JP2003059876A - Device and method for detecting object and polishing the device - Google Patents

Device and method for detecting object and polishing the device

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JP2003059876A
JP2003059876A JP2001247387A JP2001247387A JP2003059876A JP 2003059876 A JP2003059876 A JP 2003059876A JP 2001247387 A JP2001247387 A JP 2001247387A JP 2001247387 A JP2001247387 A JP 2001247387A JP 2003059876 A JP2003059876 A JP 2003059876A
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polishing
wafer
light
top ring
axis
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JP2001247387A
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Shozo Oguri
章三 小栗
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for detecting an object which can correspond various materials, have large degrees of freedom in installation and make an accurate detection, and a polishing device provided with such a detection device. SOLUTION: There are provided a light-emitting part 62, having a light- emitting axis A1 inclined to an object; a light-receiving part 63 having a light- receiving axis A2 positioned on a side opposite to a regular reflection axis A3 , corresponding to the light-emitting axis A1 ; and a detection part 64 for detecting presence of a wafer W, by changing the amount of light received in the light-receiving part 63.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、目的物の検知器及
び検知方法に係り、特にトップリングから飛び出したウ
ェハを検知するウェハ飛び出し検知器及び検知方法、及
びかかる検知器を備えたポリッシング装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a detector and a detection method for an object, and more particularly to a wafer ejection detector and a detection method for detecting a wafer ejected from a top ring, and a polishing apparatus equipped with such a detector. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。このような半導体ウェハの表
面を平坦化する一手段として、化学機械研磨(CMP)
を行うポリッシング装置が知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, circuit wiring has become finer and the distance between wirings has become smaller. In particular, in the case of optical lithography with a line width of 0.5 μm or less, the depth of focus becomes shallow, so that the flatness of the image plane of the stepper is required. Chemical mechanical polishing (CMP) is one of means for flattening the surface of such a semiconductor wafer.
There is known a polishing apparatus for performing the above.

【0003】この種のポリッシング装置は、上面に研磨
布(研磨パッド)を貼付して研磨面を構成した研磨テー
ブルと、研磨対象物である半導体ウェハ等の基板をその
被研磨面を研磨テーブルに向けて保持するトップリング
とを備えている。このようなポリッシング装置を用いて
半導体ウェハの研磨処理を行う場合には、研磨テーブル
とトップリングとをそれぞれ自転させ、研磨テーブルの
上方に設置された研磨液供給ノズルより研磨液(スラ
リ)を供給しつつ、トップリングにより半導体ウェハを
一定の圧力で研磨テーブルの研磨布に押圧する。研磨液
供給ノズルから供給される研磨液は、例えばアルカリ溶
液にシリカ等の微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用
い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機械
的研磨作用との複合作用である化学的・機械的研磨によ
って半導体ウェハが平坦且つ鏡面状に研磨される。
In this type of polishing apparatus, a polishing table having a polishing surface formed by adhering a polishing cloth (polishing pad) to the upper surface thereof, and a substrate such as a semiconductor wafer to be polished which is a surface to be polished on the polishing table. It has a top ring that holds it toward you. When a semiconductor wafer is polished using such a polishing apparatus, the polishing table and the top ring are respectively rotated, and a polishing liquid (slurry) is supplied from a polishing liquid supply nozzle installed above the polishing table. At the same time, the semiconductor wafer is pressed against the polishing cloth of the polishing table with a constant pressure by the top ring. As the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply nozzle, for example, an abrasive in which abrasive grains made of fine particles such as silica are suspended in an alkaline solution is used, and a chemical polishing action by an alkali and a mechanical polishing action by the abrasive grains are combined. The semiconductor wafer is polished flat and mirror-like by the action of chemical / mechanical polishing.

【0004】このようなポリッシング装置において、ト
ップリングへのウェハの受渡しが正常に行われている場
合には、研磨中にウェハがトップリングから飛び出すこ
とはほとんどない。しかしながら、ウェハの受渡しが正
常に行われずウェハがトップリングのガイドリングに乗
り上げた場合には、研磨中にウェハがトップリングから
飛び出るという現象が発生する。
In such a polishing apparatus, when the wafer is normally delivered to the top ring, the wafer rarely jumps out of the top ring during polishing. However, when the wafer is not delivered normally and the wafer rides on the guide ring of the top ring, a phenomenon occurs in which the wafer pops out of the top ring during polishing.

【0005】ウェハがトップリングから飛び出てしまう
と、ウェハが研磨テーブルと共に回転し、トップリング
に衝突してウェハ自身が破損したり、ポリッシング装置
を構成するトップリングのガイドリング、研磨テーブル
上の研磨布、バッキング材及びドレッシング部材等の損
傷を招いたりするおそれがある。従来から、このような
現象に対処するため、ポリッシング装置に光学式センサ
などからなるウェハ飛び出し検知器を取付け、トップリ
ングからのウェハの飛び出しを検知することが行われて
いる。
When the wafer jumps out of the top ring, the wafer rotates with the polishing table and collides with the top ring to damage the wafer itself, or the guide ring of the top ring constituting the polishing apparatus and the polishing on the polishing table. There is a risk of damaging the cloth, backing material, dressing member, and the like. In order to cope with such a phenomenon, a wafer pop-out detector including an optical sensor or the like is attached to a polishing device to detect the pop-up of the wafer from the top ring.

【0006】光学式センサを用いてウェハの飛び出しを
検知する場合、トップリングの近傍に配置した光学式セ
ンサによって研磨布の真上から投光し、この正反射光を
受光してその光量を計測する。研磨布における光沢度
(正反射光の光量)とウェハ表面における光沢度(正反
射光の光量)とは異なるので、受光した光量の変化を検
出することによって、研磨布上に異物(ウェハ)がある
か否かが検出される。
When an optical sensor is used to detect the jumping out of a wafer, an optical sensor arranged in the vicinity of the top ring emits light from directly above the polishing cloth, receives the specularly reflected light, and measures the amount of light. To do. Since the glossiness of the polishing cloth (the amount of specularly reflected light) and the glossiness of the wafer surface (the amount of specularly reflected light) are different, foreign matter (wafer) is detected on the polishing cloth by detecting the change in the received light amount. Whether or not there is detected.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の高集積化が進むにつれて、半導体ウェハにも種々の材
料が使用されるようになってきている。光に対する性質
は材料によって異なるが、最近では、上述した光学式セ
ンサによっては正反射光を検知できないような材料も半
導体ウェハに使用されつつある。このような材料を使用
した場合、上述した正反射光量を測定する方法ではウェ
ハの存在を検出することができないので、ウェハの飛び
出しを検知することができない。従って、このような材
料を使用したウェハに対しても飛び出しを検知できるよ
うな検知器の開発が要望されている。
Recently, as semiconductor devices have been highly integrated, various materials have been used for semiconductor wafers. Although the property with respect to light differs depending on the material, recently, a material that cannot detect specularly reflected light by the above-mentioned optical sensor is being used for the semiconductor wafer. When such a material is used, the presence of the wafer cannot be detected by the above-described method of measuring the amount of specularly reflected light, so that the jumping out of the wafer cannot be detected. Therefore, there is a demand for the development of a detector that can detect popping out of a wafer using such a material.

【0008】また、上述した従来のウェハ飛び出し検知
器は、トップリングの近傍に配置する必要があるため、
ウェハ飛び出し検知器の設置に際して自由度が低く、ま
た、研磨に用いるスラリ等が検知器にかかって正確な検
知ができなくなるおそれがある。
Further, since the conventional wafer pop-out detector described above needs to be arranged near the top ring,
There is a low degree of freedom in the installation of the wafer pop-out detector, and there is a possibility that the slurry or the like used for polishing may hit the detector and prevent accurate detection.

【0009】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、種々の材料に対応することがで
き、また設置の自由度が高く、正確な検知が可能な目的
物の検知器及び検知方法、及びかかる検知器を備えたポ
リッシング装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and can deal with various materials, has a high degree of freedom in installation, and can be accurately detected. An object of the present invention is to provide a detector, a detection method, and a polishing apparatus including the detector.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の第1の態様は、
対象物に対して傾斜した投光軸を有する投光部と、上記
投光軸に対応する正反射光軸とは反対側に位置する受光
軸を有する受光部と、上記受光部の受光量の変化によっ
て目的物の存在を検出する検出部とを備えたことを特徴
とする目的物の検知器である。
In order to solve the problems in the prior art, the first aspect of the present invention is
A light projecting portion having a light projecting axis inclined with respect to the object, a light receiving section having a light receiving axis located on the opposite side of the specular reflection optical axis corresponding to the light projecting axis, and a light receiving amount of the light receiving section. A detector for an object, comprising: a detector that detects the presence of the object by a change.

【0011】また、本発明の第2の態様は、研磨面を有
する研磨テーブルと、研磨対象物を保持して上記研磨面
に押圧するトップリングと、上述した検知器とを備え、
上記検知器によって上記研磨対象物の上記トップリング
からの飛び出しを検知することを特徴とするポリッシン
グ装置である。
A second aspect of the present invention comprises a polishing table having a polishing surface, a top ring for holding an object to be polished and pressing the polishing surface, and the detector described above.
The polishing apparatus is characterized in that the detector detects the protrusion of the object to be polished from the top ring.

【0012】また、本発明の第3の態様は、対象物に対
して傾斜した位置から投光し、上記投光により生ずる乱
反射光の光量の変化によって目的物の存在を検出するこ
とを特徴とする目的物の検知方法である。
A third aspect of the present invention is characterized in that light is projected from a position inclined with respect to the object, and the presence of the object is detected by a change in the amount of diffusely reflected light generated by the light projection. It is a method of detecting a target object.

【0013】本発明に係る目的物の検知器によれば、投
光部の投光軸を傾斜させ、この投光により生ずる乱反射
光の光量の変化に基づいて目的物の存在を検出すること
ができる。また、このような検知器を備えたポリッシン
グ装置によれば、ウェハがトップリングから飛び出した
ことを効果的に検知することができ、従来では検知する
ことができなかった材料を使用したウェハに対しても飛
び出しを検知することが可能となる。また、投光軸を傾
斜させるため、検知器をトップリングの近傍に配置する
必要が必ずしもないので、検知器の設置に際しての自由
度が高まると同時に、研磨に用いるスラリ等が検知器に
かかることもなく正確な検知が可能となる。
According to the object detector of the present invention, it is possible to incline the projection axis of the projection section and detect the presence of the object based on the change in the quantity of diffusely reflected light caused by the projection. it can. Further, according to the polishing apparatus equipped with such a detector, it is possible to effectively detect that the wafer has jumped out of the top ring, and for a wafer using a material that could not be conventionally detected. Even then, it is possible to detect the pop-out. Also, since the projection axis is tilted, it is not necessary to place the detector near the top ring, so the degree of freedom in installing the detector is increased, and at the same time the slurry used for polishing is applied to the detector. Without this, accurate detection is possible.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の一実施形態について図1乃至図8を参照して詳細
に説明する。図1は本発明の一実施形態におけるポリッ
シング装置の全体構成を示す概略平面図、図2は図1の
部分平面図、図3は図2のIII−III線断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of a polishing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 is a schematic plan view showing an overall configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial plan view of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of FIG.

【0015】ポリッシング装置は、上面に研磨布10が
貼設された研磨テーブル11と、研磨対象物である半導
体ウェハWを真空吸着により保持し、これを研磨テーブ
ル11に押圧して研磨するトップリング20と、研磨テ
ーブル11上の研磨布10の目立て(ドレッシング)を
行うドレッサー30とをハウジング40の内部に備えて
いる。
The polishing apparatus holds a polishing table 11 having a polishing cloth 10 adhered on the upper surface thereof and a semiconductor wafer W, which is an object to be polished, by vacuum suction, and presses this against the polishing table 11 to polish the top ring. A housing 40 is provided with a dresser 20 and a dresser 30 for dressing the polishing cloth 10 on the polishing table 11.

【0016】また、ハウジング40には、半導体ウェハ
Wをロボットアーム50とトップリング20との間で授
受するプッシャー51が設置されている。このプッシャ
ー51は、ロボットアーム50から未研磨のウェハを受
け取りトップリング20に受渡し、トップリング20か
ら研磨済みのウェハを受け取りロボットアーム50に受
け渡す機能を有している。なお、プッシャー51には、
ロボットアーム50及びトップリング20を洗浄する洗
浄機構(図示せず)が設けられている。
A pusher 51 for transferring the semiconductor wafer W between the robot arm 50 and the top ring 20 is installed in the housing 40. The pusher 51 has a function of receiving an unpolished wafer from the robot arm 50 and delivering it to the top ring 20, and receiving a polished wafer from the top ring 20 and delivering it to the robot arm 50. In addition, the pusher 51 has
A cleaning mechanism (not shown) for cleaning the robot arm 50 and the top ring 20 is provided.

【0017】研磨テーブル11はハウジング40の略中
央部に配置されており、この研磨テーブル11の外周に
は、研磨液のスラリや研磨粒が研磨テーブル11の外側
へ飛散するのを防止するカバー12が設置されている。
図3に示すように、研磨テーブル11の研磨布10の表
面は研磨対象物である半導体ウェハWと摺接する研磨面
を構成している。研磨テーブル11は、テーブル軸13
を介してその下方に配置されるモータ(図示せず)に連
結されており、研磨テーブル11は、図1乃至図3の矢
印Aで示すように、そのテーブル軸13周りに回転可能
に構成されている。
The polishing table 11 is arranged at a substantially central portion of the housing 40, and a cover 12 is provided on the outer periphery of the polishing table 11 to prevent slurry of polishing liquid and polishing particles from scattering to the outside of the polishing table 11. Is installed.
As shown in FIG. 3, the surface of the polishing pad 10 of the polishing table 11 constitutes a polishing surface that is in sliding contact with the semiconductor wafer W that is the object to be polished. The polishing table 11 has a table shaft 13
The polishing table 11 is connected to a motor (not shown) disposed thereunder via a shaft, and is configured to be rotatable about its table shaft 13 as shown by an arrow A in FIGS. ing.

【0018】研磨テーブル11の上方には、研磨液供給
ノズル14が配置されており、この研磨液供給ノズル1
4はノズルアーム15の先端に固定されている。このノ
ズルアーム15の揺動によって、研磨液供給ノズル14
は回転中心Oを中心に図1の矢印Bで示す方向に旋回で
きるようになっている。従って、研磨液供給ノズル14
は、実線で示す研磨テーブル11上面の研磨液供給位置
から2点鎖線で示す研磨テーブル11の外側の待機位置
との間を移動できるようになっている。
A polishing liquid supply nozzle 14 is arranged above the polishing table 11, and the polishing liquid supply nozzle 1 is provided.
4 is fixed to the tip of the nozzle arm 15. By the swing of the nozzle arm 15, the polishing liquid supply nozzle 14
Is rotatable about the rotation center O in the direction indicated by the arrow B in FIG. Therefore, the polishing liquid supply nozzle 14
Can be moved from a polishing liquid supply position on the upper surface of the polishing table 11 shown by a solid line to a standby position outside the polishing table 11 shown by a chain double-dashed line.

【0019】研磨液供給ノズル14にはノズルアーム1
5内に配設された研磨液供給パイプ(図示は省略)が接
続されており、この研磨液供給パイプから研磨液供給ノ
ズル14に研磨液が供給されるようになっている。これ
によって、研磨に使用する研磨液が研磨液供給ノズル1
4から研磨テーブル11の研磨布10上に供給される。
The polishing liquid supply nozzle 14 has a nozzle arm 1
A polishing liquid supply pipe (not shown) arranged in the inside of 5 is connected, and the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply pipe to the polishing liquid supply nozzle 14. As a result, the polishing liquid used for polishing becomes the polishing liquid supply nozzle 1.
4 is supplied onto the polishing cloth 10 of the polishing table 11.

【0020】トップリング20は、図3に示すように、
トップリングアーム21の自由端から垂下するトップリ
ングシャフト22の下端に連結されている。このトップ
リングアーム21の揺動によって、トップリング20は
回転中心Pを中心に図1の矢印Cで示す方向に旋回でき
るようになっている。従って、トップリング20は、実
線で示す研磨テーブル11の上面の研磨位置と2点鎖線
で示すプッシャー51上のウェハ受渡位置52との間を
移動できるようになっている。また、トップリングシャ
フト22は、トップリングアーム21の内部に設けられ
た図示しないモータ及び昇降シリンダに連結されてお
り、これにより、トップリング20は、矢印D,Eで示
すように昇降可能かつトップリングシャフト22周りに
回転可能となっている。
The top ring 20, as shown in FIG.
It is connected to the lower end of a top ring shaft 22 that hangs from the free end of the top ring arm 21. The swing of the top ring arm 21 allows the top ring 20 to rotate about the rotation center P in the direction indicated by the arrow C in FIG. Therefore, the top ring 20 can be moved between the polishing position on the upper surface of the polishing table 11 shown by the solid line and the wafer delivery position 52 on the pusher 51 shown by the two-dot chain line. Further, the top ring shaft 22 is connected to a motor and an elevating cylinder (not shown) provided inside the top ring arm 21, so that the top ring 20 can move up and down as shown by arrows D and E and the top ring 20 can be moved up and down. It is rotatable around the ring shaft 22.

【0021】研磨対象である半導体ウェハWは、トップ
リング20の下端面に真空等によって吸着、保持されて
いる。従って、トップリング20は、自転しながら、そ
の下面に保持した半導体ウェハWを研磨布10に対して
任意の圧力で押圧することができるようになっている。
The semiconductor wafer W to be polished is adsorbed and held on the lower end surface of the top ring 20 by vacuum or the like. Therefore, the top ring 20 is capable of pressing the semiconductor wafer W held on the lower surface thereof against the polishing cloth 10 with an arbitrary pressure while rotating on its own axis.

【0022】ドレッサー30は、研磨を行って劣化した
研磨布10の表面を再生及び目立てするもので、研磨テ
ーブル11の中心に対してトップリング20とは反対側
に配置されている。ドレッサー30は、上記トップリン
グ20と同様に、ドレッサーアーム31の自由端から垂
下するドレッサーシャフト(図示せず)の下端に連結さ
れている。このドレッサーアーム31の揺動によって、
ドレッサー30は回転中心Qを中心に図1の矢印Fで示
す方向に旋回できるようになっている。従って、ドレッ
サー30は、実線で示す研磨テーブル11の外側のドレ
ッサー待機位置32と研磨テーブル11上面の2点鎖線
で示す位置との間を移動できるようになっている。ま
た、ドレッサーシャフトは、ドレッサーアーム31の内
部に設けられた図示しないモータ及び昇降シリンダに連
結されており、これにより、ドレッサー30は、昇降可
能かつドレッサーシャフト周りに回転可能となってい
る。なお、ドレッサー待機位置32には、ドレッサー3
0を洗浄するためのドレッサー洗浄機構(図示せず)が
設けられている。
The dresser 30 is used to regenerate and sharpen the deteriorated surface of the polishing cloth 10 by polishing, and is arranged on the opposite side of the top ring 20 from the center of the polishing table 11. Like the top ring 20, the dresser 30 is connected to the lower end of a dresser shaft (not shown) that hangs from the free end of the dresser arm 31. By swinging the dresser arm 31,
The dresser 30 is capable of turning around the rotation center Q in the direction indicated by the arrow F in FIG. Therefore, the dresser 30 can move between the dresser standby position 32 outside the polishing table 11 shown by the solid line and the position shown by the two-dot chain line on the upper surface of the polishing table 11. Further, the dresser shaft is connected to a motor (not shown) and an elevating cylinder provided inside the dresser arm 31, whereby the dresser 30 can be elevated and rotated around the dresser shaft. At the dresser standby position 32, the dresser 3
A dresser cleaning mechanism (not shown) for cleaning 0 is provided.

【0023】ドレッサー30の下面には、研磨布10に
摺接して研磨布10のドレッシングを行うためのドレッ
シング部材が取付けられている。ドレッサー30は、こ
のドレッシング部材を研磨布10に対して任意の圧力で
押圧し、自転することで、(半導体ウェハを研磨布10
に当接させて研磨した結果生ずる)研磨布10の表面の
変形を修正(目立て)する。
On the lower surface of the dresser 30, a dressing member for slidingly contacting the polishing cloth 10 and dressing the polishing cloth 10 is attached. The dresser 30 presses the dressing member against the polishing cloth 10 with an arbitrary pressure and rotates to rotate (semiconductor wafer is
The deformation of the surface of the polishing pad 10 which is caused by polishing by abutting against the () is corrected (or sharpened).

【0024】研磨テーブル11の回転方向下流側には、
半導体ウェハWのトップリング20からの飛び出しを検
知するウェハセンサ(ウェハ検知器)60が配置されて
いる。このウェハセンサ60は、トップリング20の側
部近傍においてセンサ支持アーム61により支持されて
いる。
On the downstream side of the polishing table 11 in the rotation direction,
A wafer sensor (wafer detector) 60 for detecting the protrusion of the semiconductor wafer W from the top ring 20 is arranged. The wafer sensor 60 is supported by a sensor support arm 61 near the side of the top ring 20.

【0025】図4は、図1に示すウェハセンサ60を示
す概略図である。図4に示すように、ウェハセンサ60
は、研磨布10又はウェハに投光する投光部62と、投
光部62の下部に配置された受光部63と、受光部63
の受光量に基づいてウェハの存在を検出する検出部64
とをケーシング65内に備えている。ウェハセンサ60
において使用する光としては、例えば発光波長670n
m、JISクラス2の可視光レーザを用いることがで
き、このようなウェハセンサ60として、例えば、オム
ロン社製F3C−AL14などを用いることができる。
FIG. 4 is a schematic diagram showing the wafer sensor 60 shown in FIG. As shown in FIG. 4, the wafer sensor 60
Is a light projecting portion 62 for projecting light onto the polishing cloth 10 or the wafer, a light receiving portion 63 arranged below the light projecting portion 62, and a light receiving portion 63.
Detector 64 for detecting the presence of a wafer based on the amount of received light
Are provided in the casing 65. Wafer sensor 60
The light used in, for example, the emission wavelength 670n
m, a JIS class 2 visible light laser can be used, and as such a wafer sensor 60, for example, OMRON F3C-AL14 or the like can be used.

【0026】図5は研磨布10に投光した場合の状態を
示す概略図、図6はウェハに投光した場合の状態を示す
概略図である。図4乃至図6に示すように、投光部62
の投光軸Aは、対象物(研磨布10又はウェハW)に
対して傾斜している。また、受光部63の受光軸A
は、上記投光軸Aに対応する正反射光軸Aとは反
対側に位置している。反射光には正反射光と乱反射光と
があるが、受光部63は、投光部62からの投光によっ
て生ずる乱反射光を受光するようになっている。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a state when light is projected onto the polishing cloth 10, and FIG. 6 is a schematic diagram showing a state when light is projected onto the wafer. As shown in FIG. 4 to FIG.
The projection axis A 1 of is inclined with respect to the object (polishing cloth 10 or wafer W). Further, the light receiving axis A of the light receiving unit 63
2 is located on the opposite side of the specular reflection optical axis A 3 corresponding to the projection axis A 1 . Although the reflected light includes regular reflection light and irregular reflection light, the light receiving unit 63 is configured to receive irregular reflection light generated by the light projection from the light projecting unit 62.

【0027】一般に、研磨布10の光沢度は低く、ウェ
ハWの表面の光沢度は高い。従って、研磨布10におい
ては正反射する割合が少なく乱反射する割合が多い(図
5)のに対して、ウェハWにおいては正反射する割合が
多く乱反射する割合が少なくなる(図6)。本発明は、
この原理を利用してウェハWのトップリング20からの
飛び出しを検知している。即ち、上述したように、受光
部63は、投光部62からの投光によって生ずる乱反射
光を受光するようになっているが、投光部62からの光
が研磨布10に当たった場合(図5)と、投光部62か
らの光がウェハWに当たった場合(図6)とで、受光部
63が受光する乱反射光の量が異なる。本実施形態で
は、検出部64において、受光部63が所定量の乱反射
光を受光している場合には、ウェハWが飛び出していな
い正常の状態であると判断し、受光部63が所定量の乱
反射光を受光しなくなった場合にウェハWがトップリン
グ20から飛び出したと判断している。
In general, the polishing cloth 10 has a low glossiness and the surface of the wafer W has a high glossiness. Therefore, the polishing cloth 10 has a small proportion of regular reflection and a large proportion of irregular reflection (FIG. 5), whereas the wafer W has a large proportion of regular reflection and a small proportion of irregular reflection (FIG. 6). The present invention is
Using this principle, the protrusion of the wafer W from the top ring 20 is detected. That is, as described above, the light receiving section 63 receives the irregularly reflected light generated by the light projected from the light projecting section 62, but when the light from the light projecting section 62 hits the polishing cloth 10 ( The amount of irregularly reflected light received by the light receiving unit 63 differs between FIG. 5) and the case where the light from the light projecting unit 62 strikes the wafer W (FIG. 6). In the present embodiment, in the detection unit 64, when the light receiving unit 63 receives a predetermined amount of irregularly reflected light, it is determined that the wafer W is in a normal state without popping out, and the light receiving unit 63 detects the predetermined amount. It is determined that the wafer W has jumped out of the top ring 20 when the irregularly reflected light is no longer received.

【0028】ここで、図4において、投光軸Aに対応
する正反射光軸Aと受光軸Aとのなす角をセンサ傾
斜角度αとして定義する。即ち、対象物(研磨布又はウ
ェハ)の表面に対する垂直線と投光軸Aとのなす角を
θ、投光軸Aと受光軸Aとのなす角をβとして、 α=2θ+β と定義する。なお、本実施形態では、投光軸Aと受光
軸Aとのなす角βが10°である例を説明するが、研
磨布やウェハの表面に形成された薄膜の種類に応じて、
異常時にウェハを最適に検出できるように適宜βを最適
な値に設定することができる。
Here, in FIG. 4, the angle formed by the regular reflection optical axis A 3 corresponding to the projection axis A 1 and the light receiving axis A 2 is defined as a sensor inclination angle α. In other words, α = 2θ + β, where θ is an angle formed by a vertical line with respect to the surface of the object (polishing cloth or wafer) and the projection axis A 1, and β is an angle formed by the projection axis A 1 and the light receiving axis A 2. Define. In the present embodiment, an example in which the angle β formed by the light projecting axis A 1 and the light receiving axis A 2 is 10 ° will be described. However, depending on the type of thin film formed on the surface of the polishing cloth or the wafer,
Β can be appropriately set to an optimal value so that the wafer can be optimally detected when an abnormality occurs.

【0029】図7は、ウェハセンサ60における研磨布
又はウェハの検出限界を検証した結果を示すグラフであ
る。図7においては、横軸は対象物(研磨布又はウェ
ハ)とウェハセンサ60との間の距離L(図4参照)を
示している。また、縦軸は対象物(研磨布又はウェハ)
を検出できる最大のセンサ傾斜角度α(図4参照)、即
ち検出限界角度を示しており、この検出限界角度よりも
大きなセンサ傾斜角度においては受光部における受光量
が小さくなり過ぎて対象物を検知することができないこ
とを意味している。従って、ドライな状態においては、
図7に示した斜線部分の範囲において研磨布とウェハと
の区別ができることを意味しており、この範囲において
ウェハがトップリングから飛び出したことを検知するこ
とができる。なお、図7の点Rは最適と考えられる点で
ある。
FIG. 7 is a graph showing the result of verifying the detection limit of the polishing cloth or the wafer in the wafer sensor 60. In FIG. 7, the horizontal axis represents the distance L (see FIG. 4) between the object (polishing cloth or wafer) and the wafer sensor 60. The vertical axis is the object (polishing cloth or wafer)
Shows the maximum sensor tilt angle α (see FIG. 4) that can detect the object, that is, the detection limit angle. At a sensor tilt angle larger than this detection limit angle, the amount of light received by the light receiving unit becomes too small to detect an object. It means that you cannot do it. Therefore, in the dry state,
This means that the polishing cloth and the wafer can be distinguished in the shaded area shown in FIG. 7, and it is possible to detect that the wafer has jumped out of the top ring in this area. The point R in FIG. 7 is considered to be the optimum point.

【0030】このように、本発明によれば、投光部62
の投光軸Aを傾斜させ、この投光により生ずる乱反射
光の光量の変化に基づいてウェハのトップリングからの
飛び出しを検知するようにしたので、ウェハがトップリ
ングから飛び出したことを効果的に検知することがで
き、従来では検知することができなかった材料を使用し
たウェハに対しても飛び出しを検知することが可能とな
った。
Thus, according to the present invention, the light projecting portion 62
The projection axis A 1 of the wafer is tilted, and the projection of the wafer from the top ring is detected based on the change in the amount of diffusely reflected light generated by the projection. Therefore, it is effective that the wafer is projected from the top ring. It has become possible to detect pop-out even on a wafer using a material that could not be detected in the past.

【0031】次に、このような構成のポリッシング装置
を用いて、半導体ウェハの研磨処理を行う場合の動作に
ついて説明する。まず、ロボットアーム50により搬送
されてきた未研磨のウェハはプッシャー51に渡され
る。トップリング20は、プッシャー51のウェハ受渡
位置52において、未研磨のウェハWをそのガイドリン
グ内に収まるように受け取り、ウェハを真空吸着により
その下面に吸着する。そして、トップリングアーム21
を矢印C方向に旋回させて研磨テーブル11上の所定の
研磨位置で研磨布10の上面に該ウェハWの被研磨面を
当接させて研磨する。研磨テーブル11の矢印A方向の
回転及びトップリング20の矢印E方向の回転によりウ
ェハWの被研磨面を研磨する。この研磨に際して、研磨
液供給ノズル14から研磨液が供給される。
Next, the operation of polishing a semiconductor wafer using the polishing apparatus having such a structure will be described. First, the unpolished wafer carried by the robot arm 50 is passed to the pusher 51. At the wafer transfer position 52 of the pusher 51, the top ring 20 receives the unpolished wafer W so as to fit in the guide ring, and sucks the wafer on its lower surface by vacuum suction. And the top ring arm 21
Is rotated in the direction of arrow C, and the surface to be polished of the wafer W is brought into contact with the upper surface of the polishing pad 10 at a predetermined polishing position on the polishing table 11 for polishing. The surface to be polished of the wafer W is polished by rotating the polishing table 11 in the direction of arrow A and rotating the top ring 20 in the direction of arrow E. At the time of this polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 14.

【0032】研磨が終了すると、トップリング20は矢
印C方向に旋回してプッシャー51で該ウェハWをプッ
シャーに受け渡す。ロボットアーム50は該プッシャー
から研磨済みのウェハWを受け取り、次の工程へと搬送
する。
When the polishing is completed, the top ring 20 turns in the direction of arrow C and the pusher 51 transfers the wafer W to the pusher. The robot arm 50 receives the polished wafer W from the pusher and transfers it to the next step.

【0033】ここで、未研磨のウェハWをプッシャー5
1からトップリング20に受け渡す際、受渡しが正常に
行われていれば、ウェハWはガイドリング20a(図8
参照)の内側に収容されることになる。従って、研磨動
作に入って、研磨布とウェハWの相対運動によって生じ
る摩擦力と研磨液による表面張力とがウェハWに作用し
てウェハWがトップリング20の外に飛び出そうとして
も、このガイドリング20aに阻止され、トップリング
20の外に飛び出ることはない。
Here, the unpolished wafer W is pushed by the pusher 5
1 is transferred to the top ring 20, the wafer W is guided by the guide ring 20a (see FIG. 8) if the transfer is normally performed.
(See) will be housed inside. Therefore, even when the polishing operation is started and the frictional force generated by the relative movement of the polishing cloth and the wafer W and the surface tension of the polishing liquid act on the wafer W to cause the wafer W to jump out of the top ring 20, this guide is used. It is blocked by the ring 20a and does not jump out of the top ring 20.

【0034】ところが、プッシャーからトップリング2
0へのウェハWの受渡しが正常に行われない場合、図8
に示すように、ウェハWがトップリング20のガイドリ
ング20aに乗り上げてしまうという現象が発生する。
この状態でウェハWを研磨布10の上面に当接させて研
磨を行うと、上述したように研磨布とウェハWの相対運
動によって生じる摩擦力と研磨液による表面張力とがウ
ェハWに作用して、ウェハWがトップリング20の外に
容易に飛び出してしまう。
However, from the pusher to the top ring 2
When the delivery of the wafer W to 0 is not normally performed,
As shown in, the phenomenon that the wafer W rides on the guide ring 20a of the top ring 20 occurs.
When the wafer W is brought into contact with the upper surface of the polishing pad 10 in this state to perform polishing, the frictional force generated by the relative movement of the polishing pad and the wafer W and the surface tension of the polishing liquid act on the wafer W as described above. As a result, the wafer W easily pops out of the top ring 20.

【0035】ウェハWがトップリング20から外へ飛び
出ると、ウェハWは研磨テーブル11と共に回転し、研
磨テーブル11が1回転すると該ウェハWはトップリン
グ20に衝突する。この衝突の衝撃によりウェハW自身
の破損、ガイドリング20aやバッキング材(トップリ
ング下面に張付けた、弾性を有するフィルム)などのト
ップリング20構成部材の破損及び損傷を招くおそれが
ある。更に、トップリング20への衝突の衝撃によりウ
ェハWが突き飛ばされ、装置の構成部材に衝突し、ウェ
ハW自身の破損、研磨布10やドレッサー30等のポリ
ッシング装置を構成する機器や部材の損傷を招くおそれ
がある。
When the wafer W jumps out of the top ring 20, the wafer W rotates together with the polishing table 11, and when the polishing table 11 makes one rotation, the wafer W collides with the top ring 20. Due to the impact of this collision, the wafer W itself may be damaged, and the components of the top ring 20 such as the guide ring 20a and the backing material (film having elasticity attached to the lower surface of the top ring) may be damaged or damaged. Further, the wafer W is ejected by the impact of the collision with the top ring 20 and collides with the components of the apparatus, which may damage the wafer W itself or damage to the polishing cloth 10, the dresser 30, and other equipment and members that configure the polishing apparatus. May invite.

【0036】本実施形態では、ウェハWの一部がトップ
リング20の外側へ飛び出した場合に、上述したように
ウェハセンサ60が直ちにこれを検知し、研磨テーブル
11やトップリング20の回転を停止する。また、トッ
プリングアーム21の中に設けられた図示しないエアシ
リンダー等の昇降機構により、トップリング20を上昇
させてもよい。これにより、飛び出したウェハWが、研
磨テーブル11が一回転してトップリング20に衝突す
る前に研磨処理が中止され、ウェハW自身の破損、構成
機器や部材の損傷の発生を未然に防止することができ
る。
In the present embodiment, when a part of the wafer W jumps to the outside of the top ring 20, the wafer sensor 60 immediately detects it as described above and stops the rotation of the polishing table 11 and the top ring 20. . Further, the top ring 20 may be lifted by an elevating mechanism such as an air cylinder (not shown) provided in the top ring arm 21. As a result, the polishing process is stopped before the protruding wafer W collides with the top ring 20 after the polishing table 11 makes one rotation, and the wafer W itself is prevented from being damaged or the constituent devices or members are damaged. be able to.

【0037】このように、ウェハWのトップリング20
からの飛び出しをウェハセンサ60で検知し、この検知
信号で研磨テーブル11の回転及びトップリング20の
回転を直ちに停止することにより、ウェハ飛び出しによ
るウェハW自身の破損、トップリング20のガイドリン
グや研磨テーブル11上の研磨布10やバッキング材及
びドレッシング部材等の構成機器及び部材の損傷を招く
おそれがなくなる。
In this way, the top ring 20 of the wafer W is
The wafer sensor 60 detects the protrusion of the wafer W, and the rotation of the polishing table 11 and the rotation of the top ring 20 are immediately stopped by this detection signal, thereby damaging the wafer W itself due to the protrusion of the wafer, the guide ring of the top ring 20, and the polishing table. There is no possibility of damaging the components such as the polishing cloth 10 on the back surface 11, the backing material and the dressing member and the members.

【0038】上述した実施形態においては、ウェハセン
サ60のケーシング65内において投光部62を上側
に、受光部63を下側に配置した例を説明したが、投光
部62を下側に、受光部63を上側に配置することもで
きる。
In the above-described embodiment, an example in which the light projecting portion 62 is arranged on the upper side and the light receiving portion 63 is arranged on the lower side in the casing 65 of the wafer sensor 60 has been described, but the light projecting portion 62 is arranged on the lower side. The part 63 can also be arranged on the upper side.

【0039】また、上述の実施形態では、研磨布によっ
て研磨面を構成する例について説明したが、これに限ら
れるものではなく、例えば、微細な砥粒(CeO等か
らなる)を樹脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面
を研磨面として構成することもできる。また、ベルト状
の研磨パッドや研磨テープなどを研磨面として構成する
こともできる。
Further, in the above-described embodiment, an example in which the polishing surface is constituted by a polishing cloth has been described, but the present invention is not limited to this. For example, fine abrasive grains (comprising CeO 2 etc.) made of resin or the like may be used. The upper surface of the fixed abrasive plate hardened with a binder may be used as a polishing surface. Further, a belt-shaped polishing pad, a polishing tape, or the like can be used as the polishing surface.

【0040】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
Although one embodiment of the present invention has been described so far, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment and may be implemented in various different forms within the scope of the technical idea thereof.

【0041】[0041]

【発明の効果】上述したように、本発明に係る目的物の
検知器によれば、投光部の投光軸を傾斜させ、この投光
により生ずる乱反射光の光量の変化に基づいて目的物の
存在を検出することができる。また、このような検知器
を備えたポリッシング装置によれば、ウェハがトップリ
ングから飛び出したことを効果的に検知することがで
き、従来では検知することができなかった材料を使用し
たウェハに対しても飛び出しを検知することが可能とな
る。また、投光軸を傾斜させるため、検知器をトップリ
ングの近傍に配置する必要が必ずしもないので、検知器
の設置に際しての自由度が高まると同時に、研磨に用い
るスラリ等によって検知器にかかることもなく正確な検
知が可能となる。
As described above, according to the object detector of the present invention, the object axis is tilted, and the object is detected based on the change in the quantity of irregularly reflected light caused by the light projection. The presence of can be detected. Further, according to the polishing apparatus equipped with such a detector, it is possible to effectively detect that the wafer has jumped out of the top ring, and for a wafer using a material that could not be conventionally detected. Even then, it is possible to detect the pop-out. Also, since the projection axis is tilted, it is not always necessary to place the detector near the top ring, so the degree of freedom in installing the detector is increased, and at the same time, the slurry used for polishing may affect the detector. Without this, accurate detection is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態におけるポリッシング装置
の全体構成を示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an overall configuration of a polishing device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view of FIG.

【図3】図2のIII−III線断面図である。3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.

【図4】本発明の一実施形態におけるウェハセンサを示
す概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a wafer sensor according to an embodiment of the present invention.

【図5】図4に示すウェハセンサを用いて研磨布に投光
した状態を示す概略図である。
5 is a schematic view showing a state in which light is projected on a polishing cloth using the wafer sensor shown in FIG.

【図6】図4に示すウェハセンサを用いてウェハに投光
した状態を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic view showing a state in which light is projected onto a wafer using the wafer sensor shown in FIG.

【図7】図4に示すウェハセンサにおける研磨布又はウ
ェハの検出限界を検証した結果を示すグラフである。
7 is a graph showing a result of verifying a detection limit of a polishing cloth or a wafer in the wafer sensor shown in FIG.

【図8】半導体ウェハがトップリングに正常に装着され
ない場合の状態を示す概略図である。
FIG. 8 is a schematic view showing a state where the semiconductor wafer is not normally mounted on the top ring.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 研磨布 11 研磨テーブル 12 カバー 13 テーブル軸 14 研磨液供給ノズル 15 ノズルアーム 20 トップリング 20a ガイドリング 21 トップリングアーム 22 トップリングシャフト 30 ドレッサー 31 ドレッサーアーム 32 ドレッサー待機位置 40 ケーシング 50 ロボットアーム 51 プッシャー 52 ウェハ受渡位置 60 ウェハセンサ 61 センサ支持アーム 62 投光部 63 受光部 64 検出部 65 ケーシング 10 polishing cloth 11 polishing table 12 covers 13 table axis 14 Polishing liquid supply nozzle 15 nozzle arm 20 top ring 20a guide ring 21 Top Ring Arm 22 Top ring shaft 30 dresser 31 Dresser Arm 32 Dresser standby position 40 casing 50 robot arm 51 pusher 52 Wafer delivery position 60 wafer sensor 61 Sensor support arm 62 Projector 63 Light receiving part 64 detector 65 casing

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対象物に対して傾斜した投光軸を有する
投光部と、 前記投光軸に対応する正反射光軸とは反対側に位置する
受光軸を有する受光部と、 前記受光部の受光量の変化によって目的物の存在を検出
する検出部とを備えたことを特徴とする目的物の検知
器。
1. A light projecting portion having a light projecting axis inclined with respect to an object, a light receiving section having a light receiving axis located on the opposite side of a specular reflection optical axis corresponding to the light projecting axis, and the light receiving section. A detector for a target object, comprising: a detection unit that detects the presence of the target object based on a change in the amount of light received by the unit.
【請求項2】 研磨面を有する研磨テーブルと、 研磨対象物を保持して前記研磨面に押圧するトップリン
グと、 請求項1に記載の検知器とを備え、 前記検知器によって前記研磨対象物の前記トップリング
からの飛び出しを検知することを特徴とするポリッシン
グ装置。
2. A polishing table having a polishing surface, a top ring for holding a polishing object and pressing it against the polishing surface, and the detector according to claim 1, wherein the polishing object is provided by the detector. A polishing device for detecting a protrusion from the top ring.
【請求項3】 対象物に対して傾斜した位置から投光
し、 前記投光により生ずる乱反射光の光量の変化によって目
的物の存在を検出することを特徴とする目的物の検知方
法。
3. A method of detecting a target object, which comprises projecting light from a position inclined with respect to the target object and detecting the presence of the target object by a change in the amount of diffusely reflected light generated by the projection.
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