JP2003036574A - Method for manufacturing stamper - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ、ＤＶＤ等の
光ディスクを作製する際に用いられるスタンパの製造方
法に係わり、特にＤＶＤ−ＲＷのスタンパの製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a stamper used for manufacturing an optical disc such as a CD and a DVD, and more particularly to a method of manufacturing a stamper of a DVD-RW.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、オーディオ、画像用途及びコン
ピュータメモリとして、高密度データを蓄積できる光デ
ィスクは、透明な光ディスク基板の表面に溝やピットが
形成され、この表面に記録層や各種の保護層を積層して
作製される。この溝やピットは、金属やガラススタンパ
から転写して形成され、光ディスクの良好な記録再生を
行るためには、矩形状であることが必要とされている。
この光ディスク基板を作製するスタンパや原盤の製造方
法としては、例えば、特開平６−１３１７０７号公報や
特開平１０−６４１２３号公報に開示されているものが
知られている。2. Description of the Related Art Generally, an optical disk capable of accumulating high density data for audio, image use and computer memory has grooves and pits formed on the surface of a transparent optical disk substrate, and a recording layer and various protective layers are formed on the surface. It is made by stacking. These grooves and pits are formed by transferring from a metal or glass stamper, and are required to have a rectangular shape in order to perform good recording / reproduction of the optical disc.
As a method of manufacturing a stamper and a master for manufacturing this optical disk substrate, those disclosed in, for example, JP-A-6-131707 and JP-A-10-64123 are known.
【０００３】特開平６−１３１７０７号公報には、ガラ
ス原盤上にポジ型のレジスト層を塗布した後、水溶性樹
脂層を形成し、次に、この水溶性樹脂層から前記したレ
ジスト層を露光及び現像を行って、光記録媒体のパター
ンを形成し、更にこのパターン上に金属層を形成した
後、この金属層を前記したガラス原盤から剥離すること
により、露光に応じた正確な溝やピットが形成できるス
タンパの製造方法が開示されている。In JP-A-6-131707, a water-soluble resin layer is formed after a positive resist layer is applied on a glass master, and then the resist layer is exposed from the water-soluble resin layer. Then, by performing development, a pattern of the optical recording medium is formed, a metal layer is further formed on this pattern, and then the metal layer is peeled from the above-mentioned glass master plate to obtain accurate grooves and pits according to exposure. There is disclosed a method of manufacturing a stamper capable of forming.
【０００４】また、特開平１０−６４１２３号公報に
は、ガラス基板上に第１のフォトレジスト層、ＩＴＯか
らなる中間層を順次形成した後、この中間層の表面を逆
スパッタ処理し、更にこの中間層上に第２のフォトレジ
スト層を形成し、前記したこれら全ての層を露光する第
１の記録光と前記第１の記録光よりも弱く、前記第２の
フォトレジスト層のみを露光する第２の記録光とを前記
第２のフォトレジスト層の上方から露光した後、前記第
２のフォトレジスト層を現像し、次に、前記中間層をエ
ッチングして前記第１フォトレジスト層を露出させ、前
記第１のフォトレジスト層を現像することにより前記第
１の記録光によるピット及び前記第２の記録光による前
記ピットよりも浅いハーフグルーブを形成することがで
きる光ディスク原盤の製造方法が開示されている。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 10-64123, a first photoresist layer and an intermediate layer made of ITO are sequentially formed on a glass substrate, and then the surface of this intermediate layer is reverse-sputtered. Forming a second photoresist layer on the intermediate layer and exposing all of the above layers, the first recording light and the weaker than the first recording light, exposing only the second photoresist layer. After exposing the second photoresist layer from above the second photoresist layer, the second photoresist layer is developed, and then the intermediate layer is etched to expose the first photoresist layer. Then, by developing the first photoresist layer, it is possible to form a pit formed by the first recording light and a half groove shallower than the pit formed by the second recording light. Manufacturing process is disclosed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−１３１７０７号公報に開示されているスタンパの製
造方法では、Ｖ形状の溝やピットしか得られなかった。
このため、上記のようにして作製されたスタンパを用い
て光ディスク基板を作製した場合には、矩形状のエンボ
スパターンを形成することができなかった。また、特開
平１０−６４１２３号公報に開示されている光ディスク
原盤の製造方法についても同様に、台形状の溝やピット
しか得られないので、この光ディスク原盤から作製され
たスタンパを用いて、光ディスク基板を作製した場合に
矩形状のエンボスパターンを得ることができなかった。However, the stamper manufacturing method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-131707 only yields V-shaped grooves and pits.
Therefore, when an optical disk substrate was manufactured using the stamper manufactured as described above, it was not possible to form a rectangular embossed pattern. Similarly, in the method of manufacturing an optical disk master disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-64123, only trapezoidal grooves and pits can be obtained. However, a rectangular embossed pattern could not be obtained.
【０００６】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、光ディスク基板を作製
した際に、矩形状のエンボスパターンが得られるスタン
パの製造方法を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a stamper manufacturing method capable of obtaining a rectangular embossed pattern when an optical disk substrate is manufactured. To aim.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のスタンパの製造
方法における第１の発明は、基板上に第１フォトレジス
ト層、アモルファスシリコン、第２フォトレジスト層を
順次形成する第１工程と、前記第２フォトレジスト層の
上方から前記第２フォトレジスト層のみが感光する第１
記録光によって露光を行って前記第２フォトレジスト層
に第１潜像を形成し、前記第１記録光よりも強い第２記
録光を用いて、前記第１フォトレジスト層及び前記第２
フォトレジスト層の両方の露光を行って、前記第１潜像
と異なる位置の前記第２フォトレジスト層に第２潜像を
形成すると共にこの第２潜像真下の前記第１フォトレジ
スト層に第３潜像を形成する第２工程と、前記第２フォ
トレジスト層に形成された前記第１潜像及び前記第２潜
像を現像して第１レジストパターンを形成する第３工程
と、ドライエッチングにより、前記第１レジストパター
ンから露出した前記アモルファスシリコンをエッチング
して、矩形溝を有するアモルファスシリコンパターンを
形成する第４工程と、前記アモルファスシリコンパター
ンの矩形溝から露出した前記第１フォトレジスト層に形
成された前記第３潜像を現像して、前記基板表面に達
し、溝を有する第２レジストパターンを形成する第５工
程と、アッシングにより、前記第２フォトレジスト層を
除去すると共に前記アモルファスシリコンパターンの矩
形溝から露出した前記第１フォトレジスト層の途中まで
の深さを有する第１矩形溝にすると共に前記第２レジス
トパターンの溝を第２矩形溝にする第６工程と、電鋳法
により、前記アモルファスシリコンパターン、前記第１
矩形溝及び前記第２矩形溝にＮｉ層を形成する第７工程
と、前記Ｎｉ層を前記アモルファスシリコンパターン、
前記第１溝及び前記第２溝から剥離して、矩形状の凸部
を有するスタンパを作製する第８工程と、からなること
を特徴とするスタンパの製造方法を提供する。第２の発
明は、前記第２フォトレジスト層に対する前記第１フォ
トレジスト層の厚さの比は、８０：３５であり、前記ド
ライエッチングは、Ｃ4Ｆ8中のＯ2の割合が５％とする
ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１記載のスタ
ンパの製造方法を提供する。第３の発明は、前記アッシ
ングは、Ａｒ中のＯ2の割合を４０〜５０％とするガス
を用いて行うことを特徴とする請求項１又は２記載のス
タンパの製造方法を提供する。The first invention in the method of manufacturing a stamper of the present invention comprises a first step of sequentially forming a first photoresist layer, amorphous silicon, and a second photoresist layer on a substrate, and The first photoresist exposed only from the second photoresist layer from above the second photoresist layer.
A first latent image is formed on the second photoresist layer by exposing with the recording light, and a second recording light stronger than the first recording light is used to form the first photoresist layer and the second photoresist layer.
Both exposures of the photoresist layer are performed to form a second latent image on the second photoresist layer at a position different from the first latent image and a second latent image is formed on the first photoresist layer directly below the second latent image. Third step of forming a latent image, a third step of developing the first latent image and the second latent image formed on the second photoresist layer to form a first resist pattern, and dry etching A fourth step of etching the amorphous silicon exposed from the first resist pattern to form an amorphous silicon pattern having a rectangular groove, and the first photoresist layer exposed from the rectangular groove of the amorphous silicon pattern. A fifth step of developing the formed third latent image to reach the surface of the substrate to form a second resist pattern having a groove, and ashing Removing the second photoresist layer to form a first rectangular groove having a depth up to the middle of the first photoresist layer exposed from the rectangular groove of the amorphous silicon pattern, and forming a groove of the second resist pattern. A second rectangular groove is formed, and the amorphous silicon pattern, the first
A seventh step of forming a Ni layer in the rectangular groove and the second rectangular groove, and forming the Ni layer in the amorphous silicon pattern,
An eighth step of peeling from the first groove and the second groove to produce a stamper having a rectangular convex portion is provided, and a stamper manufacturing method is provided. In a second aspect of the present invention, the thickness ratio of the first photoresist layer to the second photoresist layer is 80:35, and the dry etching is performed with a ratio of O 2 in C 4 F 8 of 5%. The method of manufacturing a stamper according to claim 1, wherein the method is performed by using a gas of A third invention provides the method for manufacturing a stamper according to claim 1 or 2, wherein the ashing is performed by using a gas in which a ratio of O 2 in Ar is 40 to 50%.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態のスタンパの製
造方法について図１乃至図１１を用いて説明する。図１
は、本発明の実施形態のスタンパの製造方法における
（第１工程）を示す断面図である。図２は、本発明の実
施形態のスタンパの製造方法における（第２工程）を示
す断面図である。図３は、本発明の実施形態のスタンパ
の製造方法における（第３工程）を示す断面図である。
図４は、本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第４工程）を示す断面図である。図５は、溝の側壁
のガラス板平面に対する傾斜角（溝傾斜角）のＣ4Ｆ8ガ
ス中のＯ2割合依存性を示す図である。図６は、アモル
ファスシリコンのエッチングレートのＣ4Ｆ8ガス中のＯ
2割合依存性を示す図である。図７は、本発明の実施形
態のスタンパの製造方法における（第５工程）を示す断
面図である。図８は、本発明の実施形態のスタンパの製
造方法における（第６工程）を示す断面図である。図９
は、フォトレジストのエッチングレートのＡｒガス中の
Ｏ2割合依存性を示す図である。図１０は、本発明の実
施形態のスタンパの製造方法における（第７工程）を示
す断面図である。図１１は、本発明の実施形態のスタン
パの製造方法における（第８工程）を示す断面図であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Manufacturing of a stamper according to an embodiment of the present invention
The manufacturing method will be described with reference to FIGS. 1 to 11. Figure 1
In the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows (1st process). FIG. 2 is a schematic diagram of the present invention.
The second step of the stamper manufacturing method according to the embodiment is shown.
FIG. FIG. 3 is a stamper of an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing (third step) in the manufacturing method of.
FIG. 4 shows a stamper manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows (4th process). Figure 5 shows the sidewall of the groove
Of inclination angle (groove inclination angle) with respect to the glass plate plane ofFourF8Moth
O in the space2It is a figure which shows rate dependence. Figure 6 shows
C of the etching rate of fusing siliconFourF8O in gas
2It is a figure which shows rate dependence. FIG. 7 shows an embodiment of the present invention.
Showing the (fifth step) in the manufacturing method of the stamper in the ready state
It is a side view. FIG. 8 shows a stamper manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows (6th process) in a manufacturing method. Figure 9
Is the etching rate of the photoresist in Ar gas.
O2It is a figure which shows rate dependence. FIG. 10 shows an example of the present invention.
The (7th process) in the manufacturing method of the stamper of embodiment is shown.
FIG. FIG. 11 is a schematic view of the stun
It is sectional drawing which shows the (8th process) in the manufacturing method of PA.
It
【０００９】（第１工程）図１に示すように、ガラス板
１上に厚さ８０ｎｍの第１フォトレジスト層２をスピン
コート法により塗布し、１１０℃、３０分間熱処理を行
い、この第１フォトレジスト層２中の溶剤を除去する。
この後、第１フォトレジスト層２上に厚さ３０ｎｍのア
モルファスシリコン３をスパッタ法やＣＶＤ法等で形成
した後、厚さ３５ｎｍの第２フォトレジスト層４を形成
する。(First Step) As shown in FIG. 1, a first photoresist layer 2 having a thickness of 80 nm is applied on a glass plate 1 by a spin coating method, and heat treatment is performed at 110 ° C. for 30 minutes. The solvent in the photoresist layer 2 is removed.
After that, amorphous silicon 3 having a thickness of 30 nm is formed on the first photoresist layer 2 by a sputtering method, a CVD method, or the like, and then a second photoresist layer 4 having a thickness of 35 nm is formed.
【００１０】（第２工程）次に、図２に示すように、こ
の第２フォトレジスト層４の上方から第２フォトレジス
ト層４のみが感光する第１記録光によってハーフ露光を
行って潜像４ａを形成し、第１記録光よりも強い第２記
録光を用いて、第１及び第２フォトレジスト層２、４の
両方の露光を行って、潜像４ａと異なる位置の第２フォ
トレジスト層に潜像４ｂを形成すると共にこの潜像４ｂ
の真下の第１フォトレジスト層４に潜像５ａを形成す
る。(Second Step) Next, as shown in FIG. 2, a latent image is formed by half-exposure from above the second photoresist layer 4 with a first recording light which only the second photoresist layer 4 exposes. 4a is formed, and both the first and second photoresist layers 2 and 4 are exposed by using the second recording light stronger than the first recording light to form the second photoresist at a position different from the latent image 4a. The latent image 4b is formed on the layer and the latent image 4b is formed.
A latent image 5a is formed on the first photoresist layer 4 immediately below the.
【００１１】（第３工程）この後、図３に示すように、
アルカリ性水溶液を用いて、現像を行い、第２フォトレ
ジスト層４に形成されている潜像４ａ、４ｂを溶解させ
て第１レジストパターン６を形成する。(Third step) Thereafter, as shown in FIG.
Development is performed using an alkaline aqueous solution to dissolve the latent images 4a and 4b formed on the second photoresist layer 4 to form the first resist pattern 6.
【００１２】（第４工程）次に、図４に示すように、反
応性イオンエッチング法（以下、ＲＩＥ法という）やイ
オンケミカルプラズマ法（以下、ＩＣＰ法という）によ
り、Ｏ2を含むＣ4Ｆ8ガスを用いて、第１レジストパタ
ーン６から露出したアモルファスシリコン３をエッチン
グして、矩形溝７ａを有するアモルファスシリコンパタ
ーン７を形成する。この際、第１フォトレジスト層２も
エッチングされるが、フォトレジストのエチングレート
は、アモルファスシリコンに対して略１／５０程度であ
るので、第１フォトレジスト層２表面でエッチングを停
止することができる。即ち、Ｏ2を含むＣ4Ｆ8ガスは、
アモルファスシリコンとフォトレジストとの選択エッチ
ングガスとなっている。このようにフォトレジストも若
干ではあるが、エッチングされるため、第２フォトレジ
スト層４は、厚くしてある。なお、ＲＩＥ法もＩＣＰ法
もドライエッチング法の一種である。(Fourth Step) Next, as shown in FIG. 4, C 4 containing O 2 is formed by a reactive ion etching method (hereinafter referred to as RIE method) or an ion chemical plasma method (hereinafter referred to as ICP method). The amorphous silicon 3 exposed from the first resist pattern 6 is etched by using F 8 gas to form the amorphous silicon pattern 7 having the rectangular groove 7a. At this time, the first photoresist layer 2 is also etched, but since the etching rate of the photoresist is about 1/50 of that of amorphous silicon, the etching may be stopped on the surface of the first photoresist layer 2. it can. That is, the C 4 F 8 gas containing O 2 is
It serves as a selective etching gas for the amorphous silicon and the photoresist. As described above, since the photoresist is also slightly etched, the second photoresist layer 4 is thickened. Both the RIE method and the ICP method are types of dry etching methods.
【００１３】ここで、アモルファスシリコンパターン７
の矩形溝７ａの側壁が最も矩形状に近くなる最適条件に
ついてＲＩＥ法を用いて調べた。その結果を図５に示
す。この際、パワーは、２００Ｗとし、Ｏ2を含むＣ4Ｆ
8ガスの流量は、５０ＣＣ／ｍｉｎとし、エッチング時
の圧力は、４ｍＴｏｒｒとした。図５に示すように、Ｃ
4Ｆ8ガス中のＯ2の割合が５％の時、アモルファスシリ
コン７の矩形溝７ａの側壁の傾斜角は、略８０°の最大
値をとり、ほぼ矩形状に近い形状が得られることがわか
る。この時、図６に示すように、アモルファスシリコン
のエッチングレートはＯ2の割合が増加するにつれて減
少する傾向にあるが、Ｏ2の割合が３〜５％の範囲で
は、ほぼ一定であるので、安定したエッチングができる
ことがわかる。以上のことから、Ｃ4Ｆ8ガス中のＯ2の
割合を５％にすれば、アモルファスシリコン７の矩形溝
７ａの側壁を安定したエッチングで矩形状にすることが
できる。Here, the amorphous silicon pattern 7
The optimum conditions under which the side walls of the rectangular groove 7a of FIG. The result is shown in FIG. At this time, the power is 200 W and C 4 F containing O 2 is used.
The flow rate of 8 gas was 50 CC / min, and the pressure during etching was 4 mTorr. As shown in FIG.
When the proportion of O 2 in 4 F 8 gas is 5%, the inclination angle of the side wall of the rectangular groove 7a of the amorphous silicon 7 has a maximum value of about 80 °, and a nearly rectangular shape can be obtained. Recognize. At this time, as shown in FIG. 6, the etching rate of amorphous silicon tends to decrease as the proportion of O 2 increases, but is almost constant in the proportion of O 2 of 3 to 5%. It can be seen that stable etching can be performed. From the above, if the proportion of O 2 in the C 4 F 8 gas is set to 5%, the side wall of the rectangular groove 7a of the amorphous silicon 7 can be made rectangular by stable etching.
【００１４】（第５工程）次に、図７に示すように、ア
ルカリ性水溶液を用いて、アモルファスシリコンパター
ン７から露出した第１フォトレジスト層２に形成されて
いる潜像５ａを現像して、ガラス板１表面に達し、溝８
ａを有する第２レジストパターン８を形成する。(Fifth Step) Next, as shown in FIG. 7, the latent image 5a formed on the first photoresist layer 2 exposed from the amorphous silicon pattern 7 is developed using an alkaline aqueous solution, Reach the surface of glass plate 1 and groove 8
A second resist pattern 8 having a is formed.
【００１５】（第６工程）次に、ＲＩＥ法により、Ｏ2
を含むＡｒガスを用いて、第２フォトレジスト層４、ア
モルファスシリコンパターン７の矩形溝７ａから露出し
た第１フォトレジスト層２及び第２レジストパターン８
の溝８ａのアッシングを行って、図８に示すように、第
２フォトレジスト層４を除去すると共に、第１フォトレ
ジスト層２の途中までの深さの第１矩形溝９と第２レジ
ストパターン８の溝８ａを矩形状にした第２矩形溝１０
とを形成する。(Sixth step) Next, O 2 is formed by the RIE method.
The second photoresist layer 4, the first photoresist layer 2 exposed from the rectangular groove 7a of the amorphous silicon pattern 7, and the second resist pattern 8 are formed using Ar gas containing
As shown in FIG. 8, the second photoresist layer 4 is removed by ashing the groove 8a of the first photoresist layer 2 and the first rectangular groove 9 and the second resist pattern 9 having a depth up to the middle of the first photoresist layer 2 are formed. Second rectangular groove 10 in which the groove 8a of No. 8 has a rectangular shape
To form.
【００１６】ここで、アモルファスシリコンがエッチン
グされず、フォトレジストだけがエッチングされるアッ
シング条件について調べた。その結果を図９に示す。図
９中、●はアモルファスシリコンの場合を示し、〇はフ
ォトレジストの場合を示している。図９に示すように、
アモルファスシリコンのエッチングレートは、Ａｒガス
中のＯ2の割合の増加と共に減少する。このエッチング
レートは、Ａｒガス中のＯ2割合が４０％では、ほぼ０
となり、５０％〜１００％では、０である。Here, the ashing conditions were investigated in which the amorphous silicon was not etched and only the photoresist was etched. The result is shown in FIG. In FIG. 9, ● indicates the case of amorphous silicon and ◯ indicates the case of photoresist. As shown in FIG.
The etching rate of amorphous silicon decreases as the proportion of O 2 in Ar gas increases. This etching rate is almost 0 when the O 2 ratio in Ar gas is 40%.
Therefore, it is 0 at 50% to 100%.
【００１７】一方、フォトレジストのエッチングレート
は、アモルファスシリコンの場合とは逆にＡｒガス中の
Ｏ2の割合の増加に比例して増加する。これらのことか
ら、アモルファスシリコンがエッチングされないで、フ
ォトレジストがエッチングされる条件としては、Ａｒガ
ス中のＯ2の割合が４０％〜１００％であれば良いこと
がわかる。しかし、Ａｒガス中のＯ2の割合が５０％以
上では、フォトレジストの側面もエッチングされてしま
うため、矩形状の溝を形成することができなくなってし
まう。以上の結果より、第１矩形溝９及び第２矩形溝１
０を矩形状にするには、Ａｒガス中のＯ2の割合が４０
％〜５０％にすることが必要である。On the other hand, the etching rate of the photoresist increases in proportion to the increase of the proportion of O 2 in Ar gas, which is opposite to the case of amorphous silicon. From these, it is understood that the condition for etching the photoresist without etching the amorphous silicon is that the ratio of O 2 in Ar gas is 40% to 100%. However, if the proportion of O 2 in Ar gas is 50% or more, the side surface of the photoresist is also etched, and it becomes impossible to form a rectangular groove. From the above results, the first rectangular groove 9 and the second rectangular groove 1
To make 0 into a rectangular shape, the ratio of O 2 in Ar gas is 40
% To 50% is necessary.
【００１８】（第７工程）次に、図１０に示すように、
電鋳法により、アモルファスシリコンパターン表面７、
第１矩形溝９及び第２矩形溝１０にＮｉ層１１を形成す
る。(Seventh Step) Next, as shown in FIG.
By the electroforming method, the amorphous silicon pattern surface 7,
The Ni layer 11 is formed in the first rectangular groove 9 and the second rectangular groove 10.
【００１９】（第８工程）この後、図１１に示すよう
に、この電鋳されたＮｉ層１１をアモルファスシリコン
パターン７表面、第１矩形溝９及び第２矩形溝１０から
剥離して、矩形状の第１凸部１２ａとこの第１凸部１２
ａよりも長い第２凸部１２ｂを有するスタンパ１２を作
製する。(Eighth Step) Thereafter, as shown in FIG. 11, the electroformed Ni layer 11 is peeled from the surface of the amorphous silicon pattern 7, the first rectangular groove 9 and the second rectangular groove 10 to form a rectangular shape. Shaped first protrusion 12a and the first protrusion 12
The stamper 12 having the second convex portion 12b longer than a is manufactured.
【００２０】以上のように、本発明の実施形態のスタン
パの製造方法によれば、矩形状の第１及び第２凸部１２
ａ、１２ｂを有するスタンパ１２が得られるので、この
スタンパ１２から転写して光ディスク基板を作製する場
合には、この第１及び第２凸部１２ａ、１２ｂによる矩
形状のエンボスパターンを有する光ディスク基板が得ら
れる。As described above, according to the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention, the rectangular first and second convex portions 12 are formed.
Since the stamper 12 having a and 12b is obtained, when the optical disc substrate is manufactured by transferring from the stamper 12, the optical disc substrate having the rectangular emboss pattern formed by the first and second convex portions 12a and 12b is used. can get.
【００２１】なお、このスタンパ１２を用いて作製され
た光ディスク基板に形成されるエンボスパターンの形状
は、図８に示す第１及び第２矩形溝９、１０と同じであ
り、この第１矩形溝９の深さは、グルーブとなり、第２
矩形溝１０は、ピットとなる。光ディスクがＤＶＤ−Ｒ
Ｗである場合、グルーブの深さは、ジッター８％を満足
するためには、３５ｎｍ以下が望ましいので、第２フォ
トレジスト層４の厚さは、３５ｎｍ程度が最適である。
一方、変調度の規格を６０％以上、プッシュプル規格値
を０．２２〜０．４４の範囲を満足し、良好なトラッキ
ング性能を得るためには、第１フォトレジスト層２の厚
さは、８０ｎｍ前後が最適である。更に、実験を行った
ところ、第２フォトレジスト層２に対する第１フォトレ
ジスト層４の厚さの比を、８０：３５にすると前記した
ジッタが８％を満足し、良好なトラッキング性能が得ら
れることがわかった。The shape of the embossed pattern formed on the optical disk substrate manufactured by using this stamper 12 is the same as that of the first and second rectangular grooves 9 and 10 shown in FIG. The depth of 9 becomes a groove and the second
The rectangular groove 10 becomes a pit. Optical disc is DVD-R
In the case of W, the depth of the groove is preferably 35 nm or less in order to satisfy the jitter of 8%, so the thickness of the second photoresist layer 4 is optimally about 35 nm.
On the other hand, in order to satisfy the modulation degree standard of 60% or more and the push-pull standard value of 0.22 to 0.44 and obtain good tracking performance, the thickness of the first photoresist layer 2 is The optimum value is around 80 nm. Further, as a result of an experiment, when the thickness ratio of the first photoresist layer 4 to the second photoresist layer 2 is set to 80:35, the above-mentioned jitter satisfies 8% and good tracking performance is obtained. I understood it.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明のスタンパの製造方法によれば、
矩形状の凸部を有するスタンパが得られるので、これを
用いて光ディスク基板を作製する場合には、この凸部に
よる矩形状のエンボスパターンを有する光ディスク基板
が得られる。According to the stamper manufacturing method of the present invention,
Since a stamper having a rectangular convex portion is obtained, when an optical disc substrate is manufactured using this stamper, an optical disc substrate having a rectangular embossed pattern due to this convex portion is obtained.
【図１】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第１工程）を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing (first step) in a stamper manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第２工程）を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing (second step) in the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第３工程）を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing (third step) in the method of manufacturing a stamper according to the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第４工程）を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing (fourth step) in the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
【図５】溝の側壁のガラス板平面に対する傾斜角（溝傾
斜角）のＣ4Ｆ8ガス中のＯ2割合依存性を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing the dependency of the inclination angle (groove inclination angle) of the side wall of the groove with respect to the glass plate plane in the proportion of O 2 in the C 4 F 8 gas.
【図６】アモルファスシリコンのエッチングレートのＣ
4Ｆ8ガス中のＯ2割合依存性を示す図である。FIG. 6 C of the etching rate of amorphous silicon
4 F 8 is a diagram showing an O 2 ratio dependence of the gas.
【図７】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第５工程）を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing (fifth step) in the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施形態のスタンパの製造方法におけ
る（第６工程）を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing (sixth step) in the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
【図９】フォトレジストのエッチングレートのＡｒガス
中のＯ2割合依存性を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the dependence of the etching rate of a photoresist on the O 2 ratio in Ar gas.
【図１０】本発明の実施形態のスタンパの製造方法にお
ける（第７工程）を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing (seventh step) in the stamper manufacturing method of the embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の実施形態のスタンパの製造方法にお
ける（第８工程）を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing (8th step) in the method for manufacturing a stamper according to the embodiment of the present invention.
１…ガラス板（基板）、２…第１フォトレジスト層、３
…アモルファスシリコン、４…第２フォトレジスト層、
４ａ、４ｂ、５ａ…潜像、６…第１レジストパターン、
７…アモルファスパターン、７ａ、８ａ…溝、８…第２
レジストパターン、９…第１溝、１０…第２溝、１１…
Ｎｉ層、１２…スタンパ、１２ａ…第１凸部（凸部）、
１２ｂ…第２凸部（凸部）1 ... Glass plate (substrate), 2 ... First photoresist layer, 3
... amorphous silicon, 4 ... second photoresist layer,
4a, 4b, 5a ... latent image, 6 ... first resist pattern,
7 ... Amorphous pattern, 7a, 8a ... Groove, 8 ... Second
Resist pattern, 9 ... First groove, 10 ... Second groove, 11 ...
Ni layer, 12 ... Stamper, 12a ... First convex portion (convex portion),
12b ... 2nd convex part (convex part)
Claims (3)
ァスシリコン、第２フォトレジスト層を順次形成する第
１工程と、 前記第２フォトレジスト層の上方から前記第２フォトレ
ジスト層のみが感光する第１記録光によって露光を行っ
て前記第２フォトレジスト層に第１潜像を形成し、前記
第１記録光よりも強い第２記録光を用いて、前記第１フ
ォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の両方の
露光を行って、前記第１潜像と異なる位置の前記第２フ
ォトレジスト層に第２潜像を形成すると共にこの第２潜
像真下の前記第１フォトレジスト層に第３潜像を形成す
る第２工程と、 前記第２フォトレジスト層に形成された前記第１潜像及
び前記第２潜像を現像して第１レジストパターンを形成
する第３工程と、 ドライエッチングにより、前記第１レジストパターンか
ら露出した前記アモルファスシリコンをエッチングし
て、矩形溝を有するアモルファスシリコンパターンを形
成する第４工程と、 前記アモルファスシリコンパターンの矩形溝から露出し
た前記第１フォトレジスト層に形成された前記第３潜像
を現像して、前記基板表面に達し、溝を有する第２レジ
ストパターンを形成する第５工程と、 アッシングにより、前記第２フォトレジスト層を除去す
ると共に前記アモルファスシリコンパターンの矩形溝か
ら露出した前記第１フォトレジスト層の途中までの深さ
を有する第１矩形溝にすると共に前記第２レジストパタ
ーンの溝を第２矩形溝にする第６工程と、 電鋳法により、前記アモルファスシリコンパターン、前
記第１矩形溝及び前記第２矩形溝にＮｉ層を形成する第
７工程と、 前記Ｎｉ層を前記アモルファスシリコンパターン、前記
第１溝及び前記第２溝から剥離して、矩形状の凸部を有
するスタンパを作製する第８工程と、 からなることを特徴とするスタンパの製造方法。1. A first step of sequentially forming a first photoresist layer, amorphous silicon and a second photoresist layer on a substrate, and only the second photoresist layer is exposed from above the second photoresist layer. Exposing with a first recording light to form a first latent image on the second photoresist layer, and using a second recording light stronger than the first recording light, the first photoresist layer and the second photoresist layer Both exposures of the photoresist layer are performed to form a second latent image on the second photoresist layer at a position different from the first latent image and a second latent image is formed on the first photoresist layer directly below the second latent image. A second step of forming a latent image, a third step of forming a first resist pattern by developing the first latent image and the second latent image formed on the second photoresist layer, and dry etching. Due to A fourth step of etching the amorphous silicon exposed from the first resist pattern to form an amorphous silicon pattern having a rectangular groove, and a step of forming the amorphous silicon pattern on the first photoresist layer exposed from the rectangular groove of the amorphous silicon pattern. And a fifth step of developing the third latent image to reach the substrate surface to form a second resist pattern having a groove, and removing the second photoresist layer by ashing and forming the amorphous silicon pattern. A sixth step of forming a first rectangular groove having a depth up to the middle of the first photoresist layer exposed from the rectangular groove and forming a groove of the second resist pattern into a second rectangular groove, and an electroforming method, Forming a Ni layer in the amorphous silicon pattern, the first rectangular groove and the second rectangular groove; A step of removing the Ni layer from the amorphous silicon pattern, the first groove and the second groove to produce a stamper having a rectangular convex portion, Manufacturing method.
１フォトレジスト層の厚さの比は、８０：３５であり、
前記ドライエッチングは、Ｃ4Ｆ8中のＯ2の割合が５％
とするガスを用いて行うことを特徴とする請求項１記載
のスタンパ製造方法。2. The thickness ratio of the first photoresist layer to the second photoresist layer is 80:35,
In the dry etching, the proportion of O 2 in C 4 F 8 is 5%.
The stamper manufacturing method according to claim 1, wherein the method is performed by using a gas of
４０〜５０％とするガスを用いて行うことを特徴とする
請求項１又は２記載のスタンパの製造方法。3. The stamper manufacturing method according to claim 1, wherein the ashing is performed by using a gas in which the ratio of O 2 in Ar is 40 to 50%.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225669A JP2003036574A (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Method for manufacturing stamper |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001225669A JP2003036574A (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Method for manufacturing stamper |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2003036574A true JP2003036574A (en) | 2003-02-07 |
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| JP2001225669A Pending JP2003036574A (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Method for manufacturing stamper |
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| JP (1) | JP2003036574A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100834511B1 (en) | 2006-09-06 | 2008-06-02 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of stamper for imprinting |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001225669A patent/JP2003036574A/en active Pending
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