JP2003059398A - Method of manufacturing panel-like airtight vessel - Google Patents

Method of manufacturing panel-like airtight vessel

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JP2003059398A
JP2003059398A JP2001245170A JP2001245170A JP2003059398A JP 2003059398 A JP2003059398 A JP 2003059398A JP 2001245170 A JP2001245170 A JP 2001245170A JP 2001245170 A JP2001245170 A JP 2001245170A JP 2003059398 A JP2003059398 A JP 2003059398A
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JP
Japan
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chamber
processing
outer frame
processing chamber
treatment
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Withdrawn
Application number
JP2001245170A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Kaneko
哲也 金子
Kohei Nakada
耕平 中田
Toshihiko Miyazaki
俊彦 宮崎
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a sealing material prearranged on a face plate 21 from protruding from a prescribed position by being fluidized by heat when baking the face plate 21 and a rear plate 20 performed before sealing in a sealing chamber 7 without restricting the baking condition of the face plate 21 and the rear plate 20 for constituting an image display panel 19. SOLUTION: The rear plate 20 and the face plate 21 for constituting the obverse - reverse of the image display panel 19 and an outer frame 22 for constituting a peripheral side wall are separated. A sealing material is prearranged in the outer frame 22. The rear plate 20 and the face plate 21 are separated from this outer frame 22, and are carried to substrate baking chambers 2 and 10 before sealing to perform baking.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表裏面を構成する
一対の基板を、周側壁を構成する外枠を挟んで対向さ
せ、周囲を封着材で気密状態に封着することで、密封さ
れた隙間を有するパネル状気密容器を製造する方法に関
する。更に具体的には、例えば、表面である表示面を構
成するフェースプレートと、裏面を構成するリアプレー
トとを、周側壁を構成する外枠を挟んで対向させて封着
することで形成される画像表示パネルなどの製造に用い
られるパネル状気密容器の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention makes a pair of substrates constituting the front and back sides face each other with an outer frame constituting a peripheral side wall interposed therebetween, and hermetically seals the periphery by a sealing material to hermetically seal. The present invention relates to a method for manufacturing a panel-shaped airtight container having a closed gap. More specifically, for example, it is formed by sealing a face plate that constitutes the display surface, which is the front surface, and a rear plate that constitutes the back surface, facing each other with an outer frame that constitutes the peripheral side wall interposed therebetween. The present invention relates to a method for manufacturing a panel-shaped hermetic container used for manufacturing an image display panel and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば画像表示パネルなどのパネ
ル状気密容器は、内部空間容積がきわめて小さく、封着
後に内壁面などからガスの放出があった場合に、内部の
真空度が大きく低下しやすいことから、構成部材を、ベ
ーク処理室及び封着処理室を含む減圧された複数の処理
室を有する一連の処理装置へ搬入して順次処理室間を搬
送し、ベーク処理により、構成部材に付着又は吸着され
ている水分やガスを除去した後、高真空度に保たれた封
着処理室で封着する方法が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a panel-shaped hermetic container such as an image display panel has an extremely small internal space volume, and when gas is released from the inner wall surface after sealing, the degree of vacuum inside is greatly lowered. Since it is easy, the constituent members are carried into a series of processing apparatuses having a plurality of depressurized processing chambers including a bake processing chamber and a sealing processing chamber, sequentially transported between the processing chambers, and the baking treatment is performed to form the constituent members. There is known a method of removing water or gas that has been attached or adsorbed and then sealing in a sealing treatment chamber kept at a high degree of vacuum.

【0003】更に具体的に説明すると、特開2000−
315458号公報及びWO00/60634号公報に
は、蛍光体を有するフェースプレートを、ベーク処理室
に搬送してベーク処理し、冷却処理室で冷却してからゲ
ッタ処理室へ搬送して内面にゲッタ膜を被着させた後、
更にアライメント処理室を介して封着処理室へ搬送する
一方、電子源を有するリアプレートを上記フェースプレ
ートとは別途ベーク処理室に搬送してベーク処理し、冷
却処理室で冷却してからアライメント処理室を介して封
着処理室へ搬送し、アライメント処理室でアライメント
された上記フェースプレートとリアプレートを、予めフ
ェースプレートの溝内に入れておいた封着材を用いて封
着室で封着して画像表示パネルを製造することが提案さ
れており、特に画像表示パネルの周側壁を構成する外枠
は、工程を容易化するために、予めリアプレートに固定
しておくことが推奨されている。
More specifically, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-
No. 315458 and WO00 / 60634 disclose that a face plate having a phosphor is conveyed to a bake treatment chamber for bake treatment, cooled in a cooling treatment chamber, and then conveyed to a getter treatment chamber to obtain a getter film on the inner surface. After applying
Further, the rear plate having an electron source is transferred to a bake processing chamber separately from the face plate for bake treatment while being transported to the sealing treatment chamber through the alignment treatment chamber, cooled in the cooling treatment chamber, and then subjected to alignment treatment. The face plate and the rear plate, which have been conveyed to the sealing treatment chamber through the chamber and aligned in the alignment treatment chamber, are sealed in the sealing chamber using the sealing material that has been placed in the groove of the face plate in advance. It has been proposed to manufacture an image display panel by using it, and in particular, it is recommended that the outer frame that constitutes the peripheral side wall of the image display panel be fixed to the rear plate in advance in order to facilitate the process. There is.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、特に内部へ
の露出面積が大きいリアプレートとフェースプレート
は、付着又は吸着されている水分及びガスを十分放出除
去できる高温下でベーク処理を施すことが好ましい。
By the way, it is preferable that the rear plate and the face plate, which have a large exposed area to the inside, be baked at a high temperature at which the adhering or adsorbing water and gas can be sufficiently released and removed. .

【0005】しかしながら、上記従来の方法では、予め
フェースプレートに封着材が設けられているため、フェ
ースプレートのベーク処理時の熱によって封着材が流動
化し、搬送時の揺れや振動で、溝内からはみ出てしま
い、製造される画像表示パネルの機能を損ないやすい問
題がある。また、封着材の流動化を防止しようとする
と、フェースプレートのベーク処理条件が制限され、十
分な水分やガスの除去が得られなくなる問題を生じる。
However, in the above-mentioned conventional method, since the sealing material is provided on the face plate in advance, the sealing material is fluidized by the heat when the face plate is baked, and the groove is generated due to the shaking and vibration during the transportation. There is a problem in that the function of the manufactured image display panel is likely to be impaired because it may protrude from the inside. In addition, if it is attempted to prevent the fluidization of the sealing material, the bake processing conditions of the face plate are limited, and there arises a problem that sufficient removal of water and gas cannot be obtained.

【0006】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、ベーク処理時の熱による封着材の流動化に
伴う所定位置からのはみ出しを、パネル状気密容器を構
成する基板のベーク処理条件の制約なく防止できるよう
にすることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and the protrusion of the substrate forming the panel-like hermetic container from the predetermined position due to the fluidization of the sealing material due to the heat during the baking treatment is performed. The purpose is to be able to prevent without restriction of the baking processing condition.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、パネル状気密容器の表裏面を構成する一
対の基板と周側壁を構成する外枠とを、少なくとも封着
処理室を含む減圧された複数の処理室を有する一連の処
理装置へ搬入して順次処理室間を搬送し、所定の処理を
経た前記一対の基板と外枠とを、封着材を用いて前記封
着処理室で封着処理するパネル状気密容器の製造方法に
おいて、前記処理装置の処理室として、少なくとも前記
一対の基板が前記封着処理室への搬送に先立って搬送さ
れる基板ベーク処理室を設けると共に、前記外枠に予め
前記封着材を設けておき、少なくとも前記一対の基板を
前記外枠とは分けて前記基板ベーク処理室に搬送してベ
ーク処理を施すことを特徴とするパネル状気密容器の製
造方法を提供するものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides at least a sealing treatment chamber in which at least a pair of substrates constituting the front and back surfaces of a panel-shaped hermetic container and an outer frame constituting a peripheral side wall are provided. The plurality of substrates and the outer frame, which have been subjected to a predetermined process, are sealed by using a sealing material. In the method for manufacturing a panel-shaped airtight container for performing a sealing process in a deposition processing chamber, a substrate baking processing chamber in which at least the pair of substrates is transferred prior to being transferred to the sealing processing chamber, as the processing chamber of the processing device. A panel shape characterized by being provided with the sealing material in advance in the outer frame and carrying at least the pair of substrates separately from the outer frame to the substrate baking processing chamber to perform a baking process. Providing a method for manufacturing an airtight container Than it is.

【0008】上記本発明によれば、予め封着材が設けら
れているのは、パネル状気密容器内への露出面積が小さ
く、高温のベーク処理を施さなくてもパネル状気密容器
内の真空度維持に与える影響が小さい外枠であると共
に、この外枠は基板とは分離されていて、基板のベーク
処理時に基板とは分けられることから、パネル状気密容
器内の真空度維持に与える影響が大きい基板に高温のベ
ーク処理を施しても、この基板へのベーク処理に伴う封
着材の流動化を防止することができるものである。
According to the present invention, the sealing material is provided in advance because the area exposed to the panel-like airtight container is small and the vacuum in the panel-like airtight container is achieved without performing a high temperature baking process. The outer frame has a small effect on the maintenance of the degree of vacuum, and since this outer frame is separated from the substrate and is separated from the substrate during the baking process of the substrate, it has an effect on the maintenance of the degree of vacuum in the panel airtight container. Even if a substrate having a large size is baked at a high temperature, it is possible to prevent the sealing material from being fluidized due to the baking process.

【0009】また、上記本発明は、前記基板ベーク処理
室を、一対の基板を構成する2つの基板のそれぞれにつ
いて設け、該2つの基板をそれぞれ別の基板ベーク処理
室に搬送してベーク処理を施すこと、前記基板ベーク処
理室における基板のベーク処理の加熱条件を、基板に吸
着されたガスが放出される温度以上とすること、前記処
理装置の処理室として、外枠が封着処理室への搬送に先
立って搬送される外枠ベーク処理室を設け、前記外枠を
前記基板とは分けて該外枠ベーク処理室に搬送してベー
ク処理を施すこと、外枠ベーク処理室における外枠のベ
ーク処理の加熱条件を、外枠に付着又は吸着されている
水分の放出温度以上で、予め外枠に設けられた封着材の
流動化温度未満とすること、一対の基板と外枠とを分離
された状態のまま封着処理室へ搬送すること、外枠を、
予め設けられた封着材を用いて、基板ベーク処理室にお
けるベーク処理を経たいずれか一方の基板にセットして
封着処理室へ搬送すること、外枠を、外枠ベーク処理室
におけるベーク処理後、予め設けられた封着材を用い
て、基板ベーク処理室におけるベーク処理を経たいずれ
か一方の基板にセットして封着処理室へ搬送すること、
をその好ましい態様として含むものである。
Further, according to the present invention, the substrate baking processing chamber is provided for each of the two substrates forming a pair of substrates, and the two substrates are transferred to different substrate baking processing chambers to perform the baking treatment. The heating condition for the baking treatment of the substrate in the substrate baking treatment chamber is equal to or higher than the temperature at which the gas adsorbed to the substrate is released, and the outer frame serves as a sealing treatment chamber as the processing chamber of the treatment device. An outer frame bake processing chamber that is transferred prior to the transfer of the outer frame bake processing chamber, and the outer frame is conveyed to the outer frame bake processing chamber separately from the substrate for bake processing; The heating condition of the bake treatment is not less than the release temperature of the moisture attached or adsorbed to the outer frame and less than the fluidization temperature of the sealing material previously provided in the outer frame, and the pair of substrate and outer frame. Remains separated Be transported to the destination processing chamber, the outer frame,
Using the sealing material provided in advance, set it on one of the substrates that has undergone the baking process in the substrate baking process chamber and transfer it to the sealing process chamber. The outer frame is baked in the outer frame bake process chamber. After that, using a sealing material provided in advance, set to one of the substrates that have undergone the baking treatment in the substrate baking treatment chamber and convey the substrate to the sealing treatment chamber.
Is included as a preferred embodiment thereof.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、画像表示パ
ネルの製造を例に、本発明を更に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be further described below with reference to the drawings by taking the manufacture of an image display panel as an example.

【0011】図1(a)は、本発明の製造方法に用いる
製造装置の第1の例を模式的に示す図で、図1(b)〜
(d)は、図1(a)における外枠処理ライン、リアプ
レート〜封着処理ライン、フェースプレート処理ライン
における各処理対象部材の温度プロファイルと各処理室
の真空度プロファイルを示すものである。
FIG. 1 (a) is a diagram schematically showing a first example of a manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention.
1D shows the temperature profile of each processing target member and the vacuum degree profile of each processing chamber in the outer frame processing line, rear plate to sealing processing line, and face plate processing line in FIG. 1A.

【0012】図1(a)において、中段のラインがリア
プレート処理ラインで、1は前処理室、2は基板ベーク
処理室、3は表面浄化処理室、4は冷却処理室、5はチ
ャンバゲッタ処理室、6は組み立て処理室、7は封着処
理室、8は後処理室で、前処理室1からチャンバゲッタ
処理室5までがリアプレート処理ラインで、これに続く
組み立て処理室6から後処理室までが封着処理ラインで
ある。リアプレート処理ラインについては図2に拡大し
て示し、封着処理ラインについては図5に拡大して示
す。
In FIG. 1A, the middle line is a rear plate processing line, 1 is a pretreatment chamber, 2 is a substrate baking treatment chamber, 3 is a surface cleaning treatment chamber, 4 is a cooling treatment chamber, 5 is a chamber getter. A processing chamber, 6 is an assembly processing chamber, 7 is a sealing processing chamber, 8 is a post-processing chamber, pre-processing chamber 1 to chamber getter processing chamber 5 is a rear plate processing line, and subsequent assembly processing chamber 6 is a rear plate processing line. The sealing processing line extends to the processing chamber. The rear plate processing line is shown enlarged in FIG. 2, and the sealing processing line is shown enlarged in FIG.

【0013】図1(a)において、下段のラインがフェ
ースプレート処理ラインで、9は前処理室、10は基板
ベーク処理室、11は表面浄化処理室、12は冷却処理
室、13はチャンバゲッタ処理室、14はパネルゲッタ
処理室で、このパネルゲッタ処理室14が、上記封着ラ
インにおける組み立て処理室6に接続されている。この
フェースプレート処理ラインについては、図3に拡大し
て示す。
In FIG. 1A, the lower line is a face plate processing line, 9 is a pretreatment chamber, 10 is a substrate baking treatment chamber, 11 is a surface cleaning treatment chamber, 12 is a cooling treatment chamber, and 13 is a chamber getter. A processing chamber 14 is a panel getter processing chamber, and the panel getter processing chamber 14 is connected to the assembly processing chamber 6 in the sealing line. This face plate processing line is shown enlarged in FIG.

【0014】図1(a)において、上段のラインが外枠
処理ラインで、15は前処理室、16は外枠ベーク処理
室、17は冷却処理室、18はチャンバゲッタ処理室
で、このチャンバゲッタ処理室18が、上記封着ライン
における組み立て処理室6に接続されている。この外枠
処理ラインについては、図4に拡大して示す。
In FIG. 1A, the upper line is an outer frame processing line, 15 is a pretreatment chamber, 16 is an outer frame bake treatment chamber, 17 is a cooling treatment chamber, and 18 is a chamber getter treatment chamber. The getter processing chamber 18 is connected to the assembly processing chamber 6 in the sealing line. This outer frame processing line is shown enlarged in FIG.

【0015】上記リアプレート処理ライン、フェースプ
レート処理ライン及び外枠処理ラインは、それぞれパネ
ル状の気密容器である画像表示パネル19の構成部材を
それぞれ図中矢印で示される方向に搬送処理するもの
で、2枚の基板のうちの1枚であるリアプレート(以下
「RP」と記す。)20はリアプレート処理ラインへ搬
入され、もう1枚であるフェイスプレート(以下「F
P」と記す。)21はフェースプレート処理ラインへ搬
入され、画像表示パネル19の周側壁を構成する外枠2
2は外枠処理ラインへ搬入されるものとなっている。ま
た、リアプレート処理ラインへ搬入されたRP20と、
フェースプレート処理ラインへ搬入されたFP21と、
外枠処理ラインへ搬入された外枠22とは、それぞれ搬
送ユニット23,24,25によって順次封着ラインの
組み立て処理室6へと搬送され、この組み立て処理室6
で合流し、リアプレート処理ラインと一連の搬送ユニッ
ト23で封着処理室7へ送られて封着されて、画像表示
パネル18が形成されるものである。
The rear plate processing line, the face plate processing line, and the outer frame processing line are for carrying the respective constituent members of the image display panel 19 which is a panel-shaped airtight container in the directions indicated by the arrows in the figure. The rear plate (hereinafter referred to as “RP”) 20 which is one of the two substrates is carried into the rear plate processing line, and the other face plate (hereinafter referred to as “F”).
"P". ) 21 is carried into the face plate processing line, and the outer frame 2 constituting the peripheral side wall of the image display panel 19
2 is carried in to the outer frame processing line. Also, with the RP20 carried into the rear plate processing line,
FP21 carried into the face plate processing line,
The outer frame 22 carried into the outer frame processing line is sequentially transported to the assembly processing chamber 6 of the sealing line by the transport units 23, 24, 25, respectively.
The image display panel 18 is formed by merging with the rear plate processing line and the rear plate processing line and a series of transport units 23 to be sent to the sealing processing chamber 7 and sealed.

【0016】以下、各処理ラインについて更に説明す
る。
Each processing line will be further described below.

【0017】(1)リアプレート処理ライン まず、図2に基づいて、リアプレート処理ラインの各処
理室について説明する。
(1) Rear Plate Processing Line First, each processing chamber of the rear plate processing line will be described with reference to FIG.

【0018】リアプレート処理ラインは、RP20が搬
入され、このRP20を前述した封着処理ラインの組み
立て処理室6に搬送するまでの間に必要な処理を行うラ
インで、前処理室1、基板ベーク処理室2、表面浄化処
理室3、冷却処理室4、チャンバゲッタ処理室5の順に
直列に接続され、チャンバゲッタ処理室5は封着処理ラ
インの組み立て処理室6に接続されている。各処理室
は、それぞれ真空ポンプで排気され、必要な真空雰囲気
を形成できるようになっている。
The rear plate processing line is a line for performing necessary processing before the RP 20 is loaded and conveyed to the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line described above. The processing chamber 2, the surface purification processing chamber 3, the cooling processing chamber 4, and the chamber getter processing chamber 5 are connected in series in this order, and the chamber getter processing chamber 5 is connected to the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line. Each processing chamber is evacuated by a vacuum pump so that a necessary vacuum atmosphere can be formed.

【0019】前処理室1と大気間、並びに、各処理室の
間は、ゲートバルブ26〜31で隔てられている。RP
20は、ゲートバルブ26〜31を開閉させて、前処理
室7に搬入されてた後、搬送ユニット23により、ベー
ク処理室2、表面浄化処理室3、冷却処理室4、チャン
バゲッタ処理室5、更に組み立て処理室6へと順次搬送
されるものである。
Gate valves 26 to 31 separate the pretreatment chamber 1 from the atmosphere and the respective treatment chambers. RP
After the gate valve 26 to 31 is opened and closed to be loaded into the pretreatment chamber 7, the transport unit 23 causes the bake treatment chamber 2, the surface purification treatment chamber 3, the cooling treatment chamber 4, and the chamber getter treatment chamber 20 to be transported. Further, it is sequentially transported to the assembly processing chamber 6.

【0020】RP20は、内面側に電子放出素子(図示
されていない。)が形成された基板で、画像表示パネル
19(図1参照)の背面を構成する部材である。また、
本例におけるRP20の内面側には、適宜の位置に、形
成する画像表示パネル19に耐大気圧構造を付与するた
めのスペーサ32が予め固定されたものとなっている。
The RP 20 is a substrate having an electron-emitting device (not shown) formed on the inner surface side, and is a member constituting the back surface of the image display panel 19 (see FIG. 1). Also,
On the inner surface side of the RP 20 in this example, a spacer 32 for imparting an atmospheric pressure resistant structure to the image display panel 19 to be formed is fixed in advance at an appropriate position.

【0021】前処理室1は、ゲートバルブ27を閉じ、
内部が大気圧となった状態でゲートバルブ26を開き、
RP20が搬入された後、ゲートバルブ26を閉じて内
部を所定の減圧状態まで排気してからゲートバルブ27
を開いて、RP20を基板ベーク処理室2へと送り出す
もので、RP20の搬入によって、ベーク処理室2以降
の処理室の真空雰囲気が損なわれないようにする処理室
である。前処理室1は、RP20を基板ベーク処理室2
へ送り出した後、ゲートバルブ27を閉じて、再度大気
圧まで徐々に昇圧されて、次のRP20の搬入に備える
ことになる。
In the pretreatment chamber 1, the gate valve 27 is closed,
Open the gate valve 26 with the inside atmospheric pressure,
After the RP 20 is loaded, the gate valve 26 is closed to evacuate the inside to a predetermined depressurized state, and then the gate valve 27.
Is opened and the RP 20 is sent to the substrate bake processing chamber 2. This is a processing chamber that prevents the vacuum atmosphere in the processing chambers after the bake processing chamber 2 from being damaged by the loading of the RP 20. The pre-treatment chamber 1 uses the RP 20 for the substrate baking treatment chamber 2
Then, the gate valve 27 is closed and the pressure is gradually raised to atmospheric pressure again to prepare for the next loading of the RP 20.

【0022】基板ベーク処理室2は、搬送されてきたR
P20を温度制御手段33に保持して減圧下で加熱し、
RP20に付着又は吸着されている水分、ガスなどを放
出させるベーク処理を行うためのものである。
The substrate baking processing chamber 2 is transferred to the R
P20 is held in the temperature control means 33 and heated under reduced pressure,
This is for performing a baking process for releasing moisture, gas, etc. attached or adsorbed to the RP 20.

【0023】温度制御手段は33は、RP20を位置決
め保持した状態で、RP20と共に搬送ユニット23で
搬送されれるもので、小さな処理室容積で必要な処理を
行うことができるようにする上で、RP20を垂直もし
くは斜めに立てた状態で保持できるものが好ましい。ま
た、温度制御手段33は、RP20を脱落させることな
く十分な力で保持できるチャックを有するものとするこ
とが好ましい。このチャックとしては、例えば、RP2
0の周辺をツメなどで機械的に掴む機械方式、静電気に
より吸着する静電方式、真空吸引により吸着する真空方
式などのものを用いることができる。このような温度制
御手段33としては、位置決めするための突き当てピン
と上記チャックとを備えたホットプレートを用いること
ができる。
The temperature control means 33 is carried by the carrying unit 23 together with the RP 20 in a state where the RP 20 is positioned and held, and the RP 20 is used in order to carry out necessary processing with a small processing chamber volume. It is preferable that it can be held vertically or obliquely. Further, it is preferable that the temperature control means 33 has a chuck that can hold the RP 20 with sufficient force without dropping it. As this chuck, for example, RP2
A mechanical system that mechanically grips the periphery of 0 with a claw or the like, an electrostatic system that attracts by static electricity, a vacuum system that attracts by vacuum suction, and the like can be used. As such a temperature control means 33, a hot plate having a butting pin for positioning and the chuck can be used.

【0024】表面浄化処理室2は、RP20の表面に電
子線、イオン、紫外線あるいはプラズマを照射すること
で、吸着不純物のガス脱離による表面浄化処理を行う処
理室である。本例におけるこの表面浄化処理室3は、電
子銃34が設けられており、電子線35の照射によって
表面浄化処理を行うものとなっているが、上記イオンの
照射、紫外線の照射あるいはプラズマの照射によりRP
20の表面浄化処理を行うものとすることもできる。
The surface cleaning processing chamber 2 is a processing chamber in which the surface of the RP 20 is irradiated with an electron beam, ions, ultraviolet rays or plasma to perform a surface cleaning treatment by desorbing adsorbed impurities. The surface cleaning processing chamber 3 in this example is provided with an electron gun 34, and the surface cleaning processing is performed by irradiation of an electron beam 35. The ion irradiation, the ultraviolet irradiation, or the plasma irradiation is performed. By RP
It is also possible to perform the surface purification treatment of 20.

【0025】冷却処理室4は、搬送されてきたRP20
の降温処理を行う処理室である。この降温処理は、RP
20を保持している温度制御手段33の設定温度を下げ
ることで行うことができる。
The cooling processing chamber 4 is provided with the RP 20 that has been transported.
This is a processing chamber for performing the temperature lowering process. This temperature reduction process is
This can be done by lowering the set temperature of the temperature control means 33 holding 20.

【0026】チャンバゲッタ処理室5は、チャンバゲッ
タ処理室5内に配置されたチャンバゲッタ板36にチャ
ンバゲッタフラッシュ装置37からゲッタ剤をフラッシ
ュしてゲッタ膜を形成し、処理室内の真空度を上げ、次
の組み立て処理室6にRP20を搬送するためにゲート
バルブ31を開いたときに、組み立て処理室6内の真空
度の低下を防ぐための処理室である。38は、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置37から発生されるチャンバゲッ
タフラッシュであり、例えばチャンバゲッタフラッシュ
装置37に内蔵されたバリウムなどの蒸発型ゲッタ剤
を、抵抗加熱などの方法で加熱して瞬間的に蒸発させた
ものである。チャンバゲッタフラッシュ38がチャンバ
ゲッタ板36に被着し、チャンバゲッタとして排気作用
をなすことで、チャンバゲッタ処理室5内の真空度を上
げることができる。
The chamber getter processing chamber 5 flushes the getter agent from the chamber getter flash device 37 on the chamber getter plate 36 arranged in the chamber getter processing chamber 5 to form a getter film, thereby increasing the degree of vacuum in the processing chamber. This is a processing chamber for preventing a decrease in the degree of vacuum in the assembly processing chamber 6 when the gate valve 31 is opened to transfer the RP 20 to the next assembly processing chamber 6. Reference numeral 38 denotes a chamber getter flash generated from the chamber getter flash device 37. For example, an evaporation type getter agent such as barium contained in the chamber getter flash device 37 is heated by a method such as resistance heating to instantaneously evaporate. It was made. The chamber getter flash 38 adheres to the chamber getter plate 36 and performs an exhaust action as a chamber getter, so that the degree of vacuum in the chamber getter processing chamber 5 can be increased.

【0027】次に、リアプレート処理ラインにおける処
理工程について説明する。
Next, the processing steps in the rear plate processing line will be described.

【0028】まず、前処理室1内が大気圧となっている
状態でゲートバルブ26を開き(ゲートバルブ27は閉
じている。)、スペーサ32が事前に固定されたRP2
0を前処理室1に搬入する。搬入は、専用の冶具を用い
て行ってもよいが、RP20をそのまま搬送ユニット2
3で搬送することもできる。RP20の搬入後、ゲート
バルブ26を閉じ、前処理室1内を真空排気し、ゲート
バルブ27の開放に備える。本例においては、図1
(c)に示されるように、10-5Pa台の真空状態にま
で排気している。前処理室1内におけるRP20の温度
は室温である。
First, the gate valve 26 is opened (the gate valve 27 is closed) while the pretreatment chamber 1 is at atmospheric pressure, and the spacer 32 is fixed in advance to the RP2.
0 is loaded into the pretreatment chamber 1. The carry-in unit may be carried in by using a dedicated jig, but the RP 20 is directly carried.
It can also be transported at 3. After loading the RP 20, the gate valve 26 is closed, the inside of the pretreatment chamber 1 is evacuated to prepare for opening the gate valve 27. In this example, FIG.
As shown in (c), the gas is evacuated to a vacuum state on the order of 10 −5 Pa. The temperature of the RP 20 in the pretreatment chamber 1 is room temperature.

【0029】前処理室1内を所定の真空度にまで排気し
た後、ゲートバルブ27を開放し、搬送ユニット23に
より、RP20を前処理室1から基板ベーク処理室2へ
搬送し、この移動後ゲートバルブ27を遮断する。基板
ベーク処理室2に搬送されてきたRP20は、温度制御
手段32に保持され、減圧下での加熱処理であるベーク
処理が施される。このベーク処理によって、RP20に
付着又は吸着されている水素、酸素、水などの不純物質
をガスとして放出して取り除くことができる。RP20
のベーク処理温度は、付着又は吸着されているガス及び
水分をガスとして放出除去できる温度であることが好ま
しく、具体的には300〜400℃であることが好まし
く、350〜380℃であることが特に好ましい。ま
た、このRP20のベーク処理時の圧力は、ベーク処理
に伴うガスの放出により上昇を生じるが、10-4〜10
-5Pa程度であることが好ましい。図示される例におい
ては、図1(c)に示されるように、基板ベーク処理室
2内を10-4Paに減圧すると共に、RP19を380
℃に加熱している。
After evacuating the inside of the pretreatment chamber 1 to a predetermined vacuum degree, the gate valve 27 is opened, and the RP 20 is conveyed from the pretreatment chamber 1 to the substrate baking treatment chamber 2 by the conveyance unit 23, and after this movement. The gate valve 27 is shut off. The RP 20 transferred to the substrate baking processing chamber 2 is held by the temperature control means 32 and is subjected to a baking process that is a heating process under reduced pressure. By this baking treatment, impurities such as hydrogen, oxygen, and water attached to or adsorbed on the RP 20 can be released and removed as a gas. RP20
The baking treatment temperature is preferably a temperature at which the adhering or adsorbing gas and moisture can be released and removed as a gas, and specifically, it is preferably 300 to 400 ° C, and 350 to 380 ° C. Particularly preferred. Further, the pressure of the RP20 during the baking process rises due to the release of gas accompanying the baking process, but it is 10 −4 to 10 −4.
It is preferably about -5 Pa. In the illustrated example, as shown in FIG. 1C, the pressure in the substrate baking processing chamber 2 is reduced to 10 −4 Pa and the RP 19 is set to 380.
It is heated to ℃.

【0030】上記ベーク処理を施した後、ゲートバルブ
28を開いて、RP20を温度制御手段33に載せたま
ま、温度制御手段33と共に表面浄化処理室3に搬送
し、ゲートバルブ28を閉じ、ベーク処理を経たRP2
0を穏やかに温度降下させながら、表面浄化処理を施
す。この表面浄化処理は、前述したように、電子線、イ
オン、紫外線あるいはプラズマを照射することで、表面
に付着又は吸着された吸着不純物のガス脱離による表面
浄化処理を行う処理である。この表面浄化処理室3は、
ベーク処理によって十分ガス及び水分を除去できる場合
には省略することができる。
After performing the above-mentioned baking treatment, the gate valve 28 is opened, the RP 20 is conveyed to the surface cleaning treatment chamber 3 together with the temperature control means 33 while the RP 20 is placed on the temperature control means 33, the gate valve 28 is closed, and the baking is performed. RP2 after processing
The surface cleaning treatment is performed while gently reducing the temperature of 0. As described above, this surface cleaning process is a process of irradiating an electron beam, ions, ultraviolet rays, or plasma to perform a surface cleaning process by desorbing adsorbed impurities adhering to or adsorbed on the surface. This surface purification treatment chamber 3
It can be omitted if the gas and moisture can be sufficiently removed by the baking treatment.

【0031】通常、表面浄化処理は、処理対象がある程
度高温である方が効果的である。従って、表面浄化処理
室3を設ける場合、基板ベーク処理室2の直後に設けて
おくと、ベーク処理の余熱を利用して表面浄化処理効果
を向上させることができるので好ましい。また、表面浄
化処理室3におけるRP20の冷却は、必須のものでは
ないが、次の冷却処理室4で行われる冷却処理時間を短
縮するために行うことが好ましい。この冷却は、温度制
御手段33の温度を下げることで行うことができる。
In general, the surface cleaning treatment is more effective when the object to be treated is at a high temperature to some extent. Therefore, when the surface cleaning processing chamber 3 is provided, it is preferable to provide it immediately after the substrate baking processing chamber 2 because the surface cleaning processing effect can be improved by utilizing the residual heat of the baking processing. Further, the cooling of the RP 20 in the surface purification treatment chamber 3 is not essential, but it is preferable to perform it in order to shorten the cooling treatment time performed in the next cooling treatment chamber 4. This cooling can be performed by lowering the temperature of the temperature control means 33.

【0032】上記表面浄化処理室3におけるRP20の
冷却は、RP20の温度がベーク処理温度から100℃
程度までの間の温度となるように行うことが好ましい。
表面浄化処理室3での冷却温度が高すぎると、次の冷却
処理室4における冷却時間の短縮を十分図りにくく、逆
に冷却温度が低すぎると、後述する封着処理室7におけ
る再加熱時間が長くなりやすい。また、表面浄化処理室
3は、その後の処理室の真空度を高く維持しやすくする
ために、10-4Pa〜10-5Pa程度の真空度とするこ
とが好ましい。図示される例では、表面浄化処理とし
て、電子銃34による電子線35の照射を行っており、
図1(c)に示されるように、RP20を降温すると共
に、10-5Paまで減圧している。
The cooling of the RP 20 in the surface cleaning treatment chamber 3 is performed by changing the temperature of the RP 20 from the baking treatment temperature to 100 ° C.
It is preferable to carry out the treatment at a temperature of up to a certain degree.
If the cooling temperature in the surface purification treatment chamber 3 is too high, it is difficult to sufficiently reduce the cooling time in the next cooling treatment chamber 4, and conversely, if the cooling temperature is too low, the reheating time in the sealing treatment chamber 7 described later Tends to be long. Further, the surface purification treatment chamber 3 preferably has a degree of vacuum of about 10 −4 Pa to 10 −5 Pa in order to easily maintain a high degree of vacuum in the subsequent treatment chamber. In the illustrated example, the electron beam 35 is irradiated by the electron gun 34 as the surface cleaning treatment.
As shown in FIG. 1C, the temperature of the RP 20 is lowered and the pressure is reduced to 10 −5 Pa.

【0033】上記表面浄化処理が完了した後、ゲートバ
ルブ29を開いて、RP20を温度制御手段33に載せ
たまま冷却処理室4へ搬送し、ゲートバルブ29を閉
じ、冷却処理を施す。この冷却処理は、その後の処理室
におけるRP20からのガスの放出を防止するためのも
ので、上記表面浄化処理室3における冷却処理で十分冷
却できる場合には、この冷却処理室4は省略することが
できる。
After the surface cleaning process is completed, the gate valve 29 is opened and the RP 20 is conveyed to the cooling process chamber 4 while being placed on the temperature control means 33, and the gate valve 29 is closed to perform the cooling process. This cooling process is to prevent the gas from being released from the RP 20 in the subsequent processing chamber, and if the cooling process in the surface purification processing chamber 3 can sufficiently cool the cooling process chamber 4, the cooling process chamber 4 may be omitted. You can

【0034】冷却処理室4における冷却は、温度制御手
段33の温度を下げることで行うことができ、通常、R
P20の温度が250〜80℃になるまで冷却すること
が好ましい。また、冷却処理室4内は、次のチャンバゲ
ッタ処理室5の真空度を維持しやすくするため、10-5
〜10-6Pa程度の真空度であることが好ましい。図示
される例においては、図1(c)に示されるように、R
P19を100℃程度まで冷却すると共に、冷却処理室
4内を10-5Paまで減圧している。
Cooling in the cooling processing chamber 4 can be carried out by lowering the temperature of the temperature control means 33.
It is preferable to cool until the temperature of P20 reaches 250 to 80 ° C. In order to make it easier to maintain the degree of vacuum of the next chamber getter processing chamber 5, the inside of the cooling processing chamber 4 is 10 −5.
The degree of vacuum is preferably about 10 −6 Pa. In the illustrated example, as shown in FIG.
P19 is cooled to about 100 ° C., and the inside of the cooling treatment chamber 4 is depressurized to 10 −5 Pa.

【0035】上記冷却処理を施した後、ゲートバルブ3
0を開いて、RP20を温度制御手段33に載せたまま
チャンバゲッタ処理室5へ搬送し、ゲートバルブ30を
閉じ、チャンバゲッタ処理を施す。このチャンバゲッタ
処理室5では、処理室内のチャンバゲッタ板36に、チ
ャンバゲッタフラッシュ装置37により、例えばバリウ
ムなどの蒸発型ゲッタ剤をフラッシュさせて、ゲッタ膜
を被着させるチャンバゲッタ処理が行われる。チャンバ
ゲッタ板36に被着されたゲッタ膜は、チャンバゲッタ
処理室5内のガスを捕捉し、処理室内の真空度を上げ
る。
After the above cooling treatment, the gate valve 3
0 is opened, the RP 20 is conveyed to the chamber getter processing chamber 5 while being placed on the temperature control means 33, the gate valve 30 is closed, and the chamber getter processing is performed. In the chamber getter processing chamber 5, the chamber getter plate 36 in the processing chamber is subjected to the chamber getter processing in which the evaporation getter agent such as barium is flushed by the chamber getter flash device 37 to deposit the getter film. The getter film deposited on the chamber getter plate 36 captures the gas in the chamber getter processing chamber 5 and raises the degree of vacuum in the processing chamber.

【0036】チャンバゲッタ処理は、次の封着処理ライ
ンの組み立て処理室6における高真空度を維持しやすく
するためのもので、組み立て処理室6に要求される真空
度と同程度の真空度まで減圧することが好ましい。チャ
ンバゲッタ処理は、上記蒸発型ゲッタ剤による処理では
なく、処理室内で非蒸発型ゲッタ剤を加熱活性化させて
ガスを捕捉する処理とすることもでき、更には、上記蒸
発型ゲッタ剤を用いた処理と、非蒸発型ゲッタ剤を用い
た処理を併用した処理とすることもできる。
The chamber getter process is for facilitating the maintenance of a high vacuum level in the assembly processing chamber 6 of the next sealing processing line, and up to a vacuum level similar to the vacuum level required for the assembly processing chamber 6. It is preferable to reduce the pressure. The chamber getter process may be a process of heating and activating the non-evaporable getter agent in the processing chamber to capture gas, instead of the above-mentioned evaporative getter agent. It is also possible to combine the above treatment with the treatment using the non-evaporable getter agent.

【0037】蒸発型ゲッタ剤を用いたチャンバゲッタ処
理を行うチャンバゲッタ処理室5では、蒸発型ゲッタ剤
のフラッシュにより、一時的に真空度が低下するが、真
空排気により、必要な高真空度へ移行することができ
る。また、チャンバゲッタ処理室5では、RP20を冷
却処理室4を出た温度に保ってもよいが、冷却が不足し
ている場合、更に冷却することもできる。図示される例
においては、図1(c)に示されるように、チャンバゲ
ッタ処理室5は10-6Paの真空度にまで減圧されてい
ると共に、RP20は100℃に維持されている。
In the chamber getter processing chamber 5 in which the chamber getter process using the evaporative getter agent is performed, the vacuum degree is temporarily lowered by the flash of the evaporative getter agent, but by evacuation to the required high vacuum degree. Can be migrated. Further, in the chamber getter processing chamber 5, the RP 20 may be kept at the temperature of the cooling processing chamber 4, but if the cooling is insufficient, it may be further cooled. In the illustrated example, as shown in FIG. 1C, the chamber getter processing chamber 5 is depressurized to a vacuum degree of 10 −6 Pa and the RP 20 is maintained at 100 ° C.

【0038】チャンバゲッタ処理は、組み立て処理室6
のいわば前室であるチャンバゲッタ処理室5内を高真空
にするためのもので、このようなチャンバゲッタ処理に
よらずとも高真空度を得ることができれば省略し、例え
ばベーク処理室2、表面浄化処理室3又は冷却処理室5
を組み立て処理室6に直切接続することができる。但
し、組み立て処理室5を高真空度に維持しやすくする上
で、チャンバゲッタ処理室5を設け、組み立て処理室6
への搬送前にチャンバゲッタ処理を行うことが好まし
い。
The chamber getter process is performed in the assembly process chamber 6
The chamber getter processing chamber 5, which is a so-called anterior chamber, is made to have a high vacuum, and is omitted if a high degree of vacuum can be obtained without such a chamber getter processing. Purification treatment chamber 3 or cooling treatment chamber 5
Can be directly connected to the assembly processing chamber 6. However, in order to easily maintain the assembly processing chamber 5 at a high degree of vacuum, the chamber getter processing chamber 5 is provided and the assembly processing chamber 6 is provided.
It is preferable to perform chamber getter processing before transporting to.

【0039】チャンバゲッタ処理室5でのチャンバゲッ
タ処理を経たRP20は、ゲートバルブ6を開いて、次
の封着処理ラインの組み立て処理室6へと搬送されるこ
とになる。封着処理ラインについては後述する。
After the chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 5, the RP 20 is transferred to the assembly processing chamber 6 of the next sealing processing line by opening the gate valve 6. The sealing processing line will be described later.

【0040】(2)フェイスプレート処理ライン 図3に基づいて、フェイスプレート処理ラインの各処理
室について説明する。
(2) Face plate processing line Each processing chamber of the face plate processing line will be described with reference to FIG.

【0041】フェイスプレート処理ラインは、FP21
が搬入され、このFP21を前述した封着処理ラインの
組み立て処理室6に搬送するまでの間に必要な処理を行
うラインで、前処理室9、基板ベーク処理室10、表面
浄化処理室11、冷却処理室12、チャンバゲッタ処理
室12、パネルゲッタ処理室14の順に直列に接続さ
れ、パネルゲッタ処理室14は封着処理ラインの組み立
て処理室6に接続されている。各処理室は、それぞれ真
空ポンプで排気され、必要な真空雰囲気を形成できるよ
うになっている。
The face plate processing line is FP21.
Is a line for performing necessary processing until the FP21 is loaded and the FP21 is transported to the assembly processing chamber 6 of the above-described sealing processing line. The preprocessing chamber 9, the substrate baking processing chamber 10, the surface cleaning processing chamber 11, The cooling processing chamber 12, the chamber getter processing chamber 12, and the panel getter processing chamber 14 are connected in series in this order, and the panel getter processing chamber 14 is connected to the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line. Each processing chamber is evacuated by a vacuum pump so that a necessary vacuum atmosphere can be formed.

【0042】上記フェースプレート処理ラインの各処理
室のうち、前処理室9、基板ベーク処理室10、表面浄
化処理室11、冷却処理室12及びチャンバゲッタ処理
室13は、搬送されて来る対象がFP21であること、
温度制御手段39がFP21を保持する向きが逆になっ
ていること、及び、チャンバゲッタ処理室13がパネル
ゲッタ処理室14に接続されていること以外、上述した
リアプレート処理ラインにおける前処理室9、基板ベー
ク処理室10、表面浄化処理室11、冷却処理室12及
びチャンバゲッタ処理室12(図2参照)と同様の処理
室で、同様の処理が行われ、同様の変更が可能なもので
ある。図示される例において、前処理室9、基板ベーク
処理室10、表面浄化処理室11、冷却処理室12及び
チャンバゲッタ処理室13でのFP21の温度プロファ
イルと、これらの各処理室の真空度プロファイルは、図
1(d)と図1(c)とから明らかなように、リアプレ
ート処理ラインにおける前処理室9、基板ベーク処理室
10、表面浄化処理室11、冷却処理室12及びチャン
バゲッタ処理室13でのRP20の温度プロファイル
と、これらの各処理室の真空度プロファイルと同様のも
のとなっている。
Among the processing chambers of the face plate processing line, the pre-processing chamber 9, the substrate baking processing chamber 10, the surface cleaning processing chamber 11, the cooling processing chamber 12 and the chamber getter processing chamber 13 are the objects to be transferred. FP21,
Pretreatment chamber 9 in the above-mentioned rear plate treatment line except that temperature control means 39 holds FP21 in the opposite direction and that chamber getter treatment chamber 13 is connected to panel getter treatment chamber 14. The same processing is performed in the same processing chamber as the substrate baking processing chamber 10, the surface cleaning processing chamber 11, the cooling processing chamber 12, and the chamber getter processing chamber 12 (see FIG. 2), and the same change can be made. is there. In the illustrated example, the temperature profile of the FP21 in the pretreatment chamber 9, the substrate baking treatment chamber 10, the surface cleaning treatment chamber 11, the cooling treatment chamber 12, and the chamber getter treatment chamber 13, and the vacuum degree profile of each of these treatment chambers. As is clear from FIGS. 1D and 1C, the pretreatment chamber 9, the substrate baking treatment chamber 10, the surface cleaning treatment chamber 11, the cooling treatment chamber 12, and the chamber getter treatment in the rear plate treatment line are shown in FIG. The temperature profile of the RP 20 in the chamber 13 and the vacuum degree profile of each of these processing chambers are similar.

【0043】尚、図3における搬送ユニット24、ゲー
トバルブ40〜46、電子銃47、電子線48、チャン
バゲッタ板49、チャンバゲッタフラッシュ装置50、
チャンバゲッタフラッシュ51は、それぞれ図2におけ
る搬送ユニット23、ゲートバルブ26〜31、電子銃
34、電子線35、チャンバゲッタ板36、チャンバゲ
ッタフラッシュ装置37、チャンバゲッタフラッシュ3
8に対応するものである。
The transport unit 24, gate valves 40 to 46, electron gun 47, electron beam 48, chamber getter plate 49, chamber getter flash device 50 in FIG.
The chamber getter flash 51 includes the transfer unit 23, the gate valves 26 to 31, the electron gun 34, the electron beam 35, the chamber getter plate 36, the chamber getter flash device 37, and the chamber getter flash 3 in FIG. 2, respectively.
It corresponds to 8.

【0044】フェースプレート処理ラインにおいて処理
するFP21は、画像形成部材である蛍光体(図示され
ていない)が内面に設けられた基板で、画像表示パネル
19(図1参照)の表面である表示面を構成する部材で
ある。
The FP 21 processed in the face plate processing line is a substrate provided with a phosphor (not shown) as an image forming member on its inner surface, and is a display surface which is the surface of the image display panel 19 (see FIG. 1). Is a member constituting.

【0045】フェースプレート処理ラインにおいて、F
P21は、前述したRP20が温度制御手段33に搬送
方向前方を向いて保持されているのに対し(図2参
照)、これとは逆に、温度制御手段39に搬送方向後方
を向いて保持されるものとなっている。これは、後述す
る封着処理ラインの組み立て処理室6において、RP2
0とFP21を、その内面同志を向き合わせて対向させ
やすいようにするためのもので、組み立て処理室6にお
けるアライメントの行い方によっては、FP21を前向
き、RP20を後ろ向きに搬送したり、FP21とRP
20をそれぞれ同じ向きに向けて搬送することもでき
る。
In the face plate processing line, F
P21 is held by the temperature control means 33 facing forward in the carrying direction (see FIG. 2), while P21 is held by the temperature controlling means 39 facing backward in the carrying direction. It has become one. In the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line, which will be described later, the RP2
It is for facilitating the inner surfaces of 0 and FP21 to face each other, and depending on how the alignment is performed in the assembly processing chamber 6, the FP21 can be transported forward and the RP20 can be transported backward, or the FP21 and RP21 can be transported backward.
It is also possible to convey 20 in the same direction.

【0046】フェースプレート処理ラインにおけるベー
ク処理室10でのベーク処理は、前記のように、リアプ
レート処理ラインにおける基板ベーク処理室2(図2参
照)でのベーク処理と同様であるが、特に本発明におい
ては、FP21を基板ベーク処理室10でベーク処理す
る際に、封着材が設けられていないため、前述のような
ガスや水分を放出除去できる高温に加熱しても、封着材
が流動化して、搬送時の揺れや振動ではみ出すことがな
い。従って、ベーク処理温度を、FP21自体に悪影響
を及ぼさない範囲で任意に定めることができ、FP21
のベーク処理を十分に行うことが容易である。
The bake treatment in the bake treatment chamber 10 in the face plate treatment line is the same as the bake treatment in the substrate bake treatment chamber 2 (see FIG. 2) in the rear plate treatment line, as described above. In the invention, since the sealing material is not provided when baking the FP21 in the substrate baking processing chamber 10, even if the sealing material is heated to a high temperature at which gas and moisture can be released and removed as described above. It fluidizes and does not stick out due to shaking or vibration during transportation. Therefore, the baking temperature can be arbitrarily set within a range that does not adversely affect the FP21 itself.
It is easy to sufficiently perform the baking treatment of.

【0047】フェースプレート処理ラインにおいて、チ
ャンバゲッタ処理室13でのチャンバゲッタ処理が完了
すると、ゲートバルブ45を開き、FP21を温度制御
手段39に載せたままパネルゲッタ処理室14へ搬送
し、ゲートバルブ45を閉じる。
In the face plate processing line, when the chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 13 is completed, the gate valve 45 is opened and the FP21 is transferred to the panel getter processing chamber 14 while being placed on the temperature control means 39. Close 45.

【0048】パネルゲッタ処理室14は、パネルゲッタ
フラッシュ装置52を備えた処理室で、例えばパネルゲ
ッタフラッシュ装置52に内蔵されたバリウムなどの蒸
発型ゲッタ剤を抵抗加熱などの方法で加熱し、瞬間的に
蒸発させることでパネルゲッタフラュッシュ53を発生
させ、FP21の内面にゲッタ膜を被着させるパネルゲ
ッタ処理が行われる。このFP21の内面に被着された
ゲッタ膜は、後述する封着処理後まで活性を維持し、封
着処理後に画像表示パネル19内に放出されるガスを捕
捉して、画像表示パネル19内の高真空雰囲気を維持す
る働きをなすものである。
The panel getter processing chamber 14 is a processing chamber equipped with a panel getter flash device 52. For example, an evaporative getter agent such as barium built in the panel getter flash device 52 is heated by resistance heating or the like, and is instantly heated. A panel getter process is performed in which a panel getter flash 53 is generated by the selective evaporation and a getter film is deposited on the inner surface of the FP 21. The getter film deposited on the inner surface of the FP 21 maintains its activity until after the sealing process described later, captures the gas released into the image display panel 19 after the sealing process, and It serves to maintain a high vacuum atmosphere.

【0049】上記ゲッタ膜が処理室中のガスを吸着して
活性を失わないよう、このチャンバゲッタ処理室13か
ら封着処理室7は高真空度となっていることが好まし
い。具体的には、10-5Pa以上の真空度となっている
ことが好ましい。この真空度を得るためには、一般的な
真空排気ポンプによる排気の他に、前述のリアプレート
処理ラインで説明したチャンバゲッタ処理や、非蒸発型
ゲッタ剤の加熱活性化によるガス捕捉などの捕捉手段を
併用することもできる。また、チャンバゲッタ処理室1
3でチャンバゲッタ処理を施すFP21は、被着される
ゲッタ膜が熱劣化しない温度、例えばバリウムゲッタの
場合、具体的には120〜60℃程度まで冷却されてい
ることが好ましい。フェースプレート処理ラインにおけ
る表面浄化処理室11及び冷却処理室12における冷却
処理は、リアプレート処理ラインで説明した、後の処理
室におけるガスの放出防止の他に、パネルゲッタ処理室
14においてFP21内面に被着されるゲッタ膜の熱劣
化防止の意味もある。図示される例においては、パネル
ゲッタ処理室14は10-6Paの真空度となっていると
共に、FP21は100℃に保持されている。
It is preferable that the getter processing chamber 13 to the sealing processing chamber 7 have a high degree of vacuum so that the getter film does not lose its activity by adsorbing the gas in the processing chamber. Specifically, the degree of vacuum is preferably 10 −5 Pa or higher. In order to obtain this degree of vacuum, in addition to exhaust by a general vacuum exhaust pump, the chamber getter processing described in the above rear plate processing line and the capture such as gas capture by heat activation of the non-evaporable getter agent are captured. Means can also be used in combination. Also, the chamber getter processing chamber 1
It is preferable that the FP 21 which is subjected to the chamber getter process in 3 is cooled to a temperature at which the getter film to be deposited is not thermally deteriorated, for example, in the case of barium getter, specifically about 120 to 60 ° C. The cooling processing in the surface purification processing chamber 11 and the cooling processing chamber 12 in the face plate processing line is performed on the inner surface of the FP21 in the panel getter processing chamber 14 in addition to the gas release prevention in the subsequent processing chamber described in the rear plate processing line. It also has the meaning of preventing thermal deterioration of the getter film deposited. In the illustrated example, the panel getter processing chamber 14 has a vacuum degree of 10 −6 Pa, and the FP 21 is held at 100 ° C.

【0050】パネルゲッタ処理室14でのパネルゲッタ
処理を経たFP21は、ゲートバルブ46を開いて、次
の封着処理ラインの組み立て処理室6へと搬送されるこ
とになる。封着処理ラインについては後述する。
After the panel getter process in the panel getter process chamber 14, the FP 21 is transferred to the assembly process chamber 6 of the next sealing process line by opening the gate valve 46. The sealing processing line will be described later.

【0051】(3)外枠処理ライン 図4に基づいて、外枠処理ラインの各処理室について説
明する。
(3) Outer Frame Processing Line Each processing chamber of the outer frame processing line will be described with reference to FIG.

【0052】外枠処理ラインは、外枠22が搬入され、
この外枠22を前述した封着処理ラインの組み立て処理
室6に搬送するまでの間に必要な処理を行うラインで、
前処理室15、外枠ベーク処理室16、冷却処理室1
7、チャンバゲッタ処理室18の順に直列に接続され、
チャンバゲッタ処理室18は封着処理ラインの組み立て
処理室6に接続されている。各処理室は、それぞれ真空
ポンプで排気され、必要な真空雰囲気を形成できるよう
になっている。
The outer frame 22 is carried into the outer frame processing line,
A line that performs necessary processing until the outer frame 22 is transported to the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line described above.
Pre-treatment chamber 15, outer frame bake treatment chamber 16, cooling treatment chamber 1
7. The chamber getter processing chamber 18 is connected in series in this order,
The chamber getter processing chamber 18 is connected to the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line. Each processing chamber is evacuated by a vacuum pump so that a necessary vacuum atmosphere can be formed.

【0053】上記外枠処理ラインの各処理室のうち、前
処理室15、外枠ベーク処理室16、冷却処理室17及
びチャンバゲッタ処理室18は、搬送されて来る対象が
外枠22である点、温度制御手段33を用いずに搬送
し、外枠ベーク処理室16及び冷却処理室17で温度制
御手段33,39によらず加熱及び冷却を行う点と加熱
の条件が相違する以外、前述したリアプレート処理ライ
ンにおける前処理室9、基板ベーク処理室10、冷却処
理室12及びチャンバゲッタ処理室12(図2参照)と
同様の処理室で、同様の処理が行われ、同様の変更が可
能なものである。図示される例において、前処理室1
5、冷却処理室17及びチャンバゲッタ処理室18での
外枠22の温度プロファイルと、これらの各処理室の真
空度プロファイルは、図1(b)と図1(c)とから明
らかなように、リアプレート処理ラインにおける前処理
室9、冷却処理室12及びチャンバゲッタ処理室13で
のRP20の温度プロファイルと、これらの各処理室の
真空度プロファイルと同様のものとなっている。
Among the processing chambers of the outer frame processing line, the pre-processing chamber 15, the outer frame bake processing chamber 16, the cooling processing chamber 17, and the chamber getter processing chamber 18 are the outer frames 22 that are transferred. In addition, except that the heating condition is different from the point that the temperature is transferred without using the temperature control means 33 and heating and cooling are performed in the outer frame bake processing chamber 16 and the cooling processing chamber 17 without depending on the temperature control means 33 and 39. In the rear plate processing line, the same processing is performed in the same processing chamber as the preprocessing chamber 9, the substrate baking processing chamber 10, the cooling processing chamber 12, and the chamber getter processing chamber 12 (see FIG. 2), and the same changes are made. It is possible. In the illustrated example, the pretreatment chamber 1
5, the temperature profile of the outer frame 22 in the cooling processing chamber 17 and the chamber getter processing chamber 18 and the vacuum degree profile of each of these processing chambers are as shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c). The temperature profile of the RP 20 in the pretreatment chamber 9, the cooling treatment chamber 12, and the chamber getter treatment chamber 13 in the rear plate treatment line and the vacuum degree profile of each of these treatment chambers are similar.

【0054】尚、図4における搬送ユニット25、ゲー
トバルブ54〜58、チャンバゲッタ板59、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置60、チャンバゲッタフラッシュ
61は、それぞれ図2における搬送ユニット23、ゲー
トバルブ26〜31、チャンバゲッタ板36、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置37、チャンバゲッタフラッシュ
38に対応するものである。
The transfer unit 25, the gate valves 54 to 58, the chamber getter plate 59, the chamber getter flush device 60, and the chamber getter flash 61 in FIG. 4 are respectively the transfer unit 23, the gate valves 26 to 31, and the chamber in FIG. It corresponds to the getter plate 36, the chamber getter flash device 37, and the chamber getter flash 38.

【0055】外枠処理ラインで処理する外枠22は、画
像表示パネル19(図1参照)の周側壁を構成するもの
で、RP20(図2参照)と向き合わされる箇所と、F
P21(図3参照)と向き合わされる箇所とには、それ
ぞれ封着材(図示されていない)が予め設けられてい
る。
The outer frame 22 to be processed by the outer frame processing line constitutes the peripheral side wall of the image display panel 19 (see FIG. 1), and the portion facing the RP 20 (see FIG. 2) and the F
A sealing material (not shown) is provided in advance at the location facing P21 (see FIG. 3).

【0056】外枠処理ラインにおける外枠ベーク処理室
16のベーク処理は、例えばランプ加熱熱処理などによ
って行うことができる。この外枠22のベーク処理は、
前述したRP20(図2参照)及びFP21(図3参
照)とは分けて行われるため、RP20及びFP21の
ベーク処理とは別に温度を自由に設定することができ
る。従って、RP20及びFP21については、前述し
た高温による十分なベーク処理を施す場合でも、この外
枠22については、事前に設けられている封着材が流動
化して流れ出さない温度によるベーク処理とすることが
できる。
The bake treatment of the outer frame bake processing chamber 16 in the outer frame processing line can be carried out by, for example, heat treatment by lamp heating. This outer frame 22 is baked as follows.
Since it is performed separately from the RP20 (see FIG. 2) and the FP21 (see FIG. 3) described above, the temperature can be freely set separately from the baking process of the RP20 and FP21. Therefore, even when the RP 20 and the FP 21 are sufficiently baked at the above-mentioned high temperature, the outer frame 22 is baked at a temperature at which the sealing material provided in advance does not flow out and flow out. be able to.

【0057】ところで、外枠22は、画像表示パネル1
9(図1参照)の周側壁を構成するものであるため、画
像表示パネル19内への露出面積が小さく、ベーク処理
がある程度不十分であっても、封着後の画像表示パネル
19内の真空度に与える影響が小さい。従って、外枠2
2のベーク処理を、封着材が流動化しない温度に押さえ
ても、画像表示パネル19内への露出面積が大きなRP
20(図2参照)とFP21(図3参照)に十分なベー
ク処理を施しておくことによって、封着後の画像表示パ
ネル19内の真空度の低下を抑制することができる。
By the way, the outer frame 22 is the image display panel 1
9 (see FIG. 1) constitutes the peripheral side wall, the exposed area inside the image display panel 19 is small, and even if the baking process is insufficient to some extent, the inside of the image display panel 19 after sealing is sealed. Has little effect on the degree of vacuum. Therefore, the outer frame 2
Even if the baking treatment of 2 is suppressed to a temperature at which the sealing material does not fluidize, the RP having a large exposed area in the image display panel 19
By sufficiently baking the 20 (see FIG. 2) and the FP 21 (see FIG. 3), it is possible to suppress a decrease in the degree of vacuum in the image display panel 19 after sealing.

【0058】外枠ベーク処理室16での外枠22のベー
ク処理は、封着材が流動化する温度以下にして、流れ出
しを防止する必要があるが、封着後の画像表示パネル1
9内の真空度の低下を効果的に抑制できるよう、少なく
とも外枠22に付着又は吸着されている水を蒸発除去で
きる温度以上とすることが好ましく、付着又は吸着され
ているガスもある程度除去できる温度とすることが更に
好ましい。具体的には、使用する封着材の種類にもよる
が、100℃以上380℃未満に加熱することが好まし
い。図示される例においては、図1(b)に示されるよ
うに、120℃に加熱している。また、ベーク処理室1
5の真空度は、前述したリアプレート処理ラインにおけ
る基板ベーク処理室2(図2参照)と同様で、図示され
る例においては、図1(b)に示されるように、10-4
Paとなっている。
In the baking process of the outer frame 22 in the outer frame bake processing chamber 16, it is necessary to prevent the outflow from flowing by making the temperature below the temperature at which the sealing material is fluidized. However, the image display panel 1 after the sealing is performed.
In order to effectively suppress the decrease in the degree of vacuum inside 9, it is preferable that the temperature is at least equal to or higher than the temperature at which water attached or adsorbed to the outer frame 22 can be removed by evaporation, and the gas attached or adsorbed can be removed to some extent. More preferably, the temperature is used. Specifically, depending on the type of the sealing material used, it is preferable to heat to 100 ° C or higher and lower than 380 ° C. In the illustrated example, as shown in FIG. 1B, heating is performed at 120 ° C. In addition, the baking processing room 1
Vacuum of 5, as similar to the substrate baking chamber 2 (see FIG. 2) in the rear plate processing line described above, in the illustrated example, shown in FIG. 1 (b), 10 -4
It is Pa.

【0059】冷却処理室17における冷却処理は、例え
ば水などの冷却媒体による温度制御機能を有する冷却プ
レートなどを用いることができる。この外枠処理ライン
における冷却処理室17は、外枠ベーク処理室16にお
ける加熱がさほど高温ではないので、省略したり、チャ
ンバゲッタ処理室18を設ける場合において、チャンバ
ゲッタ処理室18において外枠22を冷却することで置
き換えることもできる。また、前述のように、外枠22
は、封着後の画像表示パネル19(図1参照)内の真空
度に与える影響が小さいことから、外枠ベーク処理室1
6を省略することもできる。更に、例えば外枠ベーク処
理室16と冷却処理室17との間に、図2で説明した表
面浄化処理室3を介在させることもできる。
For the cooling treatment in the cooling treatment chamber 17, for example, a cooling plate having a temperature control function by a cooling medium such as water can be used. Since the heating in the outer frame bake processing chamber 16 is not so high, the cooling processing chamber 17 in this outer frame processing line is omitted or, when the chamber getter processing chamber 18 is provided, the outer frame 22 in the chamber getter processing chamber 18 is omitted. Can be replaced by cooling. In addition, as described above, the outer frame 22
Has a small effect on the degree of vacuum in the image display panel 19 (see FIG. 1) after sealing, so that the outer frame baking chamber 1
6 can be omitted. Furthermore, for example, the surface cleaning treatment chamber 3 described in FIG. 2 can be interposed between the outer frame bake treatment chamber 16 and the cooling treatment chamber 17.

【0060】(4)封着処理ライン 図5に基づいて、外枠処理ラインの各処理室について説
明する。
(4) Sealing Processing Line Each processing chamber of the outer frame processing line will be described with reference to FIG.

【0061】封着処理ラインは、組み立て処理室6に搬
送されて来たRP20、FP21及び外枠22を所定の
位置関係にアライメントし、予め外枠に設けられた封着
材を用いて封着処理を施すラインで、組み立て処理室
6、封着処理室7及び後処理室8の順に直列に接続され
ている。各処理室は、それぞれ真空ポンプで排気され、
必要な真空雰囲気を形成できるようになっている。
In the sealing processing line, the RP 20, FP 21 and outer frame 22 conveyed to the assembly processing chamber 6 are aligned in a predetermined positional relationship, and sealing is performed using a sealing material provided in advance in the outer frame. The assembly processing chamber 6, the sealing processing chamber 7, and the post-processing chamber 8 are connected in series in this order on a processing line. Each processing chamber is evacuated by a vacuum pump,
The necessary vacuum atmosphere can be formed.

【0062】封着処理ラインの組み立て処理室6には、
前述のリアプレート処理ラインのチャンバゲッタ処理室
5と、フェースプレート処理ラインのパネルゲッタ処理
室14と、外枠処理ラインのチャンバゲッタ処理室18
が、それぞれゲートバルブ31,46,58を介して接
続されており、各ラインからRP20とFP21と外枠
22とが合流するものとなっている。また、組み立て処
理室6と封着処理室7間、封着処理室7と後処理室8
間、並びに、後処理室8と大気間は、それぞれゲートバ
ルブ62〜64で隔てられている。
In the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line,
The chamber getter processing chamber 5 of the rear plate processing line, the panel getter processing chamber 14 of the face plate processing line, and the chamber getter processing chamber 18 of the outer frame processing line described above.
Are connected via gate valves 31, 46, 58, respectively, and the RP 20, FP 21, and outer frame 22 join from each line. Also, between the assembly processing chamber 6 and the sealing processing chamber 7, the sealing processing chamber 7 and the post-processing chamber 8
And the post-treatment chamber 8 and the atmosphere are separated by gate valves 62 to 64, respectively.

【0063】組み立て処理室6は、アライメント装置を
備えたもので、同時又は逐次ゲートバルブ31,46,
58を開いて、リアプレート処理ラインのチャンバゲッ
タ処理室5からはRP20、フェースプレート処理ライ
ンのパネルゲッタ処理室14からはFP21、外枠処理
ラインのチャンバゲッタ処理室18からは外枠22がそ
れぞれ搬送されて来るものである。RP20とFP21
の搬送は、それぞれ温度制御手段33,39に載せられ
た状態で行われ、その後の封着処理ラインにおける搬送
は、リアプレート処理ラインと一連の搬送ユニット23
で行われる。
The assembly processing chamber 6 is provided with an alignment device, and the gate valves 31, 46,
58 is opened, and RP20 is provided from the chamber getter processing chamber 5 of the rear plate processing line, FP21 is provided from the panel getter processing chamber 14 of the face plate processing line, and outer frame 22 is provided from the chamber getter processing chamber 18 of the outer frame processing line. It is something that is transported. RP20 and FP21
Are carried on the temperature control means 33 and 39, respectively. Subsequent carrying on the sealing processing line is carried out on the rear plate processing line and a series of carrying units 23.
Done in.

【0064】RP20、FP21及び外枠22が送り込
まれ、ゲートバルブ31,46,58を閉じた後、ま
ず、外枠22をFP21への取り付け位置へ、温度制御
手段39に設けられた突き当てピンにより配置する。外
枠22の配置後、RP20を載せた温度制御手段33
と、FP21を載せた温度制御手段39を、RP20と
FP21の内面同志を向き合わせて対向させて近接さ
せ、RP20とFP21の相対位置合わせを行う。この
相対位置合わせは、温度制御手段33及び/又は39に
設けられた突き当てピンを用い、RP20とFP21の
端面を基準にして行うことができるが、他の方法を用い
てもよい。この相対位置合わせ後、温度制御手段33,
39を更に接近させ、外枠22を挟んで、RP20とF
P21を圧接させ、組み立て処理を完了する。
After the RP 20, FP 21 and outer frame 22 are fed and the gate valves 31, 46, 58 are closed, first, the outer frame 22 is attached to the FP 21, and the abutting pin provided in the temperature control means 39. Place by. After arranging the outer frame 22, temperature control means 33 on which the RP 20 is placed
Then, the temperature control means 39 on which the FP 21 is placed is made to face the inner surfaces of the RP 20 and the FP 21 so that they face each other, and the RP 20 and the FP 21 are relatively aligned. This relative alignment can be performed by using the abutting pins provided on the temperature control means 33 and / or 39 with reference to the end faces of the RP 20 and the FP 21, but other methods may be used. After this relative alignment, the temperature control means 33,
39 further closer to each other, sandwiching the outer frame 22, and connecting the RP 20 and the F
P21 is pressed and the assembly process is completed.

【0065】組み立て処理室6の真空度は、RP20、
FP21、外枠22の清浄な状態を維持すると共に、前
記パネルゲッタ処理によりFP21に施されたゲッタ膜
の活性状態の維持のために、10-5Pa以上に維持され
ていることが好ましい。また、組み立て処理室6におけ
るRP20、FP21、外枠22の温度は、ほぼ組み立
て処理室6に運び込まれたときの温度に維持される。図
示される例においては、組み立て処理室6の真空度は1
-6Paとなっており、組み立て処理室6におけるRP
20、FP21及び外枠22の温度は、運び込まれたと
きと同じ100℃を保っている。
The vacuum degree of the assembly processing chamber 6 is RP20,
In order to maintain the FP21 and the outer frame 22 in a clean state and to maintain the active state of the getter film applied to the FP21 by the panel getter treatment, it is preferable to maintain the pressure at 10 −5 Pa or higher. In addition, the temperatures of the RP 20, FP 21, and outer frame 22 in the assembly processing chamber 6 are maintained at about the temperature at which they were carried into the assembly processing chamber 6. In the illustrated example, the vacuum degree of the assembly processing chamber 6 is 1
0 -6 has a Pa, RP in the assembling process chamber 6
The temperatures of 20, FP 21 and outer frame 22 are maintained at 100 ° C., which is the same as when they were carried in.

【0066】組み立て処理が完了し、両温度制御手段3
3,39の間に挟み込まれ、外枠22を挟んで圧接され
たRP20とFP21は、ゲートバルブ62を開いて、
組み立て位置関係がずれないように、封着処理室7へ搬
送し、ゲートバルブ62を閉じる。
After the assembly process is completed, both temperature control means 3
The RP20 and FP21 sandwiched between 3, 39 and pressed against each other with the outer frame 22 interposed therebetween open the gate valve 62,
The gate valve 62 is closed by transporting it to the sealing processing chamber 7 so that the assembly positional relationship does not shift.

【0067】封着処理室7では、温度制御手段33,3
9の温度を上げ、RP20、FP21及び外枠22を封
着に適した温度にまで再加熱し、予め外枠22に設けら
れている封着材を接着可能な状態にまで軟化させて、外
枠22を挟んで対向したRP20とFP21の周縁を気
密状態に接着する封着処理を行う。この封着処理は、封
着材が軟化又は溶融して接着可能な状態となってからピ
ーク温度で10分間程度保持し、その後温度制御手段3
3,39の温度を下げて、RP20、FP21及び外枠
22を冷却すると共に、封着材を冷却固化させることで
行うことができる。
In the sealing processing chamber 7, the temperature control means 33, 3
The temperature of 9 is raised and the RP 20, FP 21 and outer frame 22 are reheated to a temperature suitable for sealing, and the sealing material provided in advance on the outer frame 22 is softened to a bondable state, A sealing process is performed in which the peripheral edges of the RP 20 and the FP 21 that face each other with the frame 22 sandwiched therebetween are bonded in an airtight state. In this sealing treatment, the sealing material is held at the peak temperature for about 10 minutes after the sealing material is softened or melted and becomes ready for adhesion, and then the temperature control means 3 is used.
This can be performed by lowering the temperatures of 3, 39 to cool the RP 20, FP 21, and the outer frame 22, and at the same time, cooling and solidifying the sealing material.

【0068】封着処理室7は、封着されて形成される画
像表示パネル19内が高い真空度となるよう、組み立て
処理室6と同様の真空度であることが好ましい。図示さ
れる例においては、図1(c)に示されるように、10
-6Paに維持されている。
The sealing processing chamber 7 preferably has the same degree of vacuum as the assembly processing chamber 6 so that the inside of the image display panel 19 formed by sealing has a high degree of vacuum. In the illustrated example, as shown in FIG.
-6 Pa is maintained.

【0069】封着処理室7において行われる再加熱は、
次の後処理室8で行われる冷却処理時間を短縮できるよ
う、できるだけ低い温度ですますことが好ましく、必要
に応じて、封着材が設けられたRP20とFP21の周
縁部のみ(外枠22付近のみ)の部分加熱とすることも
できる。再加熱温度は、使用する封着材の種類によって
定まり、例えば封着材としてインジュウム金属を用いれ
ば、加熱ピーク温度を160℃程度、冷却固化温度を1
40℃程度に設定することができる。図示される例にお
いては、図1(c)に示されるように、160℃となっ
ている。また、封着材として、フリットガラスを用いる
場合、加熱ピーク温度を390℃程度、冷却固化温度を
300℃程度に設定することで封着処理を行うことがで
きる。
The reheating performed in the sealing processing chamber 7 is
It is preferable to keep the temperature as low as possible in order to shorten the cooling treatment time performed in the next post-treatment chamber 8. If necessary, only the peripheral portions of the RP20 and FP21 provided with the sealing material (near the outer frame 22) Partial heating) can also be used. The reheating temperature depends on the type of the sealing material used. For example, when indium metal is used as the sealing material, the heating peak temperature is about 160 ° C. and the cooling solidification temperature is 1 ° C.
It can be set to about 40 ° C. In the illustrated example, the temperature is 160 ° C. as shown in FIG. When frit glass is used as the sealing material, the sealing treatment can be performed by setting the heating peak temperature to about 390 ° C and the cooling and solidifying temperature to about 300 ° C.

【0070】図示される例においては、組み立て処理室
6と封着処理室7を設けているが、組み立て処理と封着
処理は別の処理室に分けて行わなければならないもので
はなく、図示される組み立て処理室6を封着処理室7と
し、封着処理室7で組み立て処理(アライメント)と封
着処理の両者を行うようにすることもできる。
In the illustrated example, the assembly processing chamber 6 and the sealing processing chamber 7 are provided, but the assembly processing and the sealing processing do not have to be performed separately in different processing chambers, and are illustrated. The assembly processing chamber 6 may be the sealing processing chamber 7, and both the assembly processing (alignment) and the sealing processing may be performed in the sealing processing chamber 7.

【0071】封着材の冷却固化温度にまで冷却した後、
封着処理により形成された画像表示パネルを温度制御手
段33,39から外し、ゲートバルブ63を開いて、後
処理室8へと搬送する。後処理室8は、封着処理室8の
真空度を損なわないよう、封着処理室8と同程度の真空
度となっていることが好ましい。図示される例において
は、10-6Pa程度に真空排気されていることが好まし
い。
After cooling to the cooling and solidifying temperature of the sealing material,
The image display panel formed by the sealing process is removed from the temperature control means 33, 39, the gate valve 63 is opened, and the image display panel is conveyed to the post-processing chamber 8. It is preferable that the post-treatment chamber 8 has a vacuum degree similar to that of the sealing treatment chamber 8 so as not to impair the vacuum degree of the sealing treatment chamber 8. In the illustrated example, it is preferable to evacuate to about 10 −6 Pa.

【0072】後処理室8においては、画像表示パネル1
9を搬出可能な温度にまで降温させる冷却処理が行われ
る。この冷却処理には、水などの冷却媒体による温度制
御機能を有する冷却プレートなどを用いることができ
る。この冷却処理は、真空リークさせて後処理室8内を
徐々に大気まで昇圧すると共に、自然冷却によって行う
こともできる。
In the post-processing chamber 8, the image display panel 1
A cooling process is performed to lower the temperature of 9 to a temperature at which it can be carried out. For this cooling treatment, a cooling plate having a temperature control function using a cooling medium such as water can be used. This cooling process can be performed by vacuum leaking and gradually increasing the pressure in the post-processing chamber 8 to the atmosphere, and also by performing natural cooling.

【0073】形成された画像表示パネル19が外部に取
り出せる温度にまで降温させると共に、後処理室8を真
空リークさせて大気圧とした後、ゲートバルブ64を開
いて画像表示パネル18を取り出す。
The temperature of the formed image display panel 19 is lowered to a temperature at which it can be taken out to the outside, and the post-processing chamber 8 is vacuum-leaked to atmospheric pressure, and then the gate valve 64 is opened to take out the image display panel 18.

【0074】次に、図6〜図8に基づいて、本発明の第
2の例について説明する。尚、図6〜図8において、図
1〜図5と同じ符号は同じ部材を示すものである。
Next, a second example of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIGS. 6 to 8, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 5 indicate the same members.

【0075】図6(a)は、本発明の製造方法に用いる
製造装置の第2の例を模式的に示す図で、図6(b)〜
(d)は、図6(a)における外枠処理ライン、フェー
スプレート処理ライン、リアプレート処理ライン〜封着
処理ラインにおける処理対象部材の温度プロファイルと
各処理室の真空度プロファイルを示すものである。
FIG. 6 (a) is a diagram schematically showing a second example of the manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention.
6D shows the temperature profile of the processing target member and the vacuum degree profile of each processing chamber in the outer frame processing line, face plate processing line, rear plate processing line to sealing processing line in FIG. 6A. .

【0076】図6(a)において、下段のラインがリア
プレート及び封着処理ラインで、1は前処理室、2は基
板ベーク処理室、3は表面浄化処理室、4は冷却処理
室、5はチャンバゲッタ処理室、6は組み立て処理室、
7は封着処理室、8は後処理室で、前処理室1からチャ
ンバゲッタ処理室5までがリアプレート処理ラインで、
これに続く組み立て処理室6から後処理室8までが封着
処理ラインである。リアプレート及び封着処理ラインに
ついては図7に拡大して示す。
In FIG. 6A, the lower line is the rear plate and sealing treatment line, 1 is a pretreatment chamber, 2 is a substrate baking treatment chamber, 3 is a surface cleaning treatment chamber, 4 is a cooling treatment chamber, 5 Is a chamber getter processing chamber, 6 is an assembly processing chamber,
7 is a sealing treatment chamber, 8 is a post-treatment chamber, and the pre-treatment chamber 1 to the chamber getter treatment chamber 5 are rear plate treatment lines,
The assembly processing chamber 6 to the post-processing chamber 8 that follow are the sealing processing line. The rear plate and the sealing processing line are shown enlarged in FIG.

【0077】図6(a)において、中段のラインがフェ
ースプレート処理ラインで、9は前処理室、10は基板
ベーク処理室、11は表面浄化処理室、12は冷却処理
室、64は外枠セット処理室、13はチャンバゲッタ処
理室、14はパネルゲッタ処理室で、このパネルゲッタ
処理室14が、上記封着ラインにおける組み立て処理室
6に接続されている。このフェースプレート処理ライン
については、図8に拡大して示す。
In FIG. 6A, the middle line is a face plate processing line, 9 is a pretreatment chamber, 10 is a substrate baking treatment chamber, 11 is a surface cleaning treatment chamber, 12 is a cooling treatment chamber, and 64 is an outer frame. A set process chamber, 13 is a chamber getter process chamber, and 14 is a panel getter process chamber. The panel getter process chamber 14 is connected to the assembly process chamber 6 in the sealing line. This face plate processing line is shown enlarged in FIG.

【0078】図6(a)において、上段のラインが外枠
処理ラインで、15は前処理室、16は外枠ベーク処理
室、17は冷却処理室で、この冷却処理室17が、上記
フェースプレート処理ラインにおける外枠セット処理室
65に接続されている。この外枠処理ラインについて
は、図8に拡大して示す。
In FIG. 6A, the upper line is an outer frame processing line, 15 is a pre-treatment chamber, 16 is an outer frame bake treatment chamber, 17 is a cooling treatment chamber, and this cooling treatment chamber 17 is the above face. It is connected to the outer frame set processing chamber 65 in the plate processing line. This outer frame processing line is shown enlarged in FIG.

【0079】本例は、封着処理ラインの組み立て処理室
6におけるアライメントを容易にすべく、ベーク処理を
経たFP21の所定の位置に外枠22をセットした後、
組み立て処理室6に搬送できるようにしたもので、図6
〜図8に示されるように、フェースプレート処理ライン
の冷却処理室12とチャンバゲッタ処理室13の間に、
ゲートバルブ66,67を介して外枠セット処理室65
が介在していると共に、外枠処理ラインのチャンバゲッ
タ処理室18(図4参照)が省略されており、その冷却
処理室17が、組み立て処理室6ではなく、ゲートバル
ブ68を介して外枠セット処理室65に接続されている
点で前記図1〜図5のものと相違している。
In this example, after facilitating the alignment in the assembly processing chamber 6 of the sealing processing line, after setting the outer frame 22 at a predetermined position of the FP 21 which has been baked,
As shown in FIG.
~ As shown in FIG. 8, between the cooling processing chamber 12 and the chamber getter processing chamber 13 of the face plate processing line,
Outer frame set processing chamber 65 through gate valves 66 and 67
And the chamber getter processing chamber 18 (see FIG. 4) of the outer frame processing line is omitted, and the cooling processing chamber 17 is not the assembly processing chamber 6 but the outer frame through the gate valve 68. It is different from the one in FIGS. 1 to 5 in that it is connected to the set processing chamber 65.

【0080】外枠セット処理室65は、搬送されて来る
FP21の所定の位置に、温度制御手段39に配置固定
された突き当てピンを基準に外枠22をアライメントし
て仮止めする処理室で、冷却処理室4と同程度もしくは
それ以上の真空度とすることが好ましい。図示される例
においては、外枠セット処理室65は10-5Paの真空
度となっおり、またこの外枠セット処理室65における
温度プロファイルは100℃となっている。
The outer frame setting processing chamber 65 is a processing chamber in which the outer frame 22 is aligned and temporarily fixed at a predetermined position of the conveyed FP 21 with the abutment pin arranged and fixed in the temperature control means 39 as a reference. It is preferable that the degree of vacuum is equal to or higher than that of the cooling processing chamber 4. In the illustrated example, the outer frame setting process chamber 65 has a vacuum degree of 10 −5 Pa, and the temperature profile in the outer frame setting process chamber 65 is 100 ° C.

【0081】本例のように、外枠22を、ベーク処理を
経たFP21にセットしてから組み立て処理室6に搬送
しても、予め封着材を設けた外枠22とは分けてFP2
1のベーク処理を行うことができ、図1〜図5と同様の
利益を得ることができる。また、FP21と外枠22が
同時に組み立て処理室6に搬送されることになるので、
組み立て処理室6の高真空度を維持しやすくするための
チャンバゲッタ処理室18(図4参照)の役割をチャン
バゲッタ処理室14に一つにまとめ、チャンバゲッタ処
理室18を省略しても、これを設けた場合と同様の効果
を得ることができる。更に、組み立て処理室6における
アライメントを、RP20とFP21の2つに対して行
えばよく、RP20とFP21のアライメント操作の簡
略化及び精度向上が容易となる。
Even when the outer frame 22 is set on the FP 21 which has been subjected to the baking process and then conveyed to the assembly processing chamber 6 as in this example, the FP 2 is separated from the outer frame 22 provided with the sealing material in advance.
1 bake treatment can be performed, and the same benefits as those in FIGS. 1 to 5 can be obtained. Moreover, since the FP 21 and the outer frame 22 are simultaneously transferred to the assembly processing chamber 6,
The role of the chamber getter processing chamber 18 (see FIG. 4) for easily maintaining the high vacuum degree of the assembly processing chamber 6 is integrated into the chamber getter processing chamber 14, and even if the chamber getter processing chamber 18 is omitted, The same effect as when this is provided can be obtained. Further, the alignment in the assembly processing chamber 6 may be performed for two of the RP 20 and the FP 21, which simplifies the alignment operation of the RP 20 and the FP 21 and improves the accuracy.

【0082】上記第2の例における封着処理前の外枠2
2のセットは、FP21に対してではなく、ベーク処理
を経たRP20に対してであれば、RP20に対して行
うこともできる。例えば、リアプレート処理ラインにお
ける冷却処理室4とチャンバゲッタ処理室5間に上記外
枠セット処理室65を介在させ、そこに外枠処理ライン
の冷却処理室17を接続すればよい。
Outer frame 2 before sealing treatment in the second example
The setting of 2 can be performed not for the FP 21 but for the RP 20 that has undergone the baking process, for the RP 20. For example, the outer frame set processing chamber 65 may be interposed between the cooling processing chamber 4 and the chamber getter processing chamber 5 in the rear plate processing line, and the cooling processing chamber 17 of the outer frame processing line may be connected thereto.

【0083】以上の第1の例と第2の例において、前処
理室1及び後処理室8は大気に開放させるため、必要な
真空度まで排気するのに時間を要する場合がある。特に
後処理室8は、封着処理室と同等の高真空度にまで排気
することが好ましいので、この排気に時間を要しやす
い。このため、前処理室1と後処理室、特に後処理室8
は複数設けると共に、この複数の前処理室1又は後処理
室8間をゲートバルブ(図示されていない)を介して接
続し、段階的に真空度を上昇又は低下させておくこと
で、搬入もしくは搬出時の排気時間を短縮することがで
きる。また、前処理室1又は後処理室8以外の処理室に
ついても、同じ処理室を複数設け、連続処理における処
理時間の調整や、必要な真空度を得るための排気時間の
短縮を図ることもできる。
In the above first and second examples, since the pretreatment chamber 1 and the posttreatment chamber 8 are opened to the atmosphere, it may take some time to exhaust to the required vacuum degree. In particular, since it is preferable that the post-treatment chamber 8 be evacuated to a high degree of vacuum equivalent to that of the sealing treatment chamber, this evacuation easily takes time. Therefore, the pre-treatment chamber 1 and the post-treatment chamber, especially the post-treatment chamber 8
Is provided, and the plurality of pretreatment chambers 1 or posttreatment chambers 8 are connected to each other through a gate valve (not shown), and the degree of vacuum is raised or lowered stepwise to carry in or out. The evacuation time at the time of carrying out can be shortened. Further, with respect to the processing chambers other than the pre-processing chamber 1 or the post-processing chamber 8, a plurality of the same processing chambers may be provided to adjust the processing time in continuous processing and reduce the exhaust time for obtaining the required degree of vacuum. it can.

【0084】同時に各処理室に処理対象部材を搬送し、
連続的に処理を行う場合、比較的処理時間が長くなる基
板ベーク処理室2,10、外枠ベーク処理室16や冷却
処理室4,12,17は順次複数の処理対象部材を搬送
して同時に処理を行うようにすることが好ましい。
At the same time, the members to be processed are transferred to the respective processing chambers,
In the case of performing continuous processing, the substrate baking processing chambers 2 and 10, the outer frame baking processing chamber 16 and the cooling processing chambers 4, 12 and 17 in which the processing time is relatively long, sequentially convey a plurality of processing target members and simultaneously perform the processing. It is preferable to perform the treatment.

【0085】説明した例においては、いずれもRP20
とFP21を別の基板ベーク処理室2と10でベーク処
理しているが、両者を一つの基板ベーク処理室2又は1
0に搬送し、一緒にベーク処理することで、基板ベーク
処理室2と10をいずれか一つにまとめることもできる
In each of the described examples, the RP20 is used.
And FP21 are baked in separate substrate baking processing chambers 2 and 10, but both are processed in one substrate baking processing chamber 2 or 1.
It is also possible to combine the substrate baking processing chambers 2 and 10 by transporting them to 0 and baking them together.

【0086】[0086]

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりのもので
あり、予め封着材を外枠に設けておき、一対の基板をこ
の外枠とは分けてベーク処理することにより、パネル状
気密容器内に露出する面積の大きい基板については、封
着材の流動によるはみ出しを生じさせることなく、十分
なガス及び水分の除去が可能な高温で長時間のベーク処
理を施すことができる。また、外枠は、パネル状気密容
器内への露出面積が小さいので、ベーク処理を施さなく
てもパネル状気密容器内の真空度への悪影響が小さく、
基板に十分なベーク処理を施すことにより、パネル状気
密容器内の良好な真空度の維持が可能である。更に、一
対の基板をそれぞれ別々の基板ベーク処理室でベーク処
理すれば、別々の条件でベーク処理を施すことができ、
より適切なベーク処理が可能となる。
The present invention is as described above, and a sealing material is provided in advance on the outer frame, and a pair of substrates is baked separately from the outer frame to form a panel-like hermetic seal. A substrate having a large exposed area in the container can be baked for a long time at a high temperature at which sufficient gas and moisture can be removed without causing a protrusion due to the flow of the sealing material. Further, since the outer frame has a small exposed area in the panel-shaped hermetic container, the adverse effect on the degree of vacuum in the panel-shaped hermetic container is small even if the baking process is not performed,
By subjecting the substrate to a sufficient baking treatment, it is possible to maintain a good degree of vacuum in the panel-shaped hermetic container. Furthermore, if the pair of substrates are baked in different substrate baking chambers, respectively, the baking can be performed under different conditions.
A more appropriate baking process becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の製造方法に用いる製造装置の第1の例
を模式的に示す図と共に、この製造装置における処理対
象部材の温度プロファイルと各処理室の真空度プロファ
イルを模式的に示す図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a first example of a manufacturing apparatus used in a manufacturing method of the present invention, and also a diagram schematically showing a temperature profile of a processing target member and a vacuum degree profile of each processing chamber in this manufacturing apparatus. Is.

【図2】図1におけるリアプレート処理ラインの拡大図
である。
FIG. 2 is an enlarged view of a rear plate processing line in FIG.

【図3】図1におけるフェースプレート処理ラインの拡
大図である。
FIG. 3 is an enlarged view of the face plate processing line in FIG.

【図4】図1における外枠処理ラインの拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of an outer frame processing line in FIG.

【図5】図1における封着処理ラインの拡大図である。5 is an enlarged view of the sealing processing line in FIG.

【図6】本発明の製造方法に用いる製造装置の第2の例
を模式的に示す図と共に、この製造装置における処理対
象部材の温度プロファイルと各処理室の真空度プロファ
イルを模式的に示す図である。
FIG. 6 is a diagram schematically showing a second example of a manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention, and also a diagram schematically showing a temperature profile of a processing target member and a vacuum degree profile of each processing chamber in this manufacturing apparatus. Is.

【図7】図6におけるリアプレート処理ライン〜封着処
理ラインの拡大図である。
7 is an enlarged view of a rear plate processing line to a sealing processing line in FIG.

【図8】図6におけるフェースプレート処理ライン及び
外枠処理ラインの拡大図である。
8 is an enlarged view of a face plate processing line and an outer frame processing line in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 前処理室 2 基板ベーク処理室 3 表面浄化処理室 4 冷却処理室 5 チャンバゲッタ処理室 6 組み立て処理室 7 封着処理室 8 後処理室 9 前処理室 10 基板ベーク処理室 11 表面浄化処理室 12 冷却室処理室 13 チャンバゲッタ処理室 14 パネルゲッタ処理室 15 前処理室 16 外枠ベーク処理室 17 冷却処理室 18 チャンバゲッタ処理室 19 画像表示パネル 20 リアプレート(RP) 21 フェースプレート(FP) 22 外枠 23 搬送ユニット 24 搬送ユニット 25 搬送ユニット 26〜31 ゲートバルブ 32 スペーサ 33 温度制御手段 34 電子銃 35 電子線 36 チャンバゲッタ板 37 チャンバゲッタフラッシュ装置 38 チャンバゲッタフラッシュ 39 温度制御手段 40〜46 ゲートバルブ 47電子銃 48 電子線 49 チャンバゲッタ板 50 チャンバゲッタフラッシュ装置 51 チャンバゲッタフラッシュ 52 パネルゲッタフラッシュ装置 53 パネルゲッタフラッシュ 54〜58 ゲートバルブ 59 チャンバゲッタ板 60 チャンバゲッタフラッシュ装置 61 チャンバゲッタフラッシュ 62〜64 ゲートバルブ 65 外枠セット処理室 66〜68 ゲートバルブ 1 pretreatment room 2 Substrate bake processing room 3 Surface purification treatment room 4 Cooling chamber 5 Chamber getter processing chamber 6 Assembly processing room 7 Sealing processing room 8 Aftertreatment room 9 Pretreatment room 10 Substrate bake processing room 11 Surface purification treatment room 12 Cooling room Processing room 13 Chamber getter processing chamber 14 panel getter processing room 15 Pretreatment room 16 Outer Bake Processing Room 17 Cooling chamber 18 Chamber Getter Processing Room 19 Image display panel 20 Rear plate (RP) 21 Face plate (FP) 22 Outer frame 23 Transport unit 24 Transport unit 25 Transport unit 26-31 Gate valve 32 spacer 33 Temperature control means 34 electron gun 35 electron beam 36 Chamber getter plate 37 Chamber getter flash device 38 Chamber Getter Flash 39 Temperature control means 40-46 Gate valve 47 electron gun 48 electron beams 49 Chamber getter plate 50 chamber getter flash device 51 Chamber Getter Flash 52 panel getter flash device 53 panel getter flash 54-58 Gate valve 59 Chamber Getter Plate 60 Chamber getter flash device 61 Chamber Getter Flash 62-64 Gate valve 65 Outer frame processing room 66-68 Gate valve

フロントページの続き (72)発明者 宮崎 俊彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5C012 AA05 BC03 BC04 Continued front page    (72) Inventor Toshihiko Miyazaki             3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo             Non non corporation F-term (reference) 5C012 AA05 BC03 BC04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パネル状気密容器の表裏面を構成する一
対の基板と周側壁を構成する外枠とを、少なくとも封着
処理室を含む減圧された複数の処理室を有する一連の処
理装置へ搬入して順次処理室間を搬送し、所定の処理を
経た前記一対の基板と外枠とを、封着材を用いて前記封
着処理室で封着処理するパネル状気密容器の製造方法に
おいて、 前記処理装置の処理室として、少なくとも前記一対の基
板が前記封着処理室への搬送に先立って搬送される基板
ベーク処理室を設けると共に、前記外枠に予め前記封着
材を設けておき、少なくとも前記一対の基板を前記外枠
とは分けて前記基板ベーク処理室に搬送してベーク処理
を施すことを特徴とするパネル状気密容器の製造方法。
1. A series of processing apparatuses having a plurality of depressurized processing chambers including at least a sealing processing chamber, wherein a pair of substrates constituting the front and back surfaces of a panel-like airtight container and an outer frame constituting a peripheral side wall are provided. In a method of manufacturing a panel-shaped hermetic container in which a pair of substrates and an outer frame which have been carried in and sequentially transported between processing chambers and which have undergone predetermined processing are subjected to a sealing treatment in the sealing treatment chamber using a sealing material. As a processing chamber of the processing apparatus, a substrate baking processing chamber in which at least the pair of substrates is transferred prior to being transferred to the sealing processing chamber is provided, and the sealing material is provided in advance in the outer frame. A method for manufacturing a panel-shaped hermetic container, characterized in that at least the pair of substrates are separated from the outer frame and are conveyed to the substrate baking treatment chamber to be subjected to a baking treatment.
【請求項2】 前記基板ベーク処理室を、一対の基板を
構成する2つの基板のそれぞれについて設け、該2つの
基板をそれぞれ別の基板ベーク処理室に搬送してベーク
処理を施すことを特徴とする請求項1に記載のパネル状
気密容器の製造方法。
2. The substrate bake treatment chamber is provided for each of two substrates forming a pair of substrates, and the two substrates are conveyed to different substrate bake treatment chambers for bake treatment. The method for manufacturing a panel-shaped hermetic container according to claim 1.
【請求項3】 前記基板ベーク処理室における基板のベ
ーク処理の加熱条件を、基板に吸着されたガスが放出さ
れる温度以上とすることを特徴とする請求項1又は2に
記載のパネル状気密容器の製造方法。
3. The panel-like airtightness according to claim 1, wherein the heating condition for the baking treatment of the substrate in the substrate baking treatment chamber is equal to or higher than the temperature at which the gas adsorbed on the substrate is released. Container manufacturing method.
【請求項4】 前記処理装置の処理室として、外枠が封
着処理室への搬送に先立って搬送される外枠ベーク処理
室を設け、前記外枠を前記基板とは分けて該外枠ベーク
処理室に搬送してベーク処理を施すことを特徴とする請
求項1〜3のいずれかに記載のパネル状気密容器の製造
方法。
4. A processing chamber of the processing apparatus, wherein an outer frame baking processing chamber is provided in which an outer frame is transferred prior to being transferred to the sealing processing chamber, and the outer frame is separated from the substrate. The method for producing a panel-shaped hermetic container according to claim 1, wherein the method is carried to a bake treatment chamber and subjected to a bake treatment.
【請求項5】 外枠ベーク処理室における外枠のベーク
処理の加熱条件を、外枠に付着又は吸着されている水分
の放出温度以上で、予め外枠に設けられた封着材の流動
化温度未満とすることを特徴とする請求項4記載のパネ
ル状気密容器の製造方法。
5. The fluidization of a sealing material provided in advance in the outer frame in which the heating condition for the outer frame bake treatment in the outer frame bake treatment chamber is equal to or higher than the release temperature of water adhering to or adsorbed to the outer frame. The method for producing a panel-shaped hermetic container according to claim 4, wherein the temperature is lower than the temperature.
【請求項6】 一対の基板と外枠とを分離された状態の
まま封着処理室へ搬送することを特徴とする請求項1〜
5のいずれかに記載のパネル状気密容器の製造方法。
6. The pair of substrates and the outer frame are conveyed to the sealing processing chamber while being separated from each other.
5. The method for manufacturing the panel-shaped airtight container according to any one of 5 above.
【請求項7】 外枠を、予め設けられた封着材を用い
て、基板ベーク処理室におけるベーク処理を経たいずれ
か一方の基板にセットして封着処理室へ搬送することを
特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のパネル状気
密容器の製造方法。
7. The outer frame is set on one of the substrates that has undergone the baking treatment in the substrate baking treatment chamber by using a sealing material provided in advance, and is conveyed to the sealing treatment chamber. The method for manufacturing the panel-shaped hermetic container according to claim 1.
【請求項8】 外枠を、外枠ベーク処理室におけるベー
ク処理後、予め設けられた封着材を用いて、基板ベーク
処理室におけるベーク処理を経たいずれか一方の基板に
セットして封着処理室へ搬送することを特徴とする請求
項4又は5に記載のパネル状気密容器の製造方法。
8. The outer frame is set on one of the substrates which has been subjected to the baking treatment in the substrate baking treatment chamber and sealed by using a sealing material provided in advance after the baking treatment in the outer frame baking treatment chamber. The method for producing a panel-shaped hermetic container according to claim 4 or 5, wherein the method is carried to a processing chamber.
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