JP2003007657A - Mirror-surface polisher for wafer notch, and mirror- surface polishing method - Google Patents

Mirror-surface polisher for wafer notch, and mirror- surface polishing method

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JP2003007657A
JP2003007657A JP2001183988A JP2001183988A JP2003007657A JP 2003007657 A JP2003007657 A JP 2003007657A JP 2001183988 A JP2001183988 A JP 2001183988A JP 2001183988 A JP2001183988 A JP 2001183988A JP 2003007657 A JP2003007657 A JP 2003007657A
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Japan
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notch
wafer
polishing
spindle
mirror
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JP2001183988A
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Shunji Hakomori
駿二 箱守
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SpeedFam Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve contact of a polishing disc with a wafer notch for improving efficiency of the mirror-surface polishing for the wafer notch; and to solve the problem of the offset of the disc from the notch, increasing with the diametrical increase of a semiconductor wafer to deteriorate the contact of the disc, result in an inefficient mirror surface polishing of the notch. SOLUTION: A wafer shuck table 31 is tiltable at an angle position for polishing the notch end faces and a notch bevel face. In polishing, a main shaft base unit 2 is energized for pushing a polishing disc dkc or dkb into the notch at adequate polishing pressure. In parallel thereto, the base unit 2 is moved reciprocatively in the notch, to improve the contact of the disc with the notch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハに形
成されたノッチを鏡面研磨するための方法及びそのため
の装置に関し、特に、鏡面研磨装置における研磨ディス
クとノッチとの最初の整合が不十分な場合でも、ノッチ
の全面を偏りなく鏡面研磨することができる研磨方法あ
るいは鏡面研磨装置を提供することを課題とする。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus therefor for mirror-polishing a notch formed in a semiconductor wafer, and in particular, the initial alignment between the polishing disk and the notch in the mirror-polishing apparatus is insufficient. Even in such a case, it is an object to provide a polishing method or a mirror polishing apparatus capable of mirror polishing the entire surface of the notch evenly.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置は、半導体ウェハを半導体製
造システム内の多数のステーション間を順次搬送しなが
ら、それぞれのステーションで必要な処理を行うことに
よって製造される。
2. Description of the Related Art A semiconductor device is manufactured by sequentially carrying a semiconductor wafer between a number of stations in a semiconductor manufacturing system and performing necessary processing at each station.

【0003】各ステーションでは、多くの場合、それぞ
れにおける処理に当たって、半導体ウェハをそれぞれの
装置内で所定の位置と方向をとるように固定しなければ
ならない。このため、半導体ウェハには従来はオリエン
テーションフラットと呼ばれる直線状の切り欠きを付
け、この線を基準に位置決めと方向付けを行っていた。
近年では、オリエンテーションフラットが高価な半導体
ウェハの有効利用できる面積を減らすことから、少ない
面積で済むように小さいV字形のノッチを付けるように
なってきた。
At each station, in many cases, the semiconductor wafer must be fixed so as to take a predetermined position and direction in each apparatus in each processing. For this reason, conventionally, a linear notch called an orientation flat is formed on a semiconductor wafer, and positioning and orientation are performed based on this line.
In recent years, since the orientation flat reduces the effective usable area of an expensive semiconductor wafer, a small V-shaped notch has been added to reduce the area.

【0004】図1はこのノッチを付けた半導体ウェハの
外観を示すものであって、(a)はその平面図、(b)
はその部分断面図である。又、図2はノッチ近傍を拡大
して示す斜視図である。Wは半導体ウェハ、Spはパタ
ーン形成面、Nは上記ノッチを示している。半導体ウェ
ハWは材料の性質上非常に欠けやすい。このため、製造
過程において欠けが生じるのを防ぐため、あるいは他の
理由により、半導体ウェハの全周囲を研削によって斜め
に落としベベル面Sbが形成される。研削したままの面
は、ここで説明しない理由から塵埃発生の原因となって
半導体製造上の歩留まりを低下させるため、外周面Sc
とともに鏡面に研磨される。この鏡面研磨はノッチNの
ベベル面(ノッチベベル面Sbn)及びウェハの中心軸
Wcに平行な面(ノッチ端面Scn)に対しても行われ
る。
FIG. 1 shows the appearance of a semiconductor wafer having this notch, in which (a) is its plan view and (b) is its plan view.
Is a partial cross-sectional view thereof. FIG. 2 is an enlarged perspective view showing the vicinity of the notch. W is a semiconductor wafer, Sp is a pattern formation surface, and N is the notch. The semiconductor wafer W is apt to be chipped due to the nature of the material. Therefore, in order to prevent chipping from occurring in the manufacturing process or for other reasons, the entire periphery of the semiconductor wafer is obliquely dropped by grinding to form the bevel surface Sb. The as-ground surface causes dust generation for a reason not described here and reduces the yield in semiconductor manufacturing.
Along with it, it is polished to a mirror surface. This mirror polishing is also performed on the bevel surface of the notch N (notch bevel surface Sbn) and the surface parallel to the central axis Wc of the wafer (notch end surface Scn).

【0005】図3は、半導体製造システム内における鏡
面研磨装置PMとその周辺の概要を示す説明図である。
半導体ウェハWは上流(図3左)から搬送され、位置決
めユニットOU上におかれる。半導体ウェハWが鏡面研
磨装置PM上に所定の位置と所定の方向をもって装填さ
れるように、位置決めユニットOUでは置かれた半導体
ウェハWの位置と方向が事前に調整される。位置と方向
が調整された半導体ウェハWは搬送ロボットTRによっ
て鏡面研磨装置PMに装填される。鏡面研磨装置PMで
鏡面研磨を終えた半導体ウェハWは、再び搬送ロボット
TRによって次工程へ搬送される。
FIG. 3 is an explanatory view showing an outline of the mirror polishing apparatus PM and its periphery in the semiconductor manufacturing system.
The semiconductor wafer W is transferred from the upstream (left side in FIG. 3) and placed on the positioning unit OU. In the positioning unit OU, the position and direction of the placed semiconductor wafer W are adjusted in advance so that the semiconductor wafer W is loaded on the mirror polishing apparatus PM at a predetermined position and a predetermined direction. The semiconductor wafer W whose position and direction have been adjusted is loaded into the mirror polishing apparatus PM by the transfer robot TR. The semiconductor wafer W that has been mirror-polished by the mirror-polishing apparatus PM is transported again to the next step by the transport robot TR.

【0006】上述したような半導体ウェハの鏡面研磨装
置の例は、特許第2798345号、特許第27983
47号あるいは特開2000−317790号公報に見
ることができ、円板状又は円環状の研磨ディスクを半導
体ウェハWのノッチに当接し、半導体ウェハWをその中
心軸周りに回転脈動又は円周方向に揺動させてノッチ部
を研磨している。ところが、上記位置決めユニットOU
において調整された位置及び方向は充分に正確なものと
は言えず、更に、搬送ロボットTRを介してこれを搬送
することから、これに搬送の誤差も加わるため、鏡面研
磨装置PMに装填されたときには、半導体ウェハWが所
定の位置及び方向からずれることを避けられなかった。
Examples of the semiconductor wafer mirror polishing apparatus as described above are disclosed in Japanese Patent Nos. 2798345 and 27983.
47 or Japanese Patent Laid-Open No. 2000-317790, a disk-shaped or annular polishing disk is brought into contact with a notch of a semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W is rotated around its central axis in a pulsating or circumferential direction. The notch part is ground by rocking. However, the positioning unit OU
The position and direction adjusted in (1) are not sufficiently accurate, and since the position and direction are transferred via the transfer robot TR, an error in transfer is also added to the position, so that the mirror polishing apparatus PM was loaded. At times, it was unavoidable that the semiconductor wafer W deviated from a predetermined position and direction.

【0007】半導体ウェハWは、近年生産性の向上の観
点からより大径のものへと移行している。上記位置及び
方向のずれは、研磨ディスクとノッチとの大きなずれを
生じさせ、大径になるほどノッチの一部への研磨ディス
クの当たりを非常に悪くするため、ウェハノッチの鏡面
研磨には多くの時間が要されるようになった。
In recent years, the semiconductor wafer W has been changed to a wafer having a larger diameter from the viewpoint of improving productivity. The deviation of the position and the direction causes a large deviation between the polishing disk and the notch, and the larger the diameter, the more the contact of the polishing disk with a part of the notch becomes very bad. Has come to be required.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑み、ウェハノッチへの研磨ディスクの当たりを改善す
ることにより、ウェハノッチの鏡面研磨の能率を向上さ
せることを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to improve the efficiency of mirror polishing of a wafer notch by improving the contact of the polishing disk with the wafer notch.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題は以下の解決手
段により解決される。すなわち、第1番目の発明の解決
手段は、主軸台と、研磨ディスクを取り付けるための軸
であって、上記主軸台に回転可能に支持された工具スピ
ンドルと、上記工具スピンドルを回転駆動するためのス
ピンドル駆動源と、上記主軸台を上記スピンドル軸の軸
心方向に案内するための縦方向案内手段と、上記主軸台
を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内するための横方
向案内手段と、上記主軸台を上記縦方向案内手段が案内
する方向に駆動するための縦方向駆動手段と、上記主軸
台を上記横方向案内手段が案内する方向に駆動するため
の横方向駆動手段と、ウェハを支持するためのテーブル
であって、上記縦方向案内手段の案内方向と上記横方向
案内手段の案内方向とを含む面内の軸の周りに、傾動可
能なウェハチャックテーブルと、上記ウェハチャックテ
ーブルを傾動させるためのテーブル傾動手段と、を備え
たウェハノッチの鏡面研磨装置において、上記横方向駆
動手段は、上記ウェハチャックテーブル上に支持される
ウェハのノッチと上記工具スピンドルに支持される研磨
ディスクとが互いに押し付け合うように付勢する付勢機
能を備えており、上記縦方向駆動手段は、上記ウェハチ
ャックテーブル上に支持されるウェハのノッチ内におい
て上記工具スピンドルに支持される研磨ディスクの先端
が上記ノッチ内で直線往復運動を行うように駆動するた
めのオシレーション機能を備えたものである。
The above problems can be solved by the following means. That is, a solution means of the first invention is a headstock, a shaft for mounting a polishing disk, a tool spindle rotatably supported by the headstock, and a tool spindle for rotationally driving the tool spindle. A spindle drive source; vertical guide means for guiding the headstock in the axial direction of the spindle shaft; lateral guide means for guiding the headstock in a direction perpendicular to the spindle shaft; Vertical drive means for driving the headstock in the direction guided by the vertical guide means, horizontal drive means for driving the headstock in the direction guided by the lateral guide means, and wafer support A wafer chuck table that is tiltable around an axis in a plane including the guide direction of the vertical guide means and the guide direction of the horizontal guide means, and the wafer chuck table. In a mirror polishing apparatus for a wafer notch, which comprises a table tilting means for tilting the ha-chuck table, the lateral driving means is supported by the notch of the wafer supported on the wafer chuck table and the tool spindle. The polishing disk has a biasing function of biasing the polishing disk against each other, and the longitudinal driving means supports the polishing disk supported by the tool spindle in the notch of the wafer supported on the wafer chuck table. Has an oscillation function for driving the tip of the device so as to perform a linear reciprocating motion within the notch.

【0010】第2番目の発明の解決手段は、主軸台と、
研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、上記工具
スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆動源と、
上記主軸台を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内する
ための横方向案内手段と、上記主軸台を上記横方向案内
手段が案内する方向に駆動するための横方向駆動手段
と、ウェハを支持するためのテーブルであって、上記ス
ピンドル軸の軸心方向と上記横方向案内手段の案内方向
とを含む面内の軸の周りに、傾動可能なウェハチャック
テーブルと、上記ウェハチャックテーブルを上記スピン
ドル軸の軸心方向に案内するための縦方向案内手段と、
上記ウェハチャックテーブルを上記縦方向案内手段が案
内する方向に駆動するための縦方向駆動手段と、上記ウ
ェハチャックテーブルを傾動させるためのテーブル傾動
手段と、を備えたウェハノッチの鏡面研磨装置におい
て、上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブ
ル上に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドル
に支持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うよう
に付勢する付勢機能を備えており、上記縦方向駆動手段
は、上記ウェハチャックテーブル上に支持されるウェハ
のノッチ内において上記工具スピンドルに支持される研
磨ディスクの先端が上記ノッチ内で直線往復運動を行う
ように駆動するためのオシレーション機能を備えたもの
である。
A second means of solving the invention is a headstock,
A shaft for mounting a polishing disk, a tool spindle rotatably supported by the headstock, and a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle,
Lateral guide means for guiding the headstock in a direction perpendicular to the spindle axis, lateral drive means for driving the headstock in the direction guided by the lateral guide means, and supporting the wafer. And a wafer chuck table tiltable about an in-plane axis including the axial direction of the spindle shaft and the guide direction of the lateral guide means, and the wafer chuck table and the spindle shaft. Longitudinal guide means for guiding in the axial direction of
A mirror polishing apparatus for a wafer notch, comprising: a vertical drive means for driving the wafer chuck table in a direction guided by the vertical guide means; and a table tilting means for tilting the wafer chuck table. The lateral drive means has a biasing function of biasing the notch of the wafer supported on the wafer chuck table and the polishing disk supported by the tool spindle so as to press each other. Means have an oscillation function for driving a tip of a polishing disk supported by the tool spindle in a notch of a wafer supported on the wafer chuck table so as to make a linear reciprocating motion in the notch. It is a thing.

【0011】また、第3番目の発明のウェハノッチの鏡
面研磨装置は、第1番目又は第2番目の発明のウェハノ
ッチの鏡面研磨装置において、上記ウェハチャックテー
ブルを、上記研磨ディスクと正対することにより上記ノ
ッチの端面を研磨可能とするための傾動角度と上記研磨
ディスクと正対することによりノッチベベル面を研磨可
能とするための他の傾動角度との少なくとも2つの角度
に傾動可能としたものである。
A wafer notch mirror-polishing apparatus according to a third aspect of the present invention is the wafer notch mirror-polishing apparatus according to the first or second aspect of the present invention, wherein the wafer chuck table is faced to the polishing disk. The tilting angle for making the end face of the notch grindable and the other tilting angle for making the notch bevel surface grindable by directly facing the grinding disk make it possible to tilt at least two angles.

【0012】上記構成により、本発明では、ウェハチャ
ックテーブルの傾動によってノッチ端面及びノッチベベ
ル面に対して正対させ、この状態で研磨ディスクが相対
的にその軸方向に直線往復運動を行うため、ウェハがず
れてウェハチャックテーブルに装填された場合であって
も、ノッチ端面及びノッチベベル面のいずれに対して
も、その全面にわたり均等に研磨することができる。ま
た、研磨に偏りがないため、研磨時間をいたずらに長く
する必要がない。
With the above structure, in the present invention, the wafer chuck table is tilted to face the notch end surface and the notch bevel surface, and the polishing disk relatively linearly reciprocates in the axial direction in this state. Even when the wafer chuck table is loaded with misalignment, the entire surface of the notch end surface and the notch bevel surface can be uniformly polished. Further, since there is no bias in polishing, it is not necessary to unnecessarily lengthen the polishing time.

【0013】第4番目の発明の解決手段は、主軸台と、
研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、上記工具
スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆動源と、
上記主軸台を上記スピンドル軸の軸心方向に案内するた
めの縦方向案内手段と、上記主軸台を上記スピンドル軸
の軸直角方向に案内するための横方向案内手段と、上記
主軸台を上記縦方向案内手段と上記横方向案内手段との
それぞれが上記主軸台を案内する2つの方向に直角な方
向に案内するための高さ方向案内手段と、上記主軸台を
上記縦方向案内手段が案内する方向に駆動するための縦
方向駆動手段と、上記主軸台を上記横方向案内手段が案
内する方向に駆動するための横方向駆動手段と、上記主
軸台を上記高さ方向案内手段が案内する方向に駆動する
ための高さ方向駆動手段と、ウェハを支持するためのウ
ェハチャックテーブルと、を備えたウェハノッチの鏡面
研磨装置において、上記横方向駆動手段は、上記ウェハ
チャックテーブル上に支持されるウェハのノッチと上記
工具スピンドルに支持される研磨ディスクとが互いに押
し付け合うように付勢する付勢機能を備えており、上記
縦方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上に支
持されるウェハのノッチ内において上記工具スピンドル
に支持される研磨ディスクの先端が上記ノッチ内で直線
往復運動を行うように駆動するためのオシレーション機
能を備えているものである。
According to a fourth aspect of the invention, there is provided a headstock,
A shaft for mounting a polishing disk, a tool spindle rotatably supported by the headstock, and a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle,
Vertical guide means for guiding the headstock in the axial direction of the spindle shaft, horizontal guide means for guiding the headstock in a direction perpendicular to the spindle shaft, and the headstock in the longitudinal direction. A height direction guide means for guiding the headstock in directions perpendicular to the two directions in which the direction guide means and the lateral guide means respectively guide the headstock, and the vertical guide means guides the headstock. A vertical drive means for driving the headstock in a direction, a lateral drive means for driving the headstock in a direction guided by the lateral guide means, and a direction in which the headstock guides the headstock. In a mirror polishing apparatus for a wafer notch, which comprises a height direction driving means for driving the wafer notch and a wafer chuck table for supporting the wafer, the lateral direction driving means is the wafer chuck table. Has a biasing function of biasing the notch of the wafer supported on the wafer chuck and the polishing disk supported on the tool spindle so as to press each other, and the vertical driving means is supported on the wafer chuck table. In the notch of the wafer, the tip of the polishing disk supported by the tool spindle has an oscillation function for driving so as to perform linear reciprocating motion in the notch.

【0014】また、第5番目の発明のウェハノッチの鏡
面研磨装置は、第3番目の発明のウェハノッチの鏡面研
磨装置において、上記主軸台が、上記ノッチの端面とノ
ッチベベル面とがそれぞれ上記研磨ディスクに正対する
位置にまで、上記横方向駆動手段と上記高さ方向駆動手
段とによって、移動させられるものである。
A wafer notch mirror-polishing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the wafer notch mirror-polishing apparatus according to the third aspect, wherein the headstock has the notch end surface and the notch bevel surface respectively as the polishing disk. It can be moved to a directly facing position by the lateral drive means and the height drive means.

【0015】上記構成により、本発明では、主軸台が移
動することによって研磨ディスクをノッチ端面及びノッ
チベベル面に対して正対させ、この状態で研磨ディスク
がその軸方向に直線往復運動を行うため、ウェハがずれ
てウェハチャックテーブルに装填された場合であって
も、その全面にわたり均等に研磨することができる。ま
た、研磨に偏りがないため、研磨時間をいたずらに長く
する必要がない。
With the above structure, in the present invention, the headstock is moved to cause the polishing disk to face the notch end surface and the notch bevel surface, and in this state, the polishing disk makes a linear reciprocating motion in the axial direction. Even when the wafer is shifted and loaded on the wafer chuck table, the entire surface can be uniformly polished. Further, since there is no bias in polishing, it is not necessary to unnecessarily lengthen the polishing time.

【0016】第6番目の発明の解決手段は、主軸台と、
研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、上記工具
スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆動源と、
ウェハを支持するためのウェハチャックテーブルと、上
記主軸台を上記スピンドル軸の軸心方向に案内するため
の縦方向案内手段と、上記主軸台を上記スピンドル軸の
軸直角方向に案内するための横方向案内手段と、上記ウ
ェハチャックテーブルを上記縦方向案内手段と上記横方
向案内手段とのそれぞれが上記主軸台を案内する2つの
方向に直角な方向に案内するための高さ方向案内手段
と、上記主軸台を上記縦方向案内手段が案内する方向に
駆動するための縦方向駆動手段と、上記主軸台を上記横
方向案内手段が案内する方向に駆動するための横方向駆
動手段と、上記ウェハチャックテーブルを上記高さ方向
案内手段が案内する方向に駆動するための高さ方向駆動
手段と、を備えたウェハノッチの鏡面研磨装置におい
て、上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブ
ル上に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドル
に支持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うよう
に付勢する付勢機能を備えており、上記縦方向駆動手段
は、上記ウェハチャックテーブル上に支持されるウェハ
のノッチ内において上記工具スピンドルに支持される研
磨ディスクの先端が上記ノッチ内で直線往復運動を行う
ように駆動するためのオシレーション機能を備えている
ものである。
A sixth means of solving the invention is a headstock,
A shaft for mounting a polishing disk, a tool spindle rotatably supported by the headstock, and a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle,
A wafer chuck table for supporting a wafer, a vertical guide means for guiding the headstock in the axial direction of the spindle shaft, and a lateral direction for guiding the headstock in a direction perpendicular to the spindle shaft. Direction guide means, and height direction guide means for guiding the wafer chuck table in directions perpendicular to the two directions in which the vertical guide means and the horizontal guide means guide the headstock, respectively. A vertical drive means for driving the headstock in a direction guided by the vertical guide means, a lateral drive means for driving the headstock in a direction guided by the lateral guide means, and the wafer In the mirror polishing apparatus for a wafer notch, which comprises a height direction driving means for driving the chuck table in a direction guided by the height direction guiding means, Has a biasing function of biasing the notch of the wafer supported on the wafer chuck table and the polishing disk supported by the tool spindle so as to press each other. In the notch of the wafer supported on the wafer chuck table, the tip of the polishing disk supported by the tool spindle is provided with an oscillation function for driving so as to make a linear reciprocating motion in the notch. .

【0017】また、第7番目の発明のウェハノッチの鏡
面研磨装置は、第5番目の発明のウェハノッチの鏡面研
磨装置において、上記ウェハチャックテーブルが、上記
ノッチの端面とノッチベベル面とがそれぞれ上記研磨デ
ィスクに正対する位置にまで、上記横方向駆動手段と上
記高さ方向駆動手段とによって、移動させられるもので
ある。
The wafer notch mirror polishing apparatus of the seventh invention is the wafer notch mirror polishing apparatus of the fifth invention, wherein the wafer chuck table has the notch end surface and the notch bevel surface, respectively. It is moved to a position directly facing the position by the lateral direction driving means and the height direction driving means.

【0018】上記構成により、本発明では、ウェハチャ
ックテーブルが移動することによって研磨ディスクをノ
ッチ端面及びノッチベベル面に対して正対させ、この状
態で研磨ディスクがその軸方向に直線往復運動を行うた
め、ウェハがずれてウェハチャックテーブルに装填され
た場合であっても、その全面にわたり均等に研磨するこ
とができる。また、研磨に偏りがないため、研磨時間を
いたずらに長くする必要がない。
With the above-described structure, in the present invention, the wafer chuck table moves to cause the polishing disk to face the notch end surface and the notch bevel surface, and in this state the polishing disk makes a linear reciprocating motion in the axial direction. Even when the wafer is shifted and loaded on the wafer chuck table, the entire surface can be uniformly polished. Further, since there is no bias in polishing, it is not necessary to unnecessarily lengthen the polishing time.

【0019】第8番目の発明のウェハノッチの鏡面研磨
装置は、第1番目から第7番目までの発明のウェハノッ
チの鏡面研磨装置において、更に、上記工具スピンドル
に取り付けられる研磨ディスクにスラリーを供給するた
めのスラリー供給手段を備えたものである。本発明で
は、研磨ディスクに供給されたスラリーが研磨ディスク
とウェハとの研磨面に結局供給されることになりウェハ
のノッチが研磨される。
An eighth aspect of the wafer notch mirror-polishing apparatus is the wafer notch mirror-polishing apparatus of the first through seventh aspects of the invention, for further supplying slurry to a polishing disk attached to the tool spindle. It is equipped with a slurry supply means. In the present invention, the slurry supplied to the polishing disk is eventually supplied to the polishing surfaces of the polishing disk and the wafer, and the notch of the wafer is polished.

【0020】第9番目の発明の解決手段は、回転する研
磨ディスクをウェハのノッチ内に押し付けながらこれを
鏡面研磨するための鏡面研磨方法であって、上記研磨デ
ィスクと上記ウェハとの間には、上記研磨ディスクの回
転軸の方向に沿った上記ノッチ内における直線往復運動
が与えられ、上記研磨ディスクには、スラリーが供給さ
れるウェハノッチの鏡面研磨方法である。
A ninth means of solving the problem is a mirror-polishing method for mirror-polishing a rotating polishing disk while pressing it into a notch of a wafer, and between the polishing disk and the wafer. A mirror notch polishing method for a wafer notch in which a linear reciprocating motion is given in the notch along the direction of the rotation axis of the polishing disc, and slurry is supplied to the polishing disc.

【0021】上記構成により、本発明では、ノッチ端面
及びノッチベベル面に対して正対させた状態で研磨ディ
スクがその軸方向に直線往復運動を行うため、ウェハが
ずれてウェハチャックテーブルに装填された場合であっ
ても、ノッチ端面及びノッチベベル面のいずれに対して
も、その全面にわたり均等に研磨することができる。ま
た、研磨に偏りがないため、研磨時間をいたずらに長く
する必要がない。
With the above-described structure, in the present invention, the polishing disk makes a linear reciprocating motion in the axial direction of the notch end surface and the notch bevel surface, so that the wafer is shifted and loaded on the wafer chuck table. Even in this case, it is possible to uniformly polish the entire surface of both the notch end surface and the notch bevel surface. Further, since there is no bias in polishing, it is not necessary to unnecessarily lengthen the polishing time.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

実施例1 図4、図5はそれぞれ本発明の鏡面研磨装置について説
明するための実施例1の正面図、及び平面図である。
Example 1 FIGS. 4 and 5 are a front view and a plan view of Example 1 for explaining a mirror polishing apparatus of the present invention.

【0023】本実施例の鏡面研磨装置は、基台1、主軸
台ユニット2、ウェハチャックユニット3を備えてい
る。主軸台ユニット2には、主軸箱21とこの主軸箱2
1に回転自在に支持される工具スピンドル22、工具ス
ピンドル22を回転駆動するためのスピンドルモータ2
3が備えられている。スピンドルモータ23の回転軸に
はプーリ24が、また、工具スピンドル22にはプーリ
26が固定されており、両プーリには伝動ベルト25が
掛け渡されている。スピンドルモータ23の回転力はプ
ーリ24、伝動ベルト25及び工具スピンドル22に取
り付けられたプーリ26に伝達され、工具スピンドル2
2が回転する。工具スピンドル22の回転によりこれに
取り付けられた研磨ディスクdkc及びdkbが回転す
る。なお、ここでは研磨ディスクdkcはノッチ端面S
cnを研磨するため、研磨ディスクdkbはノッチベベ
ル面Sbnを研磨するためのディスクである。
The mirror polishing apparatus of this embodiment comprises a base 1, a headstock unit 2, and a wafer chuck unit 3. The headstock unit 2 includes a headstock box 21 and the headstock box 2
1. A tool spindle 22 rotatably supported by 1 and a spindle motor 2 for rotationally driving the tool spindle 22.
3 is provided. A pulley 24 is fixed to the rotary shaft of the spindle motor 23, a pulley 26 is fixed to the tool spindle 22, and a transmission belt 25 is stretched over both pulleys. The rotational force of the spindle motor 23 is transmitted to the pulley 24, the transmission belt 25, and the pulley 26 attached to the tool spindle 22, and the tool spindle 2
2 rotates. The rotation of the tool spindle 22 causes the polishing disks dkc and dkb attached thereto to rotate. Incidentally, here, the polishing disk dkc is a notch end surface S.
For polishing cn, the polishing disk dkb is a disk for polishing the notch bevel surface Sbn.

【0024】基台1上には工具スピンドル22の軸線方
向(図4中で左右方向、以下、x軸方向という。)への
案内送り機構をなす縦送りユニット4が、また、この縦
送りユニット4上には、これと直交する方向(図1中で
紙面前後方向、y軸方向という。)への案内送り機構を
なす横送りユニット5が設けられている。上記主軸台ユ
ニット2はこの横送りユニット5をなすyテーブル20
上に設けられている。
On the base 1, there is a vertical feed unit 4 forming a guide feed mechanism in the axial direction of the tool spindle 22 (left-right direction in FIG. 4, hereinafter referred to as x-axis direction). A transverse feed unit 5 which is a guide feed mechanism in a direction orthogonal to this (in the front-back direction of the paper in FIG. 1, referred to as the y-axis direction) is provided on the surface 4. The headstock unit 2 is a y-table 20 which forms the transverse feed unit 5.
It is provided above.

【0025】縦送りユニット4は、基台1上に固定さ
れ、x軸方向に沿って互いに平行なスライドガイド41
1、412と、これらのスライドガイド411、412
上をスライドし、xテーブル50の下方に設けられたス
ライダとからなる。
The vertical feed unit 4 is fixed on the base 1 and slide guides 41 parallel to each other along the x-axis direction.
1, 412 and these slide guides 411, 412
It consists of a slider that slides up and is provided below the x-table 50.

【0026】基台1にはサーボモータ43、xテーブル
50の下方には雌ねじ部材45が固定されており、この
雌ねじ部材45には、サーボモータ43によって回転駆
動される送りねじ44が螺合している。
A servomotor 43 is fixed to the base 1 and a female screw member 45 is fixed below the x table 50. A feed screw 44, which is rotationally driven by the servomotor 43, is screwed into the female screw member 45. ing.

【0027】横送りユニット5は、xテーブル50上に
固定され、y軸方向に沿って互いに平行なスライドガイ
ド511、512とこれらのスライドガイド511、5
12上をスライドし、yテーブル20の下方に設けられ
たスライダとからなる。
The lateral feed unit 5 is fixed on the x-table 50, and slide guides 511 and 512 parallel to each other along the y-axis direction and these slide guides 511 and 5 are provided.
12 and a slider provided below the y-table 20.

【0028】yテーブル20には2本のワイヤ531、
532の一端が固定されており、プーリ533、534
に掛け渡されてのち、その他端がウェイト535、53
6に固定される。ウェイト535、536は基台1の外
でワイヤ531、532によってつり下げられる状態に
なる。なお、上記プーリ533、534はxテーブル5
0に固定された支持部材により回転可能に支持されてい
る。
The y-table 20 has two wires 531,
One end of 532 is fixed and pulleys 533, 534
After being hung on the other end, the other ends are weights 535 and 53.
It is fixed at 6. The weights 535 and 536 are suspended from the base 1 by the wires 531 and 532. The pulleys 533 and 534 are the x-table 5
It is rotatably supported by a support member fixed to zero.

【0029】yテーブル20は、ウェイト535、53
6の重量に応じたy軸方向の力を受け、工具スピンドル
22、したがって研磨ディスクdkb、dkcに図5で
見て下方へ向かわせる付勢力が与えられる。この付勢力
が後述の研磨の圧力となる。
The y-table 20 has weights 535 and 53.
A force in the y-axis direction corresponding to the weight of 6 is applied to the tool spindle 22, and thus the polishing disks dkb, dkc, to urge it downward as viewed in FIG. This urging force becomes the polishing pressure described later.

【0030】主軸台ユニット2、したがって、研磨ディ
スクdkb、dkcはサーボモータ43を制御すること
によりx軸方向に任意の速度で移動でき、また、任意の
位置で停止させることができるので、研磨ディスクdk
b及びdkcを後述のように半導体ウェハWのノッチN
に向かい合う位置に移動させ、ノッチN内で直線往復運
動させることができる。
The headstock unit 2, and therefore the polishing disks dkb and dkc, can be moved at any speed in the x-axis direction by controlling the servomotor 43 and can be stopped at any position. dk
b and dkc are notches N of the semiconductor wafer W as described later.
And a linear reciprocating motion within the notch N.

【0031】基台1の側面にはウェイト棚537が設け
られている。ウェイト棚537は、主軸台ユニット2が
左に移動して研磨ディスクdkcがノッチNに向かい合
う位置にきたときウェイト535が丁度その上方になる
位置に設けられている。ここで、研磨ディスクdkcが
ノッチNを研磨するため、図5で下方に移動すると、ウ
ェイト535がウェイト棚537の上に載るようになる
ので、主軸台ユニット2にはウェイト535の荷重がか
からなくなり、もう一方のウェイト536の荷重のみが
かかることになる。このようにノッチベベル面Sbnと
ノッチ端面Scnで荷重を変えるのは、ノッチベベル面
Sbnのための研磨圧がノッチ端面Scnの研磨圧より
大きくすることが好ましいためではあるが、本発明はこ
のように各面毎に研磨圧を調整することを必須とするも
のではなく、後述の実施例2のように同じ研磨圧のまま
とすることも可能である。
A weight shelf 537 is provided on the side surface of the base 1. The weight shelf 537 is provided at a position just above the weight 535 when the headstock unit 2 moves to the left and the polishing disk dkc comes to a position facing the notch N. Here, since the polishing disk dkc polishes the notch N, when it moves downward in FIG. 5, the weight 535 comes to rest on the weight shelf 537, so that the load of the weight 535 is not applied to the headstock unit 2. Therefore, only the weight of the other weight 536 is applied. The reason why the load is changed between the notch bevel surface Sbn and the notch end surface Scn is that the polishing pressure for the notch bevel surface Sbn is preferably larger than the polishing pressure for the notch end surface Scn, but the present invention is It is not essential to adjust the polishing pressure for each surface, and the same polishing pressure can be maintained as in Example 2 described later.

【0032】主軸台ユニット2をもとの位置に戻すため
に、xテーブル50には流体圧シリンダー機構541が
設けられている。流体圧シリンダー機構541のピスト
ンロッド543は、yテーブル20の下方から突き出る
係合子544の孔内を摺動自在に嵌合されており、この
孔を挟んでピストン542と反対側にはフランジ545
が固定されている。ピストン542が図5で下方に動く
ときフランジ545は孔と干渉することなく自由に摺動
できるが、ピストン542が反対に動くときフランジ5
45と孔の縁とが係合する。このため、ウェイト53
5、536による重力に逆らってyテーブル20は図5
で見て上方に移動させられる。この移動によって主軸台
ユニット2は元の位置に引き戻される。
In order to return the headstock unit 2 to its original position, the x table 50 is provided with a fluid pressure cylinder mechanism 541. The piston rod 543 of the fluid pressure cylinder mechanism 541 is slidably fitted in the hole of the engaging element 544 protruding from the lower side of the y table 20, and the flange 545 is provided on the side opposite to the piston 542 with the hole sandwiched therebetween.
Is fixed. When the piston 542 moves downward in FIG. 5, the flange 545 can freely slide without interfering with the hole, but when the piston 542 moves in the opposite direction, the flange 5 moves.
45 and the edge of the hole engage. Therefore, the weight 53
5, the y-table 20 is shown in FIG.
Seen at and moved upwards. By this movement, the headstock unit 2 is pulled back to the original position.

【0033】図6は、ウェハチャックユニット3の右側
面図である。主軸台ユニット2との高さ位置を調整する
ための調整台33は基台に取り付けられており、調整台
33には一対のブラケット32が設けられている。各ブ
ラケット32の上方には軸孔があり、この軸孔にはウェ
ハチャックテーブル31に設けられた傾動軸37が嵌合
している。傾動軸37にはセグメント状のウォームホィ
ール34が固定されており、このウォームホィール34
には傾動モータ36によって駆動されるウォーム35が
噛合している。傾動モータ36を駆動するとウォーム3
5、ウォームホィール34によりウェハチャックテーブ
ル31が図6の点線で示されるように傾動するので、ウ
ェハチャックテーブル31が水平の状態で、これに支持
される半導体ウェハWのノッチ端面Scnが、また、2
つの傾斜状態でノッチベベル面Sbnが研磨される。
FIG. 6 is a right side view of the wafer chuck unit 3. An adjustment stand 33 for adjusting the height position with respect to the headstock unit 2 is attached to the base stand, and the adjustment stand 33 is provided with a pair of brackets 32. A shaft hole is provided above each bracket 32, and a tilt shaft 37 provided on the wafer chuck table 31 is fitted into the shaft hole. A segment-shaped worm wheel 34 is fixed to the tilting shaft 37.
A worm 35 driven by a tilting motor 36 is meshed with. When the tilt motor 36 is driven, the worm 3
5. Since the wafer chuck table 31 is tilted by the worm wheel 34 as shown by the dotted line in FIG. 6, the notch end surface Scn of the semiconductor wafer W supported by the wafer chuck table 31 in the horizontal state, Two
The notch bevel surface Sbn is polished in two inclined states.

【0034】実施例1の鏡面研磨装置は以下のように動
作する。図7は鏡面研磨装置PMの制御装置90とこれ
によって制御される各ユニットを示すブロック図であ
る。鏡面研磨装置PMの初期状態では、主軸台ユニット
2がウェハチャックユニット3から遠ざかった位置(後
退位置)にある。また、主軸台ユニット2は図4の左方
向に移動した状態であり、ウェイト535がウェイト棚
537の真上に来ている。更にウェハチャックテーブル
31は水平状態となっており、この上に載せられていた
前の半導体ウェハWはすでに研磨を終わり排出を待って
いる。
The mirror polishing apparatus of the first embodiment operates as follows. FIG. 7 is a block diagram showing a control device 90 of the mirror polishing device PM and each unit controlled by the control device 90. In the initial state of the mirror polishing apparatus PM, the headstock unit 2 is at a position away from the wafer chuck unit 3 (retracted position). Further, the headstock unit 2 is in a state of moving to the left in FIG. 4, and the weight 535 is located right above the weight shelf 537. Further, the wafer chuck table 31 is in a horizontal state, and the previous semiconductor wafer W placed on the wafer chuck table 31 has already been polished and is waiting to be discharged.

【0035】制御装置90はこの状態にあることを上位
の制御装置(不図示)に知らせると、搬送ロボットTR
はウェハチャックテーブル31から研磨を終えたウェハ
を取り上げてカセットCに搬送し、ついで、位置決めユ
ニットOUから新しい半導体ウェハWを吸引・把持し、
ウェハチャックテーブル31上に搬送してこの上に置
く。半導体ウェハWをウェハチャックテーブル31上に
載せたことを示す信号が鏡面研磨装置PMに伝えられる
と、制御装置90は、ウェハチャックテーブル31の真
空チャック(不図示)を動作させ、半導体ウェハWをウ
ェハチャックテーブル31上に把持する。
When the control device 90 informs a higher-order control device (not shown) of this state, the transfer robot TR
Picks up the polished wafer from the wafer chuck table 31 and conveys it to the cassette C, then sucks and grips a new semiconductor wafer W from the positioning unit OU,
The wafer is conveyed onto the wafer chuck table 31 and placed on it. When a signal indicating that the semiconductor wafer W is placed on the wafer chuck table 31 is transmitted to the mirror polishing apparatus PM, the control device 90 operates the vacuum chuck (not shown) of the wafer chuck table 31 to move the semiconductor wafer W. It is held on the wafer chuck table 31.

【0036】制御装置90は流体圧シリンダー機構54
1を動作させ、ピストンロッド543を前進(図5中で
下方に移動)させる。後退位置でウェイト535、53
6から受ける荷重を受け止めていたフランジ545が前
進することによって、受け止め力がなくなるため主軸台
ユニット2が前進する。
The controller 90 is a fluid pressure cylinder mechanism 54.
1 is operated and the piston rod 543 is moved forward (moved downward in FIG. 5). Weights 535 and 53 in the retracted position
When the flange 545 that has received the load received from 6 moves forward, the receiving force disappears and the headstock unit 2 moves forward.

【0037】これと平行して制御装置90は、スピンド
ルモータ23の駆動とスラリー供給装置91にスラリー
の供給を開始させる。ウェイト535、536は下降を
続け、やがて、ウェイト535がウェイト棚537上に
載る。ここから主軸台ユニット2にはウェイト536に
よる力のみが加わるようになり、更に主軸台ユニット2
は前進を続ける。やがて、ノッチ端面研磨用の研磨ディ
スクdkcがノッチN内に入り、ノッチ端面Scnの研
磨を開始する。スピンドルモータ23の負荷が不図示の
負荷検出器により常時監視されているので、研磨が開始
されたことは、接触時の負荷の急激な増加によって検出
される。研磨開始の信号を受け取ると制御装置90はタ
イマー92のカウントをスタートさせるとともにサーボ
モータ43を制御して小幅な正逆回転を行わせる。サー
ボモータ43の正逆回転により主軸台ユニット2は小幅
な直線往復運動を開始する。
In parallel with this, the control device 90 drives the spindle motor 23 and causes the slurry supply device 91 to start the supply of the slurry. The weights 535 and 536 continue to descend, and then the weight 535 is placed on the weight shelf 537. From here, only the force by the weight 536 is applied to the headstock unit 2, and further, the headstock unit 2
Keeps moving forward. Eventually, the polishing disk dkc for polishing the notch end surface enters the notch N and starts polishing the notch end surface Scn. Since the load on the spindle motor 23 is constantly monitored by a load detector (not shown), the start of polishing is detected by a rapid increase in the load at the time of contact. Upon receiving the polishing start signal, the control device 90 starts the count of the timer 92 and controls the servo motor 43 to perform a slight forward / reverse rotation. The headstock unit 2 starts a small linear reciprocating motion by the forward and reverse rotations of the servomotor 43.

【0038】図8にはノッチN内を研磨ディスクdkc
(あるいは後述のdkb)が直線往復運動する様子を示
す説明図である。この直線往復運動によって、研磨ディ
スクdkcはノッチNの底に沿ってトラバースするた
め、ウェイトによる研磨圧と研磨ディスクdkcの変形
とが相まってノッチN内(ノッチ端面Scn)が偏りな
く均一に研磨される。
In FIG. 8, a polishing disk dkc is formed in the notch N.
It is explanatory drawing which shows a mode that (or dkb mentioned later) linearly reciprocates. By this linear reciprocating motion, the polishing disk dkc traverses along the bottom of the notch N, and the polishing pressure by the weight and the deformation of the polishing disk dkc combine to polish the inside of the notch N (notch end surface Scn) uniformly. .

【0039】所定の研磨時間を経過すると、タイマー9
2が制御装置90に信号を送り、制御装置90はこの信
号を受けることにより、サーボモータ43による直線往
復運動を停止させ、流体圧シリンダー機構541に後退
開始をさせる。ピストンロッド543あるいは主軸台ユ
ニット2が後退端に至ったことは、例えばリミットスイ
ッチ93等の検出手段により検出され、制御装置90は
流体圧シリンダー機構541の動作を停止させる。
When the predetermined polishing time has passed, the timer 9
2 sends a signal to the control device 90, and the control device 90 receives this signal to stop the linear reciprocating motion by the servo motor 43 and cause the fluid pressure cylinder mechanism 541 to start the backward movement. The fact that the piston rod 543 or the headstock unit 2 has reached the retracted end is detected by the detection means such as the limit switch 93, and the control device 90 stops the operation of the fluid pressure cylinder mechanism 541.

【0040】後退端で制御装置90はサーボモータ43
の駆動を開始し、研磨ディスクdkbが半導体ウェハW
正面に位置するように主軸台ユニット2を図4右方向へ
送る。この指令と合わせて、傾動モータ36を駆動して
ウェハチャックテーブル31の傾動動作を行わせ、ノッ
チベベル面Sbnを研磨ディスクdkbに正対する位置
まで回動させる。
At the backward end, the control device 90 causes the servomotor 43
Of the semiconductor wafer W
The headstock unit 2 is moved to the right in FIG. 4 so as to be positioned in the front. Along with this command, the tilt motor 36 is driven to tilt the wafer chuck table 31, and the notch bevel surface Sbn is rotated to a position directly facing the polishing disk dkb.

【0041】これから先のノッチベベル面Sbnの研磨
動作は、ノッチ端面Scnを研磨するときと同様である
ので説明を省略するが、この場合でも主軸台ユニット2
の直線往復運動が行われ、研磨ディスクdkbはノッチ
Nの底に沿ってトラバースするため、ウェイトによる研
磨圧と研磨ディスクdkbの変形とが相まってノッチN
内(ノッチベベル面Sbn)が偏りなく均一に研磨され
る。ただし、ウェイト535は、主軸台ユニット2の右
方向移動により、もはや、ウェイト棚537の上方に位
置していないため、2つのウェイト535、536によ
る研磨圧が全て研磨面にかかる。このため、ノッチベベ
ル面Sbnの研磨圧はノッチ端面のそれに比して大きい
圧力となる。
The subsequent polishing operation of the notch bevel surface Sbn is the same as the polishing operation of the notch end surface Scn, and the description thereof will be omitted.
Linear reciprocating movement of the polishing disc dkb traverses along the bottom of the notch N, the polishing pressure due to the weight and the deformation of the polishing disc dkb combine with the notch N.
The inside (notch bevel surface Sbn) is evenly polished. However, since the weight 535 is no longer positioned above the weight shelf 537 due to the rightward movement of the headstock unit 2, the polishing pressure by the two weights 535 and 536 is entirely applied to the polishing surface. Therefore, the polishing pressure of the notch bevel surface Sbn is higher than that of the notch end surface.

【0042】ノッチベベル面Sbnの研磨サイクルが終
了すると主軸台ユニット2は後退端に移動される。ここ
で、反対側(半導体ウェハの裏側)のノッチベベル面S
bnを研磨するため、これが研磨ディスクdkbに正対
する位置までウェハチャックテーブル31を回動させる
ように制御装置90が指令を出す。その後の動作は表側
のノッチベベル面Sbnの研磨時と同様であるので説明
を省略する。なおこの場合も、主軸台ユニット2の直線
往復運動は行われ、更に、2つのウェイト535、53
6による研磨圧が研磨面にかかる。
When the polishing cycle of the notch bevel surface Sbn is completed, the headstock unit 2 is moved to the retracted end. Here, the notch bevel surface S on the opposite side (back side of the semiconductor wafer)
In order to polish bn, the controller 90 issues a command to rotate the wafer chuck table 31 to a position where it directly faces the polishing disk dkb. The subsequent operation is the same as when polishing the notch bevel surface Sbn on the front side, and therefore description thereof is omitted. In this case also, the linear reciprocating motion of the headstock unit 2 is performed, and the two weights 535 and 53 are further moved.
The polishing pressure of 6 is applied to the polishing surface.

【0043】ノッチNの研磨が全て終了すると制御装置
90は、鏡面研磨装置PMを初期状態に戻すように指令
を出し、初期状態に戻り、新ウェハの装填待ちであるこ
とを上位の制御装置に知らせる。これにより、搬送ロボ
ットTRによって、研磨済みの半導体ウェハWがカセッ
トCに搬送され、新しい半導体ウェハWが、位置決めユ
ニットOUから、搬送されてウェハチャックテーブル3
1に装填される。
When all the polishing of the notch N is completed, the controller 90 issues a command to return the mirror polishing apparatus PM to the initial state, returns to the initial state, and informs the upper controller that it is waiting for the loading of a new wafer. Inform. Accordingly, the polished semiconductor wafer W is transferred to the cassette C by the transfer robot TR, and a new semiconductor wafer W is transferred from the positioning unit OU to the wafer chuck table 3
1 is loaded.

【0044】実施例2 このように実施例1の鏡面研磨装置PMでは、使用する
研磨ディスクdkc、dkbの位置を変えるためと工具
スピンドルの軸方向の直線往復運動を行わせるための駆
動と、研磨ディスクを半導体ウェハに所定の研磨圧で押
し付ける(及びこれから離す)ための駆動とは主軸台ユ
ニット2に与えられている。そして、ノッチ端面Scn
とノッチベベル面Sbnをそれぞれ研磨ディスクに正対
させるためにウェハチャックテーブルが傾動可能な構成
がとられている。
Embodiment 2 As described above, in the mirror polishing apparatus PM of Embodiment 1, the drive for changing the positions of the polishing disks dkc and dkb to be used and the drive for performing the linear reciprocating motion of the tool spindle in the axial direction, and the polishing are performed. The drive for pressing the disk against the semiconductor wafer with a predetermined polishing pressure (and separating it from the disk) is given to the headstock unit 2. Then, the notch end surface Scn
The wafer chuck table is tiltable so that the notch bevel surface Sbn and the notch bevel surface Sbn face each other.

【0045】実施例2は、使用する研磨ディスクdk
c、dkbの位置を変えるためと工具スピンドルの軸方
向の直線往復運動を行わせるための駆動とがウェハチャ
ックテーブル31に与えられる。一方、ウェハチャック
テーブル31は実施例1と同様に傾動可能であり、研磨
ディスクを半導体ウェハに所定の研磨圧で押し付ける
(及びこれから離す)ための駆動とは主軸台ユニット2
に与えられている。
In Example 2, the used polishing disk dk was used.
The wafer chuck table 31 is provided with a drive for changing the positions of c and dkb and a drive for performing a linear reciprocating motion of the tool spindle in the axial direction. On the other hand, the wafer chuck table 31 can be tilted similarly to the first embodiment, and the drive for pressing the polishing disk against the semiconductor wafer with a predetermined polishing pressure (and releasing it) is the headstock unit 2
Is given to.

【0046】図9及び図10は、それぞれ実施例2の鏡
面研磨装置PMの正面図及び平面図である。なお、これ
らの図において実施例1のものと実質的に等価な部材又
はユニットには同じ符号が用いられている。
9 and 10 are a front view and a plan view, respectively, of the mirror polishing apparatus PM of the second embodiment. In these figures, the same reference numerals are used for members or units that are substantially equivalent to those in the first embodiment.

【0047】本実施例の鏡面研磨装置PMは、基台1、
主軸台ユニット2、ウェハチャックユニット3を備えて
いる。主軸台ユニット2には、主軸箱21とこの主軸箱
21に回転自在に支持される工具スピンドル22、工具
スピンドル22を回転駆動するためのスピンドルモータ
23が備えられている。スピンドルモータ23の回転軸
にはプーリ24が、また、工具スピンドル22にはプー
リ26が固定されており、両プーリには伝動ベルト25
が掛け渡されている。スピンドルモータ23の回転力は
プーリ24、伝動ベルト25及び工具スピンドル22に
取り付けられたプーリ26に伝達され、工具スピンドル
22が回転する。工具スピンドル22の回転によりこれ
に取り付けられた研磨ディスクdkc及びdkbが回転
する。なお、ここでは研磨ディスクdkcはノッチ端面
Scnを研磨するため、研磨ディスクdkbはノッチベ
ベル面Sbnを研磨するためのディスクである。
The mirror-polishing apparatus PM of this embodiment comprises a base 1,
A headstock unit 2 and a wafer chuck unit 3 are provided. The headstock unit 2 is provided with a spindle box 21, a tool spindle 22 rotatably supported by the spindle box 21, and a spindle motor 23 for rotationally driving the tool spindle 22. A pulley 24 is fixed to the rotary shaft of the spindle motor 23, and a pulley 26 is fixed to the tool spindle 22. The transmission belt 25 is fixed to both pulleys.
Have been passed over. The rotational force of the spindle motor 23 is transmitted to the pulley 24, the transmission belt 25, and the pulley 26 attached to the tool spindle 22, and the tool spindle 22 rotates. The rotation of the tool spindle 22 causes the polishing disks dkc and dkb attached thereto to rotate. Here, the polishing disk dkc is a disk for polishing the notch end surface Scn, and the polishing disk dkb is a disk for polishing the notch bevel surface Sbn.

【0048】基台1上には工具スピンドル22の軸線方
向(図1中で左右方向、以下、x軸方向という。)への
案内送り機構をなす縦送りユニット4が、また、基台1
上の別の場所には、縦送りユニット4の送り方向と直交
する方向(図1中で紙面前後方向、y軸方向という。)
への案内送り機構をなす横送りユニット5が設けられて
いる。上記主軸台ユニット2はこの横送りユニット5を
なすyテーブル20上に設けられている。
On the base 1, a vertical feed unit 4 forming a guide feed mechanism in the axial direction of the tool spindle 22 (horizontal direction in FIG. 1, hereinafter referred to as x-axis direction) is also provided.
In another place above, a direction orthogonal to the feed direction of the vertical feed unit 4 (referred to as the front-back direction of the paper surface in FIG. 1 and the y-axis direction).
A lateral feed unit 5 is provided as a guide feed mechanism to the. The headstock unit 2 is provided on a y-table 20 which forms the transverse feed unit 5.

【0049】縦送りユニット4は、基台1上に固定さ
れ、x軸方向に沿って互いに平行なスライドガイド41
1、412と、これらのスライドガイド411、412
上をスライドし、xテーブル50の下方に設けられたス
ライダとからなる。
The vertical feed unit 4 is fixed on the base 1 and slide guides 41 parallel to each other along the x-axis direction.
1, 412 and these slide guides 411, 412
It consists of a slider that slides up and is provided below the x-table 50.

【0050】基台1にはサーボモータ43、xテーブル
50の下方には雌ねじ部材45が固定されており、この
雌ねじ部材45には、サーボモータ43によって回転駆
動される送りねじ44が螺合している。
A servomotor 43 is fixed to the base 1 and a female screw member 45 is fixed below the x table 50. A feed screw 44, which is rotationally driven by the servomotor 43, is screwed into the female screw member 45. ing.

【0051】横送りユニット5は、基台1上に固定さ
れ、y軸方向に沿って互いに平行なスライドガイド51
1、512とこれらのスライドガイド511、512上
をスライドし、yテーブル20の下方に設けられたスラ
イダとからなる。
The transverse feed unit 5 is fixed on the base 1 and slide guides 51 parallel to each other along the y-axis direction.
1, 512 and sliders that slide on these slide guides 511 and 512 and that are provided below the y table 20.

【0052】yテーブル20にはワイヤ531の一端が
固定されており、プーリ533に掛け渡されてのち、そ
の他端がウェイト535に固定されている。ウェイト5
35は基台1の外でワイヤ531によってつり下げられ
る状態になる。なお、上記プーリ533は基台1に固定
された支持部材により回転可能に支持されている。
One end of the wire 531 is fixed to the y-table 20, and the wire 531 is hung on the pulley 533 and the other end is fixed to the weight 535. Weight 5
The wire 35 is hung outside the base 1 by the wire 531. The pulley 533 is rotatably supported by a support member fixed to the base 1.

【0053】yテーブル20は、ウェイト535の重量
に応じたy軸方向の力を受け、工具スピンドル22、し
たがって研磨ディスクdkb、dkcに図10で見て下
方へ向かわせる付勢力が与えられる。この付勢力が研磨
の圧力となる。
The y-table 20 receives a force in the y-axis direction corresponding to the weight of the weight 535, and a biasing force is applied to the tool spindle 22, and thus the polishing disks dkb and dkc, as shown in FIG. This urging force becomes the polishing pressure.

【0054】yテーブル20はサーボモータ43を制御
することによりx軸方向に任意の速度で移動・位置で停
止させることができるので、研磨ディスクdkb及びd
kcに対して半導体ウェハWのノッチNが向かい合うよ
うな位置に移動させ、ノッチN内で直線往復運動させる
ことができる。
Since the y-table 20 can be moved / stopped at an arbitrary speed in the x-axis direction by controlling the servo motor 43, the polishing disks dkb and d can be moved.
The semiconductor wafer W can be moved to a position where the notches N face each other with respect to kc, and can be linearly reciprocated within the notches N.

【0055】主軸台ユニット2をもとの位置に戻すため
に、xテーブル50には流体圧シリンダー機構541が
設けられている。流体圧シリンダー機構541のピスト
ンロッド543は、yテーブル20の下方から突き出る
係合子544の孔内を摺動自在に嵌合されており、この
孔を挟んでピストン542と反対側にはフランジ545
が固定されている。ピストン542が図10で下方に動
くときフランジ545は孔と干渉することなく自由に摺
動できるが、ピストン542が反対に動くときフランジ
545と孔の縁とが係合する。このため、ウェイト53
5による重力に逆らってyテーブル20は図10で見て
上方に移動させられる。この移動によって主軸台ユニッ
ト2は元の位置に引き戻される。
In order to return the headstock unit 2 to its original position, the x table 50 is provided with a fluid pressure cylinder mechanism 541. The piston rod 543 of the fluid pressure cylinder mechanism 541 is slidably fitted in the hole of the engaging element 544 protruding from the lower side of the y table 20, and the flange 545 is provided on the side opposite to the piston 542 with the hole sandwiched therebetween.
Is fixed. When the piston 542 moves downward in FIG. 10, the flange 545 is free to slide without interfering with the hole, but when the piston 542 moves in the opposite direction, the flange 545 engages the edge of the hole. Therefore, the weight 53
The y-table 20 is moved upward as viewed in FIG. By this movement, the headstock unit 2 is pulled back to the original position.

【0056】xテーブル50上にはウェハチャックユニ
ット3が載置されている。ウェハチャックユニット3に
備えられるウェハチャックテーブル31は水平の状態
で、これに支持される半導体ウェハWのノッチ端面Sc
nが、また、2つの傾斜状態でノッチベベル面Sbnが
研磨される。これらの構成は、実施例1(図6)に示さ
れるものと同様であるからこれ以上の説明を省略する。
The wafer chuck unit 3 is placed on the x-table 50. The wafer chuck table 31 provided in the wafer chuck unit 3 is in a horizontal state, and the notch end surface Sc of the semiconductor wafer W supported by the wafer chuck table 31 is horizontal.
n, and the notch bevel surface Sbn is polished in two inclined states. Since these configurations are similar to those shown in the first embodiment (FIG. 6), further description will be omitted.

【0057】実施例2の鏡面研磨装置においては、ウェ
ハチャックユニット3側がx軸方向の移動と直線往復運
動を行う点、及び研磨圧がノッチ端面Scnとノッチベ
ベル面Sbnとで同じである点を除き、実質的に実施例
1の動作と同様であり、そのまま読み替えることができ
るので、これ以上の説明を省略する。
In the mirror polishing apparatus of the second embodiment, except that the wafer chuck unit 3 side moves in the x-axis direction and linearly reciprocates, and that the polishing pressure is the same between the notch end surface Scn and the notch bevel surface Sbn. Since the operation is substantially the same as that of the first embodiment and can be read as it is, the further description will be omitted.

【0058】実施例3 実施例3の鏡面研磨装置は、実施例1におけるウェハチ
ャックテーブル31が傾動動作を行わないタイプであ
る。実施例1では、半導体ウェハWのノッチ端面Scn
及びノッチベベル面Sbnに対して研磨ディスクdkc
及び研磨ディスクdkbが正対する位置関係になるよう
に、ウェハチャックテーブル31の傾動動作が行われる
が、本実施例では、傾動動作は行わず、これに代えて主
軸台を横方向(y軸方向)と高さ方向(z軸方向)に移
動させる。
Example 3 The mirror surface polishing apparatus of Example 3 is of a type in which the wafer chuck table 31 of Example 1 does not tilt. In the first embodiment, the notch end surface Scn of the semiconductor wafer W
And notch bevel surface Sbn with respect to polishing disk dkc
The tilting operation of the wafer chuck table 31 is performed so that the polishing disk dkb and the polishing disk dkb face each other. However, in this embodiment, the tilting operation is not performed. Instead, the headstock is moved laterally (y-axis direction). ) And the height direction (z-axis direction).

【0059】この鏡面研磨装置は、主軸台、工具スピン
ドル、ウェハチャックテーブル、縦方向(x軸方向)案
内手段、横方向(y軸方向)案内手段、高さ方向(z軸
方向)案内手段、縦方向駆動手段、横方向駆動手段及び
高さ方向駆動手段を備えている。
This mirror polishing apparatus includes a headstock, a tool spindle, a wafer chuck table, vertical (x-axis direction) guide means, lateral (y-axis direction) guide means, height direction (z-axis direction) guide means, It is provided with vertical drive means, horizontal drive means and height drive means.

【0060】2枚(あるいは1枚)の研磨ディスクが取
り付けられる工具スピンドルは回転可能であってスピン
ドル駆動源によって回転駆動される。主軸台は縦方向案
内手段によってスピンドル軸の軸心方向(x軸方向)に
案内され、横方向案内手段によってスピンドル軸の軸直
角方向(y軸方向)に案内される。主軸台は、更に、高
さ方向案内手段によってこれらの方向と直角な方向(z
軸方向)に案内される。
The tool spindle to which two (or one) polishing disks are attached is rotatable and is rotationally driven by the spindle drive source. The headstock is guided in the axial center direction (x-axis direction) of the spindle shaft by the vertical guide means, and is guided in the direction perpendicular to the spindle shaft (y-axis direction) by the horizontal guide means. The headstock is further provided with height guide means in a direction perpendicular to these directions (z
Guided in the axial direction).

【0061】図11は、実施例3における研磨ディスク
dkc、dkbと半導体ウェハW(のノッチN)の移動
と位置の関係を示した説明図である。
FIG. 11 is an explanatory view showing the relationship between the movement and position of the polishing disks dkc, dkb and (the notch N of) the semiconductor wafer W in the third embodiment.

【0062】それぞれの案内手段には駆動手段が設けら
れており、主軸台はそれぞれの方向に沿って駆動移動さ
れる。ウェハチャックテーブル上に支持された半導体ウ
ェハに対しそのノッチの端面及びベベル面と研磨ディス
クとがそれぞれ正対させるために、主軸台が横(y)及
び高さ(z)方向に移動される。研磨時には、付勢機能
によってノッチと研磨ディスクとが互いに押し付け合う
ように付勢され、オシレーション機能によって研磨ディ
スクの先端がノッチ内で縦(x)方向に沿った直線往復
運動(図面紙面方向)を行うように駆動される。なお、
研磨時、研磨ディスクにはスラリー供給手段によりスラ
リーが供給される。
Each guide means is provided with a drive means, and the headstock is driven and moved in each direction. The headstock is moved in the lateral (y) and height (z) directions so that the end surface of the notch and the bevel surface of the semiconductor wafer supported on the wafer chuck table face the polishing disk, respectively. At the time of polishing, the notch and the polishing disk are biased by the biasing function so as to press each other, and the tip of the polishing disk is linearly reciprocated along the longitudinal (x) direction in the notch by the oscillation function (the drawing paper surface direction). Driven to do. In addition,
During polishing, the slurry is supplied to the polishing disk by the slurry supplying means.

【0063】実施例4 実施例4の鏡面研磨装置は、実施例1におけるウェハチ
ャックテーブル31が傾動動作を行わないタイプであ
る。実施例1では、半導体ウェハWのノッチ端面Scn
及びノッチベベル面Sbnに対して研磨ディスクdkc
及び研磨ディスクdkbが正対する位置関係になるよう
に、ウェハチャックテーブル31の傾動動作が行われる
が、本実施例では、傾動動作は行わず、これに代えてウ
ェハチャックテーブル31を横方向(y軸方向)と高さ
方向(z軸方向)に移動させる。
Example 4 The mirror polishing apparatus of Example 4 is of a type in which the wafer chuck table 31 of Example 1 does not tilt. In the first embodiment, the notch end surface Scn of the semiconductor wafer W
And notch bevel surface Sbn with respect to polishing disk dkc
The tilting operation of the wafer chuck table 31 is performed so that the polishing disk dkb and the polishing disk dkb face each other. However, in this embodiment, the tilting operation is not performed. Instead, the wafer chuck table 31 is moved in the lateral direction (y. It is moved in the axial direction) and in the height direction (z-axis direction).

【0064】この鏡面研磨装置は、主軸台、工具スピン
ドル、ウェハチャックテーブル、縦方向(x軸方向)案
内手段、横方向(y軸方向)案内手段、高さ方向(z軸
方向)案内手段、縦方向駆動手段、横方向駆動手段及び
高さ方向駆動手段を備えている。
This mirror surface polishing apparatus comprises a headstock, a tool spindle, a wafer chuck table, a vertical (x-axis direction) guide means, a lateral (y-axis direction) guide means, a height direction (z-axis direction) guide means, It is provided with vertical drive means, horizontal drive means and height drive means.

【0065】2枚(あるいは1枚)の研磨ディスクが取
り付けられる工具スピンドルは回転可能であってスピン
ドル駆動源によって回転駆動される。ウェハチャックテ
ーブルは縦方向案内手段によってスピンドル軸の軸心方
向(x軸方向)に案内され、横方向案内手段によってス
ピンドル軸の軸直角方向(y軸方向)に案内される。ウ
ェハチャックテーブルは、更に、高さ方向案内手段によ
ってこれらの方向と直角な方向(z軸方向)に案内され
る。
The tool spindle to which two (or one) polishing disks are attached is rotatable and is rotationally driven by the spindle drive source. The wafer chuck table is guided in the axial direction (x-axis direction) of the spindle shaft by the vertical guide means, and is guided in the direction perpendicular to the spindle shaft (y-axis direction) by the horizontal guide means. The wafer chuck table is further guided by the height direction guiding means in a direction (z-axis direction) perpendicular to these directions.

【0066】図12は、実施例4における研磨ディスク
dkc、dkbと半導体ウェハW(のノッチN)の移動
と位置の関係を示した説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing the relationship between the movement and position of the polishing disks dkc, dkb and (the notch N of) the semiconductor wafer W in the fourth embodiment.

【0067】それぞれの案内手段には駆動手段が設けら
れており、ウェハチャックテーブルはそれぞれの方向に
沿って駆動移動される。ウェハチャックテーブル上に支
持された半導体ウェハに対しそのノッチの端面及びベベ
ル面と研磨ディスクとをそれぞれ正対させるために、ウ
ェハチャックテーブルが横(y)及び高さ(z)方向に
移動される。研磨時には、付勢機能によってノッチと研
磨ディスクとが互いに押し付け合うように付勢され、オ
シレーション機能によって研磨ディスクの先端に対し、
半導体ウェハがノッチ内で縦(x)方向に沿った直線往
復運動(図面紙面方向)を行うように駆動される。な
お、研磨時、研磨ディスクにはスラリー供給手段により
スラリーが供給される。
Each guide means is provided with a drive means, and the wafer chuck table is driven and moved in each direction. The wafer chuck table is moved in the lateral (y) and height (z) directions in order to make the notch end surface and bevel surface and the polishing disk face the semiconductor wafer supported on the wafer chuck table, respectively. . At the time of polishing, the notch and the polishing disk are pressed by the biasing function so as to press each other, and the oscillation function causes the tip of the polishing disk to
The semiconductor wafer is driven so as to make a linear reciprocating motion (in the drawing paper plane direction) along the longitudinal (x) direction within the notch. During polishing, the slurry is supplied to the polishing disk by the slurry supplying means.

【0068】[0068]

【発明の効果】研磨ディスクとノッチとの間のずれが半
導体ウェハWの大径化に伴って拡大し、研磨ディスクの
当たりを悪化させ、ノッチの鏡面研磨を非効率なものと
しているが、本発明では、研磨ディスクあるいは半導体
ウェハに直線往復運動を与えることによって、ウェハノ
ッチへの研磨ディスクの当たりが改善され、これによ
り、ウェハノッチの鏡面研磨の能率を向上させることが
できるという効果を奏する。
The deviation between the polishing disc and the notch increases with the increase in diameter of the semiconductor wafer W, which deteriorates the contact of the polishing disc and makes mirror polishing of the notch inefficient. According to the invention, by imparting a linear reciprocating motion to the polishing disk or the semiconductor wafer, the contact of the polishing disk with the wafer notch is improved, and as a result, the efficiency of mirror polishing of the wafer notch can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ノッチを付けた半導体ウェハの外観を示すもの
であって、(a)はその平面図、(b)はその部分断面
図である。
1A and 1B are external views of a notched semiconductor wafer, in which FIG. 1A is a plan view thereof and FIG. 1B is a partial sectional view thereof.

【図2】上記半導体ウェハのノッチ近傍を拡大して示す
斜視図である。
FIG. 2 is an enlarged perspective view showing the vicinity of a notch of the semiconductor wafer.

【図3】半導体製造システム内における鏡面研磨装置P
Mとその周辺の概要を示す説明図である。
FIG. 3 is a mirror polishing apparatus P in a semiconductor manufacturing system.
It is explanatory drawing which shows the outline of M and its periphery.

【図4】本発明の鏡面研磨装置(実施例1)について説
明するための正面図である。
FIG. 4 is a front view for explaining a mirror polishing device (Example 1) of the present invention.

【図5】本発明の鏡面研磨装置(実施例1)について説
明するための平面図である。
FIG. 5 is a plan view for explaining a mirror polishing apparatus (Example 1) of the present invention.

【図6】ウェハチャックユニット3の右側面図である。6 is a right side view of the wafer chuck unit 3. FIG.

【図7】鏡面研磨装置PMの制御装置90とこれによっ
て制御される各ユニットを示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a controller 90 of the mirror polishing apparatus PM and each unit controlled by the controller 90.

【図8】ノッチN内を研磨ディスクdkc(あるいはd
kb)が直線往復運動する様子を示す説明図である。
FIG. 8 shows a polishing disk dkc (or d
It is explanatory drawing which shows a mode that kb) linearly reciprocates.

【図9】本発明の鏡面研磨装置(実施例2)について説
明するための正面図である。
FIG. 9 is a front view for explaining the mirror-polishing device (second embodiment) of the present invention.

【図10】本発明の鏡面研磨装置(実施例2)について
説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a mirror polishing apparatus (Example 2) of the present invention.

【図11】実施例3における研磨ディスクdkc、dk
bと半導体ウェハW(のノッチN)の移動と位置の関係
を示した説明図である。
FIG. 11 shows polishing disks dkc and dk in Example 3.
It is explanatory drawing which showed the movement of b and the semiconductor wafer W (notch N), and the relationship of a position.

【図12】実施例4における研磨ディスクdkc、dk
bと半導体ウェハW(のノッチN)の移動と位置の関係
を示した説明図である。
FIG. 12 shows polishing disks dkc and dk in Example 4.
It is explanatory drawing which showed the movement of b and the semiconductor wafer W (notch N), and the relationship of a position.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基台 2 主軸台ユニット 3 ウェハチャックユニット 4 縦送りユニット 5 横送りユニット C カセット N ノッチ W 半導体ウェハ 20 yテーブル 21 主軸箱 22 工具スピンドル 23 スピンドルモータ 24、26 プーリ 25 伝動ベルト 31 ウェハチャックテーブル 32 ブラケット 33 調整台 34 ウォームホィール 35 ウォーム 36 傾動モータ 37 傾動軸 43 サーボモータ 44 送りねじ 45 雌ねじ部材 50 xテーブル 90 制御装置 91 スラリー供給装置 92 タイマー 93 リミットスイッチ OU 位置決めユニット PM 鏡面研磨装置 Sb ベベル面 Sc 外周面 TR 搬送ロボット 411、412、511、512 スライドガイド 531、532 ワイヤ 533、534 プーリ 535、536 ウェイト 537 ウェイト棚 541 流体圧シリンダー機構 542 ピストン 543 ピストンロッド 544 係合子 545 フランジ Sbn ノッチベベル面 Scn ノッチ端面 dkc、dkb 研磨ディスク 1 base 2 Headstock unit 3 Wafer chuck unit 4 Vertical feed unit 5 Traverse unit C cassette N notch W semiconductor wafer 20 y table 21 Spindle box 22 Tool spindle 23 Spindle motor 24, 26 pulley 25 transmission belt 31 Wafer chuck table 32 bracket 33 Adjusting stand 34 Warm Wheel 35 Warm 36 Tilt motor 37 Tilt axis 43 Servo motor 44 lead screw 45 Female thread member 50 x table 90 Control device 91 Slurry supply device 92 timer 93 Limit switch OU positioning unit PM mirror polishing equipment Sb bevel surface Sc outer peripheral surface TR transport robot 411, 412, 511, 512 Slide guide 531 and 532 wires 533, 534 pulley 535,536 weight 537 weight shelf 541 Fluid pressure cylinder mechanism 542 piston 543 piston rod 544 Engagement element 545 flange Sbn notch bevel surface Scn Notch end face dkc, dkb polishing disc

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主軸台と、 研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、 上記工具スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆
動源と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸心方向に案内するた
めの縦方向案内手段と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内する
ための横方向案内手段と、 上記主軸台を上記縦方向案内手段が案内する方向に駆動
するための縦方向駆動手段と、 上記主軸台を上記横方向案内手段が案内する方向に駆動
するための横方向駆動手段と、 ウェハを支持するためのテーブルであって、上記縦方向
案内手段の案内方向と上記横方向案内手段の案内方向と
を含む面内の軸の周りに、傾動可能なウェハチャックテ
ーブルと、 上記ウェハチャックテーブルを傾動させるためのテーブ
ル傾動手段と、 を備えたウェハノッチの鏡面研磨装置において、 上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドルに支
持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うように付
勢する付勢機能を備えており、 上記縦方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチ内において上記工具スピン
ドルに支持される研磨ディスクの先端が上記ノッチ内で
直線往復運動を行うように駆動するためのオシレーショ
ン機能を備えていることを特徴とするウェハノッチの鏡
面研磨装置。
1. A headstock, a tool spindle for mounting a polishing disk, the tool spindle rotatably supported by the headstock, a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle, and the spindle. Vertical guide means for guiding the spindle in the axial direction of the spindle shaft, lateral guide means for guiding the spindle stock in a direction perpendicular to the spindle shaft, and vertical guide means for the spindle stock. A longitudinal drive means for driving the head guide in a direction guided by the means, a lateral drive means for driving the headstock in a direction guided by the lateral guide means, and a table for supporting the wafer. A wafer chuck table tiltable about an axis in a plane including the guide direction of the vertical guide means and the guide direction of the horizontal guide means, and the wafer chuck table. In a mirror polishing apparatus for a wafer notch including: a table tilting means for tilting the wafer notch, the lateral driving means includes a wafer notch supported on the wafer chuck table and a polishing disk supported by the tool spindle. The vertical drive means has a biasing function of biasing the wafers against each other, and the tip of the polishing disk supported by the tool spindle is in the notch of the wafer supported on the wafer chuck table. A mirror polishing device for a wafer notch, which has an oscillation function for driving so as to perform linear reciprocating motion in the notch.
【請求項2】 主軸台と、 研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、 上記工具スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆
動源と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内する
ための横方向案内手段と、 上記主軸台を上記横方向案内手段が案内する方向に駆動
するための横方向駆動手段と、 ウェハを支持するためのテーブルであって、上記スピン
ドル軸の軸心方向と上記横方向案内手段の案内方向とを
含む面内の軸の周りに、傾動可能なウェハチャックテー
ブルと、 上記ウェハチャックテーブルを上記スピンドル軸の軸心
方向に案内するための縦方向案内手段と、 上記ウェハチャックテーブルを上記縦方向案内手段が案
内する方向に駆動するための縦方向駆動手段と、 上記ウェハチャックテーブルを傾動させるためのテーブ
ル傾動手段と、を備えたウェハノッチの鏡面研磨装置に
おいて、 上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドルに支
持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うように付
勢する付勢機能を備えており、 上記縦方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチ内において上記工具スピン
ドルに支持される研磨ディスクの先端が上記ノッチ内で
直線往復運動を行うように駆動するためのオシレーショ
ン機能を備えていることを特徴とするウェハノッチの鏡
面研磨装置。
2. A headstock, a tool spindle for mounting a polishing disk, the tool spindle rotatably supported by the headstock, a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle, and the main spindle. Lateral guide means for guiding the table in a direction perpendicular to the spindle axis, lateral drive means for driving the spindle table in the direction guided by the lateral guide means, and for supporting the wafer. A table, the wafer chuck table being tiltable around an in-plane axis including the axial direction of the spindle shaft and the guide direction of the lateral guide means, and the wafer chuck table including the wafer chuck table and the spindle shaft of the spindle shaft. Vertical guide means for guiding in the axial direction, and vertical drive means for driving the wafer chuck table in the direction guided by the vertical guide means. A wafer notch mirror polishing apparatus comprising: a table tilting means for tilting the wafer chuck table; and the lateral drive means supporting the wafer notch supported on the wafer chuck table and the tool spindle. And a polishing disc to be pressed against each other, the vertical drive means is supported by the tool spindle within a notch of a wafer supported on the wafer chuck table. A mirror polishing apparatus for a wafer notch, wherein the tip of the polishing disk has an oscillation function for driving so as to perform a linear reciprocating motion within the notch.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載されたウェ
ハノッチの鏡面研磨装置において、 上記ウェハチャックテーブルは、上記研磨ディスクと正
対することにより上記ノッチの端面を研磨可能とするた
めの傾動角度と上記研磨ディスクと正対することにより
ノッチベベル面を研磨可能とするための他の傾動角度と
の少なくとも2つの角度に傾動可能であることを特徴と
するウェハノッチの鏡面研磨装置。
3. The mirror polishing apparatus for a wafer notch according to claim 1 or 2, wherein the wafer chuck table has a tilt angle for polishing the end surface of the notch by facing the polishing disk. And a mirror polishing device for a wafer notch, wherein the mirror polishing device is capable of tilting at least two angles, namely, another tilt angle for enabling polishing of the notch bevel surface by directly facing the polishing disk.
【請求項4】 主軸台と、 研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、 上記工具スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆
動源と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸心方向に案内するた
めの縦方向案内手段と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内する
ための横方向案内手段と、 上記主軸台を上記縦方向案内手段と上記横方向案内手段
とのそれぞれが上記主軸台を案内する2つの方向に直角
な方向に案内するための高さ方向案内手段と、 上記主軸台を上記縦方向案内手段が案内する方向に駆動
するための縦方向駆動手段と、 上記主軸台を上記横方向案内手段が案内する方向に駆動
するための横方向駆動手段と、 上記主軸台を上記高さ方向案内手段が案内する方向に駆
動するための高さ方向駆動手段と、 ウェハを支持するためのウェハチャックテーブルと、 を備えたウェハノッチの鏡面研磨装置において、 上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドルに支
持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うように付
勢する付勢機能を備えており、 上記縦方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチ内において上記工具スピン
ドルに支持される研磨ディスクの先端が上記ノッチ内で
直線往復運動を行うように駆動するためのオシレーショ
ン機能を備えていることを特徴とするウェハノッチの鏡
面研磨装置。
4. A headstock, a tool spindle for mounting a polishing disk, the tool spindle rotatably supported by the headstock, a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle, and the spindle. Vertical guide means for guiding the spindle in the axial direction of the spindle shaft, lateral guide means for guiding the spindle stock in a direction perpendicular to the spindle shaft, and vertical guide means for the spindle stock. Means for guiding the headstock in a direction perpendicular to the two directions for guiding the headstock, and a direction for guiding the headstock in the direction in which the vertical guide means guides the headstock. Vertical drive means for driving, horizontal drive means for driving the headstock in a direction guided by the lateral guide means, and means for guiding the headstock by the height guide means In a mirror polishing apparatus for a wafer notch, which comprises a height driving means for driving the wafer chuck and a wafer chuck table for supporting the wafer, the lateral driving means comprises a wafer supported on the wafer chuck table. Has a biasing function of biasing the notch of the wafer and the polishing disk supported by the tool spindle so as to press each other, and the vertical driving means is provided in the notch of the wafer supported on the wafer chuck table. 2. A mirror polishing apparatus for a wafer notch, wherein the tip of the polishing disk supported by the tool spindle has an oscillation function for driving the tip so as to perform linear reciprocating motion in the notch.
【請求項5】 請求項4に記載されたウェハノッチの鏡
面研磨装置において、 上記主軸台は、上記ノッチの端面とノッチベベル面とが
それぞれ上記研磨ディスクに正対する位置にまで、上記
横方向駆動手段と上記高さ方向駆動手段とによって、移
動させられることを特徴とするウェハノッチの鏡面研磨
装置。
5. The mirror notch polishing apparatus for a wafer notch according to claim 4, wherein the headstock includes the lateral driving means until the end surface of the notch and the notch bevel surface face the polishing disk, respectively. A mirror-polishing device for a wafer notch, which is moved by the height direction driving means.
【請求項6】 主軸台と、 研磨ディスクを取り付けるための軸であって、上記主軸
台に回転可能に支持された工具スピンドルと、 上記工具スピンドルを回転駆動するためのスピンドル駆
動源と、 ウェハを支持するためのウェハチャックテーブルと、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸心方向に案内するた
めの縦方向案内手段と、 上記主軸台を上記スピンドル軸の軸直角方向に案内する
ための横方向案内手段と、 上記ウェハチャックテーブルを上記縦方向案内手段と上
記横方向案内手段とのそれぞれが上記主軸台を案内する
2つの方向に直角な方向に案内するための高さ方向案内
手段と、 上記主軸台を上記縦方向案内手段が案内する方向に駆動
するための縦方向駆動手段と、 上記主軸台を上記横方向案内手段が案内する方向に駆動
するための横方向駆動手段と、 上記ウェハチャックテーブルを上記高さ方向案内手段が
案内する方向に駆動するための高さ方向駆動手段と、を
備えたウェハノッチの鏡面研磨装置において、 上記横方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチと上記工具スピンドルに支
持される研磨ディスクとが互いに押し付け合うように付
勢する付勢機能を備えており、 上記縦方向駆動手段は、上記ウェハチャックテーブル上
に支持されるウェハのノッチ内において上記工具スピン
ドルに支持される研磨ディスクの先端が上記ノッチ内で
直線往復運動を行うように駆動するためのオシレーショ
ン機能を備えていることを特徴とするウェハノッチの鏡
面研磨装置。
6. A headstock, a tool spindle for mounting a polishing disk, the tool spindle being rotatably supported by the headstock, a spindle drive source for rotationally driving the tool spindle, and a wafer. Wafer chuck table for supporting, vertical guide means for guiding the headstock in the axial direction of the spindle shaft, and lateral guide for guiding the headstock in a direction perpendicular to the spindle shaft. Means, height direction guiding means for guiding the wafer chuck table in a direction perpendicular to two directions in which the longitudinal direction guiding means and the lateral direction guiding means respectively guide the headstock, and the main spindle. Vertical drive means for driving the base in the direction guided by the vertical guide means, and for driving the spindle base in the direction guided by the horizontal guide means In a mirror polishing apparatus for a wafer notch, which comprises a lateral direction driving means and a height direction driving means for driving the wafer chuck table in a direction guided by the height direction guiding means, the lateral direction driving means comprises: The notch of the wafer supported on the wafer chuck table and the polishing disk supported by the tool spindle have an urging function of urging them so that they are pressed against each other. In the notch of the wafer supported on the table, the tip of the polishing disk supported by the tool spindle has an oscillation function for driving so as to perform linear reciprocating motion in the notch. Mirror polishing device for wafer notch.
【請求項7】 請求項6に記載されたウェハノッチの鏡
面研磨装置において、 上記ウェハチャックテーブルは、上記ノッチの端面とノ
ッチベベル面とがそれぞれ上記研磨ディスクに正対する
位置にまで、上記横方向駆動手段と上記高さ方向駆動手
段とによって、移動させられることを特徴とするウェハ
ノッチの鏡面研磨装置。
7. The wafer notch mirror polishing apparatus according to claim 6, wherein the wafer chuck table is provided with the lateral driving means up to a position where an end surface of the notch and a notch bevel surface respectively face the polishing disk. And a mirror-polishing device for a wafer notch, which is moved by the height driving means.
【請求項8】 請求項1から請求項7までのいずれかに
記載されたウェハノッチの鏡面研磨装置において、この
鏡面研磨装置は、更に、 上記工具スピンドルに取り付けられる研磨ディスクにス
ラリーを供給するためのスラリー供給手段を備えている
ことを特徴とするウェハノッチの鏡面研磨装置。
8. A mirror-polishing device for a wafer notch according to any one of claims 1 to 7, wherein the mirror-polishing device further supplies slurry to a polishing disk mounted on the tool spindle. A mirror-polishing device for a wafer notch, comprising a slurry supply means.
【請求項9】 回転する研磨ディスクをウェハのノッチ
内に押し付けながらこれを鏡面研磨するための鏡面研磨
方法において、 上記研磨ディスクと上記ウェハとの間には、上記研磨デ
ィスクの回転軸の方向に沿った上記ノッチ内における直
線往復運動が与えられ、 上記研磨ディスクには、スラリーが供給されることを特
徴とするウェハノッチの鏡面研磨方法。
9. A mirror-polishing method for mirror-polishing a rotating polishing disk while pressing it into a notch of a wafer, wherein the polishing disk and the wafer are arranged between the polishing disk and the wafer in a direction of a rotation axis of the polishing disk. A method for mirror-polishing a wafer notch, characterized in that a linear reciprocating movement along the notch along the notch is applied and slurry is supplied to the polishing disk.
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