JP2003037933A - Protection apparatus of electronic equipment - Google Patents
Protection apparatus of electronic equipmentInfo
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- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0034—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using reverse polarity correcting or protecting circuits
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器を電源に
逆極性で接続してしまった場合における回路保護のため
の技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for protecting a circuit when an electronic device is connected to a power source with a reverse polarity.
【０００２】[0002]
【従来の技術】直流電源を用いる電子機器については、
電源との接続時に極性を間違えないように注意を要する
が、万一誤った接続をした場合でも、回路を保護する手
段が講じられている。2. Description of the Related Art For electronic equipment using a DC power source,
Care must be taken not to make a mistake in polarity when connecting to a power supply, but measures are taken to protect the circuit even if a wrong connection is made.
【０００３】例えば、バッテリーを逆極性で接続してし
まった場合（所謂逆接時）の保護用にダイオードを回路
入力段に介挿する方法が採られる。For example, a method is employed in which a diode is inserted in the circuit input stage for protection when the battery is connected in reverse polarity (so-called reverse connection).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電源の
逆接保護用にダイオードを用いる方法が常に適用できる
という保証はない。例えば、車両用のオートレベリング
装置において、ステッピングモータやＤＣモータを駆動
源として用いた駆動機構のパワー出力段に対して電子制
御ユニットから電源供給を行う場合にダイオードを設け
ると、その順方向電圧降下と回路電流（アクチュエータ
の駆動電流を含む。）との積に相当する損失により当該
ダイオードの発熱量が大きくなってしまう。However, there is no guarantee that the method using a diode for reverse connection protection of a power supply is always applicable. For example, in an automatic leveling device for a vehicle, if a diode is provided when power is supplied from an electronic control unit to a power output stage of a drive mechanism that uses a stepping motor or a DC motor as a drive source, the forward voltage drop of the diode will occur. The heat generation amount of the diode becomes large due to the loss corresponding to the product of the current and the circuit current (including the drive current of the actuator).
【０００５】そこで、３端子の半導体スイッチング素子
を用いた回路構成が挙げられるが、ノイズ耐性あるい
は、静電気対策についての問題が残る。Therefore, a circuit configuration using a semiconductor switching element with three terminals can be mentioned, but there remains a problem with respect to noise resistance or countermeasures against static electricity.
【０００６】本発明は、電源を逆極性で接続した場合の
回路保護及びノイズ耐性に優れた構成の実現を課題とす
る。An object of the present invention is to realize a configuration excellent in circuit protection and noise resistance when power supplies are connected in reverse polarity.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した課題を
解決するために、直流電源入力を受けて作動する電子機
器の保護装置において、電源が規定の極性とは逆極性で
接続された場合に電子機器を保護するためのスイッチン
グ素子としてＰチャンネルＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）を設け、当該ＦＥＴのドレインを正極側の電源供給
端子に接続するとともに、そのソースを電子機器側の電
源入力端子に接続し、当該ＦＥＴのゲートを接地ライン
に接続したものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is directed to a protection device for an electronic device which operates by receiving a direct-current power input, in which the power supply is connected with a polarity opposite to the specified polarity. A P-channel FET (field effect transistor) is provided as a switching element for protecting the electronic device, the drain of the FET is connected to the power supply terminal on the positive electrode side, and the source is connected to the power input terminal on the electronic device side. However, the gate of the FET is connected to the ground line.
【０００８】従って、本発明によれば、電源の逆接時に
はＰチャンネルＦＥＴがオフ状態となるので、後段回路
に電圧が発生することはなく、また、電子機器の回路と
電源との間でグランドを共通化することができる。Therefore, according to the present invention, since the P-channel FET is turned off when the power source is reversely connected, no voltage is generated in the subsequent circuit, and the ground is provided between the circuit of the electronic device and the power source. Can be shared.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明は、直流電源入力を受けて
作動する電子機器の保護装置に関するものであり、電子
機器としては、例えば、レベリング制御装置（車両の停
車時や走行中において、車両進行方向における姿勢変化
によって車両に付設された灯具の照射光の向きが一定し
なくなるのを防止するために、車両姿勢の変化に対して
当該変化による影響を打ち消すように灯具の照射方向を
常時補正する装置等。）、放電灯点灯装置等が挙げられ
るが、これらに限らず各種装置への適用が可能である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a protection device for an electronic device which operates by receiving a DC power input, and the electronic device is, for example, a leveling control device (when a vehicle is stopped or running, the vehicle is In order to prevent the direction of the illumination light of the lamp attached to the vehicle from becoming unstable due to the change in posture in the traveling direction, the illumination direction of the lamp is constantly corrected so as to cancel the influence of the change in the posture of the vehicle. Device, etc.), a discharge lamp lighting device, etc., but not limited to these, and can be applied to various devices.
【００１０】図１は本発明に係る保護装置の構成例を示
すものである。FIG. 1 shows an example of the configuration of a protection device according to the present invention.
【００１１】保護装置１において、図示しない直流電源
からの電源供給を受ける端子２、２′については、端子
２が正極側の電源供給端子であり、端子２′がアース
（あるいはグランド「ＧＮＤ」）端子である。例えば、
車両用機器では、図示しないイグニッションスイッチの
投入によりバッテリーからの電圧が供給される。In the protection device 1, as for the terminals 2 and 2'which are supplied with power from a DC power supply (not shown), the terminal 2 is a power supply terminal on the positive electrode side, and the terminal 2'is ground (or ground "GND"). It is a terminal. For example,
In the vehicle device, the voltage from the battery is supplied by turning on an ignition switch (not shown).
【００１２】電源が逆の極性で接続された場合におい
て、電子機器を保護するためのスイッチング素子として
ＰチャンネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型
ＦＥＴ３を設けられている。つまり、当該ＦＥＴ３はゲ
ート接地とされ、そのドレインが正極側の電源供給端子
２に接続されるとともに、当該ＦＥＴのソースが電子機
器４を構成する回路４ａの電源入力端子に接続されてお
り、ＦＥＴ３のゲートについては抵抗５を介して接地ラ
インに接続されている。尚、ＦＥＴ３に付設されたダイ
オード３ａは寄生ダイオードであって、そのアノードが
ドレインに接続され、カソードがソースに接続されてい
る。A P-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type FET 3 is provided as a switching element for protecting an electronic device when the power supplies are connected with opposite polarities. That is, the FET 3 is grounded at its gate, the drain thereof is connected to the power supply terminal 2 on the positive electrode side, and the source of the FET 3 is connected to the power supply input terminal of the circuit 4 a constituting the electronic device 4. The gate of is connected to the ground line via the resistor 5. The diode 3a attached to the FET 3 is a parasitic diode whose anode is connected to the drain and whose cathode is connected to the source.
【００１３】ＦＥＴ３のゲート−ソース間にはコンデン
サ６及びツェナーダイオード７が介挿されており、両者
は互いに並列接続とされる（ツェナーダイオード７のカ
ソードがＦＥＴ３のソースに接続され、そのアノードが
ＦＥＴ３のゲートに接続されている。）。A capacitor 6 and a Zener diode 7 are inserted between the gate and source of the FET 3 and are connected in parallel with each other (the cathode of the Zener diode 7 is connected to the source of the FET 3 and the anode thereof is the FET 3). Is connected to the gate.).
【００１４】また、パワーツェナーダイオード８が回路
４ａの入力段に介挿されており、当該ツェナーダイオー
ドのカソードが正極側の電源ラインに接続され、そのア
ノードが接地ラインに接続されている。このパワーツェ
ナーダイオード８はロードダンプ時（レギュレータ故障
や負過電流の激減等に起因する。）のサージ吸収用に設
けられたものである。A power Zener diode 8 is inserted in the input stage of the circuit 4a, the cathode of the Zener diode is connected to the positive power source line, and the anode thereof is connected to the ground line. The power Zener diode 8 is provided for absorbing a surge at the time of load dump (due to a regulator failure, a drastic decrease in negative overcurrent, etc.).
【００１５】本回路の動作については、先ず、電源が正
常な極性で接続されている場合、ＰチャンネルＦＥＴ３
がオン状態となるため、回路４ａには直流電源（図示せ
ず。）の供給電圧にほぼ等しい電源電圧が供給される。
尚、イグニッションスイッチ等による電源投入の過渡時
においては、ＦＥＴ３のゲート電圧について、抵抗５の
抵抗値及びコンデンサ６の静電容量値により規定される
時定数をもってゲートの充電がなされるため、所定時間
（数十ミリ秒）内はＦＥＴ３がオフ状態となっている
が、その間、ＦＥＴ３の寄生ダイオード３ａを通して回
路４ａに電源供給が行われる。Regarding the operation of this circuit, first, when the power source is connected with a normal polarity, the P-channel FET 3
Is turned on, the circuit 4a is supplied with a power supply voltage substantially equal to the supply voltage of a DC power supply (not shown).
In addition, at the time of power-on transition by the ignition switch or the like, the gate voltage of the FET 3 is charged with a time constant defined by the resistance value of the resistor 5 and the capacitance value of the capacitor 6, so that the gate is charged for a predetermined time. Although the FET 3 is in the off state within (several tens of milliseconds), during that time, power is supplied to the circuit 4a through the parasitic diode 3a of the FET 3.
【００１６】電源を逆極性で接続してしまった場合に
は、ＦＥＴ３のゲート−ソース間に電圧が発生しないた
めＦＥＴ３がオフ状態となり、よって、後段の回路４ａ
に関しては電圧が発生せず、回路ヒューズ（図示せ
ず。）を溶断することなく保護される。When the power source is connected in reverse polarity, no voltage is generated between the gate and the source of the FET 3, so that the FET 3 is turned off. Therefore, the circuit 4a in the subsequent stage is turned on.
No voltage is generated, and the circuit fuse (not shown) is protected without being blown.
【００１７】尚、電源が正常な極性で接続されている場
合であって、電源電圧の印加中に負サージ（電源電圧の
極性とは逆極性のサージ電圧であり、誘導性負荷、例え
ば、オルタネータの界磁コイル等の影響に依る。）が重
畳した場合には、抵抗５及びコンデンサ６の時定数回路
によってＦＥＴ３のオン状態が所定時間（数十ミリ秒）
持続されるとともに、パワーツェナーダイオード８の順
方向電圧によって回路４ａが保護される。In the case where the power source is connected with a normal polarity, a negative surge (a surge voltage having a polarity opposite to the polarity of the power source voltage during application of the power source voltage, which may be an inductive load such as an alternator). (Depending on the influence of the field coil, etc.), the FET 3 is turned on for a predetermined time (tens of milliseconds) by the time constant circuit of the resistor 5 and the capacitor 6.
While being maintained, the circuit 4a is protected by the forward voltage of the power Zener diode 8.
【００１８】また、ＰチャンネルＦＥＴ３を正極側の電
源ライン上に配置することで、電源のグランドと電子回
路の信号グランドを共通にとることができるので、Ｎチ
ャンネルＦＥＴを接地ライン上に配置する場合に比して
ノイズに強い構成となる。Further, by arranging the P-channel FET 3 on the power supply line on the positive electrode side, the ground of the power supply and the signal ground of the electronic circuit can be commonly used. Therefore, when arranging the N-channel FET on the ground line. It has a structure that is more resistant to noise than.
【００１９】尚、図１に示す構成例に限らず、例えば、
図２、図３に示す構成等が挙げられる。Not limited to the configuration example shown in FIG.
The configurations shown in FIGS. 2 and 3 can be cited.
【００２０】つまり、図２の保護装置１Ａでは、２つの
パワーツェナーダイオード９、９′を向かい合わせに接
続することで双方向（性）パワーツェナーダイオードに
よりサージ吸収回路を構成した例である。本例では、Ｐ
チャンネルＦＥＴ３のゲート−ソース間に介挿されたツ
ェナーダイオード７に対してダイオード１０が直列に設
けられている。つまり、該ダイオード１０のカソードが
ツェナーダイオード７のアノード及びＦＥＴ３のゲート
に接続されるとともに、ダイオード１０のアノードが接
地ラインに接続されている。That is, the protection device 1A of FIG. 2 is an example in which a surge absorbing circuit is configured by a bidirectional (property) power Zener diode by connecting two power Zener diodes 9 and 9'face to face. In this example, P
A diode 10 is provided in series with a Zener diode 7 inserted between the gate and source of the channel FET3. That is, the cathode of the diode 10 is connected to the anode of the Zener diode 7 and the gate of the FET 3, and the anode of the diode 10 is connected to the ground line.
【００２１】また、図３に示す保護装置１Ｂでは、２つ
のパワーツェナーダイオード９、９′の代わりにバリス
タ１１、例えば、ＺＮＲ（Zinc oxide Non-linear Resi
stor）を用いている。Further, in the protection device 1B shown in FIG. 3, instead of the two power Zener diodes 9 and 9 ', a varistor 11, for example, ZNR (Zinc oxide Non-linear Resi) is used.
stor) is used.
【００２２】これらの回路構成は、双方向パワーツェナ
ーダイオードあるいはバリスタにより正負のサージを吸
収するとともに、負サージの印加時にはＦＥＴ３を瞬時
にオフ状態とする形態である。つまり、ダイオード１０
は、負サージ印加時においてＦＥＴ３のゲートを急速に
放電してこれをオフさせるために設けられている。従っ
て、ＦＥＴ３においてサージを吸収しないので、当該Ｆ
ＥＴの電流容量については回路電流を見込んだ値で済
み、安価な素子を使えるという利点がある。In these circuit configurations, the bidirectional power Zener diode or the varistor absorbs positive and negative surges, and the FET 3 is instantly turned off when the negative surge is applied. That is, the diode 10
Is provided to rapidly discharge the gate of the FET 3 to turn it off when a negative surge is applied. Therefore, since the surge is not absorbed in the FET3, the F
The current capacity of ET is a value that allows for the circuit current, and there is an advantage that inexpensive elements can be used.
【００２３】図４は、電子機器の一例として、車両用灯
具の照射方向制御装置について構成例１２を示したもの
である。FIG. 4 shows a configuration example 12 of an irradiation direction control device for a vehicular lamp as an example of electronic equipment.
【００２４】照射制御用のＥＣＵ（電子制御ユニット）
１３には、マイクロコンピュータを用いた制御部１４が
設けられており、図示しないバッテリーからの供給電圧
（図には「＋Ｂ」と記す。）が内蔵の電源回路１５を介
して供給されるようなっている。ECU (electronic control unit) for irradiation control
A control unit 14 using a microcomputer is provided in 13 so that a supply voltage (noted as “+ B” in the drawing) from a battery (not shown) is supplied via a built-in power supply circuit 15. ing.
【００２５】車高検出手段としての車高センサ１６に
は、例えば、ポテンシオメータが用いられ、その一端に
所定電圧（図には「＋Ｖｃｃ」と記す。）が供給され、
他端が接地ライン（車体グランドと信号クランドの共通
ライン）に接続されている。そして、車高センサ１６に
よる検出信号が制御部１４の電圧検出端子（「Ａ／
Ｄ」）から取り込まれてアナログ−ディジタル変換され
て認識される。A potentiometer, for example, is used as the vehicle height sensor 16 as the vehicle height detecting means, and a predetermined voltage (denoted as "+ Vcc" in the figure) is supplied to one end of the potentiometer.
The other end is connected to the ground line (common line for the vehicle body ground and the signal ground). Then, the detection signal from the vehicle height sensor 16 is a voltage detection terminal (“A /
D ”), analog-to-digital conversion, and recognition.
【００２６】制御部１４からレベリング用アクチュエー
タ１７に送られる制御信号によって、当該アクチュエー
タが駆動され、灯具のレベリング制御が行われる。The actuator is driven by a control signal sent from the control unit 14 to the leveling actuator 17, and the leveling control of the lamp is performed.
【００２７】上記した保護装置１、１Ａ、１Ｂを用いて
ＥＣＵ１３への電源供給を行えば、逆接時の保護を充分
に保証することができるとともに、例えば、下記に示す
利点が得られる。By supplying power to the ECU 13 by using the above-mentioned protection devices 1, 1A, 1B, it is possible to sufficiently guarantee protection during reverse connection and, for example, the following advantages can be obtained.
【００２８】（Ａ）車高センサの検出信号についてＤＣ
（直流）的な浮きの問題が発生しないこと
（Ｂ）入力信号ラインの静電気対策としてツェナーダイ
オードを使用できること。(A) Detection signal of vehicle height sensor DC
(DC) The problem of floating does not occur. (B) Zener diode can be used as a countermeasure against static electricity on the input signal line.
【００２９】先ず、（Ａ）については、例えば、図４に
おいて接地ライン上に、逆接保護用素子としてＮチャン
ネルＭＯＳＦＥＴを配置した場合には、車高センサ１６
による検出信号に関してＤＣ的な浮き（フローティン
グ）が発生する。即ち、車高センサ１６については、他
のＥＣＵ（例えば、エアサスペンション制御用ＥＣＵ
等）との間で共用されることを考慮して、車体グランド
とされるのに対して、制御部１４を構成するマイクロコ
ンピュータのグランドはＥＣＵ内の信号グランドとなる
ので、図４において接地ライン（グランドライン）にＮ
チャンネルＭＯＳＦＥＴを配置した構成では、ＦＥＴの
オン抵抗と回路電流の積に相当する電位浮きが発生す
る。しかも、回路電流が一定しない（アクチュエータの
駆動と停止とで変化したり、あるいは温度等の環境要因
でも変化する。）ことから、その補正を行うのは容易で
ない。これに対して、正極側の電源ライン（＋Ｂライ
ン）上に逆接保護用素子としてＰチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔを配置した構成では、車高センサ１６と制御部１４に
ついてグランドを共通化できるので、電位浮きの問題は
発生しない。First, regarding (A), for example, when an N-channel MOSFET is arranged as a reverse connection protection element on the ground line in FIG. 4, the vehicle height sensor 16
A DC-like floating occurs with respect to the detection signal by. That is, for the vehicle height sensor 16, another ECU (for example, an ECU for air suspension control)
In consideration of being shared with the vehicle body ground, the ground of the microcomputer forming the control unit 14 is a signal ground in the ECU, and therefore, the ground line in FIG. N on (ground line)
In the configuration in which the channel MOSFET is arranged, potential floating corresponding to the product of the ON resistance of the FET and the circuit current occurs. Moreover, since the circuit current is not constant (it changes depending on whether the actuator is driven or stopped, or changes due to environmental factors such as temperature), it is not easy to make the correction. On the other hand, a P-channel MOSFE as a reverse connection protection element is provided on the positive power supply line (+ B line).
In the configuration in which T is arranged, the ground can be shared between the vehicle height sensor 16 and the control unit 14, so that the problem of potential floating does not occur.
【００３０】また、上記（Ｂ）については、例えば、Ｅ
ＣＵ１３には、車高検出情報の他に、点灯指示信号（ヘ
ッドランプスイッチの投入に依る。）や、車速センサに
よる検出パルス等のディジタル信号（２値化信号）が入
力され、これらの信号に対してＥＣＵ１３の入力端には
静電気対策が講じられる。例えば、静電気耐量のある小
信号ツェナーダイオードが使用される。尚、静電気対策
として一般にはコンデンサを挿入する方法が挙げられる
が、例えば、車速センサのように高速な信号についての
インターフェースを要する場合や、過渡的な電流容量の
小さい回路等の場合には適用できない（前者では波形な
まりの問題があり、後者では過渡時の大電流が問題とな
るため。）。Regarding (B), for example, E
In addition to the vehicle height detection information, the CU 13 receives a lighting instruction signal (depending on turning on of a headlamp switch) and a digital signal (binarization signal) such as a detection pulse from a vehicle speed sensor. On the other hand, measures against static electricity are taken at the input end of the ECU 13. For example, a small signal Zener diode having electrostatic withstand capability is used. Generally, a method of inserting a capacitor can be mentioned as a countermeasure against static electricity, but it cannot be applied to a case where an interface for high-speed signals such as a vehicle speed sensor is required or a circuit with a small transient current capacity. (In the former, there is a problem of waveform rounding, and in the latter, a large current during transient becomes a problem.)
【００３１】ところで、ツェナーダイオードによる静電
気対策では、そのアノードを車体グランドに接続するこ
とになるが、逆接保護素子にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
を用いた構成にしたのでは、車体グランドについて逆接
保護がされていないため、当該ツェナーダイオードの順
方向に電流が流れる経路が確立したときにこれが破壊す
る虞が生じることになる。つまり、ＥＣＵの外部回路の
構成について充分に吟味することなく安易にツェナーダ
イオードを用いることはできない（つまり、この方法が
使用できない場合がある。）。By the way, as a countermeasure against static electricity by using a Zener diode, its anode is connected to the vehicle body ground, but an N-channel MOSFET is used as a reverse connection protection element.
With the configuration using, since the reverse connection protection is not performed for the vehicle body ground, there is a possibility that the Zener diode may be destroyed when the path in which the current flows in the forward direction is established. That is, the Zener diode cannot be easily used without thoroughly examining the configuration of the external circuit of the ECU (that is, this method may not be used in some cases).
【００３２】これに対して、逆接保護素子としてＰチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴを用いてこれを正極側電源ライン上
に配置した構成の場合には、上記したようにグランドの
共通化を図ることができるので、外部回路の構成によら
ずに静電気対策としてツェナーダイオードを使用するこ
とができる。On the other hand, in the case where the P-channel MOSFET is used as the reverse connection protection element and is arranged on the power supply line on the positive electrode side, the ground can be shared as described above, and therefore the external connection can be achieved. A Zener diode can be used as a countermeasure against static electricity regardless of the circuit configuration.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上に記載したところから明らかなよう
に、請求項１に係る発明によれば、電源の逆接時にＰチ
ャンネルＦＥＴがオフ状態となるので、後段の回路に電
圧が発生することはなく、また、電子機器の回路と電源
との間でグランドを共通化することができる。従って、
ノイズ対策や静電気対策を充分に講じることができる。As is apparent from the above description, according to the first aspect of the invention, since the P-channel FET is turned off when the power source is reversely connected, no voltage is generated in the circuit in the subsequent stage. In addition, the ground can be shared between the circuit of the electronic device and the power supply. Therefore,
You can take sufficient measures against noise and static electricity.
【００３４】請求項２に係る発明によれば、ツェナーダ
イオード又はバリスタを用いることで充分なサージ対策
を講じて回路を保護することができる。According to the second aspect of the invention, by using the Zener diode or the varistor, it is possible to protect the circuit by taking sufficient measures against surge.
【００３５】請求項３に係る発明によれば、車両用灯具
の照射方向制御装置への適用において、車高センサによ
る検出信号レベルの浮遊問題に起因する弊害を防止する
ことができ、静電気対策を充分に講じることができる。According to the third aspect of the present invention, when applied to the irradiation direction control device of the vehicle lamp, it is possible to prevent the harmful effects resulting from the floating problem of the detection signal level by the vehicle height sensor, and to prevent static electricity. You can take enough.
【図１】本発明に係る保護装置の構成例を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a protection device according to the present invention.
【図２】装置構成について別例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another example of the device configuration.
【図３】装置構成についてさらに別例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing still another example of the device configuration.
【図４】車両用灯具の照射方向制御装置について構成例
の要部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a main part of a configuration example of an irradiation direction control device for a vehicle lamp.
１、１Ａ、１Ｂ…保護装置、３…ＰチャンネルＦＥＴ、
８、９、９′…ツェナーダイオード、１１…バリスタ、
１２…照射方向制御装置1, 1A, 1B ... Protective device, 3 ... P-channel FET,
8, 9, 9 '... Zener diode, 11 ... Varistor,
12 ... Irradiation direction control device
Claims (3)
の保護装置において、 電源が規定の極性とは逆極性で接続された場合に上記電
子機器を保護するためのスイッチング素子としてＰチャ
ンネルＦＥＴを設け、当該ＦＥＴのドレインを正極側の
電源供給端子に接続するとともに、そのソースを電子機
器側の電源入力端子に接続し、当該ＦＥＴのゲートを接
地ラインに接続したことを特徴とする電子機器の保護装
置。1. A protection device for an electronic device which operates by receiving a DC power input, wherein a P-channel FET is used as a switching element for protecting the electronic device when the power supply is connected with a polarity opposite to a specified polarity. The electronic device is characterized in that the drain of the FET is connected to a power supply terminal on the positive electrode side, the source is connected to a power input terminal on the electronic device side, and the gate of the FET is connected to a ground line. Protective device.
おいて、 正極側の電源ラインと接地ラインとの間にツェナーダイ
オード又はバリスタを介挿したことを特徴とする電子機
器の保護装置。2. The protective device for an electronic device according to claim 1, wherein a Zener diode or a varistor is inserted between the power supply line on the positive electrode side and the ground line.
の保護装置において、 電子機器が、車両用灯具の照射方向制御装置であること
を特徴とする電子機器の保護装置。3. The electronic device protection device according to claim 1, wherein the electronic device is an irradiation direction control device for a vehicular lamp.
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