JP2003015060A - Optical switch - Google Patents

Optical switch

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JP2003015060A
JP2003015060A JP2001195892A JP2001195892A JP2003015060A JP 2003015060 A JP2003015060 A JP 2003015060A JP 2001195892 A JP2001195892 A JP 2001195892A JP 2001195892 A JP2001195892 A JP 2001195892A JP 2003015060 A JP2003015060 A JP 2003015060A
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JP
Japan
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optical switch
magnetic field
switch according
magnetostrictive material
light
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Withdrawn
Application number
JP2001195892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruaki Takeuchi
輝明 竹内
Toshishige Shibazaki
利成 柴崎
Koichiro Wakabayashi
康一郎 若林
Norio Ota
憲雄 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical switch which has a small and simple structure and can be manufactured at a low cost. SOLUTION: This optical switch 100 is provided with an element piece 10 and a magnetic field applying part 200. The element piece 10 is provided with a magnetostriction material thin film 3 and a reflection film 4 on a base body 1 having flexibility, and the element piece 10 reflects light from an incident part 31. The magnetostriction material thin film 3 has quality that extends and contracts in a magnetizing direction, and in the element piece 10, the amount of deflection changes in accordance with the extension/contraction of the magnetostriction material thin film 3. A magnetic field applying part 200 applies a magnetic field in a different direction to the element piece 10 to change the amount of deflection of the element device 10. Since the direction of light reflected at the element device 10 changes in this way, the optical path of light from the light incident part 31 can be changed to an optical fiber 14 or 15 of an emitting part 32.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光の伝送経路を切
り替える光スイッチに関し、特に、光の反射方向を変化
させることによって光の伝送経路を切り替える光スイッ
チに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical switch for switching an optical transmission path, and more particularly to an optical switch for switching an optical transmission path by changing a light reflection direction.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信システムにおいては、光通信回線
を切り替えるために光スイッチが必要である。光スイッ
チの方式の一つとして、例えば、光路上に反射ミラーを
配置し、その角度を変化させることにより光の反射方向
を変える方式の光スイッチが知られている。かかる光ス
イッチにおいて、反射ミラーの角度を変化させる方法と
しては、例えば、静電方式、圧電方式、磁気力方式など
が知られており、磁気力方式を用いた光スイッチは、電
力を連続的に供給し続けなくても反射ミラーの角度を一
定に保持できるという点で優れている。
2. Description of the Related Art In an optical communication system, an optical switch is required to switch optical communication lines. As one of optical switch systems, for example, an optical switch is known in which a reflection mirror is arranged on the optical path and the angle of the reflection mirror is changed to change the light reflection direction. In such an optical switch, as a method of changing the angle of the reflection mirror, for example, an electrostatic method, a piezoelectric method, a magnetic force method, etc. are known, and an optical switch using the magnetic force method continuously supplies electric power. It is excellent in that the angle of the reflection mirror can be kept constant even if the supply is not continued.

【0003】従来の磁気力方式の光スイッチの一例とし
て、例えば、特開2000−162520号には、磁石
と電磁石との吸引力を利用した光スイッチが開示されて
いる。この文献に記載されている光スイッチは、磁性体
が取り付けられているミラーが3次元的に運動可能な支
持体を介して基板に取り付けられるとともに、ミラー近
傍に電磁石を設けて構成されている。かかる光スイッチ
では、電磁石を動作させて電磁石から磁界を発生させ、
ミラーに取り付けられている磁性体を磁気的な相互作用
により電磁石に引き付け、ミラーに入射したレーザを所
定の方向にスイッチングさせている。
As an example of a conventional magnetic force type optical switch, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-162520 discloses an optical switch utilizing the attractive force between a magnet and an electromagnet. The optical switch described in this document is configured such that a mirror to which a magnetic material is attached is attached to a substrate through a support that can move three-dimensionally, and an electromagnet is provided near the mirror. In such an optical switch, the electromagnet is operated to generate a magnetic field from the electromagnet,
The magnetic substance attached to the mirror is attracted to the electromagnet by magnetic interaction, and the laser incident on the mirror is switched in a predetermined direction.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
磁気力方式の光スイッチにおいては、ミラーに磁性体を
取り付けるとともに、変形可能な支持体を介してミラー
を基板に取り付ける必要があるために、部品点数が多く
なるとともに構造が複雑になり、製造工程もまた複雑化
するという問題があった。
However, in the above-mentioned magnetic force type optical switch, since it is necessary to attach a magnetic body to the mirror and attach the mirror to the substrate via a deformable support, There is a problem that the number of points increases, the structure becomes complicated, and the manufacturing process also becomes complicated.

【0005】本発明は、上記従来技術の問題を解決する
ためになされたものであり、その目的は、小型で簡易な
構造を有し、容易に製造できる新規な光スイッチを提供
することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a novel optical switch which has a small size and a simple structure and can be easily manufactured. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様に従
えば、光の伝送経路を切り替えるための光スイッチにお
いて、光入射部と;光出射部と;基体、磁歪材料からな
る薄膜及び反射膜を含む素片と;上記素片に磁界を印加
するための磁界印加手段と;を備え、上記磁界印加手段
の磁界印加による上記素片の撓みの違いを利用して光入
射部からの光を光出射部に切り替えることを特徴とする
光スイッチが提供される。
According to a first aspect of the present invention, in an optical switch for switching a light transmission path, a light incident portion, a light emitting portion, a substrate, a thin film made of a magnetostrictive material, and An element including a reflective film; and a magnetic field applying means for applying a magnetic field to the element, and utilizing the difference in bending of the element due to the magnetic field application of the magnetic field applying means, There is provided an optical switch characterized by switching light to a light emitting unit.

【0007】本発明の第1の態様の光スイッチは、基体
上に磁歪材料からなる薄膜が形成された素片を備えてお
り、かかる素片は、光路を切り替えるための素子として
機能する。素片は、例えば、薄い平板状の基体上に磁性
材料薄膜と反射膜とが形成されて構成されており、素片
の一端は支持部によって支持され、他方の端部が所定の
角度で撓んでいる。光スイッチの光入射部から入射した
光は、素片の反射膜により反射して、反射光は光出射部
に導かれる。ここで、素片を構成する磁歪材料は、所定
の方向に磁化したときに、その方向に伸びたり縮んだり
する性質を有している。磁化した方向に伸びるか縮むか
は磁歪材料の種類により異なる。磁化した方向に伸びる
性質を有する磁歪材料を用いて素片を構成した場合、素
片に対して磁界印加手段により、例えば、素片長手方向
(素片の縦方向とする)に磁界を印加すると、磁歪材料
薄膜は素片縦方向に伸びるため、基体と磁歪材料薄膜と
の間にずれ応力が発生し、素片は、磁歪材料薄膜の形成
されている側が外側になるように反り返る。すなわち、
素片のたわみ量が大きくなる。一方、素片に対して、素
片長手方向に垂直な方向、例えば、素片の表面に対して
平行で長手方向に垂直な方向(素片の横方向とする)に
磁界印加手段により磁界を印加すると、磁歪材料薄膜
は、素片縦方向への伸びが無くなって素片横方向に伸び
るため、素片長手方向に磁界を印加していた場合よりも
素片の撓み量が減少する。このように素片のたわみ量
が、素片に印加される磁界の方向に応じて変化するた
め、光入射部から素片表面に入射した光は、それぞれ違
う角度で反射される。したがって、素片の撓み量に応じ
てそれぞれ違う角度で反射した反射光が受光されるよう
に、光出射部を光スイッチ内で位置付けることにより、
光の伝達経路を切り替える光スイッチングが可能とな
る。
The optical switch according to the first aspect of the present invention includes an element in which a thin film made of a magnetostrictive material is formed on a base, and the element functions as an element for switching an optical path. The element piece is configured, for example, by forming a magnetic material thin film and a reflective film on a thin plate-shaped substrate, one end of the element piece is supported by a supporting portion, and the other end portion is bent at a predetermined angle. I'm out. The light incident from the light incident portion of the optical switch is reflected by the reflecting film of the elemental piece, and the reflected light is guided to the light emitting portion. Here, the magnetostrictive material forming the element has the property of expanding or contracting in a predetermined direction when magnetized. Whether it expands or contracts in the magnetized direction depends on the type of magnetostrictive material. When the element is composed of a magnetostrictive material having a property of extending in the magnetized direction, when a magnetic field is applied to the element by the magnetic field applying means, for example, in the element longitudinal direction (the longitudinal direction of the element). Since the magnetostrictive material thin film extends in the vertical direction of the element, a shear stress is generated between the substrate and the magnetostrictive material thin film, and the element is bent back so that the side on which the magnetostrictive material thin film is formed is the outer side. That is,
The amount of deflection of the element increases. On the other hand, a magnetic field is applied by the magnetic field applying means to the element in a direction perpendicular to the element longitudinal direction, for example, in a direction parallel to the surface of the element and perpendicular to the longitudinal direction (horizontal direction of the element). When applied, the magnetostrictive material thin film does not extend in the longitudinal direction of the element and extends in the lateral direction of the element, so that the amount of bending of the element decreases compared to the case where a magnetic field is applied in the longitudinal direction of the element. In this way, the amount of deflection of the element changes depending on the direction of the magnetic field applied to the element, so that the light incident on the element surface from the light incident portion is reflected at different angles. Therefore, by positioning the light emitting part in the optical switch so that the reflected light reflected at different angles depending on the bending amount of the element is received,
Optical switching is possible that switches the light transmission path.

【0008】磁歪材料の寸法変化量(元の長さに対する
伸びまたは縮みの長さ)は数十×10−6〜千数百×1
−6程度で極めて微小であるが、基体と磁歪材料薄膜
の厚みや材料を適当に調整することにより、素片の撓み
量が大きくなるように制御することができる。
The dimensional change of the magnetostrictive material (the length of expansion or contraction with respect to the original length) is several tens × 10 −6 to several thousand hundreds × 1.
Although it is extremely small at about 0 −6 , it is possible to control the bending amount of the element piece to be large by appropriately adjusting the thicknesses and materials of the substrate and the magnetostrictive material thin film.

【0009】本発明において、素片を構成する基体は、
可撓性を有するとともに所定の曲げ弾性を有する材料か
ら形成し得る。基体を形成する材料としては、例えば、
シリコン、酸化シリコン、ガラス、銅ニッケル合金など
を用いることができる。
In the present invention, the substrate forming the element is
It may be formed of a material that is flexible and has a predetermined bending elasticity. As a material for forming the base, for example,
Silicon, silicon oxide, glass, copper-nickel alloy, or the like can be used.

【0010】本発明において、磁歪材料は、希土類元素
と鉄族元素の合金から構成することが好ましい。かかる
磁歪材料は大きな磁歪を有するため最適である。希土類
元素としては、テルビウム(Tb)、サマリウム(S
m)、ジスプロシウム(Dy)からなる群から選ばれた
少なくとも1種を用いることができ、鉄族元素として
は、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選ばれた少
なくとも1種を用いることができる。
In the present invention, the magnetostrictive material is preferably composed of an alloy of a rare earth element and an iron group element. Such a magnetostrictive material is optimal because it has a large magnetostriction. As rare earth elements, terbium (Tb), samarium (S
m) and at least one selected from the group consisting of dysprosium (Dy) can be used, and as the iron group element, at least one selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel can be used.

【0011】素片を構成する反射膜は、基体の少なくと
も一方の表面に形成され得、磁歪材料薄膜上に形成され
ていても、磁歪材料薄膜が形成されている側とは反対側
に形成されても良い。反射膜は、基体の表面の全面に形
成されていても、光が入出射する領域にのみ部分的に形
成されていても良い。
The reflection film forming the element may be formed on at least one surface of the substrate. Even if it is formed on the magnetostrictive material thin film, it is formed on the side opposite to the side on which the magnetostrictive material thin film is formed. May be. The reflective film may be formed on the entire surface of the substrate or may be partially formed only in the region where light enters and exits.

【0012】本発明の光スイッチにおいて、磁界印加手
段は、素片に対して、2方向に磁界を印加できるように
構成し得、例えば素片の長手方向(縦方向)と長手方向
に垂直な方向(横方向)、或いは、素片の長手方向と素
片の厚み方向に磁界を印加できるように構成し得る。磁
界印加手段は、例えば、永久磁石やコイルを用いて構成
することができる。磁界印加手段としてコイルを用いる
場合は、発生させる磁界強度を大きくする目的で、鉄や
パーマロイなどの軟磁性体などから形成される磁心を備
えることが好ましい。
In the optical switch of the present invention, the magnetic field applying means may be configured to be able to apply a magnetic field to the element in two directions, for example, the longitudinal direction (vertical direction) of the element and a direction perpendicular to the longitudinal direction. The magnetic field can be applied in the direction (lateral direction) or in the longitudinal direction of the element and the thickness direction of the element. The magnetic field applying unit can be configured using, for example, a permanent magnet or a coil. When a coil is used as the magnetic field applying means, it is preferable to provide a magnetic core formed of a soft magnetic material such as iron or permalloy for the purpose of increasing the strength of the generated magnetic field.

【0013】本発明の光スイッチは、支持部によって一
端が支持された素片の他端を支持するストッパを備え得
る。かかるストッパは、磁界印加手段の印加により生じ
る素片の撓み或いは反りを制限することができる。
The optical switch of the present invention may include a stopper for supporting the other end of the element piece, one end of which is supported by the supporting portion. Such a stopper can limit the bending or warping of the element piece caused by the application of the magnetic field applying means.

【0014】本発明の光スイッチにおいて、光入射部及
び光出射部は、例えば、光ファイバを用いて形成するこ
とができ、光ファイバの光出射側または光出射側にはレ
ンズなどの光学素子を備えることができる。
In the optical switch of the present invention, the light incident portion and the light emitting portion can be formed by using, for example, an optical fiber, and an optical element such as a lens is provided on the light emitting side or the light emitting side of the optical fiber. Can be prepared.

【0015】本発明の第2の態様に従えば、光の伝送経
路を切り替えるための光スイッチにおいて、反射面を有
する磁歪材料と;光入射部及び光出射部と;上記磁歪材
料に磁界を印加する磁界印加手段と;を備えることを特
徴とする光スイッチが提供される。
According to a second aspect of the present invention, in an optical switch for switching a light transmission path, a magnetostrictive material having a reflecting surface; a light incident portion and a light emitting portion; and applying a magnetic field to the magnetostrictive material. An optical switch is provided, which comprises:

【0016】本発明の第2の態様の光スイッチは、光入
射部からの光を磁歪材料の反射面で反射させて光出射部
に導くことができる。磁歪材料として、例えば棒状の磁
歪材料を用い、棒状磁歪材料に磁界印加手段により磁界
を印加すると棒状磁歪材料は長さ方向に伸縮する。棒状
磁歪材料の先端部に、例えば、反射面を形成すれば、磁
界印加による棒状磁歪材料の伸縮に応じて反射面が変位
するので、反射面で反射した光の方向を切り替えること
ができる。したがって光スイッチングを実現することが
できる。反射面を有する磁歪材料としては、反射面をそ
の一部に有するものであれば、平板状、柱状など任意の
形状及び寸法の磁歪材料を用いることができる。
The optical switch according to the second aspect of the present invention can reflect the light from the light incident portion on the reflection surface of the magnetostrictive material and guide it to the light emitting portion. For example, a rod-shaped magnetostrictive material is used as the magnetostrictive material, and when a magnetic field is applied to the rod-shaped magnetostrictive material by the magnetic field applying means, the rod-shaped magnetostrictive material expands and contracts in the length direction. For example, if a reflecting surface is formed at the tip of the rod-shaped magnetostrictive material, the reflecting surface is displaced according to expansion and contraction of the rod-shaped magnetostrictive material due to application of a magnetic field, so that the direction of light reflected by the reflecting surface can be switched. Therefore, optical switching can be realized. As the magnetostrictive material having a reflective surface, a magnetostrictive material having an arbitrary shape and size such as a flat plate or a column can be used as long as it has a reflective surface as a part thereof.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明に従う光スイッチに
ついて具体的に説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The optical switch according to the present invention will be specifically described below, but the present invention is not limited thereto.

【0018】図1に、本発明に従う光スイッチの概略平
面図を示す。また、図2に、図1に示した光スイッチの
A−A方向の断面図を示す。図1及び2に示すように、
光スイッチ100は、素片10と、該素片10の一端を
支持する支持部19と、素片10の他端を支持して動作
を制限するストッパ11及び12と、素片10に磁界を
印加するための磁界印加部200と、外部からの光信号
が入力される光入射部31と、外部に光信号を出力する
光出射部32とを備える。光入射部31は、光ファイバ
13と、光ファイバ13の光出射側に設けられたレンズ
18から構成される。光出射部32は、光ファイバ14
とその光入射側に設けられたレンズ17、及び、光ファ
イバ15とその光入射側に設けられたレンズ16から構
成される。
FIG. 1 shows a schematic plan view of an optical switch according to the present invention. Further, FIG. 2 shows a cross-sectional view of the optical switch shown in FIG. 1 in the AA direction. As shown in FIGS. 1 and 2,
The optical switch 100 includes an element piece 10, a support portion 19 that supports one end of the element piece 10, stoppers 11 and 12 that supports the other end of the element piece 10 to limit the operation, and a magnetic field to the element piece 10. A magnetic field applying unit 200 for applying, a light incident unit 31 to which an optical signal from the outside is input, and a light emitting unit 32 to output the optical signal to the outside are provided. The light incident part 31 includes the optical fiber 13 and the lens 18 provided on the light emitting side of the optical fiber 13. The light emitting portion 32 is provided with the optical fiber 14
And a lens 17 provided on the light incident side, and an optical fiber 15 and a lens 16 provided on the light incident side.

【0019】図3に素片10の概略断面図を示した。図
3に示すように、素片10は、基板1上に、下地膜2、
磁歪材料薄膜3及び反射膜4を備えた構造を有する。基
板1は、磁歪材料薄膜3の磁化方向による撓みを大きく
する必要性があることから、十分に薄いことが望まれ
る。このため、シリコン基板の表面を熱酸化して所望の
厚さの酸化層を形成し、裏面から水酸化カリウム溶液で
エッチングして薄い基板を形成した。こうして縦1.0
cm、横0.5cm、厚さ2μmの平板状のSiO
板を作製した。ここでは基板1としてSiOを用いた
が、弾性を有する金属箔を用いることもできる。
FIG. 3 shows a schematic sectional view of the element 10. As shown in FIG. 3, the element 10 includes a base film 2, a base film 2,
It has a structure including a magnetostrictive material thin film 3 and a reflective film 4. The substrate 1 is required to be sufficiently thin because it is necessary to increase the bending of the magnetostrictive material thin film 3 depending on the magnetization direction. Therefore, the surface of the silicon substrate was thermally oxidized to form an oxide layer having a desired thickness, and the back surface was etched with a potassium hydroxide solution to form a thin substrate. Vertical 1.0
A flat SiO 2 substrate having a size of 0.5 cm, a width of 0.5 cm, and a thickness of 2 μm was produced. Although SiO 2 is used as the substrate 1 here, a metal foil having elasticity can also be used.

【0020】つぎに、かかる基板1上に、スパッタ法を
用いて、下地膜2、磁歪材料薄膜3、反射膜4を順に形
成した。まず、基板1上に、下地膜2としてチタンを膜
厚10nmにて成膜した。次いで、下地膜2上に、磁歪
材料薄膜3としてテルビウム−鉄非晶質合金を膜厚2μ
mにて成膜した。ここでは、磁歪材料としてテルビウム
−鉄非晶質合金を用いたが、結晶質のテルビウム−鉄合
金、テルビウム−ジスプロシウム−鉄合金などを用いる
こともできる。つぎに、磁歪材料薄膜3上に反射膜4と
してアルミニウムを膜厚50nmにて成膜した。ここで
は、反射膜4を形成する材料としてアルミニウムを用い
たが、金、白金などの金属材料を用いることができ、反
射膜4として誘電体多層膜を用いることもできる。
Next, a base film 2, a magnetostrictive material thin film 3 and a reflective film 4 were sequentially formed on the substrate 1 by a sputtering method. First, titanium was formed as a base film 2 on the substrate 1 to a film thickness of 10 nm. Then, a terbium-iron amorphous alloy as a magnetostrictive material thin film 3 having a film thickness of 2 μm is formed on the base film 2.
The film was formed at m. Although a terbium-iron amorphous alloy is used as the magnetostrictive material here, a crystalline terbium-iron alloy, a terbium-dysprosium-iron alloy, or the like can also be used. Next, aluminum was formed into a film having a thickness of 50 nm as the reflective film 4 on the magnetostrictive material thin film 3. Although aluminum is used as the material for forming the reflective film 4 here, a metal material such as gold or platinum can be used, and a dielectric multilayer film can be used as the reflective film 4.

【0021】磁界印加部200は、Xコイル22及び2
3、Yコイル24及び25、並びに磁心21から構成さ
れる。磁心21は、素片10の四辺を取り囲むような四
角形(額縁状)の金属製の枠であり、Mn−Znフェラ
イトで形成されている。ここでは、磁心21を形成する
材料として酸化物材料を用いたが、鉄やパーマロイ、鉄
コバルト合金などの軟磁性材料を用いることができる。
磁心21の横軸部21c及び21dは、それぞれ、Xコ
イル22及び23の磁心として機能し、磁心21の縦軸
部21a及び21bが、それぞれ、Yコイル24及び2
5の磁心として機能する。磁心21の横軸部21c及び
21dの左部同士と右部同士が同じ極性になるように、
Xコイル22及び23にそれぞれ電流が供給される。こ
れにより、Xコイル22及び23によって挟まれた素片
10には、図2中、X方向の磁界Hxが印加される。ま
た、磁心21の縦軸部21c及び21dの上部同士、下
部同士が同じ極性になるように、Yコイル24及び25
にそれぞれ電流を流すことにより、Yコイル24及び2
5によって挟まれた素片10に、図2中、Y方向の磁界
Hyを印加することができる。
The magnetic field applying section 200 includes X coils 22 and 2
3, Y coils 24 and 25, and the magnetic core 21. The magnetic core 21 is a rectangular (frame-shaped) metal frame that surrounds the four sides of the element 10 and is made of Mn-Zn ferrite. Here, an oxide material is used as the material for forming the magnetic core 21, but a soft magnetic material such as iron, permalloy, or an iron-cobalt alloy can be used.
The horizontal axis portions 21c and 21d of the magnetic core 21 function as the magnetic cores of the X coils 22 and 23, respectively, and the vertical axis portions 21a and 21b of the magnetic core 21 respectively correspond to the Y coils 24 and 2.
5 functions as a magnetic core. In order for the left and right portions of the horizontal axis portions 21c and 21d of the magnetic core 21 to have the same polarity,
A current is supplied to each of the X coils 22 and 23. As a result, the magnetic field Hx in the X direction in FIG. 2 is applied to the element piece 10 sandwiched by the X coils 22 and 23. Further, the Y coils 24 and 25 are arranged so that the upper portions and the lower portions of the vertical axis portions 21c and 21d of the magnetic core 21 have the same polarity.
By applying current to each of the Y coils 24 and 2
A magnetic field Hy in the Y direction in FIG. 2 can be applied to the element 10 sandwiched by the elements 5.

【0022】つぎに、光スイッチ100の動作について
説明する。まず、磁界印加部200のXコイル22及び
23に電流を流して素片10に長手方向の磁界Hxを印
加する。磁界Hxの磁界強度は、例えば、100〔O
e〕〜500〔Oe〕程度にすることができる。これに
より、素片10の磁歪材料薄膜3は長手方向に伸張する
ため、素片10は図1において下方に撓む。このとき、
素片10の他端はストッパ12と接触して支持され、素
片10の撓みが制限される。このとき、光入射部31の
光ファイバ13から出射された光はレンズ18を通って
素片10に入射し、素片10の反射膜4で所定の角度で
反射された後、光出射部32のレンズ16を通って光フ
ァイバ15に入射される。ここで、Xコイル22及び2
3への電流の供給を停止して磁界印加部200から発生
させる磁界Hxを零にしても、素片10の磁歪材料薄膜
3の保磁力により磁歪材料薄膜3は磁化したままである
ため、素片10の撓み量は一定に保持される。それゆ
え、光ファイバ13から出射した光は常に光ファイバ1
5に入射される。
Next, the operation of the optical switch 100 will be described. First, a current is applied to the X coils 22 and 23 of the magnetic field applying unit 200 to apply a longitudinal magnetic field Hx to the element 10. The magnetic field strength of the magnetic field Hx is, for example, 100 [O
e] to 500 [Oe]. As a result, the magnetostrictive material thin film 3 of the element 10 expands in the longitudinal direction, so that the element 10 bends downward in FIG. At this time,
The other end of the element piece 10 is supported in contact with the stopper 12, and the bending of the element piece 10 is limited. At this time, the light emitted from the optical fiber 13 of the light incident part 31 enters the element 10 through the lens 18, is reflected by the reflection film 4 of the element 10 at a predetermined angle, and then the light emission part 32. It is incident on the optical fiber 15 through the lens 16. Here, the X coils 22 and 2
Even if the magnetic field Hx generated from the magnetic field applying unit 200 is stopped by stopping the supply of the current to the magnetostrictive material thin film 3, the magnetostrictive material thin film 3 remains magnetized due to the coercive force of the magnetostrictive material thin film 3 of the element 10. The bending amount of the piece 10 is kept constant. Therefore, the light emitted from the optical fiber 13 is always
It is incident on 5.

【0023】次いで、磁界印加部200のXコイル22
及び23への電流の供給を停止した状態で、Yコイル2
4及び25にそれぞれ電流を流して、素片10に磁界H
yを印加する。かかる磁界Hyの印加により、素片10
の磁歪材料薄膜3においては長手方向(Hxの方向)の
伸張が無くなるため、図1において、素片10の撓み量
は減少し、素片10は図1の破線で示した位置に変位す
る。このとき素片10の他端がストッパ11と接触して
支持される。このとき、光入射部31の光ファイバ13
から出射された光はレンズ18を通って素片10に入射
し、素片10の反射膜4で所定の角度で反射された後、
破線で示した光路を経て光出射部32のレンズ17を通
って光ファイバ14に入射される。ここで、Yコイル2
4及び25に供給する電流を停止して磁界印加部200
から発生させる磁界Hyを零としても、素片10の磁歪
材料薄膜3の保磁力により磁歪材料薄膜3は磁化したま
まであるので素片10の撓み量は一定に保持される。こ
のため、光入射部31の光ファイバ13から出射した光
は、常に光出射部32の光ファイバ14に入射される。
Next, the X coil 22 of the magnetic field applying section 200.
Y coil 2 in a state where the supply of the electric current to and 23 is stopped.
An electric current is applied to each of 4 and 25, and a magnetic field H is applied to the element 10.
Apply y. By applying such a magnetic field Hy, the element 10
In the magnetostrictive material thin film 3 of No., extension in the longitudinal direction (direction of Hx) is eliminated, so that the bending amount of the element piece 10 in FIG. 1 is reduced, and the element piece 10 is displaced to the position shown by the broken line in FIG. At this time, the other end of the piece 10 comes into contact with and is supported by the stopper 11. At this time, the optical fiber 13 of the light incident part 31
The light emitted from passes through the lens 18 and enters the element 10 and is reflected by the reflection film 4 of the element 10 at a predetermined angle.
The light enters the optical fiber 14 through the lens 17 of the light emitting portion 32 through the optical path indicated by the broken line. Here, Y coil 2
The magnetic field applying section 200 is stopped by stopping the current supplied to 4 and 25.
Since the magnetostrictive material thin film 3 remains magnetized by the coercive force of the magnetostrictive material thin film 3 of the element 10 even if the magnetic field Hy generated from the element 10 is zero, the amount of bending of the element 10 is kept constant. Therefore, the light emitted from the optical fiber 13 of the light incident portion 31 is always incident on the optical fiber 14 of the light emitting portion 32.

【0024】このように、光スイッチ100は、磁界印
加部200のXコイル22及び23とYコイル24及び
25に供給する電流を切り替えることにより、素片10
の撓み量を変化させて、光入射部31の光ファイバ13
からの光を、光出射部32の光ファイバ14または光フ
ァイバ15の存在する方向に反射させることが可能であ
るため、光伝送経路のスイッチングが実現できる。ま
た、光スイッチ100のXコイル22、23及びYコイ
ル24、25に流す電流は、素片10の状態を切り替え
るとき、すなわち光伝送経路を切り替えるときのみでよ
く、素片10の状態を保持するためにXコイル22、2
3またはYコイル24、25に電流を流し続ける必要は
ない。
As described above, the optical switch 100 switches the electric currents supplied to the X coils 22 and 23 and the Y coils 24 and 25 of the magnetic field applying section 200, whereby the element 10
Of the optical fiber 13 of the light incident part 31 by changing the bending amount of the
Since the light from can be reflected in the direction in which the optical fiber 14 or the optical fiber 15 of the light emitting portion 32 exists, switching of the optical transmission path can be realized. Further, the currents to be passed through the X coils 22 and 23 and the Y coils 24 and 25 of the optical switch 100 are required only when switching the state of the element 10, that is, when switching the optical transmission path, and retain the state of the element 10. For X coil 22, 2
It is not necessary to keep the current flowing through the 3 or Y coils 24, 25.

【0025】以上、本発明の光スイッチについて実施の
形態により具体的に説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、種々の変形及び改良を含み得る。例
えば、上記実施の形態では、図2示すように、素片10
に対する印加磁界の方向をX方向とY方向に切り替える
ことによって素片の撓み量を制御したが、例えば、X方
向と素片10の厚み方向(紙面に対して垂直な方向)に
印加磁界の方向を切り替えて素片の状態を制御すること
もできる。素片の厚み方向に磁界を印加するには、例え
ば、図1において、素片の10の上下に電磁コイルや永
久磁石を配置させればよい。或いは、磁心としての金属
製の枠を、該枠を含む平面と素片表面とが互いに垂直に
なるように配置してもよい。また、磁界印加部200
は、素片10に対してX方向の磁界Hxを発生させるた
めに、Xコイル22とXコイル23の2つのコイルを用
いたが、Xコイル22と23のどちらか一方のコイルを
用いて素片10にX方向の磁界を印加することもでき
る。この場合は、磁心21の縦軸部21a及び21bの
それぞれの中間部分にギャップを形成すればよい。これ
により、磁心21の縦軸部21aのギャップ部分から縦
軸部21bのギャップ部分に向かって磁界が発生するた
め、縦軸部21aのギャップ部分と縦軸部21bのギャ
ップ部分との間に位置する素片10にX方向の磁界を印
加することができる。また、素片10に対してY方向の
磁界Hyを発生させる場合も同様に、Yコイル24とX
コイル25の2つのコイルを用いずにどちらか一方のコ
イルを用いて素片10にY方向の磁界を印加することも
できる。この場合は、磁心21の横軸部21c及び21
dのそれぞれの中間部分にギャップを形成すればよい。
これにより、磁心21の横軸部21cのギャップ部分か
ら横軸部21dのギャップ部分に向かって磁界が発生す
るため、それらの間に位置する素片10にY方向の磁界
を印加できる。
Although the optical switch of the present invention has been specifically described above with reference to the embodiments, the present invention is not limited to this and may include various modifications and improvements. For example, in the above embodiment, as shown in FIG.
The deflection amount of the element is controlled by switching the direction of the applied magnetic field with respect to the X direction and the Y direction. For example, the direction of the applied magnetic field is in the X direction and the thickness direction of the element 10 (direction perpendicular to the paper surface). Can also be switched to control the state of the element. In order to apply a magnetic field in the thickness direction of the element piece, for example, in FIG. 1, electromagnetic coils and permanent magnets may be arranged above and below the element piece 10. Alternatively, a metal frame as a magnetic core may be arranged so that the plane including the frame and the surface of the element are perpendicular to each other. In addition, the magnetic field applying unit 200
Used two coils, the X coil 22 and the X coil 23, in order to generate the magnetic field Hx in the X direction with respect to the element 10, but using either one of the X coils 22 and 23, It is also possible to apply a magnetic field in the X direction to the piece 10. In this case, a gap may be formed in the intermediate portion of each of the vertical axis portions 21a and 21b of the magnetic core 21. As a result, a magnetic field is generated from the gap portion of the vertical axis portion 21a of the magnetic core 21 toward the gap portion of the vertical axis portion 21b, so that the magnetic field is located between the gap portion of the vertical axis portion 21a and the gap portion of the vertical axis portion 21b. A magnetic field in the X direction can be applied to the element 10 that operates. Similarly, when the magnetic field Hy in the Y direction is generated with respect to the element 10, the Y coil 24 and the X
It is also possible to apply a magnetic field in the Y direction to the element piece 10 by using either one of the coils of the coils 25 instead of using the two coils. In this case, the horizontal axis portions 21c and 21 of the magnetic core 21 are
A gap may be formed in each intermediate portion of d.
As a result, a magnetic field is generated from the gap portion of the horizontal shaft portion 21c of the magnetic core 21 toward the gap portion of the horizontal shaft portion 21d, so that the magnetic field in the Y direction can be applied to the element 10 located between them.

【0026】また、図1に示した光スイッチでは、素片
10を、基板1に対して、光入出射する側に磁歪材料薄
膜3を形成して構成したが、光入出射する側とは反対の
側に磁歪材料薄膜3を形成して素片10を構成すること
もできる。また、図1に示した光スイッチ100では、
光入射部31と光出射部32を上部に位置付けて構成し
たが、下部に位置付けることもできる。この場合は、素
片10の反射膜4を基板1の裏面に形成して素片10の
裏面で光を反射させるようにすればよい。
Further, in the optical switch shown in FIG. 1, the element piece 10 is constructed by forming the magnetostrictive material thin film 3 on the light input / output side with respect to the substrate 1. The element 10 can be formed by forming the magnetostrictive material thin film 3 on the opposite side. In addition, in the optical switch 100 shown in FIG.
Although the light incident portion 31 and the light emitting portion 32 are positioned on the upper side, they may be positioned on the lower side. In this case, the reflection film 4 of the element 10 may be formed on the back surface of the substrate 1 so that the back surface of the element 10 reflects light.

【0027】更に、本発明に従う光スイッチとして、図
1に示した光スイッチの代わりに、例えば、図4に示す
ような、上面に反射膜49を有する円柱状の磁歪材料4
3と、その周囲に巻設されたコイル47と、光入射部4
1と、光出射部42とを備える光スイッチ300を作製
することもできる。図4に示した光スイッチ300のコ
イル47に電流を流すことにより、円柱状の磁歪材料4
3に長さ方向の磁界が印加され、円柱状の磁歪材料43
は破線で示したように長さ方向に伸びる。これより、光
入射部41からの光は円柱状磁歪材料43の上面の反射
膜49で反射して光ファイバ45に入射する。円柱状磁
歪材料43を消磁することにより円柱状磁歪材料43の
磁化が無くなり、円柱状磁歪材料43は実線で示した位
置に縮む。このとき、光入射部41からの光は、円柱状
磁歪材料43の上面の反射膜49で反射して光出射部4
2の光ファイバ46に入射する。このように、図4に示
す光スイッチ300もまた、図1に示した光スイッチと
同様に、光入射部41からの光を光出射部42の光ファ
イバ45と光ファイバ46にそれぞれ切り替えることが
でき、光伝達経路のスイッチングが可能である。ここで
は磁歪材料として円柱状の磁歪材料を用いたが、角柱状
の磁歪材料を用いることもできる。
Further, as the optical switch according to the present invention, instead of the optical switch shown in FIG. 1, for example, a cylindrical magnetostrictive material 4 having a reflective film 49 on the upper surface as shown in FIG. 4 is used.
3, the coil 47 wound around it, and the light incident part 4
It is also possible to fabricate the optical switch 300 including the light emitting section 42 and the light emitting section 42. By passing a current through the coil 47 of the optical switch 300 shown in FIG.
3 is applied with a magnetic field in the length direction, and the columnar magnetostrictive material 43
Extends in the longitudinal direction as indicated by the broken line. As a result, the light from the light incident portion 41 is reflected by the reflection film 49 on the upper surface of the cylindrical magnetostrictive material 43 and enters the optical fiber 45. By demagnetizing the cylindrical magnetostrictive material 43, the magnetization of the cylindrical magnetostrictive material 43 disappears, and the cylindrical magnetostrictive material 43 contracts to the position shown by the solid line. At this time, the light from the light incident portion 41 is reflected by the reflection film 49 on the upper surface of the cylindrical magnetostrictive material 43 to be reflected by the light emitting portion 4.
It is incident on the second optical fiber 46. As described above, the optical switch 300 shown in FIG. 4 can also switch the light from the light incident portion 41 to the optical fiber 45 and the optical fiber 46 of the light emitting portion 42, similarly to the optical switch shown in FIG. Therefore, the light transmission path can be switched. Although a cylindrical magnetostrictive material is used here as the magnetostrictive material, a prismatic magnetostrictive material can also be used.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の光スイッチは、極めて簡単な構
成で光伝送経路のスイッチングを実現することができ
る。また、光スイッチを製造する際の製造工程を簡略に
することができるため、安価な光スイッチを提供するこ
とができる。
The optical switch of the present invention can realize switching of an optical transmission path with an extremely simple structure. Further, since the manufacturing process when manufacturing the optical switch can be simplified, an inexpensive optical switch can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に従う光スイッチの概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of an optical switch according to the present invention.

【図2】図1に示した光スイッチをA―Aによる断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of the optical switch shown in FIG.

【図3】本発明に従う光スイッチに用いられる素片の概
略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a piece used in the optical switch according to the present invention.

【図4】本発明に従う円柱状磁歪材料の伸縮を利用した
光スイッチの概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram of an optical switch utilizing expansion and contraction of a cylindrical magnetostrictive material according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下地膜 3 磁歪材料薄膜 4 反射膜 10 素片 11、12 ストッパ 13、14、15 光ファイバ 16、17、18 レンズ 19 支持部 21 磁心 22、23 Xコイル 24、25 Yコイル 31 光入射部 32 光出射部 200 磁界印加部 1 substrate 2 Underlayer film 3 Magnetostrictive material thin film 4 Reflective film 10 pieces 11, 12 stopper 13, 14, 15 optical fiber 16, 17, 18 lens 19 Support 21 magnetic core 22, 23 X coil 24, 25 Y coil 31 Light incident part 32 Light emitting part 200 Magnetic field application section

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 康一郎 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 太田 憲雄 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 Fターム(参考) 2H041 AA12 AB14 AC05 AZ02 AZ06 AZ08    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Koichiro Wakabayashi             Hitachima, 1-88, Torora, Ibaraki City, Osaka Prefecture             Within Kucsel Co., Ltd. (72) Inventor Norio Ota             Hitachima, 1-88, Torora, Ibaraki City, Osaka Prefecture             Within Kucsel Co., Ltd. F term (reference) 2H041 AA12 AB14 AC05 AZ02 AZ06                       AZ08

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光の伝送経路を切り替えるための光スイ
ッチにおいて、光入射部と;光出射部と;基体、磁歪材
料からなる薄膜及び反射膜を含む素片と;上記素片に磁
界を印加するための磁界印加手段と;を備え、 上記磁界印加手段の磁界印加による上記素片の撓みの違
いを利用して光入射部からの光を光出射部に切り替える
ことを特徴とする光スイッチ。
1. An optical switch for switching a light transmission path; a light incident part; a light emitting part; a base, an element including a thin film made of a magnetostrictive material and a reflection film; and a magnetic field applied to the element. An optical switch for switching the light from the light incident part to the light emitting part by utilizing the difference in the bending of the element piece due to the magnetic field applied by the magnetic field applying means.
【請求項2】 上記反射膜は、上記基体の少なくとも一
方の面に形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の光スイッチ。
2. The optical switch according to claim 1, wherein the reflective film is formed on at least one surface of the base.
【請求項3】 更に、上記素片の一端を支持するための
支持部材と、上記素片の他端を係止するストッパとを備
える請求項1または2に記載の光スイッチ。
3. The optical switch according to claim 1, further comprising a support member for supporting one end of the element piece, and a stopper for locking the other end of the element piece.
【請求項4】 上記磁歪薄膜が、希土類元素と鉄族元素
とからなる合金を用いて形成されることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか一項に記載の光スイッチ。
4. The optical switch according to claim 1, wherein the magnetostrictive thin film is formed by using an alloy composed of a rare earth element and an iron group element.
【請求項5】 上記希土類金属元素が、テルビウム、ジ
スプロシウム及びサマリウムからなる群から選択された
少なくとも1種の元素であり、上記鉄族元素が、鉄、コ
バルト及びニッケルからなる群から選択された少なくと
も1種の元素であることを特徴とする請求項4に記載の
光スイッチ。
5. The rare earth metal element is at least one element selected from the group consisting of terbium, dysprosium, and samarium, and the iron group element is at least selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel. The optical switch according to claim 4, wherein the optical switch is one kind of element.
【請求項6】 上記磁界印加手段は、上記素片の長手方
向及び素片表面に垂直な方向に磁界を発生することを特
徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光スイッ
チ。
6. The optical switch according to claim 1, wherein the magnetic field applying unit generates a magnetic field in a longitudinal direction of the element and a direction perpendicular to the surface of the element. .
【請求項7】 上記磁界印加手段は、上記素片の面内に
おいて長手方向及び長手方向に垂直な方向に磁界を発生
することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記
載の光スイッチ。
7. The magnetic field applying means generates a magnetic field in the longitudinal direction and in a direction perpendicular to the longitudinal direction within the plane of the elemental piece, according to claim 1. Optical switch.
【請求項8】 上記磁界印加手段はコイルであることを
特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の光スイ
ッチ。
8. The optical switch according to claim 1, wherein the magnetic field applying unit is a coil.
【請求項9】 上記コイルは軟磁性体の磁心を有するこ
とを特徴とする請求項8に記載の光スイッチ。
9. The optical switch according to claim 8, wherein the coil has a soft magnetic core.
【請求項10】 上記素片は四角形状の平面構造を有す
る平板であり、上記磁心は、上記素片の四辺を取り囲む
ように配置された四角形状の枠部材であり、該枠部材の
各辺にそれぞれコイルが巻きつけられていることを特徴
とする請求項9に記載の光スイッチ。
10. The element is a flat plate having a quadrangular planar structure, and the magnetic core is a quadrangular frame member arranged so as to surround four sides of the element, and each side of the frame member. The optical switch according to claim 9, wherein a coil is wound around each.
【請求項11】 上記光入射部及び光出射部は、光ファ
イバを有することを特徴とする請求項1〜10のいずれ
か一項に記載の光スイッチ。
11. The optical switch according to claim 1, wherein the light incident portion and the light emitting portion have optical fibers.
【請求項12】 光の伝送経路を切り替えるための光ス
イッチにおいて、 反射面を有する磁歪材料と;光入射部及び光出射部と;
上記磁歪材料に磁界を印加する磁界印加手段と;を備え
ることを特徴とする光スイッチ。
12. An optical switch for switching a light transmission path; a magnetostrictive material having a reflecting surface; a light incident portion and a light emitting portion;
A magnetic field applying means for applying a magnetic field to the magnetostrictive material;
【請求項13】 上記磁歪材料が、希土類元素と鉄族元
素とから構成された合金であることを特徴とする請求項
12に記載の光スイッチ。
13. The optical switch according to claim 12, wherein the magnetostrictive material is an alloy composed of a rare earth element and an iron group element.
【請求項14】 上記希土類金属元素が、テルビウム、
ジスプロシウム及びサマリウムからなる群から選択され
た少なくとも1種の元素であり、上記鉄族元素が、鉄、
コバルト及びニッケルからなる群から選択された少なく
とも1種の元素であることを特徴とする請求項13に記
載の光スイッチ。
14. The rare earth metal element is terbium,
At least one element selected from the group consisting of dysprosium and samarium, wherein the iron group element is iron,
The optical switch according to claim 13, wherein the optical switch is at least one element selected from the group consisting of cobalt and nickel.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007145025A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical element and optical device

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