JP2003041393A - Copper plating method - Google Patents

Copper plating method

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JP2003041393A
JP2003041393A JP2001229651A JP2001229651A JP2003041393A JP 2003041393 A JP2003041393 A JP 2003041393A JP 2001229651 A JP2001229651 A JP 2001229651A JP 2001229651 A JP2001229651 A JP 2001229651A JP 2003041393 A JP2003041393 A JP 2003041393A
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plating
copper plating
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carrier
plated
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Tadashi Saito
正 齊藤
Yoshihisa Muranushi
欣久 村主
Takumi Shigeta
巧 重田
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Atotech Japan KK
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Atotech Japan KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plated film of stable properties without controlling a leveler content in a plating solution. SOLUTION: An electrolytic copper plating method comprises making the objective surface to be plated adsorb at least one leveling substance selected from the groups consisting of organic acid amide and amine compounds, and subsequently plating the surface in a copper plating solution which contains no substance belonging to the above groups.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層プリント基板、
半導体ウエハに用いる銅配線の形成方法に関するもので
ある。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a multilayer printed circuit board,
The present invention relates to a method for forming a copper wiring used for a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、多層プリント配線基板又は半導体
ウエハのバイアホールやトレンチ内を銅メッキにより埋
め込む電解メッキが広く用いられてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, electrolytic plating in which a via hole or a trench of a multilayer printed wiring board or a semiconductor wafer is filled with copper plating has been widely used.

【0003】一般に、電解銅メッキを行う手順は次のよ
うになる。プリント基板、半導体ウエハ上の絶縁膜等、
導電性のない部分にも電解銅をつけるときは、無電解銅
メッキあるいはスパッタリング法で上記部分に銅の導電
層を形成する。つぎに、導電層を形成した表面に、電解
銅メッキ浴中でメッキすることにより、電解銅を析出さ
せて所望の銅メッキ被膜を得る。
Generally, the procedure for electrolytic copper plating is as follows. Printed circuit boards, insulating films on semiconductor wafers, etc.
When electrolytic copper is applied to a portion having no conductivity, a copper conductive layer is formed on the above portion by electroless copper plating or sputtering. Next, the surface on which the conductive layer is formed is plated in an electrolytic copper plating bath to deposit electrolytic copper and obtain a desired copper plating film.

【0004】通常この銅メッキ浴には、銅メッキ被膜の
均一化、当該銅メッキ被膜の物性や外観の向上のため
に、ブライトナー、キャリア、レベラー等と称する添加
剤を加えることが一般的に行われている。これら添加剤
の効果により、析出結晶の制御を行うものである。
Usually, additives called brighteners, carriers, levelers and the like are added to this copper plating bath in order to make the copper plating film uniform and improve the physical properties and appearance of the copper plating film. Has been done. The effect of these additives controls the precipitated crystals.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】 通常、電解銅メッキ
方法では、既述のように、メッキ液中にブライトナー、
キャリア、レベラーと称する添加剤を加えてメッキを行
う。
Generally, in the electrolytic copper plating method, as described above, a brightener in the plating solution,
Plating is performed by adding additives called carriers and levelers.

【0006】ここでレベラーと呼ばれる添加剤は、近年
要求特性の激しくなってきているホール、トレンチの埋
め込みに大きな影響を及ぼしているため、管理が重要に
なってきている。すなわち、トレンチ、及びホール内を
欠陥なく埋め込み、かつ表面形状が平坦に、もしくはや
や盛り上がった形状に制御するためには、レベラーの成
分管理をする必要がでてきている。
[0006] Here, the additive called leveler has a great influence on the filling of holes and trenches, which have become more and more demanded in recent years, and therefore management thereof has become important. That is, in order to fill the trenches and holes without defects and control the surface shape to be flat or slightly raised, it is necessary to manage the leveler components.

【0007】しかしながら、レベラーを、一般に添加剤
分析に用いられるCVS(Cyclic Voltammetry Strippi
ng)法により分析しようとする場合、キャリアとの区別
が困難である。その理由は、レベラーの濃度がキャリア
濃度と比較して低い上、キャリアがレベラーと同様にメ
ッキ反応を抑制するインヒビターとして作用し、分析時
のシグナルが重なってしまう場合が多いからである。
However, the leveler is used as a CVS (Cyclic Voltammetry Strippi) which is generally used for additive analysis.
ng) method, it is difficult to distinguish it from the carrier. The reason is that the leveler concentration is lower than the carrier concentration, and the carrier often acts as an inhibitor that suppresses the plating reaction as in the leveler, and the signals during analysis often overlap.

【0008】本発明はこのメッキ液中のレベラー成分の
管理をすることなく、安定なメッキ膜特性が得られるよ
うにすることを課題とする。
An object of the present invention is to obtain stable plating film characteristics without controlling the leveler component in the plating solution.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、特定のレベラーを予めメッキ対象表面に付与するこ
とでメッキ液中のレベラー成分の管理が不要になること
を見出した。すなわち、上記課題は、本発明によれば、
有機酸アミド及びアミン化合物の群から選択された少な
くとも一種のレベラー物質をメッキ対象表面に吸着し、
しかる後に上記群に属するいずれの物質も含まない銅メ
ッキ液中にてメッキする電解銅メッキ方法によって解決
される。上記物質のメッキ対象表面への吸着の際にキャ
リアを併せて吸着させるようにしてもよい。
As a result of earnest research, the present inventor has found that by preliminarily imparting a specific leveler to the surface to be plated, it becomes unnecessary to manage the leveler component in the plating solution. That is, according to the present invention, the above problems are
Adsorbing at least one leveler substance selected from the group of organic acid amides and amine compounds on the surface to be plated,
After that, the problem is solved by an electrolytic copper plating method of plating in a copper plating solution containing no substance belonging to the above group. A carrier may be adsorbed together when the above substance is adsorbed on the surface to be plated.

【0010】上記有機酸アミド及びアミン化合物の群は
具体的には、アセトアミド、プロピルアミド、ベンズア
ミド、アクリルアミド、メタアクリルアミド、N,N−
ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルメタアクリ
ルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N,N−ジ
メチルメタアクリルアミド、N−(ヒドロキシメチル)ア
クリルアミド、ポリアクリル酸アミド、ポリアクリル酸
アミド加水和分解物、チオフラビン及びサフラニンであ
り、これらを一種類又は複数種類含む薬液をメッキ対象
表面に塗布する。またキャリアは、例えばカルボキシメ
チルセルロース、ノニルフェノールポリグリコールエー
テル、オクタンディオール−ビス−(ポリアルキレング
リコールエーテル)、オクタノールポリアルキレングリ
コールエーテル、ポリエチレン ポリプロピレングリコ
ールエーテル、ポリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール−ジメチルエーテル、ポリオキシプロピレン
グリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルア
ルコール、ステアリン酸−ポリグリコールエステル、β
ナフトール−ポリグリコールエーテル、ステアリルアル
キル−ポリグリコールエーテルである。
The above-mentioned groups of organic acid amides and amine compounds are specifically acetamide, propylamide, benzamide, acrylamide, methacrylamide, N, N-.
Dimethylacrylamide, N, N-diethylmethacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, N- (hydroxymethyl) acrylamide, polyacrylic acid amide, polyacrylic acid amide hydrolyzate, thioflavin and Safranin, a chemical containing one or more of these, is applied to the surface to be plated. The carrier is, for example, carboxymethyl cellulose, nonylphenol polyglycol ether, octanediol-bis- (polyalkylene glycol ether), octanol polyalkylene glycol ether, polyethylene polypropylene glycol ether, polyethylene glycol, polyethylene glycol-dimethyl ether, polyoxypropylene glycol, polypropylene. Glycol, polyvinyl alcohol, stearic acid-polyglycol ester, β
Naphthol-polyglycol ether and stearylalkyl-polyglycol ether.

【0011】上記銅メッキ液は特段の制約はなく、電解
銅メッキに用いることができるものであれば、どのよう
な種類のものでも用いることができる。メッキ設備につ
いても、溶解性アノード、不溶解性アノードのいずれの
アノードを備えるタイプのものであってもよい。既述の
ように、一般にメッキ浴には従来ブライトナー、キャリ
ア、レベラーも添加されているが、本発明に係る銅メッ
キ液には、上記有機酸アミド若しくはアミン化合物のレ
ベラーに該当しない添加物が加えられていても問題な
い。即ち、本発明に係る銅メッキ液には、ブライトナー
成分として、3−(ベンゾチアゾリル−2−チオ)プロピ
ルスルホン酸及びそのナトリウム塩、3−メルカプトプ
ロパン−1−スルホン酸及びそのナトリウム塩、エチレ
ンジチオジプロピルスルホン酸及びそのナトリウム塩、
ビス−(p−スルホフェニル)−ジスルファイド及びその
2ナトリウム塩、ビス−(w−スルホブチル)−ジスルフ
ァイド及びその2ナトリウム塩、ビス−(w−スルホヒ
ドロキシプロピル)−ジスルファイド及びその2ナトリ
ウム塩、ビス−(w−スルホプロピル)−ジスルファイド
及びその2ナトリウム塩、ビス−(w−スルホプロピル)
−スルファイド及びその2ナトリウム塩、メチル−(w
−スルホプロピル)−スルファイド及びその2ナトリウ
ム塩、メチル−(w−スルホプロピル)−トリスルファイ
ド及びその2ナトリウム塩、チオグリコール酸、チオリ
ン酸−オルソ−エチル−ビス−(w−スルホプロピル)−
エステル及びその2ナトリウム塩、チオリン酸−トリス
−(w−スルホプロピル)−エステル及びその2ナトリウ
ム塩、チオリン酸−トリス−(w−スルホプロピル)−エ
ステル及びその3ナトリウム塩が加えられてもよい。
The copper plating solution is not particularly limited, and any kind of copper plating solution can be used as long as it can be used for electrolytic copper plating. The plating equipment may also be of a type that includes either a soluble anode or an insoluble anode. As described above, generally, a brightener, a carrier, and a leveler are conventionally added to the plating bath, but the copper plating solution according to the present invention contains an additive that does not correspond to the leveler of the organic acid amide or amine compound. There is no problem even if added. That is, in the copper plating solution according to the present invention, as a brightener component, 3- (benzothiazolyl-2-thio) propylsulfonic acid and its sodium salt, 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid and its sodium salt, and ethylenedithio are used. Dipropyl sulfonic acid and its sodium salt,
Bis- (p-sulfophenyl) -disulfide and its disodium salt, bis- (w-sulfobutyl) -disulfide and its disodium salt, bis- (w-sulfohydroxypropyl) -disulfide and its disodium salt, bis- (w-Sulfopropyl) -disulfide and its disodium salt, bis- (w-sulfopropyl)
-Sulfide and its disodium salt, methyl- (w
-Sulfopropyl) -sulfide and its disodium salt, methyl- (w-sulfopropyl) -trisulfide and its disodium salt, thioglycolic acid, thiophosphoric acid-ortho-ethyl-bis- (w-sulfopropyl)-
Esters and their disodium salts, thiophosphoric acid-tris- (w-sulfopropyl) -esters and their disodium salts, thiophosphoric acid-tris- (w-sulfopropyl) -esters and their trisodium salts may be added. .

【0012】レベラー物質をメッキ対象表面に吸着する
にあたっては、滴下、ディプ、スピンコート、スプレー
等、適当な方法を採用することができる。スピンコート
処理の場合、余分なレベラーは回転して振り切るように
する。他の吸着処理でも純水等で洗浄して余分なレベラ
ーを除去すべきである。吸着すべきレベラー及びキャリ
アの濃度に関しても特に制約はなく、塗布方法により表
面吸着量が適切になるよう考慮して決められ、例えばレ
ベラーとしては0.01g/リットル以上1g/リット
ル以下、キャリアとしては0.3g/リットル以上15
g/リットル以下が望ましい。
For adsorbing the leveler substance on the surface to be plated, an appropriate method such as dropping, dipping, spin coating, spraying or the like can be adopted. In the case of spin coating, rotate the excess leveler to shake it off. Even in other adsorption treatments, extra levelers should be removed by washing with pure water or the like. There is also no particular restriction on the concentration of the leveler and the carrier to be adsorbed, and it is determined in consideration of the appropriate amount of surface adsorption depending on the coating method. For example, the leveler is 0.01 g / liter or more and 1 g / liter or less, and the carrier is 0.3 g / liter or more 15
It is preferably g / liter or less.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明を例示的な実施態様
において詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will now be described in detail in the exemplary embodiments.

【0014】(例1)必要に応じて、導電性のない部分
に無電解銅メッキあるいはスパッタリング法で銅の導電
層を形成したプリント基板の表面にレベラーを滴下塗布
した。ここでいうレベラーはサフラニンを0.016g
/リットル含む薬液である。吸着後、基板表面を純水で
洗浄して余分なレベラーを除去した。次にブライトナー
として3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸を0.
1mg/リットル、キャリアとしてポリプロピレングリ
コールを0.4g/リットル含む電解銅メッキ浴に上記
プリント基板を入れてメッキ処理した。ここで銅メッキ
浴における添加剤以外の組成は、銅イオン濃度35g/
リットル、硫酸濃度180g/リットル及び塩素イオン
濃度50mg/リットルである。そして含リン銅を溶解
性アノードとして用いた。次いでメッキ表面についたメ
ッキ液を洗浄し、乾燥してメッキ工程を終了した。
(Example 1) If necessary, a leveler was dropped and applied on the surface of a printed circuit board on which a conductive layer of copper was formed by electroless copper plating or sputtering on the non-conductive portion. The leveler referred to here is 0.016 g of safranine.
It is a liquid medicine containing / liter. After the adsorption, the surface of the substrate was washed with pure water to remove excess leveler. Next, as a brightener, 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid was added to 0.2.
The above-mentioned printed circuit board was placed in an electrolytic copper plating bath containing 1 mg / liter and 0.4 g / liter of polypropylene glycol as a carrier for plating treatment. Here, the composition of the copper plating bath other than the additive is a copper ion concentration of 35 g /
Liter, sulfuric acid concentration 180 g / liter and chloride ion concentration 50 mg / liter. Then, phosphorus-containing copper was used as a soluble anode. Then, the plating solution on the plating surface was washed and dried to complete the plating process.

【0015】以上のプロセスにより、レベラーをメッキ
浴に添加することなく独立して基板表面に吸着させるこ
とが可能となった。
By the above process, the leveler can be independently adsorbed on the substrate surface without adding it to the plating bath.

【0016】(例2)例1と同じく、必要に応じて、導
電性のない部分に無電解銅メッキあるいはスパッタリン
グ法で銅の導電層を形成したプリント基板の表面に、薬
液を滴下塗布した。ここでいう薬液は、レベラーとして
サフラニンを0.016g/リットル、キャリアとして
ポリプロピレングリコールを0.4g/リットル含むも
のである。薬液吸着後、基板表面を純水で洗浄して余分
な薬液を除去した。次にブライトナーとして3−メルカ
プトプロパン−1−スルホン酸を0.1mg/リットル
含む電解銅メッキ浴に上記プリント基板を入れてメッキ
処理した。ここで銅メッキ浴におけるブライトナー以外
の組成は、銅イオン濃度35g/リットル、硫酸濃度1
80g/リットル及び塩素イオン濃度50mg/リット
ルである。そして含リン銅を溶解性アノードとして用い
た。次いでメッキ表面についたメッキ液を洗浄し、乾燥
してメッキ工程を終了した。
(Example 2) As in Example 1, if necessary, a chemical solution was dropped and applied onto the surface of a printed circuit board on which a conductive layer of copper was formed by electroless copper plating or a sputtering method on the non-conductive portion. The chemical solution mentioned here contains 0.016 g / liter of safranine as a leveler and 0.4 g / liter of polypropylene glycol as a carrier. After the chemical solution was adsorbed, the substrate surface was washed with pure water to remove the excess chemical solution. Next, the printed board was placed in an electrolytic copper plating bath containing 0.1 mg / liter of 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid as a brightener to perform plating treatment. The composition other than brightener in the copper plating bath was as follows: copper ion concentration 35 g / liter, sulfuric acid concentration 1
80 g / liter and a chloride ion concentration of 50 mg / liter. Then, phosphorus-containing copper was used as a soluble anode. Then, the plating solution on the plating surface was washed and dried to complete the plating process.

【0017】以上のプロセスにより、キャリア及びレベ
ラーをメッキ浴に添加することなく独立して基板表面に
吸着させることが可能となった。以上2例の説明は、レ
ベラーを一種類、キャリアを一種類に絞って行っている
が、それぞれ複数種類含むように塗布させても実施可能
である。
By the above process, the carrier and the leveler can be independently adsorbed on the substrate surface without adding to the plating bath. In the above description of the two examples, the leveler is limited to one type and the carrier is limited to one type, but it is also possible to apply it so as to include a plurality of types.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明によれば、レベラーをメッキ浴に
添加せずに処理を行うため、これまで行ってきたメッキ
浴中のレベラー分析が不要となり、メッキ浴管理が大幅
に簡略化され、そのような簡略化にも拘らず安定したメ
ッキ特性を確保することができる。レベラーに併せてキ
ャリアも予め吸着させるようにすれば、メッキ浴中の添
加剤の分析はブライトナーに対してのみ行えば足りるこ
ととなり、メッキ浴管理が大幅に簡略化される。
According to the present invention, since the treatment is performed without adding the leveler to the plating bath, the leveler analysis in the plating bath, which has been performed so far, becomes unnecessary, and the management of the plating bath is greatly simplified. Despite such simplification, stable plating characteristics can be secured. If the carrier is also adsorbed in advance together with the leveler, the analysis of the additives in the plating bath only needs to be performed on the brightener, and the management of the plating bath is greatly simplified.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/18 H05K 3/18 G (72)発明者 村主 欣久 神奈川県横浜市緑区白山1丁目18番2号ジ ャーマン・インダストリー・センター ア トテック ジャパン株式会社内 (72)発明者 重田 巧 神奈川県横浜市緑区白山1丁目18番2号ジ ャーマン・インダストリー・センター ア トテック ジャパン株式会社内 Fターム(参考) 4K023 AA19 BA06 BA07 CA01 CA02 CA09 CB07 CB15 CB17 4K024 AA09 AB02 AB15 AB17 BA12 BB11 BB12 BC10 DB10 GA16 5E343 AA02 AA11 AA39 BB16 BB24 BB71 CC22 CC78 DD23 DD33 DD43 EE32 GG06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/18 H05K 3/18 G (72) Inventor Kinshi Kinkyu 1-18 Shirayama, Midori-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture No. 2 Jerman Industry Center Attec Japan Co., Ltd. (72) Inventor Takumi Shigeta 1-2-18 Shirayama, Midori-ku, Yokohama-shi, Kanagawa F-Term (Jerman Industry Center Attec Japan Co., Ltd.) ) 4K023 AA19 BA06 BA07 CA01 CA02 CA09 CB07 CB15 CB17 4K024 AA09 AB02 AB15 AB17 BA12 BB11 BB12 BC10 DB10 GA16 5E343 AA02 AA11 AA39 BB16 BB24 BB71 CC22 CC78 DD23 DD33 DD43 EE32 GG06

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電解銅メッキ方法において、アセトアミ
ド、プロピルアミド、ベンズアミド、アクリルアミド、
メタアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミ
ド、N,N−ジエチルメタアクリルアミド、N,N−ジエ
チルアクリルアミド、N,N−ジメチルメタアクリルア
ミド、N−(ヒドロキシメチル)アクリルアミド、ポリア
クリル酸アミド、ポリアクリル酸アミド加水和分解物、
チオフラビン、サフラニンの群から選択された少なくと
も一種の物質をメッキ対象表面に吸着させた後、上記群
に属するいずれの物質も含まない銅メッキ液中にてメッ
キすることを特徴とするメッキ方法。
1. An electrolytic copper plating method, wherein acetamide, propylamide, benzamide, acrylamide,
Methacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N, N-diethylmethacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, N- (hydroxymethyl) acrylamide, polyacrylic acid amide, polyacrylic acid amide Hydrolyzate,
A plating method comprising adsorbing at least one substance selected from the group consisting of thioflavin and safranine on a surface to be plated, and then plating in a copper plating solution containing no substance belonging to the above group.
【請求項2】 上記物質のメッキ対象表面への吸着の際
にキャリアを併せて吸着させ、これらの吸着の後に当該
キャリア及び上記群に属するいずれの物質も含まない銅
メッキ液中にてメッキすることを特徴とする請求項1に
記載のメッキ方法。
2. A carrier is also adsorbed at the time of adsorbing the substance onto the surface to be plated, and after adsorbing these, plating is performed in a copper plating solution containing neither the carrier nor any substance belonging to the above group. The plating method according to claim 1, wherein:
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