JP2003065947A - Apparatus and method for measuring refractive index as well as qualitative and quantitative analyzer - Google Patents

Apparatus and method for measuring refractive index as well as qualitative and quantitative analyzer

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JP2003065947A
JP2003065947A JP2001259284A JP2001259284A JP2003065947A JP 2003065947 A JP2003065947 A JP 2003065947A JP 2001259284 A JP2001259284 A JP 2001259284A JP 2001259284 A JP2001259284 A JP 2001259284A JP 2003065947 A JP2003065947 A JP 2003065947A
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refractive index
thin film
metal thin
analyzed
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Makoto Kato
真 加藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an apparatus and method for the measuring a refractive index which are not subjected to the influence of a temperature change, which do not require a complicated preparation process, which can measure the refractive index in real time, with high accuracy and with high sensitivity and which are simple and low-cost. SOLUTION: An AC voltage is applied across an electrode 12 and an electrode 13 as a pair, a dielectric migration force is made to act on molecules or particles contained in a solution 10 to be analyzed, and the molecules or the particles are collected on a first metal membrane 7 which generates surface plasmon resonance. Since their collection easiness to an electric-field concentration part is different according to the molecules or the particles, the refractive index can be measured with high accuracy and with high sensitivity when the frequency and the voltage value of the AC voltage are set to values optimum for the molecules or the particles.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、屈折率測定装置、
屈折率測定方法、および定性定量分析装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a refractive index measuring device,
The present invention relates to a refractive index measuring method and a qualitative quantitative analyzer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、金属薄膜表面近傍の被分析溶液の
屈折率を測定する方法として、表面プラズモン共鳴現象
を利用した方法がある。これは、金属薄膜裏面に照射し
た入射光により誘起された表面プラズモンの波数が、励
起光に由来するエバネッセント波の波数と一致すると、
入射光のエネルギーが表面プラズモンの励起に使われ、
反射光の光量が減少することを利用している。方法に
は、金属表面近傍の被分析溶液の屈折率変化を、単色入
射光の入射角度を変化させて反射光を計測し、最大吸収
を示す角度の変化から求める方法や、白色光を一定角度
で入射させてその反射光を計測し、最大吸収を示す波長
の変化から求める方法などがある。また、上記の屈折率
測定方法を用いることにより、被分析溶液中の分子や微
粒子を検出するセンサを構成することができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for measuring the refractive index of a solution to be analyzed in the vicinity of the surface of a metal thin film, there is a method utilizing a surface plasmon resonance phenomenon. This is because when the wave number of the surface plasmon induced by the incident light applied to the back surface of the metal thin film matches the wave number of the evanescent wave derived from the excitation light,
The energy of the incident light is used to excite surface plasmons,
The fact that the amount of reflected light is reduced is used. As the method, the change in the refractive index of the solution to be analyzed in the vicinity of the metal surface is measured by changing the incident angle of the monochromatic incident light and the reflected light is measured. There is a method in which the reflected light is measured by making the light incident at, and the change is obtained from the change in the wavelength at which the maximum absorption occurs. Further, by using the above-described refractive index measuring method, it is possible to configure a sensor that detects molecules and fine particles in the solution to be analyzed.

【0003】例えば、特開平6−58873号公報に
は、分子認識機能性物質に対して特異的反応を示す試料
溶液中の特定分子の定量化を、表面プラズモン共鳴を用
いて行う光センサーが記載されている。これは、被分析
試料が流れる溶液流路に面した金属薄膜表面に分子認識
機能膜を設け、表面プラズモン共鳴現象を利用して分子
認識機能膜に吸着した特定分子の屈折率変化を求め、さ
らに分子濃度を求めるセンサに関する発明である。
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-58873 discloses an optical sensor which uses surface plasmon resonance to quantify a specific molecule in a sample solution which shows a specific reaction with a molecular recognition functional substance. Has been done. This is because the molecular recognition functional film is provided on the surface of the metal thin film facing the solution flow path through which the sample to be analyzed is provided, and the refractive index change of the specific molecule adsorbed on the molecular recognition functional film is obtained by using the surface plasmon resonance phenomenon. It is an invention relating to a sensor for obtaining a molecular concentration.

【0004】また表面プラズモン共鳴現象は温度依存性
を有することが知られており、測定中に温度が変化する
と正確な測定が困難になる。これに対し特開平9−25
7698号公報では、2つの表面プラズモン共鳴計測チ
ャネルを用い、一方のチャネルを対象物質測定用に、も
う一方のチャネルを参照基準用にすることで、温度変化
による表面プラズモン共鳴現象の変動分を補償する構成
となっている。
Further, it is known that the surface plasmon resonance phenomenon has temperature dependence, and if temperature changes during measurement, accurate measurement becomes difficult. On the other hand, JP-A-9-25
In Japanese Patent No. 7698, two surface plasmon resonance measurement channels are used, and one channel is used for measuring a target substance and the other channel is used as a reference standard, thereby compensating for fluctuations in the surface plasmon resonance phenomenon due to temperature changes. It is configured to do.

【0005】また、従来、様々な種類の分子や微粒子を
含む被分析溶液を分析する方法として、ゲルによる吸着
の差を利用して分析を行うゲルクロマトグラフィー法
や、高周波不平等電界を発生させて分子や粒子に働く誘
電泳動力の差を利用して分析を行う静電クロマトグラフ
ィー法がある。
Further, conventionally, as a method for analyzing a solution to be analyzed containing various kinds of molecules and fine particles, a gel chromatography method in which an analysis is made by utilizing a difference in adsorption by gel, and a high frequency non-uniform electric field are generated. There is an electrostatic chromatography method in which analysis is performed by utilizing the difference in dielectrophoretic force acting on molecules and particles.

【0006】例えば、特許第3097932号公報に
は、入口から一定速度で流れているキャリアーにサンプ
ルとなる分子や粒子を添加し、これらに誘電泳動力を働
かせ、出口に達する所要時間の差から分子や粒子の分析
を行う静電クロマトグラフィー装置が記載されている。
これは、分子や粒子に働く誘電泳動力が、その分子や粒
子に固有の電気双極子モーメントによって大きさが異な
ることを利用して分子や粒子を分析するクロマトグラフ
ィー装置に関する発明である。
[0006] For example, in Japanese Patent No. 3097932, molecules and particles to be sampled are added to a carrier flowing at a constant speed from an inlet, and dielectrophoretic force is exerted on these to cause a difference in the time required to reach the outlet. An electrostatic chromatography device for the analysis of particles and particles is described.
This is an invention relating to a chromatography device that analyzes a molecule or particle by utilizing the fact that the dielectrophoretic force acting on the molecule or particle varies in size depending on the electric dipole moment peculiar to the molecule or particle.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術はいず
れも、分子や粒子を定性定量的に分析する方法や装置の
確立とを目的としている。しかしながら、上記従来の技
術においては、以下に示すような課題を有する。
The above-mentioned conventional techniques are all aimed at establishing a method and apparatus for qualitatively and quantitatively analyzing molecules and particles. However, the above conventional technique has the following problems.

【0008】特開平6−58873号公報では、表面プ
ラズモン共鳴現象が起こる金属薄膜表面に分子認識機能
膜を設けることで、この分子認識機能膜と特異的反応を
示す特定分子を確実に捉え、高感度な定性定量分析を行
っている。しかしながら、金属薄膜に分子認識機能膜を
設けるという複雑な前処理プロセスは、コストも時間も
かかる。また、血清や血漿を分析対象とする生化学分析
や免疫分析においては、血清や血漿中には様々な種類の
タンパク質や細胞等の分子や粒子が含まれており、特定
分子だけを分析する上記技術では対応することが非常に
困難である。
In Japanese Patent Laid-Open No. 6-58873, a molecular recognition functional film is provided on the surface of a metal thin film in which a surface plasmon resonance phenomenon occurs, so that a specific molecule that shows a specific reaction with the molecular recognition functional film is reliably captured and the Conducting sensitive qualitative and quantitative analysis. However, the complicated pretreatment process of providing the molecular recognition functional film on the metal thin film is costly and time consuming. Further, in biochemical analysis and immunological analysis targeting serum and plasma, serum and plasma contain molecules and particles such as proteins and cells of various types, and only specific molecules are analyzed above. It is very difficult to deal with with technology.

【0009】また、特許第3097932号公報では、
一定速度で流れているキャリアーに含まれる分子や粒子
に誘電泳動力を働かせ、一定距離を移動するのに必要な
所要時間の差から様々な分子や粒子の分析を行ってい
る。しかし、所要時間の差に基づく分析方法であるた
め、分析にはある程度の時間がかかってしまうことにな
る。
Further, in Japanese Patent No. 3097932,
We apply various dielectrophoretic forces to the molecules and particles contained in a carrier flowing at a constant velocity, and analyze various molecules and particles based on the difference in the time required to move a certain distance. However, since the analysis method is based on the difference in required time, the analysis will take some time.

【0010】さらに、両技術とも、被分析溶液を一定速
度で流しており、別途キャリアー溶液を必要とするとい
う課題も存在する。
Further, both techniques have a problem that the solution to be analyzed is caused to flow at a constant rate and a separate carrier solution is required.

【0011】また、特開平9−257698号公報で
は、温度変化による表面プラズモン共鳴現象の変動分を
補償するために、2つの表面プラズモン共鳴チャネルを
用いる発明を記載している。しかし、チャネルを2つ設
けることで装置は複雑となり、またコストもかさむこと
になる。
Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-257698 describes an invention using two surface plasmon resonance channels in order to compensate for fluctuations in the surface plasmon resonance phenomenon due to temperature changes. However, providing two channels complicates the device and adds cost.

【0012】以上に鑑み、本発明の目的は、被分析溶液
をキャリアーに添加して流したり、特定分子のみと反応
する分子認識機能膜を準備する等といった複雑なプロセ
スを用いず、また、温度変化に伴う測定結果の変動成分
を除去できる、高精度かつ高感度かつ高速測定が可能で
ある簡便で安価な屈折率測定装置および測定方法を提供
すること、ならびに定性定量分析装置を提供することで
ある。
In view of the above, the object of the present invention is not to use a complicated process such as adding an analyte solution to a carrier and flowing it, or preparing a molecular recognition functional film that reacts only with specific molecules, and By providing a simple and inexpensive refractive index measuring device and measuring method capable of removing the fluctuation component of the measurement result due to change, capable of high-accuracy, high-sensitivity and high-speed measurement, and by providing a qualitative quantitative analyzer. is there.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、光源と、光源から発せられる光と表面プラ
ズモン共鳴を起こす第一の金属薄膜と、第一の金属薄膜
で反射された光を受光する光検出器と、被分析溶液を誘
電泳動するための第二の金属薄膜と第三の金属薄膜とか
らなる電極対と、これら電極間に交流電界を発生せしめ
る電圧源と、これら金属薄膜を支持する透明基材と、光
源や光検出器や電圧源等の制御や光検出器で得られた測
定結果から屈折率の演算を行う制御演算手段とを具備す
る被分析溶液の屈折率測定装置としたもので、被分析溶
液を誘電泳動することによって、表面プラズモン共鳴を
起こす金属薄膜上に所望の分子や粒子を位置させること
が可能となり、複雑な前処理プロセスを用いず、また被
分析溶液を流さずに、簡便かつ高感度な屈折率測定装置
を提供することができる。
In order to solve this problem, the present invention provides a light source, a first metal thin film that causes surface plasmon resonance with light emitted from the light source, and a first metal thin film. A photodetector for receiving light, an electrode pair composed of a second metal thin film and a third metal thin film for dielectrophoresing the solution to be analyzed, a voltage source for generating an alternating electric field between these electrodes, and these Refraction of the solution to be analyzed, which has a transparent base material that supports the metal thin film, and a control calculation unit that controls the light source, photodetector, voltage source, etc. and calculates the refractive index from the measurement results obtained by the photodetector. This is a rate measuring device.By dielectrophoresing the solution to be analyzed, it becomes possible to position the desired molecules and particles on the metal thin film that causes surface plasmon resonance, without using a complicated pretreatment process. Do not run the analyte solution , It is possible to provide a convenient and highly sensitive refractive index measurement apparatus.

【0014】ここで、表面プラズモン共鳴を起こす金属
薄膜が、被分析溶液を誘電泳動するための電極の機能も
併せ持っていてもかまわない。
Here, the metal thin film which causes surface plasmon resonance may also have a function of an electrode for dielectrophoresing the solution to be analyzed.

【0015】また、被分析溶液および/または金属薄膜
の温度を測定し、これを用いて測定した屈折率を補正す
ることによって、温度変化に伴う測定結果の変動成分を
除去可能となり、高精度な屈折率測定装置を提供するこ
とができる。
Further, by measuring the temperature of the solution to be analyzed and / or the metal thin film and correcting the refractive index measured using the temperature, it is possible to remove the fluctuation component of the measurement result due to the temperature change, and it is possible to achieve high accuracy. A refractive index measuring device can be provided.

【0016】なお、被分析溶液および/または金属薄膜
の温度測定手段は、電極を構成する金属薄膜の電気抵抗
値の変化から求めてもよいし、被分析溶液および/また
は金属薄膜の温度変化を熱電対等を用いて直接検出して
もよいし、表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜とは異
なる種類の金属からなる金属配線を金属薄膜に接続し異
種金属界面で発生する起電力から金属薄膜の温度変化を
求めてもよい。
The temperature measuring means for the solution to be analyzed and / or the metal thin film may be obtained from the change in the electric resistance value of the metal thin film forming the electrode, or the temperature change of the solution to be analyzed and / or the metal thin film may be obtained. It may be detected directly by using a thermocouple, etc., or a metal wire made of a metal different from the metal thin film that causes surface plasmon resonance is connected to the metal thin film to change the temperature of the metal thin film due to the electromotive force generated at the interface between different metals. May be asked.

【0017】さらに、誘電泳動を発生させる際に、印加
する交流電界の周波数および/または電圧値および/ま
たは電圧印加時間を制御することによって、トラップさ
れる粒子や分子の種類を制御し、それぞれの場合の屈折
率の測定結果から、被分析溶液中に含まれる粒子や分子
それぞれに起因する屈折率を求めることが可能となり、
ある特定分子に限らない複数種の粒子や分子の屈折率を
高速測定可能な屈折率測定方法を提供することができ
る。
Further, when dielectrophoresis is generated, by controlling the frequency and / or voltage value and / or voltage application time of the alternating electric field applied, the types of particles and molecules trapped are controlled, and From the measurement result of the refractive index in the case, it becomes possible to obtain the refractive index due to each of the particles and molecules contained in the solution to be analyzed,
It is possible to provide a refractive index measurement method capable of measuring the refractive index of a plurality of types of particles or molecules not limited to a specific molecule at high speed.

【0018】また、誘電泳動を発生させる前の屈折率と
誘電泳動を発生させた直後の屈折率との比較、および/
または誘電泳動を停止させる前の屈折率と誘電泳動を停
止させた直後の屈折率との比較を行うことで、温度変化
の影響を受けずに屈折率測定を行う温度補正手段を用い
ることが可能となり、複雑な装置構成をもたらさずに簡
便、安価かつ高精度な屈折率測定方法を提供することが
できる。
Further, a comparison between the refractive index before the dielectrophoresis is generated and the refractive index immediately after the dielectrophoresis is generated, and /
Alternatively, by comparing the refractive index before the dielectrophoresis is stopped with the refractive index immediately after the dielectrophoresis is stopped, it is possible to use the temperature correction means for measuring the refractive index without being affected by the temperature change. Therefore, it is possible to provide a simple, inexpensive, and highly accurate refractive index measuring method without introducing a complicated device configuration.

【0019】そして、上記装置や方法を用いて求めた屈
折率と、誘電泳動を発生させる際に電極間に印加する交
流電圧の周波数と、この交流電圧の電圧値と、この交流
電圧の印加時間とから、被分析溶液中の分子や粒子の種
類を同定すること、および/または被分析溶液中の分子
や粒子の数量を計測することを行う定性定量分析装置を
提供することができる。
Then, the refractive index obtained by using the above apparatus and method, the frequency of the AC voltage applied between the electrodes when the dielectrophoresis is generated, the voltage value of this AC voltage, and the application time of this AC voltage. From the above, it is possible to provide a qualitative quantitative analysis device for identifying the types of molecules and particles in the solution to be analyzed and / or measuring the number of molecules and particles in the solution to be analyzed.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】(実施の形態1)図1に被分析溶液の屈折
率測定を表す模式図を示す。図1において、光源1から
発せられた入射光5は、第一のレンズ2、第二のレンズ
3、プリズム4、ガラス6を経由して第一の金属薄膜7
に照射される。光源は単一波長を発振するレーザダイオ
ードであり、第一のレンズ2、第二のレンズ3は、入射
光5の焦点が第一の金属薄膜7で結ぶよう調整されてい
る。すなわち入射光5は、レンズの大きさ、焦点距離、
プリズムの屈折率等で規定される入射角範囲を有するこ
とになる。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing the measurement of the refractive index of a solution to be analyzed. In FIG. 1, incident light 5 emitted from a light source 1 passes through a first lens 2, a second lens 3, a prism 4 and a glass 6, and a first metal thin film 7
Is irradiated. The light source is a laser diode that oscillates a single wavelength, and the first lens 2 and the second lens 3 are adjusted so that the focal point of the incident light 5 is formed by the first metal thin film 7. That is, the incident light 5 has a lens size, a focal length,
It has an incident angle range defined by the refractive index of the prism.

【0022】また、第一の金属薄膜7は、Au薄膜が好
適に用いられるが、Ag、Cu、Al、Pt等、他の金
属であっても表面プラズモン共鳴現象を起こすものであ
れば差し支えはない。
The first metal thin film 7 is preferably an Au thin film, but other metals such as Ag, Cu, Al and Pt may be used as long as they cause the surface plasmon resonance phenomenon. Absent.

【0023】さらに、第一の金属薄膜7表面には、被分
析溶液10に含まれる分子や粒子が金属に吸着されるこ
とを防ぐために、厚さ1000nm以下の非金属物質に
より被覆されていることが好適である。厚さが1000
nmを越えると、エバネッセント波は、実質的に伝播し
なくなってしまう。なお、第一の金属薄膜7と被分析溶
液10中の分子や粒子との組み合わせ次第では吸着が起
こらない場合もあり、その場合には被覆はなくてもかま
わない。
Further, the surface of the first metal thin film 7 is coated with a non-metallic substance having a thickness of 1000 nm or less in order to prevent the molecules and particles contained in the solution to be analyzed 10 from being adsorbed by the metal. Is preferred. 1000 thickness
When the thickness exceeds nm, the evanescent wave does not substantially propagate. In some cases, adsorption may not occur depending on the combination of the first metal thin film 7 and the molecules or particles in the solution to be analyzed 10, and in that case, the coating may be omitted.

【0024】第一の金属薄膜7で反射された反射光8
は、再度ガラス6、プリズム4を透過し光検出器9へと
照射され、ここで入射角毎の光量検出が行われる。光検
出器9は、CCDやアレイセンサにより構成されると好
適である。なお、プリズム4とガラス6とは図示してい
ないマッチングオイルにて密着している。
Reflected light 8 reflected by the first metal thin film 7
Is again transmitted through the glass 6 and the prism 4 and is irradiated to the photodetector 9, where the light amount is detected for each incident angle. The photodetector 9 is preferably composed of a CCD or array sensor. The prism 4 and the glass 6 are in close contact with each other with a matching oil (not shown).

【0025】またガラス6は、被分析溶液10を保持す
る容器11の一部を成している。図1では、容器11の
底面全体がガラス製であるが、容器11全体がガラス製
であっても、入射光5と反射光8を透過させる部分のみ
がガラス製であってもかまわない。
The glass 6 forms a part of a container 11 for holding the solution to be analyzed 10. In FIG. 1, the entire bottom surface of the container 11 is made of glass, but the entire container 11 may be made of glass, or only the portion that transmits the incident light 5 and the reflected light 8 may be made of glass.

【0026】以上説明した光学測定系を用い、反射光8
の光量が最も減少する角度、すなわち表面プラズモン共
鳴が発生する条件を満たす入射光5の角度を測定する。
Using the optical measurement system described above, reflected light 8
The angle at which the amount of light is reduced, that is, the angle of the incident light 5 that satisfies the condition that the surface plasmon resonance occurs is measured.

【0027】次に、誘電泳動を用いて、被分析溶液10
が低濃度の場合に高い感度で簡便に屈折率を測定する手
法について述べる。
Next, the solution 10 to be analyzed is subjected to dielectrophoresis.
A method for easily measuring the refractive index with high sensitivity when the concentration is low will be described.

【0028】ガラス6が被分析溶液10と接触する面上
には第一の金属薄膜7のほかに、第二の金属薄膜12と
第三の金属薄膜13とが保持されており、これら二つの
金属薄膜12、13はそれぞれ交流電圧源14と接続さ
れていて電極対を成している。ここで金属薄膜12、1
3の表面はそれぞれ、非金属物質により被覆されている
ことが好適であるが、被覆されていなくてもかまわな
い。
A second metal thin film 12 and a third metal thin film 13 are held in addition to the first metal thin film 7 on the surface of the glass 6 in contact with the solution to be analyzed 10. Each of the metal thin films 12 and 13 is connected to an AC voltage source 14 and forms an electrode pair. Here, the metal thin films 12, 1
It is preferable that each of the surfaces of 3 is coated with a non-metallic substance, but it does not have to be coated.

【0029】また、室温の変動や通電による被分析溶液
10の温度変動を補正する目的で、温度計測器16に接
続された温度計測プローブ15が第一の金属薄膜7の極
近傍に設けられているが、温度補正に関する具体説明は
(実施の形態2)で後述するものとする。
Further, a temperature measuring probe 15 connected to a temperature measuring device 16 is provided in the immediate vicinity of the first metal thin film 7 for the purpose of correcting the temperature fluctuation of the solution 10 to be analyzed due to the fluctuation of the room temperature or the energization. However, a specific description regarding temperature correction will be given later in (Embodiment 2).

【0030】これら電極対間に交流電圧を印加し、被分
析溶液10に含まれている分子や粒子に誘電泳動力を働
かせて、表面プラズモン共鳴を発生する第一の金属薄膜
7上に分子や粒子を集める。分子や粒子によって、その
電気双極子モーメント、すなわち電界集中部への集まり
易さは異なるので、交流電圧の周波数や電圧値を各分子
や粒子に最適な値を設定してやればよい。
An AC voltage is applied between the pair of electrodes to exert a dielectrophoretic force on the molecules and particles contained in the solution to be analyzed 10 to generate molecules and particles on the first metal thin film 7 which produces surface plasmon resonance. Collect the particles. Since the electric dipole moment, that is, the easiness of gathering in the electric field concentrating portion, differs depending on the molecule or particle, the frequency or voltage value of the AC voltage may be set to an optimum value for each molecule or particle.

【0031】誘電泳動力を働かせるには、電極対間の電
気力線に粗密を設ける必要がある。そのための電極配置
の一例を図2に示す。電極を成す二つの金属薄膜12、
13の間の電気力線は、リッジ17に挟まれた部分が最
も密となるので、ここに表面プラズモン共鳴を起こす第
一の金属薄膜7を設ければ、被分析溶液10中の分子や
粒子は誘電泳動力によって第一の金属薄膜7上に集まる
ことになる。
In order to make the dielectrophoretic force work, it is necessary to make the lines of electric force between the electrode pairs coarse and dense. An example of the electrode arrangement for that purpose is shown in FIG. Two metal thin films 12 forming electrodes,
Since the electric lines of force between 13 are most dense in the portion sandwiched by the ridges 17, if the first metal thin film 7 that causes surface plasmon resonance is provided here, molecules and particles in the solution 10 to be analyzed are provided. Will be collected on the first metal thin film 7 by the dielectrophoretic force.

【0032】ところで、電気力線が密な場所へ集まる正
の誘電泳動に対して、粗な場所へ集まる負の誘電泳動も
存在するが、このような特性を持つ分子や粒子の誘電泳
動を行う場合には、電気力線が粗な場所へ第一の金属薄
膜7を設ければよい。
By the way, in contrast to positive dielectrophoresis where electric lines of force gather in a dense place, there is also negative dielectrophoresis gathering in a rough place, but dielectrophoresis of molecules or particles having such characteristics is performed. In this case, the first metal thin film 7 may be provided in a place where the lines of electric force are rough.

【0033】また、第一の金属薄膜7に電極としての機
能をもたせることで、金属薄膜の点数を減少させること
ができる。そのための電極配置の一例を図3に示す。円
形の容器11を用い、外周部に電極としての機能を持つ
第二の金属薄膜12を、中心部に電極としての機能を併
せ持つ第一の金属薄膜18を設けることで、第一の金属
薄膜18上が電気力線の最も密な場所となり、ここに被
分析溶液10中の分子や粒子が集まることになる。
By making the first metal thin film 7 function as an electrode, the number of metal thin films can be reduced. An example of the electrode arrangement for that purpose is shown in FIG. By using the circular container 11 and providing the second metal thin film 12 having an electrode function in the outer peripheral portion and the first metal thin film 18 having an electrode function in the central portion, the first metal thin film 18 is formed. The top is the densest place of the lines of electric force, and the molecules and particles in the solution to be analyzed 10 are gathered there.

【0034】以上のような構成を用いることで、分子や
粒子の濃度が局所的に高くさせ、より高感度な表面プラ
ズモン共鳴を利用した屈折率測定を行うことができる。
なお、当然のことではあるが、屈折率が未知の被分析溶
液10の屈折率を決定するにあたっては、既知の濃度を
持つ参照液体の屈折率を測定し、それとの比較によって
行うものとする。
By using the above-mentioned structure, the concentration of molecules and particles can be locally increased, and the refractive index can be measured by using surface plasmon resonance with higher sensitivity.
As a matter of course, when determining the refractive index of the solution to be analyzed 10 whose refractive index is unknown, the refractive index of the reference liquid having a known concentration is measured and compared with it.

【0035】また、未知の物質を検出した場合には、集
められた分子や粒子を取り出し、TOF/MS等の質量
分析装置を用いて同定することが好適である。
When an unknown substance is detected, it is preferable to take out the collected molecules and particles and identify them by using a mass spectrometer such as TOF / MS.

【0036】さらに、光源1、光検出器9、交流電圧源
14、温度計測器16はそれぞれ、図示していない制御
演算装置と接続されており、予めプログラムされた手順
で、もしくは作業者が状況に応じて、機器制御、計測、
検出、結果、演算、記録等を行うことができる。
Further, the light source 1, the photodetector 9, the AC voltage source 14, and the temperature measuring device 16 are each connected to a control arithmetic unit (not shown), and the procedure is preprogrammed or the operator is in a situation. Depending on the equipment control, measurement,
Detection, result, calculation, recording, etc. can be performed.

【0037】(実施の形態2)本実施の形態では、(実
施の形態1)で示した屈折率測定において、第一の金属
薄膜7の温度が変動した際に表面プラズモン共鳴現象に
及ぶ影響を補正する手法、特に表面プラズモン共鳴現象
を生ずる第一の金属薄膜7の温度検出手法について具体
的に説明する。
(Embodiment 2) In the present embodiment, in the refractive index measurement shown in (Embodiment 1), when the temperature of the first metal thin film 7 fluctuates, the influence on the surface plasmon resonance phenomenon is affected. A method of correction, in particular, a method of detecting the temperature of the first metal thin film 7 that causes the surface plasmon resonance phenomenon will be specifically described.

【0038】なお、本実施の形態で用いる図中には示さ
ないが、表面プラズモン共鳴現象を測定する光学系や誘
電泳動を行う電気回路系は図1に示したものを用いるも
のとする。
Although not shown in the drawings used in this embodiment, the optical system for measuring the surface plasmon resonance phenomenon and the electric circuit system for performing dielectrophoresis are those shown in FIG.

【0039】図4に熱電対を用いた温度検出を表す模式
図を示す。熱電対21の温接点23を第一の金属薄膜7
に接触させ、ここの温度変動を熱起電力の変動として電
圧計22により検知する。電圧計22は図示していない
制御演算装置に接続されており、第一の金属薄膜7の温
度は演算により求められる。求められた温度を用いて表
面プラズモン共鳴現象の温度補正を行うにあたっては、
既知の温度条件下で表面プラズモン共鳴現象の温度依存
性を測定し、それとの比較によって補正を行うものとす
る。
FIG. 4 is a schematic diagram showing temperature detection using a thermocouple. The hot junction 23 of the thermocouple 21 is connected to the first metal thin film 7
And the temperature fluctuations here are detected by the voltmeter 22 as fluctuations in the thermoelectromotive force. The voltmeter 22 is connected to a control calculation device (not shown), and the temperature of the first metal thin film 7 is calculated. To correct the temperature of the surface plasmon resonance phenomenon using the calculated temperature,
The temperature dependence of the surface plasmon resonance phenomenon is measured under known temperature conditions, and the temperature dependence is compared with that.

【0040】ここで、本温度検出手法においては、常温
化での温度検出なので、熱電対を構成する金属は、クロ
メル−アルメル、白金−白金・ロジウム、そして銅−コ
ンスタンタン等が好適に用いられる。また、熱電対21
と電圧計22の代わりにファイバープローブ温度計等を
用いてもいっこうにかまわない。さらに、第一の金属薄
膜7の極近傍であれば、被分析溶液10の温度を求めて
もかまわない。
In this temperature detection method, since the temperature is detected at room temperature, chromel-alumel, platinum-platinum-rhodium, copper-constantan, etc. are preferably used as the metal constituting the thermocouple. In addition, the thermocouple 21
A fiber probe thermometer or the like may be used instead of the voltmeter 22. Furthermore, the temperature of the solution to be analyzed 10 may be obtained as long as it is in the immediate vicinity of the first metal thin film 7.

【0041】また、第一の金属薄膜7に熱電対としての
機能を持たせることも可能である。図5に第一の金属薄
膜7を熱電対として用いた温度検出を表す模式図を示
す。第一の金属線24と第二の金属線25とを第一の金
属薄膜7に電気的に接続させる。第一の金属線24と第
一の金属薄膜7とが同種の金属とした場合、第二の金属
線25と第一の金属薄膜7との接点が熱起電力を生ずる
温接点28となる。両金属線24、25はそれぞれ導線
26と接続され、導線26は電圧計27に接続されてお
り、温接点28で生じた熱起電力は、電圧計27により
検知される。両金属線24、25と導線26との接点は
それぞれ冷接点29となり、低温に保つ必要がある。
The first metal thin film 7 can also be made to function as a thermocouple. FIG. 5 is a schematic diagram showing temperature detection using the first metal thin film 7 as a thermocouple. The first metal wire 24 and the second metal wire 25 are electrically connected to the first metal thin film 7. When the first metal wire 24 and the first metal thin film 7 are made of the same kind of metal, the contact point between the second metal wire 25 and the first metal thin film 7 becomes the hot contact point 28 that generates thermoelectromotive force. Both metal wires 24 and 25 are connected to a conductor wire 26, and the conductor wire 26 is connected to a voltmeter 27. The thermoelectromotive force generated at the hot junction 28 is detected by the voltmeter 27. The contact points between the two metal wires 24 and 25 and the conductor wire 26 are cold contacts 29, which must be kept at a low temperature.

【0042】以上のような構成のもと、温接点28で生
ずる熱起電力を計測することにより、温接点28の温
度、すなわち第一の金属薄膜7の温度を求めることがで
きる。
With the above-mentioned structure, the temperature of the hot junction 28, that is, the temperature of the first metal thin film 7 can be obtained by measuring the thermoelectromotive force generated at the hot junction 28.

【0043】さらに、温度変化に伴う金属の電気抵抗値
の変化から、その金属の温度変動を求めることも可能で
ある。図6に第一の金属薄膜7の電気抵抗値変動を用い
た温度検出を表す模式図を示す。第一の金属薄膜7、定
電圧源30、電流計31が導線32で接続され、閉回路
を成している。第一の金属薄膜7の電気抵抗値は、定電
圧源30が示す電圧値と電流計31が示す電流値からオ
ームの法則に従い求めることができる。
Furthermore, it is also possible to determine the temperature variation of the metal from the variation of the electric resistance value of the metal due to the temperature variation. FIG. 6 is a schematic diagram showing the temperature detection using the electric resistance variation of the first metal thin film 7. The first metal thin film 7, constant voltage source 30, and ammeter 31 are connected by a conductor 32 to form a closed circuit. The electric resistance value of the first metal thin film 7 can be obtained from the voltage value indicated by the constant voltage source 30 and the current value indicated by the ammeter 31 according to Ohm's law.

【0044】ここで、導線32は、第一の金属薄膜7と
比べた場合、その電気抵抗値の温度変動率が小さい金属
であることが望ましい。具体例をあげると、導線32に
はクロメルやニクロム等を、第一の金属薄膜7にはC
o、Fe、Ni、Al、Au、Ag、Pt、Cu、W等
を用いることが好適である。
Here, it is desirable that the conductive wire 32 be a metal whose electric resistance value has a small temperature fluctuation rate as compared with the first metal thin film 7. As a specific example, chromel or nichrome is used for the conductive wire 32, and C is used for the first metal thin film 7.
It is preferable to use o, Fe, Ni, Al, Au, Ag, Pt, Cu, W or the like.

【0045】また、定電圧源30と電流計31の代わり
に電圧計と定電流源を用いても金属の電気抵抗値を同様
に求めることができるのは言うまでもない。
Needless to say, the electric resistance value of the metal can be similarly obtained by using a voltmeter and a constant current source instead of the constant voltage source 30 and the ammeter 31.

【0046】以上詳述したように、被分析溶液10や第
一の金属薄膜7の温度変化を正確に計測し、これに基づ
いて測定結果を補正することによって、より高精度な表
面プラズモン共鳴を利用した屈折率測定を行うことがで
きる。
As described above in detail, the temperature change of the solution to be analyzed 10 or the first metal thin film 7 is accurately measured, and the measurement result is corrected based on the temperature change, so that more accurate surface plasmon resonance can be obtained. The utilized refractive index measurement can be performed.

【0047】(実施の形態3)本実施の形態では、(実
施の形態1)で示した屈折率測定において、すなわち図
1に示した屈折率測定手法において、表面プラズモン共
鳴現象に及ぶ温度変化の影響を受けない屈折率測定方法
について、図1も参照しながら具体的に説明する。
(Embodiment 3) In the present embodiment, in the refractive index measurement shown in (Embodiment 1), that is, in the refractive index measuring method shown in FIG. A refraction index measuring method that is not affected will be specifically described with reference to FIG.

【0048】図7は、最も反射光量の少ない入射角度、
すなわち表面プラズモン共鳴が発生する条件を満たす入
射角度θの時間依存性を示すグラフである。縦軸は共鳴
発生条件を満たす共鳴角度θ、横軸は時刻tを示す。ま
た、図中の文字はそれぞれ、誘電泳動を発生させない時
の共鳴角度θ1、誘電泳動を発生させた直後の共鳴角度
θ2、誘電泳動を停止させる直前の共鳴角度θ3、誘電
泳動を停止させた直後の共鳴角度θ4、誘電泳動を発生
させた時刻t1、誘電泳動を停止させた時刻t2を示
す。
FIG. 7 shows the incident angle at which the amount of reflected light is the smallest,
That is, it is a graph showing the time dependence of the incident angle θ satisfying the condition that surface plasmon resonance occurs. The vertical axis represents the resonance angle θ that satisfies the resonance generation condition, and the horizontal axis represents the time t. Further, the letters in the figure respectively represent a resonance angle θ1 when dielectrophoresis is not generated, a resonance angle θ2 immediately after dielectrophoresis is generated, a resonance angle θ3 immediately before dielectrophoresis is stopped, and a resonance angle θ3 immediately after dielectrophoresis is stopped. Resonance angle θ4, time t1 when dielectrophoresis is generated, and time t2 when dielectrophoresis is stopped.

【0049】時刻t1に誘電泳動を発生させるとほぼ同
時に、被分析溶液10中の分子や粒子は第一の金属薄膜
7上に集まり、共鳴角度はθ1からθ2へと変化する。
時刻t1からt2にかけ、共鳴角度θは被分析溶液の温
度上昇によりθ2からθ3へと変動する。時刻t2に誘
電泳動を停止させると、第一の金属薄膜7上の分子や粒
子はブラウン運動により被分析溶液10中に拡散するた
め、共鳴角度はθ3からθ4へとほぼ停止と同時に変化
する。
Almost at the same time when dielectrophoresis is generated at time t1, molecules and particles in the solution to be analyzed 10 gather on the first metal thin film 7, and the resonance angle changes from θ1 to θ2.
From time t1 to t2, the resonance angle θ changes from θ2 to θ3 due to the temperature rise of the solution to be analyzed. When the dielectrophoresis is stopped at time t2, the molecules and particles on the first metal thin film 7 diffuse into the analyzed solution 10 due to Brownian motion, so that the resonance angle changes from θ3 to θ4 almost at the same time.

【0050】すなわち、θ2からθ3への変動分を除い
て共鳴角度θを測定すれば、被分析溶液10の温度変動
に影響を受けない、高精度な屈折率測定を行うことがで
きる。具体的には、θ1からθ2への変動分、θ3から
θ4への変動分を測定し、この値から屈折率測定を行え
ばよい。
That is, if the resonance angle θ is measured by removing the variation from θ2 to θ3, it is possible to perform highly accurate refractive index measurement which is not affected by the temperature variation of the solution 10 to be analyzed. Specifically, the variation from θ1 to θ2 and the variation from θ3 to θ4 may be measured, and the refractive index may be measured from this value.

【0051】以上のような手法を用いることにより、被
分析溶液10や第一の金属薄膜7の温度変動に影響を受
けずに、より高精度な表面プラズモン共鳴を利用した屈
折率測定を行うことができる。
By using the above method, the refractive index measurement using the surface plasmon resonance with higher accuracy can be performed without being affected by the temperature fluctuations of the solution to be analyzed 10 and the first metal thin film 7. You can

【0052】ただし、第一の金属薄膜7への集まりやす
さや拡散のしやすさは、分子や粒子の種類によって異な
るため、本実施例で説明した手法をすべての分子や粒子
に適用させることは困難である。具体的に述べると、例
えば分子量の比較的大きなDNA分子等は、時刻t1に
おいて瞬時に第一の金属薄膜7には集まらず、すべてが
集合するまでにΔtだけ時間が必要となる。時間Δtが
大きいと被分析液体10の温度上昇は無視できず、t1
+Δtにおける共鳴角度θ2’の値から正確な屈折率を
求めることは困難となる。
However, since the easiness of gathering in the first metal thin film 7 and the easiness of diffusion thereof depend on the types of molecules and particles, it is not possible to apply the method described in this embodiment to all molecules and particles. Have difficulty. More specifically, for example, DNA molecules having a relatively large molecular weight are not instantaneously collected in the first metal thin film 7 at time t1, and it takes a time Δt until all of them are collected. If the time Δt is large, the temperature rise of the liquid 10 to be analyzed cannot be ignored, and t1
It is difficult to obtain an accurate refractive index from the value of the resonance angle θ2 ′ at + Δt.

【0053】このような場合は、(実施の形態2)で詳
述した温度補正を併用することで、より高精度な表面プ
ラズモン共鳴を利用した屈折率測定を行うことができ
る。
In such a case, by using the temperature correction described in detail in (Embodiment 2) together, more accurate refractive index measurement using surface plasmon resonance can be performed.

【0054】(実施の形態4)本実施の形態では、(実
施の形態1)で示した屈折率測定において、すなわち図
1に示した屈折率測定手法において、被分析溶液10が
様々な種類の分子や粒子を含んでいる場合の定性定量分
析手法について図1も参照しながら具体的に説明する。
(Embodiment 4) In the present embodiment, in the refractive index measurement shown in (Embodiment 1), that is, in the refractive index measurement method shown in FIG. The qualitative quantitative analysis method in the case of containing molecules and particles will be specifically described with reference to FIG.

【0055】図8は、誘電泳動を離散的に発生させてい
る状態下の分子または粒子の移動距離Lの時間依存性を
示すグラフである。縦軸は粒子の移動距離L、横軸は時
刻tを示す。図中の実線で示されるグラフは、DNA等
に代表される比較的大きい分子の挙動を、点線で示され
るグラフは、タンパク質に代表される比較的小さい分子
の挙動をそれぞれ示す。また、斜線で覆われている領域
は、電極間に電界を与えず誘電泳動が起こっていない時
間帯を示すものである。
FIG. 8 is a graph showing the time dependence of the migration distance L of a molecule or particle under the condition where dielectrophoresis is discretely generated. The vertical axis represents the moving distance L of the particle, and the horizontal axis represents the time t. The graph shown by a solid line in the figure shows the behavior of a relatively large molecule represented by DNA or the like, and the graph shown by a dotted line shows the behavior of a relatively small molecule represented by a protein. Further, the shaded region indicates a time zone in which no electric field is applied between the electrodes and dielectrophoresis does not occur.

【0056】斜線で覆われていない、すなわち誘電泳動
を発生させている時間帯においては、分子には電界強度
の強い方向へ誘電泳動力が働き、移動する。移動距離の
大きさは、交流電圧の最大電界強度、交流電圧の周波
数、電界印加時間、分子固有の電気双極子モーメント等
により決まり、一般的には大きな分子のほうが分極率が
大きく、移動距離も大きくなる。
In the time zone not covered by the diagonal lines, that is, in the time zone in which the dielectrophoresis is generated, the dielectrophoretic force acts on the molecule in the direction in which the electric field strength is strong and moves. The size of the moving distance is determined by the maximum electric field strength of the AC voltage, the frequency of the AC voltage, the electric field application time, the electric dipole moment peculiar to the molecule, etc. Generally, the larger molecule has a larger polarizability and the moving distance also increases. growing.

【0057】一方、斜線で覆われている、すなわち誘電
泳動を停止させている時間帯の分子挙動は、分子に働く
外力がなくなり、ブラウン運動が支配的になり、分子は
拡散することになる。ブラウン運動による移動距離の大
きさは、誘電泳動力の場合とは逆に、小さな分子のほう
が移動距離が大きくなる。停止時間が長いと、小さな分
子はブラウン運動によって、もとの無秩序な状態に戻っ
てしまう。
On the other hand, in the molecular behavior in the time zone covered by diagonal lines, that is, when dielectrophoresis is stopped, the external force acting on the molecule disappears, the Brownian motion becomes dominant, and the molecule diffuses. Contrary to the case of the dielectrophoretic force, the magnitude of the movement distance due to Brownian motion is larger for smaller molecules. When the stopping time is long, the small molecule returns to its original disordered state by Brownian motion.

【0058】図8に示したように、上記のような電圧印
加と停止を交互に繰り返し行うことで、結果的に大きい
分子のみを第一の金属薄膜7上に集めることができる。
As shown in FIG. 8, by alternately repeating the voltage application and the stop as described above, it is possible to collect only large molecules on the first metal thin film 7.

【0059】以上説明したように、交流電圧の印加時間
と停止時間とを制御することにより、誘電泳動で集める
分子や粒子の種類を制御することができる。また、印加
・停止時間の他に、電界強度や交流の周波数を制御する
ことで、分子や粒子の大きさ(質量)や形状、分極率、
誘電率、表面プラズモン共鳴の共鳴角度等をパラメータ
とし、異なる条件下での測定結果の差分分析や、誘電泳
動により一箇所に集めた分子や粒子の回収等により、様
々な種類の分子や粒子を含む被分析溶液の定性定量分析
を行うことができる。
As described above, the types of molecules and particles collected by dielectrophoresis can be controlled by controlling the application time and the stop time of the AC voltage. By controlling the electric field strength and the frequency of alternating current in addition to the application / stop time, the size (mass) and shape of molecules and particles, polarizability,
Dielectric constant, resonance angle of surface plasmon resonance, etc. are used as parameters to analyze various kinds of molecules and particles by difference analysis of measurement results under different conditions and collection of molecules and particles collected in one place by dielectrophoresis. It is possible to perform a qualitative quantitative analysis of the solution to be analyzed.

【0060】また、分子や粒子の大きさ(質量)や形
状、分極率、誘電率、表面プラズモン共鳴の共鳴角度等
といったパラメータだけでは分離が困難なたいへん似通
った分子や粒子を分離する必要がある場合には、予めこ
れらのパラメータに明確な違いがある粒子を標識として
用い、分析対象となる分子や粒子の定性定量分析を行っ
てもいっこうに差し支えない。
Further, it is necessary to separate very similar molecules or particles which are difficult to separate only by parameters such as size (mass) or shape of molecules or particles, polarizability, permittivity, resonance angle of surface plasmon resonance. In this case, particles having clear distinctions in these parameters may be used as labels in advance, and qualitative and quantitative analysis of molecules or particles to be analyzed may be performed.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、温度変
動の影響を受けず、複雑な準備プロセスが不要な、高精
度かつ高感度なリアルタイム測定が可能である、簡便で
安価な屈折率測定を実現することができる。
As described above, according to the present invention, a simple, inexpensive refraction that is not affected by temperature fluctuations, does not require a complicated preparation process, and enables highly accurate and highly sensitive real-time measurement. Rate measurement can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による被分析溶液の屈折
率測定を表す模式図
FIG. 1 is a schematic diagram showing measurement of a refractive index of a solution to be analyzed according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態による電極配置を表す模
式図
FIG. 2 is a schematic diagram showing an electrode arrangement according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態による電極配置を表す模
式図
FIG. 3 is a schematic diagram showing an electrode arrangement according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態による熱電対を用いた温
度検出を表す模式図
FIG. 4 is a schematic diagram showing temperature detection using a thermocouple according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態による熱電対を用いた温
度検出を表す模式図
FIG. 5 is a schematic diagram showing temperature detection using a thermocouple according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態による電気抵抗値変動を
用いた温度検出を表す模式図
FIG. 6 is a schematic diagram showing temperature detection using electric resistance variation according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態による入射角度θの時間
依存性を示す特性図
FIG. 7 is a characteristic diagram showing time dependence of an incident angle θ according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態による分子または粒子の
移動距離Lの時間依存性を示す特性図
FIG. 8 is a characteristic diagram showing the time dependence of the migration distance L of a molecule or particle according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源 2 第一のレンズ 3 第二のレンズ 4 プリズム 5 入射光 6 ガラス 7 第一の金属薄膜 8 反射光 9 光検出器 10 被分析溶液 11 容器 12 第二の金属薄膜 13 第三の金属薄膜 14 交流電圧源 15 温度計測プローブ 16 温度計測器 17 リッジ 18 第一の金属薄膜 21 熱電対 22 電圧計 23 温接点 24 第一の金属線 25 第二の金属線 26 導線 27 電圧計 28 温接点 29 冷接点 30 定電圧源 31 電流計 32 導線 1 light source 2 first lens 3 Second lens 4 prism 5 incident light 6 glass 7 First metal thin film 8 reflected light 9 Photodetector 10 Analyte solution 11 containers 12 Second metal thin film 13 Third metal thin film 14 AC voltage source 15 Temperature measurement probe 16 Temperature measuring instrument 17 Ridge 18 First metal thin film 21 thermocouple 22 Voltmeter 23 Hot junction 24 First metal wire 25 Second metal wire 26 conductors 27 Voltmeter 28 hot junction 29 Cold junction 30 constant voltage source 31 ammeter 32 conductors

Claims (32)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源と、光源から発せられる光と表面プ
ラズモン共鳴を起こす第一の金属薄膜と、第一の金属薄
膜で反射された光を受光する光検出器と、被分析溶液を
誘電泳動するための第二の金属薄膜と第三の金属薄膜と
からなる電極対と、これら電極間に交流電界を発生せし
める電圧源と、これら金属薄膜を支持する透明基材と、
光源や光検出器や電圧源等の制御や光検出器で得られた
測定結果から屈折率の演算を行う制御演算手段とを具備
する被分析溶液の屈折率測定装置。
1. A light source, a first metal thin film that causes surface plasmon resonance with light emitted from the light source, a photodetector that receives light reflected by the first metal thin film, and a solution to be analyzed by dielectrophoresis. An electrode pair consisting of a second metal thin film and a third metal thin film for, a voltage source for generating an alternating electric field between these electrodes, and a transparent substrate supporting these metal thin films,
A refractive index measuring device for a solution to be analyzed, comprising: a control calculation means for controlling a light source, a photodetector, a voltage source, etc., and calculating a refractive index from a measurement result obtained by the photodetector.
【請求項2】 表面プラズモン共鳴を起こす第一の金属
薄膜が、被分析溶液を誘電泳動するための電極の機能も
併せ持つ請求項1記載の屈折率測定装置。
2. The refractive index measuring device according to claim 1, wherein the first metal thin film which causes surface plasmon resonance also has a function of an electrode for dielectrophoresing the solution to be analyzed.
【請求項3】 更に、屈折率測定時の被分析溶液および
/または金属薄膜の温度変化により変化した屈折率を補
正する補正手段を有し、前記補正手段は、被分析溶液お
よび/または金属薄膜の温度検出手段を用いて構成され
る請求項1または請求項2記載の屈折率測定装置。
3. Further, there is a correction means for correcting the refractive index of the solution to be analyzed and / or the metal thin film which has changed due to temperature change during the measurement of the refractive index, and the correction means has the solution to be analyzed and / or the metal thin film. 3. The refractive index measuring device according to claim 1, wherein the refractive index measuring device is configured by using the temperature detecting means of.
【請求項4】 温度検出手段は、電極を構成する金属薄
膜の電気抵抗値の変化から、金属薄膜の温度変化を求め
ることを特徴とする請求項3記載の屈折率測定装置。
4. The refractive index measuring device according to claim 3, wherein the temperature detecting means obtains the temperature change of the metal thin film from the change of the electric resistance value of the metal thin film forming the electrode.
【請求項5】 光源と、光源から発せられる光と表面プ
ラズモン共鳴を起こす金属薄膜と、金属薄膜で反射され
た光を受光する光検出器と、金属薄膜を支持する透明基
材と、被分析溶液および/または金属薄膜の温度変化に
より変化した屈折率を補正するための被分析溶液および
/または金属薄膜の温度検出手段と、光源や光検出器や
温度検出手段等の制御や光検出器で得られた測定結果か
ら被分析溶液の屈折率の演算を行う制御演算手段とを具
備する被分析溶液の屈折率測定装置。
5. A light source, a metal thin film that causes surface plasmon resonance with light emitted from the light source, a photodetector that receives light reflected by the metal thin film, a transparent base material that supports the metal thin film, and an object to be analyzed. A temperature detecting means for the solution to be analyzed and / or the metal thin film for correcting the refractive index changed by the temperature change of the solution and / or the metal thin film, and a light source, a photodetector, a temperature detecting means, etc. An apparatus for measuring a refractive index of a solution to be analyzed, comprising: a control calculation means for calculating the refractive index of the solution to be analyzed from the obtained measurement result.
【請求項6】 温度検出手段は、被分析溶液および/ま
たは金属薄膜の温度変化を直接検出する温度検出装置で
あることを特徴とする請求項3または請求項5記載の屈
折率測定装置。
6. The refractive index measuring device according to claim 3, wherein the temperature detecting means is a temperature detecting device for directly detecting a temperature change of the solution to be analyzed and / or the metal thin film.
【請求項7】 温度検出装置が、熱電対であることを特
徴とする請求項6記載の屈折率測定装置。
7. The refractive index measuring device according to claim 6, wherein the temperature detecting device is a thermocouple.
【請求項8】 温度検出手段が、表面プラズモン共鳴を
起こす金属薄膜とは異なる種類の金属からなる金属配線
を金属薄膜に接続し、これら異種金属界面で発生する起
電力を測定することで、金属薄膜の温度変化を求めるこ
とを特徴とする請求項3または請求項5記載の屈折率測
定装置。
8. The temperature detecting means connects metal wiring made of a metal different from the metal thin film that causes surface plasmon resonance to the metal thin film, and measures the electromotive force generated at the interface between these different metals, The refractive index measuring device according to claim 3 or 5, wherein a temperature change of the thin film is obtained.
【請求項9】 表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜の
表面において、少なくとも被分析溶液と接する部分が厚
さ1000nm以下の非金属物質により被覆されている
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか記載
の屈折率測定装置。
9. The method according to claim 1, wherein at least a portion in contact with the solution to be analyzed is covered with a non-metallic substance having a thickness of 1000 nm or less on the surface of the metal thin film which causes surface plasmon resonance. The refractive index measuring device according to any one of claims.
【請求項10】 電極対を構成する金属薄膜の表面にお
いて、少なくとも被分析溶液と接する部分が非金属物質
により被覆されていることを特徴とする請求項1から請
求項4、または請求項6から請求項8のいずれか記載の
屈折率測定装置。
10. The surface of the metal thin film forming the electrode pair, at least a portion in contact with the solution to be analyzed is coated with a non-metal substance, according to any one of claims 1 to 4 or 6. The refractive index measuring device according to claim 8.
【請求項11】 表面プラズモン共鳴現象発生手段と、
被分析溶液の屈折率変化を計測する表面プラズモン共鳴
現象計測手段と、被分析溶液を誘電泳動する誘電泳動発
生手段と、表面プラズモン共鳴現象や誘電泳動等の制御
や屈折率を求める演算を行うための制御演算手段とを具
備し、誘電泳動を発生させる際に印加する交流電界の周
波数および/または電圧値および/または電圧印加時間
を制御することによって、被分析溶液中に含まれる粒子
や分子を集合させた状態で屈折率を測定する屈折率測定
方法。
11. A surface plasmon resonance phenomenon generating means,
To measure the surface plasmon resonance phenomenon measuring means for measuring the change in the refractive index of the solution to be analyzed, the dielectrophoresis generating means for dielectrophoresing the solution to be analyzed, to control the surface plasmon resonance phenomenon, dielectrophoresis, etc., and to calculate the refractive index. And a voltage value and / or a voltage application time of an alternating electric field applied when dielectrophoresis is generated to control particles and molecules contained in the solution to be analyzed. A refractive index measuring method for measuring a refractive index in an assembled state.
【請求項12】 表面プラズモン共鳴現象発生手段と、
様々な種類の粒子や分子を含んでいる被分析溶液の屈折
率変化を計測する表面プラズモン共鳴現象計測手段と、
被分析溶液を誘電泳動する誘電泳動発生手段と、表面プ
ラズモン共鳴現象や誘電泳動等の制御や屈折率を求める
演算を行うための制御演算手段とを具備し、被分析溶液
に誘電泳動を発生させる際に、印加する交流電界の周波
数および/または電圧値および/または電圧印加時間を
制御することによって、トラップされる粒子や分子の種
類を制御し、それぞれの場合の屈折率の測定結果から、
被分析溶液中に含まれる粒子や分子それぞれに起因する
屈折率を求める屈折率測定方法。
12. A surface plasmon resonance phenomenon generating means,
Surface plasmon resonance phenomenon measuring means for measuring the change in the refractive index of the solution to be analyzed containing various kinds of particles and molecules,
A dielectrophoresis generating means for dielectrophores the solution to be analyzed and a control operation means for controlling the surface plasmon resonance phenomenon, dielectrophoresis, etc. and performing an operation to obtain the refractive index are provided, and dielectrophoresis is generated in the solution to be analyzed. At this time, by controlling the frequency and / or voltage value and / or voltage application time of the AC electric field to be applied, the types of particles or molecules trapped are controlled, and from the measurement results of the refractive index in each case,
A refractive index measuring method for obtaining a refractive index due to each of particles and molecules contained in a solution to be analyzed.
【請求項13】 表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜
が、被分析溶液を誘電泳動するための電極の機能も併せ
持つ請求項11または請求項12記載の屈折率測定方
法。
13. The refractive index measuring method according to claim 11, wherein the metal thin film that causes surface plasmon resonance also has a function of an electrode for dielectrophoresing the solution to be analyzed.
【請求項14】 屈折率測定時の被分析溶液および/ま
たは金属薄膜の温度変化が屈折率に与える影響を補正す
るための補正手段を具備する請求項11から請求項13
のいずれか記載の屈折率測定方法。
14. The method according to claim 11, further comprising a correction unit for correcting the influence of the temperature change of the solution to be analyzed and / or the metal thin film upon the refractive index measurement on the refractive index.
The method for measuring refractive index according to any one of 1.
【請求項15】 温度変化が屈折率に与える影響を補正
するために、被分析溶液を誘電泳動するための電極を構
成する金属薄膜の電気抵抗値の変化から金属薄膜の温度
変化を求め、求めた温度変化をもとに補正する補正手段
を具備する請求項14記載の屈折率測定方法。
15. In order to correct the influence of temperature change on the refractive index, the temperature change of the metal thin film is obtained from the change of the electric resistance value of the metal thin film forming the electrode for dielectrophoresing the solution to be analyzed. 15. The refractive index measuring method according to claim 14, further comprising a correcting unit that corrects based on the temperature change.
【請求項16】 誘電泳動を発生させる前の屈折率と誘
電泳動を発生させた直後の屈折率との比較を行うこと
で、温度変化の影響を受けずに屈折率測定を行う補正手
段を具備する請求項11から請求項13のいずれか記載
の屈折率測定方法。
16. A correction means is provided which compares the refractive index before dielectrophoresis is generated with the refractive index immediately after dielectrophoresis is generated, thereby performing refractive index measurement without being affected by temperature change. The refractive index measuring method according to any one of claims 11 to 13.
【請求項17】 誘電泳動を停止させる前の屈折率と誘
電泳動を停止させた直後の屈折率との比較を行うこと
で、温度変化の影響を受けずに屈折率測定を行う補正手
段を具備する請求項11から請求項13のいずれか記載
の屈折率測定方法。
17. A correction means for measuring a refractive index without being affected by a temperature change by comparing a refractive index before stopping dielectrophoresis and a refractive index immediately after stopping dielectrophoresis. The refractive index measuring method according to any one of claims 11 to 13.
【請求項18】 表面プラズモン共鳴現象発生手段と、
被分析溶液の屈折率変化を計測する表面プラズモン共鳴
現象計測手段とを有し、表面プラズモン共鳴現象を制御
する段階と、屈折率を求める演算を行う段階と、屈折率
測定時の被分析溶液および/または金属薄膜の温度変化
が屈折率に与える影響を補正する補正段階とを具備する
屈折率測定方法。
18. Surface plasmon resonance phenomenon generating means,
Having a surface plasmon resonance phenomenon measuring means for measuring a change in the refractive index of the solution to be analyzed, a step of controlling the surface plasmon resonance phenomenon, a step of calculating the refractive index, and the solution to be analyzed at the time of measuring the refractive index and And / or a correction step for correcting the influence of the temperature change of the metal thin film on the refractive index.
【請求項19】 温度変化が屈折率に与える影響を補正
するために、被分析溶液および/または金属薄膜の温度
変化を直接測定し、測定した温度変化をもとに補正する
補正手段を具備する請求項14または請求項18記載の
屈折率測定方法。
19. In order to correct the influence of temperature change on the refractive index, a correction means is provided which directly measures the temperature change of the solution to be analyzed and / or the metal thin film and corrects based on the measured temperature change. The refractive index measuring method according to claim 14 or 18.
【請求項20】 温度変化が屈折率に与える影響を補正
するために、表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜とは
異なる種類の金属からなる金属配線を金属薄膜に接続
し、これら異種金属界面で発生する起電力を測定するこ
とで金属薄膜の温度変化を求め、求めた温度変化をもと
に補正する補正手段を具備する請求項14または請求項
18記載の屈折率測定方法。
20. In order to correct the influence of temperature change on the refractive index, a metal wiring made of a metal different from the metal thin film that causes surface plasmon resonance is connected to the metal thin film, and this occurs at the interface between these dissimilar metals. 19. The refractive index measuring method according to claim 14 or 18, further comprising: a correction unit that obtains a temperature change of the metal thin film by measuring an electromotive force and corrects the temperature change based on the obtained temperature change.
【請求項21】 光源と、光源から発せられる光と表面
プラズモン共鳴を起こす第一の金属薄膜と、第一の金属
薄膜で反射された光を受光する光検出器と、被分析溶液
を誘電泳動するための第二の金属薄膜と第三の金属薄膜
とからなる電極対と、これら電極間に交流電界を発生せ
しめる電圧源と、これら金属薄膜を支持する透明基材
と、光源や光検出器や電圧源等の制御や光検出器で得ら
れた測定結果から屈折率の演算を行うための制御演算装
置とを具備し、電極間に印加する交流電圧の周波数と、
この交流電圧の電圧値と、この交流電圧の印加時間と、
光検出器で得られた測定結果から求めた屈折率とから、
被分析溶液中の分子や粒子の種類を同定すること、およ
び/または被分析溶液中の分子や粒子の数量を計測する
ことを行う定性定量分析装置。
21. A light source, a first metal thin film that causes surface plasmon resonance with light emitted from the light source, a photodetector that receives light reflected by the first metal thin film, and a solution to be analyzed by dielectrophoresis. Electrode pair consisting of a second metal thin film and a third metal thin film, a voltage source for generating an AC electric field between these electrodes, a transparent substrate supporting these metal thin films, a light source and a photodetector. And a control calculation device for calculating the refractive index from the measurement results obtained by controlling the voltage source and the photodetector, and the frequency of the AC voltage applied between the electrodes,
The voltage value of this AC voltage, the application time of this AC voltage,
From the refractive index obtained from the measurement results obtained with the photodetector,
A qualitative quantitative analyzer that identifies the type of molecules and particles in the solution to be analyzed and / or measures the number of molecules and particles in the solution to be analyzed.
【請求項22】 表面プラズモン共鳴を起こす第一の金
属薄膜が、被分析溶液を誘電泳動するための電極の機能
も併せ持つ請求項21記載の定性定量分析装置。
22. The qualitative quantitative analysis device according to claim 21, wherein the first metal thin film which causes surface plasmon resonance also has a function of an electrode for dielectrophoresing the solution to be analyzed.
【請求項23】 屈折率測定時の被分析溶液および/ま
たは金属薄膜の温度変化により変化した屈折率を補正す
る補正手段が、被分析溶液および/または金属薄膜の温
度検出手段と前記制御演算装置とにより構成される請求
項21または請求項22記載の定性定量分析装置。
23. The correction means for correcting the refractive index changed by the temperature change of the solution to be analyzed and / or the metal thin film at the time of measuring the refractive index, the temperature detecting means of the solution to be analyzed and / or the metal thin film, and the control arithmetic unit. 23. The qualitative quantitative analysis device according to claim 21 or 22, which is constituted by
【請求項24】 温度検出手段が、前記電極を構成する
金属薄膜の電気抵抗値の変化から、金属薄膜の温度変化
を求めることである請求項23記載の定性定量分析装
置。
24. The qualitative quantitative analysis device according to claim 23, wherein the temperature detecting means obtains the temperature change of the metal thin film from the change of the electric resistance value of the metal thin film forming the electrode.
【請求項25】 誘電泳動を発生させる前の屈折率と誘
電泳動を発生させた直後の屈折率との比較を行うこと
で、温度変化の影響を受けずに屈折率測定を行う補正手
段を具備する請求項21または請求項22記載の定性定
量分析装置。
25. Compensating the refractive index before the dielectrophoresis is generated with the refractive index immediately after the dielectrophoresis is generated, so that the refractive index is measured without being affected by the temperature change. 23. The qualitative quantitative analysis device according to claim 21 or 22.
【請求項26】 誘電泳動を停止させる前の屈折率と誘
電泳動を停止させた直後の屈折率との比較を行うこと
で、温度変化の影響を受けずに屈折率測定を行う補正手
段を具備する請求項21または請求項22記載の定性定
量分析装置。
26. Compensating the refractive index before stopping dielectrophoresis and the refractive index immediately after stopping dielectrophoresis to provide a correction means for performing refractive index measurement without being affected by temperature change. 23. The qualitative quantitative analysis device according to claim 21 or 22.
【請求項27】 光源と、光源から発せられる光と表面
プラズモン共鳴を起こす金属薄膜と、金属薄膜で反射さ
れた光を受光する光検出器と、金属薄膜を支持する透明
基材と、被分析溶液および/または金属薄膜の温度変化
により変化した屈折率を補正するための被分析溶液およ
び/または金属薄膜の温度検出手段と、光源や光検出器
や温度検出手段等の制御や光検出器で得られた測定結果
から被分析溶液の屈折率の演算を行うための制御演算装
置とを具備し、光検出器で得られた測定結果から求めた
屈折率から被分析溶液中の分子や粒子の種類を同定する
こと、および/または被分析溶液中の分子や粒子の数量
を計測することを行う定性定量分析装置。
27. A light source, a metal thin film that causes surface plasmon resonance with light emitted from the light source, a photodetector that receives light reflected by the metal thin film, a transparent base material that supports the metal thin film, and an object to be analyzed. A temperature detecting means for the solution to be analyzed and / or the metal thin film for correcting the refractive index changed by the temperature change of the solution and / or the metal thin film, and a light source, a photodetector, a temperature detecting means, etc. Equipped with a control calculation device for calculating the refractive index of the solution to be analyzed from the obtained measurement result, the molecules and particles in the solution to be analyzed from the refractive index obtained from the measurement result obtained by the photodetector A qualitative quantitative analysis device for identifying the type and / or measuring the number of molecules and particles in the solution to be analyzed.
【請求項28】 温度検出手段が、被分析溶液および/
または金属薄膜の温度変化を直接測定する温度測定装置
である請求項23または請求項27記載の定性定量分析
装置。
28. The temperature detecting means is a solution to be analyzed and / or
28. The qualitative quantitative analysis device according to claim 23 or 27, which is a temperature measurement device for directly measuring a temperature change of the metal thin film.
【請求項29】 温度検出装置が、熱電対である請求項
28記載の定性定量分析装置。
29. The qualitative quantitative analysis device according to claim 28, wherein the temperature detection device is a thermocouple.
【請求項30】 温度検出手段が、表面プラズモン共鳴
を起こす金属薄膜とは異なる種類の金属からなる金属配
線を金属薄膜に接続し、これら異種金属界面で発生する
起電力を測定することで、金属薄膜の温度変化を求める
ことである請求項23または請求項27記載の定性定量
分析装置。
30. The temperature detecting means connects a metal wiring made of a metal different from the metal thin film that causes surface plasmon resonance to the metal thin film, and measures the electromotive force generated at the interface between these different metals, The qualitative and quantitative analysis device according to claim 23 or 27, which is to obtain a temperature change of the thin film.
【請求項31】 表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜
の表面において、少なくとも被分析溶液と接する部分が
厚さ1000nm以下の非金属物質により被覆されてい
る請求項21から請求項30のいずれか記載の定性定量
分析装置。
31. The qualitative method according to any one of claims 21 to 30, wherein at least a portion in contact with the solution to be analyzed is covered with a non-metallic substance having a thickness of 1000 nm or less on the surface of the metal thin film which causes surface plasmon resonance. Quantitative analyzer.
【請求項32】 電極対を構成する金属薄膜の表面にお
いて、少なくとも被分析溶液と接する部分が非金属物質
により被覆されている請求項21から請求項26、また
は請求項28から請求項30のいずれか記載の定性定量
分析装置。
32. The method according to any one of claims 21 to 26 or 28 to 30, wherein at least a portion of the surface of the metal thin film forming the electrode pair, which is in contact with the solution to be analyzed is covered with a non-metal substance. Qualitative quantitative analysis device described.
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