JP2003084436A - Chemical amplification type resist composition - Google Patents

Chemical amplification type resist composition

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JP2003084436A
JP2003084436A JP2001274195A JP2001274195A JP2003084436A JP 2003084436 A JP2003084436 A JP 2003084436A JP 2001274195 A JP2001274195 A JP 2001274195A JP 2001274195 A JP2001274195 A JP 2001274195A JP 2003084436 A JP2003084436 A JP 2003084436A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemical amplification type resist composition excellent in resolution, lowering of line edge roughness and rectangularity of a resist pattern in section. SOLUTION: The chemical amplification type resist composition is obtained by dissolving in an organic solvent (A) a (meth)acrylic acid copolymer having an ester of acrylic acid and a specified monocyclohexane or bicycloheptane carbolactone or the like as repeating units and having a molecular weight distribution of 1.01-1.50 and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、分子量分布の狭い
(メタ)アクリル酸共重合体を配合してなり、解像性の
向上、ラインエッジラフネスの低減、断面レジストパタ
ーンの矩形性向上等の優れた特性を有する化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention comprises a (meth) acrylic acid copolymer having a narrow molecular weight distribution for improving the resolution, reducing the line edge roughness, and improving the rectangularity of a sectional resist pattern. The present invention relates to a chemically amplified resist composition having excellent properties.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、化学増幅型レジストのベース樹脂
として、特にArF用レジストとしては、193nmに
吸収を有するヒドロキシスチレンモノマー単位のような
芳香族性基を有さず、かつアダマンチル基のような脂肪
族多環式基を側鎖に有しドライエッチング性を高めた脂
肪族多環式基含有(メタ)アクリル酸共重合体が多数提
案されている(特許第2881969号、特開平5−3
46668号公報、特開平7−234511号公報、特
開平10−319595号公報、特開2001−209
254号公報など)。
2. Description of the Related Art Recently, as a base resin for a chemically amplified resist, particularly as a resist for ArF, it does not have an aromatic group such as a hydroxystyrene monomer unit having an absorption at 193 nm and does not have an adamantyl group. A large number of aliphatic polycyclic group-containing (meth) acrylic acid copolymers having an aliphatic polycyclic group in the side chain and improved dry etching properties have been proposed (Patent No. 2881969, JP-A-5-3).
46668, JP 7-234511 A, JP 10-319595 A, JP 2001-209 A.
No. 254, etc.).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の(メタ)アクリル酸共重合体は、分子量分布
が広く、そのような(メタ)アクリル酸共重合体を用い
た化学増幅型レジストでは、半導体素子の微細化が進ん
だ今日、もはや解像性は十分とは言えない。さらにレジ
ストパターンサイズの微細化が進むとラインエッジラフ
ネス低減の要求が以前より厳しくなり、さらにレジスト
断面形状も基板界面で僅かにフッティングが生じるなど
問題が生じている。このような問題点の解決が強く望ま
れている。
However, such a conventional (meth) acrylic acid copolymer has a wide molecular weight distribution, and a chemically amplified resist using such a (meth) acrylic acid copolymer cannot be obtained. Nowadays, as the miniaturization of semiconductor devices progresses, the resolution is no longer sufficient. Further, as the resist pattern size is further miniaturized, the demand for line edge roughness reduction becomes more severe than before, and there is a problem that the resist cross-sectional shape also causes a slight footing at the substrate interface. It is strongly desired to solve such problems.

【0004】従って、本発明は、解像性に優れ、ライン
エッジラフネスの低減、断面レジストパターンの矩形性
に優れるレジスト組成物の提供を目的とする。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a resist composition which is excellent in resolution, reduces line edge roughness and rectangularity of a sectional resist pattern.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、狭分散性の(メタ)ア
クリル酸と特定のモノシクロヘキサン又はビシクロヘプ
タンカルボラクトン等とのエステルを繰り返し単位とす
る(メタ)アクリル酸共重合体を、酸の作用によりアル
カリ可溶性が増大する樹脂として用いることにより、解
像性に優れ、ラインエッジラフネスの低減、断面レジス
トパターンの矩形性に優れるレジスト組成物が得られる
ことを見出し、本発明を完成した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that an ester of a narrowly dispersible (meth) acrylic acid and a specific monocyclohexane or bicycloheptanecarbolactone is used. By using a (meth) acrylic acid copolymer as a repeating unit as a resin whose alkali solubility is increased by the action of an acid, the resist has excellent resolution, reduced line edge roughness, and excellent rectangularity in the cross-sectional resist pattern. They have found that a composition can be obtained and completed the present invention.

【0006】すなわち、本発明は、次の成分(A)及び
(B) (A)次式(I)
That is, according to the present invention, the following components (A) and (B) (A)

【0007】[0007]

【化9】 [Chemical 9]

【0008】(式中、R1は、水素原子、または置換基
を有していてもよいC1〜C5アルキル基を表し、A
は、単結合、アルキレンオキシアルキレン基、カルボニ
ルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アル
キレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表し、
Bは式(I−1)〜(I−4)
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a C1 to C5 alkyl group which may have a substituent, and A 1
Represents a single bond, an alkyleneoxyalkylene group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group combining these,
B is the formula (I-1) to (I-4)

【0009】[0009]

【化10】 [Chemical 10]

【0010】(式中、Xは、酸素原子、硫黄原子または
置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、R
2は、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロア
ルキル基、またはアルケニル基を表し、mは、0又は1
〜5のいずれかの整数を表し、mが2以上の場合、R2
はそれぞれ同一または相異なっていてもよく、また相互
に結合して環を形成してもよい。)で表される置換基を
表す。)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子
量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/M
n)が1.01〜1.50の範囲である(メタ)アクリ
ル酸共重合体、(B)放射線の照射により酸を発生する
化合物、を有機溶剤に溶解してなる化学増幅型レジスト
組成物を提供するものである。
(In the formula, X represents an oxygen atom, a sulfur atom or an alkylene group which may have a substituent, and R
2 represents an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group or an alkenyl group, and m is 0 or 1
Represents any integer of 5 to 5, and when m is 2 or more, R 2
May be the same or different, and may be bonded to each other to form a ring. ) Represents a substituent. ), And the ratio (Mw / M) of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn).
Chemically amplified resist composition obtained by dissolving (meth) acrylic acid copolymer having n of 1.01 to 1.50 and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with radiation in an organic solvent. Is provided.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本明細書中、(メタ)アクリル酸
共重合体とは、メタアクリル酸エステルおよび/または
アクリル酸エステルから誘導される共重合体を示すもの
とする。本発明に用いる成分(A)は、分子量分布(重
量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比(M
w/Mn))が1.01〜1.50と狭い(メタ)アク
リル酸共重合体である。従来アニオン重合方法では、用
いる2種以上の(メタ)アクリル酸エステルの反応性が
大きく異なるため、分子量分布の狭いランダム共重合体
を得ることが困難とされていた。しかしながら、アニオ
ン重合開始剤に対して適当量の鉱酸のアルカリ金属塩及
び/又はアルカリ土類金属塩を用いることにより、(メ
タ)アクリル酸エステルの反応性が大きく異なる場合で
も、分子量分布の狭い(メタ)アクリル酸共重合体を製
造することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present specification, the term "(meth) acrylic acid copolymer" means a copolymer derived from methacrylic acid ester and / or acrylic acid ester. The component (A) used in the present invention has a molecular weight distribution (weight average molecular weight (Mw) to number average molecular weight (Mn) ratio (M).
(w / Mn)) is a narrow (meth) acrylic acid copolymer of 1.01 to 1.50. In the conventional anionic polymerization method, it has been considered difficult to obtain a random copolymer having a narrow molecular weight distribution because the reactivity of two or more (meth) acrylic acid esters to be used is greatly different. However, by using an appropriate amount of an alkali metal salt and / or an alkaline earth metal salt of a mineral acid with respect to the anionic polymerization initiator, the molecular weight distribution is narrow even when the reactivity of the (meth) acrylic acid ester is significantly different. A (meth) acrylic acid copolymer can be produced.

【0012】本発明に用いる成分(A)は、ラクトン環
を有する(メタ)アクリル酸エステルを繰り返し単位と
するものであるが、具体的には、式(I)で表される繰
り返し単位を有する(メタ)アクリル酸共重合体であ
る。式(I)で表される繰り返し単位中、R1は、水素原
子、または置換基を有していてもよいC1〜C5アルキ
ル基を表し、Aは、単結合、アルキレンオキシアルキレ
ン基、カルボニルオキシ基、カルボニル基、アルキレン
基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表し、Bは、
式(I−1)〜(I−4)で表される何れかの置換基を
表す。
The component (A) used in the present invention has a repeating unit of a (meth) acrylic acid ester having a lactone ring. Specifically, it has a repeating unit represented by the formula (I). It is a (meth) acrylic acid copolymer. In the repeating unit represented by the formula (I), R 1 represents a hydrogen atom or a C1 to C5 alkyl group which may have a substituent, and A represents a single bond, an alkyleneoxyalkylene group or carbonyloxy. Represents a group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group in which these groups are combined, and B is
It represents any of the substituents represented by formulas (I-1) to (I-4).

【0013】R1として、具体的には、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基等を
例示することができる。式(I−1)〜(I−4)にお
いて、Xは、酸素原子、硫黄原子または置換基を有して
いてもよいアルキレン基を表し、具体的には、酸素原
子、イオウ原子、メチレン基、エチレン基、1,1−ジ
メチルメチレン基、1,2−ジメチルエチレン基、1,
1−ジメチルエチレン基等を例示することができる。R
2は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル
基、シクロアルキル基、またはアルケニル基を表し、m
は、0〜5のいずれかの整数を表し、mが2以上の場
合、R2はそれぞれ同一または相異なっていてもよく、
また相互に結合して環を形成してもよい。R2における
アルキル基としては、直鎖状または分岐状のC1〜C1
2のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基等を例示するこ
とができる。
Specific examples of R 1 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group and the like. . In formulas (I-1) to (I-4), X represents an oxygen atom, a sulfur atom or an alkylene group which may have a substituent, and specifically, an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group. , Ethylene group, 1,1-dimethylmethylene group, 1,2-dimethylethylene group, 1,
A 1-dimethyl ethylene group etc. can be illustrated. R
2 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group, or an alkenyl group, and m
Represents an integer of 0 to 5, and when m is 2 or more, R 2 s may be the same or different,
Further, they may be bonded to each other to form a ring. The alkyl group for R 2 is linear or branched C1 to C1.
The alkyl group of 2 is preferable, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group,
Isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-
Examples thereof include a pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

【0014】シクロアルキル基として具体的には、シク
ロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3〜8
個のものを例示することができ、アルケニル基として
は、ビニル基、2−プロペニル基、2−ブテニル基、3
−ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のもの等を例示する
ことができる。また、mが2以上の場合、R2内の2つ
が結合して形成する環として具体的には、シクロプロパ
ン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキ
サン環、シクロオクタン環等の3〜8員環を例示するこ
とができる。なお、R2の置換位置は特に限定されず、
環状骨格を構成している炭素原子のうちのいずれに連結
していてもよい。
Specific examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group,
C3-C8 such as cycloheptyl group and cyclooctyl group
Examples thereof include vinyl groups, 2-propenyl groups, 2-butenyl groups, and 3 as alkenyl groups.
Examples thereof include those having 2 to 6 carbon atoms such as a hexenyl group. When m is 2 or more, the ring formed by combining two members in R 2 is specifically a 3- to 8-membered ring such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cyclooctane ring. A ring can be exemplified. The substitution position of R 2 is not particularly limited,
It may be linked to any of the carbon atoms constituting the cyclic skeleton.

【0015】また、R1およびR2は、適当な炭素上に置
換基を有していてもよく、その置換基としては、C1〜
C4アルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカル
ボニル基、ニトロ基等を具体的に例示することができ
る。また、Aとして下記式に示す構造を例示することが
できる。
Further, R 1 and R 2 may have a substituent on an appropriate carbon, and the substituent may be C1 to C1.
Specific examples include C4 alkoxy group, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), acyl group, acyloxy group, cyano group, hydroxyl group, carboxy group, alkoxycarbonyl group and nitro group. . Further, the structure represented by the following formula can be exemplified as A.

【0016】[0016]

【化11】 [Chemical 11]

【0017】RaおよびRbはそれぞれ独立に、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、具体的には、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基
等の低級アルキル基が好ましく例示することができる。
置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基等のC1〜4Cのものを例示することができる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を例示することができる。r1は1〜1
0のいずれかの整数を表し、r2は1〜3のいすれかの
整数を表す。式(I)で表される化合物として具体的な
例を以下に示す。
Ra and Rb each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group or an alkoxy group, specifically, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, Preferable examples are lower alkyl groups such as n-butyl group.
Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group, and examples of the alkoxy group include C1-4C groups such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. it can.
Examples of the halogen atom include chlorine atom, bromine atom, fluorine atom, iodine atom and the like. r1 is 1 to 1
0 represents any integer, and r2 represents any integer of 1 to 3. Specific examples of the compound represented by the formula (I) are shown below.

【0018】[0018]

【化12】 [Chemical 12]

【0019】[0019]

【化13】 [Chemical 13]

【0020】[0020]

【化14】 [Chemical 14]

【0021】[0021]

【化15】 [Chemical 15]

【0022】[0022]

【化16】 [Chemical 16]

【0023】これらの中では特に、I−101で表され
る単位が好ましい。本発明において、成分(A)は、さ
らに脂環式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリル酸エ
ステルから誘導される繰り返し単位を含むものであるこ
とが好ましい。脂環式炭化水素骨格を有する(メタ)ア
クリル酸エステルから誘導される繰り返し単位として、
式(II)で表される繰り返し単位を好ましく例示するこ
とができる。
Of these, the unit represented by I-101 is particularly preferable. In the present invention, the component (A) preferably further contains a repeating unit derived from a (meth) acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon skeleton. As a repeating unit derived from a (meth) acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon skeleton,
The repeating unit represented by the formula (II) can be preferably exemplified.

【0024】[0024]

【化17】 [Chemical 17]

【0025】式(II)で表される繰り返し単位中、R3
は、水素原子、または置換基を有していてもよいC1〜
C5アルキル基を表し、Aは前記と同じ意味を表し、C
は、式(II−1)〜(II−6)で表される置換基のいず
れかを表す。
In the repeating unit represented by the formula (II), R 3
Is a hydrogen atom or C1 which may have a substituent.
Represents a C5 alkyl group, A represents the same meaning as described above, C
Represents any of the substituents represented by formulas (II-1) to (II-6).

【0026】[0026]

【化18】 [Chemical 18]

【0027】また、式(II−1)〜(II−6)において
は、R11は、C1〜C5アルキル基を表し、Zは、炭素
原子とともに、脂環式炭化水素基を形成するのに必要な
原子団を表し、R12〜R16は、各々独立に直鎖または分
枝鎖のC1〜C4アルキル基または脂環式炭化水素基を
表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしく
はR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表し、R
17〜R21は、各々独立に水素原子、直鎖または分枝鎖の
C1〜C4アルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但
しR17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基
を表し、R19、R21のいずれかは直鎖または分枝鎖のC
1〜C4アルキル基または脂環式炭化水素基を表し、R
22〜R25は、各々独立に水素原子、直鎖または分枝鎖の
C1〜C4アルキル基を表し、但しR22〜R25のうち少
なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
In the formulas (II-1) to (II-6), R 11 represents a C1 to C5 alkyl group, and Z together with the carbon atom forms an alicyclic hydrocarbon group. And R 12 to R 16 each independently represent a linear or branched C 1 to C 4 alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least 1 of R 12 to R 14 is represented. Or R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group,
17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched C 1 to C 4 alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 is an alicyclic carbon group. Represents a hydrogen group, and either R 19 or R 21 is a linear or branched C
1 to C4 represents an alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group, R
22 to R 25 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched C 1 to C 4 alkyl group, provided that at least one of R 22 to R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group.

【0028】R3として具体的には、R1と同様の具体例
を例示することができ、R11としては、炭素数の違いを
考慮してR1と同様の具体例を例示することができる。
12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは
非置換のいずれであってもよく、直鎖または分枝鎖のC
1〜C4アルキル基を表し、具体的には、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等
を例示することができる。R3、R11〜R25は、適当な
炭素上に更なる置換基を有することができ、その置換基
として、C1〜C4アルコキシ基、ハロゲン原子(フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル
基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、
アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることがで
きる。
Specific examples of R 3 are the same as those of R 1, and specific examples of R 11 are the same as those of R 1 in consideration of the difference in carbon number. it can.
The alkyl group for R 12 to R 25 may be substituted or unsubstituted, and may be straight-chain or branched-chain C.
1 to C4 alkyl group, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group. it can. R 3 and R 11 to R 25 may have a further substituent on a suitable carbon, and as the substituent, a C 1 to C 4 alkoxy group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom) ), An acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group,
Examples thereof include an alkoxycarbonyl group and a nitro group.

【0029】R11〜R25における脂環式炭化水素基ある
いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよく、具体的には、C5以
上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ
構造等を有する基を挙げることができ、C6〜C30の
脂環式炭化水素基が好ましく、特にC7〜C25の脂環
式炭化水素基が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は
適当な炭素上に置換基を有していてもよい。脂環式炭化
水素基のうち、脂環式部分の構造例を以下に示す。
The alicyclic hydrocarbon group for R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom may be monocyclic or polycyclic, specifically, C5 or more. Groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure, etc. can be mentioned, and C6 to C30 alicyclic hydrocarbon groups are preferable, and C7 to C25 alicyclic hydrocarbon groups are particularly preferable. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent on a suitable carbon. An example of the structure of the alicyclic portion of the alicyclic hydrocarbon group is shown below.

【0030】[0030]

【化19】 [Chemical 19]

【0031】上記例示された脂環式炭化水素骨格のう
ち、特にアダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリ
ン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニ
ル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基等を好ましく例示すること
ができ、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル
基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデ
カニル基をより好ましく例示することができる。
Among the alicyclic hydrocarbon skeletons exemplified above, adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cyclo Preferable examples include heptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group, cyclododecanyl group, adamantyl group, decalin residue, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group, A cyclododecanyl group can be illustrated more preferably.

【0032】これらの脂環式炭化水素基の置換基とし
て、具体的にはアルキル基、置換アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基、アシル基、ハロゲン原子、水
酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基等を例示することができる。より具体的に、ア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好まし
く、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基である。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基(アルコキシカルボニル基のア
ルコキシ基も含む)としてはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等のC1〜C4のものを挙げ
ることができる。
Specific examples of the substituents on these alicyclic hydrocarbon groups include alkyl groups, substituted alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups, acyl groups, halogen atoms, hydroxyl groups, alkoxy groups, carboxyl groups and alkoxycarbonyl. A group etc. can be illustrated. More specifically, the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group,
It is an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. As the alkoxy group (including the alkoxy group of the alkoxycarbonyl group), a methoxy group, an ethoxy group,
Examples thereof include C1 to C4 groups such as a propoxy group and a butoxy group.

【0033】シクロアルキル基としては、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げら
れる。アルケニル基としては、C2〜C6のアルケニル
基が挙げられ、具体的にはビニル基、1−プロペニル
基、アリル基、2−ブテニル基、2−ペンテニル基、3
−ヘキセニル基等が挙げられる。アシル基としては、ア
セチル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニ
ル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原
子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等が挙げられる。
Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. Examples of the alkenyl group include C2-C6 alkenyl groups, and specifically, vinyl group, 1-propenyl group, allyl group, 2-butenyl group, 2-pentenyl group, 3
A hexenyl group and the like. Examples of the acyl group include acetyl group, ethylcarbonyl group and n-propylcarbonyl group. Examples of the halogen atom include chlorine atom, bromine atom, iodine atom and fluorine atom.

【0034】式(II−1)〜(II−6)で示される構造
のなかでも、好ましくは式(II−1)であり、より好ま
しくは式(III)で示される繰り返し単位である。
Among the structures represented by the formulas (II-1) to (II-6), the formula (II-1) is preferable, and the repeating unit represented by the formula (III) is more preferable.

【0035】[0035]

【化20】 [Chemical 20]

【0036】式中、R1は、前記と同じ意味を表し、R
30は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、R31
〜R32はそれぞれ独立に水酸基、ハロゲン原子、カルボ
キシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはア
シル基を表し、p、q、rはそれぞれ独立に、0または
1〜3の整数を表し、p、q、またはrが、2以上の場
合、各R31、R32は、それぞれ同一または相異なってい
てもよい。式(III)中のR30のアルキル基、R31〜R
32におけるハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、アシル基は、前記脂環式炭化水素基の置換基で例
示した具体例と同様の具体例を例示することができる。
式(III)の単位を含むことにより、成分(A)は、成
分(B)から生じた酸の作用によりアルカリ不溶性から
アルカリ可溶性へ変化し、ポジ型のレジストパターンが
得られる。従って、式(I)と式(III)を含む共重合体
を成分(A)に用いると、ポジ型組成物となる。式(I
I)(式(III)を含む)で表される繰り返し単位の具体
例として以下に示す。
In the formula, R 1 has the same meaning as described above, and R 1
30 represents an alkyl group which may have a substituent, R 31
To R 32 each independently represent a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or an acyl group, and p, q, and r are each independently 0 or Represents an integer of 1 to 3, and when p, q, or r is 2 or more, R 31 and R 32 may be the same or different. R 30 alkyl group in formula (III), R 31 to R
The halogen atom, the alkyl group, the cycloalkyl group, the alkenyl group, the alkoxy group, the alkoxycarbonyl group, and the acyl group in 32 are the same as the specific examples exemplified as the substituent of the alicyclic hydrocarbon group. You can
By containing the unit of the formula (III), the component (A) changes from alkali-insoluble to alkali-soluble due to the action of the acid generated from the component (B), and a positive resist pattern is obtained. Therefore, when the copolymer containing the formula (I) and the formula (III) is used as the component (A), a positive type composition is obtained. Expression (I
Specific examples of the repeating unit represented by I) (including formula (III)) are shown below.

【0037】[0037]

【化21】 [Chemical 21]

【0038】[0038]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0039】[0039]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0040】[0040]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0041】これらの中では特に、II−101、II−1
02、II−103、II−104で表される単位が好まし
い。本発明において、成分(A)の(メタ)アクリル酸
共重合体は、式(I)、式(II)で表される繰り返し単
位以外にも、更に他の繰り返し単位を含んでいてもよ
く、他の繰り返し単位として、下記式(IV)で示される
繰り返し単位を具体的に例示することができる。
Among these, especially II-101 and II-1
The units represented by 02, II-103, and II-104 are preferable. In the present invention, the component (A) (meth) acrylic acid copolymer may further contain other repeating units in addition to the repeating units represented by the formulas (I) and (II), Specific examples of the other repeating unit include the repeating unit represented by the following formula (IV).

【0042】[0042]

【化25】 [Chemical 25]

【0043】(式中、R34は、水素原子、または、置換
基を有していてもよい直鎖または分枝鎖のC1〜C5ア
ルキル基を表し、R35〜R37は、それぞれ独立に水素原
子又は置換基を有していてもよいC1〜C5アルコキシ
基を表し、R35〜R37のうち少なくとも1つは置換基を
有していてもよいC1〜C5アルコキシ基を表す。) 式(IV)におけるR34の具体例としては、R1で例示し
た具体例と同様の具体例を例示することができる。R35
〜R37として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、
t−ブトキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシメトキ
シ基、メトキシメトキシ基、2−メトキシエトキシメト
キシ基、ビス(2−クロロエトキシ)メトキシ基、テト
ラヒドロピラニルオキシ基、4−メトキシテトラヒドロ
ピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、ト
リフェニルメトキシ基、トリメチルシリルオキシ基、2
−(トリメチルシリル)エトキシメトキシ基、t−ブチ
ルジメチルシリルオキシ基、トリメチルシリルメトキシ
基、t−ブトキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ
基、t−ブトキシカルボニルメトキシ基、1−t−ブト
キシカルボニルエトキシ基、1−メチル−1−t−ブト
キシカルボニルエトキシ基等を例示することができ、特
に、アニオン重合を阻害せずに酸により分解または脱離
し水酸基を生成することができるアルコキシ基が好まし
い。R35〜R37のうち少なくとも1つは、アルコキシ基
であり、好ましくはジアルコキシ体、モノアルコキシ体
であり、より好ましくはモノアルコキシ体である。ま
た、下式
(In the formula, R 34 represents a hydrogen atom or a linear or branched C 1 to C 5 alkyl group which may have a substituent, and R 35 to R 37 are each independently. It represents a hydrogen atom or a substituent which may have a C1~C5 alkoxy group, at least one may have a substituent C1~C5 alkoxy group of R 35 ~R 37.) formula Specific examples of R 34 in (IV) are the same as the specific examples of R 1 . R 35
Specific examples of R 37 to R 37 include methoxy group, ethoxy group, n
-Propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group,
t-butoxy group, methoxymethoxy group, ethoxymethoxy group, methoxymethoxy group, 2-methoxyethoxymethoxy group, bis (2-chloroethoxy) methoxy group, tetrahydropyranyloxy group, 4-methoxytetrahydropyranyloxy group, tetrahydrofuran Nyloxy group, triphenylmethoxy group, trimethylsilyloxy group, 2
-(Trimethylsilyl) ethoxymethoxy group, t-butyldimethylsilyloxy group, trimethylsilylmethoxy group, t-butoxy group, t-butoxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonylmethoxy group, 1-t-butoxycarbonylethoxy group, 1- Examples thereof include a methyl-1-t-butoxycarbonylethoxy group and the like, and an alkoxy group capable of decomposing or leaving with an acid to generate a hydroxyl group without inhibiting anionic polymerization is particularly preferable. At least one of R 35 to R 37 is an alkoxy group, preferably a dialkoxy body or a monoalkoxy body, and more preferably a monoalkoxy body. Also, the following formula

【0044】[0044]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0045】(式中、R38はC1〜C20の無置換若し
くはアルコキシ置換のアルキル基、C5〜C10のシク
ロアルキル基、又はC6〜C20の無置換若しくはアル
コキシ置換のアリール基を表し、R39は、水素又はC1
〜C3のアルキル基を表し、R 40は水素、C1〜C6の
アルキル基、又はC1〜C6のアルコキシ基を表す。T
CDはトリシクロデカニル基を表す。)で表される基を
例示することができ、このような置換基として具体的に
は、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1
−メトキシプロピル基、1−メチル−1−メトキシエチ
ル基、1−(イソプロポキシ)エチル基、1−エトキシ
エトキシエチル基等を例示することができる。
(In the formula, R38Is C1-C20 with no substitution
Or alkoxy-substituted alkyl group, C5-C10
Or a C6 to C20 unsubstituted or aralkyl group
Represents a Coxy-substituted aryl group, R39Is hydrogen or C1
~ Represents a C3 alkyl group, R 40Is hydrogen, C1-C6
It represents an alkyl group or a C1-C6 alkoxy group. T
CD represents a tricyclodecanyl group. )
Examples of such substituents include
Is a 1-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, 1
-Methoxypropyl group, 1-methyl-1-methoxyethyl
Group, 1- (isopropoxy) ethyl group, 1-ethoxy
An ethoxyethyl group etc. can be illustrated.

【0046】成分(A)のアクリル酸共重合体には、さ
らに以下のような単量体に相当する繰り返し単位を含め
ることができる。アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸プロピル、アクリル酸アミル、アクリル
酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリ
ル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチ
ルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、
2,2−ジメチル−3−エトキシプロピルアクリレー
ト、5−エトキシペンチルアクリレート、ベンジルアク
リレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリル
アクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等
のアクリル酸エステル類、メチルメタクリレート、エチ
ルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロ
ピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベン
ジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、
オクチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリ
レート、4−メトキシブチルメタクリレート、5−メト
キシペンチルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−
エトキシプロピルメタクリレート、フルフリルメタクリ
レート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート等のメ
タクリル酸エステル類。
The acrylic acid copolymer as the component (A) may further contain repeating units corresponding to the following monomers. Methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, -t-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate,
Acrylic esters such as 2,2-dimethyl-3-ethoxypropyl acrylate, 5-ethoxypentyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl Methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate,
Octyl methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, 4-methoxybutyl methacrylate, 5-methoxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-
Methacrylic acid esters such as ethoxypropyl methacrylate, furfuryl methacrylate, and tetrahydrofurfuryl methacrylate.

【0047】クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、ク
ロトン酸プロピル、クロトン酸アミル、クロトン酸シク
ロヘキシル、クロトン酸エチルヘキシル、クロトン酸オ
クチル、クロトン酸−t−オクチル、クロルエチルクロ
トネート、2−エトキシエチルクロトネート、2,2−
ジメチル−3−エトキシプロピルクロトネート、5−エ
トキシペンチルクロトネート、ベンジルクロトネート、
メトキシベンジルクロトネート、フルフリルクロトネー
ト、テトラヒドロフルフリルクロトネート等のクロトン
酸エステル類、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチ
ル、イタコン酸ジプロピル、イタコン酸ジアミル、イタ
コン酸ジシクロヘキシル、イタコン酸ビス(エチルヘキ
シル)、イタコン酸ジオクチル、イタコン酸−ジ−t−
オクチル、ビス(クロルエチル)イタコネート、ビス
(2−エトキシエチル)イタコネート、ビス(2,2−
ジメチル−3−エトキシプロピル)イタコネート、ビス
(5−エトキシペンチル)イタコネート、ジベンジルイ
タコネート、ビス(メトキシベンジル)イタコネート、
ジフルフリルイタコネート、ジテトラヒドロフルフリル
イタコネート等のイタコン酸エステル類等を例示するこ
とができる。
Methyl crotonate, ethyl crotonate, propyl crotonate, amyl crotonate, cyclohexyl crotonate, ethylhexyl crotonate, octyl crotonate, -t-octyl crotonate, chloroethyl crotonate, 2-ethoxyethyl crotonate, 2,2-
Dimethyl-3-ethoxypropyl crotonate, 5-ethoxypentyl crotonate, benzyl crotonate,
Crotonic acid esters such as methoxybenzyl crotonate, furfuryl crotonate, tetrahydrofurfuryl crotonate, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dipropyl itaconate, diamyl itaconate, dicyclohexyl itaconate, bis (ethylhexyl) itaconate, itacon Dioctyl acid, itaconic acid-di-t-
Octyl, bis (chloroethyl) itaconate, bis (2-ethoxyethyl) itaconate, bis (2,2-
Dimethyl-3-ethoxypropyl) itaconate, bis (5-ethoxypentyl) itaconate, dibenzylitaconate, bis (methoxybenzyl) itaconate,
Examples thereof include itaconic acid esters such as diflufurylitaconate and ditetrahydrofurfurylitaconate.

【0048】本発明の化学増幅型レジスト組成物は、成
分(A)の(メタ)アクリル酸共重合体が、次の(VII
I)式、(IX)式又は(X)式で表される繰り返し単位を
含む共重合体であることが好ましい。
In the chemically amplified resist composition of the present invention, the component (A) (meth) acrylic acid copolymer is
It is preferably a copolymer containing a repeating unit represented by the formula (I), the formula (IX) or the formula (X).

【0049】[0049]

【化27】 [Chemical 27]

【0050】(式中、R1は、前記と同じ意味を表し、
30 は低級アルキル基を表す。)
(Wherein R 1 has the same meaning as described above,
R 30 'is a lower alkyl group. )

【0051】[0051]

【化28】 [Chemical 28]

【0052】(式中、R1は、前記と同じ意味を表
す。)
(In the formula, R 1 has the same meaning as described above.)

【0053】[0053]

【化29】 [Chemical 29]

【0054】(式中、R1は、前記と同じ意味を表し、
10は、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ
アルキル基、トリシクロデカニル基を表す。) 成分(A)の(メタ)アクリル酸共重合体中、各繰りく
り返し単位の比率は、反応に用いる単量体の比率で任意
に選択することができ、例えば、式(I)で表される繰
り返し単位の含有量は、全繰り返し単位中30〜70モ
ル%が好ましく、より好ましくは35〜65モル%、更
に好ましくは40〜60モル%である。また、式(I
I)、特には式(III)で表される繰り返し単位の含有量
は、全繰り返し単位中、通常20〜75モル%が好まし
く、より好ましくは25〜70モル%、更に好ましくは
30〜65モル%である。式(IV)又は(V)で表され
る繰り返し単位の含有量は、通常全単量体繰り返し単位
中0モル%〜70モル%であり、好ましくは5〜40モ
ル%、更に好ましくは5〜20モル%である。
(Wherein R 1 has the same meaning as described above,
R 10 represents an alkoxyalkyl group, an alkoxyalkoxyalkyl group or a tricyclodecanyl group. ) In the (meth) acrylic acid copolymer of the component (A), the ratio of each repeating unit can be arbitrarily selected by the ratio of the monomers used in the reaction, and is represented by, for example, the formula (I). The content of the repeating unit is preferably 30 to 70 mol%, more preferably 35 to 65 mol%, and further preferably 40 to 60 mol% in all repeating units. Also, the formula (I
I), particularly, the content of the repeating unit represented by the formula (III) is preferably 20 to 75 mol%, more preferably 25 to 70 mol%, further preferably 30 to 65 mol, based on all repeating units. %. The content of the repeating unit represented by the formula (IV) or (V) is usually 0 mol% to 70 mol% in all the monomer repeating units, preferably 5 to 40 mol%, more preferably 5 to 40 mol%. It is 20 mol%.

【0055】また、式(I)で表される繰り返し単位及
び式(II)、特には式(III)で表される繰り返し単位
を合計したモル数は、総モル数に対して99モル%以下
が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好
ましくは80モル%以下である。本発明で製造されるア
クリル酸共重合体の数平均分子量Mnは、ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー法により、ポリスチレン標
準で、好ましくは1,000〜1,000,00、より
好ましくは1,500〜500,000、更に好ましく
は2,000〜200,000、特に好ましくは2,5
00〜100,000の範囲である。また、成分(A)
のアクリル酸共重合体の分子量分布は、1.01〜1.
50の範囲であり、1.01〜1.30が好ましい。本
発明の方法で製造されるアクリル酸共重合体の繰り返し
単位の組合せの具体例を以下に示す。
The total number of moles of the repeating unit represented by the formula (I) and the formula (II), particularly the repeating unit represented by the formula (III) is 99 mol% or less based on the total number of moles. Is preferable, more preferably 90 mol% or less, still more preferably 80 mol% or less. The number average molecular weight Mn of the acrylic acid copolymer produced by the present invention is a polystyrene standard by gel permeation chromatography, preferably 1,000 to 1,000,00, more preferably 1,500 to 500. 1,000, more preferably 2,000 to 200,000, particularly preferably 2.5.
The range is from 00 to 100,000. In addition, the component (A)
The acrylic acid copolymer has a molecular weight distribution of 1.01-1.
It is in the range of 50 and is preferably 1.01 to 1.30. Specific examples of the combination of repeating units of the acrylic acid copolymer produced by the method of the present invention are shown below.

【0056】[0056]

【表1】 [Table 1]

【0057】[0057]

【表2】 [Table 2]

【0058】成分(A)のアクリル酸共重合体は、例え
ばアニオン重合開始剤を重合開始剤とし、アニオン重合
開始剤対して0.1当量以上、1.0当量未満の鉱酸の
アルカリ金属塩及び/又はアルカリ土類金属塩存在下、
2種以上の(メタ)アクリル酸エステルを共重合させる
ことにより調製することができる。
The acrylic acid copolymer as the component (A) has, for example, an anionic polymerization initiator as a polymerization initiator, and an alkali metal salt of a mineral acid of 0.1 equivalent or more and less than 1.0 equivalent to the anionic polymerization initiator. And / or in the presence of an alkaline earth metal salt,
It can be prepared by copolymerizing two or more kinds of (meth) acrylic acid esters.

【0059】成分(B)は、放射線の照射により酸を発
生する化合物である。成分(A)中に酸解離性溶解抑制
基が含まれている場合、ポジ型レジストとなり、これに
より成分(A)はアルカリ不溶性となっている。成分
(B)は、放射線照射により酸を発生させ、成分(A)
中の溶解抑制基を解離させ、成分(A)自体をアルカリ
可溶性へ変化させるものである。また、成分(A)中に
酸解離性溶解抑制基が含まれていない場合、さらに公知
の架橋剤を配合することにより、ネガ型レジストとな
る。そのような架橋剤としては、アルコキシメチル基や
ヒドロキシ基を有するメラミン、尿素、グリコールウリ
ル、エチレン尿素等のアミノ系架橋剤が挙げられる。成
分(B)は、このような作用を有するものであれば特に
制限はないが、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオ
ニウム塩が好ましく、置換または未置換のベンゼン核を
有するトリフェニルスルホニウム塩、次式(VI)で表さ
れるスルホニウム塩が特に好ましい。本発明において
は、これらを1種又は2種以上混合して用いることがで
きる。
The component (B) is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. When the component (A) contains an acid dissociable, dissolution inhibiting group, it becomes a positive resist, which makes the component (A) insoluble in alkali. The component (B) generates an acid upon irradiation with radiation, and the component (A)
The dissolution inhibiting group therein is dissociated to change the component (A) itself into alkali-soluble. When the component (A) does not contain an acid dissociable, dissolution inhibiting group, a negative resist can be obtained by further adding a known crosslinking agent. Examples of such a cross-linking agent include amino-based cross-linking agents such as melamine, urea, glycoluril, and ethylene urea having an alkoxymethyl group or a hydroxy group. The component (B) is not particularly limited as long as it has such an action, but an onium salt such as an iodonium salt or a sulfonium salt is preferable, and a triphenylsulfonium salt having a substituted or unsubstituted benzene nucleus, The sulfonium salt represented by (VI) is particularly preferable. In the present invention, these may be used alone or in combination of two or more.

【0060】[0060]

【化30】 [Chemical 30]

【0061】(式中、Arはアリール基を表し、X-
炭素数1〜15のフルオロアルキルスルホン酸イオンを
表す) 置換または未置換のベンゼン核を有するトリフェニルス
ルホニウム塩とは、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキ
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、tert−ブトキシ基等の低級アルコキシ基;フ
ッ素、塩素などのハロゲン原子;などの置換基でベンゼ
ン核が置換されているか、あるいは置換基を有さないト
リフェニルスルホニウム塩であることができる。アニオ
ンはとくに限定されないが、炭素数1〜15の完全又は
部分フッ素化アルキルスルホン酸イオンが酸の強度が強
く好ましい。
(Wherein Ar represents an aryl group and X represents a fluoroalkyl sulfonate ion having 1 to 15 carbon atoms) The triphenylsulfonium salt having a substituted or unsubstituted benzene nucleus is, for example, a methyl group. , Lower alkyl groups such as ethyl group, propyl group, butyl group and tert-butyl group; lower alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, tert-butoxy group; halogen atoms such as fluorine and chlorine; The benzene nucleus may be substituted with a substituent such as or a triphenylsulfonium salt having no substituent. The anion is not particularly limited, but a fully or partially fluorinated alkyl sulfonate ion having 1 to 15 carbon atoms is preferable because of strong acid strength.

【0062】具体的には、トリフェニルスルホニウムの
トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタン
スルホネート、ヘプタデカフルオロオクチルスルホネー
ト、カンファースルホネートおよびナフタレンスルホネ
ート;トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリ
フルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスル
ホネート、ヘプタデカフルオロオクチルスルホネート、
カンファースルホネートおよびナフタレンスルホネー
ト;4−メチルフェニルビス(4−エトキシフェニル)
スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、ノナ
フルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオク
チルスルホネート、カンファースルホネートおよびナフ
タレンスルホネート;4−メトキシフェニルビス(4−
クロロフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンス
ルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタ
デカフルオロオクチルスルホネート、カンファースルホ
ネートおよびナフタレンスルホネートなどが挙げられ
る。
Specifically, triphenyl sulfonium trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctyl sulfonate, camphor sulfonate and naphthalene sulfonate; tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate , Heptadecafluorooctyl sulfonate,
Camphor sulfonate and naphthalene sulfonate; 4-methylphenylbis (4-ethoxyphenyl)
Sulfonium trifluoromethanesulfonate, nonafluorobutanesulfonate, heptadecafluorooctylsulfonate, camphorsulfonate and naphthalenesulfonate; 4-methoxyphenylbis (4-
Examples include chlorophenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, nonafluorobutanesulfonate, heptadecafluorooctylsulfonate, camphorsulfonate and naphthalenesulfonate.

【0063】式(VI)で表されるスルホニウム塩におい
て、アリール基としては、例えば置換または未置換のフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。具体的には、次の
構造式で表されるものが挙げられる。
In the sulfonium salt represented by the formula (VI), examples of the aryl group include a substituted or unsubstituted phenyl group and a naphthyl group. Specific examples include those represented by the following structural formulas.

【0064】[0064]

【化31】 [Chemical 31]

【0065】X-は、トリフルオロメタンスルホネー
ト、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフル
オロオクチルスルホネートなどが挙げられる。置換また
は未置換のベンゼン核を有するトリフェニルスルホニウ
ム塩と式(V)で表されるスルホニウム塩を混合して用
いる場合、後者に対して前者を5〜25質量%で混合す
ることが好ましく、10〜20質量%が特に好ましい。
Examples of X include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctyl sulfonate and the like. When the triphenylsulfonium salt having a substituted or unsubstituted benzene nucleus and the sulfonium salt represented by the formula (V) are mixed and used, the former is preferably mixed with 5 to 25% by mass. -20 mass% is especially preferable.

【0066】(B)成分は、(A)成分に対し、1〜2
0質量%の割合で用いることが好ましく、2〜10質量
%の割合で用いることが特に好ましい。
The component (B) is 1 to 2 relative to the component (A).
It is preferably used in a proportion of 0% by mass, and particularly preferably used in a proportion of 2 to 10% by mass.

【0067】(C)成分 露光部からの酸の過剰拡散防止及びレジストパターンの
経時安定性の観点から、本発明の化学増幅型レジスト組
成物には、アミン類を配合することが好ましい。アミン
類としては、例えばプレベーク時の加熱によりレジスト
膜中から揮散しにくいジエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、トリブタノールアミン、トリイソプロパノ
ールアミンなどの第2級又は第3級アルカノールアミン
や、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジブチルアミ
ン、トリブチルアミンなどの第2級又は第3級アルキル
アミンが挙げられる。その配合量は、(A)成分100
重量部に対して0.01〜5重量部が好ましく、0.1
〜1重量部が特に好ましい。
Component (C) From the viewpoint of preventing excessive diffusion of acid from the exposed portion and stability of the resist pattern over time, it is preferable to add amines to the chemically amplified resist composition of the present invention. Examples of amines include secondary or tertiary alkanolamines such as diethanolamine, triethanolamine, tributanolamine, and triisopropanolamine, which are difficult to volatilize from the resist film by heating during prebaking, and diethylamine, triethylamine, dibutylamine. , Secondary or tertiary alkyl amines such as tributyl amine. The amount of the component (A) is 100
0.01 to 5 parts by weight is preferable with respect to parts by weight, and 0.1
-1 part by weight is particularly preferred.

【0068】本発明の化学増幅型レジスト組成物には、
本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて相溶性
のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良する
ための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像
した像をより一層可視的にするための着色料、より増感
効果を向上させるための増感剤やハレーション防止用染
料、密着性向上剤などの慣用の添加物を含有させること
ができる。
The chemically amplified resist composition of the present invention comprises
As long as the object of the present invention is not impaired, compatible additives as necessary, for example, additional resins for improving the performance of the resist film, plasticizers, stabilizers, surfactants, developed images A colorant for making it more visible, a sensitizer for further improving the sensitizing effect, a dye for antihalation, a conventional additive such as an adhesion improver can be contained.

【0069】本発明の化学増幅型レジスト組成物は、
(A)成分、(B)成分及び必要に応じて(C)成分、
その他の成分を、有機溶剤に溶解することにより調製す
ることができる。本発明に用いる有機溶剤としては、例
えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、イソブチルメチルケトン、イソアミルメチルケト
ン、1,1,1‐トリメチルアセトンなどのケトン類;
エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノアセテート又は
ジエチレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モ
ノイソプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノ
フェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導
体;ジオキサンのような環式エーテル類;及び酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3‐エトキ
シプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることが
できる。これらは単独でも、また2種以上を混合して用
いてもよい。
The chemically amplified resist composition of the present invention comprises
Component (A), component (B) and optionally component (C),
It can be prepared by dissolving other components in an organic solvent. Examples of the organic solvent used in the present invention include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, isobutyl methyl ketone, isoamyl methyl ketone, and 1,1,1-trimethylacetone;
Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate or monoethylene ether of diethylene glycol monoacetate, monoethyl ether, monopropyl ether, monoisopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether and derivatives thereof; dioxane Such cyclic ethers; and esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and ethyl 3-ethoxypropionate. These may be used alone or in combination of two or more.

【0070】本発明の化学増幅型レジスト組成物を用い
てレジストパターンを形成することができる。例えば、
まずシリコンウエーハやガラス角基板上に、上記化学増
幅型レジスト組成物をスピンナー等を用いて塗布し、塗
布膜を設ける。これを、例えばホットプレート等でプレ
ベークして乾燥した後、マスクパターンを介してKr
F、ArF、F2、EVUレーザー、電子線やX線等の
放射線を露光する。これを加熱処理(PEB)した後、
TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)等
のアルカリ現像液により、現像し、洗浄、乾燥すること
により、レジストパターンが形成される。
A resist pattern can be formed using the chemically amplified resist composition of the present invention. For example,
First, the above chemically amplified resist composition is applied onto a silicon wafer or a glass square substrate using a spinner or the like to form a coating film. This is pre-baked on a hot plate or the like and dried, and then Kr is passed through a mask pattern.
Exposure to radiation such as F, ArF, F2, EVU laser, electron beam and X-ray. After heat-treating (PEB) this,
A resist pattern is formed by developing with an alkali developing solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide), washing and drying.

【0071】[0071]

【実施例】以下、本発明を実施例により、更に詳細に説
明するが、本発明の範囲は、下記実施例により何ら制限
を受けるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

【0072】次式(VII)で表される成分(A)Component (A) represented by the following formula (VII)

【0073】[0073]

【化32】 [Chemical 32]

【0074】A−1 式(VII)において、n=50、m=50、l=0、R
‘=メチル基であり、GPC分析により、Mw=600
0、Mw/Mn=1.25の単分散性ポリマーをA−1
として用いる。
A-1 In the formula (VII), n = 50, m = 50, l = 0, R
'= Methyl group, and GPC analysis shows Mw = 600
0, a monodisperse polymer of Mw / Mn = 1.25 was A-1
Used as.

【0075】A−2 式(VII)において、n=50、m=50、l=0、R
‘=エチル基であり、GPC分析により、Mw=600
0、Mw/Mn=1.25の単分散性ポリマーをA−2
として用いる。
A-2 In the formula (VII), n = 50, m = 50, l = 0, R
'= Ethyl group, Mw = 600 by GPC analysis
0, Mw / Mn = 1.25 of monodisperse polymer as A-2
Used as.

【0076】A−3 式(VII)において、n=40、m=50、l=10、
R‘=メチル基、R=−C24O−C25であり、GP
C分析によりMw=6000、Mw/Mn=1.25の
単分散性ポリマーをA−3として用いる。
A-3 In the formula (VII), n = 40, m = 50, l = 10,
R '= methyl, R = a -C 2 H 4 O-C 2 H 5, GP
A monodisperse polymer having Mw = 6000 and Mw / Mn = 1.25 by C analysis is used as A-3.

【0077】A−4 式(VII)において、n=40、m=50、l=10、
R‘=メチル基、R=トリシクロ[5.2.1.
2,6]デシル基
A-4 In the formula (VII), n = 40, m = 50, l = 10,
R ′ = methyl group, R = tricyclo [5.2.1.
0 2,6 ] decyl group

【0078】[0078]

【化33】 [Chemical 33]

【0079】であり、GPC分析によりMw=600
0、Mw/Mn=1.25の単分散性ポリマーをA−4
として用いる。
According to GPC analysis, Mw = 600
0, Mw / Mn = 1.25 of monodisperse polymer as A-4
Used as.

【0080】A−5 式(VII)において、n=40、m=50、l=10、
R‘=メチル基、R=メタクリル酸エトキシエトキシエ
チルであり、GPC分析によりMw=6000、Mw/
Mn=1.25の単分散性ポリマーをA−5として用い
る。
A-5 In the formula (VII), n = 40, m = 50, l = 10,
R '= methyl group, R = ethoxyethoxyethyl methacrylate, Mw = 6000, Mw / by GPC analysis
A monodisperse polymer with Mn = 1.25 is used as A-5.

【0081】A−6 式(VII)において、n=50、m=50、l=0、R
‘=メチル基であり、GPC分析によりMw=600
0、Mw/Mn=2.00の単分散性ポリマーをA−6
として用いる。
A-6 In the formula (VII), n = 50, m = 50, l = 0, R
'= Methyl group, Mw = 600 by GPC analysis
0, Mw / Mn = 2.00 of monodisperse polymer as A-6
Used as.

【0082】A−7 式(VII)において、n=50、m=50、l=0、R
‘=エチル基であり、GPC分析によりMw=600
0、Mw/Mn=2.00の単分散性ポリマーをA−7
として用いる。
A-7 In the formula (VII), n = 50, m = 50, l = 0, R
'= Ethyl group, Mw = 600 by GPC analysis
0, a monodisperse polymer of Mw / Mn = 2.00 was A-7
Used as.

【0083】A−8 式(VII)において、n=40、m=50、l=10、
R‘=メチル基、R=−C24O−C25であり、GP
C分析によりMw=6000、Mw/Mn=2.00の
単分散性ポリマーをA−8として用いる。
A-8 In the formula (VII), n = 40, m = 50, l = 10,
R '= methyl, R = a -C 2 H 4 O-C 2 H 5, GP
A monodisperse polymer having Mw = 6000 and Mw / Mn = 2.00 by C analysis is used as A-8.

【0084】実施例1〜5及び比較例1〜3 実施例1〜5は、それぞれA−1〜A−5の成分(A)
を、比較例1〜3は、それぞれA−6〜A−8の成分
(A)を用いた。上記で得られた各成分(A)100質
量部、トリフェニルスルホニウム・ノナフルオロブタン
スルホネート(成分(B))2質量部及びトリエタノー
ルアミン(成分(C))0.2質量部をプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートとγブチロラクト
ンの質量比90:10の混合物930質量部に溶解し、
化学増幅型レジスト組成物を調製した。有機反射防止膜
(Shipley社製、商品名AR−19)を膜厚82nmに設
けたシリコンウエーハ上に調製したポジ塑レジスト組成
物を膜厚350nmになるようにスピンナー塗布したの
ち、140℃で90秒間プレベークし、レジスト塗膜を
得た。次いでマスクを介してArF用スキャナーS30
2(ニコン社製NA0.60,σ0.75)を用いて露光し、次
いで、130℃で90秒間露光後加熱処理(PEB)し
た。次いで、23℃にて2.38重量%テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像し、純水
で30秒間リンスし、乾燥することにより、露光部分を
除去し、基板上にポジ型のレジストパターンを形成し
た。
Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 Examples 1 to 5 are components (A) of A-1 to A-5, respectively.
Comparative Examples 1 to 3 used the components (A) of A-6 to A-8, respectively. 100 parts by mass of each component (A) obtained above, 2 parts by mass of triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate (component (B)) and 0.2 part by mass of triethanolamine (component (C)) were added to propylene glycol monomethyl. Dissolved in 930 parts by mass of a mixture of ether acetate and γ-butyrolactone in a mass ratio of 90:10,
A chemically amplified resist composition was prepared. A positive plastic resist composition prepared on a silicon wafer having an organic antireflection film (manufactured by Shipley, trade name AR-19) having a thickness of 82 nm was spinner coated to a thickness of 350 nm, and then 90 ° C. at 140 ° C. Prebaking was performed for 2 seconds to obtain a resist coating film. Next, ArF scanner S30 through the mask
2 (NA0.60, σ0.75 manufactured by Nikon Corporation) was used for exposure, and then post exposure heat treatment (PEB) was performed at 130 ° C. for 90 seconds. Then, the exposed portion is removed by developing with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsing with pure water for 30 seconds, and drying to remove a positive resist pattern on the substrate. Was formed.

【0085】このようにして得られたレジストパターン
を走査型電子顕微鏡により観察したところ、実施例1〜
5の全てのレジストにおいて、130nmラインアンドスペ
ースパターン良好な断面形状で形成されていた。また、
限界解像度は110nmであった。さらに、基板とレジスト
界面にフッティングは発生していなかった。またスカム
も発生していなかった。ラフネスは小さく、S−922
0によりラフネスを図る尺度である3σを測定したとこ
ろ、6nmで良好であった。また、感度は、次表3に示
す。これに対し、比較例1〜3の全てのレジストにおい
て、130nmラインアンドスペースパターン良好な断面形
状で形成されていたが、限界解像度は120nmであった。
さらに、基板とレジスト界面にフッティングが発生して
いた。またスカムも発生していた。ラフネスは大きく、
S−9220によりラフネスを図る尺度である3σを測
定したところ、9nmであった。感度は表3に示す通りで
ある。
When the resist pattern thus obtained was observed with a scanning electron microscope, Examples 1 to
In all the resists of No. 5, the 130 nm line and space pattern was formed with a good cross-sectional shape. Also,
The limiting resolution was 110 nm. Furthermore, footing did not occur at the interface between the substrate and the resist. There was no scum. Roughness is small, S-922
When 3σ, which is a scale for roughness, was measured by 0, 6 nm was good. The sensitivity is shown in Table 3 below. On the other hand, in all the resists of Comparative Examples 1 to 3, the 130 nm line and space pattern was formed with a good cross-sectional shape, but the limiting resolution was 120 nm.
Furthermore, footing occurred at the interface between the substrate and the resist. There was also scum. The roughness is big,
It was 9 nm when 3σ which is a scale for roughness was measured by S-9220. The sensitivity is as shown in Table 3.

【0086】[0086]

【表3】 [Table 3]

【0087】[0087]

【発明の効果】本発明に用いる成分(A)は、(メタ)
アクリル酸と特定のモノシクロヘキサン又はビシクロヘ
プタンカルボラクトン等とのエステルを繰り返し単位と
する(メタ)アクリル酸共重合体であり、分子量分布が
非常に狭い。本発明の化学増幅型レジスト組成物は、該
(メタ)アクリル酸共重合体を樹脂として用いて得られ
るものであり、解像性に優れ、ラインエッジラフネスの
低減、断面レジストパターンの矩形性等に優れたもので
ある。
The component (A) used in the present invention is (meth)
It is a (meth) acrylic acid copolymer having an ester of acrylic acid and a specific monocyclohexane or bicycloheptanecarbolactone as a repeating unit, and has a very narrow molecular weight distribution. The chemically amplified resist composition of the present invention is obtained by using the (meth) acrylic acid copolymer as a resin, has excellent resolution, reduces line edge roughness, and has rectangular cross-section resist pattern. It is an excellent one.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 亮太郎 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA02 AA03 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 CB55 CB56 FA17 4J100 AL08P AL08Q AL08R BA04R BC12P BC52Q CA05 DA01 DA04 JA38    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Ryotaro Hayashi             150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa East             Within Kyoka Kogyo Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA02 AA03 AB16 AC04 AC08                       AD03 BE00 BE10 BG00 CB14                       CB41 CB55 CB56 FA17                 4J100 AL08P AL08Q AL08R BA04R                       BC12P BC52Q CA05 DA01                       DA04 JA38

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 次の成分(A)及び(B) (A)次式(I) 【化1】 (式中、R1は、水素原子、または置換基を有していて
もよいC1〜C5アルキル基を表し、Aは、単結合、ア
ルキレンオキシアルキレン基、カルボニルオキシ基、オ
キシカルボニル基、カルボニル基、アルキレン基、又は
これらを組み合わせた2価の基を表し、Bは式(I−
1)〜(I−4) 【化2】 (式中、Xは、酸素原子、硫黄原子または置換基を有し
ていてもよいアルキレン基を表し、R2は、置換基を有
していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、またア
ルケニル基を表し、mは、0又は1〜5のいずれかの整
数を表し、mが2以上の場合、R2はそれぞれ同一また
は相異なっていてもよく、また相互に結合して環を形成
してもよい。)で表される置換基を表す。)で表される
繰り返し単位を含み、重量平均分子量(Mw)と数平均
分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.01〜1.
50の範囲である(メタ)アクリル酸共重合体、(B)
放射線の照射により酸を発生する化合物、を有機溶剤に
溶解してなる化学増幅型レジスト組成物。
1. The following components (A) and (B) (A) the following formula (I): (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a C1 to C5 alkyl group which may have a substituent, and A represents a single bond, an alkyleneoxyalkylene group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonyl group. , An alkylene group, or a divalent group in which these are combined, B is represented by the formula (I-
1) to (I-4) [Chemical Formula 2] (In the formula, X represents an oxygen atom, a sulfur atom or an alkylene group which may have a substituent, and R 2 represents an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group, or an alkenyl group. And m represents an integer of 0 or any of 1 to 5, and when m is 2 or more, R 2 s may be the same or different, and are bonded to each other to form a ring. May also be present). ), The ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight (Mw) to the number average molecular weight (Mn) is 1.01 to 1.
(Meth) acrylic acid copolymer having a range of 50, (B)
A chemically amplified resist composition obtained by dissolving a compound that generates an acid upon irradiation with radiation in an organic solvent.
【請求項2】 成分(A)が、さらに脂環式炭化水素骨
格を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される
繰り返し単位を含むものである請求項1に記載の化学増
幅型レジスト組成物。
2. The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein the component (A) further contains a repeating unit derived from a (meth) acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon skeleton.
【請求項3】 脂環式炭化水素骨格を有する(メタ)ア
クリル酸エステルから誘導される繰り返し単位が、式
(II) 【化3】 (式中、R3は、水素原子、または置換基を有していて
もよいC1〜C5アルキル基を表し、Aは、前記と同じ
意味を表し、Cは、式(II−1)〜(II−6) 【化4】 (式中、R11は、C1〜C5アルキル基を表し、Zは、
炭素原子とともに、脂環式炭化水素基を形成するのに必
要な原子団を表し、R12〜R16は、各々独立に直鎖また
は分枝鎖のC1〜C4アルキル基または脂環式炭化水素
基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、も
しくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表
し、R17〜R21は、各々独立に水素原子、直鎖または分
枝鎖のC1〜C4アルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、但しR17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化
水素基を表し、R19、R21のいずれかは直鎖または分枝
鎖のC1〜C4アルキル基、または脂環式炭化水素基を
表しR22〜R25は、各々独立に水素原子、直鎖または分
枝鎖のC1〜C4アルキル基を表し、但しR22〜R25
うち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。)で表
される置換基を表す。)で表される繰り返しである請求
項2に記載の化学増幅型レジスト組成物。
3. A repeating unit derived from a (meth) acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon skeleton has the formula (II): (In the formula, R 3 represents a hydrogen atom or a C1 to C5 alkyl group which may have a substituent, A represents the same meaning as described above, and C represents the formula (II-1) to ( II-6) [Chemical 4] (In the formula, R 11 represents a C1-C5 alkyl group, and Z is
It represents an atomic group necessary for forming an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom, and R 12 to R 16 are each independently a linear or branched C 1 to C 4 alkyl group or an alicyclic hydrocarbon. Group, provided that at least one of R 12 to R 14 or any one of R 15 and R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group, and R 17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom or It represents a C1~C4 alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group or branched chain, provided that at least one of R 17 to R 21 represents an alicyclic hydrocarbon group, one of R 19, R 21 the R 22 to R 25 represents a straight-chain or C1 -C4 alkyl group branched or alicyclic hydrocarbon group, each independently represent a hydrogen atom, C1 -C4 straight or branched chain alkyl radical Provided that at least one of R 22 to R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group. ) Represents a substituent. The chemically amplified resist composition according to claim 2, wherein the chemically amplified resist composition is a repeating unit represented by the formula (1).
【請求項4】 式(II)で表される繰り返し単位が、式
(III) 【化5】 (式中、R1は、前記と同じ意味を表し、R30は置換基
を有していてもよいアルキル基を表し、R31〜R32はそ
れぞれ独立に水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基、またはアシル基を表
し、p、q、rはそれぞれ独立に、0または1〜3の整
数を表し、p、q、またはrが、2以上の場合、各
31、R32は、それぞれ同一または相異なっていてもよ
い。)で表される繰り返し単位である請求項3に記載の
化学増幅型レジスト組成物。
4. The repeating unit represented by the formula (II) has the formula (III): (In the formula, R 1 represents the same meaning as described above, R 30 represents an alkyl group which may have a substituent, and R 31 to R 32 each independently represent a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group,
Represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or an acyl group, p, q, and r each independently represent an integer of 0 or 1 to 3, and p, q, or r is In the case of 2 or more, each R 31 and R 32 may be the same or different. The chemically amplified resist composition according to claim 3, which is a repeating unit represented by the formula (4).
【請求項5】 成分(A)の(メタ)アクリル酸共重合
体の数平均分子量が、1,000〜1,000,000
の範囲である請求項1〜4のいずれかに記載の化学増幅
型レジスト組成物。
5. The number average molecular weight of the (meth) acrylic acid copolymer of the component (A) is 1,000 to 1,000,000.
The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 4, which is in the range of.
【請求項6】 成分(A)の(メタ)アクリル酸共重合
体がランダム共重合体である請求項1〜5のいずれかに
記載の化学増幅型レジスト組成物。
6. The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein the (meth) acrylic acid copolymer as the component (A) is a random copolymer.
【請求項7】 成分(A)の(メタ)アクリル酸共重合
体が、次の(VIII)式、(IX)式又は(X)式で表され
る繰り返し単位を含む共重合体である請求項5又は6記
載の化学増幅型レジスト組成物。 【化6】 (式中、R1は、前記と同じ意味を表し、R30 は、低
級アルキル基である。) 【化7】 (式中、R1は、前記と同じ意味を表す。) 【化8】 (式中、R1は、前記と同じ意味を表し、R10は、アル
コキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、
トリシクロデカニル基を表す。)
7. The (meth) acrylic acid copolymer of the component (A) is a copolymer containing a repeating unit represented by the following formula (VIII), formula (IX) or formula (X). Item 7. A chemically amplified resist composition according to item 5 or 6. [Chemical 6] (In the formula, R 1 has the same meaning as described above, and R 30 is a lower alkyl group.) (In the formula, R 1 has the same meaning as described above.) (In the formula, R 1 represents the same meaning as described above, R 10 represents an alkoxyalkyl group, an alkoxyalkoxyalkyl group,
Represents a tricyclodecanyl group. )
【請求項8】 さらに、成分(C)として、アミン類
を、成分(A)100質量部に対して0.01〜5質量
部配合してなる請求項1〜7のいずれかに記載の化学増
幅型レジスト組成物。
8. The chemistry according to claim 1, further comprising 0.01 to 5 parts by mass of amines as the component (C) with respect to 100 parts by mass of the component (A). Amplified resist composition.
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