JP4408110B2 - Manufacturing method of image display device - Google Patents

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本発明は画像表示装置、特に表示パネルの表示面を構成するフェースプレートと、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて該表示パネルの背面を構成するリアプレートとを、封着することにより形成される表示パネルを有する画像表示装置の製造方法に関する。 The present invention seals a face plate constituting a display surface of an image display device, particularly a display panel, and a rear plate constituting a back surface of the display panel so as to be opposed to the face plate at an interval. The present invention relates to a method for manufacturing an image display device having a display panel to be formed.

従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の2種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型(以下、FE型という)、金属/絶縁層/金属型(以下、MIM型という)、表面伝導型電子放出素子などがある。   2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron-emitting devices, known as a thermionic electron-emitting device and a cold cathode electron-emitting device, are known. Cold cathode electron-emitting devices include field emission type (hereinafter referred to as FE type), metal / insulating layer / metal type (hereinafter referred to as MIM type), surface conduction type electron emitting device, and the like.

FE型の例としては、W.P.Dyke & W.W.Dolan,”Field Emission”,Advance in Electron Physics,8,89(1956)、あるいはC.A.Spindt,”PHYSICAL Properties of thin−film field emission cathodes with molybdenum cones”,J.Appl.Phys.,47,5248(1976)などに開示されたものが知られている。   As an example of the FE type, W.W. P. Dyke & W. W. Dolan, “Field Emission”, Advance in Electro Physics, 8, 89 (1956), or C.I. A. Spindt, “PHYSICAL Properties of Thin-Film Field Emission Catalysts with Mollybdenum Cones”, J. Am. Appl. Phys. 47, 5248 (1976), etc. are known.

MIM型の例としては、C.A.Mead,”Operation of Tunnel−Emission Devices”,J.Appl.Phys.,32,646(1961)などに開示されたものが知られている。   Examples of the MIM type include C.I. A. Mead, “Operation of Tunnel-Emission Devices”, J. Am. Appl. Phys. , 32, 646 (1961), etc. are known.

表面伝導型電子放出素子型の例としては、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,1290(1965)などに開示されたものがある。   Examples of the surface conduction electron-emitting device type include M.I. I. Elinson, Radio Eng. Electron Phys. , 10, 1290 (1965).

表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO2薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:”Thin Solis Films,”9,317(1972)]、In23/SnO2薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fonstad:”IEEE Trans.ED Conf.”,519(1975)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他:真空、第26巻、第1号、22頁(1983)]などが報告されている。 The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current flows in parallel to a film surface of a small-area thin film formed on a substrate. As this surface conduction electron-emitting device, one using the SnO 2 thin film by Erinson et al., One using Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solis Films,” 9,317 (1972)], In 2 O 3 / SnO 2 thin film [M. Hartwell and C.H. G. Fonstad: “IEEE Trans. ED Conf.”, 519 (1975)], carbon thin film [Hisa Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, pp. 22 (1983)] have been reported.

上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板(リアプレート)を用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けた蛍光体基板(フェースプレート)を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらフェースプレートとリアプレートとを対向配置してから、フリットガラスなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。   In the manufacture of an image display device using the above-described electron-emitting devices, an electron source substrate (rear plate) in which these electron-emitting devices are arranged in a matrix is prepared, and a phosphor that emits light when excited by an electron beam is prepared. A prepared phosphor substrate (face plate) is prepared so that the electron-emitting device and the phosphor are inside, and an envelope providing a vacuum seal structure between them and a spacer providing an atmospheric pressure resistant structure After the face plate and the rear plate are placed facing each other, the inside is sealed using a low melting point material such as frit glass as a sealing material, and the inside is evacuated from a vacuum exhaust pipe provided in advance. After exhausting, a manufacturing process is used in which a vacuum exhaust pipe is sealed to form a display panel.

上記した従来技術による製造法は、1枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を真空度10-6Pa以上とするような表示パネルの製造には適していないものであった。 The above-described manufacturing method according to the prior art requires a very long time to manufacture one display panel. For example, for manufacturing a display panel having an internal vacuum of 10 −6 Pa or more. Was not suitable.

この従来技術の問題点は、例えば、特開平11−135018号公報に記載された方法によって解消された。   This problem of the prior art has been solved by, for example, the method described in JP-A-11-135018.

上記特開平11−135018号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、FPとRPとを位置合わせした後、この2枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となり、FP及びRPの各真空室間の移動は、大気を破って行われるため、FP及びRPの搬入毎に各真空室を真空排気することから、製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真空度10-6Pa以上のような高真空を達成することも求められていた。 Since the method described in the above Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135018 uses only the step of sealing the two substrates after aligning the FP and RP in a single vacuum chamber, Steps such as baking, gettering, and electron beam cleaning, which are other steps necessary for creating the display panel described above, also require processing in a single vacuum chamber. Since the movement of each RP between the vacuum chambers is performed by breaking the atmosphere, each vacuum chamber is evacuated every time FP and RP are carried in, and therefore the manufacturing process time is long. At the same time that shortening was required, it was also required to achieve a high vacuum such as a degree of vacuum of 10 −6 Pa or higher in the display panel in the final manufacturing process in a short time.

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and it is an object of the present invention to make it possible to easily shorten the evacuation time and increase the degree of vacuum in the manufacture of an image display device, thereby improving the manufacturing efficiency. To do.

まず、第1の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有し、前記ゲッタ処理は、前記ゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
First, according to the first aspect of the present invention (reference invention) , a panel member constituting a panel of an image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers include a bake processing chamber for baking the panel member, and a getter processing chamber in which the panel member is transferred after the baking processing and getter processing is performed on the panel member. Is a method for manufacturing an image display device, wherein the temperature of the panel member in the getter processing chamber is set to be lower than the temperature of the panel member to be baked in the baking chamber.

上記第1の本発明においては、前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、が好ましい。 In the first aspect of the present invention, the plurality of processing chambers are adjacent to the getter processing chamber to which the panel member is transferred after the baking process in the baking processing chamber and before the transfer to the getter processing chamber. It is preferable that the front chamber and the getter processing chamber are set to 10 −4 Pa or less including the front chamber.

また、第2の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有し、前記ゲッタ処理は、前記ゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a second aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of treatment chambers include a bake treatment chamber for baking the panel member, a surface purification treatment chamber in which the panel member is transported after the bake treatment, and a surface purification treatment of the panel member is performed, and the surface purification treatment And a getter processing chamber in which the panel member is transported later and getter processing is performed on the panel member. In the getter processing, the temperature of the panel member in the getter processing chamber is baked in the bake processing chamber. It is a method for manufacturing an image display device, which is performed at a temperature lower than the temperature of the panel member.

また、上記第2の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the second aspect of the present invention, the plurality of processing chambers may have the getter process in which the panel member is transferred after the surface cleaning process in the surface cleaning process chamber and before the transfer to the getter processing chamber. A front chamber adjacent to the chamber, and the front chamber and the getter processing chamber are set to 10 −4 Pa or less, or
The surface purification treatment chamber is adjacent to the getter treatment chamber, and the surface purification treatment chamber and the getter treatment chamber are set to 10 −4 Pa or less, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、以上述べた第1〜第2の本発明においては、前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記ゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。
In the first to second aspects of the present invention described above, in the getter processing chamber, getter processing in the getter processing chamber is further performed, or
The sealing of the panel member is preferably performed by setting the temperature of the panel member to a temperature higher than the temperature of the panel member to be gettered in the getter processing chamber.

また、第3の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第1のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第1のゲッタ処理室と隣接した第2のゲッタ処理室とを有し、前記パネル部材へのゲッタ処理は、前記第2のゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a third aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers include a baking processing chamber for baking the panel member, a first getter processing chamber in which the panel member is transported after the baking processing, and getter processing is performed in the processing chamber, and the getter processing. The panel member is transported later and the panel member is subjected to getter processing. The first getter processing chamber and a second getter processing chamber adjacent to the first getter processing chamber are provided. The method of manufacturing an image display device, wherein the temperature of the panel member in the getter processing chamber of No. 2 is set to a temperature lower than the temperature of the panel member to be baked in the baking processing chamber.

また、上記第3の本発明においては、前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記第1のゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記第1のゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、前記第1及び第2のゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、が好ましい。 In the third aspect of the present invention, the plurality of processing chambers may be configured such that the panel member is transported after the baking processing in the baking processing chamber and before transporting to the first getter processing chamber. It is preferable that a front chamber adjacent to one getter processing chamber is included, and the front chamber and the first and second getter processing chambers are set to 10 −4 Pa or less.

また、第4の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第1のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第1のゲッタ処理室と隣接した第2のゲッタ処理室とを有し、前記パネル部材へのゲッタ処理は、前記第2のゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a fourth aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of treatment chambers include a bake treatment chamber for baking the panel member, a surface purification treatment chamber in which the panel member is transported after the bake treatment, and a surface purification treatment of the panel member is performed, and the surface purification treatment A first getter processing chamber in which the panel member is transported later and getter processing is performed in the processing chamber; and the first getter processing chamber in which the panel member is transported and getter processing is performed after the getter processing. A panel having a getter processing chamber and a second getter processing chamber adjacent thereto, wherein the getter processing to the panel member is performed by baking the temperature of the panel member in the second getter processing chamber in the bake processing chamber. It is a manufacturing method of an image display device, characterized in that it is performed at a temperature lower than the temperature of the member.

また、上記第4の本発明においては、前記表面浄化処理室は、前記第1のゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室、前記第1及び第2のゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the fourth aspect of the present invention, the surface purification treatment chamber is adjacent to the first getter treatment chamber, and the surface purification treatment chamber, the first and second getter treatment chambers are 10 -4 Pa or less, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、上記第3〜第4の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記第2のゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。   In the third to fourth aspects of the present invention, the sealing of the panel member is performed by setting the temperature of the panel member to a temperature higher than the temperature of the panel member to be gettered in the second getter processing chamber. It is preferable that the setting is performed.

また、本発明の第5(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a fifth aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers are a baking chamber for baking the panel member, the panel member is transferred after the baking, a cooling chamber for cooling the panel member, and the panel member is transferred after the cooling process. And a getter processing chamber in which getter processing is performed on the panel member.

また、上記第5の本発明においては、前記複数の処理室は、前記冷却処理室での冷却処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記冷却処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記冷却室内のゲッタ処理を行うこと、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理と前記冷却処理室内のゲッタ処理とを行うこと、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the fifth aspect of the present invention, the plurality of processing chambers may include the getter processing chamber in which the panel member is transported after cooling processing in the cooling processing chamber and before transporting to the getter processing chamber. Including an adjacent front chamber, the front chamber and the getter processing chamber being set to 10 −4 Pa or less, or
The cooling processing chamber is adjacent to the getter processing chamber, and the cooling processing chamber and the getter processing chamber are set to 10 −4 Pa or less, or
In the getter processing chamber, further, getter processing is performed in the getter processing chamber, or
Performing further surface purification treatment of the panel member in the cooling treatment chamber, or
Performing further getter processing in the cooling chamber in the cooling chamber; or
Performing a surface purification process of the panel member and a getter process in the cooling process chamber in the cooling process chamber; or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、第6の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a sixth aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each having a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers are a baking chamber for baking the panel member, the panel member is transferred after the baking, a cooling chamber for cooling the panel member, and the panel member is transferred after the cooling process. And a surface purification treatment chamber in which the panel member is subjected to a surface purification treatment, and a getter treatment chamber in which the panel member is transported after the surface purification treatment and the panel member is subjected to getter treatment. It is a manufacturing method of an image display device.

また、上記第6の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the sixth aspect of the present invention, the plurality of processing chambers may have the getter process in which the panel member is transferred after the surface cleaning process in the surface cleaning process chamber and before the transfer to the getter processing chamber. A front chamber adjacent to the chamber, and the front chamber and the getter processing chamber are set to 10 −4 Pa or less, or
The surface purification treatment chamber is adjacent to the getter treatment chamber, and the surface purification treatment chamber and the getter treatment chamber are set to 10 −4 Pa or less, or
In the getter processing chamber, further, getter processing is performed in the getter processing chamber, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、上記第5〜第6の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記ゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。   In the fifth to sixth aspects of the invention, the sealing of the panel member is performed by setting the temperature of the panel member to a temperature higher than the temperature of the panel member to be gettered in the getter processing chamber. It is preferred that it be done.

また、第7の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第1のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第1のゲッタ処理室に隣接した第2のゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to a seventh aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each provided with a temperature control means, and the panel member while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers are a baking chamber for baking the panel member, the panel member is transferred after the baking, a cooling chamber for cooling the panel member, and the panel member is transferred after the cooling process. A first getter processing chamber in which getter processing is performed in the processing chamber, and adjacent to the first getter processing chamber in which the panel member is transported after the getter processing and getter processing is performed on the panel member. A method for manufacturing an image display device, comprising: a second getter processing chamber.

また、上記第7の本発明においては、前記冷却処理室は、前記第1のゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室、前記第1及び第2のゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the seventh aspect of the present invention, the cooling processing chamber is adjacent to the first getter processing chamber, and the cooling processing chamber and the first and second getter processing chambers are 10 −4. Set to Pa or below, or
Performing further surface purification treatment of the panel member in the cooling treatment chamber, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、第8の本発明(参考発明)は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第1のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第1のゲッタ処理室に隣接された第2のゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
According to an eighth aspect of the present invention (reference invention) , the panel member constituting the panel of the image display device is sequentially conveyed to a plurality of decompressed processing chambers each provided with a temperature control means, and the panel member is controlled while controlling the temperature. A method of manufacturing an image display device for forming a panel by sealing the panel member after performing a plurality of treatments,
The plurality of processing chambers are a baking chamber for baking the panel member, the panel member is transferred after the baking, a cooling chamber for cooling the panel member, and the panel member is transferred after the cooling process. A surface purification treatment chamber in which a surface purification treatment of the panel member is performed, a first getter treatment chamber in which the panel member is transported after the surface purification treatment and a getter treatment is performed in the treatment chamber, and the getter treatment A method of manufacturing an image display device, comprising: a second getter processing chamber adjacent to the first getter processing chamber in which the panel member is transported later and getter processing is performed on the panel member. is there.

また、上記第8の本発明においては、前記表面浄化処理室は、前記第1のゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室、前記第1及び第2のゲッタ処理室内は、10-4Pa以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
In the eighth aspect of the present invention, the surface purification treatment chamber is adjacent to the first getter treatment chamber, and the surface purification treatment chamber, the first and second getter treatment chambers are 10 -4 Pa or less, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with an electron beam, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ions, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating the surface of the carried member with ultraviolet rays, or
The surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member by irradiating plasma on the surface of the member carried in;
Is preferred.

また、上記第7〜第8の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記第2のゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。   In the seventh to eighth aspects of the present invention, the sealing of the panel member is performed such that the temperature of the panel member is higher than the temperature of the panel member to be gettered in the second getter processing chamber. It is preferable that the setting is performed.

また、以上述べた第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートを有し、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第1の封着材が設けられていること、あるいは、
前記リアプレート側には、第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第1の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention described above, the panel member has a face plate that constitutes the display surface of the panel, and is disposed to face the face plate with a space therebetween. Sealed with the rear plate constituting the back, or
The rear plate side is provided with a first sealing material for sealing with the panel member, or
On the rear plate side, a first sealing material that forms a seal between an outer frame constituting a side surface of the panel fixed by a second sealing material and the panel member disposed on the outer frame. Or is provided, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、以上述べた第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに配置された第1の封着材を有し、前記リアプレートと前記第1の封着材で封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、第2の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention described above, the panel member further includes a first sealing member disposed on the face plate, and the rear plate and the first sealing member. Sealed with materials, or
The rear plate side is provided with an outer frame fixed with a second sealing material and constituting the side surface of the panel, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第7〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有し、前記リアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第1の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the seventh to eighth aspects of the present invention, the panel member further includes an outer frame constituting a side surface of the panel fixed to the face plate with a second sealing material, and the rear member Sealed with plate, or
The rear plate side is provided with a first sealing material for sealing with the panel member, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第7〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第1の封着材とを有し、前記リアプレートと前記第1の封着材で封着されること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the seventh to eighth aspects of the present invention, the panel member further includes an outer frame constituting a side surface of the panel fixed to the face plate with a second sealing material, and the outer frame. Having a first sealing material disposed, and being sealed with the rear plate and the first sealing material, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートを有し、前記フェースプレートと封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第1の封着材が設けられていること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第1の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention, the panel member has a rear plate that is disposed to face the face plate that constitutes the display surface of the panel at an interval and that constitutes the back surface of the panel. Sealing with the face plate, or
The face plate side is provided with a first sealing material for sealing with the panel member, or
On the face plate side, a first sealing material that seals an outer frame that constitutes a side surface of the panel fixed by a second sealing material and the panel member disposed on the outer frame. Or is provided, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに配置された第1の封着材を有し、前記フェースプレートと前記第1の封着材で封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第2の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention, the panel member further includes a first sealing material disposed on the rear plate, and the face plate and the first sealing material. To be sealed, or
On the face plate side, an outer frame fixed with a second sealing material and constituting the side surface of the panel is provided, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有すること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第1の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention, the panel member further includes an outer frame constituting a side surface of the panel fixed to the rear plate with a second sealing material, or
The face plate side is provided with a first sealing material for sealing with the panel member, or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第1〜第8の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第2の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第1の封着材とを有し、前記フェースプレートと前記第1の封着材で封着されること、あるいは、
前記第2の封着材は、前記第1の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第1の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第2の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention, the panel member further includes an outer frame that forms a side surface of the panel fixed to the rear plate with a second sealing material, and the outer frame. A first sealing material disposed and sealed with the face plate and the first sealing material; or
The second sealing material has a higher melting point than the first sealing material, or
The first sealing material is a low melting point metal or an alloy thereof, or
The second sealing material is frit glass;
Is preferred.

また、上記第1〜第8の本発明においては、前記フェースプレートは、蛍光体を有すること、あるいは、
前記フェースプレートは、蛍光体とメタルバックとを有すること、あるいは、
前記リアプレートは、蛍光体励起手段を有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
In the first to eighth aspects of the present invention, the face plate has a phosphor, or
The face plate has a phosphor and a metal back, or
The rear plate has a phosphor excitation means, or
The phosphor excitation means has an electron-emitting device;
Is preferred.

また、第9の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、を有し、
前記工程bは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程aにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
Further, a ninth aspect of the present invention (reference invention) is a method of manufacturing an image display device,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: One or both members of the first member and the second member are carried into a getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried members or both of the carried members A step of gettering one or both;
c: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing, and
The step b is a method for manufacturing an image display device, wherein the temperature of the member to be gettered is lower than the heating temperature in the step a.

また、第10の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲
気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
The tenth aspect of the present invention (reference invention) is an image display device manufacturing method,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: carrying one or both of the first member and the second member into a cooling processing chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere and performing a cooling process;
c: One or both of the first member and the second member are loaded into a getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the loaded members or both of the loaded members is loaded A step of gettering one or both;
d: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
It is a manufacturing method of the image display apparatus characterized by having.

また、上記第10の本発明においては、前記工程bにおける冷却処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方に表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記工程bにおける冷却処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方に表面浄化処理と、前記冷却処理室内のゲッタ処理とを行うこと、が好ましい。
In the tenth aspect of the present invention, the surface purification treatment is performed on one or both of the loaded one member or both loaded members in the cooling processing chamber in the step b, or
In the cooling process chamber in the step b, it is preferable to perform a surface purification process and a getter process in the cooling process chamber on one or both of the loaded one member or both loaded members.

また、第11の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有し、
前記工程cは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程aにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
The eleventh aspect of the present invention is a method for manufacturing an image display apparatus,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried-in members or both carried-in members A surface purification treatment of one or both of
c: One or both of the first member and the second member are loaded into a getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the loaded members or both of the loaded members is loaded A step of gettering one or both;
d: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
I have a,
In the method of manufacturing an image display device, the temperature of the member to be gettered is lower than the heating temperature in the step a .

また、上記第11の本発明においては、前記工程bの表面浄化処理室内で、表面浄化処理室内のゲッタ処理を行うこと、あるいは、
前記工程bの表面浄化処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材の冷却を行うこと、が好ましい。
In the eleventh aspect of the present invention, the getter treatment in the surface purification treatment chamber is performed in the surface purification treatment chamber in the step b, or
In the surface purification treatment chamber in the step b, it is preferable to cool one of the loaded members or both of the loaded members.

また、第12の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第1のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第1のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第2のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
e:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有し、
前記工程dは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程aにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an image display device,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried-in members or both carried-in members A surface purification treatment of one or both of
c: One or both of the first member and the second member are carried into a first getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and getter processing is performed in the first getter processing chamber. A process of performing;
d: One or both of the first member and the second member are loaded into a second getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and the loaded one member or both loaded members Gettering one or both of:
e: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
I have a,
The method d is a method for manufacturing an image display device , wherein the temperature of the member to be gettered is lower than the heating temperature in the step a .

また、上記第12の本発明においては、前記工程bの表面浄化処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材の冷却を行うことが好ましい。   In the twelfth aspect of the present invention, it is preferable to cool one of the loaded members or both of the loaded members in the surface purification treatment chamber of step b.

また、第13の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
e:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
The thirteenth aspect of the present invention (reference invention) is a method of manufacturing an image display apparatus,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: carrying one or both of the first member and the second member into a cooling processing chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere and performing a cooling process;
c: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried members or both of the carried members A surface purification treatment of one or both of
d: One or both of the first member and the second member are loaded into a getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the loaded members or both of the loaded members is loaded A step of gettering one or both;
e: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
It is a manufacturing method of the image display apparatus characterized by having.

また、第14の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第1のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第1のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
e:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第2ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
f:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
Further, a fourteenth aspect of the present invention (reference invention) is a method of manufacturing an image display device,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: carrying one or both of the first member and the second member into a cooling processing chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere and performing a cooling process;
c: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried members or both of the carried members A surface purification treatment of one or both of
d: One or both of the first member and the second member are carried into a first getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and getter processing is performed in the first getter processing chamber. A process of performing;
e: One or both of the first member and the second member are loaded into a second getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and the loaded one member or both loaded members Gettering one or both of them,
f: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
It is a manufacturing method of the image display apparatus characterized by having.

また、以上述べた第9〜第14の本発明において、冷却処理室内のゲッタ処理、表面浄化処理室内のゲッタ処理、あるいは、第1のゲッタ処理室内のゲッタ処理とは、各々の処理室内の真空度を上げる目的でなされる処理であり、画像表示装置の構成部材に対してゲッタ膜を形成するか、処理室内に配置された画像表示装置の非構成部材に対してゲッタ膜を形成する処理である。   In the ninth to fourteenth aspects of the present invention described above, the getter process in the cooling process chamber, the getter process in the surface purification process chamber, or the getter process in the first getter process chamber is a vacuum in each process chamber. This process is performed for the purpose of increasing the degree of processing, such as forming a getter film on the constituent members of the image display apparatus or forming a getter film on the non-constituent members of the image display apparatus disposed in the processing chamber. is there.

また、以上述べた第9〜第14の本発明において、表面浄化処理とは、上記部材の表面を浄化する処理であり、部材の表面に電子線、イオン、紫外線、あるいは、プラズマを照射することが好ましい。   In the ninth to fourteenth aspects of the present invention described above, the surface purification treatment is a treatment for purifying the surface of the member, and irradiating the surface of the member with an electron beam, ions, ultraviolet rays, or plasma. Is preferred.

また、以上述べた第9〜第14の本発明において、上記部材のゲッタ処理は、前記部材を加熱しながら行われるのが好ましい。   In the ninth to fourteenth aspects of the present invention described above, it is preferable that the getter process for the member is performed while heating the member.

また、第15の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第1の部材及び前記第2の部材を、前記ゲッタ処理室から前記封着処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
The fifteenth aspect of the present invention (reference invention) is an apparatus for manufacturing an image display device,
A getter processing chamber for gettering one or both of a first member including a substrate on which phosphor excitation means is disposed and a second member including a substrate on which phosphor is disposed in a vacuum atmosphere; A sealing processing chamber for heating and sealing the first member and the second member, and the first member and the second member are connected to the getter processing chamber. A transporting means capable of transporting from the sealing processing chamber to the sealing processing chamber,
The image display device manufacturing apparatus is characterized in that a heat shielding member is provided between the getter processing chamber and the sealing processing chamber.

また、第16の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第1の部材及び前記第2の部材を、前記ベーク処理室から前記ゲッタ処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ベーク処理室と前記ゲッタ処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
According to a sixteenth aspect of the present invention (reference invention) , in the image display apparatus manufacturing apparatus,
A baking process chamber for heating and baking a first member including a substrate on which a phosphor excitation means is disposed and a second member including a substrate on which a phosphor is disposed in a vacuum atmosphere; And a getter processing chamber for gettering one or both of the second member and the second member, and the first member and the second member from the bake processing chamber It has a transport means that can transport to the getter processing chamber,
An apparatus for manufacturing an image display device, wherein a heat shielding member is provided between the baking processing chamber and the getter processing chamber.

また、第17の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第1の部材及び前記第2の部材を、ベーク処理室、ゲッタ処理室、封着処理室の順で搬送可能な搬送手段を備え、
前記各処理室間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
According to a seventeenth aspect of the present invention (reference invention), in an apparatus for manufacturing an image display device,
A baking process chamber for heating and baking a first member including a substrate on which a phosphor excitation means is disposed and a second member including a substrate on which a phosphor is disposed in a vacuum atmosphere; A getter treatment chamber for gettering one or both of the first member and the second member, and a seal for heating and sealing the first member and the second member. And a transporting means capable of transporting the first member and the second member in the order of a bake processing chamber, a getter processing chamber, and a sealing processing chamber,
An apparatus for manufacturing an image display device, wherein a heat shielding member is provided between the processing chambers.

また、第18の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を冷却するための冷却処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第1の部材及び前記第2の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室の順に搬送可能な搬送手段を備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
An eighteenth aspect of the present invention (reference invention) is an apparatus for manufacturing an image display device.
A baking process chamber for heating and baking a first member including a substrate on which a phosphor excitation means is disposed and a second member including a substrate on which a phosphor is disposed in a vacuum atmosphere; A cooling chamber for cooling one or both of the first member and the second member, and gettering one or both of the first member and the second member. A getter processing chamber, and further comprising transport means capable of transporting the first member and the second member in the order of the bake processing chamber, the cooling processing chamber, and the getter processing chamber. An image display device manufacturing apparatus.

また、上記第18の本発明においては、前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間に熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
各処理室間に熱遮蔽部材が設けられていること、が好ましい。
In the eighteenth aspect of the present invention, a heat shielding member is provided between the baking treatment chamber and the cooling treatment chamber, or
It is preferable that a heat shielding member is provided between the processing chambers.

また、第19の本発明(参考発明)は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を冷却するための冷却処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第1の部材と前記第2の部材とを加熱し封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第1の部材及び前記第2の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室、前記封着処理室の順に搬送可能な搬送手段とを備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
According to a nineteenth aspect of the present invention (reference invention), in an apparatus for manufacturing an image display device,
A baking process chamber for heating and baking a first member including a substrate on which a phosphor excitation means is disposed and a second member including a substrate on which a phosphor is disposed in a vacuum atmosphere; A cooling chamber for cooling one or both of the first member and the second member, and gettering one or both of the first member and the second member. The getter processing chamber, and a sealing processing chamber for heating and sealing the first member and the second member, and the first member and the second member, An apparatus for manufacturing an image display device, comprising: a transfer unit capable of transferring the baking processing chamber, the cooling processing chamber, the getter processing chamber, and the sealing processing chamber in this order.

また、上記第19の本発明においては、前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間に熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間、及び、前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
各処理室間に熱遮蔽部材が設けられていること、
が好ましい。
In the nineteenth aspect of the present invention, a heat shielding member is provided between the baking treatment chamber and the cooling treatment chamber, or
A heat shielding member is provided between the getter processing chamber and the sealing processing chamber, or
A heat shielding member is provided between the baking processing chamber and the cooling processing chamber and between the getter processing chamber and the sealing processing chamber; or
A heat shielding member is provided between the processing chambers;
Is preferred.

ここで、上記第15〜第19の本発明において、前記熱遮蔽部材は、反射性金属により形成されていることが好ましい。   Here, in the fifteenth to nineteenth aspects of the present invention, the heat shielding member is preferably made of a reflective metal.

また、以上述べた第9〜第19の本発明において、前記第1の部材は、
蛍光体励起手段を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
蛍光体励起手段を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
蛍光体励起手段を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、
が好ましい。
In the ninth to nineteenth aspects of the present invention described above, the first member is
Having a substrate on which a phosphor excitation means is arranged and an outer frame, or
Having a substrate on which phosphor excitation means is arranged and a spacer, or
Having a substrate on which the phosphor excitation means is disposed, an outer frame, and a spacer;
Is preferred.

または、前記第2の部材が、
蛍光体を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
蛍光体を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
蛍光体を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、
が好ましい。
Alternatively, the second member is
Having a substrate on which a phosphor is disposed and an outer frame, or
Having a substrate with a phosphor and a spacer, or
Having a substrate on which a phosphor is disposed, an outer frame, and a spacer;
Is preferred.

また、以上述べた第9〜第19の本発明において、
前記ゲッタ処理に用いられるゲッタは、蒸発型ゲッタであること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
In the ninth to nineteenth aspects of the present invention described above,
The getter used for the getter process is an evaporative getter, or
The phosphor excitation means has an electron-emitting device;
Is preferred.

以上述べた本発明においては、真空雰囲気下に、各処理室が夫々設けられているので、上記各処理工程における、第1あるいは第2の部材の温度を各処理室ごとに独立して設定することができ、処理温度の昇降にかかる時間を大幅に短縮できる。   In the present invention described above, since each processing chamber is provided in a vacuum atmosphere, the temperature of the first or second member in each processing step is set independently for each processing chamber. The time required for raising and lowering the processing temperature can be greatly reduced.

また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理される部材の温度が、ベーク処理される部材の温度よりも低い温度に設定されてゲッタ処理されることは、前記部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。   Further, in the present invention described above, the temperature of the member to be gettered is set to a temperature lower than the temperature of the member to be baked, and the gettering is performed by the heat of the getter film formed on the member. Degradation due to can be greatly reduced.

また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理室と隣接した、前室内あるいは前の処理室内が、10-4Pa以下、更に好ましくは、10-5Pa以下の減圧状態に設定されることは、ゲッタ処理室へ部材を搬送した際のゲッタ処理室内の真空度の極端な低減を防ぐことができ、ゲッタ処理室へ部材を搬送してからゲッタ処理までの待機時間を短縮することができる。 In the present invention described above, the front chamber or the front processing chamber adjacent to the getter processing chamber is set to a reduced pressure state of 10 −4 Pa or less, more preferably 10 −5 Pa or less. An extreme reduction in the degree of vacuum in the getter processing chamber when the member is transferred to the getter processing chamber can be prevented, and the standby time from the transfer of the member to the getter processing chamber until the getter processing can be shortened.

また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理される部材を加熱しながらゲッタ処理がなされることは、ゲッタ処理工程とその前後の加熱工程との間での温度差を小さくすることができ、第1または第2の部材の極端な降温による破損を防げるほか、ゲッタ処理工程と封着処理工程間での前記第1あるいは第2の部材の温度差を小さくすることができるので、封着工程時における昇温に要する時間を大幅に低減することができる。   In the present invention described above, the getter process is performed while heating the member to be gettered, so that the temperature difference between the getter process and the heating process before and after the getter process can be reduced. In addition to preventing damage to the first or second member due to extreme temperature drop, the temperature difference between the first or second member between the getter treatment step and the sealing treatment step can be reduced, so that the sealing step can be performed. The time required for the temperature rise in can be greatly reduced.

また、以上述べた本発明において、冷却処理、あるいは、冷却処理室を有することは、第1または第2の部材の極端な降温による破損を防げるほか、ベーク処理工程とゲッタ処理工程の間に設けることで、前記部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。   Further, in the present invention described above, having the cooling process or the cooling process chamber can prevent the first or second member from being damaged due to extreme temperature drop, and is provided between the baking process and the getter process process. As a result, deterioration of the getter film formed on the member due to heat can be greatly reduced.

また、以上述べた本発明において、冷却処理がなされる処理室内で、第1または第2の部材の表面浄化処理を行うことは、ベーク処理工程などの前の工程における余熱を前記部材の表面浄化に利用することができ、表面浄化処理をより効率的に行うことができる。   Further, in the present invention described above, performing the surface purification treatment of the first or second member in the processing chamber in which the cooling treatment is performed means that the residual heat in the previous step such as the baking treatment step is used for the surface purification of the member. The surface purification treatment can be performed more efficiently.

また、以上述べた本発明において、ベーク処理工程などの第1あるいは第2の部材への加熱処理工程の後に、前記部材の表面浄化処理を行うことは、前記加熱処理工程における余熱を前記部材の表面浄化に利用することができ、表面浄化処理をより効率的に行うことができる。   Further, in the present invention described above, the surface purification treatment of the member after the heat treatment step for the first or second member such as a baking treatment step is performed by using the remaining heat of the member in the heat treatment step. It can be used for surface purification, and the surface purification treatment can be performed more efficiently.

また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理室と封着処理室との間、あるいは、ベーク処理室とゲッタ処理室との間に熱遮蔽部材を設けることは、ゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。   In the present invention described above, the provision of the heat shielding member between the getter processing chamber and the sealing processing chamber or between the bake processing chamber and the getter processing chamber greatly reduces the deterioration of the getter film due to heat. Can be reduced.

また、以上述べた本発明において、フェースプレートあるはリアプレートに外枠を、高融点の第2の封着材を用いて固定しておくことは、封着処理室における第1の封着材の封着処理温度での前記第2の封着材の軟化による前記プレートと外枠との位置ずれを防ぐことができる。   In the present invention described above, the outer frame is fixed to the face plate or the rear plate by using the second sealing material having a high melting point, so that the first sealing material in the sealing processing chamber is used. It is possible to prevent displacement of the plate and the outer frame due to softening of the second sealing material at the sealing processing temperature.

本発明によれば、上記電子放出素子やプラズマ発生素子をXY方向に100万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ30インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容器を10-6Pa以上のような高真空に達成させることができた。 According to the present invention, the above-described electron-emitting device or plasma generating device is provided in a large capacity such as 1 million pixels or more in the XY direction, and the large capacity pixel is provided on a large screen having a diagonal size of 30 inches or more. In manufacturing the device, the manufacturing process time could be greatly shortened, and at the same time, the vacuum container constituting the image display device could be achieved at a high vacuum of 10 −6 Pa or more.

図1(a)は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図1(b)は画像表示装置のパネル部材、即ち、上述した第1の部材あるいは第2の部材の温度を示す温度プロファイル、図1(c)は製造装置内真空度を示す真空度プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例を説明する。   FIG. 1A schematically shows a manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. 1B shows the temperature of the panel member of the image display device, that is, the first member or the second member described above. The temperature profile, FIG. 1C, is a vacuum profile showing the vacuum in the manufacturing apparatus. Hereinafter, based on these, an example of the manufacturing method and the manufacturing apparatus according to the present invention will be described.

図1(a)において、101はパネル部材であるところのリアプレート(以後RPと表記する)であり、蛍光体励起手段として、複数の電子放出素子がマトリクス配線された電子源が形成されている。102はパネル部材であるところのフェィスプレート(以後FPと表記する)であり、蛍光体、メタルバックなどが形成されている。103はパネル部材であるところの外枠でありRP101とFP102の間に配置され、RP101及びFP102とともに気密容器であるパネルを構成する。104はスペーサであり、RP1010とFP102との間隔を維持するものである。本実施形態では外枠103、とスペーサ104は事前にRP101上に配置固定されている場合を図示している。   In FIG. 1A, reference numeral 101 denotes a rear plate (hereinafter referred to as RP) which is a panel member, and an electron source in which a plurality of electron-emitting devices are wired in a matrix is formed as phosphor excitation means. . Reference numeral 102 denotes a face plate (hereinafter referred to as FP) which is a panel member, on which a phosphor, a metal back, and the like are formed. Reference numeral 103 denotes an outer frame which is a panel member, which is disposed between the RP 101 and the FP 102 and constitutes a panel which is an airtight container together with the RP 101 and the FP 102. Reference numeral 104 denotes a spacer that maintains the distance between the RP 1010 and the FP 102. In this embodiment, the case where the outer frame 103 and the spacer 104 are arranged and fixed on the RP 101 in advance is illustrated.

105は前室、106はベーク処理室、107は表面浄化処理室、108は第1のゲッタ処理室(チャンバーゲッタ処理室)、109は第2のゲッタ処理室(パネルゲッタ処理室)、110は封着処理室、111は冷却室であり、順次搬送方向(図中の矢印145)に従って配列接続され、それぞれ不図示の真空ポンプで排気されて、真空雰囲気が形成されている。   105 is a front chamber, 106 is a bake processing chamber, 107 is a surface purification processing chamber, 108 is a first getter processing chamber (chamber getter processing chamber), 109 is a second getter processing chamber (panel getter processing chamber), and 110 is Sealing processing chambers 111 are cooling chambers, which are sequentially connected in accordance with the transport direction (arrow 145 in the figure), and each is evacuated by a vacuum pump (not shown) to form a vacuum atmosphere.

本実施形態においては、上記表面浄化処理室107は、電子線照射手段が設けられたエレクトロン・ビーム照射処理室(以後EB照射処理室と表記)となっている。大気および、各処理室間はゲートバルブ112、113、114、115,116,117,118,119で隔てられており、パネル部材であるRP101,FP102、外枠103、スペーサ104は、まず、ゲートバルブ112の開閉により前室105に搬入され、順次、処理室へ各ゲートバルブの開閉によって移動する。120はパネル部材の各処理室への移動用のための搬送ローラーである。   In the present embodiment, the surface purification processing chamber 107 is an electron beam irradiation processing chamber (hereinafter referred to as an EB irradiation processing chamber) provided with electron beam irradiation means. The atmosphere and each processing chamber are separated by gate valves 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119. The panel members RP101, FP102, outer frame 103, and spacer 104 are first gated. It is carried into the front chamber 105 by opening / closing the valve 112 and sequentially moves to the processing chamber by opening / closing each gate valve. Reference numeral 120 denotes a transport roller for moving the panel member to each processing chamber.

また、121、123,127,132,136はRP101および、これに固定された外枠103とスペーサ104を加熱するためのホットプレートである。一方、122,124,128,133,137はFP102を加熱するためのホットプレートである。   Reference numerals 121, 123, 127, 132, and 136 denote hot plates for heating the RP 101 and the outer frame 103 and the spacer 104 fixed to the RP 101. On the other hand, 122, 124, 128, 133, 137 are hot plates for heating the FP 102.

125はEB照射処理室107内でEB照射するための電子銃、126は電子銃125から照射されたエレクトロン・ビームである。チャンバーゲッタ処理室108内において、129はチャンバーゲッタフラッシュ装置、130はチャンバーゲッタフラッシュ装置から発生されるチャンバーゲッタフラッシュであり、Baなどの材料を瞬間的に蒸発させたものである。131はチャンバーゲッタ板であり、チャンバーゲッタフラッシュ130が被着し、チャンバーゲッタとして排気作用を行う、即ち、チャンバーゲッタ処理室108内の真空度を上げることができる。   125 is an electron gun for EB irradiation in the EB irradiation processing chamber 107, and 126 is an electron beam irradiated from the electron gun 125. In the chamber getter processing chamber 108, reference numeral 129 denotes a chamber getter flash device, and reference numeral 130 denotes a chamber getter flash generated from the chamber getter flash device, which is obtained by instantaneously evaporating a material such as Ba. A chamber getter plate 131 is attached to the chamber getter flash 130 and performs an exhausting action as a chamber getter, that is, the degree of vacuum in the chamber getter processing chamber 108 can be increased.

パネルゲッタ処理室109において、134はパネルゲッタフラッシュ装置、135はパネルゲッタフラッシュ装置134から発生されるパネルゲッタフラッシュであり、Baなどの材料を瞬間的に蒸発させたものであり、FP102に被着される。   In the panel getter processing chamber 109, 134 is a panel getter flash device, 135 is a panel getter flash generated from the panel getter flash device 134, and is a material obtained by instantaneously evaporating a material such as Ba and is attached to the FP 102. Is done.

138,139,140,141,142は昇降機であり、それぞれ、ホットプレート121,123,127,132,136を支持しており、RP101を各処理工程に必要な高さに昇降させる機能を有する。   Reference numerals 138, 139, 140, 141, and 142 denote elevators, which support hot plates 121, 123, 127, 132, and 136, respectively, and have a function of raising and lowering the RP 101 to a height required for each processing step.

図1(b)はその横軸が、図1(a)の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室での工程におけるパネル部材の温度プロファイルである。この温度プロファイルは、RP101、FP102の温度状態を示すものである。また、図1(c)はその横軸が、図1(a)の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室での真空度プロファイルである。   In FIG. 1B, the horizontal axis indicates the process in each processing chamber in the manufacturing apparatus of FIG. 1A, and the vertical axis indicates the temperature profile of the panel member in the process in each processing chamber. This temperature profile shows the temperature state of RP101 and FP102. Further, in FIG. 1C, the horizontal axis indicates the process in each processing chamber in the manufacturing apparatus of FIG. 1A, and the vertical axis indicates the vacuum profile in each processing chamber.

RP101とFP102、外枠103、スペーサ104は、搬送手段である搬送ローラ120の駆動によって、順次、矢印145方向に各処理室を通過し、この通過中に各種の処理が施される。   The RP 101, the FP 102, the outer frame 103, and the spacer 104 sequentially pass through the processing chambers in the direction of the arrow 145 by driving of the transport roller 120 that is a transport means, and various processes are performed during the passage.

本実施形態においては、まず、前室105の真空雰囲気下に、電子源が配置されたRP101、外枠103、及び、スペーサ104からなる第1の部材と、蛍光体及びメタルバックが配置されたFP102からなる第2の部材とが用意され、ベーク処理室106におけるベーク処理、EB照射処理室107における電子線照射、チャンバーゲッタ処理室108におけるチャンバーゲッタ処理による高真空到達、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理によるパネルへのゲッタフラッシュ、封着処理室110における加熱封着及び冷却室111における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われるものとなっている。   In the present embodiment, first, in the vacuum atmosphere of the front chamber 105, the first member including the RP 101, the outer frame 103, and the spacer 104 in which the electron source is disposed, the phosphor, and the metal back are disposed. A second member made of FP102 is prepared, reaches a high vacuum by baking processing in the baking processing chamber 106, electron beam irradiation in the EB irradiation processing chamber 107, chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 108, in the panel getter processing chamber 109 Each process of the getter flush to the panel by the panel getter processing, the heat sealing in the sealing processing chamber 110 and the cooling processing in the cooling chamber 111 is performed on one line in series.

図1(a)に図示した製造装置の各処理室間には、前述の通り、ゲートバルブ112、113、114、115、116、117、118、119が配置されており、各処理室は不図示の真空排気系で真空排気される。本実施形態においては、ゲートバルブ112、113、114、115、116、117、118、119を各処理室間毎に配置したが、このゲートバルブ配置は図1(c)に図示する真空度プロファイルの真空度が相違する処理室間および装置外大気間のみでよく、例えば、チャンバーゲッタ処理室108、パネルゲッタ処理室109、封着室110の間のゲートバルブ116、117は省略することも可能である。   As described above, the gate valves 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, and 119 are arranged between the processing chambers of the manufacturing apparatus illustrated in FIG. It is evacuated by the illustrated evacuation system. In this embodiment, the gate valves 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, and 119 are arranged between the processing chambers. This gate valve arrangement is a vacuum profile shown in FIG. For example, the gate valves 116 and 117 between the chamber getter processing chamber 108, the panel getter processing chamber 109, and the sealing chamber 110 can be omitted. It is.

上記のように隣接した処理室間にゲートバルブがなく、しかも各処理工程におけるパネル部材の温度が異なる場合は、該処理工程間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材(板形状、フィルム形状など)が配置されていることが好ましい。この熱遮蔽部材は、図1(b)に図示するパネル部材の温度プロファイルの温度が相違する処理室間、例えば、ベーク処理室106とパネルゲッタ処理室109との間の何処か、あるいは、パネルゲッタ処理室109と封着処理室110との間、あるいは、上記両方に配置するのが好ましい。また、該熱遮蔽部材は各処理室間毎に配置してもよい。上記熱遮蔽部材は、上に載置したFP102とRP101とが各処理室間を移動する際には、障害を与えないように設置される。   When there is no gate valve between adjacent processing chambers as described above, and the temperature of the panel member in each processing step is different, the processing step is formed of a reflective metal such as aluminum, chromium, stainless steel, etc. It is preferable that a heat shielding member (plate shape, film shape, etc.) is disposed. The heat shielding member is provided between the processing chambers having different temperature profiles of the panel member illustrated in FIG. 1B, for example, somewhere between the baking processing chamber 106 and the panel getter processing chamber 109, or the panel. It is preferable to arrange between the getter processing chamber 109 and the sealing processing chamber 110 or both of them. Further, the heat shielding member may be disposed between the processing chambers. The heat shielding member is installed so as not to cause a failure when the FP 102 and the RP 101 placed thereon move between the processing chambers.

また、本実施形態では、前室105に搬入する前のRP101に、予め、真空構造をシールする外枠103及び耐大気圧構造を形成するスペーサ104を固定設置してあるがこれに限るものではない。例えば、外枠103にスペーサ104を事前に固定し(例えば外枠103内を横切る板状スペーサ104として、その両端を外枠103に固定。)、これを単独の構成部材としてRP101やFP102とは別に本装置内に投入し、各処理工程を行い、最終的に封着処理工程でパネルの構成部材として、所望の位置に配置固定することも、また、外枠103をFP102側に予め固定設置しておくものであっても良い。   In this embodiment, the outer frame 103 that seals the vacuum structure and the spacer 104 that forms the atmospheric pressure resistant structure are fixedly installed in advance on the RP 101 before being carried into the front chamber 105, but this is not a limitation. Absent. For example, the spacer 104 is fixed to the outer frame 103 in advance (for example, as a plate-like spacer 104 crossing the outer frame 103, and both ends thereof are fixed to the outer frame 103). Separately, it is put into this device, each processing step is performed, and finally it is arranged and fixed at a desired position as a constituent member of the panel in the sealing processing step. Also, the outer frame 103 is fixed and installed on the FP 102 side in advance. It may be something to keep.

尚、RP101側あるいはFP102側に外枠103を予め固定設置しておく場合には、その固定を後述する封着材143よりもより高い融点をもつ封着材を用いて行うことが好ましい。例えば、後述する封着材143がインジウムなどの低融点金属又はその合金であれば、フリットガラスを用いて外枠103をRP101あるいはFP102に予め固定しておくことが好ましい。   In addition, when the outer frame 103 is fixed and installed in advance on the RP 101 side or the FP 102 side, it is preferable to fix the outer frame 103 using a sealing material having a higher melting point than a sealing material 143 described later. For example, if the sealing material 143 described later is a low melting point metal such as indium or an alloy thereof, it is preferable to fix the outer frame 103 to the RP 101 or FP 102 in advance using frit glass.

図1(a)において143は前述の如く封着材であり、RP101に配置された外枠103のFP102側端部に事前にフリットガラスなどの低融点物質やインジウムなどの低融点金属又はその合金として設けることができる。封着材143の配置はこれに限るものではなく、外枠103が接触固定されるFP102上の部分に配置しておいても良い。さらには、外枠103を単独の構成部材として独立して、本装置内に投入する場合は、外枠103のRP101側端部及びFP102側端部に封着材143を設けても良い。また、封着材143は、外枠103が接触固定されるRP101およびFP102上の部分に配置されても良い。上記封着材143を設ける部分は、外枠103の端部と、この外枠103の端部が接触固定されるRP101およびFP102上の部分の少なくともいずれか一方に設けてあれば良い。   In FIG. 1A, reference numeral 143 denotes a sealing material as described above, and a low melting point material such as frit glass, a low melting point metal such as indium, or an alloy thereof in advance at the end of the outer frame 103 arranged on the RP 101 on the FP 102 side. Can be provided. The arrangement of the sealing material 143 is not limited to this, and the sealing material 143 may be arranged on a portion on the FP 102 to which the outer frame 103 is contact-fixed. Furthermore, when the outer frame 103 is independently inserted into the apparatus as a single component member, the sealing material 143 may be provided on the RP101 side end and the FP102 side end of the outer frame 103. Further, the sealing material 143 may be disposed on a portion on the RP 101 and the FP 102 to which the outer frame 103 is fixed in contact. The portion for providing the sealing material 143 may be provided in at least one of the end portion of the outer frame 103 and the portion on the RP 101 and the FP 102 to which the end portion of the outer frame 103 is fixed in contact.

上記のように構成された装置において、パネルを真空排気して封着する工程を以下に示す。尚、以下の工程は1枚のパネルを封着する場合を示す場合であるが、連続して複数のパネルを連続的に処理して封着する場合は、各処理工程の処理時間が異なる場合があり、処理時間の長い工程については他の処理工程時間と調整するように、処理工程を複数の処理室に分割すること、あるいは同一の処理室に処理のための構成要素を、例えば、ホットプレート等を複数配置して、同時に処理を行うことよって可能となる。   In the apparatus configured as described above, the process of evacuating and sealing the panel will be described below. In addition, although the following process is a case where the case where one panel is sealed is shown, when processing and sealing a plurality of panels continuously, the processing time of each processing process is different. In order to adjust a process with a long processing time to another processing process time, the processing process is divided into a plurality of processing chambers, or the components for processing in the same processing chamber are, for example, hot This is possible by arranging a plurality of plates and performing processing simultaneously.

まず、外枠103およびスペーサ104が事前に固定され、封着材143も事前に配置されたRP101と、FP102を前室105に搬入する。ここで、外枠103およびスペーサ104はRP101にフリットガラスを用いて固定されており、封着材143としてインジウムが用いられる。搬入に際しては搬送用の治具に上記のRP101とFP102とを配置し、構造上、両者の基板に間隔が形成されるようにしてある。尚、搬入、搬送は治具を用いることに限るものではなく、RP101、FP102の基板をそのまま、装置本体側の支持搬送ユニットで搬送することも可能である。   First, the outer frame 103 and the spacer 104 are fixed in advance, and the RP 101 in which the sealing material 143 is also arranged in advance and the FP 102 are carried into the front chamber 105. Here, the outer frame 103 and the spacer 104 are fixed to the RP 101 using frit glass, and indium is used as the sealing material 143. When carrying in, the above-mentioned RP101 and FP102 are arranged on a transfer jig so that a gap is formed between both substrates due to the structure. Note that the carrying-in and transport are not limited to using a jig, and it is also possible to transport the substrates of RP101 and FP102 as they are by the support transport unit on the apparatus main body side.

搬入が終了したら、搬入口であるゲートバルブ112を遮蔽し、この前室105の内部を真空排気する。この間、ベーク処理室106以降の処理室は各々の真空度と温度プロファイルに設定されている。以降、RP101,FP102の基板の搬送に際して、対応する処理室間のゲートバルブ113〜119を順次、開放、遮断する。   When the carry-in is completed, the gate valve 112 which is a carry-in port is shielded, and the inside of the front chamber 105 is evacuated. During this time, the processing chambers after the baking processing chamber 106 are set to the respective vacuum degrees and temperature profiles. Thereafter, when the substrates of the RP 101 and the FP 102 are transferred, the gate valves 113 to 119 between the corresponding processing chambers are sequentially opened and closed.

上記前室105が10-5Pa台の真空排気状態に達したとき、ゲートバルブ113を開放し、RP101とFP102とを前室105から搬出してベーク処理室106に移動し、この移動終了後にゲートバルブ113を遮断する。 When the front chamber 105 reaches the vacuum exhaust state of the order of 10 −5 Pa, the gate valve 113 is opened, the RP 101 and the FP 102 are unloaded from the front chamber 105 and moved to the bake processing chamber 106. The gate valve 113 is shut off.

大気に曝されることなくベーク処理室106に移動されてきたRP101とFP102は、このベーク処理室106内で、ホットプレート121,122の加熱処理(ベーク処理)が施される。このベーク処理によって、RP101とFP102に含有、吸着されている水素、酸素、水などの不純物をガス排出させることができる。このときのベーク温度は、一般的に、300℃〜400℃、好ましくは350℃〜380℃である。このときの真空度は約10-4Paである。 The RP 101 and the FP 102 that have been moved to the bake processing chamber 106 without being exposed to the atmosphere are subjected to heat treatment (bake processing) of the hot plates 121 and 122 in the bake processing chamber 106. By this baking treatment, impurities such as hydrogen, oxygen, and water contained and adsorbed in RP101 and FP102 can be discharged. The baking temperature at this time is generally 300 ° C to 400 ° C, preferably 350 ° C to 380 ° C. The degree of vacuum at this time is about 10 −4 Pa.

ベーク処理を終了したRP101とFP102とをEB照射処理室107に移動させ、RP101をホットプレート123に固定し、昇降機139によってEB照射処理室107の上部へ移動させる。この間、一時的にRP101とFP102は加熱源であるベーク処理室106のホットプレート121、122から離れることになるが、急激な温度低下を発生しないようにしてEB照射処理室107のホットプレート123,124に固定し、加熱することで、穏やかに降温を行う。この降温状態の基板温度域において、電子銃125からEB126を任意の領域へ放出してEB照射処理を行う。EB照射処理は、一般に基板温度域が100℃からベーク温度までの範囲において行われる。この時の真空度は約10-4Paから10-5Paになる。ここで、EB照射処理室107のようなパネル部材の表面浄化処理室内は10-4Pa以下、より好ましくは、10-5Pa以下の真空状態となるように設定されていることが好ましい。 The RP 101 and the FP 102 that have finished the baking process are moved to the EB irradiation processing chamber 107, the RP 101 is fixed to the hot plate 123, and moved to the upper part of the EB irradiation processing chamber 107 by the elevator 139. During this time, the RP 101 and the FP 102 are temporarily separated from the hot plates 121 and 122 of the bake processing chamber 106 as a heating source. However, the hot plates 123 and FP of the EB irradiation processing chamber 107 are prevented from causing a sudden temperature drop. The temperature is gently lowered by fixing to 124 and heating. In the substrate temperature range in this temperature-decreasing state, the EB 126 is emitted from the electron gun 125 to an arbitrary region, and EB irradiation processing is performed. The EB irradiation treatment is generally performed in a substrate temperature range from 100 ° C. to the baking temperature. The degree of vacuum at this time is about 10 −4 Pa to 10 −5 Pa. Here, the surface purification treatment chamber of the panel member such as the EB irradiation treatment chamber 107 is preferably set to be in a vacuum state of 10 −4 Pa or less, more preferably 10 −5 Pa or less.

EB照射処理はRP101、FP102への照射による吸着不純物のガス脱離による基板クリーニング等の効果がある。また、上述の通り、この際、ベーク処理工程での余熱を利用することができるので上記クリーニング効果は一層向上する。また、EB照射はRP101、FP102の両方、または、いずれか一方のみの処理でも良い。   The EB irradiation treatment has an effect such as substrate cleaning by desorption of adsorbed impurities by irradiation of the RP 101 and the FP 102. Further, as described above, at this time, the cleaning effect is further improved because the residual heat in the baking process can be used. Further, the EB irradiation may be performed by both RP101 and FP102 or only one of them.

また、EB照射はRP101、FP102に限らず、EB照射工程チャンバー内の任意の領域に照射しても良い。EB照射処理は、基板クリーニング以外に、チャンバー空間にEB照射することにより、ベーキング、EB照射基板クリーニングによって脱離したガスをEB照射によりイオン化し、後工程のゲッタフラッシュ処理工程で、よりゲッタへの吸着を促進することができる効果もある。   Further, the EB irradiation is not limited to the RP 101 and the FP 102, and any region in the EB irradiation process chamber may be irradiated. In the EB irradiation process, in addition to the substrate cleaning, the chamber space is irradiated with EB to ionize the gas desorbed by baking and EB irradiation substrate cleaning. There is also an effect which can accelerate adsorption.

また、以上述べたEB照射処理室107、あるいは、このEB照射処理室107と後述する第1のゲッタ処理室108(チャンバーゲッタ処理室)とは、ベーク処理を終了したRP101及びFP102の降温を行う、冷却却処理室としての機能をも果たすものであるが、ベーク処理室106とEB照射処理室107との間に別個、冷却処理室を設けることも好ましい形態の一つである。   In addition, the EB irradiation processing chamber 107 described above, or the EB irradiation processing chamber 107 and a first getter processing chamber 108 (chamber getter processing chamber) to be described later, lower the temperature of the RP 101 and the FP 102 that have finished the baking processing. Although it also functions as a cooling rejection processing chamber, providing a cooling processing chamber separately between the bake processing chamber 106 and the EB irradiation processing chamber 107 is also a preferred form.

このような冷却処理室においては、ベーク処理時の加熱温度からの急激な温度低下を発生しないように、RP101及びFP102はそれぞれホットプレートに固定され、穏やかに降温を行う。この時のホットプレートの温度域は100℃からベーク温度までの範囲で設定され、処理室内の真空状態は10-4Pa以下、より好ましくは、10-5Pa以下となるように設定される。 In such a cooling processing chamber, the RP 101 and the FP 102 are each fixed to a hot plate so that the temperature is gently lowered so as not to cause a rapid temperature drop from the heating temperature during the baking process. The temperature range of the hot plate at this time is set in a range from 100 ° C. to the baking temperature, and the vacuum state in the processing chamber is set to 10 −4 Pa or less, more preferably 10 −5 Pa or less.

EB照射処理が終了した後、昇降機139を降下させた後、ホットプレート123からRP101を取り外し、FP102と共に、チャンバーゲッタ処理室108へ移動する。このとき、RP101とFP102は、チャンバーゲッタ処理室108に大気に曝すことなく移動される。チャンバーゲッタ処理室108内の真空状態は10-5Pa以下となるように設定されている。このチャンバーゲッタ処理室では、チャンバーゲッタフラッシュ装置129内に内蔵させていた蒸発型ゲッタ材(例えば、バリウムなどのゲッタ材)を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてチャンバーゲッタフラッシュ130を生じさせ、パネル部材以外のチャンバー内に配置されたチャンバーゲッタ板131の表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜(図示せず)を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に5nm〜500nm、好ましくは10nm〜200nm、より好ましくは、20nm〜200nmである。このチャンバーゲッタ処理工程により、チャンバーゲッタ板131に被着したゲッタ膜がチャンバー内のガスを吸着排気して、チャンバーゲッタ処理室の真空度は10-6Pa台に到達する。RP101、FP102の基板温度はベーク温度から100℃までの温度範囲で当該処理が行われる。なお、チャンバーゲッタフラッシュ130によって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。尚、以上述べたチャンバーゲッタ処理は、本実施の形態のようにチャンバーゲッタ処理室を独立して設けて行うに限らず、チャンバーゲッタ処理室を特に設けずに、以降述べるパネルゲッタ処理室内で行われるものであっても良い。 After the EB irradiation processing is completed, the elevator 139 is lowered, and then the RP 101 is removed from the hot plate 123 and moved to the chamber getter processing chamber 108 together with the FP 102. At this time, the RP 101 and the FP 102 are moved to the chamber getter processing chamber 108 without being exposed to the atmosphere. The vacuum state in the chamber getter processing chamber 108 is set to 10 −5 Pa or less. In this chamber getter processing chamber, an evaporation type getter material (for example, a getter material such as barium) incorporated in the chamber getter flash device 129 is heated and evaporated by a method such as resistance heating to generate a chamber getter flash 130, A getter film (not shown) made of a barium film or the like is deposited on the surface of a chamber getter plate 131 disposed in a chamber other than the panel member. The film thickness of the panel getter at this time is generally 5 nm to 500 nm, preferably 10 nm to 200 nm, and more preferably 20 nm to 200 nm. By this chamber getter processing step, the getter film deposited on the chamber getter plate 131 adsorbs and exhausts the gas in the chamber, and the degree of vacuum in the chamber getter processing chamber reaches the 10 −6 Pa level. The substrate temperature of the RP 101 and the FP 102 is processed in a temperature range from the baking temperature to 100 ° C. Since the getter material evaporates due to the chamber getter flash 130, the degree of vacuum in the chamber temporarily decreases, but the vacuum shifts to a high vacuum. The chamber getter process described above is not limited to the chamber getter process chamber provided independently as in the present embodiment, but is performed in the panel getter process chamber described below without any chamber getter process chamber. May be used.

次に、RP101とFP102とをパネルゲッタ処理室109に移動させ、RP101をホットプレート132に固定し、昇降機141によってパネルゲッタ処理室109の上部へ移動させる。パネルゲッタ処理室は事前に10-6Pa台に真空排気されている。この真空度に到達するためには、一般的な真空排気ポンプの他に、上記、蒸発型ゲッタ材のフラッシュによる排気、非蒸発ゲッタ材の加熱活性化による排気などによる補助排気手段を用いることもできる。上記10-6Pa台に真空排気方法は、以下に述べる封着処理室110、冷却処理室111にも用いることができる。 Next, the RP 101 and the FP 102 are moved to the panel getter processing chamber 109, the RP 101 is fixed to the hot plate 132, and is moved to the upper part of the panel getter processing chamber 109 by the elevator 141. The panel getter processing chamber is evacuated to a level of 10 −6 Pa in advance. In order to reach this degree of vacuum, in addition to a general vacuum exhaust pump, auxiliary exhaust means such as exhaust by flashing of the evaporative getter material, exhaust by heat activation of the non-evaporable getter material, etc. can be used. it can. The above-described vacuum exhaust method on the 10 −6 Pa level can also be used for the sealing processing chamber 110 and the cooling processing chamber 111 described below.

パネルゲッタ処理室109ではパネルゲッタフラッシュ装置134内に内蔵させている蒸発型ゲッタ材(例えば、バリウムなどのゲッタ材)を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてパネルゲッタフラッシュ135を生じさせ、FPの表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜(図示せず)を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に5nm〜500nm、好ましくは10nm〜200nm、より好ましくは、20nm〜200nmである。ここで成膜された蒸発型ゲッタは、当該処理工程のチャンバーが10-6Paの高真空であるためにガス吸着による劣化は小さく、十分にゲッタ真空排気能力を維持したまま、次の封着処理工程へ移される。 In the panel getter processing chamber 109, the evaporation getter material (for example, getter material such as barium) incorporated in the panel getter flash device 134 is heated and evaporated by a method such as resistance heating to generate the panel getter flash 135, and the FP A getter film (not shown) made of a barium film or the like is deposited on the surface of the film. The film thickness of the panel getter at this time is generally 5 nm to 500 nm, preferably 10 nm to 200 nm, and more preferably 20 nm to 200 nm. The evaporation type getter formed here is less deteriorated due to gas adsorption because the chamber of the processing step is a high vacuum of 10 −6 Pa, and the next sealing is performed while maintaining the getter vacuum exhaust capability sufficiently. Moved to processing step.

図1(a)ではFP102上にゲッタ膜を被着、形成したが、形成する部材はこれに限るものではなく、RP101等に形成することも可能である。ただし、ゲッタ材は一般に導電性であるため、封着されたパネルの画像表示駆動時に大きなリーク電流の発生や、駆動電圧の耐圧が維持できないなどの問題が発生する場合がある。例えば、図1(a)のRP101にパネルゲッタフラッシュを行うと、外枠103、スペーサ104にも導電性のゲッタ膜が成膜されるために、駆動時の電気的な問題が発生する場合がある。この様な場合には、ゲッタ膜を被着成膜してはならない部分をメタル薄板の成膜マスクで覆い、ゲッタ膜が被着形成されないようにしながらRP101の必要な部分にのみゲッタ膜を成膜させることができる。なお、パネルゲッタフラッシュによって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。   In FIG. 1A, a getter film is deposited and formed on the FP 102. However, the member to be formed is not limited to this, and can be formed on the RP 101 or the like. However, since the getter material is generally conductive, problems such as the generation of a large leakage current during the image display driving of the sealed panel and the inability to maintain the withstand voltage of the driving voltage may occur. For example, when a panel getter flash is performed on the RP 101 in FIG. 1A, a conductive getter film is also formed on the outer frame 103 and the spacer 104, which may cause electrical problems during driving. is there. In such a case, the portion where the getter film should not be deposited is covered with a metal thin film deposition mask, and the getter film is formed only on the necessary portion of the RP 101 while preventing the getter film from being deposited. Can be made into a membrane. Since the getter material evaporates due to the panel getter flash, the degree of vacuum in the chamber temporarily decreases, but the vacuum shifts to a high vacuum.

パネルゲッタ処理工程が終了した後、昇降機141を降下させた後、ホットプレート132からRP101を取り外し、FP102と共に、封着処理室108へ移動する。   After the panel getter processing step is completed, the elevator 141 is lowered, and then the RP 101 is removed from the hot plate 132 and moved to the sealing processing chamber 108 together with the FP 102.

RP101、FP102を事前に10-6Pa台まで真空排気した封着処理室110へ移動させ、RP101、FP102を各々ホットプレート136、137に固定する。この時、RP101に配置固定された枠103上の封着材143とスペーサ104はFP102と接触せず、わずかに間隔を有して固定される。またこの固定時にRP101とFP102のパネル封着時の相対位置が決定される。相対位置の決定は突き当てピンによる端面基準で行うことができるがこれに限るものではない。 The RP 101 and FP 102 are moved to the sealing processing chamber 110 evacuated to 10 −6 Pa in advance, and the RP 101 and FP 102 are fixed to the hot plates 136 and 137, respectively. At this time, the sealing material 143 and the spacer 104 on the frame 103 arranged and fixed to the RP 101 do not contact the FP 102 and are fixed with a slight gap. At the time of fixing, the relative position of the RP 101 and the FP 102 when sealing the panel is determined. The relative position can be determined on the basis of the end face by the abutment pin, but is not limited to this.

この後、昇降機142を下降させて、RP101に配置固定された外枠103をFP102に接触、押圧させながら、図1(b)の温度プロファイルに示すように、基板を、封着材143の材料に適した封着温度まで上昇させ、封着材143を軟化、または溶解させてからピーク温度で10分間保持し、その後、基板温度を降温させて、封着材料が接着固定される。これにより外枠103に形成された封着材143が軟化、溶解して外枠103とFP102が接着された後、封着材143が硬化して固定される。このとき封着処理室110の真空度は10-6Paを維持しており、本工程で封着されたパネル内も10-6Paの真空度となる。封着材143の接着固定温度は例えば、インジュウム金属であれば加熱ピーク温度は160℃、硬化固定温度を140℃に設定とした。また封着材143がフリットガラスの場合はピーク温度390℃、硬化固定温度は300℃とした。加熱の昇温レートは20℃/分、降温レートは5℃/分としたがこれに限るものではない。また加熱ピーク温度、硬化固定温度も上記に限るものではない。 After that, the elevator 142 is lowered, and the outer frame 103 arranged and fixed on the RP 101 is brought into contact with and pressed against the FP 102, and the substrate is made of the material of the sealing material 143 as shown in the temperature profile of FIG. The sealing material is raised to a suitable sealing temperature, and the sealing material 143 is softened or dissolved and then held at the peak temperature for 10 minutes. Thereafter, the substrate temperature is lowered to fix the sealing material. As a result, the sealing material 143 formed on the outer frame 103 is softened and dissolved to bond the outer frame 103 and the FP 102, and then the sealing material 143 is cured and fixed. At this time, the degree of vacuum in the sealing treatment chamber 110 is maintained at 10 −6 Pa, and the inside of the panel sealed in this step also has a degree of vacuum of 10 −6 Pa. For example, if the adhesive fixing temperature of the sealing material 143 is indium metal, the heating peak temperature is set to 160 ° C., and the curing fixing temperature is set to 140 ° C. When the sealing material 143 is frit glass, the peak temperature is 390 ° C. and the curing and fixing temperature is 300 ° C. The heating rate is 20 ° C./min and the cooling rate is 5 ° C./min, but this is not restrictive. Further, the heating peak temperature and the curing fixing temperature are not limited to the above.

封着材の硬化固定温度以下に温度が下がった時点で、封着処理が終了し、この後、ホットプレート136からRP101部を取り外し、昇降機142を上昇さる。ホットプレート137からFP102部を取り外しRP101、FP102外枠103、スペーサ104で構成された封着パネル144を、冷却処理室111へ移動する。この時、冷却処理室111は封着処理室の真空度を維持するために、10-6Pa台に真空排気されている。封着パネル144は封着材の硬化固定温度でホットプレートから取りはずされ、冷却処理室111で冷却される。冷却手段としては、水冷による温度制御機能を有する冷却プレートなどが用いられるがこれに限るものではなく、封着パネル144の急激な温度降下による基板損傷などが発生しなければ、冷却処理室111内で自然冷却を行っても良い。 When the temperature falls below the curing fixing temperature of the sealing material, the sealing process is completed, and thereafter, the RP 101 part is removed from the hot plate 136 and the elevator 142 is raised. The FP 102 part is removed from the hot plate 137, and the sealing panel 144 composed of the RP 101, the FP 102 outer frame 103, and the spacer 104 is moved to the cooling processing chamber 111. At this time, the cooling processing chamber 111 is evacuated to a level of 10 −6 Pa in order to maintain the degree of vacuum of the sealing processing chamber. The sealing panel 144 is removed from the hot plate at the curing and fixing temperature of the sealing material, and cooled in the cooling processing chamber 111. As the cooling means, a cooling plate or the like having a temperature control function by water cooling is used. However, the cooling means is not limited to this, and if the substrate is not damaged due to a rapid temperature drop of the sealing panel 144, the cooling processing chamber 111 has a Natural cooling may be performed.

封着パネル144の温度が室温、あるいは室温に近い温度まで降下した段階で、冷却処理室111の真空リークを行い処理室を大気圧にする。その後、装置外大気側のゲートバルブ119を開放し、封着パネル144を装置外へ搬出する。   When the temperature of the sealing panel 144 drops to room temperature or a temperature close to room temperature, a vacuum leak of the cooling processing chamber 111 is performed to bring the processing chamber to atmospheric pressure. Thereafter, the gate valve 119 on the atmosphere side outside the apparatus is opened, and the sealing panel 144 is carried out of the apparatus.

本実施形態の製造装置は、上記封着処理室110と冷却室111との間に、ゲートバルブ118とを設け、該ゲートバルブの開放時に封着処理室110から表示パネルを搬出させ、冷却室111に搬入後、該ゲートバルブを遮蔽し、ここで冷却後、搬出口119を開放し、表示パネルを冷却室111から搬出させ、最後に該搬出口119を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室111の内部を独立配置した真空排気系(図示せず)によって、真空状態に設定しておくのがよい。   The manufacturing apparatus of this embodiment is provided with a gate valve 118 between the sealing processing chamber 110 and the cooling chamber 111, and when the gate valve is opened, the display panel is unloaded from the sealing processing chamber 110 to cool the cooling chamber. After carrying in to 111, the gate valve is shielded, and after cooling, the carry-out port 119 is opened, the display panel is carried out from the cooling chamber 111, and finally the carry-out port 119 is shielded to complete the whole process. . In addition, before starting the next step, it is preferable to set a vacuum state by an evacuation system (not shown) in which the inside of the cooling chamber 111 is independently arranged.

本実施形態では、上述した、蒸発型ゲッタ材のほかに、RP101又はRP102上に、予め、チタン材などからなる非蒸発型ゲッタ膜又は非蒸発型ゲッタ部材を設けておいてもよい。   In the present embodiment, a non-evaporable getter film or a non-evaporable getter member made of a titanium material or the like may be provided in advance on the RP 101 or RP 102 in addition to the above-described evaporable getter material.

また、上述のホットプレート121、123、127、132、136は、FP101が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、機械的に基板周辺をつかむツメによるチャック方式、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。   The hot plates 121, 123, 127, 132, and 136 described above are equipment that can be fixed with sufficient force without dropping the FP 101, for example, a chuck method using a claw that mechanically grabs the periphery of the substrate, Equipment utilizing a chuck method or vacuum chucking method can be used.

上記の例は工程組み合わせの一例であるが、各処理工程の組み合わせによって、処理室の構成例があげられる。すなわち、とりわけ、ベーク処理から封着処理までの過程においては、
第1の変形例として、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
Although the above example is an example of a process combination, a configuration example of a processing chamber can be given by a combination of each processing process. That is, in particular, in the process from baking to sealing,
As a first modification, after preparing the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, the steps are performed in the order of baking in the baking chamber 106, panel getter processing in the panel getter processing chamber 109, and heat sealing in the sealing chamber 110. An example is given in which the processing chambers are connected in series so as to proceed.

第2の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、EB照射処理室107におけるEB照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As a second modified example, after preparation of the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, surface cleaning processing such as baking processing in the baking processing chamber 106, EB irradiation processing in the EB irradiation processing chamber 107, and the like in the panel getter processing chamber 109 An example in which the respective processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of panel getter processing and heat sealing in the sealing processing chamber 110 is given.

第3の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、チャンバーゲッタ処理室108におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As a third modified example, after preparation in a vacuum atmosphere in the front chamber 105, baking processing in the baking processing chamber 106, chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 108, panel getter processing in the panel getter processing chamber 109, sealing An example in which the processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of heat sealing in the deposition processing chamber 110 is given.

第4の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、EB照射処理室107におけるEB照射処理などの表面浄化処理、チャンバーゲッタ処理室108におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。   As a fourth modified example, after preparation of the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, surface purification processing such as EB irradiation processing in the EB irradiation processing chamber 107, chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 108, panel getter processing chamber An example is given in which the rooms are connected in series so that the process proceeds in the order of panel getter processing at 109 and heat sealing in the sealing processing chamber 110.

第5の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As a fifth modification, after preparation in the vacuum chamber in the front chamber 105, baking processing in the baking processing chamber 106, cooling processing of the panel member in the cooling processing chamber, panel getter processing in the panel getter processing chamber 109, sealing An example in which the processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of heat sealing in the deposition processing chamber 110 is given.

第6の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、EB照射処理室107におけるEB照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As a sixth modified example, after preparation of the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, baking processing in the baking processing chamber 106, cooling processing of the panel member in the cooling processing chamber, EB irradiation processing in the EB irradiation processing chamber 107, etc. An example in which the processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of surface purification processing, panel getter processing in the panel getter processing chamber 109, and heat sealing in the sealing processing chamber 110 is given.

第7の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、チャンバーゲッタ処理室108におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As a seventh modified example, after preparation of the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, baking processing in the baking processing chamber 106, cooling processing of the panel member in the cooling processing chamber, chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 108, panel An example in which the processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of panel getter processing in the getter processing chamber 109 and heat sealing in the sealing processing chamber 110 is given.

第8の変形例としては、前室105における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室106におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、EB照射処理室107におけるEB照射処理などの表面浄化処理、チャンバーゲッタ処理室108におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室109におけるパネルゲッタ処理、封着処理室110における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。   As an eighth modified example, after preparation of the front chamber 105 in a vacuum atmosphere, baking processing in the baking processing chamber 106, cooling processing of the panel member in the cooling processing chamber, EB irradiation processing in the EB irradiation processing chamber 107, etc. An example in which the processing chambers are arranged in series so as to proceed in the order of surface purification processing, chamber getter processing in the chamber getter processing chamber 108, panel getter processing in the panel getter processing chamber 109, and heat sealing in the sealing processing chamber 110 is given. .

次に構成部材であるRP101、FP102、外枠103、スペーサ104の搬送と装置導入の変形例として、
第1の変形例としては、RP101とFP102と外枠103へ固定配置したスペーサ104との3個の構成部材として本装置内に投入することもできる。この場合、外枠103の本装置内での封着処理による封着面はRP101、FP102側両面となるために、それぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
Next, as a modified example of conveyance and device introduction of the constituent members RP101, FP102, outer frame 103, spacer 104,
As a first modified example, it is also possible to put in the apparatus as three constituent members of the RP 101, the FP 102, and the spacer 104 fixedly arranged on the outer frame 103. In this case, since the sealing surface of the outer frame 103 by the sealing process in the apparatus is the both surfaces of the RP 101 and the FP 102, a sealing material may be formed in advance on each sealing surface. is necessary.

第2の変形例としては、RP101とFP102へ接着固定配置した外枠103、あるいは、RP101とFP102へ接着固定配置した外枠103及びスペーサ104の2個の構成部材として本装置に投入することもできる。この場合、外枠103の本装置内での封着処理による封着面はRP101側面となるために、封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。   As a second modification, the outer frame 103 that is bonded and fixed to the RP 101 and the FP 102 or the outer frame 103 that is bonded and fixed to the RP 101 and the FP 102 and the two constituent members of the spacer 104 may be thrown into the apparatus. it can. In this case, since the sealing surface of the outer frame 103 by the sealing process in the apparatus is the side surface of the RP 101, it is necessary to form a sealing material on the sealing surface in advance.

次に上記構成部材の変形例に対して、個々の構成部材ごとに装置の処理室を個別に一列のライン状に並べて、封着処理工程ですべての構成部材がひとつの処理室に合流して封着処理が行われる装置構成の変形例として、
第1の変形例としては、RP101とFP102と外枠103へ固定配置したスペーサ104と3個の構成部材として、前室105以降、パネルゲッタラッシュ処理室109までの各処理室を3ライン並べ、上記3個の構成部材を別々に各々の装置へ投入し、3つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で3個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。
Next, with respect to the above-described modification of the constituent members, the processing chambers of the apparatus are individually arranged in a line for each constituent member, and all the constituent members are joined into one processing chamber in the sealing process. As a modification of the device configuration in which the sealing process is performed,
As a first modified example, as a spacer 104 fixedly disposed on the RP 101, the FP 102, and the outer frame 103, and three components, each processing chamber from the front chamber 105 to the panel getter rush processing chamber 109 is arranged in three lines, The above three constituent members are put into each apparatus separately, and the three panel getter processing chambers are connected so as to merge into one sealing processing chamber, and the three constituent members are sealed in the sealing processing chamber. An apparatus configuration that performs a landing process and a cooling process can be given.

第2の変形例としては、FP102とRP101へ接着固定配置した外枠103、あるいは、FP102とRP101に接着固定配置した外枠103及びスペーサ104の2個の構成部材、または、RP101とFP102へ接着固定配置した外枠103、あるいは、RP101とFP102に接着固定配置した外枠103及びスペーサ104の2個の構成部材として、前室105以降、パネルゲッタラッシュ処理室109までの各処理室を2ライン並べ、上記2個の構成部材を別々に装置へ投入し、2つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で3個の構成部材の封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。尚以上の第1及び第2の変形例においては、ゲッタ処理は3個あるいは2個の構成部材のうちのいずれか一つになされれば良い場合をも含んでいる。   As a second modified example, the outer frame 103 bonded and fixed to the FP 102 and the RP 101, the two structural members of the outer frame 103 and the spacer 104 bonded and fixed to the FP 102 and the RP 101, or bonded to the RP 101 and the FP 102 are used. As two constituent members of the outer frame 103 fixedly arranged or the outer frame 103 bonded and fixedly arranged on the RP 101 and the FP 102 and the spacer 104, each processing chamber from the front chamber 105 to the panel getter rush processing chamber 109 has two lines. The above-mentioned two components are put into the apparatus separately, and the two panel getter processing chambers are connected so as to merge into one sealing processing chamber. In the sealing processing chamber, the three components are sealed. An apparatus configuration that performs a landing process and a cooling process can be given. In the first and second modified examples described above, the getter process includes a case where it is sufficient to perform any one of three or two constituent members.

更に上述の実施態様の説明ではパネルの封着時の真空度を10-6Pa台に設定していたが、本発明はこの数値に限るものではない。すなわち、パネル封着時の真空度を一般の真空排気ポンプで到達可能な10-5Pa台に設定することもできる。この場合、処理室内の到達真空度を上げるために行われるチャンバーゲッタ処理室140と当該ゲッタ処理工程の省略が可能である。また10-6Paに到達するための補助的なゲッタポンプによる真空排気も省略することができる。 Further, in the description of the above-described embodiment, the degree of vacuum at the time of sealing the panel is set to 10 −6 Pa level, but the present invention is not limited to this value. That is, the degree of vacuum at the time of sealing the panel can be set to a level of 10 −5 Pa that can be reached by a general vacuum pump. In this case, it is possible to omit the chamber getter processing chamber 140 and the getter processing step performed to increase the ultimate vacuum in the processing chamber. In addition, vacuum evacuation by an auxiliary getter pump for reaching 10 −6 Pa can be omitted.

以上の処理工程をおこなった封着パネル144は、Baなどの蒸発型ゲッタ材が、例えばFP上に成膜形成されているにも関わらず、従来の封着パネルで存在していた蒸発型ゲッタ材の蒸発源である主に高周波加熱によってゲッタフラッシュを行うゲッタリングや主に抵抗加熱でゲッタフラッシュするゲッタラインが封着パネル内に残留しないという構成上の特徴を有している。   The sealing panel 144 subjected to the above processing steps is an evaporation type getter that has existed in a conventional sealing panel even though an evaporation type getter material such as Ba is formed on, for example, an FP. There is a structural feature in that gettering which is a material evaporation source mainly performing getter flashing by high-frequency heating and getter flashing mainly by resistance heating does not remain in the sealing panel.

また、以上の処理工程と装置は、パネルゲッタフラッシュ処理工程と連続した封着工程が異なった処理室で構成されているという特徴を有している。   Further, the above processing steps and apparatus are characterized in that they are constituted by a processing chamber having a sealing process different from the panel getter flash processing step.

図2は、本実施形態の製造装置及び製造方法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of an image display device created by using the manufacturing apparatus and manufacturing method of the present embodiment.

図中、図1と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、RP101とFP102と外枠103とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。   In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same members. In the image display device created by the above apparatus and method, a vacuum container or a decompression container is formed by the RP 101, the FP 102, and the outer frame 103. The decompression vessel may contain an inert gas such as argon gas or neon gas or hydrogen gas under reduced pressure.

また、真空容器の場合には、10-5Pa以上、好ましくは、10-6Pa以上の高真空に設定することができる。 In the case of a vacuum vessel, a high vacuum of 10 −5 Pa or higher, preferably 10 −6 Pa or higher can be set.

上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ104が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ104は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体311と、該本体311の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜309と両端に設けた金属(タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など)膜308及び310とを有し、配線306上に導電性接着剤308を介して電気的に接続接着されている。スペーサ104は、上記前室105に搬入する際には、前もってRP101に接着剤308によって接着固定され、封着処理室110において処理が終了した時点で、上記スペーサ104のもう一方の端部とFP102とは電気的に接続されて接して配置される。   A spacer 104 is disposed in the vacuum vessel or the decompression vessel to form an atmospheric pressure resistant structure. The spacers 104 used in the present invention are provided on both ends of a main body 311 made of an alkali-free insulating material such as alkali-free glass, a high resistance film 309 formed of a high resistance material arranged so as to cover the surface of the main body 311, and the like. And metal (tungsten, copper, silver, gold, molybdenum, and alloys thereof) films 308 and 310 are electrically connected and bonded onto the wiring 306 via a conductive adhesive 308. When the spacer 104 is carried into the front chamber 105, it is bonded and fixed to the RP 101 with an adhesive 308 in advance, and when the processing is completed in the sealing processing chamber 110, the other end of the spacer 104 and the FP 102 are fixed. Are arranged in contact with each other.

RP101は、ガラスなどの透明基板304と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜(SiO2、SnO2など)305と、XYマトリクス配列した複数の電子線放出素子312とが配置されている。配線306は、電子線放出素子と接続したカソード側XYマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。 The RP 101 includes a transparent substrate 304 such as glass, a base film (SiO 2 , SnO 2, etc.) 305 for preventing entry of alkali such as sodium, and a plurality of electron beam emitters 312 arranged in an XY matrix. ing. The wiring 306 constitutes one cathode side wiring of the cathode side XY matrix wiring connected to the electron beam emitting element.

本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子312に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。   In the present invention, a plasma generating element can be used instead of the electron beam emitting element 312 used as the phosphor excitation means or the image display element member. At this time, an inert gas such as argon gas or neon gas or hydrogen gas is contained in the container under reduced pressure.

FP102は、ガラスなどの透明基板301と蛍光体層302とアノード源(図示せず)に接続したアノード金属(アルミニウム、銀、銅など)膜303とが配置されている。   The FP 102 includes a transparent substrate 301 such as glass, a phosphor layer 302, and an anode metal (aluminum, silver, copper, etc.) film 303 connected to an anode source (not shown).

また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。   In the present invention, when the plasma generating element is used, a color filter can be used instead of the phosphor used as the image display member.

外囲器113は、上記前室105に搬入する際には、前もってRP101にフリットガラスなどの低融点接着剤307によって接着固定しておき、上記封着処理室110における処理工程で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材143によって固定接着されている。   The envelope 113 is bonded and fixed to the RP 101 in advance with a low-melting-point adhesive 307 such as frit glass before being carried into the front chamber 105, and in the processing step in the sealing processing chamber 110, indium and frit are used. It is fixed and bonded by a sealing material 143 using glass.

製造装置内のパネル部材の温度プロファイル及び製造装置内の各室間の真空度プロファイルと共に本発明に係る製造装置を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the manufacturing apparatus which concerns on this invention with the temperature profile of the panel member in a manufacturing apparatus, and the vacuum degree profile between each chamber in a manufacturing apparatus. 本発明の製造装置及び製造方法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of image display apparatus produced using the manufacturing apparatus and manufacturing method of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

101 リアプレート(RP)
102 フェィスプレート(FP)
103 外枠
104 スペーサ
105 前室
106 ベーク処理室
107 表面浄化処理室(EB照射処理室)
108 第1のゲッタ処理室(チャンバーゲッタ処理室)
109 第2のゲッタ処理室(パネルゲッタ処理室)
110 封着処理室
111 冷却室
112〜119 ゲートバルブ
120 搬送ローラー
121,123,127,132,136 ホットプレート(RP用)
122,124,128,133,137 ホットプレート(FP用)
125 電子銃
126 エレクトロン・ビーム(EB)
129 チャンバーゲッタフラッシュ装置
130 チャンバーゲッタフラッシュ
131 チャンバーゲッタ板
134 パネルゲッタフラッシュ装置
135 パネルゲッタフラッシュ
138〜142 昇降機
143 封着材
144 封着パネル
145 搬送方向を示す矢印
301 透明基板
302 蛍光体層
303 アノード金属膜
304 透明基板
305 下地膜
306 配線
307 低融点接着剤
308 金属膜
309 高抵抗膜
310 金属膜
311 本体
312 電子放出素子
101 Rear plate (RP)
102 Face plate (FP)
103 outer frame 104 spacer 105 front chamber 106 bake processing chamber 107 surface purification processing chamber (EB irradiation processing chamber)
108 First getter processing chamber (chamber getter processing chamber)
109 Second getter processing chamber (panel getter processing chamber)
110 Sealing processing chamber 111 Cooling chamber 112 to 119 Gate valve 120 Transport roller 121, 123, 127, 132, 136 Hot plate (for RP)
122, 124, 128, 133, 137 Hot plate (for FP)
125 Electron gun 126 Electron beam (EB)
129 Chamber Getter Flash Device 130 Chamber Getter Flash 131 Chamber Getter Plate 134 Panel Getter Flash Device 135 Panel Getter Flash 138-142 Elevator 143 Sealing Material 144 Sealed Panel 145 Arrow indicating Transport Direction 301 Transparent Substrate 302 Phosphor Layer 303 Anode Metal Film 304 Transparent substrate 305 Base film 306 Wiring 307 Low melting point adhesive 308 Metal film 309 High resistance film 310 Metal film 311 Main body 312 Electron emitting device

Claims (2)

画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有し、
前記工程cは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程aにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the image display device,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried-in members or both carried-in members A surface purification treatment of one or both of
c: One or both of the first member and the second member are loaded into a getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the loaded members or both of the loaded members is loaded A step of gettering one or both;
d: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
I have a,
In the method of manufacturing an image display device, the temperature of the member to be gettered is lower than the heating temperature in the step a .
画像表示装置の製造方法において、
a:蛍光体励起手段を配置した基板を含む第1の部材と蛍光体を配置した基板を含む第2の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
b:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
c:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第1のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第1のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
d:前記第1の部材と前記第2の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第2のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
e:前記第1の部材と前記第2の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有し、
前記工程dは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程aにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the image display device,
a: carrying the first member including the substrate on which the phosphor excitation means is disposed and the second member including the substrate on which the phosphor is disposed into a bake chamber in a vacuum atmosphere and heating and baking the member;
b: One or both of the first member and the second member are carried into a surface purification treatment chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and one of the carried-in members or both carried-in members A surface purification treatment of one or both of
c: One or both of the first member and the second member are carried into a first getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and getter processing is performed in the first getter processing chamber. A process of performing;
d: One or both of the first member and the second member are loaded into a second getter processing chamber in a vacuum atmosphere under a vacuum atmosphere, and the loaded one member or both loaded members Gettering one or both of:
e: carrying the first member and the second member into a sealing treatment chamber in a vacuum atmosphere in a vacuum atmosphere, and heating and sealing;
I have a,
The method d is a method for manufacturing an image display device , wherein the temperature of the member to be gettered is lower than the heating temperature in the step a .
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