JP2003046144A - Package with peltier element - Google Patents

Package with peltier element

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JP2003046144A
JP2003046144A JP2001230634A JP2001230634A JP2003046144A JP 2003046144 A JP2003046144 A JP 2003046144A JP 2001230634 A JP2001230634 A JP 2001230634A JP 2001230634 A JP2001230634 A JP 2001230634A JP 2003046144 A JP2003046144 A JP 2003046144A
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Japan
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peltier element
package
electrode
ceramic substrate
lead
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JP2001230634A
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Japanese (ja)
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Mikio Kyomasu
幹雄 京増
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, when a nylon coated copper wire or an enameled copper wire is used as a lead wire used to connect the current input/ output terminal of a Peltier element to a package, the package is not suitable for fixing a position although it is universal, and that the package is of a structure not suitable for automation. SOLUTION: The package in which an input/output electrode is taken out by using a through hole in a surface or rear surface ceramic substrate for the Peltier element, and in which the height of the position of an internal interconnection or an internal lead is decided so as to match the electrode is prepared, and a structure which is attached uniquely is provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】光通信等の送信に用いるレー
ザモジュールには、長距離伝送を行なう事を目的に、チ
ャーピングの少ない光源を得るため、DFBレーザが用
いられ、これをペルチエ素子で温度制御する方法が取ら
れている。本発明は、このペルチエ素子を備えたパッケ
ージの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION In a laser module used for transmission such as optical communication, a DFB laser is used to obtain a light source with little chirping for the purpose of long-distance transmission. A way to control is taken. The present invention relates to the structure of a package including this Peltier element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光通信等に使用されるレーザモジ
ュールでは、長距離伝送する場合、ファイバー通過後、
各種、分散により信号が劣化するのを防ぐため、DFB
レーザが利用され、かつ、波長の安定性を確保するた
め、ペルチエ素子を用いて温度制御する事が良く知られ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a laser module used for optical communication or the like, when transmitting a long distance, after passing through a fiber,
To prevent signal deterioration due to various types of dispersion,
It is well known that a laser is used and the temperature is controlled by using a Peltier element in order to secure the stability of wavelength.

【0003】DFBレーザは、導波層にグレーテイング
を刻み、このグレーテイングで狭い波長範囲の光を帰還
し、高速変調時でも純度の高い単一モード発振を維持で
きるレーザである。したがって、ファイバーの波長分散
を受けにくく、また、この特性をより有効に用いるに
は、波長の温度依存性を避け、波長分散の更なる影響を
避けるため、ペルチエ素子による温度の安定化を図り、
波長変動を少なくし、もって、長距離伝送に対応してい
る。
The DFB laser is a laser in which a grating is carved into a waveguide layer, light of a narrow wavelength range is returned by this grating, and high-purity single-mode oscillation can be maintained even during high-speed modulation. Therefore, it is less susceptible to the chromatic dispersion of the fiber, and in order to use this characteristic more effectively, the temperature dependence of the wavelength is avoided and the temperature is stabilized by the Peltier element in order to avoid the further influence of the chromatic dispersion.
The wavelength fluctuation is reduced, and it is compatible with long-distance transmission.

【0004】このペルチエ素子は、ゼーベック効果を有
する半導体のPN接合を利用し、PN接合に流す電流の
方向によって、目的とする面を冷やしたり、暖めたりす
ることの出来る素子である。
This Peltier element utilizes a semiconductor PN junction having the Seebeck effect, and can cool or warm a target surface depending on the direction of the current flowing through the PN junction.

【0005】このペルチエ素子は、ゼーベック効果を有
するP型の半導体とN型の半導体を別々に作り、この半
導体を交互に並べ、1つの面はPN構造が出るように、
また、他の面にはNP構造が出るようにし、この面に流
す電流によって、上記、効果を得るものである。
In this Peltier element, a P-type semiconductor and an N-type semiconductor having the Seebeck effect are separately prepared, and the semiconductors are alternately arranged so that one surface has a PN structure.
In addition, the NP structure appears on the other surface, and the above-mentioned effect is obtained by the current flowing through this surface.

【0006】従来のペルチエ素子の構造図を図7に示
す。p型素子12とn型素子13が交互に並べられ、上
面セラミック基板10と下面セラミック基板11に施さ
れたメタライズにより直列接続される。
FIG. 7 shows a structural diagram of a conventional Peltier element. The p-type elements 12 and the n-type elements 13 are alternately arranged and connected in series by metallization applied to the upper surface ceramic substrate 10 and the lower surface ceramic substrate 11.

【0007】このペルチエ素子は、下面セラミック基板
11の下面に施されたメタライズを用いて、不図示のセ
ラミックパッケージに半田で固定され、上面セラミック
基板10の上面に施されたメタライズを利用して、レー
ザを取り付けるステムやセラミック基板が半田で取り付
けられる。
This Peltier element is fixed to the ceramic package (not shown) by soldering using the metallization applied to the lower surface of the lower ceramic substrate 11, and utilizing the metallization applied to the upper surface of the upper ceramic substrate 10, The stem to which the laser is attached and the ceramic substrate are attached by soldering.

【0008】素子に電流を流す為の接続は、ペルチエ素
子の下面セラミック基板11に設けられたリード20を
用い、このリードを半田でパッケージの電極部に接続
し、パッケージのリード部分から電流を流す事になる。
For the connection for passing a current through the element, a lead 20 provided on the lower surface ceramic substrate 11 of the Peltier element is used, the lead is connected to the electrode portion of the package by soldering, and the current is passed from the lead portion of the package. It will be a matter.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来のペルチエ素子
は、本来、センサを低温で動作させ、熱雑音を下げる用
途や、恒温槽の制御等に用いられ、この機能が、上記、
DFBレーザの定温動作に呈している事から用いられる
ようになったものである。このため、図7で示すよう
に、電流の入出力端子は、汎用的な用途に対応するた
め、リード20が用いられ、このリード20がナイロン
被覆銅線であったり、エナメル銅線であったりしてい
る。
The conventional Peltier element is originally used for the purpose of operating the sensor at a low temperature to reduce the thermal noise and for controlling the constant temperature bath. This function is described above.
It has come to be used because it is used for the constant temperature operation of the DFB laser. Therefore, as shown in FIG. 7, a lead 20 is used as the current input / output terminal for general-purpose use. The lead 20 may be a nylon-coated copper wire or an enamel copper wire. is doing.

【0010】このため、良好な変形性を有し、位置固定
に対する許容度が大きいものの、変形したリード20を
パッケージ内に収めなければならず、また、このリード
20が、高速変調するための端子と結合し、アンテナの
役目を果してしまうため、高速変調端子から離さねばな
らなかった。その結果、リード20の配置が制限され、
しいては、モジュール全体の配置に対する制限を与え、
かつ、雑音を防ぐため、レーザダイオードを搭載するチ
ップキャリアと電気的な絶縁を取る等の対策を行なった
構造が要求されていた。
For this reason, although it has good deformability and has a large tolerance for position fixing, the deformed lead 20 must be housed in the package, and this lead 20 is a terminal for high-speed modulation. It had to be separated from the high-speed modulation terminal because it would combine with and serve as an antenna. As a result, the placement of the leads 20 is limited,
In the end, it puts restrictions on the placement of the entire module,
In addition, in order to prevent noise, there has been a demand for a structure that takes measures such as electrical insulation from the chip carrier on which the laser diode is mounted.

【0011】また、リード20が変形しやすく、一定の
形状をとる事が困難なため、自動装置を用いて搭載する
には適しておらず、人手による取付を強いられていた。
Further, since the lead 20 is easily deformed and it is difficult to take a certain shape, it is not suitable for mounting by using an automatic device, and it is forced to be attached manually.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記に鑑みて本発明は、
PN接合素子をセラミック基板で挟持するとともに、該
セラミック基板のPN接合素子と反対側の面に電極を備
えてペルチエ素子を構成し、パッケージ内の底面に備え
た電極と上記ペルチエ素子の電極とを当接させて直接接
続した。
In view of the above, the present invention provides:
The PN junction element is sandwiched between ceramic substrates, and a Peltier element is formed by providing an electrode on the surface of the ceramic substrate opposite to the PN junction element, and the electrode provided on the bottom surface of the package and the electrode of the Peltier element are formed. Abutted and connected directly.

【0013】また、PN接合素子をセラミック基板で維
持するとともに、該セラミック基板のPN接合素子と反
対側の面に電極を備えてペルチエ素子を構成し、パッケ
ージ内に備えた電極と上記ペルチエ素子の電極を、フラ
ット型あるいはガロウイング型リードで接続した。
Further, the PN junction element is maintained on the ceramic substrate, and an electrode is provided on the surface of the ceramic substrate opposite to the PN junction element to form a Peltier element. The electrodes were connected with flat or gallowing leads.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図によっ
て説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1に本発明における、ペルチエ素子4を
備えたパッケージ1の平面構造を示す。パッケージ1の
内側には段部が形成され、この段部に備えた内部電極3
と外部リード2が接続され、MIM(メタル・インジェ
クション・モールド)で外形が形成されている。このパ
ッケージ1の内部にペルチエ素子4が図のように取り付
けられている。ペルチエ素子4には、レーザを取り付け
るためのメタライズ5とは別に、電流の入出力のための
電極6が設けられ、この電極6とパッケージ1の内部電
極3の間にフラット型のリード7が取り付けられてい
る。
FIG. 1 shows a planar structure of a package 1 having a Peltier element 4 according to the present invention. A step is formed inside the package 1, and the internal electrode 3 provided in the step is formed.
And the external lead 2 are connected, and the outer shape is formed by MIM (Metal Injection Molding). A Peltier element 4 is mounted inside the package 1 as shown in the figure. In addition to the metallization 5 for mounting the laser, the Peltier element 4 is provided with an electrode 6 for inputting / outputting a current, and a flat lead 7 is mounted between the electrode 6 and the internal electrode 3 of the package 1. Has been.

【0016】このように内部電極3を段部に形成し、電
極6と高さを揃えるようにしたことによって、ペルチエ
素子4をパッケージ1に置くだけで、リード7の接続が
容易にできる。なお、電極6と内部電極3の高さが一致
していない場合は、リード7をガロウイング型とし、高
さの調整をすることもできる。
By thus forming the internal electrodes 3 on the stepped portions and making the heights of the electrodes 6 uniform, the leads 7 can be easily connected only by placing the Peltier element 4 on the package 1. When the heights of the electrode 6 and the internal electrode 3 do not match, the lead 7 may be of a glowing type and the height may be adjusted.

【0017】リード7をフラット型あるいはガロウイン
グ型とする目的は、リード形状あるいはその材質により
リード変形が防止され、このためペルチエ素子をパッケ
ージ1に取り付ける際、自動組み立てが可能となる事で
ある。このように、リードの変形を防ぐ目的を有してい
るため、リード7の材料としてはコバール等が適してい
る。
The purpose of making the lead 7 a flat type or a gallowing type is to prevent lead deformation due to the shape of the lead or the material thereof, so that when the Peltier element is attached to the package 1, automatic assembly is possible. As described above, Kovar or the like is suitable as the material of the lead 7 because it has the purpose of preventing deformation of the lead.

【0018】ここに取り付けられるペルチエ素子の構造
を図3に示す。P型素子12とN型素子13が交互に並
べられ、上面セラミック基板10と下面セラミック基板
11の間に取り付けられている。上面セラミック基板1
0の上面にレーザ素子などの取り付けのためのメタライ
ズ5と入出力端子用電極6が設けられ、ここにリード7
が取り付けられている。
The structure of the Peltier element attached here is shown in FIG. P-type elements 12 and N-type elements 13 are alternately arranged and attached between the upper surface ceramic substrate 10 and the lower surface ceramic substrate 11. Top ceramic substrate 1
On the upper surface of 0, a metallization 5 for attaching a laser element and the like and an input / output terminal electrode 6 are provided, and leads 7 are provided there.
Is attached.

【0019】なお、電極6を凹部に取り付け、リード7
と上面セラミック基板10の上の面をほぼ同一面とする
ことも可能である。
The electrode 6 is attached to the recess and the lead 7
It is also possible to make the upper surface of the upper ceramic substrate 10 and the upper surface substantially flush with each other.

【0020】次に本発明の他の実施形態を説明する。ま
ず、図4(図3とは上下逆に示してある。)のように、
ペルチエ素子4の下面セラミック基板11側に入出力用
の電極6が設けられ、スルーホールを通じてp型接合素
子12、あるいはn型接合素子13と接続されている。
Next, another embodiment of the present invention will be described. First, as shown in FIG. 4 (upside down from FIG. 3),
Input / output electrodes 6 are provided on the lower surface ceramic substrate 11 side of the Peltier element 4 and are connected to the p-type junction element 12 or the n-type junction element 13 through through holes.

【0021】図2に示すように、パッケージ1はセラミ
ックで形成され、外部リード2に接続された内部電極を
なす配線パターン8がパッケージ1の底面に形成されて
いる。
As shown in FIG. 2, the package 1 is made of ceramic, and a wiring pattern 8 forming an internal electrode connected to the external lead 2 is formed on the bottom surface of the package 1.

【0022】電極6と配線パターン8の位置が一致して
おり、両者を当接させて接続すると共に、この部分を半
田で接続する事により、リードを用いることなくパッケ
ージ1の外部リード2とペルチエ素子4を接続する事が
出来る。
The electrodes 6 and the wiring pattern 8 are aligned with each other, and both are brought into contact with each other to be connected to each other, and this portion is connected by solder, so that the external lead 2 of the package 1 and the Peltier can be connected without using a lead. The element 4 can be connected.

【0023】以上の実施形態によれば、ペルチエ素子4
の下面セラミック基板11に施された接続に用いない電
極、並びに、パッケージ1に設けられたペルチエ素子4
の取り付けに用いる電極とで、電極6を囲む事ができる
ため、ペルチエ素子4には、アンテナとなるような配線
は全てシールドされている構造が提供される。図3に示
すフラット型あるいはガロウイング型のリード7の場合
には、不図示の隣接するリードを用い、フィーダを構成
することで、シールド効果を上げる事ができる。また、
レーザ素子を取り付けるためのメタライズ5は他から分
離されているため、容易に種々の部品を搭載することが
出来る。
According to the above embodiment, the Peltier element 4
Of the lower surface ceramic substrate 11 not used for connection, and the Peltier element 4 provided in the package 1.
Since the electrode 6 can be surrounded by the electrode used for mounting, the Peltier element 4 is provided with a structure in which all the wirings serving as an antenna are shielded. In the case of the flat type or gallowing type lead 7 shown in FIG. 3, the shielding effect can be improved by using adjacent leads (not shown) to form the feeder. Also,
Since the metallization 5 for mounting the laser element is separated from the others, various parts can be easily mounted.

【0024】次に、図5には、ペルチエ素子4のP型接
合素子12とN型接合素子13とを取り付けるためのメ
タライズの重ね合わせ図を示している。この図からわか
るように、上面にはPN部分が、下面にはNP部分が接
するようにメタライズが施されている。
Next, FIG. 5 shows a superposed view of metallization for mounting the P-type junction element 12 and the N-type junction element 13 of the Peltier element 4. As can be seen from this figure, the upper surface is metallized so that the PN portion is in contact with the lower surface and the NP portion is in contact with the lower surface.

【0025】図6(a)は下面セラミック基板1の下面
を、図6(b)には同じく上面を示している。電極6は
スルーホール14を通じて下面メタライズのスルーホー
ル取り出し電極17に接続されている。
FIG. 6A shows the lower surface of the lower ceramic substrate 1, and FIG. 6B shows the upper surface thereof. The electrode 6 is connected through a through hole 14 to a through hole extraction electrode 17 having a lower surface metallized.

【0026】以上、実施の形態を説明してきたが、これ
らを整理すると以下の通りとなる。
Although the embodiments have been described above, they are summarized as follows.

【0027】ペルチエ素子4のp型接合素子12とn型
接合素子13との入出力用の電極6はスルーホール14
を通じて上面セラミック10基板、あるいは下面セラミ
ック基板11の各素子と反対側の面に設けられている。
The electrode 6 for inputting / outputting the p-type junction element 12 and the n-type junction element 13 of the Peltier element 4 is a through hole 14.
Is provided on the surface of the upper ceramic substrate 10 or the lower ceramic substrate 11 on the opposite side of each element.

【0028】入出力用の電極6とパッケージ1の内部電
極3の間をフラット型又はガロウイング型の7で接続す
る。
The input / output electrode 6 and the internal electrode 3 of the package 1 are connected by a flat type or gallowing type 7.

【0029】他の形態として、入出力用の電極6とパッ
ケージ1の底面の配線パターン8とを直接、当接してパ
ッケージ1の外部リード2へ接続される。
In another form, the input / output electrode 6 and the wiring pattern 8 on the bottom surface of the package 1 are directly brought into contact with each other to be connected to the external lead 2 of the package 1.

【0030】入出力用の電極6は配線パターン8を用い
て、あるいは不図示の隣接するフラット型あるいはガロ
ウイング型のリードを用いて十分シールドできる構造を
与えることが出来る。
The input / output electrodes 6 can be provided with a structure capable of being sufficiently shielded by using the wiring pattern 8 or by using adjacent flat type or glowing type leads (not shown).

【0031】[0031]

【発明の効果】このように、本発明によれば、PN接合
素子をセラミック基板で挟持するとともに、該セラミッ
ク基板のPN接合素子と反対側の面に電極を備えてペル
チエ素子を構成し、パッケージ内の底面に備えた電極と
上記ペルチエ素子の電極とを当接させて直接接続したに
より、ペルチエ素子を容易にパッケージに取り付けるこ
とが可能で、取付を容易に自動化することが可能であ
る。
As described above, according to the present invention, a PN junction element is sandwiched between ceramic substrates, and electrodes are provided on the surface of the ceramic substrate opposite to the PN junction element to form a Peltier element. Since the electrode provided on the inner bottom surface and the electrode of the Peltier element are brought into contact with and directly connected to each other, the Peltier element can be easily attached to the package, and the attachment can be easily automated.

【0032】また、リード部を埋没させておくための空
間も必要なくなるため、パッケージ寸法の小形化も容易
である。また、このような構造を採用する事により、ペ
ルチエ素子の制御端子が固定されるため、容易に信号系
と制御系の結合を防止する構造が可能となる。
Further, since the space for burying the lead portion is not necessary, it is easy to reduce the package size. Further, by adopting such a structure, the control terminal of the Peltier element is fixed, so that it is possible to easily prevent the coupling between the signal system and the control system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のペルチエ素子を備えたパッケージの平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a package including a Peltier element of the present invention.

【図2】本発明のペルチエ素子を備えたパッケージの他
の実施形態を示し、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。
2A and 2B show another embodiment of a package including the Peltier element of the present invention, FIG. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a sectional view.

【図3】図1の構造で用いるペルチエ素子の斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view of a Peltier element used in the structure of FIG.

【図4】図2の構造で用いるペルチエ素子の斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view of a Peltier element used in the structure of FIG.

【図5】本発明におけるペルチエ素子のメタライズの重
ね合わせ状態を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a superposed state of metallization of a Peltier element in the present invention.

【図6】本発明におけるペルチエ素子の下面セラミック
基板を示しており、(a)はその下面の平面図、(b)
は上面の平面図である。
6A and 6B show a lower surface ceramic substrate of a Peltier element according to the present invention, FIG. 6A is a plan view of the lower surface, and FIG.
[Fig. 4] is a plan view of the upper surface.

【図7】従来のペルチエ素子の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a conventional Peltier element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 外部リード 3 内部電極 4 ペルチエ素子 5 メタライズ 6 電極 7 リード 8 配線パターン 10 上面セラミック基板 11 下面セラミック基板 12 P型接合素子 13 N型接合素子 14 スルーホール 15 上面メタライズ 16 下面メタライズ 17 スルーホール取り出し電極 1 package 2 External lead 3 internal electrodes 4 Peltier element 5 Metallization 6 electrodes 7 leads 8 wiring patterns 10 Top ceramic substrate 11 Bottom ceramic substrate 12 P-type junction element 13 N-type junction element 14 through holes 15 Top metallization 16 Lower surface metallization 17 Through-hole extraction electrode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】PN接合素子をセラミック基板で挟持する
とともに、該セラミック基板のPN接合素子と反対側の
面に電極を備えてペルチエ素子を構成し、パッケージ内
の底面に備えた電極と上記ペルチエ素子の電極とを当接
させて直接接続した事を特徴とするペルチエ素子を備え
たパッケージ。
1. A Peltier element comprising a PN junction element sandwiched between ceramic substrates and an electrode on the surface of the ceramic substrate opposite to the PN junction element to form a Peltier element. A package equipped with a Peltier element, characterized in that it is in direct contact with the electrodes of the element.
【請求項2】PN接合素子をセラミック基板で維持する
とともに、該セラミック基板のPN接合素子と反対側の
面に電極を備えてペルチエ素子を構成し、パッケージ内
に備えた電極と、上記ペルチエ素子の電極を、フラット
型あるいはガロウイング型リードで接続したことを特徴
としたペルチエ素子を備えたパッケージ。
2. A Peltier element is formed by maintaining a PN junction element on a ceramic substrate, and an electrode is provided on the surface of the ceramic substrate opposite to the PN junction element, the electrode provided in a package, and the Peltier element. A package equipped with a Peltier element characterized in that the electrodes of are connected by flat type or glowing type leads.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165457A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Thermoelectric module, thermoelectric unit and method for fixing thermoelectric module
CN103000799A (en) * 2012-12-09 2013-03-27 雍占锋 Cold end and hot end separated type thermoelectric refrigeration semiconductor technology

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