JP2003035949A - Photosensitive resin composition and method for manufacturing relief pattern and method for manufacturing heat resistant coating each using the same - Google Patents

Photosensitive resin composition and method for manufacturing relief pattern and method for manufacturing heat resistant coating each using the same

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JP2003035949A
JP2003035949A JP2001221579A JP2001221579A JP2003035949A JP 2003035949 A JP2003035949 A JP 2003035949A JP 2001221579 A JP2001221579 A JP 2001221579A JP 2001221579 A JP2001221579 A JP 2001221579A JP 2003035949 A JP2003035949 A JP 2003035949A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition using an aminimide as a photo-base generator which efficiently generates a sufficiently strong base even under low light exposure in combination with a polyamic acid and to provide a method for producing a relief pattern and a method for producing a heat resistant coating. SOLUTION: The photosensitive resin composition contains (a) an aminimide compound which generates a base when irradiated with active light and (b) a polyamic acid. In the method for manufacturing a relief pattern, a coating comprising the photosensitive resin composition is patternwise irradiated with active light and heated at 50-180 deg.C and the unirradiated regions are removed by development. In the method for manufacturing a heat resistant coating, a coating comprising the photosensitive resin composition is irradiated with active light all over and heated at 80-300 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、活性光線の照射に
よって塩基を発生するアミンイミド化合物とポリアミド
酸を含有してなる感光性樹脂組成物、レリーフパターン
の製造方法及び耐熱性塗膜の製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photosensitive resin composition containing an amine imide compound which generates a base upon irradiation with actinic rays and a polyamic acid, a method for producing a relief pattern and a method for producing a heat resistant coating film. .

【0002】[0002]

【従来の技術】光硬化技術は、従来の熱硬化技術と比較
して低温硬化、プロセスの短縮化、短時間硬化、微細加
工等の特徴を活かし、塗料から半導体材料に至る広範囲
な分野で応用が図られている。特に、半導体材料の分野
では、回路の保護を目的に、250℃以上の耐熱性を持
つ感光性ポリイミドが表面保護膜として用いられてい
る。感光性ポリイミドには、いくつかの感光性付与方法
が知られている。代表的なものには、特公昭55−41
422号公報で提案されているようなポリアミド酸のカ
ルボン酸をヒドロキシエチルアクリレートを用いてエス
テル化したものや、特開昭54−145794号公報で
提案されているようなポリアミド酸にアミノアクリレー
トを配合し、感光性基を塩結合で導入するものが知られ
ている。これらの材料は、感光性材料(光ラジカル開始
剤、多官能アクリレートモノマ)等をN−メチルピロリ
ドン(NMP)やN,N-ジメチルアセトアミド(DMA
C)等の極性溶媒中に溶解し、シリコンウェハ等の基材
上に塗布した後、活性光線を用いてパターン状に露光、
現像を行って、パターンを形成した後、300℃以上で
加熱して、ポリアミド酸のイミド化及び添加した感光性
材料等を分解、揮発させて、所望のポリイミドを得てい
る。しかしながら、加熱しても完全に感光性材料が揮発
せず、フィルム中に残存するため、加熱後のフィルムの
物性(接着強度、弾性率、耐熱性等)が低下する問題が
ある。上記問題を解決する手法として、ポリアミド酸と
光塩基発生剤を用いる方法が報告されている。これは、
塩基触媒存在下では、ポリアミド酸のイミド化反応が3
00℃以下の低温で促進することを応用したものであ
る。例えば、Polym.Bull.30巻、369
頁、1993年に代表されるように、o-ニトロベンジ
ルカルバメート誘導体が光照射により塩基を発生するこ
とを利用して、マスクを介して露光し、露光部のみに塩
基を発生させた後、加熱して露光部のみをイミド化さ
せ、未露光部のポリアミド酸が溶解する溶剤やアルカリ
水溶液で現像を行って、ネガ型パターンを作製するもの
である。
2. Description of the Related Art Photo-curing technology is used in a wide range of fields from paints to semiconductor materials by taking advantage of its characteristics such as low-temperature curing, process shortening, short-time curing, and microfabrication as compared with conventional thermosetting technology. Is being pursued. Particularly, in the field of semiconductor materials, photosensitive polyimide having heat resistance of 250 ° C. or higher is used as a surface protective film for the purpose of protecting circuits. For the photosensitive polyimide, several methods for imparting photosensitivity are known. A representative one is Japanese Patent Publication Sho 55-41.
No. 422, a carboxylic acid of a polyamic acid is esterified with hydroxyethyl acrylate, or a polyamic acid as proposed in JP-A-54-145794 is blended with an amino acrylate. However, it is known to introduce a photosensitive group by a salt bond. These materials include photosensitive materials (photoradical initiators, polyfunctional acrylate monomers), etc., such as N-methylpyrrolidone (NMP) and N, N-dimethylacetamide (DMA).
C) or the like is dissolved in a polar solvent and applied on a substrate such as a silicon wafer, and then exposed in a pattern using an actinic ray,
After developing and forming a pattern, it is heated at 300 ° C. or higher to imidize polyamic acid and decompose and volatilize the added photosensitive material to obtain a desired polyimide. However, since the photosensitive material does not completely volatilize even when heated and remains in the film, there is a problem that the physical properties (adhesive strength, elastic modulus, heat resistance, etc.) of the film after heating deteriorate. As a method for solving the above problem, a method using a polyamic acid and a photobase generator has been reported. this is,
In the presence of a base catalyst, the imidization reaction of polyamic acid is 3
This is an application of promotion at a low temperature of 00 ° C. or lower. For example, Polym. Bull. Volume 30, 369
As shown in page 1993, the o-nitrobenzyl carbamate derivative generates a base upon irradiation with light, so that it is exposed through a mask to generate a base only in the exposed portion, and then heated. Then, only the exposed portion is imidized and developed with a solvent or an alkaline aqueous solution in which the polyamic acid in the unexposed portion is dissolved to produce a negative pattern.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
での光塩基発生剤の場合、光照射によって発生する塩基
が1級または2級アミンであるため、塩基性が低く、イ
ミド化の促進能力が低い欠点があった。さらに、これら
の光塩基発生剤の活性光線照射における塩基発生効率が
非常に低いために、長時間露光が必要となり、プロセス
の短縮化に寄与できない問題があった。
However, in the case of conventional photobase generators, since the base generated by light irradiation is a primary or secondary amine, the basicity is low and the ability to promote imidization is low. There was a flaw. Furthermore, since the base generation efficiency of these photobase generators upon irradiation with actinic rays is very low, long-time exposure is required, and there is a problem that the process cannot be shortened.

【0004】本発明は、低露光量でも十分に強い塩基を
効率よく発生する光塩基発生剤としてアミンイミドを、
ポリアミド酸と併用した感光性樹脂組成物、レリーフパ
ターンの製造方法及び耐熱性塗膜の製造方法を提供する
ものである。
In the present invention, amine imide is used as a photobase generator capable of efficiently generating a sufficiently strong base even at a low exposure amount.
Provided are a photosensitive resin composition used in combination with a polyamic acid, a method for producing a relief pattern, and a method for producing a heat-resistant coating film.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は上記に鑑み鋭意
検討した結果、アミンイミド化合物が活性光線の照射に
よって効率よく強塩基である3級アミンを発生し、ポリ
アミド酸のイミド化反応を低温で促進できることを見出
した。アミンイミド化合物が加熱によって3級アミンを
発生することは、特開平10−139748号公報に記
載されているが、活性光線の照射により3級アミンを発
生することは記載されていない。本発明は、[1](a)活
性光線の照射により塩基を発生するアミンイミド化合
物、(b)ポリアミド酸を含有してなる感光性樹脂組成物
である。本発明は、さらに[2](c)一重項または三重
項増感剤を含有してなる上記[1]記載の感光性樹脂組
成物である。また、本発明は、[3](c)一重項または
三重項増感剤が、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導
体、カルバゾール誘導体、チオキサントン誘導体、ベン
ゾフェノン誘導体の少なくとも一つであることを特徴と
する上記[2]記載の感光性樹脂組成物である。また、
本発明は、[4]上記[1]ないし[3]のいずれかに
記載の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線をパ
ターン状に照射し、50〜180℃で加熱した後、未照
射部を現像除去することを特徴とするレリーフパターン
の製造方法である。さらに本発明は、[5]上記記載の
感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線を全面に照
射し、80〜300℃で加熱することを特徴とする耐熱
性塗膜の製造方法である。
Means for Solving the Problems The present invention has been intensively studied in view of the above, and as a result, an amine imide compound efficiently generates a tertiary amine which is a strong base upon irradiation with actinic rays, and the imidization reaction of a polyamic acid is carried out at a low temperature. I found that it can be promoted. Generation of a tertiary amine by heating an amine imide compound is described in JP-A-10-139748, but generation of a tertiary amine by irradiation of actinic rays is not described. The present invention is [1] a photosensitive resin composition comprising (a) an amine imide compound which generates a base upon irradiation with actinic rays, and (b) a polyamic acid. The present invention is the photosensitive resin composition according to the above [1], which further comprises [2] (c) a singlet or triplet sensitizer. Further, the present invention is characterized in that the singlet or triplet sensitizer [3] (c) is at least one of a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a carbazole derivative, a thioxanthone derivative and a benzophenone derivative. ] It is a photosensitive resin composition of description. Also,
In the present invention, [4] a coating film comprising the photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [3] is irradiated with actinic rays in a pattern and heated at 50 to 180 ° C., A relief pattern manufacturing method is characterized in that an unirradiated portion is developed and removed. Further, the present invention is [5] a method for producing a heat-resistant coating film, which comprises irradiating an entire surface of the coating film made of the photosensitive resin composition with an actinic ray and heating at 80 to 300 ° C. is there.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明において用いるアミンイミ
ド化合物は、活性光線の照射によって、塩基を発生する
化合物であれば特に制限は受けない。例えば、代表的な
アミンイミド化合物としては、下記一般式(1)または
(2)で表され、
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The amine imide compound used in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound which generates a base upon irradiation with actinic rays. For example, a typical amine imide compound is represented by the following general formula (1) or (2),

【化1】 式中R1、R2、R3は独立に水素、炭素数1〜8のアル
キル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8の
アルキリデン基、炭素数4〜8のシクロアルキル基、炭
素数4〜8のシクロアルケニル基、炭素数1〜6のフェ
ノキシアルキル基、フェニル基、電子供与性基および/
または電子吸引性基が置換したフェニル基、ベンジル
基、電子供与性基および/または電子吸引性基が置換し
たベンジル基等が挙げられる。炭素数1〜8のアルキル
基としては、直鎖上のアルキル基の他に、置換基を有す
るアルキル基、例えばイソプロピル基、イソブチル基、
t-ブチル基等も含む。これらの置換基の中で、合成の
簡便性、アミンイミドの溶解性等の点から、炭素数1〜
8のアルキル基、炭素数6〜8のシクロアルキル基、炭
素数1〜6のフェノキシアルキル基が好ましい。また、
4は独立に炭素数1〜5のアルキル基、水酸基、炭素
数4〜8のシクロアルキル基、炭素数1〜5のアルコキ
シ基、フェニル基を表す。上記一般式(1)中のAr1
一般式(I)〜(XIII)で表される芳香族基であり、
[Chemical 1] In the formula, R 1 , R 2 and R 3 are independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkylidene group having 1 to 8 carbon atoms, and a cycloalkyl having 4 to 8 carbon atoms. Group, C4-8 cycloalkenyl group, C1-6 phenoxyalkyl group, phenyl group, electron-donating group and /
Alternatively, a phenyl group substituted with an electron-withdrawing group, a benzyl group, a benzyl group substituted with an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group, and the like can be given. As the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, in addition to a linear alkyl group, an alkyl group having a substituent, for example, an isopropyl group, an isobutyl group,
Also includes t-butyl group and the like. Among these substituents, from the viewpoint of ease of synthesis, solubility of amine imide, etc., the number of carbon atoms is 1 to 1.
An alkyl group having 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 6 to 8 carbon atoms, and a phenoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferable. Also,
R 4 independently represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a hydroxyl group, a cycloalkyl group having 4 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenyl group. Ar 1 in the general formula (1) is an aromatic group represented by the general formulas (I) to (XIII),

【化2】 式中R5〜R28は独立に、水素、炭素数1〜8のアルキ
ル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のア
ルキルチオ基、炭素数1〜8のアルキリデン基、炭素数
4〜8のシクロアルキル基、炭素数4〜8のシクロアル
ケニル基、アミノ基、炭素数1〜6のアルキルアミノ
基、炭素数1〜3のジアルキルアミノ基、モルフォリノ
基、メルカプト基、水酸基、炭素数1〜6のヒドロキシ
アルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数
1〜6のエステル基、炭素数1〜6のカルボニル基、ア
ルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基、ベンゾイル基、フェニル基、電子供与性
基および/または電子吸引性基が置換したフェニル基、
電子供与性基および/または電子吸引性基が置換したベ
ンジル基である。また式中U〜Zは、炭素、窒素、酸
素、硫黄原子のいずれかである。また、前記一般式
(2)中のAr2は、次式(XIV)〜(XXII)で示される
芳香族基であり、
[Chemical 2] In the formula, R 5 to R 28 are independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, an alkylidene group having 1 to 8 carbon atoms, and carbon. Cycloalkyl group having 4 to 8 carbon atoms, cycloalkenyl group having 4 to 8 carbon atoms, amino group, alkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, dialkylamino group having 1 to 3 carbon atoms, morpholino group, mercapto group, hydroxyl group, Hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, halogen such as fluorine, chlorine and bromine, ester group having 1 to 6 carbon atoms, carbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, aldehyde group, cyano group, trifluoromethyl group, cyano group , A nitro group, a benzoyl group, a phenyl group, a phenyl group substituted with an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group,
A benzyl group substituted with an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group. Further, in the formula, U to Z are any of carbon, nitrogen, oxygen and sulfur atoms. Ar 2 in the general formula (2) is an aromatic group represented by the following formulas (XIV) to (XXII),

【化3】 29〜R36は独立に、水素、炭素数1〜8のアルキル
基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアル
キルチオ基、炭素数1〜8のアルキリデン基、炭素数4
〜8のシクロアルキル基、炭素数4〜8のシクロアルケ
ニル基、アミノ基、炭素数1〜6のアルキルアミノ基、
炭素数1〜3のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、
メルカプト基、水酸基、炭素数1〜6のヒドロキシアル
キル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数1〜
6のエステル基、炭素数1〜6のカルボニル基、アルデ
ヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、
ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および/または電
子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および
/または電子吸引性基が置換したベンジル基である。ま
た式中Wは、炭素、窒素、炭素数1〜6のアルキル基が
置換した窒素、酸素、硫黄であり、X〜Zは独立に、炭
素、窒素、酸素、硫黄原子である。Ar1と同様に熱的
な安定性、吸収波長の点から、R29〜R36の置換基とし
ては、電子吸引性基である炭素数1〜6のカルボニル
基、シアノ基、ニトロ基が好ましい。
[Chemical 3] R 29 to R 36 are independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, an alkylidene group having 1 to 8 carbon atoms, and 4 carbon atoms.
~ 8 cycloalkyl group, C4-8 cycloalkenyl group, amino group, C1-6 alkylamino group,
A dialkylamino group having 1 to 3 carbon atoms, a morpholino group,
Mercapto group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, halogen such as fluorine, chlorine and bromine, and 1 to 1 carbon atoms
6 ester group, carbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, aldehyde group, cyano group, trifluoromethyl group, cyano group,
A phenyl group substituted with a nitro group, a phenyl group, an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group, an electron-donating group and
Or a benzyl group substituted with an electron-withdrawing group. In the formula, W is carbon, nitrogen, nitrogen substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, oxygen, and sulfur, and X to Z are independently carbon, nitrogen, oxygen, and sulfur atoms. From the viewpoints of thermal stability and absorption wavelength similar to Ar 1 , the substituent of R 29 to R 36 is preferably a carbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, which is an electron-withdrawing group, a cyano group, or a nitro group. .

【0007】アミンイミド化合物の合成は、公知の方法
を用いることができる。例えば、Encycloped
ia of Polymer Science and
Engineering、John Wiley &
Sons Ltd.、(1985年)、第1巻、p74
0に記載されているように、対応するカルボン酸エステ
ルとハロゲン化ヒドラジン及びナトリウムアルコキサイ
ドとの反応やカルボン酸エステルとヒドラジン及びエポ
キシ化合物との反応から得ることができる。合成の簡便
性、安全性を考慮すると、対応するカルボン酸エステル
とヒドラジン及びエポキシ化合物からの合成法が特に好
ましい。合成温度、合成時間に関しては、使用する出発
物質の分解等が無ければ特に制限を受けないが、一般的
には0〜100℃の温度で30分〜7日間攪拌すること
によって目的のアミンイミド化合物を得ることができ
る。
A known method can be used for the synthesis of the amine imide compound. For example, Encycled
ia of Polymer Science and
Engineering, John Wiley &
Sons Ltd. , (1985), Volume 1, p74
0, it can be obtained from the reaction of the corresponding carboxylic acid ester with a halogenated hydrazine and sodium alkoxide, or the reaction of the carboxylic acid ester with a hydrazine and an epoxy compound. Considering the convenience and safety of the synthesis, the synthetic method from the corresponding carboxylic acid ester, hydrazine and epoxy compound is particularly preferable. The synthesis temperature and the synthesis time are not particularly limited as long as the starting materials used are not decomposed, but generally, the desired amine imide compound is obtained by stirring at a temperature of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 7 days. Obtainable.

【0008】本発明において用いるポリアミド酸として
は、特に制限無く公知のものを使用しうるが、例えば、
テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を付加重合
させて得られるものが挙げられる。
As the polyamic acid used in the present invention, known ones can be used without particular limitation.
The thing obtained by addition-polymerizing a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound is mentioned.

【0009】テトラカルボン酸二無水物としては、例え
ば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,
2,5,6-ナフタレンカルボン酸二無水物、1,2,
3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、4,4’−スルホニルジフタル酸二無水物、m-
ターフェニル-3,3”,4,4”-テトラカルボン酸二
無水物、p-ターフェニル-3,3”,4,4”-テトラ
カルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無
水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ-2,
2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二
無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4-ジカル
ボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ-2,2’-ビス[4−(2,3−
ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ-2,2’-ビ
ス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プ
ロパン二無水物が挙げられる。これらのテトラカルボン
酸二無水物は単独で又は2種以上を組合わせて使用され
る。
Examples of the tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3',
4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,
2,5,6-naphthalenecarboxylic acid dianhydride, 1,2,
3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride,
2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride,
1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-sulfonyldiphthalic dianhydride, m-
Terphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic dianhydride, p-terphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride Anhydrous, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,
2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) Propane dianhydride, 1,1,1,3
3,3-hexafluoro-2,2'-bis [4- (2,3-
Dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride,
1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2'-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride may be mentioned. These tetracarboxylic dianhydrides are used alone or in combination of two or more.

【0010】ジアミン化合物としては、例えば、p-フ
ェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p−キシ
リレンジアミン、m−キシリレンジアミン、1,5−ジ
アミノナフタレン、ベンジジン、3,3’−ジメチルベ
ンジジン、3,3’−ジメトキシベンジジン、4,4’
(又は3,4’−、3,3’−、2,4’−)-ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4’(又は3,4’−、3,
3’−、2,4’−)-ジアミノジフェニルエーテル、
4,4’(又は3,4’−、3,3’−、2,4’−)
-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’(又は3,
4’−、3,3’−、2,4’−)-ジアミノジフェニ
ルスルフィド、4,4’-ベンゾフェノンジアミン、
3,3’-ベンゾフェノンジアミン、4,4’−ジ(4
−アミノフェノキシ)フェニルスルホン、4,4’−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン、4,
4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,
4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ-2,2-ビス(4−アミノ
フェニル)プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパン、3,3−ジメチル−4,
4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’
−テトラメチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、
4,4’-ジ(3−アミノフェノキシ)フェニルスルホ
ン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、2,2’
−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−(9
−フルオレニリデン)ジアニリン等の芳香族ジアミン、
2,7−ジアミノフルオレン、2,6−ジアミノピリジ
ン、2,4−ジアミノピリジン、2,4−ジアミノピリ
ミジン、2,4−ジアミノ-s-トリアジン、2,7−ジ
アミノベンゾフラン、2,7−ジアミノカルバゾール、
3,7−ジアミノフェノチアジン、2,5−ジアミノ-
1,3,4−チアジアゾール、2,4−ジアミノ-6−
フェニル-s-トリアジン等の複素環式ジアミン、トリメ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、2,2−ジメチルプロピレンジアミン、
ジアミノポリシロキサン等の脂肪族ジアミンなどが挙げ
られる。これらのジアミン化合物は、単独で又は2種以
上を組み合わせて使用される。
Examples of the diamine compound include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, benzidine, 3,3'-dimethylbenzidine, and 3 , 3'-dimethoxybenzidine, 4,4 '
(Or 3,4'-, 3,3'-, 2,4 '-)-diaminodiphenylmethane, 4,4' (or 3,4'-, 3,
3'-, 2,4 '-)-diaminodiphenyl ether,
4,4 '(or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-)
-Diaminodiphenyl sulfone, 4,4 '(or 3,
4'-, 3,3'-, 2,4 '-)-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-benzophenone diamine,
3,3'-benzophenone diamine, 4,4'-di (4
-Aminophenoxy) phenyl sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) phenyl sulfone, 4,
4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 1,
4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-
Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,1,1,
3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,3-dimethyl-4,
4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'
-Tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane,
4,4'-di (3-aminophenoxy) phenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 2,2 '
-Bis (4-aminophenyl) propane, 4,4 '-(9
An aromatic diamine such as fluorenylidene) dianiline,
2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminopyridine, 2,4-diaminopyridine, 2,4-diaminopyrimidine, 2,4-diamino-s-triazine, 2,7-diaminobenzofuran, 2,7-diamino Carbazole,
3,7-diaminophenothiazine, 2,5-diamino-
1,3,4-thiadiazole, 2,4-diamino-6-
Heterocyclic diamines such as phenyl-s-triazine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 2,2-dimethylpropylenediamine,
Aliphatic diamines such as diaminopolysiloxane may be mentioned. These diamine compounds are used alone or in combination of two or more.

【0011】本発明の(a)アミンイミド化合物の添加量
としては、(b)ポリアミド酸の固形分100重量部に対
して、0.1〜50重量部が好ましく、1〜30重量部
がさらに好ましい。アミンイミド化合物が0.1重量部
未満では感度不足となって、イミド化を促進することが
できない。また、50重量部を超えた場合には、加熱後
にフィルム中にアミンイミドの光分解生成物が多量に残
存するため、フィルム物性が低下する傾向にある。
The amount of the (a) amine imide compound of the present invention added is preferably 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the (b) polyamic acid. . If the amount of the amine imide compound is less than 0.1 part by weight, the sensitivity becomes insufficient and the imidization cannot be promoted. On the other hand, when the amount exceeds 50 parts by weight, a large amount of the amine-imide photolysis product remains in the film after heating, so that the physical properties of the film tend to deteriorate.

【0012】本発明で用いる増感剤は、感光性樹脂組成
物に悪影響を及ぼさない限り、公知の一重項増感剤、三
重項増感剤を用いることができる。例えば、ナフタレ
ン、アントラセン、ピレン等の芳香族化合物誘導体、カ
ルバゾール誘導体、芳香族カルボニル化合物、ベンゾフ
ェノン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体
等が好適に用いられる。特にこの中でも、一重項増感剤
としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、カ
ルバゾール誘導体、三重項増感剤としては、チオキサン
トン誘導体、ベンゾフェノン誘導体が最も好ましい。例
えば、1−メチルナフタレン、2−メチルナフタレン、
1−フルオロナフタレン、1−クロロナフタレン、2−
クロロナフタレン、1−ブロモナフタレン、2−ブロモ
ナフタレン、1−ヨードナフタレン、2−ヨードナフタ
レン、1−ナフトール、2−ナフトール、1−メトキシ
ナフタレン、2−メトキシナフタレン、1,4−ジシア
ノナフタレン、アントラセン、1,2−ベンズアントラ
セン、9,10−ジクロロアントラセン、9,10−ジ
ブロモアントラセン、9,10−ジフェニルアントラセ
ン、9−シアノアントラセン、9,10−ジシアノアン
トラセン、2,6,9,10−テトラシアノアントラセ
ン、カルバゾール、9−メチルカルバゾール、9−フェ
ニルカルバゾール、9−プロペ−2−イニル−9H−カ
ルバゾール、9−プロピル−9H−カルバゾール、9−
ビニルカルバゾール、9H−カルバゾール−9−エタノ
ール、9−メチル−3−ニトロ−9H−カルバゾール、
9−メチル−3,6−ジニトロ−9H−カルバゾール、
9−オクタノイルカルバゾール、9−カルバゾールメタ
ノール、9−カルバゾールプロピオン酸、9−カルバゾ
ールプロピオニトリル、9−デシル−3,6−ジニトロ
-9H−カルバゾール、9−エチル−3,6−ジニトロ
−9H−カルバゾール、9−エチル−3−ニトロカルバ
ゾール、9−エチルカルバゾール、9−イソプロピルカ
ルバゾール、9−(エトキシカルボニルメチル)カルバ
ゾール、9−(モルホリノメチル)カルバゾール、9−ア
セチルカルバゾール、9−アリルカルバゾール、9−ベ
ンジル−9H−カルバゾール、9−カルバゾール酢酸、
9−(2−ニトロフェニル)カルバゾール、9−(4−メ
トキシフェニル)カルバゾール、9−(1−エトキシ−
2−メチル−プロピル)−9H-カルバゾール、3−ニト
ロカルバゾール、4−ヒドロキシカルバゾール、3,6
−ジニトロ−9H−カルバゾール、3,6−ジフェニル
−9H−カルバゾール、2−ヒドロキシカルバゾール、
3,6−ジアセチル−9−エチルカルバゾール、ベンゾ
フェノン、4−フェニルベンゾフェノン、4,4’-ビ
ス(ジメトキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメ
チルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチル
アミノ)ベンゾフェノン、2−ベンゾイル安息香酸メチ
ルエステル、2−メチルベンゾフェノン、3−メチルベ
ンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、3,3’−
ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、2,4,6−
トリメチルベンゾフェノン、[4−(4−メチルフェニ
ルチオ)フェニル]−フェニルメタノン、キサントン、
チオキサントン、2−クロロチオキサントン、4−クロ
ロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、
4−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチ
オキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−
クロロ−4−プロポキシチオキサントンが挙げられる。
これらは、単独で用いるほかに、複数を組み合わせて用
いても良い。増感剤の使用量は、増感剤の吸収波長及び
モル吸光係数を参考にする必要があるが、一般的にアミ
ンイミド化合物1重量部に対して0.01〜10重量部
であり、0.1〜5重量部が特に好ましい。増感剤が0.
01重量部未満になると光吸収の効率が低くなり、10
重量部を超えると感光性樹脂組成物全体に光が届かない
恐れがある。
As the sensitizer used in the present invention, known singlet sensitizers and triplet sensitizers can be used as long as they do not adversely affect the photosensitive resin composition. For example, aromatic compound derivatives such as naphthalene, anthracene, and pyrene, carbazole derivatives, aromatic carbonyl compounds, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives, and coumarin derivatives are preferably used. Of these, a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a carbazole derivative is most preferable as the singlet sensitizer, and a thioxanthone derivative and a benzophenone derivative are most preferable as the triplet sensitizer. For example, 1-methylnaphthalene, 2-methylnaphthalene,
1-fluoronaphthalene, 1-chloronaphthalene, 2-
Chloronaphthalene, 1-bromonaphthalene, 2-bromonaphthalene, 1-iodonaphthalene, 2-iodonaphthalene, 1-naphthol, 2-naphthol, 1-methoxynaphthalene, 2-methoxynaphthalene, 1,4-dicyanonaphthalene, anthracene, 1,2-benzanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 9,10-diphenylanthracene, 9-cyanoanthracene, 9,10-dicyanoanthracene, 2,6,9,10-tetracyano Anthracene, carbazole, 9-methylcarbazole, 9-phenylcarbazole, 9-prop-2-ynyl-9H-carbazole, 9-propyl-9H-carbazole, 9-
Vinylcarbazole, 9H-carbazole-9-ethanol, 9-methyl-3-nitro-9H-carbazole,
9-methyl-3,6-dinitro-9H-carbazole,
9-octanoylcarbazole, 9-carbazolemethanol, 9-carbazolepropionic acid, 9-carbazolepropionitrile, 9-decyl-3,6-dinitro
-9H-carbazole, 9-ethyl-3,6-dinitro-9H-carbazole, 9-ethyl-3-nitrocarbazole, 9-ethylcarbazole, 9-isopropylcarbazole, 9- (ethoxycarbonylmethyl) carbazole, 9- ( Morpholinomethyl) carbazole, 9-acetylcarbazole, 9-allylcarbazole, 9-benzyl-9H-carbazole, 9-carbazoleacetic acid,
9- (2-nitrophenyl) carbazole, 9- (4-methoxyphenyl) carbazole, 9- (1-ethoxy-
2-methyl-propyl) -9H-carbazole, 3-nitrocarbazole, 4-hydroxycarbazole, 3,6
-Dinitro-9H-carbazole, 3,6-diphenyl-9H-carbazole, 2-hydroxycarbazole,
3,6-Diacetyl-9-ethylcarbazole, benzophenone, 4-phenylbenzophenone, 4,4'-bis (dimethoxy) benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) Benzophenone, 2-benzoylbenzoic acid methyl ester, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 3,3'-
Dimethyl-4-methoxybenzophenone, 2,4,6-
Trimethylbenzophenone, [4- (4-methylphenylthio) phenyl] -phenylmethanone, xanthone,
Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 4-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone,
4-isopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-
Chloro-4-propoxythioxanthone may be mentioned.
These may be used alone or in combination of two or more. The amount of the sensitizer used is required to refer to the absorption wavelength and the molar extinction coefficient of the sensitizer, but it is generally 0.01 to 10 parts by weight with respect to 1 part by weight of the amine imide compound, 1 to 5 parts by weight is particularly preferred. No sensitizer.
If the amount is less than 01 parts by weight, the efficiency of light absorption becomes low and 10
If it exceeds the weight part, light may not reach the entire photosensitive resin composition.

【0013】本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ
てカップリング剤等の密着向上剤、レベリング剤、可塑
剤、有機または無機充填材などの添加剤を適宜添加して
もよい。
The photosensitive resin composition of the present invention may optionally contain additives such as an adhesion improver such as a coupling agent, a leveling agent, a plasticizer, and an organic or inorganic filler.

【0014】本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ
て有機溶剤を使用してもよい。使用できる溶剤として
は、アミンイミド化合物及びポリアミド酸に十分な溶解
性を示すものであれば、特に制限は受けない。例えば、
アセトン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、ジエ
チルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、クロロホル
ム、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−
プロパノール、1−ブタノール、t-ブタノール、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、キシレン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、N,N-ジメチルアセトア
ミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−
ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシ
ド、エチレンカーボネート、スルホラン等が挙げられ
る。これらの有機溶剤は、単独で又は2種以上を組み合
わせて用いられる。そのような有機溶剤の使用量は、特
に制限は無いが、塗工性の点から、組成物の固形分が5
〜95重量%となるような量が好ましく、10〜50重
量%となるような量がより好ましい。
The photosensitive resin composition of the present invention may use an organic solvent, if necessary. The solvent that can be used is not particularly limited as long as it has sufficient solubility in the amine imide compound and the polyamic acid. For example,
Acetone, acetonitrile, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, cyclohexanone, toluene, chloroform, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-
Propanol, 1-butanol, t-butanol, ethylene glycol monomethyl ether, xylene, tetrahydrofuran, dioxane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-
Pyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethylsulfoxide, ethylene carbonate, sulfolane and the like can be mentioned. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of such an organic solvent used is not particularly limited, but from the viewpoint of coatability, the solid content of the composition is 5%.
The amount is preferably ˜95 wt%, more preferably 10 to 50 wt%.

【0015】本発明の感光性樹脂組成物は、浸漬法、ス
プレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によってシ
リコンウェーハ、金属基板、ガラス基板、セラミック基
板等の基材上に塗布され、有機溶剤を含む場合は、それ
らの有機溶剤の大部分を加熱乾燥することにより、粘着
性のない塗膜とすることができる。この塗膜上に、パタ
ーン状あるいは全面に活性光線を照射する。照射する活
性光線としては、紫外線、遠紫外線、可視光、電子線、
X線などがある。活性光線を照射した後、80〜300
℃で5秒〜1時間加熱して、イミド化を促進させる。パ
ターン状に活性光線を照射した場合には、未照射部を適
当な現像液で溶解除去することにより、所望のレリーフ
パターンを得る。
The photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate such as a silicon wafer, a metal substrate, a glass substrate or a ceramic substrate by an immersion method, a spray method, a screen printing method, a spin coating method or the like, and an organic solvent is used. In the case where it contains, most of these organic solvents can be dried by heating to form a non-adhesive coating film. This coating film is irradiated with actinic rays in a pattern or on the entire surface. The actinic rays for irradiation include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible light, electron beams,
There are X-rays. 80-300 after irradiation with actinic rays
Heat at 5 ° C. for 5 seconds to 1 hour to accelerate imidization. When the actinic ray is irradiated in a pattern, the unirradiated portion is dissolved and removed with an appropriate developing solution to obtain a desired relief pattern.

【0016】現像液としては、特に制限はないが、例え
ば、炭酸ナトリウムやテトラメチルアンモニウムヒドロ
オキサイド(TMH)を含有した水溶液等のアルカリ水
溶液、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル―2−ピロリドン等の良溶
媒と低級アルコール、水、芳香族炭化水素等の貧溶媒と
の混合液などが用いられる。また、現像後に、イミド化
を完全にするために、100〜350℃で5分〜2時間
加熱しても良い。このようにして得られたレリーフパタ
ーンは、SiO、SiN等の無機物を用いて形成され
たパッシベーション膜をドライエッチング等により加工
することができる。
The developer is not particularly limited, but for example, an alkaline aqueous solution such as an aqueous solution containing sodium carbonate or tetramethylammonium hydroxide (TMH), N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, A mixed solution of a good solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and a poor solvent such as lower alcohol, water or aromatic hydrocarbon is used. Further, after development, in order to complete imidization, heating may be performed at 100 to 350 ° C. for 5 minutes to 2 hours. The relief pattern thus obtained can be processed by dry etching or the like on a passivation film formed using an inorganic material such as SiO 2 or SiN.

【0017】[0017]

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below based on examples, but the present invention is not limited thereto.

【0018】アミンイミドの合成1(アミンイミド1) p-ニトロ安息香酸メチルエステル(2.00g、11m
mol)、N,N−ジメチルヒドラジン(0.66g、11
mmol)、フェニルグリシジルエーテル(1.66g、
11mmol)をtert−ブタノール(15.0g)
に添加し、50℃で10時間攪拌した後、さらに室温
(25℃)で48時間攪拌したところ、白色沈殿が生成
した。これを濾別した後、酢酸エチルで2度洗浄し、真
空乾燥機で乾燥させてアミンイミド化合物を得た。収量
3.67g、収率85%、融点146−147℃であっ
た。
Synthesis of amine imide 1 (amine imide 1) p-nitrobenzoic acid methyl ester (2.00 g, 11 m
mol), N, N-dimethylhydrazine (0.66 g, 11
mmol), phenyl glycidyl ether (1.66 g,
11 mmol) to tert-butanol (15.0 g)
After stirring at 50 ° C. for 10 hours and further stirring at room temperature (25 ° C.) for 48 hours, a white precipitate was formed. This was filtered off, washed twice with ethyl acetate and dried in a vacuum drier to obtain an amine imide compound. The yield was 3.67 g, the yield was 85%, and the melting point was 146 to 147 ° C.

【0019】アミンイミドの合成2(アミンイミド2) p-シアノ安息香酸メチルエステル(2.00g、12m
mol)、N,N−ジメチルヒドラジン(0.75g、1
2mmol)、フェニルグリシジルエーテル(1.86
g、12mmol)をtert−ブタノール(10g)
に添加し、50℃で72時間攪拌した後、さらに室温で
48時間攪拌した。得られた反応溶液をロータリーエバ
ポレータでtert−ブタノールを除去した後、酢酸エ
チル10gを加えて再結晶を行って白色のアミンイミド
化合物を得た。収量2.74g、収率65%、融点14
8−149℃であった。
Synthesis of amine imide 2 (amine imide 2) p-cyanobenzoic acid methyl ester (2.00 g, 12 m
mol), N, N-dimethylhydrazine (0.75 g, 1
2 mmol), phenyl glycidyl ether (1.86
g, 12 mmol) with tert-butanol (10 g)
After stirring at 50 ° C. for 72 hours, the mixture was further stirred at room temperature for 48 hours. After removing tert-butanol from the obtained reaction solution with a rotary evaporator, 10 g of ethyl acetate was added for recrystallization to obtain a white amineimide compound. Yield 2.74 g, yield 65%, melting point 14
It was 8-149 ° C.

【0020】(実施例1)4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテルとピロメリット酸二無水物とを等モルで常法
により反応させて得られたポリアミド酸のN−メチル−
2−ピロリドン溶液10g(固形分20重量%)に、上
記合成によって得られたアミンイミド化合物1を0.0
4g配合して、感光性樹脂溶液とした。この感光性樹脂
溶液をシリコーンウェハ上に回転塗布し、ホットプレー
ト上100℃で200秒加熱し、感光性塗膜とした。乾
燥後の膜厚は10μmであった。塗膜上にフォトマスク
を介し超高圧水銀灯を光源とするミラープロジェクショ
ン露光機で366nmの照射量が3J/cmとなるよ
うに露光を行った後、ホットプレート上150℃で60
秒加熱した。このあと、1.68NのTMH(テトラメ
チルアンモニウムヒドロオキサイド)水溶液で浸漬現像
を行い、次いで純水でリンスしたところ、露光部のパタ
ーンが残存したネガ型のレリーフパターンが得られた。
(Example 1) N-methyl-polyamic acid obtained by reacting 4,4'-diaminodiphenyl ether and pyromellitic dianhydride in equimolar amounts by a conventional method
In 10 g of 2-pyrrolidone solution (solid content 20% by weight), the amine imide compound 1 obtained by the above-mentioned synthesis was added 0.0
4 g was blended to obtain a photosensitive resin solution. This photosensitive resin solution was spin-coated on a silicone wafer and heated on a hot plate at 100 ° C. for 200 seconds to form a photosensitive coating film. The film thickness after drying was 10 μm. After exposing the coating film through a photomask with a mirror projection exposure machine using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source so that the irradiation amount of 366 nm becomes 3 J / cm 2, and then at 60 ° C. at 150 ° C. on a hot plate.
Heated for a second. After that, immersion development was performed with a 1.68N TMH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution, followed by rinsing with pure water, and a negative relief pattern in which the pattern of the exposed portion remained was obtained.

【0021】(実施例2)アミンイミド化合物1の代わり
にアミンイミド化合物2を0.04g使用し、かつ増感
剤としてベンゾフェノンを0.02g使用した以外は、
実施例1と同様にパターン形成を試みたところ、露光部
のパターンが残存したネガ型のレリーフパターンが得ら
れた。
Example 2 Except that 0.04 g of amine imide 2 was used in place of amine imide 1 and 0.02 g of benzophenone was used as a sensitizer.
When pattern formation was attempted in the same manner as in Example 1, a negative relief pattern in which the pattern of the exposed portion remained was obtained.

【0022】(比較例1)アミンイミド化合物1を添加し
ない他は、実施例1と同様にパターン形成を試みたとこ
ろ、露光部、未露光部に関係なく、全て現像時に溶解
し、レリーフパターンは得られなかった。
(Comparative Example 1) A pattern formation was tried in the same manner as in Example 1 except that the amine imide compound 1 was not added. As a result, irrespective of exposed and unexposed areas, all were dissolved during development and a relief pattern was obtained. I couldn't do it.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、光照射を行うことによ
り低温でポリアミド酸のイミド化を促進し、さらに、貯
蔵安定性に優れる硬化性組成物を提供することができ
る。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, it is possible to provide a curable composition which promotes imidization of polyamic acid at low temperature by irradiation with light and is excellent in storage stability.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)活性光線の照射により塩基を発生す
るアミンイミド化合物、(b)ポリアミド酸を含有してな
る感光性樹脂組成物。
1. A photosensitive resin composition comprising (a) an amine imide compound which generates a base upon irradiation with actinic rays, and (b) a polyamic acid.
【請求項2】さらに(c)一重項または三重項増感剤を含
有してなる請求項1記載の感光性樹脂組成物。
2. The photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising (c) a singlet or triplet sensitizer.
【請求項3】(c)一重項または三重項増感剤が、ナフタ
レン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導
体、チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン誘導体の少
なくとも一つであることを特徴とする請求項2記載の感
光性樹脂組成物。
3. The photosensitive material according to claim 2, wherein the singlet or triplet sensitizer (c) is at least one of a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a carbazole derivative, a thioxanthone derivative and a benzophenone derivative. Resin composition.
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
載の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線をパタ
ーン状に照射し、50〜180℃で加熱した後、未照射
部を現像除去することを特徴とするレリーフパターンの
製造方法。
4. A coating film comprising the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 is irradiated with actinic rays in a pattern and heated at 50 to 180 ° C., and then an unirradiated portion. Is removed by development.
【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
載の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線を全面
に照射し、80〜300℃で加熱することを特徴とする
耐熱性塗膜の製造方法。
5. A heat resistance characterized in that a coating film comprising the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 is irradiated with actinic rays on the entire surface and heated at 80 to 300 ° C. For producing a transparent coating film.
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