JP2003075997A - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

Positive photosensitive resin composition

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JP2003075997A
JP2003075997A JP2002172430A JP2002172430A JP2003075997A JP 2003075997 A JP2003075997 A JP 2003075997A JP 2002172430 A JP2002172430 A JP 2002172430A JP 2002172430 A JP2002172430 A JP 2002172430A JP 2003075997 A JP2003075997 A JP 2003075997A
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photosensitive resin
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positive photosensitive
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an alkali-developable positive-type photosensitive resin composition. SOLUTION: The positive-type photosensitive resin composition comprises (a) an alkali-soluble polymer, (b) a compound having a phenolic hydroxyl group, (c) an esterified quinonediazido compound and (d) inorganic particles of 1 to 30 nm particle diameter selected from aluminum compounds, silicon compounds, tin compounds, titanium compounds and zirconium compounds.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高透明性と高屈折
率が要求される光学素子用の光導波路や、レンズなどに
適した、紫外線で露光した部分がアルカリ水溶液に溶解
するポジ型の感光性樹脂組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive type suitable for optical waveguides and lenses for optical elements which are required to have high transparency and a high refractive index, in which a portion exposed to ultraviolet rays is dissolved in an alkaline aqueous solution. It relates to a photosensitive resin composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】露光した部分がアルカリ現像により溶解
するポジ型の感光性樹脂組成物としては、ポジ型のレジ
スト組成物や、ポジ型の感光性ポリイミド前駆体組成
物、ポジ型の感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成
物等が既に開発されている。これらは、半導体用のシリ
コン酸化膜ドライエッチング工程におけるマスク用とし
て及び、加熱あるいは適当な触媒により耐熱性樹脂と
し、半導体用の表面保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光
素子用の絶縁層等に使用されている。しかしながら、光
学素子用のレンズ等に適用する場合、この樹脂組成物
は、膜の透明性及び屈折率に問題があった。
2. Description of the Related Art As a positive photosensitive resin composition in which an exposed portion is dissolved by alkali development, a positive resist composition, a positive photosensitive polyimide precursor composition, and a positive photosensitive poly A benzoxazole precursor composition has already been developed. These are used as masks in the silicon oxide film dry etching process for semiconductors and as heat resistant resins by heating or a suitable catalyst, and are used as surface protective films for semiconductors, interlayer insulating films, insulating layers for organic electroluminescent elements, etc. It is used. However, when applied to a lens for an optical element or the like, this resin composition has problems in transparency and refractive index of the film.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、特定の粒子
サイズを有する無機粒子を、アルカリ可溶性ポリマーと
フェノール性水酸基を有する化合物とナフトキノンジア
ジド化合物に添加した組成物であり、露光前はアルカリ
現像液にほとんど溶解せず、露光すると容易にアルカリ
現像液に溶解し、微細パターンを解像することができ、
さらに光学素子に用いることができる高透明性で高屈折
率を有することができたものである。
The present invention is a composition in which inorganic particles having a specific particle size are added to an alkali-soluble polymer, a compound having a phenolic hydroxyl group, and a naphthoquinonediazide compound, and alkali development is performed before exposure. Almost insoluble in the solution, it can be easily dissolved in an alkaline developer when exposed to light, and fine patterns can be resolved.
Further, it has a high transparency and a high refractive index that can be used for an optical element.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
(a)アルカリ可溶性ポリマーと、(b)フェノール性
水酸基を有する化合物と、(c)エステル化したキノン
ジアジド化合物と、(d)アルミニウム化合物、ケイ素
化合物、スズ化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合
物から少なくとも1種選ばれる粒子径1nmから30n
mの無機粒子を含有することを特徴とするポジ型感光性
樹脂前駆体組成物。
That is, the present invention is as follows.
(A) an alkali-soluble polymer, (b) a compound having a phenolic hydroxyl group, (c) an esterified quinonediazide compound, and (d) at least one selected from an aluminum compound, a silicon compound, a tin compound, a titanium compound, and a zirconium compound. Selected particle size 1nm to 30n
A positive-type photosensitive resin precursor composition containing m inorganic particles.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明における(a)成分は、現
像液として用いられるアルカリ水溶液に可溶性であるこ
とが必要であり、これまでに用いられてきた一般的なア
ルカリ可溶性ポリマーであればいずれのものでも良い。
アルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラック樹脂、レ
ゾール樹脂、フェノ−ル性水酸基またはカルボキシル基
を有するラジカル重合性ポリマー、ポリイミド前駆体、
ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール前駆体から選択さ
れるポリマーである。これら前記ポリマーは分子中にア
ルカリ可溶性基を有することが望ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The component (a) in the present invention is required to be soluble in an alkali aqueous solution used as a developing solution, and any general alkali-soluble polymer that has been used so far can be used. It can be one.
As the alkali-soluble polymer, a novolac resin, a resole resin, a radical polymerizable polymer having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, a polyimide precursor,
It is a polymer selected from polyimide and polybenzoxazole precursors. It is desirable that these polymers have an alkali-soluble group in the molecule.

【0006】上記アルカリ可溶性基としてはカルボキシ
ル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基
等が挙げられる。
Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group and a thiol group.

【0007】本発明のノボラック樹脂およびレゾール樹
脂は、種々のフェノール類の単独あるいはそれらの複数
種の混合物をホルマリンなどのアルデヒド類で公知の方
法で重縮合することにより得られる。
The novolak resin and resol resin of the present invention can be obtained by polycondensing various phenols alone or a mixture of plural kinds thereof with aldehydes such as formalin by a known method.

【0008】該ノボラック樹脂およびレゾール樹脂を構
成するフェノール類としては、例えばフェノール、p−
クレゾール、m−クレゾール、o−クレゾール、2,3
−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、
2,5−ジメチルフェノール、2,6−ジメチルフェノ
ール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチル
フェノール、2,3,4−トリメチルフェノール、2,
3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチ
ルフェノール、2,4,5−トリメチルフェノール、メ
チレンビスフェノール、メチレンビスp−クレゾール、
レゾルシン、カテコール、2−メチルレゾルシン、4−
メチルレゾルシン、o−クロロフェノール、m−クロロ
フェノール、p−クロロフェノール、2,3−ジクロロ
フェノール、m−メトキシフェノール、p−メトキシフ
ェノール、p−ブトキシフェノール、o−エチルフェノ
ール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、
2,3−ジエチルフェノール、2,5−ジエチルフェノ
ール、p−イソプロピルフェノール、α−ナフトール、
β−ナフトールなどが挙げられ、これらは単独で、また
は複数の混合物として用いることができる。
Examples of the phenols constituting the novolac resin and the resole resin include phenol and p-
Cresol, m-cresol, o-cresol, 2,3
-Dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol,
2,5-dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,
3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, 2,4,5-trimethylphenol, methylenebisphenol, methylenebisp-cresol,
Resorcin, catechol, 2-methylresorcin, 4-
Methylresorcin, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, 2,3-dichlorophenol, m-methoxyphenol, p-methoxyphenol, p-butoxyphenol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol,
2,3-diethylphenol, 2,5-diethylphenol, p-isopropylphenol, α-naphthol,
β-naphthol and the like can be mentioned, and these can be used alone or as a mixture of a plurality thereof.

【0009】また、アルデヒド類としては、ホルマリン
の他、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベン
ズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロア
セトアルデヒドなどが挙げられ、これらは単独でまたは
複数の混合物として用いることができる。
The aldehydes include formalin, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, chloroacetaldehyde and the like, and these can be used alone or as a mixture of a plurality of them.

【0010】本発明のフェノ−ル性水酸基またはカルボ
キシル基を有するラジカル重合性モノマ−の単独重合体
ポリマーおよび/または該ラジカル重合性モノマ−とそ
れ以外の他のラジカル重合性モノマ−の共重合体ポリマ
ーとしては、ラジカル重合開始剤を用いて、公知の方法
で重合することにより得られる。
A homopolymer polymer of a radical-polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group of the present invention and / or a copolymer of the radical-polymerizable monomer and another radical-polymerizable monomer. The polymer can be obtained by polymerizing by a known method using a radical polymerization initiator.

【0011】フェノ−ル性水酸基またはカルボキシル基
を有するラジカル重合性モノマ−としては、例えば、o
−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレンおよび
p−ヒドロキシスチレン、ならびにこれらのアルキル、
アルコキシ、ハロゲン、ハロアルキル、ニトロ、シア
ノ、アミド、エステル、カルボキシ置換体;ビニルヒド
ロキノン、5−ビニルピロガロ−ル、6−ビニルピロガ
ロ−ル、1−ビニルフロログリシノ−ル等のポリヒドロ
キシビニルフェノ−ル類;o−ビニル安息香酸、m−ビ
ニル安息香酸、およびp−ビニル安息香酸、ならびにこ
れらのアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、シア
ノ、アミド、エステル置換体、メタクリル酸およびアク
リル酸、ならびにこれらのα−位のハロアルキル、アル
コキシ、ハロゲン、ニトロ、シアノ置換体;マレイン
酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラ
コン酸、メサコン酸、イタコン酸および1,4−シクロ
ヘキセンジカルボン酸等の二価の不飽和カルボン酸、な
らびにこれらのメチル、エチル、プロピル、i−プロピ
ル、n−ブチル、sec−ブチル、ter−ブチル、フ
ェニル、o−、m−、p−トルイルハ−フエステルおよ
びハ−フアミドを好ましいものとして挙げることができ
る。 これらのうち、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒ
ドロキシスチレンおよびp−ヒドロキシスチレン、なら
びにこれらのアルキル、アルコキシ置換体がパタ−ニン
グ時の感度、解像度現像後の残膜率、耐熱変形性、耐溶
剤性、下地との密着性、溶液の保存安定性等の面から好
ましく用いられる。これらは1種または2種以上一緒に
用いることができる。
Examples of the radically polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group include, for example, o
-Hydroxystyrene, m-hydroxystyrene and p-hydroxystyrene, and alkyls thereof,
Alkoxy, halogen, haloalkyl, nitro, cyano, amide, ester, carboxy substituents; polyhydroxyvinylphenols such as vinylhydroquinone, 5-vinylpyrogallol, 6-vinylpyrogallol, 1-vinylfluoroglycol O-vinylbenzoic acid, m-vinylbenzoic acid, and p-vinylbenzoic acid, and their alkyl, alkoxy, halogen, nitro, cyano, amide, ester substituents, methacrylic acid and acrylic acid, and their α- Substituted haloalkyl, alkoxy, halogen, nitro, cyano compounds; divalent non-valent compounds such as maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, fumaric anhydride, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and 1,4-cyclohexenedicarboxylic acid. Saturated carboxylic acids and their methyls, Chill, propyl, i- propyl, n- butyl, sec- butyl, ter-butyl, phenyl, o-, m-, p-Toruiruha - Fuesuteru and ha - Fuamido may be mentioned as being preferred for. Among these, o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene and p-hydroxystyrene, and their alkyl and alkoxy substitution products, sensitivity during patterning, residual film rate after resolution development, heat distortion resistance, solvent resistance It is preferably used from the standpoints of adhesion to the substrate, storage stability of the solution, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0012】また、上記その他のラジカル重合性モノマ
−としては、例えばスチレン、およびスチレンのα−
位、o−位、m−位、またはp−位のアルキル、アルコ
キシ、ハロゲン、ハロアルキル、ニトロ、シアノ、アミ
ド、エステル置換体;ブタジエン、イソプレン、クロロ
プレン等のジオレフィン類;メタクリル酸またはアクリ
ル酸のメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、
n−ブチル、sec−ブチル、ter−ブチル、ペンチ
ル、ネオペンチル、イソアミルヘキシル、シクロヘキシ
ル、アダマンチル、アリル、プロパギル、フェニル、ナ
フチル、アントラセニル、アントラキノニル、ピペロニ
ル、サリチル、シクロヘキシル、ベンジル、フェネシ
ル、クレシル、グリシジル、1,1,1−トリフルオロエ
チル、パ−フルオロエチル、パ−フルオロ−n−プロピ
ル、パ−フルオロ−i−プロピル、トリフェニルメチ
ル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル
(当該技術分野の慣用名として「ジシクロペンタニル」
といわれている。)、クミル、3−(N,N−ジメチル
アミノ)プロピル、3−(N,N−ジメチルアミノ)エ
チル、フリル、フルフリルの各エステル化物 メタク
リル酸またはアクリル酸のアニリド、アミド、または
N,N−ジメチル、N,N−ジエチル、N,N−ジプロピ
ル、N,N−ジイソプロピル、アントラニルアミド、ア
クリロニトリル、アクロレイン、メタクリロニトリル、
塩化ビニル、塩化ビニリデン、弗化ビニル、弗化ビニリ
デン、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、酢酸ビ
ニル、N−フェニルマレインイミド、N−(4−ヒドロ
キシフェニル)マレインイミド、N−メタクリロイルフ
タルイミド、N−アクリロイルフタルイミド等を用いる
ことができる。これらは1種または2種以上併用するこ
とができる。これらのうち、スチレン、およびスチレン
のα−位、o−位、m−位、p−位のアルキル、アルコ
キシ、ハロゲン、ハロアルキル置換体;ブタジエン、イ
ソプレン;メタクリル酸、またはアクリル酸のメチル、
エチル、n−プロピル、N−ブチル、グリシジルおよび
トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルの各エ
ステル物が、パタ−ニング時の感度、解像度現像後の残
膜率、耐熱変形性、耐溶剤性、下地との密着性、溶液の
保存安定性等の観点から特に好適に用いられる。アルカ
リ可溶性樹脂としてフェノール性水酸基を有するラジカ
ル重合性モノマ−とそれ以外の他のラジカル重合性モノ
マ−の共重合体を用いる場合、他のラジカル重合性モノ
マ−の好ましい共重合の割合は、フェノ−ル性水酸基を
持つラジカル重合性モノマ−および他のラジカル重合性
モノマ−との合計量に対して、好ましくは30重量%以
下、特に好ましくは5〜20重量%である。また、アル
カリ可溶性樹脂としてカルボキシル基を有するラジカル
重合性モノマ−とそれ以外の他のラジカル重合性モノマ
−の共重合体を用いる場合、他のラジカル重合性モノマ
−の好ましい共重合の割合は、カルボキシル基を有する
ラジカル重合性モノマ−および他のラジカル重合性モノ
マ−との合計量に対して、好ましくは90重量%以下、
特に好ましくは10〜80重量%である。これらのラジ
カル重合性モノマ−の割合がフェノ−ル性水酸基または
カルボキシル基を有するラジカル重合性モノマ−に対し
て前述した割合を越えるとアルカリ現像が困難となる場
合がある。
Examples of the above-mentioned other radically polymerizable monomers include, for example, styrene and α-of styrene.
-, O-, m-, or p-position alkyl, alkoxy, halogen, haloalkyl, nitro, cyano, amide, ester substituents; diolefins such as butadiene, isoprene, chloroprene; methacrylic acid or acrylic acid Methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl,
n-butyl, sec-butyl, ter-butyl, pentyl, neopentyl, isoamylhexyl, cyclohexyl, adamantyl, allyl, propargyl, phenyl, naphthyl, anthracenyl, anthraquinonyl, piperonyl, salicyl, cyclohexyl, benzyl, phenesyl, cresyl, glycidyl, 1 , 1,1-Trifluoroethyl, perfluoroethyl, perfluoro-n-propyl, perfluoro-i-propyl, triphenylmethyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 -Yl (as the trivial name in the art "dicyclopentanyl")
It is said that. ), Cumyl, 3- (N, N-dimethylamino) propyl, 3- (N, N-dimethylamino) ethyl, furyl, furfuryl esterification products Anilides of methacrylic acid or acrylic acid, amides, or N, N- Dimethyl, N, N-diethyl, N, N-dipropyl, N, N-diisopropyl, anthranilamide, acrylonitrile, acrolein, methacrylonitrile,
Vinyl chloride, vinylidene chloride, vinyl fluoride, vinylidene fluoride, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinyl acetate, N-phenylmaleinimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleinimide, N-methacryloylphthalimide, N-acryloyl Phthalimide or the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, styrene, and α-position, o-position, m-position, p-position alkyl, alkoxy, halogen, haloalkyl substitution product of styrene; butadiene, isoprene; methacrylic acid, or methyl acrylate,
Ethyl, n-propyl, N-butyl, glycidyl, and tricyclo [5.2.1.02,6] decan-8-yl ester were used to detect sensitivity during patterning, residual film rate after resolution development, It is particularly preferably used from the viewpoints of heat distortion resistance, solvent resistance, adhesion to a substrate, storage stability of a solution, and the like. When a copolymer of a radical-polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group and another radical-polymerizable monomer other than that is used as the alkali-soluble resin, a preferable copolymerization ratio of the other radical-polymerizable monomer is pheno- The amount is preferably 30% by weight or less, particularly preferably 5 to 20% by weight, based on the total amount of the radically polymerizable monomer having a hydroxyl group and another radically polymerizable monomer. Further, when a copolymer of a radically polymerizable monomer having a carboxyl group and another radically polymerizable monomer other than that is used as the alkali-soluble resin, a preferable copolymerization ratio of the other radically polymerizable monomer is Based on the total amount of the radical-polymerizable monomer having a group and the other radical-polymerizable monomer, preferably 90% by weight or less,
Particularly preferably, it is 10 to 80% by weight. If the proportion of these radical-polymerizable monomers exceeds the above-mentioned proportion with respect to the radical-polymerizable monomers having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, alkali development may be difficult.

【0013】本発明の一般式(1)で表される構造単位
を主成分とするポリマーとは、加熱あるいは適当な触媒
により、イミド環、オキサゾール環、その他の環状構造
を有するポリマーとなり得るものである。環構造となる
ことで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に向上する。
The polymer having the structural unit represented by the general formula (1) as a main component of the present invention is a polymer which can be a polymer having an imide ring, an oxazole ring or other cyclic structure by heating or a suitable catalyst. is there. By forming a ring structure, heat resistance and solvent resistance are dramatically improved.

【0014】上記一般式(1)は、水酸基を有したポリ
アミド酸を表しており、この水酸基の存在のために、ア
ルカリ水溶液に対する溶解性が水酸基を有さないポリア
ミド酸よりも良好になる。特に、水酸基の中でもフェノ
ール性の水酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性より好
ましい。また、フッ素原子を一般式(1)中に10重量
%以上有することで、アルカリ水溶液で現像する際に、
膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面のしみこみ
などが抑えられる。しかしながら、フッ素原子含有量が
20重量%を越えると、アルカリ水溶液に対する溶解性
が低下すること、熱処理により環状構造にしたポリマー
の耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に対する溶解
性が低下するために好ましくない。このように、フッ素
原子は10重量%以上20重量%以下含まれることが好
ましい。
The above general formula (1) represents a polyamic acid having a hydroxyl group, and due to the presence of the hydroxyl group, the solubility in an aqueous alkaline solution is better than that of a polyamic acid having no hydroxyl group. Particularly, among the hydroxyl groups, phenolic hydroxyl groups are more preferable than the solubility in the alkaline aqueous solution. Further, by having 10 wt% or more of a fluorine atom in the general formula (1), when developing with an alkaline aqueous solution,
Since water repellency is appropriately exerted at the interface of the film, bleeding at the interface can be suppressed. However, if the content of fluorine atoms exceeds 20% by weight, the solubility in an alkaline aqueous solution decreases, the organic solvent resistance of the polymer having a cyclic structure by heat treatment decreases, and the solubility in fuming nitric acid decreases. Not good for Thus, it is preferable that the fluorine atom is contained in an amount of 10% by weight or more and 20% by weight or less.

【0015】上記一般式(1)のR1は酸二無水物の構
造成分を表しており、この酸二無水物は芳香族環を含有
し、かつ、水酸基を1個〜4個有した、少なくとも2個
以上の炭素原子を有する2価〜8価の有機基であること
が好ましく、炭素数6〜30の3価または4価の有機基
がさらに好ましい。
R 1 in the above general formula (1) represents a structural component of an acid dianhydride, which contains an aromatic ring and has 1 to 4 hydroxyl groups. A divalent to octavalent organic group having at least two carbon atoms is preferable, and a trivalent or tetravalent organic group having 6 to 30 carbon atoms is more preferable.

【0016】具体的には、一般式(2)に示されるよう
な構造のものが好ましく、この場合、R4、R6は炭素数
2〜20より選ばれる2価〜4価の有機基を示している
が、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を含んだも
のが好ましく、その中でも特に好ましい構造としてトリ
メリット酸、トリメシン酸、ナフタレントリカルボン酸
残基のようなものを挙げることができる。またR5は炭
素数3〜20より選ばれる水酸基を有した3価〜6価の
有機基が好ましい。さらに、水酸基はアミド結合と隣り
合った位置にあることが好ましい。このような例とし
て、フッ素原子を含んだ、ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−
ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン、フッ素原子を含まない、ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−ヒドロキシ
−4−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジアミノ
−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジア
ミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、2,4−ジ
アミノ−フェノール、2,5−ジアミノフェノール、
1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼンのア
ミノ基が結合したものなどを挙げることができる。
Specifically, those having a structure represented by the general formula (2) are preferable, and in this case, R 4 and R 6 are divalent to tetravalent organic groups selected from 2 to 20 carbon atoms. Although shown, those containing an aromatic ring are preferable in view of the heat resistance of the obtained polymer, and among them, particularly preferable structures include those such as trimellitic acid, trimesic acid, and naphthalenetricarboxylic acid residues. Further, R 5 is preferably a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. Furthermore, the hydroxyl group is preferably located adjacent to the amide bond. As such an example, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane containing a fluorine atom, bis (3-
Hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, fluorine-free, bis (3-amino-4-)
Hydroxyphenyl) propane, bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 2, 4-diamino-phenol, 2,5-diaminophenol,
The thing which the amino group of 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene couple | bonded etc. can be mentioned.

【0017】また、一般式(2)のR7、R8は水素、お
よび/または炭素数1〜20までの有機基が良い。炭素
数20より大きくなるとアルカリ現像液に対する溶解性
が低下する。
Further, R 7 and R 8 in the general formula (2) are preferably hydrogen and / or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. If it has more than 20 carbon atoms, the solubility in an alkaline developer decreases.

【0018】一般式(2)のo、sは0〜2の整数をあ
らわしており、rは1〜4までの整数を表している。r
が5以上になると、得られる耐熱性樹脂膜の特性が低下
する。
In the general formula (2), o and s represent integers of 0 to 2, and r represents integers of 1 to 4. r
When the value is 5 or more, the properties of the resulting heat resistant resin film deteriorate.

【0019】一般式(1)のR1(COOR3)m(O
H)pが一般式(2)で表される化合物の中で、好まし
い化合物を例示すると下記に示したような構造のものが
挙げられるが、これらに限定されない。
R 1 (COOR 3 ) m (O of the general formula (1)
Among the compounds represented by formula (2) in which H) p is represented by the general formula (2), examples of preferable compounds include those having the structures shown below, but are not limited thereto.

【0020】[0020]

【化6】 [Chemical 6]

【0021】また、アルカリに対する溶解性、感光性
能、耐熱性を損なわない範囲で、水酸基を有していない
テトラカルボン酸、ジカルボン酸で変性することもでき
る。この例としては、ピロメリット酸、ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフ
ェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸やその
カルボキシル基2個をメチル基やエチル基にしたジエス
テル化合物、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタン
テトラカルボン酸などの脂肪族のテトラカルボン酸やそ
のカルボキシル基2個をメチル基やエチル基にしたジエ
ステル化合物、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸など
の芳香族ジカルボン酸、アジピン酸などの脂肪族ジカル
ボン酸などを挙げることができる。これらは、酸成分の
50モル%以下の変性が好ましいが、さらに好ましくは
30モル%以下である。50モル%以上の変性を行う
と、アルカリに対する溶解性、感光性が損なわれる恐れ
がある。
Further, it may be modified with a tetracarboxylic acid or a dicarboxylic acid having no hydroxyl group as long as the solubility in alkali, the photosensitivity and the heat resistance are not impaired. Examples of this include aromatic tetracarboxylic acids such as pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, diphenylethertetracarboxylic acid, and diphenylsulfonetetracarboxylic acid, and the two carboxyl groups thereof being methyl groups or ethyl groups. Aliphatic tetracarboxylic acids such as diester compounds, butanetetracarboxylic acid and cyclopentanetetracarboxylic acid, and diester compounds having two carboxyl groups as methyl groups or ethyl groups, terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, naphthalenedicarboxylic acid Examples thereof include aromatic dicarboxylic acids such as acids and aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid. These are preferably modified by 50 mol% or less of the acid component, more preferably 30 mol% or less. If it is modified by 50 mol% or more, the solubility in alkali and the photosensitivity may be impaired.

【0022】上記一般式(1)のR2は、ジアミンの構
造成分を表している。この中で、R2の好ましい例とし
ては、得られるポリマーの耐熱性より芳香族を有し、か
つ水酸基を有するものが好ましく、具体的な例としては
フッ素原子を有した、ビス(アミノ−ヒドロキシ−フェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を有さな
い、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒド
ロキシピリジン、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、
ジアミノフェノール、ジヒドロキシベンチジンなどの化
合物や一般式(3)、(4)、(5)に示す構造のもの
をあげることができる。
R 2 in the above general formula (1) represents a structural component of diamine. Among them, preferred examples of R 2 include those having an aromatic group and a hydroxyl group due to the heat resistance of the obtained polymer, and specific examples thereof include a bis (amino-hydroxy group) having a fluorine atom. -Phenyl) hexafluoropropane, no fluorine atom, diaminodihydroxypyrimidine, diaminodihydroxypyridine, hydroxy-diamino-pyrimidine,
Examples thereof include compounds such as diaminophenol and dihydroxybenzidine and those having the structures represented by the general formulas (3), (4) and (5).

【0023】この中で、一般式(3)内のR9、R11
一般式(4)内のR13、一般式(5)内のR16は、得ら
れるポリマーの耐熱性より芳香族環、水酸基を有した有
機基が好ましい。一般式(3)内のR10、一般式(4)
内のR12、R14、一般式(5)内のR15は、得られるポ
リマーの耐熱性より芳香族環を有した有機基が好まし
い。また一般式(3)のt、uは1あるいは2の整数を
示し、一般式(4)のv、一般式(5)のwは1〜4ま
での整数を示す。
Among these, R 9 , R 11 in the general formula (3),
R 13 in the general formula (4) and R 16 in the general formula (5) are preferably an aromatic ring or an organic group having a hydroxyl group in view of the heat resistance of the obtained polymer. R 10 in the general formula (3), the general formula (4)
R 12 and R 14 in the formula and R 15 in the general formula (5) are preferably an organic group having an aromatic ring in view of the heat resistance of the obtained polymer. Further, t and u in the general formula (3) represent integers of 1 or 2, v in the general formula (4) and w in the general formula (5) represent integers from 1 to 4.

【0024】一般式(1)のR2(OH)qを一般式
(3)で表される具体例を下記に示す。
Specific examples of R 2 (OH) q in the general formula (1) represented by the general formula (3) are shown below.

【0025】[0025]

【化7】 [Chemical 7]

【0026】また、一般式(1)のR2(OH)qを一
般式(4)で表される具体例を下記に示す。
Specific examples of R 2 (OH) q in the general formula (1) represented by the general formula (4) are shown below.

【0027】[0027]

【化8】 [Chemical 8]

【0028】一般式(1)のR2(OH)qを一般式
(5)で表される具体例を下記に示す。
Specific examples of R 2 (OH) q in the general formula (1) represented by the general formula (5) are shown below.

【0029】[0029]

【化9】 [Chemical 9]

【0030】一般式(3)において、R9、R11は炭素
数2〜20より選ばれる水酸基を有した3価〜4価の有
機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より芳香
族環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキシフ
ェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチ
ル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル
基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス(ヒドロキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン基、ビス(ヒドロキシフ
ェニル)プロパン基、ビス(ヒドロキシフェニル)スル
ホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキ
シジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキシ
シクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基など
の脂肪族の基も使用することができる。R10は炭素数2
〜30までの2価の有機基を表している。得られるポリ
マーの耐熱性よりは芳香族を有した2価の基がよく、こ
のような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェ
ニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン
基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基など
をあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロ
ヘキシル基なども使用することができる。
In the general formula (3), R 9 and R 11 each represent a trivalent to tetravalent organic group having a hydroxyl group selected from 2 to 20 carbon atoms, and the aromatic group is selected from the heat resistance of the resulting polymer. Those having a ring are preferable. Specifically, hydroxyphenyl group, dihydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxynaphthyl group, hydroxybiphenyl group, dihydroxybiphenyl group, bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, bis (hydroxyphenyl) propane group, bis (hydroxyphenyl) ) Represents a sulfone group, a hydroxydiphenyl ether group, a dihydroxydiphenyl ether group, and the like. Further, aliphatic groups such as hydroxycyclohexyl group and dihydroxycyclohexyl group can also be used. R 10 has 2 carbon atoms
It represents a divalent organic group up to -30. An aromatic divalent group is preferable to the heat resistance of the obtained polymer, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group, and a diphenylsulfone group. Other than these, an aliphatic cyclohexyl group and the like can also be used.

【0031】一般式(4)において、R12、R14は炭素
数2〜20までの2価の有機基を表している。得られる
ポリマーの耐熱性よりは芳香族を有した2価の基がよ
く、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、
ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロ
パン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基
などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシ
クロヘキシル基なども使用することができる。R13は、
炭素数3〜20より選ばれる水酸基を有した3価〜6価
の有機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より
芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒロドキ
シフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナ
フチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェ
ニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス(ヒドロキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン基、ビス(ヒドロキ
シフェニル)プロパン基、ビス(ヒドロキシフェニル)
スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒド
ロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロ
キシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基
などの脂肪族の基も使用することができる。
In the general formula (4), R 12 and R 14 represent a divalent organic group having 2 to 20 carbon atoms. An aromatic divalent group is preferable to the heat resistance of the obtained polymer. Examples of such groups include a phenyl group, a biphenyl group,
Examples thereof include a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group, and a diphenylsulfone group, but in addition to these, an aliphatic cyclohexyl group can also be used. R 13 is
A trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms is shown, and one having an aromatic ring is preferable from the heat resistance of the obtained polymer. Specifically, a hydroxyphenyl group, a dihydroxyphenyl group, a hydroxynaphthyl group, a dihydroxynaphthyl group, a hydroxybiphenyl group, a dihydroxybiphenyl group, a bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, a bis (hydroxyphenyl) propane group, a bis ( Hydroxyphenyl)
It represents a sulfone group, a hydroxydiphenyl ether group, a dihydroxydiphenyl ether group, or the like. Further, aliphatic groups such as hydroxycyclohexyl group and dihydroxycyclohexyl group can also be used.

【0032】一般式(5)においてR15は炭素数2〜2
0より選ばれる2価の有機基を表している。得られるポ
リマーの耐熱性から芳香族を有した2価の基がよく、こ
のような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェ
ニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン
基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基など
をあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロ
ヘキシル基なども使用することができる。R16は炭素数
3〜20より選ばれる水酸基を有した3価〜6価の有機
基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より芳香族
環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキシフェ
ニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル
基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル
基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス(ヒドロキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン基、ビス(ヒドロキシフ
ェニル)プロパン基、ビス(ヒドロキシフェニル)スル
ホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキ
シジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキシ
シクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基など
の脂肪族の基も使用することができる。
In the general formula (5), R 15 has 2 to 2 carbon atoms.
It represents a divalent organic group selected from 0. Due to the heat resistance of the obtained polymer, an aromatic divalent group is preferable, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group and a diphenylsulfone group. However, other than this, an aliphatic cyclohexyl group or the like can also be used. R 16 represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms, and one having an aromatic ring is preferable from the heat resistance of the resulting polymer. Specifically, hydroxyphenyl group, dihydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxynaphthyl group, hydroxybiphenyl group, dihydroxybiphenyl group, bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, bis (hydroxyphenyl) propane group, bis (hydroxyphenyl) ) Represents a sulfone group, a hydroxydiphenyl ether group, a dihydroxydiphenyl ether group, and the like. Further, aliphatic groups such as hydroxycyclohexyl group and dihydroxycyclohexyl group can also be used.

【0033】また、1〜40モル%の範囲の、他のジア
ミン成分を用いて変性することもできる。これらの例と
しては、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエー
テル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス(トリフル
オロメチル)ベンチジン、ビス(アミノフェノキシフェ
ニル)プロパン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ス
ルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲ
ン原子で置換した化合物などを挙げることができる。こ
のような例として、フェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス
(トリフルオロメチル)ベンチジン、ビス(アミノフェ
ノキシフェニル)プロパン、ビス(アミノフェノキシフ
ェニル)スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル
基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪族のシク
ロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミ
ンなどが挙げられる。このようなジアミン成分を40モ
ル%以上共重合すると得られるポリマーの耐熱性が低下
する。
It is also possible to modify with another diamine component in the range of 1 to 40 mol%. Examples of these are phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxyphenyl) propane, bis (aminophenoxyphenyl) sulfone or aromatic compounds thereof. Examples thereof include compounds in which the group ring is substituted with an alkyl group or a halogen atom. Examples of such compounds include phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxyphenyl) propane, bis (aminophenoxyphenyl) sulfone or aromatic compounds thereof. Examples thereof include compounds in which the group ring is substituted with an alkyl group or a halogen atom, such as aliphatic cyclohexyldiamine and methylenebiscyclohexylamine. When 40 mol% or more of such a diamine component is copolymerized, the heat resistance of the obtained polymer decreases.

【0034】一般式(1)のR3は水素、または炭素数
1〜20の有機基を表している。得られるポジ型感光性
樹脂組成物溶液の安定性からは、R3は有機基が好まし
いが、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水素が好まし
い。本発明においては、水素原子とアルキル基を混在さ
せることができる。このR3の水素と有機基の量を制御
することで、アルカリ水溶液に対する溶解速度が変化す
るので、この調整により適度な溶解速度を有したポジ型
感光性樹脂組成物を得ることができる。好ましい範囲
は、R3の10%〜90%が水素原子であることであ
る。R3の炭素数が20を越えるとアルカリ水溶液に溶
解しなくなる。以上よりR3は、炭素数1〜16までの
炭化水素基を少なくとも1つ以上含有し、その他は水素
原子であることが好ましい。
R 3 in the general formula (1) represents hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. From the viewpoint of stability of the resulting positive photosensitive resin composition solution, R 3 is preferably an organic group, but hydrogen is preferable from the viewpoint of solubility in an alkaline aqueous solution. In the present invention, hydrogen atoms and alkyl groups can be mixed. By controlling the amounts of hydrogen and organic groups of R 3, the dissolution rate in the alkaline aqueous solution changes, and therefore, by this adjustment, a positive photosensitive resin composition having an appropriate dissolution rate can be obtained. A preferable range is that 10% to 90% of R 3 is a hydrogen atom. If R 3 has more than 20 carbon atoms, it will not dissolve in the alkaline aqueous solution. From the above, it is preferable that R 3 contains at least one hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms and the other is a hydrogen atom.

【0035】また一般式(1)のmはカルボキシル基の
数を示しており、0〜2までの整数を示している。一般
式(1)のnは本発明のポリマーの構造単位の繰り返し
数を示しており、10〜100000の範囲であること
が好ましい。
Further, m in the general formula (1) represents the number of carboxyl groups, and represents an integer from 0 to 2. N in the general formula (1) represents the number of repeating structural units of the polymer of the present invention, and is preferably in the range of 10 to 100,000.

【0036】ポリアミド酸と類似の耐熱性高分子前駆体
としてポリヒドロキシアミドをポリアミド酸の代わりに
使用することも出来る。このようなポリヒドロキシアミ
ドの製造方法としては、ビスアミノフェノール化合物と
ジカルボン酸を縮合反応させることで得ることが出来
る。具体的には、ジシクロヘキシルカルボジイミド(D
CC)のような脱水縮合剤と酸を反応させ、ここにビス
アミノフェノール化合物を加える方法やピリジンなどの
3級アミンを加えたビスアミノフェノール化合物の溶液
にジカルボン酸ジクロリドの溶液を滴下するなどがあ
る。
Polyhydroxyamide may be used in place of polyamic acid as a heat-resistant polymer precursor similar to polyamic acid. A method for producing such a polyhydroxyamide can be obtained by subjecting a bisaminophenol compound and a dicarboxylic acid to a condensation reaction. Specifically, dicyclohexylcarbodiimide (D
CC) such as a dehydration condensing agent and an acid are reacted, and a bisaminophenol compound is added thereto, or a solution of dicarboxylic acid dichloride is added dropwise to a solution of a bisaminophenol compound to which a tertiary amine such as pyridine is added. is there.

【0037】ポリヒドロキシアミドを使用する場合、ポ
リヒドロキシアミドの溶液にナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルのような感光剤を加えることで、紫外線
で露光した部分をアルカリ水溶液で除去できるポジ型の
感光性樹脂組成物を得ることが出来る。
In the case of using polyhydroxyamide, a positive type photosensitive resin composition in which a portion exposed to ultraviolet rays can be removed with an aqueous alkaline solution by adding a photosensitizer such as naphthoquinone diazide sulfonate to a solution of polyhydroxyamide You can get things.

【0038】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲で一般式(1)のR1
2にシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合して
もよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p
−アミノ−フェニル)オクタメチルペンタシロキサンな
どを1〜10モル%共重合したものなどがあげられる 本発明の一般式(1)で表されるポリマーは、その構造
単位のみからなるものであっても良いし、他の構造単位
との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。その
際、一般式(1)で表される構造単位を90モル%以上
含有していることが好ましい。共重合あるいはブレンド
に用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処理に
よって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損なわな
い範囲で選択することが好ましい。
Further, in order to improve the adhesiveness to the substrate, R 1 of the general formula (1), in the range that does not lower the heat resistance,
An aliphatic group having a siloxane structure may be copolymerized with R 2 . Specifically, as the diamine component, bis (3-
Aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p
-Amino-phenyl) octamethylpentasiloxane and the like copolymerized with 1 to 10 mol% thereof may be included in the polymer represented by the general formula (1) of the present invention It may be a copolymer or a blend with another structural unit. At that time, it is preferable that the structural unit represented by the general formula (1) is contained in an amount of 90 mol% or more. The type and amount of structural units used for copolymerization or blending are preferably selected within a range that does not impair the heat resistance of the polyimide-based polymer obtained by the final heat treatment.

【0039】本発明の一般式(1)で表されるポリマー
は、例えば、低温中でテトラカルボン酸2無水物とジア
ミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸2無水
物とアルコールとによりジエステルを得、その後アミン
と縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸
2無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後
残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、アミンと反応さ
せる方法などで合成することができる。
The polymer represented by the general formula (1) of the present invention can be obtained by, for example, a method of reacting a tetracarboxylic acid dianhydride with a diamine compound at a low temperature, or a diester is obtained from the tetracarboxylic acid dianhydride and an alcohol. Then, it can be synthesized by a method of reacting with an amine in the presence of a condensing agent, a method of obtaining a diester with tetracarboxylic acid dianhydride and an alcohol, and then converting the remaining dicarboxylic acid into an acid chloride and reacting with an amine. .

【0040】本発明で使用される(b)のフェノール性
水酸基を有する化合物としては、たとえば、Bis−
Z、BisOC−Z、BisOPP−Z、BisP−C
P、Bis26X−Z、BisOTBP−Z、BisO
CHP−Z、BisOCR−CP、BisP−MZ、B
isP−EZ、Bis26X−CP、BisP−PZ、
BisP−IPZ、BisCR−IPZ、BisOCP
−IPZ、BisOIPP−CP、Bis26X−IP
Z、BisOTBP−CP、TekP−4HBPA(テ
トラキスP−DO−BPA)、TrisP−HAP、T
risP−PA、BisOFP−Z、BisRS−2
P、BisPG−26X、BisRS−3P、BisO
C−OCHP、BisPC−OCHP、Bis25X−
OCHP、Bis26X−OCHP、BisOCHP−
OC、Bis236T−OCHP、メチレントリス−F
R−CR、BisRS−26X、BisRS−OCHP
(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、BIR−O
C、BIP−PC、BIR−PC、BIR−PTBP、
BIR−PCHP、BIP−BIOC−F、4PC、B
IR−BIPC−F、TEP−BIP−A(以上、商品
名、旭有機材工業(株)製)が挙げられる。
Examples of the compound (b) having a phenolic hydroxyl group used in the present invention include Bis-
Z, BisOC-Z, BisOPP-Z, BisP-C
P, Bis26X-Z, BisOTBP-Z, BisO
CHP-Z, BisOCR-CP, BisP-MZ, B
isP-EZ, Bis26X-CP, BisP-PZ,
BisP-IPZ, BisCR-IPZ, BisOCP
-IPZ, BisOIPP-CP, Bis26X-IP
Z, BisOTBP-CP, TekP-4HBPA (Tetrakis P-DO-BPA), TrisP-HAP, T
risP-PA, BisOFP-Z, BisRS-2
P, BisPG-26X, BisRS-3P, BisO
C-OCHP, BisPC-OCHP, Bis25X-
OCHP, Bis26X-OCHP, BisOCHP-
OC, Bis236T-OCHP, methylenetris-F
R-CR, BisRS-26X, BisRS-OCHP
(Above, brand name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR-O
C, BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP,
BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, B
IR-BIPC-F, TEP-BIP-A (above, a brand name, Asahi Organic Material Industry Co., Ltd. product) are mentioned.

【0041】これらのうち、好ましいフェノール性水酸
基を有する化合物としては、たとえば、Bis−Z、B
isP−EZ、TekP−4HBPA、TrisP−H
AP、TrisP−PA、BisOCHP−Z、Bis
P−MZ、BisP−PZ、BisP−IPZ、Bis
OCP−IPZ、BisP−CP、BisRS−2P、
BisRS−3P、BisP−OCHP、メチレントリ
ス−FR−CR、BisRS−26X、BIP−PC、
BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−BIPC−
F等が挙げられる。これらのうち、特に好ましいフェノ
ール性水酸基を有する化合物としては、たとえば、Bi
s−Z、TekP−4HBPA、TrisP−HAP、
TrisP−PA、BisRS−2P、BisRS−3
P、BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−BIP
C−Fである。このフェノール性水酸基を有する化合物
を添加することで、得られる樹脂組成物は、露光前はア
ルカリ現像液にほとんど溶解せず、露光すると容易にア
ルカリ現像液に溶解するために、現像による膜減りが少
なく、かつ短時間で現像が容易になる。
Of these, preferred compounds having a phenolic hydroxyl group are, for example, Bis-Z and B.
isP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-H
AP, TrisP-PA, BisOCHP-Z, Bis
P-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, Bis
OCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P,
BisRS-3P, BisP-OCHP, methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, BIP-PC,
BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-
F etc. are mentioned. Of these, particularly preferable compounds having a phenolic hydroxyl group include, for example, Bi
s-Z, TekP-4HBPA, TrisP-HAP,
TrisP-PA, BisRS-2P, BisRS-3
P, BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIP
C-F. By adding this compound having a phenolic hydroxyl group, the resin composition obtained is hardly dissolved in an alkali developing solution before exposure and easily dissolved in an alkali developing solution after exposure, so that film loss due to development is reduced. Development is facilitated in a short time in a small amount.

【0042】このようなフェノール性水酸基を有する化
合物の添加量としては、ポリマー100重量部に対し
て、好ましくは1から50重量部であり、さらに好まし
くは3から40重量部の範囲である。
The amount of such a compound having a phenolic hydroxyl group added is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.

【0043】本発明に添加される(c)のエステル化し
たキノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基
を有する化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸が
エステルで結合した化合物が好ましい。ここで用いられ
るフェノール性水酸基を有する化合物は、(b)のフェ
ノール性水酸基を有する化合物と同じであっても異なっ
てもよい。このような化合物としては、Bis−Z、B
isP−EZ、TekP−4HBPA、TrisP−H
AP、TrisP−PA、BisOCHP−Z、Bis
P−MZ、BisP−PZ、BisP−IPZ、Bis
OCP−IPZ、BisP−CP、BisRS−2P、
BisRS−3P、BisP−OCHP、メチレントリ
ス−FR−CR、BisRS−26X(以上商品名、本
州化学工業(株)製)、BIR−OC、BIP−PC、
BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−PCHP、
BIP−BIOC−F、4PC、BIR−BIPC−
F、TEP−BIP−A(以上、商品名、旭有機材工業
(株)製)、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールA、メ
チレンビスフェノール、BisP−AP(商品名、本州
化学工業(株)製)などの化合物に4−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸あるいは5−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸をエステル結合で導入したものが好ましいもの
として例示することが出来るが、これ以外の化合物を使
用することもできる。
As the esterified quinonediazide compound (c) added to the present invention, a compound in which a sulfonic acid of naphthoquinonediazide is bound with an ester to a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable. The compound having a phenolic hydroxyl group used here may be the same as or different from the compound having a phenolic hydroxyl group of (b). Examples of such compounds include Bis-Z and B
isP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-H
AP, TrisP-PA, BisOCHP-Z, Bis
P-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, Bis
OCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P,
BisRS-3P, BisP-OCHP, methylenetris-FR-CR, BisRS-26X (these product names, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR-OC, BIP-PC,
BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-PCHP,
BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-
F, TEP-BIP-A (above, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.), naphthol, tetrahydroxybenzophenone, gallic acid methyl ester, bisphenol A, methylenebisphenol, BisP-AP (trade name, Honshu Chemical Industry) Compounds of 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid introduced into a compound (such as manufactured by Co., Ltd.) by an ester bond can be exemplified as preferable compounds, but other compounds can also be used. .

【0044】また、本発明で用いるナフトキノンジアジ
ド化合物の分子量が1000より大きくなると、その後
の熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が十分に
熱分解しないために、得られる膜の耐熱性が低下する、
機械特性が低下する、接着性が低下するなどの問題が生
じる可能性がある。このような観点より見ると、好まし
いナフトキノンジアジド化合物の分子量は300から1
000である。さらに好ましくは、350から800で
ある。このようなナフトキノンジアジド化合物の添加量
としては、ポリマー100重量部に対して、好ましくは
1から50重量部である。
When the molecular weight of the naphthoquinonediazide compound used in the present invention is more than 1000, the naphthoquinonediazide compound is not sufficiently thermally decomposed in the subsequent heat treatment, so that the heat resistance of the obtained film is lowered.
Problems such as deterioration of mechanical properties and adhesion may occur. From this point of view, the preferable molecular weight of the naphthoquinonediazide compound is 300 to 1
It is 000. More preferably, it is 350 to 800. The addition amount of such a naphthoquinonediazide compound is preferably 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer.

【0045】本発明に添加される(d)成分の無機粒子
としては、たとえば、アルミニウム錯体、酸化アルミニ
ウム粒子、酸化スズ−酸化アルミニウム複合粒子、酸化
ケイ素−酸化アルミニウム複合粒子、酸化ジルコニウム
−酸化アルミニウム複合粒子、酸化スズ−酸化ケイ素複
合粒子、酸化ジルコニウム−酸化ケイ素複合粒子等、ス
ズ錯体、酸化スズ粒子、酸化ジルコニウム−酸化スズ複
合粒子等、チタン錯体、酸化チタン粒子、酸化スズ−酸
化チタン複合粒子、酸化ケイ素−酸化チタン複合粒子、
酸化ジルコニウム−酸化チタン複合粒子等、ジルコニウ
ム錯体、酸化ジルコニウム粒子等があげられる。これら
のうち、好ましくは、酸化スズ−酸化アルミニウム複合
粒子、酸化ジルコニウム−酸化アルミニウム複合粒子、
酸化ジルコニウム−酸化ケイ素複合粒子等、酸化スズ粒
子、酸化ジルコニウム−酸化スズ複合粒子等、酸化チタ
ン粒子、酸化スズ−酸化チタン複合粒子、酸化ケイ素−
酸化チタン複合粒子、酸化ジルコニウム−酸化チタン複
合粒子等、酸化ジルコニウム粒子等があげられる。特に
好ましくは、酸化スズ−酸化チタン複合粒子、酸化ケイ
素−酸化チタン複合粒子、酸化チタン粒子、酸化ジルコ
ニウム−酸化スズ複合粒子、酸化ジルコニウム−酸化ケ
イ素複合粒子、酸化ジルコニウム粒子である。
The inorganic particles of component (d) added to the present invention include, for example, aluminum complex, aluminum oxide particles, tin oxide-aluminum oxide composite particles, silicon oxide-aluminum oxide composite particles, zirconium oxide-aluminum oxide composite particles. Particles, tin oxide-silicon oxide composite particles, zirconium oxide-silicon oxide composite particles, tin complex, tin oxide particles, zirconium oxide-tin oxide composite particles, titanium complex, titanium oxide particles, tin oxide-titanium oxide composite particles, Silicon oxide-titanium oxide composite particles,
Examples thereof include zirconium oxide-titanium oxide composite particles, zirconium complex, zirconium oxide particles and the like. Of these, preferably, tin oxide-aluminum oxide composite particles, zirconium oxide-aluminum oxide composite particles,
Zirconium oxide-silicon oxide composite particles, etc., tin oxide particles, zirconium oxide-tin oxide composite particles, etc., titanium oxide particles, tin oxide-titanium oxide composite particles, silicon oxide-
Examples thereof include titanium oxide composite particles, zirconium oxide-titanium oxide composite particles, zirconium oxide particles and the like. Particularly preferred are tin oxide-titanium oxide composite particles, silicon oxide-titanium oxide composite particles, titanium oxide particles, zirconium oxide-tin oxide composite particles, zirconium oxide-silicon oxide composite particles, and zirconium oxide particles.

【0046】これらの無機粒子の粒子径は、1nmから
30nmが好ましく、特に好ましくは、1nmから15
nmである。粒子径が、1nmから30nmの場合、露
光により所定のパターンを解像することができ感光性を
有する。一方、30nmを越えると、露光に使用する光
が粒子により乱反射し、所定のパターンを解像すること
ができず感光性を有しない。また、これら無機粒子の添
加量としては、ポリマー100重量部に対して、好まし
くは50重量部から500重量部であり、特に好ましく
は、60重量部から300重量部である。添加量がポリ
マー100重量部に対して、50重量部から500重量
部である場合、屈折率と透過率(特に400nm)共に
向上することが確認される。一方、50重量部より少な
いと、透明性と屈折率が共に上がらず、500重量部を
越えると、透明性と屈折率は共に向上するが、パターン
加工が全く困難となり感光性を有しない。
The particle size of these inorganic particles is preferably 1 nm to 30 nm, particularly preferably 1 nm to 15 nm.
nm. When the particle size is from 1 nm to 30 nm, a predetermined pattern can be resolved by exposure and the composition has photosensitivity. On the other hand, when the thickness exceeds 30 nm, the light used for exposure is diffusely reflected by the particles, and a predetermined pattern cannot be resolved, resulting in no photosensitivity. The addition amount of these inorganic particles is preferably 50 to 500 parts by weight, and particularly preferably 60 to 300 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. It is confirmed that when the addition amount is 50 parts by weight to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer, both the refractive index and the transmittance (particularly 400 nm) are improved. On the other hand, if it is less than 50 parts by weight, both transparency and refractive index will not rise, and if it exceeds 500 parts by weight, both transparency and refractive index will be improved, but pattern processing will be difficult at all and it will not have photosensitivity.

【0047】これらの無機粒子は、単体粒子としても、
複合粒子としても利用できる。さらに、これらの無機粒
子は、1種以上を混合して用いられることもできる。
These inorganic particles, even as simple particles,
It can also be used as composite particles. Furthermore, these inorganic particles can also be used as a mixture of one or more kinds.

【0048】市販されている化合物としては、酸化スズ
−酸化チタン複合粒子の”オプトレイクTR−50
2”、”オプトレイクTR−504”、酸化ケイ素−酸
化チタン複合粒子の”オプトレイクTR−503”、酸
化チタン粒子の”オプトレイクTR−505”((以
上、商品名、触媒化成工業(株)製)、酸化ジルコニウ
ム粒子((株)高純度化学研究所製)、酸化スズ−酸化
ジルコニウム複合粒子ゾル(触媒化成工業(株)製)、
酸化スズ粒子((株)高純度化学研究所製)等が挙げら
れる。
Examples of commercially available compounds include "Optraque TR-50" which is a tin oxide-titanium oxide composite particle.
2 "," Optlake TR-504 ", silicon oxide-titanium oxide composite particles" Optlake TR-503 ", titanium oxide particles" Optlake TR-505 "((above, trade name, Catalysis Chemicals Co., Ltd. )), Zirconium oxide particles (manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.), tin oxide-zirconium oxide composite particle sol (manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.),
Examples thereof include tin oxide particles (manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.).

【0049】また、必要に応じて上記、感光性樹脂組成
物と基板との塗れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳
酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコー
ル類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ
ーテル類を混合しても良い。また、その他の無機粒子、
あるいはポリイミドの粉末などを添加することもでき
る。
If necessary, a surfactant, an ester such as ethyl lactate or propylene glycol monomethyl ether acetate, an alcohol such as ethanol, or the like for the purpose of improving the wettability between the photosensitive resin composition and the substrate. Ketones such as cyclohexanone and methyl isobutyl ketone, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be mixed. In addition, other inorganic particles,
Alternatively, polyimide powder or the like can be added.

【0050】さらにシリコンウエハなどの下地基板との
接着性を高めるために、シランカップリング剤などを感
光性樹脂組成物のワニスに0.5から10重量%添加し
たり、下地基板をこのような薬液で前処理したりするこ
ともできる。
Further, in order to improve the adhesiveness to a base substrate such as a silicon wafer, a silane coupling agent or the like is added to the varnish of the photosensitive resin composition in an amount of 0.5 to 10% by weight, or the base substrate is used in such a manner. It can also be pretreated with a chemical solution.

【0051】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、などのシランカップリング剤、アルミキレー
ト剤をワニス中のポリマーに対して0.5から10重量
%添加する。
When added to the varnish, a silane coupling agent such as methylmethacryloxydimethoxysilane or 3-aminopropyltrimethoxysilane and an aluminum chelating agent are added in an amount of 0.5 to 10% by weight based on the polymer in the varnish. .

【0052】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に0.5から20重量%溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後50℃から300℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。
When the substrate is treated, the coupling agent described above is added to a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate, etc. The solution of 5 to 20% by weight is surface-treated by spin coating, dipping, spray coating, steam treatment or the like. Depending on the case, then 50 to 300 degrees Celsius
The reaction between the substrate and the above coupling agent proceeds by applying the temperature up to.

【0053】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いて
樹脂パターンを形成する方法について説明する。
Next, a method for forming a resin pattern using the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

【0054】感光性樹脂組成物を基板上に塗布する。基
板としてはシリコンウエハ、セラミックス類、ガリウム
ヒ素などが用いられるが、これらに限定されない。塗布
方法としてはスピンナを用いた回転塗布、スプレー塗
布、ロールコーティングなどの方法がある。また、塗布
膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによ
って異なるが通常、乾燥後の膜厚が、0.1から150
μmになるように塗布される。
The photosensitive resin composition is applied onto the substrate. As the substrate, a silicon wafer, ceramics, gallium arsenide, or the like is used, but the substrate is not limited thereto. Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating, and roll coating. The coating thickness varies depending on the coating method, the solid content concentration of the composition, the viscosity, etc., but the coating thickness after drying is usually 0.1 to 150.
It is applied to have a thickness of μm.

【0055】次に感光性樹脂組成物を塗布した基板を乾
燥して、感光性樹脂組成物皮膜を得る。乾燥はオーブ
ン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50度から
150度の範囲で1分から数時間行うのが好ましい。
Next, the substrate coated with the photosensitive resin composition is dried to obtain a photosensitive resin composition film. Drying is preferably carried out using an oven, a hot plate, infrared rays or the like in the range of 50 to 150 ° C. for 1 minute to several hours.

【0056】次に、この感光性樹脂組成物皮膜上に所望
のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露
光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視
光線、電子線、X線などがあるが、本発明では水銀灯の
i線(365nm)、h線(405nm)、g線(43
6nm)を用いるのが好ましい。
Next, the photosensitive resin composition film is exposed to actinic rays through a mask having a desired pattern. Actinic rays used for exposure include ultraviolet rays, visible rays, electron rays, and X-rays, but in the present invention, i rays (365 nm), h rays (405 nm), and g rays (43 nm) of a mercury lamp are used.
6 nm) is preferably used.

【0057】感光性樹脂のパターンを形成するには、露
光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達
成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウム
の水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノ
ール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリ
ドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。(a)
成分が、フェノ−ル性水酸基またはカルボキシル基を有
するラジカル重合性モノマ−の単独重合体ポリマー、該
ラジカル重合性モノマ−とそれ以外の他のラジカル重合
性モノマ−の共重合体ポリマー、ノボラック樹脂、レゾ
ール樹脂の場合は、現像後に、170度から300度の
温度を加えて耐熱性を向上した耐熱性樹脂皮膜に変換し
て使用する。一方、(a)成分が、一般式(1)で表さ
れる構造単位を主成分とするポリマーである場合、20
0度から500度の温度を加えて耐熱性樹脂皮膜に変換
して使用する。
Formation of the pattern of the photosensitive resin is accomplished by removing the exposed portion with a developing solution after the exposure. As the developing solution, an aqueous solution of tetramethylammonium, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethyl Aqueous solutions of compounds showing alkalinity such as aminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, and hexamethylenediamine are preferred. Further, in some cases, a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolaclone, or dimethylacrylamide, methanol, ethanol, Alcohols such as isopropanol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone may be added alone or in combination of several kinds. Good. After development, rinse with water. Also here, rinse treatment may be performed by adding alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate to water. (A)
The component is a homopolymer polymer of a radically polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, a copolymer polymer of the radically polymerizable monomer and other radically polymerizable monomers, a novolak resin, In the case of a resole resin, after development, a temperature of 170 to 300 ° C. is applied to convert it into a heat resistant resin film with improved heat resistance for use. On the other hand, when the component (a) is a polymer whose main component is the structural unit represented by the general formula (1), 20
It is used after being converted to a heat resistant resin film by applying a temperature of 0 to 500 degrees.

【0058】耐熱性樹脂皮膜に変換するにあたって、チ
タン化合物を含有する場合、現像後、温度を加える前
に、紫外線を未露光部に100mJ/cm2から400
0mJ/cm2照射し、その後温度を加えて耐熱性樹脂
皮膜に変換すると、紫外線未照射に比べて、照射した耐
熱性樹脂皮膜は、400nmから500nmにおける透
明性が増加する。この透明性の向上は、含有酸化チタン
の光触媒反応に起因している。
When a titanium compound is contained in the heat-resistant resin film for conversion, ultraviolet rays are applied to the unexposed area of 100 mJ / cm 2 to 400 after development and before applying temperature.
When irradiated with 0 mJ / cm 2 and then converted into a heat-resistant resin film by applying a temperature, the irradiated heat-resistant resin film has an increased transparency in the range of 400 nm to 500 nm, as compared with the case of no irradiation of ultraviolet rays. This improvement in transparency is due to the photocatalytic reaction of the contained titanium oxide.

【0059】この加熱処理は温度を選び、段階的に昇温
するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら5分
から5時間実施する。一例としては、130度、200
度、350度で各30分づつ熱処理する。あるいは室温
より400度まで2時間かけて直線的に昇温するなどの
方法が挙げられる。
This heat treatment is carried out for 5 minutes to 5 hours while the temperature is selected and the temperature is raised stepwise or a certain temperature range is selected and the temperature is continuously raised. As an example, 130 degrees, 200
And heat treatment at 350 degrees for 30 minutes each. Alternatively, a method of linearly raising the temperature from room temperature to 400 ° C. over 2 hours may be used.

【0060】本発明による感光性組成物により形成した
樹脂皮膜は、光学素子用の高屈折層間膜やマイクロレン
ズなどの用途に用いられる。
The resin film formed from the photosensitive composition according to the present invention is used for a high refractive index interlayer film for optical elements, microlenses and the like.

【0061】[0061]

【実施例】以下実施例および技術をあげて本発明を説明
するが、本発明はこれらの例によって限定されるもので
はない。なお、実施例中の感光性樹脂組成物の評価は以
下の方法により行った。
The present invention will be described below with reference to examples and techniques, but the present invention is not limited to these examples. In addition, the evaluation of the photosensitive resin composition in the examples was performed by the following methods.

【0062】感光性樹脂皮膜の作製 6インチシリコンウエハ上及び6インチガラス基板上
に、ポジ型感光性樹脂組成物(以下ワニスと呼ぶ)をプ
リベーク後の膜厚が1.6μmとなるように塗布し、つ
いでホットプレ−ト(大日本スクリーン製造(株)製S
CW−636)を用いて、120℃で3分プリベークす
ることにより、感光性樹脂皮膜を得た。
Preparation of Photosensitive Resin Film A positive photosensitive resin composition (hereinafter referred to as varnish) was applied onto a 6-inch silicon wafer and a 6-inch glass substrate so that the film thickness after prebaking would be 1.6 μm. Then, hot plate (S manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.)
CW-636) was used for prebaking at 120 ° C. for 3 minutes to obtain a photosensitive resin film.

【0063】膜厚の測定方法 大日本スクリーン製造(株)製ラムダエースSTM−6
02を使用し、屈折率1.64で感光樹脂皮膜の膜厚の
測定を行った。
Method of measuring film thickness Lambda Ace STM-6 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.
02 was used to measure the film thickness of the photosensitive resin film with a refractive index of 1.64.

【0064】露光 露光機((株)ニコン製i線ステッパーNSR−175
5−i7A)に、パターンの切られたレチクルをセット
し、露光量300mJ/cm2で(365nmの強度)
i線露光を行った。
Exposure exposure machine (i-line stepper NSR-175 manufactured by Nikon Corporation)
5-i7A), set the reticle with the pattern cut, and with an exposure dose of 300 mJ / cm 2 (intensity of 365 nm).
i-line exposure was performed.

【0065】現像 大日本スクリーン製造(株)製SCW−636の現像装
置を用い、50回転で水酸化テトラメチルアンモニウム
の2.38%水溶液を10秒間噴霧した。この後、0回
転で20秒間静置し、400回転で水にてリンス処理、
3000回転で10秒振り切り乾燥した。
Development Using a developing device SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd., a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was sprayed at 50 rpm for 10 seconds. After that, leave still for 20 seconds at 0 rotation, rinse with water at 400 rotations,
It was shaken off at 3000 rpm for 10 seconds and dried.

【0066】感光性の確認 露光、現像後、5μmスクエアが開口していることの確
認することにより、感光性を確認した。
Confirmation of Photosensitivity After exposure and development, the photosensitivity was confirmed by confirming that a 5 μm square was opened.

【0067】耐熱性樹脂皮膜の作製 露光、現像された6インチシリコンウエハ上及び6イン
チガラス基板上のポジ型感光性樹脂膜を、露光機(キャ
ノン(株)製コンタクトアライナーPLA501F)を
用いて、紫外線強度10mW/cm2(365nm換
算)で所定の時間、紫外線全波長露光(主用波長:33
0nm、365nm、405nm、436nm)を行い
または、露光せず、その後、クリーンオーブン(光洋サ
ーモシステム(株)製CLH−21CD)中の窒素雰囲
気下(酸素濃度300ppm)を用いて、アルカリ可溶
性ポリマーが、ラジカル重合ポリマーおよびノボラック
樹脂からなる場合は、250℃で30分加熱、キュア
し、その他は、170℃30分、さらに320℃で60
分加熱、キュアし、耐熱性樹脂膜を得た。
Preparation of Heat-Resistant Resin Film The positive photosensitive resin film on the exposed and developed 6-inch silicon wafer and 6-inch glass substrate was exposed using an exposure machine (Canon Co., Ltd. contact aligner PLA501F). UV intensity of 10 mW / cm 2 (converted to 365 nm) for a predetermined time, UV full wavelength exposure (main wavelength: 33
0 nm, 365 nm, 405 nm, 436 nm) or without exposure, and then using a nitrogen atmosphere (oxygen concentration 300 ppm) in a clean oven (CLH-21CD manufactured by Koyo Thermo Systems Co., Ltd.) If it is composed of radical polymer and novolac resin, it is heated and cured at 250 ° C for 30 minutes, otherwise, 170 ° C for 30 minutes, and further at 320 ° C for 60 minutes.
Minute heating and curing were performed to obtain a heat resistant resin film.

【0068】膜厚の測定方法 大日本スクリーン製造(株)製ラムダエースSTM−6
02を使用し、屈折率1.78で耐熱性樹脂膜の膜厚の
測定を行った。
Method for measuring film thickness Lambda Ace STM-6 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.
02 was used to measure the film thickness of the heat resistant resin film with a refractive index of 1.78.

【0069】透過率の算出 6インチガラス基板上に作製した1.0μmの耐熱性樹
脂膜について、紫外−可視分光光度計UV-260(島津製作
所(株)製)を用いて、400nmと500nmの膜透
過率を測定した。
Calculation of transmittance Using a UV-visible spectrophotometer UV-260 (manufactured by Shimadzu Corporation) for a 1.0 μm heat-resistant resin film formed on a 6-inch glass substrate, 400 nm and 500 nm Membrane permeability was measured.

【0070】屈折率の測定 6インチシリコンウエハ上に作製した1.0μmの耐熱
性樹脂膜について、プリズムカプラー(Metrico
n(株)製)を用いて、20℃での633nm(He−
Neレーザー使用)における膜面に対して垂直方向の屈
折率(TM)測定した。
Measurement of Refractive Index A prism coupler (Metrico) was used for a 1.0 μm heat-resistant resin film formed on a 6-inch silicon wafer.
n (manufactured by N. Co., Ltd.), 633 nm (He-
The refractive index (TM) in the direction perpendicular to the film surface was measured using a Ne laser.

【0071】合成例1 ヒドロキシル基含有酸無水物
(a)の合成 乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(BAHF)
18.3g(0.05モル)とアリルグリシジルエーテ
ル34.2g(0.3モル)をガンマブチロラクトン1
00gに溶解させ、−15℃に冷却した。ここにガンマ
ブチロラクトン50gに溶解させた無水トリメリット酸
クロリド22.1g(0.11モル)を反応液の温度が
0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、0℃で4
時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーター
で濃縮して、トルエン1lに投入して酸無水物(a)を
得た。
Synthesis Example 1 Synthesis of hydroxyl group-containing acid anhydride (a) 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BAHF) under a stream of dry nitrogen.
18.3 g (0.05 mol) and allyl glycidyl ether 34.2 g (0.3 mol) were added to gamma butyrolactone 1
It was dissolved in 00 g and cooled to -15 ° C. 22.1 g (0.11 mol) of trimellitic anhydride chloride dissolved in 50 g of gamma-butyrolactone was added dropwise thereto so that the temperature of the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of dropping, 4 at 0 ℃
Reacted for hours. The solution was concentrated with a rotary evaporator and poured into 1 l of toluene to obtain an acid anhydride (a).

【0072】[0072]

【化10】 [Chemical 10]

【0073】合成例2 ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物(b)の合成 BAHF18.3g(0.05モル)をアセトン100
ml、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に
溶解させ、−15℃に冷却した。ここに4−ニトロベン
ゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン
100mlに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、
−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。析出
した白色固体をろ別し、50℃で真空乾燥した。
Synthesis Example 2 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine compound (b) 18.3 g (0.05 mol) BAHF was added to acetone 100
The solution was dissolved in 1 ml of propylene oxide (17.4 g, 0.3 mol) and cooled to -15 ° C. A solution of 20.4 g (0.11 mol) of 4-nitrobenzoyl chloride dissolved in 100 ml of acetone was added dropwise thereto. After the dropping is completed,
The reaction was carried out at −15 ° C. for 4 hours and then returned to room temperature. The precipitated white solid was filtered off and dried in vacuum at 50 ° C.

【0074】固体30gを300mlのステンレスオー
トクレーブに入れ、メチルセルソルブ250mlに分散
させ、5%パラジウム−炭素を2g加えた。ここに水素
を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約2時間
後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終
了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム
化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ジ
アミン化合物(b)を得た。得られた固体をそのまま反
応に使用した。
30 g of the solid was placed in a 300 ml stainless autoclave, dispersed in 250 ml of methyl cellosolve, and 2 g of 5% palladium-carbon was added. Hydrogen was introduced here by a balloon to carry out the reduction reaction at room temperature. After about 2 hours, the reaction was terminated by confirming that the balloon did not deflate any more. After completion of the reaction, the palladium compound as a catalyst was removed by filtration and the mixture was concentrated with a rotary evaporator to obtain a diamine compound (b). The obtained solid was used for the reaction as it was.

【0075】[0075]

【化11】 [Chemical 11]

【0076】合成例3 ヒドロキシル基含有ジアミン
(c)の合成 2−アミノ−4−ニトロフェノール15.4g(0.1
モル)をアセトン50ml、プロピレンオキシド30g
(0.34モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。こ
こにイソフタル酸クロリド11.2g(0.055モ
ル)をアセトン60mlに溶解させた溶液を徐々に滴下
した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させた。その
後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。
Synthesis Example 3 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine (c) 2-amino-4-nitrophenol 15.4 g (0.1
50 ml of acetone, 30 g of propylene oxide
It was dissolved in (0.34 mol) and cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 11.2 g (0.055 mol) of isophthalic chloride in 60 ml of acetone was gradually added dropwise. After the dropping was completed, the reaction was carried out at -15 ° C for 4 hours. Then, the temperature was returned to room temperature and the generated precipitate was collected by filtration.

【0077】この沈殿をGBL200mlに溶解させ
て、5%パラジウム−炭素3gを加えて、激しく攪拌し
た。ここに水素ガスを入れた風船を取り付け、室温で水
素ガスの風船がこれ以上縮まない状態になるまで攪拌を
続け、さらに2時間水素ガスの風船を取り付けた状態で
攪拌した。攪拌終了後、ろ過でパラジウム化合物を除
き、溶液をロータリーエバポレーターで半量になるまで
濃縮した。ここにエタノールを加えて、再結晶を行い、
目的の化合物の結晶を得た。
This precipitate was dissolved in 200 ml of GBL, 3 g of 5% palladium-carbon was added, and the mixture was vigorously stirred. A balloon containing hydrogen gas was attached to this, and stirring was continued at room temperature until the hydrogen gas balloon did not shrink further, and the mixture was further stirred for 2 hours with the hydrogen gas balloon attached. After the stirring was completed, the palladium compound was removed by filtration, and the solution was concentrated by a rotary evaporator until the volume became half. Ethanol is added here to perform recrystallization,
Crystals of the desired compound were obtained.

【0078】[0078]

【化12】 [Chemical 12]

【0079】合成例4 ヒドロキシル基含有ジアミン
(d)の合成 2−アミノ−4−ニトロフェノール15.4g(0.1
モル)をアセトン100ml、プロピレンオキシド1
7.4g(0.3モル)に溶解させ、−15℃に冷却し
た。ここに4−ニトロベンゾイルクロリド20.4g
(0.11モル)をアセトン100mlに溶解させた溶
液を徐々に滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反
応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ
過で集めた。この後、合成例2と同様にして目的の化合
物の結晶を得た。
Synthesis Example 4 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine (d) 2-amino-4-nitrophenol 15.4 g (0.1
Mol) acetone 100 ml, propylene oxide 1
It was dissolved in 7.4 g (0.3 mol) and cooled to -15 ° C. 20.4 g of 4-nitrobenzoyl chloride here
A solution of (0.11 mol) in 100 ml of acetone was gradually added dropwise. After the dropping was completed, the reaction was carried out at -15 ° C for 4 hours. Then, the temperature was returned to room temperature and the generated precipitate was collected by filtration. Then, crystals of the target compound were obtained in the same manner as in Synthesis Example 2.

【0080】[0080]

【化13】 [Chemical 13]

【0081】合成例5 キノンジアジド化合物(1)の
合成 乾燥窒素気流下、2−ナフトール7.21g(0.05
モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリ
ド13.43g(0.05モル)を1,4−ジオキサン
450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジ
オキサン50gと混合させたトリエチルアミン5.06
gを用い、合成例5と同様にしてキノンジアジド化合物
(1)を得た。
Synthesis Example 5 Synthesis of Quinonediazide Compound (1) Under a dry nitrogen stream, 7.21 g (0.05
Mol) and 13.43 g (0.05 mol) of 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride were dissolved in 450 g of 1,4-dioxane, and the mixture was brought to room temperature. Here, triethylamine 5.06 mixed with 50 g of 1,4-dioxane
Using g, a quinonediazide compound (1) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5.

【0082】[0082]

【化14】 [Chemical 14]

【0083】合成例6 キノンジアジド化合物(2)の
合成 乾燥窒素気流下、TrisP−HAP(商品名、本州化
学工業(株)製)、15.31g(0.05モル)と5
−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド40.2
8g(0.15モル)を1,4−ジオキサン450gに
溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン5
0gと混合させたトリエチルアミン15.18gを用
い、合成例5と同様にしてキノンジアジド化合物(2)
を得た。
Synthesis Example 6 Synthesis of quinonediazide compound (2) TrisP-HAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 15.31 g (0.05 mol) and 5 under a dry nitrogen stream.
-Naphthoquinone diazide sulfonyl chloride 40.2
8 g (0.15 mol) was dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. Here, 1,4-dioxane 5
Using 15.18 g of triethylamine mixed with 0 g of quinonediazide compound (2) in the same manner as in Synthesis Example 5.
Got

【0084】[0084]

【化15】 [Chemical 15]

【0085】合成例7 キノンジアジド化合物(3)の
合成 乾燥窒素気流下、4−イソプロピルフェノール6.81
g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホ
ニル酸クロリド13.43g(0.05モル)を1,4
−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここ
に、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチル
アミン5.06gを用い、合成例5と同様にしてを用
い、キノンジアジド化合物(3)を得た。
Synthesis Example 7 Synthesis of quinonediazide compound (3) 4-isopropylphenol 6.81 under a stream of dry nitrogen.
g (0.05 mol) and 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride 13.43 g (0.05 mol) 1,4
-Dissolved in 450 g dioxane and brought to room temperature. Here, 5.06 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was used, and was used in the same manner as in Synthesis Example 5 to obtain a quinonediazide compound (3).

【0086】[0086]

【化16】 [Chemical 16]

【0087】合成例8 キノンジアジド化合物(4)の
合成 乾燥窒素気流下、ビスフェノールA 11.41g
(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニ
ル酸クロリド26.86g(0.1モル)を1,4−ジ
オキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、
1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミ
ン10.12gを用い、合成例8と同様にしてキノンジ
アジド化合物(4)を得た。
Synthesis Example 8 Synthesis of quinonediazide compound (4) 11.41 g of bisphenol A under a stream of dry nitrogen
(0.05 mol) and 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride (26.86 g, 0.1 mol) were dissolved in 450 g of 1,4-dioxane, and the mixture was brought to room temperature. here,
Using 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane, a quinonediazide compound (4) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 8.

【0088】[0088]

【化17】 [Chemical 17]

【0089】同様に、各実施例、比較例に使用したフェ
ノール性水酸基を有する化合物を下記に示した。
Similarly, the compounds having a phenolic hydroxyl group used in Examples and Comparative Examples are shown below.

【0090】[0090]

【化18】 [Chemical 18]

【0091】実施例1 乾燥窒素気流下、4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル4.1g(0.0205モル)、1,3−ビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.24g
(0.005モル)をN−メチル−2−ピロリドン(N
MP)50gに溶解させた。ここにヒドロキシ基含有酸
無水物(a)21.4g(0.03モル)をNMP14
gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで5
0℃で4時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホ
ルムアミドジメチルアセタール7.14g(0.06モ
ル)をNMP5gで希釈した溶液を10分かけて滴下し
た。滴下後、50℃で3時間攪拌した。
Example 1 4.1 g (0.0205 mol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 1,3-bis (3-) under a stream of dry nitrogen.
Aminopropyl) tetramethyldisiloxane 1.24 g
(0.005 mol) of N-methyl-2-pyrrolidone (N
MP) was dissolved in 50 g. 21.4 g (0.03 mol) of hydroxy group-containing acid anhydride (a) was added to NMP14.
g, and reacted at 20 ° C. for 1 hour, then 5
The reaction was carried out at 0 ° C for 4 hours. Then, a solution prepared by diluting 7.14 g (0.06 mol) of N, N-dimethylformamide dimethyl acetal with 5 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropping, the mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours.

【0092】得られた溶液40.0gに上記に示したナ
フトキノンジアジド化合物(1)2g、フェノール性水
酸基を有する化合物としてBis−Z(商品名、本州化
学工業(株)製)1g、粒子径5nmの”オプトレイク
TR−502”(商品名、触媒化成工業(株)製)26
gを加えてポジ型感光性樹脂組成物のワニスAを得た。
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハ
上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露
光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、硬化膜の透過率
及び屈折率について評価を行った。
In 40.0 g of the obtained solution, 2 g of the naphthoquinonediazide compound (1) shown above, 1 g of Bis-Z (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a phenolic hydroxyl group, and a particle diameter of 5 nm were used. "Optlake TR-502" (trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) 26
g was added to obtain a varnish A of the positive photosensitive resin composition.
Using the obtained varnish, as described above, a positive type photosensitive resin film is prepared on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed and thermally cured, and the varnish's photosensitivity, cured film transmittance and refractive index are obtained. Was evaluated.

【0093】実施例2 乾燥窒素気流下、合成例2で得られたジアミン(b)1
3.6g(0.0225モル)、末端封止剤として、4
−エチニルアニリン(商品名:P−APAC、富士写真
フイルム(株)製)0.29g(0.0025モル)を
N−メチル−2−ピロリドン(NMP)50gに溶解さ
せた。ここにヒドロキシ基含有酸無水物(a)17.5
g(0.025モル)をピリジン30gとともに加え
て、60℃で6時間反応させた。反応終了後、溶液を水
2lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。
ポリマー固体を80℃の真空乾燥機で20時間乾燥し
た。
Example 2 Diamine (b) 1 obtained in Synthesis Example 2 under a stream of dry nitrogen
3.6 g (0.0225 mol), 4 as an end-capping agent
-Ethynylaniline (trade name: P-APAC, manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.) (0.29 g, 0.0025 mol) was dissolved in 50 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). Hydroxy group-containing acid anhydride (a) 17.5
g (0.025 mol) was added together with 30 g of pyridine, and the mixture was reacted at 60 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 2 l of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration.
The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.

【0094】このようにして得たポリマーの固体10g
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
(2)2g、フェノール性水酸基を有する化合物として
BisRS−2P(商品名、本州化学工業(株)製)2
g、ビニルトリメトキシシラン1gと、粒子径5nm
の”オプトレイクTR−502”(商品名、触媒化成工
業(株)製)50gとをガンマブチロラクトン30gに
溶解させてポジ型感光性樹脂組成物のワニスBを得た。
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハ
上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露
光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の
透過率及び屈折率について評価を行った。
10 g of the polymer solid thus obtained
2 g of the naphthoquinonediazide compound (2) shown above and BisRS-2P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 2 as a compound having a phenolic hydroxyl group
g, vinyltrimethoxysilane 1 g, and particle size 5 nm
50 g of "Optlake TR-502" (trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 30 g of gamma butyrolactone to obtain a varnish B of a positive photosensitive resin composition.
Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0095】実施例3 乾燥窒素気流下、合成例3で得られたジアミン化合物
(c)20.78g(0.055モル)、1、3−ビス
(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.
24g(0.005モル)をNMP50gに溶解させ
た。ここに3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸無水物13.95g(0.045モル)
をNMP21gとともに加えて、20℃で1時間反応さ
せ、次いで50℃で2時間反応させた。50℃で2時間
攪拌後、N,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタ
ール14.7g(0.1モル)をNMP5gで希釈した
溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間
攪拌した。
Example 3 20.78 g (0.055 mol) of the diamine compound (c) obtained in Synthesis Example 3 under a stream of dry nitrogen, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 1.
24 g (0.005 mol) was dissolved in 50 g NMP. Here, 13.95 g (0.045 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic acid anhydride
Was added together with 21 g of NMP and reacted at 20 ° C. for 1 hour and then at 50 ° C. for 2 hours. After stirring at 50 ° C. for 2 hours, a solution prepared by diluting 14.7 g (0.1 mol) of N, N-dimethylformamide diethyl acetal with 5 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropping, the mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours.

【0096】得られた溶液30gに上記に示したナフト
キノンジアジド化合物(3)1.6g、フェノール性水
酸基を有する化合物としてTrisP−PA(商品名、
本州化学工業(株)製)0.8g、粒子径10nmの”
オプトレイクTR−505”(商品名、触媒化成工業
(株)製)85gを溶解させてポジ型感光性樹脂組成物
のワニスCを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハ上及びガラス基板上にポジ型感光性
樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光
性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評価を行
った。
1.6 g of the naphthoquinonediazide compound (3) shown above was added to 30 g of the obtained solution, and TrisP-PA (trade name, as a compound having a phenolic hydroxyl group).
Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 0.8g, particle size 10nm "
85 g of OPTRAY TR-505 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Industry Co., Ltd.) was dissolved to obtain a varnish C of a positive type photosensitive resin composition. The varnish thus obtained was used to obtain silicon as described above. A positive photosensitive resin film was formed on a wafer and a glass substrate, exposed, developed and thermally cured, and the varnish's photosensitivity, the transmittance and the refractive index of the heat resistant resin film were evaluated.

【0097】実施例4 乾燥窒素気流下、合成例4で得られたジアミン化合物
(d)6.08g(0.025モル)と4,4’−ジア
ミノジフェニルエーテル4.21g(0.021モ
ル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン0.806g(0.00325モル)を
NMP70gに溶解させた。ヒドロキシル基含有酸無水
物(a)24.99g(0.035モル)、3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物4.4
1g(0.015モル)を室温でNMP25gとともに
加え、そのまま室温で1時間、その後50℃で2時間攪
拌した。ついで、グリシジルメチルエーテル17.6g
(0.2モル)をNMP10gで希釈した溶液を加え、
70℃で6時間攪拌した。
Example 4 6.08 g (0.025 mol) of the diamine compound (d) obtained in Synthesis Example 4 and 4.21 g (0.021 mol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether were obtained under a dry nitrogen stream. 0.806 g (0.00325 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane was dissolved in 70 g of NMP. Hydroxyl group-containing acid anhydride (a) 24.99 g (0.035 mol), 3,3 ′,
4,4′-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride 4.4
1 g (0.015 mol) was added at room temperature together with 25 g of NMP, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour and then at 50 ° C. for 2 hours. Then, 17.6 g of glycidyl methyl ether
(0.2 mol) diluted with 10 g of NMP was added,
The mixture was stirred at 70 ° C for 6 hours.

【0098】このポリマー溶液40gに上記に示したナ
フトキノンジアジド化合物(4)2.5g、フェノール
性水酸基を有する化合物としてBIR−PC(商品名、
旭有機材工業(株)製)2g、粒子径8nmの”オプト
レイクTR−503”(商品名、触媒化成工業(株)
製)150gを溶解させてポジ型感光性樹脂組成物のワ
ニスDを得た。得られたワニスを用いて前記のように、
シリコンウエハ上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂
膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐
熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評価を行った。
In 40 g of this polymer solution, 2.5 g of the naphthoquinonediazide compound (4) shown above and BIR-PC (trade name, as a compound having a phenolic hydroxyl group)
Asahi Organic Materials Co., Ltd. 2g, particle size 8nm "Optrake TR-503" (trade name, Catalyst Kasei Co., Ltd.)
150 g) was dissolved to obtain a varnish D of a positive photosensitive resin composition. Using the varnish obtained, as described above,
A positive photosensitive resin film was formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed and thermally cured, and the varnish's photosensitivity, the transmittance and the refractive index of the heat resistant resin film were evaluated.

【0099】実施例5 乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン16.93g
(0.04625モル)をN−メチル−2−ピロリドン
(NMP)50g、グリシジルメチルエーテル26.4
g(0.3モル)に溶解させ、溶液の温度を−15℃ま
で冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジ
クロリド7.38g(0.025モル)、イソフタル酸
ジクロリド5.08g(0.025モル)をガンマブチ
ロラクトン25gに溶解させた溶液を内部の温度が0℃
を越えないように滴下した。滴下終了後、6時間−15
℃で攪拌を続けた。
Example 5 16.93 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane under a stream of dry nitrogen
(0.04625 mol) N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) 50 g, glycidyl methyl ether 26.4
g (0.3 mol) and the temperature of the solution was cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 7.38 g (0.025 mol) of diphenyl ether dicarboxylic acid dichloride and 5.08 g (0.025 mol) of isophthalic acid dichloride in 25 g of gamma-butyrolactone had an internal temperature of 0 ° C.
It was dropped so that it would not exceed. 6 hours after completion of dropping
Stirring was continued at ° C.

【0100】反応終了後、溶液を水3lに投入して白色
の沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗
浄した後、80℃の真空乾燥機で20時間乾燥した。
After completion of the reaction, the solution was poured into 3 l of water to collect a white precipitate. The precipitate was collected by filtration, washed with water three times, and then dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.

【0101】このようにして得られたポリマー粉体10
gに上記にしめしたナフトキノンジアジド化合物(2)
2g、Bis−Z(商品名、本州化学工業(株)製)1
g、粒子径5nmの”オプトレイクTR−504”(商
品名、触媒化成工業(株)製)250gをNMP30g
に溶解させてポジ型感光性樹脂組成物のワニスEを得
た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウ
エハ上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、
露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜
の透過率及び屈折率について評価を行った。
Polymer powder 10 thus obtained
The naphthoquinonediazide compound (2)
2 g, Bis-Z (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 1
g, 250 g of "Optrake TR-504" (trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) having a particle diameter of 5 nm, 30 g of NMP
To obtain a varnish E of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is produced on a silicon wafer and a glass substrate,
After exposure, development and heat curing, the photosensitivity of the varnish and the transmittance and refractive index of the heat resistant resin film were evaluated.

【0102】実施例6 乾燥窒素気流下、合成例2で得られたジアミン(b)1
3.6g(0.0225モル)、末端封止剤として、4
−(3−アミノフェニル)−2−メチル−3−ブチン−
2−オール(商品名:M−APACB、富士写真フイル
ム(株)製)0.44g(0.0025モル)をN−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)50gに溶解させた。
ここにヒドロキシ基含有酸無水物(a)17.5g
(0.025モル)をピリジン30gとともに加えて、
60℃で6時間反応させた。反応終了後、溶液を水2l
に投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリ
マー固体を80℃の真空乾燥機で20時間乾燥した。
Example 6 Diamine (b) 1 obtained in Synthesis Example 2 under a stream of dry nitrogen
3.6 g (0.0225 mol), 4 as an end-capping agent
-(3-aminophenyl) -2-methyl-3-butyne-
2-Ol (trade name: M-APACB, manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.) 0.44 g (0.0025 mol) was dissolved in 50 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP).
17.5 g of hydroxy group-containing acid anhydride (a)
(0.025 mol) with 30 g of pyridine,
The reaction was carried out at 60 ° C for 6 hours. After the reaction was completed, the solution was added with 2 l of water.
The polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.

【0103】このようにして得たポリマーの固体10g
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
(2)2g、フェノール性水酸基を有する化合物として
BIR−PC(商品名、旭有機材工業(株)製)2g、
ビニルトリメトキシシラン1gと、粒子径5nmの”オ
プトレイクTR−504”(商品名、触媒化成工業
(株)製)100.0gをガンマブチロラクトン30g
に溶解させてポジ型感光性樹脂組成物のワニスFを得
た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウ
エハ上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、
露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜
の透過率及び屈折率について評価を行った。
10 g of the polymer solid thus obtained
2 g of the naphthoquinonediazide compound (2) shown above, and 2 g of BIR-PC (trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) as a compound having a phenolic hydroxyl group,
1 g of vinyltrimethoxysilane, 100.0 g of "Optlake TR-504" (trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) having a particle diameter of 5 nm, and 30 g of gammabutyrolactone.
To obtain a varnish F of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is produced on a silicon wafer and a glass substrate,
After exposure, development and heat curing, the photosensitivity of the varnish and the transmittance and refractive index of the heat resistant resin film were evaluated.

【0104】実施例7 実施例2で得られたポジ型感光性樹脂組成物のワニスB
を用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラス基
板上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像
し、未露光部を照射量300mJ/cm2(365nm
換算)で紫外線全波長露光を行い、その後熱硬化し、ワ
ニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率につい
て評価を行った。
Example 7 Varnish B of the positive type photosensitive resin composition obtained in Example 2
As described above, a photosensitive polyimide precursor film was prepared, exposed and developed on a silicon wafer and a glass substrate, and the unexposed area was irradiated with 300 mJ / cm 2 (365 nm).
(Converted) and exposed to all wavelengths of ultraviolet rays, and then thermally cured, and evaluated for photosensitivity of varnish, transmittance and refractive index of heat-resistant resin film.

【0105】実施例8 実施例6で得られたポジ型感光性樹脂組成物のワニスF
を用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラス基
板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像し、未露
光部を照射量2000mJ/cm2(365nm換算)
で紫外線全波長露光を行い、その後熱硬化し、ワニスの
感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評価
を行った。
Example 8 Varnish F of the positive type photosensitive resin composition obtained in Example 6
As described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, and developed, and an unexposed portion is irradiated with 2000 mJ / cm 2 (converted to 365 nm).
UV exposure was performed on all wavelengths, and then heat curing was performed to evaluate the photosensitivity of the varnish, the transmittance and the refractive index of the heat resistant resin film.

【0106】実施例9 実施例2の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)の添加量を50
gから300gに変更し、他は実施例2と同様に行い、
ポジ型感光性樹脂組成物のワニスGを得た。得られたワ
ニスを用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラ
ス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱
硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈
折率について評価を行った。
Example 9 "Optolaque TR-50 having a particle size of 5 nm in Example 2"
2 "(trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Change from g to 300 g, and otherwise perform the same as in Example 2,
Varnish G of the positive type photosensitive resin composition was obtained. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0107】実施例10 実施例2の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)の添加量を50
gから10gに変更し、他は実施例2と同様に行い、ポ
ジ型感光性樹脂組成物のワニスHを得た。得られたワニ
スを用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラス
基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬
化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折
率について評価を行った。
Example 10 "Optlake TR-50 having a particle size of 5 nm in Example 2"
2 "(trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.)
The procedure of Example 2 was repeated except that the amount of g was changed to 10 g to obtain a varnish H of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0108】実施例11 実施例1の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)を粒子径5nm
の酸化ジルコニウム粒子((株)高純度化学研究所製)
に変更し、他は実施例1と同様に行い、ポジ型感光性樹
脂組成物のワニスMを得た。得られたワニスを用いて前
記のように、シリコンウエハ上及びガラス基板上にポジ
型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワニス
の感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評
価を行った。
Example 11 "Optolaque TR-50 having a particle size of 5 nm in Example 1"
2 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) with a particle size of 5 nm
Zirconium oxide particles (manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.)
In the same manner as in Example 1 except for the above, to obtain a varnish M of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is produced on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the photosensitivity of the varnish, the transmittance of the heat-resistant resin film, and The refractive index was evaluated.

【0109】実施例12 実施例3の粒子径10nmの”オプトレイクTR−50
5”(商品名、触媒化成工業(株)製)を粒子径25n
mの酸化スズ−酸化ジルコニウム複合粒子ゾル(触媒化
成工業(株)製)に変更し、他は実施例3と同様に行
い、ポジ型感光性樹脂組成物のワニスNを得た。得られ
たワニスを用いて前記のように、シリコンウエハ上及び
ガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現
像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率
及び屈折率について評価を行った。
Example 12 "Optolaque TR-50 having a particle diameter of 10 nm obtained in Example 3"
5 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) with a particle size of 25n
m was changed to the tin oxide-zirconium oxide composite particle sol (manufactured by Catalysts & Chemicals Industry Co., Ltd.), and otherwise the same as in Example 3 to obtain a varnish N of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0110】実施例13 実施例2の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)を粒子径15n
mの酸化アルミニウム−酸化チタン複合粒子ゾルに変更
し、他は実施例2と同様に行い、ポジ型感光性樹脂組成
物のワニスPを得た。得られたワニスを用いて前記のよ
うに、シリコンウエハ上及びガラス基板上にポジ型感光
性樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光
性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評価を行
った。
Example 13 "Optolaque TR-50 having a particle diameter of 5 nm of Example 2"
2 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) with a particle size of 15n
In the same manner as in Example 2 except that the aluminum oxide-titanium oxide composite particle sol of m was changed, a varnish P of the positive photosensitive resin composition was obtained. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0111】実施例14 実施例5の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン16.93gを1
8.3g(0.05モル)に変更し、さらに粒子径5n
mの”オプトレイクTR−504”(商品名、触媒化成
工業(株)製)を、粒子径10nmの酸化スズ粒子
((株)高純度化学研究所製)に変更し、他は、実施例
5と同様に行い、ポジ型感光性樹脂組成物のワニスQを
得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコン
ウエハ上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作
製、露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹
脂膜の透過率及び屈折率について評価を行った。
Example 14 16.93 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane obtained in Example 5 was added to 1 part.
Changed to 8.3g (0.05mol) and further particle size 5n
m "Optrake TR-504" (trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) was changed to tin oxide particles having a particle diameter of 10 nm (manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.). The same procedure as in 5 was performed to obtain a varnish Q of the positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0112】実施例15 乾燥窒素気流下、メタクレゾール57g(0.6モ
ル)、パラクレゾール38g(0.4モル)、37重量
%ホルムアルデヒド水溶液75.5g(ホルムアルデヒ
ド0.93モル)、シュウ酸二水和物0.63g(0.
005モル)、メチルイソブチルケトン264gを仕込
んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら、4時
間重縮合反応を行った。その後、油浴の温度を3時間か
けて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を30〜50
mmHgまで減圧し、揮発分を除去し、溶解している、
樹脂を室温まで冷却して、アルカリ可溶性のノボラック
樹脂のポリマー固体85gを得た。
Example 15 57 g (0.6 mol) of meta-cresol, 38 g (0.4 mol) of para-cresol, 75.5 g of a 37% by weight formaldehyde aqueous solution (0.93 mol of formaldehyde), and oxalic acid diacid under a stream of dry nitrogen. Hydrate 0.63 g (0.
(005 mol) and 264 g of methyl isobutyl ketone were charged and then immersed in an oil bath to carry out polycondensation reaction for 4 hours while refluxing the reaction solution. Then, the temperature of the oil bath is raised over 3 hours, and then the pressure in the flask is set to 30 to 50.
Decompressed to mmHg to remove volatile matter and dissolved,
The resin was cooled to room temperature to obtain 85 g of an alkali-soluble novolak resin polymer solid.

【0113】このようにして得たノボラック樹脂10g
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
(2)2g、フェノール性水酸基を有する化合物として
BisRS−2P(商品名、本州化学工業(株)製)2
g、ビニルトリメトキシシラン1gと、粒子径5nm
の”オプトレイクTR−502”(商品名、触媒化成工
業(株)製)50gとをガンマブチロラクトン30gに
溶解させてポジ型感光性樹脂組成物のワニスRを得た。
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハ
上及びガラス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露
光、現像、熱硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の
透過率及び屈折率について評価を行った。
10 g of the novolak resin thus obtained
2 g of the naphthoquinonediazide compound (2) shown above and BisRS-2P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 2 as a compound having a phenolic hydroxyl group
g, vinyltrimethoxysilane 1 g, and particle size 5 nm
50 g of "Optlake TR-502" (trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Industry Co., Ltd.) was dissolved in 30 g of gamma-butyrolactone to obtain a varnish R of a positive photosensitive resin composition.
Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0114】実施例16 乾燥窒素気流下、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチ
ルバレロニトリル)5g、プロピレングリコールモノメ
チルエーテールアセテート200g、パラ−ヒドロキシ
−α−メチルスチレン25g、アクリル酸40g、トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレー
ト30gを仕込み溶解させ、70℃で4時間攪拌反応さ
せた。反応終了後、アルカリ可溶性ラジカル重合ポリマ
ー溶液を、ヘキサン1000gに投入して、ポリマー固
体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を80℃の真空
乾燥機で20時間乾燥した。
Example 16 Under a dry nitrogen stream, 5 g of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, 25 g of para-hydroxy-α-methylstyrene, 40 g of acrylic acid, 30 g of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate was charged and dissolved, and the mixture was stirred and reacted at 70 ° C. for 4 hours. After completion of the reaction, the alkali-soluble radically polymerized polymer solution was added to 1000 g of hexane, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.

【0115】このようにして得たポリマーの固体10g
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
(1)2g、フェノール性水酸基を有する化合物として
Bis−Z(商品名、本州化学工業(株)製)1g、粒
子径10nmの”オプトレイクTR−505”(商品
名、触媒化成工業(株)製)47gを加えてポジ型感光
性樹脂組成物のワニスSを得た。得られたワニスを用い
て前記のように、シリコンウエハ上及びガラス基板上に
ポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワ
ニスの感光性、硬化膜の透過率及び屈折率について評価
を行った。
10 g of the polymer solid thus obtained
2 g of the naphthoquinonediazide compound (1) shown above, 1 g of Bis-Z (trade name, manufactured by Honshu Kagaku Kogyo Co., Ltd.) as a compound having a phenolic hydroxyl group, and "Optrake TR-505" having a particle diameter of 10 nm. 47 g (trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added to obtain a varnish S of a positive photosensitive resin composition. Using the obtained varnish, as described above, a positive type photosensitive resin film is prepared on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed and thermally cured, and the varnish's photosensitivity, cured film transmittance and refractive index are obtained. Was evaluated.

【0116】比較例1 実施例1の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)を用いない他
は、実施例1と同様に行い、ポジ型感光性樹脂組成物の
ワニスIを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハ上及びガラス基板上にポジ型感光性
樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬化し、ワニスの感光
性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折率について評価を行
った。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 "Optrake TR-50 having a particle diameter of 5 nm of Example 1"
2 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Industry Co., Ltd.) was used, and the same procedure as in Example 1 was carried out to obtain a varnish I of the positive photosensitive resin composition. As described above, a positive type photosensitive resin film was prepared on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed and thermally cured, and the varnish's photosensitivity, the transmittance and the refractive index of the heat resistant resin film were evaluated.

【0117】比較例2 実施例2の粒子径5nmの”オプトレイクTR−50
2”(商品名、触媒化成工業(株)製)を粒子径60n
mの”オプトレイクTR−506”(商品名、触媒化成
工業(株)製)に変更し、他は実施例2と同様に行い、
ポジ型感光性樹脂組成物のワニスJを得た。得られたワ
ニスを用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラ
ス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱
硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈
折率について評価を行った。
COMPARATIVE EXAMPLE 2 "Optrake TR-50 having a particle diameter of 5 nm of Example 2"
2 ”(trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) having a particle size of 60 n
m “Optrake TR-506” (trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.), and otherwise the same as in Example 2,
Varnish J of a positive type photosensitive resin composition was obtained. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0118】比較例3 実施例3の粒子径10nmの”オプトレイクTR−50
5”(商品名、触媒化成工業(株)製)を粒子径35n
mの”オプトレイクTR−509”(商品名、触媒化成
工業(株)製)に変更し、他は実施例3と同様に行い、
ポジ型感光性樹脂組成物のワニスKを得た。得られたワ
ニスを用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラ
ス基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱
硬化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈
折率について評価を行った。
COMPARATIVE EXAMPLE 3 "Optlake TR-50 having a particle diameter of 10 nm of Example 3"
5 "(trade name, manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) having a particle diameter of 35n
m “Optrake TR-509” (trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.), and otherwise the same as in Example 3,
Varnish K of the positive type photosensitive resin composition was obtained. Using the obtained varnish, as described above, a positive photosensitive resin film is formed on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity and heat-resistant resin film transmittance and The refractive index was evaluated.

【0119】比較例4 実施例5の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン16.93gを1
8.3g(0.05モル)に変更し、粒子径5nmの”
オプトレイクTR−504”(商品名、触媒化成工業
(株)製)を用いない他は、実施例5と同様に行い、ポ
ジ型感光性樹脂組成物のワニスLを得た。得られたワニ
スを用いて前記のように、シリコンウエハ上及びガラス
基板上にポジ型感光性樹脂膜を作製、露光、現像、熱硬
化し、ワニスの感光性、耐熱性樹脂膜の透過率及び屈折
率について評価を行った。
Comparative Example 4 16.93 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane of Example 5 was used as 1 part.
Change to 8.3g (0.05mol), particle size 5nm "
A varnish L of a positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 5, except that OPTRAY TR-504 "(trade name, manufactured by Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) was not used. As described above, a positive photosensitive resin film was prepared on a silicon wafer and a glass substrate, exposed, developed, and heat-cured, and the varnish's photosensitivity, the heat-resistant resin film's transmittance and refractive index were evaluated. I went.

【0120】実施例1〜16、比較例1〜4の評価結果
については表1に示した。
The evaluation results of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 4 are shown in Table 1.

【0121】[0121]

【表1】 [Table 1]

【0122】[0122]

【発明の効果】本発明によれば、アルカリ水溶液で現像
でき、透明性、屈折率の優れたポジ型の感光性樹脂組成
物を得ることができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, a positive photosensitive resin composition which can be developed with an aqueous alkali solution and is excellent in transparency and refractive index can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA02 AA03 AA04 AB14 AC01 AD03 BE01 CB25 CB26 CB28 CB29 CB43 CB45 CB55 CB56 CC20 FA17 4J001 DA01 DC05 DC08 DD01 DD04 DD05 DD07 DD08 EB07 EB08 EB14 EB34 EB36 EB37 EB46 EB57 EB58 EB60 EB69 EC14 EC24 EC27 EC33 EC36 EC44 EC66 EC70 EC74 EC75 FA01 FB03 FB06 FC03 JA01 JA20   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H025 AA02 AA03 AA04 AB14 AC01                       AD03 BE01 CB25 CB26 CB28                       CB29 CB43 CB45 CB55 CB56                       CC20 FA17                 4J001 DA01 DC05 DC08 DD01 DD04                       DD05 DD07 DD08 EB07 EB08                       EB14 EB34 EB36 EB37 EB46                       EB57 EB58 EB60 EB69 EC14                       EC24 EC27 EC33 EC36 EC44                       EC66 EC70 EC74 EC75 FA01                       FB03 FB06 FC03 JA01 JA20

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(a)アルカリ可溶性ポリマーと、(b)
フェノール性水酸基を有する化合物と、(c)エステル
化したキノンジアジド化合物と、(d)アルミニウム化
合物、ケイ素化合物、スズ化合物、チタン化合物、ジル
コニウム化合物から少なくとも1種選ばれる粒子径1n
mから30nmの無機粒子を含有することを特徴とする
ポジ型感光性樹脂組成物。
1. An (a) alkali-soluble polymer, and (b)
A compound having a phenolic hydroxyl group, (c) an esterified quinonediazide compound, and (d) at least one selected from an aluminum compound, a silicon compound, a tin compound, a titanium compound, and a zirconium compound.
A positive photosensitive resin composition comprising inorganic particles of m to 30 nm.
【請求項2】(a)成分が、ノボラック樹脂および/ま
たはレゾール樹脂であることを特徴とする請求項1記載
のポジ型感光性樹脂組成物。
2. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (a) is a novolac resin and / or a resole resin.
【請求項3】(a)成分が、フェノ−ル性水酸基または
カルボキシル基を有するラジカル重合性モノマ−の単独
重合体ポリマーおよび/または該ラジカル重合性モノマ
−とそれ以外の他のラジカル重合性モノマ−の共重合体
ポリマーであることを特徴とする請求項1記載のポジ型
感光性樹脂組成物。
3. A component (a) is a homopolymer polymer of a radical-polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group and / or the radical-polymerizable monomer and other radical-polymerizable monomers other than the above. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, which is a copolymer polymer of-.
【請求項4】(a)成分が、一般式(1)で表される構
造単位を主成分とするポリマーであることを特徴とする
請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 (式中R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する2
価から8価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価から6価の有機基、R3 は水素、ま
たは炭素数1から20までの有機基を示す。nは10か
ら100000までの整数、mは0から2までの整数、
p、qは0から4までの整数を示す。ただしp+q>0
である。)
4. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (a) is a polymer containing a structural unit represented by the general formula (1) as a main component. [Chemical 1] (In the formula, R 1 has 2 or more carbon atoms.
A divalent to octavalent organic group, R 2 represents a divalent to hexavalent organic group having at least 2 carbon atoms, and R 3 represents hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. n is an integer from 10 to 100000, m is an integer from 0 to 2,
p and q are integers from 0 to 4. However, p + q> 0
Is. )
【請求項5】一般式(1)のR1(COOR3)m(O
H)pが、一般式(2)で表されることを特徴とする請
求項4記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化2】 (R4、R6は炭素数2〜20より選ばれる2価〜4価の
有機基を示し、R5は、炭素数3〜20より選ばれる水
酸基を有した3価〜6価の有機基を示し、R7、R8は水
素、および/または炭素数1〜20までの有機基を示
す。o、sは0から2までの整数、rは1〜4までの整
数を示す。)
5. R 1 (COOR 3 ) m (O of the general formula (1)
H) p is represented by General formula (2), The positive photosensitive resin composition of Claim 4 characterized by the above-mentioned. [Chemical 2] (R 4 and R 6 represent a divalent to tetravalent organic group selected from 2 to 20 carbon atoms, and R 5 represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. R 7 and R 8 each represent hydrogen and / or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, o and s each represent an integer of 0 to 2, and r represents an integer of 1 to 4.)
【請求項6】一般式(1)のR2(OH)qが、一般式
(3)で表されることを特徴とする請求項4記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化3】 (R9、R11は炭素数2〜20より選ばれる水酸基を有
した3価〜4価の有機基を示し、R10は炭素数2〜30
より選ばれる2価の有機基を示す。t、uは1あるいは
2の整数を示す。)
6. The positive photosensitive resin composition according to claim 4, wherein R 2 (OH) q of the general formula (1) is represented by the general formula (3). [Chemical 3] (R 9 and R 11 represent trivalent to tetravalent organic groups having a hydroxyl group selected from 2 to 20 carbon atoms, and R 10 represents 2 to 30 carbon atoms.
A divalent organic group selected from the following is shown. t and u are integers of 1 or 2. )
【請求項7】一般式(1)のR2(OH)qが、一般式
(4)で表されることを特徴とする請求項4記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化4】 (R12、R14は炭素数2〜20までの2価の有機基を示
し、R13は、炭素数3〜20より選ばれる水酸基を有し
た3価〜6価の有機基を示す。vは1〜4までの整数を
示す。)
7. The positive photosensitive resin composition according to claim 4, wherein R 2 (OH) q of the general formula (1) is represented by the general formula (4). [Chemical 4] (.V R 12, R 14 represents a divalent organic group of up to 20 carbon atoms, R 13 is showing a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3-20C Represents an integer from 1 to 4.)
【請求項8】一般式(1)のR2(OH)qが、一般式
(5)で表されることを特徴とする請求項4記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化5】 (R15は炭素数2〜20より選ばれる2価の有機基を示
し、R16は、炭素数3〜20より選ばれる水酸基を有し
た3価〜6価の有機基を示す。wは1〜4までの整数を
示す。)
8. The positive photosensitive resin composition according to claim 4, wherein R 2 (OH) q in the general formula (1) is represented by the general formula (5). [Chemical 5] (R 15 represents a divalent organic group selected from 2 to 20 carbon atoms, and R 16 represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. W is 1 Indicates an integer of up to 4).
【請求項9】請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物に
紫外線を照射した後、加熱して形成された耐熱性樹脂の
レリーフパターン。
9. A relief pattern of a heat-resistant resin formed by irradiating the positive photosensitive resin composition according to claim 1 with ultraviolet rays and then heating.
【請求項10】請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物
を有する光学素子。
10. An optical element comprising the positive photosensitive resin composition according to claim 1.
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004310076A (en) * 2003-03-26 2004-11-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display element
WO2005088396A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-22 Toray Industries, Inc. Positive light-sensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid imaging element
WO2006046687A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Jsr Corporation Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof
JP2006154779A (en) * 2004-10-29 2006-06-15 Jsr Corp Positive photosensitive insulating resin composition and cured product of the same
WO2007063721A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display using same
JP2007225631A (en) * 2006-02-21 2007-09-06 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Positive photosensitive resin composition
JP2007246651A (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Toray Ind Inc Resin composition and method for forming relief pattern using the same
JP2008026430A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2008038027A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Organic polymer composition and optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2010061111A (en) * 2008-08-05 2010-03-18 Jsr Corp Resin composition, optical film and optical member
WO2011040248A1 (en) 2009-09-29 2011-04-07 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film obtained using same, and optical device
WO2014136922A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-12 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured article, method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
WO2015002183A1 (en) 2013-07-02 2015-01-08 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same
WO2015111607A1 (en) 2014-01-24 2015-07-30 東レ株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated cmos image sensor
JP2016087522A (en) * 2014-10-31 2016-05-23 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター Quantum dot composite photocatalyst
WO2016148176A1 (en) * 2015-03-19 2016-09-22 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film, tft substrate, interlayer insulating film, display device, and methods for producing same

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004310076A (en) * 2003-03-26 2004-11-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display element
WO2005088396A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-22 Toray Industries, Inc. Positive light-sensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid imaging element
EP1724640A4 (en) * 2004-03-12 2010-04-07 Toray Industries Positive light-sensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid imaging element
JP4743115B2 (en) * 2004-03-12 2011-08-10 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid-state imaging device
EP1724640A1 (en) * 2004-03-12 2006-11-22 Toray Industries, Inc. Positive light-sensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid imaging element
KR101150593B1 (en) * 2004-03-12 2012-06-01 도레이 카부시키가이샤 Positive light-sensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid imaging element
JPWO2005088396A1 (en) * 2004-03-12 2008-01-31 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, relief pattern using the same, and solid-state imaging device
JP2006154779A (en) * 2004-10-29 2006-06-15 Jsr Corp Positive photosensitive insulating resin composition and cured product of the same
JP4692219B2 (en) * 2004-10-29 2011-06-01 Jsr株式会社 Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof
WO2006046687A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Jsr Corporation Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof
WO2007063721A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display using same
US8080350B2 (en) 2005-11-30 2011-12-20 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith
JP2007225631A (en) * 2006-02-21 2007-09-06 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Positive photosensitive resin composition
JP4744318B2 (en) * 2006-02-21 2011-08-10 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Positive photosensitive resin composition
JP2007246651A (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Toray Ind Inc Resin composition and method for forming relief pattern using the same
JP2008026430A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2008038027A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Organic polymer composition and optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2010061111A (en) * 2008-08-05 2010-03-18 Jsr Corp Resin composition, optical film and optical member
WO2011040248A1 (en) 2009-09-29 2011-04-07 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film obtained using same, and optical device
KR20120074272A (en) 2009-09-29 2012-07-05 도레이 카부시키가이샤 Positive photosensitive resin composition, cured film obtained using same, and optical device
US8828642B2 (en) 2009-09-29 2014-09-09 Toray Industries, Inc. Positive photosensitive resin composition, cured film obtained using same, and optical device
WO2014136922A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-12 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured article, method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
WO2015002183A1 (en) 2013-07-02 2015-01-08 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same
KR20160026881A (en) 2013-07-02 2016-03-09 도레이 카부시키가이샤 Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same
US9989852B2 (en) 2013-07-02 2018-06-05 Toray Industries, Inc. Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same
WO2015111607A1 (en) 2014-01-24 2015-07-30 東レ株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated cmos image sensor
KR20160113155A (en) 2014-01-24 2016-09-28 도레이 카부시키가이샤 Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated cmos image sensor
US9977329B2 (en) 2014-01-24 2018-05-22 Toray Industries, Inc. Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated CMOS image sensor
JP2016087522A (en) * 2014-10-31 2016-05-23 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター Quantum dot composite photocatalyst
WO2016148176A1 (en) * 2015-03-19 2016-09-22 東レ株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film, tft substrate, interlayer insulating film, display device, and methods for producing same

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