るウェット処理方法が実用化されている。さらに、被処
理基板上における処理液の置換性を向上させるために、
被処理基板の搬送方向を軸にして被処理基板を傾斜させ
て行うウェット処理方法が実用化されている。その一
方、特開２００１−９３５公報や特開２００１−７０１
７公報において、被処理基板の被処理面に処理液を供給
すると共に、被処理面の背向面に対し超音波が付与され
た液体を供給する枚葉式レジスト剥離装置が開示されて
いる。

【０００４】ここで、上記従来技術の一例を図７、図８
に基づいて説明する。図７に示すように、被処理基板１
０１はその長手方向（以下ＡＢ方向とする）を軸として
水平面から傾斜した状態を保ちつつ、Ａ方向に搬送され
る。そして、超音波が付与されたウェット処理液１０３
を供給する第１ノズル１０２は、被処理面１０１ａの下
方に配置されている。さらに、上記第１ノズル１０２
は、その噴出口が被処理基板の傾斜方向（以下ＣＤ方向
とする）と平行になるように配置されている。また、別
のウェット処理液１０７を供給する第２ノズル１０６が
背向面１０１ｂの上方に配置される。

【０００５】このような構成において、ウェット処理液
１０３は処理液供給孔１０４より供給され、第１ノズル
１０２内で超音波振動素子１０５により超音波が付与さ
れた後に、第１ノズル１０２から被処理面１０１ａへカ
ーテン状に噴出する。さらに、第２ノズル１０６から別
のウェット処理液１０７が背向面１０１ｂへ供給され
る。

【０００６】一方、被処理基板を水平面から傾斜させず
に処理を行う場合を図８（ａ）に基づいて説明する。こ
の場合、被処理基板２０１の被処理面２０１ａに対して
均一にウェット処理液を噴出するためには、被処理面２
０１ａと噴出方向とが垂直、すなわち被処理面２０１ａ
に対し第１ノズル２０２の噴出口が略平行になるように
配置する。そして、このような配置により、ウェット処
理液の噴出高さＳを一定とすることができる。ところ
が、このような手段では、被処理面２０１ａが水平であ
るため、被処理面２０１ａに付着したウェット処理液の
置換効率が悪い。

【０００７】ところが、前記した、被処理基板１０１を
水平面から傾斜させた構成では、図８（ｂ）に示すよう
に、ＣＤ方向は水平面から傾斜しているため、被処理基
板上に付着したウエット処理液の置換効率を高めること
ができる。ただし、この構成では、被処理面１０１ａが
水平面から傾斜しており、被処理面１０１ａにウェット
処理液１０３を均一に噴出するためには、被処理面１０
１ａと噴出方向とが垂直、すなわち第１ノズル１０２の
噴出口をＣＤ方向と略平行（水平面から傾斜させる）に
する必要がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成においてウェット処理液１０３を均等圧で噴出させる
場合、第１ノズル１０２の噴出口が水平面から傾斜して
いるため、重力の作用により被処理面１０１ａのＤ方向
端部において、ウェット処理液１０３の噴出高さＳが低
くなる。この結果、被処理面１０１ａのＤ方向端部には
ウェット処理液１０３が完全に到達せず、ウェット処理
液１０３は被処理面１０１ａに対して均一に噴出され
ず、有効処理域Ｅが短くなる。

【０００９】これにより、被処理基板１０１をＡＢ方向
を軸として傾斜させた状態でＡ方向に搬送させ、噴出口
をＣＤ方向と平行にした第１ノズル１０２からウェット
処理液１０３を噴出してウェット処理を行う場合、上記
被処理基板１０１および第１ノズル１０２の噴出口が水
平であるときに比べて、噴出するウェット処理液１０３
の流量を増加させなければ、被処理面１０１ａにウェッ
ト処理液１０３を均一に噴出できないという問題が生じ
る。

【００１０】また、第１ノズル１０２内の超音波振動素
子１０５は、液体中にて動作を行わないと発熱により短
時間で破壊する。したがって、振動発振時には超音波振
動素子１０５をウェット処理液１０３で充分に満たして
おく必要がある。しかし、被処理基板１０１の傾斜角
度、すなわち第１ノズル１０２の噴出口の傾斜角度が大
きくなると、図８（ｂ）のＤ方向端部付近で第１ノズル
１０２の底面、すなわち超音波振動素子１０５が外気に
さらされる危険性がある。特に被処理基板１０１の短手
方向（ＣＤ方向）の幅が広いほど、その危険性は増大す
る。この危険性を回避するためには必要以上のウェット
処理液を使用し、超音波振動素子１０５が外気に触れな
いようにする必要があった。

【００１１】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、ウェット処理液を被処理
基板に噴出するウェット処理装置において、水平面から
傾斜した被処理基板に対し、略平行に設けられている噴
出口を有するノズルから重力に逆らってウェット処理液
を噴出する場合であっても、多量のウェット処理液を必
要とすることのないウェット処理装置を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のウェット処理装
置は、上記の課題を解決するために、被処理基板の被処
理面に対して、処理液を重力に逆らって噴出するウェッ
ト処理装置において、水平面から傾斜した被処理基板と
略平行に設けられている噴出口および上記噴出口に処理
液を供給する処理液流通部を含み、上記被処理面に向か
って処理液を噴出する第１の処理液噴出手段と、上記処
理液流通部を上記傾斜の方向に対して分割することによ
り少なくとも２以上の流路を形成する分割手段とを備え
ることを特徴とする。

【００１３】上記構成によれば、分割手段が２以上の流
路を形成することにより、処理液流通部内を流通する処
理液が重力の作用に従って、水平面から傾斜した方向に
流れ落ちるのをせき止めることができる。したがって、
第１の処理液噴出手段において、処理液が重力の作用に
従って処理液流通部内を傾斜した方向に流れ落ちるのを
防ぐことができ、これにより処理液の噴出高さの不均一
化を防ぐことができる。したがって、水平面から傾斜し
た被処理基板に対し、略平行に設けられている噴出口を
有する第１の処理液噴出手段から重力に逆らってウェッ
ト処理液を噴出する場合であっても、多量のウェット処
理液を必要とすることのないウェット処理装置を提供す
ることができる。

【００１４】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、被処理基板の
被処理面の背向面に向けて処理液を噴出する第２の処理
液噴出手段をさらに備えることを特徴とする。

【００１５】上記構成によれば、被処理基板の一方の面
のみならず、第２の処理液噴出手段により背向面も同時
に洗浄ができるので、両面を洗浄する必要のある基板を
処理する場合、作業効率の向上を図ることができる。

【００１６】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、分割手段が、
少なくとも１枚の間仕切り板であることを特徴とする。

【００１７】上記構成によれば、備える間仕切り板の数
に応じて、流路の分割回数を増加することができる。し
たがって、備える間仕切り板が多いほど、分割した各流
路から液面高さのズレの軽減をより一層図ることがで
き、より均一な処理液を噴出することができる。

【００１８】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、間仕切り板
は、２以上の流路が完全に遮断されるように処理液流通
部を分割することを特徴とする。

【００１９】上記構成によれば、２以上の流路が完全に
遮断されているため、各流路相互間で処理液の流出入が
起こらない。したがって、処理液流通部における処理液
の液面高さのズレが一層軽減される。

【００２０】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、間仕切り板の
流路間で互いに処理液供給を行う供給穴を設けたことを
特徴とする。

【００２１】上記構成によれば、２以上の流路間で互い
に処理液の流出入が行えるため、各流路毎に処理液を供
給する必要がなくなる。したがって、ウェット装置全体
の構成を簡略化することができ、製造コストの削減を図
ることができる。

【００２２】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、間仕切り板が
取り外し交換可能であることを特徴とする。

【００２３】上記構成によれば、間仕切り板を取り外し
交換することができるため、種々の形状の間仕切り板に
より流路を形成することができる。これにより、目的に
応じて、流路間を遮断したり、あるいは互いに処理液の
流出入が行えるように流路を仕切ることができる。

【００２４】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、間仕切り板の
位置を変更することにより、上記処理液流通部の分割状
態を変更可能であることを特徴とする。

【００２５】上記構成によれば、間仕切り板の取付け
数、あるいは取付けピッチを変更することができるた
め、形成される流路の数あるいは大きさを調整すること
ができる。これにより、処理液流通部を流通する処理液
の速度を調整することができ、単位時間当たりに噴出す
る処理液の流量を調整できる。

【００２６】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、処理液流通部
に超音波振動を付与する超音波振動素子が備えられてい
ることを特徴とする。

【００２７】処理液に超音波振動を付与すると被処理基
板に付着している微粒子等の剥離を容易に行うことが可
能である。ところが、超音波振動素子は液体中で動作し
ないと発熱により短時間で破壊していまう。しかしなが
ら、上記構成によれば、処理液が重力の作用により水平
面から傾斜した方向に流れ落ちるのを防ぐことができる
ので、処理液流通部内において処理液の水面の低下を防
止することができる。これにより、処理液流通部内の底
面に位置する超音波振動素子を外気にさらす危険性を回
避できる。したがって、処理液の水面の低下を防止する
ために必要であったウェット処理液の余分な使用を抑え
ることができる。なお、被処理面の面積が広く、これに
応じて処理液流通部内を広く構成せざるを得ない場合、
上記した危険性が高かったが、間仕切り板により流路を
形成することでこのような危険性を容易に回避できる。

【００２８】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、間仕切り板
は、噴出口に対し略垂直に配設したことを特徴とする。

【００２９】上記構成によれば、間仕切り板により形成
された各流路に発生する超音波同士の干渉を防ぐことが
できる。これにより、超音波ウェット処理の不均一化や
処理効果の低下を抑制することができる。

【００３０】本発明のウェット処理装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成に加えて、超音波の振動
数が、０．１〜３ＭＨｚの範囲にあることを特徴とす
る。

【００３１】上記構成によれば、被処理基板に損傷を与
える危険性もなく洗浄処理を行うことができる。

【００３２】上記課題を解決するための本発明の第１の
手段は、処理液の一部に超音波振動を付与して、被処理
基板を搬送方向を軸にして傾斜させて略水平方向に搬送
しながら枚葉方式で処理する超音波ウェット処理装置に
おいて、前記被処理基板の一方表面側に配置された第１
ノズルと、この第１ノズル内に超音波振動を付与する超
音波振動素子と、この第１ノズルから噴出する処理液の
流路を形成する少なくとも１つ以上の間仕切り板とから
成ることを特徴とする。

【００３３】上記課題を解決するための本発明の第２の
手段は、前記ウェット処理装置において、被処理基板の
他方表面側に設置した第２ノズルを更に備えることを特
徴とする。

【００３４】上記課題を解決するための本発明の第３の
手段は、前記ウェット処理装置において、第１ノズルは
被処理基板に対して平行に設置したことを特徴とする。

【００３５】上記課題を解決するための本発明の第４の
手段は、前記ウェット処理装置において、間仕切り板
は、超音波振動素子に対して略垂直に配設したことを特
徴とする。

【００３６】上記課題を解決するための本発明の第５の
手段は、前記ウェット処理装置において、前記第１ノズ
ル内部の間仕切り板を、超音波振動素子上部から第１ノ
ズル吐出孔までの全部又は一部を仕切り、処理液の流路
を形成するように設置したことを特徴とする。

【００３７】上記課題を解決するための本発明の第６の
手段は、前記ウェット処理装置において、前記間仕切り
板の高さ、枚数、取り付けピッチのいずれか一つ以上を
可変制御する機構を更に設けたことを特徴とする。

【００３８】上記課題を解決するための本発明の第７の
手段は、前記ウェット処理装置において、処理液に付与
する超音波の振動数は０．１〜３ＭＨｚであることを特
徴とする。

【００３９】上記課題を解決するための本発明の第８の
手段は、前記ウェット処理装置において、第１ノズルと
第２ノズルとから噴出される処理液は、超純水、アルカ
リ還元水、酸性オゾン水、又は有機溶剤であることを特
徴とする。

【００４０】上記課題を解決するための本発明の第９の
手段は、前記ウェット処理装置において、第１ノズルと
第２ノズルから供給する処理液は、同一成分または異種
成分であることを特徴とする。

【００４１】前記ウェット処理装置を用いた超音波ウェ
ット処理方法は、前記第１ノズルと第２ノズルから噴出
する処理液を制御することで、被処理基板の両面あるい
は片面を処理することを特徴とする。

【００４２】前記ウェット処理装置を用いた超音波ウェ
ット処理方法は、被処理基板と第１ノズルの傾斜角度を
制御することで、ウェット処理液の噴出流量の制御をす
ることを特徴とする。

【００４３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図６に基づいて以下に説明する。

【００４４】本実施の形態の超音波ウェット処理装置
は、図２に示すように、第１ノズル（第１の処理液噴出
手段）１、被処理基板２、第２ノズル（第２の処理液噴
出手段）３を備える構成である。

【００４５】第１ノズル１は、超音波が付与されたウェ
ット処理液（処理液）Ｗ１を重力に逆らった方向へ向け
て噴出し、被処理基板２の被処理面２ａに対してウェッ
ト処理液Ｗ１を供給するためのものである。被処理基板
２は、超音波ウェット処理装置における処理対象であ
り、被処理面２ａと背向面２ｂとを形成する。なお、被
処理基板２の具体例として、液晶表示素子，ＰＤＰ（Pl
asma Display Panel；プラズマディスプレーパネル）等
のフラットパネルディスプレーや半導体基板等が挙げら
れる。第２ノズル３はウェット処理液（処理液）Ｗ２を
重力方向へ向けて噴出し、被処理基板２の背向面２ｂに
対してウェット処理液Ｗ２を供給するためのものであ
る。なお、処理とは、基板上の不要物を剥離、洗浄、除
去処理することをいう。

【００４６】つぎに第１ノズル１の構成について詳述す
る。第１ノズル１は、ノズルケース（処理液流通手段）
４、噴出口５、流路６…、超音波振動素子７、処理液供
給孔８、間仕切り板（分割手段）９より構成される。ノ
ズルケース４は第１ノズル１の胴体部分であって、処理
液供給孔８から流入されるウェット処理液Ｗ１を噴出口
５へ供給するためのものである。噴出口５は、第１ノズ
ル１よりウェット処理液Ｗ１を噴出するための開口部で
ある。流路６…は、ノズルケース４を後述する間仕切り
板９により複数に区切って形成したものであって、処理
液供給孔８より供給されるウェット処理液Ｗ１を噴出口
５まで流通させる経路である。なお、噴出口５の断面積
は、ノズルケース４の断面積より狭くなるように形成さ
れている。これにより、処理液供給孔８より第１ノズル
１へ供給されるウェット処理液Ｗ１は流路６…内で一旦
滞留する。ここで、ウェット処理液Ｗ１にかかる水圧が
運動エネルギーに変換し、これにより増速したウェット
処理液Ｗ１が噴出口５から噴出する。

【００４７】超音波振動素子７は、流路６…内を流れる
ウェット処理液Ｗ１に超音波振動を付与するためのもの
であり、ノズルケースの底面に設けられている。処理液
供給孔８は、流路６…へウェット処理液Ｗ１を供給する
ための供給口であり、各流路６毎に設けられる。したが
って、流路６の数だけの処理液供給孔８が設けられるこ
とになる。間仕切り板９は本形態の特徴部分であり、ノ
ズルケース４に設置することにより、ノズルケース４を
これよりも断面積の小さい複数の流路６…に仕切るため
の板部材である。

【００４８】つぎに、本実施の形態の超音波ウェット処
理装置により、被処理基板２の洗浄処理を行う動作につ
いて説明する。

【００４９】図２および図３に示すように、処理対象と
なる被処理基板２は、その長手方向（ＦＧ方向とする）
を軸として傾斜した状態を保ちつつ、Ｆ方向に搬送され
ている。そして、被処理基板２の下方に位置している第
１ノズル１は、ＦＧ方向を軸として、噴出口５と被処理
基板２の短手方向（傾斜面，ＨＩ方向とする）とが平行
になるような角度（傾斜角度）θで傾斜した状態を保ち
つつ、超音波が付与されたウェット処理液Ｗ１を被処理
基板２に対してカーテン状に噴出する。なお、θは、水
平面を基準として０度を越え９０度以下の範囲である。

【００５０】また、ウェット処理液Ｗ１は、処理液供給
孔８から間仕切り板９により仕切られた各流路６内に流
れ込む。このとき、ウェット処理液Ｗ１は、超音波振動
素子７により超音波が付与される。その後、超音波が付
与されたウェット処理液Ｗ１は、噴出口５から被処理基
板２の被処理面２ａへ向けて噴出される。

【００５１】ここで、本実施の形態における超音波振動
素子７を内蔵した第１ノズル１から噴出するウェット処
理液Ｗ１の噴出高さＳの分布を従来技術と比較しつつ図
１に基づいて説明する。

【００５２】図１（ｂ）に示すように、従来の構成で
は、ノズル２０内を流れるウェット処理液は重力の作用
に従ってＨ方向へ流れ落ち、水平に滞留する。これに伴
い、重力方向に逆らって噴出するウェット処理液の液面
も水平になる。したがって、ウェット処理液の噴出高さ
はノズル２０のＨ方向端部で最大となり、Ｉ方向端部に
近付くにしたがって減少していく。このように、従来の
構成においては、ウェット処理液の噴出高さＳは不均一
となる。よって、ノズル２０内に間仕切り板等を具備し
ない従来の構成では、本図のように被処理基板２１の有
効処理域Ｅが短くなる。なお、有効処理域Ｅとはウェッ
ト処理液が十分に噴出される領域をいう。よって、従来
の構成では、被処理基板の被処理面全域において確実か
つ均一なウェット処理が達成されない。

【００５３】一方、ノズルケース４を間仕切り板９で仕
切る構成である本実施の形態の第１ノズル１では、図１
（ａ）に示すように、間仕切り板９がノズルケース４を
仕切ることにより、複数の流路６…が形成する。これに
より、ノズルケース４内を流れるウェット処理液Ｗ１が
重力の作用に従って、Ｈ方向に流れ落ちるのをせき止め
ることができる。したがって、第１ノズルにおいて、ウ
ェット処理液Ｗ１が重力の作用に従って処理液流通部内
を傾斜した方向に流れ落ちるのを防ぐことができ、これ
によりウェット処理液Ｗ１の噴出高さＳの不均一化を防
ぐことができる。これにより、被処理面２ａ全域におい
て有効処理域Ｅを得ることができる。言い換えると、上
記各流路６…から噴出されるウェット処理液Ｗ１は、そ
れぞれ同様の速度分布を持つ。そのため、被処理基板２
の被処理面２ａ全域に噴出されるウェット処理の速度分
布はほぼ均一となる。

【００５４】また、従来の構成で均一なウェット処理を
達成するためには、必要以上に多量のウェット処理液を
噴出することにより行う必要があった。ここで、本実施
の形態の超音波ウェット処理装置によれば、水平面から
傾斜した被処理基板に対し、略平行に設けられている噴
出口を有する第１の処理液噴出手段から重力に逆らって
ウェット処理液を噴出する場合であっても、多量のウェ
ット処理液を必要とすることのないウェット処理装置を
提供することができる。

【００５５】さらに、本実施の形態では、図４（ａ）に
示すように、間仕切り板９によりノズルケース４の底面
から噴出口５までを完全に仕切り、各流路６…相互間で
ウェット処理液Ｗ１が出入りしないように構成されてい
る。したがって、第１ノズル１がＦＧ方向を軸に傾斜し
ている構成であっても、流路６…におけるＩ方向端部の
液面の減少を完全に防ぐことができ、第１ノズル１のＩ
方向端部から噴出されるウェット処理液Ｗ１とＨ方向端
部から噴出されるウェット処理液Ｗ１との噴出高さの差
を効率よく減少させることができる。

【００５６】なお、超音波振動素子７は液体中で動作し
ないと発熱により短時間で破壊する。ところが、本実施
形態によれば、ウェット処理液Ｗ１が重力の作用により
水平面から傾斜した方向に流れ落ちるのを防ぐことがで
きるので、ノズルケース４内においてウェット処理液Ｗ
１の水面の低下を防止することができる。これにより、
ノズルケース４内の底面に位置する超音波振動素子７を
外気にさらす危険性を回避できる。したがって、処理液
の水面の低下を防止するために必要であったウェット処
理液Ｗ１の余分な使用を抑えることができる。なお、被
処理基板２の被処理面２ａの面積が広く、これに応じて
ノズルケース４内を広く構成せざるを得ない場合、上記
した危険性が高かったが、間仕切り板９により流路６…
を形成することでこのような危険性を容易に回避でき
る。

【００５７】また、本実施の形態において、間仕切り板
９は、ノズルケース４内の底面に対し略垂直に配設され
ている。これにより、間仕切り板９により形成された各
流路６に発生する超音波同士の干渉を防ぐことができ
る。これにより、超音波ウェット処理の不均一化や処理
効果の低下を抑制することができる。

【００５８】さらに、本実施の形態では、図４（ａ）に
示すように、間仕切り板９により、ノズルケース４の底
面から噴出口５までを完全に仕切る構成としたが、図４
（ｂ）〜図４（ｈ）に示すように一部を仕切る構成とし
てもよい。この場合、各流路６…相互間でウェット処理
液Ｗ１を流出入させることが可能となり、各流路６毎に
処理液供給孔８を設ける必要がなくなる。したがって、
一か所のみ処理液供給孔８を設ければよく、これにより
装置の製造コストの削減を図ることができる。また、図
４（ｂ）や図４（ｇ）に示す間仕切り板９を用いる場
合、超音波振動素子７を跨ぐように（超音波振動素子７
間以外の位置に）間仕切り板９を設置することができ
る。これにより、間仕切り板９の取付け枚数および取付
けピッチを変更することが可能となる。

【００５９】この場合、種々の形状の間仕切り板９を変
更使用できるように構成する必要がある。例えば、図５
（ａ）に示すように、第１ノズル１の底に格納部１０を
備える構成が挙げられる。この格納部１０の内部構成に
ついて、図５（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図５
（ｂ）は、図５（ａ）に示すＨ方向に向けて格納部１０
の内部を表した説明図である。図５（ａ）（ｂ）に示す
ように、格納部１０には、形状の異なる３枚の間仕切り
板９ａ・９ｂ・９ｃが格納されている。そして、使用目
的や使用状況に応じた間仕切り板９が選択され、ノズル
ケース４内に設置される。このようにして、ノズルケー
ス４内に設置する間仕切り板９の形状を変更させること
が可能である。

【００６０】さらに、間仕切り板９の変更使用について
自動制御できる機構を採用してもよい。この場合、ウェ
ット処理液Ｗ１の噴出量、噴出速度を所望の値に制御す
ることができる。さらに、被処理基板２と第１ノズル１
との傾斜角度を制御可能な構成としてもよい。この場
合、被処理基板の背向面および被処理面に付着したウェ
ット処理液Ｗ１・Ｗ２の置換性を制御することができ、
ウェット処理液Ｗ１・Ｗ２の使用量を調整することがで
きる。

【００６１】なお、図４（ａ）は、超音波振動素子７の
上部から噴出口（吐出孔ともいう）５までを完全に仕切
る間仕切り板９を設置した構成を示し、図４（ｂ）から
図４（ｈ）は、間仕切り板９に穴や開口部を設けること
で、超音波振動素子７の上部から噴出口５までの一部を
仕切ることとした構成を示した図であるが、間仕切り板
９の形状は、図示した形状例（穴や開口部の形状、大き
さ、位置など）に限定されるものではない。

【００６２】ここで、被処理基板２の有効処理域（有効
処理幅または有効洗浄幅）Ｅが１０００ｍｍまたは１４
００ｍｍである場合の被処理基板２および第１ノズル１
の傾斜角度に対するウェット処理液Ｗ１の臨界流量を図
６に示す。なお、上記臨界流量とは被処理基板２上の付
着物を除去するために最低限必要とされるウェット処理
液Ｗ１の流量をいい、理論計算結果から得られたもので
ある。

【００６３】なお、計算条件を以下に示す。まず、間仕
切り板９…はＨＩ方向に１００ｍｍ毎の等間隔で配置す
る。そして、図４（ａ）に示す、超音波振動素子７の上
部から噴出口（吐出孔ともいう）５までを完全に仕切る
形状の間仕切り板９…を用いた。さらに、第１ノズル１
の噴出口５と被処理基板２の被処理面２ａとを２ｍｍ間
隔で平行に配置した。そして、ウェット処理液Ｗ１の噴
出高さが２ｍｍ越える領域を有効処理域Ｅとする。ま
た、比較するデータとして間仕切り板９を用いない場合
についても上記臨界流量を算出した。

【００６４】図６より、間仕切り板９…で第１ノズル１
内部を仕切る構成とすると、多量のウェット処理液Ｗ１
を必要としないことがわかる。また、被処理基板２のＨ
Ｉ方向の幅の増加に伴い、第１ノズル１のＨＩ方向の幅
を増加させても、確実に均一なウェット処理を行うこと
ができる。また、同図に示すように、１０００ｍｍおよ
び１４００ｍｍの幅を有する被処理基板２において、第
１ノズル１および被処理基板２の傾斜角度が７５°のと
き、間仕切り板９を用いない場合に比べ、間仕切り板９
を用いた場合ではウェット処理液Ｗ１の臨界流量を約６
８％に低減できることが計算結果よりわかった。

【００６５】また、図２、図３に示すように、本実施の
形態の超音波ウェット処理装置では、ＨＩ方向に傾斜さ
せた第１ノズル１から超音波が付与されたウェット処理
液（処理液）Ｗ１を重力に逆らった方向へ向けて噴出
し、被処理基板２の被処理面２ａに対してウェット処理
液Ｗ１を供給する。その一方で、第２ノズル３からウェ
ット処理液Ｗ２を重力方向へ向けて噴出し、被処理基板
２の背向面２ｂに対してウェット処理液Ｗ２を供給す
る。

【００６６】これにより、被処理基板２の被処理面２ａ
のみならず背向面２ｂも同時に洗浄することができる。
したがって、両面の洗浄を必要とする基板を処理する場
合、作業効率の向上を図ることができる。

【００６７】また、本実施の形態によれば、第１ノズル
１の噴出口から重力に逆らい、かつ傾斜した方向へ向け
ても均一にウェット処理液Ｗ１を噴出できる構成であ
る。したがって、水平面に対し傾斜させた被処理基板に
ウェット処理液Ｗ１を噴出する場合、上記第１ノズル１
の噴出口の噴出方向を被処理基板の被処理面と垂直にす
ることで、より一層、被処理基板の被処理面を均一に処
理することができる。さらに、被処理基板２のＨＩ方向
の幅を広げても被処理面に対し均一にウェット処理液Ｗ
１を噴出できる。

【００６８】また、上記のウェット処理装置において、
第１ノズル１および第２ノズル３から噴出されるウェッ
ト処理液Ｗ１とＷ２とは同一成分であってもよいし、異
種成分であっても構わない。これにより被処理基板２の
被処理面２ａと背向面２ｂとで同一または異なる処理を
行うことが可能となる。なおウェット処理液Ｗ１・Ｗ２
の具体例として、超純水、アルカリ還元水、酸性オゾン
水、または有機溶剤が挙げられる。

【００６９】なお、被処理面２ａおよび背向面２ｂにつ
いて洗浄処理すべき面を選択することも可能である。し
たがって、両面を洗浄することとしてもよいし、いずれ
か一方の面のみを洗浄することとしてもよい。これによ
り、多量のウェット処理液Ｗ１・Ｗ２を必要とせず、確
実かつ均一なウェット処理が達成される。

【００７０】さらに、本実施の形態では、複数の間仕切
り板９…がノズルケース４を仕切ることにより、ノズル
ケース４より断面積の小さい複数の流路６…を形成する
構成としたが、間仕切り板９は１枚であっても構わな
い。この場合、２つの流路６・６が形成されることとな
る。

【００７１】最後に、上述した実施の形態は、本発明の
範囲を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の
変更が可能である。

【００７２】以上説明したように、被処理基板下方から
搬送方向を軸にして傾斜させたノズルよりウェット処理
液Ｗ１を噴出する場合、処理液噴出ノズル内部に間仕切
り板を具備することにより、被処理基板下方に位置する
ノズルの内部での、被処理基板幅方向における処理液の
移動を抑制し、結果として被処理基板上端部でのノズル
上部における処理液表面高さの低下を抑制し、大きな幅
を有する被処理基板においても均一なウェット処理、お
よび超音波振動素子の露出の防止を、少ない処理液使用
量において達成できる。

【００７３】

【発明の効果】本発明のウェット処理装置は、以上のよ
うに、水平面から傾斜した被処理基板と略平行に設けら
れている噴出口および上記噴出口に処理液を供給する処
理液流通部を含み、上記被処理面に向かって処理液を噴
出する第１の処理液噴出手段と、上記処理液流通部を上
記傾斜の方向に対して分割することにより少なくとも２
以上の流路を形成する分割手段とを備えることを特徴と
する。

【００７４】それゆえ、第１の処理液噴出手段におい
て、処理液が重力の作用に従って処理液流通部内を傾斜
した方向に流れ落ちるのを防ぐことができ、処理液の噴
出高さを均一にできる。したがって、多量のウェット処
理液を必要とすることのないウェット処理装置を提供す
ることができるという効果を奏する。

【００７５】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、被処理基板の被処理面の背向
面に向けて処理液を噴出する第２の処理液噴出手段をさ
らに備えることを特徴とする。

【００７６】それゆえ、両面を洗浄する必要のある基板
を処理する場合、作業効率の向上を図ることができると
いう効果を奏する。

【００７７】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、分割手段が、少なくとも１枚
の間仕切り板であることを特徴とする。

【００７８】それゆえ、備える間仕切り板の数に応じ
て、流路の分割回数が増加するため、間仕切り板が多い
ほど、分割した各流路から液面高さのズレの軽減をより
一層図ることができ、より均一な処理液を噴出すること
ができるという効果を奏する。

【００７９】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、間仕切り板は、２以上の流路
が完全に遮断されるように処理液流通部を分割すること
を特徴とする。

【００８０】それゆえ、各流路相互間で処理液の流出入
が起こらず、処理液流通部における処理液の液面高さの
ズレが一層軽減されるという効果を奏する。

【００８１】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、間仕切り板の流路間で互いに
処理液供給を行う供給穴を設けたことを特徴とする。

【００８２】それゆえ、２以上の流路間で互いに処理液
の流出入が行えるため、ウェット装置全体の構成を簡略
化することができ、製造コストの削減を図ることができ
るという効果を奏する。

【００８３】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、間仕切り板が取り外し交換可
能であることを特徴とする。

【００８４】それゆえ、目的に応じて、流路間を遮断し
たり、あるいは互いに処理液の流出入が行えるように流
路を仕切ることができるという効果を奏する。

【００８５】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、間仕切り板の位置を変更する
ことにより、上記処理液流通部の分割状態を変更可能で
あることを特徴とする。

【００８６】それゆえ、形成される流路の数あるいは大
きさを調整することができる。これにより、処理液流通
部を流通する処理液の速度を調整することができ、単位
時間当たりに噴出する処理液の流量を調整できるという
効果を奏する。

【００８７】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、処理液流通部に超音波振動を
付与する超音波振動素子が備えられていることを特徴と
する。

【００８８】それゆえ、処理液が重力の作用により水平
面から傾斜した方向に流れ落ちるのを防ぐことができる
ので、処理液流通部内において処理液の水面の低下を防
止することができ、処理液流通部内の底面に位置する超
音波振動素子を外気にさらす危険性を回避できる。した
がって、処理液の水面の低下を防止するために必要であ
ったウェット処理液の余分な使用を抑えることができる
という効果を奏する。

【００８９】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、間仕切り板は、噴出口に対し
略垂直に配設したことを特徴とする。

【００９０】それゆえ、間仕切り板により形成された各
流路に発生する超音波同士の干渉を防ぐことができ、超
音波ウェット処理の不均一化や処理効果の低下を抑制す
ることができるという効果を奏する。

【００９１】本発明のウェット処理装置は、以上のよう
に、上記の構成に加えて、超音波の振動数が、０．１〜
３ＭＨｚの範囲にあることを特徴とする。

【００９２】それゆえ、被処理基板に損傷を与える危険
性もなく洗浄処理を行うことができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本実施の形態の超音波ウェット処理
装置における、第１ノズルおよび被処理基板の説明図で
あり、（ｂ）は、上記第１ノズル内に間仕切り板を設け
ない場合の説明図である。

【図２】上記超音波ウェット処理装置の構成を示す斜視
図である。

【図３】上記超音波ウェット処理装置の第１ノズルの内
部構成を示した説明図である。

【図４】（ａ）〜（ｈ）は、上記超音波ウェット処理装
置の第１ノズルに備えられる間仕切り板の形状例を示し
た説明図である。

【図５】（ａ）は第１ノズルの底に格納部を備えた構成
を示す説明図であり、（ｂ）は上記格納部の内部を示し
た説明図である。

【図６】上記超音波ウェット処理装置の第１ノズルの傾
斜角度と臨界流量との関係を示したグラフであって、縦
軸は上記臨界流量を示し、横軸は上記傾斜角度を示す。

【図７】従来の超音波ウェット処理装置の概略構成を示
す斜視図である。

【図８】（ａ）は、従来の超音波ウエット処理装置にお
いて、被処理基板の被処理面と第１ノズルの噴出口とを
水平にした様子を示す説明図であり、（ｂ）は、第１ノ
ズルおよび被処理基板を水平面から傾斜させた様子を示
す説明図である。

【符号の説明】

１第１ノズル（第１の処理液噴出手段）２被処理基板３第２ノズル（第２の処理液噴出手段）４ノズルケース（処理液流通部）５噴出口６流路７超音波振動素子８処理液供給孔９間仕切り板（分割手段）１０格納部Ｗ１ウェット処理液（処理液）Ｗ２ウェット処理液（処理液）Ｓ噴出高さ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｄ 21/30 ５７２ＢＦターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB01 BB24 BB32 BB84 BB90 BB92 BB93 BB95 4F041 AA05 AB01 BA13 BA15 5F046 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板の被処理面に対して、処理液を
重力に逆らって噴出するウェット処理装置において、水平面から傾斜した被処理基板と略平行に設けられてい
る噴出口および上記噴出口に処理液を供給する処理液流
通部を含み、上記被処理面に向かって処理液を噴出する
第１の処理液噴出手段と、上記処理液流通部を上記傾斜の方向に対して分割するこ
とにより少なくとも２以上の流路を形成する分割手段と
を備えることを特徴とするウェット処理装置。
【請求項２】被処理基板の被処理面の背向面に向けて処
理液を噴出する第２の処理液噴出手段をさらに備えるこ
とを特徴とする請求項１に記載のウェット処理装置。
【請求項３】分割手段が、少なくとも１枚の間仕切り板
であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェ
ット処理装置。
【請求項４】間仕切り板は、２以上の流路が完全に遮断
されるように処理液流通部を分割することを特徴とする
請求項３に記載のウェット処理装置。
【請求項５】間仕切り板の流路間で互いに処理液供給を
行う供給穴を設けたことを特徴とする請求項３または４
に記載のウェット処理装置。
【請求項６】間仕切り板が取り外し交換可能であること
を特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の
ウェット処理装置。
【請求項７】間仕切り板の位置を変更することにより、
上記処理液流通部の分割状態を変更可能であることを特
徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載のウェ
ット処理装置。
【請求項８】処理液流通部に超音波振動を付与する超音
波付与手段が備えられていることを特徴とする請求項１
ないし７のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
【請求項９】間仕切り板は、噴出口に対し略垂直に配設
したことを特徴とする請求項８に記載のウェット処理装
置。
【請求項１０】超音波の振動数が、０．１〜３ＭＨｚの
範囲にあることを特徴とする請求項８または９に記載の
ウェット処理装置。