JP2003069129A - 窒化物半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造方法が簡易化されると共に、量産化を図
ることができる窒化物半導体レーザおよびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 サブマウント１１の一方の面に、複数の
金属層よりなる溶着層６０を間にしてレーザチップ７０
が溶着されると共に、このサブマウント１１の他方の面
に、銀ペーストよりなる接着層３０を間にしてヒートシ
ンク４０が接着される。よって、レーザチップ７０とサ
ブマウント１１の溶着工程およびサブマウント１１とヒ
ートシンク４０の接着工程とを分けて、レーザチップ７
０を複数有する基板をサブマウントに溶着することがで
きる。また、このサブマウントをレーザチップ７０毎に
分離した後に、分離されたサブマウント１１とヒートシ
ンク４０とを複数仮固定してから、一度の加熱処理でま
とめて接着することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、２つの対向面を有
するサブマウントの一方の面にレーザチップが配設され
ると共に、他方の面に放熱部材が設けられた窒化物半導
体レーザおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザの分野において、紫
外から青色の領域の発光を得ることができる窒化物半導
体よりなる窒化物半導体レーザの開発が盛んに行われて
いる。この窒化物半導体レーザは、赤色，赤外等の半導
体レーザに比べて高エネルギーの光を放出するので、消
費電力が大きくなり、そのため発熱量が大きくなる。

【０００３】このような窒化物半導体レーザで発生する
熱が外部に効果的に放熱されるように、レーザチップの
基板の裏面側には、銅（Ｃｕ）あるいは鉄（Ｆｅ）など
の金属よりなるヒートシンクが放熱部材として設けられ
ている。更に、レーザチップとヒートシンクとの間に
は、熱膨張係数の差によるストレスや歪などが発生しな
いよう、レーザチップの基板材料と比較的熱膨張係数が
近い材料として熱伝導性のよい窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）などを用いたサブマウントが支持部材として設けら
れている。

【０００４】このサブマウント両面には、レーザチップ
およびヒートシンクをそれぞれ設けるために溶着層が形
成されている。具体的には、レーザチップを設ける側に
は、チタン（Ｔｉ）層および金（Ａｕ）層、あるいはチ
タン層，金層およびカリウム（Ｋ）層が順に積層された
配線の上に、チタン層，白金（Ｐｔ）層および錫（Ｓ
ｎ）層、あるいはチタン層，白金層および金と錫の合金
層（ＡｕＳｎ）が順に積層され、ヒートシンクを設ける
側には、チタン層および錫層が順に積層されることによ
りそれぞれ溶着層が形成される。

【０００５】ところで、このような材料により溶着層を
構成すると、サブマウントの両面にレーザチップおよび
ヒートシンクをそれぞれ設けるには、ヒートシンクの上
に、サブマウントおよびレーザチップを順に精度良く位
置合わせをして載せて、最後に、加熱装置を用いて各々
の位置精度を確保しながら一度の加熱で溶着しなければ
ならない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、溶着層
に濡れ性が良くない材料を用いているので、レーザチッ
プとサブマウントの溶着およびサブマウントとヒートシ
ンクの溶着を一度の加熱処理により位置精度良く行うに
は、加熱温度の管理範囲を狭くする必要がある。よっ
て、加熱装置の機構が複雑となると共に、窒化物半導体
レーザ１個あたりの作業時間が長くなってしまうという
問題があった。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、製造工程が簡易化されると共に、量
産化を図ることができる窒化物半導体レーザおよびその
製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による窒化物半導
体レーザは、２つの対向面を有する支持部材と、活性層
を含む窒化物半導体層および一対の電極を有し、支持部
材の一方の面に複数の金属層よりなる溶着層を間にして
配設されたレーザチップと、支持部材の他方の面に銀ペ
ーストよりなる接着層を間にして設けられた放熱部材と
を備えたものである。

【０００９】本発明による窒化物半導体レーザの製造方
法は、２つの対向面を有する支持部材の一方の面に、複
数の金属層よりなる溶着層を間にして、活性層を含む窒
化物半導体層および一対の電極を有するレーザチップが
複数形成された基板を配設する工程と、支持部材をレー
ザチップ毎に分離する工程と、この分離された支持部材
の他方の面に、加重を加えることにより銀ペーストより
なる接着層を間にして放熱部材を仮固定する工程と、こ
の放熱部材が仮固定された支持部材を加熱し、支持部材
と放熱部材とを接着する工程とを含むものである。

【００１０】本発明による窒化物半導体レーザまたはそ
の製造方法では、２つの対向面を有する支持部材の一方
の面に、複数の金属層よりなる溶着層を間にしてレーザ
チップが溶着されると共に、この支持部材の他方の面
に、銀ペーストよりなる接着層を間にして放熱部材が接
着されるので、レーザチップと支持部材の溶着工程およ
び支持部材と放熱部材の接着工程とを分けて、レーザチ
ップを複数有する基板を支持部材に溶着することができ
ると共に、この支持部材をレーザチップ毎に分離して、
分離された支持部材を放熱部材に複数仮固定した後に、
一度の加熱処理でまとめて接着することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１２】図１は、本発明の一実施の形態に係る窒化
物半導体レーザ１０の断面構成を表すものである。ま
た、図２は、この窒化物半導体レーザ１０が構成要素と
して含まれる窒化物半導体発光装置８０の全体構成を表
している。

【００１３】窒化物半導体発光装置８０は、例えば、円
盤状の支持体８１と中空円筒状の蓋体８２とを有してい
る。支持体８１は、例えば銅あるいは鉄などの金属によ
りヒートシンク４０と一体成型されている。蓋体８２の
一端部は開放されており、他端部は閉鎖されている。蓋
体８２の閉端部には、内部に収納された窒化物半導体レ
ーザ１０から射出されたレーザビームを窒化物半導体発
光装置８０の外部に取り出すための取り出し窓８２ａが
設けられている。蓋体８２は、例えば銅あるいは鉄など
の金属により構成されており、取り出し窓８２ａは、窒
化物半導体レーザ１０から射出されるレーザビームを透
過することができる材料、例えば、ガラスあるいはプラ
スチックにより構成されている。

【００１４】支持体８１には、支持体８１の面内とは垂
直な方向に、一対のピン８３，８４が設けられている。
各ピン８３，８４は、銅または鉄などの金属により構成
されており、表面には金などよりなる薄膜が被着されて
いる。支持体８１と各ピン８３，８４との間にはガラス
などよりなる絶縁リング８３ａ，８４ａがそれぞれ配設
されており、支持体８１と各ピン８３，８４とは電気的
にそれぞれ絶縁されている。ピン８４には、例えば太さ
が２０μｍの金よりなるワイヤ８６ａの一端部が接合さ
れている。このワイヤ８６ａの他端部は配線５０ａに接
合されており、ピン８４と配線５０ａとが電気的に接続
される。支持体８１には、更に、支持体８１およびヒー
トシンク４０と電気的に接続されたピン８５が形成され
ている。

【００１５】ヒートシンク４０は、例えば銅あるいは鉄
などの金属により構成されている。このヒートシンク４
０は、窒化物半導体レーザ１０の図示しない電源に対し
て電気的に接続されると共に、窒化物半導体レーザ１０
で発生した熱を放散する役割を有している。

【００１６】ヒートシンク４０の上には、接着層３０お
よび補助接着層２０を間にして、例えば厚さ２００μｍ
程度の窒化アルミニウムよりなるサブマウント１１が設
けられている。

【００１７】サブマウント１１の上の補助接着層２０
は、例えば厚さ０．０５μｍのチタン層２１，厚さ０．
２μｍの白金２２層および厚さ０．６μｍの金層２３
が、サブマウント１１側から順に積層されたものであ
る。補助接着層２０の上に形成されている接着層３０
は、厚さ１５μｍ以下、例えば１５μｍの銀（Ａｇ）ペ
ーストよりなる。なお、銀ペーストは、銀の密度が９０
％以上で、かつ、熱伝導率が２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
と共に、加熱処理により接着させる際に必要な熱硬化剤
を含む。

【００１８】サブマウント１１のヒートシンク４０が設
けられない側には、配線５０ａ, ５０ｂおよび溶着層６
０を間にして、レーザチップ７０が設けられている。レ
ーザチップ７０は、例えば厚さ８０μｍ程度のサファイ
ア（α―Ａｌ₂ Ｏ₃ ）よりなる基板７１を備えている。
この基板７１のｃ面には、活性層を含む窒化物半導体層
７２が形成されている。

【００１９】なお、ここでいう窒化物半導体とは、ガリ
ウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含んだ窒化ガリウム系化
合物のことであり、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ），窒
化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＧａＮ）混晶，あるい
は窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（ＡｌＧａ
ＩｎＮ）混晶などが挙げられる。これらは、必要に応じ
てシリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），酸素
（Ｏ），セレン（Ｓｅ）などのＩＶ族およびＶＩ族元素
からなるｎ型不純物、または、マグネシウム（Ｍｇ），
亜鉛（Ｚｎ），炭素（Ｃ）などのＩＩ族およびＩＶ族元
素からなるｐ型不純物を含有している。

【００２０】窒化物半導体層７２の上には、例えば、厚
さ０．０５μｍのパラジウム（Ｐｄ）層，厚さ０．１μ
ｍの白金層および厚さ０．３μｍの金層よりなるｐ側電
極７４およびｎ側電極７３の一対の電極が基板７１側か
ら順に形成されている。この一対の電極の上には、例え
ば厚さ０．０１μｍのチタン層，厚さ０．１μｍの白金
層および厚さ０．３μｍの金層よりなる配線用電極７５
が基板７１側から順に形成されている。なお、このよう
な構成を有するレーザチップ７０は、一対の電極が設け
られている側が対向されてサブマウント１１に設けられ
ている。

【００２１】配線５０ａは、例えば厚さ０．０５μｍの
チタン層５１および厚さ４．０μｍのアルミニウム（Ａ
ｌ）層５２ａがサブマウント１１側から順に積層された
ものであり、レーザチップ７０のｎ側電極７３の下方に
位置する。配線５０ｂは、例えば厚さ０．０５μｍのチ
タン層５１および厚さ２．０μｍのアルミニウム層５２
ｂがサブマウント１１側から順に積層されたものであ
り、ｐ側電極７４の下方に位置する。なお、配線５０ｂ
は、ワイヤ８６ｂ、例えば太さ２μｍの金線の一方がボ
ンディングされると共に、ワイヤ８６ｂのもう一方がヒ
ートシンク４０に取り付けられることにより、図示しな
い電源に対して接続される。

【００２２】配線５０ａ，５０ｂの上には、例えば０．
０５μｍのチタン層６１，厚さ２μｍの銀層６２および
厚さ５μｍの錫層６３がサブマウント１１側から順に積
層された溶着層６０がそれぞれ形成されている。なお、
溶着層６０を構成する金属の厚さ、特に銀層６２と錫層
６３厚さの比は、１：２〜２：５の範囲内となってい
る。

【００２３】このような構成を有する窒化物半導体レー
ザ１０は次のようにして製造することができる。なお、
ここでは複数の窒化物半導体レーザ１０を製造する場合
を例に挙げて説明する。

【００２４】図３〜図５は、その製造工程を表すもので
ある。なお、これらの図は、紙面垂直方向にそって、配
線５０ａを含むように切断した断面構造を表している。
まず、図３（Ａ）に示したように、２つの対向面を有す
る、例えば厚さ２００μｍ程度の窒化アルミニウムより
なるサブマウント１１Ａを用意する。このサブマウント
１１Ａの一方の面、すなわちヒートシンク４０が設けら
れる面に、例えば真空蒸着法で厚さ０．０５μｍのチタ
ン層２１，厚さ０．２μｍの白金層２２，厚さ０．６μ
ｍの金層２３を順に蒸着し補助接着層２０を形成する。

【００２５】続いて、サブマウント１１Ａのもう一方の
面、すなわちレーザチップ７０が設けられる面に、例え
ば真空蒸着法で厚さ０．０５μｍのチタン層６１を形成
する。次に、チタン層６１の上に、厚さ４．０μｍのア
ルミニウム層５２ａ、および厚さ２．０μｍのアルミニ
ウム層５２ｂ（図示せず）を蒸着する。以上のようにし
て、チタン層６１およびアルミニウム層５２ｂからなる
配線５０ａ、およびチタン層６１およびアルミニウム層
５２ｂ（図示せず）からなる配線５０ｂ（図示せず）が
形成される。なお、厚さが異なるアルミニウム層５２
ａ，５２ｂを形成したのは、後で設けるレーザチップ７
０での、ｎ側電極７３側とｐ側電極７４側の高さの差を
補償するためである。

【００２６】次に、この配線５０ａ，５０ｂの上に、例
えば真空蒸着法で、厚さ０．０３μｍ〜０．０７μｍ、
例えば０．０５μｍのチタン層６１を，厚さ１．５μｍ
〜２．５μｍ、例えば２．０μｍの銀層６２を，厚さ
４．５μｍ〜５．５μｍ、例えば５．０μｍの錫層６３
を順に積層し溶着層６０を形成する。なお、銀層６２と
錫層６３の厚さの比は、１：２〜２：５の範囲内とす
る。なぜならば、この範囲以外では、サブマウント１１
Ａとレーザチップ７０との溶着を安定に行うことができ
ないからである。

【００２７】次いで、図３（Ｂ）に示したように、基板
７１の一面側に、活性層を含む窒化物半導体層７２と、
一対の電極であるｐ側電極７４およびｎ側電極７３、な
らびに配線用電極７５が形成されたレーザチップ７０が
複数形成された基板７０Ａを用意する。この基板７０Ａ
の一対の電極を有する側と、サブマウント１１Ａにおい
て、溶着層６０が形成されている側とを対向させ、位置
合わせを精度よく行い、サブマウント１１Ａの上に基板
７０Ａを載せる。このとき、配線５０ａと配線５０ｂの
高さは、前述したように、レーザチップ７０のｎ側電極
７３側とｐ側電極７４側の高さの差を補償するようにな
っているので、配線５０ａをレーザチップ７０のｎ側電
極７３の下方に位置するようにすると共に、配線５０ｂ
をｐ側電極７４の下方に位置するようにすると。レーザ
チップ７０をサブマウント１１に対して水平に載置され
る。

【００２８】次に、このサブマウント１１Ａを、例えば
窒素（Ｎ₂ ）雰囲気中の加熱装置で加熱処理を施すこと
により、基板７０Ａをサブマウント１１Ａに溶着させ
る。このとき、サブマウント１１Ａと基板７０Ａとの間
にある溶着層６０を構成する金属層として銀層６２を含
むので、濡れ性がよくなり、加熱処理を施すことによ
り、電気的および熱的に安定な溶着を行うことができ、
密着性を充分にとることができる。加えて、基板７０Ａ
をレーザチップ７０毎に分離する前に、レーザチップ７
０が複数形成された基板７０Ａをサブマウント１１Ａに
マウントし、一度の加熱処理で溶着することができる。

【００２９】続いて、ダイサーを用いて、基板７０Ａが
溶着されたサブマウント１１Ａをレーザチップ７０毎に
分離し、１つのレーザチップ７０を有するサブマウント
１１とする。

【００３０】次に、図４（Ａ）に示したように、ピン８
３，８４，８５が配設された支持体８１に一体成型され
たヒートシンク４０を用意する。このヒートシンク４０
の上に、例えばスタンピングあるいはニードルを用い
て、銀ペーストを塗布する。なお、銀ペーストには、銀
の密度が９０％以上で、かつ、熱伝導率が２５Ｗ／ｍ・
Ｋ以上であると共に、熱硬化剤を含むのものを用いる。

【００３１】続いて、図４（Ｂ）に示したように、分離
されたサブマウント１１をレーザチップ７０が設けられ
ている側とは反対の面を対向させて、銀ペーストが塗布
されたヒートシンク４０の上に載せて位置合わせを精度
良く行い、銀ペーストの厚さが１５μｍ以下となるよう
に、例えば１２ｋｇ／ｃｍ² 以上の加重をかけることに
より仮固定する。なお、仮固定の際、銀ペーストの厚さ
が上記より大きいものになると、熱抵抗が上昇してしま
うので１５μｍ以下とする。次いで、加重を外した後、
例えば空気雰囲気中の加熱装置を用いて加熱処理を施
し、分離されたサブマウント１１とヒートシンク４０と
を接着させる。

【００３２】このとき、分離されたサブマウント１１と
ヒートシンク４０との間にある接着層３０として銀ペー
ストを用いたので、濡れ性がよくなり位置合わせを精度
よく容易に行うことができると共に、加熱処理を施す前
に加重をかけることにより仮固定することができる。よ
って、複数の、分離されたサブマウント１１が仮固定さ
れたヒートシンク４０をまとめて一度の加熱処理で接着
することができる。

【００３３】次に、図５に示したように、分離されたサ
ブマウント１１の配線５０ａとピン８３との間にワイヤ
８６ａを接合すると共に、図示しない配線５０ｂとヒー
トシンク４０との間にワイヤ８６ｂを接合する。これに
より、図１に示した窒化物半導体レーザ１０が複数完成
する。続いて、ワイヤ８６ａ，８６ｂを接合した後、例
えば乾燥窒素雰囲気中において、別途形成した蓋体８２
を窒化物半導体レーザ１０の支持体８１に配設する。こ
れにより、図２に示した窒化物半導体発光装置８０が複
数完成する。

【００３４】このように本実施の形態では、サブマウン
ト１１の一方の面に、複数の金属層よりなる溶着層６０
を間にしてレーザチップ７０を溶着すると共に、このサ
ブマウント１１の他方の面に、銀ペーストよりなる接着
層３０を間にしてヒートシンク４０を接着するようにし
たので、レーザチップ７０とサブマウント１１の溶着工
程およびサブマウント１１とヒートシンク４０の接着工
程とを分けて、レーザチップ７０を複数有する基板をサ
ブマウントに溶着することができる。また、このサブマ
ウントをレーザチップ７０毎に分離した後に、分離され
たサブマウント１１とヒートシンク４０とを複数仮固定
してから、一度の加熱処理でまとめて接着することがで
きる。従って、製造工程が簡易化されると共に、窒化物
半導体レーザ１０の量産化を図ることができる。

【００３５】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、
サブマウント１１として窒化アルミニウムを用いたが、
シリコン（Ｓｉ）やダイヤモンド（Ｃ）でもよい。ま
た、上記実施の形態では、配線５０ａをサブマウント１
１側から順にチタン層５１，アルミニウム層５２ａより
なるようにしたが、アルミニウム層５２ａの代わりに金
層としてもよい。更に、補助接着層２０をサブマウント
１１側から順にチタン層２１，白金層２２および金層２
３よりなるようにしたが、金層２３の代わりにアルミニ
ウム層としてもよい。

【００３６】加えて、上記実施の形態では、補助接着層
６０を構成する、チタン層２１，白金２２層および金２
３層の厚さをそれぞれ、０．０５μｍ，０．２μｍおよ
び０．６μｍとしたが、０．０３μｍ〜０．０７μｍ，
０．１６μｍ〜０．２４μｍおよび０．４８μｍ〜０．
７２μｍの範囲内の値としてもよい。

【００３７】更にまた、上記実施の形態では、溶着層６
０を構成する、チタン層６１，銀層６２および錫層６３
の厚さをそれぞれ、０．０５μｍ，２μｍおよび５μｍ
としたが、０．０３μｍ〜０．０７μｍ，１．５μｍ〜
２．５μｍおよび４．５μｍ〜５．５μｍの範囲内の値
としてもよい。なお、この厚さの値の範囲で、銀層６２
と錫層６３厚さの比は、１：２〜２：５の範囲内とす
る。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物半
導体レーザおよびその製造方法によれば、２つの対向面
を有するサブマウントの一方の面に、複数の金属層より
なる溶着層を間にしてレーザチップを溶着すると共に、
このサブマウントの他方の面に、銀ペーストよりなる接
着層を間にしてヒートシンクを接着するようにしたの
で、レーザチップとサブマウントの溶着工程、およびサ
ブマウントとヒートシンクの接着工程とを分けて、レー
ザチップを複数有する基板をサブマウントに溶着するこ
とができる。また、このサブマウントをレーザチップ毎
に分離した後に、分離されたサブマウントとヒートシン
クとを複数仮固定してから、一度の加熱処理でまとめて
接着することができる。従って、製造工程が簡易化され
ると共に、窒化物半導体レーザの量産化を図ることがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る窒化物半導体
レーザの断面構成図である。

【図２】窒化物半導体発光装置の構成を表す分解斜視図
である。

【図３】図１に示した窒化物半導体レーザの製造工程を
表す断面図である。

【図４】図３に続く製造工程を表す断面図である。

【図５】図４に続く製造工程を表す断面図である。

【符号の説明】

１０・・・ 窒化物半導体レーザ、１１，１１Ａ…サブマウ
ント、２０・・・ 補助接着層、２１，５１，６１・・・ チタ
ン層、２２・・・ 白金層、２３・・・ 金層、３０・・・ 接着
層、４０・・・ ヒートシンク、５０ａ，５０ｂ・・・ 配線、
５２ａ，５２ｂ・・・ アルミニウム層、６０・・・ 溶着層、
６２・・・ 銀層、６３・・・ 錫層、７０・・・ レーザチップ、
７０Ａ，７１・・・ 基板、７２・・・ 窒化物半導体層、７３
・・・ ｎ側電極、７４・・・ ｐ側電極、７５・・・ 配線用電
極、８０・・・ 窒化物半導体発光装置、８１・・・ 支持体、
８２・・・ 蓋体、８２ａ・・・ 取り出し窓、８３，８４，８
５・・・ピン、８３ａ，８４ａ・・・ 絶縁リング、８６ａ，
８６ｂ・・・ ワイヤ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２つの対向面を有する支持部材と、 活性層を含む窒化物半導体層および一対の電極を有し、
   前記支持部材の一方の面に複数の金属層よりなる溶着層
   を間にして配設されたレーザチップと、 前記支持部材の他方の面に銀ペーストよりなる接着層を
   間にして設けられた放熱部材とを備えたことを特徴とす
   る窒化物半導体レーザ。
2. 【請求項２】 前記支持部材が、窒化アルミニウム、ケ
   イ素、またはダイヤモンドよりなることを特徴とする請
   求項１記載の窒化物半導体レーザ。
3. 【請求項３】 前記レーザチップが、前記一対の電極を
   有する側を前記支持部材に対向させて配設されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ。
4. 【請求項４】 前記溶着層は、チタン層，銀層および錫
   層が前記支持部材に順に積層された構造を有することを
   特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ。
5. 【請求項５】 前記溶着層を構成する銀層と錫層の厚さ
   の比は、１：２から２：５の範囲内であることを特徴と
   する請求項４記載の窒化物半導体レーザ。
6. 【請求項６】 前記支持部材と前記溶着層の間に、チタ
   ン層およびアルミニウム層、あるいはチタン層および金
   層が順に積層された配線が設けられていることを特徴と
   する請求項１記載の窒化物半導体レーザ。
7. 【請求項７】 前記支持部材と前記接着層の間に、チタ
   ン層、白金層および金層、あるいはチタン層、白金層お
   よびアルミニウム層が順に積層された補助接着層が設け
   られていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導
   体レーザ。
8. 【請求項８】 前記接着層の銀ペーストの熱伝導率が２
   ５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１記載
   の窒化物半導体レーザ。
9. 【請求項９】 ２つの対向面を有する支持部材の一方の
   面に、複数の金属層よりなる溶着層を間にして、活性層
   を含む窒化物半導体層および一対の電極を有するレーザ
   チップが複数形成された基板を配設する工程と、 前記支持部材をレーザチップ毎に分離する工程と、 前記分離された支持部材の他方の面に、加重を加えるこ
   とにより銀ペーストよりなる接着層を間にして放熱部材
   を仮固定する工程と、 前記放熱部材が仮固定された支持部材を加熱し、前記支
   持部材と放熱部材とを接着する工程とを含むことを特徴
   とする窒化物半導体レーザの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記溶着層を、チタン層、銀層および
    錫層が前記支持部材に順に積層された構造とすることを
    特徴とする請求項９記載の窒化物半導体レーザ。
11. 【請求項１１】 前記溶着層を構成する銀層と錫層の厚
    さの比を、１：２から２：５の範囲内とすることを特徴
    とする請求項１０記載の窒化物半導体レーザ。
12. 【請求項１２】 前記支持部材と前記溶着層の間に、チ
    タン層およびアルミニウム層、あるいはチタン層および
    金層が順に積層された配線を設けることを特徴とする請
    求項９記載の窒化物半導体レーザ。
13. 【請求項１３】 前記支持部材と前記接着層の間に、チ
    タン層，白金層および金層、あるいはチタン層，白金層
    およびアルミニウム層が順に積層された補助接着層を設
    けることを特徴とする請求項９記載の窒化物半導体レー
    ザ。
14. 【請求項１４】 前記接着層の銀ペーストの熱伝導率を
    ２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることを特徴とする請求項９記
    載の窒化物半導体レーザ。