JP2003085710A - Thin-film magnetic head and its manufacturing method - Google Patents

Thin-film magnetic head and its manufacturing method

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JP2003085710A
JP2003085710A JP2001273792A JP2001273792A JP2003085710A JP 2003085710 A JP2003085710 A JP 2003085710A JP 2001273792 A JP2001273792 A JP 2001273792A JP 2001273792 A JP2001273792 A JP 2001273792A JP 2003085710 A JP2003085710 A JP 2003085710A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film magnetic head capable of suppressing magnetic interference between a recording head and a reproducing head even in a high recording density and its manufacturing method, as for a piggy-back type thin- film magnetic head constituted of a recording head and a reproducing head formed via an insulating layer on the recording head. SOLUTION: A lower core layer 28 and an upper shield layer 26 are partially conducted and connected by a conductive layer 43. Thus, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are set to equal potentials. Even when a solvent used during manufacturing or moisture in air permeates a protective layer 44 to reach the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, the corrosion of the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 is properly suppressed by a battery effect.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、記録用ヘッドと、
前記記録用ヘッド上に絶縁層を介して形成された再生用
ヘッドとから構成されるピギーバック(piggy back)
型の薄膜磁気ヘッドに係り、特に高記録密度化において
も前記記録用ヘッドと再生用ヘッド間の磁気的な干渉を
抑制すると共に、耐腐食性を向上させることが可能な薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording head,
A piggyback including a reproducing head formed on the recording head via an insulating layer.
Type thin-film magnetic head, particularly capable of suppressing magnetic interference between the recording head and the reproducing head even at high recording density and improving corrosion resistance, and manufacturing thereof Regarding the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】図17は従来における薄膜磁気ヘッドの
構造の部分縦断面図である。ここで縦断面とは薄膜磁気
ヘッドをハイト方向(図示Y方向)であって膜厚方向と
平行に切断した断面のことを言う。縦断面の意味は以下
同じである。
17 is a partial vertical sectional view of the structure of a conventional thin film magnetic head. Here, the vertical section refers to a section obtained by cutting the thin-film magnetic head in the height direction (Y direction in the drawing) and parallel to the film thickness direction. The meaning of the longitudinal section is the same below.

【0003】図17に示す符号1は、アルミナ−チタン
カーバイト(Al23−TiC)からなるスライダであ
り、このスライダ1上にAl23膜2を介して薄膜磁気
ヘッド3が形成される。
Reference numeral 1 shown in FIG. 17 is a slider made of alumina-titanium carbide (Al 2 O 3 -TiC), and a thin film magnetic head 3 is formed on the slider 1 with an Al 2 O 3 film 2 interposed therebetween. To be done.

【0004】図17に示す薄膜磁気ヘッド3は、再生用
のMRヘッドh1と記録用のインダクティブヘッドh2
とが積層された構造であり、前記MRヘッドh2は磁性
材料製の下部シールド層4、例えば巨大磁気抵抗効果
(GMR効果)を利用した磁気抵抗効果素子5、前記下
部シールド層4上と前記磁気抵抗効果素子5の上下に形
成される絶縁材料製のギャップ層6、および前記ギャッ
プ層6上に形成された磁性材料製の上部シールド層7か
ら構成される。
A thin-film magnetic head 3 shown in FIG. 17 has a reproducing MR head h1 and a recording inductive head h2.
The MR head h2 has a lower shield layer 4 made of a magnetic material, for example, a magnetoresistive effect element 5 utilizing the giant magnetoresistive effect (GMR effect), the lower shield layer 4 and the magnetic layer. It is composed of a gap layer 6 made of an insulating material formed above and below the resistance effect element 5, and an upper shield layer 7 made of a magnetic material formed on the gap layer 6.

【0005】図17に示すタイプの薄膜磁気ヘッド3で
は、前記上部シールド層7がインダクティブヘッドh2
の下部コア層としても機能する。すなわち前記上部シー
ルド層7は、MRヘッドh1のシールドとしての機能
と、インダクティブヘッドh2のコアとしての機能の双
方を兼ね備える。
In a thin film magnetic head 3 of the type shown in FIG. 17, the upper shield layer 7 is an inductive head h2.
Also functions as the lower core layer of. That is, the upper shield layer 7 has both a function as a shield for the MR head h1 and a function as a core for the inductive head h2.

【0006】前記インダクティブヘッドh2は、下部コ
ア層7、Al23などで形成された磁気ギャップ層8、
コイル層9、前記コイル層9の上下に形成される絶縁層
10、および上部コア層11とから構成される。
The inductive head h2 includes a lower core layer 7, a magnetic gap layer 8 made of Al 2 O 3, etc.
It comprises a coil layer 9, an insulating layer 10 formed above and below the coil layer 9, and an upper core layer 11.

【0007】図17に示すように前記上部コア層11の
先端部11aは薄膜磁気ヘッド3の前端面(記録媒体D
と対向する側の面)で前記下部コア層7上に磁気ギャッ
プ層8を介して対向し、前記上部コア層11の基端部1
1bはハイト方向後方(図示Y方向)における下部コア
層7表面に磁気的に接続される。
As shown in FIG. 17, the tip end portion 11a of the upper core layer 11 is a front end face of the thin film magnetic head 3 (recording medium D).
The surface facing the lower core layer 7 with the magnetic gap layer 8 therebetween, and the base end portion 1 of the upper core layer 11
1b is magnetically connected to the surface of the lower core layer 7 on the rear side in the height direction (Y direction in the drawing).

【0008】前記上部コア層11上はAl23などで形
成された保護層12に覆われている。
The upper core layer 11 is covered with a protective layer 12 made of Al 2 O 3 or the like.

【0009】図17に示すように、前記薄膜磁気ヘッド
3の前端面(記録媒体Dと対向する側の面)には、所定
の厚みを持った例えばDLC(ダイヤモンドライクカー
ボン)で形成された保護層13が形成されている。
As shown in FIG. 17, the front end surface (the surface facing the recording medium D) of the thin film magnetic head 3 is protected by DLC (diamond-like carbon) having a predetermined thickness. The layer 13 is formed.

【0010】しかし図17に示す薄膜磁気ヘッドの構造
では以下の問題が発生した。すなわち図17に示す薄膜
磁気ヘッドでは、MRヘッドh1のシールドとして機能
する上部シールド層7がインダクティブヘッドh2の下
部コア層としても機能するため、例えば記録時における
下部コア層7の磁気的作用が、再生に切換えられた際に
も若干残り、前記下部コア層7の再生時における上部シ
ールドとしての機能を低減させる結果となり、特にこの
ような記録と再生との切換時における磁気的な干渉の問
題は高記録密度化にともなって益々顕著になった。
However, the structure of the thin film magnetic head shown in FIG. 17 has the following problems. That is, in the thin film magnetic head shown in FIG. 17, since the upper shield layer 7 that functions as a shield of the MR head h1 also functions as the lower core layer of the inductive head h2, the magnetic action of the lower core layer 7 during recording, for example, Even when the mode is switched to the reproducing mode, it remains slightly, resulting in reducing the function of the lower core layer 7 as the upper shield during the reproducing mode. Particularly, such a problem of magnetic interference at the time of switching between the recording mode and the reproducing mode. It became more and more prominent with the increase in recording density.

【0011】このため図17に示す薄膜磁気ヘッドの構
造は図18のように改良された。なお図18で図17と
同じ符号の層は、図17と同じ層を示している。図18
では、上部シールド層14と下部コア層15とが別々に
形成され、前記上部シールド層14と下部コア層15間
には、例えばAl23などの絶縁層16が介在してい
る。
Therefore, the structure of the thin film magnetic head shown in FIG. 17 has been improved as shown in FIG. In FIG. 18, the layers having the same reference numerals as those in FIG. 17 indicate the same layers as those in FIG. FIG.
In the above, the upper shield layer 14 and the lower core layer 15 are separately formed, and the insulating layer 16 such as Al 2 O 3 is interposed between the upper shield layer 14 and the lower core layer 15.

【0012】図18に示すようにMRヘッドh1とイン
ダクティブヘッドh2とが同じ層を兼用せず完全に分離
して形成される薄膜磁気ヘッドは、ピギーバック(pigg
y back)型の薄膜磁気ヘッドと呼ばれている。
As shown in FIG. 18, a thin film magnetic head in which the MR head h1 and the inductive head h2 are formed by being completely separated from each other without using the same layer, is a piggyback.
y back) type thin film magnetic head.

【0013】ピギーバック型の薄膜磁気ヘッドであれ
ば、高記録密度化においてもMRヘッドh1とインダク
ティブヘッドh2間での磁気的な干渉を抑制でき、記録
及び再生特性の双方を適切に向上させることができると
考えられた。
With the piggyback type thin film magnetic head, magnetic interference between the MR head h1 and the inductive head h2 can be suppressed even when the recording density is increased, and both the recording and reproducing characteristics are appropriately improved. It was thought to be possible.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図18に
示す構造の薄膜磁気ヘッドのように下部コア層15と上
部シールド層14とを分離すると、前記下部コア層15
と上部シールド層14とが腐食しやすくなるといった問
題点が指摘された。この問題点は高記録密度化が進むに
つれて益々顕著になる。
However, when the lower core layer 15 and the upper shield layer 14 are separated as in the thin film magnetic head having the structure shown in FIG. 18, the lower core layer 15 is separated.
It was pointed out that the upper shield layer 14 is easily corroded. This problem becomes more remarkable as the recording density becomes higher.

【0015】高記録密度化をより効果的に実現するに
は、スペーシングロスを低減させる必要がある。スペー
シングロスを低減させるには、図18に示す薄膜磁気ヘ
ッド3の前端面(記録媒体Dに対向する側の面)から前
記記録媒体D表面までの浮上距離H1を短くすればよ
い。
In order to realize the high recording density more effectively, it is necessary to reduce the spacing loss. In order to reduce the spacing loss, the flying distance H1 from the front end surface (the surface facing the recording medium D) of the thin film magnetic head 3 shown in FIG. 18 to the surface of the recording medium D may be shortened.

【0016】前記浮上距離H1を短くするには、前記薄
膜磁気ヘッド3が記録媒体D上に浮上した際の浮上量を
低減させること、また前記薄膜磁気ヘッド3の前端面に
形成された保護層13の膜厚T1を薄くする必要があ
る。
In order to shorten the flying distance H1, the flying height when the thin film magnetic head 3 flies above the recording medium D is reduced, and the protective layer formed on the front end surface of the thin film magnetic head 3 is reduced. It is necessary to reduce the film thickness T1 of 13.

【0017】しかしながら、前記保護層13の膜厚T1
を薄くすると、前記保護層13にはピンホール等の欠陥
が形成され、例えば前記磁気ヘッド3を製造する過程で
使用される溶剤や空気中の水分が前記保護層13内に浸
透して下部コア層15及び上部シールド層14にまで到
達しやすくなる。このとき下部コア層15と上部シール
ド層14間には電位差が生じているため、前記下部コア
層15と上部シールド層14間の電位差による電池効果
により、下部コア層15及び上部シールド層14の双
方、あるいはどちらか一方を特に腐食させるといった問
題が発生した。
However, the thickness T1 of the protective layer 13
When the thickness is reduced, defects such as pinholes are formed in the protective layer 13, and, for example, a solvent used in the process of manufacturing the magnetic head 3 or moisture in the air permeates into the protective layer 13 to lower the core. It is easy to reach the layer 15 and the upper shield layer 14. At this time, since a potential difference is generated between the lower core layer 15 and the upper shield layer 14, both the lower core layer 15 and the upper shield layer 14 are caused by the battery effect due to the potential difference between the lower core layer 15 and the upper shield layer 14. Or, there was a problem that one of them was particularly corroded.

【0018】また図18のようなピギーバック型の場合
は、下部コア層15と上部シールド層14とを別々に形
成することから、前記下部コア層15及び上部シールド
層14とを別々の磁性材料で形成することも可能であ
り、かかる場合、下部コア層15と上部シールド層14
間の電位差がさらに大きくなるため、特にイオン化傾向
が高い側の層が電池効果で激しく腐食し、記録特性及び
再生特性が大きく低下しやすい。
In the case of the piggyback type shown in FIG. 18, since the lower core layer 15 and the upper shield layer 14 are formed separately, the lower core layer 15 and the upper shield layer 14 are made of different magnetic materials. It is also possible to form the lower core layer 15 and the upper shield layer 14 in such a case.
Since the potential difference between the layers further increases, the layer having a particularly high ionization tendency is corroded violently due to the battery effect, and the recording characteristics and the reproducing characteristics are likely to be significantly deteriorated.

【0019】また上記した腐食の問題を解決することは
高記録密度化を図る上で重要であるが、耐腐食性を向上
させると同時に、ピギーバック型としたことの優位点、
すなわちMRヘッドh1とインダクティブヘッドh2間
の磁気的な干渉を適切に低減させるという効果が低下し
ないようにしなければならない。
Further, it is important to solve the above-mentioned problem of corrosion in order to increase the recording density, but at the same time as improving the corrosion resistance, the advantage of using the piggyback type,
That is, it is necessary to prevent the effect of appropriately reducing the magnetic interference between the MR head h1 and the inductive head h2 from decreasing.

【0020】そこで本発明は上記従来の課題を解決する
ためのものであり、特に、インダクティブヘッドとMR
ヘッド間の磁気的な干渉を低減させるという効果を保持
すると共に、下部コア層と上部シールド層間を導電層で
電気的に繋いで、前記下部コア層と上部シールド層とを
同電位にし、前記下部コア層と上部シールド層の耐腐食
性を適切に向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することを目的としている。
Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and, in particular, to an inductive head and an MR.
While maintaining the effect of reducing the magnetic interference between the heads, the lower core layer and the upper shield layer are electrically connected by a conductive layer so that the lower core layer and the upper shield layer have the same potential, An object of the present invention is to provide a thin film magnetic head capable of appropriately improving the corrosion resistance of the core layer and the upper shield layer, and a method of manufacturing the thin film magnetic head.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド
層と、磁気抵抗効果素子と、上部シールド層とを有する
再生用ヘッドと、前記上部シールド層上に絶縁層を介し
て対向する下部コア層と、磁気ギャップ層と、上部コア
層と、前記下部コア層と上部コア層間に形成されたコイ
ル層とを有する記録用ヘッドとからなる薄膜磁気ヘッド
において、前記上部シールド層と下部コア層間の一部
が、導電層で導通接続されていることを特徴とするもの
である。
According to the present invention, there is provided a reproducing head having a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer, and a lower core facing the upper shield layer with an insulating layer interposed therebetween. A thin film magnetic head comprising a layer, a magnetic gap layer, an upper core layer, and a coil layer formed between the lower core layer and the upper core layer. It is characterized in that a part thereof is electrically connected by a conductive layer.

【0022】本発明のように前記上部シールド層と下部
コア層の一部を導電層で導通接続させると前記上部シー
ルド層と下部コア層は同電位になるから、薄膜磁気ヘッ
ドの前端面(記録媒体と対向する側の面)に形成される
保護層がスペーシングロス低減のために薄くされても、
従来に比べて溶剤や空気中の水分の浸透などによって引
き起こされる電池効果は低減され、前記上部シールド層
と下部コア層との耐腐食性を向上させることができる。
When the upper shield layer and the lower core layer are partially electrically connected by a conductive layer as in the present invention, the upper shield layer and the lower core layer have the same potential, so that the front end face of the thin film magnetic head (recording) Even if the protective layer formed on the surface facing the medium) is thinned to reduce spacing loss,
The battery effect caused by permeation of solvent or moisture in the air is reduced as compared with the conventional case, and the corrosion resistance between the upper shield layer and the lower core layer can be improved.

【0023】また本発明のように前記上部シールド層と
下部コア層間を導電層で導通接続させても、前記導電層
は前記上部シールド層と下部コア層間の一部分にのみ設
けられているだけであるから、記録時及び再生時におけ
る下部コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を、前
記下部コア層と上部シールド層とを同一の層で兼用して
いた従来(図17の従来例)に比べて小さくでき、ピギ
ーバック型としての優位性を保つことが可能である。
Even when the upper shield layer and the lower core layer are electrically connected by a conductive layer as in the present invention, the conductive layer is provided only in a part between the upper shield layer and the lower core layer. Therefore, compared with the conventional case (the conventional example of FIG. 17) in which the lower core layer and the upper shield layer serve as magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer during recording and reproducing, The piggyback type can maintain its superiority.

【0024】本発明では、前記導電層は、磁性材料で形
成されてもよく、かかる場合、前記導電層は前記下部コ
ア層と同一材料で形成されることが好ましい。これによ
り前記導電層の製造工程を容易化できる。
In the present invention, the conductive layer may be formed of a magnetic material. In such a case, it is preferable that the conductive layer be formed of the same material as the lower core layer. This can facilitate the manufacturing process of the conductive layer.

【0025】また本発明では、前記導電層は、非磁性導
電材料で形成されることが好ましく、かかる場合、前記
非磁性導電材料には、NiP、Cu、Al、Cr、Au
から1種または2種以上が選択されることが好ましい。
前記導電層が非磁性導電材料で形成されていると、下部
コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉をより適切に
且つ容易に低減でき、ピギーバック型としての優位性を
適切に保つことができる。
Further, in the present invention, the conductive layer is preferably formed of a non-magnetic conductive material, and in such a case, the non-magnetic conductive material is NiP, Cu, Al, Cr, Au.
It is preferable to select one kind or two kinds or more.
When the conductive layer is formed of a non-magnetic conductive material, magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer can be more appropriately and easily reduced, and the superiority as a piggyback type can be appropriately maintained. it can.

【0026】また本発明では、前記上部コア層の基端部
はハイト方向後方で前記下部コア層上に磁気的に接続さ
れており、前記導電層の前端面は前記基端部の前端面よ
りもハイト方向後方に形成されることが好ましい。
Further, in the present invention, the base end portion of the upper core layer is magnetically connected to the lower core layer rearward in the height direction, and the front end face of the conductive layer is more than the front end face of the base end portion. Is also preferably formed rearward in the height direction.

【0027】あるいは本発明では、前記上部コア層と下
部コア層間は、ハイト方向後方でバックギャップ層を介
して磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前
記バックギャップ層の前端面よりもハイト方向後方に形
成されることが好ましい。
Alternatively, in the present invention, the upper core layer and the lower core layer are magnetically connected to each other in the height direction via a back gap layer, and the front end face of the conductive layer is the front end face of the back gap layer. It is preferable to be formed rearward in the height direction.

【0028】上記したように、前記導電層の前端面が、
上部コア層の基端部の前端面、あるいはバックギャップ
層の前端面よりもハイト側に形成されていると、前記導
電層が磁性材料であっても、下部コア層及び上部コア層
間を経る記録磁界が前記導電層を通って前記上部シール
ド層に影響を及ぼすことは少なくあるいは影響を及ぼす
ことが無く、したがって適切に記録時及び再生時の下部
コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を抑制でき
る。
As described above, the front end face of the conductive layer is
If it is formed on the front end face of the base end portion of the upper core layer or on the height side of the front end face of the back gap layer, even if the conductive layer is a magnetic material, recording is performed between the lower core layer and the upper core layer. A magnetic field has little or no effect on the upper shield layer through the conductive layer, and thus appropriately suppresses magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer during recording and reproduction. it can.

【0029】また本発明では、前記導電層の膜面と平行
な方向における断面積は、1μm2以上で500μm2
下で形成されることが好ましい。これにより、さらに適
切に記録時及び再生時の前記下部コア層と上部シールド
層間の磁気的な干渉を抑制することができる。
Further, in the present invention, it is preferable that the cross-sectional area of the conductive layer in the direction parallel to the film surface is 1 μm 2 or more and 500 μm 2 or less. This makes it possible to more appropriately suppress magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer during recording and reproduction.

【0030】また本発明では、前記下部コア層と前記上
部シールド層は異なる磁性材料で形成されることが好ま
しい。下部コア層に求められる磁気特性は特に高飽和磁
束密度Bsである。一方、前記上部シールド層に求めら
れる磁気特性は特に高透磁率や低磁歪定数であり、飽和
磁束密度Bsは下部コア層ほど高くする必要性がない。
このように下部コア層及び上部シールド層に必要な磁気
特性はそれぞれ異なるため、下部コア層及び上部シール
ド層をぞれぞれ異なる磁性材料で形成し、前記下部コア
層のコア機能及び上部シールド層のシールド機能を向上
させることが好ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that the lower core layer and the upper shield layer are made of different magnetic materials. The magnetic characteristics required for the lower core layer are particularly high saturation magnetic flux density Bs. On the other hand, the magnetic properties required for the upper shield layer are particularly high magnetic permeability and low magnetostriction constant, and the saturation magnetic flux density Bs need not be as high as that of the lower core layer.
Since the magnetic properties required for the lower core layer and the upper shield layer are different from each other, the lower core layer and the upper shield layer are made of different magnetic materials, and the core function of the lower core layer and the upper shield layer are formed. It is preferable to improve the shielding function of.

【0031】また本発明では、前記薄膜磁気ヘッドの前
端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、0.
5nm以上で5nm以下であることが好ましい。これに
より適切にスペーシングロスを低減でき、高記録密度化
に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。また本発明
では、前記保護層は、DLC(ダイヤモンドライクカー
ボン)、ta−C(Tetrahedral Amorphous Carbon)
のうち1種または2種以上で形成されることが好まし
い。
In the present invention, a protective layer is formed on the front end face of the thin film magnetic head, and the thickness of the protective layer is 0.
It is preferably 5 nm or more and 5 nm or less. As a result, the spacing loss can be appropriately reduced, and a thin film magnetic head that can cope with high recording density can be manufactured. In the present invention, the protective layer is formed of DLC (diamond-like carbon) or ta-C (Tetrahedral Amorphous Carbon).
Of these, it is preferable to be formed of one kind or two or more kinds.

【0032】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、以下の工程を有することを特徴とするものである。 (a)下部シールド層、磁気抵抗効果素子及び上部シー
ルド層を有する再生ヘッドを形成する工程と、(b)前
記上部シールド層上の一部に導電層を形成するととも
に、前記導電層の周囲に絶縁層を形成する工程と、
(c)前記絶縁層上から前記導電層上にかけて下部コア
層を形成する工程と、(d)前記下部コア層上にコイル
層、上部コア層を形成し、前記下部コア層、コイル層、
及び上部コア層を有する記録用ヘッドを形成する工程。
The method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention is characterized by including the following steps. (A) a step of forming a reproducing head having a lower shield layer, a magnetoresistive effect element and an upper shield layer, and (b) forming a conductive layer on a part of the upper shield layer and surrounding the conductive layer. A step of forming an insulating layer,
(C) forming a lower core layer from the insulating layer to the conductive layer, and (d) forming a coil layer and an upper core layer on the lower core layer, and forming the lower core layer, the coil layer,
And a step of forming a recording head having an upper core layer.

【0033】上記の本発明における薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、適切に且つ容易に下部コア層と上部シ
ールド層間の一部に導電層を形成でき前記下部コア層と
上部シールド層とを導通接続させ、前記下部コア層と上
部シールド層とを同電位にできることにより、耐腐食性
に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
According to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention described above, a conductive layer can be appropriately and easily formed in a part between the lower core layer and the upper shield layer to electrically connect the lower core layer and the upper shield layer. By connecting the lower core layer and the upper shield layer to the same potential, it is possible to manufacture a thin film magnetic head having excellent corrosion resistance.

【0034】また本発明では、前記(b)工程及び
(c)工程に代えて以下の工程を有することが好まし
い。(e)前記上部シールド層上に絶縁層を形成し、前
記絶縁層に前記上部シールド層にまで貫通する穴部を形
成し、前記穴部内から前記絶縁層上にかけてメッキ下地
層を形成する工程と、(f)前記メッキ下地層上に下部
コア層をメッキ形成し、前記穴部内に前記下部コア層と
一体となる導電層を形成する工程。
Further, in the present invention, it is preferable to have the following steps in place of the steps (b) and (c). (E) a step of forming an insulating layer on the upper shield layer, forming a hole in the insulating layer that penetrates to the upper shield layer, and forming a plating underlayer from the inside of the hole to the insulating layer. (F) A step of forming a lower core layer on the plating base layer by plating, and forming a conductive layer integrated with the lower core layer in the hole.

【0035】これにより前記下部コア層と導電層とを同
じ工程時に同時に形成できる。従って前記導電層の製造
を容易化できて好ましい。
Accordingly, the lower core layer and the conductive layer can be simultaneously formed in the same process. Therefore, it is preferable because the production of the conductive layer can be facilitated.

【0036】また本発明では、前記(d)工程で、前記
下部コア層上に磁気的に接続する上部コア層の基端部の
前端面を、あるいは前記(d)工程で、前記下部コア層
と上部コア層の基端部間に形成されるバックギャップ層
の前端面を、前記導電層の前端面より記録媒体側に位置
するように形成することが好ましい。これにより、より
適切に記録時及び再生時の下部コア層と上部シールド層
間の磁気的な干渉を抑制できる薄膜磁気ヘッドを製造す
ることができる。
Further, in the present invention, in the step (d), the front end face of the base end portion of the upper core layer magnetically connected to the lower core layer, or the lower core layer in the step (d) is used. It is preferable to form the front end surface of the back gap layer formed between the base end portions of the upper core layer and the upper core layer so as to be located closer to the recording medium than the front end surface of the conductive layer. As a result, it is possible to more appropriately manufacture a thin film magnetic head capable of suppressing magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer during recording and reproduction.

【0037】また本発明では、前記(c)工程及び
(f)工程で、前記下部コア層を上部シールド層とは異
なる磁性材料で形成することが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the lower core layer is made of a magnetic material different from that of the upper shield layer in the steps (c) and (f).

【0038】本発明の薄膜磁気ヘッドはピギーバック型
であるから前記下部コア層と上部シールド層とを別々の
磁性材料で形成することができる。このとき下部コア層
のコア機能を向上させるために必要な磁気特性、および
上部シールド層のシールド機能を向上させるために必要
な磁気特性を有する材質を選択することが好ましい。
Since the thin film magnetic head of the present invention is a piggyback type, the lower core layer and the upper shield layer can be formed of different magnetic materials. At this time, it is preferable to select a material having magnetic properties required to improve the core function of the lower core layer and magnetic properties required to improve the shield function of the upper shield layer.

【0039】また本発明では、前記(d)工程の後、前
記記録媒体との対向面に保護層を形成し、このとき前記
保護層の膜厚を、0.5nm以上で5nm以下で形成す
ることが好ましい。これによりスペーシングロスを低減
でき、高記録記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘ
ッドを製造することが可能である。
Further, in the present invention, after the step (d), a protective layer is formed on the surface facing the recording medium, and the thickness of the protective layer is 0.5 nm or more and 5 nm or less. It is preferable. As a result, it is possible to reduce the spacing loss and manufacture a thin film magnetic head that can appropriately cope with higher recording density.

【0040】また本発明では、前記保護層を、DLC
(ダイヤモンドライクカーボン)、ta−C(Tetrahed
ral Amorphous Carbon)のうち1種または2種以上で
形成することが好ましい。
Further, in the present invention, the protective layer is formed of DLC.
(Diamond-like carbon), ta-C (Tetrahed
Ral Amorphous Carbon) is preferably formed of one kind or two or more kinds.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】図1は本発明における第1実施形
態の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。なお以下で
は、図1に示す図示X方向をトラック幅方向と呼び、図
示Y方向をハイト方向と呼ぶ。図示Z方向は記録媒体D
の移動方向である。
1 is a partial vertical sectional view of a thin film magnetic head according to a first embodiment of the present invention. In the following, the X direction shown in FIG. 1 is called the track width direction, and the Y direction shown in the drawing is called the height direction. Recording medium D in the Z direction in the figure
Is the moving direction of.

【0042】図1に示す薄膜磁気ヘッドは、再生用のM
Rヘッドh1と記録用のインダクティブヘッドh2とが
兼用層を持たずにそれぞれ別々に分離形成されたピギー
バック型(piggy back)型と呼ばれるタイプの薄膜磁
気ヘッドである。
The thin film magnetic head shown in FIG.
The R head h1 and the recording inductive head h2 are thin film magnetic heads of a type called a piggy back type in which the R head h1 and the recording inductive head h2 are separately formed without having a shared layer.

【0043】図1に示す符号20は、アルミナ−チタン
カーバイト(Al23−TiC)などで形成されたスラ
イダである。本発明における薄膜磁気ヘッド21は、前
記スライダ20上にAl23やSiO2などの絶縁層2
2を介して形成される。
Reference numeral 20 shown in FIG. 1 is a slider formed of alumina-titanium carbide (Al 2 O 3 -TiC) or the like. The thin film magnetic head 21 according to the present invention comprises an insulating layer 2 such as Al 2 O 3 or SiO 2 on the slider 20.
2 is formed.

【0044】図1に示すように前記絶縁層22の上には
パーマロイ(NiFe系合金)やセンダスト(Fe−A
l−Si系合金)などの磁性材料で形成された下部シー
ルド層23が形成されている。
As shown in FIG. 1, permalloy (NiFe alloy) or sendust (Fe-A) is formed on the insulating layer 22.
A lower shield layer 23 made of a magnetic material such as an (1-Si alloy) is formed.

【0045】前記下部シールド層23上にはギャップ層
24を介して磁気抵抗効果素子25が形成される。前記
磁気抵抗効果素子25の前端面は、図1に示すように前
記薄膜磁気ヘッド21の前端面(記録媒体Dと対向する
側の面)と同一面上に形成される。前記磁気抵抗効果素
子25は、例えば巨大磁気抵抗効果(GMR効果)を利
用したスピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵
抗効果素子、トンネル効果(TMR効果)を利用したト
ンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気効果(AMR
効果)を利用した異方性磁気抵抗効果素子である。
A magnetoresistive effect element 25 is formed on the lower shield layer 23 via a gap layer 24. The front end surface of the magnetoresistive effect element 25 is formed on the same surface as the front end surface of the thin film magnetic head 21 (the surface facing the recording medium D), as shown in FIG. The magnetoresistive effect element 25 is, for example, a giant magnetoresistive effect element represented by a spin valve thin film element utilizing a giant magnetoresistive effect (GMR effect), or a tunnel type magnetoresistive effect type utilizing a tunnel effect (TMR effect). Element, anisotropic magnetic effect (AMR
Is an anisotropic magnetoresistive effect element utilizing the effect.

【0046】図1に示すようにギャップ層24は前記磁
気抵抗効果素子25上にも形成され、前記磁気抵抗効果
素子25の上下(図示Z方向)が前記ギャップ層24に
よって囲まれた状態になっている。なお通常、前記磁気
抵抗効果素子25の下側に形成されるギャップ層24を
下部ギャップ層、前記磁気抵抗効果素子25の上側に形
成されるギャップ層24を上部ギャップ層と呼ぶが、図
1では前記下部ギャップ層と上部ギャップ層を図面的に
簡略し、一つのギャップ層24として示している。
As shown in FIG. 1, the gap layer 24 is also formed on the magnetoresistive effect element 25, and the upper and lower sides (Z direction in the drawing) of the magnetoresistive effect element 25 are surrounded by the gap layer 24. ing. Normally, the gap layer 24 formed below the magnetoresistive effect element 25 is called a lower gap layer, and the gap layer 24 formed above the magnetoresistive effect element 25 is called an upper gap layer. The lower gap layer and the upper gap layer are simplified in the drawing and shown as one gap layer 24.

【0047】図1に示すように前記ギャップ層24上に
はパーマロイなどの磁性材料で形成された上部シールド
層26が形成されている。
As shown in FIG. 1, an upper shield layer 26 made of a magnetic material such as permalloy is formed on the gap layer 24.

【0048】図1に示すように、前記下部シールド層2
3及び上部シールド層26の前端面は、磁気抵抗効果素
子25の前端面とともに薄膜磁気ヘッド21の前端面
(記録媒体Dと対向する側の面)と同一面上に形成され
る。
As shown in FIG. 1, the lower shield layer 2
3 and the front end surfaces of the upper shield layer 26 are formed on the same surface as the front end surface of the magnetoresistive effect element 25 and the front end surface of the thin film magnetic head 21 (the surface facing the recording medium D).

【0049】図1に示す下部シールド層23から上部シ
ールド層26までが再生用ヘッド、すなわちMRヘッド
h1である。
The portion from the lower shield layer 23 to the upper shield layer 26 shown in FIG. 1 is the reproducing head, that is, the MR head h1.

【0050】図1に示すように前記上部シールド層26
上にはAl23やSiO2などの絶縁材料で形成された
絶縁層(分離層)27が形成されている。
As shown in FIG. 1, the upper shield layer 26 is formed.
An insulating layer (separation layer) 27 made of an insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed on the top.

【0051】図1に示すように前記絶縁層27上にはN
iFe系合金(パーマロイ)などの磁性材料で形成され
た下部コア層28が形成されている。
As shown in FIG. 1, N is formed on the insulating layer 27.
A lower core layer 28 made of a magnetic material such as an iFe alloy (permalloy) is formed.

【0052】前記下部コア層28上には前記薄膜磁気ヘ
ッド21の前端面からハイト方向(図示Y方向)に離れ
た位置に、例えば有機材料で形成されたGd決め層29
が形成されている。前記Gd決め層29よりもさらにハ
イト方向後方(図示Y方向)には、磁性材料製のバック
ギャップ層30が形成されている。前記バックギャップ
層30は前記下部コア層28と磁気的に接続されてい
る。
A Gd determining layer 29 made of, for example, an organic material is formed on the lower core layer 28 at a position apart from the front end face of the thin film magnetic head 21 in the height direction (Y direction in the drawing).
Are formed. A back gap layer 30 made of a magnetic material is formed further behind the Gd determining layer 29 in the height direction (Y direction in the drawing). The back gap layer 30 is magnetically connected to the lower core layer 28.

【0053】図1に示すように前記Gd決め層29上か
ら薄膜磁気ヘッド21の前端面(記録媒体Dと対向する
側の面)にかけて、下から下部磁極層31、磁気ギャッ
プ層32及び上部磁極層33からなる磁極層34が形成
されている。前記下部磁極層31や上部磁極層33はN
iFe系合金、CoFe系合金、CoFeNi系合金な
どの磁性材料で形成される。一方、前記磁気ギャップ層
32はNiPなどのメッキ形成可能な非磁性導電材料で
形成される。
As shown in FIG. 1, the lower magnetic pole layer 31, the magnetic gap layer 32, and the upper magnetic pole are formed from the bottom to the front end surface (the surface facing the recording medium D) of the thin film magnetic head 21 from the Gd determining layer 29. A pole layer 34 including the layer 33 is formed. The lower magnetic pole layer 31 and the upper magnetic pole layer 33 are N
It is formed of a magnetic material such as an iFe-based alloy, a CoFe-based alloy, a CoFeNi-based alloy. On the other hand, the magnetic gap layer 32 is formed of a non-magnetic conductive material such as NiP that can be plated.

【0054】図1に示すように前記磁極層34とバック
ギャップ層30間であって前記下部コア層28上には、
Al23などの絶縁下地層35を介して、Cuなどの非
磁性導電材料で形成された第1コイル層36が巻回形成
されている。
As shown in FIG. 1, between the pole layer 34 and the back gap layer 30 and on the lower core layer 28,
A first coil layer 36 made of a non-magnetic conductive material such as Cu is wound around an insulating underlying layer 35 such as Al 2 O 3 .

【0055】前記第1コイル層36の各導体部間はレジ
ストなどの有機絶縁材料層37によって埋められてお
り、前記第1コイル層36上及び前記有機絶縁材料層3
7上はAl23などの無機絶縁材料層38などによって
覆われている。前記無機絶縁材料層38、磁極層34及
びバックギャップ層30のそれぞれの表面はCMP技術
等を用いて平坦化されている。
A space between the conductor portions of the first coil layer 36 is filled with an organic insulating material layer 37 such as a resist, and the first coil layer 36 and the organic insulating material layer 3 are filled with each other.
7 is covered with a layer 38 of an inorganic insulating material such as Al 2 O 3 . The surfaces of the inorganic insulating material layer 38, the pole layer 34, and the back gap layer 30 are planarized by using the CMP technique or the like.

【0056】図1に示すように、前記無機絶縁材料層3
8上には第2コイル層39が巻回形成されている。図1
に示すように前記第2コイル層39はレジストなどの有
機絶縁材料層40によって覆われており、さらに前記有
機絶縁材料層40上にはNiFe系合金などの磁性材料
で形成された上部コア層41が例えばフレームメッキ法
などで形成されている。図1に示すように前記上部コア
層41の先端部41aは、前記上部磁極層33上に磁気
的に接続されている。この実施形態では前記先端部41
aの前端面は、薄膜磁気ヘッド21の前端面(記録媒体
Dと対向する側の面)と同一面上で形成されず、ハイト
方向(図示Y方向)に後退しているが、前記先端部41
aの前端面が前記薄膜磁気ヘッド21の前端面と同一面
上に形成されていてもよい。
As shown in FIG. 1, the inorganic insulating material layer 3 is formed.
The second coil layer 39 is wound on the coil 8. Figure 1
2, the second coil layer 39 is covered with an organic insulating material layer 40 such as a resist, and on the organic insulating material layer 40, an upper core layer 41 formed of a magnetic material such as a NiFe alloy. Are formed by, for example, a frame plating method. As shown in FIG. 1, the tip portion 41 a of the upper core layer 41 is magnetically connected to the upper magnetic pole layer 33. In this embodiment, the tip 41
The front end surface of a is not formed on the same surface as the front end surface of the thin film magnetic head 21 (the surface facing the recording medium D), and is recessed in the height direction (Y direction in the drawing). 41
The front end face of a may be formed on the same plane as the front end face of the thin film magnetic head 21.

【0057】また前記上部コア層41の基端部41bは
前記バックギャップ層30上に磁気的に接続されてい
る。
The base end portion 41b of the upper core layer 41 is magnetically connected to the back gap layer 30.

【0058】図1に示す下部コア層28から上部コア層
41までの各層で記録用ヘッド、すなわちインダクティ
ブヘッドh2が構成される。
Each layer from the lower core layer 28 to the upper core layer 41 shown in FIG. 1 constitutes a recording head, that is, an inductive head h2.

【0059】インダクティブヘッドh2では、前記第1
コイル層36及び第2コイル層39に記録電流が流れる
と記録磁界が発生し、上部磁極層33−上部コア層41
−バックギャップ層30−下部コア層28−下部磁極層
31を経る磁路が形成される。前記磁気ギャップ層32
を挟んだ下部磁極層31と上部磁極層33間からの漏れ
磁界によって記録媒体Dに信号が記録される。
In the inductive head h2, the first
When a recording current flows through the coil layer 36 and the second coil layer 39, a recording magnetic field is generated, and the upper magnetic pole layer 33-the upper core layer 41.
A magnetic path passing through the back gap layer 30, the lower core layer 28, and the lower magnetic pole layer 31 is formed. The magnetic gap layer 32
A signal is recorded on the recording medium D by the leakage magnetic field from between the lower magnetic pole layer 31 and the upper magnetic pole layer 33 sandwiching the magnetic field.

【0060】図1に示すように、前記上部コア層41上
はAl23などの保護層42によって覆われている。ま
た図1に示すように前記薄膜磁気ヘッド21の前端面
(記録媒体Dと対向する側の面)には保護層44が形成
されている。前記保護層44はDLC(ダイヤモンドラ
イクカーボン)、ta−C(Tetrahedral AmorphousCa
rbon)のうち1種または2種以上で形成されることが好
ましい。
As shown in FIG. 1, the upper core layer 41 is covered with a protective layer 42 such as Al 2 O 3 . Further, as shown in FIG. 1, a protective layer 44 is formed on the front end surface (the surface facing the recording medium D) of the thin film magnetic head 21. The protective layer 44 is formed of DLC (diamond-like carbon), ta-C (Tetrahedral Amorphous Ca).
It is preferable that one or more of rbon) are formed.

【0061】本発明における薄膜磁気ヘッドの特徴的部
分について以下に説明する。上部シールド層26と下部
コア層28間の一部は、導電層43によって導通接続さ
れている。前記導電層43によって前記上部シールド層
26と下部コア層28間が導通接続されると前記上部シ
ールド層26と下部コア層28とを同電位にすることが
可能である。
Characteristic portions of the thin film magnetic head of the present invention will be described below. A part of the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 is electrically connected by the conductive layer 43. When the conductive layer 43 electrically connects between the upper shield layer 26 and the lower core layer 28, the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 can have the same potential.

【0062】このため前記薄膜磁気ヘッド21の製造工
程時に、前記薄膜磁気ヘッドを溶剤に浸したとき、前記
薄膜磁気ヘッド21の前端面に形成された保護膜43か
ら前記溶剤が浸透して、また磁気ヘッドの駆動時のとき
などに空気中の水分が前記薄膜磁気ヘッド21の前端面
に形成された保護膜43から浸透して、前記溶剤や水分
が前記上部シールド層26及び下部コア層28に到達し
ても、前記上部シールド層26と下部コア層28間には
電気効果が発生しにくくあるいは発生せず、前記上部シ
ールド層26及び下部コア層28の腐食を従来に比べて
適切に抑制することができる。
Therefore, when the thin film magnetic head is immersed in a solvent during the manufacturing process of the thin film magnetic head 21, the solvent permeates from the protective film 43 formed on the front end surface of the thin film magnetic head 21, and Moisture in the air permeates from the protective film 43 formed on the front end surface of the thin-film magnetic head 21 when the magnetic head is driven, and the solvent and water penetrate the upper shield layer 26 and the lower core layer 28. Even if it reaches, an electric effect is hard to occur or does not occur between the upper shield layer 26 and the lower core layer 28, and corrosion of the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 is appropriately suppressed as compared with the conventional case. be able to.

【0063】また本発明のように前記上部シールド層2
6と下部コア層28間を導電層43で導通接続させて
も、前記導電層43は前記上部シールド層26と下部コ
ア層28間の一部分にのみ設けられているだけであるか
ら、下部コア層28と上部シールド層26間の磁気的な
干渉を、前記下部コア層28と上部シールド層26とを
同一の層で形成していた従来(図17の従来例)に比べ
て小さくでき、ピギーバック型としての優位性を適切に
保つことが可能である。また前記導電層43が非磁性導
電材料で形成されていると、前記下部コア層28と上部
シールド層26間の磁気的な干渉を、前記導電層43が
形成されていない従来(図18の従来例)と同様に緩和
でき、より適切にピギーバック型としての優位性を保つ
ことが可能になる。
Further, as in the present invention, the upper shield layer 2
6 and the lower core layer 28 are electrically connected by the conductive layer 43, the conductive layer 43 is provided only in a part between the upper shield layer 26 and the lower core layer 28. Magnetic interference between the lower shield layer 28 and the upper shield layer 26 can be made smaller than in the conventional case (the conventional example of FIG. 17) in which the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are formed of the same layer, and the piggyback is achieved. It is possible to properly maintain the superiority as a mold. Further, when the conductive layer 43 is formed of a non-magnetic conductive material, magnetic interference between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 may be prevented and the conventional conductive layer 43 may not be formed (see the conventional structure of FIG. 18). It can be relaxed in the same way as the example), and it becomes possible to more appropriately maintain the superiority of the piggyback type.

【0064】また本発明では、前記薄膜磁気ヘッド21
の前端面に形成された保護層44の膜厚は、0.5nm
以上で5nm以下であることが好ましい。これにより前
記薄膜磁気ヘッド21の前端面と記録媒体D間の浮上距
離H2を縮めることができ、スペーシングロスの低減を
図ることができる。また本発明では、このように保護層
44の膜厚が薄く形成されることにより、前記保護層4
4にピンホール等の欠陥が形成され、薄膜磁気ヘッド2
1の製造工程時に使用される溶剤や空気中の水分が下部
コア層28及び上部シールド層26にまでより浸透しや
すくなっても、本発明では上記したように前記下部コア
層28と上部シールド層26とが同電位にされたこと
で、前記下部コア層28及び上部シールド層26間に電
池効果が発生しにくく、前記下部コア層28及び上部シ
ールド層26は従来に比べて腐食され難くなり、再生特
性及び記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造すること
が可能になっている。
In the present invention, the thin film magnetic head 21 is also used.
The thickness of the protective layer 44 formed on the front end surface of the
It is preferably 5 nm or less. As a result, the flying distance H2 between the front end surface of the thin film magnetic head 21 and the recording medium D can be shortened, and the spacing loss can be reduced. Further, in the present invention, the protective layer 44 is formed thin as described above, so that the protective layer 4 is formed.
4 has a defect such as a pinhole, and the thin film magnetic head 2
Even if the solvent or water in the air used in the manufacturing process of No. 1 easily penetrates into the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, in the present invention, as described above, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are By setting the same potential as 26, a battery effect is less likely to occur between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, and the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are less likely to be corroded as compared with the conventional case. It is possible to manufacture a thin film magnetic head having excellent reproduction characteristics and recording characteristics.

【0065】次に前記導電層43の材質について以下に
説明する。前記導電層43は磁性材料で形成されてもよ
い。本発明では前記導電層43が磁性材料で形成されて
も、前記導電層43は下部コア層28と上部シールド層
26間の一部にのみ形成されているだけであるから、従
来のように下部コア層28と上部シールド層26とが同
一の層で形成されていた場合に比べて、記録時及び再生
時における前記下部コア層28と上部シールド層26間
の磁気的な干渉を適切に抑制でき、ピギーバック型とし
ての優位性を保つことが可能である。
Next, the material of the conductive layer 43 will be described below. The conductive layer 43 may be formed of a magnetic material. In the present invention, even if the conductive layer 43 is formed of a magnetic material, the conductive layer 43 is formed only in a part between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26. Compared to the case where the core layer 28 and the upper shield layer 26 are formed of the same layer, magnetic interference between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 during recording and reproducing can be appropriately suppressed. It is possible to maintain the superiority of the piggyback type.

【0066】また特に前記導電層43を磁性材料で形成
する場合、前記導電層43を前記下部コア層28と同一
材料で形成でき、前記導電層43の形成を容易化でき
る。
Further, particularly when the conductive layer 43 is formed of a magnetic material, the conductive layer 43 can be formed of the same material as the lower core layer 28, and the formation of the conductive layer 43 can be facilitated.

【0067】図2は、下部コア層28と導電層43とが
同一材料で形成されて一体化された状態を示す部分拡大
縦断面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged vertical cross-sectional view showing a state in which the lower core layer 28 and the conductive layer 43 are formed of the same material and integrated.

【0068】図2に示すように前記上部シールド層26
上には絶縁層27が形成され、この絶縁層43には前記
上部シールド層26上面にまで貫通する穴部27aが形
成されている。そして前記絶縁層27上から前記穴部2
7aから露出する上部シールド層26上にかけてメッキ
下地層45が形成されている。前記メッキ下地層45は
NiFe系合金などであり、例えばスパッタ成膜され
る。そして前記メッキ下地層45上に下部コア層28を
電気メッキ法によりメッキ形成する。このとき前記絶縁
層27に形成された穴部27a内にもメッキ層が形成さ
れ、このメッキ層は前記下部コア層28と上部シールド
層26間を導通接続させる導電層43として機能するの
である。
As shown in FIG. 2, the upper shield layer 26 is formed.
An insulating layer 27 is formed on the upper side, and a hole 27a is formed in the insulating layer 43 so as to penetrate to the upper surface of the upper shield layer 26. Then, from the top of the insulating layer 27 to the hole 2
A plating base layer 45 is formed on the upper shield layer 26 exposed from 7a. The plating base layer 45 is made of a NiFe alloy or the like, and is formed by sputtering, for example. Then, the lower core layer 28 is formed on the plating base layer 45 by electroplating. At this time, a plating layer is also formed in the hole 27a formed in the insulating layer 27, and this plating layer functions as a conductive layer 43 for electrically connecting the lower core layer 28 and the upper shield layer 26.

【0069】あるいは本発明では前記導電層43は、下
部コア層28とは別個に形成されてもよい。その状態は
図3の部分拡大断面図に示されている。
Alternatively, in the present invention, the conductive layer 43 may be formed separately from the lower core layer 28. This state is shown in the partially enlarged sectional view of FIG.

【0070】図3に示す前記上部シールド層26上には
導電層43が形成されている。前記導電層43は、磁性
材料で形成されていてもよいし、非磁性導電材料で形成
されていてもよい。
A conductive layer 43 is formed on the upper shield layer 26 shown in FIG. The conductive layer 43 may be made of a magnetic material or a non-magnetic conductive material.

【0071】図3に示すように前記導電層43の周囲は
前記絶縁層27によって覆われている。図3に示すよう
に、前記導電層43の上面と前記絶縁層27の上面とが
同一平面で形成されることが好ましいがそうでなくても
よい。前記導電層43の上面から前記絶縁層27の上面
にかけてメッキ下地層46が形成され、前記メッキ下地
層46上に下部コア層28がメッキ形成されている。
As shown in FIG. 3, the periphery of the conductive layer 43 is covered with the insulating layer 27. As shown in FIG. 3, it is preferable that the upper surface of the conductive layer 43 and the upper surface of the insulating layer 27 are formed in the same plane, but it is not necessary. A plating underlayer 46 is formed from the upper surface of the conductive layer 43 to the upper surface of the insulating layer 27, and the lower core layer 28 is plated on the plating underlayer 46.

【0072】なお前記導電層43が非磁性導電材料で形
成されると上記したように、下部コア層28と上部シー
ルド層26間の記録時及び再生時における磁気的な干渉
を、従来のピギーバック型の薄膜磁気ヘッドと同等に抑
制でき、ピギーバック型としての優位性を効果的に保つ
ことができる。
When the conductive layer 43 is made of a non-magnetic conductive material, as described above, magnetic interference between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 at the time of recording and reproducing is prevented by the conventional piggyback. Type thin-film magnetic head, and can effectively maintain its superiority as a piggyback type.

【0073】また本発明では前記非磁性導電材料には、
NiP、Cu、Al、Cr、Auから1種または2種以
上が選択されることが好ましい。
In the present invention, the non-magnetic conductive material is
It is preferable to select one kind or two or more kinds from NiP, Cu, Al, Cr and Au.

【0074】次に前記導電層29の形成位置について以
下に説明する。図4は薄膜磁気ヘッド21を上から見た
部分平面図であるが、前記導電層29の形成位置を見や
すくするため、前記薄膜磁気ヘッド29を構成する上部
シールド層26、導電層43、下部コア層28及びバッ
クギャップ層30のみが主として図示されている。
Next, the formation position of the conductive layer 29 will be described below. FIG. 4 is a partial plan view of the thin-film magnetic head 21 as seen from above. In order to make it easier to see the formation position of the conductive layer 29, the upper shield layer 26, the conductive layer 43, and the lower core constituting the thin-film magnetic head 29 are shown. Only layer 28 and back gap layer 30 are mainly shown.

【0075】図4に示すように、前記導電層29の前端
面43aは、前記バックギャップ層30の前端面30a
よりもハイト方向後方(図示Y方向)に後退して形成さ
れていることが好ましい。
As shown in FIG. 4, the front end face 43a of the conductive layer 29 is the front end face 30a of the back gap layer 30.
It is preferable to be formed so as to recede rearward in the height direction (Y direction in the drawing).

【0076】本発明における薄膜磁気ヘッド21のイン
ダクティブヘッドh2では記録時、上部磁極層33−上
部コア層41−バックギャップ層30−下部コア層28
−下部磁極層31を経る磁路が形成される。
In the inductive head h2 of the thin film magnetic head 21 of the present invention, at the time of recording, the upper magnetic pole layer 33-the upper core layer 41-the back gap layer 30-the lower core layer 28.
A magnetic path through the bottom pole layer 31 is formed.

【0077】このとき仮に前記導電層43が磁性材料で
あり、前記導電層43の前端面43aが前記バックギャ
ップ層30の前端面30aよりも記録媒体D側(図示Y
方向とは逆方向)にあると、記録磁界の一部は、前記バ
ックギャップ層30から前記下部コア層28及び前記導
電層43を介して上部シールド層26に導かれやすくな
る。
At this time, if the conductive layer 43 is a magnetic material, the front end face 43a of the conductive layer 43 is closer to the recording medium D side than the front end face 30a of the back gap layer 30 (Y in the drawing).
In the direction opposite to the direction), part of the recording magnetic field is easily guided from the back gap layer 30 to the upper shield layer 26 via the lower core layer 28 and the conductive layer 43.

【0078】このため前記記録磁界の一部が前記導電層
43を介して上部シールド層26に導かれないようにす
るためには、前記導電層43の前端面43aは、前記バ
ックギャップ層30の前端面30aよりもハイト方向後
方(図示Y方向)に後退して形成されていることが好ま
しい。これにより記録磁界は導電層43を介して上部シ
ールド層26に導かれ難くなり、記録時及び再生時にお
いて、従来(図18を参照)のピギーバック型の薄膜磁
気ヘッドと同様に下部コア層28と上部シールド層26
間の磁気的な干渉を小さくできる薄膜磁気ヘッドを製造
することができる。
Therefore, in order to prevent a part of the recording magnetic field from being guided to the upper shield layer 26 via the conductive layer 43, the front end face 43a of the conductive layer 43 is formed on the back gap layer 30. It is preferable that the front end face 30a is formed so as to recede rearward in the height direction (Y direction in the drawing). This makes it difficult for the recording magnetic field to be guided to the upper shield layer 26 via the conductive layer 43, and at the time of recording and reproducing, as in the conventional piggyback type thin film magnetic head (see FIG. 18), the lower core layer 28 is formed. And the upper shield layer 26
It is possible to manufacture a thin film magnetic head capable of reducing magnetic interference between the thin film magnetic head and the magnetic head.

【0079】またより好ましくは、前記導電層43の前
端面43aは、前記バックギャップ層30の後端面30
bよりもハイト方向後方(図示Y方向)に形成されてい
る方が、前記記録磁界が前記導電層43を介して上部シ
ールド層26に導かれるのをより効果的に抑制でき、記
録時及び再生時において、下部コア層28と上部シール
ド層26間の磁気的な干渉をより小さくできる薄膜磁気
ヘッドを製造することができる。
Further preferably, the front end face 43a of the conductive layer 43 is the rear end face 30 of the back gap layer 30.
It is possible to more effectively suppress the recording magnetic field from being guided to the upper shield layer 26 via the conductive layer 43 when it is formed behind b in the height direction (Y direction in the drawing), and at the time of recording and reproduction. At times, it is possible to manufacture a thin film magnetic head capable of further reducing magnetic interference between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26.

【0080】また前記導電層43は下部コア層28及び
上部シールド層26のトラック幅方向(図示X方向)の
真ん中に形成されていることが好ましい。前記下部コア
層28及び上部シールド層26に対する外部磁場の影響
等を弱くすることができ、再生特性及び記録特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
The conductive layer 43 is preferably formed in the middle of the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 in the track width direction (X direction in the drawing). The influence of an external magnetic field on the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 can be weakened, and a thin film magnetic head having excellent reproduction characteristics and recording characteristics can be manufactured.

【0081】なお前記導電層43が非磁性導電材料で形
成される場合は、記録磁界が前記下部コア層28から前
記導電層43を介して上部シールド層26に導かれるこ
とはないので、前記導電層43の前端面43aがバック
ギャップ層30の前端面30aより記録媒体D側に位置
していても、前記導電層43が磁性材料で形成されてい
る場合に比べて、下部コア層28と上部シールド層26
間で磁気的な干渉が大きくなる等の問題は生じないもの
と考えられる。
When the conductive layer 43 is made of a non-magnetic conductive material, the recording magnetic field is not guided from the lower core layer 28 to the upper shield layer 26 through the conductive layer 43, so Even if the front end face 43a of the layer 43 is located closer to the recording medium D side than the front end face 30a of the back gap layer 30, compared to the case where the conductive layer 43 is made of a magnetic material, the lower core layer 28 and the upper part Shield layer 26
It is considered that problems such as increased magnetic interference between the two will not occur.

【0082】また本発明では図5(本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの第2実施形態であり、前記薄膜磁気ヘッドの部分
縦断面図である)のように、上部コア層41とバックギ
ャップ層30とが一体化し、前記上部コア層41の基端
部41bが前記下部コア層28上面に磁気的に接続され
ていてもよい。
Further, in the present invention, as shown in FIG. 5 (which is a second embodiment of the thin film magnetic head of the present invention and is a partial longitudinal sectional view of the thin film magnetic head), an upper core layer 41 and a back gap layer 30 are provided. May be integrated, and the base end portion 41b of the upper core layer 41 may be magnetically connected to the upper surface of the lower core layer 28.

【0083】かかる場合でも、前記導電層43の前端面
43aは、前記基端部41bの前端面41cよりもハイ
ト方向後方(図示Y方向)に後退して形成されているこ
とが好ましく、より好ましくは前記基端部41bの後端
面41dよりもハイト方向後方に形成されていることで
ある。これにより前記導電層43が磁性材料で形成され
ている場合でも記録磁界が下部コア層28から前記導電
層43を介して上部シールド層26に導かれるのを適切
に抑制でき、今後の高記録密度化においても記録特性及
び再生特性に優れた薄膜磁気ヘッド21を形成すること
が可能である。なお図5は上部コア層41の基端部41
b構造が図1と異なるだけで、その他の構造は図1と同
じであるので、説明を省略する。
Even in such a case, it is preferable that the front end face 43a of the conductive layer 43 is formed so as to recede rearward in the height direction (Y direction in the drawing) from the front end face 41c of the base end portion 41b, and more preferably. Is formed rearward in the height direction with respect to the rear end surface 41d of the base end portion 41b. Accordingly, even when the conductive layer 43 is made of a magnetic material, it is possible to appropriately suppress the recording magnetic field from being guided from the lower core layer 28 to the upper shield layer 26 via the conductive layer 43, and to achieve a high recording density in the future. It is possible to form the thin-film magnetic head 21 excellent in recording characteristics and reproducing characteristics even in the realization. Note that FIG. 5 shows the base end portion 41 of the upper core layer 41.
The structure b is different from that of FIG. 1, and the other structures are the same as those of FIG.

【0084】また前記導電層43の膜面(図示X方向と
Y方向とで形成される面)と平行な方向における断面積
は、1μm2以上で500μm2以下で形成されることが
好ましい。前記導電層43の膜面と平行な方向の断面積
が1μm2よりも小さくなると、前記導電層43の形成
を所定形状で形成することが困難で、前記下部コア層2
8と上部シールド層26間を適切に導通接続させにくく
なり好ましくない。
The cross-sectional area in the direction parallel to the film surface of the conductive layer 43 (the surface formed by the X direction and the Y direction in the drawing) is preferably 1 μm 2 or more and 500 μm 2 or less. If the cross-sectional area in the direction parallel to the film surface of the conductive layer 43 is smaller than 1 μm 2 , it is difficult to form the conductive layer 43 in a predetermined shape, and the lower core layer 2
8 and the upper shield layer 26 are not preferable because it is difficult to make a proper conductive connection between them.

【0085】一方、前記導電層43の膜面と平行な方向
の断面積が500μm2よりも大きくなると、特に前記
導電層43が磁性材料で形成される場合、記録時及び再
生時において前記下部コア層28と上部シールド層26
間が磁気的に干渉しやすくなり、ピギーバック型として
の優位性を保てなくなり好ましくない。
On the other hand, when the cross-sectional area of the conductive layer 43 in the direction parallel to the film surface is larger than 500 μm 2 , the lower core is formed during recording and reproduction, especially when the conductive layer 43 is made of a magnetic material. Layer 28 and top shield layer 26
Magnetic interference easily occurs between them, and the superiority as a piggyback type cannot be maintained, which is not preferable.

【0086】また本発明では、前記導電層43の膜面と
平行な方向の断面積は、下部コア層28の膜面と平行な
方向の断面積に対し0.1%以上で60%以下であるこ
とが好ましい。また前記導電層43の膜面と平行な方向
の断面積は、上部シールド層26の膜面と平行な方向の
断面積に対し0.05%以上で30%以下であることが
好ましい。理由は上記した導電層43の断面積の数値限
定の理由と同様である。
In the present invention, the cross-sectional area of the conductive layer 43 in the direction parallel to the film surface is 0.1% or more and 60% or less of the cross-sectional area of the lower core layer 28 in the direction parallel to the film surface. Preferably there is. The cross-sectional area of the conductive layer 43 in the direction parallel to the film surface is preferably 0.05% or more and 30% or less of the cross-sectional area of the upper shield layer 26 in the direction parallel to the film surface. The reason is the same as the reason for limiting the numerical value of the cross-sectional area of the conductive layer 43 described above.

【0087】次に前記導電層43の形状について以下に
説明する。図4に示すように前記導電層43の膜面と平
行な方向における断面の形状は略四角形であるが、前記
断面の形状が略丸形状等であってもかまわない。また前
記導電層43の縦断面の形状は図1では略直方形状であ
るが、これが略台形状など他の形状であってもかまわな
い。
Next, the shape of the conductive layer 43 will be described below. As shown in FIG. 4, the shape of the cross section in the direction parallel to the film surface of the conductive layer 43 is substantially quadrangular, but the shape of the cross section may be substantially round or the like. Further, the shape of the vertical cross section of the conductive layer 43 is a substantially rectangular shape in FIG. 1, but it may be another shape such as a substantially trapezoidal shape.

【0088】次に前記導電層43以外の図1の薄膜磁気
ヘッド21の特徴的部分について以下に説明する。
Characteristic portions of the thin film magnetic head 21 of FIG. 1 other than the conductive layer 43 will be described below.

【0089】図1に示すように下部シールド層23と上
部シールド層26間の一部にも導電層47が形成され、
前記下部シールド層23と上部シールド層26間が導通
接続されている。前記導電層47は非磁性導電材料で形
成されても磁性材料で形成されてもどちらでもよいが非
磁性導電材料で形成されることが好ましい。
As shown in FIG. 1, the conductive layer 47 is also formed in a part between the lower shield layer 23 and the upper shield layer 26.
The lower shield layer 23 and the upper shield layer 26 are electrically connected. The conductive layer 47 may be formed of a non-magnetic conductive material or a magnetic material, but is preferably formed of a non-magnetic conductive material.

【0090】上記のように前記下部シールド層23と上
部シールド層26間が導電層47により導通接続される
ことにより、前記下部シールド層23と上部シールド層
26とが同電位となり、前記下部シールド層23及び上
部シールド層26の耐腐食性を向上させることができ、
前記シールド層23、26のシールド機能を適切に保つ
ことができ、再生特性の向上を図ることができる。
Since the lower shield layer 23 and the upper shield layer 26 are electrically connected by the conductive layer 47 as described above, the lower shield layer 23 and the upper shield layer 26 have the same potential, and the lower shield layer 23 and the corrosion resistance of the upper shield layer 26 can be improved,
The shield function of the shield layers 23 and 26 can be appropriately maintained, and the reproduction characteristics can be improved.

【0091】次に前記下部コア層28と上部シールド層
26との材質について以下に説明する。前記下部コア層
28は、高記録密度化に適切に対応するために高い飽和
磁束密度Bsを有する磁性材料で形成されることが好ま
しい。一方、上部シールド層26は、シールド機能を向
上させるべく、高い透磁率、および低い磁歪定数を有す
る磁性材料で形成されることが好ましい。このように下
部コア層28と上部シールド層26に求められる磁気特
性は異なるので、前記下部コア層28及び上部シールド
層26はそれぞれ必要な磁気特性を有する異なる材質で
形成されることが好ましい。
Next, the materials of the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 will be described below. The lower core layer 28 is preferably formed of a magnetic material having a high saturation magnetic flux density Bs in order to appropriately cope with the increase in recording density. On the other hand, the upper shield layer 26 is preferably formed of a magnetic material having a high magnetic permeability and a low magnetostriction constant in order to improve the shield function. Since the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 have different magnetic properties as described above, it is preferable that the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 be formed of different materials having the required magnetic properties.

【0092】前記上部シールド層26は、NiFe系合
金(パーマロイ)やセンダスト(Fe−Al−Si系合
金)などで形成される。またCo―Zr―Nb(コバル
ト―ジルコニウム―ニオブ)系アモルファス合金やCo
―Hf―Ta(コバルト―ハフニウム―タンタル)系ア
モルファス合金などで形成されてもよい。
The upper shield layer 26 is made of NiFe-based alloy (permalloy), sendust (Fe-Al-Si-based alloy), or the like. In addition, Co-Zr-Nb (cobalt-zirconium-niobium) type amorphous alloy and Co
It may be formed of a —Hf—Ta (cobalt-hafnium-tantalum) -based amorphous alloy or the like.

【0093】前記上部シールド層26はメッキや蒸着
法、スパッタ法などで形成される。また前記下部コア層
28は、NiFe系合金(パーマロイ)やCoFe系合
金、CoFeNi系合金などで形成される。これら材質
で形成された下部コア層28は電気メッキ法によりメッ
キ形成される。あるいは前記下部コア層28は、組成式
がFe−M−Oで示され、Mは、Al,Si,Hf,Z
r,Ti,V,Nb,Ta,W,Mgまたは希土類元素
のうち一種類の元素または2種類以上の元素で構成され
る軟磁性材料などにより形成されてもよい。前記軟磁性
材料による下部コア層28はスパッタ法や蒸着法によっ
て形成される。
The upper shield layer 26 is formed by plating, vapor deposition, sputtering or the like. The lower core layer 28 is formed of a NiFe-based alloy (permalloy), a CoFe-based alloy, a CoFeNi-based alloy, or the like. The lower core layer 28 formed of these materials is formed by electroplating. Alternatively, the lower core layer 28 has a composition formula represented by Fe-MO, and M is Al, Si, Hf, Z.
It may be formed of a soft magnetic material or the like composed of one element or two or more elements out of r, Ti, V, Nb, Ta, W, Mg, or a rare earth element. The lower core layer 28 made of the soft magnetic material is formed by a sputtering method or a vapor deposition method.

【0094】本発明では、前記下部コア層28と上部シ
ールド層26とが共にFeと、Fe以外の磁性元素とを
含有する磁性材料で形成されるとき、例えば前記下部コ
ア層28と上部シールド層26とが共にNiFe系合金
(パーマロイ)で形成されるとき、Fe組成比は前記下
部コア層28側の方が上部シールド層26側よりも大き
いことが好ましい。これにより前記下部コア層28は高
い飽和磁束密度を有し、一方上部シールド層26は飽和
磁束密度が低くなるものの、高い透磁率、低い磁歪定数
を得ることが可能になる。
In the present invention, when both the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are made of a magnetic material containing Fe and a magnetic element other than Fe, for example, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are formed. 26 and 26 are both formed of a NiFe-based alloy (permalloy), the Fe composition ratio on the lower core layer 28 side is preferably higher than that on the upper shield layer 26 side. As a result, the lower core layer 28 has a high saturation magnetic flux density, while the upper shield layer 26 has a low saturation magnetic flux density, but it is possible to obtain a high magnetic permeability and a low magnetostriction constant.

【0095】本発明では、上記したように下部コア層2
8と上部シールド層26とが異なる材質で形成されてい
ても、前記下部コア層28と上部シールド層26間の一
部が導電層43で導通接続されていることにより、前記
下部コア層28と上部シールド層26とを同電位にでき
るので、前記下部コア層28と上部シールド層26との
耐腐食性を従来に比べて向上させることができ、高記録
密度化に優れた薄膜磁気ヘッド21を形成することがで
きる。
In the present invention, as described above, the lower core layer 2
8 and the upper shield layer 26 are made of different materials, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are partially electrically connected by the conductive layer 43, so that the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are electrically connected to each other. Since the upper shield layer 26 can be made to have the same potential, the corrosion resistance of the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 can be improved as compared with the conventional one, and the thin film magnetic head 21 excellent in high recording density can be obtained. Can be formed.

【0096】なお前記下部コア層28と上部シールド層
26は同じ磁性材料で形成されてもよい。
The lower core layer 28 and the upper shield layer 26 may be made of the same magnetic material.

【0097】図1及び図2に示す薄膜磁気ヘッド21の
製造方法について以下に説明する。まず、図1に示すス
ライダ20上に下部シールド層23、磁気抵抗効果素子
25、ギャップ層24及び上部シールド層26を有して
なる再生用のMRヘッドh1を形成する。
A method of manufacturing the thin film magnetic head 21 shown in FIGS. 1 and 2 will be described below. First, a reproducing MR head h1 having a lower shield layer 23, a magnetoresistive effect element 25, a gap layer 24 and an upper shield layer 26 is formed on the slider 20 shown in FIG.

【0098】次に図6(製造工程中の薄膜磁気ヘッドの
部分拡大縦断面図)に示すように前記上部シールド層2
6上にAl23やSiO2などで形成された絶縁層27
をスパッタ法や蒸着法により形成する。このとき前記絶
縁層27を500Å以上で10000Å以下で形成する
ことが好ましい。
Next, as shown in FIG. 6 (a partially enlarged vertical sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing process), the upper shield layer 2 is formed.
Insulating layer 27 made of Al 2 O 3 or SiO 2 on 6
Are formed by sputtering or vapor deposition. At this time, it is preferable that the insulating layer 27 is formed with a thickness of 500 Å or more and 10,000 Å or less.

【0099】次に図7(製造工程中の薄膜磁気ヘッドの
部分拡大縦断面図)に示すように、前記絶縁層27上に
レジスト層51を形成し、露光現像により前記レジスト
層51に穴部51aを形成する。そして前記穴部51a
から露出する前記絶縁層27をRIE法やイオンミリン
グ法などを用いて削り、前記穴部51aから前記上部シ
ールド層26の上面を露出させる。そして前記レジスト
層51を除去する。
Next, as shown in FIG. 7 (a partially enlarged vertical sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing process), a resist layer 51 is formed on the insulating layer 27, and a hole is formed in the resist layer 51 by exposure and development. 51a is formed. And the hole 51a
The insulating layer 27 exposed from the above is shaved by using the RIE method or the ion milling method to expose the upper surface of the upper shield layer 26 from the hole 51a. Then, the resist layer 51 is removed.

【0100】次に図8(製造工程中の薄膜磁気ヘッドの
部分拡大縦断面図)に示すように前記絶縁層27上から
前記絶縁層27に形成された穴部27aから露出する上
部シールド層26上にかけてメッキ下地層45をスパッ
タ法や蒸着法により形成する。前記メッキ下地層45は
NiFe系合金などの磁性材料で形成されてもよいし、
Cuなどの非磁性導電材料で形成されてもよい。
Next, as shown in FIG. 8 (partially enlarged longitudinal sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing process), the upper shield layer 26 exposed from above the insulating layer 27 through the hole 27a formed in the insulating layer 27. The plating base layer 45 is formed on the upper side by a sputtering method or a vapor deposition method. The plating underlayer 45 may be formed of a magnetic material such as a NiFe alloy.
It may be formed of a non-magnetic conductive material such as Cu.

【0101】図9(製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分
拡大縦断面図)に示す工程では、前記メッキ下地層45
上に下部コア層28をメッキ形成する。このとき前記メ
ッキ層は前記絶縁層27上のみならず前記絶縁層27の
穴部27aから露出する前記上部シールド層26上にも
形成される。上部シールド層26上に前記メッキ下地層
27を介して形成されたメッキ層は、下部コア層28と
上部シールド層26間を導通接続させる導電層43とし
て機能する。
In the process shown in FIG. 9 (a partially enlarged vertical sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing process), the plating underlayer 45 is formed.
The lower core layer 28 is formed by plating. At this time, the plating layer is formed not only on the insulating layer 27 but also on the upper shield layer 26 exposed from the hole 27a of the insulating layer 27. The plating layer formed on the upper shield layer 26 via the plating underlayer 27 functions as a conductive layer 43 for electrically connecting the lower core layer 28 and the upper shield layer 26.

【0102】次に図10(製造工程中の薄膜磁気ヘッド
の部分縦断面図)に示す工程では、前記下部コア層28
上に例えば有機材料製のGd決め層29及び下部磁極層
31、磁気ギャップ層32及び上部磁極層33から成る
磁極層34を形成した後、前記磁極層34上から前記下
部コア層28上にかけてレジスト層48を形成し、その
後前記下部コア層28上に形成されたレジスト層48に
露光現像により穴部48aを形成して前記下部コア層2
8表面を露出させる。
Next, in the step shown in FIG. 10 (partial longitudinal sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing step), the lower core layer 28 is formed.
After forming a magnetic pole layer 34 made of, for example, an organic material, a Gd determining layer 29 and a lower magnetic pole layer 31, a magnetic gap layer 32, and an upper magnetic pole layer 33, a resist is applied from the magnetic pole layer 34 to the lower core layer 28. The lower core layer 2 is formed by forming a layer 48 and then forming a hole 48a in the resist layer 48 formed on the lower core layer 28 by exposure and development.
8 Surface is exposed.

【0103】このとき前記穴部48aの記録媒体D側の
前端面48bが、前記導電層43の記録媒体D側の前端
面43aよりも記録媒体側(図示Y方向とは逆方向)に
形成されるように、前記レジスト層48に穴部48aを
設けることが好ましい。
At this time, the front end face 48b of the hole 48a on the recording medium D side is formed on the recording medium side (opposite the Y direction in the drawing) with respect to the front end face 43a of the conductive layer 43 on the recording medium D side. As described above, it is preferable to provide the hole 48 a in the resist layer 48.

【0104】そして図11(製造工程中の薄膜磁気ヘッ
ドの部分縦断面図)に示すように、前記レジスト層48
に形成された穴部48a内に磁性材料製のバックギャッ
プ層30をメッキ形成する。
Then, as shown in FIG. 11 (partial longitudinal sectional view of the thin film magnetic head during the manufacturing process), the resist layer 48 is formed.
A back gap layer 30 made of a magnetic material is formed by plating in the hole portion 48a formed in.

【0105】前記バックギャップ層30を形成する前に
前記穴部48a内にメッキ下地層をスパッタなどにより
形成しておいてもよいが、形成しなくても前記バックギ
ャップ層30の下は下部コア層28なので適切に下部コ
ア層28上から前記バックギャップ層30をメッキ成長
させることができる。そして前記レジスト層48を除去
する。前記レジスト層48に形成された穴部48aの前
端面48bを、導電層43の前端面43aよりも記録媒
体側に形成したことで、前記バックギャップ層30の前
端面30aを前記導電層43の前端面43aよりも記録
媒体側(図示Y方向とは逆方向)に形成することが可能
になる。そして前記レジスト層48を除去する。
Before forming the back gap layer 30, a plating base layer may be formed in the hole 48a by sputtering or the like. Since it is the layer 28, the back gap layer 30 can be appropriately grown by plating on the lower core layer 28. Then, the resist layer 48 is removed. By forming the front end face 48b of the hole 48a formed in the resist layer 48 on the recording medium side with respect to the front end face 43a of the conductive layer 43, the front end face 30a of the back gap layer 30 of the conductive layer 43 is formed. It can be formed on the recording medium side (the opposite direction to the Y direction in the drawing) with respect to the front end face 43a. Then, the resist layer 48 is removed.

【0106】次は図1に示す絶縁下地層35を前記磁極
層34上から下部コア層28上及びバックギャップ層3
0上にかけて形成した後、前記絶縁下地層35上に第1
コイル層36をパターン形成し、さらに前記第1コイル
層36を構成する各導体部間を有機絶縁材料から成る有
機絶縁材料層37で埋めた後、前記有機絶縁材料層37
上に無機絶縁材料から成る無機絶縁材料層38を形成す
る。次に前記無機絶縁材料層38上をCMP技術などを
用いて平坦化し、前記無機絶縁材料層38上面と磁極層
34上面及びバックギャップ層30上面とを同一平面と
した後、前記無機絶縁材料層38上に第2コイル層39
をパターン形成し、前記第2コイル層39を有機材料で
形成された有機絶縁材料層40で覆う。前記有機絶縁材
料層40の前記バックギャップ層30上に穴部を形成し
た後、前記穴部から露出するバックギャップ層30上か
ら前記有機絶縁材料層40上にかけて上部コア層41を
フレームメッキ法などで形成すると、図1に示す構造の
薄膜磁気ヘッドが完成する。
Next, the insulating base layer 35 shown in FIG. 1 is formed on the magnetic pole layer 34, the lower core layer 28 and the back gap layer 3.
0, and then a first layer is formed on the insulating base layer 35.
After patterning the coil layer 36 and further filling the space between the respective conductors forming the first coil layer 36 with an organic insulating material layer 37 made of an organic insulating material, the organic insulating material layer 37 is formed.
An inorganic insulating material layer 38 made of an inorganic insulating material is formed thereon. Next, the inorganic insulating material layer 38 is flattened using a CMP technique or the like so that the upper surface of the inorganic insulating material layer 38 and the upper surface of the pole layer 34 and the upper surface of the back gap layer 30 are flush with each other, and then the inorganic insulating material layer is formed. Second coil layer 39 on 38
Is patterned, and the second coil layer 39 is covered with an organic insulating material layer 40 formed of an organic material. After forming a hole in the organic insulating material layer 40 on the back gap layer 30, the upper core layer 41 is frame-plated from the back gap layer 30 exposed from the hole to the organic insulating material layer 40. When formed by, the thin film magnetic head having the structure shown in FIG. 1 is completed.

【0107】次に図3のように導電層43を下部コア層
28とは別の材質である磁性材料あるいは非磁性導電材
料で形成する場合の方法について図12を用いて以下に
説明する。図12は本発明における薄膜磁気ヘッドの製
造工程中の部分拡大縦断面図である。
Next, a method for forming the conductive layer 43 from a magnetic material or a non-magnetic conductive material which is a material different from that of the lower core layer 28 as shown in FIG. 3 will be described below with reference to FIG. FIG. 12 is a partially enlarged vertical sectional view during the manufacturing process of the thin film magnetic head according to the present invention.

【0108】図12に示す工程ではまず前記上部シール
ド層26上にレジスト層(図示しない)を用いて導電層
43をメッキ形成し、前記レジスト層を除去する。次に
前記上部シールド層26上及び導電層43上に絶縁層2
7をスパッタ法や蒸着法などによって形成する。そして
前記絶縁層27の上面と前記導電層43の上面とが同一
面上になるまで前記絶縁層27及び導電層43をCMP
技術などを用いて削り込む。これによって前記導電層4
3の上面が露出し、次に図3に示すように前記絶縁層2
7上から前記導電層43上にかけてメッキ下地層46を
スパッタ法や蒸着法により形成した後、前記メッキ下地
層46上に下部コア層28をメッキ形成する。その後
は、図10及び図11に示す工程と同じ工程を施す。
In the step shown in FIG. 12, first, a conductive layer 43 is formed on the upper shield layer 26 by using a resist layer (not shown), and the resist layer is removed. Next, the insulating layer 2 is formed on the upper shield layer 26 and the conductive layer 43.
7 is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. Then, the insulating layer 27 and the conductive layer 43 are CMP until the upper surface of the insulating layer 27 and the upper surface of the conductive layer 43 are flush with each other.
Cut using technology. Thereby, the conductive layer 4
3 is exposed, and then the insulating layer 2 is exposed as shown in FIG.
After the plating underlayer 46 is formed from 7 to the conductive layer 43 by the sputtering method or the vapor deposition method, the lower core layer 28 is plated on the plating underlayer 46. After that, the same steps as those shown in FIGS. 10 and 11 are performed.

【0109】なお図12工程のようにCMP技術などに
よる研削工程を使用せず、上部シールド層26の上に導
電層43及び絶縁層27を形成するには、例えば図13
及び図14に示す工程を用いて前記導電層43及び絶縁
層27を形成することもできる。
In order to form the conductive layer 43 and the insulating layer 27 on the upper shield layer 26 without using the grinding process such as the CMP technique as in the process of FIG.
Also, the conductive layer 43 and the insulating layer 27 can be formed by using the process shown in FIG.

【0110】図13工程では、まず前記上部シールド層
26上の全面に導電層43を形成する。次に前記導電層
43の上にレジスト層49を露光現像により形成する。
なお前記レジスト層49はリフトオフ用のレジスト層で
あってもよい。そして前記レジスト層49に覆われてい
ない前記導電層43をイオンエッチングやRIE法など
を用いて削り取る(図13に示す点線部分の導電層43
が削り取られる)。
In the step of FIG. 13, first, the conductive layer 43 is formed on the entire surface of the upper shield layer 26. Next, a resist layer 49 is formed on the conductive layer 43 by exposure and development.
The resist layer 49 may be a lift-off resist layer. Then, the conductive layer 43 not covered with the resist layer 49 is scraped off by ion etching, RIE or the like (the conductive layer 43 in the dotted line portion shown in FIG. 13).
Is scraped off).

【0111】これにより前記上部シールド層26上の一
部に導電層43及びレジスト層49が残された状態にな
っている。ここで前記レジスト層49を除去せずに、図
14工程では、前記導電層43が形成されていない前記
上部シールド層26上に絶縁層27をスパッタ法や蒸着
法などにより形成する。なお前記絶縁層27を構成する
絶縁材料の層27bは前記レジスト層49の上面にも形
成される。このとき前記絶縁層27の上面27aの位置
が前記導電層43の上面43bの位置と同一になるまで
前記絶縁層27を形成する。これにより前記導電層43
の上面43bと前記絶縁層27の上面27aとが同一平
面となるが、同一平面にならなくてもよく、前記絶縁層
27の上面27aの位置が、前記導電層43の上面43
bの位置よりも若干上あるいは下に位置していてもよ
い。すなわち前記導電層43の上面43aと絶縁層27
の上面27a間に多少、段差があっても前記絶縁層27
及び導電層43上に適切に下部コア層28をメッキ形成
できれば問題はない。
As a result, the conductive layer 43 and the resist layer 49 are left on a part of the upper shield layer 26. Here, without removing the resist layer 49, the insulating layer 27 is formed on the upper shield layer 26 where the conductive layer 43 is not formed by a sputtering method or a vapor deposition method in FIG. The insulating material layer 27b forming the insulating layer 27 is also formed on the upper surface of the resist layer 49. At this time, the insulating layer 27 is formed until the position of the upper surface 27a of the insulating layer 27 becomes the same as the position of the upper surface 43b of the conductive layer 43. Thereby, the conductive layer 43
The upper surface 43b of the insulating layer 27 and the upper surface 27a of the insulating layer 27 are flush with each other. However, the upper surface 27a of the insulating layer 27 may not be flush with the upper surface 43a of the conductive layer 43.
It may be located slightly above or below the position of b. That is, the upper surface 43a of the conductive layer 43 and the insulating layer 27
Even if there is some level difference between the upper surfaces 27a of the
There is no problem if the lower core layer 28 can be appropriately plated on the conductive layer 43.

【0112】前記絶縁層27を形成後、前記レジスト層
49を除去し、前記絶縁層27上から前記導電層43上
にかけてメッキ下地層46を形成した後、前記メッキ下
地層46上に下部コア層28をメッキ形成する。
After forming the insulating layer 27, the resist layer 49 is removed, a plating underlayer 46 is formed on the insulating layer 27 and the conductive layer 43, and then a lower core layer is formed on the plating underlayer 46. 28 is formed by plating.

【0113】図13及び図14に示す製造工程を用いれ
ば、図12工程のようにCMP技術などによる研削工程
を省くことができ、製造工程の簡略化を図ることができ
る。
By using the manufacturing process shown in FIGS. 13 and 14, it is possible to omit the grinding process by the CMP technique or the like as in the process of FIG. 12, and it is possible to simplify the manufacturing process.

【0114】図15及び図16は、前記導電層43の別
の製造方法を示す一工程図である。図15及び図16
は、本発明における製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分
拡大縦断面図である。
15 and 16 are process diagrams showing another method of manufacturing the conductive layer 43. 15 and 16
FIG. 6 is a partially enlarged vertical sectional view of a thin film magnetic head during a manufacturing process in the present invention.

【0115】図15に示す工程では前記上部シールド層
26を例えばメッキ形成した後、前記上部シールド層2
6上に露光現像によりレジスト層50を形成する。次に
前記レジスト層50に覆われていない前記上部シールド
層26表面を所定深さまで、イオンミリングやRIE法
などにより削り込む(図15に示す点線部分が削り込ま
れた部分である)。これにより前記レジスト層50下に
は前記上部シールド層26表面から前記上部シールド層
26と一体化された突出部が形成され、この突出部が導
電層43として機能する。
In the step shown in FIG. 15, after the upper shield layer 26 is formed by plating, for example, the upper shield layer 2 is formed.
A resist layer 50 is formed on 6 by exposure and development. Next, the surface of the upper shield layer 26 that is not covered with the resist layer 50 is cut to a predetermined depth by ion milling, RIE, or the like (the dotted line portion shown in FIG. 15 is the cut portion). As a result, a protrusion integrated with the upper shield layer 26 is formed under the resist layer 50 from the surface of the upper shield layer 26, and the protrusion functions as the conductive layer 43.

【0116】次に図16に示す工程では本発明における
記レジスト層50に覆われていない前記上部シールド層
26上に絶縁層27をスパッタ法あるいは蒸着法などに
より形成する。このとき前記絶縁層27を構成する絶縁
材料の層27bは前記レジスト層50上にも形成され
る。前記絶縁層27の上面の位置が前記導電層43の上
面の位置と同一になるまで前記絶縁層27を形成するこ
とが好ましいが、多少、前記絶縁層27の上面が前記導
電層43の上面の上側あるいは下側に位置していてもか
まわない。そして前記レジスト層50を除去し、前記絶
縁層27上から前記導電層43上にかけてメッキ下地層
を形成した後、前記メッキ下地層上に下部コア層28を
メッキ形成する。
Next, in the step shown in FIG. 16, an insulating layer 27 is formed on the upper shield layer 26 not covered with the resist layer 50 of the present invention by a sputtering method or a vapor deposition method. At this time, the layer 27b of the insulating material forming the insulating layer 27 is also formed on the resist layer 50. It is preferable that the insulating layer 27 is formed until the position of the upper surface of the insulating layer 27 is the same as the position of the upper surface of the conductive layer 43. However, the upper surface of the insulating layer 27 is slightly higher than the upper surface of the conductive layer 43. It may be located on the upper side or the lower side. Then, the resist layer 50 is removed, a plating underlayer is formed from the insulating layer 27 to the conductive layer 43, and then the lower core layer 28 is formed by plating on the plating underlayer.

【0117】図15及び図16に示す製造工程では、前
記導電層43を上部シールド層26と同じ材質で同一工
程で形成することができ、製造工程の簡略化を図ること
が可能である。
In the manufacturing process shown in FIGS. 15 and 16, the conductive layer 43 can be formed of the same material as the upper shield layer 26 in the same process, so that the manufacturing process can be simplified.

【0118】図5に示すようなバックギャップ層30が
形成されず、上部コア層41の基端部41bが前記下部
コア層28上面に磁気的に接続されるようにするには、
まず図10工程及び図11工程を使用せず、下部コア層
28上に第1コイル層36やそれを覆う有機絶縁材料層
37及び無機絶縁材料層38を形成し、さらに前記無機
絶縁材料層38上に第2コイル層39及び有機絶縁材料
層40を形成する。次に前記有機絶縁材料層37、40
及び無機絶縁材料層38に、前記下部コア層28表面に
まで貫通する穴部を形成する。そして前記有機絶縁材料
層40上から前記穴部内にかけて上部コア層41をフレ
ームメッキ法で形成すると図5に示す構造の薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。
In order that the back gap layer 30 as shown in FIG. 5 is not formed and the base end portion 41b of the upper core layer 41 is magnetically connected to the upper surface of the lower core layer 28,
First, the first coil layer 36, the organic insulating material layer 37 and the inorganic insulating material layer 38 covering the first coil layer 36 are formed on the lower core layer 28 without using the steps of FIGS. 10 and 11, and the inorganic insulating material layer 38 is further formed. The second coil layer 39 and the organic insulating material layer 40 are formed thereon. Next, the organic insulating material layers 37 and 40
And, a hole portion is formed in the inorganic insulating material layer 38 to penetrate to the surface of the lower core layer 28. Then, by forming the upper core layer 41 from above the organic insulating material layer 40 to the inside of the hole by frame plating, the thin film magnetic head having the structure shown in FIG. 5 is completed.

【0119】なお図5に示すように、前記上部コア層4
1の基端部41bの前端面41cが、導電層43の前端
面43aよりも記録媒体D側に位置するように、前記上
部コア層41をパターン形成することが好ましい。本発
明では、前記導電層43の形成位置及び上部コア層41
の基端部41bの形成位置を、それぞれの製造工程時に
適切に調整することで、容易に前記上部コア層41の基
端部41bの前端面41cを、導電層43の前端面43
aよりも記録媒体D側に位置させることができる。
As shown in FIG. 5, the upper core layer 4
It is preferable that the upper core layer 41 be patterned so that the front end surface 41c of the base end portion 41b of the first unit is located closer to the recording medium D side than the front end surface 43a of the conductive layer 43. In the present invention, the formation position of the conductive layer 43 and the upper core layer 41.
The front end surface 41c of the base end portion 41b of the upper core layer 41 and the front end surface 43 of the conductive layer 43 can be easily adjusted by appropriately adjusting the formation position of the base end portion 41b of each of the above.
It can be located closer to the recording medium D than a.

【0120】また本発明では前記下部コア層28と上部
シールド層26とを別々の材質で形成することが可能で
ある。下部コア層28に使用される磁性材料には、飽和
磁束密度Bsが高い材質を、上部シールド層26に使用
される磁性材料には、透磁率が高く、また磁歪定数が低
い材質を選択することが好ましい。
Further, in the present invention, it is possible to form the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 with different materials. A material having a high saturation magnetic flux density Bs is selected as the magnetic material used for the lower core layer 28, and a material having a high magnetic permeability and a low magnetostriction constant is selected as the magnetic material used for the upper shield layer 26. Is preferred.

【0121】また本発明では図1及び図5に示す上部コ
ア層41上にAl23などの保護層42を形成した後、
前記薄膜磁気ヘッド21及び前記保護層42の前端面に
DLC(ダイヤモンドライクカーボン)、ta−C(Te
trahedral Amorphous Carbon)のうち1種または2種
以上からなる保護層44を形成するが、このとき、前記
保護層44の膜厚を0.5nm以上で5nm以下で形成
することが好ましい。これによりスペーシングロスが少
なく、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを形成する
ことが可能になる。また前記保護層44が上記した数値
範囲内に薄く形成されても本発明では、前記上部シール
ド層26及び下部コア層28が導電層43によって導通
接続され、前記上部シールド層26と下部コア層28と
が同電位にされているので、前記薄膜磁気ヘッドの製造
工程時に使用される溶剤や空気中の水分などが前記保護
層44内に浸透し、前記溶剤や水分が前記上部シールド
層26及び下部コア層28にまで到達しても、前記上部
シールド層26及び下部コア層28が腐食されるのを従
来に比べて適切に抑制することが可能である。
In the present invention, after forming a protective layer 42 such as Al 2 O 3 on the upper core layer 41 shown in FIGS. 1 and 5,
DLC (diamond-like carbon), ta-C (Te) are formed on the front end faces of the thin film magnetic head 21 and the protective layer 42.
The protective layer 44 is formed of one or two or more of the traverse Amorphous Carbon). At this time, it is preferable that the protective layer 44 has a thickness of 0.5 nm or more and 5 nm or less. As a result, it is possible to form a thin film magnetic head that has a small spacing loss and is excellent in high recording density. Further, even if the protective layer 44 is formed thin within the above numerical range, in the present invention, the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 are electrically connected by the conductive layer 43, and the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 are electrically connected. And are kept at the same potential, the solvent used in the manufacturing process of the thin film magnetic head, the moisture in the air, and the like permeate into the protective layer 44, and the solvent and the moisture penetrate the upper shield layer 26 and the lower portion. Even when reaching the core layer 28, it is possible to appropriately suppress the corrosion of the upper shield layer 26 and the lower core layer 28 as compared with the related art.

【0122】以上のように本発明によれば、下部コア層
28と上部シールド層26とが別々に形成された、いわ
ゆるピギーバック型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下
部コア層28と上部シールド層26間に一部、導電層4
3を形成し、前記下部コア層28と上部シールド層26
間を導通接続させることにより、前記下部コア層28と
上部シールド層26とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッド
の製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保
護層44内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部コア層
28及び上部シールド層26に到達しても、前記下部コ
ア層28及び前記上部シールド層26が腐食されるのを
従来に比べて適切に抑制することができる。
As described above, according to the present invention, in the so-called piggyback type thin film magnetic head in which the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are separately formed, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are formed. Part of the space is the conductive layer 4
3 to form the lower core layer 28 and the upper shield layer 26.
By electrically connecting between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 can be made to have the same potential, and a solvent or moisture in the air during the manufacturing process of the thin film magnetic head penetrates into the protective layer 44. Even if the solvent or water reaches the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, it is possible to appropriately prevent the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 from being corroded as compared with the related art.

【0123】また本発明では前記下部コア層28と上部
シールド層26間が一部のみ導電層43によって導通接
続されているだけなので、記録時及び再生時における前
記下部コア層28と上部シールド層26間の磁気的な干
渉は、前記下部コア層28と上部シールド層26とが同
一の層で形成されていた場合に比べて適切に抑制されて
おり、ピギーバック型の優位性を適切に保つことができ
る。
Further, in the present invention, since the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are only partially electrically connected by the conductive layer 43, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 at the time of recording and reproducing. Magnetic interference between the two is appropriately suppressed as compared with the case where the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are formed of the same layer, and the piggyback type advantage is appropriately maintained. You can

【0124】前記ピギーバック型の優位性をさらに適切
に保つには、特に前記導電層43が磁性材料で形成され
ている場合、前記導電層43の前端面43aが前記バッ
クギャップ層30の前端面30a、あるいは前記上部コ
ア層41の基端部41bの前端面41cよりもハイト方
向後方に形成されているようにすることであり、これに
より記録磁界が前記導電層43を介して上部シールド層
26に導かれることは無く、記録時及び再生時における
前記下部コア層28及び上部シールド層26間の磁気的
な干渉をより適切に抑制することが可能になっている。
In order to maintain the superiority of the piggyback type more appropriately, especially when the conductive layer 43 is made of a magnetic material, the front end face 43a of the conductive layer 43 is the front end face of the back gap layer 30. 30a or the front end surface 41c of the base end portion 41b of the upper core layer 41 is formed behind the front end surface 41c in the height direction, whereby the recording magnetic field is transmitted through the conductive layer 43 to the upper shield layer 26. Therefore, magnetic interference between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 during recording and reproducing can be suppressed more appropriately.

【0125】また本発明では、前記導電層43は下部コ
ア層28と同じ材質で同一工程時に形成されることが好
ましく、これにより前記導電層43の形成工程を簡略化
することができる。
Further, in the present invention, it is preferable that the conductive layer 43 is formed of the same material as the lower core layer 28 in the same process, and thus the process of forming the conductive layer 43 can be simplified.

【0126】また本発明では、前記下部コア層28と上
部シールド層26とを別の材質で形成することも可能で
あり、これにより下部コア層28の飽和磁束密度Bsを
大きくしてコア機能を高めると共に、上部シールド層2
6の透磁率を大きくしてシールド機能を高めることが可
能である。
In the present invention, it is also possible to form the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 by using different materials, whereby the saturation magnetic flux density Bs of the lower core layer 28 is increased and the core function is improved. Along with increasing the upper shield layer 2
It is possible to increase the magnetic permeability of No. 6 to enhance the shield function.

【0127】また前記下部コア層28と上部シールド層
26とを別の材質で形成した場合でも、前記下部コア層
28と上部シールド層26間に導電層43を形成するこ
とで、前記下部コア層28と上部シールド層26とを同
電位にでき、スペーシングロス低減のために保護層44
が薄く形成されても前記下部コア層28及び上部シール
ド層26の耐食性を向上させることができ、高記録密度
化に適切に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能
である。
Even when the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 are made of different materials, by forming the conductive layer 43 between the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, the lower core layer 28 and the upper shield layer 26 can have the same potential, and the protective layer 44 can be used to reduce spacing loss.
Even if it is formed thin, it is possible to improve the corrosion resistance of the lower core layer 28 and the upper shield layer 26, and it is possible to manufacture a thin film magnetic head suitable for high recording density.

【0128】[0128]

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、再生用の
MRヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが完全に
分離形成されたピギーバック型の薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部コア層と上部シールド層間の一部を導電層で導
通接続させることにより、前記下部コア層と上部シール
ド層とを同電位にすることができ、製造工程時の溶剤や
空気中の水分がDLCなどで形成された保護層内を通っ
て前記下部コア層や上部シールド層にまで到達しても、
前記下部コア層と上部シールド層とが電池効果によって
腐食され難く、従来に比べて耐食性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドを製造できる。
According to the present invention described in detail above, in a piggyback type thin film magnetic head in which an MR head for reproduction and an inductive head for recording are completely separated, a lower core layer and an upper shield layer are provided. By electrically connecting a part of the conductive layer with a conductive layer, the lower core layer and the upper shield layer can be made to have the same potential, and a solvent or moisture in the air during the manufacturing process is formed as a protective layer by DLC or the like. Even if it reaches the lower core layer and the upper shield layer through the inside,
The lower core layer and the upper shield layer are less likely to be corroded by the battery effect, and a thin film magnetic head having excellent corrosion resistance compared to the conventional one can be manufactured.

【0129】特に本発明では、前記保護層がスペーシン
グロス低減のために薄く形成され、前記溶剤等が前記下
部コア層や上部シールド層に到達しやすくなっても上記
した腐食の問題を適切に解決することができ、高記録密
度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。
Particularly, in the present invention, the protective layer is formed thin to reduce the spacing loss, and even if the solvent or the like easily reaches the lower core layer or the upper shield layer, the above-mentioned problem of corrosion can be properly solved. A thin film magnetic head that can be solved and can appropriately cope with high recording density can be manufactured.

【0130】また本発明では、下部コア層と上部シール
ド層間に導電層を形成しても、記録時及び再生時におい
て下部コア層及び上部シールド層間の磁気的な干渉を適
切に抑制でき、ピギーバック型としての優位性を保つこ
とが可能である。
Further, according to the present invention, even if a conductive layer is formed between the lower core layer and the upper shield layer, magnetic interference between the lower core layer and the upper shield layer can be appropriately suppressed at the time of recording and reproducing, and piggyback can be achieved. It is possible to maintain its superiority as a mold.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における第1の実施形態の薄膜磁気ヘッ
ドを記録媒体との対向面側から見た部分縦断面図、
FIG. 1 is a partial vertical cross-sectional view of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention as viewed from a side facing a recording medium,

【図2】導電層付近の構造のみを拡大した本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図、
FIG. 2 is a partially enlarged vertical sectional view of a thin film magnetic head according to the present invention in which only a structure near a conductive layer is enlarged.

【図3】図2とは別の形態の導電層付近の構造のみを拡
大した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面
図、
FIG. 3 is a partially enlarged vertical sectional view of a thin film magnetic head according to the present invention in which only the structure near a conductive layer of another form different from that of FIG. 2 is enlarged.

【図4】図1に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、FIG. 4 is a partial plan view of the thin film magnetic head shown in FIG.

【図5】本発明における第2の実施形態の薄膜磁気ヘッ
ドを記録媒体との対向面側から見た部分縦断面図、
FIG. 5 is a partial vertical cross-sectional view of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention as viewed from the side facing a recording medium,

【図6】図1及び図2の本発明における薄膜磁気ヘッド
の製造工程を示す一工程図、
FIG. 6 is a process chart showing the manufacturing process of the thin film magnetic head of the present invention shown in FIGS. 1 and 2;

【図7】図6の次に行なわれる一工程図、FIG. 7 is a process chart performed after FIG. 6;

【図8】図7の次に行なわれる一工程図、8 is a process chart performed after FIG. 7,

【図9】図8の次に行なわれる一工程図、FIG. 9 is a process chart performed after FIG. 8;

【図10】図9の次に行なわれる一工程図、FIG. 10 is a process chart performed after FIG. 9;

【図11】図10の次に行なわれる一工程図、FIG. 11 is a process chart performed after FIG.

【図12】図3に示す形態の導電層の製造工程を示す一
工程図、
FIG. 12 is a process chart showing the manufacturing process of the conductive layer having the form shown in FIG. 3;

【図13】図12とは別の方法で形成された導電層の製
造工程を示す一工程図、
FIG. 13 is a process chart showing a manufacturing process of a conductive layer formed by a method different from that of FIG. 12;

【図14】図13の次に行なわれる一工程図、FIG. 14 is a process chart performed after FIG.

【図15】本発明における別の導電層の製造方法を示す
一工程図、
FIG. 15 is a process chart showing another method for producing a conductive layer according to the present invention,

【図16】図15の次に行なわれる一工程図、16 is a process chart performed after FIG. 15,

【図17】従来における薄膜磁気ヘッドの部分縦断面
図、
FIG. 17 is a partial vertical cross-sectional view of a conventional thin film magnetic head,

【図18】従来におけるピギーバック型の薄膜磁気ヘッ
ドの部分縦断面図、
FIG. 18 is a partial vertical cross-sectional view of a conventional piggyback thin film magnetic head,

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 薄膜磁気ヘッド 26 上部シールド層 27 絶縁層 28 下部コア層 30 バックギャップ層 30a (バックギャップ層の)前端面 41 上部コア層 41c (上部コア層の)前端面 43、47 導電層 43a (導電層の)前端面 44 保護層 48、49、50、51 レジスト層 D 記録媒体 h1 MRヘッド h2 インダクティブヘッド 21 Thin film magnetic head 26 Upper shield layer 27 Insulation layer 28 Lower core layer 30 back gap layer 30a Front end face (of back gap layer) 41 Upper core layer 41c Front end face (of upper core layer) 43, 47 conductive layer 43a Front end face (of conductive layer) 44 Protective layer 48, 49, 50, 51 Resist layer D recording medium h1 MR head h2 inductive head

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高畠 宇士 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 橋本 秀幸 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 粉川 泰浩 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 Fターム(参考) 5D033 BA15 BB43 DA02 DA31 5D034 BA02 BB08 BB12 DA07    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Ubata Takahata             1-7 Aki, Otsuka-cho, Yukiya, Ota-ku, Tokyo             Su Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hideyuki Hashimoto             1-7 Aki, Otsuka-cho, Yukiya, Ota-ku, Tokyo             Su Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Kogawa             1-7 Aki, Otsuka-cho, Yukiya, Ota-ku, Tokyo             Su Electric Co., Ltd. F term (reference) 5D033 BA15 BB43 DA02 DA31                 5D034 BA02 BB08 BB12 DA07

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部シールド層と、磁気抵抗効果素子
と、上部シールド層とを有する再生用ヘッドと、前記上
部シールド層上に絶縁層を介して対向する下部コア層
と、磁気ギャップ層と、上部コア層と、前記下部コア層
と上部コア層間に形成されたコイル層とを有する記録用
ヘッドとからなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部シールド層と下部コア層間の一部が、導電層で
導通接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A reproducing head having a lower shield layer, a magnetoresistive effect element, and an upper shield layer, a lower core layer facing the upper shield layer with an insulating layer interposed therebetween, and a magnetic gap layer, A thin-film magnetic head comprising an upper core layer and a recording head having the lower core layer and a coil layer formed between the upper core layer, wherein a part of the upper shield layer and the lower core layer is electrically conductive. A thin film magnetic head characterized by being connected.
【請求項2】 前記導電層は、磁性材料で形成される請
求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the conductive layer is made of a magnetic material.
【請求項3】 前記導電層は前記下部コア層と同一材料
で形成される請求項2記載の薄膜磁気ヘッド。
3. The thin film magnetic head according to claim 2, wherein the conductive layer is formed of the same material as the lower core layer.
【請求項4】 前記導電層は、非磁性導電材料で形成さ
れる請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
4. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the conductive layer is made of a non-magnetic conductive material.
【請求項5】 前記非磁性導電材料には、NiP、C
u、Al、Cr、Auから1種または2種以上が選択さ
れる請求項4記載の薄膜磁気ヘッド。
5. The non-magnetic conductive material is NiP, C
The thin film magnetic head according to claim 4, wherein one kind or two or more kinds is selected from u, Al, Cr and Au.
【請求項6】 前記上部コア層の基端部はハイト方向後
方で前記下部コア層上に磁気的に接続されており、前記
導電層の前端面は前記基端部の前端面よりもハイト方向
後方に形成される請求項1ないし5のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド。
6. The base end portion of the upper core layer is magnetically connected to the lower core layer rearward in the height direction, and the front end face of the conductive layer is higher in the height direction than the front end face of the base end portion. The thin film magnetic head according to claim 1, which is formed on the rear side.
【請求項7】 前記上部コア層と下部コア層間は、ハイ
ト方向後方でバックギャップ層を介して磁気的に接続さ
れており、前記導電層の前端面は前記バックギャップ層
の前端面よりもハイト方向後方に形成される請求項1な
いし5のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. The upper core layer and the lower core layer are magnetically connected to each other via a back gap layer at a rear side in the height direction, and a front end face of the conductive layer is higher than a front end face of the back gap layer. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the thin film magnetic head is formed rearward in a direction.
【請求項8】 前記導電層の膜面と平行な方向における
断面積は、1μm2以上で500μm2以下で形成される
請求項1ないし7のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
8. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein a cross-sectional area of the conductive layer in a direction parallel to the film surface is 1 μm 2 or more and 500 μm 2 or less.
【請求項9】 前記下部コア層と前記上部シールド層は
異なる磁性材料で形成される請求項1ないし8のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド。
9. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the lower core layer and the upper shield layer are formed of different magnetic materials.
【請求項10】 前記薄膜磁気ヘッドの前端面には保護
層が形成され、前記保護層の膜厚は、0.5nm以上で
5nm以下である請求項1ないし9のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド。
10. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein a protective layer is formed on the front end face of the thin-film magnetic head, and the thickness of the protective layer is 0.5 nm or more and 5 nm or less. head.
【請求項11】 前記保護層は、DLC(ダイヤモンド
ライクカーボン)、ta−C(Tetrahedral Amorphous
Carbon)のうち1種または2種以上で形成される請求
項10記載の薄膜磁気ヘッド。
11. The protective layer comprises DLC (diamond-like carbon) and ta-C (Tetrahedral Amorphous).
11. The thin film magnetic head according to claim 10, which is formed of one kind or two or more kinds of carbon).
【請求項12】 以下の工程を有することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 (a)下部シールド層、磁気抵抗効果素子及び上部シー
ルド層を有する再生ヘッドを形成する工程と、(b)前
記上部シールド層上の一部に導電層を形成するととも
に、前記導電層の周囲に絶縁層を形成する工程と、
(c)前記絶縁層上から前記導電層上にかけて下部コア
層を形成する工程と、(d)前記下部コア層上にコイル
層、上部コア層を形成し、前記下部コア層、コイル層、
及び上部コア層を有する記録用ヘッドを形成する工程。
12. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising the following steps. (A) a step of forming a reproducing head having a lower shield layer, a magnetoresistive effect element and an upper shield layer, and (b) forming a conductive layer on a part of the upper shield layer and surrounding the conductive layer. A step of forming an insulating layer,
(C) forming a lower core layer from the insulating layer to the conductive layer, and (d) forming a coil layer and an upper core layer on the lower core layer, and forming the lower core layer, the coil layer,
And a step of forming a recording head having an upper core layer.
【請求項13】 前記(b)工程及び(c)工程に代え
て以下の工程を有する請求項12記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。(e)前記上部シールド層上に絶縁層を形
成し、前記絶縁層に前記上部シールド層にまで貫通する
穴部を形成し、前記穴部内から前記絶縁層上にかけてメ
ッキ下地層を形成する工程と、(f)前記メッキ下地層
上に下部コア層をメッキ形成し、前記穴部内に前記下部
コア層と一体となる導電層を形成する工程。
13. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 12, further comprising the following steps in place of the steps (b) and (c). (E) a step of forming an insulating layer on the upper shield layer, forming a hole in the insulating layer that penetrates to the upper shield layer, and forming a plating underlayer from the inside of the hole to the insulating layer. (F) A step of forming a lower core layer on the plating base layer by plating, and forming a conductive layer integrated with the lower core layer in the hole.
【請求項14】 前記(d)工程で、前記下部コア層上
に磁気的に接続する上部コア層の基端部の前端面を、あ
るいは前記(d)工程で、前記下部コア層と上部コア層
の基端部間に形成されるバックギャップ層の前端面を、
前記導電層の前端面より記録媒体側に位置するように形
成する請求項12または13に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
14. The front end face of the base end of the upper core layer magnetically connected to the lower core layer in the step (d), or the lower core layer and the upper core in the step (d). The front end face of the back gap layer formed between the base end portions of the layers,
14. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 12, wherein the conductive layer is formed so as to be located closer to the recording medium than the front end surface of the conductive layer.
【請求項15】 前記(c)工程及び(f)工程で、前
記上部シールド層とは異なる磁性材料で、下部コア層を
形成する請求項12ないし14のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
15. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 12, wherein the lower core layer is formed of a magnetic material different from that of the upper shield layer in the steps (c) and (f). Method.
【請求項16】 前記(d)工程の後、前記記録媒体と
の対向面に保護層を形成し、このとき前記保護層の膜厚
を、0.5nm以上で5nm以下で形成する請求項12
ないし15のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
16. The protective layer is formed on the surface facing the recording medium after the step (d), and the thickness of the protective layer is 0.5 nm or more and 5 nm or less.
16. The method for manufacturing a thin film magnetic head according to any one of 1 to 15.
【請求項17】 前記保護層を、DLC(ダイヤモンド
ライクカーボン)、ta−C(Tetrahedral Amorphous
Carbon)のうち1種または2種以上で形成する請求項
16記載の薄膜磁気ヘッド。
17. The protective layer is formed of DLC (diamond-like carbon), ta-C (Tetrahedral Amorphous).
17. The thin film magnetic head according to claim 16, which is formed of one kind or two or more kinds of carbon).
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