JP2003045370A - Scanning electron microscope - Google Patents

Scanning electron microscope

Info

Publication number
JP2003045370A
JP2003045370A JP2001233767A JP2001233767A JP2003045370A JP 2003045370 A JP2003045370 A JP 2003045370A JP 2001233767 A JP2001233767 A JP 2001233767A JP 2001233767 A JP2001233767 A JP 2001233767A JP 2003045370 A JP2003045370 A JP 2003045370A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning
sample
focus
electron beam
rotation angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001233767A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Ito
寛征 伊藤
Mine Nakagawa
美音 中川
Noriyuki Kaneoka
則幸 兼岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Science Systems Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001233767A priority Critical patent/JP2003045370A/en
Publication of JP2003045370A publication Critical patent/JP2003045370A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning microscope enabled to observe and analyze in a focalized state at all times even when a specimen is tilted and rotating against the direction of scanning. SOLUTION: The rotational angle θ of a specimen 7 is calculated by a control part 16 depending on arbitrary coordinates (x, y) of two points on one scanning line of an electron beam 4 in the observation/analysis region of the specimen 7, and a focus current variation amount ΔI at every pixels are calculated depending on the rotational angle θ, and a deviation of focus is prevented by superposing the variation amount on a focus current of an object lens 6. A focalized image is easily obtained for the entire observation/analysis region of the specimen 7 even when the specimen is tilted and rotating against the direction of scanning.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、試料傾斜機能を備
えた走査電子顕微鏡に係り、特に試料傾斜時での焦点補
正を行なうようにした走査電子顕微鏡に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning electron microscope having a sample tilting function, and more particularly to a scanning electron microscope adapted to perform focus correction when a sample is tilted.

【0002】[0002]

【従来の技術】走査電子顕微鏡はSEMとも呼ばれ、極
く細く絞った電子線(電子ビーム)で試料面を走査して試
料情報を持った信号を検出し、SEM像又はEBSP
(電子後方散乱回折パターン:Electron Backscatter Di
ffraction Pattern)を得るものである。
2. Description of the Related Art A scanning electron microscope is also called an SEM, and a sample surface is scanned with an electron beam (electron beam) that is extremely narrowed to detect a signal having sample information, and an SEM image or EBSP is detected.
(Electron Backscatter Di
ffraction Pattern).

【0003】このとき、電子顕微鏡は焦点深度が深いの
で、凹凸のある試料面からも、全面にわたってフォーカ
ス(焦点)がかなり良好な像を得ることができるので、好
都合であり、試料を傾斜させた観察にも良く対応するこ
とができる。
At this time, since the electron microscope has a deep depth of focus, it is convenient to obtain an image with a very good focus (focus) over the entire surface of the sample surface having irregularities, which is convenient and the sample is tilted. You can respond well to observation.

【0004】しかし、高分解能による観察の場合は、電
子線の開き角を大きくし、プローブ径(電子ビーム径)を
更に小さくする必要があるが、このときは焦点深度が浅
くなってしまうため、試料傾斜時にはフォーカスずれが
大きくなる。そこで、このことを、以下、図2により説
明する。
However, in the case of observation with high resolution, it is necessary to increase the opening angle of the electron beam and further reduce the probe diameter (electron beam diameter), but at this time the focal depth becomes shallow, so The focus shift becomes large when the sample is tilted. Therefore, this will be described below with reference to FIG.

【0005】まず図2(a)に示すように、X方向とY方
向の走査に対して、試料観察面が垂直な場合には、z=
i面(観察面上のz座標、ここでz=0面は対物レンズ
の下面とする)に合わせた電子線4のフォーカスは、走
査(観察)領域24内を走査したときもずれることはな
い。ここで、e-は電子線を表わす。
First, as shown in FIG. 2A, when the sample observation surface is perpendicular to the scanning in the X and Y directions, z =
The focus of the electron beam 4 aligned with the i-plane (z coordinate on the observation plane, where z = 0 plane is the lower surface of the objective lens) does not shift even when scanning in the scanning (observation) area 24. . Here, e represents an electron beam.

【0006】一方、試料の観察面を傾斜させた場合、例
えば図2(b)に示すように、試料7が角度α°、Y方向
に傾斜していた場合には、図2(c)に示すように、Y方
向にフォーカスのずれが生じてしまう。
On the other hand, when the observation surface of the sample is tilted, for example, when the sample 7 is tilted at the angle α ° in the Y direction as shown in FIG. 2 (b), FIG. As shown, a focus shift occurs in the Y direction.

【0007】そこで、このような場合には、図2(d)に
示すように、X方向走査線1本毎に対物レンズ6(後述)
のフォーカス電流を変化させるようにした、いわゆる傾
斜焦点補正(ダイナミックフォーカス)が従来から用いら
れている。
Therefore, in such a case, as shown in FIG. 2D, an objective lens 6 (described later) is provided for each X-direction scanning line.
The so-called tilted focus correction (dynamic focus) in which the focus current is changed is conventionally used.

【0008】この傾斜焦点補正手法は、観察時のみなら
ず、試料を大きな角度で傾斜させた上で電子線を照射す
ることにより得られる“菊池線”を用いて結晶方位解析
を行なうEBSP法には特に有効である。
This tilt focus correction method is applied not only to the observation but also to the EBSP method in which the crystal orientation analysis is carried out by using the "Kikuchi line" obtained by irradiating the sample with an electron beam after tilting the sample at a large angle. Is particularly effective.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、電子
線の走査方向に対して試料が傾斜し、且つ回転している
場合について配慮がされておらず、フォーカスずれの補
正に問題があった。従来のダイナミックフォーカスは、
X方向走査に平行に試料が傾斜している場合のフォーカ
ス補正には有効であったが、電子線の走査方向に対して
試料が傾斜し、且つ回転している場合のフォーカスずれ
の補正は不可能である。
The above prior art does not consider the case where the sample is tilted and rotated with respect to the scanning direction of the electron beam, and has a problem in correcting the focus shift. . Conventional dynamic focus is
This was effective for the focus correction when the sample is tilted parallel to the X-direction scanning, but it is not possible to correct the focus shift when the sample is tilted and rotated with respect to the electron beam scanning direction. It is possible.

【0010】すなわち、図2(c)に示すように、試料が
傾斜しているだけではなく、更に電子線の走査方向に対
して回転している場合には、X方向の走査においてもフ
ォーカスのずれが生じるため、上記したダイナミックフ
ォーカスを用いても焦点補正ができない。
That is, as shown in FIG. 2 (c), when the sample is not only tilted but also further rotated with respect to the scanning direction of the electron beam, the focus of the scanning in the X direction is also increased. Since a shift occurs, the focus cannot be corrected even by using the dynamic focus described above.

【0011】この結果、従来技術では、SEM観察時の
フォーカスずれが補正できないだけではなく、EBSP
法の場合には、フォーカスのずれにより微小結晶粒のパ
ターン検出や、正確な結晶粒サイズの算出が困難である
といった問題があった。
As a result, according to the prior art, not only the focus shift at the time of SEM observation cannot be corrected, but also the EBSP
In the case of the method, there is a problem that it is difficult to detect the pattern of the fine crystal grains and to accurately calculate the crystal grain size due to the focus shift.

【0012】本発明の目的は、試料が傾斜し、且つ電子
線の走査方向に対して回転している場合でも、常にフォ
ーカスの合った状態で観察と分析が行えるようにした走
査電子顕微鏡を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a scanning electron microscope capable of performing observation and analysis always in a focused state even when a sample is tilted and rotated with respect to a scanning direction of an electron beam. To do.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、電子線の試
料の面に対する入射角度を、垂直方向から傾けて観察す
る方式の走査電子顕微鏡において、電子線の走査方向に
対する試料の回転角度を検出する手段を設け、前記回転
角度の検出結果に基づいて、前記電子線の前記試料面で
のフォーカスずれを補正するようにして達成される。
The above object is to detect the rotation angle of the sample with respect to the scanning direction of the electron beam in a scanning electron microscope of a system in which the incident angle of the electron beam with respect to the surface of the sample is tilted from the vertical direction for observation. Is provided, and the focus shift of the electron beam on the sample surface is corrected based on the detection result of the rotation angle.

【0014】同じく、上記目的は、電子線の試料の面に
対する入射角度を、垂直方向から傾けて観察する方式の
走査電子顕微鏡において、電子線の走査方向に対する試
料の回転角度を検出する手段を設け、前記回転角度の検
出結果に基づいて、前記試料の回転角度が補正されるよ
うにして達成される。
Similarly, the above object is to provide a means for detecting the rotation angle of the sample with respect to the scanning direction of the electron beam in the scanning electron microscope of the type in which the incident angle of the electron beam with respect to the surface of the sample is observed while tilted from the vertical direction. The rotation angle of the sample is corrected based on the detection result of the rotation angle.

【0015】このとき、前記回転角度を検出する手段
が、前記試料面で前記電子線による同一走査線上にある
任意の2点の座標位置に基づいて、前記回転角度を検出
する手段で構成されるようにしてもよい。
At this time, the means for detecting the rotation angle is constituted by means for detecting the rotation angle based on the coordinate positions of arbitrary two points on the same scanning line of the electron beam on the sample surface. You may do it.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明による走査電子顕微
鏡について、図示の実施の形態により詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る走査電子顕微鏡の概
略を示したもので、この図において、電子銃1と引き出
し電極2、及び加速電極3により生成された電子線4
は、電磁型のコンデンサレンズ5と同じく電磁型の対物
レンズ6により微細なビームに絞られ、試料7の表面に
収束される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A scanning electron microscope according to the present invention will be described in detail below with reference to the embodiments shown in the drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a scanning electron microscope according to an embodiment of the present invention. In this figure, an electron beam 4 generated by an electron gun 1, an extraction electrode 2, and an acceleration electrode 3 is shown.
Is focused into a fine beam by the electromagnetic objective lens 6 as well as the electromagnetic condenser lens 5, and is focused on the surface of the sample 7.

【0017】一方、倍率設定部10には、図示してない
所定の入力装置から任意の倍率Mが設定してある。そし
て、この倍率MがX方向走査制御部11とY方向走査制
御部12に入力され、これにより、X方向走査制御部1
1とY方向走査制御部12からX方向走査コイル8とY
方向走査コイル9に、それぞれ設定倍率Mに適した走査
電流が供給され、この結果、電子線4による試料7の表
面の走査が得られることになる。
On the other hand, the magnification setting section 10 is set with an arbitrary magnification M from a predetermined input device (not shown). Then, this magnification M is input to the X-direction scanning control unit 11 and the Y-direction scanning control unit 12, and thereby the X-direction scanning control unit 1
1 and Y-direction scanning control unit 12 to X-direction scanning coil 8 and Y
A scanning current suitable for the set magnification M is supplied to each of the directional scanning coils 9, and as a result, the surface of the sample 7 is scanned by the electron beam 4.

【0018】こうして試料7の表面に電子線4が照射さ
れると、電子線4が収束された部分(点)から二次電子2
1が発生され、この二次電子21が二次電子検出器22
により検出される。そして、ここで変換された二次電子
21による信号が、図示してない表示装置に供給される
ことにより、SEM像の表示が得られる。また、このS
EM像表示と同時に、二次電子検出器22により検出さ
れ信号は、画像信号として画像メモリ23にも記憶され
る。
When the surface of the sample 7 is irradiated with the electron beam 4 in this manner, secondary electrons 2 are emitted from the portion (point) where the electron beam 4 is converged.
1 is generated, and this secondary electron 21 becomes a secondary electron detector 22.
Detected by. Then, the signal generated by the secondary electrons 21 converted here is supplied to a display device (not shown) to obtain an SEM image display. Also, this S
Simultaneously with the EM image display, the signal detected by the secondary electron detector 22 is also stored in the image memory 23 as an image signal.

【0019】このとき、対物レンズ6に供給れている電
流の値は、フォーカス電流読込部15によりフォーカス
電流値として読込まれ、マイクロコンピュータで構成さ
れている制御部16に入力される。このとき、制御部1
6には、更に倍率設定部10に設定されている倍率Mと
ステージ制御部14で試料7に設定されている座標情報
及び傾斜角度情報、それに画像メモリ23に記憶された
画像情報が入力されるようになっている。
At this time, the value of the current supplied to the objective lens 6 is read as the focus current value by the focus current reading unit 15 and input to the control unit 16 composed of a microcomputer. At this time, the control unit 1
Further, the magnification M set in the magnification setting unit 10, the coordinate information and the tilt angle information set in the sample 7 by the stage control unit 14, and the image information stored in the image memory 23 are input to the unit 6. It is like this.

【0020】そして、これにより制御部16は、試料7
の回転角度θ°を算出し、そして、第1の実施形態の場
合、制御部16は、この算出した回転角度θ°に基づい
て、試料7の表面に指定された観察・分析領域のXY方
向にわたって逐次、1画素あたりのフォーカス電流変化
量を算出し、対物レンズ電源20によるフォーカス電流
に重畳させることにより、観察・分析領域全面にフォー
カスを合わせるように制御する。
As a result, the control unit 16 controls the sample 7
Of the observation / analysis region designated on the surface of the sample 7 based on the calculated rotation angle θ °. The focus current change amount per pixel is sequentially calculated over the entire range, and the focus current change amount for each pixel is superimposed on the focus current by the objective lens power source 20 to control the focus on the entire observation / analysis region.

【0021】次に、第2の実施形態の場合、制御部16
は、算出した試料回転角度θ°に基いて、それをステー
ジ制御部14に記録後、試料ステージ13を−θ°回転
させ、試料7の回転角度θ°がゼロ値になるように制御
し、これにより、従来技術と同じダイナミックフォーカ
スの適用により、観察・分析領域全面にフォーカスを合
わせることができるようにするのである。
Next, in the case of the second embodiment, the control unit 16
Is recorded on the stage control unit 14 based on the calculated sample rotation angle θ °, then rotates the sample stage 13 by −θ °, and controls so that the rotation angle θ ° of the sample 7 becomes a zero value. This makes it possible to focus on the entire observation / analysis region by applying the same dynamic focus as in the prior art.

【0022】更に、この図1の実施形態では、対物レン
ズ系に静電補助レンズ25が組み込んであり、れこによ
り、フォーカス制御の精度向上が更に図れるようになっ
ている。次に、この実施形態の動作について、図4と図
5のフローチャートにより説明する。
Further, in the embodiment shown in FIG. 1, the electrostatic auxiliary lens 25 is incorporated in the objective lens system, and the accuracy of the focus control can be further improved by the leverage. Next, the operation of this embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

【0023】ここで、このフローチャートによる処理
は、制御部16のマイクロコンピュータにより実行さ
れ、このとき、この走査電子顕微鏡の操作者には、その
都度、所定の操作が、制御部16から指示れるようにな
っているもので、まず始めに、操作者は、図4に示すよ
うに、試料ステージ13を動かし、試料7の表面で観察
対象となる部分が目的の視野となるように表示させる
(501)。
Here, the processing according to this flowchart is executed by the microcomputer of the control unit 16, and at this time, the control unit 16 instructs the operator of this scanning electron microscope to perform a predetermined operation each time. First, as shown in FIG. 4, the operator moves the sample stage 13 so that the portion to be observed on the surface of the sample 7 has a target visual field.
(501).

【0024】このときの操作は、図示してないが、走査
電子顕微鏡自体に備えられている所定の入力装置を用い
て実行される。次に、観察倍率Mag(M)と試料傾斜角度
Tilt(α°)を、入力装置16又は倍率設定部10とス
テージ制御部14から入力する(502)。
Although not shown, the operation at this time is executed by using a predetermined input device provided in the scanning electron microscope itself. Next, the observation magnification Mag (M) and the sample tilt angle Tilt (α °) are input from the input device 16 or the magnification setting unit 10 and the stage control unit 14 (502).

【0025】次に、表示した目的視野内において、その
左上端部(Pmax)の(x、y)座標を記録し、その端部の
点が画面中央に来るように、X方向に−LX/2M、Y
方向に−LY/2Mだけ、イメージシフト処理により、
或いは試料ステージ13の制御により、自動的に移動さ
せる。
Next, in the displayed target visual field, the (x, y) coordinates of the upper left end (P max ) are recorded, and -L is set in the X direction so that the end point is located at the center of the screen. X / 2M, Y
Only -L Y / 2M direction, the image shift processing,
Alternatively, it is automatically moved by the control of the sample stage 13.

【0026】ここで、Mは設定されている倍率、LX
画像のX方向の表示距離、LY は画像のY方向の表示距
離であるが、端部Pmax の位置は、そのx、y座標が、
z座標と共に記録できるなら、視野の左上端部に限ら
ず、操作者が任意の位置に指定しても良い。そして、移
動後、オートフォーカス、又は手動によりフォーカスを
合わせ、この位置の作動距離(又はフォーカス電流)を算
出し、最大作動距離Zmax として記録する(503)。
Here, M is the set magnification, L X is the display distance in the X direction of the image, and L Y is the display distance in the Y direction of the image, but the position of the end P max is the x, y coordinate is
If it can be recorded together with the z-coordinate, the operator is not limited to the upper left end portion of the visual field, and the operator may specify it at any position. After the movement, the focus is adjusted by autofocus or manually, and the working distance (or focus current) at this position is calculated and recorded as the maximum working distance Z max (503).

【0027】こうして最大作動距離Zmax が記録された
ら、この後、同じくイメージシフト処理又はステージの
制御により、X方向にLX/2M、Y方向にLY/2Mだ
け、自動的に元の視野に移動させ、この状態で観察・分
析領域の決定(504)と、画像・分析データサイズの入
力(505)、画像取込時間(s/pixel)とFrame 数の入
力(506)を行い、これにより全領域totalの観察・分
析時間が算出される(507)。
After the maximum working distance Z max is recorded in this way, thereafter, by the same image shift processing or stage control, the original visual field is automatically changed by L X / 2M in the X direction and L Y / 2M in the Y direction. In this state, the observation / analysis area is determined (504), the image / analysis data size is input (505), the image acquisition time (s / pixel) and the Frame number are input (506). Thus, the observation / analysis time of the entire area total is calculated (507).

【0028】このとき、分析時間が不適当な場合はスッ
テプ504に戻り、妥当な時間となるまで設定作業を繰
り返す。そして、この処理507の後は、観察・分析領
域を目的視野全体とした場合の操作になる。
At this time, if the analysis time is inappropriate, the process returns to step 504, and the setting work is repeated until a proper time is reached. Then, after this processing 507, the operation is performed when the observation / analysis region is the entire target visual field.

【0029】まず、電子線4の走査方向に対する試料7
の回転角度(θ°)が既知であるか否かを調べ、未知のと
きは目的視野上の右上端部Pmin の(x、y)座標を記録
し、この右上端部Pmin が画面中央に来るように、X方
向にはLX/2M、Y方向には−LY/2Mだけ、イメー
ジシフト処理又はステージ制御により自動的に移動さ
せ、オートフォーカス又は手動フォーカス合わせ作業に
より作動距離(又はフォーカス電流)を算出し、算出した
値を最小作動距離Zmin として記録する(508)。この
とき、右上端部Pmin の位置は、このPmax を指定した
走査線上の位置に限る。
First, the sample 7 in the scanning direction of the electron beam 4
Whether or not the rotation angle (θ °) is known, and if it is unknown, the (x, y) coordinate of the upper right end P min on the target visual field is recorded, and this upper right end P min is the center of the screen. As shown in FIG. 2, the image is automatically moved by L X / 2M in the X direction and −L Y / 2M in the Y direction by image shift processing or stage control, and the working distance (or The focus current) is calculated, and the calculated value is recorded as the minimum working distance Z min (508). At this time, the position of the upper right end P min is limited to the position on the scanning line for which this P max is designated.

【0030】そして、最小作動距離Zmin 記録後、X方
向に−LX/2M、Y方向にLY/2M、イメージシフト
処理又はステージ制御により自動的に移動させ、元の視
野に戻してから、既に求めてある最大作動距離Pmax
(x、y)座標と、いま算出した最小作動距離Zmax、右
上端部Pmin の(x、y)座標、それに最小作動距離Zm
in により回転角度(θ°)を後述するようにして算出す
る(509)。一方、回転角度(θ°)が既知の場合もある
ので、このときは、それが入力できるようにする(51
0)。
Then, after recording the minimum working distance Z min , it is automatically moved by −L X / 2M in the X direction, L Y / 2M in the Y direction by image shift processing or stage control, and then returned to the original visual field. , Of the maximum working distance P max already obtained
(x, y) coordinates, the minimum working distance Z max just calculated, the (x, y) coordinates of the upper right end P min , and the minimum working distance Z m
The rotation angle (θ °) is calculated by in as described later (509). On the other hand, the rotation angle (θ °) may be known in some cases, so that it can be input at this time (51
0).

【0031】この回転角度(θ°)の算出又は入力後、図
5の処理に続き、まず倍率とX方向の走査距離、それに
X方向の画素数から、X方向1pixel(1画素)当りのフ
ォーカス変化量ΔfX を、後述するようにして算出し
(511)、次いで同様に、Y方向1pixel 当りのフォー
カス変化量ΔfY を、同じく後述するようにして算出す
る(512)。
After the calculation or input of this rotation angle (θ °), the process shown in FIG. 5 is followed, first, from the magnification, the scanning distance in the X direction, and the number of pixels in the X direction, the focus per 1 pixel (1 pixel) in the X direction. The change amount Δf X is calculated as described below.
Similarly, the focus change amount Δf Y per 1 pixel in the Y direction is calculated as described later (511) (512).

【0032】そして、これらのフォーカス変化量Δ
X、ΔfYから、X、Y方向走査時のZ方向1pixel 当
りのフォーカス変化量ΔfZを、これも後述するように
して算出する(513)。そして、このフォーカス変化量
ΔfZ をテーブル(table)に記録(514)した後、X、
Y走査を開始する(515)。
The focus change amount Δ
The focus change amount Δf Z per pixel in the Z direction during scanning in the X and Y directions is calculated from f X and Δf Y , as will be described later (513). Then, after recording (514) this focus change amount Δf Z in a table, X,
The Y scan is started (515).

【0033】このとき、フォーカス変化量ΔfZ から逐
次走査座標(x、y)に対応したフォーカス電流を設定し
(516)、走査点がP(xm、yn)になったとき、1フレー
ム分の走査を終了するのである(517)。一方、回転角
度(θ°)を算出又は入力後、試料ステージ13を自動的
に−θ°回転させ、θ=0°にし(518)、この後、
(514)以降の処理を実行するようにしてもよい。
At this time, the focus current corresponding to the sequential scanning coordinates (x, y) is set from the focus change amount Δf Z.
(516) When the scanning point becomes P (xm, yn) , the scanning for one frame is finished (517). On the other hand, after calculating or inputting the rotation angle (θ °), the sample stage 13 is automatically rotated by −θ ° to set θ = 0 ° (518).
You may make it perform the process after (514).

【0034】この場合、試料7は、それに回転が無い状
態、つまり図2(b)(d)と同じ状態にされるので、(51
4)の処理では、フォーカス変化量ΔfX =0にしたま
までフォーカス変化量ΔfZ を算出しても良いし、従来
技術と同じくダイナミックフォーカス補正を行なっても
良く、これだけで、フォーカスの合った状態で観察と分
析が行えることになる。
In this case, the sample 7 is brought into a state in which it is not rotated, that is, the same state as in FIGS. 2 (b) and 2 (d).
In the process of 4), the focus change amount Δf Z may be calculated with the focus change amount Δf X = 0, or the dynamic focus correction may be performed as in the conventional technique. Observation and analysis can be performed in the state.

【0035】次に、前述したステップ508〜ステップ
510における回転角度θの算出方法について、図2と
図3を用いて説明する。ここで、このとき電子線4によ
る走査は、X方向走査はX軸に対して平行で、Y方向走
査はY軸に対して平行に行なわれるものとする(図2(a)
参照)。
Next, a method of calculating the rotation angle θ in steps 508 to 510 described above will be described with reference to FIGS. 2 and 3. At this time, the scanning with the electron beam 4 is performed in the X direction parallel to the X axis and in the Y direction parallel to the Y axis (FIG. 2 (a)).
reference).

【0036】いま、図2(a)に示したように、観察面が
z=0面に平行なとき(試料傾斜をしていないとき)、走
査領域24内の任意の1点を点A(xa、ya、za)とす
ると、点Aのz座標za は、za=iであり、従って、
このときはフォーカス位置(za)を変化させる必要はな
い。
As shown in FIG. 2A, when the observation surface is parallel to the z = 0 surface (when the sample is not tilted), an arbitrary point in the scanning area 24 is set to point A ( x a, y a, When z a), z-coordinate z a of the point a is a z a = i, therefore,
In this case it is not necessary to change the focus position (z a).

【0037】一方、図2(a)の観察面をα°傾けたとき
の平面αはy=yd(yd>0)で、z=i面と角度α°を
成す(図2(b)〜(d)、図3(a))。
On the other hand, the plane α when the observation surface of FIG. 2 (a) is tilted by α ° is y = y d (y d > 0) and forms an angle α ° with the z = i plane (FIG. 2 (b )-(D), FIG. 3 (a)).

【0038】ここで、SEMの場合、電子線4の走査領
域24(x、y座標)は、試料傾斜角度と無関係(試料傾
斜なしの場合と同じ)であるため、平面α上で点Aと同
じx、y座標を有す る点A'(xa、ya、za')のz座標
がわかれば、平面α上の走査領域でフォーカス電流を制
御し、フォーカスを合わせることができる。
Here, in the case of SEM, the scanning region 24 (x, y coordinates) of the electron beam 4 is irrelevant to the sample tilt angle (the same as when there is no sample tilt). the same x, terms that have a y-coordinate a '(x a, y a , z a') knowing the z coordinate of the control the focus current in a scanning region above the plane alpha, can be focused.

【0039】ここで、点A'のz座標za'は、 za'=i−(yd−ya)・tanα であり、フォーカス位置(za')は、y座標の関数として
変化させれば良い。さらに、図2(e)と図3(b)に示すよ
うに、平面αが電子線の走査方向に対してθ°回転(θ
=未知)しているときの平面を平面θとする。
[0039] Here, the 'z-coordinate z a' of the point A, z a '= i-a (y d -y a) · tanα , the focus position (z a') is changed as a function of the y coordinate You can do it. Further, as shown in FIGS. 2 (e) and 3 (b), the plane α rotates by θ ° with respect to the scanning direction of the electron beam (θ
The plane when (= unknown) is the plane θ.

【0040】このとき、点Aと同じx、y座標を有する
平面θ上の点A"(xa、ya、za")のz座標za"を、
x、y、α、θの関数として表記できれば、点A"
(xa、ya、za")の実測によって、回転角度θの値を求
めることができる。このため、まず図3(a)において、
z座標をx、y、α、θの関数として表すため、仮定点
P、Q、Rを設定する。このとき、これらの点はx=x
a の同一直線上にあるとし、以下のように設定する。
[0040] At this time, the same x and the point A, a point on the plane θ with y-coordinate A "(x a, y a , z a") a z-coordinate z a "of,
If it can be expressed as a function of x, y, α, θ, point A "
(x a, y a, z a ") by actual measurement, it is possible to determine the value of the rotation angle theta. Therefore, first, in FIG. 3 (a),
Since the z coordinate is expressed as a function of x, y, α, and θ, hypothetical points P, Q, and R are set. Then these points are x = x
and in collinear a, it is set as follows.

【0041】まず、点A'を通るy=0の法線を引いた
ときのy=0平面との交点を、点Rとすると、点Rの座
標は(xa、0、za')である。次に、点Rを通る対物レ
ンズ6の下面(z=0面)の法線を引いたときのz=0面
との交点を点Qとすると、点Qの座標は(xa、0、0)
である。そして、線分QRと平面αとの交点を点Pとす
ると、点Pの座標は(xa、0、zp)となる(0<zp≦z
a')。
First, letting point R be the intersection point with the y = 0 plane when a normal line of y = 0 passing through point A'is drawn, the coordinates of point R are (x a , 0, z a '). Is. Next, when the intersection point with the z = 0 surface when the normal line of the lower surface (z = 0 surface) of the objective lens 6 passing through the point R is drawn is the point Q, the coordinates of the point Q are (x a , 0, 0, 0)
Is. When the intersection point of the line segment QR and the plane α is a point P, the coordinates of the point P are (x a , 0, z p ) (0 <z p ≦ z
a ').

【0042】そうすると、まず線分A'Rは、 A'R=ya …………(1) と表わせ、線分QRは、 QR=za’ …………(2) と表せる。従って、これら(1)式と(2)式2により、線分
QPは、 QP=za'−ya・tanα …………(3) となる。
[0042] Then, the line segment A'R first, A'R = y a ............ (1 ) and expressed, line segment QR is expressed as QR = z a '............ (2 ). Thus, these (1) and (2) 2, the line segment QP is, QP = z a '-y a · tanα ............ (3) become.

【0043】次に、図3(b)において、z座標をx、
y、α、θの関数として表すため、仮定点P'、Q'、
R'を以下のように設定する。そして、まずy=0面が
電子線の走査方向に対してθ°回転した平面をyθと
し、点A”を通る平面yθの法線を引いたとき、この法
線と平面yθの交点を点R'(xR'、yR'、zR')とする
と、点R'は、 xR'=(xa−tanθ)・cos2θ yR'=−(xa−tanθ)・sinθ・cosθ zR'=za" である。
Next, in FIG. 3B, the z coordinate is x,
Since it is expressed as a function of y, α, and θ, the assumption points P ′, Q ′,
Set R'as follows: Then, when a plane in which the y = 0 plane is rotated by θ ° with respect to the scanning direction of the electron beam is yθ and a normal line of the plane yθ passing through the point A ″ is drawn, the intersection point of this normal line and the plane yθ is defined as a point. If R ′ (x R ′, y R ′, z R ′), the point R ′ is x R ′ = (x a −tan θ) · cos 2θ y R ′ = − (x a −tan θ) · sin θ · cos θ z R '= z a ".

【0044】また、点R'を通り、z=0面の法線を引
いたときのz=0面との交点を点Q'(xQ'、yQ'、
Q')とすると、点Q'は、 xQ'=(xa−tanθ)・cos2θ yQ'=−(xa−tanθ)・sinθ・cosθ zQ'=0 となる。
[0044] In addition, the point R 'as a, z = 0 plane intersection point Q of the z = 0 plane at the time obtained by subtracting the normal line of the' (x Q ', y Q ',
z Q ′), the point Q ′ becomes x Q ′ = (x a −tan θ) · cos 2θ y Q ′ = − (x a −tan θ) · sin θ · cos θ z Q ′ = 0.

【0045】更に線分Q'R'と平面θとの交点を点P'
(xP'、yP'、zP')とすると、点P'は、 xP'=(xa−tanθ)・cos2θ yP'=−(xa−tanθ)・sinθ・cosθ 0<zP'≦za” と表わせる。
Furthermore, the intersection point of the line segment Q'R 'and the plane θ is defined as a point P'.
Assuming that (x P ', y P ', z P '), the point P'is x P ' = (x a −tan θ) · cos 2θ y P '= − (x a −tan θ) · sin θ · cos θ 0 < It can be expressed as z P '≦ z a ″.

【0046】よって、線分A”R'は、 A"R'=xa・sinθ+ya・cosθ …………(4) となり、次に、線分P'R'は、(4)式により、 P'R'=(xa・sinθ+ya・cosθ)・tanα ……(5) となる。このとき、A"(xa、ya、za")とR'のz座標
は等しく、点P'、Q'、R'は同一直線上にあり、且つ
0<zP'≦za"であるから、za”=Q'P'+P'R'で
ある。
[0046] Therefore, the line segment A "R 'is, A"R' = x a · sinθ + y a · cosθ ............ (4) , and the next line segment P'r 'is by (4) , P′R ′ = (x a · sin θ + ya a cos θ) · tan α (5) In this case, A "(x a, y a, z a") and R 'z-coordinate of equal point P', Q ', R' are collinear and 0 <z P '≦ z a Therefore, z a ″ = Q′P ′ + P′R ′.

【0047】また、平面αと平面θは、傾斜角度(α°)
が同一であり、それぞれα=0°のときの面(z=i面)
から対物レンズ5の下面(z=0面)までの距離は一定で
あることから、QP=Q'P'=i−yd・tanαとおけ
る。よって、(3)式と(5)式により、 za"=za'−{ya(1−cosθ)−xa・sinθ}・tanα ……(6) となる。
The plane α and the plane θ are inclined at an angle (α °).
Are the same, and the surface when α = 0 ° (z = i surface)
Since the distance from to the lower surface (z = 0 surface) of the objective lens 5 is constant, QP = Q′P ′ = i−y d · tan α. Therefore, (3) and (5) below, z a "= z a ' - a {y a (1-cosθ) -x a · sinθ} · tanα ...... (6).

【0048】ここで(6)式を満足し、且つθを算出する
ためには、za'が同一になっている2点の(xa、ya
a")座標が必要であるが、点Pmaxと点Pmin の2点は
同一走査線上にあり、従って、これらの座標から(6)式
を満足させることができ、従って、この(6)式により回
転角度θを算出することができる。このとき、Zmax
min となってしまった場合も、(6)式により、同様に
してθが算出できるため、Pmax とPminの入替は不要
である。
[0048] satisfied where (6), and to calculate θ, the two points z a 'is in the same (x a, y a,
z a ") coordinate is required, but the two points P max and P min are on the same scanning line, and therefore, it is possible to satisfy Eq. (6) from these coordinates, and therefore (6) ) Can be used to calculate the rotation angle θ, where Z max <
Even in the case of Z min , θ can be calculated in the same manner by the equation (6), so that it is not necessary to replace P max and P min .

【0049】次に、図5のステップ511〜ステップ5
13及びステップ516におけるΔfX、ΔfY、Δ
Z、IB の算出方法について、以下に説明する。ま
ず、走査領域のX座標をa1、a2、……am、Y座標を
1、b2、……bnとすると、X、Y方向の走査距離X
(m)、Y(n)は、 X(m)=am−a1=LX/M …………(8) Y(n)=bn−b1=LY/M …………(9) となる。
Next, step 511 to step 5 in FIG.
13 and Δf X , Δf Y , Δ in step 516
A method of calculating f Z and I B will be described below. First, when the X coordinate of the scanning region is a 1 , a 2 , ... Am , and the Y coordinate is b 1 , b 2 , ... B n , the scanning distance X in the X and Y directions is X.
(m), Y (n) is, X (m) = a m -a 1 = L X / M ............ (8) Y (n) = b n -b 1 = L Y / M ......... … (9).

【0050】そうすると、X方向X(m)走査時のフォー
カス変化量ΔfX(m)は、(8)式と(9)式により、 ΔfX(m)=(am−a1)・sinθ・tanα ……(10) となり、Y方向Y(n)走査時のフォーカス変化量Δf
Y(n)は、(8)式と(9)式により、 ΔfY(n)={bn−b1+(b1−bn)・(1−cosθ)}・tanα ……(11) となる。
[0050] Then, X-direction X (m) focus variation amount at the time of scanning Delta] f X (m) is the (8) and (9), Δf X (m) = ( a m -a 1) · sinθ・ Tan α (10), which is the focus change amount Δf during Y (Y) direction Y (n) scanning.
Y (n) is the (8) and (9), Δf Y (n) = { b n -b 1 + (b 1 -b n) · (1-cosθ)} · tanα ...... (11 ).

【0051】ここで、1画素当りの走査距離X(1)、Y
(1)は、 X(1)=am−a1/m−1 Y(1)=bn−b1/n−1 と一定であることが判る。
Here, the scanning distance X (1), Y per pixel
(1), X (1) = a m -a 1 / m-1 Y (1) = b n -b 1 / n-1 and it can be seen that constant.

【0052】よって、X方向1画素当りのフォーカス変
化量ΔfX 、及びY方向1画素当りのフォーカス変化量
ΔfY は、次式の通りに表わせることになり、これらは
一定の割合で変化する。 ΔfX=ΔfX(m)/m−1 …………(12) ΔfY=ΔfY(n)/n−1 …………(13)
Therefore, the focus change amount Δf X per pixel in the X direction and the focus change amount Δf Y per pixel in the Y direction can be expressed by the following equations, and these change at a constant rate. . Δf X = Δf X (m) / m-1 ...... (12) Δf Y = Δf Y (n) / n-1 ...... (13)

【0053】ここで、X(m)とY(n)の各走査領域内の任
意の走査位置を点B(as、bt)とすると(0<s≦m、
0<t≦n、s及びtは整数)、点Bにおける点P
max(a1、b1)からのフォーカス変化量ΔfZ は、(12)
式と(13)式により、 ΔfZ=ΔfX(s−1)+ΔfY(t−1) ……(14) と表わせる。
Here, if an arbitrary scanning position in each scanning region of X (m) and Y (n) is defined as a point B (a s , b t ), (0 <s ≦ m,
0 <t ≦ n, s and t are integers), point P at point B
The focus change amount Δf Z from max (a 1 , b 1 ) is (12)
From equation (13), Δf Z = Δf X (s−1) + Δf Y (t−1) (14)

【0054】よって、点Bにおける点Pmax(a1、b1)
からのフォーカス電流の変化量ΔIは、(14)式により、 ΔI=k・ΔfZ …………(15) となる。ここで、kは定数で、加速電圧、レンズのコイ
ル巻数、レンズの形状などにより定まる。
Therefore, the point P max (a 1 , b 1 ) at the point B is
From the equation (14), the change amount ΔI of the focus current from is: I = k · Δf Z (15) Here, k is a constant and is determined by the acceleration voltage, the number of coil turns of the lens, the shape of the lens, and the like.

【0055】そこで、点Pmax(a1、b1)のフォーカス
電流量をIとすると、この点Bにおけるフォーカス電流
量IB は、(15)式により、 IB=I+k・ΔfZ …………(16) となる。
Therefore, assuming that the focus current amount at the point P max (a 1 , b 1 ) is I, the focus current amount I B at this point B is I B = I + kΔf Z by the equation (15). ... (16).

【0056】次に、上記実施形態による走査電子顕微鏡
による試料の観察結果について、図6により説明する。
ここで、この図6の像は、或る同一の試料について、同
一の回転角度θのもとでSEM観察した結果であるが、
ここで上側の図6(a)は、上記図4と図5のフローチャ
ートによる処理を適用しなかった場合の観察結果で、こ
の場合、電子線の走査方向に対して試料が回転している
ため、図の右上部及び左下部においてフォーカスずれが
生じてしまい、視野全体の表面状態を把握するのが困難
であることが判る。
Next, the results of observing the sample with the scanning electron microscope according to the above embodiment will be described with reference to FIG.
Here, the image of FIG. 6 is a result of SEM observation of a certain same sample under the same rotation angle θ.
Here, FIG. 6A on the upper side is an observation result when the processing according to the flowcharts of FIGS. 4 and 5 is not applied, and in this case, the sample is rotating in the scanning direction of the electron beam. It can be seen that it is difficult to grasp the surface condition of the entire field of view because defocus occurs in the upper right part and the lower left part of the figure.

【0057】一方、下側の図6(b)の画像は、上記図4
と図5のフローチャートによる処理を適用し、1画素単
位でフォーカス電流が変化されるようにした場合で、こ
のときは視野全体にフォーカスの合ったSEM像が得ら
れ、従って、視野全体の表面状態の把握が容易にでき
る。
On the other hand, the image of FIG. 6 (b) on the lower side is shown in FIG.
And the processing according to the flowchart of FIG. 5 is applied to change the focus current on a pixel-by-pixel basis, in this case, a focused SEM image is obtained over the entire field of view, and accordingly, the surface condition of the entire field of view is obtained. Can be easily grasped.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明によれば、試料が傾斜し且つ電子
線の走査方向に対して回転している場合でも、視野内の
全域にわたってフォーカスずれの補正が得られ、従っ
て、視野全体の表面状態を容易に把握することができ
る。また、この結果、本発明によれば、結晶方位解析に
適用して、精度の良い解析結果を容易に得ることができ
る。
According to the present invention, even when the sample is tilted and rotated with respect to the scanning direction of the electron beam, defocus correction can be obtained over the entire field of view, and therefore the surface of the entire field of view can be corrected. The state can be easily grasped. As a result, according to the present invention, it is possible to easily obtain a highly accurate analysis result by applying it to the crystal orientation analysis.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による走査電子顕微鏡の一実施形態を示
す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a scanning electron microscope according to the present invention.

【図2】走査電子顕微鏡における試料の傾斜状態と電子
線走査領域の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of an inclined state of a sample and an electron beam scanning region in a scanning electron microscope.

【図3】本発明による走査電子顕微鏡の一実施形態にお
ける電子線位置と試料の関係を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between an electron beam position and a sample in an embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図4】本発明による走査電子顕微鏡の一実施形態の動
作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation of an embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図5】本発明による走査電子顕微鏡の一実施形態の動
作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 5 is a flow chart for explaining the operation of an embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.

【図6】走査電子顕微鏡による観察結果の説明図でる。FIG. 6 is an explanatory diagram of an observation result by a scanning electron microscope.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子銃 2 引出し電極 3 加速電極 4 電子線 5 コンデンサレンズ 6 対物レンズ 7 試料 8 X方向走査コイル 9 Y方向走査コイル 10 倍率設定部 11 X方向走査制御部 12 Y方向走査制御部 13 試料ステージ 14 ステージ制御部 15 フォーカス電流読込部 16 制御部(マイクロコンピュータ) 20 対物レンズ電源 21 二次電子 22 二次電子検出器 23 画像メモリ部 24 走査(観察)領域 25 静電補助レンズ 1 electron gun 2 Extraction electrode 3 Accelerating electrode 4 electron beams 5 condenser lens 6 Objective lens 7 samples 8 X-direction scanning coil 9 Y direction scanning coil 10 Magnification setting section 11 X-direction scanning controller 12 Y-direction scanning controller 13 Sample stage 14 Stage control unit 15 Focus current reading unit 16 Control unit (microcomputer) 20 Objective lens power supply 21 Secondary electron 22 Secondary electron detector 23 Image memory section 24 scanning (observation) area 25 Electrostatic auxiliary lens

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 美音 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 兼岡 則幸 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器グループ内 Fターム(参考) 2G001 AA03 BA07 BA15 BA18 CA03 FA10 GA01 GA06 GA13 HA13 KA08 PA12 5C001 AA05 AA06 CC04 5C033 MM02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Mion Nakagawa             882 Ichige, Ichima, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture             Inside the company Hitachi Science Systems (72) Inventor Noriyuki Kaneoka             882 Ichige, Ichima, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture             Ceremony company Hitachi measuring instruments group F-term (reference) 2G001 AA03 BA07 BA15 BA18 CA03                       FA10 GA01 GA06 GA13 HA13                       KA08 PA12                 5C001 AA05 AA06 CC04                 5C033 MM02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子線の試料の面に対する入射角度を、
垂直方向から傾けて観察する方式の走査電子顕微鏡にお
いて、 電子線の走査方向に対する試料の回転角度を検出する手
段を設け、 前記回転角度の検出結果に基づいて、前記電子線の前記
試料面でのフォーカスずれを補正するように構成したこ
とを特徴とする走査電子顕微鏡。
1. An incident angle of an electron beam with respect to a surface of a sample is
In the scanning electron microscope of the method of observing while tilted from the vertical direction, a means for detecting the rotation angle of the sample with respect to the scanning direction of the electron beam is provided, and based on the detection result of the rotation angle, the electron beam on the sample surface A scanning electron microscope characterized by being configured to correct defocus.
【請求項2】 電子線の試料の面に対する入射角度を、
垂直方向から傾けて観察する方式の走査電子顕微鏡にお
いて、 電子線の走査方向に対する試料の回転角度を検出する手
段を設け、 前記回転角度の検出結果に基づいて、前記試料の回転角
度が補正されるように構成したことを特徴とする走査電
子顕微鏡。
2. The incident angle of the electron beam with respect to the surface of the sample is
In a scanning electron microscope of a type of tilting observation from a vertical direction, a means for detecting a rotation angle of a sample with respect to a scanning direction of an electron beam is provided, and the rotation angle of the sample is corrected based on the detection result of the rotation angle. A scanning electron microscope having the above structure.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の発明にお
いて、 前記回転角度を検出する手段が、前記試料面で前記電子
線による同一走査線上にある任意の2点の座標位置に基
づいて、前記回転角度を検出する手段で構成されている
ことを特徴とする走査電子顕微鏡。
3. The invention according to claim 1 or 2, wherein the means for detecting the rotation angle is based on coordinate positions of arbitrary two points on the same scanning line by the electron beam on the sample surface. A scanning electron microscope comprising a means for detecting the rotation angle.
JP2001233767A 2001-08-01 2001-08-01 Scanning electron microscope Pending JP2003045370A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001233767A JP2003045370A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Scanning electron microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001233767A JP2003045370A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Scanning electron microscope

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003045370A true JP2003045370A (en) 2003-02-14

Family

ID=19065501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001233767A Pending JP2003045370A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Scanning electron microscope

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003045370A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006051574A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Installing method for nanometer-size material
JP2006194743A (en) * 2005-01-13 2006-07-27 Canon Inc Crystal orientation measuring method and sample holder used therefor
JP2013217898A (en) * 2012-03-16 2013-10-24 Hitachi High-Tech Science Corp Sample preparation device and sample preparation method
CN105435404A (en) * 2016-01-12 2016-03-30 浙江宇安消防装备有限公司 Dry powder extinguishing system with manual emergency stopping/starting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006051574A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Installing method for nanometer-size material
JP4517071B2 (en) * 2004-08-12 2010-08-04 独立行政法人産業技術総合研究所 How to install nano-sized materials
JP2006194743A (en) * 2005-01-13 2006-07-27 Canon Inc Crystal orientation measuring method and sample holder used therefor
JP2013217898A (en) * 2012-03-16 2013-10-24 Hitachi High-Tech Science Corp Sample preparation device and sample preparation method
CN105435404A (en) * 2016-01-12 2016-03-30 浙江宇安消防装备有限公司 Dry powder extinguishing system with manual emergency stopping/starting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7705300B2 (en) Charged particle beam adjusting method and charged particle beam apparatus
US7598497B2 (en) Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus
US6838667B2 (en) Method and apparatus for charged particle beam microscopy
JP3602646B2 (en) Sample size measuring device
WO2010035416A1 (en) Charged particle beam device
JP4928987B2 (en) Charged particle beam adjustment method and charged particle beam apparatus
KR101455944B1 (en) Scanning electron microscope
JP2006032202A (en) Charged particle beam device
JP2002134059A (en) Focused ion beam device
JP2001210263A (en) Scanning electron microscope, its dynamic focus control method and shape identifying method for semiconductor device surface and cross section
JPH0562638A (en) Focused ion beam device
JP2003045370A (en) Scanning electron microscope
JP2002286663A (en) Sample analysis and sample observation apparatus
JP2005147671A (en) Charged particle line controlling method and system
JP5103253B2 (en) Charged particle beam equipment
JP4431624B2 (en) Charged particle beam adjustment method and charged particle beam apparatus
TW202127017A (en) Method for Image Adjustment and Charged Particle Beam System
JPH08148108A (en) Automatic focus adjustment
JPH11237230A (en) Method and equipment for specimen measuring in electron microscope
JP2007287561A (en) Charged particle beam device
JPH0963937A (en) Charged beam drawing system
JP2582152B2 (en) Deflection correction method for deflection system drawing field
JP2010016007A (en) Charged particle beam adjustment method, and charged particle beam device
JP2002134058A (en) Focused ion beam working apparatus with working depth measuring function
JPH08148109A (en) Focusing in charged particle beam device and its device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20040213

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20050224

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050712

A521 Written amendment

Effective date: 20050909

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070213

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070416

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Effective date: 20070920

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Effective date: 20071109

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912